CN109102777A - 显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及一种显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及电子设备。所述显示装置包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元通过排列驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管，以及具有储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容的像素电路构成；以及驱动单元，在当所述驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，所述驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，直到使采样晶体管执行信号电压的写入。

Description

显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及电子设备
本申请是申请号为201410377868.3、申请日为2014年8月1日、发明名称为“显示装置、用于驱动该显示装置的方法以及电子设备”的中国专利申请的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求2013年8月8日提交的日本优先专利申请JP2013-164875的权益，其全部内容合并于此，仅供参考。
技术领域
本公开涉及显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备。
背景技术
近年来，在显示装置领域，通过以行和列形状(矩阵形状)排列包括发光单元的像素制成的平坦表面型(平板型)显示装置已成为主流。作为平坦表面型显示装置的一种，存在使用例如有机电致发光(电致发光：EL)元件，即所谓的根据流过发光单元的电流值改变发光亮度的电流驱动型电光元件的有机EL显示装置。
在以有机EL显示装置为代表的平坦表面型显示装置中，存在每个像素的驱动电光元件的驱动晶体管的晶体管特性(例如，阀值电压)随着过程的波动而改变的情况。该晶体管特性的变化对发光亮度有影响。具体地，即使当相同电平(信号电压)的视频信号在每个像素中写入时，由于像素之中的发光亮度改变，产生显示不均匀，因此，显示屏的均匀特性(均匀性)被破坏。因此，用于校正由配置像素电路的元件特性的变化引起的显示不均匀的技术，具体地，用于校正阀值电压的变化的技术被采用(例如，参见日本未经审查的专利申请公布2007-310311号)。
发明内容
在上述的现有技术中，校正阀值电压变化(在下文中，有简述为“阀值校正操作”的情况)的操作在将驱动电光元件的驱动晶体管的栅极电压初始化到预定基准电压(初始电压)的状态中执行。因此，将初始电压写入驱动晶体管的栅极节点(栅电极)的时间有必要设定得长。不过，如果初始电压的写入时间长，存在此后执行的视频信号的写入操作受不利影响的情况。
最好提供在执行驱动晶体管特性的校正操作时能够缩短相对于该驱动晶体管的栅极节点的初始电压的写入时间的显示装置，用于驱动该显示装置的方法以及包括该显示装置的电子设备。
根据本公开的实施例，其提供了显示装置，该显示装置包括：像素阵列单元，该像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容器；以及驱动单元，在当驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，该驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态直到通过采样晶体管执行信号电压的写入。
根据本公开的另一个实施例，其提供用于驱动显示装置的方法，该显示装置包括像素阵列单元，该像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容器；该方法包括，在当驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，该驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态直到通过采样晶体管执行信号电压的写入。
根据本公开的又一个实施例，其提供包括显示装置的电子设备，该显示装置具有：像素阵列单元，该像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容器；以及驱动单元，在当驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，该驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态直到通过采样晶体管执行信号电压的写入。
在上述的配置中，在当驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，通过使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，自放电操作得以执行。每个节点在自放电操作时的电位行为，在增强驱动晶体管的情况下和在抑制驱动晶体管的情况下是不同的。因此，在信号电压的写入执行之前，源极电压与栅极电压的到达电位之间的差异根据驱动晶体管的特性生成。在自放电操作后，在使驱动晶体管的源极节点处于浮置状态的同时，信号电压的写入被执行，从而使驱动晶体管的源极电压通过电容耦合确定。结果，在每个像素中，在校正驱动晶体管的特性变化的状态中，恒发光电流基于驱动晶体管的栅极与源极之间的电压获得。
根据本公开的实施例，通过使用自放电操作的驱动晶体管特性的校正操作，缩短在执行校正操作时的关于驱动晶体管的栅极节点的校正操作的初始电压的写入时间是可能的。
附图说明
图1是示出根据本公开的实施例的有源矩阵型显示装置的配置概况的系统配置图；
图2是示出根据本公开的实施例的有源矩阵型显示装置的像素的电路示例(像素电路)的电路图；
图3示出用于描述根据对比示例的驱动方法的时序波形图；
图4示出用于描述根据本公开实施例的驱动方法的时序波形图；
图5A示出当信号电压Vsig写入时的像素等效电路的电路图；以及
图5B是示出在写入信号电压Vsig之前和之后，驱动晶体管的源极电压Vs和栅极电压Vg的变化状态的波形图。
具体实施方式
在下文中，用于执行本公开的技术的形式(在下文中，称为“实施例”)将使用绘图详细描述。本发明并不限于所述实施例。在下列描述中，相同的标号用于相同的元件或具有相同功能的元件，并且其重叠描述将省略。而且，本描述将以下列次序进行。
1.主要涉及根据本公开的实施例的显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备的描述
2.根据实施例的有源矩阵型显示装置
2-1.系统配置
2-2.像素电路
2-3.根据对比示例的驱动方法
2-4.关于对比示例的问题
2-5.根据实施例的驱动方法
2-6.实施例的操作和效果
3.变形例
4.电子设备
主要涉及根据本公开的实施例的显示装置、用于驱动显示装置的方法以及电子设备的描述
根据本公开的实施例的显示装置是通过排列具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样晶体管和储存电容的像素电路构成的平坦表面型(平板型)显示装置。作为平坦表面型显示装置，有机EL显示装置、液晶显示装置、等离子体显示装置等可以用作示例。在所述显示装置之中，有机EL显示装置使用有机EL元件作为像素的发光元件(电光元件)，在所述有机EL元件中，使用了通过使用有机材料的电致发光，将电场施加于有机薄膜并发光的现象。
使用有机EL元件作为像素的发光单元的有机EL显示装置具有如下的优点。即，由于有机EL元件可以在10V或更少的施加电压被驱动，有机EL显示装置具有低功耗。由于有机EL元件是自发光型元件，在有机EL显示装置中，图像的可见度与以相同方式显示的作为平坦表面型显示装置的液晶显示装置相比是高的。而且，由于照明部件例如背光部件是不必要的，容易降低重量和厚度。此外，由于有机EL元件的响应速度是非常快的，大约几微秒，在有机EL显示装置中，在显示运动图像时不会发生残留图像。
有机EL元件是电流驱动型电光元件，连同作为自发光型元件。作为电流驱动型电光元件，除了有机EL元件以外，非有机EL元件、LED元件、半导体激光元件等可以用作示例。
在包括显示单元的电子设备中，平坦表面型显示装置例如有机EL显示装置可以用作其显示单元(显示装置)。作为各种电子设备，除了电视系统以外，头戴式显示器、数码相机、摄像机、游戏机、笔记本型个人计算机、便携式信息设备例如电子书设备、便携式通信设备例如PDA(个人数字助理)和蜂窝电话等可以用作示例。
在根据本公开的实施例的显示装置、用于驱动显示装置的方法和电子设备中，驱动单元可以在使驱动晶体管的栅极节点处于浮置状态后，使源极节点处于浮置状态。而且，该驱动单元可以在使驱动晶体管的源极节点处于浮置状态的同时，通过采样晶体管执行信号电压的写入。初始电压可以在不同于信号电压的时序提供给信号线，以及通过采样晶体管对信号线的采样，可以写入驱动晶体管的栅极节点中。
在根据本公开的实施例的包括上述优选配置的显示装置、用于驱动显示装置的方法和电子设备中，像素电路可以在半导体例如硅上形成。而且，该驱动晶体管可以由P沟道型晶体管构成。作为驱动晶体管，P沟道型晶体管而不是N沟道型晶体管被使用是由于下列原因。
当晶体管在半导体例如硅上而不是在绝缘体例如玻璃基板上形成时，该晶体管不具有源极/栅极/漏极的三个端子，而是具有源极/栅极/漏极/背栅(基极)的四个端子。因此，如果N沟道型晶体管用作驱动晶体管，背栅(基板)的电压变为0V，并且校正每个像素的驱动晶体管的阀值电压变化的操作受不利影响。
而且，在不具有LDD区的P沟道型晶体管中，与具有LDD(轻掺杂漏极)区的N沟道型晶体管相比，晶体管特性的变化是小的。因此，具有实现像素的细化和显示装置的高清晰度的优点。由于上述的原因，当假设晶体管在半导体例如硅上形成时，使用P沟道型晶体管而不是N沟道型晶体管作为驱动晶体管是优选的。
在根据本公开的实施例的包括上述优选配置的显示装置、用于驱动显示装置的方法和电子设备中，采样晶体管可以由P沟道型晶体管构成。
可供选择地，在根据本公开的实施例的包括上述优选配置的显示装置、用于驱动显示装置的方法和电子设备中，像素电路可以具有控制发光单元的发光/不发光的发光控制晶体管。此时，该发光控制晶体管也可以由P沟道型晶体管构成。
而且，在根据本公开的实施例的包括上述优选配置的显示装置、用于驱动显示装置的方法和电子设备中，储存电容器可以连接在驱动晶体管的栅极节点与源极节点之间。而且，像素电路可以具有连接在驱动晶体管的源极节点与固定电位的节点之间的子储存电容器。
可供选择地，在根据本公开的实施例的包括上述优选配置的显示装置、用于驱动显示装置的方法和电子设备中，像素电路可以具有连接在驱动晶体管的漏极节点与电流放电目标节点之间的开关晶体管。此时，该开关晶体管可以由P沟道型晶体管构成。此外，该驱动单元可以使开关晶体管在发光单元的不发光期间处于导通状态。
而且，在根据本公开的实施例的包括上述优选配置的显示装置、用于驱动显示装置的方法和电子设备中，在采样晶体管对初始电压的采样时间之前，该驱动单元使信号驱动开关晶体管处于有效状态。因此，在使信号驱动发光控制晶体管处于有效状态之后，该驱动单元可以使信号驱动开关晶体管处于无效状态。此时，在使驱动发光控制晶体管的信号处于无效状态之前，该驱动单元可以完成采样晶体管对初始电压的采样。
根据实施例的有源矩阵型显示装置
系统配置
图1是示出根据本公开的实施例的有源矩阵型显示装置的配置概况的系统配置图。有源矩阵型显示装置是通过以与电光元件相同的方式排列在像素电路中的有源元件控制流过该电光元件的电流的显示装置，该电光元件例如绝缘栅型场效应晶体管。作为绝缘栅型场效应晶体管，通常TFT(薄膜晶体管)可以用作示例。
在这里，作为示例，有源矩阵型有机EL显示装置使用例如作为根据流过装置的电流值改变发光亮度的电流驱动型电光元件的有机EL元件作为像素电路的发光单元(发光元件)的情况进行描述。在下文中，存在“像素电路”简称为“像素”的情况。
如图1所示，根据本公开的实施例的有机EL显示装置10包括像素阵列单元30和排列在像素阵列单元30外围上的驱动电路单元(驱动单元)，其中所述像素阵列单元30通过以行和列形状二维地排列包括有机EL元件的多个像素20制成。例如，该驱动电路单元由以与像素阵列单元30相同的方式排列在显示面板80上的写扫描单元40、第一驱动扫描单元50、第二驱动扫描单元60和信号输出单元70构成，并且分别驱动像素阵列单元30的像素20。而且，可以采用将写扫描单元40、第一驱动扫描单元50、第二驱动扫描单元60和信号输出单元70中的几个或全部排列在显示面板80外面的构造。
在这里，如果有机EL显示装置10与彩色显示器相对应，作为形成彩色图像的单元的一个像素(单位像素/像素)由多个子像素(子像素)构成。此时，该子像素中的每个子像素和图1的像素20相对应。更为具体地，在对应于彩色显示器的显示装置中，例如，一个像素由发出红色(红色；R)光的子像素、发出绿色光(绿色；G)光的子像素和发出蓝色(蓝色；B)光的子像素的三个子像素构成。
不过，作为一个像素，其并不限于RGB的三基色的子像素的组合。而且，一个像素可以通过将一个颜色的子像素或多个颜色的子像素添加到三基色的子像素构成。更为具体地，例如，一个像素可以通过添加用于改善亮度的发出白颜色(白色；W)光的子像素构成，或一个像素可以通过添加用于扩大色再现范围的发出互补色光的至少一个子像素构成。
在像素阵列单元30中，相对于以m行和n列的像素20的排列，沿行方向(像素行/水平方向的像素的排列方向)为每个像素行布线(be wired)扫描线31(311到31m)、第一驱动线32(321到32m)和第二驱动线33(331到33m)。而且，相对于以m行和n列的像素20的排列，沿列方向(像素列/垂直方向的像素的排列方向)为每个像素列布线信号线34(341到34n)。
扫描线311到31m分别连接到对应于写扫描单元40的行的输出端。第一驱动线321到32m分别连接到对应于第一驱动扫描单元50的行的输出端。第二驱动线331到33m分别连接到对应于第二驱动扫描单元60的行的输出端。信号线341到34n分别连接到对应于信号输出单元70的行的输出端。
写扫描单元40由移位寄存器电路等构成。当视频信号的信号电压写入像素阵列单元30的像素20的每个像素中时，通过相对于扫描线31(311到31m)顺次提供写扫描信号WS(WS1到WSm)，写扫描单元40按顺序以行为单位扫描像素阵列电路30的像素20的每个像素。写扫描单元40执行所谓的线顺序扫描。
以与写扫描单元40相同的方式，第一驱动扫描单元50由移位寄存器电路等构成。第一驱动扫描单元50使线顺序扫描与写扫描单元40同步，并且通过相对于第一驱动线32(321到32m)提供发光控制信号DS(DS1到DSm)，执行像素20的发光/不发光(熄灭)的控制。
以与写扫描单元40相同的方式，第二驱动扫描单元60由移位寄存器电路等构成。第二驱动扫描单元60使线顺序扫描与写扫描单元40同步，并且通过相对于第二驱动线33(331到33m)提供驱动信号AZ(AZ1到AZm)，执行使像素20在不发光期间不发出光的控制。
信号输出单元70根据信号供给源(未示出)提供的亮度信息，选择性输出视频信号的信号电压(在下文中，存在简述为“信号电压”的情况)Vsig和基准电压Vofs。在这里，基准电压Vofs是等效于是视频信号的信号电压Vsig的基准电压(例如，对应于视频信号的黑电平的电压)的电压，或是其基准电压附近的电压。此外，基准电压Vofs是在执行下面所述的校正操作时所使用的初始电压。
信号电压Vsig/基准电压Vofs之间的一个从信号电压输出单元70的输出，并由通过写扫描单元40线顺序扫描而选择的像素行为单位通过信号线34(341到34n)相对于像素阵列单元30的像素20中的每个写入。即，信号输出单元70采用以像素行(线)为单位写入信号电压Vsig的线顺序写入的驱动形式。
像素电路
图2是示出根据本公开的实施例的有源矩阵型显示装置的像素的电路示例(像素电路)的电路图。像素20的发光单元由有机EL元件21构成。有机EL单元21是根据流过装置的电流值改变发光亮度的电流驱动型电光元件的示例。
如图2所示，像素20由有机EL元件21和通过使电流流过有机EL元件21驱动有机EL元件21的驱动电路构成。在有机EL元件21中，阴极电极连接到公共电源线35，所述公共电源线35相对于所有的像素20公共布线。
驱动有机EL元件21的驱动电路包括驱动晶体管22、采样晶体管23、发光控制晶体管24、开关晶体管25，储存电容器26和子储存电容器27。而且，在根据本公开的实施例中，像素(像素电路)20在半导体例如硅而不是绝缘体例如玻璃基板上形成。因此，驱动晶体管22可以由P沟道型晶体管构成。
而且，在根据本公开的实施例中，与驱动晶体管22的方式相同，采样晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25采用使用P沟道型晶体管的构造。因此，驱动晶体管22、采样晶体管23、发光晶体管24和开关晶体管25不具有源极/栅极/漏极的三个端子，而是具有源极/栅极/漏极/背栅的四个端子。电源电压Vcc施加于每个晶体管的背栅。
在具有上述构造的像素20中，采样晶体管23通过采样将从信号输出单元70通过信号线34提供的信号电压Vsig写入驱动晶体管22的栅极节点(栅极)中。发光控制晶体管24连接在电源电压Vcc的电源节点与驱动晶体管22的源极节点(源极)之间，并且在发光控制信号DS驱动下，控制有机EL元件21的发光/不发光。开关晶体管25连接在驱动晶体管22的漏极节点(漏极)与电流放电目标节点(例如，公共电源线35)之间，并且在驱动信号AZ的驱动下进行控制，以便有机EL元件21在有机EL元件21的不发光期间不发出光。
储存电容器26连接在驱动晶体管22的栅极节点与源极节点之间，并且储存通过采样晶体管23采样写入的信号电压Vsig。通过根据储存电容器26的储存电压使驱动电流流过有机EL元件21，驱动晶体管22驱动有机EL元件21。子储存电容器27连接在驱动晶体管22的源极节点与固定电位节点(例如，电源电压Vcc的电源节点)之间。子储存电容器27可操作为抑制在写入信号电压Vsig时的驱动晶体管22的源极电压的波动，并且使驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs变为驱动晶体管22的阀值电压Vth。
根据对比示例的驱动方法
在这里，涉及用于驱动包括如上所述的构造的有源矩阵型有机EL显示装置10的方法，首先，根据对比示例作为驱动方法的现有技术而不是本公开的技术(即，根据实施例的驱动方法)将使用图3的时序波形图进行描述。
在图3的时序波形图中，分别示出发光控制信号DS、写扫描信号WS、驱动信号AZ、信号线34的电位Vofs/Vsig以及驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg的变化的情况。
由于采样晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25是P沟道型晶体管，写扫描信号WS、发光控制信号DS和驱动信号AZ的低电压状态变成有效状态，并且其高压状态变成无效状态。因此，采样晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25通过写扫描信号WS、发光控制信号DS和驱动信号AZ的有效状态变成处于导通状态，并且通过其无效状态变成非导通状态。
在时间t1，写扫描信号WS从高电压转移到低电压，从而使采样晶体管23处于导通状态。此时，基准电压Vofs相对于信号线34从信号输出单元70输出。因此，由于基准电压Vofs通过采样晶体管23采样写入驱动晶体管22的栅极节点中，驱动晶体管22的栅极电压Vg变成基准电压Vofs。
而且，在时间t1，发光控制信号DS处于低电压状态，以及发光控制晶体管24处于导通状态。因此，驱动晶体管22的源极电压Vs变成电源电压Vcc。此时，在驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs变成Vgs＝Vofs-Vcc。
在这里，为了执行阀值校正操作(阀值校正处理)，驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs大于驱动晶体管22的阀值电压Vth是必要的。因此，每个电压值被设定，以便|Vgs|＝|Vofs-Vcc|＞|Vth|。
如上所述，驱动晶体管22的栅极电压Vg被设定为基准电压Vofs以及驱动晶体管22的源极电压Vs被设定为电源电压Vcc的初始操作是在执行下列阀值校正操作之前的准备(阀值校正准备)操作。因此，基准电压Vofs和电源电压Vcc分别被称为驱动晶体管22的栅极电压Vg和源极电压Vs的初始电压。
下一步，在时间t2，如果发光控制信号DS从低电压转移到高电压以及发光控制晶体管24处于非导通状态，驱动晶体管22的源极节点处于浮置状态，以及该阀值校正操作在将驱动晶体管22的栅极电压Vg保持在基准电压Vofs的状态中开始。即，驱动晶体管22的源极电压Vs开始向通过驱动晶体管22的栅极电压Vg减去阈值电压Vth获得的电压(Vg-Vth)降低(减少)。
在根据对比示例的驱动方法中，基于驱动晶体管22的栅极电压Vg的初始电压Vofs，将驱动晶体管22的源极电压Vs向由初始电压Vofs减去驱动晶体管22的阀值电压Vth获得的电压(Vg-Vth)改变的操作变成阀值校正操作。如果该阀值校正操作进行，驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs最终收敛于驱动晶体管22的阀值电压Vth。对应于阀值电压Vth的电压储存在储存电容器26中。
在时间t3，如果写扫描信号WS从低电压转移到高电压以及采样晶体管23处于非导通状态，阀值校正阶段完成。此后，在时间t4，视频信号的信号电压Vsig从信号输出单元70输出到信号线34，以及信号线34的电位从基准电压Vofs切换到信号电压Vsig。
下一步，在时间t5，通过写扫描信号WS从高电压转移到低电压，采样晶体管23处于导通状态，并且信号电压Vsig被采样和写入像素20中。通过采样晶体管23对信号电压Vsig的写入操作，驱动晶体管22的栅极电压Vg变成信号电压Vsig。
当视频信号的信号电压Vsig被写入时，连接在驱动晶体管22的源极节点与电源电压Vcc的电源节点之间的子储存电容器27可操作抑制驱动晶体管22的源极电压Vs的波动。因此，在用视频信号的信号电压Vsig驱动该驱动晶体管22时，驱动晶体管22的阀值电压Vth被偏移对应于储存在储存电容器26中的阀值电压Vth的电压。
此时，驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs根据信号电压Vsig打开(open)(变得更大)，但是驱动晶体管22的源极电压Vs仍然处于浮置状态。因此，在储存电容器26中充电的电荷根据驱动晶体管22的特性被放电。此时，在有机EL元件21中的等效电容器Cel的充电通过流过驱动晶体管22的电流开始。
有机EL元件21的等效电容器Cel被充电，从而使驱动晶体管22的源极电压Vs随着时间的推移逐渐降低。此时，当每个像素的驱动晶体管22的阀值电压Vth变化早已抵消时，在驱动晶体管22的漏极与源极之间的电流Ids取决于驱动晶体管22的流动性u。而且，驱动晶体管22的流动性u是构造驱动晶体管22的通道的半导体薄膜的流动性。
在这里，驱动晶体管22的源极电压Vs的降低量可操作对在储存电容器26中充电的电荷放电。换句话说，驱动晶体管22的源极电压Vs的降低量(变化量)使负反馈相对于储存电容器26施加。因此，驱动晶体管22的源极电压Vs的降低量变成负反馈的反馈量。
如上所述，负反馈相对于储存电容器26施加根据流过驱动晶体管22的漏极与源极之间的电流Ids的反馈量，从而可以去除(negate)抵制驱动晶体管22的漏极与源极之间的电流Ids的流动性u的依赖性。否定操作(否定处理)是校正每个像素的驱动晶体管22的流动性u的变化的流动性校正操作(流动性校正处理)。
更为具体地，由于写入驱动晶体管22的栅极中的视频信号的信号幅度Vin(＝Vsig-Vofs)是如此之大，使得漏极与源极之间的电流Ids变大，从而使得负反馈的反馈量的绝对值也变大。因此，流动性校正操作根据视频信号的信号幅度Vin，即发光亮度等级执行。而且，当视频信号的信号幅度Vin是恒定时，驱动晶体管22的流动性u是如此之大，使得负反馈的反馈量的绝对值变大，因此，消除每个像素的流动性u的变化是可能的。
在时间t6，写扫描信号WS从低电压转移到高电压以及采样晶体管23处于非导通状态，从而，信号写入和流动性校正阶段完成。在时间t7执行流动性校正后，发光控制信号DS从高电压转移到低电压，从而使发光控制晶体管24处于导通状态。由此，电流通过发光控制晶体管24从电源电压Vcc的电源节点提供给驱动晶体管22。
此时，采样晶体管23处于非导通状态，以及从而使驱动晶体管22的栅极节点处于与信号线34电断开的浮置状态。在这里，当驱动晶体管22的栅极节点处于浮置状态时，储存电容器26连接在驱动晶体管22的栅极与源极之间，以及从而使栅极电压Vg连同驱动晶体管22的源极电压Vs的波动一起波动。
即，在储存被储存在储存电容器26的栅极与源极之间的电压Vgs时，驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg增加。因此，驱动晶体管22的源极电压Vs根据晶体管的饱和电流，增加到有机EL元件21的发光电压Voled。
如上所述，驱动晶体管22的栅极电压Vg连同源极电压Vs的波动一起波动的操作是自举操作。换句话说，在储存被储存在储存电容器26的栅极与源极之间的电压Vgs，即，该自举操作是在储存电容器26的两个端子之间的电压的同时，驱动晶体管22的栅极电压Vg和源极电压Vs波动的操作。
驱动晶体管22的漏极与源极之间的电流Ids开始流过有机EL元件21，以及从而有机EL元件21的阳极电压Vano根据电流Ids增加。最终，如果有机EL元件21的阳极电压Vano超出有机EL元件21的阀值电压Vthel，该驱动电流开始流过有机EL元件21，由此，有机EL元件21开始发光。
另一方面，第二驱动扫描单元60在从时间t1前的时间t0到在时间t7后的时间t8，使驱动信号AZ处于有效状态(地电位状态)。时间段t0到时间t8是有机EL元件21的不发光时段。驱动信号AZ在不发光期间处于有效状态，以及从而使开关晶体管25响应于驱动信号AZ的有效状态处于导通状态。
通过使开关晶体管25处于导通状态，驱动晶体管22的漏极节点(有机EL元件21的阳极电极)与作为电流放电目标节点的公共电源线35之间的短路电路通过开关晶体管25电气产生。在这里，与有机EL元件21的导通电阻相比，开关晶体管25的导通电阻大为减小。因此，对于有机EL元件21的不发光时间，流过驱动晶体管22的电流可以强制向下流入公共电源线35，以便不流入有机EL元件21。顺便说一下，驱动信号AZ处于有效状态1H，在此期间，所述阈值校正和信号写入被执行，但是驱动信号AZ在随后的发光期间处于无效状态。
在这里，在不具有开关晶体管25的像素的构造中，本发明人已注意到从阀值校正准备时间到阀值校正时间(时间t1到时间t3)的操作点。从上述的操作描述中可以明显看出，如果该阀值校正操作被执行，驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs有必要大于驱动晶体管22的阀值电压Vth。
如果栅极与源极之间的电压Vgs大于阀值电压Vth，电流流过驱动晶体管22。接着，从阀值校正准备期间到阀值校正期间的一部分，有机EL元件21的阳极电压Vano临时超出有机EL元件21的阀值电压Vthel。因此，由于电流从驱动晶体管22流入有机EL元件21，尽管在不发光期间，在不依赖信号电压Vsig的灰度的情况下，有机EL元件21为每个帧发出恒定亮度的光。结果，引起显示面板80的对比度的降低。
相反，在具有开关晶体管25的像素的构造中，通过如上所述的开关晶体管25的操作，对于有机EL元件21的不发光期间，阻止电流通过驱动晶体管22流入有机EL元件21是可能的。因此，在不发光期间，抑制有机EL元件21的发光是可能的。所以，与不具有开关晶体管25的像素的构造相比，实现显示面板80的高对比度是可能的。
在如上所述的一系列电路操作中，阀值校正准备操作、阀值校正操作、信号电压Vsig的写入操作(信号写入)以及流动性校正操作中的一个操作例如在一个水平周期(1H)执行。
关于对比示例的问题
在根据上述对比示例的驱动方法中，在使驱动有机EL元件21的驱动晶体管22的栅极电压Vg进入初始电压的状态中，阀值校正操作被执行。换句话说，直到阀值校正操作完成，驱动晶体管22的栅极电压Vg需要为作为初始电压的基准电压Vofs。因此，在驱动晶体管22的栅极节点中写入基准电压Vofs的时间(t1到t3)需要设定得长。
不过，如果基准电压Vofs的写入时间长，存在此后执行的视频信号的信号电压Vsig的写入操作受不利影响的情况。更为具体地，当视频信号被写入时，视频信号启动的充足时间得不到保证，因此，写入操作在视频信号达到预期的电平之前完成。即，由于视频信号的信号电平在达到预期的电平之前被写入，因此，对应于预期电平的亮度未能获得。
而且，当像素(像素电路)20在半导体例如硅上形成时，存在晶体管的阈值电压Vth受背栅的电压波动的基板偏置效应，以及存在生成由基板偏置效应引起的缺陷的可能性。由基板偏置效应引起的缺陷将在下面详细描述。
在阀值校正操作中，驱动晶体管22的栅极节点被固定到基准电压Vofs，以及放电操作在源极节点的浮置状态中执行。因此，生成驱动晶体管的源极电压Vs与背栅电压Vb之间的差异。具体地，驱动晶体管22的源极电压Vs小于背栅电压Vb(＝Vcc)。在这个时间点，驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs由于基板偏置效应，仅提高ΔVth(Vgs＝Vth+ΔVth)。
另一方面，在发光时间，由于驱动晶体管22的源极电压Vs变成等于背栅电压Vb(Vs＝Vb)，驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs是未被基板偏置效应(Vgs＝Vth)提高的初始阀值电压Vth。因此，由于阀值校正操作在不同于Vs＝Vb的发光时间的操作点进行，阀值电压Vth的变化发生为在实际发光时间的亮度差异。即，在半导体(半导体基板)上形成像素20的时间，如果阀值校正操作在根据对比示例的驱动和驱动方法下执行，阀值电压Vth的变化可能不足以通过在校正时间获得的实际效应Vth与在发光时间获得的实际效应Vth之间的差异得到校正，从而均匀性变差。
根据实施例的驱动方法
与根据如上所述的对比示例的驱动方法相比，在根据本公开的实施例的驱动方法中，有如下所述的执行驱动的特征。首先，当驱动晶体管22的源极节点处于非浮置状态时，作为初始电压的基准电压Vofs被写入栅极节点中。此后，驱动晶体管22的栅极节点与源极节点成为浮置状态，直到采样晶体管23对信号电压Vsig的写入的执行。
此后，根据本公开的实施例的驱动方法将使用图4的时序波形图进行更具体地描述。在图4的时序波形图中，分别示出发光控制信号DS、写扫描信号WS、驱动信号AZ、信号线34的电位Vofs/Vsig以及驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg变化的情况。
在图4中，如果阀值电压Vth是相对大的，被提高的驱动晶体管22的源极电压Vs与栅极电压Vg以虚线示出。而且，如果阀值电压Vth是相对小的，被抑制的驱动晶体管22的源极电压Vs与栅极电压Vg以双点划线示出。
在发光控制信号DS处于有效状态(低电压状态)以及写扫描信号WS处于无效状态(高电压状态)的时间t10，驱动信号AZ处于有效状态，即，驱动信号AZ在采样晶体管23对初始电压(即，基准电压Vofs)的采样时间(时间t11)之前处于有效状态。因此，驱动信号AZ处于有效状态，以及从而使开关晶体管25处于导通状态。因此，此后，流过驱动晶体管22的电流通过开关晶体管25流入是电流放电目标节点的公共电源线35中。
下一步，在时间t11，写扫描信号WS处于有效状态，以及采样晶体管23响应于处于有效状态的写扫描信号WS，处于导通状态。此时，发光控制晶体管24处于导通状态，以及从而使电源线Vcc施加于驱动晶体管22的源极节点。即，驱动晶体管22的源极极节点处于非浮置状态。在该状态下，通过采样晶体管23的采样，基准电压Vofs被写入驱动晶体管22的栅极节点中。如上所述，基准电压Vofs在不同于信号电压Vsig的时序，从信号输出单元70提供给信号线34。
因此，在时间t12，写扫描信号WS处于无效状态，以及从而基准电压Vofs的写入完成。即，在发光控制信号DS处于有效状态的时序(时间t13)之前，采样晶体管23对基准电压Vofs的写入(采样)完成。而且，电流通过写入基准电压Vofs流过驱动晶体管22。不过，如上所述，开关晶体管25处于导通状态，以及从而使流过驱动晶体管22的电流通过开关晶体管25流入作为电流放电目标节点的公共电源线35中。因此，由于有机EL元件21不发出光，显示面板80的对比度不会减小。
而且，在时间t12，写扫描信号WS处于无效状态，以及采样晶体管23处于非导通状态。从而使驱动晶体管22的栅极节点处于浮置状态。下一步，在时间t13，发光控制信号DS处于无效状态，以及发光控制晶体管24处于非导通状态。从而使驱动晶体管22的源极节点处于浮置状态。即，在将基准电压Vofs写入驱动晶体管22的栅极节点后，驱动晶体管22的栅极节点以及接着源极节点依次处于浮置状态。
驱动晶体管22的栅极节点连同源极节点处于浮置状态，以及从而使自放电操作被执行。每个节点的电位的放电在自放电操作中通过驱动晶体管22→开关晶体管25→公共电源线35的路线执行。因此，通过自放电操作，驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg一起逐渐减小。基本上，在自放电操作中，驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg减小而又保持在栅极与源极之间的电压Vgs。此时，如图4的时序波形图所示，在驱动晶体管22的阀值电压Vth是相对大(即，提高)的情况下，以及在驱动晶体管22的阀值电压是相对小(即，抑制)的情况下，其放电操作是不同的。
由于自放电操作，在采样晶体管23对信号电压Vsig的写入执行之前，根据驱动晶体管22的阀值电压Vth和流动性u，生成源极电压Vs与栅极电压Vg的达到电位的差异。具体地，如图4所示，生成阀值电压Vth相对大(以虚线示出)的驱动晶体管22的栅极电压Vs和栅极电压Vg的达到定位与阀值电压Vth是相对小(以双点划线示出)的驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg的到达电位之间的差异。
使驱动晶体管22的栅极节点连同源极节点处于浮置状态的自放电操作被执行，直到执行采样晶体管23对信号电压Vsig的写入。因此，在时间t15，写扫描信号WS处于有效状态，以及采样晶体管23响应于此处于导通状态。因此，信号电压Vsig的写入通过采样晶体管23的采样执行，同时使驱动晶体管22的源极节点处于浮置状态。
在图5A中，示出当信号电压Vsig被写入时的像素(像素电路)20的等效电路。在图5A中，为了视图的简化，使用了开关的符号示出发光控制晶体管24。而且，在图5B中，示出在写入信号电压Vsig之前和之后，驱动晶体管22的源极电压Vs和栅极电压Vg的变化的情况。
在图5B中，阀值电压Vth相对大(即，提高)驱动晶体管22表示为驱动晶体管221，以及阀值电压Vth相对小(即，抑制)的驱动晶体管22表示为驱动晶体管222。因此，被提高的驱动晶体管221的源极电压Vs和栅极电压Vg表示为Vs1和Vg1，以及所述驱动晶体管的栅极与源极之间的电压Vgs表示为Vgs1'。此外，在写入信号电压Vsig之前和之后的栅极电压Vg表示为Vg1'和Vg1"，以及在写入信号电压Vsig之前和之后的源极电压表示为Vs1'和Vs1"。同样，被抑制的驱动晶体管222的源极电压Vs和栅极电压Vg表示为Vs2和Vg2，以及所述驱动晶体管的栅极与源极之间的电压Vgs表示为Vgs2'。此外，在写入信号电压Vsig之前和之后的栅极电压Vg表示为Vg2'和Vg2"，以及在写入信号电压Vsig之前和之后的源极电压表示为Vs2'和Vs2"。
在自放电操作后，信号电压Vsig的写入被执行，同时使驱动晶体管22的源极节点处于浮置状态。因此，在写入信号电压Vsig之前和之后，驱动晶体管22的栅极电压Vg的变化量ΔVg变成Vsig-Vg(Vg1'，Vg2')。在这里，如果被提高的驱动晶体管22的变化量ΔVg是ΔVg1，以及被抑制的驱动晶体管22的变化量ΔVg是ΔVg2，结果变成ΔVg2＞ΔVg1。因此，通过与在改变驱动晶体管22的栅极电压Vg时的储存电容器26和子储存电容器27的电容耦合，驱动晶体管22的源极电压Vs被确定，以及所述驱动晶体管22的源极电压Vs变成Vs1"和Vs2"。
在这里，如果储存电容器26的电容值是Cs，以及子储存电容器27的电容值是Csub，在写入视频信号的信号电压Vsig之后的驱动晶体管22的源极电压Vs"(Vs1"，Vs2")通过下列表达式(1)给出。
Vs"＝Vs'+{Cs/(Cs+Csub)}ΔVg
＝Vs'+{Cs/(Cs+Csub)}(Vsig-Vg') ...(1)
而且，在写入视频信号的信号电压Vsig之后的驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs"通过下列表达式(2)给出。
Vgs"＝Vs"-Vg"＝Vs"-Vsig
＝Vs'-{(CsubVsig+CsVg')/(Cs+Csub)}
＝Vgs'-{Csub(Vsig-Vg')/(Cs+Csub)}
＝Vgs'-{Csub/(Cs+Csub)}ΔVg ...(2)
在这里，假设在写入信号电压Vsig之前被提高的驱动晶体管221的栅极与源极之间的电压Vgs'与在写入信号电压Vsig之前被抑制的驱动晶体管222的栅极与源极之间的电压Vgs'相同(Vgs1'＝Vgs2')。那么，与被提高的像素相比，在被抑制的像素中，在写入信号电压Vsig之前和之后的驱动晶体管22的栅极电压Vg的变化量ΔVg是大的。因此，在写入信号电压Vsig之前和之后的驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs"变得窄。
在时间t16，信号电压Vsig的写入操作完成。此后，在时间t17，发光控制信号DS处于有效状态，以及发光控制晶体管24响应于处于有效状态的发光控制信号DS处于导通状态。因此，驱动晶体管22的源极电压Vs处于被固定到电源电压Vcc的状态(非浮置状态)。此时，驱动晶体管22的栅极电压Vg通过自举操作增加。在写入信号电压Vsig之后的栅极与源极之间的电压Vgs"变成|Vgs1"|＞|Vgs2"|。
因此，在写入信号电压Vsig之后，通过晶体管特性(阀值电压Vth和流动性u)的变化生成的驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs"的差异被储存，以及校正操作得以实现。所以，在像素20的每个像素中，在校正驱动晶体管22的特性(阀值电压Vth和流动性u)变化的状态中，基于驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs，恒定驱动电流(发光电流)Ids流过有机EL元件21。
实施例的操作和效果
如上所述，在根据本公开的实施例中，其特征如下。当驱动晶体管22的源极节点处于非浮置状态时，用于校正操作的基准电压Vofs被写入栅极节点。此后，使驱动晶体管22的栅极节点和源极节点处于浮置状态的自放电操作被执行，直到执行采样晶体管23对信号电压Vsig的写入。
每个节点在自放电操作时的电位行为，在提高驱动晶体管221的情况下和在抑制驱动晶体管222的情况下是不同的。因此，在信号电压Vsig的写入执行之前，根据驱动晶体管22的特性(阀值电压Vth和流动性u)，生成源极电压Vs与栅极电压Vg的达到电位的差异。在自放电操作后，信号电压Vsig的写入被执行，同时使驱动晶体管22的源极节点处于浮置状态。因此，驱动晶体管22的源极电压Vs通过与储存电容器26和子储存电容器27的电容耦合被确定。
通过如上所述的操作，在像素20的每个像素中，在校正驱动晶体管22的特性(阀值电压Vth和流动性u)变化的状态中，基于驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs，获得恒定发光电流Ids。即，使驱动晶体管22的栅极节点和源极节点处于浮置状态的自放电操作被执行，以及从而校正驱动晶体管22的特性的变化是可能的。因此，抑制由驱动晶体管22的阀值电压Vth和流动性u的变化引起的均匀性的恶化是可能的，以及因此，实现均匀的图像显示是可能的。而且，通过采样晶体管25的操作，在不发光期间抑制有机EL元件21的发光是可能的，以及因此，实现显示面板80的高对比度是可能的。
而且，通过使用自放电操作的驱动晶体管22的特性的校正操作，与使用无自放电操作的情况相比，缩短作为用于校正操作的初始电压的基准电压Vofs的写入时间(t11到t12)是可能的。因此，从基准电压Vofs的写入结束时序(时间t12)到视频信号的信号电压Vsig的写入时序(时间t15)的时间段可以被设定得长，以及因此，保证信号电压Vsig启动的充足时间是可能的。因此，在视频信号达到预期电平后，信号电压Vsig的写入可以被执行，以及因此，获得对应于视频信号的预期电平的亮度是可能的。
而且，与使用无自放电操作的情况的校正操作相比，由于校正在未完成驱动晶体管22的源极电压Vs降低的操作点执行，驱动晶体管22的背栅电压Vb与源极电压Vs的电位之间的差异未打开很多，以及基板偏置效应的影响时很小的。因此，在自放电操作后，信号电压Vsig的写入被执行，同时使驱动晶体管22的源极节点处于浮置状态，以及从而未生成在写入信号电压Vsig之前获得的实际效果Vth与在发光时间获得的实际效果Vth之间的差异。因此，即使当像素20在半导体(半导体基板)上形成时，驱动晶体管22的特性(阀值电压Vth和流动性u)的校正操作可以被执行，同时消除基板偏置效应的下降。换句话说，阻止由于基板偏置效应的影响的均匀性的恶化是可能的。
变形例
本公开的技术并不限于上述的实施例，并且可以在不偏离本公开的要旨的情况下做出各种更改和改变。例如，在上述的实施例中，本公开的技术应用于通过在半导体例如硅上形成构造像素20的晶体管制成的显示装置的情况被描述为示例。不过，本公开的技术也可以应用于相对于通过在绝缘体例如玻璃基板上形成构造像素20的晶体管制成的显示装置。
电子设备
在显示作为电子设备的输入的视频信号的所有领域的电子设备中，或在电子设备内生成作为图像或视频的视频信号的电子设备中，根据本公开的实施例的显示装置可以用作所述电子设备的显示单元(显示装置)。
从上述实施例的描述可以清楚地看出，根据本公开的实施例的显示装置通过在很短时间内执行用于特性校正操作的初始电压的写入，可以保证视频信号的启动的充足时间。因此，获得对应于视频信号的预期电平的亮度是可能的。因此，在所有领域的电子设备中，根据本公开的实施例的显示装置用作所述电子设备的显示单元，以及因此，获得清晰显示的图像是可能的。
作为使用根据本公开的实施例的显示装置作为显示单元的电子设备，除了电视系统以外，头戴式显示器、数码相机、摄像机、游戏机、笔记本型个人计算机等可以用作示例。而且，在便携式信息设备例如电子书籍设备和电子手表以及便携式通信设备例如蜂窝电话和PDA的电子设备中，根据本公开的实施例的显示装置可以用作所述电子设备的显示单元。
而且，本公开可以采用下列配置。
(1)一种显示装置，其包括：像素阵列单元，像素阵列单元通过排列像素电路构成，所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容器；以及驱动单元，在当驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入栅极节点后，驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态直到通过采样晶体管执行信号电压的写入。
(2)根据前述(1)的显示装置，其中，在使驱动晶体管的栅极节点处于浮置状态后，驱动单元使驱动晶体管的源极节点处于浮置状态。
(3)根据前述(1)或(2)的显示装置，其中，驱动单元在使驱动晶体管的源极节点处于浮置状态的同时，通过采样晶体管执行信号电压的写入。
(4)根据前述(1)到(3)中的任一项的显示装置，其中，初始电压在不同于信号电压的时序被提供给信号线，以及通过采样晶体管的采样，从信号线被写入驱动晶体管的栅极节点中。
(5)根据前述(1)到(4)中的任一项的显示装置，其中，像素电路在半导体上形成。
(6)根据前述(5)的显示装置，其中，驱动晶体管由P沟道型晶体管构成。
(7)根据前述(5)或(6)的显示装置，其中，采样晶体管由P沟道型晶体管构成。
(8)根据前述(5)到(7)中的任一项的显示装置，其中，像素电路具有控制发光单元的发光/不发光的发光控制晶体管。
(9)根据前述(8)的显示装置，其中，发光控制晶体管由P沟道型晶体管构成。
(10)根据前述(5)到(9)中的任一项的显示装置，其中，储存电容器连接在驱动晶体管的栅极节点与源极节点之间，以及像素电路具有连接在驱动晶体管的源极节点与固定电位的节点之间的子储存电容器。
(11)根据前述(5)到(10)中的任一项的显示装置，其中，像素电路具有连接在驱动晶体管的漏极节点与电流放电目标节点之间的开关晶体管，以及驱动单元使开关晶体管在发光单元的不发光期间处于导通状态。
(12)根据前述(11)的显示装置，其中，开关晶体管由P沟道型晶体管构成。
(13)根据前述(11)或(12)的显示装置，其中，在采样晶体管对初始电压的采样时序之前，驱动单元使驱动开关晶体管的信号处于有效状态，以及在使驱动发光控制晶体管的信号处于有效状态后，使驱动开关晶体管的信号处于无效状态。
(14)根据前述(13)的显示装置，其中，在使驱动发光控制晶体管的信号处于无效状态之前，驱动单元完成通过采样晶体管对初始电压的采样。
(15)一种用于驱动显示装置的方法，显示装置包括像素阵列单元，像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容器；方法包括：在当驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入驱动晶体管的栅极节点后，使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，直到通过采样晶体管执行信号电压的写入。
(16)一种电子设备，包括：显示装置，包括：像素阵列单元，像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过采样晶体管采样写入的信号电压的储存电容器；以及驱动单元，在当驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入驱动晶体管的栅极节点后，驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，直到通过采样晶体管执行信号电压的写入。
本领域的技术人员应当理解，根据设计要求和其他因素，可以出现各种更改、组合、子组合和变化，只要这些变化和修改在本发明附属权利要求及其等效要求的范围内。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括：
像素阵列单元，所述像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过所述采样晶体管采样写入的所述信号电压的储存电容器；以及
驱动单元，在当所述驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入所述驱动晶体管的栅极节点后，所述驱动单元使所述驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态直到通过所述采样晶体管执行所述信号电压的写入。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，在使所述驱动晶体管的栅极节点处于浮置状态后，所述驱动单元使所述驱动晶体管的源极节点处于浮置状态。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述驱动单元在使所述驱动晶体管的源极节点处于浮置状态的同时，通过所述采样晶体管执行所述信号电压的写入。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述初始电压在不同于所述信号电压的时序被提供给信号线，以及通过所述采样晶体管的采样，从所述信号线被写入所述驱动晶体管的栅极节点中。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述像素电路在半导体上形成。
6.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述驱动晶体管由P沟道型晶体管构成。
7.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述采样晶体管由P沟道型晶体管构成。
8.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述像素电路具有控制所述发光单元的发光/不发光的发光控制晶体管。
9.根据权利要求8所述的显示装置，
其中，所述发光控制晶体管由P沟道型晶体管构成。
10.根据权利要求5所述的显示装置，
其中，所述储存电容器连接在所述驱动晶体管的栅极节点与源极节点之间，以及
所述像素电路具有连接在所述驱动晶体管的源极节点与固定电位的节点之间的子储存电容器。
11.根据权利要求8所述的显示装置，
其中，所述像素电路具有连接在所述驱动晶体管的漏极节点与电流放电目标节点之间的开关晶体管，以及
所述驱动单元使所述开关晶体管在所述发光单元的不发光期间处于导通状态。
12.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，所述开关晶体管由P沟道型晶体管构成。
13.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，在所述采样晶体管对所述初始电压的采样时序之前，所述驱动单元使驱动所述开关晶体管的信号处于有效状态，以及在使驱动所述发光控制晶体管的信号处于有效状态后，使驱动所述开关晶体管的信号处于无效状态。
14.根据权利要求13所述的显示装置，
其中，在使驱动发光控制晶体管的信号处于无效状态之前，所述驱动单元完成通过所述采样晶体管对所述初始电压的采样。
15.一种用于驱动显示装置的方法，所述显示装置包括像素阵列单元，所述像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过所述采样晶体管采样写入的所述信号电压的储存电容器，所述方法包括：
在当所述驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入所述驱动晶体管的栅极节点后，使所述驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，直到通过所述采样晶体管执行所述信号电压的写入。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，
在使所述驱动晶体管的栅极节点处于浮置状态后，使所述驱动晶体管的源极节点处于浮置状态。
17.一种电子设备，包括：
显示装置，包括：
像素阵列单元，所述像素阵列单元通过排列像素电路构成，每个所述像素电路具有驱动发光单元的驱动晶体管、采样信号电压的采样晶体管、以及储存通过所述采样晶体管采样写入的所述信号电压的储存电容器；以及
驱动单元，在当所述驱动晶体管的源极节点处于非浮置状态时将初始电压写入所述驱动晶体管的栅极节点后，所述驱动单元使驱动晶体管的栅极节点和源极节点处于浮置状态，直到通过所述采样晶体管执行所述信号电压的写入。
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