JP2015034861A - 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】駆動トランジスタの特性の補正動作を行うに当たって、駆動トランジスタのゲートノードに対する初期化電圧の書込み時間の短縮化を可能にした表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供する。【解決手段】本開示の表示装置は、発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする駆動部と、を備える。【選択図】 図２

Description

本開示は、表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器に関する。

近年、表示装置の分野では、発光部を含む画素が行列状(マトリクス状)に配置されて成る平面型(フラットパネル型)の表示装置が主流となっている。平面型の表示装置の一つとして、発光部に流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子、例えば、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）素子を用いる有機ＥＬ表示装置がある。

この有機ＥＬ表示装置に代表される平面型の表示装置にあっては、電気光学素子を駆動する駆動トランジスタのトランジスタ特性（例えば、閾値電圧）が、プロセスの変動などによって画素毎にばらつく場合がある。このトランジスタ特性のばらつきは、発光輝度に影響を及ぼす。具体的には、各画素に同一のレベル（信号電圧）の映像信号を書き込んだとしても、発光輝度が画素間でばらつくことになるために表示むらが生じ、表示画面の一様性（ユニフォーミティ）が損なわれる。そのため、画素回路を構成する素子の特性ばらつき等に起因する表示むらを補正するための技術、具体的には、閾値電圧のばらつきを補正するための技術が採用されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−３１０３１１号公報

上記の従来技術にあっては、閾値電圧のばらつきを補正する動作（以下、単に「閾値補正動作」と記述する場合もある）は、電気光学素子を駆動する駆動トランジスタのゲート電圧を所定の基準電圧（初期化電圧）に初期化した状態で行なわれる。そのため、駆動トランジスタのゲートノード（ゲート電極）に初期化電圧を書き込むための時間を長く設定する必要がある。しかし、初期化電圧の書込み時間が長いと、その後に行なわれる映像信号の書込み動作に悪影響が及ぶ場合がある。

本開示は、駆動トランジスタの特性の補正動作を行うに当たって、駆動トランジスタのゲートノードに対する初期化電圧の書込み時間の短縮化を可能にした表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする駆動部と、
を備える。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置の駆動方法は、
発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部を有する表示装置の駆動に当たって、
駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする。

上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする駆動部と、
を備える表示装置を有する。

上記の構成において、駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にすることで、自己放電動作が行われる。自己放電動作時の各ノードの電位の挙動は、エンハンスメント化している駆動トランジスタの場合と、デプレッション化している駆動トランジスタの場合とで異なる。そして、信号電圧の書込みが行われる前に、駆動トランジスタの特性に応じてソース電圧及びゲート電圧の到達電位に差が生じる。自己放電動作後、駆動トランジスタのソースノードをフローティング状態にしたまま、信号電圧の書込みを行うことで、容量カップリングによって、駆動トランジスタのソース電圧が決定される。その結果、画素の各々において、駆動トランジスタの特性のばらつきを補正した状態で、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧に基づく一定の発光電流が得られる。

本開示によれば、自己放電動作を利用した駆動トランジスタの特性の補正動作であることで、補正動作を行うに当たって、駆動トランジスタのゲートノードに対する補正動作のための初期化電圧の書込み時間を短縮することができる。

図１は、本開示の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、本開示の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置における画素（画素回路）の回路例を示す回路図である。 図３は、比較例に係る駆動方法について説明するためのタイミング波形図である。 図４は、本開示の実施形態に係る駆動方法について説明するためのタイミング波形図である。 図５Ａは、信号電圧Ｖ_sigを書き込むときの画素の等価回路を示す回路図であり、図５Ｂは、信号電圧Ｖ_sigの書込み前後における駆動トランジスタのソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gの変化の様子を示す波形図である。

以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示は実施形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明
２．実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．比較例に係る駆動方法
２−４．比較例の問題点について
２−５．実施形態に係る駆動方法
２−６．実施形態の作用、効果
３．変形例
４．電子機器

＜本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置は、発光部を駆動する駆動トランジスタの他に、サンプリングトランジスタ及び保持容量を有する画素回路が配置されて成る平面型（フラットパネル型）の表示装置である。平面型の表示装置としては、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置などを例示することができる。これらの表示装置のうち、有機ＥＬ表示装置は、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子を画素の発光素子（電気光学素子）として用いている。

画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために、有機ＥＬ表示装置は低消費電力である。有機ＥＬ素子が自発光型の素子であるために、有機ＥＬ表示装置は、同じ平面型の表示装置である液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子の応答速度が数マイクロ秒程度と非常に高速であるために、有機ＥＬ表示装置は動画表示時の残像が発生しない。

有機ＥＬ素子は、自発光型の素子であるとともに、電流駆動型の電気光学素子である。電流駆動型の電気光学素子としては、有機ＥＬ素子の他に、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などを例示することができる。

有機ＥＬ表示装置等の平面型の表示装置は、表示部を備える各種の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることができる。各種の電子機器としては、テレビジョンシステムの他、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機、ノート型パーソナルコンピュータ、電子書籍等の携帯情報機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）や携帯電話機等の携帯通信機器などを例示することができる。

本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、駆動部について、駆動トランジスタのゲートノードをフローティング状態にした後ソースノードをフローティング状態にする構成とすることができる。また、駆動部について、駆動トランジスタのソースノードをフローティング状態にしたままサンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みを行う構成とすることができる。初期化電圧については、信号電圧と異なるタイミングで信号線に供給され、信号線からサンプリングトランジスタによるサンプリングによって駆動トランジスタのゲートノードに書き込まれる構成とすることができる。

上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、シリコンのような半導体上に形成する構成とすることができる。また、駆動トランジスタについて、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのは次の理由による。

トランジスタをガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成する場合、トランジスタは、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲート（ベース）の４端子となる。そして、駆動トランジスタとしてＮチャネル型のトランジスタを用いた場合、バックゲート（基板）電圧が０Ｖとなり、駆動トランジスタの閾値電圧の画素毎のばらつきを補正する動作などに悪影響を及ぼすことになる。

また、トランジスタの特性ばらつきは、ＬＤＤ(Lightly Doped Drain)領域を持つＮチャネル型のトランジスタに比べて、ＬＤＤ領域を持たないＰチャネル型のトランジスタの方が小さく、画素の微細化、ひいては、表示装置の高精細化を図る上で有利である。このような理由などから、シリコンのような半導体上への形成を想定した場合、駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのが好ましい。

上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、サンプリングトランジスタについても、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。

あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタを有する構成とすることができる。このとき、発光制御トランジスタについても、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。

あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、保持容量について、駆動トランジスタのゲートノードとソースノードとの間に接続された構成とすることができる。また、画素回路について、駆動トランジスタのソースノードと固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する構成とすることができる。

あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路について、駆動トランジスタのドレインノードと発光部のカソードノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタを有する構成とすることができる。このとき、スイッチングトランジスタについても、Ｐチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。また、駆動部について、発光部の非発光期間にスイッチングトランジスタを導通状態にする構成とすることができる。

あるいは又、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、駆動部は、スイッチングトランジスタを駆動する信号を、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングタイミングよりも前にアクティブ状態にする。そして、発光制御トランジスタを駆動する信号をアクティブ状態にした後に非アクティブ状態にする構成とすることができる。このとき、駆動部について、発光制御トランジスタを駆動する信号を非アクティブ状態にする前に、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングを完了する構成とすることができる。

＜実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置＞
［システム構成］
図１は、本開示の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。アクティブマトリクス型表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御する表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。

ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である例えば有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。

図１に示すように、本開示の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される駆動回路部（駆動部）とを有する構成となっている。駆動回路部は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル８０上に搭載された書込み走査部４０、第１駆動走査部５０、第２駆動走査部６０、及び、信号出力部７０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、第１駆動走査部５０、第２駆動走査部６０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル８０外に設ける構成を採ることも可能である。

ここで、有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。

但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。

画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１₁〜３１_m）、第１駆動線３２（３２₁〜３２_m）、及び、第２駆動線３３（３３₁〜３３_m）が画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３４（３４₁〜３４_n）が画素列毎に配線されている。

走査線３１₁〜３１_mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。第１駆動線３２₁〜３２_mは、第１駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。第２駆動線３３₁〜３３_mは、第２駆動走査部６０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３４₁〜３４_nは、信号出力部７０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。

書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１₁〜３１_m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ₁〜ＷＳ_m）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。

第１駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この第１駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、第１駆動線３２（３２₁〜３２_m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ₁〜ＤＳ_m）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。

第２駆動走査部６０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この第２駆動走査部６０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、第２駆動線３３（３３₁〜３３_m）に対して駆動信号ＡＺ（ＡＺ₁〜ＡＺ_m）を供給することによって非発光期間において画素２０を発光しないようにする制御を行う。

信号出力部７０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖ_sigと基準電圧Ｖ_ofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖ_ofsは、映像信号の信号電圧Ｖ_sigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧であり、後述する補正動作を行なう際に用いられる初期化電圧である。

信号出力部７０から択一的に出力される信号電圧Ｖ_sig／基準電圧Ｖ_ofsは、信号線３４（３４₁〜３４_n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部７０は、信号電圧Ｖ_sigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。

［画素回路］
図２は、本開示の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置における画素（画素回路）の回路例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。

図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３５にカソード電極が接続されている。

有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、スイッチングトランジスタ２５、保持容量２６、及び、補助容量２７を有する構成となっている。尚、本実施形態にあっては、画素（画素回路）２０は、ガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成される。そして、駆動トランジスタ２２は、Ｐチャネル型のトランジスタから成る。

また、本実施形態にあっては、駆動トランジスタ２２と同様に、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、及び、スイッチングトランジスタ２５についても、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、及び、スイッチングトランジスタ２５は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。各トランジスタのバックゲートには電源電圧Ｖ_ccが印加される。

上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部７０から信号線３４を通して供給される信号電圧Ｖ_sigをサンプリングすることによって駆動トランジスタ２２のゲートノード（ゲート電極）に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖ_ccの電源ノードと駆動トランジスタ２２のソースノード（ソース電極）との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。スイッチングトランジスタ２５は、駆動トランジスタ２２のドレインノード（ドレイン電極）と電流排出先ノード（例えば、共通電源線３５）との間に接続され、駆動信号ＡＺによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の非発光期間に有機ＥＬ素子２１が発光しないように制御する。

保持容量２６は、駆動トランジスタ２２のゲートノードとソースノードとの間に接続されており、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた信号電圧Ｖ_sigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２６の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。補助容量２７は、駆動トランジスタ２２のソースノードと、固定電位のノード（例えば、電源電圧Ｖ_ccの電源ノード）との間に接続されている。この補助容量２７は、信号電圧Ｖ_sigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電圧が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thにする作用を為す。

［比較例に係る駆動方法］
ここで、上記の構成のアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０の駆動方法に関して、先ず、本開示の技術（即ち、実施形態に係る駆動方法）よりも前の技術について、比較例に係る駆動方法として、図３のタイミング波形図を用いて説明する。

図３のタイミング波形図には、発光制御信号ＤＳ、書込み走査信号ＷＳ、駆動信号ＡＺ、信号線３４の電位Ｖ_ofs／Ｖ_sig、及び、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s、ゲート電圧Ｖ_gのそれぞれの変化の様子を示している。

尚、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、及び、スイッチングトランジスタ２５がＰチャネル型のトランジスタであるため、書込み走査信号ＷＳ、発光制御信号ＤＳ、及び、駆動信号ＡＺの低電圧の状態がアクティブ状態となり、高電圧の状態が非アクティブ状態となる。そして、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、及び、スイッチングトランジスタ２５は、書込み走査信号ＷＳ、発光制御信号ＤＳ、及び、駆動信号ＡＺのアクティブ状態で導通状態となり、非アクティブ状態で非導通状態となる。

時刻ｔ₁で、書込み走査信号ＷＳが高電圧から低電圧に遷移することで、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になる。このとき、信号出力部７０から信号線３４に対して、基準電圧Ｖ_ofsが出力されている状態にある。従って、基準電圧Ｖ_ofsがサンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって駆動トランジスタ２２のゲートノードに書き込まれるため、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gが基準電圧Ｖ_ofsになる。

また、時刻ｔ₁では、発光制御信号ＤＳが低電圧の状態にあり、発光制御トランジスタ２４が導通状態にある。従って、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sは電源電圧Ｖ_ccになっている。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsは、Ｖ_gs＝Ｖ_ofs−Ｖ_ccとなる。

ここで、閾値補正動作（閾値補正処理）を行うには、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thよりも大きくしておく必要がある。そのため、｜Ｖ_gs｜＝｜Ｖ_ofs−Ｖ_cc｜＞｜Ｖ_th｜となるように各電圧値が設定されることになる。

このように、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gを基準電圧Ｖ_ofsに設定し、かつ、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sを電源電圧Ｖ_ccに設定する初期化動作が、次の閾値補正動作を行う前の準備（閾値補正準備）の動作である。従って、基準電圧Ｖ_ofs及び電源電圧Ｖ_ccが、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_g及びソース電圧Ｖ_sの各初期化電圧ということになる。

次に、時刻ｔ₂で、発光制御信号ＤＳが低電圧から高電圧に遷移し、発光制御トランジスタ２４が非導通状態になると、駆動トランジスタ２２のソースノードがフローティング状態となり、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gが基準電圧Ｖ_ofsに保たれた状態で閾値補正動作が開始される。すなわち、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gから閾値電圧Ｖ_thを減じた電圧（Ｖ_g−Ｖ_th）に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sが下降（低下）を開始する。

比較例に係る駆動方法にあっては、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gの初期化電圧Ｖ_ofsを基準とし、当該初期化電圧Ｖ_ofsから駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thを減じた電圧（Ｖ_g−Ｖ_th）に向けて駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sを変化させる動作が閾値補正動作となる。この閾値補正動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thに収束する。この閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧は保持容量２６に保持される。

そして、時刻ｔ₃で、書込み走査信号ＷＳが低電圧から高電圧に遷移し、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態になると、閾値補正期間が終了する。その後、時刻ｔ₄で、信号出力部７０から信号線３４に映像信号の信号電圧Ｖ_sigが出力され、信号線３４の電位が基準電圧Ｖ_ofsから信号電圧Ｖ_sigに切り替わる。

次に、時刻ｔ₅で、書込み走査信号ＷＳが高電圧から低電圧に遷移することで、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になり、信号電圧Ｖ_sigをサンプリングして画素２０内に書き込む。このサンプリングトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込み動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gが信号電圧Ｖ_sigになる。

この映像信号の信号電圧Ｖ_sigの書込みの際に、駆動トランジスタ２２のソースノードと電源電圧Ｖ_ccの電源ノードとの間に接続されている補助容量２７は、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sが変動するのを抑える作用を為す。そして、映像信号の信号電圧Ｖ_sigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thが保持容量２５に保持された閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧と相殺される。

このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが、信号電圧Ｖ_sigに応じて開く（大きくなる）が、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sは依然としてフローティング状態にある。そのため、保持容量２６の充電電荷は、駆動トランジスタ２２の特性に応じて放電される。そして、このとき駆動トランジスタ２２に流れる電流によって有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elの充電が開始される。

有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elが充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sが時間が経過するにつれて徐々に下降していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thの画素毎のばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉ_dsは当該駆動トランジスタ２２の移動度ｕに依存したものとなる。尚、駆動トランジスタ２２の移動度ｕは、当該駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度である。

ここで、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sの下降分は、保持容量２６の充電電荷を放電するように作用する。換言すれば、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sの下降分（変化量）は、保持容量２６に対して負帰還がかけられたことになる。従って、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sの下降分は負帰還の帰還量となる。

このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉ_dsに応じた帰還量で保持容量２６に対して負帰還をかけることにより、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉ_dsの移動度ｕに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す動作（打ち消す処理）が、駆動トランジスタ２２の移動度ｕの画素毎のばらつきを補正する移動度補正動作（移動度補正処理）である。

より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖ_in（＝Ｖ_sig−Ｖ_ofs）が大きい程ドレイン−ソース間電流Ｉ_dsが大きくなるため、負帰還の帰還量の絶対値も大きくなる。従って、映像信号の信号振幅Ｖ_in、即ち、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。また、映像信号の信号振幅Ｖ_inを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度ｕが大きいほど負帰還の帰還量の絶対値も大きくなるため、画素毎の移動度ｕのばらつきを取り除くことができる。

時刻ｔ₆で、書込み走査信号ＷＳが低電圧から高電圧に遷移し、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態になることで、信号書込み＆移動度補正期間が終了する。移動度補正を行った後、時刻ｔ₇で、発光制御信号ＤＳが高電圧から低電圧に遷移することで、発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。これにより、電源電圧Ｖ_ccの電源ノードから発光制御トランジスタ２４を通して駆動トランジスタ２２に電流が供給される。

このとき、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態にあることで、駆動トランジスタ２２のゲートノードは信号線３４から電気的に切り離されてフローティング状態にある。ここで、駆動トランジスタ２２のゲートノードがフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２６が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sの変動に連動してゲート電圧Ｖ_gも変動する。

すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gは、保持容量２６に保持されているゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを保持したまま上昇する。そして、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sは、トランジスタの飽和電流に応じた有機ＥＬ素子２１の発光電圧Ｖ_oledまで上昇する。

このように、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gがソース電圧Ｖ_sの変動に連動して変動する動作がブートストラップ動作である。換言すれば、ブートストラップ動作は、保持容量２６に保持されたゲート−ソース間電圧Ｖ_gs、即ち、保持容量２６の両端間電圧を保持したまま、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_g及びソース電圧Ｖ_sが変動する動作である。

そして、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉ_dsが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉ_dsに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電圧Ｖ_anoが上昇する。やがて、有機ＥＬ素子２１のアノード電圧Ｖ_anoが有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thelを超えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため、有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。

一方、第２駆動走査部６０は、時刻ｔ₁よりも前の時刻ｔ₀から、時刻ｔ₇よりも後の時刻ｔ₈までの期間で駆動信号ＡＺをアクティブ状態（低電位の状態）とする。時刻ｔ₀−時刻ｔ₈の期間は、有機ＥＬ素子２１の非発光期間である。この非発光期間に駆動信号ＡＺがアクティブ状態となることで、これに応答してスイッチングトランジスタ２５が導通状態となる。

スイッチングトランジスタ２５が導通状態になることで、当該スイッチングトランジスタ２５を介して、駆動トランジスタ２２のドレインノード（有機ＥＬ素子２１のアノード電極）と電流排出先ノードである共通電源線３５との間が電気的に短絡される。ここで、スイッチングトランジスタ２７のオン抵抗は、有機ＥＬ素子２１に比べて非常に小さい。従って、有機ＥＬ素子２１の非発光期間において、駆動トランジスタ２２に流れる電流を共通電源線３５に強制的に流し込み、有機ＥＬ素子２１には流れ込まないようにすることができる。因みに、閾値補正及び信号書込みが行われる１Ｈでは駆動信号ＡＺがアクティブ状態となるが、以降の発光期間中では駆動信号ＡＺが非アクティブ状態となる。

ここで、スイッチングトランジスタ２５を持たない画素構成における、閾値補正準備期間から閾値補正期間（時刻ｔ₁〜時刻ｔ₃）にかけての動作点に着目する。先述した動作説明から明らかなように、閾値補正動作を行うには、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thよりも大きくしておく必要がある。

ゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが閾値電圧Ｖ_thよりも大きいと、駆動トランジスタ２２に電流が流れる。すると、閾値補正準備期間から閾値補正期間の一部にかけて、一時的に有機ＥＬ素子２１のアノード電圧Ｖ_anoが当該有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thelを超える。これにより、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に電流が流れ込むことになるため、非発光期間であるにも拘わらず、信号電圧Ｖ_sigの階調に依らず毎フレーム、一定輝度で有機ＥＬ素子２１が発光する。その結果、表示パネル８０のコントラストの低下を招くことになる。

これに対して、スイッチングトランジスタ２５を持つ画素構成では、上述したスイッチングトランジスタ２５の作用により、有機ＥＬ素子２１の非発光期間において、駆動トランジスタ２２に流れる電流が有機ＥＬ素子２１に流れ込まないようにすることができる。これにより、非発光期間において、有機ＥＬ素子２１が発光するのを抑制することができるため、スイッチングトランジスタ２５を持たない画素構成に比べて表示パネル８０の高コントラスト化を図ることができる。

以上説明した一連の回路動作において、閾値補正準備、閾値補正、信号電圧Ｖ_sigの書込み（信号書込み）、及び、移動度補正の各動作は、例えば１水平期間（１Ｈ）において実行される。

［比較例の問題点について］
上述した比較例に係る駆動方法にあっては、閾値補正動作は、有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gを初期化電圧にした状態で行なわれる。換言すれば、閾値補正動作が完了するまで、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gは、初期化電圧である基準電圧Ｖ_ofsでなければならない。そのため、駆動トランジスタ２２のゲートノードに基準電圧Ｖ_ofsを書き込むための時間（ｔ₁−ｔ₃）を長く設定する必要がある。

しかし、基準電圧Ｖ_ofsの書込み時間が長いと、その後に行なわれる映像信号の信号電圧Ｖ_sigの書込み動作に悪影響が及ぶ場合がある。より具体的には、映像信号の書込みに際して、映像信号の立上げに十分な時間を確保できなくなるために、映像信号が所望のレベルに達する前に書込み動作が完了してしまうことになる。すなわち、所望のレベルに達する前の映像信号の信号レベルを書き込むことになるため、所望のレベルに対応した輝度が得られないことになる。

また、画素（画素回路）２０をシリコンのような半導体上に形成する場合は、トランジスタの閾値電圧Ｖ_thがバックゲートの電圧によって変動する基板バイアス効果があり、当該基板バイアス効果に起因する不具合が生ずる場合もある。この基板バイアス効果に起因する不具合について、以下に具体的に説明する。

閾値補正動作において、駆動トランジスタ２２のゲートノードを基準電圧Ｖ_ofsに固定し、ソースノードをフローティングにした状態で放電動作を行わせることで、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sとバックゲート電圧Ｖ_bに差が生じる。具体的には、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sがバックゲート電圧Ｖ_b（＝Ｖ_cc）よりも小さくなる。この時点の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsは、基板バイアス効果によりΔＶ_thだけエンハンスメント化する（Ｖ_gs＝Ｖ_th＋ΔＶ_th）。

一方、発光時は、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sがバックゲート電圧Ｖ_bと等しくなるため（Ｖ_s＝Ｖ_b）、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsは、基板バイアス効果によるエンハンスメント化のない本来の閾値電圧Ｖ_thとなる（Ｖ_gs＝Ｖ_th）。従って、Ｖ_s＝Ｖ_bとなる発光時と異なる動作点での閾値補正動作となるため、実際の発光時には閾値電圧Ｖ_thのばらつきが輝度差として発生してしまう。すなわち、画素２０を半導体（半導体基板）上に形成する場合には、比較例に係る駆動方法による駆動の下に閾値補正動作を行なうと、補正時と発光時の実効Ｖ_thの差によって閾値電圧Ｖ_thのばらつきを十分に補正できないことになり、ユニフォーミティが悪化する。

［実施形態に係る駆動方法］
上述した比較例に係る駆動方法に対して、本開示の実施形態に係る駆動方法では、次のような駆動を行うことを特徴とする。先ず、駆動トランジスタ２２のソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧である基準電圧Ｖ_ofsを書き込む。しかる後、サンプリングトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタ２２のゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする。

以下に、本開示の実施形態に係る駆動方法について、図４のタイミング波形図を用いてより具体的に説明する。図４のタイミング波形図には、発光制御信号ＤＳ、書込み走査信号ＷＳ、駆動信号ＡＺ、信号線３４の電位Ｖ_ofs／Ｖ_sig、及び、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s、ゲート電圧Ｖ_gのそれぞれの変化の様子を示している。

尚、図４において、閾値電圧Ｖ_thが相対的に大きい、エンハンスメント化した駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gについては破線で示している。また、閾値電圧Ｖ_thが相対的に小さい、デプレッション化した駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gについては二点鎖線で示している。

発光制御信号ＤＳがアクティブ状態（低電圧の状態）にあり、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態（高電圧の状態）にある時刻ｔ₁₀で、駆動信号ＡＺがアクティブ状態となる。すなわち、駆動信号ＡＺは、サンプリングトランジスタ２３による初期化電圧（即ち、基準電圧Ｖ_ofs）のサンプリングタイミング（時刻ｔ₁₁）よりも前にアクティブ状態となる。そして、駆動信号ＡＺがアクティブ状態になることで、スイッチングトランジスタ２５が導通状態になる。これにより、以降、駆動トランジスタ２２に流れる電流は、スイッチングトランジスタ２５を通して電流排出先ノードである共通電源線３５に流れ込むことになる。

次に、時刻ｔ₁₁で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となり、これに応答してサンプリングトランジスタ２３が導通状態になる。このとき、発光制御トランジスタ２４が導通状態にあることで、駆動トランジスタ２２のソースノードには電源電圧Ｖ_ccが印加された状態にある。すなわち、駆動トランジスタ２２のソースノードは非フローティング状態にある。この状態において、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって、基準電圧Ｖ_ofsが駆動トランジスタ２２のゲートノードに書き込まれる。先述したように、基準電圧Ｖ_ofsは、信号電圧Ｖ_sigと異なるタイミングで信号出力部７０から信号線３４に供給される。

そして、時刻ｔ₁₂で、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態となることで、基準電圧Ｖ_ofsの書込みが終了する。すなわち、発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になるタイミング（時刻ｔ₁₃）よりも前に、サンプリングトランジスタ２３による基準電圧Ｖ_ofsの書込み（サンプリング）が完了する。尚、基準電圧Ｖ_ofsを書き込むことによって駆動トランジスタ２２に電流が流れるが、上述したように、スイッチングトランジスタ２５が導通状態にあることで、駆動トランジスタ２２に流れる電流は、スイッチングトランジスタ２５を通して電流排出先ノードである共通電源線３５に流れ込む。従って、有機ＥＬ素子２１が発光することがないため、表示パネル８０のコントラストが低下することもない。

また、時刻ｔ₁₂で、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態となり、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態になることで、駆動トランジスタ２２のゲートノードがフローティング状態になる。次いで、時刻ｔ₁₃で、発光制御信号ＤＳが非アクティブ状態になり、発光制御トランジスタ２４が非導通状態になることで、駆動トランジスタ２２のソースノードがフローティング状態になる。すなわち、駆動トランジスタ２２のゲートノードに基準電圧Ｖ_ofsを書き込んだ後、駆動トランジスタ２２のゲートノード、次いでソースノードの順にフローティング状態になる。

そして、駆動トランジスタ２２のゲートノード及びソースノードが共にフローティング状態になることで自己放電動作が行われる。自己放電動作での各ノードの電位の放電は、駆動トランジスタ２２→スイッチングトランジスタ２５→共通電源線３５の経路を通して行なわれる。そして、自己放電動作によって駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gが共に徐々に低下していく。自己放電動作では、基本的に、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gは、ゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを維持しつつ低下していく。このとき、図４のタイミング波形図に示すように、閾値電圧Ｖ_thが相対的に大きい（即ち、エンハンスメント化している）駆動トランジスタ２２の場合と、閾値電圧Ｖ_thが相対的に小さい（即ち、デプレッション化している）駆動トランジスタ２２の場合とで放電動作が異なる。

そして、自己放電動作により、サンプリングトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込みが行われる前に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thや移動度ｕに応じてソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gの到達電位に差が生じる。具体的には、図４に示すように、閾値電圧Ｖ_thが相対的に大きい駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_g（破線で示す）と、閾値電圧Ｖ_thが相対的に小さい駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_g（二点鎖線で示す）の到達電位に差が生じる。

駆動トランジスタ２２のゲートノード及びソースノードを共にフローティング状態にした自己放電動作は、サンプリングトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込みが行われるまで実行される。そして、時刻ｔ₁₅で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となり、これに応答してサンプリングトランジスタ２３が導通状態になる。これにより、駆動トランジスタ２２のソースノードをフローティング状態にしたまま、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって信号電圧Ｖ_sigの書込みが行われる。

図５Ａに、信号電圧Ｖ_sigを書き込むときの画素（画素回路）２０の等価回路を示す。図５Ａには、図面の簡略化のために、発光制御トランジスタ２４については、スイッチのシンボルを用いて図示している。また、図５Ｂに、信号電圧Ｖ_sigの書込み前後における駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gの変化の様子を示している。

図５Ｂでは、閾値電圧Ｖ_thが相対的に大きい（即ち、エンハンスメント化している）駆動トランジスタ２２を駆動トランジスタ２２₁とし、閾値電圧Ｖ_thが相対的に小さい（即ち、デプレッション化している）駆動トランジスタ２２を駆動トランジスタ２２₂としている。そして、エンハンスメント化している駆動トランジスタ２２₁のソース電圧Ｖ_s、ゲート電圧Ｖ_gをＶ_s1，Ｖ_g1と表わし、ゲート−ソース間電圧Ｖ_gsをＶ_gs1’と表わしている。また、信号電圧Ｖ_sigの書込み前後のゲート電圧Ｖ_gをＶ_g1’，Ｖ_g1”と表わし、ソース電圧Ｖ_sをＶ_s1’，Ｖ_s1”と表わしている。同様に、デプレッション化している駆動トランジスタ２２₂のソース電圧Ｖ_s、ゲート電圧Ｖ_gをＶ_s2，Ｖ_g2と表わし、ゲート−ソース間電圧Ｖ_gsをＶ_gs2’と表わしている。また、信号電圧Ｖ_sigの書込み前後のゲート電圧Ｖ_gをＶ_g2’，Ｖ_g2”と表わし、ソース電圧Ｖ_sをＶ_s2’，Ｖ_s2”と表わしている。

自己放電動作後、駆動トランジスタ２２のソースノードをフローティング状態にしたまま、信号電圧Ｖ_sigの書込みを行うことで、信号電圧Ｖ_sigの書込み前後の駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gの変化分ΔＶ_gは、Ｖ_sig−Ｖ_g（Ｖ_g1’，Ｖ_g2’）となる。ここで、エンハンスメント化している駆動トランジスタ２２₁の変化分ΔＶ_gをΔＶ_g1とし、デプレッション化している駆動トランジスタ２２₂の変化分ΔＶ_gをΔＶ_g2とすると、ΔＶ_g2＞ΔＶ_g1となる。そして、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gの変化時の保持容量２６及び補助容量２７による容量カップリングによって、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sが決定され、Ｖ_s1”，Ｖ_s2”となる。

ここで、保持容量２６の容量値をＣ_sとし、補助容量２７の容量値をＣ_subとすると、映像信号の信号電圧Ｖ_sigの書込み後の駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_s”（Ｖ_s1”，Ｖ_s2”）は、次式（１）で与えられる。
Ｖ_s” ＝Ｖ_s’＋{Ｃ_s/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}ΔＶ_g
＝Ｖ_s’＋{Ｃ_s/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}(Ｖ_sig−Ｖ_g’) ・・・（１）

また、映像信号の信号電圧Ｖ_sigの書込み後の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gs”は、次式（２）で与えられる。
Ｖ_gs”＝Ｖ_s”−Ｖ_g”＝Ｖ_s”−Ｖ_sig
＝Ｖ_s’−{(Ｃ_subＶ_sig＋Ｃ_sＶ_g’)/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}
＝Ｖ_gs’−{Ｃ_sub(Ｖ_sig−Ｖ_g’)/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}
＝Ｖ_gs’−{Ｃ_sub/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}ΔＶ_g ・・・（２）

ここで、信号電圧Ｖ_sigの書込み前のエンハンスメント化している駆動トランジスタ２２₁のゲート−ソース間電圧Ｖ_gs’と、デプレッション化している駆動トランジスタ２２₂のゲート−ソース間電圧Ｖ_gs’とが同じ（Ｖ_gs1’＝Ｖ_gs2’）と仮定する。すると、デプレッション化している画素では、エンハンスメント化している画素と比較して、信号電圧Ｖ_sigの書込み前後の駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gの変化分ΔＶ_gが大となる。従って、信号電圧Ｖ_sigの書込み前後の駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gs”は狭まることになる。

時刻ｔ₁₆で、信号電圧Ｖ_sigの書込み動作が完了する。その後、時刻ｔ₁₇で、発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になり、これに応答して発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。これにより、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sは、電源電圧Ｖ_ccに固定された状態（非フローティング状態）となる。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート電圧Ｖ_gは、ブートストラップ動作によって上昇する。信号電圧Ｖ_sigの書込み後のゲート−ソース間電圧Ｖ_gs”は、│Ｖ_gs1”│＞│Ｖ_gs2”│となる。

そして、信号電圧Ｖ_sigの書込み後のトランジスタ特性（閾値電圧Ｖ_thや移動度ｕ）のばらつきによって生じる駆動トランジスタ２２のゲートソース−間電圧Ｖ_gs”の差は保持され、これらの補正動作が実現される。その結果、画素２０の各々において、駆動トランジスタ２２の特性（閾値電圧Ｖ_thや移動度ｕ）のばらつきを補正した状態で、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsに基づく一定の駆動電流（発光電流）Ｉ_dsが有機ＥＬ素子２１に流れることになる。

［実施形態の作用、効果］
以上説明したように、本実施形態では、駆動トランジスタ２２のソースノードが非フローティング状態にあるときに、ゲートノードに補正動作のための基準電圧Ｖ_ofsを書き込む。その後、サンプリングトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタ２２のゲートノード及びソースノードをフローティング状態にし、自己放電動作を行わせることを特徴としている。

自己放電動作時の各ノードの電位の挙動は、エンハンスメント化している駆動トランジスタ２２₁の場合と、デプレッション化している駆動トランジスタ２２₂の場合とで異なる。そして、信号電圧Ｖ_sigの書込みが行われる前に、駆動トランジスタ２２の特性（閾値電圧Ｖ_thや移動度ｕ）に応じてソース電圧Ｖ_s及びゲート電圧Ｖ_gの到達電位に差が生じる。自己放電動作後、駆動トランジスタ２２のソースノードをフローティング状態にしたまま、信号電圧Ｖ_sigの書込みを行うことで、保持容量２６及び補助容量２７による容量カップリングによって、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sが決定される。

以上の動作により、画素２０の各々において、駆動トランジスタ２２の特性（閾値電圧Ｖ_thや移動度ｕ）のばらつきを補正した状態で、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsに基づく一定の発光電流Ｉ_dsが得られる。すなわち、駆動トランジスタ２２のゲートノード及びソースノードをフローティング状態にした自己放電動作を行うことにより、駆動トランジスタ２２の特性のばらつきを補正することができる。従って、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thや移動度ｕのばらつきによるユニフォーミティの悪化を抑えることができるため、均一な画像表示を実現できる。また、スイッチングトランジスタ２５による作用により、非発光期間における有機ＥＬ素子２１の発光を抑制することができるため、表示パネル８０の高コントラスト化を図ることができる。

また、自己放電動作を利用した駆動トランジスタ２２の特性の補正動作であることで、補正動作のための初期化電圧である基準電圧Ｖ_ofsの書込み時間（ｔ₁₁−ｔ₁₂）を、自己放電動作を利用しない場合よりも短縮することができる。これにより、基準電圧Ｖ_ofsの書込み終了タイミング（時刻ｔ₁₂）から映像信号の信号電圧Ｖ_sigの書込みタイミング（時刻ｔ₁₅）までの期間を長く設定できるため、信号電圧Ｖ_sigの立上げに十分な時間を確保できる。従って、映像信号が所望のレベルに達した後、信号電圧Ｖ_sigの書込みを行うことができるため、映像信号の所望のレベルに対応した輝度を得ることができる。

また、自己放電動作を利用しない場合の補正駆動と比較し、駆動トランジスタ２２のソース電圧Ｖ_sを落とし切らない動作点で補正をかけているので、駆動トランジスタ２２のバックゲート電圧Ｖ_bとソース電圧Ｖ_sとの電位差があまり開かず、基板バイアス効果の影響が小さい。そして、自己放電動作後、駆動トランジスタ２２のソースノードをフローティング状態にしたまま、信号電圧Ｖ_sigの書込みを行うことで、信号書込み前と発光時の実効Ｖ_thに差が生じない。従って、画素２０を半導体（半導体基板）上に形成する場合であっても、基板バイアス効果の低減を排除しつつ、駆動トランジスタ２２の特性（閾値電圧Ｖ_thや移動度ｕ）の補正動作を行うことができる。換言すれば、基板バイアス効果の影響によるユニフォーミティの悪化を防止することができる。

＜変形例＞
本開示の技術は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形、改変が可能である。例えば、上記の実施形態では、画素２０を構成するトランジスタをシリコンのような半導体上に形成して成る表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、画素２０を構成するトランジスタをガラス基板のような絶縁体上に形成して成る表示装置に対しても、本開示の技術を適用することができる。

＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることが可能である。

上述した実施形態の説明から明らかなように、本開示の表示装置は、特性補正動作のための初期化電圧の書込みを短時間で行なえることで、映像信号の立上げに十分な時間を確保できるため、映像信号の所望のレベルに対応した輝度を得ることができる。従って、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることで、鮮明な表示画像を得ることができることになる。

本開示の表示装置を表示部に用いる電子機器としては、テレビジョンシステムの他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機器、ノート型パーソナルコンピュータなどを例示することができる。また、本開示の表示装置は、電子書籍機器や電子腕時計等の携帯情報機器や、携帯電話機やＰＤＡ等の携帯通信機器などの電子機器において、その表示部として用いることもできる。

尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする駆動部と、
を備える表示装置。
［２］駆動部は、駆動トランジスタのゲートノードをフローティング状態にした後ソースノードをフローティング状態にする、
上記［１］に記載の表示装置。
［３］駆動部は、駆動トランジスタのソースノードをフローティング状態にしたままサンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みを行う、
上記［１］又は上記［２］に記載の表示装置。
［４］初期化電圧は、信号電圧と異なるタイミングで信号線に供給され、信号線からサンプリングトランジスタによるサンプリングによって駆動トランジスタのゲートノードに書き込まれる、
上記［１］から上記［３］のいずれかに記載の表示装置。
［５］画素回路は、半導体上に形成されている、
上記［１］から上記［４］のいずれかに記載の表示装置。
［６］駆動トランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
上記［５］に記載の表示装置。
［７］サンプリングトランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
上記［５］又は上記［６］に記載の表示装置。
［８］画素回路は、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタを有する、
上記［５］から上記［７］のいずれかに記載の表示装置。
［９］発光制御トランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
上記［８］に記載の表示装置。
［１０］保持容量は、駆動トランジスタのゲートノードとソースノードとの間に接続されており、
画素回路は、駆動トランジスタのソースノードと固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する、
上記［５］から上記［９］のいずれかに記載の表示装置。
［１１］画素回路は、駆動トランジスタのドレインノードと電流排出先ノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタを有し、
駆動部は、発光部の非発光期間にスイッチングトランジスタを導通状態にする、
上記［５］から上記［１０］のいずれかに記載の表示装置。
［１２］スイッチングトランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
上記［１１］に記載の表示装置。
［１３］駆動部は、スイッチングトランジスタを駆動する信号を、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングタイミングよりも前にアクティブ状態にし、発光制御トランジスタを駆動する信号をアクティブ状態にした後に非アクティブ状態にする、
上記［１１］又は上記［１２］に記載の表示装置。
［１４］駆動部は、発光制御トランジスタを駆動する信号を非アクティブ状態にする前に、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングを完了する、
上記［１３］に記載の表示装置。
［１５］発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部を有する表示装置の駆動に当たって、
駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする、
表示装置の駆動方法。
［１６］発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする駆動部と、
を備える表示装置を有する電子機器。

１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・スイッチングトランジスタ、２６・・・保持容量、２７・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１（３１₁〜３１_m）・・・走査線、３２（３２₁〜３２_m）・・・第１駆動線、３３（３３₁〜３３_m）・・・第２駆動線、３４（３４₁〜３４_n）・・・信号線、３５・・・共通電源線、４０・・・書込み走査部、５０・・・第１駆動走査部、６０・・・第２駆動走査部、７０・・・信号出力部、８０・・・表示パネル

Claims (16)

1. 発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
   駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする駆動部と、
   を備える表示装置。
2. 駆動部は、駆動トランジスタのゲートノードをフローティング状態にした後ソースノードをフローティング状態にする、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 駆動部は、駆動トランジスタのソースノードをフローティング状態にしたままサンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みを行う、
   請求項１に記載の表示装置。
4. 初期化電圧は、信号電圧と異なるタイミングで信号線に供給され、信号線からサンプリングトランジスタによるサンプリングによって駆動トランジスタのゲートノードに書き込まれる、
   請求項１に記載の表示装置。
5. 画素回路は、半導体上に形成されている、
   請求項１に記載の表示装置。
6. 駆動トランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
   請求項５に記載の表示装置。
7. サンプリングトランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
   請求項５に記載の表示装置。
8. 画素回路は、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタを有する、
   請求項５に記載の表示装置。
9. 発光制御トランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 保持容量は、駆動トランジスタのゲートノードとソースノードとの間に接続されており、
    画素回路は、駆動トランジスタのソースノードと固定電位のノードとの間に接続された補助容量を有する、
    請求項５に記載の表示装置。
11. 画素回路は、駆動トランジスタのドレインノードと電流排出先ノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタを有し、
    駆動部は、発光部の非発光期間にスイッチングトランジスタを導通状態にする、
    請求項５に記載の表示装置。
12. スイッチングトランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る、
    請求項１１に記載の表示装置。
13. 駆動部は、スイッチングトランジスタを駆動する信号を、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングタイミングよりも前にアクティブ状態にし、発光制御トランジスタを駆動する信号をアクティブ状態にした後に非アクティブ状態にする、
    請求項１１に記載の表示装置。
14. 駆動部は、発光制御トランジスタを駆動する信号を非アクティブ状態にする前に、サンプリングトランジスタによる初期化電圧のサンプリングを完了する、
    請求項１３に記載の表示装置。
15. 発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部を有する表示装置の駆動に当たって、
    駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする、
    表示装置の駆動方法。
16. 発光部を駆動する駆動トランジスタ、信号電圧をサンプリングするサンプリングトランジスタ、及び、サンプリングトランジスタによるサンプリングによって書き込まれた信号電圧を保持する保持容量を有する画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
    駆動トランジスタのソースノードが非フローティング状態にあるときにゲートノードに初期化電圧を書き込み、しかる後、サンプリングトランジスタによる信号電圧の書込みが行われるまでの間、駆動トランジスタのゲートノード及びソースノードをフローティング状態にする駆動部と、
    を備える表示装置を有する電子機器。

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