JP2010113188A - 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】相対的な輝度変化の程度を軽減することができる有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法を提供する。
【解決手段】（ａ）前処理を行い、（ｂ）閾値電圧キャンセル処理を行い、（ｃ）書込み処理を行い、（ｄ）第１ノードを浮遊状態とし、（ｅ）有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動した後、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を少なくとも１回行う、工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法であって、工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。

発光部を備えた表示素子、及び、係る表示素子を備えた表示装置が周知である。例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electroluminescence：以下、ＥＬと略称する場合がある）を利用した有機エレクトロルミネッセンス発光部を備えた表示素子（以下、単に、有機ＥＬ表示素子と略称する場合がある）は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な表示素子として注目されている。

液晶表示装置と同様に、例えば、有機ＥＬ表示素子を備えた表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と略称する場合がある）においても、駆動方式として、単純マトリクス方式、及び、アクティブマトリクス方式が周知である。アクティブマトリクス方式は、構造が複雑となるといった欠点はあるが、画像の輝度を高いものとすることができる等の利点を有する。アクティブマトリクス方式により駆動される有機ＥＬ表示素子にあっては、発光層を含む有機層等から構成された発光部に加えて、発光部を駆動するための駆動回路を備えている。

有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と略称する場合がある）を駆動するための回路として、２つのトランジスタと１つの容量部から構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ）が、例えば、特開２００７−３１０３１１号公報（特許文献１）から周知である。この２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路は、図２に示すように、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ₁から構成されている。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は第２ノードＮＤ₂を構成し、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は第１ノードＮＤ₁を構成する。

そして、図５にタイミングチャートを示すように、［期間−ＴＰ（２）₁］において、閾値電圧キャンセル処理を行うための前処理が実行される。即ち、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofs（例えば、０ボルト）を第１ノードＮＤ₁に印加する。これにより、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofsとなる。また、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-L（例えば、−１０ボルト）を第２ノードＮＤ₂に印加する。これにより、第２ノードＮＤ₂の電位は、Ｖ_CC-Lとなる。駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧を電圧Ｖ_th（例えば、３ボルト）と表す。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ソース領域と呼ぶ場合がある）との間の電位差がＶ_th以上となり、駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態となる。

次いで、［期間−ＴＰ（２）₂］において、閾値電圧キャンセル処理が行われる。即ち、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、電源部１００の電圧を第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lから駆動電圧Ｖ_CC-H（例えば、２０ボルト）に切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差がＶ_thに達すると、駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態となる。この状態にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、概ね（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）である。

その後、［期間−ＴＰ（２）₃］において、書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とする。そして、データ線ＤＴＬの電圧を映像信号に相当する電圧［発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_{Sig_m}］とする。

次いで、［期間−ＴＰ（２）₄］において、書込み処理を行う。具体的には、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、映像信号Ｖ_{Sig_m}へと上昇する。

ここで、容量部Ｃ₁の値を値ｃ₁とし、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの値を値ｃ_ELとする。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量の値をｃ_gsとする。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位がＶ_OfsからＶ_{Sig_m}（＞Ｖ_Ofs）に変化したとき、容量部Ｃ₁の両端の電位（換言すれば、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ₁の電位）の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく電荷が、容量部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃ_ELが、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの値ｃ_ELは、容量部Ｃ₁の値ｃ₁及び駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量の値ｃ_gsよりも大きい。そこで、説明の便宜のため、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化は考慮せずに説明を行う。尚、図５に示した駆動のタイミングチャートは、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮せずに示した。

上述した動作にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。この電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）については後述する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）の電位をＶ_gとし、他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_sとしたとき、上述した第２ノードＮＤ₂の電位の上昇量ΔＶを考慮しなければ、Ｖ_gの値、Ｖ_sの値は以下のとおりとなる。第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と、ソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（Ａ）で表すことができる。

Ｖ_g ＝Ｖ_{Sig_m}
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （Ａ）

即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_{Sig_m}、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

次いで、移動度補正処理について簡単に説明する。上述した動作にあっては、書込み処理において、駆動トランジスタＴＲ_Dの特性（例えば、移動度μの大小等）に応じて駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）を変化させる移動度補正処理が併せて行われる。

上述したように、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。ここで、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。その結果、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなり、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ａ）から以下の式（Ｂ）のように変形される。尚、［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間（ｔ₀）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。

Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （Ｂ）

以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。そして、その後の［期間−ＴＰ（２）₅］の始期において、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ₁を浮遊状態とする。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域（以下、便宜上、ドレイン領域と呼ぶ場合がある）には、電源部１００から電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態にある。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（Ｂ）の値を保持する。また、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsである。駆動トランジスタＴＲ_Dが飽和領域において理想的に動作するとすれば、ドレイン電流Ｉ_dsは、以下の式（Ｃ）で表すことができる。発光部ＥＬＰはドレイン電流Ｉ_dsの値に応じた輝度で発光する。尚、係数ｋについては後述する。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）²
＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （Ｃ）

そして、図５に示す［期間−ＴＰ（２）₅］を発光期間とし、［期間−ＴＰ（２）₆’］の始期から次の発光期間までの間を非発光期間とする。非発光期間を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。

以上に概要を説明した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の動作についても、後に詳しく説明する。

特開２００７−３１０３１１号公報

上述した駆動方法により発光部を駆動する有機ＥＬ表示装置にあっては、例えば或るパターンを長時間表示させると、そのパターンに応じた輝度変化が残るといった所謂焼き付きが残る場合がある。例えば、図３３の（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置の表示領域ＥＡにおいて、領域Ａを白表示とし、窓状の領域Ｂを黒表示として長時間表示させる。その後、例えば表示領域ＥＡ全体を白表示とすると、図３３の（Ｂ）に示すように、領域Ｂに対応する部分の輝度に対し、領域Ａに対応する部分の輝度は相対的に低くなるといった現象が認められる。その結果、有機ＥＬ表示装置の表示品質の低下を招くといった問題が生ずる。

従って、本発明の目的は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、上述した相対的な輝度変化の程度を軽減することができる有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法を提供することにある。

上記の目的を達成するための本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法は、
書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部から構成された駆動回路であって、
駆動トランジスタにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
書込みトランジスタにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
駆動回路を用いた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法である。

そして、
（ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードと有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、第１ノードの電位及び第２ノードの電位を初期化する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線からの信号により書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とし、
（ｅ）電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動した後、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、少なくとも１回行う、
工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法である。

そして、更には、
工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。

本発明にあっては、工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。これにより、上述した相対的な輝度変化の程度を軽減することができる。本発明を適用した有機ＥＬ表示装置にあっては、輝度の均一性に優れた画像を表示することができる。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法についてのより詳しい説明
２．各実施例において用いられる有機ＥＬ表示装置の概要の説明
３．実施例１（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
４．実施例２（第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
５．実施例３（第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）
６．実施例４（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路の態様）

〈本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法についてのより詳しい説明〉
上述した本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法（以下、単に、本発明の駆動方法と呼ぶ場合がある）にあっては、基本的には、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間の長さを短くする程、相対的な輝度変化が軽減されるといった関係が認められる。有機エレクトロルミネッセンス発光部の仕様等にもよるが、基本的には、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とすることで効果が認められる。より好ましくは、上記期間を０．５ミリ秒以下とすることが望ましい。

本発明の駆動方法にあっては、補助駆動工程において、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する。この場合において、駆動方法の工程を共通化するといった観点からは、補助駆動工程が、電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動する工程である構成とすることが好ましい。上述した構成によれば、工程（ｅ）と補助駆動工程の双方で有機エレクトロルミネッセンス発光部が駆動される。有機エレクトロルミネッセンス発光部の仕様等にもよるが、補助駆動工程を行う期間の長さは、概ね１ミリ秒程度を下回らないようにすればよい。工程（ｅ）の期間の長さは一律に固定された期間とすることができる。あるいは又、工程（ｅ）の期間の長さが、例えば映像信号の値に応じて変化するといった構成とすることもできる。

ここで、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ａ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する構成とすることができる。

尚、データ線に印加される電圧が映像信号から第１ノード初期化電圧に切り替わるのを待って書込みトランジスタをオン状態とする構成であってもよいし、動作に支障を生じない範囲で先行して書込みトランジスタをオン状態とする構成であってもよい。後者の構成によれば、データ線に第１ノード初期化電圧が印加されると直ちに第１ノードの電位が初期化される。前者の構成にあっては、データ線の電圧の切り替えを待つ時間も含めて前処理に時間を配分する必要がある。後者の構成にあっては、データ線の電圧の切り替えを待つ時間が不要であり、前処理をより短い時間で行うことができる。後者の構成にあっては、前処理に引き続き行われる閾値電圧キャンセル処理により長い時間を配分することができる。

また、前記工程（ａ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加する構成とすることができる。

また、前記工程（ｂ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする構成とすることができる。

また、前記工程（ｂ）において、電源部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも高い電圧を印加し、以て、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる構成とすることができる。

また、前記工程（ｅ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する構成とすることができる。

あるいは又、本発明の駆動方法にあっては、
駆動回路は、更に、第１トランジスタを備えており、
第１トランジスタにおいては、
（Ｃ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードに接続されており、
（Ｃ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第２ノード初期化電圧が印加され、
（Ｃ−３）ゲート電極は、第１トランジスタ制御線に接続されている、
構成とすることができる。

そして、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ａ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加する構成とすることができる。

そして、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ｅ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する構成とすることができる。

あるいは又、本発明の駆動方法にあっては、
駆動回路は、更に、第２トランジスタを備えており、
第２トランジスタにおいては、
（Ｄ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードに接続されており、
（Ｄ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第１ノード初期化電圧が印加され、
（Ｄ−３）ゲート電極は、第２トランジスタ制御線に接続されている、
構成とすることができる。

そして、以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法にあっては、前記工程（ａ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する構成とすることができる。

そして、前記工程（ｂ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする構成とすることができる。

以上に説明した各種の好ましい構成を含む本発明の駆動方法（以下、単に、本発明と略称する場合がある）における工程（ｂ）にあっては、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって、第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行なう。定性的には、閾値電圧キャンセル処理において、第１ノードと第２ノードとの間の電位差（換言すれば、駆動トランジスタのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差）が駆動トランジスタの閾値電圧に近づく程度は、閾値電圧キャンセル処理の時間により左右される。従って、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を充分長く確保した構成にあっては、第２ノードの電位は第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に達する。そして、第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧に達すると、駆動トランジスタはオフ状態となる。一方、例えば閾値電圧キャンセル処理の時間を短く設定せざるを得ない構成にあっては、第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧より大きく、駆動トランジスタはオフ状態とはならない場合がある。本発明にあっては、閾値電圧キャンセル処理の結果として、必ずしも駆動トランジスタがオフ状態となることを要しない。

本発明にあっては、工程（ｄ）において、走査線からの信号により書込みトランジスタをオフ状態とする。この時期と、有機エレクトロルミネッセンス発光部に電流を流すために、所定の駆動電圧を電源部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加する時期との先後関係は、特に限定するものではない。例えば、書込みトランジスタをオフ状態とした後、直ちに、あるいは、所定の間隔を空けて、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加する態様であってもよいし、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加した状態で、書込みトランジスタをオフ状態とする態様であってもよい。後者の態様にあっては、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧を印加した状態で、データ線から映像信号が第１ノードに印加する期間が存在する。この期間において、駆動トランジスタの特性に応じて第２ノードの電位を上昇させる移動度補正処理の動作が行われる。

上述した駆動電圧と、工程（ｂ）において駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加する電圧とは異なる値の電圧であってもよいが、電源部から印加する電圧の種類を削減する観点からは、工程（ｂ）、及び、工程（ｅ）における有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動の際に、電源部は駆動電圧を駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に印加する構成であることが好ましい。

また、本発明にあっては、駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に駆動電圧が印加された状態で、工程（ｃ）を行う構成とすることもできる。この構成にあっては、書込み処理において上述した移動度補正処理が併せて行なわれる。

本発明が適用される有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、例えば、
（１）走査回路、
（２）信号出力回路、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが有機エレクトロルミネッセンス発光部、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動するための駆動回路を備えている有機エレクトロルミネッセンス表示素子、
（４）走査回路に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線、
（５）信号出力回路に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線、並びに、
（６）電源部、
を備えている構成とすることができる。そして、各有機エレクトロルミネッセンス表示素子（以下、単に、有機ＥＬ表示素子と呼ぶ場合がある）は、駆動トランジスタ、書込みトランジスタ、及び、容量部を具備した駆動回路、並びに、有機エレクトロルミネッセンス発光部から構成されている。

本発明が適用される有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、単に、有機ＥＬ表示装置と呼ぶ場合がある）にあっては、所謂モノクロ表示の構成であってもよいし、カラー表示の構成であってもよい。例えば、１つの画素は複数の副画素から構成されている構成、具体的には、１つの画素は、赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素の３つの副画素から構成されている、カラー表示の構成とすることができる。更には、これらの３種の副画素に更に１種類あるいは複数種類の副画素を加えた１組（例えば、輝度向上のために白色光を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するために補色を発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエローを発光する副画素を加えた１組、色再現範囲を拡大するためにイエロー及びシアンを発光する副画素を加えた１組）から構成することもできる。

有機ＥＬ表示装置にあっては、走査回路、信号出力回路等の各種の回路、走査線、データ線等の各種の配線、電源部、有機エレクトロルミネッセンス発光部（以下、単に、発光部と呼ぶ場合がある）の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。具体的には、発光部は、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から構成することができる。

駆動回路を構成するトランジスタとして、ｎチャネル型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を挙げることができる。駆動回路を構成するトランジスタは、エンハンスメント型であってもよいし、デプレッション型であってもよい。ｎチャネル型のトランジスタにあってはＬＤＤ構造（Lightly Doped Drain構造）が形成されていてもよい。場合によっては、ＬＤＤ構造は非対称に形成されていてもよい。例えば、駆動トランジスタに大きな電流が流れるのは有機ＥＬ表示素子の発光時であるので、発光時においてドレイン領域側となる一方のソース／ドレイン領域側にのみＬＤＤ構造を形成した構成とすることもできる。尚、例えば、書込みトランジスタ等にｐチャネル型の薄膜トランジスタを用いてもよい。

駆動回路を構成する容量部は、一方の電極、他方の電極、及び、これらの電極に挟まれた誘電体層（絶縁層）から構成することができる。駆動回路を構成する上述したトランジスタ及び容量部は、或る平面内に形成され（例えば、支持体上に形成され）、発光部は、例えば、層間絶縁層を介して、駆動回路を構成するトランジスタ及び容量部の上方に形成されている。また、駆動トランジスタの他方のソース／ドレイン領域は、発光部に備えられたアノード電極に、例えば、コンタクトホールを介して接続されている。尚、半導体基板等にトランジスタを形成した構成であってもよい。

以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、それに先立ち、各実施例において用いられる有機ＥＬ表示装置の概要を説明する。

〈各実施例において用いられる有機ＥＬ表示装置の概要〉
各実施例での使用に適した有機ＥＬ表示装置は、複数の画素を備えた有機ＥＬ表示装置である。１つの画素は複数の副画素（各実施例にあっては、３つの副画素である赤色発光副画素、緑色発光副画素、青色発光副画素）から構成されている。各副画素は、駆動回路１１と、この駆動回路１１に接続された発光部（発光部ＥＬＰ）とが積層された構造を有する有機ＥＬ表示素子１０から構成されている。

実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４における有機ＥＬ表示装置の概念図を、それぞれ、図１、図１６、図２１及び図２６に示す。実施例１、実施例２、実施例３及び実施例４における有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ表示素子の等価回路図を、それぞれ、図２、図１７、図２２及び図２７に示す。図２には、２トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）を示す。図１７及び図２２には、３トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路を示す。なお、図１７に示す回路を第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼び、図２２に示す回路を第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある。図２７には、４トランジスタ／１容量部から基本的に構成された駆動回路（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と呼ぶ場合がある）を示す。

ここで、各実施例における有機ＥＬ表示装置は、
（１）走査回路１０１、
（２）信号出力回路１０２、
（３）第１の方向にＮ個、第１の方向とは異なる第２の方向にＭ個、合計Ｎ×Ｍ個の、２次元マトリクス状に配列され、それぞれが発光部ＥＬＰ、及び、発光部ＥＬＰを駆動するための駆動回路１１を備えている有機ＥＬ表示素子１０、
（４）走査回路１０１に接続され、第１の方向に延びるＭ本の走査線ＳＣＬ、
（５）信号出力回路１０２に接続され、第２の方向に延びるＮ本のデータ線ＤＴＬ、並びに、
（６）電源部１００、
を備えている。図１、図１６、図２１及び図２６においては、３×３個の有機ＥＬ表示素子１０を図示しているが、これは、あくまでも例示に過ぎない。尚、便宜のため、図１、図１６、図２１及び図２６においては、図２等に示す給電線ＰＳ２の図示を省略した。

発光部ＥＬＰは、例えば、アノード電極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、カソード電極等から成る周知の構成、構造を有する。走査回路１０１、信号出力回路１０２、走査線ＳＣＬ、データ線ＤＴＬ、電源部１００の構成、構造は、周知の構成、構造とすることができる。

駆動回路１１の最小構成要素を説明する。駆動回路１１は、少なくとも、駆動トランジスタＴＲ_D、書込みトランジスタＴＲ_W、及び、一対の電極を備えた容量部Ｃ₁から構成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dは、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。また、書込みトランジスタＴＲ_Wも、ソース／ドレイン領域、チャネル形成領域、及び、ゲート電極を備えた、ｎチャネル型のＴＦＴから成る。尚、書込みトランジスタＴＲ_Wがｐチャネル型のＴＦＴから成る構成であってもよい。

ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dにおいては、
（Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部１００に接続されており、
（Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部Ｃ₁の一方の電極に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成し、
（Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部Ｃ₁の他方の電極に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。

また、書込みトランジスタＴＲ_Wにおいては、
（Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されており、
（Ｂ−２）ゲート電極は、走査線ＳＣＬに接続されている。

図３に有機ＥＬ表示装置の一部分の模式的な一部断面図を示す。駆動回路１１を構成するトランジスタＴＲ_D，ＴＲ_W及び容量部Ｃ₁は支持体２０上に形成され、発光部ＥＬＰは、例えば、層間絶縁層４０を介して、駆動回路１１を構成するトランジスタＴＲ_D，ＴＲ_W及び容量部Ｃ₁の上方に形成されている。また、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、発光部ＥＬＰに備えられたアノード電極に、コンタクトホールを介して接続されている。尚、図３においては、駆動トランジスタＴＲ_Dのみを図示する。その他のトランジスタは隠れて見えない。

より具体的には、駆動トランジスタＴＲ_Dは、ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２、半導体層３３に設けられたソース／ドレイン領域３５，３５、及び、ソース／ドレイン領域３５，３５の間の半導体層３３の部分が該当するチャネル形成領域３４から構成されている。一方、容量部Ｃ₁は、他方の電極３６、ゲート絶縁層３２の延在部から構成された誘電体層、及び、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂に相当する）から成る。ゲート電極３１、ゲート絶縁層３２の一部、及び、容量部Ｃ₁を構成する他方の電極３６は、支持体２０上に形成されている。駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域３５は配線３８に接続され、他方のソース／ドレイン領域３５は一方の電極３７に接続されている。駆動トランジスタＴＲ_D及び容量部Ｃ₁等は、層間絶縁層４０で覆われており、層間絶縁層４０上に、アノード電極５１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び、カソード電極５３から成る発光部ＥＬＰが設けられている。尚、図面においては、正孔輸送層、発光層、及び、電子輸送層を１層５２で表した。発光部ＥＬＰが設けられていない層間絶縁層４０の部分の上には、第２層間絶縁層５４が設けられ、第２層間絶縁層５４及びカソード電極５３上には透明な基板２１が配置されており、発光層にて発光した光は、基板２１を通過して、外部に出射される。尚、一方の電極３７（第２ノードＮＤ₂）とアノード電極５１とは、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホールによって接続されている。また、カソード電極５３は、第２層間絶縁層５４、層間絶縁層４０に設けられたコンタクトホール５６，５５を介して、ゲート絶縁層３２の延在部上に設けられた配線３９に接続されている。

図３等に示す有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する。先ず、支持体２０上に、走査線ＳＣＬ等の各種配線、容量部Ｃ₁を構成する電極、半導体層から成るトランジスタ、層間絶縁層、コンタクトホール等を、周知の方法により適宜形成する。次いで、周知の方法により成膜及びパターニングを行い、マトリクス状に配列された発光部ＥＬＰを形成する。そして、上記工程を経た支持体２０と基板２１を対向させ周囲を封止した後、例えば外部の回路との結線を行い、有機ＥＬ表示装置を得ることができる。

有機ＥＬ表示装置は、（Ｎ／３）×Ｍ個の２次元マトリクス状に配列された画素から構成されている。そして、各画素を構成する有機ＥＬ表示素子１０は、線順次駆動されるとし、表示フレームレートをＦＲ（回／秒）とする。即ち、第ｍ行目（但し、ｍ＝１，２，３・・・，Ｍ）に配列された（Ｎ／３）個の画素（Ｎ個の副画素）のそれぞれを構成する有機ＥＬ表示素子１０が同時に駆動される。換言すれば、１つの行を構成する各有機ＥＬ表示素子１０にあっては、その発光／非発光のタイミングは、それらが属する行単位で制御される。尚、１つの行を構成する各画素について映像信号を書き込む処理は、全ての画素について同時に映像信号を書き込む処理（以下、単に、同時書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよいし、各画素毎に順次映像信号を書き込む処理（以下、単に、順次書込み処理と呼ぶ場合がある）であってもよい。いずれの書込み処理とするかは、有機ＥＬ表示装置の構成に応じて適宜選択すればよい。

ここで、原則として、第ｍ行、第ｎ列目（但し、ｎ＝１，２，３・・・，Ｎ）に位置する有機ＥＬ表示素子１０に関する駆動、動作を説明するが、係る有機ＥＬ表示素子１０を、以下、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０あるいは第（ｎ，ｍ）番目の副画素と呼ぶ。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間（第ｍ番目の水平走査期間）が終了するまでに、各種の処理（後述する閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理）が行われる。尚、書込み処理や移動度補正処理は、第ｍ番目の水平走査期間内に行われるが、場合によっては、第（ｍ−ｍ”）番目の水平走査期間から第ｍ番目の水平走査期間に亙り、行われる場合もある。一方、駆動回路の種類によっては、閾値電圧キャンセル処理やこれに伴う前処理を第ｍ番目の水平走査期間より先行して行うことができる。

そして、上述した各種の処理が全て終了した後、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０を構成する発光部を発光させる。尚、上述した各種の処理が全て終了した後、直ちに発光部を発光させてもよいし、所定の期間（例えば、所定の行数分の水平走査期間）が経過した後に発光部を発光させてもよい。この所定の期間は、有機ＥＬ表示装置の仕様や駆動回路の構成等に応じて、適宜設定することができる。尚、以下の説明においては、説明の便宜のため、各種の処理終了後、直ちに発光部を発光させるものとする。そして、第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０を構成する発光部の発光状態は、例えば、第（ｍ＋ｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間の開始直前まで継続される。ここで、「ｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。即ち、或る表示フレームの第ｍ行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０を構成する発光部の発光は、第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続される。一方、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期から、例えば、後述する補助駆動工程の始期まで発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加することにより、非発光状態を維持する。非発光状態の期間（以下、単に、非発光期間と呼ぶ場合がある）を設けることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。また、水平走査期間の時間長は、（１／ＦＲ）×（１／Ｍ）秒未満の時間長である。（ｍ＋ｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。但し、各副画素（有機ＥＬ表示素子１０）の発光状態／非発光状態は、以上に説明した状態に限定するものではない。上述した各種の処理が全て終了した後、補助駆動工程の始期までの間に、発光状態／非発光状態を複数回くり返す構成であってもよい。

１つのトランジスタの有する２つのソース／ドレイン領域において、「一方のソース／ドレイン領域」という用語を、電源部に接続された側のソース／ドレイン領域といった意味において使用する場合がある。また、トランジスタがオン状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されている状態を意味する。係るトランジスタの一方のソース／ドレイン領域から他方のソース／ドレイン領域に電流が流れているか否かは問わない。一方、トランジスタがオフ状態にあるとは、ソース／ドレイン領域間にチャネルが形成されていない状態を意味する。また、或るトランジスタのソース／ドレイン領域が他のトランジスタのソース／ドレイン領域に接続されているとは、或るトランジスタのソース／ドレイン領域と他のトランジスタのソース／ドレイン領域とが同じ領域を占めている形態を包含する。更には、ソース／ドレイン領域は、不純物を含有したポリシリコンやアモルファスシリコン等の導電性物質から構成することができるだけでなく、金属、合金、導電性粒子、これらの積層構造、有機材料（導電性高分子）から成る層から構成することができる。また、以下の説明で用いるタイミングチャートにおいて、各期間を示す横軸の長さ（時間長）は模式的なものであり、各期間の時間長の割合を示すものではない。縦軸においても同様である。また、タイミングチャートにおける波形の形状も模式的なものである。

以下、実施例に基づき、発光部ＥＬＰの駆動方法を説明する。

実施例１は、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例１にあっては、駆動回路１１は２トランジスタ／１容量部から構成されている。駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図２に示す。

先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。

この駆動回路１１は、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタから構成され、更には、１つの容量部Ｃ₁から構成されている（２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。

［駆動トランジスタＴＲ_D］
駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域は、給電線ＰＳ１を介して、電源部１００に接続されている。一方、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域は、
［１］発光部ＥＬＰのアノード電極、及び、
［２］容量部Ｃ₁の一方の電極、
に接続されており、第２ノードＮＤ₂を構成する。また、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は、
［１］書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域、及び、
［２］容量部Ｃ₁の他方の電極、
に接続されており、第１ノードＮＤ₁を構成する。尚、電源部１００からは、後述するように、電圧Ｖ_CC-H、及び、電圧Ｖ_CC-Lが供給される。

ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dは、有機ＥＬ表示素子１０の発光状態においては、以下の式（１）に従ってドレイン電流Ｉ_dsを流すように駆動される。有機ＥＬ表示素子１０の発光状態においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域はドレイン領域として働き、他方のソース／ドレイン領域はソース領域として働く。説明の便宜のため、以下の説明において、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域を単にドレイン領域と呼び、他方のソース／ドレイン領域を単にソース領域と呼ぶ場合がある。尚、
μ ：実効的な移動度
Ｌ ：チャネル長
Ｗ ：チャネル幅
Ｖ_gs：ゲート電極とソース領域との間の電位差
Ｖ_th：閾値電圧
Ｃ_ox：（ゲート絶縁層の比誘電率）×（真空の誘電率）／（ゲート絶縁層の厚さ）
ｋ≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox
とする。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_gs−Ｖ_th）² （１）

このドレイン電流Ｉ_dsが有機ＥＬ表示素子１０の発光部ＥＬＰを流れることで、有機ＥＬ表示素子１０の発光部ＥＬＰが発光する。更には、このドレイン電流Ｉ_dsの値の大小によって、有機ＥＬ表示素子１０の発光部ＥＬＰにおける発光状態（輝度）が制御される。

［書込みトランジスタＴＲ_W］
書込みトランジスタＴＲ_Wの他方のソース／ドレイン領域は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に接続されている。一方、書込みトランジスタＴＲ_Wの一方のソース／ドレイン領域は、データ線ＤＴＬに接続されている。そして、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_Sigが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。尚、データ線ＤＴＬを介して、Ｖ_Sig以外の種々の信号・電圧（プリチャージ駆動のための信号や各種の基準電圧等）が、一方のソース／ドレイン領域に供給されてもよい。また、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン／オフ動作は、書込みトランジスタＴＲ_Wのゲート電極に接続された走査線ＳＣＬからの信号、具体的には、走査回路１０１からの信号によって制御される。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰのアノード電極は、上述のとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのソース領域に接続されている。一方、発光部ＥＬＰのカソード電極は、電圧Ｖ_Catが印加される給電線ＰＳ２に接続されている。発光部ＥＬＰの寄生容量を符号Ｃ_ELで表す。また、発光部ＥＬＰの発光に必要とされる閾値電圧をＶ_th-ELとする。即ち、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間にＶ_th-EL以上の電圧が印加されると、発光部ＥＬＰは発光する。

次いで、実施例１における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。

以下の説明において、電圧あるいは電位の値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

Ｖ_Sig ：発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号
・・・０ボルト〜１０ボルト
Ｖ_CC-H ：発光部ＥＬＰに電流を流すための駆動電圧
・・・２０ボルト
Ｖ_CC-L ：第２ノード初期化電圧
・・・−１０ボルト
Ｖ_Ofs ：駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（第１ノードＮＤ₁の電位）を初期
化するための第１ノード初期化電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th ：駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧
・・・３ボルト
Ｖ_Cat ：発光部ＥＬＰのカソード電極に印加される電圧
・・・０ボルト
Ｖ_th-EL：発光部ＥＬＰの閾値電圧
・・・３ボルト

各実施例における発光部ＥＬＰの駆動方法は、上述した駆動回路を用いて、
（ａ）第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを越え、且つ、第２ノードＮＤ₂と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差が発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELを越えないように、第１ノードＮＤ₁の電位及び第２ノードＮＤ₂の電位を初期化する前処理を行い、次いで、
（ｂ）第１ノードＮＤ₁の電位を保った状態で、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
（ｃ）走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_Sigを第１ノードＮＤ₁に印加する書込み処理を行い、次いで、
（ｄ）走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とすることにより第１ノードＮＤ₁を浮遊状態とし、
（ｅ）電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dを介して第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動した後、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、少なくとも１回行う、
工程を備えている。

そして、各実施例における発光部ＥＬＰの駆動方法にあっては、工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする。

図４に、実施例１に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。後程詳しく説明するが、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₆］の終期と［期間−ＴＰ（２）₊₁］の始期との間には、［期間−ＴＰ（２）₇］と［期間−ＴＰ（２）₈］とが存在する。そして、［期間−ＴＰ（２）₇］において、上述した補助駆動工程が行われる。

先ず、発明の理解を助けるために、実施例１に係る発光部ＥＬＰの駆動方法の工程のうち、上述した補助駆動工程を省略した場合の動作と、その場合の問題点について説明する。図４に示す［期間−ＴＰ（２）₇］及び［期間−ＴＰ（２）₈］における動作を省略し、これらの期間を全て直前の［期間−ＴＰ（２）₆’］に含ませた、参考例に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に図５に示し、各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図６の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図７の（Ａ）及び（Ｂ）に示す。

図５に示す［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₃］は、書込み処理が行われる［期間−ＴＰ（２）₄］の直前までの動作期間である。そして、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₃］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は原則として非発光状態にある。図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］の他、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₃］は第ｍ番目の水平走査期間に包含される。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）₁］の始期、及び、［期間−ＴＰ（２）₄］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期及び終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（２）₀］〜［期間−ＴＰ（２）₃］の各期間について、説明する。尚、［期間−ＴＰ（２）₁］〜［期間−ＴＰ（２）₃］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（２）₀］（図５、図６の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（２）₀］は、前の表示フレームにおける第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間までの期間である。そして、この［期間−ＴＰ（２）₀］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は、非発光状態にある。［期間−ＴＰ（２）₀］の始期は図示されていないが、電源部１００から供給される電圧が駆動電圧Ｖ_CC-Hから第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lに切り替えられる。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

後述するように、実施例１の有機ＥＬ表示装置にあっては、各水平走査期間において、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬに、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを印加し、次いで、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsに代えて映像信号Ｖ_Sigを印加する。より具体的には、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間に対応して、データ線ＤＴＬには、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsが印加され、次いで、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsに代えて第（ｎ，ｍ）番目の副画素に対応する映像信号（便宜のため、Ｖ_{Sig_m}と表す。他の映像信号においても同様である。）が印加される。同様に、第（ｍ＋１）番目の水平走査期間に対応して、データ線ＤＴＬには、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsが印加され、次いで、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsに代えて第（ｎ，ｍ＋１）番目の副画素に対応する映像信号Ｖ_{Sig_m+1}が印加される。図５においては記載を省略したが、第ｍ番目及び第（ｍ＋１）番目の水平走査期間以外の各水平走査期間においても、データ線ＤＴＬには第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsと映像信号Ｖ_Sigとが印加される。

［期間−ＴＰ（２）₁］（図５、図６の（Ｂ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（２）₁］において、上記の工程（ａ）、即ち、上述した前処理を行う。

実施例１にあっては、前記工程（ａ）において、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを第１ノードＮＤ₁に印加する。また、前記工程（ａ）において、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lを第２ノードＮＤ₂に印加する。

具体的には、［期間−ＴＰ（２）₁］の開始時、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（０ボルト）となる。電源部１００から第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lを第２ノードＮＤ₂に印加しているので、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-L（−１０ボルト）を保持する。

第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差は１０ボルトであり、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thは３ボルトであるので、駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態である。尚、第２ノードＮＤ₂と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差は−１０ボルトであり、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELを越えない。これにより、第１ノードＮＤ₁の電位及び第２ノードＮＤ₂の電位を初期化する前処理が完了する。

［期間−ＴＰ（２）₂］（図５、図６の（Ｃ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）₂］において、上記の工程（ｂ）、即ち、上述した閾値電圧キャンセル処理を行う。

実施例１にあっては、前記工程（ｂ）において、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを第１ノードＮＤ₁に印加した状態を維持し、以て、第１ノードＮＤ₁の電位を保った状態とする。また、前記工程（ｂ）において、電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電圧よりも高い電圧を印加し、以て、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって第２ノードＮＤ₂の電位を変化させる。

即ち、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、電源部１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Lから電圧Ｖ_CC-Hに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（２）₂］の長さは、第２ノードＮＤ₂の電位を充分変化させるのに足りる長さであるとする。

この［期間−ＴＰ（２）₂］が充分長ければ、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の電位差がＶ_thに達し、駆動トランジスタＴＲ_Dはオフ状態となる。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。ここで、以下の式（２）が保証されていれば、云い換えれば、式（２）を満足するように電位を選択、決定しておけば、発光部ＥＬＰが発光することはない。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２）

この［期間−ＴＰ（２）₂］にあっては、第２ノードＮＤ₂の電位は、最終的に、（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（２）₃］（図５、図６の（Ｄ）参照）
この［期間−ＴＰ（２）₃］の始期において、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とする。また、データ線ＤＴＬに印加される電圧が、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsから映像信号Ｖ_{Sig_m}に切り替わる。閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない。尚、閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態に達していない場合には、［期間−ＴＰ（２）₃］においてブートストラップ動作が生じ、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は多少上昇する。

［期間−ＴＰ（２）₄］（図５、図６の（Ｅ）参照）
この期間内に、上記の工程（ｃ）、即ち、上述した書込み処理を行う。走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。そして、書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_{Sig_m}を第１ノードＮＤ₁に印加する。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_{Sig_m}へと上昇する。駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態である。尚、場合によっては、［期間−ＴＰ（２）₃］において書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を保った構成とすることもできる。この構成にあっては、［期間−ＴＰ（２）₃］においてデータ線ＤＴＬの電圧が第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsから映像信号Ｖ_{Sig_m}に切り替わると直ちに書込み処理が開始される。

ここで、容量部Ｃ₁の容量は値ｃ₁であり、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの容量は値ｃ_ELとする。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量を値ｃ_gsとする。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位がＶ_OfsからＶ_{Sig_m}（＞Ｖ_Ofs）に変化したとき、容量部Ｃ₁の両端の電位（第１ノードＮＤ₁及び第２ノードＮＤ₂の電位）は、原則として、変化する。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位（＝第１ノードＮＤ₁の電位）の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく電荷が、容量部Ｃ₁、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_EL、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極と他方のソース／ドレイン領域との間の寄生容量に振り分けられる。然るに、値ｃ_ELが、値ｃ₁及び値ｃ_gsと比較して十分に大きな値であれば、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位の変化分（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs）に基づく駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位の変化は小さい。そして、一般に、発光部ＥＬＰの容量Ｃ_ELの容量の値ｃ_ELは、容量部Ｃ₁の容量の値ｃ₁及び駆動トランジスタＴＲ_Dの寄生容量の値ｃ_gsよりも大きい。従って、上述した説明においては、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮していない。また、特段の必要がある場合を除き、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化は考慮せずに説明を行う。他の実施例においても同様である。尚、駆動のタイミングチャートは、第１ノードＮＤ₁の電位変化により生ずる第２ノードＮＤ₂の電位変化を考慮せずに示した。

上述した書込み処理にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には電源部１００から駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。この電位の上昇量（図５に示すΔＶ）については後述する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極（第１ノードＮＤ₁）の電位をＶ_g、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域（第２ノードＮＤ₂）の電位をＶ_sとしたとき、上述した第２ノードＮＤ₂の電位の上昇を考慮しなければ、Ｖ_gの値、Ｖ_sの値は以下のとおりとなる。第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位差、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、以下の式（３）で表すことができる。

Ｖ_g ＝Ｖ_{Sig_m}
Ｖ_s ≒Ｖ_Ofs−Ｖ_th
Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th） （３）

即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dに対する書込み処理において得られたＶ_gsは、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_{Sig_m}、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存している。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

次いで、上述した［期間−ＴＰ（２）₄］における第２ノードＮＤ₂の電位の上昇について説明する。上述した駆動方法にあっては、書込み処理において、駆動トランジスタＴＲ_Dの特性（例えば、移動度μの大小等）に応じて駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域の電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）を上昇させる移動度補正処理が併せて行われる。

駆動トランジスタＴＲ_Dをポリシリコン薄膜トランジスタ等から作製した場合、トランジスタ間で移動度μにばらつきが生ずることは避け難い。従って、移動度μに差異がある複数の駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に同じ値の映像信号Ｖ_Sigを印加したとしても、移動度μの大きい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsと、移動度μの小さい駆動トランジスタＴＲ_Dを流れるドレイン電流Ｉ_dsとの間に、差異が生じてしまう。そして、このような差異が生ずると、有機ＥＬ表示装置の画面の均一性（ユニフォーミティ）が損なわれてしまう。

上述した駆動方法にあっては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域には電源部１００から駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態で、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に映像信号Ｖ_{Sig_m}が印加される。このため、図５に示すように、［期間−ＴＰ（２）₄］において第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が大きい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位（即ち、第２ノードＮＤ₂の電位）の上昇量ΔＶ（電位補正値）は大きくなる。逆に、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μの値が小さい場合、駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位の上昇量ΔＶ（電位補正値）は小さくなる。ここで、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（３）から以下の式（４）のように変形される。

Ｖ_gs≒Ｖ_{Sig_m}−（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）−ΔＶ （４）

尚、書き込み処理を実行するための所定の時間（図５においては、［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間ｔ₀）は、有機ＥＬ表示装置の設計の際、設計値として予め決定しておけばよい。また、このときの駆動トランジスタＴＲ_Dの他方のソース／ドレイン領域における電位（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）が以下の式（２’）を満足するように、［期間−ＴＰ（２）₄］の全時間ｔ₀は決定されている。そして、これによって、［期間−ＴＰ（２）₄］において、発光部ＥＬＰが発光することはない。更には、この移動度補正処理によって、係数ｋ（≡（１／２）・（Ｗ／Ｌ）・Ｃ_ox）のばらつきの補正も同時に行われる。

（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＋ΔＶ）＜（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat） （２’）

［期間−ＴＰ（２）₅］（図５、及び、図６の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。その後、この［期間−ＴＰ（２）₅］において、上記の工程（ｅ）の前半を構成する発光部ＥＬＰの駆動を行う。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から駆動電圧Ｖ_CC-Hが印加された状態を維持した状態で、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とする。従って、以上の結果として、第２ノードＮＤ₂の電位は上昇する。

ここで、上述したとおり、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極は浮遊状態にあり、しかも、容量部Ｃ₁が存在するが故に、所謂ブートストラップ回路におけると同様の現象が駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極に生じ、第１ノードＮＤ₁の電位も上昇する。その結果、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、式（４）の値を保持する。

また、第２ノードＮＤ₂の電位が上昇し、（Ｖ_th-EL＋Ｖ_Cat）を越えるので、発光部ＥＬＰは発光を開始する。このとき、発光部ＥＬＰを流れる電流は、駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsであるので、式（１）で表すことができる。ここで、式（１）と式（４）から、式（１）は、以下の式（５）にように変形することができる。

Ｉ_ds＝ｋ・μ・（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）² （５）

従って、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、例えば、Ｖ_Ofsを０ボルトに設定したとした場合、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号Ｖ_{Sig_m}の値から、駆動トランジスタＴＲ_Dの移動度μに起因した電位補正値ΔＶの値を減じた値の２乗に比例する。云い換えれば、発光部ＥＬＰを流れる電流Ｉ_dsは、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-EL、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thには依存しない。即ち、発光部ＥＬＰの発光量（輝度）は、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELの影響、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thの影響を受けない。そして、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０の輝度は、係る電流Ｉ_dsに対応した値である。

しかも、移動度μの大きな駆動トランジスタＴＲ_Dほど、電位補正値ΔＶが大きくなるので、式（４）の左辺のＶ_gsの値が小さくなる。従って、式（５）において、移動度μの値が大きくとも、（Ｖ_{Sig_m}−Ｖ_Ofs−ΔＶ）²の値が小さくなる結果、ドレイン電流Ｉ_dsを補正することができる。即ち、移動度μの異なる駆動トランジスタＴＲ_Dにおいても、映像信号Ｖ_Sigの値が同じであれば、ドレイン電流Ｉ_dsが略同じとなる結果、発光部ＥＬＰを流れ、発光部ＥＬＰの輝度を制御する電流Ｉ_dsが均一化される。これにより、移動度μのばらつき（更には、ｋのばらつき）に起因する発光部ＥＬＰの輝度のばらつきを補正することができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間終期は、［期間−ＴＰ（２）₅］の終期に相当する。

［期間−ＴＰ（２）₆’］（図５、及び、図７の（Ａ）参照）
次いで、上記の工程（ｅ）の後半を構成する、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する工程を行う。

実施例１にあっては、前記工程（ｅ）において、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lを第２ノードＮＤ₂に印加し、以て、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する。

具体的には、書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（２）₆’］の始期（換言すれば、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期）において、電源部１００から供給される電圧を、電圧Ｖ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

そして、上述した非発光状態を、次のフレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、図５に示す［期間−ＴＰ（２）₊₁］の始期の直前に相当する。このように、発光部ＥＬＰを発光状態とした後に、発光部ＥＬＰを非発光状態とすることにより、アクティブマトリクス駆動に伴う残像ボケが低減され、動画品位をより優れたものとすることができる。

そして、［期間−ＴＰ（２）₊₁］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（２）₁］乃至［期間−ＴＰ（２）₆’］において説明したと同様の工程がくり返される（図５、及び、図７の（Ｂ）参照）。

上述した参考例の駆動方法により発光部ＥＬＰを駆動する有機ＥＬ表示装置にあっては、例えば或るパターンを長時間表示させると、そのパターンに応じた輝度変化が残る場合がある。背景技術において説明したが、図３３の（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置の表示領域ＥＡにおいて、領域Ａを白表示とし、窓状の領域Ｂを黒表示として長時間表示させる。そして、その後、表示領域ＥＡ全体を白表示とすると、図３３の（Ｂ）に示すように、領域Ｂに相当する部分の輝度に対し、領域Ａに対応する部分の輝度は相対的に低くなるといった現象が認められる。その結果、有機ＥＬ表示装置の表示品質の低下を招くといった問題が生ずる。

発明者らは、図５に示す駆動のタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動し、図３３の（Ａ）のパターンを有機ＥＬ表示装置に長時間表示させた後に、発光部ＥＬＰの電圧−電流特性の変化を測定した。具体的には、領域Ａ（白表示部分）の画素を構成していた或る発光色（例えば、緑色）の発光部ＥＬＰの両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定した。同様に、領域Ｂ（黒表示部分）の画素を構成していた該或る発光色の発光部ＥＬＰの両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定した。測定結果を図８の（Ａ）に示す。

その結果、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰと、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰとの間には、主に逆方向電流の値に差があることが認められた。具体的には、図８の（Ａ）に示すように、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰは、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰに対し、逆方向電流の電流値の絶対値が大きくなる傾向が認められた。発明者らは、この発光部ＥＬＰにおける逆方向電流の特性の変化が［期間−ＴＰ（２）₂］乃至［期間−ＴＰ（２）₃］において第２ノードＮＤ₂の電位に与える影響、更には、発光部ＥＬＰの輝度に与える影響について、以下のように考察した。

図５を参照して［期間−ＴＰ（２）₂］の動作を説明したが、上述した説明にあっては、発光部ＥＬＰの逆方向電流については特段考慮されていない。しかしながら、［期間−ＴＰ（２）₂］にあっては、発光部ＥＬＰには逆方向電圧が印加された状態にある。［期間−ＴＰ（２）₃］においても同様である。

図８の（Ｂ）は、発光部ＥＬＰに流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）₂］における第２ノードＮＤ₂の電位変化を説明するための模式的な回路図である。図８の（Ｃ）は、発光部ＥＬＰに流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）₃］における第２ノードＮＤ₂の電位変化を説明するための模式的な回路図である。

図８の（Ｂ）に示すように、［期間−ＴＰ（２）₂］においては、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰには相対的に大きな逆方向電流が流れる。同様に、図８の（Ｃ）に示すように、［期間−ＴＰ（２）₃］においても、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰには相対的に大きな逆方向電流が流れる。

図９は、発光部ＥＬＰの逆方向電流に差があるときの、駆動回路１１における第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位変化を示した模式図である。発光部ＥＬＰの逆方向電流が大きくなると、［期間−ＴＰ（２）₂］乃至［期間−ＴＰ（２）₃］において、第２ノードＮＤ₂の電位はより上昇する。これに伴い、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との電位差はより小さくなる。

従って、発光部ＥＬＰの逆方向電流が大きくなると、［期間−ＴＰ（２）₅］において駆動トランジスタＴＲ_Dを流れる電流は減少し、第２ノードＮＤ₂の電位上昇は小さくなると共に、ブートストラップ動作による第１ノードＮＤ₁の電位上昇も小さくなる。そして、［期間−ＴＰ（２）₅］において駆動トランジスタＴＲ_Dを流れる電流が減少するのであるから、発光部ＥＬＰの輝度も減少する。即ち、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの輝度は、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの輝度に対して相対的に低下する。これにより、図３３の（Ｂ）に示す現象が発生し得る。

そこで、発明者らは、図３３の（Ｂ）に示す輝度差の程度を軽減することができる駆動方法について種々検討した。その結果、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする駆動方法によって、図３３の（Ｂ）に示す輝度差の程度を軽減することができることを見いだした。

上述したように、図４は、補助駆動工程を備えている実施例１に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートの模式図である。実施例１にあっては、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間、より具体的には、［期間−ＴＰ（２）₆］の次の［期間−ＴＰ（２）₇］において補助駆動工程を行う。そして、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間、より具体的には、［期間−ＴＰ（２）₇］の終期から［期間−ＴＰ（２）₊₂］の終期までの期間Ｔ_Dは１ミリ秒以下とする。尚、図示されていないが、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₀］の前においても、上述したと同様の補助駆動工程が行われる。図４に示す［期間−ＴＰ（２）₇］乃至［期間−ＴＰ（２）₊₂］における各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１０の（Ａ）乃至（Ｄ）に示す。

図４に示す［期間−ＴＰ（２）₀］乃至［期間−ＴＰ（２）₅］における動作は、図５を参照して説明した［期間−ＴＰ（２）₀］乃至［期間−ＴＰ（２）₅］における動作と同様であるので、説明を省略する。図４に示す［期間−ＴＰ（２）₆］における動作は、終期が異なる他は、図５を参照して説明した［期間−ＴＰ（２）₆’］における動作と同様であるので説明を省略する。図４に示す［期間−ＴＰ（２）₆］は、例えば、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の直前まで継続される。ここで、「Δｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

実施例１においては、書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（２）₇］の始期、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の始期において、電源部１００の電圧を電圧Ｖ_CC-Lから電圧Ｖ_CC-Hに切り替え、［期間−ＴＰ（２）₇］の間この状態を維持する。これにより、［期間−ＴＰ（２）₇］に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧が印加される。実施例１にあっては、［期間−ＴＰ（２）₇］の長さは、略３ミリ秒となる所定の長さに固定されている。後述する他の実施例においても同様である。

駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、基本的には上述した式（４）の値を保持した状態であるので、図１０の（Ａ）に示すように、発光部ＥＬＰには、上述した式（５）に示す値のドレイン電流Ｉ_dsが流れる。即ち、実施例１にあっては、補助駆動工程は、電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dを介して第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動する工程である。

そして、書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（２）₈］の始期において、電源部１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

そして、発光部ＥＬＰの非発光状態を、次のフレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間まで継続する。この時点は、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₊₁］の始期の直前に相当する。

そして、［期間−ＴＰ（２）₊₁］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（２）₁］乃至［期間−ＴＰ（２）₈］において説明したと同様の工程がくり返される。即ち、［期間−ＴＰ（２）₊₁］においては、図４において説明した［期間−ＴＰ（２）₁］と同様に工程（ａ）、即ち前処理が行われる（図１０の（Ｃ）参照）。また、［期間−ＴＰ（２）₊₂］においては、図４において説明した［期間−ＴＰ（２）₂］と同様に工程（ｂ）、即ち閾値電圧キャンセル処理が行われる（図１０の（Ｄ）参照）。

ここで、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間は１ミリ秒以下となるように設定されている。具体的には、補助駆動工程の終期である［期間−ＴＰ（２）₇］の終期から、次の工程（ｂ）の始期である［期間−ＴＰ（２）₊₂］の始期まで
の、図４に示す期間Ｔ_Dが１ミリ秒以下となるように、［期間−ＴＰ（２）₇］及び［期間−ＴＰ（２）₈］は設定されている。

図１１は、図５に示す駆動のタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動し、図３３の（Ａ）のパターンを有機ＥＬ表示装置に長時間表示させた後に、図４及び図５に示す駆動のタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動すると共に、有機ＥＬ表示装置を全白表示としたときの、領域Ａと領域Ｂの輝度を説明するための模式図である。

先ず、補助駆動工程を行わない図５に示すタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動すると共に、有機ＥＬ表示装置を全白表示とした。このとき、領域Ｂの輝度を１として正規化すると、領域Ａの輝度は０．９５であった。

次いで、図４に示すタイミングチャートで有機ＥＬ表示装置を駆動し、全白表示とした。尚、補助駆動工程においても発光部ＥＬＰが発光するので、実質的に発光期間が増加し、輝度は若干増加する。上述した期間Ｔ_Dを３ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度を１として規格化すると、領域Ａの輝度は０．９５であった。期間Ｔ_Dを２ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度は１．００であり、領域Ａの輝度は０．９５であった。期間Ｔ_Dを１ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度は０．９５であり、領域Ａの輝度は０．９２であった。期間Ｔ_Dを０．５ミリ秒に設定したときの領域Ｂの輝度は０．９０であり、領域Ａの輝度は０．９０であった。

期間Ｔ_Dが２ミリ秒〜３ミリ秒程度の場合、領域Ａと領域Ｂの輝度差の程度の軽減効果は認められなかった。しかしながら、期間Ｔ_Dを１ミリ秒とすると、領域Ａと領域Ｂの輝度差の程度が若干軽減され、期間Ｔ_Dを０．５ミリ秒とすると、領域Ａと領域Ｂの輝度差は殆ど認められなくなった。

このように、期間Ｔ_Dを短くすればする程、有機ＥＬ表示装置全体の輝度が低下しつつ、且つ、領域Ａと領域Ｂの輝度差の程度が軽減されるといった傾向が認められる。このような傾向を生ずる理由の詳細は明らかではないが、期間Ｔ_Dを短くすればする程、［期間−ＴＰ（２）₂］と［期間−ＴＰ（２）₃］において発光部ＥＬＰの逆方向電流が増加することが推定される。また、期間Ｔ_Dを短くすればする程、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの逆方向電流特性と、領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰの逆方向電流特性との差が減少することが推定される。即ち、発光部ＥＬＰの両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定したときの特性は図８の（Ａ）のままである。しかしながら、動的な動作時の発光部ＥＬＰの逆方向電流特性は、例えば期間Ｔ_Dを０．５ミリ秒に設定したときには、図１２の波線で示すように、領域Ａ（白表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰと領域Ｂ（黒表示部分）を構成していた発光部ＥＬＰとで同様の挙動を示すと推定される。

以上、実施例１の発光部ＥＬＰの駆動方法について説明した。以下、実施例１の変形例について説明する。

図１３は、変形例１に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートの模式図である。変形例１では、発光部ＥＬＰを駆動した後発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、複数回行う。図１３では、一連の工程を２回行う場合の例を示した。即ち、図１３に示す［期間−ＴＰ（２）₅］乃至［期間−ＴＰ（２）_6A］が１回目の一連の工程に該当し、［期間−ＴＰ（２）_6B］乃至［期間−ＴＰ（２）_6C］が２回目の一連の工程に該当する。これにより、有機ＥＬ表示装置に表示される画像のちらつき（フリッカ）をより低減することができる。［期間−ＴＰ（２）_6A］及び［期間−ＴＰ（２）_6C］における駆動回路１１の動作は、基本的には図５の［期間−ＴＰ（２）₆］を参照して説明したと同様である。また、［期間−ＴＰ（２）_6B］の動作は、基本的には図５の［期間−ＴＰ（２）₇］を参照して説明したと同様である。

図１４は、変形例２に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートの模式図である。変形例２は、変形例１に対し、電源部１００は、第２ノード初期化電圧として２種類の電圧を供給する点が相違する。具体的には、第２ノード初期化電圧として上述した電圧Ｖ_CC-Lの他、中間電圧Ｖ_CC-M（例えば、−３ボルト）を供給する。そして、［期間−ＴＰ（２）_6A］及び［期間−ＴＰ（２）_6C］において、電源部１００は、中間電圧Ｖ_CC-Mを印加する。例えば、［期間−ＴＰ（２）_6A］において第２ノードＮＤ₁の電位が大きく低下する程、寄生容量等の影響により第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差が減少し、［期間−ＴＰ（２）_6B］における発光部ＥＬＰの輝度が低下するといった問題が発生する。中間電圧Ｖ_CC-Mを供給することにより、このような輝度の低下を軽減することができる。

尚、上述した図４の［期間−ＴＰ（２）₆］において、電源部１００が上述した中間電圧Ｖ_CC-Mを印加するといった、図１５に示す構成とすることもできる（変形例３）。更には、図４、図１３、図１４及び図１５に示す［期間−ＴＰ（２）₈］において、電源部１００が中間電圧Ｖ_CC-Mを印加するといった構成、あるいは又、［期間−ＴＰ（２）₈］を省略し、補助駆動工程の後直ぐに前処理工程を行うといった構成とすることもできる。

実施例２も、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例２にあっては、駆動回路１１は３トランジスタ／１容量部から構成されている（第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。実施例２における有機ＥＬ表示装置の概念図を図１６に示し、駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図１７に示す。

先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。

第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路も、上述した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタ、１つの容量部Ｃ₁を備えている。そして、第１の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、更に、第１トランジスタＴＲ₁を備えている。

［駆動トランジスタＴＲ_D］
駆動トランジスタＴＲ_Dの構成は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲ_Dの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例１においては、電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電圧Ｖ_CC-Lを印加することにより、第２ノードＮＤ₂の電位を初期化した。一方、実施例２においては、後述するように、第１トランジスタＴＲ₁を用いて第２ノードＮＤ₂の電位を初期化する。従って、実施例２においては、第２ノードＮＤ₂の電位の初期化のために、電源部１００から電圧Ｖ_CC-Lを印加する必要はない。以上の理由により、実施例２においては、電源部１００は一定の電圧Ｖ_CCを印加する。

［書込みトランジスタＴＲ_W］
書込みトランジスタＴＲ_Wの構成は、実施例１において説明した書込みトランジスタＴＲ_Wの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。実施例１と同様に、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、発光部ＥＬＰにおける輝度を制御するための映像信号（駆動信号、輝度信号）Ｖ_Sig、更には、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsが、一方のソース／ドレイン領域に供給される。

［第１トランジスタＴＲ₁］
第１トランジスタＴＲ₁においては、
（Ｃ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードＮＤ₂に接続されており、
（Ｃ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第２ノード初期化電圧Ｖ_SSが印加され、
（Ｃ−３）ゲート電極は、第１トランジスタ制御線ＡＺ１に接続されている。電圧Ｖ_SSについては後述する。

第１トランジスタＴＲ₁のオン状態／オフ状態は、第１トランジスタ制御線ＡＺ１からの信号により制御される。より具体的には、第１トランジスタ制御線ＡＺ１は、第１トランジスタ制御回路１０３に接続されている。そして、第１トランジスタ制御回路１０３の動作に基づき、第１トランジスタ制御線ＡＺ１をローレベルあるいはハイレベルとし、第１トランジスタＴＲ₁をオン状態あるいはオフ状態とする。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、実施例１において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

次いで、実施例２における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。

以下の説明において、電圧Ｖ_CCの値、及び、電圧Ｖ_SSの値を以下のとおりとするが、これは、あくまでも説明のための値であり、これらの値に限定されるものではない。

Ｖ_CC ：発光部ＥＬＰに電流を流すための駆動電圧
・・・２０ボルト
Ｖ_SS ：第２ノードＮＤ₂の電位を初期化するための第２ノード初期化電圧
・・・−１０ボルト

図１８に、補助駆動工程を備えている実施例２の駆動方法に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。後程詳しく説明するが、図１８に示す［期間−ＴＰ（３）₆］の終期と［期間−ＴＰ（３）₊₁］の始期との間には、［期間−ＴＰ（３）₇］と［期間−ＴＰ（３）₈］とが存在する。そして、［期間−ＴＰ（３）₇］において、上述した補助駆動工程が行われる。各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図１９の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図２０の（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。

図１８に示す［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₃］は、書込み処理が行われる［期間−ＴＰ（３）₄］の直前までの動作期間である。そして、［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₃］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は原則として非発光状態にある。図１８に示すように、［期間−ＴＰ（３）₄］の他、［期間−ＴＰ（３）₁］〜［期間−ＴＰ（３）₃］は第ｍ番目の水平走査期間に包含される。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３）₁］の始期、及び、［期間−ＴＰ（３）₄］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（３）₀］〜［期間−ＴＰ（３）₃］の各期間について、説明する。尚、［期間−ＴＰ（３）₁］〜［期間−ＴＰ（３）₃］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。

［期間−ＴＰ（３）₀］（図１９の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（３）₀］は、前の表示フレームにおける補助駆動期間の終了後から、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間までの期間である。そして、この［期間−ＴＰ（３）₀］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は、非発光状態にある。［期間−ＴＰ（３）₀］において、第１トランジスタＴＲ₁はオン状態である。第２ノードＮＤ₂には、オン状態の第１トランジスタＴＲ₁を介して第２ノード初期化電圧Ｖ_SSが印加される。

第２ノードＮＤ₂には、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電圧Ｖ_CCも印加されている。このため、第２ノードＮＤ₂の電位は、電圧Ｖ_SS及び電圧Ｖ_CC、並びに、第１トランジスタＴＲ₁のオン抵抗の値及び駆動トランジスタＴＲ_Dのオン抵抗の値により定まる。ここで、第１トランジスタＴＲ₁のオン抵抗が充分低いとすれば、第２ノードＮＤ₂の電位は、略Ｖ_SSまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。以下、便宜のため、第１トランジスタＴＲ₁がオン状態であるときは、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_SSであるとして説明する。また、図１８においても、第１トランジスタＴＲ₁がオン状態であるときは、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_SSであるとして表した。

実施例２の有機ＥＬ表示装置においても、各水平走査期間において、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬに、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを印加し、次いで、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsに代えて映像信号Ｖ_Sigを印加する。詳細は、実施例１において説明したと同様であるので、説明を省略する。

［期間−ＴＰ（３）₁］（図１９の（Ｂ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ行目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３）₁］において、上記の工程（ａ）、即ち、上述した前処理が行われる。

実施例１とは異なり、実施例２にあっては、前記工程（ａ）において、第１トランジスタ制御線ＡＺ１からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタＴＲ₁を介して、第２ノードＮＤ₂に第２ノード初期化電圧Ｖ_SSを印加する。尚、実施例１と同様に、前記工程（ａ）において、走査線ＳＣＬからの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを第１ノードＮＤ₁に印加する。

具体的には、第１トランジスタＴＲ₁のオン状態を維持し、［期間−ＴＰ（３）₁］の開始時、走査線ＳＣＬをハイレベルとすることによって、書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（０ボルト）となる。第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_SS（−１０ボルト）を保持する。

実施例１の［期間−ＴＰ（２）₁］において説明したと同様に、第２ノードＮＤ₂と発光部ＥＬＰに備えられたカソード電極との間の電位差は−１０ボルトであり、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELを越えない。これにより、第１ノードＮＤ₁の電位及び第２ノードＮＤ₂の電位を初期化する前処理が完了する。

［期間−ＴＰ（３）₂］（図１９の（Ｃ）参照）
この［期間−ＴＰ（３）₂］において、上記の工程（ｂ）、即ち、上述した閾値電圧キャンセル処理を行う。即ち、書込みトランジスタＴＲ_Wのオン状態を維持したまま、第１トランジスタＴＲ₁をオン状態からオフ状態とする。上述したように、実施例２においては、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に一定の電圧Ｖ_CCが印加された状態にある。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３）₃］の長さは、第２ノードＮＤ₂の電位を充分変化させるのに足りる長さであるとする。

実施例１の［期間−ＴＰ（２）₂］において説明したと同様に、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。上述した式（２）が保証されていれば、発光部ＥＬＰが発光することはない。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（３）₃］（図１８、図１９の（Ｄ）参照）
第１トランジスタＴＲ₁のオフ状態を保った状態で、この［期間−ＴＰ（３）₃］の始期において、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とする。また、データ線ＤＴＬに印加される電圧が、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsから映像信号Ｖ_{Sig_m}に切り替わる。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）₃］において説明したと同様であるので、説明を省略する。

［期間−ＴＰ（３）₄］（図１８、図１９の（Ｅ）参照）
この期間内に、上記の工程（ｃ）、即ち、上述した書込み処理を行う。具体的には、第１トランジスタＴＲ₁のオフ状態を保った状態で、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。そして、書込みトランジスタＴＲ_Wを介して、データ線ＤＴＬから映像信号Ｖ_{Sig_m}を第１ノードＮＤ₁に印加する。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_{Sig_m}へと上昇する。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）₄］の説明において電圧Ｖ_CC-Hを電圧Ｖ_CCと読み替えたと同様であるので、説明を省略する。駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、上述した式（４）で表される。

［期間−ＴＰ（３）₅］（図１８、及び、図１９の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。その後、この［期間−ＴＰ（３）₅］において、上記の工程（ｅ）の前半を構成する発光部ＥＬＰの駆動を行う。具体的には、第１トランジスタＴＲ₁のオフ状態を保持する。そして、駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電源部１００から電圧Ｖ_CCが印加された状態を維持した状態で、走査回路１０１の動作に基づき走査線ＳＣＬをローレベルとし、書込みトランジスタＴＲ_Wをオフ状態とし、第１ノードＮＤ₁、即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極を浮遊状態とする。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）₅］の説明において電圧Ｖ_CC-Hを電圧Ｖ_CCと読み替えたと同様であるので、説明を省略する。駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsは、上述した式（５）で表すことができる。

そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間の終期は、［期間−ＴＰ（３）₅］の終期に相当する。

［期間−ＴＰ（３）₆］（図１８、及び、図２０の（Ａ）参照）
次いで、上記の工程（ｅ）の後半を構成する、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する工程を行う。

実施例２にあっては、前記工程（ｅ）において、第１トランジスタ制御線ＡＺ１からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタＴＲ₁を介して、第２ノードＮＤ₂に第２ノード初期化電圧Ｖ_SSを印加し、以て、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する。

具体的には、書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３）₆］の始期（換言すれば、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期）において、第１トランジスタＴＲ₁をオフ状態からオン状態とする。そして、第１トランジスタＴＲ₁のオン状態を［期間−ＴＰ（３）₆］の終期まで保持する。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_SSまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

実施例１の［期間−ＴＰ（２）₆］において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（３）₆］は、例えば、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の直前まで継続される。ここで、「Δｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

実施例２においては、［期間−ＴＰ（３）₇］において、補助駆動工程を行う。具体的には、書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３）₇］の始期、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の始期において、第１トランジスタＴＲ₁をオン状態からオフ状態とし、［期間−ＴＰ（３）₇］の間この状態を維持する。これにより、［期間−ＴＰ（３）₇］に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧が印加される。実施例２においても、［期間−ＴＰ（３）₇］の長さは、略２ミリ秒となる所定の長さに固定されている。

実施例１の［期間−ＴＰ（２）₇］において説明したと同様に、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、基本的には上述した式（４）の値を保持した状態であるので、図２０の（Ｂ）に示すように、発光部ＥＬＰには、上述した式（５）に示す値のドレイン電流Ｉ_dsが流れる。即ち、実施例２においても、補助駆動工程は、電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dを介して第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動する工程である。

そして、書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３）₈］の始期において、第１トランジスタＴＲ₁をオフ状態からオン状態とする。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_SSまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する（図２０の（Ｃ）参照）。

そして、［期間−ＴＰ（３）₊₁］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（３）₁］乃至［期間−ＴＰ（３）₈］において説明したと同様の工程がくり返される。例えば、［期間−ＴＰ（３）₊₁］においては、図１９の（Ｂ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３）₁］と同様に工程（ａ）、即ち前処理が行われる（図２０の（Ｄ）参照）。また、［期間−ＴＰ（３）₊₂］においては、図１９の（Ｃ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３）₂］と同様に工程（ｂ）、即ち閾値電圧キャンセル処理が行われる（図２０の（Ｅ）参照）。

ここで、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間は１ミリ秒以下となるように設定されている。具体的には、補助駆動工程の終期である［期間−ＴＰ（３）₇］の終期から、次の工程（ｂ）の始期である［期間−ＴＰ（３）₊₂］の始期までの、図１８に示す期間Ｔ_Dが１ミリ秒以下となるように、［期間−ＴＰ（３）₇］及び［期間−ＴＰ（３）₈］は設定されている。

実施例２における効果の詳細は、実施例１において図１１を参照して説明したと同様であるので、説明を省略する。

以上、実施例２の発光部ＥＬＰの駆動方法について説明した。実施例２の変形例として、実施例１の変形例１のように、発光部ＥＬＰを駆動した後、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、複数回行う構成とすることができる。あるいは又、実施例１の変形例２や変形例３とは電圧の印加方法が相違するが、第１トランジスタを介して印加する第２ノード初期化電圧として２種類の電圧を供給する構成とすることもできる。

実施例３も、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例３においては、駆動回路１１は３トランジスタ／１容量部から構成されている（第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。実施例３における有機ＥＬ表示装置の概念図を図２１に示し、駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図２２に示す。

先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。

第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路も、上述した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタ、１つの容量部Ｃ₁を備えている。そして、第２の３Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、更に、第２トランジスタＴＲ₂を備えている。

［駆動トランジスタＴＲ_D］
駆動トランジスタＴＲ_Dの構成は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲ_Dの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。実施例３にあっては、実施例１と同様に、電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dの一方のソース／ドレイン領域に電圧Ｖ_CC-Lを印加することにより、第２ノードＮＤ₂の電位を初期化する。従って、電源部１００からは、電圧Ｖ_CC-H、及び、電圧Ｖ_CC-Lが供給される。

［書込みトランジスタＴＲ_W］
書込みトランジスタＴＲ_Wの構成は、実施例１において説明した書込みトランジスタＴＲ_Wの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例１及び実施例２においては、信号出力回路１０２からデータ線ＤＴＬを介して、映像信号Ｖ_Sig、更には、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを、一方のソース／ドレイン領域に供給する。一方、実施例３においては、後述するように、第２トランジスタＴＲ₂を用いて第１ノードＮＤ₁の電位を初期化する。従って、実施例３においては、データ線ＤＴＬから第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを印加する必要はない。以上の理由により、実施例３においては、データ線ＤＴＬには映像信号Ｖ_Sigのみが供給される。そして、実施例３においては、工程（ａ）及び工程（ｂ）、即ち、前処理や閾値電圧キャンセル処理を、第ｍ番目の水平走査期間より前の走査期間に行うことができる。

［第２トランジスタＴＲ₂］
駆動回路１１は、更に、第２トランジスタＴＲ₂を備えており、
第２トランジスタＴＲ₂においては、
（Ｄ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードＮＤ₁に接続されており、
（Ｄ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsが印加され、
（Ｄ−３）ゲート電極は、第２トランジスタ制御線ＡＺ２に接続されている。

第２トランジスタＴＲ₂のオン状態／オフ状態は、第２トランジスタ制御線ＡＺ２からの信号により制御される。より具体的には、第２トランジスタ制御線ＡＺ２は、第２トランジスタ制御回路１０４に接続されている。そして、第２トランジスタ制御回路１０４の動作に基づき、第２トランジスタ制御線ＡＺ２をローレベルあるいはハイレベルとし、第２トランジスタＴＲ₂をオン状態あるいはオフ状態とする。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、実施例１において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

次いで、実施例３における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。

図２３に、補助駆動工程を備えている実施例３に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。後程詳しく説明するが、図２３に示す［期間−ＴＰ（３Ｂ）₆］の終期と［期間−ＴＰ（３Ｂ）₊₁］の始期との間には、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］と［期間−ＴＰ（３Ｂ）₈］とが存在する。そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］において、上述した補助駆動工程が行われる。各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図２４の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図２５の（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。

図２３に示す［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］は、書込み処理が行われる［期間−ＴＰ（３Ｂ）₄］の直前までの動作期間である。そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は原則として非発光状態にある。上述した実施例１及び実施例２とは異なり、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］は、第（ｍ−１）番目の水平走査期間の終期までに行われる。そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₄］は第ｍ番目の水平走査期間に包含される。尚、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₄］の始期、及び、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₄］の終期は、それぞれ、第ｍ番目の水平走査期間の始期、及び、終期に一致するものとして説明する。

以下、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］の各期間について、説明する。尚、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］〜［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］の各期間の長さは、有機ＥＬ表示装置の設計に応じて適宜設定すればよい。ここでは、説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₂］及び［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］の各期間の長さは、１水平走査期間であるとして説明する。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］（図２３、図２４の（Ａ）参照）
この［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］は、例えば、前の表示フレームから現表示フレームにおける動作である。即ち、この［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］は、前の表示フレームにおける補助駆動期間の終了後から、現表示フレームにおける第（ｍ−４）番目の水平走査期間までの期間である。第２トランジスタＴＲ₂はオフ状態である。そして、この［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］において、第（ｎ，ｍ）番目の有機ＥＬ表示素子１０は、非発光状態にある。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］において、電源部１００から供給される電圧がＶ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替えられる。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］（図２３、図２４の（Ｂ）参照）
そして、現表示フレームにおける第（ｍ−３）番目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］において、上記の工程（ａ）、即ち、上述した前処理が行われる。

実施例１とは異なり、実施例３にあっては、前記工程（ａ）において、第２トランジスタ制御線ＡＺ２からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタＴＲ₂を介して、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを第１ノードＮＤ₁に印加する。尚、実施例１と同様に、前記工程（ａ）において、駆動トランジスタＴＲ_Dを介して、電源部１００から第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lを第２ノードＮＤ₂に印加する。

具体的には、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］の開始時、第２トランジスタＴＲ₂をオフ状態からオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は、Ｖ_Ofs（０ボルト）となる。第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-L（−１０ボルト）を保持する。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₂］（図２３、図２４の（Ｃ）参照）
そして、現表示フレームにおける第（ｍ−２）番目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３Ｂ）₂］において、上記の工程（ｂ）、即ち、上述した閾値電圧キャンセル処理を行う。

実施例３にあっては、前記工程（ｂ）において、第２トランジスタ制御線ＡＺ２からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタＴＲ₂を介して、第１ノード初期化電圧Ｖ_Ofsを第１ノードＮＤ₁に印加した状態を維持し、以て、第１ノードＮＤ₁の電位を保った状態とする。

即ち、第２トランジスタＴＲ₂のオン状態を維持したまま、電源部１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Lから電圧Ｖ_CC-Hに切り替える。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位は変化しないが（Ｖ_Ofs＝０ボルトを維持）、第１ノードＮＤ₁の電位から駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_thを減じた電位に向かって、第２ノードＮＤ₂の電位は変化する。即ち、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が上昇する。説明の便宜のため、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₂］の長さは、第２ノードＮＤ₂の電位を充分変化させるのに足りる長さであるとする。

実施例１の［期間−ＴＰ（２）₂］において説明したと同様に、浮遊状態の第２ノードＮＤ₂の電位が（Ｖ_Ofs−Ｖ_th＝−３ボルト）に近づき、最終的に（Ｖ_Ofs−Ｖ_th）となる。上述した式（２）が保証されていれば、発光部ＥＬＰが発光することはない。即ち、駆動トランジスタＴＲ_Dの閾値電圧Ｖ_th、及び、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極の電位を初期化するための電圧Ｖ_Ofsのみに依存して、第２ノードＮＤ₂の電位は決定される。そして、発光部ＥＬＰの閾値電圧Ｖ_th-ELとは無関係である。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］（図２３、図２４の（Ｄ）参照）
そして、現表示フレームにおける第（ｍ−１）番目の水平走査期間が開始する。この［期間−ＴＰ（３Ｂ）₃］の始期において、第２トランジスタＴＲ₂をオフ状態とする。閾値電圧キャンセル処理において駆動トランジスタＴＲ_Dがオフ状態に達しているとすれば、実質上、第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂の電位は変化しない。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₄］（図２３、図２４の（Ｅ）参照）
そして、現表示フレームにおける第ｍ番目の水平走査期間が開始する。データ線ＤＴＬの電圧が映像信号Ｖ_{Sig_m}に切り替わった後、走査線ＳＣＬからの信号により書込みトランジスタＴＲ_Wをオン状態とする。その結果、第１ノードＮＤ₁の電位はＶ_{Sig_m}へと上昇する。駆動トランジスタＴＲ_Dはオン状態である。動作の詳細は、実施例１の［期間−ＴＰ（２）₄］において説明したと同様であるので、説明を省略する。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₅］（図２３、及び、図２４の（Ｆ）参照）
以上の操作によって、閾値電圧キャンセル処理、書込み処理、移動度補正処理が完了する。その後、この期間において、上記の工程（ｅ）の前半を構成する発光部ＥＬＰの駆動を行う。

具体的には、第２トランジスタＴＲ₂のオフ状態を保持する。そして、実施例１の［期間−ＴＰ（２）₅］において説明したと同様の動作を行う。駆動トランジスタＴＲ_Dのドレイン領域からソース領域へと流れるドレイン電流Ｉ_dsは、上述した式（５）で表すことができる。そして、発光部ＥＬＰの発光状態を第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間まで継続する。この第（ｍ＋ｍ’−１）番目の水平走査期間の終期は、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₅］の終期に相当する。

［期間−ＴＰ（３Ｂ）₆］（図２３、及び、図２５の（Ａ）参照）
次いで、上記の工程（ｅ）の後半を構成する、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する工程を行う。具体的には、第２トランジスタＴＲ₂のオフ状態と書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₆］の始期（換言すれば、第（ｍ＋ｍ’）番目の水平走査期間の始期）において、電源部１００から供給される電圧を、Ｖ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する。

実施例１の［期間−ＴＰ（２）₆］において説明したと同様に、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₆］は、例えば、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）行目に配列された各有機ＥＬ表示素子１０の水平走査期間、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の直前まで継続される。ここで、「Δｍ’」は、有機ＥＬ表示装置の設計仕様によって決定される。（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）の値がＭを越える場合、越えた分の水平走査期間は、次の表示フレームにおいて処理される。

実施例３においては、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］において、補助駆動工程を行う。具体的には、第２トランジスタＴＲ₂のオフ状態及び書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］の始期、即ち、第（ｍ＋ｍ’＋Δｍ’）番目の水平走査期間の始期において、電源部１００の電圧を電圧Ｖ_CC-Lから電圧Ｖ_CC-Hに切り替え、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］の間この状態を維持する。これにより、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］に亙って発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧が印加される。実施例３においても、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］の長さは、略２ミリ秒となる所定の長さに固定されている。

実施例１の［期間−ＴＰ（２）₇］において説明したと同様に、駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極とソース領域として働く他方のソース／ドレイン領域との間の電位差Ｖ_gsは、基本的には上述した式（４）の値を保持した状態であるので、図２５の（Ｂ）に示すように、発光部ＥＬＰには、上述した式（５）に示す値のドレイン電流Ｉ_dsが流れる。即ち、実施例３においても、補助駆動工程は、電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dを介して第１ノードＮＤ₁と第２ノードＮＤ₂との間の電位差の値に応じた電流を発光部ＥＬＰに流すことによって発光部ＥＬＰを駆動する工程である。

そして、第２トランジスタＴＲ₂のオフ状態及び書込みトランジスタＴＲ_Wのオフ状態を保った状態で、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₈］の始期において、電源部１００の電圧を電圧Ｖ_CC-Hから電圧Ｖ_CC-Lに切り替える。その結果、第２ノードＮＤ₂の電位はＶ_CC-Lまで低下し、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧が印加され、発光部ＥＬＰは非発光状態となる。また、第２ノードＮＤ₂の電位低下に倣うように、浮遊状態の第１ノードＮＤ₁（駆動トランジスタＴＲ_Dのゲート電極）の電位も低下する（図２５の（Ｃ）参照）。

そして、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₊₁］以降においては、上述した［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］乃至［期間−ＴＰ（３Ｂ）₈］において説明したと同様の工程がくり返される。即ち、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₊₁］においては、図２４の（Ｂ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３Ｂ）₁］と同様に工程（ａ）、即ち前処理が行われる（図２５の（Ｄ）参照）。また、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₊₂］においては、図２４の（Ｃ）を参照して説明した［期間−ＴＰ（３Ｂ）₂］と同様に工程（ｂ）、即ち閾値電圧キャンセル処理が行われる（図２５の（Ｅ）参照）。

ここで、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間は１ミリ秒以下となるように設定されている。具体的には、補助駆動工程の終期である［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］の終期から、次の工程（ｂ）の始期である［期間−ＴＰ（３Ｂ）₊₂］の始期までの、図２３に示す期間Ｔ_Dが１ミリ秒以下となるように、［期間−ＴＰ（３Ｂ）₇］及び［期間−ＴＰ（３Ｂ）₈］は設定されている。

実施例３における効果の詳細は、実施例１において図１１を参照して説明したと同様であるので、説明を省略する。

以上、実施例３の発光部ＥＬＰの駆動方法について説明した。実施例３の変形例として、実施例１の変形例１のように、発光部ＥＬＰを駆動した後、発光部ＥＬＰのアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、複数回行う構成とすることができる。あるいは又、実施例１の変形例２や変形例３と同様に、第２ノード初期化電圧として２種類の電圧を供給する構成とすることもできる。

実施例４も、本発明の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法に関する。実施例４においては、駆動回路１１は４トランジスタ／１容量部から構成されている（４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路）。実施例４における有機ＥＬ表示装置の概念図を図２６に示し、駆動回路１１を含む有機ＥＬ表示素子１０の等価回路図を図２７に示す。

先ず、駆動回路や発光部の詳細について説明する。

４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路も、上述した２Ｔｒ／１Ｃ駆動回路と同様に、書込みトランジスタＴＲ_W、駆動トランジスタＴＲ_Dの２つのトランジスタ、１つの容量部Ｃ₁を備えている。そして、４Ｔｒ／１Ｃ駆動回路においては、更に、第１トランジスタＴＲ₁、及び、第２トランジスタＴＲ₂を備えている。

実施例４は、実施例３の変形である。実施例３にあっては、実施例１と同様に、電源部１００から第２ノードＮＤ₂に第２ノード初期化電圧Ｖ_CC-Lを印加した。これに対し、実施例４にあっては、実施例２において説明した第１トランジスタＴＲ₁を介して、第２ノードＮＤ₂に第２ノード初期化電圧Ｖ_SSを印加する。

［駆動トランジスタＴＲ_D］
駆動トランジスタＴＲ_Dの構成は、実施例１において説明した駆動トランジスタＴＲ_Dの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例２と同様に、電源部１００は一定の電圧Ｖ_CCを印加する。

［書込みトランジスタＴＲ_W］
書込みトランジスタＴＲ_Wの構成は、実施例１において説明した書込みトランジスタＴＲ_Wの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。尚、実施例３と同様に、データ線ＤＴＬには映像信号Ｖ_Sigのみが供給される。そして、実施例４においても、工程（ａ）及び工程（ｂ）、即ち、前処理や閾値電圧キャンセル処理を、第ｍ番目の水平走査期間より前の走査期間に行うことができる。

［第１トランジスタＴＲ₁］
第１トランジスタＴＲ₁の構成は、実施例２において説明した第１トランジスタＴＲ₁の構成と同様であるので、説明を省略する。

［第２トランジスタＴＲ₂］
第２トランジスタＴＲ₂の構成は、実施例３において説明した第２トランジスタＴＲ₂の構成と同様であるので、説明を省略する。

［発光部ＥＬＰ］
発光部ＥＬＰの構成は、実施例１において説明した発光部ＥＬＰの構成と同じであるので、詳細な説明は省略する。

次いで、実施例４における発光部ＥＬＰの駆動方法について説明する。

図２８に、補助駆動工程を備えている実施例４に係る発光部ＥＬＰの駆動のタイミングチャートを模式的に示す。各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に図２９の（Ａ）乃至（Ｆ）、及び、図３０の（Ａ）乃至（Ｅ）に示す。図２８に示す［期間−ＴＰ（４）₀］乃至［期間−ＴＰ（４）₊₅］の各期間は、実施例３において参照した、図２３に示す［期間−ＴＰ（３Ｂ）₀］乃至［期間−ＴＰ（３Ｂ）₊₅］の各期間に相当する。

図２８及び図２３から明らかなように、実施例４の動作は、実施例３において電源部１００から電圧Ｖ_CC-Lが印加される期間に対応して第１トランジスタＴＲ₁をオン状態とし、電源部１００から電圧Ｖ_CC-Hが印加される期間に対応して第１トランジスタＴＲ₁をオフ状態としたものである。上述した点が相違する他、実施例４の動作は実施例３の動作を適宜読み替えたものであるので、説明を省略する。

以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例において説明した有機ＥＬ表示装置、有機ＥＬ表示素子、駆動回路を構成する各種の構成要素の構成、構造、発光部の駆動方法における工程は例示であり、適宜、変更することができる。

実施例２においては、例えば、［期間−ＴＰ（３）₀］において、第２ノードＮＤ₂には、電源部１００から駆動トランジスタＴＲ_Dを介して電圧Ｖ_CCが印加され、また、第１トランジスタＴＲ₁を介して電圧Ｖ_SSが印加された状態となる。このため、電源部１００から第１トランジスタＴＲ₁を介して電流が流れ、消費電力が増加する。これを避けるため、例えば図３１に示すように、第３トランジスタＴＲ₃を介して電源部１００と駆動トランジスタＴＲ₁の一方のソース／ドレイン領域とを接続する。第３トランジスタＴＲ₃のゲート電極を制御線ＣＬに接続されており、制御線ＣＬの一端は第３トランジスタ制御回路１０５に接続されている。そして、［期間−ＴＰ（３）₀］等において第３トランジスタ制御回路１０５からの信号に基づき、第３トランジスタＴＲ₃を適宜オフ状態とするといった構成とすることができる。

また、実施例４においても、上述したと同様の現象が生じ得る。このため、図３２に示すように、第３トランジスタＴＲ₃を介して電源部１００と駆動トランジスタＴＲ₁の一方のソース／ドレイン領域とを接続し、第３トランジスタＴＲ₃を適宜オフ状態とするといった構成とすることができる。

図１は、実施例１の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。 図２は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。 図３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の模式的な一部断面図である。 図４は、実施例１に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図５は、参考例に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図６の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、図６の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図８の（Ａ）は、領域Ａの画素を構成していた有機エレクトロルミネッセンス発光部の両端と、領域Ｂの画素を構成していた有機エレクトロルミネッセンス発光部の両端に直流電圧を印加し、電圧の値を変えて電圧−電流特性を測定したときの測定結果である。図８の（Ｂ）は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）₂］における第２ノードの電位変化を説明するための模式的な回路図である。図８の（Ｃ）は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に流れる逆方向電流を考慮した場合の、［期間−ＴＰ（２）₃］における第２ノードの電位変化を説明するための模式的な回路図である。 図９は、有機エレクトロルミネッセンス発光部の逆方向電流に差があるときの、駆動回路における第１ノードと第２ノードの電位変化を示した模式図である。 図１０の（Ａ）乃至（Ｄ）は、図４に示す［期間−ＴＰ（２）₇］乃至［期間−ＴＰ（２）₊₂］における各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図１１は、図５に示す駆動のタイミングチャートで有機エレクトロルミネッセンス表示装置を駆動し、図３３の（Ａ）のパターンを有機エレクトロルミネッセンス表示装置に長時間表示させた後に、図４及び図５に示す駆動のタイミングチャートで有機エレクトロルミネッセンス表示装置を駆動すると共に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を全白表示としたときの、領域Ａと領域Ｂの輝度を説明するための模式図である。 図１２は、動的な動作時の有機エレクトロルミネッセンス発光部の逆方向電流特性を説明するための、模式的なグラフである。 図１３は、変形例１に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図１４は、変形例２に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図１５は、変形例３に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図１６は、実施例２の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。 図１７は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。 図１８は、実施例２に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図１９の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図２０の（Ａ）乃至（Ｅ）は、図１９の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図２１は、実施例３の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。 図２２は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。 図２３は、実施例３に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図２４の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図２５の（Ａ）乃至（Ｅ）は、図２４の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図２６は、実施例４の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概念図である。 図２７は、駆動回路を含む有機エレクトロルミネッセンス表示素子の等価回路図である。 図２８は、実施例４に係る有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動のタイミングチャートの模式図である。 図２９の（Ａ）乃至（Ｆ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図３０の（Ａ）乃至（Ｅ）は、図２９の（Ｆ）に引き続き、有機エレクトロルミネッセンス表示素子の駆動回路を構成する各トランジスタのオン／オフ状態等を模式的に示す図である。 図３１は、第１トランジスタ及び第３トランジスタを更に備えた駆動回路の等価回路図である。 図３２は、第１トランジスタ、第２トランジスタ及び第３トランジスタを更に備えた駆動回路の等価回路図である。 図３３の（Ａ）は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置の表示領域ＥＡにおいて、領域Ａを白表示とし、窓状の領域Ｂを黒表示として表示することを説明するための模式図である。図３３の（Ｂ）は、領域Ｂに対応する部分の輝度に対し、領域Ａに対応する部分の輝度は相対的に低くなる現象を説明するための模式図である。

符号の説明

ＴＲ_W・・・書込みトランジスタ、ＴＲ_D・・・駆動トランジスタ、ＴＲ₁・・・第１トランジスタ、ＴＲ₂・・・第２トランジスタ、ＴＲ₃・・・第３トランジスタ、Ｃ₁・・・容量部、ＥＬＰ・・・有機エレクトロルミネッセンス発光部、Ｃ_EL・・・発光部ＥＬＰの容量、ＮＤ₁・・・第１ノード、ＮＤ₂・・・第２ノード、ＳＣＬ・・・走査線、ＤＴＬ・・・データ線、ＡＺ１・・・第１トランジスタ制御線、ＡＺ２・・・第２トランジスタ制御線、ＣＬ・・・制御線、ＰＳ１・・・給電線、ＰＳ２・・・給電線、１０・・・有機エレクトロルミネッセンス表示素子、１１・・・駆動回路、２０・・・支持体、２１・・・基板、３１・・・ゲート電極、３２・・・ゲート絶縁層、３３・・・半導体層、３４・・・チャネル形成領域、３５，３５・・・ソース／ドレイン領域、３６・・・他方の電極、３７・・・一方の電極、３８・・・配線、３９・・・配線、４０・・・層間絶縁層、５１・・・アノード電極、５２・・・正孔輸送層、発光層及び電子輸送層、５３・・・カソード電極、５４・・・第２層間絶縁層、５５，５６・・・コンタクトホール、１００・・・電源部、１０１・・・走査回路、１０２・・・信号出力回路、１０３・・・第１トランジスタ制御回路、１０４・・・第２トランジスタ制御回路、１０５・・・第３トランジスタ制御回路

Claims (14)

1. 書込みトランジスタ、駆動トランジスタ、及び、容量部から構成された駆動回路であって、
   駆動トランジスタにおいては、
   （Ａ−１）一方のソース／ドレイン領域は、電源部に接続されており、
   （Ａ−２）他方のソース／ドレイン領域は、有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたアノード電極に接続され、且つ、容量部の一方の電極に接続されており、第２ノードを構成し、
   （Ａ−３）ゲート電極は、書込みトランジスタの他方のソース／ドレイン領域に接続され、且つ、容量部の他方の電極に接続されており、第１ノードを構成し、
   書込みトランジスタにおいては、
   （Ｂ−１）一方のソース／ドレイン領域は、データ線に接続されており、
   （Ｂ−２）ゲート電極は、走査線に接続されている、
   駆動回路を用いて、
   （ａ）第１ノードと第２ノードとの間の電位差が駆動トランジスタの閾値電圧を越え、且つ、第２ノードと有機エレクトロルミネッセンス発光部に備えられたカソード電極との間の電位差が有機エレクトロルミネッセンス発光部の閾値電圧を越えないように、第１ノードの電位及び第２ノードの電位を初期化する前処理を行い、次いで、
   （ｂ）第１ノードの電位を保った状態で、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる閾値電圧キャンセル処理を行い、その後、
   （ｃ）走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から映像信号を第１ノードに印加する書込み処理を行い、次いで、
   （ｄ）走査線からの信号により書込みトランジスタをオフ状態とすることにより第１ノードを浮遊状態とし、
   （ｅ）電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動した後、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する一連の工程を、少なくとも１回行う、
   工程を備えた有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法であって、
   工程（ａ）乃至工程（ｅ）までの一連の工程をくり返して行うと共に、工程（ｅ）と次の工程（ａ）との間に、或る期間に亙って有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に順方向電圧を印加する補助駆動工程を備えており、補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を１ミリ秒以下とする有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
2. 補助駆動工程の終期から次の工程（ｂ）の終期までの期間を０．５ミリ秒以下とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
3. 補助駆動工程は、電源部から駆動トランジスタを介して第１ノードと第２ノードとの間の電位差の値に応じた電流を有機エレクトロルミネッセンス発光部に流すことによって有機エレクトロルミネッセンス発光部を駆動する工程である請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
4. 前記工程（ａ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
5. 前記工程（ａ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
6. 前記工程（ｂ）において、走査線からの信号によりオン状態とされた書込みトランジスタを介して、データ線から第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
7. 前記工程（ｂ）において、電源部から駆動トランジスタの一方のソース／ドレイン領域に、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電圧よりも高い電圧を印加し、以て、第１ノードの電位から駆動トランジスタの閾値電圧を減じた電位に向かって第２ノードの電位を変化させる請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
8. 前記工程（ｅ）において、駆動トランジスタを介して、電源部から第２ノード初期化電圧を第２ノードに印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
9. 駆動回路は、更に、第１トランジスタを備えており、
   第１トランジスタにおいては、
   （Ｃ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第２ノードに接続されており、
   （Ｃ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第２ノード初期化電圧が印加され、
   （Ｃ−３）ゲート電極は、第１トランジスタ制御線に接続されている、
   請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
10. 前記工程（ａ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加する請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
11. 前記工程（ｅ）において、第１トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第１トランジスタを介して、第２ノードに第２ノード初期化電圧を印加し、以て、有機エレクトロルミネッセンス発光部のアノード電極とカソード電極との間に逆方向電圧を印加する請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
12. 駆動回路は、更に、第２トランジスタを備えており、
    第２トランジスタにおいては、
    （Ｄ−１）他方のソース／ドレイン領域は、第１ノードに接続されており、
    （Ｄ−２）一方のソース／ドレイン領域には、第１ノード初期化電圧が印加され、
    （Ｄ−３）ゲート電極は、第２トランジスタ制御線に接続されている、
    請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
13. 前記工程（ａ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加する請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。
14. 前記工程（ｂ）において、第２トランジスタ制御線からの信号によりオン状態とされた第２トランジスタを介して、第１ノード初期化電圧を第１ノードに印加した状態を維持し、以て、第１ノードの電位を保った状態とする請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法。

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