CN101739952B - 有机电致发光单元驱动方法 - Google Patents

Abstract

一种有机电致发光单元驱动方法，包括执行预处理的过程(a)，执行阈值电压抵消处理的过程(b)，执行写入处理的过程(c)，把第一节点设为浮动状态的过程(d)，和至少执行一次一系列过程的过程(e)，其中在驱动有机电致发光单元之后，在有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，其中反复一系列过程(a)到(e)被重复，设置其中在一定时间内，在有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压的辅助驱动过程，并且辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的时间被限制为1毫秒以下。

Description

有机电致发光单元驱动方法

技术领域

本发明涉及有机电致发光单元驱动方法。

背景技术

迄今为止，已有包括发光单元的显示元件，和包括这种显示元件的显示设备。例如，作为能够按照低电压DC驱动而明亮发光的显示单元，包括利用有机材料的电致发光的有机电致发光单元的显示单元(下面，在一些情况下简称为“有机EL显示元件”)已引起人们注意。

按照和液晶显示设备相同的方式，同样就包括有机EL显示元件的显示设备(下面，在一些情况下简称为“有机EL显示设备”)来说，已广泛应用简单矩阵方法和有源矩阵方法。有源矩阵方法的缺点在于构造变得复杂，不过优点在于能够改善图像的亮度，等等。由有源矩阵方法驱动的有机EL显示元件不仅包括由包括发光层的有机层等构成的发光单元，而且包括用于驱动发光单元的驱动电路。

由两个晶体管和一个电容器单元构成的驱动电路(称为“2Tr/1C驱动电路”)已被广泛用作驱动有机电致发光单元(下面，在一些情况下简称为“发光单元”)的电路，例如，按未经审查的日本专利申请公开No.2007-310311中所述。如图2中所示，这种2Tr/1C驱动电路由两个晶体管，写入晶体管TR_W和驱动晶体管TR_D，和一个电容器单元C₁构成。这里，驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区构成第二节点ND₂，驱动晶体管TR_D的栅电极构成第一节点ND₁。

如图5中的时间图中所示，在期间TP(2)₁执行用于阈值电压抵消处理的预处理。即，经已由来自扫描线SCL的信号设为on状态的写入晶体管TR_W，从数据线DTL对第一节点ND₁施加第一节点初始化电压V_Ofs(例如，0伏)。从而，第一节点ND₁的电位变成V_Ofs。另外，经驱动晶体管TR_D从电源单元100对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_CC-L(例如，-10伏)。从而，第二节点ND₂的电位变成V_CC-L。驱动晶体管TR_D的阈值电压用V_th(例如，3伏)表示。驱动晶体管TR_D的栅电极和另一源极/漏极区(下面在一些情况下称为“源极区”)之间的电位差变成V_th或更大，驱动晶体管TR_D转为接通状态。

随后，在期间TP(2)₂执行阈值电压抵消处理。具体地说，在保持写入晶体管TR_W的接通状态的时候，电源单元100的电压从第二节点初始化电压V_CC-L切换成驱动电压V_CC-H(例如，20伏)。其结果是，使第二节点ND₂的电位朝着通过从第一节点ND₁的电位中减去驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th而获得的电位变化。即，浮动状态下的第二节点ND₂的电位增大。随后，当驱动晶体管TR_D的栅电极和源极区之间的电位差达到V_th时，驱动晶体管TR_D转为断开状态。这种状态下，第二节点ND₂的电位近似变成(V_Ofs-V_th)。

随后，在期间TP(2)₃，写入晶体管TR_w被设为断开状态。之后，数据线DTL的电压被设为与视频信号[用于控制发光单元ELP的亮度的视频信号(驱动信号，亮度信号)V_{sig_m}]相等的电压。

随后，在期间TP(2)₄执行写入处理。具体地说，扫描线SCL被设为高电平，从而把写入晶体管TR_W设为接通状态。其结果是，第一节点ND₁的电位增大到视频信号V_{sig_m}。

现在，我们假定电容器单元C₁的值被设为值c₁，发光单元ELP的电容C_EL的值被设为值c_EL，驱动晶体管TR_D的栅电极和另一源极/漏极区之间的寄生电容的值被设为c_gs。当使驱动晶体管TR_D的栅电极的电位从V_Ofs变成V_{sig_m}(＞V_Ofs)时，电容器单元C₁两端的电位(换句话说，第一节点ND₁和第二节点ND₂的电位)通常被改变。具体地说，以驱动晶体管TR_D的栅电极的电位(即，第一节点ND₁的电位)的变化量(V_{sig_m}-V_Ofs)为基础的电荷被分配给电容器单元C₁，发光单元ELP的电容C_EL，和驱动晶体管TR_D的栅电极和另一源极/漏极区之间的寄生电容。于是，在与值c₁和c_gs相比，值c_EL是足够大的值时，以驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的变化量(V_{sig_m}-V_Ofs)为基础的驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区(第二节点ND₂)的电位变化较小。通常，发光单元ELP的电容C_EL的值c_EL大于电容器单元C₁的值c₁，和驱动晶体管TR_D的寄生电容的值c_gs。于是，为了便于说明，下面将在不考虑由第一节点ND₁的电位变化引起的第二节点ND₂的电位变化的情况下进行描述。注意图5中所示的驱动时间图是在未考虑由第一节点ND₁的电位变化引起的第二节点ND₂的电位变化的情况下图解说明的。

借助上述操作，在从电源单元100向驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加电压V_CC-H的状态下，对驱动晶体管TR_D的栅电极施加视频信号V_{sig_m}。于是，如图5中所示，在期间TP(2)₄，第二节点ND₂的电位增大。该电位的增长量ΔV(电位校正值)将在后面描述。当假定驱动晶体管TR_D的栅电极(第一节点ND₁)的电位为V_g，另一个源极/漏极区(第二节点ND₂)的电位为V_s时，在不考虑第二节点ND₂的电位的增长量ΔV的情况下，V_g的值和V_S的值如下所示。第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差，即，驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一个源极/漏极区之间的差值V_gs可用下面的表达式(A)表示。

V_g＝V_{sig_m}

$V_s\≅V_{\mathrm{Ofs}}-V_{\mathrm{th}}$

$V_{\mathrm{gs}}\≅V_{\mathrm{sig}\_m}-(V_{\mathrm{Ofs}}-V_{\mathrm{th}})---\left(A\right)$

即，在关于驱动晶体管TR_D的写入处理获得的V_gs仅仅取决于用于控制发光单元ELP的亮度的视频信号V_{sig_m}，驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th和用于初始化驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的电压V_Ofs，而与发光单元ELP的阈值电压V_th-EL没有关系。

下面，简要说明迁移率校正处理。借助上述操作，与写入操作一起执行迁移率校正操作，其中按照驱动晶体管TR_D的性质(例如，第二节点ND₂的电位)改变驱动晶体管TR_D的另一个源极/漏极区的电位(即，迁移率μ的大小等)。

如上所述，在从电源单元100向驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加电压V_CC-H的状态下，对驱动晶体管TR_D的栅电极施加视频信号V_{sig_m}。这里，如图5中所示，在期间TP(2)₄，第二节点ND₂的电位增大。其结果是，在驱动晶体管TR_D的迁移率μ的值较大的情况下，驱动晶体管TR_D的源极区的电位的增大量ΔV(电位校正值)增大，在驱动晶体管TR_D的迁移率μ的值较大的情况下，驱动晶体管TR_D的源极区的电位的增大量ΔV(电位校正值)降低。驱动晶体管TR_D的栅电极和源极区之间的电位差V_gs由变成下述表达式(B)的表达式(A)获得。注意在设计有机EL显示设备时，作为设计值应预先确定期间TP(2)₄的整个时间(t₀)。

$V_{\mathrm{gs}}\≅V_{\mathrm{sig}\_m}-(V_{\mathrm{Ofs}}-V_{\mathrm{th}})-\mathrm{\ΔV}---\left(B\right)$

按照上面的操作，完成阈值电压抵消处理，写入处理和迁移率校正处理。随后，在开始下一期间TP(2)₅时，写入晶体管TR_w由来自扫描线SCL的信号设为断开状态，从而把第一节点ND₁设为浮动状态。驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一(下面酌情称为“漏极区”)处于从电源单元100对其施加电压V_CC-H的状态。于是，作为上面所述的结果，第二节点ND₂的电位增大，在驱动晶体管TR_D的栅电极产生和所谓的自举电路同样的现象，因而，第一节点ND₁的电位也增大。驱动晶体管TR_D的栅电极和源极区之间的电位差V_gs拥有表达式(B)的值。另外，流入发光单元ELP的电流是从驱动晶体管TR_D的源极区流向漏极区的漏电流I_ds。如果我们假定驱动晶体管TR_D在饱和区理想地工作，那么漏电流I_ds可用下面的表达式(C)表示。发光单元ELP发射亮度与漏电流I_ds的值对应的光。注意系数k将在后面说明。

I_ds＝k·μ·(V_gs-V_th)²

＝k·μ·(V_{sig_m}-V_Ofs-ΔV)²(C)

接下来，我们假定图5中所示的期间TP(2)₅被设为发射期间，期间TP(2)₆′的始点和下一个发射期间之间的时间被设为非发射期间。设置这样的非发射期间，从而归因于有源矩阵驱动的残像模糊被减少，能够进一步改善运动图像质量。

上面说明了其概况的2Tr/1C驱动电路的操作还将在后面详细说明。

发明内容

就利用上述驱动方法驱动发光单元的有机EL显示设备来说，例如当长时间显示某一图案时，会发生其中残存与其图案相一致的亮度变化的所谓烧屏。例如，如图33A中所示，就有机EL显示设备的显示区EA来说，以区域A作为白色显示，窗形区域B作为黑色显示进行长时间显示。从而，例如，如果整个显示区EA被设为白色显示，如图33B中所示，那么会看到其中相对于对应于区域B的部分的亮度，对应于区域A的部分的亮度变得较低的现象。其结果是，有机EL显示设备的显示质量降低。

可取的是提供一种有机电致发光单元驱动方法，就有机电致发光显示设备来说，借助该方法，能够减小上述相对亮度变化的水平。

按照本发明的一个实施例，提供一种利用驱动电路的有机电致发光单元驱动方法，所述驱动电路包括写入晶体管，驱动晶体管，和电容器单元，所述驱动晶体管具有如下构造，其中源极/漏极区之一与电源单元连接，另一源极/漏极区与提供给有机电致发光单元的阳极电极连接，并且还与所述电容器单元的电极之一连接，构成第二节点，和栅电极与所述写入晶体管的另一源极/漏极区连接，并且还与所述电容器单元的另一电极连接，构成第一节点，所述写入晶体管具有如下构造，其中源极/漏极区之一与数据线连接，和栅电极与扫描线连接。

有机电致发光单元驱动方法包括：执行预处理的过程(a)，其中所述第一节点的电位、所述第二节点的电位被初始化，以致所述第一节点和所述第二节点之间的电位差超过所述驱动晶体管的阈值电压，另外，所述第二节点和提供给有机电致发光单元的阴极电极之间的电位差不超过所述有机电致发光单元的阈值电压；执行阈值电压抵消处理的过程(b)，其中在保持所述第一节点的电位的状态下，使所述第二节点的电位朝着通过从所述第一节点的电位减去所述驱动晶体管的阈值电压而获得的电位变化；执行写入处理的过程(c)，其中经由已被来自所述扫描线的信号设为接通状态的所述写入晶体管，从所述数据线对所述第一节点施加视频信号；通过根据来自所述扫描线的信号，把所述写入晶体管设为断开状态，把所述第一节点设为浮动状态的过程(d)；和执行一系列过程至少一次的过程(e)，其中在经由所述驱动晶体管从所述电源单元向所述有机电致发光单元施加与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相应的电流、以驱动所述有机电致发光单元之后，在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

此外，就有机电致发光单元驱动方法来说，从所述过程(a)到(c)的一系列过程被反复执行，另外还在所述过程(e)和(a)之间设置辅助驱动过程，以便在一定时间内，在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压，所述辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的时间被限制为1毫秒以下。

借助上述安排，反复执行从所述过程(a)到(c)的一系列过程，另外还在所述过程(e)和(a)之间设置辅助驱动过程，以便在一定时间内，在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压，所述辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的时间被限制为1毫秒以下。从而，能够降低上述相对亮度变化的水平。就应用了本发明的上述实施例的有机EL显示设备来说，能够显示亮度均匀性优秀的图像。

附图说明

图1是按照第一实施例的有机电致发光显示设备的原理图；

图2是包括驱动电路的有机电致发光显示元件的等效电路图；

图3是有机电致发光显示设备的示意局部横截面图；

图4是按照第一实施例的有机电致发光单元的驱动时间图的示意图；

图5是按照参考例子的有机电致发光显示设备的驱动时间图的示意图；

图6A-6F是示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图7A-7B是在图6F之后，示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图8A表示当对构成区域A的像素的有机电致发光单元的两端，和构成区域B的像素的有机电致发光单元的两端施加DC电流，并通过改变电压的值测量电压-电流性质时的测量结果，图8B是描述在考虑流到有机电致发光单元的反向电流的情况下，在期间TP(2)₂的第二节点的电位变化的示意电路图，图8C是描述在考虑流到有机电致发光单元的反向电流的情况下，在期间TP(2)₃的第二节点的电位变化的示意电路图；

图9是图解说明当在有机电致发光单元的反向电流之间存在差异时，驱动电路的第一和第二节点的电位变化的示意图；

图10A-10D是示意图解说明在图4中所示的期间TP(2)₇到TP(2)₊₂，每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图11是描述当按照图5中所示的驱动时间图驱动有机电致发光显示设备，在有机电致发光显示设备上长时间显示图33A中所示的图案，之后按照图4和5中所示的驱动时间图驱动有机电致发光显示设备，并把有机电致发光显示设备设为全白显示时，区域A和B的亮度的示意图；

图12是描述有机电致发光单元动态工作时的反向电流性质的示意图；

图13是按照第一修改的有机电致发光单元的驱动时间图的示意图；

图14是按照第二修改的有机电致发光单元的驱动时间图的示意图；

图15是按照第三修改的有机电致发光单元的驱动时间图的示意图；

图16是按照第二实施例的有机电致发光显示设备的原理图；

图17是包括驱动电路的有机电致发光显示元件的等效电路图；

图18是按照第二实施例的有机电致发光单元的驱动时间图的示意图；

图19A-19F是示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图20A-20E是在图19F之后，示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图21是按照第三实施例的有机电致发光显示设备的原理图；

图22是包括驱动电路的有机电致发光显示元件的等效电路图；

图23是按照第三实施例的有机电致发光单元的驱动时间图的示意图；

图24A-24F是示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图25A-25E是在图24F之后，示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图26是按照第四实施例的有机电致发光显示设备的原理图；

图27是包括驱动电路的有机电致发光显示元件的等效电路图；

图28是按照第四实施例的有机电致发光单元的驱动时间图的示意图；

图29A-29F是示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图30A-30E是在图29F之后，示意图解说明构成有机电致发光显示元件的驱动电路的每个晶体管的接通/断开状态的示图；

图31是还包括第一晶体管和第三晶体管的驱动电路的等效电路图；

图32是还包括第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管的驱动电路的等效电路图；

图33A是描述就有机电致发光显示设备的显示区EA来说，区域A被显示成白色显示，窗形区域B被显示成黑色显示的示意图，图33B是描述其中相对于对应于区域B的部分的亮度，对应于区域A的部分的亮度变得较低的现象的示意图。

具体实施方式

下面参考附图，通过实施例说明本发明。注意是按照下述顺序进行说明的。

1.关于按照本发明的实施例的有机电致发光单元驱动方法的详细说明

2.用于每个实施例的有机EL显示设备的概述

3.第一实施例(2Tr/1C驱动电路的实施例)

4.第二实施例(第一个3Tr/1C驱动电路的实施例)

5.第三实施例(第二个3Tr/1C驱动电路的实施例)

6.第四实施例(4Tr/1C驱动电路的实施例)

关于按照本发明的实施例的有机电致发光单元驱动方法的详细说明

就按照本发明的实施例的有机电致发光单元驱动方法(下面，在一些情况下简称为“按照实施例的驱动方法”)来说，基本上发现了辅助驱动过程的终止到下一过程(b)的终止之间的时长越短，则相对亮度变化减小得越多的关系。尽管取决于有机电致发光单元的规范等，不过通过把辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的期间抑制为1毫秒以下，确认了优点。更可取的是把上述期间抑制为0.5毫秒以下。

就按照本发明的实施例的驱动方法来说，在辅助驱动过程中，在一定时间内在有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压。在这种情况下，从共用驱动方法的各个过程的观点来看，可取的是在辅助驱动过程中，经驱动晶体管从电源单元对有机电致发光单元施加与第一节点和第二节点之间的电位差的数值相应的电流，从而驱动有机电致发光单元。按照上述构造，在过程(e)和辅助驱动过程驱动有机电致发光单元。尽管取决于有机电致发光单元的规范等，不过可取的是把执行辅助驱动过程的时间长度设置成通常不小于1毫秒。过程(e)的时间长度可被设成一律固定的时间长度。另一方面，过程(e)的时间长度可被设成按照视频信号的值而变化。

就按照本发明的包括上述各种优选构造的实施例的驱动方法来说，可做出这样的安排，其中就过程(a)来说，经已由来自扫描线的信号设为接通状态的写入晶体管，从数据线对第一节点施加第一节点初始化电压。

注意可安排在等待施加于数据线的电压从视频信号转换成第一节点初始化电压之后，把写入晶体管设为接通状态，或者可安排在只要不会导致任何操作问题的范围中，预先把写入晶体管设为接通状态。按照后一种安排，在对数据线施加第一节点初始化电压之后，立即初始化第一节点的电位。就前一种安排来说，必须为预处理分配时间，所述时间包括等待数据线的电压转换的时间。就后一种安排来说，能够省略等待数据线的电压转换的时间，从而，能够以较少的时间执行预处理。就后一种安排来说，将在预处理之后执行的阈值电压抵消处理可分配较长的时间。

另外，可做出这样的安排，其中就过程(a)来说，经驱动晶体管从电源向第二节点施加第二节点初始化电压。

另外，可做出这样的安排，其中就过程(b)来说，保持经已由来自扫描线的信号设为接通状态的写入晶体管，从数据线向第一节点施加第一节点初始化电压的状态，从而实现保持第一节点的电位的状态。

另外，可做出这样的安排，其中就过程(b)来说，从电源单元向驱动晶体管的源极/漏极区之一施加电压，该电压高于通过从第一节点的电位中减去驱动晶体管的阈值电压而获得的电压，从而朝着通过从第一节点的电位中减去驱动晶体管的阈值电压而获得的电位改变第二节点的电位。

另外，可做出这样的安排，其中就过程(e)来说，经驱动晶体管从电源单元向第二节点施加第二节点初始化电压，从而在有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

另一方面，就按照本发明的实施例的驱动方法来说，驱动电路还包括第一晶体管，第一晶体管可具有这样的构造，其中

(C-1)另一源极/漏极区与第二节点连接，

(C-2)对源极/漏极区之一施加第二节点初始化电压，和

(C-3)栅电极与第一晶体管控制线连接。

就按照本发明的包括上述各种优选构造的实施例的驱动方法来说，可做出这样的安排，其中就过程(a)来说，经已由来自第一晶体管控制线的信号设为接通状态的第一晶体管，向第二节点施加第二节点初始化电压。

就按照本发明的包括上述各种优选构造的实施例的驱动方法来说，可做出这样的安排，其中就过程(e)来说，经已由来自第一晶体管控制线的信号设为接通状态的第一晶体管，向第二节点施加第二节点初始化电压，从而在有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

另一方面，就按照本发明的实施例的驱动方法来说，驱动电路还包括第二晶体管，第二晶体管可具有这样的构造，其中

(D-1)另一源极/漏极区与第一节点连接，

(D-2)对源极/漏极区之一施加第一节点初始化电压，和

(D-3)栅电极与第二晶体管控制线连接。

就按照本发明的包括上述各种优选构造的实施例的驱动方法来说，可做出这样的安排，其中就过程(a)来说，经已由来自第二晶体管控制线的信号设为接通状态的第二晶体管，向第一节点施加第一节点初始化电压。

另外，可做出这样的安排，其中就过程(b)来说，保持经已由来自第二晶体管控制线的信号设为接通状态的第二晶体管，对第一节点施加第一节点初始化电压的状态，从而实现保持第一节点的电位的状态。

就按照本发明的包括上述各种优选构造的实施例的驱动方法的过程(b)来说，执行阈值电压抵消处理，其中朝着通过从第一节点的电位中减去驱动晶体管的阈值电压而获得的电位，改变第二节点的电位。定性地，就阈值电压抵消处理来说，电平取决于阈值电压抵消处理的时间，其中第一节点和第二节点之间的电位差(换句话说，驱动晶体管的栅电极和另一源极/漏极区之间的电位差)接近驱动晶体管的阈值电压。于是，例如，就其中充分保证阈值电压抵消处理的时间的安排来说，第二节点的电位达到通过从第一节点的电位中减去驱动晶体管的阈值电压而获得的电位。随后，当第一节点和第二节点之间的电位差达到驱动晶体管的阈值电压时，驱动晶体管转为断开状态。另一方面，例如，就其中阈值电压抵消处理的时间必须被设为较短的安排来说，第一节点和第二节点之间的电位差大于驱动晶体管的阈值电压，从而，存在驱动晶体管不被设为断开状态的情况。就本发明的实施例来说，作为阈值电压抵消处理的结果，驱动晶体管不会不得不被设为断开状态。

按照本发明的实施例，就过程(d)来说，写入晶体管由来自扫描线的信号设为断开状态。该期间和其中从电源单元向驱动晶体管的源极/漏极区之一施加预定的驱动电压、以便向有机电致发光单元供给电流的期间之间的时间顺序关系并不局限于特定的关系。例如，可安排在写入晶体管被设为断开状态之后，立即或者间隔预定时间向驱动晶体管的源极/漏极区之一施加驱动电压，或者可安排在向驱动晶体管的源极/漏极区之一施加驱动电压的状态下，把写入晶体管设为断开状态。就后一种安排来说，存在其中在向驱动晶体管的源极/漏极区之一施加驱动电压的状态下，从数据线向第一节点施加视频信号的期间。就该期间来说，执行迁移率校正处理操作，其中按照驱动晶体管的性质，第二节点的电位被增大。

上述驱动电压可具有与在过程(b)待施加于驱动晶体管的源极/漏极区之一的电压不同的值，不过从减少自电源单元施加的电压的种类的观点来看，可取的是安排在过程(e)，在驱动有机电致发光单元的时候，电源单元向驱动晶体管的源极/漏极区之一施加驱动电压。

另外，就本发明的实施例来说，可安排在对驱动晶体管的源极/漏极区之一施加驱动电压的状态下执行过程(c)。就这种安排来说，和写入处理一起执行上面的迁移率校正处理。

应用本发明的实施例的有机电致发光显示设备可被配置成包括，

(1)扫描电路

(2)信号输出电路

(3)以二维方式排列的总共N×M个有机电致发光显示元件，其中第一方向上N个元件，在不同于第一方向的第二方向上M个元件，每个有机电致发光显示元件包括一个有机电致发光单元，和用于驱动有机电致发光单元的驱动电路，

(4)与扫描电路连接，并延伸到第二方向的M条扫描线，

(5)与信号输出电路连接，并延伸到第二方向的N条数据线，和

(6)电源单元。

每个有机电致发光显示元件(下面，在一些情况下简称为“有机EL显示元件”)由驱动晶体管，写入晶体管，包括电容器单元的驱动电路，和有机电致发光单元构成。

应用本发明的实施例的有机电致发光显示设备(下面，在一些情况下简称为“有机EL显示设备”)可具有所谓的单色显示器的构造，或者可具有彩色显示器的构造。例如，有机电致发光显示设备可具有这样的构造，其中一个像素由多个子像素构成，具体地说，可具有彩色显示构造，其中一个像素由三个子像素，即，一个红色发光子像素，一个绿色发光子像素，和一个蓝色发光子像素构成。此外，一个像素可由一组子像素构成，其中向所述三种子像素中增加一种或多种子像素(例如，其中增加发射白光以改善亮度的一子像素的一组子像素，其中增加发射补色以扩展色彩再现范围的一子像素的一组子像素，其中增加发射黄光以扩展色彩再现范围的一子像素的一组子像素，或者其中增加发射黄光和青光以扩展色彩再现范围的多个子像素的一组子像素)。

就有机EL显示设备来说，关于扫描电路，诸如信号输出电路之类的各种电路，诸如扫描线、数据线之类的各种布线，电源单元，和有机电致发光单元(下面，在一些情况下简称为“发光单元”)的排列或构造可以是按照现有技术的排列或构造。具体地说，例如，发光单元可由阳极电极，空穴输送层，发光层，电子输送层，阴极电极等构成。

构成驱动电路的晶体管的一个例子是n沟道型薄膜晶体管(TFT)。构成驱动电路的晶体管可以是增强型或耗尽型晶体管。就n沟道型晶体管来说，可以形成LDD(低掺杂漏极)结构。在一些情况下，可不对称地形成LDD结构。例如，在使有机EL显示元件发光的时候，大电流流入驱动晶体管，从而，可以安排仅仅在发光的时候，充当漏极区的源极/漏极区之一上形成LDD结构。注意，例如，p沟道型薄膜晶体管可被用作写入晶体管等。

构成驱动电路的电容器单元可由电极之一，另一个电极，和这些电极之间的介电层(绝缘层)构成。构成驱动电路的上述晶体管和电容器单元是在某一平面内形成的(例如，在支承元件上形成的)，例如借助于层间绝缘层，在构成驱动电路的晶体管和电容器单元之上形成发光单元。另外，驱动晶体管的另一源极/漏极区经例如接触孔，与提供给发光单元的阳极电极连接。注意可以安排在半导体衬底或类似物上形成晶体管。

在参考附图，根据实施例说明本发明之前，将说明用于每个实施例的有机EL显示设备的概况。

用于每个实施例的有机EL显示设备的概述

适合于用于每个实施例的有机EL显示设备是包括多个像素的有机EL显示设备。一个像素由多个子像素构成(就每个实施例来说，三个子像素，即，红色发光子像素，绿色发光子像素，和蓝色发光子像素)。每个子像素由具有其中层叠驱动电路11，和与驱动电路11连接的发光单元(发光单元ELP)的构造的有机EL显示元件10构成。

图1、16、21和26中分别图解说明了按照第一、第二、第三和第四实施例的有机EL显示设备的原理图。图2、17、22和27分别图解说明了构成按照第一、第二、第三和第四实施例的有机EL显示设备的有机EL显示元件的等效电路图。图2图解说明基本上由2个晶体管/1个电容器单元构成的驱动电路(在一些情况下称为“2Tr/1C驱动电路”)，图17和22图解说明基本上由3个晶体管/1个电容器单元构成的驱动电路。注意在一些情况下，图17中所示的电路将被称为“第一3Tr/1C驱动电路”，图22中所示的电路将被称为“第二3Tr/1C驱动电路”。图27图解说明基本上由4个晶体管/1个电容器单元构成的驱动电路(在一些情况下称为“4Tr/1C驱动电路”)。

现在，按照每个实施例的有机电致发光显示设备包括

(1)扫描电路101

(2)信号输出电路102

(3)以二维方式排列的总共N×M个有机电致发光显示元件10，其中第一方向上N个元件，在不同于第一方向的第二方向上M个元件，每个有机电致发光显示元件包括一个有机电致发光单元ELP，和用于驱动有机电致发光单元ELP的驱动电路11，

(4)与扫描电路101连接，并延伸到第一方向的M条扫描线SCL，

(5)与信号输出电路102连接，并延伸到第二方向的N条数据线DTL，和

(6)电源单元100。

图1、16、21和26图解说明3×3有机EL显示元件10，不过这些只是例子。注意为了便于说明，在图1、16、21和26中省略了在图2等中所示的电源线PS2。

发光单元ELP具有按照现有技术的，例如由阳极电极、空穴输送层、发光层、电子输送层、阴极电极等构成的布置或构造。扫描电路101、信号输出电路102、扫描线SCL、数据线DTL和电源单元100的布置或构造可以是按照现有技术的布置或构造。

下面说明驱动电路11的最少组件。驱动电路11至少由一个驱动晶体管TR_D，一个写入晶体管TR_W和包括一对电极的一个电容器单元C₁构成。驱动晶体管TR_D由包括源极/漏极区，沟道形成区和栅电极的n沟道型TFT构成。另外，写入晶体管TR_W也由包括源极/漏极区，沟道形成区和栅电极的n沟道型TFT构成。注意，写入晶体管TR_W可以由p沟道型TFT构成。

现在，就驱动晶体管TR_D来说，

(A-1)源极/漏极区之一与电源单元100连接，

(A-2)另一源极/漏极区与包括在发光单元ELP中的阳极电极连接，并与电容器单元C₁的电极之一连接，构成第二节点ND₂，和

(A-3)栅电极与写入晶体管TR_W的另一源极/漏极区连接，还与电容器单元C₁的另一个电极连接，构成第一节点ND₁。

另外，就写入晶体管TR_W来说，

(B-1)源极/漏极区之一与数据线DTL连接，和

(B-2)栅电极与扫描线SCL连接。

图3图解说明有机EL显示设备的一部分的示意局部横截面图。构成驱动电路11的晶体管TR_D及TR_W，和电容器单元C₁形成于支承元件20上，发光单元ELP经例如层间绝缘层40形成于构成驱动电路11的晶体管TR_D及TR_W，和电容器单元C₁之上。另外，驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区经接触孔与提供给发光单元ELP的阳极电极连接。注意图3只图解说明了驱动晶体管TR_D。其它晶体管被隐藏，看不见。

更具体地说，驱动晶体管TR_D由栅电极31，栅极绝缘层32，提供给半导体层33的源极/漏极区35和35，以及等同于源极/漏极区35和35之间的那部分半导体层33的沟道形成区34构成。另一方面，电容器单元C₁由另一个电极36，由栅级绝缘层32的延伸部分构成的介电层，和一个电极37(等同于第二节点ND₂)构成。栅电极31，一部分的栅极绝缘层32，和构成电容器C₁的电极36形成于支承元件20上。驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一35与布线38连接，另一个源极/漏极区35与一个电极37连接。驱动晶体管TR_D和电容器单元C₁等被层间绝缘层40覆盖，由阳极电极51，空穴输送层，发光层，电子输送层和阴极电极53构成的发光单元ELP设置在层间绝缘层40之上。注意在图3中，空穴输送层，发光层和电子输送层用一层52表示。第二层间绝缘层54设置在未设置发光单元ELP的那部分层间绝缘层40之上，透明衬底21被置于第二层间绝缘层54和阴极电极53之上，在发光层发射的光通过衬底21并向外发射。注意所述一个电极37(第二节点ND₂)和阳极电极51由为层间绝缘层40提供的接触孔连接。另外，阴极电极53经为第二层间绝缘层54和层间绝缘层40设置的接触孔56和55，与设置在栅极绝缘层32的延伸部分之上的布线39连接。

下面说明图3等中所示的有机EL显示设备的制造方法。首先，利用现有技术的方法在支承元件20上形成诸如扫描线SCL之类的各种布线，构成电容器单元C₁的电极，由半导体层构成的晶体管，层间绝缘层，接触孔等。接下来，利用现有技术的方法进行成膜和图形化，从而形成以矩阵方式排列的发光单元ELP。随后，在使经过上述过程的支承元件20和衬底21彼此相对，并密封其周边之后，进行与外部电路的连接，从而能够获得有机EL显示设备。

有机EL显示设备由按二维矩阵方式排列的(N/3)×M个像素构成。我们假定构成每个像素的有机EL显示元件10是按行次序驱动的，并且显示帧速率为FR(次/秒)。具体地说，构成排列在第m行(这里，m＝1，2，3...M)的(N/3)个像素(N个子像素)中的每个像素的有机EL显示元件10同时被驱动。换句话说，就构成一行的有机EL显示元件来说，以有机EL显示元件所属的行为增量控制其发射/不发射计时。注意把视频信号写入构成一行的像素中的处理可以是把视频信号同时写入所有像素的处理(下面，在一些情况下简称为“同时写入处理”)，或者对每个像素顺序写入视频信号的处理(下面，在一些情况下简称为“顺序写入处理”)。可酌情按照有机EL显示设备的构造，选择是否确定任一种写入处理。

下面，关于置于第m行，第n列(n＝1，2，3...N)的有机EL显示元件10说明驱动和操作，不过下面将把这样的有机EL显示元件10称为第(n，m)有机EL显示元件10或第(n，m)子像素。执行各种处理(后面说明的阈值电压抵消处理，写入处理和迁移率校正处理)，直到排列在第m行的有机EL显示元件10的水平扫描期间(第m水平扫描期间)结束为止。注意写入处理或迁移率校正处理是在第m水平扫描期间内执行的，不过在一些情况下，从第(m-m″)水平扫描期间到第m水平扫描期间重复执行写入处理或迁移率校正处理。另一方面，取决于驱动电路的种类，阈值电压抵消处理可以和预处理一起在第m水平扫描期间之前被执行。

随后，在完成上述各种处理之后，使构成排列在第m行的有机EL显示元件10的发光单元发光。注意在全部完成上述各种处理之后，可使发光单元立即发光，或者可在过去预定时间(例如，预定行数的水平扫描期间)之后使发光单元发光。可酌情按照有机EL显示设备的构造，驱动电路的构造等设置所述预定时间。为了便于解释，在下面的说明中，我们假定在各种处理之后，发光单元立即发光。随后，构成排列在第m行的每个有机EL显示元件10的发光单元的发光状态继续下去，直到开始排列在第(m+m′)行的每个有机EL显示元件10水平扫描期间为止。这里，“m′”是依据有机EL显示设备的设计规范确定的。即，构成排列在某一显示帧的第m行的每个有机EL显示元件10的发光单元的发光继续下去，直到第(m+m′-1)行的水平扫描期间为止。另一方面，从第(m+m′)水平扫描期间的开始到后面说明的辅助驱动过程的开始，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，从而保持不发射状态。提供不发射状态(下面，在一些情况下简称为“不发射”期间)减少归因于有源矩阵驱动的残像模糊，能够进一步改善运动图像质量。另外，水平扫描期间的时间长度是小于(1/FR)×(1/M)秒的时间长度。在(m+m′)的值超过M的情况下，利用下一显示帧处理超出部分的水平扫描期间。不过，每个子像素(有机EL显示元件10)的发射状态/不发射状态并不局限于上述状态。可以安排多次重复发射状态/不发射状态，直到在全部完成上述各种处理之后开始辅助驱动过程为止。

就包括单一晶体管的两个源极/漏极区来说，术语“源极/漏极区之一”在一些情况下用于表示位于与电源单元连接的一侧的源极/漏极区。另外，在晶体管处于接通状态时，这意味其中在源极/漏极区之间形成沟道的状态。电流是否从这种晶体管的源极/漏极区之一流到另一源极/漏极区是无关系的。另一方面，当晶体管处于断开状态时，这意味其中在源极/漏极区之间不形成沟道的状态。另外，其中某一晶体管的源极/漏极区与另一晶体管的源极/漏极区连接的情况包括其中某一晶体管的源极/漏极区和另一晶体管的源极/漏极区占据相同区域的模式。此外，源极/漏极区不仅可由包括杂质的诸如多晶硅、非晶硅之类的导电材料构成，而且可由金属、合金、导电微粒、它们的层状结构、或者由有机材料(导电聚合物)组成的一层构成。另外，就用于下述说明的时间图来说，指示每个期间的横轴的长度(时间长度)是示意图解说明的，并不图解说明每个期间的时间长度的比率。对纵轴来说同样如此。另外，就时间图来说，波形形状也是示意图解说明的。

下面借助实施例说明发光单元ELP的驱动方法

第一实施例

第一实施例涉及按照本发明的实施例的有机电致发光单元的驱动方法。就第一实施例来说，驱动电路11由2个晶体管/1个电容器单元构成。图2中图解说明了包括驱动电路11的有机EL显示元件10的等效电路图。

首先，说明驱动电路和发光单元的细节。驱动电路11由两个晶体管，即，写入晶体管TR_W和驱动晶体管TR_D，以及一个电容器单元C₁构成(2Tr/1C驱动电路)。

驱动晶体管TR_D

驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一经电源线PS1与电源单元100连接。另一方面，驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区与下述连接：

[1]发光单元ELP的阳极电极，和

[2]电容器单元C₁的电极之一，构成第二节点ND₂。另外，驱动晶体管TR_D的栅电极与下述连接：

[1]写入晶体管TR_W的另一源极/漏极区，和

[2]电容器单元C₁的另一电极，构成第一节点ND₁。注意电压V_CC-H和电压V_CC-L是从电源单元100供给的，如后所述。

现在，在有机EL显示元件10的发射状态下，驱动晶体管TR_D被驱动，以便按照下面的表达式(1)供给漏电流I_ds。在有机EL显示元件10的发射状态下，驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一充当漏极区，另一个源极/漏极区充当源极区。为了便于解释，就下面的说明来说，在一些情况下，驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一被简称为“漏极区”，另一源极/漏极区被简称为“源极区”。注意：

μ：有效迁移率

L：沟道长度

W：沟道宽度

V_gs：栅电极和源极区之间的电位差

V_th：阈值电压

C_ox：(栅极绝缘层的相对介电常数)×(真空介电常数)/(栅极绝缘层的厚度)

$k\≅(1/2)\·(W/L)\·C_{\mathrm{ox}}$

I_ds＝k·μ·(V_gs-V_th)²(1)

漏电流I_ds流入有机EL显示元件10的发光单元ELP，从而有机EL显示元件10的发光单元ELP发光。此外，有机EL显示元件10的发光单元ELP的发射状态(亮度)由漏电流I_ds的值的大小控制。

写入晶体管TR_W

如上所述，写入晶体管TR_W的另一源极/漏极区与驱动晶体管TR_D的栅电极连接。另一方面，写入晶体管TR_W的源极/漏极区之一与数据线DTL连接。从而，用于控制发光单元ELP的亮度的视频信号(驱动信号，亮度信号)V_Sig经数据线DTL从信号输出电路102被供给源极/漏极区之一。注意可经数据线DTL向源极/漏极区之一供给除V_Sig之外的各种信号或电压(用于预先充电驱动的信号，各种参考电压等)。另外，写入晶体管TR_W的接通/断开操作由来自与写入晶体管TR_W的栅电极连接的扫描线SCL的信号，具体地说，由来自扫描电路101的信号控制。

发光单元ELP

如上所述，发光单元ELP的阳极电极与驱动晶体管TR_D的源极区连接。另一方面，发光单元ELP的阴极电极与被施加电压V_Cat的电源线PS2连接。发光单元ELP的寄生电容用符号C_EL表示。另外，我们假定发光单元ELP的发射阈值电压为V_th-EL。即，当在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加电压V_th-EL或更高的电压时，发光单元ELP发光。

下面，说明按照第一实施例的发光单元ELP的驱动方法。

就下面的说明来说，电压或电位的值如下所述，不过这些值是解释性数值，因此，数值并不局限于这些数值。

V_Sig：用于控制发光单元ELP的亮度的视频信号...0～10伏

V_CC-H：用于向发光单元ELP供给电流的驱动电压...20伏

V_CC-L：第二节点初始化电压...-10伏

V_Ofs用于初始化驱动晶体管TR_D的栅电极的电位(第一节点ND₁的电位)的第一节点初始化电压...0伏

V_th：驱动晶体管TR_D的阈值电压...3伏

V_Cat：待施加给发光单元ELP的阴极电极的电压...0伏

V_th-EL：发光单元ELP的阈值电压...3伏

按照每个实施例的发光单元ELP的驱动方法包括利用驱动电路的下述过程：

执行预处理的过程(a)，其中第一节点ND₁的电位，第二节点ND₂的电位被初始化，以致第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差超过驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th，另外，第二节点ND₂和提供给发光单元ELP的阴极电极之间的电位差不超过发光单元ELP的阈值电压V_th-EL；

执行阈值电压抵消处理的过程(b)，其中在保持第一节点ND₁的电位的状态下，使第二节点ND₂的电位朝着通过从第一节点ND₁的电位减去驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th而获得的电位变化；

执行写入处理的过程(c)，其中经已被来自扫描线SCL的信号设为接通状态的写入晶体管TR_W，从数据线DTL对第一节点ND₁应用视频信号V_Sig；

通过根据来自扫描线SCL的信号，把写入晶体管TR_W设为断开状态，把第一节点ND₁设为浮动状态的过程(d)；和

执行一系列过程至少一次的过程(e)，其中在经驱动晶体管TR_D，从电源单元100向发光单元ELP施加与第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差的数值相应的电流，以驱动发光单元ELP之后，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

此外，就按照每个实施例的发光单元ELP的驱动方法来说，反复执行从过程(a)到(c)的一系列过程，另外还在过程(e)和(a)之间设置辅助驱动过程，以便在一定时间内，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压，所述辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的时间被限制为1毫秒以下。

图4示意图解说明按照第一实施例的发光单元ELP的驱动时间图。在图4中所示的期间TP(2)₆的终止和期间TP(2)₊₁的开始之间设有期间TP(2)₇和TP(2)₈，这将在后面说明。在期间TP(2)₇执行上述辅助驱动过程。

首先，为了帮助理解本发明的实施例，在按照第一实施例的发光单元ELP的驱动方法的各个过程中，将说明在省略上述辅助驱动过程的情况下的操作，和这种情况下的问题。按照参考例子的发光单元ELP的驱动时间图示意图解说明于图5中，其中省略了图4中所示的期间TP(2)₇和TP(2)₈中的操作，这些期间都包括在前一期间TP(2)₆′中。每个晶体管的接通/断开状态等示意图解说明于图6A-6F，和图7A及7B中。

图5中所示的期间TP(2)₀-TP(2)₃是紧接在执行写入处理的期间TP(2)₄之前的操作期间。就期间TP(2)₀-TP(2)₃来说，第(n，m)有机EL显示元件10通常处于不发射状态。如图5中所示，除了期间TP(2)₄之外，期间TP(2)₁-TP(2)₃包括在第m水平扫描期间中。注意，为了便于解释，下面将在假定期间TP(2)₁的开始和期间TP(2)₄的终止分别与第m水平扫描期间的开始和终止相配的情况下进行说明。

下面说明期间TP(2)₀-TP(2)₃中的每个期间。注意期间TP(2)₁-TP(2)₃中的每个期间的长度可酌情按照有机EL显示设备的设计来设定。

期间TP(2)₀(参见图5和6A)

期间TP(2)₀是从前一显示帧到当前显示帧的操作。即，期间TP(2)₀是从前一显示帧的第(m+m′)水平扫描期间到当前显示帧的第(m-1)水平扫描期间的时间，就期间TP(2)₀来说，第(n，m)个有机EL显示元件10处于不发射状态。期间TP(2)₀的开始未被示出，不过从电源单元100供给的电压从驱动电压V_CC-H转换成第二节点初始化电压V_CC-L。其结果是，第二节点ND₂的电位降低到V_CC-L，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随着第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低。

如后所述，就按照第一实施例的有机EL显示设备来说，在每个水平扫描期间，从信号输出电路102向数据线DTL施加第一节点初始化电压V_Ofs，随后，代替第一节点初始化电压V_Ofs向其施加视频信号V_Sig。更具体地说，对应于当前显示帧的第m水平扫描期间，向数据线DTL施加第一节点初始化电压V_Ofs，随后，代替第一节点初始化电压V_Ofs，对其施加与第(n，m)个子像素对应的视频信号(为了便于解释，用V_{Sig_m}表示，对其它视频信号来说同样如此)。类似地，对应于第(m+1)水平扫描期间，向数据线DTL施加第一节点初始化电压V_Ofs，随后，代替第一节点初始化电压V_Ofs，对其施加与第(n，m+1)个子像素对应的视频信号V_{Sig_m+1}。尽管图5中省略了描述，不过在除第m和第(m+1)水平扫描期间之外的每个水平扫描期间，对数据线DTL施加第一节点初始化电压V_Ofs和视频信号V_Sig。

期间TP(2)₁(参见图5和6B)

随后，开始在当前显示帧的第m行的水平扫描期间。就期间TP(2)₁来说，执行上述过程(a)，即，上述预处理。

就第一实施例来说，在上述过程(a)，经已由来自扫描线SCL的信号设为接通状态的写入晶体管TR_W，从数据线DTL对第一节点ND₁施加第一节点初始化电压V_Ofs。另外，在过程(a)，经驱动晶体管TR_D从电源单元100对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_CC-L。

具体地说，在开始期间TP(2)₁时，扫描线SCL被设为高电平，从而把写入晶体管TR_W设为接通状态。其结果是，第一节点ND₁的电位变成V_Ofs(0伏)。从电源单元100对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_CC-L，因此，第二节点ND₂的电位保持V_CC-L(-10伏)。

第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差为10伏，驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th为3伏，因此，驱动晶体管TR_D处于接通状态。注意第二节点ND₂和为发光单元ELP提供的阴极电极之间的电位差为-10伏，因此，未超过发光单元ELP的阈值电压V_th-EL。从而，预处理已完成，其中第一节点ND₁的电位和第二节点ND₂的电位已被初始化。

期间TP(2)₂(参见图5和6C)

就期间TP(2)₂来说，执行上述过程(b)，即，上面的阈值电压抵消处理。

就第一实施例来说，在过程(b)，保持经已由来自扫描线SCL的信号设为接通状态的写入晶体管TR_W，从数据线DTL对第一节点ND₁施加第一节点初始化电压V_Ofs，从而保持第一节点ND₁的电位的状态。另外，在过程(b)，从电源单元100对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加电压，该电压高于通过从第一节点ND₁的电位中减去驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th而获得的电压，从而朝着从第一节点ND₁的电位中减去驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th而获得的电位改变第二节点ND₂的电位。

即，在保持写入晶体管TR_W的接通状态的时候，从电源单元100供给的电压从V_CC-L转换成V_CC-H。其结果是，第一节点ND₁的电位不被改变(保持V_Ofs＝0伏)，但是使第二节点ND₂的电位朝着从第一节点ND₁的电位中减去驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th而获得的电位改变。即，处于浮动状态的第二节点ND₂的电位增大。为了便于解释，我们假定期间TP(2)₂的长度足以改变第二节点ND₂的电位。

在期间TP(2)₂足够长的情况下，驱动晶体管TR_D的栅电极和另一源极/漏极区之间的电位差到达V_th，驱动晶体管TR_D转为断开状态。即，处于浮动状态的第二节点ND₂的电位接近于(V_Ofs-V_th＝-3伏)，最后变成(V_Ofs-V_th)。现在如果下述表达式(2)成立，换句话说，如果选择和确定某一电位以便满足表达式(2)，那么发光单元ELP不发光。

(V_Ofs-V_th)＜(V_th-EL+V_Cat)(2)

就期间TP(2)₂来说，第二节点ND₂的电位最终变成(V_Ofs-V_th)。即，第二节点ND₂的电位是仅仅根据用于初始化驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th的电位，和驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的电压V_Ofs确定的，而与发光单元ELP的阈值电压V_th-EL无关。

期间TP(2)₃(参见图5和6D)

在开始期间TP(2)₃时，写入晶体管TR_W被来自扫描线SCL的信号设为断开状态。另外，待施加给数据线DTL的电压从第一节点初始化电压V_Ofs转换成视频信号V_{Sig_m}。就阈值电压抵消处理来说，在驱动晶体管TR_D已达到断开状态的情况下，第一节点ND₁和第二节点ND₂的电位基本不变化。注意，就阈值电压抵消处理来说，在驱动晶体管TR_D未达到断开状态的情况下，在期间TP(2)₃发生自举操作，第一节点ND₁和第二节点ND₂的电位稍微增大。

期间TP(2)₄(参见图5和6E)

在本期间内执行上述过程(c)，即，上述写入处理。写入晶体管TR_W被来自扫描线SCL的信号设为接通状态。随后，经写入晶体管TR_W从数据线DTL对第一节点ND₁施加视频信号V_{Sig_m}。其结果是，第一节点ND₁的电位增大到V_{Sig_m}。驱动晶体管TR_D处于接通状态。注意可以安排在一些情况下在期间TP(2)₃，保持写入晶体管TR_W的接通状态。就这种安排来说，在期间TP(2)₃，数据线DTL的电压从第一节点初始化电压V_Ofs转换成视频信号V_{Sig_m}之后，立即开始写入处理。

现在，我们假定电容器单元C₁的电容为值c₁，发光单元ELP的电容C_EL为值c_EL，驱动晶体管TR_D的栅电极和另一源极/漏极区之间的寄生电容为值c_gs。当驱动晶体管TR_D的栅电极的电位从V_Ofs变到V_{Sig_m}(＞V_Ofs)时，电容器单元C₁的两端的电位(第一节点ND₁和第二节点ND₂的电位)通常被改变。即，以驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的变化量为基础的电荷被分配给电容器单元C₁，发光单元ELP的电容C_EL，和驱动晶体管TR_D的栅电极与另一源极/漏极区之间的寄生电容。于是，在与值c₁和c_gs相比，值c_EL足够大的情况下，以驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的变化量(V_{Sig_m}-V_Ofs)为基础的驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区(第二节点ND₂)的电位的变化较小。通常，发光单元ELP的电容C_EL的值c_EL大于电容器单元C₁的电容的值c₁，和驱动晶体管TR_D的寄生电容的值c_gs。于是，上面的说明未考虑由第一节点ND₁的电位变化造成的第二节点ND₂的电位变化。另外，除非绝对必要，将在不考虑由第一节点ND₁的电位变化造成的第二节点ND₂的电位变化的情况下进行说明。对其它实施例来说同样如此。注意驱动时间图是在未考虑由第一节点ND₁的电位变化造成的第二节点ND₂的电位变化的情况下图解说明的。

就上面的写入处理来说，在从电源单元100对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加驱动电压V_CC-H的时候，视频信号V_{Sig_m}被施加给驱动晶体管TR_D的栅电极。于是，如图5中所示，在期间TP(2)₄，第二节点ND₂的电位增大。该电位的增长量(图5中所示的ΔV)将在后面说明。如果我们假定驱动晶体管TR_D的栅电极(第一节点ND₁)的电位为V_g，驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区(第二节点ND₂)的电位为V_s，在不考虑第二节点ND₂的电位的增大的情况下，V_g的值和V_s的值如下所示。第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差，即，驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一源极/漏极区之间的电位差V_gs可用下面的表达式(3)表示。

V_g＝V_{Sig_m}

$V_s{\≅V}_{\mathrm{Ofs}}-V_{\mathrm{th}}$

$V_{\mathrm{gs}}\≅V_{\mathrm{Sig}\_m}-(V_{\mathrm{Ofs}}-V_{\mathrm{th}})---\left(3\right)$

即，在关于驱动晶体管TR_D的写入处理获得的V_gs仅仅取决于用于控制发光单元ELP的亮度的视频信号V_{Sig_m}，驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th，和用于初始化驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的电压V_Ofs，而与发光单元ELP的阈值电压V_th-EL无关。

下面，说明在期间TP(2)₄，第二节点ND₂的电位的增长。就上面的驱动方法来说，迁移率校正处理是和写入处理一起执行的，其中驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区的电位(即，第二节点ND₂的电位)按照驱动晶体管TR_D的性质(例如，迁移率μ的大小等)被增大。

在驱动晶体管TR_D由多晶硅薄膜晶体管等构成的情况下，难以避免晶体管之间迁移率μ的不规则性。于是，即使对具有不同迁移率μ的多个驱动晶体管TR_D的栅电极施加值相同的视频信号V_Sig，也会造成流入具有大迁移率μ的驱动晶体管TR_D的漏电流I_ds和流入具有小迁移率μ的驱动晶体管TR_D的漏电流I_ds之间的差异，这种情况下，危及有机EL显示设备的屏幕的均匀性。

就上面的驱动方法来说，在从电源单元100对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加驱动电压V_CC-H的时候，对驱动晶体管TR_D的栅电极施加视频信号V_{Sig_m}。于是，如图5中所示，在期间TP(2)₄，第二节点ND₂的电位增大。在驱动晶体管TR_D的迁移率μ的值较大的情况下，驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区的电位(即，第二节点ND₂的电位)的增长量ΔV(电位校正值)增大。相反，在驱动晶体管TR_D的迁移率μ的值较小的情况下，驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区的电位的增长量ΔV(电位校正值)降低。现在，通过把表达式(3)重写成表达式(4)，表述驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一源极/漏极区之间的电位差。

$V_{\mathrm{gs}}\≅V_{\mathrm{Sig}\_m}-(V_{\mathrm{Ofs}}-V_{\mathrm{th}})-\mathrm{\ΔV}---\left(4\right)$

注意，用于执行写入处理的预定时间期间(期间TP(2)₄的整个时间t₀)应在设计有机EL显示设备时作为设计值被预先确定。另外，确定期间TP(2)₄的整个时间t₀，以致此时驱动晶体管TR_D的另一源极/漏极区的电位(V_Ofs-V_th+ΔV)满足下面的表达式(2′)。从而，在期间TP(2)₄，发光单元ELP不发光。此外，按照这种迁移率校正处理，还同时执行系数 $k(\≅(1/2)\·(W/L)\·C_{\mathrm{OX}})$ 的不规则性的校正。

(V_Ofs-V_th+ΔV)＜(V_th-EL+V_Cat)(2′)

期间TP(2)₅(参见图5和6F)

按照上面的操作，完成了阈值电压抵消处理，写入处理和迁移率校正处理。随后，在期间TP(2)₅，执行发光单元ELP的驱动(它构成上述过程(e)的前半部)。具体地说，在保持从电源单元100对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加驱动电压V_CC-H的状态的时候，基于扫描电路101的操作，扫描线SCL被设为低电平，写入晶体管TR_W被设为断开状态，第一节点ND₁，即，驱动晶体管TR_D的栅电极被设为浮动状态。作为这种设置的结果，第二节点ND₂的电位增大。

现在，如上所述，驱动晶体管TR_D的栅电极处于浮动状态，此外，存在电容器单元C₁，因此，在驱动晶体管TR_D的栅电极发生和所谓的自举电路一样的现象，第一节点ND₁的电位也增大。其结果是，驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一源极/漏极区之间的电位差V_gs拥有表达式(4)的值。

另外，第二节点ND₂的电位增大并超过(V_th-EL+V_Cat)，因此，发光单元ELP开始发光。此时，流入发光单元ELP的电流是从驱动晶体管TR_D的漏极区流到源极区的漏电流I_ds，因此，该电流可用表达式(1)来表示。现在，根据表达式(1)和(4)，表达式(1)可被重写为下面的表达式(5)。

I_ds＝k·μ·(V_{Sig_m}-V_Ofs-ΔV)²(5)

于是，例如，在V_Ofs被设为0伏的情况下，流入发光单元ELP的电流I_ds正比于通过从用于控制发光单元ELP的亮度的视频信号V_{Sig_m}中减去归因于驱动晶体管TR_D的迁移率μ的电位校正值ΔV的值而获得的数值的平方。换句话说，流入发光单元ELP的电流I_ds既不取决于发光单元ELP的阈值电压V_th-EL，又不取决于驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th。即，发光单元ELP的发射量(亮度)不受发光单元ELP的阈值电压V_th-EL影响，也不受驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th影响。第(n，m)个有机EL显示元件10的亮度是和电流I_ds对应的值。

此外，驱动晶体管TR_D的迁移率μ越大，电位校正值ΔV越大，因此，表达式(4)左侧的V_gs的值变小。于是，在表达式(5)中，即使迁移率μ的值较大，(V_{Sig_m}-V_Ofs-ΔV)²的值也变小，从而，漏电流I_ds能够被校正。即，即使就具有不同迁移率μ的驱动晶体管TR_D来说，在视频信号V_Sig的值相同的情况下，漏电流I_ds通常变得相同，从而，使流入发光单元ELP并控制发光单元ELP的亮度的电流I_ds均匀。从而，能够校正由迁移率μ的不规则性(此外，k的不规则性)引起的发光单元ELP的亮度的不规则性。

随后，继续发光单元ELP的发射状态，直到第(m+m′-1)水平扫描期间为止。第(m+m′-1)水平扫描期间的终止等同于期间TP(2)₅的终止。

期间TP(2)₆′(参见图5和7A)

下面，执行构成上述过程(e)的后半部的过程，在该过程中，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

按照第一实施例，就上述过程(e)来说，经驱动晶体管TR_D从电源单元100对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_CC-L，从而在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

具体地说，在保持写入晶体管TR_W的断开状态的时候，在开始期间TP(2)₆′(换句话说，开始第(m+m′)水平扫描期间)时，使从电源单元100供给的电压从电压V_CC-H转换成电压V_CC-L。其结果是，第二节点ND₂的电位降为V_CC-L，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随同第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低。

随后，继续上述不发射状态，直到下一帧的第(m-1)水平扫描期间为止。该时刻等同于紧接于图5中所示的期间TP(2)₊₁的开始之前。从而，在发光单元ELP被设为发射状态之后，发光单元ELP被设为不发射状态，从而归因于有源矩阵驱动的残像模糊被减少，能够进一步改善运动图像质量。

随后，就期间TP(2)₊₁和之后来说，重复和上述期间TP(2)₁-TP(2)₆′相同的过程(参见图5和7B)。

就利用按照上述参考例子的驱动方法，驱动发光单元ELP的有机EL显示设备来说，例如，当长时间显示某一图案时，在一些情况下残留与图案相应的亮度变化。如图33A中所示，就有机EL显示设备的显示区EA来说，以区域A作为白色显示，窗形区域B作为黑色显示进行长时间显示(前面关于背景技术已说明)。随后，如果整个显示区EA被设为白色显示，如图33B中所示，那么会看到其中相对于对应于区域B的部分的亮度，对应于区域A的部分的亮度变得较低的现象。其结果是，有机EL显示设备的显示质量降低。

发明人和其他人已按照图5中所示的驱动时间图驱动有机EL显示设备，以在有机EL显示设备上长时间显示图33A中的图案，并测量发光单元ELP的电压-电流性质的变化。具体地说，发明人和其他人对构成区域A(白色显示部分)的像素的某一发光颜色(例如，绿色)的发光单元ELP的两端施加DC电压，以改变电压的值，并测量电压-电流性质。类似地，发明人和其他人对构成区域B(黑色显示部分)的像素的某一发光颜色的发光单元ELP的两端施加DC电压，以改变电压的值，并测量电压-电流性质。测量结果示于图8A中。

从而，发现在构成区域A(白色显示部分)的发光单元ELP和构成区域B(黑色显示部分)的发光单元ELP之间，存在主要涉及反向电流的值的差异。具体地说，如图8A中所示，发现就构成区域A(白色显示部分)的发光单元ELP来说，与构成区域B(黑色显示部分)的发光单元ELP相比，反向电流的电流值的绝对值较大的趋向。发明人和其他人检查了发光单元ELP的反向电流的性质的变化在期间TP(2)₂到期间TP(2)₃，对第二节点ND₂的电位的影响，以及对发光单元ELP的亮度的影响，如下所示。

期间TP(2)₂的操作已参考图5进行了说明，不过上述说明并未特别考虑发光单元ELP的反向电流。但是，就期间TP(2)₂来说，对发光单元ELP施加反向电压。对期间TP(2)₃来说同样如此。

图8B是用于描述在考虑流入发光单元ELP的反向电流的情况下，在期间TP(2)₂，第二节点ND₂的电位变化的示意电路图。图8C是用于描述在考虑流入发光单元ELP的反向电流的情况下，在期间TP(2)₃，第二节点ND₂的电位变化的示意电路图。

如图8B中所示，就期间TP(2)₂来说，较大的反向电流流入构成区域A(白色显示部分)的发光单元ELP中。类似地，如图8C中所示，同样就TP(2)₃来说，较大的反向电流流入构成区域A(白色显示部分)的发光单元ELP中。

图9是图解说明当发光单元ELP的反向电流存在差异时，在驱动电路11的第一节点ND₁和第二节点ND₂的电位变化的示意图。当发光单元ELP的反向电流增大时，在期间TP(2)₂到期间TP(2)₃，第二节点ND₂的电位进一步增大。与此同时，第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差进一步降低。

于是，当发光单元ELP的反向电流增大时，在期间TP(2)₅，流入驱动晶体管TR_D的电流减小，第二节点ND₂的电位增长被降低，由自举操作引起的第一节点ND₁的电位增长也被降低。此外，在期间TP(2)₅，流入驱动晶体管TR_D的电流减小，因此，发光单元ELP的亮度也降低。即，相对于构成区域B(黑色显示部分)的发光单元ELP的亮度，构成区域A(白色显示部分)的发光单元ELP的亮度降低。从而，易于发生图33B中所示的现象。

于是，发明人和其他人研究了能够减小图33B中所示亮度差异的水平的各种驱动方法。其结果是，发现利用在过程(e)和下一过程(a)之间设置辅助驱动过程的驱动方法，能够减小图33B中所示的亮度差异的水平，在所述辅助驱动过程中，在一定时间内在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压，并且从辅助驱动过程的终止到下一过程(b)的终止的时间被设为1毫秒以下。

如上所述，图4是包括辅助驱动过程的按照第一实施例的发光单元ELP的驱动时间图的示意图。就第一实施例来说，辅助驱动过程是在过程(e)和下一过程(a)之间，更具体地说，在期间TP(2)₆之后的期间TP(2)₇执行的。我们假定从终止辅助驱动过程到终止下一过程(b)的时间，更具体地说，从终止期间TP(2)₇到终止期间TP(2)₊₂的时间T_D为1毫秒以下。注意，尽管图4中未示出，不过甚至在图4中所示的期间TP(2)₀之前执行如上所述的相同辅助驱动过程。在图4中所示的期间TP(2)₇到TP(2)₊₂，每个晶体管的接通/断开状态等示意图解说明于图10A-10D中。

图4中所示的期间TP(2)₀到TP(2)₅的操作和参考图5说明的期间TP(2)₀到TP(2)₅的操作相同，因此其说明将被省略。除了其终止不同之外，图4中所示的期间TP(2)₆′的操作和参考图5说明的期间TP(2)₆′的操作相同，因此其说明将被省略。图4中所示的期间TP(2)₆被继续，例如，直到排列在第(m+m′+Δm′)行的有机EL显示元件10的水平扫描期间，即，第(m+m′+Δm′)水平扫描期间之前。这里，“Δm′”是依据有机EL显示设备的设计规范确定的。在(m+m′+Δm′)的值超过M的情况下，在下一显示帧处理该水平扫描期间的超出部分。

就第一实施例来说，在写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在开始期间TP(2)₇时，即，在开始第(m+m′+Δm′)水平扫描期间时，使电源单元100的电压从电压V_CC-L转换成电压V_CC-H，在期间TP(2)₇中，该状态被保持。从而，在期间TP(2)₇中，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压。就第一实施例来说，期间TP(2)₇的长度被固定为预定长度，通常为3毫秒。对后面说明的其它实施例来说同样如此。

驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一源极/漏极区之间的电位差V_gs基本保持表达式(4)中的值，因此，如图10A中所示，具有表达式(5)中所示值的漏电流I_ds流入发光单元ELP。即，就第一实施例来说，辅助驱动过程是其中与第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差的数值对应的电流从电源单元100，经驱动晶体管TR_D流入发光单元ELP，从而驱动发光单元ELP的过程。

随后，在写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在开始期间TP(2)₈时，从电源单元100供给的电压从电压V_CC-H转换成电压V_CC-L。其结果是，第二节点ND₂的电位降为V_CC-L，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随同第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低。

随后，继续发光单元ELP的不发射状态，直到下一帧的第(m-1)水平扫描期间为止。该时刻等同于紧接于图4中所示的TP(2)₊₁的始点之前。

随后，就期间TP(2)₊₁及之后来说，重复和上述期间TP(2)₁到TP(2)₈相同的过程。具体地说，就期间TP(2)₊₁来说，按照和图4中所述的期间TP(2)₁相同的方式，执行过程(a)，即，预处理(参见图10C)。另外，就期间TP(2)₊₂来说，按照和图4中所述的期间TP(2)₂相同的方式，执行阈值电压抵消处理(参见图10D)。

现在，从终止辅助驱动过程到终止下一过程(b)的时间被设为1毫秒以下。具体地说，设置期间TP(2)₇和TP(2)₈，以致图4中所示的从期间TP(2)₇的终止(辅助驱动过程的终止)到TP(2)₊₂的开始(下一过程(b)的开始)的时间T_D变成1毫秒以下。

图11是说明当按照图5中所示的驱动时间图，驱动有机EL显示设备，在有机EL显示设备上长时间显示图33A中的图案，随后按照图4和5中所示的时间图驱动有机EL显示设备，并且有机EL显示设备被全白显示时，区域A和B的亮度的示意图。

首先，按照图5中所示的其中不执行辅助驱动过程的时间图驱动有机EL显示设备，另外有机EL显示设备被全白显示。此时，当以区域B的亮度为1进行归一化时，区域A的亮度为0.95。

随后，按照图4中所示的时间图驱动有机EL显示设备，并且有机EL显示设备被全白显示。注意即使在辅助驱动过程，发光单元ELP也发光，因此，发射期间显著增大，亮度稍微增大。当以在把上述时间T_D设为3毫秒时区域B的亮度为1进行标准化时，区域A的亮度为0.95。在把时间T_D设为2毫秒时区域B的亮度为1.00，区域A的亮度为0.95。在把时间T_D设为1毫秒时区域B的亮度为0.95，区域A的亮度为0.92。在把时间T_D设为0.5毫秒时区域B的亮度为0.90，区域A的亮度为0.90。

在时间T_D为2-3毫秒的情况下，关于区域A和B的亮度差的水平的缩减效果未得到确认。但是，就1毫秒的时间T_D来说，区域A和B的亮度差的水平被稍微缩减，在时间T_D为0.5毫秒的情况下，几乎不能识别区域A和B的亮度差。

从而，认识到时间T_D越短，整个有机EL显示设备的亮度降低越少，区域A和B的亮度差的水平被减小得越小的趋向。这种趋向的具体原因并不清楚，不过我们推断时间T_D越短，在期间TP(2)₂和TP(2)₃，发光单元ELP的反向电流增大得越多。另外，我们推断时间T_D越短，构成区域A(白色显示部分)的发光单元ELP的反向电流性质和构成区域B(黑色显示部分)的发光单元ELP的反向电流性质之间的差异减小得越小。即，当对发光单元ELP的两端施加DC电压，并通过改变电压的值测量电压-电流性质时，在图8A中该性质是静止的。不过，就动态操作时，发光单元ELP的反向电流性质来产，当时间T_D被设为1毫秒时，如图12中用虚线所示，估计构成区域A(白色显示部分)的发光单元ELP和构成区域B(黑色显示部分)的发光单元ELP将按照相同的方式工作。

至此，说明了按照第一实施例的发光单元ELP的驱动方法。下面说明第一实施例的修改。

图13是按照第一修改的发光单元ELP的驱动时间图的示意图。就第一修改来说，多次执行一系列的过程，其中在驱动发光单元ELP之后，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。图13图解说明在两次执行一系列过程的情况下的例子。即，图13中所示的期间TP(2)₅到TP(2)_6A等同于第一次的一系列过程，期间TP(2)_6B到TP(2)_6C等同于第二次的一系列过程。从而，能够进一步减少显示在有机EL显示设备上的图像闪烁。驱动电路在期间TP(2)_6B到TP(2)_6C的操作基本上和参考图5中的期间TP(2)₆说明的操作相同。另外，期间TP(2)_6B的操作基本上和参考图5中的期间TP(2)₇说明操作相同。

图14是按照第二修改的发光单元ELP的驱动时间图的示意图。第二修改和第一修改的不同之处在于电源单元100供给两种电压作为第二节点初始化电压。具体地说，除了上述电压V_CC-L之外，还供给中间电压V_CC-M(例如，-3伏)作为第二节点初始化电压。随后，在期间TP(2)_6A和TP(2)_6C，电源单元100供给中间电压V_CC-M。例如，由于在期间TP(2)_6A，第二节点ND₂的电位降低得越小，归因于寄生电容等的影响，第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差降低得越小，在期间TP(2)_6B，发光单元ELP的亮度降低得越小，从而产生问题。供给中间电压V_CC-M，从而能够减小亮度的这种降低。

注意可以采用图15中所示的安排(第三修改)，其中电源单元100在图4中所示的期间TP(2)₆施加中间电压V_CC-M。此外，可以安排电源单元100在图4、13、14和15中所示的期间TP(2)₈，施加中间电压V_CC-M，或者可以安排省略期间TP(2)₈，在辅助驱动过程之后立即进行预处理。

第二实施例

第二实施例也涉及按照本发明的实施例的有机电致发光单元的驱动方法。就第二实施例来说，驱动电路11由3个晶体管/1个电容器单元构成(第一3Tr/1C驱动电路)。按照第二实施例的有机EL显示设备的原理图示于图16中，包括驱动电路11的有机EL显示元件10的等效电路示于图17中。

首先，说明驱动电路和发光单元的细节。按照和上述2Tr/1C驱动电路相同的方式，第一3Tr/1C驱动电路也包括两个晶体管，即，写入晶体管TR_W和驱动晶体管TR_D，和一个电容器单元C₁。第一3Tr/1C驱动电路还包括第一晶体管TR₁。

驱动晶体管TR_D

驱动晶体管TR_D的构造和关于第一实施例说明的驱动晶体管TR_D的构造相同，因此，省略详细说明。注意，就第一实施例来说，从电源单元100对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加电压V_CC-L，从而初始化第二节点ND₂的电位。另一方面，就第二实施例来说，如后所述，第一晶体管TR₁被用于初始化第二节点ND₂的电位。于是，就第二实施例来说，不必从电源单元100施加电压V_CC-L，以初始化第二节点ND₂的电位。按照这样的原因，就第二实施例来说，电源单元100供给固定电压V_CC。

写入晶体管TR_W

写入晶体管TR_W的构造和关于第一实施例说明的写入晶体管TR_W的构造相同，因此，省略详细说明。按照和第一实施例相同的方式，从信号输出电路102经数据线DTL用于控制发光单元ELP的亮度的视频信号(驱动信号，亮度信号)V_{Sig_m}，另外，第一节点初始化电压V_Ofs被供给源极/漏极区之一。

第一晶体管TR₁

就第一晶体管TR₁来说，

(C-1)另一源极/漏极区与第二节点ND₂连接，

(C-2)第二节点初始化电压V_SS被施加给源极/漏极区之一，和

(C-3)栅电极与第一晶体管控制线AZ1连接。电压V_SS将在后面说明。

第一晶体管TR₁的接通状态/断开状态由来自第一晶体管控制线AZ1的信号控制。更具体地说，使第一晶体管控制线AZ1与第一晶体管控制电路103连接。根据第一晶体管控制电路103的操作，第一晶体管控制线AZ1被改变成低电平或高电平，第一晶体管TR₁被设为接通状态或断开状态。

发光单元ELP

发光单元ELP的构造和关于第一实施例说明的发光单元ELP的构造相同，从而省略其详细说明。

下面，说明按照第二实施例的发光单元ELP的驱动方法。就下面的说明来说，电压V_CC的值，和电压V_SS的值如下所示，不过这些值是解释性数值，因此，电压的数值并不局限于这些数值。

V_CC：向发光单元ELP供给电流的驱动电压...20伏

V_SS：初始化第二节点ND₂的电位的第二节点初始化电压...-10伏

图18示意图解说明与包括辅助驱动过程的第二实施例的驱动方法相应的发光单元ELP的驱动时间图。在期间TP(3)₆的终止和期间TP(3)₊₁的开始之间设置有期间TP(3)₇和TP(3)₈，它们将在下面详细说明。在期间TP(3)₇执行上面的辅助驱动过程。每个晶体管的接通/断开状态等示意图解说明于图19A-19F和图20A-20E中。

图18所示的期间TP(3)₀到TP(3)₃是在执行写入处理的期间TP(3)₄之前的操作期间。就期间TP(3)₀到TP(3)₃来说，第(n，m)有机EL显示元件10通常处于不发射状态。如图18中所示，除了期间TP(3)₄之外，期间TP(3)₁到TP(3)₃包括在第m水平扫描期间中。注意，为了便于解释，下面将在假定期间TP(3)₁的开始和期间TP(3)₄的终止分别与第m水平扫描期间的开始和终止相配的情况下进行说明。

下面说明期间TP(3)₀-TP(3)₃中的每个期间。注意期间TP(3)₁-TP(3)₃中的每个期间的长度可酌情按照有机EL显示设备的设计来设定。

期间TP(3)₀(参见图19A)

期间TP(3)₀是从前一显示帧到当前显示帧的操作。即，期间TP(3)₀是从前一显示帧的辅助驱动过程的终止到当前显示帧的第(m-1)水平扫描期间的时间。就期间TP(3)₀来说，第(n，m)个有机EL显示元件10处于不发射状态。就期间TP(3)₀来说，第一晶体管TR₁处于接通状态。第二节点初始化电压V_SS经处于接通状态的第一晶体管TR₁被施加给第二节点ND₂。

电压V_CC也经驱动晶体管TR_D被施加给第二节点ND₂。于是，第二节点ND₂的电位由电压V_SS，电压V_CC，和第一晶体管TR₁的导通电阻值及驱动晶体管TR_D的导通电阻值确定。现在，如果我们假定第一晶体管TR₁的导通电阻值足够低，那么第二节点ND₂的电位通常降低到V_SS，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随着第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低。下面在假定当第一晶体管TR₁处于接通状态时，第二节点ND₂的电位为V_SS的情况下进行说明。另外，在假定当第一晶体管TR1处于接通状态时，第二节点ND₂的电位为V_SS的情况下举例说明图18。

同样就按照第二实施例的有机EL显示设备来说，在每个水平扫描期间，从信号输出电路102向数据线DTL施加第一节点初始化电压V_Ofs，随后，代替第一节点初始化电压V_Ofs向其施加视频信号V_Sig。细节和在第一实施例中说明的细节相同，因此，省略详细说明。

期间TP(3)₁(参见图19B)

随后，开始在当前显示帧的第m水平扫描期间。就期间TP(3)₁来说，执行上述过程(a)，即，上述预处理。

不同于第一实施例，按照第二实施例，就过程(a)来说，经已由来自第一晶体管控制线AZ1的信号设为接通状态的第一晶体管TR₁，对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_SS。注意，按照和第一实施例相同的方式，就过程(a)来说，经已由来自扫描线SCL的信号设为接通状态的写入晶体管TR_W，从数据线DTL对第一节点ND₁施加第一节点初始化电压V_Ofs。

具体地说，保持第一晶体管TR₁的接通状态，在开始期间TP(3)₁时，扫描线SCL被设为高电平，从而把写入晶体管TR_W设为接通状态。其结果是，第一节点ND₁的电位变成V_Ofs(0伏)。第二节点ND₂的电位保持V_SS(-10伏)。

以和关于按照第一实施例的TP(2)₁所述相同的方式，第二节点ND₂和为发光单元ELP提供的阴极电极之间的电位差为-10伏，未超过发光单元ELP的阈值电压V_th-EL。从而，完成了初始化第一节点ND₁的电位和第二节点ND₂的电位的预处理。

期间TP(3)₂(参见图19C)

就期间TP(3)₂来说，执行上述过程(b)，即，上面的阈值电压抵消处理。即，在保持写入晶体管TR_W的接通状态的时候，使第一晶体管TR₁从接通状态变成断开状态。如上所述，就第二实施例来说，对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加固定电压V_CC。其结果是，第一节点ND₁的电位不被改变(保持V_Ofs＝0伏)，但是使第二节点ND₂的电位朝着从第一节点ND₁的电位中减去驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th而获得的电位改变。即，处于浮动状态的第二节点ND₂的电位增大。为了便于解释，我们假定期间TP(3)₃的长度足以改变第二节点ND₂的电位。

以关于按照第一实施例的TP(2)₂所述相同的方式，处于浮动状态的第二节点ND₂的电位接近于(V_Ofs-V_th＝-3伏)，最后变成(V_Ofs-V_th)。如果上面的表达式(2)成立，那么发光单元ELP不发光。即，第二节点ND₂的电位是仅仅根据驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th，和用于初始化驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的电压V_Ofs确定的，而与发光单元ELP的阈值电压V_th-EL无关。

期间TP(3)₃(参见图18和19D)

在保持第一晶体管TR₁的断开状态的时候，在期间TP(3)₃开始时，写入晶体管TR_W由来自扫描线SCL的信号设为断开状态。另外，待施加给数据线DTL的电压从第一节点初始化电压V_Ofs转换成视频信号V_{Sig_m}。操作细节和关于第一实施例的期间TP(2)₃所述的操作细节相同，从而省略其说明。

期间TP(3)₄(参见图18和19E)

在本期间内执行上述过程(c)，即，上述写入处理。具体地说，在保持第一晶体管TR₁的断开状态的时候，写入晶体管TR_W被来自扫描线SCL的信号设为接通状态。随后，经写入晶体管TR_W从数据线DTL对第一节点ND₁施加视频信号V_{Sig_m}。其结果是，第一节点ND₁的电位增大到V_{Sig_m}。操作细节和按照第一实施例的其中电压V_CC-H由电压V_CC读取的期间TP(2)₄的描述相同，从而省略其说明。驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一源极/漏极区之间的电位差V_gs用上面的表达式(4)表示。

期间TP(3)₅(参见图18和19F)

按照上面的操作，完成了阈值电压抵消处理，写入处理和迁移率校正处理。随后，就期间TP(3)₅来说，执行发光单元ELP的驱动(它构成上述过程(e)的前半部)。具体地说，保持第一晶体管TR₁的断开状态。随后，在保持从电源单元100对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加驱动电压V_CC的状态的时候，基于扫描电路101的操作，扫描线SCL被设为低电平，写入晶体管TR_W被设为断开状态，第一节点ND₁，即，驱动晶体管TR_D的栅电极被设为浮动状态。操作细节和按照第一实施例的其中电压V_CC-H由电压V_CC读取的期间TP(2)₅的描述相同，从而省略其说明。从驱动晶体管TR_D的漏极区流到源极区的漏电流I_ds可用上面的表达式(5)表示。

随后，继续发光单元ELP的发射状态，直到第(m+m′-1)水平扫描期间为止。第(m+m′-1)水平扫描期间的终止等同于期间TP(3)₅的终止。

期间TP(3)₆(参见图18和20A)

接下来，执行构成上述过程(e)的后半部的过程，在该过程中，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

按照第二实施例，就过程(e)来说，经已由来自第一晶体管控制线AZ1的信号设为接通状态的第一晶体管TR₁，对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_SS，从而在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

具体地说，在写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在开始期间TP(3)₆(换句话说，开始第(m+m′)水平扫描期间)时，使第一晶体管TR₁从断开状态变成接通状态。随后，保持第一晶体管TR₁的接通状态，直到终止期间TP(3)₆为止。其结果是，第二节点ND₂的电位降为V_SS，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随同第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低。

以关于按照第一实施例的期间TP(2)₆所述相同的方式，继续期间TP(3)₆，直到排列在第(m+m′+Δm′)行的每个有机EL显示元件10的水平扫描期间，即，第(m+m′+Δm′)水平扫描期间为止。这里，“Δm′”由有机EL显示设备的设计规范确定。在(m+m′+Δm′)的值超过M的情况下，在下一个显示帧处理水平扫描期间的超出部分。

就第二实施例来说，辅助驱动过程是在期间TP(3)₇执行的。具体地说，在写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在期间TP(3)₇开始时，即，第(m+m′+Δm′)水平扫描期间开始时，使第一晶体管TR₁从接通状态变成断开状态，在期间TP(3)₇中保持该状态。从而，在期间TP(3)₇中，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压。同样就第二实施例来说，TP(3)₇的长度被固定为通常为2毫秒的预定长度。

以关于按照第一实施例的TP(2)₇所述相同的方式，驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一源极/漏极区之间的电位差V_gs基本上处于保持上述表达式(4)的值的状态，从而如图20B中所示，具有上述表达式(5)中所示的值的漏电流I_ds流入发光单元ELP。即，同样就第二实施例来说，辅助驱动过程是其中与第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差的数值对应的电流从电源单元100，经驱动晶体管TR_D流入发光单元ELP，从而驱动发光单元ELP的过程。

随后，在写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在开始期间TP(3)₈时，第一晶体管TR₁从断开状态变成接通状态。其结果是，第二节点ND₂的电位降为V_SS，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随同第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低(参见图20C)。

随后，就期间TP(3)₊₁及之后来说，重复和上述期间TP(3)₁到TP(3)₈相同的过程。例如，就期间TP(3)₊₁来说，按照和图19B中所述的TP(3)₁相同的方式，执行过程(a)，即，预处理(参见图20D)。另外，就期间TP(3)₊₂来说，按照和参考图19C所述的TP(3)₂相同的方式，执行过程(b)，即，阈值电压抵消处理(参见图20E)。

现在，从终止辅助驱动过程到终止下一过程(b)的时间被设为1毫秒以下。具体地说，设置期间TP(3)₇和TP(3)₈，以致图18中所示的从期间TP(3)₇的终止(辅助驱动过程的终止)到TP(3)₊₂的开始(下一过程(b)的开始)的时间T_D变成1毫秒以下。

按照第二实施例的优点的细节和第一实施例中参考图11说明的优点的细节相同，因此省略其说明。

至此，说明了按照第二实施例的发光单元ELP的驱动方法。作为第二实施例的修改，类似于第一实施例的第一修改，可以多次执行一系列的过程，其中在驱动发光单元ELP之后，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。另一方面，尽管电压施加方法不同于第一实施例的第二和第三修改，不过，可做出其中供给两种电压，作为将经第一晶体管施加的第二节点初始化电压的安排。

第三实施例

第三实施例也涉及按照本发明的实施例的有机电致发光单元的驱动方法。就第三实施例来说，驱动电路11由3个晶体管/1个电容器单元构成(第二3Tr/1C驱动电路)。第三实施例的原理图示于图21中，包括驱动电路11的有机EL显示元件10的等效电路示于图22中。

首先，说明驱动电路和发光单元的细节。按照和上述2Tr/1C驱动电路相同的方式，第二3Tr/1C驱动电路也包括两个晶体管，即，写入晶体管TR_W和驱动晶体管TR_D，和一个电容器单元C₁。第二3Tr/1C驱动电路还包括第二晶体管TR₂。

驱动晶体管TR_D

驱动晶体管TR_D的构造和第一实施例中描述的驱动晶体管TR_D的构造相同，因此，省略其详细说明。就第三实施例来说，按照和第一实施例相同的方式，从电源单元100对驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一施加电压V_CC-L，从而初始化第二节点ND₂的电位。于是，电压V_CC-H和电压V_CC-L是从电源单元100供给的。

写入晶体管TR_W

写入晶体管TR_W的构造和在第一实施例中说明的写入晶体管TR_W的构造相同，因此，省略其详细说明。注意，就第一和第二实施例来说，视频信号V_Sig，以及第一节点初始化电压V_Ofs经数据线DTL从信号输出电路102被提供给源极/漏极区之一。另一方面，就第三实施例来说，如后所述，第二晶体管TR₂被用于初始化第一节点ND₁的电位。于是，就第三实施例来说，不必从数据线DTL施加第一节点初始化电压V_Ofs。按照这样的原因，就第三实施例来说，只向数据线DTL施加视频信号V_Sig。就第三实施例来说，可在位于第m水平扫描期间之前的扫描期间执行过程(a)和过程(b)，即，预处理和阈值电压抵消处理。

第二晶体管TR₂

驱动电路11还包括第二晶体管TR₂，就第二晶体管TR₂来说，

(D-1)另一源极/漏极区与第一节点ND₁连接，

(D-2)第一节点初始化电压V_Ofs被施加给源极/漏极区之一，和

(D-3)栅电极与第二晶体管控制线AZ2连接。

第二晶体管TR₂的接通状态/断开状态由来自第二晶体管控制线AZ2的信号控制。更具体地说，使第二晶体管控制线AZ2与第二晶体管控制电路104连接。根据第二晶体管控制电路104的操作，第二晶体管控制线AZ2被改变成低电平或高电平，第二晶体管TR₂被设为接通状态或断开状态。

发光单元ELP

发光单元ELP的构造和关于第一实施例说明的发光单元ELP的构造相同，从而省略其详细说明。

下面，说明按照第三实施例的发光单元ELP的驱动方法。

图23示意图解说明按照包括辅助驱动过程的第三实施例的发光单元ELP的驱动时间图。在图23中所示的期间TP(3B)₆的终止和期间TP(3B)₊₁的开始之间设置有期间TP(3B)₇和TP(3B)₈，它们将在下面详细说明。在期间TP(3B)₇执行上面的辅助驱动过程。每个晶体管的接通/断开状态示意图解说明于图24A-24F和图25A-25E中。

图23中所示的期间TP(3B)₀到TP(3B)₃是在执行写入处理的期间TP(3B)₄之前的操作期间。就期间TP(3B)₀到TP(3B)₃来说，第(n，m)个有机EL显示元件10通常处于不发射状态。不同于上面的第一和第二实施例，执行TP(3B)₁到TP(3B)₃，直到第(m-1)水平扫描期间的终止为止。TP(3B)₄包括在第m水平扫描期间中。注意，为了便于解释，下面将在假定期间TP(3B)₁的开始和期间TP(3B)₄的终止分别与第m水平扫描期间的开始和终止相配的情况下进行说明。

下面说明期间TP(3B)₀到TP(3B)₃中的每个期间。注意期间TP(3B)₁到TP(3B)₃中的每个期间的长度可酌情按照有机EL显示设备的设计来设定。现在，为了便于解释，将在假定期间TP(3B)₁，TP(3B)₂和TP(3B)₃中的每个期间的长度为一个水平扫描期间的情况下进行说明。

期间TP(3B)₀(参见图23和24A)

期间TP(3B)₀是从前一显示帧到当前显示帧的操作。即，期间TP(3B)₀是从前一显示帧的辅助驱动过程的终止到当前显示帧的第(m-4)水平扫描期间的时间。第二晶体管TR₂处于断开状态。就期间TP(3B)₀来说，第(n，m)个有机EL显示元件10处于不发射状态。

就期间TP(3B)₀来说，从电源单元100供给的电压从电压V_CC-H被转换成电压V_CC-L。其结果是，第二节点ND₂的电位降低到V_CC-L，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随着第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低。

期间TP(3B)₁(参见图23和24B)

随后，开始在当前显示帧的第(m-3)水平扫描期间。就期间TP(3)₁来说，执行上述过程(a)，即，上述预处理。

不同于第一实施例，按照第三实施例，就过程(a)来说，经已由来自第二晶体管控制线AZ2的信号设为接通状态的第二晶体管TR₂，对第一节点ND₁施加第一节点初始化电压V_Ofs。注意，按照和第一实施例相同的方式，就过程(a)来说，经驱动晶体管TR_D，从电源单元100对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_CC-L。

具体地说，在开始期间TP(3B)₁时，使第二晶体管TR₂从断开状态变为接通状态。其结果是，第一节点ND₁的电位变为V_Ofs(0伏)。第二节点ND₂的电位保持V_SS(-10伏)。

期间TP(3)₂(参见图23和24C)

随后，开始在当前显示帧的第(m-2)水平扫描期间。就期间TP(3)₂来说，执行上述过程(b)，即，上面的阈值电压抵消处理。

按照第三实施例，就过程(b)来说，保持其中经已由来自第二晶体管控制线AZ2的信号设为接通状态的第二晶体管TR₂，对第一节点ND₁施加第一节点初始化电压V_Ofs，从而保持第一节点ND₁的电位的状态。

即，在第二晶体管TR₁的接通状态被保持的状态下，从电源单元100供给的电压从电压V_CC-L转换成电压V_CC-H。其结果是，第一节点ND₁的电位不被改变(保持V_Ofs＝0伏)，但是使第二节点ND₂的电位朝着通过从第一节点ND₁的电位中减去驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th而获得的电位改变。即，处于浮动状态的第二节点ND₂的电位增大。为了便于解释，我们假定期间TP(3B)₂的长度足以改变第二节点ND₂的电位。

以关于按照第一实施例的TP(2)₂所述相同的方式，处于浮动状态的第二节点ND₂的电位接近于(V_Ofs-V_th＝-3伏)，最后变成(V_Ofs-V_th)。如果上面的表达式(2)成立，那么发光单元ELP不发光。即，第二节点ND₂的电位是仅仅根据驱动晶体管TR_D的阈值电压V_th，和用于初始化驱动晶体管TR_D的栅电极的电位的电压V_Ofs确定的，而与发光单元ELP的阈值电压V_th-EL无关。

期间TP(3B)₃(参见图23和24D)

随后，开始在当前显示帧的第(m-1)水平扫描期间。在期间TP(3B)₃开始时，第二晶体管TR₂被设为断开状态。如果借助阈值电压抵消处理，驱动晶体管TR_D已达到断开状态，那么第一节点ND₁和第二节点ND₂的电位基本不变化。

期间TP(3B)₄(参见图23和24E)

随后，开始在当前显示帧的第m水平扫描期间。在数据线DTL的电压被转换成视频信号V_{Sig_m}之后，写入晶体管TR_W被来自扫描线SCL的信号设为接通状态。其结果是，第一节点ND₁的电位增大到V_{Sig_m}。驱动晶体管TR_D处于接通状态。操作细节和关于按照第一实施例的期间TP(2)₄的描述相同，从而省略其说明。

期间TP(3B)₅(参见图23和24F)

按照上面的操作，完成了阈值电压抵消处理，写入处理和迁移率校正处理。随后，就周期TP(3B)₅来说，执行发光单元ELP的驱动(它构成上述过程(e)的前半部)。

具体地说，保持第二晶体管TR₂的断开状态。随后，执行和关于按照第一实施例的期间TP(2)₅所述相同的操作。从驱动晶体管TR_D的漏极区流到源极区的漏电流I_ds可用上面的表达式(5)表示。继续发光单元ELP的发射状态，直到第(m+m′-1)水平扫描期间为止。第(m+m′-1)水平扫描期间的终止等同于期间TP(3B)₅的终止。

期间TP(3B)₆(参见图23和25A)

接下来，执行构成上述过程(e)的后半部的过程，在该过程中，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。具体地说，在第二晶体管TR₂的断开状态和写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在开始期间TP(3B)₆(换句话说，开始第(m+m′)水平扫描期间)时，使从电源单元100供给的电压从电压V_CC-H转换成电压V_CC-L。其结果是，第二节点ND₂的电位降为V_CC-L，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随同第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低。

以关于按照第一实施例的期间TP(2)₆所述相同的方式，继续期间TP(3B)₆，直到紧接排列在第(m+m′+Δm′)行的每个有机EL显示元件10的水平扫描期间，即，第(m+m′+Δm′)水平扫描期间为止。这里，“Δm′”由有机EL显示设备的设计规范确定。在(m+m′+Δm′)的值超过M的情况下，在下一个显示帧处理水平扫描期间的超出部分。

就第三实施例来说，辅助驱动过程是在期间TP(3B)₇执行的。具体地说，在第二晶体管TR₂的断开状态和写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在期间TP(3B)₇开始时，即，第(m+m′+Δm′)水平扫描期间开始时，使电源单元100的电压从电压V_CC-L转换成电压V_CC-H，在期间TP(3B)₇中保持该状态。从而，在期间TP(3B)₇中，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压。同样就第三实施例来说，TP(3B)₇的长度被固定为通常为2毫秒的预定长度。

以关于按照第一实施例的TP(2)₇所述相同的方式，驱动晶体管TR_D的栅电极和充当源极区的另一源极/漏极区之间的电位差V_gs基本上处于保持上述表达式(4)的值的状态，从而如图25B中所示，具有上述表达式(5)中所示的值的漏电流I_ds流入发光单元ELP。即，同样就第三实施例来说，辅助驱动过程是其中与第一节点ND₁和第二节点ND₂之间的电位差的数值对应的电流从电源单元100，经驱动晶体管TR_D流入发光单元ELP，从而驱动发光单元ELP的过程。

随后，在第二晶体管TR₂的断开状态和写入晶体管TR_W的断开状态被保持的状态下，在开始期间TP(3)₈时，使电源单元100的电压从电压V_CC-H转换成电压V_CC-L。其结果是，第二节点ND₂的电位降为V_CC-L，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压，发光单元ELP转为不发射状态。另外，随同第二节点ND₂的电位降低，处于浮动状态的第一节点ND₁(驱动晶体管TR_D的栅电极)的电位也降低(参见图25C)。

随后，就期间TP(3B)₊₁及之后来说，重复和上述期间TP(3B)₁到TP(3B)₈相同的过程。即，就期间TP(3B)₊₁来说，按照和图24B中所述的TP(3B)₁相同的方式，执行过程(a)，即，预处理(参见图25D)。另外，就期间TP(3B)₊₂来说，按照和参考图24C所述的TP(3B)₂相同的方式，执行过程(b)，即，阈值电压抵消处理(参见图25E)。

现在，从终止辅助驱动过程到终止下一过程(b)的时间被设为1毫秒以下。具体地说，设置期间TP(3B)₇和TP(3B)₈，以致图23中所示的从期间TP(3B)₇的终止(辅助驱动过程的终止)到TP(3B)₊₂的开始(下一过程(b)的开始)的时间T_D变成1毫秒以下。

按照第三实施例的优点的细节和第一实施例中参考图11说明的优点的细节相同，因此省略其说明。

至此，说明了按照第三实施例的发光单元ELP的驱动方法。作为第三实施例的修改，类似于第一实施例的第一修改，可以多次执行一系列的过程，其中在驱动发光单元ELP之后，在发光单元ELP的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。另一方面，类似于第一实施例的第二和第三修改，可做出其中供给两种电压，作为第二节点初始化电压的安排。

第四实施例

第四实施例也涉及按照本发明的实施例的有机电致发光单元的驱动方法。就第四实施例来说，驱动电路11由4个晶体管/1个电容器单元构成(4Tr/1C驱动电路)。按照第四实施例的有机EL显示设备的原理图示于图26中，包括驱动电路11的有机EL显示元件10的等效电路示于图27中。

首先，说明驱动电路和发光单元的细节。按照和上述2Tr/1C驱动电路相同的方式，4Tr/1C驱动电路也包括两个晶体管，即，写入晶体管TR_W和驱动晶体管TR_D，和一个电容器单元C₁。4Tr/1C驱动电路还包括第一晶体管TR₁和第二晶体管TR₂。

第四实施例是第三实施例的修改。就第三实施例来说，按照和第一实施例相同的方式，从电源单元100对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_CC-L。另一方面，就第四实施例来说，经在第二实施例中描述的第一晶体管TR₁对第二节点ND₂施加第二节点初始化电压V_SS。

驱动晶体管TR_D

驱动晶体管TR_D的构造和第一实施例中描述的驱动晶体管TR_D的构造相同，因此，省略其详细说明。注意，按照和第二实施例相同的方式，电源单元100施加固定电压V_CC。

写入晶体管TR_W

写入晶体管TR_W的构造和在第一实施例中说明的写入晶体管TR_W的构造相同，因此，省略其详细说明。注意，按照和第三实施例相同的方式，只向数据线DTL供给视频信号V_Sig。同样就第四实施例来说，可在位于第m水平扫描期间之前的扫描期间执行过程(a)或(b)，即，预处理或阈值电压抵消处理。

第一晶体管TR₁

第一晶体管TR₁的构造和在第二实施例中描述的第一晶体管TR₁的构造相同，因此，省略其描述。

第二晶体管TR₂

第二晶体管TR₂的构造和在第三实施例中描述的第二晶体管TR₂的构造相同，因此，省略其描述。

发光单元ELP

发光单元ELP的构造和在第一实施例中描述的发光单元ELP的构造相同，从而省略其详细说明。

下面，说明按照第四实施例的发光单元ELP的驱动方法。图28示意图解说明按照包括辅助驱动过程的第四实施例的发光单元ELP的驱动时间图。每个晶体管的接通/断开状态等示于图29A-29F和图30A-30E中。图28中所示的期间TP(4)₀到TP(4)₊₅中的每个期间等同于在第三实施例中引用的图23中所示的期间TP(3B)₀到TP(3B)₊₅中的每个期间。

根据图28和23可清楚地理解，就按照第四实施例的操作来说，对应地第三实施例中，从电源单元100施加电压V_CC-L的期间，第一晶体管TR₁被设为接通状态，对应于从电源单元100施加电压V_CC-H的期间，第一晶体管TR₁被设为断开状态。除了上述不同点之外，按照第四实施例的操作和其解读被酌情改变为第四实施例的第三实施例的操作相同，因此，省略其说明。

至此根据优选实施例，说明了本发明的实施例，不过，本发明的实施例并不局限于这些实施例。关于实施例说明的构成有机EL显示设备，有机EL显示元件和驱动电路的每种组件的布置或构造，和发光单元的驱动方法的过程只是例子，可酌情被改变。

例如，按照第二实施例，就期间TP(3)₀来说，经驱动晶体管TR_D从电源单元100对第二节点ND₂施加电压V_CC，并经第一晶体管TR₁对其施加电压V_SS。于是，电流从电源单元100流经第一晶体管TR₁，消耗功率增加。为了避免这种情况，例如，如图31中所示，使电源单元100经第三晶体管TR₃与驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一连接。使第三晶体管TR₃的栅电极与控制线CL连接，控制线CL的一端与第三晶体管控制电路105连接。从而，可做出这样的安排，其中在期间TP(3)₀等，根据来自第三晶体管控制电路105的信号，酌情把第三晶体管TR₃设为断开状态。

另外，同样就第四实施例来说，发生如上所述的相同现象。于是，如图32中所示，可做出这样的安排，其中使电源单元100经第三晶体管TR₃与驱动晶体管TR_D的源极/漏极区之一连接，并酌情把第三晶体管TR₃设为断开状态。

本申请包含与在2008年11月7日向日本专利局提交的日本优先权专利申请JP2008-286233中公开的主题相关的主题，该申请的整个内容在此引为参考。

本领域的技术人员应明白，根据设计要求和其它因素，可产生各种修改、组合、子组合和变更，只要它们在附加的权利要求或其等同物的范围之内。

Claims (17)

1.一种发光设备驱动装置，包括：

发光元件；和

与所述发光元件连接的驱动电路；

所述驱动电路包括

写入晶体管，

驱动晶体管，和

电容器单元，

所述驱动晶体管具有如下构造，其中

源极/漏极区之一与电源单元连接，

源极/漏极区中的另一个与提供给有机电致发光单元的阳极电极连接，并且还与所述电容器单元的电极之一连接，构成第二节点，和

栅电极与所述写入晶体管的另一源极/漏极区连接，并且还与所述电容器单元的另一电极连接，构成第一节点，

所述写入晶体管具有如下构造，其中

源极/漏极区之一与数据线连接，和

栅电极与扫描线连接，

所述发光设备驱动装置被配置为执行：

执行预处理的过程(a)，其中所述第一节点的电位、所述第二节点的电位被初始化，以致所述第一节点和所述第二节点之间的电位差超过所述驱动晶体管的阈值电压，另外，所述第二节点和提供给有机电致发光单元的阴极电极之间的电位差不超过所述有机电致发光单元的阈值电压；

执行阈值电压抵消处理的过程(b)，其中在保持所述第一节点的电位的状态下，使所述第二节点的电位朝着通过从所述第一节点的电位减去所述驱动晶体管的阈值电压而获得的电位变化；

执行写入处理的过程(c)，其中经由已被来自所述扫描线的信号设为接通状态的所述写入晶体管，从所述数据线对所述第一节点施加视频信号；

通过根据来自所述扫描线的信号，把所述写入晶体管设为断开状态，把所述第一节点设为浮动状态的过程(d)；和

执行一系列处理至少一次的过程(e)，其中在经由所述驱动晶体管从所述电源单元向所述有机电致发光单元施加与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相应的电流、以驱动所述有机电致发光单元之后，在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压；

其中反复执行从所述过程(a)到(c)的一系列处理，另外还在所述过程(e)和(a)之间设置辅助驱动过程，以便在第一时间段内，在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压，所述辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的第二时间段被限制为1毫秒以下，第二时间段包括至少用于执行过程(a)的第三时间段。

2.按照权利要求1所述的发光设备驱动装置，所述驱动电路还包括：

第一晶体管；

其中就所述第一晶体管来说，

源极/漏极区中的另一个与所述第二节点连接，

对源极/漏极区之一施加所述第二节点初始化电压，和

栅电极与第一晶体管控制线连接。

3.按照权利要求1所述的发光设备驱动装置，所述驱动电路还包括：

第二晶体管；

其中就所述第二晶体管来说，

源极/漏极区中的另一个与所述第一节点连接，

对源极/漏极区之一施加所述第一节点初始化电压，和

栅电极与第二晶体管控制线连接。

4.一种利用驱动电路的有机电致发光单元驱动方法，

所述驱动电路包括

写入晶体管，

驱动晶体管，和

电容器单元，

所述驱动晶体管具有如下构造，其中

源极/漏极区之一与电源单元连接，

源极/漏极区中的另一个与提供给有机电致发光单元的阳极电极连接，并且还与所述电容器单元的电极之一连接，构成第二节点，和

栅电极与所述写入晶体管的另一源极/漏极区连接，并且还与所述电容器单元的另一电极连接，构成第一节点，

所述写入晶体管具有如下构造，其中

源极/漏极区之一与数据线连接，和

栅电极与扫描线连接，

所述驱动方法包括：

执行预处理的过程(a)，其中所述第一节点的电位、所述第二节点的电位被初始化，以致所述第一节点和所述第二节点之间的电位差超过所述驱动晶体管的阈值电压，另外，所述第二节点和提供给有机电致发光单元的阴极电极之间的电位差不超过所述有机电致发光单元的阈值电压；

执行阈值电压抵消处理的过程(b)，其中在保持所述第一节点的电位的状态下，使所述第二节点的电位朝着通过从所述第一节点的电位减去所述驱动晶体管的阈值电压而获得的电位变化；

执行写入处理的过程(c)，其中经由已被来自所述扫描线的信号设为接通状态的所述写入晶体管，从所述数据线对所述第一节点施加视频信号；

通过根据来自所述扫描线的信号，把所述写入晶体管设为断开状态，把所述第一节点设为浮动状态的过程(d)；和

执行一系列处理至少一次的过程(e)，其中在经由所述驱动晶体管从所述电源单元向所述有机电致发光单元施加与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相应的电流、以驱动所述有机电致发光单元之后，在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压；

其中反复执行从所述过程(a)到(c)的一系列处理，另外还在所述过程(e)和(a)之间设置辅助驱动过程，以便在第一时间段内，在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加正向电压，所述辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的第二时间段被限制为1毫秒以下，第二时间段包括至少用于执行过程(a)的第三时间段。

5.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，其中所述辅助驱动过程的终止和下一过程(b)的终止之间的第二时间段被限制为0.5毫秒以下。

6.按照权利要求4或5所述的有机电致发光单元驱动方法，其中所述辅助驱动过程是通过经由所述驱动晶体管从所述电源单元对所述有机电致发光单元施加与所述第一节点和所述第二节点之间的电位差的值相应的电流，驱动所述有机电致发光单元的过程。

7.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(a)来说，经由已被来自所述扫描线的信号设为接通状态的所述写入晶体管，从所述数据线对所述第一节点施加第一节点初始化电压。

8.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(a)来说，经由所述驱动晶体管从所述电源单元对所述第二节点施加第二节点初始化电压。

9.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(b)来说，通过维持经由已被来自所述扫描线的信号设为接通状态的所述写入晶体管，从所述数据线对所述第一节点施加所述第一节点初始化电压的状态，保持所述第一节点的电位。

10.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(b)来说，从所述电源单元对所述驱动晶体管的源极/漏极区之一施加比通过从所述第一节点的电位减去所述驱动晶体管的阈值电压而获得的电压高的电压，从而使所述第二节点朝着通过从所述第一节点的电位减去所述驱动晶体管的阈值电压而获得的电位改变。

11.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(e)来说，经由所述驱动晶体管从所述电源单元对所述第二节点施加所述第二节点初始化电压，从而在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

12.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，所述驱动电路还包括：

第一晶体管；

其中就所述第一晶体管来说，

源极/漏极区中的另一个与所述第二节点连接，

对源极/漏极区之一施加所述第二节点初始化电压，和

栅电极与第一晶体管控制线连接。

13.按照权利要求12所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(a)来说，经由已被来自所述第一晶体管控制线的信号设为接通状态的所述第一晶体管，对所述第二节点施加所述第二节点初始化电压。

14.按照权利要求12所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(e)来说，经由已被来自所述第一晶体管控制线的信号设为接通状态的所述第一晶体管，对所述第二节点施加所述第二节点初始化电压，从而在所述有机电致发光单元的阳极电极和阴极电极之间施加反向电压。

15.按照权利要求4所述的有机电致发光单元驱动方法，所述驱动电路还包括：

第二晶体管；

其中就所述第二晶体管来说，

源极/漏极区中的另一个与所述第一节点连接，

对源极/漏极区之一施加所述第一节点初始化电压，和

栅电极与第二晶体管控制线连接。

16.按照权利要求15所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(a)来说，经由已被来自所述第二晶体管控制线的信号设为接通状态的所述第二晶体管，对所述第一节点施加所述第一节点初始化电压。

17.按照权利要求15所述的有机电致发光单元驱动方法，其中就所述过程(b)来说，经由已被来自所述第二晶体管控制线的信号设为接通状态的所述第二晶体管，对所述第一节点施加所述第一节点初始化电压，从而保持所述第一节点的电位。