CN108597445B - 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备 - Google Patents

显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN108597445B
CN108597445B CN201810376950.2A CN201810376950A CN108597445B CN 108597445 B CN108597445 B CN 108597445B CN 201810376950 A CN201810376950 A CN 201810376950A CN 108597445 B CN108597445 B CN 108597445B
Authority
CN
China
Prior art keywords
transistor
voltage
display device
driving transistor
driving
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810376950.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108597445A (zh
Inventor
小野山有亮
山下淳一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN108597445A publication Critical patent/CN108597445A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108597445B publication Critical patent/CN108597445B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes

Abstract

本公开涉及显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备。一种显示装置包括像素阵列单元和驱动单元，该像素阵列单元通过布置像素电路形成，该像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、连接在驱动晶体管栅极电极与源极电极之间的存储电容器以及其第一端被连接至驱动晶体管的源极电极的辅助电容器，在阈值校正期间，该驱动单元将用于阈值校正的标准电压施加至在其中驱动晶体管源极电极已被设定至浮置状态的状态中的驱动晶体管的栅极电极，并且随后将脉冲信号施加到辅助电容器的第二端。

Description

显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备
本申请为申请日为2014年7月1日、申请号为201410311120.3、发明名称为“显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备”的分案申请。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年7月8日提交的日本优先权专利申请JP2013-142832的权益，通过引用将其全部内容结合于本文中。
技术领域
本公开涉及显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备，并且具体地，涉及由包括以行和列(矩阵形式)布置的发光单元的像素形成的平面型(平板型)显示装置、用于显示装置的驱动方法和包括显示装置的电子设备。
背景技术
使用所谓电流驱动型光电元件的显示装置是一种平面型显示装置，该光电元件中发光亮度根据流动到作为像素的发光单元的发光单元(发光元件)的电流值改变。例如，已知的是使用有机材料的电致发光并利用其中当电场被施加到有机薄膜时发射光的现象的有机电致发光(EL)元件作为电流驱动型的光电元件。
在通常由有机EL显示装置所代表的平面型显示装置中，除了使用P沟道型晶体管作为驱动发光单元的驱动晶体管之外，存在具有校正驱动晶体管的阈值电压上的校正变化以及其移动量的功能的装置。在这些显示装置中的像素电路具有除驱动晶体管之外还包括采样晶体管、开关晶体管、存储电容器和辅助电容器的配置(例如，参考日本未经审查专利申请公开第2008-287141号)。
发明内容
在如现有技术的上述实例中的显示装置中，因为微小的直通电流在阈值电压的校正准备期(阈值校正准备期)期间流动至发光单元，尽管实际上是不发光期，但发光单元在没有依赖于信号电压的等级的情况下为每个帧以恒定亮度发光。其结果为导致了其中显示面板的对比度降低的问题。
期望的是提供一种显示装置，其中，可以通过抑制在不发光期流动到发光单元的直通电流来解决对比度降低的问题，并提供用于显示装置的驱动方法和包括显示装置的电子设备。
根据本公开的实施方式，提供了一种包括像素阵列单元和驱动单元的显示装置，该像素阵列单元通过布置像素电路形成，该像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、在驱动晶体管栅极电极和源极电极之间连接的存储电容器以及其第一端连接到驱动晶体管的源极电极的辅助电容器，在阈值校正期间，该驱动单元将用于阈值校正的标准电压施加到在其中驱动晶体管的源极电极已被设定至浮置状态的状态中的驱动晶体管的栅极电极，并且随后将脉冲信号施加到辅助电容器的第二端，其中，脉冲信号的最大电压是与像素电路的电源电压相同的电压。
根据本公开的另一实施方式提供用于显示装置的驱动方法，其中通过布置像素电路形成的显示装置驱动时，在阈值校正期间，驱动晶体管的源极电极被设定至浮置状态，此后，将用于阈值校正的标准电压施加到驱动晶体管栅极电极，并且随后将脉冲信号施加到辅助电容器的第二端，该像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、连接在驱动晶体管栅极电极与源极电极之间的存储电容器以及其第一端连接到驱动晶体管的源极电极的辅助电容器，其中，脉冲信号的最大电压是与像素电路的电源电压相同的电压。
根据本公开的又一实施方式，提供了一种包括显示装置的电子设备，该显示装置包括像素阵列单元和驱动单元，该像素阵列单元通过布置像素电路形成，该像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、连接在驱动晶体管栅极电极与源极电极之间的存储电容器以及其第一端连接到驱动晶体管源极电极的辅助电容器，在阈值校正期间，该驱动单元将用于阈值校正的标准电压施加到在其中驱动晶体管源极电极已设定至浮置状态的状态中的驱动晶体管的栅极电极，并且随后将脉冲信号施加到辅助电容器的第二端，其中，脉冲信号的最大电压是与像素电路的电源电压相同的电压。
在具有上述配置的显示装置、其驱动方法和电子设备中，在阈值校正期间(当阈值校正执行时)，标准电压被施加到在其中驱动晶体管的源极电极已被设定至浮置状态的状态中的驱动晶体管的栅极电极。此时，尽管由存储电容器和辅助电容器的电容耦合使得驱动晶体管的源极电位随着栅极电位而升高，但栅极电位获得比源极电位更高的状态。因此，因为驱动晶体管在将驱动晶体管的栅极电位设定至标准电压的阈值校正准备期中处于非导通状态，故可以在不发光期中抑制到发光单元的直通电流。进一步地，通过将脉冲信号施加至辅助电容器的第二端，因为存储电容器和辅助电容器的电容耦合使驱动晶体管的源极电位升高，故在驱动晶体管的栅极与源极之间的电压被放大到大于或等于阈值电压。其结果为，可以开始阈值校正的操作。
根据本公开，因为可以在不发光期中抑制到发光单元的直通电流，因故可以解决对比度降低的问题。
另外，本公开的效果不必限于上述效果，并可以是在本说明书中公开的任何效果。另外，在本说明书中公开的效果仅是实例，本公开不限于此并且可以有附加的效果。
附图说明
图1是示出了形成本公开的前提的有源矩阵型显示装置的基本配置的概况的系统配置图；
图2是示出了形成本公开的前提的有源矩阵型显示装置中的像素的电路(像素电路)实例的电路图；
图3是用于描述形成本公开的前提的有源矩阵型显示装置的电路操作的时序波形图；
图4是示出了根据本公开的实施方式的有源矩阵型显示装置的配置概况的系统配置图；
图5是示出了根据本公开的实施方式的有源矩阵型显示装置中的像素的电路(像素电路)实例的电路图；
图6是用于描述根据本公开的实施方式的有源矩阵型显示装置的电路操作的时序波形图；
图7A是描述电路操作的操作说明图(部分1)，图7B是描述电路操作的操作说明图(部分2)；
图8A是描述电路操作的操作说明图(部分3)，图8B是描述电路操作的操作说明图(部分4)；以及
图9A是描述电路操作的操作说明图(部分5)，图9B是描述电路操作的操作说明图(部分6)。
具体实施方式
在下文中，将利用附图对用于实施本公开的技术的实施方式(在下文中称为“实施方式”)进行详细描述。本公开不限于实施方式，并且实施方式中的各种数值等是实例。在以下描述中，对具有相同功能的相似的部件和相似的多个部件赋予相同的符号并将省略重复描述。另外，将按以下顺序给出描述。
1.关于本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备的总体描述
2.形成本公开的前提的有源矩阵型显示装置
2-1.系统配置
2-2.像素电路
2-3.基本的电路操作
2-4.阈值校正准备期中的缺点
3.实施方式的描述
4.变形例
5.电子设备
关于本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备的总体描述
在本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备中，采用了其中将P沟道型晶体管用作驱动发光单元的驱动晶体管的配置。将在下面就使用P沟道型晶体管代替N沟道型晶体管作为驱动晶体管的原因进行描述。
假设其中晶体管形成在诸如硅的半导体上而不是形成在诸如玻璃基板的绝缘体上的情况，晶体管形成源极、栅极、漏极和背栅极(基极)的四个端子而不是源极、栅极和漏极的三个端子。进一步地，在其中N沟道型晶体管被用作驱动晶体管的情况下，背栅极(基板)电位是0V，并且这对每个像素中的驱动晶体管阈值电压的校正变化的操作等带来不利影响。
另外，与具有LDD(轻掺杂漏极)区域的N沟道型晶体管相比，晶体管的特性变化小于不具有LDD区域的P沟道型晶体管，并且因为可以实现像素微型化和改善的显示装置清晰度，故P沟道型晶体管是有利的。出于上述原因，在其中假设在诸如硅的半导体上形成的情况下，优选地使用P沟道型晶体管而不是N沟道型晶体管作为驱动晶体管。
本公开的显示装置是由像素电路形成的平面型(平板型)显示装置，该像素电路除P沟道型驱动晶体管外还包括采样晶体管、发光控制晶体管、存储电容器和辅助电容器。可以包括有机EL显示装置、液晶显示装置、等离子体显示装置等作为平面型显示装置的实例。在这些显示装置中，有机EL显示装置使用有机电致发光元件(在下文中称为“有机EL元件”)作为像素的发光元件(光电元件)，其利用有机材料的电致发光并利用其中当电场被施加到有机薄膜时发射光的现象。
使用有机EL元件作为像素的发光单元的有机EL显示装置具有以下特性。即，因为有机EL元件可以使用小于或等于10V的施加电压进行驱动，故有机EL显示装置是低功耗的。因为有机EL元件是自发光型元件，故有机EL显示装置中的像素可见度比同样是平面型显示装置的液晶显示装置高，并且另外，因为不需要诸如背光的照明构件，故容易进行轻量化和薄型化。此外，由于有机EL元件的响应速度极快以至约几微秒的程度，故有机EL显示装置在视频显示期间不生成残留图像。
除自发光型元件外，配置发光单元的有机EL显示装置是电流驱动型光电元件，其中，发光亮度根据流动至装置的电流值而改变。除有机EL元件外，可以包括无机EL元件、LED元件、半导体激光器元件等作为电流驱动型光电元件。
诸如有机EL显示装置的平面型显示装置可以在设置有显示单元的各种电子设备中用作显示单元(显示装置)。可以包括头戴式显示器、数码相机、视频摄影机、游戏控制器、笔记本个人计算机、诸如电子阅读器的便携式信息装置、诸如个人数字助理(PDA)和蜂窝电话的移动通信单元作为各种电子设备的实例。
在本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备中，可以采用其中当脉冲信号被施加到辅助电容器的第二端时，由于存储电容器和辅助电容器的电容耦合而使驱动晶体管的源极电位升高的配置。可替换地，可以采用其中当脉冲信号被施加到辅助电容器的第二端时，由于存储电容器和辅助电容器的电容耦合而放大驱动晶体管的栅极与源极之间的电压的配置。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备中，可以采用其中当脉冲信号被施加到辅助电容器第二端时，执行脉冲信号从最小电压转变到最大电压转变的配置。此时，可以采用其中脉冲信号的振幅大于标准电压的配置。另外，可以采用其中脉冲信号最大电压是与像素电路的电源电压相同电压的配置。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备中，可以采用其中发光控制晶体管连接在电源电压的节点与驱动晶体管源极电极之间的配置。此时，可以采用其中通过将发光控制晶体管设定至非导通状态来将驱动晶体管源极电极设定至浮置状态的配置。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备中，可以采用其中采样晶体管被连接在信号线与驱动晶体管的栅极电极之间的配置。此时，可以设定通过信号线施加标准电压的配置，并通过采样晶体管的采样施加标准电压。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备中，可任意设定存储电容器的电容值，但优选的是存储电容器的电容值被设定为大于或等于辅助电容器的电容值。
在包括上述优选配置的本公开的显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备中，可以采用其中采样晶体管和发光控制晶体管与驱动晶体管相同均由P沟道型晶体管形成的配置。
形成本公开的前提的有源矩阵型显示装置
[系统配置]
图1是示出了形成本公开的前提的有源矩阵型显示装置的基本配置的概况的系统配置图。形成本公开的前提的有源矩阵型显示装置还是如在日本未审查专利申请公开第2008-287141号中公开的现有技术的实例中的有源矩阵型显示装置。
有源矩阵型显示装置是使用例如绝缘栅场效应晶体管的有源元件控制流动到光电装置的电流的显示装置，该有源装置被设置在与光电装置相同的像素电路内。通常，可以包括作为绝缘栅场效应晶体管的实例的薄膜晶体管(TFT)。
在该实例中，将把使用有机EL元件作为像素电路的发光单元(发光元件)的有源矩阵型EL显示装置显示器描述为实例，该有机EL元件为其中发光亮度根据装置中流动的电流值而改变的电流驱动型光电元件。在下文中，存在其中“像素电路”被简称为“像素”的情况。
如在图1中示出，形成本公开的前提的有机EL显示装置100具有一配置，其包括：像素阵列单元30，通过布置包括二维矩阵形式中的有机EL元件的多个像素20形成；并且包括在像素阵列单元30外围布置的驱动单元。例如，通过与像素阵列单元30一样将施加扫描单元(application scanning unit)40、驱动扫描单元50、信号输出单元60等安装在相同的显示面板70上形成驱动单元，并且驱动像素阵列单元30的每个像素20。另外，可以采用其中施加扫描单元40、驱动扫描单元50和信号输出单元60中的几个或全部被设置在显示面板70的外部的配置。
在该实例中，在其中有机EL显示装置100是能够进行彩色显示的显示装置的情况下，从多个子像素配置作为形成彩色图像的单元的单个像素(单元像素/像素)。在此情况下，每个子像素对应于图1的像素20。更具体地，在能够进行彩色显示的显示装置中，例如，从发射红(R)光的子像素、发射绿(G)光的子像素和发射蓝(B)光的子像素的三个子像素配置单个像素。
然而，本公开不限于作为一个像素的RGB三原色的子像素组合，并可以通过进一步将颜色的子像素或多个颜色的子像素添加到三原色的子像素来配置单个像素。更具体地，例如可以通过添加用于改善亮度的发射白(W)光的子像素来配置单个像素，并也可以通过添加发射用于扩展色彩再现范围的互补颜色光的至少一个子像素来配置单个像素。
相对于像素20的m行和n列排列，在像素阵列单元30中沿着针对每个像素行的行方向(像素行的像素的排列方向/水平方向)对扫描线31(311到31m)和驱动线32(321到32m)。此外，相对于像素20的m行和n列排列，针对每个像素列而沿列方向(像素列的像素的排列方向/垂直方向)对信号线33(331到33n)进行布线。
扫描线311到31m分别连接到施加扫描单元40的相对应的行的输出端。驱动线321到32m分别连接到驱动扫描单元50的相对应的行的输出端。信号线331到33n分别连接到信号输出单元60的相对应的列的输出端。
施加扫描单元40由位移晶体管(shift transistor)电路等配置。在图像信号的信号电压被施加到像素阵列单元30的每个像素20期间，施加扫描单元40顺序地供应施加扫描信号WS(WS1到WSm))至扫描线31(311到31m)。结果，执行以行为单位的顺序扫描像素阵列30的每个像素20的所谓线顺序扫描。
驱动扫描单元50由位移晶体管电路等以与施加扫描单元40相同的方式进行配置。驱动扫描单元50通过与施加扫描单元40的线顺序扫描同步地将发光控制信号DS(DS1到DSm)供应至驱动线32(321到32m)来执行对像素20发光和不发光的控制。
信号输出单元60选择性地输出图像信号的信号电压Vsig(在下文中，存在其中该信号电压被简称为“信号电压”的情况)，该信号电压Vsig取决于从信号供应源(图中未示出)供应的亮度信息和标准电压Vofs。在该实例中，标准电压Vofs是形成用于图像信号的信号电压Vsig的基准的电压(例如，对应于图像信号黑色电平的电压)，并且被用在阈值校正中(稍后将描述)。
选择性地从信号输出单元60输出的信号电压Vsig和标准电压Vofs以由施加扫描单元40的扫描所选择出的像素行为单位通过信号线33(331到33n)被施加到像素阵列单元30的每个像素20。即，信号输出单元60采用以行(线)为单位施加信号电压Vsig的线顺序施加驱动形式。
[像素电路]
图2是示出了形成本公开前提的有源矩阵型显示装置(即，如在现有技术的实例中的有源矩阵型显示装置)中的像素的电路(像素电路)实例的电路图。由有机EL元件21形成像素20的发光单元。有机EL元件21是电流驱动型光电元件的实例，其中，发光亮度根据在装置中流动的电流值改变。
如图2中所示，像素20由有机EL元件21和驱动电路配置，该驱动电路通过导致电流流动到有机EL元件21来驱动有机EL元件21。在有机EL元件21中，阴极电极被连接至共同布线到所有像素20的共同电源线34。
驱动有机EL元件21的驱动电路具有包括驱动晶体管22、采样晶体管23、发光控制晶体管24、存储电容器25和辅助电容器26的配置。另外，假设在诸如硅的半导体上形成并且不在诸如玻璃基板的绝缘体上形成的情况下，采用其中将P沟道型晶体管用作驱动晶体管22的配置。
另外，在本实例中，采用其中以与驱动晶体管22相同的方式也将P沟道型晶体管用于采样晶体管23和发光控制晶体管24的配置。因此，驱动晶体管22、采样晶体管23和发光控制晶体管24形成源极、栅极、漏极和背栅极的四个端子而不是源极、栅极和漏极的三个端子。电源电压Vdd被施加到背栅极。
然而，由于采样晶体管23和发光控制晶体管24是充当开关元件的开关晶体管，故采样晶体管23和发光控制晶体管24不限于P沟道型晶体管。因此，采样晶体管23和发光控制晶体管24可以是N沟道型晶体管，或具有其中混合P沟道型晶体管和N沟道型晶体管的配置。
在具有上述配置的像素20中，采样晶体管23通过采样将从信号输出单元60供应的信号电压Vsig通过信号线33施加到存储电容器25。发光控制晶体管24被连接在电源电压Vdd的节点与驱动晶体管22的源极电极之间，并基于由发光控制信号DS驱动来控制有机EL元件21发光和不发光。
存储电容器25被连接在驱动晶体管22的栅极电极与源极电极之间。存储电容器25存储由于采样晶体管23采样所施加到存储电容器25的信号电压Vsig。驱动晶体管22通过使引起取决于存储电容器25存储电压的驱动电流流动到有机EL元件21来驱动有机EL元件21。
辅助电容器26被连接在驱动晶体管22的源极电极与具有固定电位的节点(例如，电源电压Vdd的节点)之间。辅助电容器26控制当施加信号电压Vsig时的驱动晶体管22的源极电位的改变，并且执行将驱动晶体管22的栅极与源极之间电压Vgs设定为驱动晶体管22阈值电压Vth的操作。
基本电路操作
接下来，将利用图3的时序波形图来描述形成本公开前提并具有上述配置的有源矩阵型有机EL显示装置100的基本电路操作。
在图3的时序波形图中示出了信号线33的电位Vofs和Vsig、发光控制信号DS、施加扫描信号WS、驱动晶体管22的源极电位Vs和栅极电位Vg以及有机EL元件21的阳极电位Vano上的相应的改变模式。在图3的时序波形图中，栅极电位Vg的波形用虚线示出。
另外，由于采样晶体管23和发光控制晶体管24是P沟道型晶体管，故施加扫描信号WS和发光控制信号DS的低电位状态是有源状态，并且其高电位状态是非有源状态。进一步地，采样晶体管23和发光控制晶体管24在施加扫描信号WS和发光控制信号DS的有源状态中处于导通状态，并且在其非有源状态中处于非导通状态。
在时刻t8，发光控制信号DS获得非有源状态，并且由于发光控制信号DS获得非导通状态而引起在存储电容器25中存储的电荷通过驱动晶体管22放电。进一步地，当驱动晶体管22的栅极与源极之间电压Vgs变得小于或等于驱动晶体管22阈值电压Vth时，驱动晶体管22截止。
当驱动晶体管22截止时，由于阻断了电流供应到有机EL元件21的路径，故有机EL元件21的阳极电位Vano逐渐降低。当有机EL元件21的阳极电位Vano最终变为低于或等于有机EL元件21的阈值电压Vthel时，有机EL元件21获得完全消光状态(extinguished state)。此后，在时刻t1，发光控制信号DS获得有源状态，并且由于发光控制晶体管24获得导通状态而使操作进入随后的1H期间(H是一个水平期间)。结果，t8到t1的期间是消光期。
由于发光控制晶体管24获得导通状态而使电源电压Vdd施加到驱动晶体管22的源极电极。进一步地，栅极电位Vg与驱动晶体管22的源极电位Vs连动地升高。在随后的时刻t2，由于施加扫描信号WS获得有源状态引起采样晶体管23获得导通状态，并对信号线23的电位进行采样。此时，在其中标准电压Vofs被供应到信号线33的状态下进行操作。因此通过使用采样晶体管23采样，标准电压Vofs被施加到驱动晶体管22的栅极电极。结果，(Vdd-Vofs)的电压被存储在存储电容器25。
在此情况下，为执行阈值校正操作(稍后将描述)，需要将驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs设定为超过对应的驱动晶体管22的阈值电压Vth的电压。因此，每个电压值设定为其中|Vgs|＝|Vdd-Vofs|>|Vth|的关系。
这样，将驱动晶体管22的栅极电位Vg设定为标准电压Vofs的初始化操作是在执行随后的阈值校正操作之前的准备操作(阈值校正准备)。因此，标准电压Vofs是驱动晶体管22的栅极电位Vg的初始化电压。
接下来，在时刻t3，发光控制信号DS获得非有源状态，并且在发光控制晶体管24获得非导通状态时，驱动晶体管22的源极电位Vs被设定为浮置状态。进一步地，在其中驱动晶体管22的栅极电位Vg被保持在标准电压Vofs的状态下开始阈值校正操作。即，驱动晶体管22的源极电位Vs开始向已从驱动晶体管22的栅极电压Vg减去了阈值电压Vth的电位(Vofs-Vth)下降(降低)。
这样，驱动晶体管22的栅极电压Vg的初始化电压Vofs被设定为基准，并且将驱动晶体管22的源极电位Vs向已从初始化电压Vofs减去了阈值电压Vth的电位(Vofs-Vth)改变的操作是阈值校正操作。随着阈值校正操作进行，驱动晶体管22的栅极与源极之间电压Vgs最终与驱动晶体管22的阈值电压Vth趋同。对应于阈值电压Vth的电压在存储电容器25中保持。此时驱动晶体管22的源极电位Vs变为Vs＝Vofs-Vth。
进一步地，在时刻t4，施加扫描信号WS获得非有源状态，并在采样晶体管23获得非导通状态时，阈值校正期结束。此后，图像信号的信号电压Vsig从信号输出单元60输出到信号线33，并且信号线33的电位从标准电压Vofs切换到信号电压Vsig。
接下来，在时刻t5，由于施加扫描信号WS获得有源状态而使采样晶体管23获得导通状态，并通过采样信号电压Vsig执行对像素20的施加。作为由采样晶体管23的信号电压Vsig施加操作的结果，驱动晶体管22的栅极电位Vg变为信号电压Vsig。
当施加图像信号的信号电压Vsig时，连接在驱动晶体管22的源极电极与电源电压Vdd的节点之间的辅助电容器26执行抑制驱动晶体管22的源极电位Vs改变的操作。进一步地，在由图像信号的信号电压Vsig对驱动晶体管22进行驱动时，通过与存储在存储电容器25中的阈值电压Vth相对应的电压抵消与驱动晶体管22相对应的阈值电压Vth。
此时，根据信号电压Vsig放大驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs，但驱动晶体管22的源极电位Vs如之前一样处于浮置状态。因此，根据驱动晶体管22的特性对存储电容器25的充电电荷进行放电。进一步地，此时，通过流动到驱动晶体管22的电流开始对有机EL元件21的等效电容器Ce1充电。
作为有机EL元件21的等效电容器Ce1被充电的结果，驱动晶体管22的源极电位Vs随时间推移而逐渐开始下降。此时，每个像素的驱动晶体管22的阈值电压Vth的变化已被抵消，并且在驱动晶体管22的漏极与源极之间的电流Ids变成取决于驱动晶体管22的移动量u。另外，驱动晶体管22的移动量u是配置对应的驱动晶体管22的沟道的半导体薄膜的移动量。
在此情况下，驱动晶体管22的源极电位Vs的下降量(改变量)起作用以便使存储晶体管25的充电电荷放电。换言之，驱动晶体管22的源极电位Vs上的下降量施加负反馈至存储电容器25。因此，驱动晶体管22的源极电位Vs上的下降量变为负反馈的反馈量。
这样，通过使用取决于流动到驱动晶体管22的漏极与源极之间的电流Ids的反馈量施加负反馈到存储电容器25，可以打消驱动晶体管22的漏极与源极之间电流Ids对于移动量U的相关性。打消操作(抵消处理)是校正每个像素的驱动晶体管22的移动量u变化的移动量校正操作(移动量校正处理)。
更具体地，由于随着施加到驱动晶体管22栅极电极的图像信号的信号振幅Vin(＝Vsig-Vofs)增加，漏极与源极之间的电流Ids变大，故负反馈的反馈量的绝对值也变大。因此，根据图像信号的信号振幅Vin(即，发光亮度的水平)来移动量校正处理。另外，在其中图像信号的信号振幅Vin被设定为常量的情况下，由于负反馈的反馈量的绝对值也随着驱动晶体管22的移动量u的增加而变的更大，故可以消除每个像素的移动量u上的变化。
在时刻t6，施加扫描信号WS获得非有源状态，并且作为采样晶体管23获得非导通状态的结果，信号施加(singal application)和移动量校正期结束。在执行了移动量校正之后，在时刻t7，由于发光控制信号DS获得有源状态而使发光控制晶体管24获得导通状态。因此，电流从电源电压Vdd的节点通过发光控制晶体管24被供应至驱动晶体管22。
此时，由于采样晶体管23处于非导通状态，故驱动晶体管22的栅极电极与信号线33电气隔离并在浮置状态。在此情况下，当驱动晶体管22的栅极电极处于浮置状态时，由于连接在驱动晶体管22的栅极与源极之间的存储电容器25而使栅极电位Vg与驱动晶体管22的源极电位Vs连动地波动。
即，随着存储在存储电容器25中的栅极与源极之间电压Vgs被保持而使驱动晶体管22的源极电位Vs和栅极电位Vg升高。进一步地，驱动晶体管22的源极电位Vs升高至取决于晶体管饱和电流的有机EL元件21的发光电压Voled。
这样，其中驱动晶体管22的栅极电位Vg与源极电位Vs连动波动的操作是自举操作(bootstrap operation)。换言之，自举操作是其中驱动晶体管22的栅极电位Vg和源极电位Vs随着被保持的存储在存储电容器25中的栅极与源极之间的电压Vgs(即，在存储电容器25两个端子之间的电压)一起浮置的操作。
进一步地，由于驱动晶体管22的漏极与源极之间的电流Ids开始流动到有机EL元件21的事实，有机EL元件21的阳极电位Vano根据对应的电流Ids升高。当有机EL元件21的阳极电位Vano最终超过有机EL元件21的阈值电压Vthel时，因为驱动电流开始流动到有机EL元件21，故有机EL元件21开始发光。
阈值校正准备期中的缺点
在该实例中，集中于从阈值校正准备期到阈值校正期(时刻t2到时刻t4)的操作点。如从上面所给出的操作说明显而易见的是，为了执行阈值校正操作，需要将驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs设定为超过对应的晶体管22的阈值电压Vth的电压。
因此，电流流动到驱动晶体管22，并且如在图3的时序波形图中所示，有机EL元件21的阳极电位Vano在从阈值校正准备期到阈值校正期的一部分时间中暂时超过对应的有机EL元件21的阈值电压Vthel。因此，约几mA的直通电流从驱动晶体管22流动到有机EL元件21。
因此，在阈值校正准备期(其包括其中阈值校正期开始的一部分)中，尽管是不发光期，但发光单元(有机EL元件21)不管信号电压Vsig的等级而在每个帧中以恒定亮度发光。因此，导致显示面板70对比度低下。
实施方式的描述
为解决上述缺陷，在本公开的实施方式中采用以下配置。即，在阈值校正时(当执行阈值校正时)，用于阈值校正的标准电压Vofs被施加到在其中驱动晶体管22的源极电极处于浮置状态的状态中的驱动晶体管22的栅极电极。此后，脉冲信号被施加到辅助电容器的第二端。
如用于实现上述操作的本公开实施方式的有源矩阵型显示装置的配置概述被示出在图4中，并且在图5中示出了像素的电路(像素电路)的实例。在本实施方式中，还将作为实例给出利用使用有机EL元件21作为像素电路20的发光单元(发光元件)的有源矩阵型有机EL显示装置的情况的描述。
在形成本发明的前提的有源矩阵型有机EL显示装置100中的像素20中，使用其中辅助电容器26的第一端连接至驱动晶体管22的源极电极，并且其第二端连接至固定电位节点(例如，电源电压Vdd节点)的配置。与此相反，在根据本实施方式的有源矩阵型有机EL显示装置10中的像素20中，使用其中辅助电容器26的第一端连接至驱动晶体管22的源极电极，并且其第二端连接至控制线35的配置。
如在图4的系统配置图中所示，相对于像素20的m行和n列排列针对每个像素行对控制线35(351至35m)进行布线。另外，设置驱动控制线35(351到35m)的电容扫描单元80。电容扫描单元80以与施加扫描单元40的线顺序扫描同步的方式将控制信号CS(CS1到CSm)供应至控制线35(351至35m)。控制信号CS(CS1至CSm)通过控制线35(351至35m)被施加到辅助电容器26的第二端。
控制信号CS(CS1到CSm)是选择性地采用最大电压和最小电压的两个值的脉冲信号。在阈值校正期间，在当驱动晶体管22的源极电极处于浮置状态时而将标准电压Vofs施加到驱动晶体管22的栅极电极之后，作为脉冲信号的控制信号CS被施加到辅助电容器26的第二端。基于通过由施加扫描单元40、驱动扫描单元50、信号输出单元60和电容扫描单元80等形成的驱动单元进行驱动来执行该操作。
驱动扫描单元50通过基于发光控制信号DS的驱动将发光控制晶体管24设定为非导通状态，而将驱动晶体管22的源极电极设定为浮置状态。另外，施加扫描单元40基于所施加的扫描信号WS通过采样晶体管23进行采样，将通过信号线33施加的标准电压Vofs写入驱动晶体管22的栅极电极。
电容扫描单元80在将控制信号CS施加到辅助电容器26的第二端期间执行控制信号CS从最小电压到最大电压的转变。控制信号CS的最大电压可以是与像素电路20的电源电压Vdd不同的电压，但优选地与其相同。通过将控制信号CS的最大电压设定为与电源电压Vdd相同的电压，因为不再需要提供专用电源以创造控制信号CS的最大电压，故存在其中可以实现简化系统配置的优点。
在下文中，将描述使用电源电压Vdd作为控制信号CS的最大电压的实例。另外，控制信号CS的最小电压被设定为Vini。需要将控制信号CS的信号振幅(最大电压Vdd-最小电压Vini)设定为最小电压Vini以大于标准电压Vofs。
在以下描述中，将利用图6的时序波形图和图7A至图9B的操作说明图描述如在本实施方式中的有源矩阵型有机EL显示装置10的电路操作。另外，在图7A到图9B的操作说明图中，为了简化附图，利用开关符号示出了采样晶体管23和发光控制晶体管24。
如在图7A中示出，在时刻t1，由于消光期(t8至t1)结束并且施加扫描信号WS获得有源状态，因此采样晶体管23获得导通状态并且对信号线33的电位进行采样。同时，标准电压Vofs处于被供应到信号线33的状态。因此，通过使用采样晶体管23采样，标准电压Vofs被施加到驱动晶体管22的栅极电极。
此外，同时，由于发光控制信号DS处于非有源状态，故发光控制晶体管24获得非导通状态。因此，因为解除了在电源电压Vdd与驱动晶体管22的源极电极之间的电气连接，故驱动晶体管22的源极电极处于浮置状态。因此，由于标准电压Vofs被施加到驱动晶体管22的栅极电极，故由于取决于存储电容器25和辅助电容器26的电容比的电容耦合而使驱动晶体管22的源极电位Vs随着栅极电位Vg而升高。
此时，存储电容器25的电容值被设定为Cs，辅助电容器26的电容值被设定为Csub，并且如果在消光期间驱动晶体管22的栅极电位被设定为V0，则可以使用以下公式(1)给出驱动晶体管22的源极电位Vs。
Vs＝{Cs/(Cs+Csub)}×(Vofs-V0) (1)
在此情况下，因为在消光期间驱动晶体管22的栅极电位V0理想地为0V，故驱动晶体管22的源极电位Vs可以被表示如下。
Vs＝{Cs/(Cs+Csub)}×Vofs (2)
此时，驱动晶体管22的栅极与源极之间电压Vgs变为下式。
Vgs＝-{Csub/(Cs+Csub)}×Vofs＜|Vth| (3)
即，尽管驱动晶体管22的源极电位Vs随着栅极电位Vg升高，但栅极电位Vg获得比源极电位Vs更高的状态。因此，在将驱动晶体管22的栅极电位Vg设定至标准电压Vofs的阈值校正期中，因为驱动晶体管22处于非导通状态，故直通电流没有流动至有机EL元件21。
接下来，在时刻t3，通过控制线35执行施加到辅助电容器26的第二端的控制信号CS从最小电压Vini到最大电压Vdd的转变。此时，如在图7B中所示，来自信号线33的标准电压Vofs通过采样晶体管23继续被施加到驱动晶体管22的栅极电极。在此情况下，因为驱动晶体管22的源极电极处于浮置状态，故源极电位Vs随着栅极电位Vg的转变而升高。
此时，由于取决于存储电容器25与辅助电容器26的电容比的电容耦合而使驱动晶体管22的源极电位Vs跟随着ΔVs，。可以使用以下公式(4)给出波动ΔVs的量。
ΔVs＝{Csub/(Cs+Csub)}×{Vdd-Vini} …(4)
因此，从公式(2)和公式(4)，驱动晶体管22的源极电位Vs可以被表示如下。
Vs＝Vofs+{Csub/(Cs+Csub)}×{Vdd-Vini-}Vofs (5)
因此，驱动晶体管22的栅极与源极之间电压Vgs变为下式。
Vgs＝{Csub/(Cs+Csub)}×{Vdd-Vini-}Vofs (6)
在此情况下，控制信号CS的信号振幅(最大电压Vdd-最小电压Vini)与存储电容器25和辅助电容器26的电容值Cs和Csub被设定为满足Vgs>|Vth|关系的值。通过满足该关系，驱动晶体管22获得导通状态。
如在图8A中所示，在阈值校正期(t3至t4)中，在存储电容器25中存储的电荷通过驱动晶体管22放电。进一步地，当驱动晶体管22的源极电位Vs变为Vofs+|Vth|时，驱动晶体管22获得非导通状态并且阈值校正操作结束。因此，与驱动晶体管22的|Vth|相对应的电压被存储在存储电容器25中。
在阈值校正期(t3至t4)结束之后，信号线33的电位从标准电压Vofs切换到图像信号的信号电压Vsig。此后，如在图8B中所示，在时刻t5，由于施加扫描信号WS获得有源状态，因此采样晶体管23再次获得导通状态。进一步地，由于采样晶体管23的采样，图像信号的信号电压Vsig被施加到驱动晶体管22的栅极电极。
此时，因为驱动晶体管22的源极电极处于浮置状态，故由于取决于存储电容器25和辅助电容器26电容比的电容耦合而使驱动晶体管22的源极电位Vs跟随栅极电位Vg。此时，驱动晶体管22的栅极与源极之间电压Vgs变为下式。
Vgs＝{Csub/(Cs+Csub)}×(Vofs-Vsig)+|Vth| (7)
在该信号施加期中，因为电流流过驱动晶体管22，在以与上述有源矩阵型有机EL显示装置100的操作的情况相同方式执行信号电压Vsig施加的同时执行移动量校正。在移动量校正时的操作与上述操作相同。信号施加和移动量校正期(t5至t6)形成几百纳秒到几毫秒的极短的时间。
在信号施加和移动量校正期(t5至t6)结束后，在时刻t7，如在图9A中所述，由于发光控制信号DS获得有源状态而使发光控制晶体管24获得导通状态。因此，电流Ids从电源电压Vdd的节点通过发光控制晶体管24流动至驱动晶体管22。此时，执行上述自举操作。进一步地，当有机EL元件21的阳极电位Vano超过有机EL元件21的阈值电压Vthel时，因为驱动电流开始流动至有机EL元件21而使有机EL元件21开始发光。
此时，因此存在其中已对每个像素中的驱动晶体管22的阈值电压Vth和移动量u的变化执行了校正的情况，故可以获得具有高均匀性的图像质量，其不具有晶体管特性变化。另外在发光期中，驱动晶体管22的源极电位Vs升高至电源电压Vdd，并且其栅极电位Vg也通过存储晶体管25跟随并以相同方式升高。
进一步地，在其中操作进入消光期的时刻t8，如在图9B中所示，发光控制信号DS获得非有源状态，并且由于发光控制晶体管24获得非导通状态，驱动晶体管22放电并且有机EL元件21消光。另外，此时，为了下一阶段的校正准备，执行施加到辅助电容器26的第二端的控制信号CS从最大电压Vdd到最小电压Vini的转变。
在上述一系列的电路操作中，阈值校正、信号施加和移动量校正、发光和消光中的每个操作在例如一个水平期间中执行。
另外，在该实例中，作为实例描述了其中仅执行阈值校正处理一次的驱动方法的情况，但该驱动方法仅是一个实例，并且本公开不限于该驱动方法。例如，可以采用除了在1H期间中执行阈值校正与移动量校正和信号施加之外的驱动方法，通过在先于1H期间的多个水平期间的过程中对阈值校正进行分割并执行所谓的分割阈值校正来执行多次阈值校正。
根据分割阈值校正的驱动方法，即使由于采用实现改善清晰度的多个像素而使分配作为一个水平期间的时间变得更短，可以在作为阈值校正期的多个水平期间的处理中确保充足的时间。因此，即使分配作为1个水平期间的时间变得更短，因为可以确保作为阈值校正期的充足的时间，故变得可以可靠地执行阈值校正处理。
以上述方式，与使用N沟道型晶体管作为驱动晶体管22的情况相比，可以抑制使用P沟道型驱动晶体管22的3Tr像素中的晶体管的变化。进一步地，在3Tr像素电路中，通过执行使用消光操作和电容耦合的阈值校正操作，因为它可以在不发光期中抑制到有机EL元件21的直通电流，故可以获得其中维持了对比度的具有高均匀性的图像质量。
更具体地，标准电压Vofs在驱动晶体管22处于其中晶体管22的源极电极处于浮置状态的状态时被施加到驱动晶体管22的栅极电极。此时，由于取决于存储晶体管25和辅助电容器26电容比的电容耦合，尽管驱动晶体管22的源极电位Vs随着栅极电位Vg升高，但栅极电位Vg获得比源极电位Vs更高的状态。因此，在将驱动晶体管的栅极电位Vg设定至标准电压Vofs的阈值校正准备期(t1到t3)中，可以在不发光期中抑制有机EL元件21的直通电流。
进一步地，通过将作为脉冲信号的控制信号CS施加到辅助电容器26的第二端，或更具体地，执行控制信号CS从最小电压Vini到最大电压Vdd的转变，由于取决于存储晶体管25和辅助电容器26电容比的电容耦合而使驱动晶体管22的源极电位Vs升高。因此，因为驱动晶体管22的栅极与源极之间电压Vgs被放大到大于或等于阈值电压|Vth|，故可以进入阈值校正的操作。根据该配置，通过在不发光期中抑制到有机EL元件21的直通电流，可以获得其中维持对比度的具有高均匀性的图像质量。
如果值满足上述的Vgs>|Vth|的条件，存储电容器25和辅助电容器26的电容值Cs和Csub可任意设定。然而，通过设定Cs≥Csub的关系，因为可以减小驱动晶体管22的栅极与源极之间的电压Vgs，故可以减小流动到驱动晶体管22的电流。
变形例
本公开的技术不限于上述实施方式，并且在不背离本公开的范围的前提下可以有各种变形例和改变。例如在上述实施方式中，其中使用通过形成在诸如硅的半导体上配置像素20的P沟道型晶体管所形成的显示装置的情况被描述为实例，但也可以在通过形成在诸如玻璃基板的绝缘体上配置像素20的P沟道型晶体管所形成的显示装置中使用本公开的技术。
另外，在上述实施方式中，通过由采样晶体管23从信号线33采样，标准电压Vofs被选择性地施加到像素电路20，但本公开不限于此。即，还可以采用其中在像素电路20中设置独立施加标准电压Vofs的专用晶体管的配置。
电子设备
上述本公开的显示装置可在将输入到电子设备的图像信号或在电子设备内部生成的图像信号显示为图片或图像的电子设备的任何领域中被用作显示单元(显示装置)。
如从上面实施方式的描述显而易见的是，因为本公开的显示装置可在不发光期中确保将发光单元控制为不发光态，故可以实现显示面板的对比度的提高。因此，通过在电子设备的任何领域中使用本公开的显示装置作为显示单元，可以实现显示单元对比度的提高。
除电视机系统外，例如，可以包括头戴式显示器、数码相机、视频摄影机、游戏控制器、笔记本个人计算机等作为电子设备的实例，本公开的显示装置可以被用在在这些实例的显示单元中。另外，例如，还可以在诸如电子阅读器和电子手表的便携信息装置以及诸如蜂窝电话和PDA的移动通信单元的电子设备中使用本公开的显示装置。
本公开的实施方式可以具有以下配置。
<1>一种包括像素阵列单元和驱动单元的显示装置，所述像素阵列单元通过布置像素电路形成，所述像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制所述发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、连接在所述驱动晶体管的栅极电极与源极电极之间的存储电容器以及辅助电容器，所述辅助电容器的第一端被连接至所述驱动晶体管的所述源极电极；以及在阈值校正期间，所述驱动单元在其中所述驱动晶体管的所述源极电极已被设定至浮置状态的状态下将用于阈值校正的标准电压施加到所述驱动晶体管的所述栅极电极，并且随后将脉冲信号施加至所述辅助电容器的第二端。
<2>根据<1>所述的显示装置，其中，所述驱动单元通过当所述脉冲信号被施加到所述辅助电容器的所述第二端时的所述存储电容器与所述辅助电容器的电容耦合来升高所述驱动晶体管的源极电位。
<3>根据<1>或<2>所述的显示装置，其中，所述驱动单元通过当所述脉冲信号被施加到所述辅助电容器的所述第二端时的所述存储电容器与所述辅助电容器的电容耦合来放大所述驱动晶体管的栅极与源极之间的电压。
<4>根据<1>到<3>中任一项所述的显示装置，其中，当所述脉冲信号被施加到所述辅助电容器的所述第二端时，所述驱动单元执行所述脉冲信号从最小电压至最大电压的转变。
<5>根据<1>到<4>中任一项所述的显示装置，其中，所述脉冲信号的最大电压是与所述像素电路的电源电压相同的电压。
<6>根据<1>到<5>中任一项所述的显示装置，其中，所述脉冲信号的振幅大于所述标准电压。
<7>根据<1>到<6>中任一项所述的显示装置，其中，所述发光控制晶体管被连接在电源电压的节点与所述驱动晶体管的所述源极电极之间，以及所述驱动单元通过将所述发光控制晶体管设定至非导通状态而将所述驱动晶体管的所述源极电极设定至浮置状态。
<8>根据<1>到<7>中任一项所述的显示装置，其中，所述采样晶体管被连接在信号线与所述驱动晶体管的所述栅极电极之间，以及所述驱动单元通过所述采样晶体管的采样施加通过所述信号线施加的标准电压。
<9>根据<1>到<8>中任一项所述的显示装置，其中，所述存储电容器的电容值大于或等于所述辅助电容器的电容值。
<10>根据<1>到<9>中任一项所述的显示装置，其中，所述发光单元由电流驱动型光电元件构成，在所述电流驱动型光电元件中，发光亮度的变化取决于在装置中流动的电流值。
<11>根据<1>到<10>的显示装置，其中，所述电流驱动型光电元件是有机电致发光元件。
<12>根据<1>到<11>中一项所述的显示装置，其中，所述采样晶体管和所述发光晶体管由P沟道型晶体管形成。
<13>一种用于显示装置的驱动方法，其中，当驱动通过布置像素电路形成的显示装置时，所述像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制所述发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、连接在所述驱动晶体管的栅极电极与源极电极之间的存储电容器以及辅助电容器，所述辅助电容器的第一端被连接至所述驱动晶体管的所述源极电极，在阈值校正期间，所述驱动晶体管的所述源极电极被设定至浮置状态，此后，将用于阈值校正的标准电压施加至所述驱动晶体管的所述栅极电极，以及随后，将脉冲信号施加到所述辅助电容器的第二端。
<14>一种包括显示装置的电子设备，所述显示装置包括：像素阵列单元，所述像素阵列单元通过布置像素电路形成，所述像素电路包括驱动发光单元的P沟道型驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制所述发光单元发光和不发光的发光控制晶体管、连接在所述驱动晶体管的栅极电极与源极电极之间的存储电容器以及辅助电容器，所述辅助电容器的第一端被连接至所述驱动晶体管的所述源极电极；以及驱动单元，在阈值校正期间，所述驱动单元在所述驱动晶体管的所述源极电极已被设定至浮置状态的状态下将用于阈值校正的标准电压施加至所述驱动晶体管的所述栅极电极，并且随后将脉冲信号施加到所述辅助电容器的第二端。
本领域技术人员应理解各种修改、组合、子组合和更改可根据设计需求和其他因素发生，只要它们在附加权利要求或其等效的保护范围内。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括：
像素阵列单元，所述像素阵列单元包括：
多个像素电路，所述多个像素电路中的至少一个包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管是P沟道型驱动晶体管并且驱动发光单元，
施加信号电压的采样晶体管，
控制所述发光单元发光的发光控制晶体管，
连接在所述驱动晶体管的栅极电极与所述驱动晶体管的源极电极之间的存储电容器，以及
辅助电容器，所述辅助电容器具有：
第一端，所述第一端直接连接至所述驱动晶体管的所述源极电极和所述发光控制晶体管的第一电流端，以及
第二端，所述第二端直接连接到控制信号线；以及
驱动单元，被配置为：
至少在阈值校正期间施加标准电压，在所述阈值校正期间施加的所述标准电压在其中所述驱动晶体管的所述源极电极已被设定至浮置状态的状态下被施加到所述驱动晶体管的所述栅极电极，并且
至少在所述阈值校正期间施加脉冲信号，所述脉冲信号经由所述控制信号线被施加至所述辅助电容器的所述第二端，
其中，为了至少在所述阈值校正期间施加所述脉冲信号，所述驱动单元进一步被配置为在所述阈值校正期间将所述脉冲信号从第一电压电平转变为第二电压电平，其中，所述第一电压电平到所述第二电压电平的转变为从最小电压至最大电压的转变，以及
所述第二电压电平通过所述存储电容器和所述辅助电容器之间的电容耦合来放大所述驱动晶体管的所述栅极和所述驱动晶体管的所述源极之间的电压。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，为了至少在所述阈值校正期间施加所述脉冲信号，所述驱动单元进一步被配置为通过所述脉冲信号被施加到所述辅助电容器的所述第二端时的所述存储电容器与所述辅助电容器的电容耦合来升高所述驱动晶体管的源极电位。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述脉冲信号的最大电压是所述多个像素电路的电源电压。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述脉冲信号的振幅大于所述标准电压的振幅。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述发光控制晶体管被连接在电源电压的节点与所述驱动晶体管的所述源极电极之间，以及
所述驱动单元进一步被配置为通过将所述发光控制晶体管设定至非导通状态来将所述驱动晶体管的所述源极电极设定至浮置状态。
6.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述采样晶体管被连接在信号线与所述驱动晶体管的所述栅极电极之间，以及
所述驱动单元进一步被配置为通过所述采样晶体管的采样施加通过所述信号线施加的标准电压。
7.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述存储电容器的电容值大于或等于所述辅助电容器的电容值。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述发光单元由电流驱动型光电元件配置，在所述电流驱动型光电元件中，发光亮度的变化取决于在装置中流动的电流值。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述电流驱动型光电元件是有机电致发光元件。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述采样晶体管和所述发光晶体管均为P沟道型晶体管。
11.一种用于显示装置的驱动方法，所述显示装置包括像素阵列单元，所述像素阵列单元包括多个像素电路，所述多个像素电路中的至少一个包括是P沟道型驱动晶体管并且驱动发光单元的驱动晶体管、施加信号电压的采样晶体管、控制所述发光单元发光的发光控制晶体管、连接在所述驱动晶体管的栅极电极与所述驱动晶体管的源极电极之间的存储电容器以及辅助电容器，所述辅助电容器具有直接连接至所述驱动晶体管的所述源极电极和所述发光控制晶体管的第一电流端的第一端被，和直接连接到控制信号线的第二端，
所述驱动方法包括：
至少在阈值校正期间，将所述驱动晶体管的所述源极设定至浮置状态；
至少在阈值校正期间，将标准电压施加到所述驱动晶体管的所述栅极电极；以及
至少在阈值校正期间，经由所述控制信号线将脉冲信号施加到所述辅助电容器的所述第二端，
其中，至少在阈值校正期间经由所述控制信号线将所述脉冲信号施加到所述辅助电容器的所述第二端进一步包括：至少在所述阈值校正期间将所述脉冲信号从第一电压电平转变为第二电压电平，其中，所述第一电压电平到所述第二电压电平的转变为从最小电压至最大电压的转变，以及
其中，所述第二电压电平通过所述存储电容器和所述辅助电容器之间的电容耦合来放大所述驱动晶体管的所述栅极和所述驱动晶体管的所述源极之间的电压。
12.一种电子设备，包括：
显示装置，所述显示装置包括：
像素阵列单元，所述像素阵列单元具有多个像素电路，所述多个像素电路中的至少一个包括：
驱动晶体管，所述驱动晶体管是P沟道型驱动晶体管并且驱动发光单元，
施加信号电压的采样晶体管，
控制所述发光单元的发光的发光控制晶体管，
连接在所述驱动晶体管的栅极电极与所述驱动晶体管的源极电极之间的存储电容器，以及
辅助电容器，所述辅助电容器具有：
第一端，所述第一端直接连接至所述驱动晶体管的所述源极电极和所述发光控制晶体管的第一电流端，以及
第二端，所述第二端直接连接到控制信号线；以及
驱动单元，别配置为：
至少在阈值校正期间施加标准电压，在所述阈值校正期间施加的所述标准电压在所述驱动晶体管的所述源极电极已被设定至浮置状态的状态下被施加至所述驱动晶体管的所述栅极电极，并且
至少在所述阈值校正期间施加脉冲信号，所述脉冲信号经由所述控制信号线被施加到所述辅助电容器的所述第二端，
其中，为了至少在所述阈值校正期间施加所述脉冲信号，所述驱动单元进一步被配置为在所述阈值校正期间将所述脉冲信号从第一电压电平转变为第二电压电平，其中，所述第一电压电平到所述第二电压电平的转变为从最小电压至最大电压的转变，以及
所述第二电压电平通过所述存储电容器和所述辅助电容器之间的电容耦合来放大所述驱动晶体管的所述栅极和所述驱动晶体管的所述源极之间的电压。
13.根据权利要求12所述的电子设备，
其中，为了至少在所述阈值校正期间施加所述脉冲信号，所述驱动单元进一步被配置为通过所述脉冲信号被施加到所述辅助电容器的所述第二端时的所述存储电容器与所述辅助电容器的电容耦合来升高所述驱动晶体管的源极电位。
14.根据权利要求12所述的电子设备，其中，所述脉冲信号的最大电压是所述多个像素电路的电源电压。
15.根据权利要求12所述的电子设备，
其中，所述脉冲信号的振幅大于所述标准电压的振幅。
16.根据权利要求12所述的电子设备，
其中，所述发光控制晶体管被连接在电源电压的节点与所述驱动晶体管的所述源极电极之间，以及
所述驱动单元进一步被配置为通过将所述发光控制晶体管设定至非导通状态来将所述驱动晶体管的所述源极电极设定至浮置状态。
17.根据权利要求12所述的电子设备，
其中，所述采样晶体管被连接在信号线与所述驱动晶体管的所述栅极电极之间，以及
所述驱动单元进一步被配置为通过所述采样晶体管的采样施加通过所述信号线施加的标准电压。
CN201810376950.2A 2013-07-08 2014-07-01 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备 Active CN108597445B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-142832 2013-07-08
JP2013142832A JP2015014764A (ja) 2013-07-08 2013-07-08 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器
CN201410311120.3A CN104282260B (zh) 2013-07-08 2014-07-01 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410311120.3A Division CN104282260B (zh) 2013-07-08 2014-07-01 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108597445A CN108597445A (zh) 2018-09-28
CN108597445B true CN108597445B (zh) 2021-05-25

Family

ID=52132524

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410311120.3A Active CN104282260B (zh) 2013-07-08 2014-07-01 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备
CN201810376950.2A Active CN108597445B (zh) 2013-07-08 2014-07-01 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410311120.3A Active CN104282260B (zh) 2013-07-08 2014-07-01 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9646532B2 (zh)
JP (1) JP2015014764A (zh)
CN (2) CN104282260B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10115339B2 (en) * 2015-03-27 2018-10-30 Apple Inc. Organic light-emitting diode display with gate pulse modulation
KR102641557B1 (ko) 2016-06-20 2024-02-28 소니그룹주식회사 표시 장치 및 전자 기기
EP3264406A1 (en) * 2016-06-30 2018-01-03 LG Display Co., Ltd. Organic light emitting display device and driving method of the same
KR102585451B1 (ko) * 2016-12-27 2023-10-06 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
KR102337527B1 (ko) * 2017-10-31 2021-12-09 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시장치
JPWO2019234543A1 (ja) * 2018-06-06 2021-07-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、表示モジュール、及び電子機器
US11551611B2 (en) * 2018-12-18 2023-01-10 Samsung Display Co., Ltd. Pixel circuit and organic light emitting display device including i he same
CN111739452B (zh) 2020-06-16 2022-06-07 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板的暗态电压调试方法、装置以及存储介质

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1380635A (zh) * 2001-04-11 2002-11-20 三洋电机株式会社 显示装置
KR20040008684A (ko) * 2002-07-19 2004-01-31 주식회사 하이닉스반도체 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
CN1744774A (zh) * 2004-08-30 2006-03-08 三星Sdi株式会社 有机发光显示器
CN1771529A (zh) * 2003-04-09 2006-05-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵阵列装置、电子装置和有源矩阵阵列装置的操作方法
KR100599596B1 (ko) * 2004-05-17 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
CN101645236A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 索尼株式会社 显示面板模块和电子装置
CN102144252A (zh) * 2009-11-19 2011-08-03 松下电器产业株式会社 显示面板装置、显示装置以及其控制方法
CN102549646A (zh) * 2010-09-06 2012-07-04 松下电器产业株式会社 显示装置及其驱动方法
CN102568379A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 索尼公司 信号处理设备和显示装置
CN102654979A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 索尼公司 像素电路、显示面板、显示设备和电子单元
CN102654974A (zh) * 2011-10-31 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元驱动电路及其驱动方法、显示装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6950136B1 (en) * 1999-07-22 2005-09-27 Minolta Co., Ltd. Image-sensing apparatus
JP2002351401A (ja) * 2001-03-21 2002-12-06 Mitsubishi Electric Corp 自発光型表示装置
KR100870004B1 (ko) * 2002-03-08 2008-11-21 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시 장치와 그 구동 방법
US7116058B2 (en) * 2004-11-30 2006-10-03 Wintek Corporation Method of improving the stability of active matrix OLED displays driven by amorphous silicon thin-film transistors
WO2006121138A1 (ja) * 2005-05-11 2006-11-16 Pioneer Corporation アクティブマトリクス型表示装置
JP5114889B2 (ja) * 2006-07-27 2013-01-09 ソニー株式会社 表示素子及び表示素子の駆動方法、並びに、表示装置及び表示装置の駆動方法
JP4300490B2 (ja) * 2007-02-21 2009-07-22 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP2008233129A (ja) * 2007-03-16 2008-10-02 Sony Corp 画素回路および表示装置とその駆動方法
JP2008287141A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Sony Corp 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP5218269B2 (ja) * 2009-05-13 2013-06-26 ソニー株式会社 表示装置および駆動制御方法
JP5493733B2 (ja) * 2009-11-09 2014-05-14 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR101097487B1 (ko) * 2009-11-19 2011-12-22 파나소닉 주식회사 표시 패널 장치, 표시 장치 및 그 제어 방법

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1380635A (zh) * 2001-04-11 2002-11-20 三洋电机株式会社 显示装置
KR20040008684A (ko) * 2002-07-19 2004-01-31 주식회사 하이닉스반도체 휘도가 개선된 유기전계 발광표시장치
CN1771529A (zh) * 2003-04-09 2006-05-10 皇家飞利浦电子股份有限公司 有源矩阵阵列装置、电子装置和有源矩阵阵列装置的操作方法
KR100599596B1 (ko) * 2004-05-17 2006-07-13 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치
CN1744774A (zh) * 2004-08-30 2006-03-08 三星Sdi株式会社 有机发光显示器
CN101645236A (zh) * 2008-08-08 2010-02-10 索尼株式会社 显示面板模块和电子装置
CN102144252A (zh) * 2009-11-19 2011-08-03 松下电器产业株式会社 显示面板装置、显示装置以及其控制方法
CN102549646A (zh) * 2010-09-06 2012-07-04 松下电器产业株式会社 显示装置及其驱动方法
CN102568379A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 索尼公司 信号处理设备和显示装置
CN102654979A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 索尼公司 像素电路、显示面板、显示设备和电子单元
CN102654974A (zh) * 2011-10-31 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元驱动电路及其驱动方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN104282260A (zh) 2015-01-14
US9646532B2 (en) 2017-05-09
US20150009243A1 (en) 2015-01-08
CN108597445A (zh) 2018-09-28
CN104282260B (zh) 2018-05-29
JP2015014764A (ja) 2015-01-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10909919B2 (en) Display device, method for driving display device, and electronic apparatus
CN110097848B (zh) 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备
CN108597445B (zh) 显示装置、用于显示装置的驱动方法和电子设备
US9633604B2 (en) Display device, method for driving display device, and electronic apparatus
US11289019B2 (en) Pixel circuit, display device, method for driving pixel circuit, and electronic apparatus
CN112970055A (zh) 像素电路、显示装置、像素电路的驱动方法及电子设备
GB2620507A (en) Pixel circuit and driving method therefor and display panel
CN112785983A (zh) 显示装置
JP6690614B2 (ja) 表示装置
CN109643508B (zh) 显示装置和电子设备
WO2022124165A1 (ja) 表示装置
US20140218270A1 (en) Display device, driving method of display device, and electronic apparatus
JP2010026119A (ja) 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant