KR101577909B1 - 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법 - Google Patents

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Abstract

유기소자, 상기 유기소자의 발광량을 제어하는 구동 TFT를 각각 갖는 다수의 서브 픽셀들을 포함한 본 발명의 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법은 초기화 단계, 부스팅 단계, 센싱 단계 및 샘플링 단계를 포함한다. 이러한 본 발명은 유기소자의 열화 정도에 따라 구동 TFT의 Vgs를 변화시키고, 구동 TFT의 Vgs에 따른 전류 변화를 센싱 전압으로서 검출하기 때문에, 센싱의 정확도를 효과적으로 높일 수 있다.

Description

유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법{Degradation Sensing Method of Organic Light Emitting Display}
본 발명은 유기발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 유기발광 표시장치의 유기소자에 대한 열화 센싱 방법에 관한 것이다.
액티브 매트릭스 타입의 유기발광 표시장치는 스스로 발광하는 유기발광다이오드(Organic Light Emitting Diode: 이하, "유기소자"라 함)를 포함하며, 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
자발광 소자인 유기소자는 애노드전극 및 캐소드전극과, 이들 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 포함한다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)으로 이루어진다. 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다.
유기발광 표시장치는 유기소자를 각각 포함한 서브 픽셀들을 매트릭스 형태로 배열하고 비디오 데이터의 계조에 따라 서브 픽셀들의 휘도를 조절한다. 서브 픽셀들 각각은 자신의 게이트전극과 소스전극 사이에 걸리는 전압(Vgs)에 따라 유기소자에 흐르는 구동전류를 제어하는 구동 TFT(Thin Film Transistor)를 포함하며, 구동전류에 비례하는 유기소자의 발광량으로 표시 계조(휘도)를 조절한다.
통상 유기소자는 발광시간이 경과 함에 따라서 유기소자의 동작점 전압(문턱전압)이 증가하고 발광효율이 감소하는 열화 특성을 갖는다. 각 서브 픽셀의 유기소자에 인가되는 전류 누적치는 해당 서브 픽셀에서 구현된 계조 누적치에 비례하므로, 상기와 같은 유기소자 열화 정도는 서브 픽셀마다 달라질 수 있다. 이러한 서브 픽셀들 간 유기소자 열화 편차는 휘도 편차를 야기하고, 이것이 심화되면 영상 고착화(Image Sticking) 현상이 발생될 수 있다.
유기소자의 열화를 보상하기 위해, 유기소자 열화를 센싱하고 이 센싱값을 기초로 외부 회로에서 비디오 데이터를 변조하는 보상 방식이 알려져 있다. 이러한 종래의 유기발광 표시장치에서는 센싱 라인을 통해 전류 소스와 각 서브 픽셀을 연결하고, 전류 소스로부터 유기소자에 센싱용 전류를 인가한 후, 센싱 라인을 통해 센싱되는 유기소자의 애노드전압을 기초로 열화 정도를 판단하였다.
그런데, 상기와 같은 종래 유기발광 표시장치는 다음과 같은 문제점이 있다.
첫째, 종래 유기발광 표시장치에 의하는 경우, 유기소자의 열화를 정확히 센싱하기 위해서는 각 유기소자에 인가되는 센싱용 전류가 일정하게 셋팅되어야 한다. 이를 위해서는 센싱 라인마다 전류 소스가 개별적으로 접속되어야 하는데, 이 경우 필요한 전류 소스의 개수가 많아 제조 비용 및 회로 설계 면적이 증가한다. 더욱이, 모든 전류 소스들의 전류값들을 일정하게 셋팅하기란 매우 어려우며, 그 결과 센싱의 정확도를 높이기 어렵다.
둘째, 센싱 라인은 그 접속 구조에 따라 센싱 라인 독립 구조 또는 센싱 라인 공유 구조를 취할 수 있다.
센싱 라인 독립 구조에 따르면, 동일 수평라인 상에 배치된 다수의 서브 픽셀들은 서로 다른 센싱 라인들에 일대일로 접속될 수 있다. 이 구조에서는 개별적으로 유기소자를 동작시킬 수 있어 직접적으로 유기소자의 열화 정도를 센싱할 수 있으나, 서브 픽셀별로 센싱 라인이 배치됨으로써 개구율이 작아지고 그에 따라 구동시 유기소자의 전류 밀도가 높아지게 된다. 이로 인하여 이 구조를 갖는 종래 유기발광 표시장치에서는 유기소자의 열화 속도가 증가되고 수명이 줄어든다.
센싱 라인 공유 구조에 따르면, 동일 수평라인 상에 배치 단위 픽셀들은 서로 다른 센싱 라인들에 일대일로 접속되되, 같은 단위 픽셀을 구성하는 서브 픽셀들은 동일한 센싱 라인을 공유할 수 있다. 이 구조를 갖는 종래 유기발광 표시장치에서는 열화 센싱시 개별적으로 유기소자를 동작시킬 수 없기 때문에(즉, 단위 픽셀 내의 유기소자들이 동시에 동작됨) 각 유기소자의 열화 정도를 정확히 센싱할 수 없다.
따라서, 본 발명의 목적은 유기소자의 열화를 센싱함에 있어 센싱의 정확도를 높일 수 있도록 한 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법을 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 유기소자, 상기 유기소자의 발광량을 제어하는 구동 TFT를 각각 갖는 다수의 서브 픽셀들, 센싱 라인을 통해 서브 픽셀들 중 적어도 어느 하나에 연결된 센싱 유닛을 포함한 본 발명의 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법은 초기화 단계, 부스팅 단계, 센싱 단계 및 샘플링 단계를 포함한다. 여기서, 초기화 단계는 상기 구동 TFT의 게이트 노드에 센싱용 데이터전압을 인가하고 상기 구동 TFT의 소스 노드에 초기화전압을 인가하여 상기 구동 TFT를 턴 온 시킨다. 부스팅 단계는 상기 구동 TFT의 게이트 노드 및 소스 노드를 플로팅시키고 상기 구동 TFT의 드레인-소스 간 전류(Ids)를 상기 유기소자에 인가하여 상기 유기소자를 턴 온 시킨다. 센싱 단계는 상기 구동 TFT의 소스 노드에 상기 초기화전압을 재차 인가하여 상기 유기소자의 열화 정도에 따라 상기 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 셋팅하고, 상기 셋팅된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 결정되는 상기 구동 TFT의 드레인-소스 간 전류(Ids)를 센싱 라인의 라인 커패시터에 저장한다. 샘플링 단계는 상기 라인 커패시터에 저장된 전압을 센싱 전압으로 출력한다.
본 발명의 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법은 상기 부스팅 단계와 상기 센싱 단계 사이에 위치한 라이팅 단계를 더 포함하는 데, 이 라이팅 단계는 상기 구동 TFT의 게이트노드에 상기 센싱용 데이터전압을 재차 인가하여 상기 유기소자의 열화 정도에 따라 상기 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 프리 셋팅한다.
본 발명의 열화 센싱 방법은 유기소자의 열화 정도에 따라 구동 TFT의 Vgs를 변화시키고, 구동 TFT의 Vgs에 따른 전류 변화를 센싱 전압으로서 검출한다. 이러한 본 발명은 기존의 전류 셋팅법에 비해 제어가 용이한 전압 셋팅법을 취함으로써 센싱의 정확도를 높이고, 불필요한 전류 소스를 제거하여 회로 설계 면적 및 비용을 줄이는 효과가 있다.
또한, 본 발명의 열화 센싱 방법은 전압 셋팅법을 취하기 때문에 센싱 라인 공유 구조를 적용하더라도 얼마든지 개별 제어가 가능하고 원하는 서브 픽셀의 유기소자 열화를 정확히 센싱할 수 있다. 센싱 라인 공유 구조를 취하는 경우, 표시패널의 개구율을 증가시키는 데 유리하다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여주는 도면.
도 2a 및 도 2b는 센싱 라인과 서브 픽셀의 접속 예를 보여주는 도면들.
도 3 및 도 4는 패널 어레이와 데이터 드라이버 IC의 구성 예를 보여주는 도면들.
도 5는 본 발명의 열화 센싱 방법이 적용되는 서브 픽셀과 센싱 유닛의 일 구성 예를 보여주는 도면.
도 6은 본 발명의 일 열화 센싱 방법을 보여주는 도면.
도 7은 도 5를 대상으로 하여 도 6을 적용할 때 각 구간별 제어신호 파형 및 전위 변화 파형을 보여주는 도면.
도 8a 내지 도 8d는 도 7의 초기화 기간, 부스팅 기간, 센싱 기간 및 샘플링 기간 각각에서 서브 픽셀과 센싱 유닛의 동작을 보여주는 도면들.
도 9는 본 발명의 다른 열화 센싱 방법을 보여주는 도면.
도 10은 도 5를 대상으로 하여 도 9를 적용할 때, 각 구간별 제어신호 파형 및 전위 변화 파형을 보여주는 도면.
도 11a 내지 도 11e는 도 10의 초기화 기간, 부스팅 기간, 라이팅 구간, 센싱 기간 및 샘플링 기간 각각에서 서브 픽셀과 센싱 유닛의 동작을 보여주는 도면들.
도 12는 유기소자의 열화 정도와 센싱 전압 간의 관계를 보여주는 그래프.
도 13은 유기소자의 열화 정도와 유기소자에 흐르는 구동전류 간의 관계를 보여주는 그래프.
도 14는 센싱용 데이터전압과 센싱 전압 간의 관계를 보여주는 그래프.
도 15 내지 도 18은 스캔 제어신호와 센싱 제어신호의 변형 예들과 그에 따른 전위 변화를 보여주는 도면들.
먼저, 도 1 내지 도 5를 참조하여 본 발명의 열화 센싱 방법이 적용되는 유기발광 표시장치의 일 구성을 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치를 보여준다. 도 2a 및 도 2b는 센싱 라인과 서브 픽셀의 접속 예를 보여준다. 그리고, 도 3 및 도 4는 패널 어레이와 데이터 드라이버 IC의 구성 예를 보여준다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치는 표시패널(10), 타이밍 콘트롤러(11), 데이터 구동회로(12), 게이트 구동회로(13), 및 메모리(16)를 구비할 수 있다.
표시패널(10)에는 다수의 데이터라인들 및 센싱라인들(14A,14B)과, 다수의 게이트라인들(15)이 교차되고, 이 교차영역마다 서브 픽셀들(P)이 매트릭스 형태로 배치된다. 게이트라인들(15)은, 스캔 제어신호(도 5의 SCAN)가 순차적으로 공급되는 다수의 제1 게이트라인들(15A)과, 센싱 제어신호(도 5의 SEN)가 순차적으로 공급되는 다수의 제2 게이트라인들(15B)를 포함한다.
서브 픽셀들(P)은 도 2a 및 도 2b와 같이 서로 수평으로 이웃한 적색 표시용 R 서브 픽셀, 백색 표시용 W 서브 픽셀, 녹색 표시용 G 서브 픽셀, 청색 표시용 B 서브 픽셀을 포함할 수 있다. 각 서브 픽셀(P)은 데이터라인들(14A) 중 어느 하나에, 센싱라인들(14B) 중 어느 하나에, 그리고 제1 게이트라인들(15A) 중 어느 하나에, 제2 게이트라인들(15B) 중 어느 하나에 접속될 수 있다. 각 서브 픽셀(P)은 제1 게이트라인들(15A)을 통해 입력되는 스캔 제어신호(SCAN)에 응답하여, 데이터라인(14A)과 전기적으로 연결되어 데이터라인(14A)으로부터 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)(또는, 블랙 표시용 데이터전압(Vdata_black))을 입력받고, 센싱라인(14B)을 통해 센싱신호를 출력할 수 있다.
센싱 라인 독립 구조에 따라 센싱 라인(14B)은 도 2a 및 도 3과 같이 수평으로 이웃한 각 서브 픽셀에 서로 독립적으로 접속될 수 있다. 예컨대, 수평으로 서로 이웃한 R 픽셀, W 픽셀, G 픽셀, B 픽셀 각각이 서로 다른 센싱 라인에 일대일로 접속될 수 있다.
한편, 센싱 라인 공유 구조에 따라 센싱 라인(14B)은 도 2b 및 도 4와 같이 수평으로 이웃하여 하나의 단위 픽셀을 구성하는 다수의 서브 픽셀들에 공통으로 접속될 수도 있다. 예컨대, 수평으로 서로 이웃하여 단위 픽셀을 이루는 R 픽셀, W 픽셀, G 픽셀, B 픽셀이 서로 동일한 센싱 라인을 공유할 수 있다. 이렇게 센싱 라인(14B)이 단위 픽셀마다 하나씩 할당되는 센싱 라인 공유 구조는 센싱 라인 독립 구조에 비해 표시패널의 개구율을 확보하기가 용이하다.
서브 픽셀(P) 각각은 도시하지 않은 전원생성부로부터 고전위 구동전압(EVDD)과 저전위 구동전압(EVSS)을 공급받는다. 본 발명의 서브 픽셀(P)은 외부 보상을 위해 유기소자, 구동 TFT, 제1 및 제2 스위치 TFT, 및 스토리지 커패시터를 포함할 수 있다. 서브 픽셀(P)을 구성하는 TFT들은 p 타입으로 구현되거나 또는, n 타입으로 구현될 수 있다. 또한, 서브 픽셀(P)을 구성하는 TFT들의 반도체층은, 아몰포스 실리콘 또는, 폴리 실리콘 또는, 산화물을 포함할 수 있다.
서브 픽셀(P) 각각은 표시 화상 구현을 위한 노멀 구동시와, 센싱값 획득을 위한 센싱 구동시에 서로 다르게 동작할 수 있다. 센싱 구동은 파워 온 과정 중의 소정 시간 동안 수행되거나 또는, 노멀 구동 중의 수직 블랭크 기간들에서 수행될 수 있다. 또한, 센싱 구동은 파워 오프 과정 중의 소정 시간 동안 수행될 수도 있다.
센싱 구동은 구동 TFT의 문턱전압 편차 및 이동도 편차를 센싱하기 위한 제1 센싱 구동과 유기소자의 열화를 센싱하기 위한 제2 센싱 구동을 포함할 수 있다. 다만, 본 발명의 열화 센싱 방법은 구동 TFT의 문턱전압 편차 및 이동도 편차가 이미 보상되었다는 전제하에 제2 센싱 구동만을 포함한다.
센싱 구동은 타이밍 콘트롤러(11)의 제어하에 데이터 구동회로(12)와 게이트 구동회로(13)의 일 동작으로 이루어질 수 있다. 센싱 결과를 기반으로 열화 보상을 위한 보상 데이터를 도출하는 동작과, 보상 데이터를 이용하여 노멀 구동을 위한 디지털 비디오 데이터를 변조하는 동작은 타이밍 콘트롤러(11)에서 수행된다.
데이터 구동회로(12)는 적어도 하나 이상의 데이터 드라이버 IC(Intergrated Circuit)(SDIC)를 포함한다. 이 데이터 드라이버 IC(SDIC)에는 각 데이터라인(14A)에 연결된 다수의 디지털-아날로그 컨버터(이하, DAC)들(121)과, 센싱라인(14B)들에 연결된 다수의 센싱 유닛들(122), 센싱 유닛들(122)을 선택적으로 아날로그-디지털 컨버터(이하, ADC)에 연결하는 먹스부(123), 선택 제어신호를 생성하여 먹스부(123)의 스위치들(SS1~SSk)을 순차적으로 턴 온 시키는 쉬프트 레지스터(124)가 포함되어 있다.
데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC는 노멀 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 따라 디지털 비디오 데이터(RGB)를 화상 표시용 데이터전압으로 변환하여 데이터라인들(14A)에 공급한다. 한편, 데이터 드라이버 IC(SDIC)의 DAC는 센싱 구동시 타이밍 콘트롤러(11)로부터 인가되는 데이터타이밍 제어신호(DDC)에 따라 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)(또는, 블랙 표시용 데이터전압(Vdata_black))을 생성하여 데이터라인들(14A)에 공급할 수 있다.
데이터 드라이버 IC(SDIC)의 각 센싱 유닛(SU#1~#k)은 센싱 라인(14B)에 일대일로 연결될 수 있다. 도 3과 같은 센싱 라인 독립 구조에 비해 도 4와 같은 센싱 라인 공유 구조에서 센싱 라인(14B) 및 센싱 유닛(SU#1~#k)의 개수는 줄어든다. 본 발명은 센싱 라인 독립 구조를 취할 수도 있지만, 회로 설계 면적을 줄이고 개구율을 증가시키기 위해 센싱 라인 공유 구조를 취하는 것이 보다 바람직하다.
후술하겠지만, 본 발명의 열화 센싱 방법에서는 별도의 전류 소스 대신에 구동 TFT를 이용하여 유기소자에 턴 온 전류를 인가하기 때문에, 본 발명의 센싱 유닛(SU#1~#k)에는 종래와 같은 전류 소스들이 구비될 필요가 없다. 이를 통해, 본 발명은 제조 비용 및 회로 설계 면적을 줄일 수 있으며, 전류 셋팅법에 비해 제어가 용이한 전압 셋팅법을 취함으로써 센싱의 정확도를 높일 수 있다.
본 발명의 열화 센싱 방법은 전압 셋팅법을 취하기 때문에 센싱 라인 공유 구조를 적용하더라도 얼마든지 개별 제어가 가능하고 원하는 서브 픽셀의 유기소자 열화를 정확히 센싱할 수 있다. 예컨대, 도 2b에서, 센싱 라인(14B)를 공유하는 서브 픽셀들(RWGB) 중에서 W 서브 픽셀의 유기소자 열화를 센싱하고자 하는 경우, 서브 픽셀들(RWGB) 모두에 초기화 전압(Vpre)을 동시에 인가함과 아울러, W 서브 픽셀에만 유기소자를 턴 온 시킬 수 있는 충분한 전압, 즉 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 인가하고 나머지 서브 픽셀들(RGB)에는 유기소자를 비 발광시키는 블랙 표시용 데이터전압(Vdata_black)을 인가할 수 있다.
데이터 드라이버 IC(SDIC)의 ADC는 먹스부(123)를 통해 입력되는 센싱 전압을 디지털 센싱값(SD)을 변환하여 타이밍 콘트롤러(11)에 전송한다.
게이트 구동회로(13)는 센싱 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 스캔 제어신호를 생성한 후, 행 순차 방식으로 제1 게이트라인들(15A)에 공급할 수 있다. 게이트 구동회로(13)는 센싱 구동시 게이트 제어신호(GDC)를 기반으로 센싱 제어신호를 생성한 후, 행 순차 방식으로 제2 게이트라인들(15B)에 공급할 수 있다.
타이밍 콘트롤러(11)는 수직 동기신호(Vsync), 수평 동기신호(Hsync), 도트클럭신호(DCLK) 및 데이터 인에이블신호(DE) 등의 타이밍 신호들에 기초하여 데이터 구동회로(12)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 데이터 제어신호(DDC)와, 게이트 구동회로(13)의 동작 타이밍을 제어하기 위한 게이트 제어신호(GDC)를 생성한다. 타이밍 콘트롤러(11)는 소정의 참조 신호(구동전원 인에이블신호, 수직 동기신호, 데이터 인에이블 신호등)를 기반으로 노멀 구동과 센싱 구동을 분리하고, 각 구동에 맞게 데이터 제어신호(DDC)와 게이트 제어신호(GDC)를 생성할 수 있다. 아울러, 타이밍 콘트롤러(11)는 노멀 구동과 센싱 구동에 맞게 각 센싱 유닛들(SU#1~#k)의 내부 스위치들을 동작시키기 위해 관련 스위칭 제어신호들(CON, 도 5의 PRE 및 SAM 포함)을 더 생성할 수 있다.
타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동시 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)에 대응되는 디지털 데이터를 데이터 구동회로(12)에 전송할 수 있다. 여기서, 각 서브 픽셀에 인가되는 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)은, 해당 서브 픽셀에 포함된 구동 TFT의 문턱전압 편차분과 이동도 편차분에 따라 다르게 설정됨이 바람직하다. 본 발명은 해당 서브 픽셀에 포함된 구동 TFT의 문턱전압 편차분과 이동도 편차분을 미리 고려하여 그 서브 픽셀에 인가될 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 설정하기 때문에, 상기 편차분들에 의한 센싱전압(Vsen)의 왜곡을 최대한 억제할 수 있어 센싱의 정확도를 더욱 높일 수 있다.
타이밍 콘트롤러(11)는 센싱 구동시 데이터 구동회로(12)로부터 전송되는 디지털 센싱값(SD)을 기반으로 각 서브 픽셀(P)의 유기소자 열화를 보상할 수 있는 보상 데이터를 계산하고, 그 보상 데이터를 메모리(16)에 저장할 수 있다. 타이밍 콘트롤러(11)는 노멀 구동시 메모리(16)에 저장된 보상 데이터를 참조로 화상 표시를 위한 디지털 비디오 데이터(RGB)를 변조한 후 데이터 구동회로(12)에 전송할 수 있다.
도 5는 본 발명의 열화 센싱 방법이 적용되는 서브 픽셀과 센싱 유닛의 일 구성 예를 보여준다. 도 5는 일 예시에 불과하므로 본 발명의 기술적 사상은 서브 픽셀과 센싱 유닛의 예시된 구조에 한정되지 않음에 주의하여야 한다.
도 5를 참조하면, 각 서브 픽셀(P)은 유기소자(OLED), 구동 TFT(Thin Film Transistor)(DT), 스토리지 커패시터(Cst), 제1 스위치 TFT(ST1), 및 제2 스위치 TFT(ST2)를 구비할 수 있다.
유기소자(OLED)는 소스 노드(Ns)에 접속된 애노드전극과, 저전위 구동전압(EVSS)의 입력단에 접속된 캐소드전극과, 애노드전극과 캐소드전극 사이에 위치하는 유기화합물층을 포함한다.
구동 TFT(DT)는 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 유기소자(OLED)에 입력되는 전류량을 제어한다. 구동 TFT(DT)는 게이트 노드(Ng)에 접속된 게이트전극, 고전위 구동전압(EVDD)의 입력단에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다. 스토리지 커패시터(Cst)는 게이트 노드(Ng)와 소스 노드(Ns) 사이에 접속된다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 스캔 제어신호(SCAN)에 응답하여 데이터라인(14A) 상의 데이터전압(Vdata)(센싱용 데이터전압 또는 블랙 표시용 데이터전압을 포함)을 게이트 노드(Ng)에 인가한다. 제1 스위치 TFT(ST1)는 제1 게이트라인(15A)에 접속된 게이트전극, 데이터라인(14A)에 접속된 드레인전극, 및 게이트 노드(Ng)에 접속된 소스전극을 구비한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 센싱 제어신호(SEN)에 응답하여 소스 노드(Ns)와 센싱 라인(14B) 간의 전류 흐름을 스위칭한다. 제2 스위치 TFT(ST2)는 제2 게이트라인(15B)에 접속된 게이트전극, 센싱 라인(14B)에 접속된 드레인전극, 및 소스 노드(Ns)에 접속된 소스전극을 구비한다.
그리고, 각 센싱 유닛(SU)은 초기화 스위치(SW1), 샘플링 스위치(SW2), 및 샘플 앤 홀드부(S/H)를 구비할 수 있다.
초기화 스위치(SW1)는 초기화 제어신호(PRE)에 따라 스위칭되어 초기화전압(Vpre)의 입력단과 센싱 라인(14B) 간의 전류 흐름을 스위칭한다. 샘플링 스위치(SW2)는 샘플링 제어신호(SAM)에 따라 스위칭되어 센싱 라인(14B)과 샘플 앤 홀드부(S/H)를 접속시킨다. 샘플 앤 홀드부(S/H)는 샘플링 스위치(SW2)가 턴 온 될 때 센싱 라인(14B)의 라인 커패시터(LCa)에 저장된 전압을 센싱 전압으로서 샘플링 및 홀딩한 후 ADC에 전달한다. 여기서, 라인 커패시터(LCa)는 센싱 라인(14B)에 존재하는 기생 커패시터로 대체될 수 있다.
상술한 유기발광 표시장치의 일 예시 구성을 기초로 하여, 이하에서는 본 발명의 실시예에 따른 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법에 대해 구체적으로 설명한다.
도 6은 본 발명의 일 열화 센싱 방법을 보여준다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 일 열화 센싱 방법은 초기화 단계(S10), 부스팅 단계(S20), 센싱 단계(S30), 및 샘플링 단계(S40)를 포함한다.
초기화 단계(S10)에서는 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(Ng)에 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 인가하고 구동 TFT(DT)의 소스 노드(Ns)에 초기화전압(Vpre)을 인가하여 구동 TFT(DT)를 턴 온 시킨다.
도 2b에 도시된 것처럼 서브 픽셀들(P) 중에서 같은 단위 픽셀을 구성하는 서브 픽셀들이 하나의 센싱 라인(14B)을 공유할 때, 초기화 단계(S10)는 단위 픽셀 중 하나의 센싱 대상 서브 픽셀에 대해서만 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(Ng)에 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 인가하고, 단위 픽셀 중 센싱 대상 서브 픽셀을 제외한 나머지 서브 픽셀들에 대해서는 각 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(Ng)에 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)보다 낮은 블랙 표시용 데이터전압(Vdata_black)을 인가함으로써, 센싱 대상 서브 픽셀만을 효과적으로 선택할 수 있다. 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)이 인가된 서브 픽셀과 달리, 블랙 표시용 데이터전압(Vdata_black)이 인가된 서브 픽셀은 그의 구동 TFT(DT)가 턴 온 되지 않아야 된다. 이를 위해, 블랙 표시용 데이터전압(Vdata_black)과 초기화전압(Vpre) 간의 차이값은 구동 TFT(DT)의 문턱전압보다 낮은 값으로 설정됨이 바람직하다. 아울러, 초기화전압(Vpre)은 단위 픽셀내의 서브 픽셀들에 공통으로 인가되기 때문에, 비 센싱 대상 서브 픽셀들의 불필요한 턴 온이 방지되도록 유기소자(OLED)의 턴 온 전압(동작점 전압)보다 낮은 값으로 설정됨이 바람직하다.
부스팅 단계(S20)에서는 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(Ng) 및 소스 노드(Ns)를 플로팅시키고 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)를 유기소자(OLED)에 인가하여 유기소자(OLED)를 턴 온 시킨다.
센싱 단계(S30)에서는 구동 TFT(DT)의 소스 노드(Ns)에 초기화전압(Vpre)을 재차 인가하여 유기소자(OLED)의 열화 정도에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 셋팅하고, 셋팅된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 결정되는 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)를 센싱 라인(14B)의 라인 커패시터(LCa)에 저장한다.
샘플링 단계(S40)에서는 라인 커패시터(LCa)에 저장된 전압을 센싱 전압(Vsen)으로 출력한다.
도 7은 도 5를 대상으로 하여 도 6을 적용할 때 각 구간별 제어신호 파형 및 전위 변화 파형을 보여준다. 그리고, 도 8a 내지 도 8d는 도 7의 초기화 기간, 부스팅 기간, 센싱 기간 및 샘플링 기간 각각에서 서브 픽셀과 센싱 유닛의 동작을 보여준다. 이 실시예에서는 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 10V로, 초기화전압(Vpre)을 0.5V로 설정하였다. 도 7에서, 전위 변화 파형 중 실선은 열화 전을 나타내고, 일점 쇄선은 열화 후를 나타낸다.
도 7과 도 8a 내지 도 8d를 참조하면, 열화 센싱 과정은 초기화 단계(S10)가 이뤄지는 초기화 구간(Tint), 부스팅 단계(S20)가 이뤄지는 부스팅 구간(Tbst), 센싱 단계(S30)가 이뤄지는 센싱 구간(Tsen), 샘플링 단계(S40)가 이뤄지는 샘플링 구간(Tsam)을 통해 이루어질 수 있다.
초기화 구간(Tint)에서, 스캔 제어신호(SCAN), 센싱 제어신호(SEN), 및 초기화 제어신호(PRE)는 온 레벨로 인가되고, 샘플링 제어신호(SAM)는 오프 레벨로 인가된다. 그 결과, 도 8a에서와 같이 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(Ng)에 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 인가되고 구동 TFT(DT)의 소스 노드(Ns)에 초기화전압(Vpre)이 인가된다.
부스팅 구간(Tbst)에서, 초기화 제어신호(PRE)만 온 레벨로 인가되고, 스캔 제어신호(SCAN), 센싱 제어신호(SEN), 및 샘플링 제어신호(SAM)는 오프 레벨로 인가된다. 그 결과, 도 8b에서와 같이 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(Ng) 및 소스 노드(Ns)가 플로팅되고 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)가 유기소자(OLED)에 인가된다. 이러한 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)에 의해 소스 노드(Ns)의 전위는 부스팅되고, 소스 노드(Ns)와 전기적으로 커플링되어 있는 게이트 노드(Ng)도 부스팅된다. 소스 노드(Ns)의 전위가 유기소자(OLED)의 동작점 전압보다 높아지면 유기소자(OLED)가 턴 온 된다. 유기소자(OLED)가 턴 온 될 때, 소스 노드(Ns)의 전위는 열화 정도에 따라 달라지고(9V,12V) 또한, 게이트 노드(Ng)의 전위도 열화 정도에 따라 달라지게 된다(15V,16V).
한편, 부스팅 구간(Tbst)에서, 스캔 제어신호(SCAN)가 센싱 제어신호(SEN)와 동시에 오프 레벨로 인가될 수도 있으나, 도 7에 도시된 바와 같이 스캔 제어신호(SCAN)가 센싱 제어신호(SEN)보다 늦게 오프 레벨로 인가될 수도 있다. 이렇게 하면, 부스팅 단계의 초기 시점에서 유기소자(OLED)의 열화 정도가 소스 노드(Ns)에 어느 정도 미리 반영되는 효과가 있다.
센싱 구간(Tsen)에서, 센싱 제어신호(SEN)는 온 레벨로 인가되고, 초기화 제어신호(PRE)는 일정 기간 동안 온 레벨을 유지한 후 오프 레벨로 반전된다. 그리고, 스캔 제어신호(SCAN)와 샘플링 제어신호(SAM)는 오프 레벨로 인가된다. 그 결과, 도 8c에서와 같이 유기소자(OLED)의 열화 정도에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 셋팅되고, 셋팅된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 결정되는 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)가 센싱 라인(14B)의 라인 커패시터(LCa) 에 저장된다. 구동 TFT(DT)의 소스 노드(Ns)는 초기화전압(Vpre)을 재차 인가받은 후 플로팅되기 때문에, 소스 노드(Ns)의 전위가 낮아질 때 스토리지 커패시터(Cst)의 커플링 영향으로 게이트 노드(Ng)의 전위도 낮아진다. 이때, 게이트 노드(Ng)의 전위가 낮아지는 정도는 유기소자(OLED)의 열화 정도에 따라 달라질 수 있다. 다시 말해, 유기소자(OLED)의 열화 정도는 게이트 노드(Ng)의 전위 차이(5V-4.5V)로 나타나게 되며, 이러한 게이트 노드(Ng)의 전압차(5V-4.5V)는 구동 TFT(DT)의 Vgs의 차이를 유발하여 열화 정도에 따라 센싱 라인(14B)에 흐르는 전류가 달라지게 된다. 이 전류는 센싱 라인(14B)의 라인 커패시터(LCa)에 저장되는데, 센싱 라인(14B)에 흐르는 전류가 열화에 비례하여 줄어들면 라인 커패시터(LCa)에 저장되는 전압도 작아진다. 라인 커패시터(LCa)에 저장되는 전압의 충전 기울기가 크면 센싱 라인(14B)에 흐르는 전류가 크다는 것이고, 이는 유기소자(OLED)의 열화 정도가 작다는 것을 의미한다. 반대로, 라인 커패시터(LCa)에 저장되는 전압의 충전 기울기가 작으면 센싱 라인(14B)에 흐르는 전류가 작다는 것이고, 이는 유기소자(OLED)의 열화 정도가 크다는 것을 의미한다.
샘플링 단계(S40)에서는 샘플링 제어신호(SAM)만 온 레벨로 인가되고, 스캔 제어신호(SCAN), 센싱 제어신호(SEN), 및 초기화 제어신호(PRE)는 오프 레벨로 인가된다. 그 결과, 도 8d에서와 같이 라인 커패시터(LCa)에 저장된 전압이 센싱 전압(Vsen)으로 출력되게 된다.
도 9는 본 발명의 다른 열화 센싱 방법을 보여준다.
도 9를 참조하면, 본 발명의 다른 열화 센싱 방법은 초기화 단계(S10), 부스팅 단계(S20), 라이팅 단계(25), 센싱 단계(S30), 및 샘플링 단계(S40)를 포함한다.
도 9의 열화 센싱 방법은 도 6과 비교할 때 라이팅 단계(25)를 더 포함한다는 점에서 다르다. 도 9의 초기화 단계(S10), 부스팅 단계(S20), 센싱 단계(S30), 및 샘플링 단계(S40)는 도 6에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.
라이팅 단계(25)에서는 구동 TFT(DT)의 게이트노드(Ng)에 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 재차 인가하여 유기소자(OLED)의 열화 정도에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 프리 셋팅한다. 이러한 라이팅 단계(25)는, 유기소자(OLED)의 열화 정도에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 셋팅하는 센싱 단계(S30)에 앞서, 유기소자(OLED)의 열화 정도에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 프리 셋팅함으로써, 유기소자(OLED)의 열화 정도를 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)으로 보다 용이하게 변환하게 한다. 이는 유기소자의 열화를 센싱함에 있어 센싱의 정확도를 높이는 결과를 낳는다.
도 10은 도 5를 대상으로 하여 도 9를 적용할 때 각 구간별 제어신호 파형 및 전위 변화 파형을 보여준다. 그리고, 도 11a 내지 도 11e는 도 10의 초기화 기간, 부스팅 기간, 라이팅 구간, 센싱 기간 및 샘플링 기간 각각에서 서브 픽셀과 센싱 유닛의 동작을 보여준다. 이 실시예에서도 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)을 10V로, 초기화전압(Vpre)을 0.5V로 설정하였다. 도 10에서, 전위 변화 파형 중 실선은 열화 전을 나타내고, 일점 쇄선은 열화 후를 나타낸다.
도 10과 도 11a 내지 도 11e를 참조하면, 열화 센싱 과정은 초기화 단계(S10)가 이뤄지는 초기화 구간(Tint), 부스팅 단계(S20)가 이뤄지는 부스팅 구간(Tbst), 라이팅 단계(S25)가 이뤄지는 라이팅 구간(Twrt), 센싱 단계(S30)가 이뤄지는 센싱 구간(Tsen), 샘플링 단계(S40)가 이뤄지는 샘플링 구간(Tsam)을 통해 이루어질 수 있다.
초기화 구간(Tint), 부스팅 구간(Tbst), 센싱 구간(Tsen), 및 샘플링 구간(Tsam)에서의 서브 픽셀과 센싱 유닛의 동작은 도 7 내지 도 8d에서 설명한 것과 실질적으로 동일하다.
라이팅 구간(Twrt)에서, 스캔 제어신호(SCAN)와 초기화 제어신호(PRE)는 온 레벨로 인가되고, 센싱 제어신호(SEN)와 샘플링 제어신호(SAM)는 오프 레벨로 인가된다. 그 결과, 도 11c에서와 같이 유기소자(OLED)의 열화 정도에 따라 구동 TFT(DT)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)이 프리 셋팅되고, 프리 셋팅된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 결정되는 구동 TFT(DT)의 드레인-소스 간 전류(Ids)가 유기소자(OLED)에 인가된다. 라이팅 구간(Twrt)에서, 구동 TFT(DT)의 게이트 노드(Ng)는 부스팅 레벨(15V,16V)에서 센싱용 데이터전압(Vdata_SEN)(10V)으로 낮아지기 때문에, 스토리지 커패시터(Cst)의 커플링 영향으로 소스 노드(Ns)의 전위도 낮아진다(7V,8V). 이때, 소스 노드(Ns)의 전위는 유기소자(OLED)의 동작점 전압이 되며, 열화 정도에 따라 그 값이 달라진다.
도 12는 유기소자의 열화 정도와 센싱 전압 간의 관계를 보여준다. 도 13은 유기소자의 열화 정도와 유기소자에 흐르는 구동전류 간의 관계를 보여준다. 그리고, 도 14는 센싱용 데이터전압과 센싱 전압 간의 관계를 보여준다.
본 발명의 열화 센싱 방법을 사용하여 유기소자(OLED)의 열화를 센싱하면, 도 12와 같이 유기소자(OLED)가 열화 될수록 즉, 유기소자(OLED)의 동작점 전압(ΔVth)이 증가할수록 센싱 유닛을 통해 출력되는 센싱 전압(Vsen)이 줄어드는 것을 확인할 수 있다. 이는 유기소자(OLED)가 열화되면 구동 TFT(DT)의 Vgs가 변하고, 이 변화가 제안된 방식을 통해 센싱되는 것이다.
본 발명의 열화 센싱 방법은 기존의 전류 셋팅법에 비해 제어가 용이한 전압 셋팅법(열화 정도에 따라 구동 TFT의 Vgs가 달라짐)을 취함으로써 센싱의 정확도를 높이고, 불필요한 전류 소스를 제거하여 회로 설계 면적 및 비용을 줄이는 효과가 있다.
이러한 본 발명에서 제안된 방식을 사용하여 센싱하면 유기소자(OLED)의 열화 경향성을 확인할 수 있다. 유기 소자(OLED)는 시간이 지남에 따라 도 13과 같은 변화를 보인다. 즉, 유기 소자(OLED)를 통해 구동전류(Ioled)가 흐를 때, 열화 전후에 있어 유기소자(OLED)의 애노드전압(Vanode)은 서로 달라진다. 또한, 본 발명에서 제안된 방식으로 센싱용 데이터전압(Vdata)을 가변하여 센싱 전압(Vsen) 차이를 2 포인트 이상 검출하면 기울기와 전압에 따른 경향성을 확인할 수도 있다.
도 15 내지 도 18은 스캔 제어신호와 센싱 제어신호의 변형 예들과 그에 따른 전위 변화를 보여준다. 도 15 내지 도 18에서, "DTG"는 구동 TFT의 게이트 노드의 전위를, "DTS"는 구동 TFT의 소스 노드의 전위를, "Ref"는 센싱 라인의 전위를 각각 나타낸다.
도 7 및 도 10에서는, 초기화 구간(Tint) 동안 스캔 제어신호(SCAN)의 온 레벨과 센싱 제어신호(SEN)의 온 레벨이 완전히 중첩되는 것만이 도시되어 있다. 하지만, 본 발명의 기술적 사상은 이에 한정되지 않고 도 15 내지 도 18과 같이 변형 가능하다.
도 15 내지 도 18에서, 초기화 구간(Tint) 동안 스캔 제어신호(SCAN)의 온 레벨과 센싱 제어신호(SEN)의 온 레벨은 적어도 일 부분이 서로 중첩되도록 설계될 수 있다. 즉, 도 15와 같이 초기화 구간(Tint) 동안 스캔 제어신호(SCAN)는 센싱 제어신호(SEN)를 완전히 감싸도록 센싱 제어신호(SEN)보다 넓은 펄스폭으로 인가될 수 있고, 도 16과 같이 초기화 구간(Tint) 동안 센싱 제어신호(SEN)는 스캔 제어신호(SCAN)를 완전히 감싸도록 스캔 제어신호(SCAN)보다 넓은 펄스폭으로 인가될 수 있다. 또한, 도 17과 같이 초기화 구간(Tint) 동안 스캔 제어신호(SCAN)는 센싱 제어신호(SEN)와 동일 펄스폭을 갖되 센싱 제어신호(SEN)보다 빨리 인가될 수 있고, 도 18과 같이 초기화 구간(Tint) 동안 센싱 제어신호(SEN)는 스캔 제어신호(SCAN)와 동일 펄스폭을 갖되 스캔 제어신호(SCAN)보다 빨리 인가될 수 있다.
이를 통해 본 발명은 스캔 제어신호(SCAN) 및 센싱 제어신호(SEN)를 설계함에 있어 타이밍 마진을 용이하게 확보할 수 있다. 도 15 내지 도 18의 시뮬레이션 결과에서는 이러한 변형 설계에도 불구하고 열화 센싱과 관련된 원하는 작용 효과가 충분히 얻어지고 있음을 보여주고 있다.
이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
10 : 표시패널 11 : 타이밍 콘트롤러
12 : 데이터 구동회로 13 : 게이트 구동회로
14A : 데이터라인 14B : 센싱 라인
15 : 게이트라인

Claims (8)

  1. 유기소자, 상기 유기소자의 발광량을 제어하는 구동 TFT를 각각 갖는 다수의 서브 픽셀들, 센싱 라인을 통해 서브 픽셀들 중 적어도 어느 하나에 연결된 센싱 유닛을 포함한 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법에 있어서,
    상기 구동 TFT의 게이트 노드에 센싱용 데이터전압을 인가하고 상기 구동 TFT의 소스 노드에 초기화전압을 인가하여 상기 구동 TFT를 턴 온 시키는 초기화 단계;
    상기 구동 TFT의 게이트 노드 및 소스 노드를 플로팅시키고 상기 구동 TFT의 드레인-소스 간 전류(Ids)를 상기 유기소자에 인가하여 상기 유기소자를 턴 온 시키는 부스팅 단계;
    상기 구동 TFT의 소스 노드에 상기 초기화전압을 재차 인가하여 상기 유기소자의 열화 정도에 따라 상기 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 셋팅하고, 상기 셋팅된 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 따라 결정되는 상기 구동 TFT의 드레인-소스 간 전류(Ids)를 센싱 라인의 라인 커패시터에 저장하는 센싱 단계; 및
    상기 라인 커패시터에 저장된 전압을 센싱 전압으로 출력하는 샘플링 단계를 포함하며,
    상기 서브 픽셀들 중에서 같은 단위 픽셀을 구성하는 서브 픽셀들이 하나의 센싱 라인을 공유할 때,
    상기 초기화 단계는 상기 단위 픽셀 중 하나의 센싱 대상 서브 픽셀에 대해서만 구동 TFT의 게이트 노드에 상기 센싱용 데이터전압을 인가하고, 상기 단위 픽셀 중 상기 센싱 대상 서브 픽셀을 제외한 나머지 서브 픽셀들에 대해서는 각 구동 TFT의 게이트 노드에 상기 센싱용 데이터전압보다 낮은 블랙 표시용 데이터전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 부스팅 단계와 상기 센싱 단계 사이에서, 상기 구동 TFT의 게이트노드에 상기 센싱용 데이터전압을 재차 인가하여 상기 유기소자의 열화 정도에 따라 상기 구동 TFT의 게이트-소스 간 전압(Vgs)을 프리 셋팅하는 라이팅 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 초기화전압은 상기 유기소자의 턴 온 전압보다 낮은 값으로 설정되고, 상기 블랙 표시용 데이터전압과 상기 초기화전압 간의 차이값은 상기 구동 TFT의 문턱전압보다 낮은 값으로 설정되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 서브 픽셀들 각각이, 스캔 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 센싱용 데이터전압이 인가된 데이터라인과 상기 구동 TFT의 게이트 노드 간을 접속시키는 제1 스위치 TFT와, 센싱 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 초기화전압이 인가된 상기 센싱 라인과 상기 구동 TFT의 소스 노드 간을 접속시키는 제2 스위치 TFT와, 상기 구동 TFT의 게이트 노드와 소스 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 더 포함하고,
    상기 센싱 유닛이, 초기화 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 초기화전압의 입력단과 상기 센싱 라인 간을 접속시키는 초기화 스위치와, 샘플링 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 센싱 라인과 샘플 앤 홀드부를 접속시키는 샘플링 스위치를 포함할 때,
    상기 스캔 제어신호는 상기 초기화 단계가 이뤄지는 초기화 구간에서만 온 레벨로 인가되고,
    상기 센싱 제어신호는 상기 초기화 구간, 및 상기 센싱 단계가 이뤄지는 센싱 구간에서만 온 레벨로 인가되고,
    상기 초기화 제어신호는 상기 초기화 구간, 상기 부스팅 단계가 이뤄지는 부스팅 구간에서 온 레벨로 인가된 후 상기 센싱 구간 내에서 오프 레벨로 반전되며,
    상기 샘플링 제어신호는 상기 샘플링 단계가 이뤄지는 샘플링 구간에서만 온 레벨로 인가되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 초기화 구간 내에서, 상기 스캔 제어신호의 온 레벨과 상기 센싱 제어신호의 온 레벨은 적어도 일 부분이 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 서브 픽셀들 각각이, 스캔 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 센싱용 데이터전압이 인가된 데이터라인과 상기 구동 TFT의 게이트 노드 간을 접속시키는 제1 스위치 TFT와, 센싱 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 초기화전압이 인가된 상기 센싱 라인과 상기 구동 TFT의 소스 노드 간을 접속시키는 제2 스위치 TFT와, 상기 구동 TFT의 게이트 노드와 소스 노드 사이에 접속되는 스토리지 커패시터를 더 포함하고,
    상기 센싱 유닛이, 초기화 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 초기화전압의 입력단과 상기 센싱 라인 간을 접속시키는 초기화 스위치와, 샘플링 제어신호에 따라 스위칭되어 상기 센싱 라인과 샘플 앤 홀드부를 접속시키는 샘플링 스위치를 포함할 때,
    상기 스캔 제어신호는 상기 초기화 단계가 이뤄지는 초기화 구간 및 상기 라이팅 단계가 이뤄지는 라이팅 구간에서만 온 레벨로 인가되고,
    상기 센싱 제어신호는 상기 초기화 구간 및 상기 센싱 단계가 이뤄지는 센싱 구간에서만 온 레벨로 인가되고,
    상기 초기화 제어신호는 상기 초기화 구간, 상기 부스팅 단계가 이뤄지는 부스팅 구간, 상기 라이팅 구간에서 온 레벨로 인가된 후 상기 센싱 구간 내에서 오프 레벨로 반전되며,
    상기 샘플링 제어신호는 상기 샘플링 단계가 이뤄지는 샘플링 구간에서만 온 레벨로 인가되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 초기화 구간 내에서, 상기 스캔 제어신호의 온 레벨과 상기 센싱 제어신호의 온 레벨은 적어도 일 부분이 서로 중첩되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    각 서브 픽셀에 인가되는 상기 센싱용 데이터전압은, 해당 서브 픽셀에 포함된 구동 TFT의 문턱전압 편차분과 이동도 편차분에 따라 다르게 설정되는 것을 특징으로 하는 유기발광 표시장치의 열화 센싱 방법.
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