KR102641557B1 - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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Abstract

본 개시의 표시 장치는, 복수의 게이트 전극을 가지며, 복수의 게이트 전극 중의 하나의 게이트 전극에 인가되는 영상 신호에 응하여 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소가 배치되어 이루어지는 화소 어레이부, 및, 구동 트랜지스터의 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어하는 제어부를 구비한다. 또한, 본 개시의 전자 기기는, 상기한 구성의 표시 장치를 갖는다.

Description

표시 장치 및 전자 기기
본 개시는, 표시 장치 및 전자 기기에 관한 것으로, 특히, 발광부를 포함하는 화소가 행형렬상(매트릭스형상)으로 배치되어 이루어지는 평면형의 표시 장치 및 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기에 관한 것이다.
평면형(플랫 패널형)의 표시 장치의 하나로서, 예를 들면, 유기 재료의 일렉트로 루미네선스(Electro Luminescence : EL)을 이용하여, 유기 박막에 전계를 걸면 발광하는 현상을 이용한 유기 EL 소자를 발광부(발광 소자)로서 이용하는 유기 EL 표시 장치가 있다.
이 유기 EL 표시 장치로 대표되는 평면형의 표시 장치에서, 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터의 특성(임계치 전압이나 이동도 등)이 화소마다 다르면, 구동 트랜지스터에 흐르는 전류치에 화소 사이에서 편차가 생긴다. 그 결과, 구동 트랜지스터의 게이트 전극에 화소 사이에서 같은 전압을 인가하여도, 발광부의 발광 휘도에 화소 사이에서 편차가 생기기 때문에, 화면의 유니포미티(uniformity)(일양성(一樣性))가 손상된다.
그 때문에, 유기 EL 표시 장치로 대표되는 평면형의 표시 장치의 각 화소는, 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터의 특성의 편차, 예를 들면 임계치 전압(Vth)의 편차를 화소 단위로 보정하는 임계치 전압 보정 기능이 구비되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
일본 특개2008-287141호 공보
상술한 구동 트랜지스터의 특성의 편차를 보정하는 보정 기능에서는, 화소 단위로 보정이 행하여진다. 이와 같은 종래 기술에 관한 보정 기능에서는, 예를 들면 화면 내의 부분적인 유니포미티의 악화에 대해서는, 충분한 개선 효과를 얻을 수가 없다.
본 개시는, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있는 표시 장치 및 당해 표시 장치를 갖는 전자 기기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 표시 장치는,
복수의 게이트 전극을 가지며, 복수의 게이트 전극 중의 하나의 게이트 전극에 인가되는 영상 신호에 응하여 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소가 배치되어 이루어지는 화소 어레이부, 및,
구동 트랜지스터의 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어하는 제어부,
를 구비하는 것을 특징으로 한다. 또한, 상기한 목적을 달성하기 위한 본 개시의 전자 기기는, 상기한 구성의 표시 장치를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기한 구성의 표시 장치 또는 전자 기기에서, 구동 트랜지스터의 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어함에 의해, 구동 트랜지스터의 임계치 전압을 보정할 수 있다. 이에 의해, 구동 트랜지스터의 임계치 전압에 관해, 화면 내의 부분적인 보정을 실현할 수 있다.
본 개시에 의하면, 구동 트랜지스터의 임계치 전압에 관해, 화면 내의 부분적인 보정을 실현할 수 있기 때문에, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있다.
또한, 여기에 기재된 효과로 반드시 한정되는 것이 아니고, 본 명세서 중에 기재된 어느 하나의 효과라도 좋다. 또한, 본 명세서에 기재된 효과는 어디까지나 예시이고, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 또한 부가적인 효과가 있어도 좋다.
도 1은, 본 개시의 기술이 적용되는 액티브 매트릭스형 표시 장치의 구체적인 구성의 개략을 도시하는 시스템 구성도.
도 2는, 본 개시의 기술이 적용되는 액티브 매트릭스형 표시 장치에서의 화소의 회로례를 도시하는 회로도.
도 3a는, 경사 이온 주입에 의한 화소행의 홀수단/짝수단에의 영향에 관한 설명도로서, 도 3b는, 화소행의 홀수단/짝수단 사이에서의 휘도차에 의해 생기는 가로줄무늬 등, 화면 내의 부분적인 유니포미티의 악화에 관한 설명도.
도 4a는, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터를 도시하는 등가 회로도로서, 도 4b는, 구동 트랜지스터로서 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터를 이용한 화소의 회로도.
도 5는, 실시례 1에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성을 도시하는 회로도.
도 6은, 실시례 2에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성을 도시하는 회로도.
도 7은, 실시례 3에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성을 도시하는 회로도.
도 8은, 실시례 4에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성을 도시하는 회로도.
도 9는, 실시례 5가 적용되는 액티브 매트릭스형 표시 장치에서의 화소의 회로례를 도시하는 회로도.
도 10은, 듀얼 게이트형 TFT의 단면 구조의 한 예를 도시하는 단면도.
도 11은, 실시례 5에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성을 도시하는 회로도.
도 12는, 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라의 외관도로서, 도 12a에 그 정면도를 도시하는 도면, 도 12b에 그 배면도를 도시하는 도면.
도 13은, 헤드 마운트 디스플레이의 외관도.
이하, 본 개시의 기술을 실시하기 위한 형태(이하, 「실시 형태」라고 기술한다)에 관해 도면을 이용하여 상세히 설명한다. 본 개시의 기술은 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 실시 형태에서 여러 가지의 수치나 재료 등은 예시이다. 이하의 설명에서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일 부호를 이용하는 것으로 하여, 중복되는 설명은 생략한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기, 전반에 관한 설명
2. 본 개시의 기술이 적용되는 표시 장치
2-1. 시스템 구성
2-2. 화소 회로
2-3. 기본적인 회로 동작
2-4. 화면 내의 부분적인 유니포미티의 악화
3. 본 개시의 실시 형태
3-1. 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터
3-1-1. 소자 구조
3-1-2. 동작 원리
3-2. 실시례 1(가로줄무늬 대책의 예 : 뉴런 MOS를 이용하는 예)
3-3. 실시례 2(실시례 1의 변형례)
3-4. 실시례 3(실시례 1/실시례 2의 변형례)
3-5. 실시례 4(실시례 1의 변형례 : 백게이트를 제어하는 예)
3-6. 실시례 5(실시례 1의 변형례 : 듀얼 게이트의 일방을 제어하는 예)
4. 변형례
5. 전자 기기
5-1. 구체례 1(디지털 카메라의 예)
5-2. 구체례 2(헤드 마운트 디스플레이의 예)
6. 본 개시의 구성
<본 개시의 표시 장치 및 전자 기기, 전반에 관한 설명>
본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 제어부에 관해, 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어함에 의해 구동 트랜지스터의 임계치 전압을 보정하는 구성으로 할 수 있다. 또한, 제어부에 관해, 다른 게이트 전극에 소정의 직류 전압을 제어 전압으로서 인가하는 구성으로 할 수 있다. 다른 게이트 전극에 관해서는, 백게이트인 구성, 또는, 듀얼 게이트 구조의 일방의 게이트 전극인 구성으로 할 수 있다.
상술한 바람직한 구성을 포함하는 본 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 제어부에 관해, 다른 게이트 전극의 게이트 전압의 제어를, 화소 어레이부의 화소행 단위로 행하는 구성으로 할 수 있다. 또한, 복수의 게이트 전극을 갖는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소에 관해, 화소 어레이부의 화소행의 짝수단(偶數段), 홀수단(奇數段), 또는, 전단(全段)에 배치되고, 제어부에 관해, 다른 게이트 전극의 게이트 전압의 제어를, 화소행의 짝수단만, 홀수단만, 또는, 전단에 관해 행하는 구성으로 할 수 있다.
또한, 상술한 바람직한 구성을 포함하는 개시의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 화소에 관해, 구동 트랜지스터의 영상 신호가 인가되는 게이트 전극의 초기화 전압을 기준으로 하여, 당해 초기화 전압으로부터 구동 트랜지스터의 임계치 전압을 뺀 전압을 향하여 구동 트랜지스터의 소스 전압을 변화시키는 임계치 전압 보정 기능을 갖는 구성으로 할 수 있다. 또한, 발광부에 관해, 유기 일렉트로 루미네선스 소자로 이루어지는 구성으로 할 수 있다.
<본 개시의 기술이 적용되는 표시 장치>
[시스템 구성]
우선, 본 개시의 기술이 적용되는 표시 장치, 보다 구체적으로는 액티브 매트릭스형 표시 장치에 관해 설명한다. 도 1은, 본 개시의 기술이 적용되는 액티브 매트릭스형 표시 장치의 구체적인 구성의 개략을 도시하는 시스템 구성도이다.
액티브 매트릭스형 표시 장치는, 전기 광학 소자에 흐르는 전류를, 당해 전기 광학 소자와 같은 화소 회로 내에 마련한 능동 소자, 예를 들면 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터에 의해 제어하는 표시 장치이다. 절연 게이트형 전계 효과 트랜지스터로서는, 전형적으로는, MOS 트랜지스터나 TFT(Thin Film Transistor ; 박막 트랜지스터)를 예시할 수 있다.
여기서는, 화소 회로의 발광부(발광 소자)로서, 유기 EL 소자를 이용하는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치를 예로 들어 설명하는 것으로 한다. 유기 EL 소자는, 디바이스에 흐르는 전류치에 응하여 발광 휘도가 변화하는 전류 구동형의 전기 광학 소자(자발광 소자)이다.
도 1에 도시하는 바와 같이, 본 개시의 기술이 적용되는 유기 EL 표시 장치(10)는, 유기 EL 소자를 포함하는 복수의 화소(20)가 행렬형상으로 2차원 배치되어 이루어지는 화소 어레이부(30)와, 당해 화소 어레이부(30)의 주변에 배치되는 구동 회로부를 갖는 구성으로 되어 있다. 구동 회로부는, 예를 들면, 화소 어레이부(30)와 같은 표시 패널(80)상에 탑재된 기록 주사부(40), 제1 구동 주사부(50), 제2 구동 주사부(60), 및, 신호 출력부(70) 등으로 이루어지고, 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)를 구동한다. 또한, 기록 주사부(40), 제1 구동 주사부(50), 제2 구동 주사부(60), 및, 신호 출력부(70)의 몇 개, 또는 전부를 표시 패널(80) 밖에 마련하는 구성으로 할 수도 있다.
여기서, 유기 EL 표시 장치(10)가 컬러 표시 대응인 경우는, 컬러 화상을 형성하는 단위가 되는 하나의 화소(단위 화소/픽셀)는 복수의 부화소(서브 화소)로 구성된다. 이때, 부화소의 각각이 도 1의 화소(20)에 상당하게 된다. 보다 구체적으로는, 컬러 표시 대응의 표시 장치에서는, 하나의 화소는, 예를 들면, 적색(Red ; R)광을 발광하는 부화소, 녹색(Green ; G)광을 발광하는 부화소, 청색(Blue ; B)광을 발광하는 부화소의 3개의 부화소로 구성된다.
단, 하나의 화소로서는, RGB의 3원색의 부화소의 조합으로 한정되는 것이 아니라, 3원색의 부화소에 더욱 1색 또는 복수색의 부화소를 가하여 하나의 화소를 구성하는 것도 가능하다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 휘도 향상을 위해 백색(White ; W)광을 발광하는 부화소를 가하여 하나의 화소를 구성하거나, 색 재현 범위를 확대하기 위해 보색광을 발광하는 적어도 하나의 부화소를 가하여 하나의 화소를 구성하거나 하는 것도 가능하다.
화소 어레이부(30)에는, m행n열의 화소(20)의 배열에 대해, 행방향(화소행의 화소의 배열 방향)에 따라 주사선(31)(311∼31m), 제1 구동선(32)(321∼32m), 및, 제2 구동선(33)(331∼33m)이 화소행마다 배선되어 있다. 또한, m행n열의 화소(20)의 배열에 대해, 열방향(화소열의 화소의 배열 방향)에 따르고 신호선(34)(341∼34n)이 화소열마다 배선되어 있다.
주사선(311∼31m)은, 기록 주사부(40)의 대응하는 행의 출력단(出力端)에 각각 접속되어 있다. 제1 구동선(321∼32m)은, 제1 구동 주사부(50)의 대응하는 행의 출력단에 각각 접속되어 있다. 제2 구동선(331∼33m)은, 제2 구동 주사부(60)의 대응하는 행의 출력단에 각각 접속되어 있다. 신호선(341∼34n)은, 신호 출력부(70)의 대응하는 열의 출력단에 각각 접속되어 있다.
기록 주사부(40)는, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 기록 주사부(40)는, 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)에의 영상 신호의 신호 전압의 기록에 즈음하여, 주사선(31)(311∼31m)에 대해 기록 주사 신호(WS)(WS1∼WSm)를 순차적으로 공급함에 의해, 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)를 행 단위로 순번대로 주사하는, 이른바, 선순차 주사를 행한다.
제1 구동 주사부(50)는, 기록 주사부(40)와 마찬가지로, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 제1 구동 주사부(50)는, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 동기하여, 제1 구동선(32)(321∼32m)에 대해 제1 제어 신호(DS)(DS1∼DSm)를 공급함에 의해, 화소(20)의 발광/비발광(소광)의 제어를 행한다.
제2 구동 주사부(60)는, 기록 주사부(40)와 마찬가지로, 시프트 레지스터 회로 등에 의해 구성되어 있다. 이 제2 구동 주사부(60)는, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 동기하여, 제2 구동선(33)(331∼33m)에 대해 제2 제어 신호(AZ)(AZ1∼AZm)를 공급함에 의해, 비발광 기간에서 화소(20)를 발광하지 않도록 하는 제어를 행한다.
신호 출력부(70)는, 신호 공급원(도시 생략)으로부터 공급되는 휘도 정보에 응한 영상 신호의 신호 전압(이하, 단지 「신호 전압」이라고 기술하는 경우가 있다)(Vsig)과 기준 전압(Vofs)을 선택적으로 출력한다. 여기서, 기준 전압(Vofs)은, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)의 기준이 되는 전압(예를 들면, 영상 신호의 흑레벨에 상당하는 전압), 또는, 그 부근의 전압이고, 후술하는 임계치 전압 보정 동작에서 초기화 전압으로서 사용된다.
신호 출력부(70)로부터 택일적으로 출력되는 신호 전압(Vsig)/기준 전압(Vofs)은, 신호선(34)(341∼34n)을 통하여 화소 어레이부(30)의 각 화소(20)에 대해, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 의해 선택된 화소행의 단위로 기록된다. 즉, 신호 출력부(70)는, 신호 전압(Vsig)을 화소행(라인) 단위로 기록하는 선순차 기록의 구동 형태를 취하고 있다.
[화소 회로]
도 2는, 본 개시의 기술이 적용되는 액티브 매트릭스형 표시 장치에서의 화소(화소 회로(20))의 회로례를 도시하는 회로도이다. 화소(20)의 발광부는, 자발광 소자인 유기 EL 소자(유기 일렉트로 루미네선스 소자(21))로 이루어진다.
도 2에 도시하는 바와 같이, 화소(20)는, 유기 EL 소자(21)와, 유기 EL 소자(21)에 전류를 흘림에 의해 당해 유기 EL 소자(21)를 구동하는 구동 회로에 의해 구성되어 있다. 유기 EL 소자(21)는, 모든 화소(20)에 대해 공통으로 배선된 공통 전원선인 캐소드 배선(35)에 캐소드 전극이 접속되어 있다.
유기 EL 소자(21)의 구동 회로는, 구동 트랜지스터(22), 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 스위칭 트랜지스터(25), 유지 용량(26), 및, 보조 용량(27)을 갖는 구성으로 되어 있다. 여기서, 화소(20)를 구성하는 소자, 즉, 유기 EL 소자(21), 구동 트랜지스터(22), 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 스위칭 트랜지스터(25), 유지 용량(26), 및, 보조 용량(27)을, 한 예로서, 실리콘 단결정 기판과 같은 반도체 기판상에 형성하는 것으로 한다.
구동 트랜지스터(22), 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)는, P채널형의 트랜지스터로 이루어지고, 소스/게이트/드레인의 3단자가 아니라, 소스/게이트/드레인/백게이트의 4단자의 구조로 되어 있다. 그리고, 각 트랜지스터(22∼25)의 백게이트에는 전원 전압(Vcc)이 인가되어 있다.
상기한 구성의 화소(20)에서, 기록 트랜지스터(23)는, 신호 출력부(70)로부터 신호선(34)을 통하여 공급되는 신호 전압(Vsig)을 샘플링함에 의해 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 기록한다. 발광 제어 트랜지스터(24)는, 전원 전압(Vcc)의 전원선과 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극의 사이에 접속되고, 제1 제어 신호(DS)에 의한 구동하에, 유기 EL 소자(21)의 발광/비발광을 제어한다. 스위칭 트랜지스터(25)는, 구동 트랜지스터(22)의 드레인 전극과 전류 배출선 노드(예를 들면, 캐소드 배선(35))의 사이에 접속되고, 제2 제어 신호(AZ)에 의한 구동하에, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간에 유기 EL 소자(21)가 발광하지 않도록 제어한다.
유지 용량(26)은, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극과 소스 전극의 사이에 접속되어 있고, 기록 트랜지스터(23)에 의해 기록된 신호 전압(Vsig)을 유지한다. 구동 트랜지스터(22)는, 유지 용량(26)의 유지 전압에 응한 구동 전류를 유기 EL 소자(21)에 흘림에 의해 유기 EL 소자(21)를 구동한다. 보조 용량(27)은, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극과, 고정 전위의 노드(예를 들면, 전원 전압(Vcc)의 전원선)의 사이에 접속되어 있다.
[기본적인 회로 동작]
여기서, 상기한 구성의 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치(10)에서의 화소(20)의 기본적인 회로 동작에 관해 설명한다.
또한, 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)가 P채널형의 트랜지스터이기 때문에, 기록 주사 신호(WS), 제1 제어 신호(DS), 및, 제2 제어 신호(AZ)의 저레벨의 상태가 액티브 상태가 되고, 고레벨의 상태가 비액티브 상태가 된다. 그리고, 기록 트랜지스터(23), 발광 제어 트랜지스터(24), 및, 스위칭 트랜지스터(25)는, 기록 주사 신호(WS), 제1 제어 신호(DS), 및, 제2 제어 신호(AZ)의 액티브 상태에서 도통 상태가 되고, 비액티브 상태에서 비도통 상태가 된다.
우선, 신호 출력부(70)로부터 신호선(34)에 대해, 기준 전압(Vofs)이 출력되고 있는 상태에 있을 때에, 기록 주사 신호(WS)가 액티브 상태가 되고, 기록 트랜지스터(23)가 도통 상태가 됨으로써, 기준 전압(Vofs)이 게이트 전극에 기록된다. 이에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 기준 전압(Vofs)이 된다.
또한, 기준 전압(Vofs)을 기록하는 타이밍에서는, 제1 제어 신호(DS)가 저레벨의 상태에 있고, 발광 제어 트랜지스터(24)가 도통 상태에 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)은 전원 전압(Vcc)이 되어 있다. 이때, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)은, Vgs=Vofs-Vcc가 된다.
여기서, 후술하는 임계치 전압 보정 동작(임계치 전압 보정 처리)을 행하려면, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을, 당해 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)보다도 크게 하여 둘 필요가 있다. 그때문에, |Vgs|=|Vofs-Vcc|>|Vth|가 되도록 각 전압치가 설정되게 된다.
이와 같이, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)을 기준 전압(Vofs)으로 설정하고, 또한, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)을 전원 전압(Vcc)으로 설정하는 초기화 동작이, 다음의 임계치 전압 보정 동작을 행하기 전의 준비(임계치 전압 보정 준비)의 동작이다. 따라서, 기준 전압(Vofs) 및 전원 전압(Vcc)이, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg) 및 소스 전압(Vs)의 각 초기화 전압이라고 말하는 것이 된다.
다음에, 제1 제어 신호(DS)가 비액티브 상태가 되고, 발광 제어 트랜지스터(24)가 비도통 상태가 되면, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극이 플로팅 상태가 되고, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 기준 전압(Vofs)에 유지된 상태에서 임계치 전압 보정 동작이 시작된다. 즉, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)(=Vofs)으로부터 임계치 전압(Vth)을 뺀 전압(Vg-Vth)을 향하여, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)이 하강(저하)을 시작한다.
이와 같이, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극의 초기화 전압(Vofs)을 기준으로 하여, 당해 초기화 전압(Vofs)으로부터 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)을 뺀 전압(Vofs-Vth)을 향하고 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)을 변화시키는 동작이 임계치 전압 보정 동작이 된다. 이 임계치 전압 보정 동작이 진행되면, 이윽고, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)에 수속한다. 이 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압은 유지 용량(26)에 유지된다.
그리고, 기록 주사 신호(WS)가 비액티브 상태가 되고, 기록 트랜지스터(23)가 비도통 상태가 됨으로써 임계치 보정 기간이 종료된다. 그 후, 신호 출력부(70)로부터 신호선(34)에 영상 신호의 신호 전압(Vsig)이 출력되고, 신호선(34)의 전위가 기준 전압(Vofs)으로부터 신호 전압(Vsig)으로 전환된다.
다음에, 기록 주사 신호(WS)가 액티브 상태가 됨으로써, 기록 트랜지스터(23)가 도통 상태가 되고, 신호 전압(Vsig)을 샘플링하여 화소(20) 내에 기록한다. 이 기록 트랜지스터(23)에 의한 신호 전압(Vsig)의 기록 동작에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 신호 전압(Vsig)이 된다.
이 영상 신호의 신호 전압(Vsig)의 기록할 때에, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전극과 전원 전압(Vcc)의 전원선의 사이에 접속되어 있는 보조 용량(27)은, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)이 변동하는 것을 억제하는 작용을 한다. 그리고, 영상 신호의 신호 전압(Vsig)에 의한 구동 트랜지스터(22)의 구동할 때에, 당해 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)이 유지 용량(26)에 유지된 임계치 전압(Vth)에 상당하는 전압과 상쇄된다.
이때, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이 전압(Vgs)이, 신호 전압(Vsig)에 응하여 열리지만(커지지만), 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)은 여전히 플로팅 상태에 있다. 그때문에, 유지 용량(26)의 충전 전하는, 구동 트랜지스터(22)의 특성에 응하여 방전된다. 그리고, 이때 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 전류에 의해 유기 EL 소자(21)의 등가 용량의 충전이 시작된다.
유기 EL 소자(21)의 등가 용량이 충전됨에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)이 시간이 경과함에 따라 서서히 하강하여 간다. 이때 이미, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)의 화소마다의 편차가 캔슬되어 있고, 구동 트랜지스터(22)의 드레인-소스 사이 전류(Ids)는 당해 구동 트랜지스터(22)의 채널을 구성하는 반도체 박막의 이동도(μ)(이하, 단지 「이동도(μ)」라고 기술한다)에 의존하게 된다.
여기서, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 하강분은, 유지 용량(26)의 충전 전하를 방전하도록 작용한다. 환언하면, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 하강분(변화량)은, 유지 용량(26)에 대해 부귀환이 걸려진 것으로 된다. 따라서, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs) 부귀환의 귀환량이 된다.
이와 같이, 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 드레인-소스 사이 전류(Ids)에 응한 귀환량으로 유지 용량(26)에 대해 부귀환을 걸음에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 드레인-소스 사이 전류(Ids)의 이동도(μ)에 대한 의존성을 지울 수 있다. 이 지우는 동작(지우는 처리)이, 구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)의 화소마다의 편차를 보정하는 이동도 보정 동작(이동도 보정 처리)이다.
보다 구체적으로는, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극에 기록되는 영상 신호의 신호 진폭(Vin)(=Vsig-Vofs)이 클 수록 드레인-소스 사이 전류(Ids)가 커지기 때문에, 부귀환의 귀환량의 절대치도 커진다. 따라서, 영상 신호의 신호 진폭(Vin), 즉, 발광 휘도 레벨에 응한 이동도 보정 처리가 행하여진다. 또한, 영상 신호의 신호 진폭(Vin)을 일정하게 한 경우, 구동 트랜지스터(22)의 이동도(μ)가 클수록 부귀환의 귀환량의 절대치도 커지기 때문에, 화소마다의 이동도(μ)의 편차를 제거할 수 있다.
그리고, 기록 주사 신호(WS)가 비액티브 상태가 되고, 기록 트랜지스터(23)가 비도통 상태가 됨으로써, 신호 전압의 기록 및 이동도 보정의 동작(처리)이 종료된다. 그 후, 제1 제어 신호(DS)가 비액티브 상태가 되고, 발광 제어 트랜지스터(24)가 도통 상태가 됨으로써, 전원 전압(Vcc)의 전원선으로부터 발광 제어 트랜지스터(24)를 통하여 구동 트랜지스터(22)에 전류가 공급된다.
이때, 기록 트랜지스터(23)가 비도통 상태에 있음으로써, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극은 신호선(34)으로부터 전기적으로 절리되어 플로팅 상태에 있다. 여기서, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전극이 플로팅 상태에 있을 때는, 구동 트랜지스터(22)의 게이트-소스 사이에 유지 용량(26)이 접속되어 있음에 의해, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)의 변동에 연동하고 게이트 전압(Vg)도 변동한다.
즉, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs) 및 게이트 전압(Vg)은, 유지 용량(26)으로 유지되어 있는 게이트-소스 사이 전압(Vgs)을 유지한 채로 상승한다. 그리고, 구동 트랜지스터(22)의 소스 전압(Vs)은, 트랜지스터의 포화 전류에 응한 유기 EL 소자(21)의 발광 전압(Voled)까지 상승한다.
이와 같이, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg)이 소스 전압(Vs)의 변동에 연동하여 변동하는 동작이 부트스트랩 동작이다. 환언하면, 부트스트랩 동작은, 유지 용량(26)에 유지된 게이트-소스 사이 전압(Vgs), 즉, 유지 용량(26)의 양단 사이 전압을 유지한 채로, 구동 트랜지스터(22)의 게이트 전압(Vg) 및 소스 전압(Vs)이 변동하는 동작이다.
그리고, 구동 트랜지스터(22)의 드레인-소스 사이 전류(Ids)가 유기 EL 소자(21)에 흐르기 시작함에 의해, 당해 전류(Ids)에 응하여 유기 EL 소자(21)의 애노드 전압(Vano)이 상승한다. 이윽고, 유기 EL 소자(21)의 애노드 전압(Vano)이 유기 EL 소자(21)의 임계치 전압(Vthel)을 초과하면, 유기 EL 소자(21)에 구동 전류가 흐르기 시작하기 때문에, 유기 EL 소자(21)가 발광을 시작한다.
한편, 제2 구동 주사부(60)는, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간에서, 제2 제어 신호(AZ)를 액티브 상태로 하여, 스위칭 트랜지스터(25)를 도통 상태로 한다. 스위칭 트랜지스터(25)가 도통 상태가 됨으로써, 당해 스위칭 트랜지스터(25)를 통하여, 구동 트랜지스터(22)의 드레인 전극(유기 EL 소자(21)의 애노드 전극)과 전류 배출선 노드인 캐소드 배선(35)의 사이가 전기적으로 단락된다.
여기서, 스위칭 트랜지스터(25)의 온 저항은, 유기 EL 소자(21)에 비하여 매우 작다. 따라서, 유기 EL 소자(21)의 비발광 기간에서, 구동 트랜지스터(22)에 흐르는 전류를 캐소드 배선(35)에 강제적으로 유입하여, 유기 EL 소자(21)에는 유입하지 않도록 할 수 있다. 그와 관련하여, 임계치 전압 보정 및 신호 기록이 행하여지는 1수평 기간에서는 제2 제어 신호(AZ)가 액티브 상태가 되지만, 이후의 발광 기간 중에서는 제2 제어 신호(AZ)가 비액티브 상태가 된다.
상술한, 자발광 소자인 유기 EL 소자(21)를 화소(20)의 발광부로서 이용한 유기 EL 표시 장치(10)는, 다음과 같은 장점을 갖고 있다. 즉, 유기 EL 표시 장치(10)는, 같은 평면형의 표시 장치인 액정 표시 장치에 비하여, 그 화질(콘트라스트 등)의 좋음이나 박형화에의 어드밴티지, 투명 디스플레이나 플렉시블 디스플레이에의 응용 전개(展開) 등, 차세대 디스플레이로서 많은 기대를 모으고 있다. 또한, 실리콘 단결정 기판과 같은 반도체 기판상에 유기 EL을 구성함으로써, 초소형 표시 장치로서, 디지털 카메라의 전자 뷰파인더나 헤드 마운트 디스플레이에의 응용도 시작되고 있다.
그런데, 유기 EL 표시 장치(10)는, 액정 표시 장치와 비교하여, 화소(20)의 구성 소자수가 많다. 예를 들면, 도 2에 도시한 화소(20)의 경우, 4개의 트랜지스터(22∼25)) 및 2개의 용량 소자(26, 27)를 구성 소자로서 갖고 있다. 화소(20)의 구성 소자수가 많으면, 고정밀화에 불리하다. 이와 같은 관점에서, 특히, 반도체 기판상에 형성하는 유기 EL 표시 장치에서는, 화소 배열의 이웃하는 화소행 사이에서, 즉, 화소행의 홀수단과 짝수단의 사이에서, 화소(20)를 구동하기 위한 배선 등을 공통화하는 궁리가 행하여지고 있다. 이에 의해, 표시 영역(화소 어레이부(30))의 스페이스를 압축하여, 고정밀화를 실현하고 있다.
[화면 내의 부분적인 유니포미티의 악화]
상술한 바와 같이, 화소행의 홀수단과 짝수단의 사이에서 배선 등을 공통화하는 경우, 홀수단 및 짝수단의 화소 구조를, 홀수단과 짝수단과의 경계선에 관해 대칭의 미러 반전(反轉) 구조로 하게 된다. 이와 같이, 홀수단의 화소 구조와 짝수단의 화소 구조를 미러 반전 구조로 하면, 다음과 같은 현상 a), b)가 발생한다.
a) 제조 공정에서는, 일반적으로, 도 3a에 도시하는 경사 이온 주입이 이용된다. 이 제조 공정에서의 이온 주입의 치우침에 의해, 홀수단/짝수단 사이에서 구동 트랜지스터(22)의 특성(임계치 전압이나 이동도 등)에 차이가 발생한다(홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이).
b) 예를 들면 마스크 어긋남 등에 의한 홀수단의 화소 구조와 짝수단의 화소 구조의 형상차(形狀差)에 의해, 홀수단과 짝수단에서 커플링 전위가 다르다(화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분(差分)).
선술한 바와 같이, 일반적인 유기 EL 표시 장치(10)에서는, 화소(20)는, 임계치 전압(Vth)이나 이동도(μ) 등의 트랜지스터 특성에 관해, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능을 갖고 있고, 이 보정 기능에 의해, 세로줄무늬 등의 유니포미티의 개선을 행하고 있다. 그렇지만, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능만으로는, 상술한 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분의 영향에 대한 유니포미티의 개선이 불충분한다. 그 결과, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 생기는 가로줄무늬 등, 화면 내의 부분적인 유니포미티의 악화를 초래한다는 문제점이 있다.
<본 개시의 실시 형태>
본 개시의 실시 형태에서는, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화에 대응할 수 있도록 하기 위해, 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)로서, 복수의 게이트 전극을 갖는 트랜지스터를 이용한다. 그리고, 구동 트랜지스터(22)의 복수의 게이트 전극 중의 하나의 게이트 전극에 영상 신호를 인가하여 유기 EL 소자(21)를 구동한 한편,하는 구동 트랜지스터의 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어함에 의해 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)을 보정하도록 한다.
복수의 게이트 전극을 갖는 트랜지스터로서는, 예를 들면, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터나, MOS 트랜지스터의 백게이트부나 TFT(박막 트랜지스터)에서의 듀얼 게이트 구조를 예시할 수 있다.
[뉴런 MOS 구조의 트랜지스터]
여기서, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터에 관해 설명한다. 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터의 등가 회로를 도 4a에 도시한다. 도 4a에서, 좌측이 P채널형 뉴런 MOS이고, 우측이 N채널형 뉴런 MOS이다. 또한, 구동 트랜지스터(22)로서, P채널형 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터를 이용한 화소 회로를 도 4b에 도시한다.
(소자 구조)
도 4a에 도시하는 바와 같이, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터는, 게이트 전극이 전기적으로 플로팅 상태로 되어 있고, 또한 채널과 반대측에 복수의 게이트 전극(본 예에서는, 2개의 게이트 전극(G1, G2))을 가지며, 이들의 게이트 전극(G1, G2)이 플로팅 게이트(GF)와 용량 결합된 구조로 되어 있다.
그리고, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터를 구동 트랜지스터(22)로서 이용하는 경우에는, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 일방의 게이트 전극(G1)의 게이트 전압(V1)으로서 영상 신호의 신호 전압(Vsig)을 인가하고, 타방의 게이트 전극(G2)의 게이트 전압(V2)으로서 제어 전압(Vcont)을 인가하는 것으로 한다.
(동작 원리)
일반적으로, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터의 플로팅 게이트(GF)의 전압(플로팅 게이트 전압)(ΦF)은, 다음 식(1)과 같이, 플로팅 게이트(GF)와 용량 결합하고 있는 복수의 게이트 전극(G1, G2, …, Gn)의 게이트 전압(V1, V2, …, Vn)의 무게 부여 선형(線形) 합으로 주어진다.
즉, 플로팅 게이트(GF)와 게이트 전극(G1, G2, …, Gn) 사이의 용량을 C1, C2, …, Cn이라고 하면, 플로팅 게이트 전압(ΦF)은,
Figure 112018069209537-pct00001
로 주어진다. 여기서, Ctotal은, 플로팅 게이트(GF)와 게이트 전극(G1, G2, …, Gn) 사이의 용량의 총합이다.
도 4a에 도시하는 바와 같은, 2단자(게이트 전극)의 입력 게이트를 상정한 경우, 식(1)은 다음 식(2)과 같이 표현된다.
Figure 112018069209537-pct00002
이 플로팅 게이트 전압(ΦF)이 트랜지스터의 임계치 전압(Vth)을 초과한 때, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터는 도통 상태가 된다. 따라서, 식(2)을 다음 식(3)과 같이 표현할 수 있다.
Figure 112018069209537-pct00003
이 식(3)을 게이트 전압(V1)에 관해 풀면,
Figure 112018069209537-pct00004
가 된다. 또한, 식(3), 식(4)은, 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터가 N채널인 경우이다.
또한, 게이트 전압(V1)의 게이트 전극(G1)에서 본(見た) 트랜지스터의 임계치 전압을 Vth1라고 하면,
Figure 112018069209537-pct00005
가 도출된다.
이에 의해, 게이트 전극(G2)에 게이트 전압(V2)으로서 임의의 전압을 줄 수 있으면, 게이트 전압(V1)의 게이트 전극(G1)에서 본 트랜지스터의 임계치 전압(Vth1)을 자유롭게 제어하는 것이 가능함을 알 수 있다.
이하에, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능으로는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화에 대응할 수 있도록 하기 위해, 화면 내의 부분적인 보정을 실현한 구체적인 실시례에 관해 설명한다.
[실시례 1]
실시례 1은, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하는, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 발생하는 가로줄무늬 대책의 예이다. 실시례 1에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성의 회로도를 도 5에 도시한다. 도 5에서는, 도면의 간략화를 위해, 화소 어레이부(30)에 관해, 2행3열의 화소 배열의 각 화소(20)를 도시하고 있다. 후술하는 각 실시례에서도 마찬가지이다.
실시례 1에서는, 화소 어레이부(30)의 화소 배열에서, 홀수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)는, 예를 들면 2개의 게이트 전극을 갖는 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터로 이루어진다. 짝수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)는, 통상의 P채널형의 트랜지스터로 이루어진다.
그리고, 홀수단의 화소(20)에서, 뉴런 MOS로 이루어지는 구동 트랜지스터(22)의 일방의 게이트 전극에는, 그 게이트 전압(V1)으로서 영상 신호의 신호 전압(Vsig)이 인가된다. 또한, 구동 트랜지스터(22)의 타방의 게이트 전극에는, 그 게이트 전압(V2)으로서, 제어부(90)로부터 제어선(36)을 통하여 소정의 직류 전압인 제어 전압(Vcont)이 인가된다. 제어선(36)은, 제어부(90)와 각 홀수단의 화소(20)의 사이에 공통으로 배선되어 있다.
제어부(90)는, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하여, 홀수단/짝수단 사이에서 발생하는 휘도차를 없애는 전압치의 직류 전압을 제어 전압(Vcont)으로서, 홀수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)의 타방의 게이트 전극에 준다. 제어 전압(Vcont)의 전압치는, 유기 EL 표시 장치(10)마다, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분을 고려하여, 홀수단/짝수단 사이에서의 휘도차가 작아지는 값, 바람직하게는 휘도차가 제로가 되는 값으로 설정된다.
상술한 바와 같이, 홀수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)로서 뉴런 MOS를 이용하고, 그 타방의 게이트 전극의 게이트 전압(V2)을 제어 전압(Vcont)으로 제어함으로써, 식(5)으로부터 분명한 바와 같이, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)을 제어할 수 있다. 이에 의해, 화면 내를 영역마다(본 예에서는, 홀수단마다)에 휘도 조정을 행할 수가 있기 때문에, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하는, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 생기는 가로줄무늬의 발생을 방지할 수 있다. 결과로서, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있다.
따라서 홀수단과 짝수단의 사이에서 화소(20)를 구동하기 위한 배선 등을 공통화하고, 홀수단의 화소 구조와 짝수단의 화소 구조를 미러 반전 구조로 하는 구성을 채택하였다고 하여, 가로줄무늬 등의 유니포미티의 악화를 초래하지 않는다. 그 결과, 홀수단과 짝수단의 사이에서 화소(20)를 구동하기 위한 배선 등을 공통화에 의해 표시 영역의 스페이스를 압축할 수 있기 때문에, 고정밀화에 기여할 수 있다.
[실시례 2]
실시례 2는, 실시례 1의 변형례이다. 실시례 2에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성의 회로도를 도 6에 도시한다. 실시례 1에서는, 홀수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택하고 있다. 이에 대해, 실시례 2는, 짝수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택한다.
실시례 2에서는, 화소 어레이부(30)의 화소 배열에서, 짝수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)는, 예를 들면 2개의 게이트 전극을 갖는 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터로 이루어진다. 홀수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)는, 싱글 게이트 구조의 P채널형의 트랜지스터로 이루어진다.
짝수단의 화소(20)에서, 뉴런 MOS로 이루어지는 구동 트랜지스터(22)의 일방의 게이트 전극에는, 그 게이트 전압(V1)으로서 영상 신호의 신호 전압(Vsig)이 인가된다. 또한, 구동 트랜지스터(22)의 타방의 게이트 전극에는, 그 게이트 전압(V2)으로서, 제어부(90)로부터 제어선(36)을 통하여 소정의 직류 전압인 제어 전압(Vcont)이 인가된다. 제어선(36)은, 제어부(90)와 각 짝수단의 화소(20) 사이에 공통으로 배선되어 있다.
제어부(90)는, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하여, 홀수단/짝수단 사이에서 발생하는 휘도차를 없애는 전압치의 직류 전압을 제어 전압(Vcont)으로서, 짝수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)의 타방의 게이트 전극에 준다. 제어 전압(Vcont)의 전압치는, 실시례 1과 마찬가지로, 홀수단/짝수단 사이에서의 휘도차가 작아지는 값, 바람직하게는 휘도차가 제로가 되는 값으로 설정된다.
상기한 구성의 실시례 2에 의하면, 실시례 1과 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다. 즉, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하는, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 생기는 가로줄무늬의 발생을 방지할 수 있고, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있다.
[실시례 3]
실시례 3은, 실시례 1/실시례 2의 변형례이다. 실시례 3에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성의 회로도를 도 7에 도시한다. 실시례 1에서는, 홀수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택하고, 실시례 2는, 짝수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택하고 있다. 이에 대해, 실시례 3은, 홀수단/짝수단의 양쪽에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택한다.
실시례 3에서는, 화소 어레이부(30)의 화소 배열에서, 전 화소의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)로서, 예를 들면 2개의 게이트 전극을 갖는 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터를 이용하고 있다. 구동 트랜지스터(22)가 뉴런 MOS로 이루어지는 화소 배열에서, 홀수단의 구동 트랜지스터(22)의 타방의 전극에는, 그 게이트 전압(V2)으로서, 제어부(91)로부터 제어선(36)을 통하여 제어 전압(Vcont1)이 인가된다. 또한, 짝수단의 구동 트랜지스터(22)의 타방의 전극에는, 그 게이트 전압(V2)으로서, 제어부(92)로부터 제어선(37)을 통하여 제어 전압(Vcont2)이 인가된다.
제어 전압(Vcont1) 및 제어 전압(Vcont2)의 각 전압치는, 유기 EL 표시 장치(10)마다, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분을 고려하여, 홀수단/짝수단 사이에서의 휘도차가 작아지는 값, 바람직하게는 휘도차가 제로가 되는 값으로 설정된다.
상기한 구성의 실시례 3에서도, 실시례 1/실시례 2와 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다. 즉, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하는, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 생기는 가로줄무늬의 발생을 방지할 수 있고, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있다. 또한, 실시례 3에 의하면, 홀수단/짝수단 각각에서, 구동 트랜지스터(22)의 임계치 전압(Vth)의 조정이 가능하기 때문에, 홀수단/짝수단 각각의 휘도의 조정폭을 넓힐 수 있다.
[실시례 4]
실시례 4는, 실시례 1의 변형례이다. 실시례 4에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성의 회로도를 도 8에 도시한다. 실시례 1은, 구동 트랜지스터(22)로서 뉴런 MOS 구조의 트랜지스터를 이용하고, 일방의 게이트 전극에 영상 신호의 신호 전압(Vsig)을 인가하고, 타방의 게이트 전극의 게이트 전압(V2)을 제어하는 예이다.
이에 대해, 실시례 4는, 백게이트를 갖는 구조의 트랜지스터로 이루어지는 구동 트랜지스터(22)에서, 그 백게이트의 전압을 제어하는 예이다. 구체적으로는, 홀수단의 화소(20)에서, 백게이트를 갖는 구조의 구동 트랜지스터(22)의 백게이트에는, 그 백게이트 전압으로서, 제어부(90)로부터 제어선(36)을 통하여 소정의 직류 전압인 제어 전압(Vcont)이 인가된다. 제어선(36)은, 제어부(90)와 각 홀수단의 화소(20) 사이에 공통으로 배선되어 있다.
제어부(90)는, 실시례 1의 경우와 마찬가지로, 홀수단/짝수단 사이에서 발생하는 휘도차를 없애는 전압치의 직류 전압을 제어 전압(Vcont)으로서, 홀수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)의 백게이트에 준다. 제어 전압(Vcont)의 전압치는, 유기 EL 표시 장치(10)마다, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분을 고려하여, 홀수단/짝수단 사이에서의 휘도차가 작아지는 값, 바람직하게는 휘도차가 제로가 되는 값으로 설정된다.
상기한 구성의 실시례 4에서도, 실시례 1과 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다. 즉, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하는, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 생기는 가로줄무늬의 발생을 방지할 수 있고, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있다.
이 홀수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성의 실시례 4에 관해서는, 그 변형례로서, 실시례 2와 마찬가지로, 짝수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택할 수도 있고, 실시례 3과 마찬가지로, 홀수단/짝수단의 양쪽에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택할 수도 있다.
[실시례 5]
실시례 5는, 실시례 1의 변형례이다. 실시례 5가 적용되는 액티브 매트릭스형 표시 장치에서의 화소의 회로례를 도 9에 도시한다. 여기서도, 화소 회로의 발광부(발광 소자)로서, 유기 EL 소자를 이용하는 액티브 매트릭스형 유기 EL 표시 장치를 예로 들어 설명하는 것으로 한다.
도 9에 도시하는 바와 같이, 화소(20)는, 유기 EL 소자(21)와, 유기 EL 소자(21)에 전류를 흘림에 의해 당해 유기 EL 소자(21)를 구동하는 구동 회로에 의해 구성되어 있다. 유기 EL 소자(21)의 구동 회로는, 구동 트랜지스터(22), 기록 트랜지스터(23), 및, 유지 용량(26)을 갖는 구성으로 되어 있다.
구동 트랜지스터(22) 및 기록 트랜지스터(23)로서는, N채널형의 TFT를 이용할 수 있다. 단, 여기서 도시한, 구동 트랜지스터(22) 및 기록 트랜지스터(23)의 도전형의 조합은 한 예에 지나지 않고, 이들의 조합으로 한정되는 것이 아니다. 여기서 유기 EL 소자(21), 구동 트랜지스터(22), 및, 유지 용량(26)을, 한 예로서, 유리 기판과 같은 절연체상에 형성하는 것으로 한다.
구동 트랜지스터(22)는, 일방의 전극(소스/드레인 전극)이 유기 EL 소자(21)의 애노드 전극에 접속되고, 타방의 전극(소스/드레인 전극)이 전원 공급선(38)에 접속되어 있다. 여기서, 일방의 전극이란, 일방의 소스/드레인 영역에 전기적으로 접속된 금속 배선을 말하고, 타방의 전극이란, 타방의 소스/드레인 영역에 전기적으로 접속된 금속 배선을 말한다. 또한, 일방의 전극과 타방의 전극의 전위 관계에 의해 일방의 전극이 소스 전극이 되는 경우도 있다면 드레인 전극이 되는 경우도 있고, 타방의 전극이 드레인 전극이 되는 경우도 있다면 소스 전극이 되는 경우도 있다.
구동 트랜지스터(22)의 타방의 전극이 접속된 전원 공급선(38)에는, 전원 공급 주사부(41)로부터, 기록 주사부(40)에 의한 선순차 주사에 동기하여, 제1 전원 전위(Vccp)와 당해 제1 전원 전위(Vccp)보다도 낮은 제2 전원 전위(Vini)로 전환된 것이 가능한 전원 전위(DS)가 공급된다. 이 전원 전위(DS)의 전환에 의해, 화소(20)의 발광/비발광(소광)의 제어가 행하여진다.
또한, 여기서는, 유기 EL 소자(21)의 구동 회로로서, 구동 트랜지스터(22) 및 기록 트랜지스터(23)의 2개의 트랜지스터(Tr)와 유지 용량(26)의 하나의 용량 소자(C)로 이루어지는 2Tr1C의 회로 구성을 예시하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다.
상기한 구성의 유기 EL 표시 장치에서, 실시례 5는, 구동 트랜지스터(22)로서 듀얼 게이트형 TFT를 사용하고, 듀얼 게이트의 일방을 제어하는 예이다.
구동 트랜지스터(22)로서 사용하는 듀얼 게이트형 TFT의 단면 구조의 한 예를 도 10에 도시한다. 듀얼 게이트형 TFT는, 예를 들면, 기판(81)상에 차례로, 하부 게이트 전극(82), 제1 게이트 절연막(83), 반도체층(84), 제2 게이트 절연막(85), 및, 상부 게이트 전극(86)을 갖고 있다. 그리고, 반도체층(84)에서, 하부 게이트 전극(82)과 상부 게이트 전극(86)에 끼여진 영역이 채널 영역(841)이 되고, 그 양단의 영역이 소스 영역(842) 및 드레인 영역(843)이 된다. 소스 영역(842)에는 소스 전극(87)이 전기적으로 접속되고, 드레인 영역(843)에는 드레인 전극(88)이 전기적으로 접속되어 있다.
실시례 5는, 듀얼 게이트형 TFT로 이루어지는 구동 트랜지스터(22)에서, 그 일방의 게이트 전극(예를 들면, 하부 게이트 전극(82))의 전압을 제어하는 예이다. 실시례 5에 관한 유기 EL 표시 장치의 주요부의 회로 구성을 도 11에 도시한다.
도 11에 도시하는 바와 같이, 홀수단의 화소(20)에서, 듀얼 게이트형 TFT로 이루어지는 구동 트랜지스터(22)의 일방의 게이트 전극에는, 그 게이트 전압으로서, 제어부(90)로부터 제어선(36)을 통하여 소정의 직류 전압인 제어 전압(Vcont)이 인가된다. 제어선(36)은, 제어부(90)와 각 홀수단의 화소(20) 사이에 공통으로 배선되어 있다. 짝수단의 화소(20)의 구동 트랜지스터(22)는, 통상의 N채널형의 TFT로 이루어진다.
제어부(90)는, 실시례 1의 경우와 마찬가지로, 홀수단/짝수단 사이에서 발생하는 휘도차를 없애는 전압치의 직류 전압을 제어 전압(Vcont)으로서, 홀수단의 화소(20)의 듀얼 게이트형 TFT로 이루어지는 구동 트랜지스터(22)의 일방의 게이트 전극에 준다. 제어 전압(Vcont)의 전압치는, 유기 EL 표시 장치(10)마다, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분을 고려하여, 홀수단/짝수단 사이에서의 휘도차가 작아지는 값, 바람직하게는 휘도차가 제로가 되는 값으로 설정된다.
상기한 구성의 실시례 5에서도, 실시례 1과 같은 작용, 효과를 얻을 수 있다. 즉, 홀수단/짝수단 사이에서의 구동 트랜지스터(22)의 특성 차이나, 화소 구조의 형상 의존에서의 커플링 차분에 기인하는, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 생기는 가로줄무늬의 발생을 방지할 수 있고, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있다.
이 홀수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성의 실시례 5에 관해서는, 그 변형례로서, 실시례 2와 마찬가지로, 짝수단에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택하는 것도 가능하고, 실시례 3과 마찬가지로, 홀수단/짝수단의 양쪽에 관해 일괄하여 휘도 조정을 행하는 구성을 채택할 수도 있다.
<변형례>
본 개시의 기술은, 상술한 실시 형태로 한정되는 것이 아니고, 본 개시의 요지를 일탈하지 않는 범위 내에서 여러 가지의 변형, 개변이 가능하다. 예를 들면, 실시례 1 내지 실시례 4에서는, 화소(20)를 구성하는 소자를, 실리콘 단결정 기판과 같은 반도체 기판상에 형성하는 표시 장치에 적용한 경우를 예로 들어 설명하였지만, 화소(20)를 구성하는 소자를 유리 기판과 같은 절연체상에 형성하는 표시 장치에 대해서도, 마찬가지로, 본 개시의 기술을 적용할 수 있다.
<전자 기기>
이상 설명한 본 개시의 표시 장치는, 전자 기기에 입력된 영상 신호, 또는, 전자 기기 내에서 생성한 영상 신호를, 화상 또는 영상으로서 표시하는, 모든 분야의 전자 기기의 표시부(표시 장치)로서 이용할 수 있다. 전자 기기로서는, 텔레비전 세트, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 디지털 스틸 카메라, 휴대 전화기 등의 휴대 단말 장치, 헤드 마운트 디스플레이 등을 예시할 수 있다. 단, 이들로 한정되는 것이 아니다.
이와 같이, 모든 분야의 전자 기기에서, 그 표시부로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해, 이하와 같은 효과를 얻을 수 있다. 즉, 본 개시의 표시 장치에 의하면, 화소 단위로 행하여지는 보정 기능에서는 대응할 수 없는, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 발생하는 가로줄무늬 등의 부분적인 유니포미티의 악화를 개선할 수 있기 때문에, 표시부의 고화질화를 도모할 수 있다. 또한, 홀수단/짝수단 사이의 휘도차에 의해 발생하는 가로줄무늬의 발생을 방지할 수가 있어서, 홀수단과 짝수단의 사이에서 화소를 구동하기 위한 배선 등을 공통화하고, 표시 영역의 스페이스를 압축할 수 있기 때문에, 표시부의 고정밀화를 실현할 수 있다.
본 개시의 표시 장치는, 밀봉된 구성의 모듈 형상의 것도 포함한다. 한 예로서, 화소 어레이부에 투명한 유리 등의 대향부가 부착되어 형성된 표시 모듈이 해당한다. 또한, 표시 모듈에는, 외부로부터 화소 어레이부에의 신호 등을 입출력하기 위한 회로부나 플렉시블 프린트 서킷(FPC) 등이 마련되어 있어도 좋다. 이하에, 본 개시의 표시 장치를 이용하는 전자 기기의 구체례로서, 디지털 스틸 카메라 및 헤드 마운트 디스플레이를 예시한다. 단, 여기서 예시하는 구체례는 한 예에 지나지 않고, 이들로 한정되는 것이 아니다.
(구체례 1)
도 12는, 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 스틸 카메라의 외관도이고, 도 12a에 그 정면도를 도시하고, 도 12b에 그 배면도를 도시한다. 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라는, 예를 들면, 카메라 본체부(카메라 바디)(111)의 정면 우측에 교환식의 촬영 렌즈 유닛(교환 렌즈)(112)을 가지며, 정면 좌측에 촬영자가 파지하기 위한 그립부(113)를 갖고 있다.
그리고, 카메라 본체부(111)의 배면 개략 중앙에는 모니터(114)가 마련되어 있다. 모니터(114)의 상부에는, 전자 뷰파인더(접안창(接眼窓))(115)가 마련되어 있다. 촬영자는, 전자 뷰파인더(115)를 들여다 봄에 의해, 촬영 렌즈 유닛(112)으로부터 도출된 피사체의 광상을 시인(視認)하여 구도 결정을 행하는 것이 가능하다.
상기한 구성의 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라에서, 그 전자 뷰파인더(115)로서 본 개시의 표시 장치를 이용할 수 있다. 즉, 본 예에 관한 렌즈 교환식 1안 리플렉스 타입의 디지털 카메라는, 그 전자 뷰파인더(115)로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
(구체례 2)
도 13은, 헤드 마운트 디스플레이의 외관도이다. 헤드 마운트 디스플레이는, 예를 들면, 안경형의 표시부(211)의 양측에, 사용자의 두부에 장착하기 위한 귀걸이부(212)를 갖고 있다. 이 헤드 마운트 디스플레이에서, 그 표시부(211)로서 본 개시의 표시 장치를 이용할 수 있다. 즉, 본 예에 관한 헤드 마운트 디스플레이는, 그 표시부(211)로서 본 개시의 표시 장치를 이용함에 의해 제작된다.
<본 개시의 구성>
또한, 본 개시는, 이하와 같은 구성을 취할 수도 있다.
[1] 복수의 게이트 전극을 가지며, 복수의 게이트 전극 중의 하나의 게이트 전극에 인가되는 영상 신호에 응하여 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소가 배치되어 이루어지는 화소 어레이부, 및,
구동 트랜지스터의 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어하는 제어부를 구비하는 표시 장치.
[2] 제어부는, 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어함에 의해 구동 트랜지스터의 임계치 전압을 보정하는, 상기 [1]에 기재된 표시 장치.
[3] 제어부는, 다른 게이트 전극에 소정의 직류 전압을 제어 전압으로서 인가하는, 상기 [1] 또는 [2]에 기재된 표시 장치.
[4] 다른 게이트 전극이 백게이트인, 상기 [1]부터 [3]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[5] 다른 게이트 전극이 듀얼 게이트 구조의 일방의 게이트 전극인, 상기 [1]부터 [3]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[6] 제어부는, 다른 게이트 전극의 게이트 전압의 제어를, 화소 어레이부의 화소행 단위로 행하는, 상기 [1]부터 [5]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[7] 복수의 게이트 전극을 갖는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소는, 화소 어레이부의 화소행의 짝수단, 홀수단, 또는, 전단에 배치되어 있고,
제어부는, 다른 게이트 전극의 게이트 전압의 제어를, 화소행의 짝수단만, 홀수단만, 또는, 전단에 관해 행하는, 상기 [6]에 기재된 표시 장치.
[8] 화소는, 구동 트랜지스터의 영상 신호가 인가되는 게이트 전극의 초기화 전압을 기준으로 하여, 당해 초기화 전압으로부터 구동 트랜지스터의 임계치 전압을 뺀 전압을 향하여 구동 트랜지스터의 소스 전압을 변화시키는 임계치 전압 보정 기능을 갖는, 상기 [1]부터 [7]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[9] 발광부는, 유기 일렉트로 루미네선스 소자로 이루어지는, 상기 [1]부터 [8]의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
[10] 복수의 게이트 전극을 가지며, 복수의 게이트 전극 중의 하나의 게이트 전극에 인가되는 영상 신호에 응하여 발광부를 구동하는 구동 트랜지스터를 포함하는 화소가 배치되어 이루어지는 화소 어레이부, 및,
구동 트랜지스터의 다른 게이트 전극의 게이트 전압을 제어하는 제어부를 구비하는 표시 장치를 갖는 전자 기기.
10 : 유기 EL 표시 장치
20 : 화소
21 : 유기 EL 소자
22 : 구동 트랜지스터
23 : 기록 트랜지스터
24 : 발광 제어 트랜지스터
25 : 스위칭 트랜지스터
26 : 유지 용량
27 : 보조 용량
30 : 화소 어레이부
31(311∼31m) : 주사선
32(321∼32m) : 제1 구동선
33(331∼33m) : 제2 구동선
34(341∼34n) : 신호선
35 : 캐소드 배선
36, 37 : 제어선
38 : 전원 공급선
40 : 기록 주사부
41 : 전원 공급 주사부
50 : 제1 구동 주사부
60 : 제2 구동 주사부
70 : 신호 출력부
80 : 표시 패널
90, 91, 92 : 제어부

Claims (16)

  1. 복수의 화소, 및
    제어부를 포함하고,
    상기 복수의 화소는 화소 단위로 배열되고, 각각의 화소는 발광부와, 게이트 전극 및 적층방향으로 상기 게이트 전극의 아래에 있는 하부 전극을 포함하는 구동 트랜지스터를 포함하고,
    상기 구동 트랜지스터는, 상기 게이트 전극에 인가된 영상 신호에 응답하여 상기 발광부를 구동하도록 구성되고,
    상기 구동 트랜지스터 및 상기 발광부는, 전원 공급 전위를 공급하는 전원 공급선과 캐소드 전위를 공급하는 전원선 사이에 직렬로 접속되고,
    상기 제어부는,
    상기 복수의 화소의 홀수단에 대하여 일괄하여 제어함과 함께, 상기 복수의 화소의 짝수단에 대하여 일괄하여 제어하고,
    상기 구동 트랜지스터의 상기 하부 전극과 상기 전원선 사이의 전압을 변경하여 휘도 조정을 수행하도록 상기 복수의 화소를 제어하도록 구성되고,
    상기 하부 전극과 상기 전원 공급선 사이의 전압을 변화시켜 휘도 조정을 수행하도록 상기 하부 전극에 미리 정해진 직류 전압을 인가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은 상기 구동 트랜지스터의 영상 신호가 인가되는 상기 게이트 전극의 초기화 전압을 기준으로 사용하여, 상기 초기화 전압으로부터 상기 구동 트랜지스터의 임계치 전압을 빼서 획득한 전압을 향하여 상기 구동 트랜지스터의 소스 전압을 변화시키는 임계치 전압 보정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 발광부는 유기 EL 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터는 반도체층을 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 반도체층 위에 배치되고, 상기 하부 전극은 상기 반도체층 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 하부 전극의 전위를 변화시켜 상기 휘도 조정을 수행하도록 상기 복수의 화소를 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 하부 전극은 제2 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 듀얼 게이트 구조의 일부인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 표시 장치를 포함하고,
    상기 표시 장치는,
    복수의 화소, 및
    제어부를 포함하고,
    상기 복수의 화소는, 화소 단위로 배열되고, 각각의 화소가 발광부와, 게이트 전극 및 적층방향으로 상기 게이트 전극의 아래에 있는 하부 전극을 포함하는 구동 트랜지스터를 포함하고,
    상기 구동 트랜지스터는, 상기 게이트 전극에 인가된 영상 신호에 응답하여 상기 발광부를 구동하도록 구성되고,
    상기 구동 트랜지스터 및 상기 발광부는, 전원 공급 전위를 공급하는 전원 공급선과 캐소드 전위를 공급하는 전원선 사이에 직렬로 접속되고,
    상기 제어부는,
    상기 복수의 화소의 홀수딘에 대하여 일괄하여 제어함과 함께, 상기 복수의 화소의 짝수단에 대하여 일괄하여 제어하고,
    상기 구동 트랜지스터의 상기 하부 전극과 상기 전원선 사이의 전압을 변경하여 휘도 조정을 수행하도록 상기 복수의 화소를 제어하도록 구성되고,
    상기 하부 전극과 상기 전원 공급선 사이의 전압을 변화시켜 휘도 조정을 수행하도록 상기 하부 전극에 미리 정해진 직류 전압을 인가하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  10. 삭제
  11. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 화소 각각은 상기 구동 트랜지스터의 영상 신호가 인가되는 상기 게이트 전극의 초기화 전압을 기준으로 사용하여, 상기 초기화 전압으로부터 상기 구동 트랜지스터의 임계치 전압을 빼서 획득한 전압을 향하여 상기 구동 트랜지스터의 소스 전압을 변화시키는 임계치 전압 보정 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 발광부는 유기 EL 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  13. 제9항에 있어서,
    상기 구동 트랜지스터는 반도체층을 포함하고, 상기 게이트 전극은 상기 반도체층 위에 배치되고, 상기 하부 전극은 상기 반도체층 아래에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  14. 제9항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 하부 전극의 전위를 변화시켜 상기 휘도 조정을 수행하도록 상기 복수의 화소를 제어하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  15. 제9항에 있어서,
    상기 하부 전극은 제2 게이트 전극인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 게이트 전극 및 상기 제2 게이트 전극은 듀얼 게이트 구조의 일부인 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102508157B1 (ko) * 2017-12-27 2023-03-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
JP7364586B2 (ja) 2018-10-19 2023-10-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
WO2020095140A1 (ja) * 2018-11-08 2020-05-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び電子機器
KR102531674B1 (ko) * 2018-12-31 2023-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 패널
TWI685832B (zh) * 2019-01-15 2020-02-21 友達光電股份有限公司 像素驅動電路及其操作方法
KR102656469B1 (ko) * 2019-07-09 2024-04-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소, 및 유기 발광 표시 장치
KR20210013507A (ko) * 2019-07-26 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
KR20210013481A (ko) * 2019-07-26 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20210013488A (ko) * 2019-07-26 2021-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 표시장치의 구동 방법
KR20220017549A (ko) * 2020-08-04 2022-02-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20220042843A (ko) 2020-09-28 2022-04-05 엘지디스플레이 주식회사 표시패널과 이를 이용한 표시장치
KR20220108863A (ko) * 2021-01-27 2022-08-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소, 및 유기 발광 표시 장치
US20230317012A1 (en) * 2022-03-31 2023-10-05 Meta Platforms Technologies, Llc Self-compensation of driving transistor threshold voltage using body effect

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009251205A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Sony Corp 表示装置と電子機器
JP2013076994A (ja) * 2011-09-14 2013-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9059701B2 (en) * 2001-06-04 2015-06-16 Gold Charm Limited Method for setting transistor operating point and circuit therefor, method for changing signal component value and active-matrix liquid crystal display device
JP4383852B2 (ja) * 2001-06-22 2009-12-16 統寶光電股▲ふん▼有限公司 Ｏｌｅｄ画素回路の駆動方法
JP3767737B2 (ja) * 2001-10-25 2006-04-19 シャープ株式会社 表示素子およびその階調駆動方法
KR100986866B1 (ko) * 2002-04-26 2010-10-11 도시바 모바일 디스플레이 가부시키가이샤 Ｅｌ 표시 장치의 구동 방법
WO2003091977A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-06 Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. Driver circuit of el display panel
JP2004157467A (ja) * 2002-11-08 2004-06-03 Tohoku Pioneer Corp アクティブ型発光表示パネルの駆動方法および駆動装置
US7612749B2 (en) * 2003-03-04 2009-11-03 Chi Mei Optoelectronics Corporation Driving circuits for displays
US7902747B2 (en) * 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
US20050212787A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-29 Sanyo Electric Co., Ltd. Display apparatus that controls luminance irregularity and gradation irregularity, and method for controlling said display apparatus
US7532187B2 (en) * 2004-09-28 2009-05-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Dual-gate transistor display
JP4401971B2 (ja) * 2004-04-29 2010-01-20 三星モバイルディスプレイ株式會社 発光表示装置
JP5152448B2 (ja) * 2004-09-21 2013-02-27 カシオ計算機株式会社 画素駆動回路及び画像表示装置
US20060071887A1 (en) * 2004-10-01 2006-04-06 Chen-Jean Chou Active matrix display and drive method thereof
KR101239162B1 (ko) * 2004-11-30 2013-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치와 그 구동방법, 반도체장치, 및 전자기기
JP2006189473A (ja) * 2004-12-28 2006-07-20 Koninkl Philips Electronics Nv アクティブマトリックス型液晶表示装置
TWI330726B (en) * 2005-09-05 2010-09-21 Au Optronics Corp Display apparatus, thin-film-transistor discharge method and electrical driving method therefor
US7642997B2 (en) * 2006-06-28 2010-01-05 Eastman Kodak Company Active matrix display compensation
TWI453711B (zh) * 2007-03-21 2014-09-21 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置
US8552948B2 (en) * 2007-04-05 2013-10-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device comprising threshold control circuit
JP2008281671A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Sony Corp 画素回路および表示装置
JP2008287141A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Sony Corp 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP2009109521A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
WO2009087746A1 (ja) * 2008-01-07 2009-07-16 Panasonic Corporation 表示装置、電子装置及び駆動方法
JP5157467B2 (ja) * 2008-01-18 2013-03-06 ソニー株式会社 自発光型表示装置およびその駆動方法
JP4844634B2 (ja) * 2009-01-06 2011-12-28 ソニー株式会社 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
KR101056258B1 (ko) * 2009-09-14 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR101034738B1 (ko) * 2009-11-10 2011-05-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP2011112723A (ja) * 2009-11-24 2011-06-09 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法ならびに電子機器
JP2011209434A (ja) * 2010-03-29 2011-10-20 Sony Corp 表示装置および電子機器
KR101152575B1 (ko) * 2010-05-10 2012-06-01 삼성모바일디스플레이주식회사 평판 표시 장치의 화소 회로 및 그의 구동 방법
KR101084236B1 (ko) * 2010-05-12 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 표시장치 및 그 구동 방법
US8847942B2 (en) * 2011-03-29 2014-09-30 Intrigue Technologies, Inc. Method and circuit for compensating pixel drift in active matrix displays
KR101873497B1 (ko) * 2011-04-07 2018-07-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 구동 장치
JP2012255872A (ja) 2011-06-08 2012-12-27 Sony Corp 画素回路、表示装置、電子機器、及び、画素回路の駆動方法
JP5891492B2 (ja) * 2011-06-22 2016-03-23 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示素子、表示装置、及び、電子機器
JP5726325B2 (ja) * 2011-11-17 2015-05-27 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
KR102000041B1 (ko) * 2011-12-29 2019-07-16 엘지디스플레이 주식회사 발광표시장치 및 그 구동방법
JP2013225568A (ja) * 2012-04-20 2013-10-31 Lapis Semiconductor Co Ltd 半導体回路、及び半導体装置
JP6248268B2 (ja) * 2012-10-17 2017-12-20 株式会社Ｊｏｌｅｄ 画像表示装置
TW201426709A (zh) 2012-12-26 2014-07-01 Sony Corp 顯示裝置、顯示裝置之驅動方法及電子機器
KR20140133189A (ko) * 2013-05-10 2014-11-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치
KR102024240B1 (ko) * 2013-05-13 2019-09-25 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법
JP2015014764A (ja) 2013-07-08 2015-01-22 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器
KR102128082B1 (ko) * 2013-07-24 2020-06-30 삼성디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
JP2015034861A (ja) 2013-08-08 2015-02-19 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器
CN105814625A (zh) * 2013-12-10 2016-07-27 娜我比可隆股份有限公司 用于补偿有机发光显示器的亮度差的装置和方法
KR102102251B1 (ko) * 2013-12-24 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI625714B (zh) 2014-02-21 2018-06-01 群創光電股份有限公司 有機發光顯示器
KR102298336B1 (ko) * 2014-06-20 2021-09-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
US9934723B2 (en) * 2014-06-25 2018-04-03 Lg Display Co., Ltd. Thin film transistor substrate, display panel including the same, and method of manufacturing the same
CN104091563B (zh) * 2014-06-27 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置
KR102241704B1 (ko) * 2014-08-07 2021-04-20 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102253445B1 (ko) * 2014-08-28 2021-05-20 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 이를 포함하는 표시장치
CN104809989A (zh) * 2015-05-22 2015-07-29 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路、其驱动方法及相关装置
KR102324661B1 (ko) * 2015-07-31 2021-11-10 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서 일체형 표시장치와 그 구동방법
KR102411075B1 (ko) * 2015-08-24 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR102460992B1 (ko) * 2015-08-31 2022-11-01 엘지디스플레이 주식회사 보상마진 제어장치, 유기발광 표시장치 및 그의 구동방법
DE112016004055B4 (de) * 2015-09-08 2024-02-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtungen und elektronisches gerät
CN105573549B (zh) * 2015-12-08 2018-12-25 上海天马微电子有限公司 阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法
KR102475589B1 (ko) * 2016-04-29 2022-12-07 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기발광 표시장치
KR102642840B1 (ko) * 2016-05-31 2024-02-29 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
US10311782B2 (en) * 2016-06-15 2019-06-04 Apple Inc. Light-emitting diode display with reduced leakage
US10431154B2 (en) * 2016-06-15 2019-10-01 Apple Inc. Light-emitting diode display with reduced leakage
KR102664308B1 (ko) * 2016-08-31 2024-05-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법
CN107358915B (zh) * 2017-08-11 2020-01-07 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种像素电路、其驱动方法、显示面板及显示装置
KR102571354B1 (ko) * 2018-05-16 2023-08-28 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009251205A (ja) * 2008-04-04 2009-10-29 Sony Corp 表示装置と電子機器
JP2013076994A (ja) * 2011-09-14 2013-04-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置

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