DE112017004370T5 - Displayeinrichtung und Elektronikeinrichtung - Google Patents

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Kiwamu Miura
Naobumi Toyomura
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Sony Semiconductor Solutions Corp
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Abstract

Bereitgestellt werden eine Displayeinrichtung, die derart ausgebildet ist, dass Pixel, die eine Lichtemittiereinheit und mehrere Transistoren aufweisen, zweidimensional in einer Matrixform angeordnet sind und eine Gateverdrahtung für die mehreren Transistoren entlang der Zeilenrichtung der Anordnung der Pixel ausgebildet sind, und eine Elektronikeinrichtung mit der Displayeinrichtung, wobei eine Gateverdrahtung für Schalttransistoren, die mit einer Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit verbunden sind, der mehreren Transistoren in einer anderen Verdrahtungsschicht von der Gateverdrahtung für die anderen Transistoren ausgebildet ist.

Description

  • Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Displayeinrichtung und eine die Displayeinrichtung enthaltende Elektronikeinrichtung.
  • ALLGEMEINER STAND DER TECHNIK
  • Als eine von Displayeinrichtungen gibt es eine organische Elektrolumineszenz (im Folgenden als „EL“ bezeichnet) -Displayeinrichtung, die ein organisches EL-Element, das eine EL verwendet, was ein organisches Material ist, als eine Lichtemittiereinheit verwendet. Die organische EL-Displayeinrichtung besitzt eine Charakteristik eines niedrigeren Stromverbrauchs, da das die Lichtemittiereinheit bildende organische EL-Element ein selbst-lichtemittierendes Element ist. Das organische EL-Element besitzt eine Struktur, bei der eine durch Stapeln einer organischen Lochtransportschicht und einer organischen Lichtemittierschicht gebildete organische Schicht zwischen einer ersten Elektrode und einer zweiten Elektrode vorgesehen ist. Dann wird in der organischen EL-Displayeinrichtung eine Abstufung der Färbung durch Steuern des durch das organische EL-Element fließenden Stromwerts erhalten.
  • Unter organischen EL-Displayeinrichtungen, die ein organisches EL-Element als eine Lichtemittiereinheit verwenden, ist in einer organischen EL-Displayeinrichtung vom Aktivmatrixtyp eine mehrere Transistoren und ein Kondensatorelement enthaltende Ansteuerschaltung (Pixelschaltung) für jedes Pixel vorgesehen, und das Ansteuern des organischen EL-Elements wird durch diese Ansteuerschaltung durchgeführt.
  • Bei einer organischen EL-Displayeinrichtung variieren aufgrund von Prozessfluktuationen oder dergleichen Charakteristika wie etwa eine Schwellwertspannung und Mobilität eines Ansteuertransistors, der ein organisches EL-Element ansteuert, für jedes Pixel. Falls dann die Transistorcharakteristika des Ansteuertransistors für jedes Pixel verschieden sind, variiert der in dem Ansteuertransistor fließende Stromwert für jedes Pixel, so dass, selbst falls die gleiche Spannung an die Pixel der Gateelektrode des Ansteuertransistors angelegt wird, die Lichtemissionsluminanz des organischen EL-Elements für jedes Pixel variiert. Infolgedessen wird die Gleichförmigkeit eines Displayschirms beeinträchtigt. Deshalb wird in der organischen EL-Displayeinrichtung das Verarbeiten (Operation) zum Korrigieren von Schwankungen bei den Charakteristika des Ansteuertransistors durchgeführt (siehe beispielsweise Patentdokument 1).
  • ENTGEGENHAL TUNGSLISTE
  • PATENTDOKUMENT
  • Patentdokument 1: Japanische offengelegte Patentanmeldung Nr. 2008-33193
  • KURZE DARSTELLUNG DER ERFINDUNG
  • DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
  • Dabei kann bei ultrakompakten Displayeinrichtungen, bei denen ein Abstand zwischen Pixeln aufgrund höherer Auflösung abnimmt, oder als Mikro-Display bezeichneten ultrakompakten Displayeinrichtungen eine zwischen benachbarten Verdrahtungen generierte parasitäre Kapazität nicht ignoriert werden. Mit anderen Worten besteht ein Problem dahingehen, dass eine zwischen benachbarten Verdrahtungen generierte parasitäre Kapazität eine Verschlechterung bei der Displayqualität bewirkt, genauer gesagt kommt es zu Displayungleichmäßigkeit durch koppelndes Rauschen oder dergleichen aufgrund von parasitärer Kapazität.
  • Dementsprechend besteht eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung in der Bereitstellung einer Displayeinrichtung, die in der Lage ist, Displayungleichmäßigkeit zu unterdrücken, die bewirkt wird durch Koppeln aufgrund von parasitärer Kapazität, bewirkt durch Reduzieren parasitärer Kapazität zwischen benachbarten Verdrahtungen, und einer die Displayeinrichtung aufweisenden Elektronikeinrichtung.
  • LÖSUNGEN DER PROBLEME
  • Eine Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung zum Lösen der oben beschriebenen Aufgabe weist auf:
    • Pixel aufweisend eine Lichtemittiereinheit und mehrere Transistoren, wobei die Pixel zweidimensional in einer Matrix angeordnet sind; und
    • Gateverdrahtungen der mehreren Transistoren, entlang einer Zeilenrichtung eines Pixelarrays ausgebildet,
    • bei der unter den mehreren Transistoren eine Gateverdrahtung eines mit einer Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit verbundenen Schalttransistors in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die von einer Gateverdrahtung eines anderen Transistors verschieden ist. Zudem ist eine Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung zum Lösen der oben beschriebenen Aufgabe dadurch gekennzeichnet, dass sie die Displayeinrichtung mit der oben beschriebenen Ausbildung aufweist.
  • In der Displayeinrichtung mit der oben beschriebenen Ausbildung oder der Elektronikeinrichtung, die die Displayeinrichtung aufweist, ist der Schalttransistor mit der Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit verbunden, so dass eine Schwankung bei dem Potenzial der Gateverdrahtung die Lichtemittieroperation der Lichtemittiereinheit beeinträchtigt. Hier ist die Gateverdrahtung des Schalttransistors in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet, die von der Gateverdrahtung des anderen Transistors verschieden ist, so dass der Verdrahtungsabstand zwischen den Gateverdrahtungen von beiden Transistoren größer ist als der in einem Fall, wo beide Verdrahtungen in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind. Infolgedessen kann die zwischen den benachbarten Verdrahtungen generierte parasitäre Kapazität im Vergleich zu dem Fall reduziert werden, wo beide Verdrahtungen in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, so dass es möglich ist, den Einfluss einer Kopplung aufgrund der parasitären Kapazität bezüglich der Gateverdrahtung des Schalttransistors von der Gateverdrahtung des anderen Transistors zu unterdrücken.
  • EFFEKTE DER ERFINDUNG
  • Gemäß der vorliegenden Offenbarung kann eine parasitäre Kapazität zwischen benachbarten Verdrahtungen reduziert werden, so dass es möglich ist, eine durch Koppeln aufgrund einer parasitären Kapazität von einer anderen Gateverdrahtung bezüglich der Gateverdrahtung des Schalttransistors verursachte Displayungleichmäßigkeit zu unterdrücken.
  • Man beachte, dass der Effekt nicht notwendigerweise auf den hierin beschriebenen Effekt beschränkt ist, und beliebige der in dieser Patentschrift beschriebenen Effekte verwendet werden können. Weiterhin sind die in dieser Patentschrift beschriebenen Effekte lediglich Beispiele, und die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt und kann zusätzliche Effekte besitzen.
  • Figurenliste
    • 1 ist ein Systemausbildungsdiagramm, das schematisch eine Ausbildung einer organischen EL-Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung vom Aktivmatrixtyp zeigt.
    • 2 ist ein Schaltplan, der ein Beispiel einer Schaltungsausbildung eines Pixels (Pixelschaltung) in der organischen EL-Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung vom Aktivmatrixtyp zeigt.
    • 3 ist ein Zeitsteuerwellenformdiagramm zum Erläutern eines grundlegenden Betriebs der organischen EL-Displayeinrichtung vom Aktivmatrixtyp.
    • 4A ist eine Draufsicht, die eine Gateverdrahtungsstruktur gemäß einem herkömmlichen Beispiel zeigt, und 4B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A von 4A.
    • 5A ist eine Draufsicht, die eine Gateverdrahtungsstruktur gemäß einer ersten Ausführungsform zeigt, und 5B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B von 5A.
    • 6A ist eine Draufsicht, die eine Gateverdrahtungsstruktur gemäß einer zweiten Ausführungsform zeigt, und 6B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-C von 6A.
    • 7A ist eine Draufsicht, die eine Gateverdrahtungsstruktur gemäß einer dritten Ausführungsform zeigt, und 7B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie D-D von 7A.
    • 8A und 8B sind eine Vorderansicht und eine Rückansicht einer digitalen Spiegelreflexkamera vom Wechselobjektivtyp.
    • 9 ist eine Außenansicht eines Head-Mounted-Displays.
  • MODUS ZUM AUSFÜHREN DER ERFINDUNG
  • Im Folgenden werden Modi (im Folgenden als „Ausführungsformen“ bezeichnet) zum Implementieren der Technologie der vorliegenden Offenbarung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ausführlich beschrieben. Die Technologie der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf die Ausführungsformen beschränkt. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Bezugszahlen für die gleichen Elemente oder Elemente mit der gleichen Funktion verwendet, und eine redundante Beschreibung entfällt. Man beachte, dass die Beschreibung in der folgenden Reihenfolge erfolgt.
    • 1. Allgemeine Erläuterung einer Displayeinrichtung und Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung
    • 2. Organische EL-Displayeinrichtung vom Aktivmatrixtyp
      • 2-1. Systemausbildung
      • 2-2. Pixelschaltung
      • 2-3. Grundlegendes Schaltungsverhalten
      • 2-4. Parasitäre Kapazität zwischen Verdrahtungen
        • 2-4-1. Beispiel, bei dem benachbarte Gateverdrahtungen in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind
        • 2-4-2. Erste Ausführungsform (Beispiel, bei dem eine Gateverdrahtung eines Schalttransistors in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die von der Gateverdrahtung eines anderen Transistors verschieden ist)
        • 2-4-3. Zweite Ausführungsform (Modifikation der ersten Ausführungsform: Beispiel, bei dem die Stromversorgungsverdrahtung über der Gateverdrahtung des Schalttransistors ausgebildet ist)
        • 2-4-4. Dritte Ausführungsform (Modifikation der zweiten Ausführungsform: Beispiel, bei dem die Stromversorgungsverdrahtung unter der Gateverdrahtung des Schalttransistors ausgebildet ist)
    • 3. Modifikation
    • 4. Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung
      • 4-1. Spezifisches Beispiel 1 (Beispiel einer digitalen Kamera)
      • 4-2. Spezifisches Beispiel 2 (Beispiel eines Head-Mounted-Displays)
    • 5. Ausbildung, die die vorliegende Offenbarung besitzen kann
  • <Allgemeine Erläuterung einer Displayeinrichtung und Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung>
  • Bei einer Displayeinrichtung und einer Elektronikeinrichtung gemäß der vorliegenden Offenbarung kann ein Schalttransistor dazu ausgebildet sein, ein Potenzial einer Anodenelektrode einer Lichtemittiereinheit zu steuern, um die Lichtemittiereinheit in einen Nicht-Lichtemittierzustand zu versetzen.
  • In der Displayeinrichtung und der Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung, die oben beschriebene bevorzugte Ausbildung aufweisend, kann eine Stromversorgungsverdrahtung mit einem festen Potenzial über oder unter einer Gateverdrahtung des Schalttransistors ausgebildet werden.
  • Zudem kann in der Displayeinrichtung und der Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung mit der oben beschriebenen bevorzugten Ausbildung der andere Transistor ein Schreibtransistor zum Schreiben eines Videosignals zu der Gateelektrode eines Ansteuertransistors zum Ansteuern der Lichtemittiereinheit sein. Zudem kann in den Pixeln eine Verarbeitung zum Korrigieren von Variationen bei Charakteristika des Ansteuertransistors während einer Nicht-Lichtemittierperiode der Lichtemittiereinheit durchgeführt werden, in der sich der Schalttransistor in einem leitfähigen Zustand befindet.
  • Zudem kann in der Displayeinrichtung und der Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung mit der oben beschriebenen bevorzugten Ausbildung ein Substrat, auf dem die Pixel zweidimensional angeordnet sind, ein Halbleitersubstrat sein. Weiterhin kann die Lichtemittiereinheit ein organisches Elektrolumineszenzelement enthalten.
  • <Displayeinrichtung vom Aktivmatrixtyp>
  • Die Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung ist eine Displayeinrichtung vom Aktivmatrixtyp, bei dem ein durch ein elektrooptisches Element fließender Strom durch ein aktives Element gesteuert wird, das in der gleichen Pixelschaltung wie das elektrooptische Element vorgesehen ist, beispielsweise ein Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate. Als der Feldeffekttransistor vom Typ mit isoliertem Gate kann typischerweise ein Metalloxidhalbleiter (MOS) -Transistor und ein Dünnschichttransistor (TFT) exemplifiziert werden.
  • Hier wird als ein Beispiel eine organische EL-Displayeinrichtung vom Aktivmatrixtyp unter Verwendung eines organischen EL-Elements beschrieben, das ein elektrooptisches Element vom Stromansteuertyp ist, dessen Lichtemissionsluminanz sich gemäß einem in der Einrichtung fließenden Stromwert ändert, als eine Lichtemittiereinheit (Lichtemittierelement) einer Pixelschaltung. Nachfolgend kann die „Pixelschaltung“ einfach als „Pixel“ beschreiben werden.
  • [Systemausbildung]
  • 1 ist ein Systemausbildungsdiagramm, das schematisch eine Ausbildung der organischen EL-Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung vom Aktivmatrixtyp zeigt. Wie in 1 gezeigt, weist eine organische EL-Displayeinrichtung 10 der vorliegenden Offenbarung eine Pixelarrayeinheit 30 auf, in der mehrere Pixel 20, die organische EL-Elemente aufweisen, zweidimensional in einer Matrix angeordnet sind, und eine Peripherieschaltungseinheit, die in einer Peripherie der Pixelarrayeinheit 30 angeordnet ist. Beispielsweise weist die Peripherieschaltungseinheit eine Schreibscaneinheit 40 auf, die auf einem Displaypanel 70 vorgesehen ist, das das gleiche ist wie wo die Pixelarrayeinheit 30, eine erste Ansteuerscaneinheit 50A, eine zweite Ansteuerscaneinheit 50B, eine Signalausgangseinheit 60 und dergleichen, und steuert jedes Pixel 20 der Pixelarrayeinheit 30 an. Man beachte, dass beliebige oder alle der Schreibscaneinheit 40, der ersten Ansteuerscaneinheit 50A, der zweiten Ansteuerscaneinheit 50B und der Signalausgangseinheit 60 außerhalb des Displaypanels 70 vorgesehen sein können.
  • Die organische EL-Displayeinrichtung 10 kann so ausgebildet sein, dass sie mit einem monochromen (schwarz und weiß) Display kompatibel ist, oder kann so ausgebildet sein, dass sie mit einem Farbdisplay kompatibel ist. In einem Fall, wo die organische EL-Displayeinrichtung 10 mit einem Farbdisplay kompatibel ist, weist ein Pixel (Einheitspixel/Pixel) als eine Einheit zum Ausbilden eines Farbbilds mehrere Teilpixel auf. Zu diesem Zeitpunkt entspricht jedes der Teilpixel dem Pixel 20 in 1. Insbesondere weist in einer Displayeinrichtung, die mit einem Farbdisplay kompatibel ist, ein Pixel beispielsweise drei Teilpixel auf, das heißt ein Teilpixel, das rotes (R) Licht emittiert, ein Teilpixel, das grünes (G) Licht emittiert, und ein Teilpixel, das blaues (B) Licht emittiert.
  • Das eine Pixel ist jedoch nicht auf eine Kombination von Teilpixeln mit drei Primärfarben RGB beschränkt, und es ist auch möglich, ein Pixel durch weiteres Hinzufügen von Teilpixeln mit einer oder mehreren Farben zu den Teilpixeln mit drei Primärfarben auszubilden. Insbesondere kann beispielsweise zum Verbessern der Luminanz ein Teilpixel, das weißes (W) Licht emittiert, hinzugefügt werden, um ein Pixel auszubilden, oder mindestens ein Teilpixel, das Licht mit einer komplementären Farbe emittiert, kann zum Vergrößern des Farbreproduktionsbereichs zugefügt werden, um ein Pixel auszubilden.
  • In der Pixelarrayeinheit 30 sind Scanleitungen 31 (311 bis 31m ), erste Ansteuerleitungen 32 (321 bis 32m ) und zweite Ansteuerleitungen 33 (331 bis 33m ) für jede Pixelzeile entlang der Zeilenrichtung (Pixelarrayrichtung von Pixelzeilen) bezüglich des Arrays der Pixel 20 aus m Zeilen und n Spalten verdrahtet. Zudem sind Signalleitungen 34 (341 bis 34n ) für jede Pixelspalte entlang der Spaltenrichtung (Pixelarrayrichtung von Pixelspalten) bezüglich des Arrays von Pixeln 20 auf m Zeilen und n Spalten verdrahtet.
  • Die Scanleitungen 311 bis 31m sind jeweils mit Ausgangsenden der entsprechenden Zeilen der Schreibscaneinheit 40 verbunden. Die ersten Ansteuerleitungen 321 bis 32m sind jeweils mit Ausgangsenden der entsprechenden Zeilen der ersten Ansteuerscaneinheit 50A verbunden. Die zweiten Ansteuerleitungen 331 bis 33m sind jeweils mit Ausgangsenden der entsprechenden Zeilen der zweiten Ansteuerscaneinheit 50B verbunden. Die Signalleitungen 341 bis 34n sind jeweils mit Ausgangsenden der entsprechenden Spalten der Signalausgangseinheit 60 verbunden.
  • Die Schreibscaneinheit 40 enthält eine Schieberegisterschaltung oder dergleichen. Beim Schreiben einer Signalspannung eines Videosignals zu jedem Pixel 20 der Pixelarrayschaltung 30 liefert die Schreibscaneinheit 40 sequenziell Schreibscansignale WS (WS1 bis WSm ) an die Scanleitungen 31 (311 bis 31m ), so dass jedes Pixel 20 der Pixelarrayeinheit 30 sequenziell in Einheiten einer Zeile gescant wird, das heißt, ein sogenanntes liniensequenzielles Scannen wird durchgeführt.
  • Wie ähnlich bei der Schreibscaneinheit 40 weist die erste Ansteuerscaneinheit 50A eine Schieberegisterschaltung oder dergleichen auf. In Synchronisation mit dem liniensequenziellen Scannen durch die Schreibscaneinheit 40 liefert die erste Ansteuerscaneinheit 50A Lichtemissionssteuersignale DS (DS1 bis DSm ) an die ersten Ansteuerleitungen 32 (321 bis 32m ), um die Emission/Nichtemission (Löschung) des Pixels 20 zu steuern.
  • Wie ähnlich bei der Schreibscaneinheit 40 weist die zweite Ansteuerscaneinheit 50B eine Schieberegisterschaltung oder dergleichen auf. In Synchronisation mit dem liniensequenziellen Scannen durch die Schreibscaneinheit 40 liefert die erste Ansteuerscaneinheit 50B Ansteuersignale AZ (AZ1 bis AZm ) an die zweiten Ansteuerleitungen 33 (331 bis 33m ), um das Pixel 20 zu steuern, in der Nicht-Lichtemittierperiode kein Licht zu emittieren.
  • Die Signalausgangseinheit 60 gibt selektiv eine Signalspannung (im Folgenden manchmal einfach als „Signalspannung“ bezeichnet) Vsig eines Videosignals entsprechend von einer nicht gezeigten Signalversorgungsquelle gelieferten Luminanzinformationen und eine Referenzspannung Vofs aus. Hier ist die Referenzspannung Vofs eine Spannung als eine Referenz der Signalspannung Vsig des Videosignals (beispielsweise eine Spannung entsprechend dem Schwarzpegel des Videosignals) oder eine Spannung in der Nähe davon. Die Referenzspannung Vofs wird als eine Initialisierungsspannung verwendet, wenn eine Korrekturoperation, wie später beschrieben, durchgeführt wird.
  • Die von der Signalausgangseinheit 60 alternativ ausgegebene Signalspannung Vsig /Referenzspannung Vofs wird über die Signalleitungen 34 (341 bis 34n ) in Einheiten von Pixelzeilen, durch liniensequenzielles Scannen durch die Schreibeinheit 40 gewählt, zu jedem Pixel 20 der Pixelarrayeinheit 30 geschrieben. Mit anderen Worten verwendet die Signalausgangseinheit 60 einen liniensequenziellen Schreibansteuermodus, bei dem die Signalspannung Vsig in Einheiten von Pixelzeilen (Linien) geschrieben wird.
  • [Pixelschaltung]
  • 2 ist ein Schaltplan, der ein Beispiel einer Schaltungsausbildung eines Pixels (Pixelschaltung) in der organischen EL-Displayeinrichtung 10 der vorliegenden Offenbarung vom Aktivmatrixtyp zeigt. Die Lichtemittiereinheit des Pixels 20 weist ein organisches EL-Element 21 auf. Das organische EL-Element 21 ist ein Beispiel eines elektrooptischen Elements vom Stromansteuertyp, bei dem sich die Lichtemissionsluminanz gemäß einem in der Einrichtung fließenden Stromwert ändert.
  • Wie in 2 gezeigt, weist das Pixel 20 ein organisches EL-Element 21 und eine Ansteuerschaltung zum Ansteuern des organischen EL-Elements 21 durch Anlegen eines Stroms an das organische EL-Element 21 auf. Bei dem organischen EL-Element 21 ist eine Kathodenelektrode mit einer gemeinsamen Stromversorgungsleitung 35 verbunden, die gemeinsam für alle die Pixel 20 verdrahtet ist.
  • Die Ansteuerschaltung zum Ansteuern des organischen EL-Elements 21 besitzt eine Ausbildung aus einem 4Tr (Transistor) / 2C (Kondensatorelement) aufweisend einen Ansteuertransistor 22, einen Schreibtransistor (Abtasttransistor) 23, einen Lichtemissionssteuertransistor 24, einen Schalttransistor 25, einen Haltekondensator 26 und einen Hilfskondensator 27. Man beachte, dass in diesem Beispiel das Pixel (Pixelschaltung) 20 nicht auf einem Isolator wie etwa einem Glassubstrat ausgebildet ist, sondern auf einem Halbleiter wie etwa Silizium. Mit anderen Worten ist das Substrat, auf dem die Pixel 20 zweidimensional angeordnet sind, ein Halbleitersubstrat. Dann enthält der Ansteuertransistor 22 einen p-Kanal-Transistor.
  • Weiterhin verwenden in diesem Beispiel der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24 und der Schalttransistor 25 ebenfalls eine Ausbildung unter Verwendung eines p-Kanal-Transistors wie ähnlich zu dem Ansteuertransistor 22. Dementsprechend besitzen der Ansteuertransistor 22, der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24 und der Schalttransistor 25 keine Ausbildung mit drei Anschlüssen, das heißt Source/Gate/Drain, sondern besitzen eine Ausbildung mit vier Anschlüssen, das heißt Source/Gate/Drain/hinteres Gate. Eine Stromversorgungsspannung Vccp auf der Seite des hohen Potenzials wird an das hintere Gate jedes Transistors angelegt.
  • Jede Gateelektrode des Schreibtransistors 23, des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25 ist mit der Scanleitung 31, der ersten Ansteuerleitung 32 und der zweiten Ansteuerleitung 33, entlang der Zeilenrichtung des Pixelarrays ausgebildet, in Einheiten von Pixelzeilen, verbunden. Deshalb können die Scanleitung 31, die erste Ansteuerleitung 32 und die zweite Ansteuerleitung 33 als die Gateverdrahtungen des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25 bezeichnet werden.
  • In dem Pixel 20 mit der obigen Ausbildung tastet der Schreibtransistor 23 die von der Signalausgangseinheit 60 durch die Signalleitung 34 gelieferte Signalspannung Vsig ab, um die Signalspannung Vsig zu der Gateelektrode des Ansteuertransistors 22 zu schreiben. Der Lichtemissionssteuertransistor 24 ist zwischen den Knoten der Stromversorgungsspannung Vccp und die Sourceelektrode des Ansteuertransistors 22 geschaltet und steuert die Lichtemission/Nicht-Lichtemission des organischen EL-Elements 21 unter der Ansteuerung durch das Lichtemissionssteuersignal DS.
  • Der Schalttransistor 25 ist zwischen einer Anodenelektrode des organischen EL-Elements 21 und einer Stromversorgungsspannung Vss (beispielsweise Massepotenzial) auf der Seite des niedrigen Potenzials geschaltet und wird durch das Ansteuersignal AZ angesteuert, um das Potenzial der Anodenelektrode des organischen EL-Elements 21 zu steuern, um das organische EL-Element 21 in einen Nicht-Lichtemittierzustand zu versetzen. Insbesondere tritt der Schalttransistor 25 als Reaktion auf das Ansteuersignal AZ in einen leitfähigen Zustand ein, wodurch die Stromversorgungsspannung Vss auf der Seite des niedrigen Potenzials an die Anodenelektrode des organischen EL-Elements 21 angelegt wird, um das organische EL-Element 21 zu steuern, während der Nicht-Lichtemittierperiode des organischen EL-Elements 21 kein Licht zu emittieren.
  • Der Haltekondensator 26 ist zwischen die Gateelektrode und die Sourceelektrode des Ansteuertransistors 22 geschaltet und hält die durch Abtasten durch den Schreibtransistor 23 geschriebene Signalspannung Vsig . Der Ansteuertransistor 22 legt einen Ansteuerstrom entsprechend der Haltespannung des Haltekondensators 26 an das organische EL-Element 21 an, um das organische EL-Element 21 anzusteuern. Der Hilfskondensator 27 ist zwischen die Sourceelektrode des Ansteuertransistors 22 und einen Knoten mit einem festen Potenzial geschaltet (beispielsweise einen Knoten der Stromversorgungsspannung Vccp auf der Seite des hohen Potenzials). Der Hilfskondensator 27 besitzt eine Wirkung des Unterdrückens der Schwankung der Sourcespannung des Ansteuertransistors 22, wenn die Signalspannung Vsig geschrieben wird, und eine Wirkung des Setzens einer Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuertransistors 22 auf eine Schwellwertspannung Vth des Ansteuertransistors 22.
  • [Grundlegendes Schaltungsverhalten]
  • Hier wird das grundlegende Schaltungsverhalten der organischen EL-Displayeinrichtung 10 vom Aktivmatrixtyp mit der obigen Ausbildung unter Bezugnahme auf das Zeitsteuerwellenformdiagramm von 3 beschrieben.
  • Das Zeitsteuerwellenformdiagramm von 3 zeigt die Änderungen des Lichtemissionssteuersignals DS, des Schreibscansignals WS, des Ansteuersignals AZ, des Potenzials Vofs/ Vsig der Signalleitung 34 und der Sourcespannung VS und der Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22.
  • Man beachte, dass, da der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24 und der Schalttransistor 25 p-Kanal-Transistoren sind, der niedrige Pegelzustand des Schreibscansignals WS, des Lichtemissionssteuersignals DS und des Ansteuersignals AZ einem aktiven Zustand entspricht und der hohe Pegelzustand davon einem inaktiven Zustand entspricht. Dann treten der Schreibtransistor 23, der Lichtemissionssteuertransistor 24 und der Schalttransistor 25 in einen leitfähigen Zustand im aktiven Zustand des Schreibscansignals WS, des Lichtemissionssteuersignals DS, des Ansteuersignals AZ ein und treten in einen nicht-leitfähigen Zustand im inaktiven Zustand davon ein.
  • Zum Zeitpunkt t1 wechselt das Schreibscansignal WS von dem hohen Pegel zu dem niedrigen Pegel, so dass der Schreibtransistor 23 in einen leitfähigen Zustand eintritt. Zu diesem Zeitpunkt befindet sich die Referenzspannung Vofs im Zustand des Ausgegebenwerdens aus der Signalausgangseinheit 60 zu der Signalleitung 34. Dementsprechend wird, da die Referenzspannung Vofs durch Abtasten durch den Schreibtransistor 23 in die Gateelektrode des Ansteuertransistors 22 geschrieben wird, die Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22 die Referenzspannung Vofs .
  • Da weiterhin zum Zeitpunkt t1 sich das Lichtemissionssteuersignal DS im niedrigen Pegelzustand befindet, befindet sich der Lichtemissionssteuertransistor 24 in einem leitfähigen Zustand. Dementsprechend ist die Sourcespannung VS des Ansteuertransistors 22 die Stromversorgungsspannung Vccp auf der Seite des hohen Potenzials. Zu diesem Zeitpunkt beträgt die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuertransistors 22 Vgs = Vofs - Vccp.
  • Um eine Schwellwertkorrekturoperation (Schwellwertkorrekturverarbeitung) durchzuführen, ist es hier notwendig, die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuertransistors 22 größer zu machen als die Schwellwertspannung Vth des Ansteuertransistors 22. Deshalb wird jeder Spannungswert so eingestellt, dass |Vgs| = |Vofs - Vccp | > |Vth| erfüllt ist.
  • Auf diese Weise ist die Initialisierungsoperation des Setzens der Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22 auf die Referenzspannung Vofs und des Setzens der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 auf die Stromversorgungsspannung Vccp die Operation der Vorbereitung, bevor die nächste Schwellwertkorrekturoperation durchgeführt wird (Vorbereitung für die Schwellwertkorrektur). Dementsprechend sind die Referenzspannung Vofs und die Stromversorgungsspannung Vccp Initialisierungsspannungen der Gatespannung Vg und der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22.
  • Wenn als Nächstes zum Zeitpunkt t2 das Lichtemissionssteuersignal DS von dem niedrigen Pegel zum dem hohen Pegel wechselt und der Lichtemissionssteuertransistor 24 in den nicht-leitfähigen Zustand eintritt, tritt die Sourceelektrode des Ansteuertransistors 22 in einen potenzialfreien Zustand ein und die Schwellwertkorrekturoperation wird in einem Zustand gestartet, wo die Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22 auf der Referenzspannung Vofs gehalten wird. Mit anderen Worten beginnt die Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 zu der Spannung abzunehmen (reduziert zu werden), die durch Subtrahieren der Schwellwertspannung Vth von der Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22 erhalten wird (Vg - Vth ).
  • In der grundlegenden Operation ist, wenn die Initialisierungsspannung Vofs der Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22 als Referenz genommen wird, die Operation des Änderns der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 zu der Spannung, die durch Subtrahieren der Schwellwertspannung Vth des Ansteuertransistors 22 von der Initialisierungsspannung Vofs erhalten wird (Vg - Vth ) die schwellwertkorrigierende Operation. Mit Fortschreiten der Schwellwertkorrekturoperation konvergiert die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuertransistors 22 schließlich zu der Schwellwertspannung Vth des Ansteuertransistors 22. Eine Spannung entsprechend dieser Schwellwertspannung Vth wird in dem Haltekondensator 26 gehalten.
  • Dann wechselt zum Zeitpunkt t3 das Schreibscansignal WS von dem niedrigen Pegel zum hohen Pegel, und wenn der Schreibtransistor 23 in einen nicht-leitfähigen Zustand eintritt, endet die Schwellwertkorrekturperiode. Danach wird zum Zeitpunkt t4 die Signalspannung Vsig des Videosignals von der Signalausgangseinheit 60 zu der Signalleitung 34 ausgegeben, und das Potenzial der Signalleitung 34 wird von der Referenzspannung Vofs zu der Signalspannung Vsig geschaltet.
  • Dann wechselt zum Zeitpunkt t5 das Schreibscansignal WS von dem hohen Pegel zu dem niedrigen Pegel, so dass der Schreibtransistor 23 in einen leitfähigen Zustand eintritt, die Signalspannung Vsig abtastet und die Signalspannung Vsig in das Pixel 20 schreibt. Durch die Schreiboperation der Signalspannung Vsig durch den Schreibtransistor 23 tritt die Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22 in die Signalspannung Vsig ein.
  • Der zwischen die Sourceelektrode des Ansteuertransistors 22 und den Knoten der Stromversorgungsspannung Vccp geschaltete Hilfskondensator 27 besitzt eine Wirkung des Unterdrückens der Schwankung der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 zum Zeitpunkt des Schreibens der Signalspannung Vsig dieses Videosignals. Wenn dann der Ansteuertransistor 22 durch die Signalspannung Vsig des Videosignals angesteuert wird, wird die Schwellwertspannung Vth des Ansteuertransistors 22 durch die Spannung entsprechend der im Haltekondensator 25 gehaltenen Schwellwertspannung Vth aufgehoben.
  • Zu diesem Zeitpunkt öffnet (erhöht) die Gatespannung Vgs des Ansteuertransistors 22 gemäß der Signalspannung Vsig , aber die Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 befindet sich immer noch in einem potenzialfreien Zustand. Deshalb wird die geladene elektrische Ladung des Haltekondensators 26 gemäß den Charakteristika des Ansteuertransistors 22 entladen. Dann beginnt zu diesem Zeitpunkt der durch den Ansteuertransistor 22 fließende Strom mit dem Laden einer Äquivalenzkapazität Cel des organischen EL-Elements 21.
  • Während die Äquivalenzkapazität Cel des organischen EL-Elements 21 geladen wird, nimmt die Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 mit Verstreichen der Zeit allmählich ab. Zu diesem Zeitpunkt ist die Schwankung der Schwellwertspannung Vth des Ansteuertransistors 22 für jedes Pixel bereits aufgehoben worden und der Drain-Source-Strom Ids des Ansteuertransistors 22 hängt von der Mobilität µ des Ansteuertransistors 22 ab. Man beachte, dass die Mobilität µ des Ansteuertransistors 22 die Mobilität des den Kanal des Ansteuertransistors 22 bildenden Halbleiterdünnfilms ist.
  • Hier wirkt der abnehmende Abschnitt der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 dahingehend, die geladene elektrische Ladung des Haltekondensators 26 zu entladen. Mit anderen Worten wird eine negative Rückkopplung an dem Haltekondensator 26 für das Ausmaß des abnehmenden Abschnitts (Änderungsausmaß) der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 angelegt. Dementsprechend ist der abnehmende Abschnitt der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 das Rückkopplungsausmaß der negativen Rückkopplung.
  • Auf diese Weise wird negative Rückkopplung auf den Haltekondensator 26 mit einem Rückkopplungsausmaß entsprechend dem durch den Ansteuertransistor 22 fließenden Drain-Source-Strom Ids angewendet, so dass die Abhängigkeit von der Mobilität µ des Drain-Source-Stroms Ids des Ansteuertransistors 22 aufgehoben werden kann. Diese Aufhebungsoperation (Aufhebungsverarbeitung) ist eine Mobilitätskorrekturoperation (Mobilitätskorrekturverarbeitung) zum Korrigieren der Schwankung der Mobilität µ des Ansteuertransistors 22 für jedes Pixel.
  • Insbesondere nimmt auch der Betrag des Rückkopplungsausmaßes der negativen Rückkopplung zu, da der Drain-Source-Strom Ids mit der Signalamplitude Vin (= Vsig - Vofs) des zu der Gateelektrode des Ansteuertransistors 22 geschriebenen Videosignals zunimmt. Dementsprechend wird eine Mobilitätskorrekturverarbeitung gemäß der Signalamplitude Vin des Videosignals durchgeführt, mit anderen Worten dem Lichtemissionsluminanzpegel. Zudem ist in einem Fall, wo die Signalamplitude Vin des Videosignals konstant ist, da die Mobilität µ des Ansteuertransistors 22 größer, auch der Betrag des Rückkopplungsausmaßes der negativen Rückkopplung größer, so dass es möglich ist, die Schwankung bei der Mobilität µ für jedes Pixel zu eliminieren.
  • Zum Zeitpunkt t6 wechselt das Schreibscansignal WS von dem niedrigen Pegel zu dem hohen Pegel, und der Schreibtransistor 23 tritt in einen nicht-leitfähigen Zustand ein, so dass die Signalschreib- und Mobilitätskorrekturperiode endet. Nachdem die Mobilitätskorrektur durchgeführt ist, wechselt zum Zeitpunkt t7 das Lichtemissionssteuersignal DS von dem hohen Pegel zum niedrigen Pegel, so dass der Lichtemissionssteuertransistor 24 in den leitfähigen Zustand eintritt. Infolgedessen wird ein Strom von dem Knoten der Stromversorgungsspannung Vccp durch den Lichtemissionssteuertransistor 24 an den Ansteuertransistor 22 geliefert.
  • Da sich zu diesem Zeitpunkt der Schreibtransistor 23 im nicht-leitfähigen Zustand befindet, so dass die Gateelektrode des Ansteuertransistors 22 elektrisch von der Signalleitung 34 getrennt ist und sich in einem potenzialfreien Zustand befindet. Wenn sich die Gateelektrode des Ansteuertransistors 22 in einem potenzialfreien Zustand befindet, da der Haltekondensator 26 zwischen das Gate und die Source des Ansteuertransistors 22 geschaltet ist, schwankt hier auch die Gatespannung Vg in Verbindung mit der Schwankung der Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22.
  • Mit anderen Worten steigen die Sourcespannung Vs und die Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22, während die im Haltekondensator 26 gehaltene Gate-Source-Spannung Vgs gehalten wird. Dann nimmt die Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 zu der Lichtemissionsspannung Voled des organischen EL-Elements 21 gemäß dem Sättigungsstrom des Transistors zu.
  • Auf diese Weise ist die Operation, bei der die Gatespannung Vg des Ansteuertransistors 22 in Verbindung mit der Schwankung der Sourcespannung Vs schwankt, eine Bootstrap-Operation. Mit anderen Worten ist die Bootstrap-Operation eine Operation, bei der, während die im Haltekondensator 26 gehaltene Gate-Source-Spannung Vgs, das heißt die Spannung an dem Haltekondensator 26 gehalten wird, die Gatespannung Vg und die Sourcespannung Vs des Ansteuertransistors 22 schwanken.
  • Dann beginnt der Drain-Source-Strom Ids des Ansteuertransistors 22 zu dem organischen EL-Element 21 zu fließen, so dass die Anodenspannung Vano des organischen EL-Elements 21 gemäß dem Strom Ids ansteigt. Wenn die Anodenspannung Vano des organischen EL-Elements 21 die Schwellwertspannung Vthe1 des organischen EL-Elements 21 übersteigt, beginnt ein Ansteuerstrom zu dem organischen EL-Element 21 zu fließen, so dass das organische EL-Element 21 Licht zu emittieren beginnt.
  • Andererseits versetzt die zweite Ansteuerscaneinheit 50B das Ansteuersignal AZ in den aktiven Zustand (Zustand des niedrigen Pegels) in der Periode ab dem Zeitpunkt t0 , das heißt vor dem Zeitpunkt t1 , bis zum Zeitpunkt t8 , das heißt nach dem Zeitpunkt t7 . Die Periode vom Zeitpunkt t0 bis zum Zeitpunkt t8 ist die Nicht-Lichtemittierperiode des organischen EL-Elements 21. In dieser Nicht-Lichtemittierperiode wird das Ansteuersignal AZ aktiv, so dass der Schalttransistor 25 als Reaktion darauf in einen leitfähigen Zustand eintritt.
  • Wenn der Schalttransistor 25 in einen leitfähigen Zustand eintritt, wird die Stromversorgungsspannung Vss auf der Seite mit dem niedrigen Potenzial über den Schalttransistor 25 an die Anodenelektrode (die Drain-Elektrode des Ansteuertransistors 22) des organischen EL-Elements 21 angelegt. Infolgedessen kann der Schalttransistor 25 in der Nicht-Lichtemittierperiode des organischen EL-Elements 21 das organische EL-Element 21 steuern, kein Licht zu emittieren. Übrigens wird in einer horizontalen Periode (1H), in der die Schwellwertkorrektur und das Signalschreiben durchgeführt werden, das Ansteuersignal AZ aktiv, aber in der darauffolgenden Lichtemittierperiode wird das Ansteuersignal AZ inaktiv.
  • Hier wird die Aufmerksamkeit dem Arbeitspunkt von der Schwellwertkorrekturvorbereitungsperiode zu der Schwellwertkorrekturperiode (Zeitpunkt t1 bis Zeitpunkt t3 ) in der Pixelausbildung ohne den Schalttransistor 25 gewidmet. Wie aus der obigen Erläuterung der Operation hervorgeht, ist es zum Durchführen der Schwellwertkorrekturoperation notwendig, die Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuertransistors 22 größer zu machen als die Schwellwertspannung Vth des Ansteuertransistors 22.
  • Wenn die Gate-Source-Spannung Vgs größer ist als die Schwellwertspannung Vth , fließt ein Strom durch den Ansteuertransistor 22. Dann übersteigt die Anodenspannung Vano des organischen EL-Elements 21 vorübergehend die Schwellwertspannung Vthe1 des organischen EL-Elements 21 von der Schwellwertkorrekturvorbereitungsperiode zu einem Teil der Schwellwertkorrekturperiode. Da ein Strom ungeachtet der Nicht-Lichtemittierperiode von dem Ansteuertransistor 22 zum organischen EL-Element 21 fließt, emittiert infolgedessen das organische EL-Element 21 Licht mit konstanter Luminanz für jedes Einzelbild ungeachtet der Abstufung der Signalspannung Vsig . Infolgedessen wird der Kontrast des Displaypanels 70 gesenkt.
  • Andererseits kann in der Pixelausbildung mit dem Schalttransistor 25 die oben beschriebene Wirkung des Schalttransistors 25 verhindern, dass der durch den Ansteuertransistor 22 fließende Strom während der Nicht-Lichtemittierperiode des organischen EL-Elements 21 in das organische EL-Element 21 fließt. Dies ermöglicht das Unterdrücken der Lichtemission des organischen EL-Elements 21 in der Nicht-Lichtemittierperiode, so dass es möglich ist, einen höheren Kontrast des Displaypanels 70 als eine Pixelausbildung ohne den Schalttransistor 25 zu erzielen.
  • In der Reihe des oben beschriebenen grundlegenden Schaltungsverhaltens wird jede Operation (Verarbeitung) der Schwellwertkorrektur, des Schreibens (Signalschreiben) der Signalspannung Vsig des Videosignals und Mobilitätskorrektur in einer horizontalen Periode (1H) durchgeführt, als Beispiel. Insbesondere wird in einer horizontalen Periode diese Operation in einer Periode t0 -t8 durchgeführt, in der das Ansteuersignal AZ in einen aktiven Zustand (Zustand mit niedrigem Pegel) eintritt und der Schalttransistor 25 in einen leitfähigen Zustand eintritt, mit anderen Worten in eine Nicht-Lichtemittierperiode des organischen EL-Elements 21.
  • [Parasitäre Kapazität zwischen Verdrahtungen]
  • In der oben beschriebenen organischen EL-Displayeinrichtung 10 vom Aktivmatrixtyp werden Gateverdrahtungen des Schreibtransistors 23, des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25, mit anderen Worten die Scanleitung 31, die erste Ansteuerleitung 32 und die zweite Ansteuerleitung 33, entlang der Zeilenrichtung des Pixelarrays ausgebildet, wie oben beschrieben.
  • Hier wird, wenn die Anzahl von Pixeln bei höherer Auflösung zunimmt, der Abstand zwischen den Pixeln 20 kleiner. Weiterhin ist in einem Mikrodisplay (ultrakompakte Displayeinrichtung) natürlich der Abstand zwischen den Pixeln 20 kleiner als der in einem allgemeinen Display zur Anwendung als ein Monitor. Wenn wie oben beschrieben der Abstand zwischen den Pixeln 20 kleiner wird, kann die entlang der Zeilenrichtung des Pixelarrays ausgebildete und zwischen benachbarten Gateverdrahtungen auftretende parasitäre Kapazität nicht ignoriert werden.
  • (Beispiel, bei dem benachbarte Gateverdrahtungen in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet werden)
  • Hier wird ein Fall, wo Gateverdrahtungen des Schreibtransistors 23, des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25 in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet werden, als ein herkömmliches Beispiel angesehen. 4A ist eine Draufsicht der Gateverdrahtungsstruktur des Schreibtransistors 23, des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25 gemäß dem herkömmlichen Beispiel, und 4B ist eine Querschnittsansicht entlang einer Linie A-A von 4A.
  • Bezüglich des Ansteuertransistors 22 ist die erste Ansteuerleitung 32, die eine Gateverdrahtung des Lichtemissionssteuertransistors 24 ist, auf einer Seite des Ansteuertransistors 22 ausgebildet, und die Scanleitung 31, die eine Gateverdrahtung des Schreibtransistors 23 ist, und die zweite Ansteuerleitung 33, die eine Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 ist, sind auf der anderen Seite des Ansteuertransistors 22 entlang der Zeilenrichtung ausgebildet. Die erste Ansteuerleitung 32, die Scanleitung 31 und die zweite Ansteuerleitung 33 sind alle in der ersten Verdrahtungsschicht ausgebildet, mit anderen Worten in der gleichen Verdrahtungsschicht.
  • Mit der ersten Ansteuerleitung 32 ist eine Gateelektrode 24G des Lichtemissionssteuertransistors 24 durch einen Kontakt 24C verbunden. Mit der Scanleitung 31 ist eine Gateelektrode 23G des Schreibtransistors 23 durch einen Kontakt 23C verbunden. Mit der zweiten Ansteuerleitung 33 ist eine Gateelektrode 25G des Schalttransistors 25 durch einen Kontakt 25c verbunden.
  • In der oben beschriebenen Gateverdrahtungsstruktur sind die Scanleitung 31 und die zweite Ansteuerleitung 33 nebeneinander und parallel entlang der Zeilenrichtung ausgebildet. Wenn der Abstand zwischen den Pixeln 20 klein wird, nimmt deshalb der Kapazitätswert der parasitären Kapazität C1 zwischen den Gateverdrahtungen zu. Hier ist der Schalttransistor 25 mit der zweiten Ansteuerleitung 33 als eine Gateverdrahtung mit der Anodenelektrode des organischen EL-Elements 21 verbunden (siehe 2). Wenn das Potenzial der zweiten Ansteuerleitung 33 durch Koppeln aufgrund der parasitären Kapazität C1 in der Potenzialschwankung der Scanleitung 31 schwankt, die eine benachbarte Gateverdrahtung ist, beeinträchtigt dementsprechend die Potenzialschwankung der zweiten Ansteuerleitung 33 die Lichtemittieroperation des organischen EL-Elements 21, was Displayungleichmäßigkeit bewirken kann.
  • (Erste Ausführungsform)
  • Eine erste Ausführungsform ist ein Beispiel, bei dem die Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 in der Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die von einer Gateverdrahtung eines anderen Transistors verschieden ist. 5A ist eine Draufsicht der Gateverdrahtungsstruktur des Schreibtransistors 23, des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25 gemäß der ersten Ausführungsform, und 5B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B von 5A.
  • In der Gateverdrahtungsstruktur gemäß der ersten Ausführungsform ist die zweite Ansteuerleitung 33, die die Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 ist, in der ersten Verdrahtungsschicht ausgebildet, die Scanleitung 31 und die erste Ansteuerleitung 32, die die Gateverdrahtungen des Schreibtransistors 23 bzw. des Lichtemissionssteuertransistors 24 sind, sind in der zweiten Verdrahtungsschicht ausgebildet.
  • Dann ist die Gateelektrode 24G des Lichtemissionssteuertransistors 24 durch den Kontakt 24C über eine in der ersten Verdrahtungsschicht ausgebildete inselförmige Relaiselektrode 41 mit der in der zweiten Verdrahtungsschicht ausgebildeten ersten Ansteuerleitung 32 verbunden. Analog ist die Gateelektrode 23G des Schreibtransistors 23 mit der in der zweiten Verdrahtungsschicht ausgebildeten Scanleitung 31 durch den Kontakt 23c über eine in der ersten Verdrahtungsschicht ausgebildete inselförmige Relaiselektrode 4142 verbunden.
  • Man beachte, dass, obwohl die Gateverdrahtungsstruktur, in der sowohl die Scanleitung 31 als auch die erste Ansteuerleitung 32 in der zweiten Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, hier dargestellt worden ist, beliebige Gateverdrahtungsstrukturen verwendet werden können, solange die Scanleitung 31 bei mindestens der zweiten Ansteuerleitung 33 in der zweiten Verdrahtungsschicht ausgebildet ist. Zudem kann die Gateverdrahtungsstruktur eine Struktur sein, in der die zweite Ansteuerleitung 33 in der zweiten Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, und die Scanleitung 31 oder die Scanleitung 31 und die erste Ansteuerleitung 32 sind in der ersten Verdrahtungsschicht ausgebildet.
  • Auf diese Weise ist die zweite Ansteuerleitung 33, die die Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 ist, in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet, die von der benachbarten Scanleitung 31 verschieden ist, so dass ein Verdrahtungsabstand zwischen der zweiten Ansteuerleitung 33 und der Scanleitung 31 größer sind als der in einem Fall, wo beide Gateverdrahtungen in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind. Dementsprechend kann eine zwischen der zweiten Ansteuerleitung 33 und der Scanleitung 31 generierte parasitäre Kapazität C2 im Vergleich zu der parasitären Kapazität C1 in einem Fall, wo beide Gateverdrahtungen in der gleichen Verdrahtungsschicht ausgebildet sind, reduziert werden. Infolgedessen kann, wenn das Potenzial der Scanleitung 31 schwankt, der Einfluss des Koppelns aufgrund der parasitären Kapazität C2 zu der zweiten Ansteuerleitung 33 von der Scanleitung 31 unterdrückt werden, so dass es möglich ist, die Displayungleichmäßigkeit zu unterdrücken, die durch die durch Koppelrauschen oder dergleichen generierte Schwankung des Potenzials der zweiten Ansteuerleitung 33 bewirkt wird.
  • (Zweite Ausführungsform)
  • Eine zweite Ausführungsform ist eine Modifikation der ersten Ausführungsform und ist ein Beispiel, bei dem eine Stromversorgungsverdrahtung mit einem festen Potenzial über der zweiten Ansteuerleitung 33 ausgebildet ist, die die Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 ist. 6A ist eine Draufsicht der Gateverdrahtungsstruktur des Schreibtransistors 23, des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25 gemäß der zweiten Ausführungsform, und 6B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-C von 6A.
  • In der Gateverdrahtungsstruktur gemäß der zweiten Ausführungsform wird die zweite Ansteuerleitung 33, die die Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 ist, in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet, die von der benachbarten Scanleitung 31 verschieden ist, und dann wird eine Stromversorgungsverdrahtung 36 mit der Stromversorgungsspannung Vccp über der zweiten Ansteuerleitung 33 ausgebildet (in dieser Ausführungsform der zweiten Verdrahtungsschicht). Infolgedessen wird eine parasitäre Kapazität C3 zwischen der zweiten Ansteuerleitung 33 und der Stromversorgungsverdrahtung 36 über der zweiten Ansteuerleitung 33 ausgebildet.
  • Gemäß der Gateverdrahtungsstruktur gemäß der zweiten Ausführungsform wie ähnlich dem Fall der ersten Ausführungsform, zusätzlich dazu, dass sie in der Lage ist, den Einfluss der Kopplung aufgrund der parasitären Kapazität C2 bezüglich der zweiten Ansteuerleitung 33 von der Scanleitung 31 zu unterdrücken, kann das Potenzial der zweiten Ansteuerleitung 33 durch die Wirkung der parasitären Kapazität C3 weiter stabilisiert werden. Infolgedessen kann das Potenzial der zweiten Ansteuerleitung 33 weniger anfällig für Einfluss von anderen Gateverdrahtungen gemacht werden, so dass eine Displayungleichmäßigkeit aufgrund der Schwankung des Potenzials der zweiten Ansteuerleitung 33 unterdrückt werden kann.
  • (Dritte Ausführungsform)
  • Eine dritte Ausführungsform ist eine Modifikation der dritten Ausführungsform und ist ein Beispiel, bei der eine Stromversorgungsverdrahtung mit einem festen Potenzial unter der zweiten Ansteuerleitung 33 ausgebildet ist, die die Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 ist. 7A ist eine Draufsicht der Gateverdrahtungsstruktur des Schreibtransistors 23, des Lichtemissionssteuertransistors 24 und des Schalttransistors 25 gemäß der dritten Ausführungsform, und 7B ist eine Querschnittsansicht entlang der Linie D-D von 7A.
  • In der Gateverdrahtungsstruktur gemäß der dritten Ausführungsform wird die zweite Ansteuerleitung 33, die die Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 ist, in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet, die von der benachbarten Scanleitung 31 verschieden ist, und dann wird eine Stromversorgungsverdrahtung 36 mit der Stromversorgungsspannung Vccp unter der zweiten Ansteuerleitung 33 ausgebildet (in dieser Ausführungsform der ersten Verdrahtungsschicht). Infolgedessen wird eine parasitäre Kapazität C3 zwischen der zweiten Ansteuerleitung 33 und der Stromversorgungsverdrahtung 36 unter der zweiten Ansteuerleitung 33 ausgebildet.
  • Mit der Gateverdrahtungsstruktur gemäß der dritten Ausführungsform können eine ähnliche Operation und ein ähnlicher Effekt zu jenen im Fall der zweiten Ausführungsform erhalten werden. Mit anderen Worten, wie ähnlich dem Fall der ersten Ausführungsform, zusätzlich dazu, dass sie in der Lage ist, den Einfluss der Kopplung aufgrund der parasitären Kapazität C2 bezüglich der zweiten Ansteuerleitung 33 von der Scanleitung 31 zu unterdrücken, kann das Potenzial der zweiten Ansteuerleitung 33 durch die Wirkung der parasitären Kapazität C3 weiter stabilisiert werden. Infolgedessen kann das Potenzial der zweiten Ansteuerleitung 33 weniger anfällig für Einfluss von anderen Gateverdrahtungen gemacht werden, so dass eine Displayungleichmäßigkeit aufgrund der Schwankung des Potenzials der zweiten Ansteuerleitung 33 unterdrückt werden kann.
  • <Modifikation>
  • Obwohl die Technologie der vorliegenden Offenbarung oben auf Basis der bevorzugten Ausführungsformen beschrieben worden ist, ist die Technik der vorliegenden Offenbarung nicht auf die Ausführungsformen beschränkt. Die Ausbildung und Struktur der in jeder der obigen Ausführungsformen beschriebenen Displayeinrichtung sind veranschaulichend und können gegebenenfalls geändert werden. Beispielsweise wird in jeder der obigen Ausführungsformen die Gateverdrahtung (Scanleitung 31) des Schreibtransistors 23 als die Gateverdrahtung eines anderen Transistors exemplifiziert, doch ist die Gateverdrahtung eines anderen Transistors nicht darauf beschränkt. Beispielsweise kann in der in 2 gezeigten Pixelschaltung die Gateverdrahtung (erste Ansteuerleitung 32) des Lichtemissionssteuertransistors 24 als die Gateverdrahtung eines anderen Transistors verwendet werden.
  • <Elektronikeinrichtung der vorliegenden Offenbarung>
  • Die Displayeinrichtung gemäß der oben beschriebenen vorliegenden Offenbarung kann als eine Displayeinheit (Displayeinrichtung) einer Elektronikeinrichtung auf beliebigen Gebieten verwendet werden, die ein in eine Elektronikeinrichtung eingegebenes Videosignal oder ein in der Elektronikeinrichtung generiertes Videosignal als ein Bild oder Video anzeigt. Beispiele der Elektronikeinrichtung können ein Fernseher, ein Notebook-PC, ein digitaler Fotoapparat, eine mobile Terminaleinrichtung wie etwa ein Handy, ein Head-Mount-Display und dergleichen aufweisen. Jedoch ist die Elektronikeinrichtung nicht auf diese beschränkt.
  • Wie oben beschrieben, können die folgenden Effekte durch Verwenden der Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als eine Displayeinrichtung in Elektronikeinrichtungen von beliebigen Gebieten verwendet werden. Mit anderen Worten ist es gemäß der Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung möglich, eine durch die Schwankung des Potenzials der Gateverdrahtung des Schalttransistors 25 verursachte Displayungleichmäßigkeit zu unterdrücken. Dementsprechend wird die Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als eine Displayeinheit (Displayeinrichtung) der Elektronikeinrichtung verwendet, und dadurch kann die Displayqualität des Displaybilds verbessert werden.
  • Die Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung weist auch eine Modulform einer abgedichteten Ausbildung auf. Beispiele einer derartigen Displayeinrichtung weisen ein Displaymodul auf, das ausgebildet wird, durch Befestigen einer Verkleidungeneinheit wie etwa eines transparenten Glases an einer Pixelarrayeinheit. Man beachte, dass das Displaymodul mit einer Schaltungseinheit für das Eingeben und Ausgeben eines Signals oder dergleichen von der Außenseite zu der Pixelarrayeinheit, einer flexiblen Schaltung (FPC) oder dergleichen ausgestattet sein kann. Im Folgenden werden ein digitaler Fotoapparat und ein Head-Mounted-Display als spezifische Beispiele der Elektronikeinrichtung unter Verwendung der Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung exemplifiziert. Die hier dargestellten spezifischen Beispiele sind jedoch lediglich Beispiele, und die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
  • [Spezifisches Beispiel 1]
  • 8 ist eine Außenansicht einer digitalen Spiegelreflexkamera vom Wechselobjektivtyp, 8A ist eine Vorderansicht davon, und 8B ist eine Rückansicht davon. Eine digitale Spiegelreflexkamera vom Linsen-Wechselobjektivtyp besitzt beispielsweise eine Wechselfotoobjektiveinheit (Wechselobjektiv) 112 auf der vorderen rechten Seite einer Kameragehäuseeinheit (Kameragehäuse) 111 und eine Griffeinheit 113, die durch einen Fotografen auf der linken vorderen Seite gegriffen wird.
  • Dann ist ein Monitor 114 im Wesentlichen in der Mitte der hinteren Oberfläche der Kameragehäuseeinheit 111 bereitgestellt. Ein elektronischer Sucher (Okularfenster) 115 ist auf dem oberen Abschnitt des Monitors 114 vorgesehen. Durch Blicken in einen elektronischen Sucher 115 kann der Fotograf ein optisches Bild eines von der Fotoobjektiveinheit 112 eingeführten Subjekts erkennen und die Komposition bestimmen.
  • Bei der digitalen Spiegelreflexkamera vom Linsen-Wechselobjektivtyp mit der obigen Ausbildung kann die Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als der elektronische Sucher 115 verwendet werden. Mit anderen Worten wird die digitale Spiegelreflexkamera vom Linsen-Wechselobjektivtyp gemäß dem vorliegenden Beispiel unter Verwendung der Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als den elektronischen Sucher 115 hergestellt.
  • [Spezifisches Beispiel 2]
  • 9 ist eine Außenansicht eines Head-Mounted-Displays. Das Head-Mount-Display besitzt beispielsweise einen Ohrbügel 212, der im Kopf eines Benutzers getragen wird, auf beiden Seiten einer brillenförmigen Displayeinheit 211. In diesem Head-Mounted-Display kann die Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Displayeinheit 211 verwendet werden. Mit anderen Worten wird das Head-Mounted-Display gemäß dem vorliegenden Beispiel unter Verwendung der Displayeinrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Displayeinheit 211 hergestellt.
  • <Ausbildung, die die vorliegende Offenbarung besitzen kann>
  • Man beachte, dass die vorliegende Offenbarung auch die folgende Ausbildung besitzen kann.
    • [1] Eine Displayeinrichtung, aufweisend:
      • Pixel aufweisend eine Lichtemittiereinheit und mehrere Transistoren, wobei die Pixel zweidimensional in einer Matrix angeordnet sind; und
      • Gateverdrahtungen der mehreren Transistoren, entlang einer Zeilenrichtung eines Pixelarrays ausgebildet,
      • bei dem unter den mehreren Transistoren eine Gateverdrahtung eines mit einer Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit verbundenen Schalttransistors in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die von einer Gateverdrahtung eines anderen Transistors verschieden ist.
    • [2] Die in [1] oben beschriebene Displayeinrichtung, bei der der Schalttransistor ein Potenzial der Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit steuert, um die Lichtemittiereinheit in einen Nicht-Lichtemittierzustand zu versetzen.
    • [3] Die in [1] oder [2] oben beschriebene Displayeinrichtung, bei der eine Stromversorgungsverdrahtung mit einem festen Potenzial über oder unter der Gateverdrahtung des Schalttransistors ausgebildet ist.
    • [4] Die in einem beliebigen von [1] bis [3] oben beschriebene Displayeinrichtung, bei der der andere Transistor ein Schreibtransistor zum Schreiben eines Videosignals bezüglich einer Gateelektrode eines Ansteuertransistors ist, der die Lichtemittiereinheit ansteuert.
    • [5] Die in [4] oben beschriebene Displayeinrichtung, bei der in den Pixeln das Verarbeiten zum Korrigieren von Schwankungen in Charakteristika des Ansteuertransistors während einer Nicht-Lichtemittierperiode der Lichtemittiereinheit, in der sich der Schalttransistor in einem leitfähigen Zustand befindet, durchgeführt wird.
    • [6] Die in einem von [1] bis [5] oben beschriebene Displayeinrichtung, bei der ein Substrat, auf dem die Pixel zweidimensional angeordnet sind, ein Halbleitersubstrat ist.
    • [7] Die in einem von [1] bis [6] oben beschriebene Displayeinrichtung, bei der die Lichtemittiereinheit ein organisches Elektrolumineszenzelement aufweist.
    • [8] Eine Elektronikeinrichtung aufweisend eine Displayeinrichtung, wobei die Displayeinrichtung aufweist:
      • Pixel aufweisend eine Lichtemittiereinheit und mehrere Transistoren und zweidimensional in einer Matrix angeordnet; und Gateverdrahtungen der mehreren Transistoren, entlang einer Zeilenrichtung eines Pixelarrays ausgebildet,
      • bei der unter den mehreren Transistoren eine Gateverdrahtung eines mit einer Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit verbundenen Schalttransistors in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die von einer Gateverdrahtung eines anderen Transistors verschieden ist.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    organische EL-Displayeinrichtung
    20
    Pixel (Pixelschaltung)
    21
    organisches EL-Element
    22
    Ansteuertransistor
    23
    Schreibtransistor
    24
    Lichtemissionssteuertransistor
    25
    Schalttransistor
    26
    Haltekondensator
    27
    Hilfskondensator
    30
    Pixelarrayeinheit
    31 (311 bis 31m)
    Abtastleitung
    32 (321 bis 32m)
    erste Ansteuerleitung
    33 (331 bis 33m)
    zweite Ansteuerleitung
    34 (341 bis 34n)
    Signalleitung
    35
    gemeinsame Stromversorgungsleitung
    36
    Stromverdrahtung
    40
    Schreibscaneinheit
    50A
    erste Ansteuerscaneinheit
    50B
    zweite Ansteuerscaneinheit
    60
    Signalausgangseinheit
    70
    Displaypanel
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • JP 200833193 [0005]

Claims (8)

  1. Displayeinrichtung, aufweisend: Pixel aufweisend eine Lichtemittiereinheit und mehrere Transistoren, wobei die Pixel zweidimensional in einer Matrix angeordnet sind; und Gateverdrahtungen der mehreren Transistoren, entlang einer Zeilenrichtung eines Pixelarrays ausgebildet, wobei unter den mehreren Transistoren eine Gateverdrahtung eines mit einer Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit verbundenen Schalttransistors in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die von einer Gateverdrahtung eines anderen Transistors verschieden ist.
  2. Displayeinrichtung nach Anspruch 1, wobei der Schalttransistor ein Potenzial der Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit steuert, um die Lichtemittiereinheit in einen Nicht-Lichtemittierzustand zu versetzen.
  3. Displayeinrichtung nach Anspruch 1, wobei eine Stromversorgungsverdrahtung mit einem festen Potenzial über oder unter der Gateverdrahtung des Schalttransistors ausgebildet ist.
  4. Displayeinrichtung nach Anspruch 1, wobei der andere Transistor ein Schreibtransistor zum Schreiben eines Videosignals bezüglich einer Gateelektrode eines Ansteuertransistors ist, der die Lichtemittiereinheit ansteuert.
  5. Displayeinrichtung nach Anspruch 4, wobei in den Pixeln das Verarbeiten zum Korrigieren von Schwankungen in Charakteristika des Ansteuertransistors während einer Nicht-Lichtemittierperiode der Lichtemittiereinheit, in der sich der Schalttransistor in einem leitfähigen Zustand befindet, durchgeführt wird.
  6. Displayeinrichtung nach Anspruch 1, wobei ein Substrat, auf dem die Pixel zweidimensional angeordnet sind, ein Halbleitersubstrat ist.
  7. Displayeinrichtung nach Anspruch 1, wobei die Lichtemittiereinheit ein organisches Elektrolumineszenzelement aufweist.
  8. Elektronikeinrichtung aufweisend eine Displayeinrichtung, wobei die Displayeinrichtung aufweist: Pixel aufweisend eine Lichtemittiereinheit und mehrere Transistoren, wobei die Pixel zweidimensional in einer Matrix angeordnet sind; und Gateverdrahtungen der mehreren Transistoren, entlang einer Zeilenrichtung eines Pixelarrays ausgebildet, wobei unter den mehreren Transistoren eine Gateverdrahtung eines mit einer Anodenelektrode der Lichtemittiereinheit verbundenen Schalttransistors in einer Verdrahtungsschicht ausgebildet ist, die von einer Gateverdrahtung eines anderen Transistors verschieden ist.
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