JP2008176141A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】走査回路から有機ＥＬ素子までの距離によって移動度補正処理に相違が生じ難い構成、構造を有する有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置は、走査回路、映像信号出力回路、Ｍ×Ｎ個の有機ＥＬ素子、走査線、データ線、並びに、電流供給部を備え、各有機ＥＬ素子は、駆動回路及び発光部を備えており、駆動回路は、駆動トランジスタＴ_Drv、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、コンデンサ部Ｃ₁から構成されており、移動度補正処理の期間が長い有機ＥＬ素子は、移動度補正処理の期間が短い有機ＥＬ素子よりも、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値が小さい。
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置に関する。

有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、単に、有機ＥＬ素子と略称する）を発光素子として用いた有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する）において、有機ＥＬ素子の輝度は、有機ＥＬ素子を流れる電流値によって制御される。そして、液晶表示装置と同様に、有機ＥＬ表示装置においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、単純マトリクス方式に比べて構造が複雑となるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等、種々の利点を有する。

有機ＥＬ素子を構成する有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と略称する）を駆動するための回路として、５つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）が、例えば、特開２００６−２１５２１３から周知である。この５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、図３に示すように、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drv、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の５つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。ここで、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域は第２ノードＮＤ₂を構成し、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は第１ノードＮＤ₁を構成する。

尚、これらのトランジスタ及びコンデンサ部については、後に詳しく説明する。

そして、図５にタイミングチャートを示すように、［期間−ＴＰ（５）₁］において、閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が実行される。即ち、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオン状態とすることで、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。一方、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_SS（例えば、−１０ボルト）となる。そして、これによって、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₂］において、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。この状態にあっては、第２ノードの電位は、概ね（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）である。その後、［期間−ＴＰ（５）₃］において、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。次に、［期間−ＴＰ（５）₄］において、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1をオフ状態とする。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₅］において、駆動トランジスタＴ_Drvに対する一種の書込み動作を実行する。具体的には、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2、及び、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、データ線ＤＴＬの電位を映像信号に相当する電圧［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sig］とし、次いで、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇する。一方、第２ノードの電位は殆ど変化しない。それ故、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（Ａ）のとおりとなる。

Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （Ａ）

その後、［期間−ＴＰ（５）₆］において駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。具体的には、駆動トランジスタＴ_Drvのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とし、次いで、所定の時間（ｔ₀）が経過した後、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）を浮遊状態とする。その結果、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ａ）から以下の式（Ｂ）のように変形される。尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間（ｔ₀）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （Ｂ）

以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、その後の［期間−ＴＰ（５）₇］においては、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオフ状態となり、第１ノードＮＤ₁、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は浮遊状態となる一方、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオン状態を維持しており、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のドレイン領域は、発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部（電圧Ｖ_CC、例えば２０ボルト）に接続された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ｂ）の値を保持する。また、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴ_Drvのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（Ｃ）で表すことができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）²
＝ｋ・μ・（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （Ｃ）

以上に概要を説明した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の駆動等についても、後に詳しく説明する。

ところで、有機ＥＬ表示装置は、図４に回路の概念図を示すように、
（ａ）走査回路１０１、
（ｂ）映像信号出力回路１０２、
（ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、第１の方向に直交する方向）にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子１０、
（ｄ）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（ｅ）映像信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、並びに、
（ｆ）電流供給部１００、
を備えている。

ここで、各有機ＥＬ素子１０は、上述したとおり、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、及び、発光部ＥＬＰを備えている。また、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの動作は、走査回路１０１に接続された走査線ＳＣＬに印加される電位（映像信号書込みトランジスタ制御信号と呼ぶ）によって規定される。そして、上述した移動度補正処理の期間である［期間−ＴＰ（５）₆］の始点は、より具体的には、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオン状態となり、データ線ＤＴＬから映像信号書込みトランジスタＴ_Sigを経由して駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に映像信号に相当する電圧Ｖ_Sigが印加され、駆動トランジスタＴ_Drvがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタＴ_Drvが発光制御トランジスタＴ_{EL_C}を介して電流供給部１００と接続されることによって第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し始めた時点である。一方、［期間−ＴＰ（５）₆］の終点は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオフ状態となった時点、即ち、走査線ＳＣＬがローレベルとなり、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に低い電圧が印加された時点である。そして、移動度補正処理の期間である［期間−ＴＰ（５）₆］の時間は、例えば、２〜４マイクロ秒と、非常に短い時間である。

特開２００６−２１５２１３

ところで、走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びる走査線ＳＣＬには、Ｎ個の有機ＥＬ素子１０のそれぞれを構成する映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極が接続されている。従って、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形（図１の（Ａ）参照）と、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形（図１の（Ｂ）参照）との間には、差異が生じる。尚、模式的に示す映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形を、図１の（Ａ）、（Ｂ）、及び、後述する図２の（Ａ）、（Ｂ）においては「Ｔ_Sigのゲート電極の電位」で示す。そして、このような差異が生じると、上述した移動度補正処理の期間である［期間−ＴＰ（５）₆］の時間ｔに差異Δｔが生じる（図１の（Ｂ）参照）。ここで、差異Δｔは、全期間ｔ₀の１０％〜２０％となる場合もあり、決して、無視はできない差異である。尚、図１の（Ａ）、（Ｂ）、及び、後述する図２の（Ａ）、（Ｂ）において、Ｖ_offは、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオフ状態となるときのゲート電極の電位である。

そして、このように［期間−ＴＰ（５）₆］の時間ｔに差異Δｔが生じる結果、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０においては、第２ノードＮＤ₂の電位上昇量（電位補正値）がΔＶであったものが（図１の（Ａ）参照）、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０においては、第２ノードＮＤ₂の電位上昇量（電位補正値）がΔＶ’（＞ΔＶ）となってしまい（図１の（Ｂ）の「Ｂ」で示した細い実線を参照のこと）、電位補正値に差異が生じる。その結果、同じ電圧Ｖ_Sigが入力されたとしても、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０と、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０とでは、上述した式（Ｃ）から、輝度に差異が生じてしまい、輝度差によってシェーディング（グラデーション）が発生する原因となる。尚、図１の（Ａ）、（Ｂ）、及び、後述する図２の（Ａ）、（Ｂ）においては、［期間−ＴＰ（５）₆］が経過した後の第２ノードＮＤ₂の電位変化の図示を、図の簡素化のために、省略している。

従って、本発明の目的は、走査回路の近くに位置する有機ＥＬ素子と走査回路から遠くに位置する有機ＥＬ素子との間で、移動度補正処理に相違が生じ難い構成、構造を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置を提供することにある。

本発明の第１の態様〜第６の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、
（ａ）走査回路、
（ｂ）映像信号出力回路、
（ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
（ｄ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
（ｅ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
（ｆ）電流供給部、
を備え、
各有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動回路、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えており、
駆動回路は、
（Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
（Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、並びに、
（Ｃ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
から構成されており、
駆動トランジスタにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
映像信号書込みトランジスタにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
有機エレクトロルミネッセンス表示装置である。

そして、上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）が小さいことを特徴とする。

尚、以下の説明において、上述した「映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間」を、便宜上、『補正期間』と呼ぶ場合がある。

ここで、本発明の第１の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、更には、補正期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、補正期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きい構成とすることができる。

また、上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、１本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されることを特徴とする。

ここで、本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、補正期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、補正期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）が小さな範疇に分類される構成とすることができる。

更には、上記の好ましい構成を含む本発明の第２の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、１本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）に基づき、少なくとも２つの範疇に分類される構成とすることができ、更には、補正期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、補正期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きな範疇に分類される構成とすることができる。

また、上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、補正期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、補正期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、コンデンサ部の容量が大きいことを特徴とする。

また、上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、１本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、コンデンサ部の容量の値に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されることを特徴とする。

ここで、本発明の第４の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、補正期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、補正期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、コンデンサ部の容量の値が大きな範疇に分類される構成とすることができる。

また、上記の目的を達成するための本発明の第５の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、補正期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、補正期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きいことを特徴とする。

また、上記の目的を達成するための本発明の第６の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、１本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されることを特徴とする。

ここで、本発明の第６の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置にあっては、補正期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、補正期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きな範疇に分類される構成とすることができる。

以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の第１の態様〜第６の態様に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、本発明と略称する）において、補正期間の長短は、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と略称する）と走査回路との位置関係、即ち、走査回路から遠くに有機ＥＬ素子が位置するか、近くに位置するかに依存する。但し、駆動回路の構成、構造、駆動方法に依存して、走査回路から遠くに位置する有機ＥＬ素子の方が、走査回路に近い位置に有機ＥＬ素子よりも、補正期間が長い場合もあるし、逆に、短い場合もある。また、走査線の一端に走査回路が設けられている場合もあるし、走査線の両端に走査回路が設けられている場合もある。前者の場合、走査線の一端に接続された有機ＥＬ素子における補正期間を基準としたとき、走査線の他端に接続された有機ＥＬ素子における補正期間の変化が最も大きい。一方、後者の場合、走査線の一端及び他端に接続された有機ＥＬ素子における補正期間を基準としたとき、走査線の中央部位に接続された有機ＥＬ素子における補正期間の変化が最も大きい。

本発明においては、１本の走査線に接続されたＮ個の有機ＥＬ素子において、走査回路からの遠近に応じて、順次、（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv，Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）やコンデンサ部の容量を変化させてもよいし、複数の有機ＥＬ素子をグループ化して、１つのグループ内においては、（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv，Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）やコンデンサ部の容量を同じとし、走査回路からの遠近に応じて、順次、グループにおける（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv，Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）やコンデンサ部の容量を変化させてもよい。駆動回路を形成するための露光方式として、ステップ・アンド・リピート方式やステップ・アンド・スキャン方式を採用する場合、露光ショット単位と、グループ化された複数の有機ＥＬ素子の大きさ（面積）とを一致させれば、工程の合理化、フォトリソグラフィ技術において用いられる露光用フォトマスクの数の減少を図ることができる。

本発明において、走査回路、映像信号出力回路、走査線、データ線、電流供給部、有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と呼ぶ場合がある）の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。具体的には、発光部は、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から構成することができる。

駆動回路の詳細は後述するが、５つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）、４つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）、３つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）、２つのトランジスタと１つのコンデンサ部から構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）から構成することができる。

駆動回路を構成するトランジスタとして、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができるが、場合によっては、例えば、発光制御トランジスタにｐチャネル型の薄膜トランジスタを用いることもできる。更には、シリコン半導体基板に形成された電界効果トランジスタ（例えば、ＭＯＳトランジスタ）から構成することもできる。コンデンサ部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層（絶縁層）から構成することができる。駆動回路を構成するトランジスタ及びコンデンサ部は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及びコンデンサ部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。

補正期間が長い場合、前述したように駆動トランジスタのソース領域（第２ノード）における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）が大きくなる結果、前述した式（Ｃ）から、発光部を流れる電流が少なくなり、結局、発光部の輝度は、所望の輝度よりも低くなる。然るに、本発明の第１の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、補正期間の長い有機ＥＬ素子は、補正期間が短い有機ＥＬ素子よりも、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）が小さい。即ち、係る駆動トランジスタの動作速度は遅い。また、本発明の第３の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、有機ＥＬ素子を構成するコンデンサ部の容量が大きいので、コンデンサ部におけるチャージ量が大きくなる。そして、以上の結果として、第２ノードにおける電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）の上昇速度が遅くなる。従って、同じ値の映像信号が複数の有機ＥＬ素子に入力された場合にあっても、走査線上の位置に依存することなく、複数の有機ＥＬ素子の第２ノードにおける電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）を出来る限り一定にすることができる結果、走査回路の近くに位置する有機ＥＬ素子と走査回路から遠くに位置する有機ＥＬ素子との間で、移動度補正処理に相違が生じ難く、シェーディングが発生することを確実に防止することができる。以上の説明を纏めると以下のとおりである。

補正期間 長い場合 短い場合
（チャネル幅／チャネル長）の値 小 大
トランジスタの動作速度 遅い 早い
電位の上昇量ΔＶの上昇速度 遅い 早い

補正期間 長い場合 短い場合
コンデンサ部の容量 大 小
コンデンサ部におけるチャージ量 大 小
電位の上昇量ΔＶの上昇速度 遅い 早い

また、本発明の第５の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、補正期間の長い有機ＥＬ素子は、補正期間が短い有機ＥＬ素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きい。即ち、係る映像信号書込みトランジスタの動作速度が早い。従って、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となるとき、走査線から映像信号書込みトランジスタのゲート電極に入力された映像信号書込みトランジスタ制御信号に直ちに応答することが可能となり、補正期間の延長（オン状態からオフ状態への遷移の遅延）を抑制することができる。従って、第２ノードにおける電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）が、所望の値から逸脱することを抑制することができる。

あるいは又、本発明の第２の態様、第４の態様あるいは第６の態様に係る有機ＥＬ表示装置にあっては、１本の走査線に接続されたＮ個の有機ＥＬ素子は、駆動トランジスタや映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv，Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）、あるいは、コンデンサ部の容量の値に基づき、少なくとも２つの範疇に分類される。従って、駆動トランジスタや映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv，Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）あるいはコンデンサ部の容量の値を、走査回路から有機ＥＬ素子までの距離に応じて最適化を図ることで、同じ値の映像信号が複数の有機ＥＬ素子に入力された場合にあっても、走査線上の位置に依存することなく、複数の有機ＥＬ素子の第２ノードにおける電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）を出来る限り一定にすることができる結果、走査回路の近くに位置する有機ＥＬ素子と走査回路から遠くに位置する有機ＥＬ素子との間で、移動度補正処理に相違が生じ難く、シェーディングが発生することを確実に防止することができる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。

実施例１は、本発明の第１の態様及び第２の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。

実施例１の有機ＥＬ表示装置、あるいは、後述する実施例２〜実施例３の有機ＥＬ表示装置は、図１９に回路の概念図を示すように、
（ａ）走査回路１０１、
（ｂ）映像信号出力回路１０２、
（ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向（具体的には、第１の方向に直交する方向）にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機ＥＬ素子１０、
（ｄ）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（ｅ）映像信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、並びに、
（ｆ）電流供給部１００、
を備えている。尚、図１９あるいは、後述する図４、図９、図１４においては、３×３個の有機ＥＬ素子１０を図示しているが、これは、あくまでも例示に過ぎない。

そして、各有機ＥＬ素子１０は、駆動回路、及び、発光部ＥＬＰを備えている。ここで、発光部ＥＬＰは、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等の周知の構成、構造を有する。また、走査線ＳＣＬの一端に走査回路１０１が設けられている。更には、走査回路１０１、映像信号出力回路１０２、走査線ＳＣＬ、データ線ＤＴＬ、電流供給部１００の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。

駆動回路は、実施例１あるいは後述する実施例２〜実施例３にあっては、２つのトランジスタと１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）から構成されている。即ち、実施例１の駆動回路は、図１８に示すように、駆動トランジスタＴ_Drv、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、及び、一対の電極を備えたコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。駆動トランジスタＴ_Drvは、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。また、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigも、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。

ここで、駆動トランジスタＴ_Drvにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域（以下、ドレイン領域と呼ぶ）は、電流供給部１００に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域（以下、ソース領域と呼ぶ）は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部Ｃ₁の一方の電極に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部Ｃ₁の他方の電極に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。

また、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。

より具体的には、図２３に一部分の模式的な一部断面図を示すように、駆動回路を構成するトランジスタＴ_Sig，Ｔ_Drv及びコンデンサ部Ｃ₁は支持体上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタＴ_Sig，Ｔ_Drv及びコンデンサ部Ｃ₁の上方に形成されている。また、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図２３においては、駆動トランジスタＴ_Drvのみを図示する。映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、あるいは、後述するその他の駆動回路における種々のトランジスタは隠れて見えない。

より具体的には、駆動トランジスタＴ_Drvは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３、半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５、及び、ソース／ドレイン領域３５の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、コンデンサ部Ｃ₁は、他方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂に相当する）から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及びコンデンサ部Ｃ₁を構成する他方の電極３６は、支持体２０上に形成されている。駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３８に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５は一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂に相当する）に接続されている。駆動トランジスタＴ_Drv及びコンデンサ部Ｃ₁等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２１は配置されており、発光層にて発光した光は、基板２１を通過して、外部に出射される。尚、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂）とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９に接続されている。

そして、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオン状態となり、データ線ＤＴＬから映像信号書込みトランジスタＴ_Sigを経由して駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に映像信号に相当する電圧Ｖ_Sig［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sig］が印加され、駆動トランジスタＴ_Drvがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタＴ_Drvが電流供給部１００と接続されることによって第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオフ状態となった時点を終点とした期間（補正期間）が長い有機ＥＬ素子１０は、補正期間が短い有機ＥＬ素子１０よりも、駆動トランジスタＴ_Drvのチャネル形成領域における（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）が小さい。

あるいは又、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０は、駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されている。

ここで、補正期間の長短は、有機ＥＬ素子１０と走査回路１０１との位置関係、即ち、走査回路１０１から遠くに有機ＥＬ素子１０が位置するか、近くに位置するかに依存する。実施例１にあっては、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０の方が、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０よりも、補正期間が長い（図１の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。従って、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０を構成する駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）を、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０を構成する駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）よりも、小さくする。

具体的には、例えば、駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値が全て同じである有機ＥＬ素子１０から構成された有機ＥＬ表示装置を、複数、試作する。但し、それぞれの有機ＥＬ表示装置は、駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値として、異なる値を有するものとする。そして、これらの有機ＥＬ表示装置試作品を動作させることによって、シェーディングの発生状態、発光輝度の状態を評価する。そして、これらの評価結果から、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置と、駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値との関係を抽出し、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０において、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置に応じて、係る有機ＥＬ素子１０を構成する駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）を決定すればよい。但し、以上に説明した方法は例示であり、その他の方法に基づき、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置に応じて、係る有機ＥＬ素子１０を構成する駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）を決定してもよい。

より具体的には、実施例１にあっては、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０は、駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）に基づき、５つの範疇に分類されている。即ち、実施例１にあっては、Ｎ個の有機ＥＬ素子１０は、５つにグループ化されている。ここで、実施例１にあっては、補正期間が長い有機ＥＬ素子１０は、補正期間が短い有機ＥＬ素子１０よりも、駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）が小さな範疇に分類される。そして、１つのグループ内においては値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）を同じとし、隣接するグループ間では、値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）を、５％変化させた。

ところで、前述したように、走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びる走査線ＳＣＬには、Ｎ個の有機ＥＬ素子１０のそれぞれを構成する映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極が接続されている。従って、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形と、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形との間には、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に模式的に図示したような差異が生じる。そして、このような差異が生じると、前述した移動度補正処理の期間である［期間−ＴＰ（５）₆］の時間ｔに差異Δｔが生じる。

然るに、実施例１にあっては、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０における駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）が小さいので、係る駆動トランジスタＴ_Drvの動作速度は遅い。従って、係る駆動トランジスタＴ_Drvにおいては、第２ノードＮＤ₂の電位上昇量（電位補正値）の上昇速度が遅い。以上のように、補正期間が長く、且つ、第２ノードＮＤ₂の電位上昇量（電位補正値）の上昇速度が遅いので、同じ値の映像信号が複数の有機ＥＬ素子１０に入力された場合、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０における第２ノードＮＤ₂の電位上昇量（電位補正値）を、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０における第２ノードＮＤ₂の電位上昇量ΔＶ（電位補正値）と同じあるいは近い値とすることができる（図１の（Ｂ）の「Ａ」で示された太い実線を参照のこと）。その結果、同じ電圧Ｖ_Sigが入力されたとき、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０と、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０との間で、輝度に相違が生じ難く、輝度差に起因したシェーディングの発生を防止することができる。

実施例２は、本発明の第３の態様及び第４の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例２における有機ＥＬ表示装置及び駆動回路の基本的な構成、構造は、実施例１において説明した有機ＥＬ表示装置及び駆動回路と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

実施例２にあっては、補正期間が長い有機ＥＬ素子１０は、補正期間が短い有機ＥＬ素子１０よりも、コンデンサ部Ｃ₁の容量が大きい。あるいは又、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０は、コンデンサ部Ｃ₁の容量の値に基づき、少なくとも２つの範疇に分類される。

具体的には、例えば、コンデンサ部Ｃ₁の容量の値が全て同じである有機ＥＬ素子１０から構成された有機ＥＬ表示装置を、複数、試作する。但し、それぞれの有機ＥＬ表示装置は、異なるコンデンサ部Ｃ₁の容量の値を有するものとする。そして、これらの有機ＥＬ表示装置試作品を動作させることによって、シェーディングの発生状態、発光輝度の状態を評価する。そして、これらの評価結果から、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置と、コンデンサ部Ｃ₁の容量の値との関係を抽出し、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０において、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置に応じて、係る有機ＥＬ素子１０を構成するコンデンサ部Ｃ₁の容量の値を決定すればよい。但し、以上に説明した方法は例示であり、その他の方法に基づき、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置に応じて、係る有機ＥＬ素子１０を構成するコンデンサ部Ｃ₁の容量の値を決定してもよい。

より具体的には、実施例２にあっては、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０は、コンデンサ部Ｃ₁の容量の値に基づき、５つの範疇に分類されている。即ち、実施例２にあっては、Ｎ個の有機ＥＬ素子１０は、５つにグループ化されている。ここで、実施例２にあっては、補正期間が長い有機ＥＬ素子１０は、補正期間が短い有機ＥＬ素子１０よりも、コンデンサ部Ｃ₁の容量の値が大きな範疇に分類される。そして、１つのグループ内においてはコンデンサ部の容量の値を同じとし、隣接するグループ間では、コンデンサ部Ｃ₁の容量の値を、５％変化させた。

実施例２にあっては、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０におけるコンデンサ部Ｃ₁の容量の値が大きいので、係る有機ＥＬ素子１０におけるチャージ量が大きくなる結果、第２ノードＮＤ₂における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）の上昇速度は遅い。従って、同じ値の映像信号が複数の有機ＥＬ素子１０に入力された場合、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０における第２ノードＮＤ₂の電位上昇量ΔＶ（電位補正値）と同じあるいは近い値とすることができる（図１の（Ｂ）の「Ａ」で示された太い実線を参照のこと）。その結果、同じ電圧Ｖ_Sigが入力されたとき、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０と、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０との間で、輝度に相違が生じ難く、輝度差に起因したシェーディングの発生を防止することができる。

尚、実施例１において説明した映像信号書込みトランジスタの構成と、実施例２において説明したコンデンサ部の構成を組み合わせてもよい。

実施例３は、本発明の第５の態様及び第６の態様に係る有機ＥＬ表示装置に関する。実施例３における有機ＥＬ表示装置及び駆動回路の基本的な構成、構造は、実施例１において説明した有機ＥＬ表示装置及び駆動回路と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。

実施例３にあっては、補正期間が長い有機ＥＬ素子１０は、補正期間が短い有機ＥＬ素子１０よりも、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きい。あるいは又、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）に基づき、少なくとも２つの範疇に分類される。

具体的には、例えば、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値が全て同じである有機ＥＬ素子１０から構成された有機ＥＬ表示装置を、複数、試作する。但し、それぞれの有機ＥＬ表示装置は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値として、異なる値を有するものとする。そして、これらの有機ＥＬ表示装置試作品を動作させることによって、シェーディングの発生状態、発光輝度の状態を評価する。そして、これらの評価結果から、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置と、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値との関係を抽出し、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０において、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置に応じて、係る有機ＥＬ素子１０を構成する映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）を決定すればよい。但し、以上に説明した方法は例示であり、その他の方法に基づき、走査回路１０１から有機ＥＬ素子１０までの位置に応じて、係る有機ＥＬ素子１０を構成する映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）を決定してもよい。

より具体的には、実施例３にあっては、１本の走査線ＳＣＬに接続されたＮ個の有機ＥＬ素子１０は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）に基づき、５つの範疇に分類されている。即ち、実施例３にあっては、Ｎ個の有機ＥＬ素子１０は、５つにグループ化されている。ここで、実施例３にあっては、補正期間が長い有機ＥＬ素子１０は、補正期間が短い有機ＥＬ素子１０よりも、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きな範疇に分類される。そして、１つのグループ内においては値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）の値を同じとし、隣接するグループ間では、値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）を、７％変化させた。

実施例３にあっては、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）が大きいので、係る映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの動作速度は早い。従って、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオフ状態となるとき、走査線ＳＣＬから映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に入力される映像信号書込みトランジスタ制御信号に直ちに応答することが可能となり、補正期間の延長（オン状態からオフ状態への遷移の遅延）を抑制することができる。従って、第２ノードＮＤ₂における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）が、所望の値から逸脱することを防止することができる。

尚、実施例３において説明した映像信号書込みトランジスタの構成と、実施例１において説明した駆動トランジスタの構成を組み合わせてもよいし、実施例３において説明した映像信号書込みトランジスタの構成と、実施例２において説明したコンデンサ部の構成を組み合わせてもよいし、実施例３において説明した映像信号書込みトランジスタの構成と、実施例１において説明した駆動トランジスタの構成と、実施例２において説明したコンデンサ部の構成を組み合わせてもよい。

以下、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、及び、これらの駆動回路を用いた発光部ＥＬＰの駆動方法を説明する。尚、上述した『補正期間』は、以下の説明における移動度補正処理を実行するための期間に該当する。

有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素から構成されているが、以下の説明において、１つの画素は、３つの副画素（赤色を発光する赤色発光副画素、緑色を発光する緑色発光副画素、青色を発光する青色発光副画素）から構成されているとする。また、各画素を構成する有機ＥＬ素子１０は、線順次駆動されるとし、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２，３・・・Ｍ）に配列された（Ｎ／３）個の画素（Ｎ個の副画素）のそれぞれを構成する有機ＥＬ素子１０が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各有機ＥＬ素子１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素について映像信号を書込む処理は、全ての画素について同時に映像信号を書込む処理（以下、単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよいし、各画素毎に順次映像信号を書込む処理（以下、単に、順次書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよい。いずれの書込み処理とするかは、駆動回路の構成に応じて適宜選択すればよい。

ここで、原則として、第ｍ行目、第ｎ列（但し、ｎ＝１，２，３・・・Ｎ）に位置する画素における１つの副画素を構成する有機ＥＬ素子１０に関する駆動、動作を説明するが、係る副画素あるいは有機ＥＬ素子１０を、以下、第（ｍ，ｎ）番目の副画素あるいは第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０と呼ぶ。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（後述する閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が行われる。尚、書込み処理や移動度補正処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われる必要がある。一方、駆動回路の種類によっては、閾値電圧キャンセル処理やこれに伴う前処理を第ｍ番目の水平走査期間より先行して行うことができる。

そして、上述した各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部を発光させる。尚、上述した各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部を発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部を発光させてもよい。この所定の期間は、有機ＥＬ表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応じて、適宜設定することができる。尚、以下の説明においては、説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部を発光させるものとする。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。ここで、「ｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、次の表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内において書込み処理や移動度補正処理が完了するまで、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ素子１０を構成する発光部は、非発光状態を維持する。上述した非発光状態の期間（以下、単に、非発光期間と呼ぶ場合がある）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。但し、各副画素（有機ＥＬ素子１０）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態に限定するものではない。また、水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源部に接続された側のソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタがオン状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタがオフ状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、或るトランジスタのソース／ドレイン領域が他のトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。また、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。

［５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路］
５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図３に示し、概念図を図４を示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図５に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図６の（Ａ）〜（Ｄ）及び図７の（Ａ）〜（Ｅ）に示す。

この５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drv、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の５つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。

［発光制御トランジスタＴ_{EL_C}］
発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部１００（電圧Ｖ_CC）に接続され、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の他方のソース／ドレイン領域は、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域に接続されている。また、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオン／オフ動作は、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のゲート電極に接続された発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}によって制御される。尚、電流供給部１００は、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰに電流を供給し、発光部ＥＬＰの発光を制御するために設けられている。また、発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}は、発光制御トランジスタ制御回路１０３に接続されている。

［駆動トランジスタＴ_Drv］
駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の他方のソース／ドレイン領域に接続されている。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域は、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}を介して、電流供給部１００に接続されている。一方、駆動トランジスタＴ_Drvの他方のソース／ドレイン領域は、
（１）発光部ＥＬＰのアノード電極、
（２）第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の他方のソース／ドレイン領域、及び、
（３）コンデンサ部Ｃ₁の一方の電極、
に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成する。また、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は、
（１）映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの他方のソース／ドレイン領域、
（２）第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1の他方のソース／ドレイン領域、及び、
（３）コンデンサ部Ｃ₁の他方の電極、
に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。

ここで、駆動トランジスタＴ_Drvは、有機ＥＬ素子１０の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉ_dsを流すように駆動される。有機ＥＬ素子１０の発光状態においては、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴ_Drvの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ ：実効的な移動度
Ｌ ：チャネル長
Ｗ ：チャネル幅
Ｖ_gs：ゲート電極とソース領域との間の電位差
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）² （１）

このドレイン電流Ｉ_dsが有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰを流れることで、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、有機ＥＬ素子１０の発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。

［映像信号書込みトランジスタＴ_Sig］
映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に接続されている。一方、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されている。そして、映像信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。尚、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_Sig以外の種々の信号・電圧（プリチャージ駆動のための信号や各種の基準電圧等）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。また、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン／オフ動作は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に接続された走査線ＳＣＬによって制御される。

［第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1］
第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に接続されている。一方、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1の一方のソース／ドレイン領域には、第１ノードＮＤ₁の電位（即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位）を初期化するための電圧Ｖ_Ofsが供給される。また、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン／オフ動作は、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のゲート電極に接続された第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1によって制御される。第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1は、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４に接続されている。

［第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2］
第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域に接続されている。一方、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の一方のソース／ドレイン領域には、第２ノードＮＤ₂の電位（即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位）を初期化するための電圧Ｖ_SSが供給される。また、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2のオン／オフ動作は、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2のゲート電極に接続された第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2によって制御される。第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2は、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５に接続されている。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰのアノード電極は、上述のとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極には、電圧Ｖ_Catが印加される。発光部ＥＬＰの寄生容量を符号Ｃ_ELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶ_th-ELとする。即ち、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶ_th-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。

以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

Ｖ_Sig ：発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）
・・・０ボルト〜１０ボルト
Ｖ_CC ：発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部の電圧
・・・２０ボルト
Ｖ_Ofs ：駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位（第１ノードＮＤ₁の電位）を初期化するための電圧
・・・０ボルト
Ｖ_SS ：駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位（第２ノードＮＤ₂の電位）を初期化するための電圧
・・・−１０ボルト
Ｖ_th ：駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧
・・・３ボルト
Ｖ_Cat ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・３ボルト

以下、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。尚、上述したように、各種の処理（閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が全て完了した後、直ちに発光状態が始まるものとして説明するが、これに限るものではない。後述する４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の説明においても同様である。

［期間−ＴＰ（５）_-1］（図６の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、前回の各種の処理完了後に第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０が発光状態にある期間である。即ち、第（ｍ，ｎ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１０における発光部ＥＬＰには、後述する式（５）に基づくドレイン電流Ｉ’_dsが流れており、第（ｍ，ｎ）番目の副画素を構成する有機ＥＬ素子１０の輝度は、係るドレイン電流Ｉ’_dsに対応した値である。ここで、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2はオフ状態であり、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}及び駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態である。第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０の発光状態は、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された有機ＥＬ素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。

図５に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］は、前回の各種の処理完了後の発光状態が終了した後から、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。即ち、この［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］は、例えば、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間の終期までの或る時間長さの期間である。尚、［期間−ＴＰ（５）₁］〜［期間−ＴＰ（５）₄］を、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間内に含む構成とすることもできる。

そして、この［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］において、第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。即ち、［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₁］、［期間−ＴＰ（５）₃］〜［期間−ＴＰ（５）₄］においては、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオフ状態であるので、有機ＥＬ素子１０は発光しない。尚、［期間−ＴＰ（５）₂］においては、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオン状態となる。しかし、この期間においては後述する閾値電圧キャンセル処理が行われている。閾値電圧キャンセル処理の説明において詳しく述べるが、後述する式（２）を満たすことを前提とすれば、有機ＥＬ素子１０が発光することはない。

以下、［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］の各期間について、先ず、説明する。尚、［期間−ＴＰ（５）₁］の始期や、［期間−ＴＰ（５）₁］〜［期間−ＴＰ（５）₄］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（５）₀］
上述したように、この［期間−ＴＰ（５）₀］において、第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０は、非発光状態にある。映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2はオフ状態である。また、［期間−ＴＰ（５）_-1］から［期間−ＴＰ（５）₀］に移る時点で、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}がオフ状態となるが故に、第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域あるいは発光部ＥＬＰのアノード電極）の電位は、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）まで低下し、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）の電位も低下する。

［期間−ＴＰ（５）₁］（図６の（Ｂ）及び（Ｃ）参照）
この［期間−ＴＰ（５）₁］において、後述する閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が行われる。即ち、［期間−ＴＰ（５）₁］の開始時、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４及び第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をハイレベルとすることによって、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。一方、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_SS（例えば、−１０ボルト）となる。そして、この［期間−ＴＰ（５）₁］の完了以前において、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をローレベルとすることによって、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオフ状態とする。尚、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態及び第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2を同時にオン状態としてもよいし、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1を先にオン状態としてもよいし、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2を先にオン状態としてもよい。

以上の処理により、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（５）₂］（図６の（Ｄ）参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇し、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト＞Ｖ_SS）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、以下の式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２）

この［期間−ＴＰ（５）₂］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。云い換えれば、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELには依存しない。

［期間−ＴＰ（５）₃］（図７の（Ａ）参照）
その後、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1のオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をローレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も変化せず、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持する。

［期間−ＴＰ（５）₄］（図７の（Ｂ）参照）
次いで、第１ノード初期化トランジスタ制御回路１０４の動作に基づき第１ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND1をローレベルとすることによって、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1をオフ状態とする。第１ノードＮＤ₁及び第２ノードＮＤ₂の電位は、実質上、変化しない（実際には、寄生容量等の静電結合により電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる）。

次いで、［期間−ＴＰ（５）₅］〜［期間−ＴＰ（５）₇］の各期間について説明する。尚、後述するように、［期間−ＴＰ（５）₅］において書込み処理が行われ、［期間−ＴＰ（５）₆］において移動度補正処理が行われる。上述したように、これらの処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われる必要がある。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（５）₅］の始期と［期間−ＴＰ（５）₆］の終期とは、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期と終期とに一致するものとして説明する。

［期間−ＴＰ（５）₅］（図７の（Ｃ）参照）
その後、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理を実行する。具体的には、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2、及び、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、映像信号出力回路１０２の動作に基づき、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigとし、次いで、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇する。

ここで、コンデンサ部Ｃ₁の容量は値ｃ₁であり、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_ELの容量は値ｃ_ELである。そして、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量の値をｃ_gsとする。駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位がＶ_OfsからＶ_Sig（＞Ｖ_Ofs）に変化したとき、コンデンサ部Ｃ₁の両端の電位（第１ノードＮＤ₁及び第２ノードＮＤ₂の電位）は、原則として、変動する。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ₁の電位）の変化分（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs）に基づく電荷が、コンデンサ部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、通常、値ｃ_ELは、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値である。従って、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の上昇は無視できる程度に小さい。そこで、以下、第１ノードＮＤ₁の電位変動により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変動は無視できるという前提に基づいて説明を行う。３ＴＲ／１Ｃ駆動回路を除く他の駆動回路においても同様である。駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）の電位をＶ_g、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_sとしたとき、Ｖ_gの値、Ｖ_sの値は以下のとおりとなる。それ故、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（３）で表すことができる。

Ｖ_g ＝Ｖ_Sig
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （３）

即ち、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（５）₆］（図７の（Ｄ）参照）
その後、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。

一般に、駆動トランジスタＴ_Drvをポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生じることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に同じ値の駆動信号Ｖ_Sigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴ_Drvを流れるドレイン電流Ｉ_dsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴ_Drvを流れるドレイン電流Ｉ_dsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生じると、有機ＥＬ表示装置の画面の均一的（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。

従って、具体的には、駆動トランジスタＴ_Drvのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とし、次いで、所定の時間（ｔ₀）が経過した後、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）を浮遊状態とする。そして、以上の結果、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（３）から以下の式（４）のように変形される。

Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （４）

尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間ｔ₀）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。また、このときの駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）が以下の式（２’）を満足するように、［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間ｔ₀は決定されている。そして、これによって、［期間−ＴＰ（５）₆］において、発光部ＥＬＰが発光することはない。更には、この移動度補正処理によって、係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox）のばらつきの補正も同時に行われる。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２’）

［期間−ＴＰ（５）₇］（図７の（Ｅ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。ところで、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬがローレベルとなる結果、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigがオフ状態となり、第１ノードＮＤ₁、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は浮遊状態となる。一方、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}はオン状態を維持しており、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のドレイン領域は、発光部ＥＬＰの発光を制御するための電流供給部１００（電圧Ｖ_CC、例えば２０ボルト）に接続された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。

ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、コンデンサ部Ｃ₁が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（４）の値を保持する。

また、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴ_Drvのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（４）から、式（１）は、以下の式（５）のように変形することができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （５）

従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、例えば、Ｖ_Ofsを０ボルトに設定したとした場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigの値から、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μに起因した第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域）における電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。云い換えれば、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。そして、第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０の輝度は、係る電流Ｉ_dsに対応した値である。

しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴ_Drvほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（４）の左辺のＶ_gsの値が小さくなる。従って、式（５）において、移動度μの値が大きくとも、（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる結果、ドレイン電流Ｉ_dsを補正することができる。即ち、移動度μの異なる駆動トランジスタＴ_Drvにおいても、駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigの値が同じであれば、ドレイン電流Ｉ_dsが略同じとなる結果、発光部ＥＬＰを流れ、発光部ＥＬＰの輝度を制御する電流Ｉ_dsが均一化される。即ち、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部の輝度のばらつきを補正することができる。

発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（５）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｍ，ｎ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。

上述したように、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（５）₆］の全時間ｔ₀は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。しかしながら、実施例にて説明したとおり、実際の［期間−ＴＰ（５）₆］の時間ｔは、走査回路１０１と有機ＥＬ素子１０との間の距離によって変動する。然るに、実施例にて説明したとおり、駆動トランジスタＴ_Drv、コンデンサ部Ｃ₁、あるいは、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの最適化を図ることで、同じ値の映像信号が複数の有機ＥＬ素子１０に入力された場合、走査回路１０１と有機ＥＬ素子１０との間の距離に拘わらず、電位補正値ΔＶを揃えることができ、シェーディング（グラデーション）の発生を確実に防止することができる。以下に説明する４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路、及び、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においても、同様である。

次に、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路に関する説明を行う。

［４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路］
４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図８に示し、概念図を図９を示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図１０に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１１の（Ａ）〜（Ｄ）及び図１２の（Ａ）〜（Ｄ）に示す。

この４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、前述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1が省略されている。即ち、この４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drv、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の４つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。

［発光制御トランジスタＴ_{EL_C}］
発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［駆動トランジスタＴ_Drv］
駆動トランジスタＴ_Drvの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した駆動トランジスタＴ_Drvの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2］
第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［映像信号書込みトランジスタＴ_Sig］
映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。但し、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されているが、映像信号出力回路１０２から、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigだけでなく、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsも供給される。この点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの動作と相違している。尚、映像信号出力回路１０２から、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_SigやＶ_Ofs以外の信号・電圧（例えば、プリチャージ駆動のための信号）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

以下、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。

［期間−ＴＰ（４）_-1］（図１１の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（４）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）_-1］と同じ動作である。

図１０に示す［期間−ＴＰ（４）₀］〜［期間−ＴＰ（４）₄］は、図５に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］に対応する期間であり、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、［期間−ＴＰ（４）₀］〜［期間−ＴＰ（４）₄］において、第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。但し、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作においては、図１０に示す［期間−ＴＰ（４）₅］〜［期間−ＴＰ（４）₆］の他、［期間−ＴＰ（４）₂］〜［期間−ＴＰ（４）₄］も第ｍ番目の水平走査期間に包含される点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作とは異なる。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（４）₂］の始期、及び、［期間−ＴＰ（４）₆］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（４）₀］〜［期間−ＴＰ（４）₄］の各期間について、説明する。尚、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（４）₁］の始期や、［期間−ＴＰ（４）₁］〜［期間−ＴＰ（４）₄］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（４）₀］
この［期間−ＴＰ（４）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作であり、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₀］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（４）₁］（図１１の（Ｂ）参照）
この［期間−ＴＰ（４）₁］は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₁］に相当する。この［期間−ＴＰ（４）₁］において、後述する閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が行われる。［期間−ＴＰ（４）₁］の開始時、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をハイレベルとすることによって、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオン状態とする。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_SS（例えば、−１０ボルト）となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）の電位も低下する。尚、［期間−ＴＰ（４）₁］における第１ノードＮＤ₁の電位は、［期間−ＴＰ（４）_-1］における第１ノードＮＤ₁の電位（前フレームのＶ_Sigの値に応じて定まる）により左右されるので、一定の値をとるものではない。

［期間−ＴＰ（４）₂］（図１１の（Ｃ）参照）
その後、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位をＶ_Ofsとし、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_SS（例えば、−１０ボルト）を保持する。その後、第２ノード初期化トランジスタ制御回路１０５の動作に基づき第２ノード初期化トランジスタ制御線ＡＺ_ND2をローレベルとすることによって、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2をオフ状態とする。

尚、［期間−ＴＰ（４）₁］の開始と同時に、あるいは、［期間−ＴＰ（４）₁］の途中で、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態としてもよい。

以上の処理により、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（４）₃］（図１１の（Ｄ）参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇し、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、上述した式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

この［期間−ＴＰ（４）₃］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（４）₄］（図１２の（Ａ）参照）
その後、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をローレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も、実質上、変化せず（実際には、寄生容量等の静電結合により電位変化が生じ得るが、通常、これらは無視することができる）、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持する。

次いで、［期間−ＴＰ（４）₅］〜［期間−ＴＰ（４）₇］の各期間について説明する。これらの期間は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₅］〜［期間−ＴＰ（５）₇］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（４）₅］（図１２の（Ｂ）参照）
次に、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理を実行する。具体的には、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持し、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2、及び、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位を、Ｖ_Ofsから、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇する。尚、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigを、一旦、オフ状態とし、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2、及び、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigに変更し、その後、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2、及び、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態としてもよい。

これによって、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsとして、式（３）で説明した値を得ることができる。

即ち、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においても、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（４）₆］（図１２の（Ｃ）参照）
その後、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。具体的には、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₆］と同じ動作を行えばよい。尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（４）₆］の全時間ｔ₀）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

［期間−ＴＰ（４）₇］（図１２の（Ｄ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₇］と同じ処理がなされ、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、前述した式（５）にて得ることができるので、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。加えて、駆動トランジスタＴ_Drvにおける移動度μのばらつきに起因したドレイン電流Ｉ_dsのばらつき発生を抑制することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（４）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｍ，ｎ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。

次に、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路に関する説明を行う。

［３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路］
３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図１３に示し、概念図を図１４を示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図１５に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１６の（Ａ）〜（Ｄ）及び図１７の（Ａ）〜（Ｅ）に示す。

この３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、前述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、及び、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の２つのトランジスタが省略されている。即ち、この３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの３つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。

［発光制御トランジスタＴ_{EL_C}］
発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光制御トランジスタＴ_{EL_C}の構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［駆動トランジスタＴ_Drv］
駆動トランジスタＴ_Drvの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した駆動トランジスタＴ_Drvの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［映像信号書込みトランジスタＴ_Sig］
映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。但し、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されているが、映像信号出力回路１０２から、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigだけでなく、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-H及び電圧Ｖ_Ofs-Lも供給される。この点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの動作と相違している。尚、映像信号出力回路１０２から、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_SigやＶ_Ofs-H／Ｖ_Ofs-L以外の信号・電圧（例えば、プリチャージ駆動のための信号）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。電圧Ｖ_Ofs-H及び電圧Ｖ_Ofs-Lの値として、限定するものではないが、例えば、
Ｖ_Ofs-H＝約３０ボルト
Ｖ_Ofs-L＝約０ボルト
を例示することができる。

［Ｃ_ELとＣ₁の値の関係］
後述するように、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、データ線ＤＴＬを利用して第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる必要がある。より具体的には、第１ノードＮＤ₁の電位の変化に応じて、第２ノードＮＤ₂にも電位変化を生じさせる必要がある。上述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路や４Ｔｒ／１Ｃの駆動回路においては、値ｃ_ELは、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値であるとし、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の上昇は無視できる程度に小さいとして扱った（後述する２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においても同様である）。一方、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、値ｃ₁を、設計上、他の駆動回路よりも大きい値（例えば、値ｃ₁を値ｃ_ELの約１／４〜１／３程度）に設定し、第１ノードＮＤ₁の電位の変化に応じて、第２ノードＮＤ₂に電位変化を生じさせる。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

以下、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。

［期間−ＴＰ（３）_-1］（図１６の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、実質的に、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）_-1］と同じ動作である。

図１５に示す［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₄］は、図５に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］に対応する期間であり、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₄］において、第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。但し、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作においては、図１５に示すように、［期間−ＴＰ（３）₅］〜［期間−ＴＰ（３）₆］の他、［期間−ＴＰ（３）₁］〜［期間−ＴＰ（３）₄］も第ｍ番目の水平走査期間に包含される点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作とは異なる。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３）₁］の始期、及び、［期間−ＴＰ（３）₆］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₄］の各期間について、説明する。尚、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（３）₁］〜［期間−ＴＰ（３）₄］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（３）₀］（図１６の（Ｂ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作であり、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₀］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（３）₁］（図１６の（Ｃ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。［期間−ＴＰ（３）₁］の開始時、映像信号出力回路１０２の動作に基づきデータ線ＤＴＬの電位を、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-Hとし、次いで、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs-Hとなる。上述したように、コンデンサ部Ｃ₁の値ｃ₁を、設計上、他の駆動回路よりも大きい値としたので、ソース領域の電位（第２ノードＮＤ₂の電位）は上昇する。そして、発光部ＥＬＰの両端の電位差が閾値電圧Ｖ_th-ELを超えるので、電位発光部ＥＬＰは導通状態となるが、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位は、再び、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）まで、直ちに低下する。尚、この過程において、発光部ＥＬＰが発光し得るが、発光は一瞬であり、実用上、問題とはならない。一方、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極は電圧Ｖ_Ofs-Hを保持する。

［期間−ＴＰ（３）₂］（図１６の（Ｄ）参照）
その後、映像信号出力回路１０２の動作に基づき、データ線ＤＴＬの電位を、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-Hから電圧Ｖ_Ofs-Lへと変更することによって、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs-Lとなる。そして、第１ノードＮＤ₁の電位の低下に伴い、第２ノードＮＤ₂の電位も低下する。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_Ofs-H）に基づく電荷が、コンデンサ部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の寄生容量に振り分けられる。尚、後述する［期間−ＴＰ（３）₃］における動作の前提として、［期間−ＴＰ（３）₂］の終期において、第２ノードＮＤ₂の電位がＶ_Ofs-L−Ｖ_thよりも低いことが必要となる。Ｖ_Ofs-Hの値等は、この条件を満たすように設定されている。即ち、以上の処理により、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（３）₃］（図１７の（Ａ）参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をハイレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs-L＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th）となる。ここで、上述した式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

この［期間−ＴＰ（３）₃］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-Lのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（３）₄］（図１７の（Ｂ）参照）
その後、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、発光制御トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき発光制御トランジスタ制御線ＣＬ_{EL_C}をローレベルとすることによって、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}をオフ状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化せず（Ｖ_Ofs-L＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位も変化せず、（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th＝−３ボルト）を保持する。

次いで、［期間−ＴＰ（３）₅］〜［期間−ＴＰ（３）₇］の各期間について説明する。これらは、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₅］〜［期間−ＴＰ（５）₇］と、実質的に同じ動作である。

［期間−ＴＰ（３）₅］（図１７の（Ｃ）参照）
次に、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理を実行する。具体的には、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持し、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、映像信号出力回路１０２の動作に基づき、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigとする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Sigへと上昇する。尚、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigを、一旦、オフ状態とし、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、及び、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigに変更し、その後、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}のオフ状態を維持したまま、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態としてもよい。

３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、第１ノードＮＤ₁の電位の変化に応じて、第２ノードＮＤ₂に電位変化が生じる。［期間−ＴＰ（３）₅］において、第１ノードＮＤ₁の電位が、Ｖ_Ofs-LからＶ_Sigへと上昇する。このため、第２ノードＮＤ₁の電位も、若干、上昇する。即ち、第２ノードＮＤ₁の電位を、Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th＋α・（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs-L）と表すことができる。但し、０＜α＜１であり、αの値はコンデンサ部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの寄生容量Ｃ_ELの値等により定まる。

これによって、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsとして、以下の式（３’）で説明した値を得ることができる。

Ｖ_gs≒Ｖ_Sig−（Ｖ_Ofs-L−Ｖ_th）−α・（Ｖ_Sig−Ｖ_Ofs-L） （３’）

即ち、３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においても、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sig、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofs-Lのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（３）₆］（図１７の（Ｄ）参照）
その後、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。具体的には、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₆］と同じ動作を行えばよい。尚、移動度補正処理を実行するための所定の時間（［期間−ＴＰ（３）₆］の全時間ｔ₀）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

［期間−ＴＰ（３）₇］（図１７の（Ｅ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₇］と同じ処理がなされ、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、前述した式（５）にて得ることができるので、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。加えて、駆動トランジスタＴ_Drvにおける移動度μのばらつきに起因したドレイン電流Ｉ_dsのばらつき発生を抑制することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（４）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｍ，ｎ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。

次に、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路に関する説明を行う。

［２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路］
２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の等価回路図を図１８に示し、概念図を図１９を示し、駆動のタイミングチャートを模式的に図２０に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図２１の（Ａ）〜（Ｆ）に示す。

この２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、前述した５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路から、第１ノード初期化トランジスタＴ_ND1、発光制御トランジスタＴ_{EL_C}、及び、第２ノード初期化トランジスタＴ_ND2の３つのトランジスタが省略されている。即ち、この２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、映像信号書込みトランジスタＴ_Sig、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの２つのトランジスタから構成され、更には、１つのコンデンサ部Ｃ₁から構成されている。

［駆動トランジスタＴ_Drv］
駆動トランジスタＴ_Drvの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した駆動トランジスタＴ_Drvの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。但し、駆動トランジスタＴ_Drvのドレイン領域は電流供給部１００に接続されている。尚、電流供給部１００からは、発光部ＥＬＰの発光を制御するための電圧Ｖ_CC-H、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位を制御するための電圧Ｖ_CC-Lが供給される。ここで、電圧Ｖ_CC-H及びＶ_CC-Lの値として、
Ｖ_CC-H＝ ２０ボルト
Ｖ_CC-L＝−１０ボルト
を例示することができるが、これらの値に限定するものではない。

［映像信号書込みトランジスタＴ_Sig］
映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

以下、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作説明を行う。

［期間−ＴＰ（２）_-1］（図２１の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）_-1］は、例えば、前の表示フレームにおける動作であり、実質的に、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）_-1］と同じ動作である。

図２０に示す［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］は、図５に示す［期間−ＴＰ（５）₀］〜［期間−ＴＰ（５）₄］に対応する期間であり、次の書込み処理が行われる直前までの動作期間である。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］において、第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０は非発光状態にある。但し、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作においては、図２０に示すように、［期間−ＴＰ（２）₃］の他、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₂］も第ｍ番目の水平走査期間に包含される点が、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作とは異なる。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）₁］の始期、及び、［期間−ＴＰ（２）₃］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₂］の各期間について、説明する。尚、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₃］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（２）₀］（図２１の（Ｂ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（２）₀］は、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間までの期間である。そして、この［期間−ＴＰ（２）₀］において、第（ｍ，ｎ）番目の有機ＥＬ素子１０は、非発光状態にある。ここで、［期間−ＴＰ（２）_-1］から［期間−ＴＰ（２）₀］に移る時点で、電流供給部１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂（駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域あるいは発光部ＥＬＰのアノード電極）の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）の電位も低下する。

［期間−ＴＰ（２）₁］（図２１の（Ｃ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。［期間−ＴＰ（２）₁］の開始時、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）となる。第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-L（例えば、−１０ボルト）を保持する。

上記の処理により、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。

［期間−ＴＰ（２）₂］（図２１の（Ｄ）参照）
次に、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、電流供給部１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Lから電圧Ｖ_CC-Hに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇し、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴ_Drvがオフ状態となる。具体的には、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、上述した式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

この［期間−ＴＰ（２）₂］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（２）₃］（図２１の（Ｅ）参照）
次に、駆動トランジスタＴ_Drvに対する書込み処理、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの大小に基づく駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の補正（移動度補正処理）を行う。具体的には、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのオン状態を維持したまま、映像信号出力回路１０２の動作に基づき、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigとする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_Sigへと上昇し、駆動トランジスタＴ_Drvはオン状態となる。尚、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigを、一旦、オフ状態とし、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigに変更し、その後、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とすることで、駆動トランジスタＴ_Drvをオン状態としてもよい。

５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明したと異なり、駆動トランジスタＴ_Drvのドレイン領域には電流供給部１００から電位Ｖ_CC-Hが印加されているので、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域の電位は上昇する。所定の時間（ｔ₀）が経過した後、走査線ＳＣＬをローレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴ_Drvのゲート電極）を浮遊状態とする。尚、この［期間−ＴＰ（２）₃］の全時間ｔ₀は、第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）となるように、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

この［期間−ＴＰ（２）₃］にあっても、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶは大きく、駆動トランジスタＴ_Drvの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴ_Drvのソース領域における電位の上昇量ΔＶは小さい。

［期間−ＴＰ（２）₄］（図２１の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、５Ｔｒ／１Ｃ駆動回路において説明した［期間−ＴＰ（５）₇］と同じ処理がなされ、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、前述した式（５）にて得ることができるので、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴ_Drvの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。加えて、駆動トランジスタＴ_Drvにおける移動度μのばらつきに起因したドレイン電流Ｉ_dsのばらつき発生を抑制することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、［期間−ＴＰ（２）_-1］の終わりに相当する。

以上によって、有機ＥＬ素子１０［第（ｍ，ｎ）番目の副画素（有機ＥＬ素子１０）］の発光の動作が完了する。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した有機ＥＬ表示装置を構成する各種の構成要素の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。本発明においては、補正期間（移動度補正処理を実行するための期間）の長短に応じて、駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）を変化させ、あるいは又、コンデンサ部Ｃ₁の容量の値を変化させ、あるいは又、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）を変化させているが、係る変化量は、有機ＥＬ素子の製造時におけるバラツキの範囲を超える量である。

例えば、２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作における［期間−ＴＰ（３）₃］を２つの期間、［期間−ＴＰ（３）₃］及び［期間−ＴＰ（３）’₃］に分割し、［期間−ＴＰ（３）₃］において、前述したとおり、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigを、一旦、オフ状態とし、データ線ＤＴＬの電位を、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための駆動信号（輝度信号）Ｖ_Sigに変更し、その後、［期間−ＴＰ（３）’₃］において、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、映像信号書込みトランジスタＴ_Sigをオン状態とすることで、駆動トランジスタＴ_Drvをオン状態としてもよい。この場合のタイミングチャートを模式的に図２２に示す。走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形（図２の（Ａ）参照）と、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０における映像信号書込みトランジスタＴ_Sigのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形（図２の（Ｂ）参照）との間には、差異が生じる。

このような駆動回路の駆動においては、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０の方が、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０よりも、補正期間ｔがΔｔだけ、短い。従って、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０を構成する駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）を、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０を構成する駆動トランジスタＴ_Drvの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Drv／Ｌ_Drv）よりも、小さくすればよい。あるいは又、走査回路１０１の近くに位置する有機ＥＬ素子１０を構成する映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）を、走査回路１０１から遠くに位置する有機ＥＬ素子１０を構成する映像信号書込みトランジスタＴ_Sigの（チャネル幅／チャネル長）の値（Ｗ_Sig／Ｌ_Sig）よりも、大きくすればよい。あるいは又、補正期間が長い有機ＥＬ素子１０のコンデンサ部Ｃ₁の容量を、補正期間が短い有機ＥＬ素子１０のコンデンサ部Ｃ₁の容量よりも、大きくすればよい。

図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、走査回路の近くに位置する有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する映像信号書込みトランジスタのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形と、走査回路から遠くに位置する有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する映像信号書込みトランジスタのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形等を模式的に示す図である。 図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、図１の（Ａ）及び（Ｂ）に示した例とは異なる、走査回路の近くに位置する有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する映像信号書込みトランジスタのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形と、走査回路から遠くに位置する有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する映像信号書込みトランジスタのゲート電極に印加される映像信号書込みトランジスタ制御信号の波形等を模式的に示す図である。 図３は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の等価回路図である。 図４は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の概念図である。 図５は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図６の（Ａ）〜（Ｄ）は、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図７の（Ａ）〜（Ｅ）は、図６の（Ｄ）に引き続き、５トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図８は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の等価回路図である。 図９は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の概念図である。 図１０は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図１１の（Ａ）〜（Ｄ）は、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１２の（Ａ）〜（Ｄ）は、図１１の（Ｄ）に引き続き、４トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１３は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の等価回路図である。 図１４は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の概念図である。 図１５は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図１６の（Ａ）〜（Ｄ）は、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１７の（Ａ）〜（Ｅ）は、図１６の（Ｄ）に引き続き、３トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１８は、２トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の等価回路図である。 図１９は、２トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の概念図である。 図２０は、２トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図２１の（Ａ）〜（Ｆ）は、２トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図２２は、２トランジスタ／１コンデンサ部から基本的に構成された駆動回路の、図２０に示したとは異なる駆動のタイミングチャートを模式的に示す図である。 図２３は、有機エレクトロルミネッセンス素子の一部分の模式的な一部断面図である。

符号の説明

Ｔ_Sig・・・映像信号書込みトランジスタ、Ｔ_Drv・・・駆動トランジスタ、Ｔ_{EL_C}・・・発光制御トランジスタ、Ｔ_ND1・・・第１ノード初期化トランジスタ、Ｔ_ND2・・・第２ノード初期化トランジスタ、Ｃ₁・・・コンデンサー部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部（発光部）、Ｃ_EL・・・発光部ＥＬＰの寄生容量、ＮＤ₁・・・第１ノード、ＮＤ₂・・・第２ノード、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＣＬ_{EL_C}・・・発光制御トランジスタ制御線、ＡＺ_ND1・・・第１ノード初期化トランジスタ制御線、ＡＺ_ND2・・・第２ノード初期化トランジスタ制御線、１０・・・有機エレクトロルミネッセンス素子、２０・・・支持体、２１・・・基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３５・・・ソース／ドレイン領域、３４・・・チャネル形成領域、３６・・・他方の電極、３７・・・一方の電極、３８，３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・電流供給部、１０１・・・走査回路、１０２・・・映像信号出力回路、１０３・・・発光制御トランジスタ制御回路、１０４・・・第１ノード初期化トランジスタ制御回路、１０５・・・第２ノード初期化トランジスタ制御回路

Claims (12)

1. （ａ）走査回路、
   （ｂ）映像信号出力回路、
   （ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
   （ｄ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
   （ｅ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
   （ｆ）電流供給部、
   を備え、
   各有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動回路、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えており、
   駆動回路は、
   （Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
   （Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、並びに、
   （Ｃ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
   から構成されており、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   映像信号書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
   有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値が小さいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
2. 前記期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値が大きいことを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
3. （ａ）走査回路、
   （ｂ）映像信号出力回路、
   （ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
   （ｄ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
   （ｅ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
   （ｆ）電流供給部、
   を備え、
   各有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動回路、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えており、
   駆動回路は、
   （Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
   （Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、並びに、
   （Ｃ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
   から構成されており、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   映像信号書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
   有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   １本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
4. 映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、駆動トランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値が小さな範疇に分類されることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
5. １本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されることを特徴とする請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
6. 映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値が大きな範疇に分類されることを特徴とする請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
7. （ａ）走査回路、
   （ｂ）映像信号出力回路、
   （ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
   （ｄ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
   （ｅ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
   （ｆ）電流供給部、
   を備え、
   各有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動回路、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えており、
   駆動回路は、
   （Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
   （Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、並びに、
   （Ｃ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
   から構成されており、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   映像信号書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
   有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、コンデンサ部の容量が大きいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
8. （ａ）走査回路、
   （ｂ）映像信号出力回路、
   （ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
   （ｄ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
   （ｅ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
   （ｆ）電流供給部、
   を備え、
   各有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動回路、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えており、
   駆動回路は、
   （Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
   （Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、並びに、
   （Ｃ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
   から構成されており、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   映像信号書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
   有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
   １本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、コンデンサ部の容量の値に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
9. 映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、コンデンサ部の容量の値が大きな範疇に分類されることを特徴とする請求項８に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
10. （ａ）走査回路、
    （ｂ）映像信号出力回路、
    （ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
    （ｄ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
    （ｅ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
    （ｆ）電流供給部、
    を備え、
    各有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動回路、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えており、
    駆動回路は、
    （Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
    （Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、並びに、
    （Ｃ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
    から構成されており、
    駆動トランジスタにおいては、
    （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
    （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
    （Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
    映像信号書込みトランジスタにおいては、
    （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
    （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
    有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値が大きいことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
11. （ａ）走査回路、
    （ｂ）映像信号出力回路、
    （ｃ）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｍ×Ｎ個の、２次元マトリクス状に配列された有機エレクトロルミネッセンス素子、
    （ｄ）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
    （ｅ）映像信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
    （ｆ）電流供給部、
    を備え、
    各有機エレクトロルミネッセンス素子は、駆動回路、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えており、
    駆動回路は、
    （Ａ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた駆動トランジスタ、
    （Ｂ）ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた映像信号書込みトランジスタ、並びに、
    （Ｃ）一対の電極を備えたコンデンサ部、
    から構成されており、
    駆動トランジスタにおいては、
    （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電流供給部に接続されており、
    （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、コンデンサ部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
    （Ａ−３）ゲート電極は、映像信号書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、コンデンサ部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
    映像信号書込みトランジスタにおいては、
    （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
    （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
    有機エレクトロルミネッセンス表示装置であって、
    １本の走査線に接続されたＮ個の有機エレクトロルミネッセンス素子は、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値に基づき、少なくとも２つの範疇に分類されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
12. 映像信号書込みトランジスタがオン状態となり、データ線から映像信号書込みトランジスタを経由して駆動トランジスタのゲート電極に映像信号に相当する電圧が印加され、駆動トランジスタがオン状態となり、且つ、駆動トランジスタが電流供給部と接続されることによって第２ノードの電位が上昇し始めた時点を始点とし、映像信号書込みトランジスタがオフ状態となった時点を終点とした期間が長い有機エレクトロルミネッセンス素子は、該期間が短い有機エレクトロルミネッセンス素子よりも、映像信号書込みトランジスタの（チャネル幅／チャネル長）の値が大きな範疇に分類されることを特徴とする請求項１１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。

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