DE112017003050T5 - Anzeigeeinrichtung und elektronische Einrichtung - Google Patents

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    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs

Abstract

Eine Anzeigeeinrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung beinhaltet Folgendes: eine Pixelarrayeinheit, wobei die Pixel in der Pixeleinheit angeordnet sind, wobei die Pixel jeweils einen Treibertransistor beinhalten, der mehrere Gate-Elektroden beinhaltet und eine Lichtemissionseinheit als Reaktion auf ein Videosignal treibt, das an eine Gate-Elektrode der mehreren Gate-Elektroden angelegt wird; und eine Steuereinheit, die eine Gate-Spannung einer anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors steuert. Ferner beinhaltet eine elektronische Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung die Anzeigeeinrichtung mit der oben erwähnten Konfiguration.

Description

  • Technisches Gebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigeeinrichtung und eine elektronische Einrichtung und insbesondere eine flache Anzeigeeinrichtung, in der Pixel, die jeweils eine Lichtemissionseinheit beinhalten, in einem Matrixmuster angeordnet sind, und eine elektronische Einrichtung, die die Anzeigeeinrichtung beinhaltet.
  • Stand der Technik
  • Als eine von flachen (Flach-Panel) Anzeigeeinrichtungen gibt es zum Beispiel eine Organische-EL-Anzeigeeinrichtung, die eine Organische-EL-Vorrichtung als eine Lichtemissionseinheit (Lichtemissionsvorrichtung) verwendet, welche das Phänomen einer Lichtemission, wenn ein elektrisches Feld an einen organischen Dünnfilm angelegt wird, durch Verwenden einer Elektrolumineszenz (EL) eines organischen Materials verwendet.
  • Bei der flachen Anzeigeeinrichtung, die durch diese organische EL-Anzeigeeinrichtung verkörpert ist, variiert, wenn Eigenschaften (Schwellenspannung, Beweglichkeit und dergleichen) eines Treibertransistors, der die Lichtemissionseinheit treibt, für jedes Pixel abweichen, der Wert eines Stroms, der durch den Treibertransistor fließt, zwischen den Pixeln. Infolgedessen variiert, selbst wenn die gleiche Spannung an die Gate-Elektrode des Treibertransistors zwischen den Pixeln angelegt wird, die Lichtemissionsleuchtdichte der Lichtemissionseinheit zwischen den Pixeln, was die Gleichmäßigkeit eines Bildschirms beeinträchtigt.
  • Daher weist jedes Pixel der flachen Anzeigeeinrichtung, die durch die organische EL-Anzeigeeinrichtung verkörpert wird, eine Schwellenspannungskorrekturfunktion zum Korrigieren von Variationen der Eigenschaften auf, z. B. Variationen einer Schwellenspannung Vth, des Treibertransistors, der die Lichtemissionseinheit treibt, in Einheiten von Pixeln (siehe zum Beispiel Patentliteratur 1).
  • Entgegenhaltungsliste
  • Patentliteratur
  • Patentliteratur 1: Japanische Patentanmeldung, Offenlegungs-Nr. 2008-287141 .
  • Offenbarung der Erfindung
  • Technisches Problem
  • Bei der oben erwähnten Korrekturfunktion zum Korrigieren der Variation der Eigenschaften des Treibertransistors wird eine Korrektur in Einheiten von Pixeln durchgeführt. Bei einer solchen Korrekturfunktion nach dem Stand der Technik ist es zum Beispiel schwierig, einen ausreichenden Verbesserungseffekt für eine partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit in dem Bildschirm zu erzielen.
  • Es ist ein Ziel der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigeeinrichtung und eine elektronische Einrichtung einschließlich der Anzeigeeinrichtung bereitzustellen, die dazu in der Lage sind, eine partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu verbessern, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, welche in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird.
  • Lösung des Problems
  • Um das oben erwähnte Ziel zu erreichen, ist eine Anzeigeeinrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass sie Folgendes beinhaltet:
    • eine Pixelarrayeinheit, wobei die Pixel in der Pixeleinheit angeordnet sind, wobei die Pixel jeweils einen Treibertransistor beinhalten, der mehrere Gate-Elektroden beinhaltet und eine Lichtemissionseinheit als Reaktion auf ein Videosignal treibt, das an eine Gate-Elektrode der mehreren Gate-Elektroden angelegt wird; und
    • eine Steuereinheit, die eine Gate-Spannung einer anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors steuert. Ferner ist, um das oben erwähnte Ziel zu erreichen, eine elektronische Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung dadurch gekennzeichnet, dass sie die Anzeigeeinrichtung mit der oben erwähnten Konfiguration beinhaltet.
  • Bei der Anzeigeeinrichtung oder der elektronischen Einrichtung mit der oben erwähnten Konfiguration kann eine Schwellenspannung des Treibertransistors korrigiert werden, indem die Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors gesteuert wird. Entsprechend ist es möglich, eine partielle Korrektur in dem Bildschirm für die Schwellenspannung des Treibertransistors zu erzielen.
  • Vorteilhafte Auswirkungen der Erfindung
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung ist es, weil eine partielle Korrektur in dem Bildschirm für die Schwellenspannung des Treibertransistors erzielt werden kann, möglich, eine partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu verbessern, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird.
  • Es sei darauf hingewiesen, dass der hier beschriebene Effekt nicht zwangsweise einschränkend ist und ein beliebiger in der vorliegenden Offenbarung beschriebener Effekt sein kann. Ferner sind die hier beschriebenen Effekte lediglich Beispiele und sind nicht beschränkt und es können zusätzliche Effekte bereitgestellt werden.
  • Figurenliste
    • [1] 1 ist ein Systemkonfigurationsdiagramm, das schematisch eine spezielle Konfiguration einer Aktivmatrixanzeigeeinrichtung zeigt, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist.
    • [2] 2 ist ein Schaltbild, das ein Schaltkreisbeispiel eines Pixels in der Aktivmatrixanzeigeeinrichtung zeigt, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist.
    • [3] 3A ist ein erklärendes Diagramm für den Effekt auf ungeradzahlige/geradzahlige Pixelzeilen aufgrund einer schrägen Ionenimplantation, und 3B ist ein erklärendes Diagramm für eine partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit in einem Bildschirm, z. B. von horizontalen Streifen, die aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen ungeradzahligen/geradzahligen Pixelzeilen auftreten.
    • [4]4A ist ein äquivalentes Schaltbild, das einen Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur zeigt, und 4B ist ein Schaltbild eines Pixels, das einen Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur als einen Treibertransistor verwendet.
    • [5] 5 ist ein Schaltbild, das eine Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß einem Beispiel 1 zeigt.
    • [6] 6 ist ein Schaltbild, das eine Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß einem Beispiel 2 zeigt.
    • [7] 7 ist ein Schaltbild, das eine Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß einem Beispiel 3 zeigt.
    • [8] 8 ist ein Schaltbild, das eine Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß einem Beispiel 4 zeigt.
    • [9] 9 ist ein Schaltbild, das ein Schaltkreisbeispiel eines Pixels in einer Aktivmatrixanzeigeeinrichtung zeigt, auf die ein Beispiel 5 angewandt ist.
    • [10] 10 ist eine Querschnittsansicht, die ein Beispiel für eine Querschnittsstruktur eines Dual-Gate-TFT zeigt.
    • [11] 11 ist ein Schaltbild, das eine Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß einem Beispiel 5 zeigt.
    • [12] 12 ist eine Außenerscheinungsansicht einer digitalen Fotokamera eines Spiegelreflextyps mit Wechselobjekt, 12A zeigt eine Vorderansicht davon und 12B zeigt eine Hinteransicht davon.
    • [13] 13 ist eine Außenerscheinungsansicht eines Head-Mounted-Displays (einer am Kopf getragenen Anzeige).
  • Ausführungsweise(n) der Erfindung
  • Nachfolgend werden Ausführungsformen zum Ausführen der Technologie der vorliegenden Offenbarung (nachfolgend als „Ausführungsformen“ bezeichnet) unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ausführlich beschrieben. Die Technologie der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die Ausführungsformen beschränkt und verschiedene numerische Werte, Materialien und dergleichen in den Ausführungsformen sind lediglich Beispiele. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Komponenten oder Komponenten mit der gleichen Funktion durch die gleichen Bezugssymbole bezeichnet und eine doppelte Beschreibung wird weggelassen. Es ist zu beachten, dass die Beschreibungen in der folgenden Reihenfolge erfolgen werden.
    • 1. Anzeigeeinrichtung und elektronische Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, Allgemeine Beschreibung
    • 2. Anzeigeeinrichtung, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist
      • 2-1. Systemkonfiguration
      • 2-2. Pixelschaltkreis
      • 2-3. Basisschaltkreisbetrieb
      • 2-4. Partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit in einem Bildschirm
    • 3. Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung
      • 3-1. Transistor mit Neuron-MOS-Struktur
        • 3-1-1. Vorrichtungsstruktur
        • 3-1-2. Betriebsprinzip
      • 3-2. Beispiel 1 (Beispiel für eine Gegenmaßnahme gegen horizontale Streifen: Beispiel des Verwendens von Neuron-MOS)
      • 3-3. Beispiel 2 (Modifiziertes Beispiel von Beispiel 1)
      • 3-4. Beispiel 3 (Modifiziertes Beispiel von Beispiel 1/Beispiel 2)
      • 3-5. Beispiel 4 (Modifiziertes Beispiel von Beispiel 1: Beispiel des Steuerns von Back-Gate)
      • 3-6. Beispiel 5 (Modifiziertes Beispiel von Beispiel 1: Beispiel des Steuerns von Dual-Gate)
    • 4. Modifiziertes Beispiel
    • 5. Elektronische Einrichtung
      • 5-1. Spezielles Beispiel 1 (Beispiel einer digitalen Fotokamera)
      • 5-2. Spezielles Beispiel 2 (Beispiel eines Head-Mounted Display)
    • 6. Konfiguration der vorliegenden Offenbarung
  • <Anzeigeeinrichtung und elektronische Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, Allgemeine Beschreibung>
  • Bei einer Anzeigeeinrichtung und einer elektronischen Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann eine Steuereinheit zur Schwellenspannung des Treibertransistors konfiguriert sein, indem die Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode gesteuert wird. Ferner kann die Steuereinheit eine vorbestimmte Gleichspannung an die andere Gate-Elektrode als Steuerspannung anlegen. Die andere Gate-Elektrode kann eine Back-Gate sein oder eine von Gate-Elektroden einer Dual-Gate-Struktur.
  • Bei der Anzeigeeinrichtung und der elektronischen Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung einschließlich der oben erwähnten vorteilhaften Konfiguration kann die Steuereinheit zum Steuern der Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode in Einheiten von Pixelzeilen der Pixelarrayeinheit konfiguriert sein. Ferner können die Pixel, die jeweils den Treibertransistor beinhalten, der die mehreren Gate-Elektroden beinhaltet, in geradzahligen Pixelzeilen, ungeradzahligen Pixelzeilen oder sämtlichen Pixelzeilen der Pixelarrayeinheit angeordnet sein und kann die Steuereinheit dazu konfiguriert sein, die Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode in lediglich den geradzahligen oder den ungeradzahligen oder in sämtlichen Pixelzeilen zu steuern.
  • Des Weiteren können bei der Anzeigeeinrichtung und der elektronischen Einrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung, die die oben erwähnte vorteilhafte Konfiguration beinhalten, die Pixel jeweils eine Schwellenspannungskorrekturfunktion des Verwendens einer Initialisierungsspannung der Gate-Elektrode, an die das Videosignal angelegt wird, des Treibertransistors als eine Referenz und des Änderns der Source-Spannung des Treibertransistors zu einer Spannung, die durch Subtrahieren der Schwellenspannung des Treibertransistors von der Initialisierungsspannung erhalten wird, aufweisen. Ferner kann die Lichtemissionseinheit eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung beinhalten.
  • <Anzeigeeinrichtung, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist>
  • [Systemkonfiguration]
  • Zuerst wird eine Anzeigeeinrichtung, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist, insbesondere eine Aktivmatrixanzeigeeinrichtung, beschrieben. 1 ist ein Systemkonfigurationsdiagramm, das schematisch eine spezielle Konfiguration einer Aktivmatrixanzeigeeinrichtung zeigt, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist.
  • Die Aktivmatrixanzeigeeinrichtung ist eine Anzeigeeinrichtung, die einen Strom, der durch eine elektrooptische Vorrichtung fließt, durch eine aktive Vorrichtung, zum Beispiel einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, die in einem Pixelschaltkreis bereitgestellt ist, der die elektrooptische Vorrichtung beinhaltet, steuert. Typische Beispiele des Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate beinhalten einen MOS-Transistor und einen TFT (Thin Film Transistor - Dünnfilmtransistor).
  • Hier wird eine organische Aktivmatrix-EL-Einrichtung, die eine organische EL-Vorrichtung verwendet, als ein Beispiel für eine Lichtemissionseinheit (Lichtemissionsvorrichtung) des Pixelschaltkreises beschrieben. Die organische EL-Vorrichtung ist eine elektrooptische Vorrichtung vom Stromtreibertyp (Eigenlichtemissionsvorrichtung), in der die Lichtemissionsleuchtdichte in Abhängigkeit von dem Wert des Stroms, der durch die Vorrichtung fließt, geändert wird.
  • Wie in 1 gezeigt, beinhaltet eine organische EL-Anzeigeeinrichtung 10, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt wird, eine Pixelarrayeinheit 30, in der mehrere Pixel 20, die jeweils eine organische EL-Vorrichtung beinhalten, zweidimensional in einem Matrixmuster angeordnet ist, und eine Treiberschaltkreiseinheit, die sich um die Pixelarrayeinheit 30 herum befindet. Der Treiberschaltkreis beinhaltet zum Beispiel eine Schreib-Scan-Einheit 40, eine erste Treiber-Scan-Einheit 50, eine zweite Treiber-Scan-Einheit 60, eine Signalausgabeeinheit 70 und dergleichen, die auf einem Anzeigefeld 80 montiert sind, das die Pixelarrayeinheit 30 beinhaltet, und treibt jedes der Pixel 20 der Pixelarrayeinheit 30. Es wird angemerkt, dass manche oder alle der Schreib-Scan-Einheit 40, der ersten Treiber-Scan-Einheit 50, der zweiten Treiber-Scan-Einheit 60 und der Signalausgabeeinheit 70 außerhalb des Anzeigefelds 80 bereitgestellt sein können.
  • Hier beinhaltet in dem Fall, bei dem die organische EL-Anzeigeeinrichtung 10 eine Farbanzeige unterstützt, ein Pixel (Einheitspixel) als eine Einheit zum Bilden eines Farbbildes mehrere Unterpixel. In diesem Fall entspricht jedes der Unterpixel dem Pixel 20 in 1. Insbesondere beinhaltet bei der Anzeigeeinrichtung, die eine Farbanzeige unterstützt, ein Pixel drei Unterpixel, d. h. ein Unterpixel, das rotes (R) Licht emittiert, ein Unterpixel, das grünes (G) Licht emittiert, und ein Unterpixel, das blaues (B) Licht emittiert.
  • Jedoch ist das eine Pixel nicht auf die Kombination von Unterpixel der drei Hauptfarben (RGB) begrenzt und ein Pixel kann durch Hinzufügen eines Unterpixels einer Farbe oder von Unterpixeln mehrerer Farben zu den Unterpixeln der drei Hauptfarben konfiguriert werden. Spezieller kann zum Beispiel ein Pixel durch Hinzufügen eines Unterpixels konfiguriert werden, das weißes (W) Licht emittiert, um die Leuchtdichte zu verbessern, oder kann ein Pixel durch Hinzufügen von wenigstens einem Unterpixel konfiguriert werden, das Licht einer Komplementärfarbe emittiert, um den Farbreproduktionsumfang zu vergrößern.
  • In der Pixelarrayeinheit 30 sind mit Bezug auf die Anordnung der Pixel 20 in m Zeilen und n Spalten Scan-Leitungen 31 (311 bis 31m), erste Treiberleitungen 32 (321 bis 32m) und zweite Treiberleitungen 33 (331 bis 33m) für die entsprechende Pixelzeile entlang der Zeilenrichtung (Anordnungsrichtung der Pixel in den Pixelzeilen) verdrahtet. Ferner sind mit Bezug auf die Anordnung der Pixel 20 in m Zeilen und n Spalten Signalleitungen 34 (341 bis 34n) für die entsprechenden Pixelspalten entlang der Spaltenrichtung (Anordnungsrichtung der Pixel in den Pixelspalten) verdrahtet.
  • Die Scan-Leitungen 311 bis 31m sind jeweils mit dem Ausgangsanschluss in der entsprechenden Zeile der Schreib-Scan-Einheit 40 verbunden. Die ersten Treiberleitungen 321 bis 32m sind jeweils mit dem Ausgangsanschluss in der entsprechenden Zeile der ersten Treiber-Scan-Einheit 50 verbunden. Die zweiten Treiberleitungen 331 bis 33m sind jeweils mit dem Ausgangsanschluss in der entsprechenden Zeile der zweiten Treiber-Scan-Einheit 60 verbunden. Die Signalleitungen 341 bis 34n sind jeweils mit dem Ausgangsanschluss in der entsprechenden Spalte der Signalausgabeeinheit 70 verbunden.
  • Die Schreib-Scan-Einheit 40 beinhaltet einen Schieberegisterschaltkreis und dergleichen. Diese Schreib-Scan-Einheit 40 führt, wenn eine Signalspannung eines Videosignals in jedes Pixel 20 der Pixelarrayeinheit 30 geschrieben wird, einen sogenannten Leitungssequenzscan durch, der jedes Pixel 20 der Pixelarrayeinheit 30 in Einheiten von Zeilen in einer Sequenzreihenfolge scannt, indem sequenziell Schreib-Scan-Signale WS (WS1 bis WSm) an die Scan-Leitungen 31 (311 bis 31m) geliefert werden.
  • Die erste Treiber-Scan-Einheit 50 beinhaltet einen Schieberegisterschaltkreis und dergleichen, ähnlich der Schreib-Scan-Einheit 40. Die erste Treiber-Scan-Einheit 50 steuert eine Lichtemission/Nichtlichtemission (Ausschalten) der Pixel 20 durch Liefern von ersten Steuersignalen DS (DS1 bis DSm) an die ersten Treiberleitungen 32 (321 bis 32m) in Synchronisation mit dem Leitungssequenzscannen, das durch die Schreib-Scan-Einheit 40 durchgeführt wird.
  • Die zweite Treiber-Scan-Einheit 60 beinhaltet einen Schieberegisterschaltkreis und dergleichen, ähnlich der Schreib-Scan-Einheit 40. Die zweite Treiber-Scan-Einheit 60 führt eine Steuerung des Bewirkens, dass die Pixel 20 kein Licht in der Nichtlichtemissionsperiode emittieren, durch Liefern von zweiten Steuersignalen AZ (AZ1 bis AZm) an die zweiten Treiberleitungen 33 (331 bis 33m) in Synchronisation mit dem Leitungssequenzscannen durch, das durch die Schreib-Scan-Einheit 40 durchgeführt wird.
  • Die Signalausgabeeinheit 70 gibt selektiv eine Signalspannung Vsig des Videosignals, die von den Leuchtdichteinformationen abhängt, die von einer (nicht gezeigten) Signalversorgungsquelle (nachfolgend in manchen Fällen zur Vereinfachung als „Signalspannung“ bezeichnet) bereitgestellt werden, und eine Referenzspannung Vofs aus. Hier ist die Referenzspannung Vofs eine Spannung (z. B. eine Spannung, die einem Schwarzniveau des Videosignals entspricht) als eine Referenz der Signalspannung Vsig des Videosignals oder einer Spannung nahe bei dieser und verwendet als Initialisierungsspannung in einem Schwellenspannungskorrekturvorgang, der später beschrieben wird.
  • Die Signalspannung Vsig/die Referenzspannung Vofs, die alternativ von der Signalausgabeeinheit 70 ausgegeben werden, werden über die Signalleitungen 34 (341 bis 34n) in Einheiten von Pixelzeilen, die durch das Leitungssequenzscannen ausgewählt werden, das durch die Schreib-Scan-Einheit 40 durchgeführt wird, in das Pixel 20 der Pixelarrayeinheit 30 geschrieben. Das heißt, die Signalausgabeeinheit 70 nimmt einen Treibermodus des Leitungssequenzschreibens an, bei dem die Signalspannung Vsig in Einheiten von Pixelzeilen (Leitungen) geschrieben wird.
  • [Pixelschaltkreis]
  • 2 ist ein Schaltbild, das ein Schaltkreisbeispiel für das Pixel (Pixelschaltkreis) 20 in der Aktivmatrixanzeigeeinrichtung zeigt, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist. Die Lichtemissionseinheit des Pixels 20 beinhaltet eine organische EL-Vorrichtung (organische Elektrolumineszenzvorrichtung) 21 als eine Eigenlichtemissionsvorrichtung.
  • Wie in 2 gezeigt, beinhaltet das Pixel 20 die organische EL-Vorrichtung 21 und einen Treiberschaltkreis, der die organische EL-Vorrichtung 21 durch Anlegen eines Stroms an die organische EL-Vorrichtung 21 treibt. Eine Kathodenelektrode der organischen EL-Vorrichtung 21 ist mit einer Kathodenverdrahtung 35 als eine gemeinsame Leistungsquellenleitung verbunden, die gemeinsam für sämtliche Pixel 20 verdrahtet ist.
  • Der Treiberschaltkreis der organischen EL-Vorrichtung 21 beinhaltet einen Treibertransistor 22, einen Schreibtransistor 23, einen Lichtemissionssteuertransistor 24, einen Schalttransistor 25, eine Haltekapazität 26 und eine Hilfskapazität 27. Hier sind Vorrichtungen, die das Pixel 20 darstellen, d. h. die organische EL-Vorrichtung 21, der Treibertransistor 22, der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24, der Schalttransistor 25, die Haltekapazität 26 und die Hilfskapazität 27, auf einem Halbleitersubstrat gebildet, wie etwa einem einkristallinen Siliciumsubstrat als ein Beispiel
  • Der Treibertransistor 22, der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24 und der Schalttransistor 25 beinhalten jeweils einen p-Kanal-Transistor und weisen eine Struktur von nicht drei, d. h. Source/Gate/Drain-, Anschlüssen, sondern vier, d. h. Source/Gate/Drain/Back-Gate-, Anschlüssen auf. Zusätzlich wird an die Back-Gates der Transistoren 22 bis 25 eine Leistungsquellenspannung Vcc angelegt.
  • In dem Pixel 20 mit der oben erwähnten Konfiguration schreibt der Schreibtransistor 23 die Signalspannung Vsig in die Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 durch Abtasten der Signalspannung Vsig, die mittels der Signalleitung 34 von der Signalausgabeeinheit 70 bereitgestellt wird. Der Lichtemissionssteuertransistor 24 ist zwischen der Leistungsquellenleitung der Leistungsquellenspannung Vcc und der Source-Elektrode des Treibertransistors 22 verbunden und steuert eine Lichtemission/Nichtlichtemission der organischen EL-Vorrichtung 21 während des Treibens durch das erste Steuersignal DS. Der Schalttransistor 25 ist zwischen der Drain-Elektrode des Treibertransistors 22 und einem Stromentladungszielknoten (z. B. der Kathodenverdrahtung 35) verbunden und führt eine Steuerung des Bewirkens durch, dass die organische EL-Vorrichtung 21 kein Licht in der Lichtemissionsperiode während des Treibens durch die zweiten Steuersignale AZ emittiert.
  • Die Haltekapazität 26 ist zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Treibertransistors 22 verbunden und hält die Signalspannung Vsig, die durch den Schreibtransistor 23 geschrieben wird. Der Treibertransistor 22 treibt die organische EL-Vorrichtung 21 durch Anlegen eines Treiberstroms, der von der Haltespannung der Haltekapazität 26 abhängt, an die organische EL-Vorrichtung 21. Die Hilfskapazität 27 ist zwischen der Source-Elektrode des Treibertransistors 22 und einem Knoten mit einem festen Potential (z. B. der Leistungsquellenleitung der Leistungsquellenspannung Vcc) verbunden.
  • [Basisschaltkreisbetrieb]
  • Nun wird der Basisschaltkreisbetrieb des Pixels 20 in der organischen Aktivmatrix-EL-Anzeigeeinrichtung 10 mit der oben erwähnten Konfiguration beschrieben.
  • Es wird angemerkt, dass, da der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24 und der Schalttransistor 25 jeweils p-Kanal-Transistoren sind, der Low-Pegel-Zustand und der High-Pegel-Zustand für sowohl das Schreib-Scan-Signal WS, das erste Steuersignal DS als auch das zweite Steuersignal AZ ein aktiver Zustand bzw. ein nichtaktiver Zustand sind. Ferner befinden sich der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24 und der Schalttransistor 25 jeweils in einem leitfähigen Zustand und einem nichtleitfähigen Zustand, wenn das Schreib-Scan-Signal WS, das erste Steuersignal DS und das zweite Steuersignalen AZ sich in dem aktiven Zustand bzw. dem nichtaktiven Zustand befinden.
  • Während die Referenzspannung Vofs von der Signalausgabeeinheit 70 zu der Signalleitung 34 ausgegeben wird, geht zuerst das Schreib-Scan-Signal WS in den aktiven Zustand über und geht der Schreibtransistor 23 in den leitfähigen Zustand über, sodass die Referenzspannung Vofs in die Gate-Elektrode geschrieben wird. Entsprechend wird die Gate-Spannung Vg des Treibertransistors 22 zu der Referenzspannung Vofs .
  • Ferner befindet sich das erste Steuersignal DS bei dem Timing des Schreibens der Referenzspannung Vofs in einem Low-Pegel-Zustand und befindet sich der Lichtemissionssteuertransistor 24 in dem leitfähigen Zustand. Infolgedessen wird die Schwellenspannung Vs des Treibertransistors 22 zu der Leistungsquellenspannung Vcc. Zu dieser Zeit erfüllt die Gate-Source-Spannung Vgs des Treibertransistors 22 die Beziehung Vgs=Vofs-Vcc.
  • Um einen Schwellenspannungskorrekturvorgang (Schwellenspannungskorrekturverarbeitung) durchzuführen, der später beschrieben wird, muss hier die Gate-Source-Spannung Vgs des Treibertransistors 22 größer als die Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22 gemacht werden. Aus diesem Grund wird jeder Spannungswert so eingestellt, dass die Beziehung |Vgs| = |Vofs-Vcc| > |Vth| erfüllt wird.
  • Wie oben beschrieben, ist der Initialisierungsvorgang des Einstellens der Gate-Spannung Vg des Treibertransistors 22 auf die Referenzspannung Vofs und der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 auf die Leistungsquellenspannung Vcc ein Vorbereitungs (Schwellenspannungkorrekturvorbereitungs) - Vorgang vor dem Durchführen des nächsten Schwellenspannungskorrekturvorgangs. Daher sind die Referenzspannung Vofs und die Leistungsquellenspannung Vcc eine Initialisierungsspannung der Gate-Spannung Vg des Treibertransistors 22 bzw. eine Initialisierungsspannung der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22.
  • Als Nächstes geht, wenn das erste Steuersignal DS in den nichtaktiven Zustand übergeht und der Lichtemissionssteuertransistor 24 in den nichtleitfähigen Zustand übergeht, die Source-Elektrode des Treibertransistors 22 in einen potentialfreien Zustand über und wird der Schwellenspannungskorrekturvorgang begonnen, während die Gate-Spannung Vg des Treibertransistors 22 auf der Referenzspannung Vofs gehalten wird. Das heißt, die Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 beginnt, zu einer Spannung (Vg-Vth) hin abzunehmen, die durch Subtrahieren der Schwellenspannung Vth von der Gate-Spannung Vg (=Vofs) des Treibertransistors 22 erhalten wird.
  • Wie oben beschrieben, ist der Vorgang des Änderns der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 zu einer Spannung (Vofs-Vth) hin, die durch Subtrahieren der Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22 von der Initialisierungsspannung Vofs erhalten wird, durch Verwenden der Initialisierungsspannung Vofs der Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 als eine Referenz der Schwellenspannungskorrekturvorgang. Wenn dieser Schwellenspannungskorrekturvorgang abläuft, konvergiert eine Gate-Source-Spannung Vgs des Treibertransistors 22 schlussendlich zu der Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22. Diese Spannung, die der Schwellenspannung Vth entspricht, wird in der Haltekapazität 26 gehalten.
  • Dann geht das Schreib-Scan-Signal WS in den nichtaktiven Zustand über und geht der Schreibtransistor 23 in den nichtleitfähigen Zustand über, sodass die Schwellenspannungskorrekturperiode abgeschlossen ist. Danach wird die Signalspannung Vsig des Videosignals von der Signalausgabeeinheit 70 an die Signalleitung 34 ausgegeben und wird das Potential der Signalleitung 34 von der Referenzspannung Vofs zu der Signalspannung Vsig geschaltet.
  • Als Nächstes geht das Schreib-Scan-Signal WS in den aktiven Zustand über, sodass der Schreibtransistor 23 in den leitfähigen Zustand übergeht, die Signalspannung Vsig abtastet und dann die abgetastete Signalspannung Vsig in das Pixel 20 schreibt. Mit diesem Schreibvorgang der Signalspannung Vsig durch den Schreibtransistor 23 wird die Gate-Spannung Vg des Treibertransistors 22 zu der Signalspannung Vg.
  • Zu der Zeit des Schreibens der Signalspannung Vsig des Videosignals wirkt die Hilfskapazität 27, die zwischen der Source-Elektrode des Treibertransistors 22 und der Leistungsquellenleitung der Leistungsquellenspannung Vcc verbunden ist, dazu, die Änderung der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 zu unterdrücken. Dann wird die Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22 zu der Zeit des Treibens des Treibertransistors 22 durch die Signalspannung Vsig des Videosignals durch die Spannung aufgehoben, die der Schwellenspannung Vth entspricht, die in der Haltekapazität 26 gehalten wird.
  • Zu dieser Zeit wird die Gate-Source-Spannung Vgs des Treibertransistors 22 in Abhängigkeit von der Signalspannung Vsig geöffnet (erhöht). Jedoch befindet sich die Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 immer noch in einem potentialfreien Zustand. Aus diesem Grund werden die Ladungen, die in der Haltekapazität 26 gespeichert sind, gemäß Eigenschaften des Treibertransistors 22 entladen. Dann wird das Laden der äquivalenten Kapazität der organischen EL-Vorrichtung 21 durch den Strom begonnen, der zu dieser Zeit durch den Treibertransistor 22 fließt.
  • Da die äquivalente Kapazität der organischen EL-Vorrichtung 21 geladen wird, wird die Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 allmählich mit verstreichender Zeit verringert. Zu dieser Zeit wurde die Variation der Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22 für jedes Pixel aufgehoben und hängt der Drain-Source-Strom Ids des Treibertransistors 22 von einer Beweglichkeit µ eines Halbleiterdünnfilms ab, der einen Kanal des Treibertransistors 22 darstellt (nachfolgend einfach als „die Mobilität µ“ bezeichnet).
  • Hier wirkt der Betrag einer Abnahme der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 zum Entladen der Ladungen, die in der Haltekapazität 26 gespeichert sind. Mit anderen Worten wurde eine negative Rückkopplung an die Haltekapazität durch den Betrag einer Abnahme (Änderungsbetrag) der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 angelegt. Daher wird der Betrag einer Abnahme der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 zu dem Rückkopplungsbetrag der negativen Rückkopplung.
  • Wie oben beschrieben, ist es durch Anlegen einer negativen Rückkopplung an die Haltekapazität 26 durch den Rückkopplungsbetrag in Abhängigkeit von dem Drain-Source-Strom Ids, der durch den Treibertransistor 22 fließt, möglich, die Abhängigkeit des Drain-Source-Stroms Ids des Treibertransistors 22 von der Beweglichkeit µ aufzuheben. Dieser Aufhebungsvorgang (Aufhebungsverarbeitung) ist ein Beweglichkeitskorrekturvorgang (Beweglichkeitskorrekturverarbeitung) des Korrigierens der Variation der Beweglichkeit µ des Treibertransistors 22 für jedes Pixel.
  • Da der Drain-Source-Strom Ids zunimmt, wenn eine Signalamplitude Vin (=Vsig-Vofs) des Videosignals, das in die Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 geschrieben wird, größer wird, wird insbesondere auch der absolute Wert des Rückkopplungsbetrags der negativen Rückkopplung erhöht. Daher wird die Beweglichkeitskorrekturverarbeitung in Abhängigkeit von der Signalamplitude Vin des Videosignals, d. h. dem Lichtemissionsleuchtdichtepegel, durchgeführt. Ferner ist es in dem Fall, bei dem die Signalamplitude Vin des Videosignals konstant gehalten wird, weil der absolute Wert des Rückkopplungsbetrags der negativen Rückkopplung erhöht wird, wenn die Beweglichkeit µ des Treibertransistors 22 größer wird, möglich, die Variation der Beweglichkeit µ für jedes Pixel zu entfernen.
  • Dann geht das Schreib-Scan-Signal WS in den nichtaktiven Zustand über und geht der Schreibtransistor 23 in den nichtleitfähigen Zustand über, sodass der Vorgang (die Verarbeitung) des Schreibens der Signalspannung und des Korrigierens der Beweglichkeit abgeschlossen ist. Danach geht das erste Steuersignal DS in den nichtaktiven Zustand über und geht der Lichtemissionssteuertransistor 24 in den leitfähigen Zustand über, sodass Strom von der Leistungsquellenleitung der Leistungsquellenspannung Vcc über den Lichtemissionssteuertransistor 24 an den Treibertransistor 22 geliefert wird.
  • Zu dieser Zeit wird, weil sich der Schreibtransistor 23 in dem nichtleitfähigen Zustand befindet, die Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 elektrisch von der Signalleitung 34 getrennt und befindet sich in einem potentialfreien Zustand. Falls sich die Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 in einem potentialfreien Zustand befindet, weil die Haltekapazität 26 zwischen dem/der Gate/Source des Treibertransistors 22 verbunden ist, wird hier die Gate-Spannung Vg in Synchronisation mit der Änderung der Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 geändert.
  • Das heißt, die Source-Spannung Vs und die Gate-Spannung Vg des Treibertransistors 22 werden erhöht, während die Gate-Source-Spannung Vgs in der Haltekapazität 26 beibehalten wird. Dann wird die Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 auf die Lichtemissionsspannung Voled der organischen EL-Vorrichtung 21 erhöht, die von dem Sättigungsstrom des Transistors abhängt.
  • Wie oben beschrieben, ist der Vorgang, bei dem die Gate-Spannung Vg des Treibertransistors 22 in Synchronisation mit der Änderung der Source-Spannung Vs geändert wird, ein Bootstrap-Vorgang. Mit anderen Worten ist der Bootstrap-Vorgang ein Vorgang, bei dem die Gate-Spannung Vg und die Source-Spannung Vs des Treibertransistors 22 geändert werden, während die Gate-Source-Spannung Vgs, die in der Haltekapazität 26 gehalten wird, d. h. die Spannung zwischen beiden Enden der Haltekapazität 26, beibehalten wird.
  • Dann beginnt der Drain-Source-Strom Ids des Treibertransistors 22, zu der organischen EL-Vorrichtung 21 zu fließen, sodass eine Anodenspannung Vano der organischen EL-Vorrichtung 21 in Abhängigkeit von der Spannung Ids erhöht wird. Wenn die Anodenspannung Vano der organischen EL-Vorrichtung 21 schließlich die Schwellenspannung vthel der organischen EL-Vorrichtung 21 überschreitet, beginnt der Treiberstrom, zu der organischen EL-Vorrichtung 21 zu fließen. Entsprechend beginnt die organische EL-Vorrichtung 21, Licht zu emittieren.
  • Währenddessen bringt in der Nichtlichtemissionsperiode der organischen EL-Vorrichtung 21 die zweite Treiber-Scan-Einheit 60 das zweite Steuersignal AZ in den aktiven Zustand und den Schalttransistor 25 in den leitfähigen Zustand. Da der Schalttransistor 25 in den leitfähigen Zustand übergeht, werden, mittels des Schalttransistors 25, die Drain-Elektrode des Treibertransistors 22 (Anodenelektrode der organischen EL-Vorrichtung 21) und die Kathodenverdrahtung 35 als der Stromentladungszielknoten elektrisch kurzgeschlossen.
  • Hier ist der Einschaltwiderstand des Schalttransistors 25 viel kleiner als jener der organischen EL-Vorrichtung 21. Daher ist es in der Nichtlichtemissionsperiode der organischen EL-Vorrichtung 21 möglich, erzwungen zu bewirken, dass Strom, der zu den Treibertransistor 22 fließt, zu der Kathodenverdrahtung 35 fließt, sodass der Strom nicht zu der organischen EL-Vorrichtung 21 fließt. Im Übrigen gehen in der horizontalen Periode, in der die Schwellenspannungkorrektur und das Signalschreiben durchgeführt werden, die zweiten Steuersignale AZ in den aktiven Zustand über. Jedoch befinden sich die zweiten Steuersignale AZ in der anschließenden Lichtemissionsperiode in dem nichtaktiven Zustand.
  • Die oben erwähnte organische EL-Anzeigeeinrichtung 10, die die organische EL-Vorrichtung 21, die eine Eigenlichtemissionsvorrichtung ist, als eine Lichtemissionseinheit des Pixels 20 verwendet, weist die folgenden Eigenschaften auf. Das heißt, die organische EL-Anzeigeeinrichtung 10 bringt aufgrund der exzellenten Bildqualität (Kontrast), von Vorteilen zur Verdünnung, Anwendung und Entwicklung hinsichtlich einer transparenten Anzeige und einer flexiblen Anzeige und dergleichen im Vergleich zu einer Flüssigkristallanzeigeeinrichtung, die die gleiche flache Anzeigeeinrichtung ist, große Erwartungen als eine Anzeige der nächsten Generation mit sich. Ferner wurden durch Konfigurieren einer organischen EL auf einem Halbleitersubstrat, wie etwa einem einkristallinen Siliciumsubstrat, ebenfalls Anwendungen für einen elektrischen Bildsucher einer digitalen Fotokamera, ein Head-Mounted-Display als eine ultrakleine Anzeigeeinrichtung begonnen.
  • Dementsprechend ist bei der organischen EL-Anzeigeeinrichtung 10 die Anzahl an Bestandteilvorrichtungen des Pixels 20 größer als jene der Flüssigkristallanzeigeeinrichtung. Zum Beispiel beinhaltet das in 2 gezeigte Pixel 20 die vier Transistoren (22 bis 25) und zwei kapazitive Vorrichtungen (26 und 27) als die Bestandteilvorrichtungen. Wenn die Anzahl an Bestandteilvorrichtungen des Pixels 20 groß ist, ist es für eine hohe Auflösung nachteilhaft. Von einem solchen Blickpunkt aus ergibt sich insbesondere in einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung, die auf einem Halbleitersubstrat gebildet ist, ein neuer Twist zum Bewirken, dass die Verdrahtung oder dergleichen zum Treiben des Pixels 20 zwischen angrenzenden Pixelzeilen der Pixelanordnung geteilt wird, d. h. zwischen der ungeradzahligen Pixelzeile und der geradzahligen Pixelzeile. Entsprechend wird der Raum des Anzeigebereichs (Pixelarrayeinheit 30) komprimiert, um eine hohe Auflösung zu realisieren.
  • [Partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit in einem Bildschirm]
  • Wie oben beschrieben, wird, falls bewirkt wird, dass die Verdrahtung oder dergleichen zwischen der ungeradzahligen Pixelzeile und der geradzahligen Pixelzeile geteilt wird, eine spiegelverkehrte Struktur, in der die Pixelstruktur der ungeradzahligen Zeile und der geradzahligen Zeile mit Bezug auf die Grenzlinie zwischen der geradzahligen Zeile und der ungeradzahligen Zeile symmetrisch sind, angenommen. Wenn die Pixelstruktur der nicht geradzahligen Zeile und die Pixelstruktur der geradzahligen Zeile jeweils eine spiegelverkehrte Struktur sind, wie oben beschrieben ist, treten die folgenden Phänomene a) und b) auf.
    • a) In dem Produktionsprozess wird allgemein eine in 3A gezeigt schräge Ionenimplantation verwendet. Ein Unterschied (charakteristischer Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile) der Eigenschaften (Schwellenspannung, Beweglichkeit und dergleichen) des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile tritt aufgrund einer Abweichung einer Ionenimplantation in dem Produktionsprozess auf.
    • b) Zum Beispiel weicht das Kopplungspotential zwischen der ungeradzahligen Zeile und der geradzahligen Zeile aufgrund des Formunterschieds zwischen der Pixelstruktur der ungeradzahligen Zeile und der Pixelstruktur der geradzahligen Zeile ab, der durch die Maskierungsabweichung oder dergleichen verursacht wird (der Kopplungsunterschied hängt von der Form der Pixelstruktur ab).
  • Wie oben beschrieben, weist das Pixel 20 bei der allgemein organischen EL-Anzeigeeinrichtung 10 eine Funktion zum Korrigieren der Transistoreigenschaften, wie etwa der Schwellenspannung Vth und der Beweglichkeit µ, in Einheiten von Pixeln auf und verbessert die Gleichmäßigkeit, z. B. vertikale Streifen, durch Verwenden dieser Korrekturfunktion. Wenn jedoch lediglich die Funktion der Korrektur in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird, reicht es nicht aus, die Gleichmäßigkeit für den Effekt des oben beschriebenen charakteristischen Unterschieds des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und dem oben erwähnten Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur zu verbessern. Infolgedessen gibt es, wie in 3B gezeigt, ein Problem einer partiellen Verschlechterung der Gleichmäßigkeit in dem Bildschirm, z. B. von horizontalen Streifen, die aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen/der geradzahligen Zeile auftreten.
  • <Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung>
  • Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung wird, um zu ermöglichen, eine partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu bewältigen, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird, ein Transistor einschließlich der mehreren Gate-Elektroden als der Treibertransistor 22 des Pixels 20 verwendet. Zusätzlich wird die organische EL-Vorrichtung 21 durch Anlegen eines Videosignals an eine Gate-Elektrode der mehreren Gate-Elektroden des Treibertransistors 22 getrieben, während die Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22 durch Steuern der Gate-Spannung einer anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors korrigiert wird.
  • Beispiele für den Transistor einschließlich der mehreren Gate-Elektroden beinhalten einen Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur und einer Dual-Gate-Struktur in einer Back-Gate-Einheit eines MOS-Transistors oder eines TFT (Dünnfilmtransistors).
  • [Transistor mit Neuron-MOS-Struktur]
  • Nun wird ein Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur beschrieben. Der äquivalente Schaltkreis des Transistors mit einer Neuron-MOS-Struktur ist in 4A gezeigt. In 4A zeigt die linke Seite einen p-Kanal-Neuron-MOS und die rechte Seite einen n-Kanal-Neuron-MOS. Ferner ist in 4B ein Pixelschaltkreis, der einen Transistor mit einer p-Kanal-Neuron-MOS-Struktur verwendet, als der Treibertransistor 22 gezeigt.
  • (Vorrichtungsstruktur)
  • Wie 4 gezeigt, findet sich bei dem Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur die Gate-Elektrode in einem elektrisch potentialfreien Zustand, sind mehrere Gate-Elektroden (zwei Gate-Elektroden G1 und G2 bei diesem Beispiel) auf der Seite bereitgestellt, die dem Kanal gegenüberliegt, und sind diese Gate-Elektroden G1 und G2 kapazitiv mit einem potentialfreien Gate Gf gekoppelt.
  • Ferner wird, falls der Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur als der Treibertransistor 22 verwendet wird, wie in 4B gezeigt ist, angenommen, dass die Signalspannung Vsig als Gate-Spannung V1 der einen Gate-Elektrode G1 angelegt wird und die Steuerspannung Vcont als Gate-Spannung V2 der anderen geht-Elektrode G2 angelegt wird.
  • (Betriebsprinzip)
  • Allgemein ist die Spannung (potentialfreie Gate-Spannung) ΦF des potentialfreien Gate Gf des Transistors mit einer Neuron-MOS-Struktur durch die gewichtete lineare Summe der Gate-Spannung V1, V2, ..., Vn der mehreren Gate-Elektroden G1, G2, ..., Gn gegen, die kapazitiv mit dem potentialfreien Gate Gf verbunden sind, wie durch die folgende Formel (1) ausgedrückt wird.
  • Das heißt, unter der Annahme, dass die Kapazitäten zwischen dem potentialfreien Gate Gf und den Gate-Elektroden G1, G2, ..., Gn C1, C2, ..., Cn sind, erfüllt die potentialfreie Gate-Spannung ΦF die folgende Beziehung. ϕ F = C 1 V 1 + C 2 V 2 + ⋯ ⋯ + C n V n C total  C total = ∑ i = 0 n C i
    Figure DE112017003050T5_0001
  • Es wird angemerkt, dass Ctotal die Summe der Kapazitäten zwischen dem potentialfreien Gate Gf und den Gate-Elektroden G1, G2 ..., Gn repräsentiert.
  • Unter der Annahme des Eingangs-Gates der zwei in 4A gezeigten Anschlüsse (Gate-Elektroden) wird die Formel (1) durch die folgende Formel (2) ausgedrückt. ϕ F = C 1 V 1 + C 2 V 2 C 1 + C 2
    Figure DE112017003050T5_0002
  • Wenn diese potentialfreie Gate-Spannung ΦF die Schwellenspannung Vth des Transistors überschreitet, geht der Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur in den leitfähigen Zustand über. Daher kann die Formel (2) als die folgende Formel (3) ausgedrückt werden. ϕ F = C 1 V 1 + C 2 V 2 C 1 + C 2 > V th
    Figure DE112017003050T5_0003
  • Wenn diese Formel (3) für die Gate-Spannung V1 gelöst wird, wird die folgende Beziehung erfüllt. V 1 > C 1 + C 2 C 1 V th − C 2 C 1 V 2
    Figure DE112017003050T5_0004
  • Es wird angemerkt, dass die Formel (3) und die Formel (4) in dem Fall erfüllt werden, in dem der Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur ein n-Kanal-Transistor ist.
  • Ferner wird unter der Annahme, dass die Schwellenspannung des Transistors aus Sicht der Gate-Elektrode G1 der Gate-Spannung V1 Vth1 ist, die folgende Beziehung hergestellt. V th1 = C 1 + C 2 C 1 V th − C 2 C 1 V 2
    Figure DE112017003050T5_0005
  • Dies zeigt, dass es möglich ist, die Schwellenspannung Vth1 des Transistors bei Sicht von der Gate-Elektrode G1 der Gate-Spannung V1 frei zu steuern, wenn eine willkürliche Spannung an die Gate-Elektrode G2 als die Gate-Spannung V2 angelegt werden kann.
  • Nachfolgend wird ein spezielles Beispiel für das Realisieren einer partiellen Korrektur in dem Bildschirm, um zu ermöglichen, eine partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu bewältigen, die nicht mit der Funktion der Korrektur bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird, beschrieben.
  • [Beispiel 1]
  • Ein Beispiel 1 ist ein Beispiel einer Gegenmaßnahme gegen horizontale Streifen, die aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen ungeradzahligen Zeilen/geradzahligen Zeilen auftreten, der durch den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen den ungeradzahligen Zeilen/geradzahligen Zeilen und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur erzeugt wird. Das Schaltbild der Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß dem Beispiel 1 ist in 5 gezeigt. In 5 sind der Einfachheit der Zeichnung halber die Pixel 20 in der Pixelanordnung aus zwei Zeilen und drei Spalten für die Pixelarrayeinheit 30 gezeigt. Dies gilt auch für die später beschriebenen Beispiele.
  • Bei dem Beispiel 1 beinhaltet bei der Pixelanordnung der Pixelarrayeinheit 30 der Treibertransistor 22 des Pixels 20 in der ungeradzahligen Zeile zum Beispiel einen Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur, in der zwei Gate-Elektroden bereitgestellt sind. Der Treibertransistor 22 des Pixels 20 in der geradzahligen Zeile beinhaltet einen normalen p-Kanal-Transistor.
  • Ferner wird in dem Pixel 20 in der ungeradzahligen Zeile die Signalspannung Vsig eines Videosignals als die Gate-Spannung V1 an eine Gate-Elektrode des Treibertransistors 22, der einen Neuronen-MOS beinhaltet, angelegt. Ferner wird die Steuerspannung Vcont als vorbestimmte Gleichstromspannung als die Gate-Spannung V2 von einer Steuereinheit 90 an eine andere Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 mittels einer Steuerleitung 36 angelegt. Die Steuereinheit 36 ist gemeinsam zwischen der Steuereinheit 90 und den Pixeln 20 in den ungeradzahligen Zeilen verdrahtet.
  • Die Steuereinheit 90 liefert als die Steuerspannung Vcont eine Gleichspannung eines solchen Spannungswertes, der den Leuchtdichtenunterschied beseitigt, der zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftritt, an die andere Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 des Pixels 20 in der ungeradzahligen Zeile aufgrund des charakteristischen Unterschieds des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und dem Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur. Der Spannungswert der Steuerspannung Vcont ist auf einen solchen Wert eingestellt, der den Leuchtdichtenunterschied zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile klein, bevorzugt zu null macht, berücksichtigt man den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur für jede organische EL-Anzeigeeinrichtung 10.
  • Wie oben beschrieben, ist es durch Verwenden eines Neuron-MOS als den Treibertransistor 22 des Pixels 20 in der ungeradzahligen Zeile und Steuern der Gate-Spannung V2 der anderen Gate-Elektrode durch die Steuerspannung Vcont möglich, die Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22 zu steuern, wie es aus der Formel (5) ersichtlich ist. Da eine Leuchtdichtenanpassung für jeden Bereich (geradzahlige Zeile bei diesem Beispiel) in dem Bildschirm durchgeführt werden kann, ist es möglich, zu verhindern, dass horizontale Streifen aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftreten, welcher durch den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur erzeugt wird. Infolgedessen ist es möglich, die partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu verbessern, die nicht mit der Funktion der Korrektur bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird.
  • Daher führt das Annehmen der Konfiguration, bei der die Verdrahtung oder dergleichen zum Treiben des Pixels 20 zwischen der ungeradzahligen Zeile und der geradzahligen Zeile geteilt wird und die Pixelstruktur der ungeradzahligen Zeile und die Pixelstruktur der geradzahligen Zeile jeweils eine spiegelverkehrte Struktur sind, nicht zu einer Verschlechterung der Gleichmäßigkeit, wie etwa horizontale Streifen. Infolgedessen ist es durch Teilen der Verdrahtung oder dergleichen zum Treiben des Pixels 20 zwischen der ungeradzahligen Zeile und der geradzahligen Zeile möglich, den Raum des Anzeigebereichs zu komprimieren, was zu einer hohen Auflösung beiträgt.
  • [Beispiel 2]
  • Ein Beispiel 2 ist ein modifiziertes Beispiel des Beispiels 1. Ein Schaltbild einer Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß dem Beispiel 2 ist in 6 gezeigt. Bei dem Beispiel 1 ist eine Konfiguration angenommen, bei der eine Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die ungeradzahligen Zeilen durchgeführt wird. Währenddessen ist bei dem Beispiel 2 eine Konfiguration angenommen, bei der eine Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die geradzahligen Zeilen durchgeführt wird.
  • Bei dem Beispiel 2 beinhaltet bei der Pixelanordnung der Pixelarrayeinheit 30 der Treibertransistor 22 des Pixels 20 in der geradzahligen Zeile zum Beispiel einen Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur, in der zwei Gate-Elektroden bereitgestellt sind. Der Treibertransistor 22 des Pixels 20 in der ungeradzahligen Zeile beinhaltet einen p-Kanal-Transistor mit einer Einzel-Gate-Struktur.
  • Bei dem Pixel 20 in der geradzahligen Zeile wird die Signalspannung Vsig eines Videosignals als die Gate-Spannung V1 an eine Gate-Elektrode des Treibertransistors 22, der einen Neuronen-MOS beinhaltet, angelegt. Ferner wird die Steuerspannung Vcont als vorbestimmte Gleichstromspannung als die Gate-Spannung V2 von der Steuereinheit 90 an die andere Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 mittels der Steuerleitung 36 angelegt. Die Steuereinheit 36 ist gemeinsam zwischen der Steuereinheit 90 und den Pixeln 20 in den geradzahligen Zeilen verdrahtet.
  • Die Steuereinheit 90 liefert als die Steuerspannung Vcont eine Gleichspannung eines solchen Spannungswertes, der den Leuchtdichtenunterschied beseitigt, der zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftritt, an die andere Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 des Pixels 20 in der geradzahligen Zeile aufgrund des charakteristischen Unterschieds des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und dem Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur. Der Spannungswert der Steuerspannung Vcont wird auf einen solchen Wert eingestellt, der den Leuchtdichtenunterschied zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile klein, bevorzugt zu null macht, ähnlich wie in Beispiel 1.
  • Gemäß dem Beispiel 2 mit der oben erwähnten Konfiguration ist es möglich, den gleichen Betrieb und Effekt wie jene des Beispiels 1 zu erreichen. Das heißt, es ist möglich, zu verhindern, dass horizontale Streifen aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftreten, der durch den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur erzeugt wird, und die partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu verbessern, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird.
  • [Beispiel 3]
  • Ein Beispiel 3 ist ein modifiziertes Beispiel des Beispiels 1/des Beispiels 2. Ein Schaltbild einer Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß dem Beispiel 3 ist in 7 gezeigt. Bei dem Beispiel 1 ist eine Konfiguration angenommen, bei der eine Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die ungeradzahligen Zeilen durchgeführt wird. Bei dem Beispiel 2 ist eine Konfiguration angenommen, bei der eine Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die geradzahligen Zeilen durchgeführt wird. Währenddessen ist bei dem Beispiel 3 eine Konfiguration angenommen, bei der eine Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die ungeradzahligen Zeilen/geradzahligen Zeilen durchgeführt wird.
  • Bei dem Beispiel 3 beinhaltet bei der Pixelanordnung der Pixelarrayeinheit 30 wird als jeder der Treibertransistoren 22 sämtlicher Pixel 20 zum Beispiel einen Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur, in der zwei Gate-Elektroden bereitgestellt sind, verwendet. Bei der Pixelanordnung, bei der der Treibertransistor 22 einen Neuronen-MOS beinhaltet, wird eine Steuerspannung Vcont1 als die Gate-Spannung V2 von einer Steuereinheit 91 an die andere Elektrode des Treibertransistors 22 in der ungeradzahligen Zeile mittels der Steuerleitung 36 angelegt. Ferner wird die Steuerspannung Vcont2 als die Gate-Spannung V2 von einer Steuereinheit 92 an die andere Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 in der geradzahligen Zeile mittels einer Steuerleitung 37 angelegt.
  • Jeder Spannungswert der Steuerspannung Vcont1 und der Steuerspannung Vcont2 ist auf einen solchen Wert eingestellt, der den Leuchtdichtenunterschied zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile klein, bevorzugt zu null macht, berücksichtigt man den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur für jede organische EL-Anzeigeeinrichtung 10.
  • Auch gemäß dem Beispiel 3 mit der oben erwähnten Konfiguration ist es möglich, den gleichen Betrieb und Effekt wie jene des Beispiels 1/des Beispiels 2 zu erreichen. Das heißt, es ist möglich, zu verhindern, dass horizontale Streifen aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftreten, der durch den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur erzeugt wird, und die partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu verbessern, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird. Ferner ist es gemäß dem Beispiel 3 möglich, weil die Schwellenspannung Vth des Treibertransistors 22 in beiden der ungeradzahligen Zeilen/geradzahligen Zeilen angepasst werden kann, den Anpassungsbereich der Leuchtdichte in beiden der ungeradzahligen Zeilen/geradzahligen Zeilen anzupassen.
  • [Beispiel 4]
  • Ein Beispiel 4 ist ein modifiziertes Beispiel des Beispiels 1. Ein Schaltbild einer Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß dem Beispiel 4 ist in 8 gezeigt. Das Beispiel 1 ist ein Beispiel, bei dem der Transistor mit einer Neuron-MOS-Struktur als der Treibertransistor 22 verwendet wird, die Signalspannung Vsig eines Videosignals an eine Gate-Elektrode angelegt wird und die Gate-Spannung V2 der anderen Gate-Elektrode gesteuert wird.
  • Währenddessen ist das Beispiel 4 ein
  • Beispiel, bei dem eine Spannung eines Back-Gates in dem Treibertransistor 22 gesteuert wird, der einen Transistor mit einer Struktur einschließlich des Back-Gates beinhaltet. Speziell wird in dem Pixel 20 in der ungeradzahligen Zeile die Steuerspannung Vcont als eine vorbestimmte Gleichspannung als eine Back-Gate-Spannung von der Steuereinheit 90 an ein Back-Gate des Treibertransistors 22 mit einer Struktur einschließlich des Back-Gates mittels der Steuerleitung 36 angelegt. Die Steuereinheit 36 ist gemeinsam zwischen der Steuereinheit 90 und den Pixeln 20 in den ungeradzahligen Zeilen verdrahtet.
  • Die Steuereinheit 90 liefert als die Steuerspannung Vcont eine Gleichspannung eines solchen Spannungswertes, der den Leuchtdichtenunterschied beseitigt, der zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftritt, an das Back-Gate des Treibertransistors 22 des Pixels 20 in der ungeradzahligen Zeile, ähnlich dem Fall des Beispiels 1. Der Spannungswert der Steuerspannung Vcont ist auf einen solchen Wert eingestellt, der den Leuchtdichtenunterschied zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile klein, bevorzugt zu null macht, berücksichtigt man den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur für jede organische EL-Anzeigeeinrichtung 10.
  • Auch gemäß dem Beispiel 4 mit der oben erwähnten Konfiguration ist es möglich, den gleichen Betrieb und Effekt wie jene des Beispiels 1 zu erreichen. Das heißt, es ist möglich, zu verhindern, dass horizontale Streifen aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftreten, der durch den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur erzeugt wird, und die partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu verbessern, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird.
  • Bei dem Beispiel 4, bei dem die Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die ungeradzahligen Zeilen durchgeführt wird, ist es als ein modifiziertes Beispiel davon möglich, eine Konfiguration, bei der die Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die geradzahligen Zeilen durchgeführt wird, ähnlich dem Beispiel 2, oder eine Konfiguration, bei der die Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für beide der ungeradzahligen/geradzahligen Zeilen durchgeführt wird, ähnlich dem Beispiel 3, anzunehmen.
  • [Beispiel 5]
  • Ein Beispiel 5 ist ein modifiziertes Beispiel des Beispiels 1. Ein Schaltkreisbeispiel eines Pixels in einer Aktivmatrixanzeigeeinrichtung, auf die das Beispiel 5 angewandt ist, ist in 9 gezeigt. Auch bei diesem Beispiel wird eine organische Aktivmatrix-EL-Anzeigeeinrichtung, die eine organische EL-Vorrichtung als eine Lichtemissionseinheit (Lichtemissionsvorrichtung) eines Pixelschaltkreises verwendet, als ein Beispiel beschrieben.
  • Wie in 9 gezeigt, beinhaltet das Pixel 20 die organische EL-Vorrichtung 21 und einen Treiberschaltkreis, der die organische EL-Vorrichtung 21 durch Anlegen eines Stroms an die organische EL-Vorrichtung 21 treibt. Der Treiberschaltkreis der organischen EL-Vorrichtung 21 beinhaltet den Treibertransistor 22, den Schreibtransistor 23 und die Haltekapazität 26.
  • Als sowohl der Treibertransistor 22 als auch der Schreibtransistor 23 kann ein n-Kanal-TFT verwendet werden. Es wird angemerkt, dass die Kombination von Leitfähigkeitstypen des Treibertransistors 22 und des Schreibtransistors 23, die hier gezeigt sind, lediglich ein Beispiel ist und nicht darauf beschränkt ist. Hier wird angenommen, dass die organische EL-Vorrichtung 21, der Treibertransistor 22 und die Haltekapazität 26 auf einem Isolator, wie etwa einem Glassubstrat als ein Beispiel, gebildet sind.
  • Bei dem Treibertransistor 22 ist eine Elektrode (Source/Drain-Elektrode) mit der Anodenelektrode der organischen EL-Vorrichtung 21 verbunden und ist eine andere Elektrode (Source/Drain-Elektrode) mit einer Leistungsversorgungsleitung 38 verbunden. Hier repräsentiert die eine Elektrode eine Metallverdrahtung, die elektrisch mit einem Source/Drain-Bereich verbunden ist, und repräsentiert die andere Elektrode eine Metallverdrahtung, die elektrisch mit einem anderen Source/Drain-Bereich verbunden ist. Ferner ist in Abhängigkeit von der Potentialbeziehung zwischen der einen Elektrode und der anderen Elektrode die eine Elektrode eine Source-Elektrode oder eine Drain-Elektrode in manchen Fällen und ist die andere Elektrode eine Drain-Elektrode oder eine Source-Elektrode in manchen Fällen.
  • Ein Leistungsquellenpotential DS, das zwischen einem ersten Leistungsquellenpotential Vccp und einem zweiten Leistungsquellenpotential Vini, das niedriger als das erste Leistungsquellenpotential Vccp ist, geschaltet werden kann, wird von einer Leistungsquellenversorgung-Scan-Einheit 41 an die Leistungsquellenversorgungsleitung 38, mit der die andere Elektrode des Treibertransistors 22 verbunden ist, in Synchronisation mit dem Leitungssequenzscannen durch die Schreib-Scan-Einheit 40 geliefert. Durch Schalten dieses Leistungsquellepotentials DS wird eine Lichtemission/Nichtlichtemission (Ausschalten) des Pixels 20 gesteuert.
  • Es wird angemerkt, dass, obwohl die Schaltkreiskonfiguration von 2Tr1C, die zwei Transistoren (Tr) des Treibertransistors 22 und des Schreibtransistor 23 und eine kapazitive Vorrichtung (C) der Haltekapazität 26 beinhaltet, hier als der Treiberschaltkreis der organischen EL-Vorrichtung 21 veranschaulicht wurde, der Treiberschaltkreis nicht darauf beschränkt ist.
  • Bei der organischen EL-Anzeigeeinrichtung mit der oben erwähnten Konfiguration ist das Beispiel 5 ein Beispiel, bei dem ein Dual-Gate-TFT als der Treibertransistor 22 verwendet wird und eines von einem Dual-Gate gesteuert wird.
  • Ein Beispiel für die Querschnittsstruktur eines Dual-Gate-TFT, der als der Treibertransistor 22 verwendet wird, ist in 10 gezeigt. Der Dual-Gate-TFT beinhaltet zum Beispiel eine untere Gate-Elektrode 82, einen ersten Gate-Isolationsfilm 83, eine Halbleiterschicht 84, einen zweiten Gate-Isolationsfilm 85 und eine obere Gate-Elektrode 86 auf einem Substrat 81 in der angegebenen Reihenfolge. Ferner ist ein Bereich, der zwischen der unteren Gate-Elektrode 82 und der oberen Gate-Elektrode 86 dazwischenliegt, in der Halbleiterschicht 84 ein Kanalbereich 841 und sind Bereiche von beiden Enden davon ein Source-Bereich 842 und ein Drain-Bereich 843. Eine Source-Elektrode 87 ist elektrisch mit dem Source-Bereich 842 verbunden und eine Drain-Elektrode 88 ist elektrisch mit dem Drain-Bereich 843 verbunden.
  • Das Beispiel 5 ist ein Beispiel, bei dem eine Spannung einer Gate-Elektrode (z. B. der unteren Gate-Elektrode 82) des Treibertransistors 22, der den Dual-Gate-TFT beinhaltet, gesteuert wird. Eine Schaltkreiskonfiguration eines Hauptteils einer organischen EL-Anzeigeeinrichtung gemäß dem Beispiel 5 ist in 11 gezeigt.
  • Wie in 11 gezeigt, wird in dem Pixel 20 in der ungeradzahligen Zeile die Steuerspannung Vcont als eine vorbestimmte Gleichspannung als eine Gate-Spannung von der Steuereinheit 90 an eine Gate-Elektrode des Treibertransistors 22 einschließlich des due-Gate-TFT mittels der Steuerleitung 36 angelegt. Die Steuereinheit 36 ist gemeinsam zwischen der Steuereinheit 90 und dem Pixel 20 in jeder ungeradzahligen Zeile verdrahtet. Der Treibertransistor 22 des Pixels 20 in der geradzahligen Zeile beinhaltet einen normalen n-Kanal-TFT.
  • Die Steuereinheit 90 liefert als die Steuerspannung Vcont eine Gleichspannung eines solchen Spannungswertes, der den Leuchtdichtenunterschied beseitigt, der zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftritt, an die andere Gate-Elektrode des Treibertransistors 22, der in due-Gate-TFT beinhaltet, des Pixels 20 in der ungeradzahligen Zeile, ähnlich dem Fall des Beispiels 1. Der Spannungswert der Steuerspannung Vcont ist auf einen solchen Wert eingestellt, der den Leuchtdichtenunterschied zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile klein, bevorzugt zu null macht, berücksichtigt man den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur für jede organische EL-Anzeigeeinrichtung 10.
  • Auch gemäß dem Beispiel 5 mit der oben erwähnten Konfiguration ist es möglich, den gleichen Betrieb und Effekt wie jene des Beispiels 1 zu erreichen. Das heißt, es ist möglich, zu verhindern, dass horizontale Streifen aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftreten, der durch den charakteristischen Unterschied des Treibertransistors 22 zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile und den Kopplungsunterschied in Abhängigkeit von der Form der Pixelstruktur erzeugt wird, und die partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit zu verbessern, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird.
  • Bei dem Beispiel 5, bei dem die Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die ungeradzahligen Zeilen durchgeführt wird, ist es als ein modifiziertes Beispiel davon möglich, eine Konfiguration, bei der die Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für die geradzahligen Zeilen durchgeführt wird, ähnlich dem Beispiel 2, oder eine Konfiguration, bei der die Leuchtdichtenanpassung gemeinsam für beide der ungeradzahligen/geradzahligen Zeilen durchgeführt wird, ähnlich dem Beispiel 3, anzunehmen.
  • <Modifiziertes Beispiel>
  • Die Technologie der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die oben erwähnte Ausführungsform beschränkt und verschiedene Modifikationen können ohne Abweichung von der Kernaussage der vorliegenden Offenbarung vorgenommen werden. Zum Beispiel wurde bei dem Beispiel 1 bis Beispiel 4 ein Fall, bei dem die Technologie der vorliegenden Offenbarung auf eine Anzeigeeinrichtung angewandt wird, bei der die Vorrichtung, die das Pixel 20 darstellt, auf einem Halbleitersubstrat, wie etwa einem einkristallinen Siliciumsubstrat, gebildet ist, als ein Beispiel beschrieben. Jedoch kann die vorliegende Technologie der vorliegenden Offenbarung gleichermaßen auch auf eine Anzeigeeinrichtung angewandt werden, bei der die Vorrichtung, die das Pixel 20 darstellt, auf einem Isolator, wie etwa einem Glassubstrat, gebildet ist.
  • <Elektronische Einrichtung>
  • Die oben erwähnte Anzeigeeinrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann als eine Anzeigeeinheit (Anzeigeeinrichtung) einer elektronischen Einrichtung in allen Gebieten verwendet werden, bei denen ein Videosignal, das in die elektronische Einrichtung eingegeben wird, oder ein Videosignal, das in der elektronischen Einrichtung erzeugt wird, als ein Bild oder ein Video angezeigt wird. Beispiele für die elektronische Einrichtung beinhalten ein Fernsehgerät, einen Laptop-PC, eine digitale Fotokamera, eine tragbare Endgeräteeinrichtung, wie etwa ein Mobiltelefon, und ein Head-Mounted-Display. Jedoch ist die elektronische Einrichtung nicht darauf beschränkt.
  • Durch Verwenden der Anzeigeeinrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung als eine Anzeigeeinheit einer elektronischen Einrichtung in jedem Gebiet, wie oben beschrieben, können die folgenden Effekte erzielt werden. Das heißt, gemäß der Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Offenbarung ist es, weil die partielle Verschlechterung der Gleichmäßigkeit, die nicht mit der Funktion zum Korrigieren bewältigt werden kann, die in Einheiten von Pixeln durchgeführt wird, wie etwa horizontale Streifen, die aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftreten, verbessert werden kann, möglich, die Bildqualität der Anzeigeeinheit zu verbessern. Da es möglich ist, zu verhindern, dass horizontale Streifen aufgrund des Leuchtdichtenunterschieds zwischen der ungeradzahligen Zeile/der geradzahligen Zeile auftreten, kann außerdem die Verdrahtung oder dergleichen zum Treiben der Pixel zwischen der ungeradzahligen Zeile und der geradzahligen Zeile geteilt werden und kann der Raum des Anzeigebereichs komprimiert werden, wodurch die hohe Auflösung der Anzeigeeinheit realisiert wird.
  • Die Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Offenbarung beinhaltet eine modulförmige Anzeigeeinrichtung mit einer versiegelten Konfiguration. Beispielsweise entspricht ein Anzeigemodul, das durch Anbringen eines Verkleidungsteils, der aus transparentem Glas oder dergleichen gebildet ist, an einer Pixelarrayeinheit gebildet ist, der Anzeigeeinrichtung. Es wird angemerkt, dass das Anzeigemodul eine Schaltkreiseinheit zum Eingeben/Ausgeben von Signalen oder dergleichen von außen zu der Pixelarrayeinheit, eine flexible Schaltung (FPC: Flexible Printed Circuit) oder dergleichen beinhalten kann. Nachfolgend werden eine digitale Fotokamera und ein Head-Mounted-Display als spezielle Beispiele für die elektronische Vorrichtung exemplarisch genannt, die die Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Offenbarung verwendet. Es wird angemerkt, dass die hier beschriebenen speziellen Beispiele lediglich veranschaulichend sind und die vorliegende Offenbarung nicht darauf beschränkt ist.
  • (Spezielles Beispiel 1)
  • 12 ist eine Außenerscheinungsansicht einer digitalen Fotokamera eines Spiegelreflextyps mit Wechselobjekt, bei der 12A eine Vorderansicht davon zeigt und 12B eine Hinteransicht davonzeigt. Die digitale Fotokamera eines Spiegelreflextyps mit Wechselobjektiv beinhaltet zum Beispiel eine Wechselbildgebungsobjektiveinheit (Wechselobjektiv) 112 auf der rechten Seite von der Vorderseite eines Kamerahauptkörperteils (Kamerakörpers) 111 und einen Griffteil 113, der durch einen Fotografen zu ergreifen ist, auf der linken Seite der Vorderseite davon.
  • Ferner ist ein Monitor 114 im Wesentlichen im Zentrum der Rückseite des Kamerahauptkörperteils 111 bereitgestellt. Ein elektronischer Bildsucher (Augenstückfenster) 115 ist oberhalb des Monitors 114 bereitgestellt. Ein Photograph kann ein optisches Bild eines Subjekts visuell erkennen, das aus der Bildgebungsobjektiveinheit 112 abgeleitet wird, und kann die Komposition bestimmten, indem er durch den elektronischen Bildsucher 115 blickt.
  • Bei der digitalen Fotokamera vom Spiegelreflextyp mit Wechselobjekt, die die oben beschriebene Konfiguration aufweist, kann die Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als der elektronische Bildsucher 115 der digitalen Fotokamera verwendet werden. Mit anderen Worten wird die digitale Fotokamera eines Spiegelreflextyps mit Wechselobjekt gemäß diesem Beispiel durch Verwenden der Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als der elektronische Bildsucher 115 der digitalen Fotokamera produziert.
  • (Spezielles Beispiel 2)
  • 13 ist eine Außenerscheinungsansicht eines Head-Mounted-Displays (einer am Kopf getragenen Anzeige). Das Head-Mounted-Display beinhaltet zum Beispiel Schläfenteile 212 auf den beiden Seiten einer brillenförmigen Anzeigeeinheit 211. Die Schläfenteile 412 werden verwendet, um an dem Kopf eines Benutzers angebracht zu werden. Bei diesem Head-Mount-Display kann die Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit 211 des Head-Mounted-Displays verwendet werden. Mit anderen Worten wird das Head-Mounted-Display gemäß diesem Beispiel durch Verwenden der Anzeigeeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit 211 des Head-Mounted-Displays produziert.
  • <Konfiguration der vorliegenden Offenbarung>
  • Es sei angemerkt, dass die vorliegende Technologie auch die folgenden Konfigurationen annehmen kann.
    • [1] Eine Anzeigeeinrichtung, die Folgendes beinhaltet:
      • eine Pixelarrayeinheit, wobei die Pixel in der Pixeleinheit angeordnet sind, wobei die Pixel jeweils einen Treibertransistor beinhalten, der mehrere Gate-Elektroden beinhaltet und eine Lichtemissionseinheit als Reaktion auf ein Videosignal treibt, das an eine Gate-Elektrode der mehreren Gate-Elektroden angelegt wird; und
      • eine Steuereinheit, die eine Gate-Spannung einer anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors steuert.
    • [2] Die Anzeigeeinrichtung nach [1] oben, wobei die Steuereinheit eine Schwellenspannung des Treibertransistors durch Steuern der Gate-Spannung der anderen Elektrode korrigiert.
    • [3] Die Anzeigeeinrichtung nach [1] oder [2] oben, wobei die Steuereinheit eine vorbestimmte Gleichspannung an die andere Gate-Elektrode als Steuerspannung anlegt.
    • [4] Anzeigeeinrichtung nach einem von [1] bis [3] oben, wobei die andere Gate-Elektrode ein Back-Gate ist.
    • [5] Die Anzeigeeinrichtung nach einem von [1] bis [3] oben, wobei die andere Gate-Elektrode eine von Gate-Elektroden einer Dual-Gate-Struktur ist.
    • [6] Die Anzeigeeinrichtung nach einem von [1] bis [5] oben, wobei die Steuereinheit die Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode in Einheiten von Pixelzeilen der Pixelarrayeinheit steuert.
    • [7] Die Anzeigeeinrichtung nach [6] oben, wobei die Pixel, die jeweils den Treibertransistoren beinhalten, der die mehreren Gate-Elektroden beinhaltet, in geradzahligen Pixelzeilen, ungeradzahligen Pixelzeilen oder allen Pixelzeilen der Pixelarrayeinheit angeordnet sind, und die Steuereinheit die Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode in lediglich den geradzahligen Pixelzeilen oder den ungeradzahligen Zeilen oder in sämtlichen Pixelzeilen steuert.
    • [8] Die Anzeigeeinrichtung nach einem von [1] bis [7] oben, wobei die Pixel jeweils eine Schwellenspannungskorrekturfunktion des Verwendens einer Initialisierungsspannung der Gate-Elektrode, an die das Videosignal angelegt wird, des Treibertransistors als eine Referenz und des Änderns der Source-Spannung des Treibertransistors zu einer Spannung, die durch Subtrahieren der Schwellenspannung des Treibertransistors von der Initialisierungsspannung erhalten wird, aufweisen.
    • [9] Die Anzeigeeinrichtung nach einem von [1] bis [8] oben, wobei die Lichtemissionseinheit eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung beinhaltet.
    • [10] Eine elektronische Einrichtung, die Folgendes beinhaltet:
      • eine Anzeigeeinrichtung, die Folgendes beinhaltet:
        • eine Pixelarrayeinheit, wobei die Pixel in der Pixeleinheit angeordnet sind, wobei die Pixel jeweils einen Treibertransistor beinhalten, der mehrere Gate-Elektroden beinhaltet und eine Lichtemissionseinheit als Reaktion auf ein Videosignal treibt, das an eine Gate-Elektrode der mehreren Gate-Elektroden angelegt wird, und
        • eine Steuereinheit, die eine Gate-Spannung einer anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors steuert.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    organische EL-Anzeigeeinrichtung
    20
    Pixel
    21
    organische EL-Vorrichtung
    22
    Treibertransistor
    23
    Schreibtransistor
    24
    Lichtemissionssteuertransistor
    25
    Schalttransistor
    26
    Haltekapazität
    27
    Hilfskapazität
    30
    Pixelarrayeinheit
    31 (311 bis 31m)
    Scanleitung
    32 (321 bis 32m)
    erste Treiberleitung
    33 (331 bis 33m)
    zweite Treiberleitung
    34 (341 bis 34n)
    Signalleitung
    35
    Kathodenverdrahtung
    36, 37
    Steuerleitung
    38
    Leistungsquellenversorgungsleitung
    40
    Schreib-Scan-Einheit
    41
    Leistungsquellenversorgung-Scan-Einheit
    50
    erste Treiber-Scan-Einheit
    60
    zweite Treiber-Scan-Einheit
    70
    Signalausgabeeinheit
    80
    Anzeigefeld
    90, 91, 92
    Steuereinheit
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 2008287141 [0005]

Claims (10)

  1. Anzeigeeinrichtung, die Folgendes umfasst: eine Pixelarrayeinheit, wobei die Pixel in der Pixeleinheit angeordnet sind, wobei die Pixel jeweils einen Treibertransistor beinhalten, der mehrere Gate-Elektroden beinhaltet und eine Lichtemissionseinheit als Reaktion auf ein Videosignal treibt, das an eine Gate-Elektrode der mehreren Gate-Elektroden angelegt wird; und eine Steuereinheit, die eine Gate-Spannung einer anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors steuert.
  2. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Steuereinheit eine Schwellenspannung des Treibertransistors durch Steuern der Gate-Spannung der anderen Elektrode korrigiert.
  3. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Steuereinheit eine vorbestimmte Gleichspannung an die andere Gate-Elektrode als Steuerspannung anlegt.
  4. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die andere Gate-Elektrode ein Back-Gate ist.
  5. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die andere Gate-Elektrode eine von Gate-Elektroden einer Dual-Gate-Struktur ist.
  6. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Steuereinheit die Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode in Einheiten von Pixelzeilen der Pixelarrayeinheit steuert.
  7. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 6, wobei die Pixel, die jeweils den Treibertransistoren beinhalten, der die mehreren Gate-Elektroden beinhaltet, in geradzahligen Pixelzeilen, ungeradzahligen Pixelzeilen oder allen Pixelzeilen der Pixelarrayeinheit angeordnet sind, und die Steuereinheit die Gate-Spannung der anderen Gate-Elektrode in lediglich den geradzahligen Pixelzeilen oder den ungeradzahligen Zeilen oder in sämtlichen Pixelzeilen steuert.
  8. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Pixel jeweils eine Schwellenspannungskorrekturfunktion des Verwendens einer Initialisierungsspannung der Gate-Elektrode, an die das Videosignal angelegt wird, des Treibertransistors als eine Referenz und des Änderns der Source-Spannung des Treibertransistors zu einer Spannung, die durch Subtrahieren der Schwellenspannung des Treibertransistors von der Initialisierungsspannung erhalten wird, aufweisen.
  9. Anzeigeeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Lichtemissionseinheit eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung beinhaltet.
  10. Elektronische Einrichtung, die Folgendes umfasst: eine Anzeigeeinrichtung, die Folgendes beinhaltet: eine Pixelarrayeinheit, wobei die Pixel in der Pixeleinheit angeordnet sind, wobei die Pixel jeweils einen Treibertransistor beinhalten, der mehrere Gate-Elektroden beinhaltet und eine Lichtemissionseinheit als Reaktion auf ein Videosignal treibt, das an eine Gate-Elektrode der mehreren Gate-Elektroden angelegt wird, und eine Steuereinheit, die eine Gate-Spannung einer anderen Gate-Elektrode des Treibertransistors steuert.
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