JP2008233501A - 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】移動度補正処理の時間長の変動に起因した表示画面の品質の劣化を抑制することができる有機ＥＬ発光部の駆動方法を提供する。
【解決手段】駆動方法においては、駆動トランジスタＴ_Drv、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、及びコンデンサ部Ｃ₁を備えた駆動回路を用い、前処理［ＴＰ（５）₁］、閾値電圧キャンセル処理［ＴＰ（５）₂］、書込み処理［ＴＰ（５）₆］を行う有機ＥＬ発光部の駆動方法において、閾値補正／書込み処理［ＴＰ（５）₆］の前に、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とし、書込み処理［ＴＰ（５）₆］において、同時に移動度補正処理を行う。
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、有機ＥＬ素子と略称する）を発光素子として用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する）において、有機ＥＬ素子の輝度は、有機ＥＬ素子を流れる電流値によって制御される。そして、液晶表示装置と同様に、有機ＥＬ表示装置においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、単純マトリクス方式に比べて構造が複雑となるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等、種々の利点を有する。

有機ＥＬ素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と略称する）を駆動するための回路として、５つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）が、例えば、特開２００６−２１５２１３から周知である。この従来の５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、図１に示すように、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drv、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の５つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。ここで、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域は第２ノードＮＤ₂を構成し、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は第１ノードＮＤ₁を構成する。

尚、これらのトランジスタ及びコンデンサ部については、後に詳しく説明する。

例えば、各トランジスタはｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り、発光部ＥＬＰは、駆動回路を覆うように形成された層間絶縁層等の上に設けられている。発光部ＥＬＰのアノード電極は、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極には、電圧Ｖ_Cat（例えば、０ボルト）が印加される。符号Ｃ_ELは発光部ＥＬＰの寄生容量を表す。

駆動のタイミングチャートを模式的に図１７に示す。［期間−ＴＰ（５）₁］において、閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が実行される。即ち、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオン状態とすることで、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。一方、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_SS（例えば、−１０ボルト）となる。そして、これによって、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ソース領域と呼ぶ）との間の電位差が、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₂］において、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。この状態にあっては、第２ノードの電位は、概ね（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）である。その後、［期間−ＴＰ（５）₃］において、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。次に、［期間−ＴＰ（５）₄］において、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1をオフ状態とする。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₅’］において、駆動トランジスタＴ_Drvに対する一種の書込み処理を実行する。具体的には、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2、及び、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、データ線ＤＴＬの電位を映像信号に相当する電圧［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_Sig］とし、次いで、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇する。第１ノードＮＤ₁の電位の変化分に基づく電荷は、コンデンサ部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。従って、第１ノードＮＤ₁の電位が変化すると、第２ノードＮＤ₂の電位も変化する。しかしながら、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_ELの容量値が大きな値である程、第２ノードＮＤ₂の電位の変化は小さくなる。そして、一般に、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_ELの容量値は、コンデンサ部Ｃ₁の容量値及び駆動トランジスタＴ_DRVの寄生容量の値よりも大きい。そこで、第２ノードＮＤ₂の電位は殆ど変化しないとすれば、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（Ａ）のとおりとなる。

Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （Ａ）

その後、［期間−ＴＰ（５）₆’］において駆動トランジスタＴ_Drvの特性（例えば、移動度μの大小等）に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。具体的には、駆動トランジスタＴ_Drvのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とし、次いで、所定の時間（ｔ’₀）が経過した後、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）を浮遊状態とする。その結果、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ａ）から以下の式（Ｂ）のように変形される。尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（５）₆’］の全時間（ｔ’₀））は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （Ｂ）

以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、その後の［期間−ＴＰ（５）₇］においては、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオフ状態となり、第１ノードＮＤ₁、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は浮遊状態となる一方、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオン状態を維持しており、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の一方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ドレイン領域と呼ぶ）は、発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部（電圧Ｖ_CC、例えば２０ボルト）に接続された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ｂ）の値を保持する。また、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ドレイン領域と呼ぶ）からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（Ｃ）で表すことができる。発光部ＥＬＰは、ドレイン電流Ｉ_dsの値に応じた輝度で発光する。尚、係数ｋについては後述する。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）²
＝ｋ・μ・（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （Ｃ）

以上に概要を説明した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の駆動等についても、後に詳しく説明する。

特開２００６−２１５２１３

ところで、［期間−ＴＰ（５）₅’］の開始直前にあっては、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオフ状態であり、且つ、駆動トランジスタＴ_Drvもオフ状態にある。また、［期間−ＴＰ（５）₅’］にあっても、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオフ状態である。従って、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の他方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ソース領域と呼ぶ）及び駆動トランジスタＴ_Drvのドレイン領域（以下、これらの領域を総称して、第３ノードＮＤ₃と呼ぶ）は、電流供給部１００とは電気的に接続されていない状態である。

［期間−ＴＰ（５）₅’］において、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極には、表示すべき画像の輝度に応じた映像信号Ｖ_Sigが印加される。このとき、第３ノードＮＤ₃の電位は、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とドレイン領域との間の寄生容量によるカップリングに起因して変動する。従って、［期間−ＴＰ（５）₅’］の終期における第３ノードＮＤ₃の電位は、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に印加される映像信号Ｖ_Sigの値に応じた値となる。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₆’］の始期において、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオン状態となる。このとき、第３ノードＮＤ₃の電位は、上述した映像信号Ｖ_Sigに応じた値から、電流供給部の電圧Ｖ_CCへと上昇する。従って、このときの第３ノードＮＤ₃の電位の変化量は、映像信号Ｖ_Sigの値に依存する。

一方、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のソース領域とゲート電極との間にも、寄生容量が存在する。そして、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のソース領域とゲート電極との間のカップリングによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のゲート電極の電位に変動が生じる。上述したように、［期間−ＴＰ（５）₆’］の始期における第３ノードＮＤ₃の電位の変化量は、上述した映像信号Ｖ_Sigの値に依存する。従って、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のゲート電極の電位の変動の程度も、上述した映像信号Ｖ_Sigの値に応じて変化する。

以上に説明したように、［期間−ＴＰ（５）₆’］の始期において、上述した発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のソース領域とゲート電極との間のカップリングに起因して、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のゲート電極の電位に変動が生じる。その結果、［期間−ＴＰ（５）₆’］の時間長、即ち、移動度補正処理の時間長に変動が生じ、表示される画像の輝度の均一性が劣化するといった問題がある。

従って、本発明の目的は、移動度補正処理の時間長の変動に起因した表示画面の品質の劣化を抑制することができる有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法は、
（Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
（Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、
（Ｃ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた発光制御トランジスタ、並びに、
（Ｄ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
から構成された駆動回路であって、
駆動トランジスタにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
映像信号書込みトランジスタにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されており、
発光制御トランジスタにおいては、
（Ｃ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
（Ｃ−２）ゲート電極は、発光制御トランジスタ制御線に接続されている、
駆動回路を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法である。

そして、
（ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が、駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、有機エレクトロルミネッセンス発光部のカソード電極と第２ノードとの間の電位差が、有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加し、且つ、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）発光制御トランジスタ制御線からの信号により発光制御トランジスタのオン状態を保った状態にした後、走査線からの信号によりオン状態とされた映像信号書込みトランジスタを介して、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線からの信号により映像信号書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態として、第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を、電流供給部から駆動トランジスタを介して有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって、有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動する、
各工程から成ることを特徴とする。

尚、前記工程（ｂ）において、第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させるには、前記工程（ａ）における第２ノードの電位に駆動トランジスタの閾値電圧を加えた電圧を超える電圧を電流供給部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加すればよい。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法（以下、本発明の駆動方法と略称する）において、駆動回路は、
（Ｅ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第２ノード初期化トランジスタ、
を更に備えており、
第２ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｅ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第２ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｅ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードに接続されており、
（Ｅ−３）ゲート電極は、第２ノード初期化トランジスタ制御線に接続されており、
前記工程（ａ）において、第２ノード初期化トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２ノード初期化トランジスタを介して、第２ノード初期化電圧供給線から第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加した後、第２ノード初期化トランジスタ制御線からの信号により第２ノード初期化トランジスタをオフ状態とする形態とすることができる。そして、更には、駆動回路は、
（Ｆ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第１ノード初期化トランジスタ、
を更に備えており、
第１ノード初期化トランジスタにおいては、
（Ｆ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第１ノード初期化電圧供給線に接続されており、
（Ｆ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードに接続されており、
（Ｆ−３）ゲート電極は、第１ノード初期化トランジスタ制御線に接続されており、
前記工程（ａ）において、第１ノード初期化トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加する形態とすることができる。

駆動回路の詳細は後述するが、上述したとおり、５つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）、４つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）、３つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）から構成することができる。

本発明の駆動方法における有機エレクトロルミネッセンス表示装置（有機ＥＬ表示装置）にあっては、電流供給部、走査線が接続された走査回路、データ線が接続された映像信号出力回路、発光制御トランジスタ制御線が接続された発光制御トランジスタ制御回路、走査線、データ線、発光制御トランジスタ制御線、有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と呼ぶ場合がある）の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。具体的には、発光部は、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から構成することができる。

本発明の駆動方法におけるカラー表示用の有機ＥＬ表示装置にあっては、１つの画素は複数の副画素から構成されているが、具体的には、１つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素の３つの副画素から構成されている形態とすることができる。あるいは又、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。

駆動回路を構成するトランジスタとして、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができるが、場合によっては、例えば、発光制御トランジスタにｐチャネル型の薄膜トランジスタを用いることもできる。更には、シリコン半導体基板に形成された電界効果トランジスタ（例えば、ＭＯＳトランジスタ）から構成することもできる。コンデンサ部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層（絶縁層）から構成することができる。駆動回路を構成するトランジスタ及びコンデンサ部は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及びコンデンサ部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。

本発明の駆動方法が適用される有機ＥＬ表示装置は、
（イ）走査回路、
（ロ）映像信号出力回路、
（ハ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
（ニ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
（ホ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、
（ヘ）発光制御トランジスタ制御回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の発光制御トランジスタ制御線、並びに、
（ト）電流供給部、
を備えている構成とすることができる。そして、各有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子と略称する）は、
駆動トランジスタ、映像信号書込みトランジスタ、発光制御トランジスタ、及び、コンデンサ部を具備した駆動回路、並びに、
有機エレクトロルミネッセンス発光部（発光部）、
から構成されている。

本発明の駆動方法によれば、発光制御トランジスタのオン状態を保った状態とした後、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理において、移動度補正処理が同時に行われる。ここで、発光制御トランジスタが予めオン状態に保持された状態にあるので、書込み処理の時間長（即ち、移動度補正処理の時間長）は、映像信号書込みトランジスタがオン状態とされた時間のみによって規定される。また、移動度補正／書込み処理を行う際、及び、その前後において、第３ノードの電位は略電流供給部の電圧に保たれた状態にあるので、駆動トランジスタのゲート電極の電位が変化しても、その影響が寄生容量により発光制御トランジスタのゲート電極に伝播することもない。そして、このように、発光制御トランジスタのゲート電極の電位変動が移動度補正処理の時間長に対して影響を与えることがないので、移動度補正処理の時間長の変動に起因した表示画面の品質の劣化といった問題が発生することもない。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、各実施例において用いられる有機ＥＬ表示装置の概要を説明する。

各実施例での使用に適した有機ＥＬ表示装置は、複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置である。そして１つの画素は複数の副画素（各実施例にあっては、３つの副画素である赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素）から構成されており、各副画素は、駆動回路１１と、この駆動回路１１に接続された有機エレクトロルミネッセンス発光部（発光部ＥＬＰ）とが積層された構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）１０から構成されている。実施例１、実施例２、実施例３における有機ＥＬ表示装置の等価回路図を、それぞれ、図１、図６、図１１に示し、実施例１、実施例２、実施例３における有機ＥＬ表示装置の概念図を、それぞれ、図２、図７、図１２に示す。尚、図１及び図２には、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を示し、図６及び図７には、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を示し、図１１及び図１２には、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を示す。

ここで、各実施例における有機ＥＬ表示装置は、
（イ）走査回路１０１、
（ロ）映像信号出力回路１０２、
（ハ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、第１の方向に直交する方向）にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子１０、
（ニ）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（ホ）映像信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、
（ヘ）発光制御トランジスタ制御回路１０３に接続され、第１の方向に延びるＭ本の発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}、並びに、
（ト）電流供給部１００、
を備えている。尚、図２、図７及び図１２においては、３×３個の有機ＥＬ素子１０を図示しているが、これは、あくまでも例示に過ぎない。

発光部ＥＬＰは、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等の周知の構成、構造を有する。また、走査線ＳＣＬの一端に走査回路１０１が設けられている。走査回路１０１、映像信号出力回路１０２、走査線ＳＣＬ、データ線ＤＴＬ、電流供給部１００の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。

駆動回路の最小構成要素を挙げると、この駆動回路は、最低、駆動トランジスタＴ_Drv、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、及び、一対の電極を備えたコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。駆動トランジスタＴ_Drvは、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。また、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigも、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。更には、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}も、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。尚、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}や映像信号書込みトランジスタＴ_Sigを、ｐチャネル型のＴＦＴから構成してもよい。

ここで、駆動トランジスタＴ_Drvにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域（以下、ドレイン領域と呼ぶ）は、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域（以下、ソース領域と呼ぶ）は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部Ｃ₁の一方の電極に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部Ｃ₁の他方の電極に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。

尚、駆動トランジスタＴ_Drvのドレイン領域と発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の他方のソース／ドレイン領域とは、例えば、同じ領域を占めており、係る領域を第３ノードＮＤ₃と呼ぶ。

また、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。

更には、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}においては、
（Ｃ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部１００に接続されており、
（Ｃ−２）ゲート電極は、発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}に接続されている。

より具体的には、図１６に一部分の模式的な一部断面図を示すように、駆動回路を構成するトランジスタＴ_Sig，Ｔ_Drv及びコンデンサ部Ｃ₁は支持体上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、層間絶縁層４０を介して、駆動回路を構成するトランジスタＴ_Sig，Ｔ_Drv及びコンデンサ部Ｃ₁の上方に形成されている。また、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図１６においては、駆動トランジスタＴ_Drvのみを図示する。映像信号書込みトランジスタＴ_Sigやその他のトランジスタは隠れて見えない。

より具体的には、駆動トランジスタＴ_Drvは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５、及び、ソース／ドレイン領域３５の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、コンデンサ部Ｃ₁は、他方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂に相当する）から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及びコンデンサ部Ｃ₁を構成する他方の電極３６は、支持体２０上に形成されている。駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３８に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５は一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂に相当する）に接続されている。駆動トランジスタＴ_Drv及びコンデンサ部Ｃ₁等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２１が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２１を通過して、外部に出射される。尚、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂）とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９に接続されている。

有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素から構成されている。そして、各画素を構成する有機ＥＬ素子１０は、線順次駆動されるとし、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２，３・・・Ｍ）に配列された（Ｎ／３）個の画素（Ｎ個の副画素）のそれぞれを構成する有機ＥＬ素子１０が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各有機ＥＬ素子１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素について映像信号を書き込む処理は、全ての画素について同時に映像信号を書き込む処理（以下、単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよいし、各画素毎に順次映像信号を書き込む処理（以下、単に、順次書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよい。いずれの書込み処理とするかは、駆動回路の構成に応じて適宜選択すればよい。

ここで、原則として、第ｍ行目、第ｎ列（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）に位置する画素における１つの副画素を構成する有機ＥＬ素子１０に関する駆動、動作を説明するが、係る副画素あるいは有機ＥＬ素子１０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の副画素あるいは第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０と呼ぶ。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（後述する閾値電圧キャンセル処理、移動度補正／書込み処理）が行われる。尚、移動度補正／書込み処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われるが、場合によっては、第（ｍ−ｍ”）番目の水平走査期間から第ｍ番目の水平走査期間に亙り、行われる場合もある。一方、駆動回路の種類によっては、閾値電圧キャンセル処理やこれに伴う前処理を第ｍ番目の水平走査期間より先行して行うことができる。

そして、上述した各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部を発光させる。尚、上述した各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部を発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部を発光させてもよい。この所定の期間は、有機ＥＬ表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応じて、適宜設定することができる。尚、以下の説明においては、説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部を発光させるものとする。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。ここで、「ｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、次の表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内において移動度補正／書込み処理が完了するまで、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部は、非発光状態を維持する。上述した非発光状態の期間（以下、単に、非発光期間と呼ぶ場合がある）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。但し、各副画素（有機ＥＬ素子１０）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態に限定するものではない。また、水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源部に接続された側のソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタがオン状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタがオフ状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、或るトランジスタのソース／ドレイン領域が他のトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。また、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。

以下、実施例に基づき、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路を用いた発光部ＥＬＰの駆動方法を説明する。

実施例１は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例１にあっては、駆動回路は５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から構成されている。

５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図１に示し、概念図を図２を示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図３に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図４の（Ａ）〜（Ｄ）及び図５の（Ａ）〜（Ｅ）に示す。

この５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drv、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の５つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。

［発光制御トランジスタＴ_{EL_C}］
発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部１００（電圧Ｖ_CC）に接続され、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の他方のソース／ドレイン領域は、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域に接続されている。また、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオン／オフ動作は、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のゲート電極に接続された発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}によって制御される。尚、電流供給部１００は、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰに電流を供給し、発光部ＥＬＰの発光を制御するために設けられている。また、発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}は、発光制御トランジスタ制御回路１０３に接続されている。

［駆動トランジスタＴ_Drv］
駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の他方のソース／ドレイン領域に接続されている。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}を介して、電流供給部１００に接続されている。一方、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域は、
［１］発光部ＥＬＰのアノード電極、
［２］第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の他方のソース／ドレイン領域、及び、
［３］コンデンサ部Ｃ₁の一方の電極、
に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成する。また、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は、
［１］映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの他方のソース／ドレイン領域、
［２］第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1の他方のソース／ドレイン領域、及び、
［３］コンデンサ部Ｃ₁の他方の電極、
に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。

ここで、駆動トランジスタＴ_Drvは、有機ＥＬ素子１０の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉ_dsを流すように駆動される。有機ＥＬ素子１０の発光状態においては、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ ：実効的な移動度
Ｌ ：チャネル長
Ｗ ：チャネル幅
Ｖ_gs：ゲート電極とソース領域との間の電位差
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）² （１）

このドレイン電流Ｉ_dsが有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰを流れることで、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。

［映像信号書込みトランジスタＴ_Sig］
映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に接続されている。一方、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されている。そして、映像信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_Sigが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。尚、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_Sig以外の種々の信号・電圧（プリチャージ駆動のための信号や各種の基準電圧等）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。また、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン／オフ動作は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に接続された走査線ＳＣＬによって制御される。

［第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1］
第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に接続されている。一方、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1の一方のソース／ドレイン領域には、第１ノードＮＤ₁の電位（即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位）を初期化するための電圧Ｖ_Ofsが供給される。また、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン／オフ動作は、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のゲート電極に接続された第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1によって制御される。第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1は、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４に接続されている。

［第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2］
第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域に接続されている。一方、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の一方のソース／ドレイン領域には、第２ノードＮＤ₂の電位（即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位）を初期化するための電圧Ｖ_SSが供給される。また、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2のオン／オフ動作は、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2のゲート電極に接続された第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2によって制御される。第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2は、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５に接続されている。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰのアノード電極は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極には、電圧Ｖ_Catが印加される。発光部ＥＬＰの寄生容量を符号Ｃ_ELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶ_th-ELとする。即ち、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶ_th-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。

以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

Ｖ_Sig ：発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号
・・・０ボルト〜１０ボルト
Ｖ_CC ：発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部の電圧
・・・２０ボルト
Ｖ_Ofs ：駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位（第１ノードＮＤ₁の電位）を初期化するための電圧
・・・０ボルト
Ｖ_SS ：駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位（第２ノードＮＤ₂の電位）を初期化するための電圧
・・・−１０ボルト
Ｖ_th ：駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧
・・・３ボルト
Ｖ_Cat ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・３ボルト

以下、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。尚、上述したように、各種の処理（閾値電圧キャンセル処理、移動度補正／書込み処理）が全て完了した後、直ちに発光状態が始まるものとして説明するが、これに限るものではない。後述する実施例２〜実施例３（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）の説明においても同様である。

［期間−ＴＰ（５）_-1］（図４の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、前回の各種の処理完了後に第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０が発光状態にある期間である。即ち、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１０における発光部ＥＬＰには、後述する式（４）に基づくドレイン電流Ｉ’_dsが流れており、第（ｎ，ｍ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１０の輝度は、係るドレイン電流Ｉ’_dsに対応した値である。ここで、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2はオフ状態であり、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}及び駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態である。第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０の発光状態は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された有機ＥＬ素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。

図３に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］は、前回の各種の処理完了後の発光状態が終了した後から、次の移動度補正／書込み処理が行われる直前までの動作期間である。即ち、この［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］は、例えば、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間の終期までの或る時間長さの期間である。尚、［期間−ＴＰ（５）₁］〜［期間−ＴＰ（５）₄］を、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内に含む構成とすることもできる。

そして、この［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。即ち、［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₁］、［期間−ＴＰ（５）₃］〜［期間−ＴＰ（５）₄］においては、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオフ状態であるので、有機ＥＬ素子１０は発光しない。尚、［期間−ＴＰ（５）₂］においては、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオン状態となる。しかし、この期間においては後述する閾値電圧キャンセル処理が行われている。閾値電圧キャンセル処理の説明において詳しく述べるが、後述する式（２）を満たすことを前提とすれば、有機ＥＬ素子１０が発光することはない。

以下、［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］の各期間について、先ず、説明する。尚、［期間−ＴＰ（５）₁］の始期や、［期間−ＴＰ（５）₁］〜［期間−ＴＰ（５）₄］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（５）₀］
上述したように、この［期間−ＴＰ（５）₀］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０は、非発光状態にある。映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2はオフ状態である。また、［期間−ＴＰ（５）_-1］から［期間−ＴＰ（５）₀］に移る時点で、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}がオフ状態となるが故に、第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域あるいは発光部ＥＬＰのアノード電極）の電位は、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）まで低下し、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）の電位も低下する。

［期間−ＴＰ（５）₁］（図４の（Ｂ）及び（Ｃ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）₁］において、後述する閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が行われる。即ち、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thを越え、且つ、発光部ＥＬＰのカソード電極と第２ノードとの間の電位差が、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELを越えないように、第１ノードＮＤ₁に第１ノード初期化電圧を印加し、且つ、第２ノードＮＤ₂に第２ノード初期化電圧を印加する。具体的には、［期間−ＴＰ（５）₁］の開始時、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４及び第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をハイレベルとすることによって、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。一方、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_SS（例えば、−１０ボルト）となる。そして、この［期間−ＴＰ（５）₁］の完了以前において、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をローレベルとすることによって、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオフ状態とする。尚、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2を同時にオン状態としてもよいし、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1を先にオン状態としてもよいし、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2を先にオン状態としてもよい。

以上の処理により、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（５）₂］（図４の（Ｄ）参照）
次に、第１ノードＮＤ₁の電位を保った状態で、具体的には、［期間−ＴＰ（５）₁］における第２ノードＮＤ₂の電位に駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thを加えた電位を越える電圧を電流供給部１００から駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域（ドレイン領域）に印加することにより、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差を駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thに近づける（具体的には、第２ノードＮＤ₂の電位を上昇させる）閾値電圧キャンセル処理を行う。より具体的には、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。より一層具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト＞Ｖ_SS）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、以下の式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。尚、定性的には、閾値電圧キャンセル処理において、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差（換言すれば、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差）が駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thに近づく程度は、閾値電圧キャンセル処理の時間により左右される。従って、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を充分長く確保した場合には、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差は駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thに達し、駆動トランジスタＴ_Drvはオフ状態となる。一方、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を短く設定した場合には、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thより大きく、駆動トランジスタＴ_Drvはオフ状態とはならない場合がある。即ち、閾値電圧キャンセル処理の結果として、必ずしも駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となることを要しない。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２）

この［期間−ＴＰ（５）₂］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、例えば、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。云い換えれば、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELには依存しない。

［期間−ＴＰ（５）₃］（図５の（Ａ）参照）
その後、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をローレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も変化せず、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持する。

［期間−ＴＰ（５）₄］（図５の（Ｂ）参照）
次いで、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４の動作に基づき第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1をローレベルとすることによって、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1をオフ状態とする。第１ノードＮＤ₁及び第２ノードＮＤ₂の電位は、実質上、変化しない（実際には、寄生容量等の静電結合により電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる）。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₅］〜［期間−ＴＰ（５）₇］の各期間について説明する。尚、後述するように、［期間−ＴＰ（５）₅］において、移動度補正／書込み処理のための前処理が行われ、［期間−ＴＰ（５）₆］において、移動度補正／書込み処理が同時に行われる。上述したように、これらの処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行えばよいが、場合によっては、複数の水平走査期間を跨ってもよい。後述する実施例２〜実施例３においても同様である。但し、実施例１においては、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（５）₅］の始期と［期間−ＴＰ（５）₆］の終期とは、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期と終期とに一致するものとして説明する。

一般に、駆動トランジスタＴ_Drvをポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生じることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に同じ値の映像信号Ｖ_Sigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴ_Drvを流れるドレイン電流Ｉ_dsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴ_Drvを流れるドレイン電流Ｉ_dsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生じると、有機ＥＬ表示装置の画面の均一的（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。

［期間−ＴＰ（５）₅］（図５の（Ｃ）参照）
従って、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を含めた移動度補正／書込み処理を行うが、その前に、以下の前処理を行う。即ち、発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}からの信号により発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオン状態を保った状態とする。具体的には、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も変化せず、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持した状態で、第３ノードＮＤ₃の電位は概ねＶ_CCとなる。

［期間−ＴＰ（５）₆］（図５の（Ｄ）参照）
次に、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行うと同時に、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理を実行する。即ち、移動度補正／書込み処理を実行する。

具体的には、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2のオフ状態を維持したまま、映像信号出力回路１０２の動作に基づき、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_Sigとし、次いで、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇する。そして、所定の時間（ｔ₀）が経過した後、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）を浮遊状態とする。以上の結果、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（３）のとおりとなる。

Ｖ_g ＝Ｖ_Sig
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ
Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ） （３）

即ち、駆動トランジスタＴ_Drvに対する移動度補正／書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μに依存した電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）のみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

尚、移動度補正／書込み処理である［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間ｔ₀は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。また、このときの駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）が以下の式（２’）を満足するように、［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間ｔ₀は決定されている。そして、これによって、［期間−ＴＰ（５）₆］において、発光部ＥＬＰが発光することはない。更には、この移動度補正／書込み処理によって、係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox）のばらつきの補正も同時に行われる。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２’）

［期間−ＴＰ（５）₇］（図５の（Ｅ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、移動度補正／書込み処理が完了するので、走査線ＳＣＬからの信号により映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ₁を浮遊状態として、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差の値に応じた電流を、電流供給部１００から駆動トランジスタＴ_Drvを介して発光部ＥＬＰに流すことによって、発光部ＥＬＰを駆動する。即ち、発光部ＥＬＰを発光させる。

具体的には、所定の時間（ｔ₀）が経過した後、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）を浮遊状態とする。一方、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオン状態を維持しており、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のドレイン領域は、発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部１００（電圧Ｖ_CC、例えば２０ボルト）に接続された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、コンデンサ部Ｃ₁が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（３）の値を保持する。また、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴ_Drvのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（３）から、式（１）は、以下の式（４）のように変形することができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （４）

従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、例えば、Ｖ_Ofsを０ボルトに設定したとした場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigの値から、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μに起因した第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域）における電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。云い換えれば、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０の輝度は、係る電流Ｉ_dsに対応した値である。

しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴ_Drvほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（４）の左辺のＶ_gsの値が小さくなる。従って、式（４）において、移動度μの値が大きくとも、（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる結果、ドレイン電流Ｉ_dsを補正することができる。即ち、移動度μの異なる駆動トランジスタＴ_Drvにおいても、映像信号Ｖ_Sigの値が同じであれば、ドレイン電流Ｉ_dsが略同じとなる結果、発光部ＥＬＰを流れ、発光部ＥＬＰの輝度を制御する電流Ｉ_dsが均一化される。即ち、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部の輝度のばらつきを補正することができる。

発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（５）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｎ，ｍ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。

実施例１の駆動方法によれば、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオン状態を保持した状態で、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_Sigを第１ノードＮＤ₁に印加する書込み処理において移動度補正処理が同時に行われる。従って、移動度補正／書込み処理の時間長は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオン状態とされた時間のみによって規定される。また、移動度補正／書込み処理を行う際、及び、その前後において、第３ノードＮＤ₃の電位は略電流供給部の電圧Ｖ_CCに保たれた状態にあるので、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位が映像信号Ｖ_Sigへと変化しても、その影響が寄生容量により発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のゲート電極に伝播することもない。それ故、移動度補正処理の時間長の変動に起因した表示画面の品質の劣化といった問題が発生することがない。

実施例２は、実施例１の変形である。実施例２にあっては、駆動回路は４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から構成されている。４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図６に示し、概念図を図７を示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図８に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図９の（Ａ）〜（Ｄ）及び図１０の（Ａ）〜（Ｄ）に示す。

この４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、前述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1が省略されている。即ち、この４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drv、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の４つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。

［発光制御トランジスタＴ_{EL_C}］
発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［駆動トランジスタＴ_Drv］
駆動トランジスタＴ_Drvの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した駆動トランジスタＴ_Drvの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2］
第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［映像信号書込みトランジスタＴ_Sig］
映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。但し、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されているが、映像信号出力回路１０２から、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigだけでなく、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsも供給される。この点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの動作と相違している。尚、映像信号出力回路１０２から、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_SigやＶ_Ofs以外の信号・電圧（例えば、プリチャージ駆動のための信号）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

以下、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。

［期間−ＴＰ（４）_-1］（図９の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（４）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）_-1］と同じ動作である。

図８に示す［期間−ＴＰ（４）₀］〜［期間−ＴＰ（４）₄］は、図３に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］に対応する期間であり、次の移動度補正／書込み処理が行われる直前までの動作期間である。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、［期間−ＴＰ（４）₀］〜［期間−ＴＰ（４）₄］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。但し、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作においては、図８に示す［期間−ＴＰ（４）₅］〜［期間−ＴＰ（４）₆］の他、［期間−ＴＰ（４）₂］〜［期間−ＴＰ（４）₄］も第ｍ番目の水平走査期間に包含される点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作とは異なる。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（４）₂］の始期、及び、［期間−ＴＰ（４）₆］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（４）₀］〜［期間−ＴＰ（４）₄］の各期間について、説明する。尚、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（４）₁］の始期や、［期間−ＴＰ（４）₁］〜［期間−ＴＰ（４）₄］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（４）₀］
この［期間−ＴＰ（４）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作であり、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₀］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（４）₁］（図９の（Ｂ）参照）
この［期間−ＴＰ（４）₁］は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₁］に相当する。この［期間−ＴＰ（４）₁］において、後述する閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が行われる。［期間−ＴＰ（４）₁］の開始時、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をハイレベルとすることによって、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオン状態とする。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_SS（例えば、−１０ボルト）となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）の電位も低下する。尚、［期間−ＴＰ（４）₁］における第１ノードＮＤ₁の電位は、［期間−ＴＰ（４）_-1］における第１ノードＮＤ₁の電位（前フレームのＶ_Sigの値に応じて定まる）により左右されるので、一定の値をとるものではない。

［期間−ＴＰ（４）₂］（図９の（Ｃ）参照）
その後、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位をＶ_Ofsとし、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_SS（例えば、−１０ボルト）を保持する。その後、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をローレベルとすることによって、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオフ状態とする。

尚、［期間−ＴＰ（４）₁］の開始と同時に、あるいは、［期間−ＴＰ（４）₁］の途中で、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態としてもよい。

以上の処理により、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（４）₃］（図９の（Ｄ）参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、上述した式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

この［期間−ＴＰ（４）₃］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、例えば、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（４）₄］（図１０の（Ａ）参照）
その後、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をローレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も、実質上、変化せず（実際には、寄生容量等の静電結合により電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる）、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持する。

次いで、［期間−ＴＰ（４）₅］〜［期間−ＴＰ（４）₇］の各期間について説明する。これらの期間は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₅］〜［期間−ＴＰ（５）₇］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（４）₅］（図１０の（Ｂ）参照）
次に、移動度補正／書込み処理のための前処理を行う。具体的には、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₅］と同じ動作を行えばよい。即ち、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。

［期間−ＴＰ（４）₆］（図１０の（Ｃ）参照）
次に、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行うと同時に、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理を実行する。即ち、移動度補正／書込み処理を実行する。具体的には、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₆］と同じ動作を行えばよい。即ち、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2のオフ状態を維持したまま、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位を、Ｖ_Ofsから、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigに切り替えた後、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇し、第２ノードＮＤ₂の電位は、概ね（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）へと上昇する。これによって、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsとして、式（３）で説明した値を得ることができる。尚、［期間−ＴＰ（４）₆］の全時間（ｔ₀）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

即ち、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においても、駆動トランジスタＴ_Drvに対する移動度補正／書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μに依存した電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）のみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（４）₇］（図１０の（Ｄ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、移動度補正／書込み処理が完了する。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₇］と同じ処理がなされ、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、前述した式（４）にて得ることができるので、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。加えて、駆動トランジスタＴ_Drvにおける移動度μのばらつきに起因したドレイン電流Ｉ_dsのばらつき発生を抑制することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（４）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｎ，ｍ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。

実施例３も、実施例１の変形である。実施例３にあっては、駆動回路は３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から構成されている。３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図１１に示し、概念図を図１２を示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図１３に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１４の（Ａ）〜（Ｄ）及び図１５の（Ａ）〜（Ｅ）に示す。

この３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、前述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、及び、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の２つのトランジスタが省略されている。即ち、この３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの３つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。

［発光制御トランジスタＴ_{EL_C}］
発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［駆動トランジスタＴ_Drv］
駆動トランジスタＴ_Drvの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した駆動トランジスタＴ_Drvの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［映像信号書込みトランジスタＴ_Sig］
映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。但し、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されているが、映像信号出力回路１０２から、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sigだけでなく、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-H及び電圧Ｖ_Ofs-Lも供給される。この点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの動作と相違している。尚、映像信号出力回路１０２から、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_SigやＶ_Ofs-H／Ｖ_Ofs-L以外の信号・電圧（例えば、プリチャージ駆動のための信号）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。電圧Ｖ_Ofs-H及び電圧Ｖ_Ofs-Lの値として、限定するものではないが、例えば、
Ｖ_Ofs-H＝約３０ボルト
Ｖ_Ofs-L＝約０ボルト
を例示することができる。

［Ｃ_ELとＣ₁の値の関係］
後述するように、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、データ線ＤＴＬを利用して第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる必要がある。上述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路や４Ｔｒ／１Ｃの駆動回路においては、値ｃ_ELは、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値であるとし、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の変化を考慮せずに説明を行った。一方、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、値ｃ₁を、設計上、他の駆動回路よりも大きい値（例えば、値ｃ₁を値ｃ_ELの約１／４〜１／３程度）に設定する。従って、他の駆動回路よりも、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化の程度は大きい。このため、３Ｔｒ／１Ｃの説明においては、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮して説明を行う。尚、図示した駆動のタイミングチャートも、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮して示した。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

以下、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。

［期間−ＴＰ（３）_-1］（図１４の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、実質的に、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）_-1］と同じ動作である。

図１３に示す［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₄］は、図３に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］に対応する期間であり、次の移動度補正／書込み処理が行われる直前までの動作期間である。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₄］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。但し、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作においては、図１３に示すように、［期間−ＴＰ（３）₅］〜［期間−ＴＰ（３）₆］の他、［期間−ＴＰ（３）₁］〜［期間−ＴＰ（３）₄］も第ｍ番目の水平走査期間に包含される点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作とは異なる。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３）₁］の始期、及び、［期間−ＴＰ（３）₆］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₄］の各期間について、説明する。尚、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（３）₁］〜［期間−ＴＰ（３）₄］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（３）₀］（図１４の（Ｂ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作であり、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₀］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（３）₁］（図１４の（Ｃ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。［期間−ＴＰ（３）₁］の開始時、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位を、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-Hとし、次いで、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs-Hとなる。上述したように、コンデンサ部Ｃ₁の値ｃ₁を、設計上、他の駆動回路よりも大きい値としたので、ソース領域の電位（第２ノードＮＤ₂の電位）は上昇する。そして、発光部ＥＬＰの両端の電位差が閾値電圧Ｖ_th-ELを超えるので、電位発光部ＥＬＰは導通状態となるが、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位は、再び、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）まで、直ちに低下する。尚、この過程において、発光部ＥＬＰが発光し得るが、発光は一瞬であり、実用上、問題とはならない。一方、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は電圧Ｖ_Ofs-Hを保持する。

［期間−ＴＰ（３）₂］（図１４の（Ｄ）参照）
その後、映像信号出力回路１０２の動作に基づき、データ線ＤＴＬの電位を、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-Hから電圧Ｖ_Ofs-Lへと変更することによって、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs-Lとなる。そして、第１ノードＮＤ₁の電位の低下に伴い、第２ノードＮＤ₂の電位も低下する。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_Ofs-H）に基づく電荷が、コンデンサ部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。尚、後述する［期間−ＴＰ（３）₃］における動作の前提として、［期間−ＴＰ（３）₂］の終期において、第２ノードＮＤ₂の電位がＶ_Ofs-L−Ｖ_thよりも低いことが必要となる。Ｖ_Ofs-Hの値等は、この条件を満たすように設定されている。即ち、以上の処理により、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（３）₃］（図１５の（Ａ）参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs-L＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th）となる。ここで、上述した式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

この［期間−ＴＰ（３）₃］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、例えば、最終的に、（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-Lのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（３）₄］（図１５の（Ｂ）参照）
その後、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をローレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs-L＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も変化せず、（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持する。

次いで、［期間−ＴＰ（３）₅］〜［期間−ＴＰ（３）₇］の各期間について説明する。これらは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₅］〜［期間−ＴＰ（５）₇］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（３）₅］（図１５の（Ｃ）参照）
次に、移動度補正／書込み処理のための前処理を行う。具体的には、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₅］と同じ動作を行えばよい。即ち、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。

［期間−ＴＰ（３）₆］（図１５の（Ｄ）参照）
その後、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）、及び、書込み処理を同時に実行する。即ち、移動度補正／書込み処理を行う。具体的には、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₆］と同じ動作を行えばよい。尚、移動度補正／書込み処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（３）₆］の全時間（ｔ₀））は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。以上の結果として、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇し、第２ノードＮＤ₂の電位は、概ね（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）へと上昇する。これによって、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsとして、式（３）で説明した値を得ることができる。

即ち、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においても、駆動トランジスタＴ_Drvに対する移動度補正／書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-L、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μに依存した電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）のみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（３）₇］（図１５の（Ｅ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、移動度補正／書込み処理が完了する。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₇］と同じ処理がなされ、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、前述した式（４）にて得ることができるので、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。加えて、駆動トランジスタＴ_Drvにおける移動度μのばらつきに起因したドレイン電流Ｉ_dsのばらつき発生を抑制することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（４）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｎ，ｍ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した有機ＥＬ表示装置を構成する各種の構成要素の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。

図１は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例１の駆動回路の等価回路図である。 図２は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例１の駆動回路の概念図である。 図３は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例１の駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図４の（Ａ）〜（Ｄ）は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例１の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図５の（Ａ）〜（Ｅ）は、図４の（Ｄ）に引き続き、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例１の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図６は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例２の駆動回路の等価回路図である。 図７は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例２の駆動回路の概念図である。 図８は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例２の駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図９の（Ａ）〜（Ｄ）は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例２の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１０の（Ａ）〜（Ｄ）は、図９の（Ｄ）に引き続き、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例２の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１１は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例３の駆動回路の等価回路図である。 図１２は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例３の駆動回路の概念図である。 図１３は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例３の駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図１４の（Ａ）〜（Ｄ）は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例３の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１５の（Ａ）〜（Ｅ）は、図１４の（Ｄ）に引き続き、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された実施例３の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１６は、有機エレクトロルミネッセンス素子の一部分の模式的な一部断面図である。 図１７は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された従来の駆動回路の等価回路図である。

符号の説明

Ｔ_Sig・・・映像信号書込みトランジスタ、Ｔ_Drv・・・駆動トランジスタ、Ｔ_{EL_C}・・・発光制御トランジスタ、Ｔ_ND1・・・第１ノード初期化トランジスタ、Ｔ_ND2・・・第２ノード初期化トランジスタ、Ｃ₁・・・コンデンサー部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部（発光部）、Ｃ_EL・・・発光部ＥＬＰの寄生容量、ＮＤ₁・・・第１ノード、ＮＤ₂・・・第２ノード、ＮＤ₃・・・第３ノード、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＣＬ_{EL_C}・・・発光制御トランジスタ制御線、ＡＺ_ND1・・・第１ノード初期化トランジスタ制御線、ＡＺ_ND2・・・第２ノード初期化トランジスタ制御線、１０・・・有機エレクトロルミネッセンス素子、１１・・・駆動回路、２０・・・支持体、２１・・・基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３４・・・チャネル形成領域、３５・・・ソース／ドレイン領域、３６・・・他方の電極、３７・・・一方の電極、３８，３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・電流供給部、１０１・・・走査回路、１０２・・・映像信号出力回路、１０３・・・発光制御トランジスタ制御回路、１０４・・・第１ノード初期化トランジスタ制御回路、１０５・・・第２ノード初期化トランジスタ制御回路

Claims (3)

1. （Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
   （Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、
   （Ｃ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた発光制御トランジスタ、並びに、
   （Ｄ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
   から構成された駆動回路であって、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   映像信号書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されており、
   発光制御トランジスタにおいては、
   （Ｃ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
   （Ｃ−２）ゲート電極は、発光制御トランジスタ制御線に接続されている、
   駆動回路を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法であって、
   （ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が、駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、有機エレクトロルミネッセンス発光部のカソード電極と第２ノードとの間の電位差が、有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加し、且つ、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加する前処理を行い、次いで、
   （ｂ）第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
   （ｃ）発光制御トランジスタ制御線からの信号により発光制御トランジスタのオン状態を保った状態にした後、走査線からの信号によりオン状態とされた映像信号書込みトランジスタを介して、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
   （ｄ）走査線からの信号により映像信号書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態として、第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を、電流供給部から駆動トランジスタを介して有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって、有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動する、
   各工程から成ることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
2. 駆動回路は、
   （Ｅ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第２ノード初期化トランジスタ、
   を更に備えており、
   第２ノード初期化トランジスタにおいては、
   （Ｅ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第２ノード初期化電圧供給線に接続されており、
   （Ｅ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードに接続されており、
   （Ｅ−３）ゲート電極は、第２ノード初期化トランジスタ制御線に接続されており、
   前記工程（ａ）において、第２ノード初期化トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２ノード初期化トランジスタを介して、第２ノード初期化電圧供給線から第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加した後、第２ノード初期化トランジスタ制御線からの信号により第２ノード初期化トランジスタをオフ状態とすることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
3. 駆動回路は、
   （Ｆ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた第１ノード初期化トランジスタ、
   を更に備えており、
   第１ノード初期化トランジスタにおいては、
   （Ｆ−１）一方のソース／ドレイン領域は、第１ノード初期化電圧供給線に接続されており、
   （Ｆ−２）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードに接続されており、
   （Ｆ−３）ゲート電極は、第１ノード初期化トランジスタ制御線に接続されており、
   前記工程（ａ）において、第１ノード初期化トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１ノード初期化トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧供給線から第１ノードに第１ノード初期化電圧を印加することを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。

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