JP2010060803A - 表示装置、画素のレイアウト方法および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】分割画素のレイアウト構造において、3分割された3つの発光領域221−1,221−2,221−3のうち、画素20Bの重心に近い発光領域221−2の面積S2を、重心から遠い発光領域221−1,221−3の面積S1よりも大きくする。こうすることで、3つの分割画素のうちの1つが欠陥化した場合に、当該発光領域に関連する発光領域が消灯状態にあることが目立たなくなる。
【選択図】図14
Description
複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が3つ以上の発光領域に分割された画素が行列状に配置された表示装置において、
前記3つ以上の発光領域のうち、画素の重心に近い発光領域の面積を、当該重心から遠い発光領域の面積よりも大きく設定した構成を採っている。
複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が複数の発光領域に分割された画素を行列状に配置された表示装置において、
前記複数の発光領域の一部を、前記画素の長手方向に直交する方向において相互にオーバーラップさせる構成を採っている。
図1は、本発明が適用されるアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。ここでは、一例として、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子、例えば有機EL素子を画素(画素回路)の発光素子として用いたアクティブマトリクス型有機EL表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。
図2は、画素(画素回路)20の具体的な回路構成を示す回路図である。
次に、上記構成の画素20が行列状に2次元配置されてなる有機EL表示装置10の回路動作について、図3のタイミング波形図を基に図4および図5の動作説明図を用いて説明する。なお、図4および図5の動作説明図では、図面の簡略化のために、書込みトランジスタ23をスイッチのシンボルで図示している。
図3のタイミング波形図において、時刻t1以前は、前のフレーム(フィールド)における有機EL素子21の発光期間となる。この前フレームの発光期間では、電源供給線32の電位DSが第1電源電位(以下、「高電位」と記述する)Vccpにあり、また、書込みトランジスタ23が非導通状態にある。
時刻t1になると、線順次走査の新しいフレーム(現フレーム)に入る。そして、図4(B)に示すように、電源供給線32の電位DSが高電位Vccpから、信号線33の基準電位Vofsに対してVofs−Vthよりも十分に低い第2電源電位(以下、「低電位」と記述する)Viniに切り替わる。
次に、時刻t3で、図4(D)に示すように、電源供給線32の電位DSが低電位Viniから高電位Vccpに切り替わると、駆動トランジスタ22のゲート電位Vgが保たれた状態で閾値補正処理が開始される。すなわち、ゲート電位Vgから駆動トランジスタ22の閾値電圧Vthを減じた電位に向けて駆動トランジスタ22のソース電位Vsが上昇を開始する。
次に、時刻t5で、図5(B)に示すように、信号線33の電位が基準電位Vofsから映像信号の信号電圧Vsigに切り替わる。続いて、時刻t6で、走査線31の電位WSが高電位側に遷移することで、図5(C)に示すように、書込みトランジスタ23が導通状態になって映像信号の信号電圧Vsigをサンプリングして画素20内に書き込む。
次に、時刻t7で走査線31の電位WSが低電位側に遷移することで、図5(D)に示すように、書込みトランジスタ23が非導通状態となる。これにより、駆動トランジスタ22のゲート電極は、信号線33から電気的に切り離されるためにフローティング状態になる。
ここで、駆動トランジスタ22の閾値キャンセル(即ち、閾値補正)の原理について説明する。駆動トランジスタ22は、飽和領域で動作するように設計されているために定電流源として動作する。これにより、有機EL素子21には駆動トランジスタ22から、次式(1)で与えられる一定のドレイン−ソース間電流(駆動電流)Idsが供給される。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)2 ……(1)
ここで、Wは駆動トランジスタ22のチャネル幅、Lはチャネル長、Coxは単位面積当たりのゲート容量である。
Ids=(1/2)・μ(W/L)Cox(Vsig−Vofs−ΔV)2
……(2)
次に、駆動トランジスタ22の移動度補正の原理について説明する。図7に、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に大きい画素Aと、駆動トランジスタ22の移動度μが相対的に小さい画素Bとを比較した状態で特性カーブを示す。駆動トランジスタ22をポリシリコン薄膜トランジスタなどで構成した場合、画素Aや画素Bのように、画素間で移動度μがばらつくことは避けられない。
以上説明した、本発明の前提となる有機EL表示装置10において、前にも述べたように、有機EL素子21を形成する工程や、駆動トランジスタ22、書込みトランジスタ23、蓄積容量24を形成する基板工程で異物が混入すると、種々の輝度欠陥が発生する。輝度欠陥としては、有機EL素子21の電極間ショートや蓄積容量24の電極間ショートによる滅点、駆動トランジスタ22の電極間ショートによる輝点、書込みトランジスタ23の電極間ショートによる半滅点などが挙げられる(図27参照)。
図9は、回路例1に係る画素分割による画素回路を示す回路図である。回路例1に係る画素分割による画素回路では、3個の有機EL素子21−1,21−2,21−3を1つの駆動回路25Aで共通に駆動する構成を採っている。3個の有機EL素子21−1,21−2,21−3は、各アノード電極が駆動トランジスタ22のソース電極に共通に接続されている。
図10は、回路例2に係る画素分割による画素回路を示す回路図である。回路例2に係る画素分割による画素回路では、3個の有機EL素子21−1,21−2,21−3を1つの駆動回路25Bで共通に駆動する構成を採っている。ただし、本回路例の場合の駆動回路25Bは、書込みトランジスタ23および保持容量24については共通にしているものの、駆動トランジスタ22については有機EL素子21−1,21−2,21−3に対応して3個有している。
図11は、回路例3に係る画素分割による画素回路を示す回路図である。回路例3に係る画素分割による画素回路では、3個の有機EL素子21−1,21−2,21−3を3つの駆動回路25−1,25−2,25−3で独立に駆動する構成を採っている。この場合、書込みトランジスタ23−1,23−2,23−3の各ゲート電極に印加される書込み走査信号WS−1,WS−2,SW−3は同じ走査タイミングで与えられる走査信号である。
図12は、回路例4に係る画素分割による画素回路を示す回路図である。回路例4に係る画素分割による画素回路でも、3個の有機EL素子21−1,21−2,21−3を3つの駆動回路25−1,25−2,25−3で独立に駆動する構成を採っている。また、駆動回路25−1,25−2,25−3の各々についても、回路例3と基本的に同じ構成となっている。
第1実施形態では、1つの画素20の発光領域を複数の有機EL素子によって3つ以上の発光領域を含む3つ以上の分割画素に分割するに当たって、3つ以上の発光領域のうち、画素20の重心に近い発光領域の面積を、当該重心から遠い発光領域の面積よりも大きく設定するようにしている。ここに、画素20の重心とは、基本的に、平面視の画素20の中心を言うものとする。
画素20の形状が例えば縦長の場合において、1つの画素20の発光領域を縦に3分割する際は、一般的には、3分割された発光領域が均等な形状にてレイアウトされる。このレイアウト構造を参考例1として図13に示す。図13には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。
この参考例1に係るレイアウト構造の問題点を解決するために為されたのが、図14に示す実施例1に係るレイアウト構造である。図14には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。
画素20の形状が例えば縦長の場合において、1つの画素20の発光領域を横に3分割する際は、一般的には、3分割された発光領域が均等な形状にてレイアウトされる。このレイアウト構造を参考例2として図15に示す。図15には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。
この参考例2に係るレイアウト構造の問題点を解決するために為されたのが、図16に示す実施例2に係るレイアウト構造である。図16には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。
第2実施形態では、1つの画素20の発光領域を複数の有機EL素子によって複数の発光領域を含む複数の分割画素に分割するに当たって、複数の発光領域について、当該複数の発光領域の配列方向に直交する方向において一部を相互にオーバーラップさせるようにしている。
画素20の形状が例えば縦長の場合において、1つの画素20の発光領域を縦に2分割する際は、一般的には、2分割された発光領域が均等な形状にてレイアウトされる。このレイアウト構造を参考例として図17に示す。図17には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。
図18に、実施例1に係るレイアウト構造を示す。図18には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。ここでは、Bの画素20Bの場合を例に挙げて説明するが、R,Gの画素20R,20GについてもBの画素20Bの場合と同様のことが言える。
図19に、実施例2に係るレイアウト構造を示す。図19には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。ここでは、Bの画素20Bの場合を例に挙げて説明するが、R,Gの画素20R,20GについてもBの画素20Bの場合と同様のことが言える。
図20に、実施例3に係るレイアウト構造を示す。図20には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。ここでは、Bの画素20Bの場合を例に挙げて説明するが、R,Gの画素20R,20GについてもBの画素20Bの場合と同様のことが言える。
図21に、実施例4に係るレイアウト構造を示す。図21には、隣り合うR,G,Bの3画素20R,20G,20Bを示している。ここでは、Bの画素20Bの場合を例に挙げて説明するが、R,Gの画素20R,20GについてもBの画素20Bの場合と同様のことが言える。
上記第1,第2実施形態では、有機EL素子21の駆動回路が、基本的に、駆動トランジスタ22および書込みトランジスタ23の2つのトランジスタからなる画素構成の場合を例に挙げて説明したが、本発明はこの画素構成への適用に限られるものではない。例えば、駆動トランジスタ22のゲート電極に基準電位Vofsを選択的に書き込むスイッチングトランジスタを有する画素構成など、種々の画素構成のものが考えられる。
以上説明した本発明による表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。一例として、図22〜図26に示す様々な電子機器、例えば、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置、ビデオカメラなどの表示装置に適用することが可能である。
Claims (11)
- 複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が3つ以上の発光領域に分割された画素が行列状に配置され、
前記3つ以上の発光領域のうち、画素の重心に近い発光領域の面積は、当該重心から遠い発光領域の面積よりも大きい
表示装置。 - 前記3つ以上の発光領域を分割する分割ラインは、前記画素の長手方向に対して直交する方向に形成されている
請求項1記載の表示装置。 - 前記3つ以上の発光領域のうち、真ん中の発光領域の面積が外側の発光領域の面積よりも大きい
請求項1記載の表示装置。 - 複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が3つ以上の発光領域に分割された画素を行列状に配置する一方、
前記3つ以上の発光領域のうち、画素の重心に近い発光領域の面積を、当該重心から遠い発光領域の面積よりも大きく設定した
画素のレイアウト方法。 - 複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が3つ以上の発光領域に分割された画素が行列状に配置され、
前記3つ以上の発光領域のうち、画素の重心に近い発光領域の面積は、当該重心から遠い発光領域の面積よりも大きい
表示装置を有する電子機器。 - 複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が複数の発光領域に分割された画素が行列状に配置され、
前記複数の発光領域は、前記画素の長手方向に直交する方向において一部が相互にオーバーラップしている
表示装置。 - 前記複数の発光領域を分割する分割ラインは、前記画素の長手方向に対して斜めに1次元で形成されている
請求項6記載の表示装置。 - 前記複数の発光領域を分割する分割ラインは、2次元で形成されている
請求項6記載の表示装置。 - 前記複数の発光領域は3つ以上の発光領域であり、
前記3つ以上の発光領域のうち、画素の重心に近い発光領域の面積は、当該重心から遠い発光領域の面積よりも大きい
請求項7または請求項8記載の表示装置。 - 複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が複数の発光領域に分割された画素を行列状に配置する一方、
前記複数の発光領域の一部を、前記画素の長手方向に直交する方向において相互にオーバーラップさせる
画素のレイアウト方法。 - 複数の電気光学素子を有し、当該複数の電気光学素子によって発光領域が複数の発光領域に分割された画素が行列状に配置され、
前記複数の発光領域は、前記画素の長手方向に直交する方向において一部が相互にオーバーラップしている
表示装置を有する電子機器。
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---|---|
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3188166A1 (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-05 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
JP2019515339A (ja) * | 2016-04-26 | 2019-06-06 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 冗長発光デバイスを備えるディスプレイ |
US10600823B2 (en) | 2015-09-02 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Assembly of semiconductor devices |
US10720468B2 (en) | 2015-11-17 | 2020-07-21 | Facebook Technologies, Llc | Redundancy in inorganic light emitting diode displays |
US10878733B2 (en) | 2015-09-02 | 2020-12-29 | Facebook Technologies, Llc | Assembly of semiconductor devices using multiple LED placement cycles |
WO2023206372A1 (zh) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | 厦门市芯颖显示科技有限公司 | 一种发光二极管显示器及其制造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001042790A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
JP2001350430A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
JP2002333870A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、el表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法 |
JP2004264633A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007286081A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
WO2008018552A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides |
JP2008158286A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2008180802A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Eastman Kodak Co | アクティブマトリクス型表示装置 |
-
2008
- 2008-09-03 JP JP2008225976A patent/JP2010060803A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001042790A (ja) * | 1999-07-30 | 2001-02-16 | Seiko Epson Corp | 表示装置 |
JP2001350430A (ja) * | 2000-06-09 | 2001-12-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表示装置 |
JP2002333870A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、el表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法 |
JP2004264633A (ja) * | 2003-03-03 | 2004-09-24 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2007286081A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
WO2008018552A1 (fr) * | 2006-08-10 | 2008-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Dispositif d'affichage à cristaux liquides |
JP2008158286A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
JP2008180802A (ja) * | 2007-01-23 | 2008-08-07 | Eastman Kodak Co | アクティブマトリクス型表示装置 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10600823B2 (en) | 2015-09-02 | 2020-03-24 | Facebook Technologies, Llc | Assembly of semiconductor devices |
US10878733B2 (en) | 2015-09-02 | 2020-12-29 | Facebook Technologies, Llc | Assembly of semiconductor devices using multiple LED placement cycles |
US10720468B2 (en) | 2015-11-17 | 2020-07-21 | Facebook Technologies, Llc | Redundancy in inorganic light emitting diode displays |
EP3188166A1 (en) * | 2015-12-31 | 2017-07-05 | LG Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
CN106935622A (zh) * | 2015-12-31 | 2017-07-07 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示设备及其维修方法 |
US10644268B2 (en) | 2015-12-31 | 2020-05-05 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device with improved sub-pixel structure for repair and repairing method of the same |
JP2019515339A (ja) * | 2016-04-26 | 2019-06-06 | フェイスブック・テクノロジーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーFacebook Technologies, Llc | 冗長発光デバイスを備えるディスプレイ |
US10916192B2 (en) | 2016-04-26 | 2021-02-09 | Facebook Technologies, Llc | Display with redundant light emitting devices |
US11727869B2 (en) | 2016-04-26 | 2023-08-15 | Meta Platforms Technologies, Llc | Display with redundant light emitting devices |
WO2023206372A1 (zh) * | 2022-04-29 | 2023-11-02 | 厦门市芯颖显示科技有限公司 | 一种发光二极管显示器及其制造方法 |
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