JP2010091720A - 表示装置、表示駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】高精細化、高輝度化の対応のため移動度補正時間を長くできるようにする。
【解決手段】信号値よりも低い電圧である補正用信号値を駆動トランジスタのゲート・ソース間に書き込んだ状態で移動度補正を行う。そしてこの移動度補正の後に本来与えるべき信号値をゲート・ソース間に与え、発光動作を実行させる。つまり、本来の階調に応じた信号値にとって必要な移動度補正電圧を、より低い階調に相当する補正用信号値の電圧にて行う。これにより、同一輝度を得る為に必要な移動度補正時間を、伸長する事を可能とする。
【選択図】図5
【解決手段】信号値よりも低い電圧である補正用信号値を駆動トランジスタのゲート・ソース間に書き込んだ状態で移動度補正を行う。そしてこの移動度補正の後に本来与えるべき信号値をゲート・ソース間に与え、発光動作を実行させる。つまり、本来の階調に応じた信号値にとって必要な移動度補正電圧を、より低い階調に相当する補正用信号値の電圧にて行う。これにより、同一輝度を得る為に必要な移動度補正時間を、伸長する事を可能とする。
【選択図】図5
Description
本発明は、画素回路がマトリクス状に配置された画素アレイを有する表示装置と、その表示駆動方法であって、例えば発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子(有機EL素子)を用いた表示装置に関する。
例えば上記特許文献2,3に見られるように、有機EL素子を画素に用いた画像表示装置が開発されている。有機EL素子は自発光素子であることから、例えば液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が速いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル(階調)はそれに流れる電流値によって制御可能である(いわゆる電流制御型)。
有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ:TFT)によって制御するものである。
有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ:TFT)によって制御するものである。
ところで有機EL素子を用いた画素回路構成としては、画素毎の輝度ムラの解消等による表示品質の向上や、高輝度化、高精細化が強く求められている。
これらの観点より、各種多様な構成が検討されている。例えば上記特許文献1のように、画素毎での駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のバラツキをキャンセルして画素毎の輝度ムラを解消できるようにした画素回路構成や動作は各種提案されている。
ここで本発明では有機EL素子を用いた表示装置として、更なる高精細化、高輝度化のために適した画素回路動作、特には移動度補正に関して好適な動作を実現することを目的とする。
これらの観点より、各種多様な構成が検討されている。例えば上記特許文献1のように、画素毎での駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のバラツキをキャンセルして画素毎の輝度ムラを解消できるようにした画素回路構成や動作は各種提案されている。
ここで本発明では有機EL素子を用いた表示装置として、更なる高精細化、高輝度化のために適した画素回路動作、特には移動度補正に関して好適な動作を実現することを目的とする。
本発明の表示装置は、少なくとも、発光素子と、ドレイン−ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート−ソース間に与えられた信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、上記駆動トランジスタのゲート−ソース間に接続され入力された信号値を保持する保持容量と、を有する画素回路が、マトリクス状に配置されて成る画素アレイと、上記保持容量に与える信号値の電圧より低電圧とされた補正用信号値を上記保持容量に保持させた状態で上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記駆動トランジスタの移動度補正動作を実行させる移動度補正動作手段と、上記移動度補正動作後に、上記信号値を上記保持容量に保持させ、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記発光素子において上記信号値に応じた輝度による発光動作を実行させる発光動作手段とを備える。
また上記画素アレイ上で列状に配設される各信号線に、上記信号値、上記補正用信号値及び基準値としての電位を供給する信号セレクタと、上記画素アレイ上で行状に配設される各書込制御線を駆動して、上記信号線の電位を上記画素回路に導入させる書込スキャナと、上記画素アレイ上で行状に配設される各電源制御線を用いて、上記画素回路の上記駆動トランジスタへの駆動電圧の印加を行う駆動制御スキャナとを備えるようにする。そして上記移動度補正動作手段は、上記駆動トランジスタのゲート電位を上記信号線から与えられる上記補正用信号値とさせる上記書込スキャナによる動作と、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する上記駆動制御スキャナによる動作とによって実現されるようにする。また上記発光動作手段は、上記駆動トランジスタのゲート電位を上記信号線から与えられる上記信号値とさせる上記書込スキャナによる動作と、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する上記駆動制御スキャナによる動作とによって実現されるようにする。
また上記画素回路は、上記発光素子と、上記駆動トランジスタと、上記保持容量とに加えてサンプリングトランジスタを備え、上記サンプリングトランジスタは、そのゲートが上記書込制御線に接続され、ソース及びドレインの一方が上記信号線に接続され、他方が上記駆動トランジスタのゲートに接続されているようにする。そして上記信号セレクタから上記信号線に与えられる電位が上記補正用信号値である期間に、上記書込スキャナが上記サンプリングトランジスタを導通させた後、上記駆動制御スキャナが上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する動作を行うことで、上記移動度補正動作手段としての動作が実行され、また、上記信号セレクタから上記信号線に与えられる電位が上記信号値である期間に、上記書込スキャナが上記サンプリングトランジスタを導通させた後、上記駆動制御スキャナが上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する動作を行うことで、上記発光動作手段としての動作が実行されるようにする。
また上記画素回路は、上記発光素子と、上記駆動トランジスタと、上記保持容量とに加えてサンプリングトランジスタを備え、上記サンプリングトランジスタは、そのゲートが上記書込制御線に接続され、ソース及びドレインの一方が上記信号線に接続され、他方が上記駆動トランジスタのゲートに接続されているようにする。そして上記信号セレクタから上記信号線に与えられる電位が上記補正用信号値である期間に、上記書込スキャナが上記サンプリングトランジスタを導通させた後、上記駆動制御スキャナが上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する動作を行うことで、上記移動度補正動作手段としての動作が実行され、また、上記信号セレクタから上記信号線に与えられる電位が上記信号値である期間に、上記書込スキャナが上記サンプリングトランジスタを導通させた後、上記駆動制御スキャナが上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する動作を行うことで、上記発光動作手段としての動作が実行されるようにする。
本発明の表示駆動方法は、上記保持容量に与える信号値の電圧より低電圧とされた補正用信号値を上記保持容量に保持させた状態で上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記駆動トランジスタの移動度補正動作を実行させる、そして上記移動度補正動作後に、上記信号値を上記保持容量に保持させ、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記発光素子において上記信号値に応じた輝度による発光動作を実行させる。
有機EL表示装置の画素の高精細化に伴う画素サイズの小サイズ化により、画素回路内部の容量成分の低容量化が余儀なくされる。また高輝度化のために信号値電圧の高圧化やトランジスタサイズの増大も想定される。
一方、各画素回路における駆動トランジスタの移動度特性のばらつきがあると、同じ信号値を与えても発光素子(例えば有機EL素子)に流れる電流量が画素毎にばらつき、画質劣化が生じる。このために移動度補正を行うわけであるが、画素容量の低下や高輝度の信号値電圧に応じて移動度補正時間(移動度補正のための駆動トランジスタのソース電位上昇時間)が短くなってしまうことが発生し、これによって適切に移動度補正が実行されない場合が生ずる。
そこで本発明では、信号値よりも低い電圧である補正用信号値を駆動トランジスタのゲート・ソース間に書き込んだ状態で移動度補正を行うようにする。そしてこの移動度補正の後に本来与えるべき信号値をゲート・ソース間に与え、発光動作を実行させる。
つまり本発明では、本来の階調に応じた信号値にとって必要な移動度補正電圧を、より低い階調に相当する補正用信号値の電圧にて行う。これにより、同一輝度を得る為に必要な移動度補正時間を、従来より伸長する事が可能となる。
一方、各画素回路における駆動トランジスタの移動度特性のばらつきがあると、同じ信号値を与えても発光素子(例えば有機EL素子)に流れる電流量が画素毎にばらつき、画質劣化が生じる。このために移動度補正を行うわけであるが、画素容量の低下や高輝度の信号値電圧に応じて移動度補正時間(移動度補正のための駆動トランジスタのソース電位上昇時間)が短くなってしまうことが発生し、これによって適切に移動度補正が実行されない場合が生ずる。
そこで本発明では、信号値よりも低い電圧である補正用信号値を駆動トランジスタのゲート・ソース間に書き込んだ状態で移動度補正を行うようにする。そしてこの移動度補正の後に本来与えるべき信号値をゲート・ソース間に与え、発光動作を実行させる。
つまり本発明では、本来の階調に応じた信号値にとって必要な移動度補正電圧を、より低い階調に相当する補正用信号値の電圧にて行う。これにより、同一輝度を得る為に必要な移動度補正時間を、従来より伸長する事が可能となる。
本発明によれば、移動度補正の期間が短くなりすぎることを解消でき、適切な移動度補正を実現することができる。
これによってパネルの高精細化、高輝度化が進んでも、適切な移動度補正を実現することができ、画質向上に寄与できる。
これによってパネルの高精細化、高輝度化が進んでも、適切な移動度補正を実現することができ、画質向上に寄与できる。
以下、本発明の表示装置の実施の形態として、有機EL素子を用いた表示装置の例を次の順序で説明する。
[1.実施の形態の表示装置の構成]
[2.本発明に至る過程における画素回路動作]
[3.本発明の実施の形態としての画素回路動作]
[1.実施の形態の表示装置の構成]
[2.本発明に至る過程における画素回路動作]
[3.本発明の実施の形態としての画素回路動作]
[1.実施の形態の表示装置の構成]
図1に実施の形態の表示装置の全体構成を示す。この表示装置は後述するように、駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のバラツキに対する補償機能を備えた画素回路10を含むものである。
図1に示すように、本例の表示装置は、画素回路10が列方向と行方向にマトリクス状に配列された画素アレイ部20を備える。なお、画素回路10には「R」「G」「B」を付しているが、これはR(赤)、G(緑)、B(青)の各色の発光画素であることを示している。
図1に実施の形態の表示装置の全体構成を示す。この表示装置は後述するように、駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のバラツキに対する補償機能を備えた画素回路10を含むものである。
図1に示すように、本例の表示装置は、画素回路10が列方向と行方向にマトリクス状に配列された画素アレイ部20を備える。なお、画素回路10には「R」「G」「B」を付しているが、これはR(赤)、G(緑)、B(青)の各色の発光画素であることを示している。
そしてこの画素アレイ部20の各画素回路10を駆動するため、水平セレクタ11と、ライトスキャナ(書込スキャナ)12と、ドライブスキャナ(駆動制御スキャナ)13を備える。
また水平セレクタ11により選択され、輝度情報に応じた映像信号を画素回路10に対する入力信号として供給する信号線DTL1、DTL2・・・が、画素アレイ部20に対して列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・は、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素回路10の列数分だけ配される。
また水平セレクタ11により選択され、輝度情報に応じた映像信号を画素回路10に対する入力信号として供給する信号線DTL1、DTL2・・・が、画素アレイ部20に対して列方向に配されている。信号線DTL1、DTL2・・・は、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素回路10の列数分だけ配される。
また画素アレイ部20に対して、行方向に書込制御線WSL1,WSL2・・・、電源制御線DSL1,DSL2・・・が配されている。これらの書込制御線WSL及び電源制御線DSLは、それぞれ、画素アレイ部20においてマトリクス配置された画素回路10の行数分だけ配される。
書込制御線WSL(WSL1,WSL2・・・)はライトスキャナ12により駆動される。ライトスキャナ12は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線WSL1,WSL2・・・に順次、走査パルスWS(WS1,WS2・・・)を供給して、画素回路10を行単位で線順次走査する。
電源制御線DSL(DSL1,DSL2・・・)はドライブスキャナ13により駆動される。ドライブスキャナ13は、ライトスキャナ12による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線DSL1,DSL2・・・に電源制御パルスDS(DS1,DS2・・・)を供給する。
水平セレクタ11は、ライトスキャナ12による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線DTL1、DTL2・・・に対して、画素回路10に対する入力信号としての信号電位(Vsig)と基準電位(Vofs)を供給する。なお本発明の実施の形態では、水平セレクタ11は後述するように輝度信号値としての信号電位(Vsig)より低電圧とした補正用信号値(VsigL)も発生させる。
書込制御線WSL(WSL1,WSL2・・・)はライトスキャナ12により駆動される。ライトスキャナ12は、設定された所定のタイミングで、行状に配設された各書込制御線WSL1,WSL2・・・に順次、走査パルスWS(WS1,WS2・・・)を供給して、画素回路10を行単位で線順次走査する。
電源制御線DSL(DSL1,DSL2・・・)はドライブスキャナ13により駆動される。ドライブスキャナ13は、ライトスキャナ12による線順次走査に合わせて、行状に配設された各電源制御線DSL1,DSL2・・・に電源制御パルスDS(DS1,DS2・・・)を供給する。
水平セレクタ11は、ライトスキャナ12による線順次走査に合わせて、列方向に配された信号線DTL1、DTL2・・・に対して、画素回路10に対する入力信号としての信号電位(Vsig)と基準電位(Vofs)を供給する。なお本発明の実施の形態では、水平セレクタ11は後述するように輝度信号値としての信号電位(Vsig)より低電圧とした補正用信号値(VsigL)も発生させる。
図2に画素回路10の構成を示している。この画素回路10が、図1の構成における画素回路10のようにマトリクス配置される。なお、図2では簡略化のため、信号線DTLと書込制御線WSL及び電源制御線DSLが交差する部分に配される1つの画素回路10のみを示している。
この画素回路10は、発光素子である有機EL素子1と、1個の保持容量Csと、サンプリングトランジスタTrS、駆動トランジスタTrD、スイッチングトランジスタTrSWとしての3個の薄膜トランジスタ(TFT)とを有する。また補助容量Csubも設けられている。
サンプリングトランジスタTrS、駆動トランジスタTrDはnチャネルTFTとされ、スイッチングトランジスタTrSWはpチャネルTFTとされている。
サンプリングトランジスタTrS、駆動トランジスタTrDはnチャネルTFTとされ、スイッチングトランジスタTrSWはpチャネルTFTとされている。
保持容量Csは、一方の端子が駆動トランジスタTrDのソースに接続され、他方の端子が同じく駆動トランジスタTrDのゲートに接続されている。
画素回路10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードは駆動トランジスタTrDのソースsに接続され、カソードは所定の接地配線(カソード電位Vcath)に接続されている。なお容量CELは、有機EL素子1の寄生容量である。
また有機EL素子1のアノード・カソード間に補助容量Csubが接続されている。
画素回路10の発光素子は例えばダイオード構造の有機EL素子1とされ、アノードとカソードを備えている。有機EL素子1のアノードは駆動トランジスタTrDのソースsに接続され、カソードは所定の接地配線(カソード電位Vcath)に接続されている。なお容量CELは、有機EL素子1の寄生容量である。
また有機EL素子1のアノード・カソード間に補助容量Csubが接続されている。
サンプリングトランジスタTrSは、そのドレインとソースの一端が信号線DTLに接続され、他端が駆動トランジスタTrDのゲートに接続される。またサンプリングトランジスタTrSのゲートは書込制御線WSLに接続されている。
スイッチングトランジスタTrSWは、そのドレインとソースの一端が駆動電圧Vccの電源ラインに接続され、他端が駆動トランジスタTrDのドレインに接続される。またスイッチングトランジスタTrSWのゲートは電源制御線DSLに接続されている。
スイッチングトランジスタTrSWは、そのドレインとソースの一端が駆動電圧Vccの電源ラインに接続され、他端が駆動トランジスタTrDのドレインに接続される。またスイッチングトランジスタTrSWのゲートは電源制御線DSLに接続されている。
有機EL素子1の発光駆動は、基本的には次のようになる。
信号線DTLに信号電位Vsigが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタTrSが書込制御線WSLによってライトスキャナ12から与えられる走査パルスWSによって導通される。これにより信号線DTLからの入力信号Vsigが保持容量Csに書き込まれる。
スイッチングトランジスタTrSWは、ドライブスキャナ13によって電源制御線DSLに与えられる電源制御パルスDSによってオン/オフされる。そしてスイッチングトランジスタTrSWが導通することで、駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。
駆動トランジスタTrDは駆動電圧Vccの印加による電流供給により、保持容量Csに保持された信号電位に応じた電流を有機EL素子1に流し、有機EL素子1を発光させる。
信号線DTLに信号電位Vsigが印加されたタイミングで、サンプリングトランジスタTrSが書込制御線WSLによってライトスキャナ12から与えられる走査パルスWSによって導通される。これにより信号線DTLからの入力信号Vsigが保持容量Csに書き込まれる。
スイッチングトランジスタTrSWは、ドライブスキャナ13によって電源制御線DSLに与えられる電源制御パルスDSによってオン/オフされる。そしてスイッチングトランジスタTrSWが導通することで、駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。
駆動トランジスタTrDは駆動電圧Vccの印加による電流供給により、保持容量Csに保持された信号電位に応じた電流を有機EL素子1に流し、有機EL素子1を発光させる。
また、この画素回路10では、有機EL素子1の電流駆動に先立って駆動トランジスタTrDの閾値電圧Vthのバラツキの影響を補正する為の動作(以下、Vthキャンセル動作)を行う。さらに、上記のように信号線DTLからの入力信号Vsigを保持容量Csに書き込む際に、駆動トランジスタTrDの移動度のバラツキの影響をキャンセルするための移動度補正動作も行う。
[2.本発明に至る過程における画素回路動作]
ここで、このような画素回路10において、本発明に至る過程で検討されていた回路動作を説明する。特には、駆動トランジスタTrDの閾値電圧Vthのバラツキのキャンセルする動作(Vth補正)及び移動度のバラツキをキャンセルする為の動作(移動度補正)を含む回路動作を述べる。
ここで、このような画素回路10において、本発明に至る過程で検討されていた回路動作を説明する。特には、駆動トランジスタTrDの閾値電圧Vthのバラツキのキャンセルする動作(Vth補正)及び移動度のバラツキをキャンセルする為の動作(移動度補正)を含む回路動作を述べる。
図3には水平セレクタ11によって信号線DTLに与えられる電位(信号電位Vsigと基準電位Vofs)を、DTL入力信号として示している。
また走査パルスWSとして、ライトスキャナ12によって書込制御線WSLに印加されるパルスを示している。この走査パルスWSにより、サンプリングトランジスタTrSが、導通/非導通に制御される。
また電源制御パルスDSとして、ドライブスキャナ13によって電源制御線DSLに印加されるパルスと、駆動電圧Vccを示している。
また駆動トランジスタTrDのゲート電位Vg、ソース電位Vsの変動も示している。
また走査パルスWSとして、ライトスキャナ12によって書込制御線WSLに印加されるパルスを示している。この走査パルスWSにより、サンプリングトランジスタTrSが、導通/非導通に制御される。
また電源制御パルスDSとして、ドライブスキャナ13によって電源制御線DSLに印加されるパルスと、駆動電圧Vccを示している。
また駆動トランジスタTrDのゲート電位Vg、ソース電位Vsの変動も示している。
図3のタイミングチャートにおける時点t20〜t27は、発光素子である有機EL素子1が発光駆動される1サイクルであり、時点t20が、例えば画像表示の1フレーム期間の開始タイミングとなる。
まず時点t20において、駆動電圧Vccが一旦、電位Vss2まで下げられ、これにより有機EL素子1は非発光状態となる。
その状態でドライブスキャナ13は、電源制御パルスDSをH(High)レベルとし、スイッチングトランジスタTrSWを非導通とする。スイッチングトランジスタTrSWがオフとなって駆動トランジスタTrDへの電源供給を止めた後、駆動電圧Vccの供給を再開する。
この時点t20以降、駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは電位Vss2まで低下する。なお電位Vss2は、(有機EL素子1のカソード電圧Vcath)+(有機EL素子1の閾値電圧)である。
また浮遊状態の駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgも低下する。
まず時点t20において、駆動電圧Vccが一旦、電位Vss2まで下げられ、これにより有機EL素子1は非発光状態となる。
その状態でドライブスキャナ13は、電源制御パルスDSをH(High)レベルとし、スイッチングトランジスタTrSWを非導通とする。スイッチングトランジスタTrSWがオフとなって駆動トランジスタTrDへの電源供給を止めた後、駆動電圧Vccの供給を再開する。
この時点t20以降、駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは電位Vss2まで低下する。なお電位Vss2は、(有機EL素子1のカソード電圧Vcath)+(有機EL素子1の閾値電圧)である。
また浮遊状態の駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgも低下する。
その後、時点t21にVth補正動作のための準備を行う。即ち、信号線DTLが基準電位Vofsとされているときに走査パルスWSがHレベルとされてサンプリングトランジスタTrSが導通される。これにより駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgが電圧Vofsに固定される。ソース電位Vsは電位Vss2を維持する。
このようにして、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、閾値電圧Vth以上に開くことで、Vth補正の準備を行う。
このようにして、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、閾値電圧Vth以上に開くことで、Vth補正の準備を行う。
次に時点t22〜t23としてVth補正動作が行われる。
即ちこの時点t22〜t23では、電源制御パルスDSがL(Low)レベルとされ、スイッチングトランジスタTrSWが導通される。これによって駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。サンプリングトランジスタTrSは導通状態を保つため、駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgは基準電位Vofsに固定されたまま、ソース電位Vsが上昇することになる。
このVth補正動作は、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgs=閾値電圧Vthとなると完了する。
Vth補正動作が完了する時点t23で電源制御パルスDSはHレベルとされ、また走査パルスWSはLレベルとされることで、スイッチングトランジスタTrSW及びサンプリングトランジスタTrSは非導通状態となる。
即ちこの時点t22〜t23では、電源制御パルスDSがL(Low)レベルとされ、スイッチングトランジスタTrSWが導通される。これによって駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。サンプリングトランジスタTrSは導通状態を保つため、駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgは基準電位Vofsに固定されたまま、ソース電位Vsが上昇することになる。
このVth補正動作は、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgs=閾値電圧Vthとなると完了する。
Vth補正動作が完了する時点t23で電源制御パルスDSはHレベルとされ、また走査パルスWSはLレベルとされることで、スイッチングトランジスタTrSW及びサンプリングトランジスタTrSは非導通状態となる。
以上のようにVth補正が行われた後は、信号値(Vsig)の書込及び移動度補正が行われる。
まず信号線DTLが当該画素回路に対する信号電位Vsigとなっているタイミングにおいて、時点t24でHレベルとされる。これによりサンプリングトランジスタTrSは導通し、保持容量Csに信号電位Vsigが書き込まれる。また、時点t25で電源制御パルスDSがLレベルとされ、スイッチングトランジスタTrSWが導通される。これによって駆動トランジスタTrDの移動度補正が行われる。
即ち時点t25〜t26の期間では、駆動トランジスタTrDの移動度に応じてソース電位Vsが上昇する。この場合、駆動トランジスタTrDの移動度が大きければ、ソース電位Vsの上昇量が大きく、移動度が小さければソース電位Vsの上昇量が小さい。これは結果として発光期間における駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、移動度に応じて調整する動作となる。
まず信号線DTLが当該画素回路に対する信号電位Vsigとなっているタイミングにおいて、時点t24でHレベルとされる。これによりサンプリングトランジスタTrSは導通し、保持容量Csに信号電位Vsigが書き込まれる。また、時点t25で電源制御パルスDSがLレベルとされ、スイッチングトランジスタTrSWが導通される。これによって駆動トランジスタTrDの移動度補正が行われる。
即ち時点t25〜t26の期間では、駆動トランジスタTrDの移動度に応じてソース電位Vsが上昇する。この場合、駆動トランジスタTrDの移動度が大きければ、ソース電位Vsの上昇量が大きく、移動度が小さければソース電位Vsの上昇量が小さい。これは結果として発光期間における駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、移動度に応じて調整する動作となる。
そして時点t25でサンプリングトランジスタTrSは非導通となる。そしてソース電位Vsが有機EL素子1の閾値を越える電位となることに応じて、有機EL素子1の発光が開始されることになる。
駆動トランジスタTrDは保持容量Csに保持されている電位に応じて駆動電流を流し、有機EL素子1を発光させる。このとき駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは所定の動作点に保持されている。
駆動トランジスタTrDのドレインには電源ラインから駆動電位Vccが印加されており、常に飽和領域で動作するように設定されているため、駆動トランジスタTrDは定電流源として機能し、有機EL素子1に流れる電流Idsは駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsに応じて、
となる。但し、Idsは飽和領域で動作するトランジスタのドレイン・ソース間に流れる電流、μは移動度、Wはチャネル幅、Lはチャネル長、Coxはゲート容量、Vthは駆動トランジスタTrDの閾値電圧、Vgsは駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧を表わしている。
この(数1)からわかるように、電流Idsは駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsの2乗値に依存するため、電流Idsとゲート−ソース間電圧Vgsの関係は図4のようになる。
駆動トランジスタTrDは保持容量Csに保持されている電位に応じて駆動電流を流し、有機EL素子1を発光させる。このとき駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは所定の動作点に保持されている。
駆動トランジスタTrDのドレインには電源ラインから駆動電位Vccが印加されており、常に飽和領域で動作するように設定されているため、駆動トランジスタTrDは定電流源として機能し、有機EL素子1に流れる電流Idsは駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsに応じて、
この(数1)からわかるように、電流Idsは駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsの2乗値に依存するため、電流Idsとゲート−ソース間電圧Vgsの関係は図4のようになる。
飽和領域では駆動トランジスタTrDのドレイン電流Idsはゲート−ソース間電圧Vgsによって制御されるが、保持容量Csの作用により駆動トランジスタTrDのゲート・ソース間電圧Vgs(=Vsig+Vth)は一定であるので、駆動トランジスタTrDは一定電流を有機EL素子1に流す定電流源として動作する。
これにより有機EL素子1のアノード電位(ソース電位Vs)は有機EL素子1に電流が流れる電圧まで上昇し、有機EL素子1は発光する。つまり今回のフレームにおける、信号電圧Vsigに応じた輝度での発光が開始される。
これにより有機EL素子1のアノード電位(ソース電位Vs)は有機EL素子1に電流が流れる電圧まで上昇し、有機EL素子1は発光する。つまり今回のフレームにおける、信号電圧Vsigに応じた輝度での発光が開始される。
このように画素回路10は1フレーム期間において、Vth補正動作及び移動度補正動作を含んで、有機EL素子1の発光のための動作が行われる。
Vth補正動作によって各画素回路10での駆動トランジスタTrDの閾値電圧Vthのバラツキや、経時変動による閾値電圧Vth変動などに関わらず、信号電位Vsigに応じた電流を有機EL素子1に与えることができる。つまり製造上或いは経時変化による閾値電圧Vthのバラツキをキャンセルして、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、駆動トランジスタTrDの移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路10毎の駆動トランジスタTrDの移動度のバラツキにより画質が低下するが、移動度補正により、駆動トランジスタTrDの移動度の大小に応じてソース電位Vsが得られ、結果として各画素回路10の駆動トランジスタTrDの移動度のバラツキを吸収するようなゲート−ソース間電圧Vgsに調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
Vth補正動作によって各画素回路10での駆動トランジスタTrDの閾値電圧Vthのバラツキや、経時変動による閾値電圧Vth変動などに関わらず、信号電位Vsigに応じた電流を有機EL素子1に与えることができる。つまり製造上或いは経時変化による閾値電圧Vthのバラツキをキャンセルして、画面上に輝度ムラ等を発生させずに高画質を維持できる。
また、駆動トランジスタTrDの移動度によってもドレイン電流は変動するため、画素回路10毎の駆動トランジスタTrDの移動度のバラツキにより画質が低下するが、移動度補正により、駆動トランジスタTrDの移動度の大小に応じてソース電位Vsが得られ、結果として各画素回路10の駆動トランジスタTrDの移動度のバラツキを吸収するようなゲート−ソース間電圧Vgsに調整されるため、移動度のバラツキによる画質低下も解消される。
ところが有機ELパネルの高精細化、高輝度化を進めるうえでは、このような回路動作をそのまま適用すると移動度補正期間の点で不都合が生じることがあった。
移動度補正時の電流Idsは、次の(数2)で表される。
なお(数2)において、係数kは、k=(1/2)・(W/L)・Coxである。またCは画素容量であり、図2の画素回路10でいえば、C=Cs+Csub+CELである。
移動度補正時の電流Idsは、次の(数2)で表される。
ここでパネルの高精細化を図るために画素サイズを小さくしていくと、画素容量Cは小さくならざるを得ない。また高輝度化を図ると、信号値Vsigやトランジスタサイズの増大が求められる。
つまり、高精細化、高輝度化を進めると、最適移動度補正時間tが短くなるということが発生する。
つまり、高精細化、高輝度化を進めると、最適移動度補正時間tが短くなるということが発生する。
図3で説明した回路動作の場合、移動度補正の期間(時点t25〜t26)は、電源制御パルスDSの立ち下がりから走査パルスWSの立ち下がりまでの期間となる。
設計上、この電源制御パルスDSと走査パルスWSのパルスタイミングは、上記の最適移動度補正時間tに基づいて決められるが、すると、この移動度補正の期間は、高精細化、高輝度化を進めることで短縮されていくことになる。
設計上、この電源制御パルスDSと走査パルスWSのパルスタイミングは、上記の最適移動度補正時間tに基づいて決められるが、すると、この移動度補正の期間は、高精細化、高輝度化を進めることで短縮されていくことになる。
ここで電源制御パルスDSや走査パルスWSのタイミング誤差が移動度補正に影響を与えることを考えなければならない。
ドライブスキャナ13やライトスキャナ12によって発生される電源制御パルスDSや走査パルスWSのタイミングには、或る程度の誤差が生ずることは避けられない。
しかしながら、移動度補正の期間が或る程度長ければ、パルスタイミングの揺らぎは移動度補正に殆ど影響を与えない。これは移動度補正期間の長さに対して、パルスタイミングの誤差変動が無視できる程度であるためである。
ところが移動度補正期間が短くなると、パルスタイミングの誤差が同程度であったとしても、相対的にそのタイミング誤差が、移動度補正期間に対して大きくなる。
つまり、移動度補正期間として、パルスタイミングの誤差によって無視できない程度の変動が生ずる。これによって最適な移動度補正が実現できない可能性が生ずる。
移動度補正が適切に行われないと、表示画像にいわゆるスジむらなどが発生し、画質劣化が生ずる。
このことから、画素容量Cの低下や、信号値Vsigやトランジスタサイズの増大がある場合でも、移動度補正期間を或る程度長くとれるようにすることが求められる。
ドライブスキャナ13やライトスキャナ12によって発生される電源制御パルスDSや走査パルスWSのタイミングには、或る程度の誤差が生ずることは避けられない。
しかしながら、移動度補正の期間が或る程度長ければ、パルスタイミングの揺らぎは移動度補正に殆ど影響を与えない。これは移動度補正期間の長さに対して、パルスタイミングの誤差変動が無視できる程度であるためである。
ところが移動度補正期間が短くなると、パルスタイミングの誤差が同程度であったとしても、相対的にそのタイミング誤差が、移動度補正期間に対して大きくなる。
つまり、移動度補正期間として、パルスタイミングの誤差によって無視できない程度の変動が生ずる。これによって最適な移動度補正が実現できない可能性が生ずる。
移動度補正が適切に行われないと、表示画像にいわゆるスジむらなどが発生し、画質劣化が生ずる。
このことから、画素容量Cの低下や、信号値Vsigやトランジスタサイズの増大がある場合でも、移動度補正期間を或る程度長くとれるようにすることが求められる。
[3.本発明の実施の形態としての画素回路動作]
そこで本発明の実施の形態として、移動度補正期間を伸長できるようにした手法を提案する。
図5に実施の形態の回路動作を示す。
この図5も、図3と同様に、水平セレクタ11によって信号線DTLに与えられる電位を、DTL入力信号として示している。但しこの場合、水平セレクタ11は、信号線DTLに信号電位Vsigを与えるに先立つ期間に、補正用信号値VsigLを与えるようにしている。即ち水平セレクタ11は信号電位Vsigと、補正用信号値VsigLと、基準電位Vofsを所定タイミングで切り換える。
なお、信号値Vsigは、画像信号に基づいて発生する画素に対する輝度信号値である。例えば仮に信号値Vsigの範囲は2V〜8Vであり、この範囲で所定の階調数(例えば256階調など)で信号値電圧が制御されるとする。補正用信号値VsigLは、与える信号値に対して低い電圧値として設定されている。
例えば図7には一例として、信号値Vsigとして、2V、3V・・・8Vを与える際の補正用信号値VsigLを示している。この例では信号値Vsigより0.5V低い電圧値を補正用信号値VsigLとしている。もちろん補正用信号値VsigLの値は、このような例に限られるものではない。
そこで本発明の実施の形態として、移動度補正期間を伸長できるようにした手法を提案する。
図5に実施の形態の回路動作を示す。
この図5も、図3と同様に、水平セレクタ11によって信号線DTLに与えられる電位を、DTL入力信号として示している。但しこの場合、水平セレクタ11は、信号線DTLに信号電位Vsigを与えるに先立つ期間に、補正用信号値VsigLを与えるようにしている。即ち水平セレクタ11は信号電位Vsigと、補正用信号値VsigLと、基準電位Vofsを所定タイミングで切り換える。
なお、信号値Vsigは、画像信号に基づいて発生する画素に対する輝度信号値である。例えば仮に信号値Vsigの範囲は2V〜8Vであり、この範囲で所定の階調数(例えば256階調など)で信号値電圧が制御されるとする。補正用信号値VsigLは、与える信号値に対して低い電圧値として設定されている。
例えば図7には一例として、信号値Vsigとして、2V、3V・・・8Vを与える際の補正用信号値VsigLを示している。この例では信号値Vsigより0.5V低い電圧値を補正用信号値VsigLとしている。もちろん補正用信号値VsigLの値は、このような例に限られるものではない。
また図5では、走査パルスWSとして、ライトスキャナ12によって書込制御線WSLに印加されるパルスを示している。
また電源制御パルスDSとして、ドライブスキャナ13によって電源制御線DSLに印加される電圧を示している。また駆動電圧Vccを示している。
また駆動トランジスタTrDのゲート電位Vg、ソース電位Vsの変動も示している。
また電源制御パルスDSとして、ドライブスキャナ13によって電源制御線DSLに印加される電圧を示している。また駆動電圧Vccを示している。
また駆動トランジスタTrDのゲート電位Vg、ソース電位Vsの変動も示している。
図5のタイミングチャートにおける時点t0として、有機EL素子1の発光駆動動作の1サイクル(画像表示の1フレーム期間:t0〜t10)が開始される。
まず時点t0において、駆動電圧Vccが一旦、電位Vss2まで下げられ、これにより有機EL素子1は非発光状態となる。
その状態でドライブスキャナ13は、電源制御パルスDSをHレベルとし、スイッチングトランジスタTrSWを非導通とする。スイッチングトランジスタTrSWがオフとなって駆動トランジスタTrDへの電源供給を止めた後、駆動電圧Vccの供給を再開する。
この時点t0から、駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは電位Vss2まで低下する。また浮遊状態の駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgも低下する。
まず時点t0において、駆動電圧Vccが一旦、電位Vss2まで下げられ、これにより有機EL素子1は非発光状態となる。
その状態でドライブスキャナ13は、電源制御パルスDSをHレベルとし、スイッチングトランジスタTrSWを非導通とする。スイッチングトランジスタTrSWがオフとなって駆動トランジスタTrDへの電源供給を止めた後、駆動電圧Vccの供給を再開する。
この時点t0から、駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは電位Vss2まで低下する。また浮遊状態の駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgも低下する。
その後、時点t1にVth補正動作のための準備を行う。即ち、信号線DTLが基準電位Vofsとされているときに走査パルスWSがHレベルとされてサンプリングトランジスタTrSが導通される。これにより駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgが電圧Vofsに固定される。ソース電位Vsは電位Vss2を維持する。
このようにして、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、閾値電圧Vth以上に開くことで、Vth補正の準備を行う。
このようにして、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、閾値電圧Vth以上に開くことで、Vth補正の準備を行う。
次に時点t2〜t3としてVth補正動作が行われる。
即ちこの時点t2〜t3では、電源制御パルスDSがLレベルとされ、スイッチングトランジスタTrSWが導通される。これによって駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。サンプリングトランジスタTrSは導通状態を保つため、駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgは基準電位Vofsに固定されたまま、ソース電位Vsが上昇することになる。
このVth補正動作は、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgs=閾値電圧Vthとなると完了する。
Vth補正動作が完了する時点t3で電源制御パルスDSはHレベルとされ、また走査パルスWSはLレベルとされることで、スイッチングトランジスタTrSW及びサンプリングトランジスタTrSは非導通状態となる。
即ちこの時点t2〜t3では、電源制御パルスDSがLレベルとされ、スイッチングトランジスタTrSWが導通される。これによって駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。サンプリングトランジスタTrSは導通状態を保つため、駆動トランジスタTrDのゲート電位Vgは基準電位Vofsに固定されたまま、ソース電位Vsが上昇することになる。
このVth補正動作は、駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgs=閾値電圧Vthとなると完了する。
Vth補正動作が完了する時点t3で電源制御パルスDSはHレベルとされ、また走査パルスWSはLレベルとされることで、スイッチングトランジスタTrSW及びサンプリングトランジスタTrSは非導通状態となる。
以上のようにVth補正が行われた後は、信号値(Vsig)の書込及び移動度補正が行われるわけであるが、本例の場合、時点t4〜t9の期間で次の動作が行われる。
まず保持容量Csに与える信号値Vsigの電圧より低電圧とされた補正用信号値VsigLを保持容量Csに保持させた状態で、駆動トランジスタTrDへ駆動電圧Vccを供給することで、駆動トランジスタTrDの移動度補正動作を実行させる。
そして移動度補正動作後に、本来の信号値Vsigを保持容量Csに保持させ、駆動トランジスタTrDへ駆動電圧Vccを供給することで、有機EL素子1において信号値Vsigに応じた輝度による発光動作を実行させる。
まず保持容量Csに与える信号値Vsigの電圧より低電圧とされた補正用信号値VsigLを保持容量Csに保持させた状態で、駆動トランジスタTrDへ駆動電圧Vccを供給することで、駆動トランジスタTrDの移動度補正動作を実行させる。
そして移動度補正動作後に、本来の信号値Vsigを保持容量Csに保持させ、駆動トランジスタTrDへ駆動電圧Vccを供給することで、有機EL素子1において信号値Vsigに応じた輝度による発光動作を実行させる。
なお、図6に時点t4〜t9の期間を拡大して示している。
時点t4〜t9の各動作を説明する。
時点t4において、走査パルスWSがHレベルとなり、サンプリングトランジスタTrSが導通され、信号線DTLの電位が駆動トランジスタTrDのゲートに導入される。
上述したように、水平セレクタは、信号線DTLに信号値Vsigを与える前の期間に、補正用信号値VsigLを与えるようにしている。従って、時点t4から、補正用信号値VsigLが保持容量Csに書き込まれることになる。このように時点t4〜t5は、補正用信号値書込期間となる。
時点t4〜t9の各動作を説明する。
時点t4において、走査パルスWSがHレベルとなり、サンプリングトランジスタTrSが導通され、信号線DTLの電位が駆動トランジスタTrDのゲートに導入される。
上述したように、水平セレクタは、信号線DTLに信号値Vsigを与える前の期間に、補正用信号値VsigLを与えるようにしている。従って、時点t4から、補正用信号値VsigLが保持容量Csに書き込まれることになる。このように時点t4〜t5は、補正用信号値書込期間となる。
続いて時点t5〜t6の期間において電源制御パルスDSがLレベルとされ、スイッチングトランジスタTrSWが導通される。この時点t5〜t6の期間が移動度補正期間となる。
即ちこの時点t5〜t6の期間では、保持容量Csに補正用信号値VsigLが書き込まれている状態において、駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。このため、駆動トランジスタTrDのドレイン−ソース間に補正用信号値VsigLに応じた電流Idsが流れる。そして駆動トランジスタTrDの移動度に応じてソース電位Vsが上昇することになる(補正電圧ΔVの上昇)。
この場合、駆動トランジスタTrDの移動度が大きければ、ソース電位Vsの上昇量が大きく、移動度が小さければソース電位Vsの上昇量が小さい。これは結果として発光期間における駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、移動度に応じて調整する動作となる。
即ちこの時点t5〜t6の期間では、保持容量Csに補正用信号値VsigLが書き込まれている状態において、駆動トランジスタTrDに駆動電圧Vccが印加される。このため、駆動トランジスタTrDのドレイン−ソース間に補正用信号値VsigLに応じた電流Idsが流れる。そして駆動トランジスタTrDの移動度に応じてソース電位Vsが上昇することになる(補正電圧ΔVの上昇)。
この場合、駆動トランジスタTrDの移動度が大きければ、ソース電位Vsの上昇量が大きく、移動度が小さければソース電位Vsの上昇量が小さい。これは結果として発光期間における駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsを、移動度に応じて調整する動作となる。
その後、時点t7〜t8が信号値書込期間となる。即ちこの期間では、水平セレクタ11は信号線DTLに信号値Vsigを与える。サンプリングトランジスタTrSは導通状態であるので、信号値Vsigが保持容量Csに書き込まれることになる。
そして電源制御パルスDSが再びLレベルとされる。
ソース電位Vsが有機EL素子1の閾値を越える電位となったときに、有機EL素子1が発光されることになる。
即ち駆動トランジスタTrDは保持容量Csに保持されている信号値Vsigの電位に応じて駆動電流を流し、有機EL素子1を発光させる。このとき駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは所定の動作点に保持されている。
駆動トランジスタTrDのドレインには駆動電圧Vccが印加されており、常に飽和領域で動作するように設定されているため、駆動トランジスタTrDは定電流源として機能し、有機EL素子1には、上記(数1)で示される電流Ids、即ち駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsに応じた電流が流れる。これにより有機EL素子1は、信号値Vsigに応じた輝度で発光を行うこととなる。
そして電源制御パルスDSが再びLレベルとされる。
ソース電位Vsが有機EL素子1の閾値を越える電位となったときに、有機EL素子1が発光されることになる。
即ち駆動トランジスタTrDは保持容量Csに保持されている信号値Vsigの電位に応じて駆動電流を流し、有機EL素子1を発光させる。このとき駆動トランジスタTrDのソース電位Vsは所定の動作点に保持されている。
駆動トランジスタTrDのドレインには駆動電圧Vccが印加されており、常に飽和領域で動作するように設定されているため、駆動トランジスタTrDは定電流源として機能し、有機EL素子1には、上記(数1)で示される電流Ids、即ち駆動トランジスタTrDのゲート−ソース間電圧Vgsに応じた電流が流れる。これにより有機EL素子1は、信号値Vsigに応じた輝度で発光を行うこととなる。
このように本例では、まず時点t4〜t5の期間に保持容量Csに補正用信号値VsigLを書き込み、時点t5〜t6の期間に移動度補正を行う。そしてその後、時点t7〜t8の期間に信号値Vsigを保持容量Csに書き込み、有機EL素子1を信号値Vsigに応じた輝度で発光させるという動作を行う。
このような動作によって、移動度補正期間を延長することが可能となる。以下、この理由を述べる。
このような動作によって、移動度補正期間を延長することが可能となる。以下、この理由を述べる。
本例では、本来の信号値Vsigより低電圧である補正用信号値VsigLを保持容量Csに書き込んだ状態で移動度補正を行うが、本来の電圧値である信号値Vsigを書き込んだ後は、移動度補正は行わないで発光させる。
つまり、或る階調の信号値Vsigに必要な移動度補正電圧を、より低い階調の信号電圧(VsigL)にて行う。これが、同一輝度を得る為に必要な移動度補正時間を、伸長する事を可能とする。
つまり、或る階調の信号値Vsigに必要な移動度補正電圧を、より低い階調の信号電圧(VsigL)にて行う。これが、同一輝度を得る為に必要な移動度補正時間を、伸長する事を可能とする。
一般的に移動度バラツキを補正するのに必要な電圧値は、書き込んだ信号値電圧振幅の半分(Vsig/2)が必要である。例えば白階調に相当する電圧(Vsig=8V)にて発光させる場合、その半分の4Vを補正する必要がある。
本例では、それよりも低い階調の補正用信号値VsigL(例えばVsig=7.5V)などにてこの4Vの補正を行う。
低い信号電圧にて本来の信号電圧値についての移動度補正をする為には、より長い移動度補正期間が必要となる。これによって、或る輝度を得る為の移動度補正時間を長く設定する。
本例では、それよりも低い階調の補正用信号値VsigL(例えばVsig=7.5V)などにてこの4Vの補正を行う。
低い信号電圧にて本来の信号電圧値についての移動度補正をする為には、より長い移動度補正期間が必要となる。これによって、或る輝度を得る為の移動度補正時間を長く設定する。
例えば、図8には8V〜2Vの範囲での各信号値Vsigの電圧における補正時間と補正電圧値ΔVの関係を示す。
例えば信号値Vsig=8Vの場合には、4Vの補正電圧が必要であるため、補正時間としては図示するHT1となる。
これを、信号値Vsig=8Vの場合に、補正用信号値VsigL=7.5Vを駆動トランジスタTrDのゲートに与えるとしたとき、本来の信号値Vsig=8Vを考えて4Vの補正を行うには、補正時間は図示するHT2となる。
図8の曲線C1は、例えば図3の動作例のように、信号値Vsigを与えた状態で移動度補正する場合の補正時間を示したカーブである。
一方、破線で示す曲線C2は、本例の図5のように、本来の信号値Vsigより0.5V低い補正用信号値VsigL(図7参照)を与えた状態で移動度補正する場合の補正時間を示したカーブである。
この曲線C1,C2を比較すると、図3の動作例よりも図5の動作例では補正時間を延長できることが理解される。
例えば信号値Vsig=8Vの場合には、4Vの補正電圧が必要であるため、補正時間としては図示するHT1となる。
これを、信号値Vsig=8Vの場合に、補正用信号値VsigL=7.5Vを駆動トランジスタTrDのゲートに与えるとしたとき、本来の信号値Vsig=8Vを考えて4Vの補正を行うには、補正時間は図示するHT2となる。
図8の曲線C1は、例えば図3の動作例のように、信号値Vsigを与えた状態で移動度補正する場合の補正時間を示したカーブである。
一方、破線で示す曲線C2は、本例の図5のように、本来の信号値Vsigより0.5V低い補正用信号値VsigL(図7参照)を与えた状態で移動度補正する場合の補正時間を示したカーブである。
この曲線C1,C2を比較すると、図3の動作例よりも図5の動作例では補正時間を延長できることが理解される。
移動度補正時間が延長できれば、パルスタイミング誤差による移動度補正への影響を低減することが可能となる。
例えば本例の場合、移動度補正期間である時点t5〜t6は、電源制御パルスDSによって規定されることになる。電源制御パルスDSの立ち上がりタイミング、立ち下がりタイミングは、多少の誤差が生ずることはやむを得ないが、移動度補正期間を長くとれることで、そのタイミング誤差が移動度補正期間に与える影響を相対的に小さくできる。実際上、電源制御パルスDSのタイミング誤差は無視できる程度とすることが可能である。従って移動度補正期間と適切な期間とし、正確な移動度補正を実現できる。
即ち本例のような動作例によれば、同一の画素容量の画素回路においても、移動度補正期間を短くすること無く高輝度化が可能になる。また、より少ない画素容量の場合においても、補正時間を短くすることなく同一の輝度を得る事ができるので、パネルの更なる高精細化も可能となる。
例えば本例の場合、移動度補正期間である時点t5〜t6は、電源制御パルスDSによって規定されることになる。電源制御パルスDSの立ち上がりタイミング、立ち下がりタイミングは、多少の誤差が生ずることはやむを得ないが、移動度補正期間を長くとれることで、そのタイミング誤差が移動度補正期間に与える影響を相対的に小さくできる。実際上、電源制御パルスDSのタイミング誤差は無視できる程度とすることが可能である。従って移動度補正期間と適切な期間とし、正確な移動度補正を実現できる。
即ち本例のような動作例によれば、同一の画素容量の画素回路においても、移動度補正期間を短くすること無く高輝度化が可能になる。また、より少ない画素容量の場合においても、補正時間を短くすることなく同一の輝度を得る事ができるので、パネルの更なる高精細化も可能となる。
なお、図8は図7のように補正用信号値VsigLを信号値Vsigより0.5V低い電圧とした場合の例に対応して示したものであるが、補正用信号値VsigLの決め方は多様に考えられる。
例えば信号値Vsig=8Vの場合の補正用信号値VsigL=6Vとすると、図9に示すように、信号値Vsig=8Vの際に4Vの補正を行う時間は、HT1からHT3に延長できる。この場合、補正時間は700nsec程度(HT1)から、1.7μsec程度(HT3)にまで、約2.2倍伸長できる。
8V以外の他の信号値Vsigについても、それぞれ適切に補正用信号値VsigLを設定することで、図9の破線の曲線C3のように補正時間を設定することができる。
各信号値に対する補正用信号値VsigLの設定は、回路動作設計の都合に応じて適切に決められればよい。
例えば信号値Vsig=8Vの場合の補正用信号値VsigL=6Vとすると、図9に示すように、信号値Vsig=8Vの際に4Vの補正を行う時間は、HT1からHT3に延長できる。この場合、補正時間は700nsec程度(HT1)から、1.7μsec程度(HT3)にまで、約2.2倍伸長できる。
8V以外の他の信号値Vsigについても、それぞれ適切に補正用信号値VsigLを設定することで、図9の破線の曲線C3のように補正時間を設定することができる。
各信号値に対する補正用信号値VsigLの設定は、回路動作設計の都合に応じて適切に決められればよい。
以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明は実施の形態に限定されるものではなく、各種の変形例が想定される。
例えば実施の形態では画素回路10として図2のように3つのトランジスタTrD、TrS、TrSWと保持容量Csを有する構成例を挙げたが、これ以外の画素回路、例えば4個以上のトランジスタを有する構成の画素回路でも本発明は適用できる。
また電源ラインで電源電圧Vccを駆動電位と初期電位で変化させるようにすれば、スイッチングトランジスタTrSWを用いない構成も可能となるが、そのような構成(つまりトランジスタTrD、TrSと保持容量Csを有する構成)の画素回路の場合でも、本発明は適用できる。
例えば実施の形態では画素回路10として図2のように3つのトランジスタTrD、TrS、TrSWと保持容量Csを有する構成例を挙げたが、これ以外の画素回路、例えば4個以上のトランジスタを有する構成の画素回路でも本発明は適用できる。
また電源ラインで電源電圧Vccを駆動電位と初期電位で変化させるようにすれば、スイッチングトランジスタTrSWを用いない構成も可能となるが、そのような構成(つまりトランジスタTrD、TrSと保持容量Csを有する構成)の画素回路の場合でも、本発明は適用できる。
1 有機EL素子、10 画素回路、11 水平セレクタ、12 ライトスキャナ、13 ドライブスキャナ、20 画素アレイ部、Cs 保持容量、TrS サンプリングトランジスタ、TrD 駆動トランジスタ、TrSW スイッチングトランジスタ
Claims (4)
- 少なくとも、発光素子と、ドレイン−ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート−ソース間に与えられた信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、上記駆動トランジスタのゲート−ソース間に接続され入力された信号値を保持する保持容量と、を有する画素回路が、マトリクス状に配置されて成る画素アレイと、
上記保持容量に与える信号値の電圧より低電圧とされた補正用信号値を上記保持容量に保持させた状態で上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記駆動トランジスタの移動度補正動作を実行させる移動度補正動作手段と、
上記移動度補正動作後に、上記信号値を上記保持容量に保持させ、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記発光素子において上記信号値に応じた輝度による発光動作を実行させる発光動作手段と、
を備えた表示装置。 - 上記画素アレイ上で列状に配設される各信号線に、上記信号値、上記補正用信号値及び基準値としての電位を供給する信号セレクタと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各書込制御線を駆動して、上記信号線の電位を上記画素回路に導入させる書込スキャナと、
上記画素アレイ上で行状に配設される各電源制御線を用いて、上記画素回路の上記駆動トランジスタへの駆動電圧の印加を行う駆動制御スキャナと、
を備え、
上記移動度補正動作手段は、上記駆動トランジスタのゲート電位を上記信号線から与えられる上記補正用信号値とさせる上記書込スキャナによる動作と、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する上記駆動制御スキャナによる動作とによって実現され、
上記発光動作手段は、上記駆動トランジスタのゲート電位を上記信号線から与えられる上記信号値とさせる上記書込スキャナによる動作と、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する上記駆動制御スキャナによる動作とによって実現される請求項1に記載の表示装置。 - 上記画素回路は、上記発光素子と、上記駆動トランジスタと、上記保持容量とに加えてサンプリングトランジスタを備え、
上記サンプリングトランジスタは、そのゲートが上記書込制御線に接続され、ソース及びドレインの一方が上記信号線に接続され、他方が上記駆動トランジスタのゲートに接続されており、
上記信号セレクタから上記信号線に与えられる電位が上記補正用信号値である期間に、上記書込スキャナが上記サンプリングトランジスタを導通させた後、上記駆動制御スキャナが上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する動作を行うことで、上記移動度補正動作手段としての動作が実行され、
また、上記信号セレクタから上記信号線に与えられる電位が上記信号値である期間に、上記書込スキャナが上記サンプリングトランジスタを導通させた後、上記駆動制御スキャナが上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給する動作を行うことで、上記発光動作手段としての動作が実行される請求項2に記載の表示装置。 - 少なくとも、発光素子と、ドレイン−ソース間に駆動電圧が印加されることで上記発光素子に対してゲート−ソース間に与えられた信号値に応じた電流印加を行う駆動トランジスタと、上記駆動トランジスタのゲート−ソース間に接続され入力された信号値を保持する保持容量と、を有する画素回路が、マトリクス状に配置されて成る画素アレイを有する表示装置の表示駆動方法として、
上記保持容量に与える信号値の電圧より低電圧とされた補正用信号値を上記保持容量に保持させた状態で上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記駆動トランジスタの移動度補正動作を実行させ、
上記移動度補正動作後に、上記信号値を上記保持容量に保持させ、上記駆動トランジスタへ駆動電圧を供給することで、上記発光素子において上記信号値に応じた輝度による発光動作を実行させる表示駆動方法。
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