DE112020001166T5

DE112020001166T5 - Anzeigevorrichtung und elektronisches instrument

Info

Publication number: DE112020001166T5
Application number: DE112020001166.6T
Authority: DE
Inventors: Kiwamu Miura
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2019-03-12
Filing date: 2020-03-04
Publication date: 2022-03-31
Also published as: US20220130914A1; WO2020184329A1; JP2020148847A; CN113544761A; CN113544761B

Abstract

Diese Anzeigevorrichtung (70) umfasst einen Pixelarrayabschnitt, in dem Pixel einschließlich Lichtemissionsteilen (21) angeordnet sind, eine Padelektrodenschicht (79), die auf der Außenseite des Pixelarrayabschnitts auf einem Substrat (71) angeordnet ist, auf dem die Lichtemissionsteile (21) gebildet sind, und eine Wärmeabsorptionsschicht (82), die thermisch mit der Padelektrodenschicht (79) verbunden ist. Außerdem weist dieses elektronische Instrument die Anzeigevorrichtung (70) mit der obigen Konfiguration auf.

Description

TECHNISCHES GEBIET
Die vorliegende Offenbarung betrifft eine Anzeigevorrichtung und eine elektronische Vorrichtung.
HINTERGRUND
In den letzten Jahren haben sich flache (Flat-Panel)-Anzeigevorrichtungen zum Mainstream der Anzeigevorrichtungen entwickelt. Als eine der flachen Anzeigevorrichtungen gibt es eine Anzeigevorrichtung, die als einen Lichtemissionsteil (Lichtemissionselement) eines Pixels eine sogenannte stromangesteuerte elektrooptische Vorrichtung mit einer Lichtemissionshelligkeit beinhaltet, die sich gemäß dem Wert des durch die Vorrichtungen fließenden Stroms ändert. Beispiele für eine stromangesteuerte elektrooptische Vorrichtung können eine organische Elektrolumineszenz(kann nachfolgend als „EL“ bezeichnet werde)-Vorrichtung beinhalten, die die Elektrolumineszenz eines organischen Materials verwendet und die Licht emittiert, wenn ein elektrisches Feld an einen organischen Dünnfilm angelegt wird (siehe zum Beispiel Patentdokument 1).
ZITATLISTE
PATENTDOKUMENT
Patentdokument 1: Japanische Patentanmeldung mit der Offenlegungs-Nr. 2012-209018
KURZDARSTELLUNG DER ERFINDUNG
DURCH DIE ERFINDUNG ZU LÖSENDE PROBLEME
Übrigens weisen organische EL-Vorrichtungen eine schwache Wärmebeständigkeit auf. Daher ist es erforderlich, ausreichend auf Wärme in dem Herstellungsprozess einer organischen EL-Anzeigevorrichtung zu achten. Insbesondere ist bei einer Mikroanzeige mit einem Halbleitersubstrat als ein Substrat, das eine organische EL-Vorrichtung und ihren Ansteuerungsschaltkreisteil bildet, die Panelgröße klein, so dass sich insbesondere in einem Montageprozess, der eine hohe Temperatur nach dem EL-Prozess erfordert, auf den Padteil angewandte Wärme zu der organischen EL-Vorrichtung in dem Anzeigebereich(Pixelbereich) ausbreitet und eine Verschlechterung der organischen EL-Vorrichtung aufgrund des Wärmeschadens die Anzeigequalität verschlechtern kann.
Daher ist es ein Ziel der vorliegenden Offenbarung, eine Anzeigevorrichtung, die zum Reduzieren eines Wärmeschadens an einem Lichtemissionsteil einer organischen EL-Vorrichtung oder dergleichen und Unterdrücken einer Verschlechterung einer Anzeigequalität aufgrund des Wärmeschadens in der Lage ist, und eine elektronische Vorrichtung, die die Anzeigevorrichtung beinhaltet, bereitzustellen.
LÖSUNGEN DER PROBLEME
Eine Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung zum Erreichen des oben beschriebenen Ziels beinhaltet Folgendes:

einen Pixelarrayteil, in dem Pixel, die jeweils einen Lichtemissionsteil beinhalten, angeordnet sind;
eine Padelektrodenschicht, die außerhalb des Pixelarrayteils auf einem Substrat angeordnet ist, auf dem ein Lichtemissionsteil gebildet ist; und
eine Wärmeabsorptionsschicht, die thermisch mit der Padelektrodenschicht gekoppelt ist.

Weiterhin beinhaltet eine elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung zum Erreichen des oben beschriebenen Ziels eine Anzeigevorrichtung mit der oben beschriebenen Konfiguration.
Figurenliste

1 ist ein Systemkonfigurationsdiagramm, das eine Übersicht einer grundlegenden Konfiguration einer Anzeigevorrichtung veranschaulicht, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt wird.
2 ist ein Schaltbild, das eine Schaltkreiskonfiguration eines Einheitspixels (Pixelschaltkreises) veranschaulicht.
3 ist eine Querschnittsansicht, die eine grundlegende Panelstruktur des Außenperipherieteils eines Pixelarrayteils in einem Anzeigepanel veranschaulicht.
4 ist eine Querschnittsansicht, die eine Panelstruktur des Außenperipherieteils eines Pixelarrayteils in einem Anzeigepanel gemäß einem ersten Beispiel veranschaulicht.
5 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Padelektrodenschicht und eine Wärmeabsorptionsschicht in der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel veranschaulicht.
6 ist eine Querschnittsansicht, die eine Panelstruktur des Außenperipherieteils eines Pixelarrayteils in einem Anzeigepanel gemäß einem zweiten Beispiel veranschaulicht.
7 ist eine schematische perspektivische Ansicht, die eine Padelektrodenschicht und eine Wärmeabsorptionsschicht in der Panelstruktur gemäß dem zweiten Beispiel veranschaulicht.
8A ist eine Außenansicht eines Smartphones gemäß einem ersten speziellen Beispiel für die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung bei Betrachtung von der Vorderseite, und 8B ist eine Außenansicht bei Betrachtung von der Rückseite.
9 ist eine Außenansicht, die eine am Kopf getragene Anzeige gemäß einem zweiten speziellen Beispiel für die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung veranschaulicht.
10A ist eine Vorderansicht einer digitalen Fotokamera gemäß einem dritten speziellen Beispiel für die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung, und 10B ist eine Rückansicht der digitalen Fotokamera.

AUSFÜHRUNGSWEISE DER ERFINDUNG
Nachfolgend werden Ausführungsformen zum Ausführen der Technologie der vorliegenden Offenbarung (nachfolgend als „Ausführungsformen“ bezeichnet) unter Bezugnahme auf die Zeichnungen ausführlich beschrieben. Die Technologie der vorliegende Offenbarung ist nicht auf die Ausführungsformen beschränkt und verschiedene numerische Werte und Materialien in den Ausführungsformen sind Beispiele. In der folgenden Beschreibung werden die gleichen Bezugszeichen für das gleiche Element oder die gleichen Elemente mit der gleichen Funktion verwendet und die Beschreibung wird nicht wiederholt. Es ist zu beachten, dass die Beschreibung in der folgenden Reihenfolge gegeben wird.

1. Gesamtbeschreibung der Anzeigevorrichtung und elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung
2. Aktivmatrixanzeigevorrichtung, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt wird
- 2-1. Systemkonfiguration
- 2-2. Pixelschaltkreis
- 2-3. Grundlegende Panelstruktur
3. Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung
- 3-1. Erstes Beispiel (ein Beispiel, bei dem eine Wärmeabsorptionsschicht in der Längenrichtung entsprechend einem Teil jedes Pads einer Padelektrodenschicht bereitgestellt ist)
- 3-2. Zweites Beispiel (ein Beispiel, bei dem die Wärmeabsorptionsschicht in der Längenrichtung über der Gesamtheit jedes Pads der Padelektrodenschicht bereitgestellt ist)
4. Modifikationsbeispiele
5. Elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung
- 5-1. Erstes spezielles Beispiel (Beispiel eines Smartphones)
- 5-2. Zweites spezielles Beispiel (Beispiel einer am Kopf getragenen Anzeige)
- 5-3 Drittes spezielles Beispiel (Beispiel einer digitalen Fotokamera)
6. Mögliche Konfiguration der vorliegenden Offenbarung

<Gesamtbeschreibung der Anzeigevorrichtung und elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung>
Bei einer Anzeigevorrichtung und einer elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung kann eine Wärmeabsorptionsschicht eine Funktion zum Erhöhen der Wärmekapazität einer Padelektrodenschicht aufweisen. Des Weiteren kann die Wärmeabsorptionsschicht eine Verdrahtungsschicht beinhalten, die als eine Schicht unterhalb der Padelektrodenschicht gebildet ist.
Bei der Anzeigevorrichtung und der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung mit der oben beschriebenen vorteilhaften Konfiguration kann die Wärmeabsorptionsschicht in der Längenrichtung über der Gesamtheit jedes Pads der Padelektrodenschicht bereitgestellt sein. Des Weiteren kann eine Schaltkreisverdrahtungsschicht unterhalb der Wärmeabsorptionsschicht bereitgestellt sein. Des Weiteren kann eine Verdrahtungsschicht, die als die gleiche Schicht wie die Wärmeabsorptionsschicht gebildet ist, unterhalb des Pixelarrayteils bereitgestellt sein.
Des Weiteren kann bei der Anzeigevorrichtung und der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung, die die oben beschriebene bevorzugte Konfiguration haben, der Lichtemissionsteil eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung (organische EL-Vorrichtung) beinhalten. Die Wärmeabsorptionsschicht kann aus dem gleichen Material wie das Material der Anodenelektrode der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gefertigt sein.
Des Weiteren können bei der Anzeigevorrichtung und der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung, die die oben beschriebene bevorzugte Konfiguration haben, der Schaltkreisteil, der den Lichtemissionsteil ansteuert, auf einem Halbleitersubstrat gebildet werden.
Bei der Anzeigevorrichtung und der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung mit der oben beschriebenen bevorzugten Konfiguration kann die Anzeigevorrichtung eine Konfiguration einer organischen EL-Anzeigevorrichtung aufweisen, in der mehrere Subpixel Lichtemissionsteile (Lichtemissionselemente) beinhalten, die aus organischen EL-Vorrichtungen gefertigt sind. Das heißt, bei der organischen EL-Anzeigevorrichtung sind Subpixel durch jeweilige organische EL-Vorrichtungen gebildet. Die organische EL-Vorrichtung ist eine sogenannte stromangesteuerte elektrooptische Vorrichtung mit einer Lichtemissionshelligkeit, die sich gemäß dem Wert des Stroms ändert, der durch die Vorrichtung fließt.
Die organische EL-Anzeigevorrichtung kann als eine Monitorvorrichtung, die zum Beispiel in einem PC, einer Videokamera oder einer digitalen Fotokamera, einem Fernsehempfänger, einem Mobiltelefon, einem persönlichen digitalen Assistenten (PDA) oder einer Spielevorrichtung enthalten ist, verwendet werden. Alternativ dazu kann die organische EL-Anzeigevorrichtung auf einen elektronischen Sucher (EVF: Electronic View Finder) und eine am Kopf getragene Anzeige (HMD: Head Mounted Display) angewandt werden. Alternativ dazu können exemplarisch andere Beleuchtungsvorrichtungen einschließlich einer Hintergrundbeleuchtungsvorrichtung und einer planaren Lichtquellenvorrichtung für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung genannt werden.
Bei der organischen EL-Vorrichtung beinhaltet die organische Schicht, die eine funktionale Lichtemissionsschicht ist, eine Lichtemissionsschicht (zum Beispiel eine Lichtemissionsschicht, die aus einem organischen Lichtemissionsmaterial gefertigt ist). Insbesondere kann die organische Schicht eine laminierte Struktur aufweisen, wie etwa zum Beispiel eine laminierte Struktur aus einer Lochtransportschicht, einer Lichtemissionsschicht und einer Elektronentransportschicht, eine laminierte Struktur aus einer Lochtransportschicht und einer Lichtemissionsschicht, die auch als eine Elektronentransportschicht dient, und eine laminierte Struktur aus einer Lochinjektionsschicht, einer Lochtransportschicht, einer Lichtemissionsschicht, einer Elektronentransportschicht und einer Elektroneninjektionsschicht. Falls diese laminierten Strukturen und dergleichen als Tandemeinheiten bereitgestellt werden, kann die organische Schicht des Weiteren eine zweistufige Tandemstruktur aufweisen, in der eine erste Tandemeinheit, eine Verbindungsschicht, und eine zweite Tandemeinheit laminiert sind, und die organische Schicht kann auch eine dreistufige Tandemstruktur aufweisen, bei der drei oder mehr Tandemeinheiten laminiert sind. In diesen Fällen kann eine organische Schicht erhalten werden, die als Ganzes Weißlicht emittiert, indem bewirkt wird, dass Tandemeinheiten unterschiedliche Lichtemissionsfarben haben, wie etwa Rot, Grün und Blau.
Beispiele für ein Verfahren zum Bilden einer organischen Schicht beinhalten folgende: ein physikalisches Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD-Verfahren), wie etwa ein Vakuumabscheidungsverfahren; ein Druckverfahren, wie etwa ein Siebdruckverfahren oder ein Tintenstrahldruckverfahren; ein Lasertransferverfahren zum Bestrahlen einer laminierten Struktur aus einer Laserabsorptionsschicht und einer organischen Schicht, die auf einem Transfersubstrat gebildet sind, mit Laserlicht, um die organische Schicht auf der Laserabsorptionsschicht zu separieren und die organische Schicht zu transferieren, und verschiedene Beschichtungsverfahren. Falls eine organische Schicht basierend auf zum Beispiel einem Vakuumgasphasenabscheidungsverfahren gebildet wird, kann eine organische Schicht erhalten werden, indem eine sogenannte Metallmaske verwendet wird und ein Material abgeschieden wird, das durch eine in der Metallmaske gebildete Öffnung hindurchgegangen ist, und kann die organische Schicht auf der gesamten Oberfläche ohne Strukturierung gebildet werden.
<Anzeigevorrichtung, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist>
Die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung ist eine Aktivmatrixanzeigevorrichtung, bei der der durch die elektrooptische Vorrichtung fließende Strom durch ein aktives Element, das in demselben Pixelschaltkreis wie die elektrooptische Vorrichtung bereitgestellt ist, zum Beispiel einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate, gesteuert wird. Typische Beispiele für einen Feldeffekttransistor mit isoliertem Gate beinhalten einen Metall-Oxid-Halbleiter(MOS)-Transistor und einen Dünnfilmtransistor (TFT).
Hier wird die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung beschrieben, indem als ein Beispiel eine organische Aktivmatrix-EL-Anzeigevorrichtung, die eine organische EL-Vorrichtung beinhaltet, was ein Beispiel für eine stromangesteuerte elektrooptische Vorrichtung ist, als ein Lichtemissionsteil (Lichtemissionselement) eines Pixelschaltkreises verwendet wird. Nachfolgend kann „der Pixelschaltkreis“ einfach als ein „Pixel“ bezeichnet werden.
[Systemkonfiguration]
1 ist ein Systemkonfigurationsdiagramm, das eine Übersicht einer grundlegenden Konfiguration einer organischen Aktivmatrix-EL-Anzeigevorrichtung veranschaulicht, die eine Anzeigevorrichtung ist, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt wird.
Wie in 1 veranschaulicht, beinhaltet eine organische Aktivmatrix-EL-Anzeigevorrichtung 10, auf die die Technologie der vorliegenden Offenbarung angewandt ist, einen Pixelarrayteil 30, der durch zweidimensionales Anordnen mehrerer Pixel 20, die jeweils eine organische EL-Vorrichtung beinhalten, in einer Matrixform gebildet ist, und einen Peripherieschaltkreis (Peripherieansteuerungseinheit), der in dem Peripheriebereich des Pixelarrayteils 30 angeordnet ist.
Der Peripherieschaltkreis des Pixelbereichs beinhaltet zum Beispiel eine Schreibscaneinheit 40, eine Ansteuerungsscaneinheit 50, eine Signalausgabeeinheit 60 und dergleichen, die auf einem Anzeigepanel 70 montiert sind, das dasselbe Anzeigepanel ist, auf dem der Pixelarrayteil 30 montiert ist, und der Peripherieschaltkreis steuert jedes Pixel 20 des Pixelarrayteils 30 an. Es wird angemerkt, dass der Peripherieschaltkreis auch eine Konfiguration aufweisen kann, bei der die Schreibscaneinheit 40, die Ansteuerungsscaneinheit 50 und/oder die Signalausgabeeinheit 60 außerhalb des Anzeigepanels 70 bereitgestellt sind.
Die organische EL-Anzeigevorrichtung 10 kann eine monochrome (schwarz und weiß) Anzeige unterstützen oder kann eine Farbanzeige unterstützen. Falls die organische EL-Anzeigevorrichtung 10 eine Farbanzeige unterstützt, beinhaltet ein Pixel (Einheitspixel/Pixel) als eine Einheit zum Bilden eines Farbbildes mehrere Subpixel (Subpixel). Zu dieser Zeit entspricht jedes der Subpixel dem Pixel 20 in 1. Genauer gesagt beinhaltet bei einer Anzeigevorrichtung, die eine Farbanzeige unterstützt, ein Pixel drei Subpixel, die zum Beispiel ein Subpixel, das rotes (R) Licht emittiert, ein Subpixel, das grünes (G) Licht emittiert, und ein Subpixel, das blaues (B) Licht emittiert, sind.
Jedoch ist ein Pixel nicht auf die Kombination aus den Subpixeln der drei Primärfarben von R, G und B beschränkt und ein Pixel kann die Subpixel der drei Primärfarben und Pixel einer oder mehrerer zusätzlicher Farben beinhalten. Insbesondere kann zum Beispiel ein Pixel zusätzlich ein Subpixel beinhalten, das weißes (W) Licht emittiert, um die Helligkeit zu verbessern, oder ein Pixel kann wenigstens ein Subpixel beinhalten, das komplementäres Farblicht emittiert, um den Farbreproduktionsumfang zu erweitern.
In dem Pixelarrayteil 30 sind zu dem Array aus Pixeln 20 aus m Zeilen und n Spalten Scanleitungen 31 (31₁ bis 31_m) und Ansteuerungsleitungen 32 (32₁ bis 32_m) entlang einer ersten Richtung (Zeilenrichtung/horizontalen Richtung) für die jeweiligen Pixelzeilen verdrahtet. Zudem sind für das Array aus Pixeln 20 aus m Zeilen und n Spalten Signalleitungen 33 (33₁ bis 33_n) entlang einer zweiten Richtung (Spaltenrichtung/vertikalen Richtung) für die jeweiligen Pixelspalten verdrahtet.
Die Scanleitungen 31₁ bis 31_m sind mit den Ausgangsanschlüssen der entsprechenden Zeilen der Schreibscaneinheit 40 verbunden. Die Ansteuerungsleitungen 32₁ bis 32_m sind mit den Ausgangsanschlüssen der entsprechenden Zeilen der Ansteuerungsscaneinheit 50 verbunden. Die Signalleitungen 33₁ bis 33_n sind mit den Ausgangsanschlüssen der entsprechenden Spalten der Signalausgabeeinheit 60 verbunden.
Die Schreibscaneinheit 40 beinhaltet einen Schieberegisterschaltkreis oder dergleichen. Wenn die Signalspannung des Videosignals in jedes Pixel 20 des Pixelarrayteils 30 geschrieben wird, liefert die Schreibscaneinheit 40 sequenziell Schreibscansignale WS (WS₁ bis WS_m) an die Scanleitungen 31 (31₁ bis 31_m) , um jedes der Pixel 20 des Pixelarrayteils 30 in Einheiten von Zeilen zu scannen, das heißt, sie führt sogenanntes leitungssequentielles Scannen durch.
Ähnlich der Schreibscaneinheit 40 beinhaltet die Ansteuerungsscaneinheit 50 einen Schieberegisterschaltkreis oder dergleichen. Die Ansteuerungsscaneinheit 50 steuert eine Lichtemission und Nichtlichtemission (Quenching) der Pixel 20 durch Liefern der Lichtemissionssteuersignale DS (DS₁ bis DS_m) an die Ansteuerungsleitungen 32 (32₁ bis 32_m) in Synchronisation mit dem leitungssequentiellen Scannen durch die Schreibscaneinheit 40.
Die Signalausgabeeinheit 60 gibt eine Signalspannung (die nachfolgend einfach als „Signalspannung“ bezeichnet werden kann) V_Sig des Videosignals gemäß den Leuchtdichteinformationen, die von der (nicht veranschaulichten) Signalversorgungsquelle bereitgestellt werden, oder eine Referenzspannung V_ofs aus. Hier ist die Referenzspannung V_ofs eine Spannung, die einer Referenzspannung der Signalspannung V_Sig des Videosignals (zum Beispiel einer Spannung, die dem Schwarzpegel des Videosignals entspricht) oder einer Spannung nahe der Referenzspannung entspricht. Die Referenzspannung V_ofs wird beim Durchführen einer Korrekturoperation als die Initialisierungsspannung verwendet.
Die Signalspannung V_Sig/Referenzspannung V_ofs, die selektiv von der Signalausgabeeinheit 60 ausgegeben wird, wird über die Signalleitungen 33 (33₁ bis 33_n) in Einheiten von Pixelzeilen, die durch das leitungssequentielle Scannen ausgewählt werden, das durch die Schreibscaneinheit 40 durchgeführt wird, in jedes der Pixel 20 des Pixelarrayteils 30 geschrieben. Das heißt, die Signalausgabeeinheit 60 nimmt eine Ansteuerungsweise des leitungssequentiellen Schreibens an, bei dem die Signalspannung V_Sig in Einheiten von Pixelzeilen (Leitungen) geschrieben wird.
[Pixelschaltung]
2 ist ein Schaltbild, das ein Beispiel für eine Schaltkreiskonfiguration von Pixeln (Pixelschaltkreisen) in der organischen Aktivmatrix-EL-Anzeigevorrichtung 10 veranschaulicht. Der Lichtemissionsteil des Pixels 20 beinhaltet eine organische EL-Vorrichtung 21. Die organische EL-Vorrichtung 21 ist eine beispielhafte stromangesteuerte elektrooptische Vorrichtung mit einer Lichtemissionshelligkeit, die sich gemäß dem Wert des Stroms ändert, der durch die Vorrichtung fließt.
Wie in 2 veranschaulicht, beinhaltet das Pixel 20 die organische EL-Vorrichtung 21 und den Ansteuerungsschaltkreis (Pixelansteuerungsschaltkreis), der die organische EL-Vorrichtung 21 durch Bewirken eines Stromflusses durch die organische EL-Vorrichtung 21 steuert. Bei der organischen EL-Vorrichtung 21 ist eine Kathodenelektrode mit einer gemeinsamen Leistungsversorgungsleitung 34 verbunden, die gemeinsam mit sämtlichen Pixeln 20 verdrahtet ist. In der Figur ist C_el ein äquivalenter Kondensator der organischen EL-Vorrichtung 21.
Die Ansteuerschaltung zum Ansteuern der organischen EL-Vorrichtung 21 beinhaltet einen Ansteuertransistor 22, einen Abtasttransistor 23, einen Lichtemissionssteuertransistor 24, einen Haltekondensator 25 und einen Hilfskondensator 26. Es wird hier angenommen, dass die organische EL-Vorrichtung 21 und ihr Ansteuerungsschaltkreis nicht auf einem Isolator, wie Glas, gebildet sind, sondern auf einem Halbleiter, wie Silicium, und ein p-Kanal-Transistor als der Ansteuerungstransistor 22 verwendet wird.
Des Weiteren wird bei diesem Beispiel auch als jeder des Abtasttransistors 23 und des Lichtemissionssteuertransistors 24 ein p-Kanal-Transistor, ähnlich dem Ansteuerungstransistor 22, verwendet. Daher weisen der Ansteuerungstransistor 22, der Abtasttransistor 23 und der Lichtemissionssteuertransistor 24 jeweils vier Anschlüsse für Source/Gate/Drain/Back-Gate anstelle von drei Anschlüssen für Source/Gate/Drain auf. Eine Leistungsversorgungsspannung Vdd wird an das Back-Gate angelegt.
Jedoch sind der Abtasttransistor 23 und der Lichtemissionssteuertransistor 24 nicht auf p-Kanal-Transistoren beschränkt, weil sie Schalttransistoren sind, die als Schaltelemente fungieren. Daher kann jeder des Abtasttransistors 23 und des Lichtemissionssteuertransistors 24 ein n-Kanal-Transistor oder eine Kombination aus einem p-Kanal- und einem n-Kanal-Transistor sein.
In dem Pixel 20 mit der oben beschriebenen Konfiguration schreibt der Abtasttransistor 23 die Signalspannung V_Sig des Videosignals, die von der Signalausgabeeinheit 60 durch die Signalleitung 33 an den Haltekondensator 25 geliefert wird, indem die Signalspannung V_Sig abgetastet wird. Der Lichtemissionssteuertransistor 24 ist zwischen dem Knoten der Leistungsversorgungsspannung Vdd und der Quellenelektrode des Ansteuerungstransistors 22 verbunden und steuert die Lichtemission und Nichtlichtemission der organischen EL-Vorrichtung 21 unter der Ansteuerung durch das Lichtemissionssteuersignal DS.
Der Haltekondensator 25 ist zwischen der Gate-Elektrode und der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 22 verbunden. Der Haltekondensator 25 hält die durch Abtasten des Abtasttransistors 23 geschriebene Signalspannung V_Sig des Videosignals. Der Ansteuertransistor 22 steuert die organische EL-Vorrichtung 21 an, indem er veranlasst, dass ein Ansteuerungsstrom, der der Haltespannung des Haltekondensators 25 entspricht, durch die organische EL-Vorrichtung 21 fließt.
Der Hilfskondensator 26 ist zwischen der Source-Elektrode des Ansteuerungstransistors 22 und einem Knoten mit einem elektrischen Potential, zum Beispiel einem Knoten der Leistungsversorgungsspannung Vdd, verbunden. Dieser Hilfskondensator 26 weist Effekte des Unterdrückens von Fluktuationen des Source-Potentials des Ansteuerungstransistors 22, wenn die Signalspannung V_Sig des Videosignals geschrieben wird, und Einstellens der Gate-Source-Spannung Vgs des Ansteuerungstransistors 22 auf eine Schwellenspannung V_th des Ansteuerungstransistors 22 auf.
[Grundlegende Panelstruktur]
Bei der organischen EL-Anzeigevorrichtung 10 mit der oben beschriebenen Konfiguration kann als das Substrat des Anzeigepanels 70, auf dem der Pixelarrayteil 30, sein Peripherieschaltkreis und dergleichen gebildet sind, ein isolierendes transparentes Substrat, wie etwa ein Glassubstrat, verwendet werden oder kann ein Halbleitersubstrat, wie etwa ein Siliciumsubstrat, verwendet werden.
Eine organische EL-Anzeigevorrichtung, die ein Halbleitersubstrat, wie etwa ein Siliciumsubstrat, als das Substrat des Anzeigepanels 70 verwendet, wird als eine sogenannte Mikroanzeige (kleine Anzeige) bezeichnet und wird bevorzugt als ein elektronischer Sucher einer digitalen Fotokamera, eine Anzeigeeinheit einer am Kopf getragenen Anzeige oder dergleichen verwendet.
Nachfolgend wird die Struktur (Panelstruktur) des Anzeigepanels 70 beschrieben, indem ein Fall, in dem ein Halbleitersubstrat, wie etwa ein Siliciumsubstrat, als das Substrat des Anzeigepanels 70 verwendet wird, als ein Beispiel verwendet wird. 3 veranschaulicht die grundlegende Panelstruktur des Außenperipherieteils des Pixelarrayteils 30 des Anzeigepanels 70.
Beispiele für die Panelstruktur des Anzeigepanels 70 beinhalten eine sogenannte Oberseitenemissionstyp-Panelstruktur, bei der Licht von der Seite gegenüber dem Stützsubstrat entnommen wird, auf dem die organische EL-Vorrichtung 21 gebildet ist, und eine sogenannte Unterseitenemissionstyp-Panelstruktur, bei der Licht von der Stützsubstratseite entnommen wird. Die Technologie der vorliegenden Offenbarung kann auf eine Panelstruktur von entweder einer Oberseitenemissionstyp-Panelstruktur oder einer Unterseitenemissionstyp-Panelstruktur angewandt werden, aber der Fall des Oberseitenemissionstyps ist unten als ein Beispiel beschrieben.
Bereiche auf einem Stützsubstrat 71, die aus einem Halbleitersubstrat gefertigt sind, beinhalten einen Bereich des Pixelarrayteils 30 (Pixelbereich), in dem die mehreren Pixel 20 in einer Matrix angeordnet sind, und den Peripheriebereich, der sich auf dem Peripheriebereich (Außenrandseite/Außenperipherieseite) des Pixelarrayteils 30 befindet. In dem Bereich des Pixelarrayteils 30 ist ein Schaltkreisteil bereitgestellt, der den Ansteuerungstransistor 22, den Abtasttransistor 23, den Lichtemissionssteuertransistor 24, den Haltekondensator 25 und den Hilfskondensator 26 beinhaltet und der die organische EL-Vorrichtung 21 ansteuert. In dem Peripheriebereich sind ein Peripherieschaltkreis, der die Schreibscaneinheit 40, die Ansteuerungsscaneinheit 50, die Signalausgabeeinheit 60 und dergleichen beinhaltet, bereitgestellt. Dann wird eine (nicht veranschaulichte) Schaltkreisschicht, die diese Schaltkreisteile beinhaltet, auf dem Stützsubstrat 71 gebildet.
Das Anzeigepanel 70 weist eine laminierte Struktur auf, bei der zum Beispiel eine Verdrahtungsschicht 72, eine Anodenelektrode 73, eine organische Schicht 74 und eine Kathodenelektrode 75 auf die Schaltkreisschicht laminiert sind. Obwohl dies hier nicht veranschaulicht ist, sind eine Schutzschicht, eine Füllstoffschicht (Haftstoffschicht) und eine Schwarzmatrixschicht in dieser Reihenfolge auf die Kathodenelektrode 75 laminiert. Es wird angemerkt, dass ein Farbfilter für jedes Pixel in derselben Schicht wie die Schwarzmatrixschicht bereitgestellt ist und auf die Farbfilter ein gegenüberliegendes Substrat gebondet ist, so dass das gegenüberliegende Substrat die laminierte Struktur versiegelt.
Obwohl dies nicht veranschaulicht ist, weist die organische Schicht 74 eine Struktur auf, in der eine Lochinjektionsschicht, eine Lochtransportschicht, eine Lichtemissionsschicht, eine Elektronentransportschicht und eine Elektroneninjektionsschicht in dieser Reihenfolge von der Seite der Anodenelektrode 73 aus laminiert sind. Die Lochinjektionsschicht ist hier bereitgestellt, um die Lochinjektionseffizienz zu verbessern und einen Leckverlust zu verhindern. Die Lochtransportschicht dient dem Erhöhen der Lochtransporteffizienz zu der Lichtemissionsschicht. Wenn ein elektrisches Feld angelegt ist, rekombinieren in der Lichtemissionsschicht Elektronen und Löcher, so dass Licht erzeugt wird. Die Elektronentransportschicht dient dem Erhöhen der Elektronentransporteffizienz zu der Lichtemissionsschicht. Die Elektroneninjektionsschicht dient dem Erhöhen der Elektroneninjektionseffizienz. Unter diesen Schichten können Schichten außer der Lichtemissionsschicht nach Bedarf bereitgestellt werden.
Der Spalt zwischen der organischen EL-Vorrichtung 21 und der organischen EL-Vorrichtung 21 ist durch eine Pixeldefinitionsschicht (PDL) 76 definiert. Dann wird die Anodenelektrode 73 aus einem Metallmaterial gefertigt, das durch Laminieren von Aluminium, Indiumzinnoxid (ITO) und Silber erhalten wird, und wird als eine untere Elektrode (Pixelelektrode) der organischen EL-Vorrichtung 21 für jedes Pixel bereitgestellt. Die Kathodenelektrode 75 ist aus einem Lichttransmissionsmaterial, wie etwa Indiumzinnoxid, Indiumzinkoxid (IZO) und Zinkoxid (ZnO), gefertigt und ist als eine obere Elektrode (gemeinsame Elektrode) der organischen EL-Vorrichtung 21 gemeinsam für alle Pixel bereitgestellt. Ein Kathodenring 77, um der Kathodenelektrode 75 ein Kathodenpotential zu geben, ist unterhalb eines äußersten Peripherieteils 75A der Kathodenelektrode 75 bereitgestellt.
Auf dem Stützsubstrat 71 ist eine Vertiefung 78 in dem Peripherieteil des Substrats außerhalb des Bereichs des Kathodenrings 77 (Kathodenringbereich) gebildet. Dann wird eine Padelektrode 79, die aus einem anisotropen leitfähigen Film (ACF: Anisotropic Conductive Film) gebildet ist, in der Vertiefung 78 gebildet. Eine flexibler gedruckter Schaltkreis (FPC: Flexible Printed Circuit) 81 wird über einen anisotropen leitfähigen Film (ACF) 80 unter Bedingungen mit hoher Temperatur und hohem Druck an die Padelektrodenschicht 79 in der Vertiefung 78 druckgebondet. Bei diesem Druckbonden ist zusätzlich zu Temperatur und Druck auch Zeit ein Parameter.
Bei der organischen EL-Anzeigevorrichtung 10 mit der oben beschriebenen Konfiguration weist die organische EL-Vorrichtung 21 eine schwache Wärmebeständigkeit auf. Daher ist es erforderlich, ausreichend auf Wärme in dem Herstellungsprozess der organischen EL-Anzeigevorrichtung 10 zu achten. Insbesondere in einem Fall, in dem ein Halbleitersubstrat als das Stützsubstrat 71 verwendet wird, das die organische EL-Vorrichtung 21 und ihren Ansteuerungsschaltkreisteil bildet, ist die Panelgröße klein. Daher kann sich in einem Montageprozess, der eine hohe Temperatur nach dem EL-Prozess erfordert, insbesondere in einem Prozess des Druckbondens der flexiblen gedruckten Schaltkreise 81 an die Padelektrodenschicht 79 in der Vertiefung 78 des Stützsubstrats 71 bei einer hohen Temperatur und einem hohen Druck auf die Padelektrodenschicht 79 angewandte Wärme zu der organischen EL-Vorrichtung 21 in dem Pixelbereich ausbreiten und kann eine Verschlechterung der organischen EL-Vorrichtung 21 aufgrund des Wärmeschadens die Anzeigequalität verschlechtern.
<Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung>
Um den Wärmeschaden an der organischen EL-Vorrichtung 21 zu reduzieren und die Verschlechterung der Anzeigequalität aufgrund des Wärmeschadens zu unterdrücken, weist die organische EL-Anzeigevorrichtung 10, die mit der Padelektrodenschicht 79 außerhalb des Pixelarrayteils 30 auf dem Stützsubstrat 71 versehen ist, bei der Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung eine Konfiguration auf, bei der die Wärmeabsorptionsschicht 82 (siehe 4) thermisch mit der Padelektrodenschicht 79 gekoppelt ist. Die Wärmeabsorptionsschicht 82 weist eine Funktion des Erhöhens der Wärmekapazität der Padelektrodenschicht 79 auf.
Durch thermisches Koppeln der Wärmeabsorptionsschicht 82 mit der Padelektrodenschicht 79 auf diese Weise kann die Wärmekapazität der Padelektrodenschicht 79 erhöht werden, so dass ein Wärmeschaden an der organischen EL-Vorrichtung 21 reduziert werden kann, wenn die flexiblen gedruckten Schaltkreise 81 bei hoher Temperatur und hohem Druck an die Padelektrodenschicht 79 druckgebondet werden. Daher kann eine Verschlechterung der Anzeigequalität aufgrund eines Wärmeschadens an der organischen EL-Vorrichtung 21 unterdrückt werden.
Nachfolgend wird die Panelstruktur gemäß einem speziellen Beispiel der vorliegenden Ausführungsform, bei der die Wärmeabsorptionsschicht 82 thermisch mit der Padelektrodenschicht 79 gekoppelt ist, um die Wärmekapazität der Padelektrodenschicht 79 zu erhöhen, beschrieben.
[Erstes Beispiel]
Das erste Beispiel ist ein Beispiel, bei dem die Wärmeabsorptionsschicht 82 in der Längenrichtung entsprechend einem Teil jedes Pads der Padelektrodenschicht 79 bereitgestellt ist. 4 veranschaulicht eine schematische Querschnittsansicht der Panelstruktur des Außenperipherieteils des Pixelarrayteils 30 in dem Anzeigepanel 70 gemäß dem ersten Beispiel, und 5 veranschaulicht eine schematische perspektivische Ansicht der Padelektrodenschicht 79 und der Wärmeabsorptionsschicht 82 in der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel.
Bei der organischen EL-Anzeigevorrichtung 10 mit der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel ist die Padelektrodenschicht 79 außerhalb des Pixelarrayteils 30 auf dem Stützsubstrat 71 bereitgestellt. Bei der Padelektrodenschicht 79 sind mehrere Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... zum Beispiel mit einem konstanten Rastermaß in der Vertiefung 78 des Stützsubstrats 71 angeordnet.
Die Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel beinhaltet die Wärmeabsorptionsschicht 82 als eine Schicht unterhalb der Padelektrodenschicht 79. Dann wird die Wärmeabsorptionsschicht 82 durch thermische Kopplungsteile 83 thermisch mit der Padelektrodenschicht 79 gekoppelt. Wie in 5 veranschaulicht, beinhaltet die Wärmeabsorptionsschicht 82 Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... die entsprechend den mehreren Pads 79₁, 792, 79₃, ... bereitgestellt sind und die unabhängig voneinander sind.
Die mehreren Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... sind in der Längenrichtung entsprechend Teilen der einzelnen Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... der Padelektrodenschicht 79 in einem Zustand bereitgestellt, in dem sie elektrisch voneinander separiert sind. Dann werden die mehreren Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... über die Wärmekopplungsteile 83 jeweils thermisch mit den Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... gekoppelt, um die Wärmekapazitäten der Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... zu erhöhen.
Im Allgemeinen hängt die Wärmekapazität von dem Typ und der Masse der Substanz ab. Daher kann durch Erhöhen der Masse jedes der Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... der Wärmeabsorptionsschicht 82 die Wärmekapazität jedes der Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... der Padelektrodenschicht 79 erhöht werden. Bei der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel ist die Wärmeabsorptionsschicht 82 aus zum Beispiel dem gleichen Material wie das Material der Anodenelektrode 73 der organischen EL-Vorrichtung 21, wie etwa Aluminium, gefertigt und ist als eine Verdrahtungsschicht in derselben Schicht wie eine der mehreren Verdrahtungsschichten 72 in dem Pixelbereich gebildet. Mit anderen Worten ist bei der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel die Verdrahtungsschicht bereitgestellt, die als dieselbe Schicht wie die Wärmeabsorptionsschicht 82 unterhalb des Pixelarrayteils 30 (bei diesem Beispiel die Verdrahtungsschicht, die das Zentrum einer der drei Verdrahtungsschichten 72 ist) gebildet ist.
Gemäß der Panelstruktur gemäß dem oben beschriebenen ersten Beispiel kann in dem Schritt des Druckbondens der flexiblen gedruckten Schaltkreise 81 an die Padelektrodenschicht 79 bei hoher Temperatur und hohem Druck jeder der Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... der Wärmeabsorptionsschicht 82, die thermisch an das entsprechende der Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... der Padelektrodenschicht 79 gebondet sind, Wärme absorbieren. Daher kann der Wärmeschaden an der organischen EL-Vorrichtung 21 reduziert werden und dementsprechend kann eine Verschlechterung der Anzeigequalität aufgrund von Wärmeschaden an der organischen EL-Vorrichtung 21 unterdrückt werden.
Des Weiteren ist bei der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel die Verdrahtungsschicht bereitgestellt, die als dieselbe Schicht wie die Wärmeabsorptionsschicht 82 unterhalb des Pixelarrayteils 30 (bei diesem Beispiel die Verdrahtungsschicht, die das Zentrum einer der drei Verdrahtungsschichten 72 ist) gebildet ist, und die Verdrahtungsschicht kann als eine Verstärkung des Kathodenrings 77 verwendet werden. Dieser Effekt wird auf ähnliche Weise durch ein zweites Beispiel bereitgestellt, wie später beschrieben ist.
[Zweites Beispiel]
Das zweite Beispiel ist ein Beispiel, bei dem die Wärmeabsorptionsschicht 82 in der Längenrichtung über der Gesamtheit jedes Pads der Padelektrodenschicht 79 bereitgestellt ist. 6 veranschaulicht eine schematische Querschnittsansicht der Panelstruktur des Außenperipherieteils des Pixelarrayteils 30 in dem Anzeigepanel 70 gemäß dem zweiten Beispiel, und 7 veranschaulicht eine schematische perspektivische Ansicht der Padelektrodenschicht 79 und der Wärmeabsorptionsschicht 82 in der Panelstruktur gemäß dem zweiten Beispiel.
Bei der Panelstruktur gemäß dem zweiten Beispiel sind die mehreren Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... der Wärmeabsorptionsschicht 82 in der Längenrichtung über der Gesamtheit der einzelnen Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... der Padelektrodenschicht 79 bereitgestellt und die Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃ sind durch mehrere der thermischen Kopplungsteile 83 für die jeweiligen Pads thermisch mit den Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... gekoppelt.
Bei der Panelstruktur gemäß dem zweiten Beispiel ist jeder der Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... der Wärmeabsorptionsschicht 82 aus zum Beispiel dem gleichen Material wie das Material der Anodenelektrode 73 der organischen EL-Vorrichtung 21, wie etwa Aluminium, gefertigt und ist als eine Verdrahtungsschicht in derselben Schicht wie eine der mehreren Verdrahtungsschichten 72 in dem Pixelbereich gebildet, ähnlich der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel. Des Weiteren ist unterhalb der Padelektrodenschicht 79 und unterhalb der Wärmeabsorptionsschicht 82 zum Beispiel eine Schaltkreisverdrahtungsschicht 84 als dieselbe Schicht wie die unterste Verdrahtungsschicht unter den drei Verdrahtungsschichten 72 in dem Pixelbereich gebildet.
Bei der Panelstruktur gemäß dem oben beschriebenen zweiten Beispiel ist jeder der Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... der Wärmeabsorptionsschicht 82 in der Längenrichtung über der Gesamtheit des entsprechenden einen der Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... der Padelektrodenschicht 79 bereitgestellt. Daher ist gemäß der Panelstruktur gemäß dem zweiten Beispiel der Wärmeabsorptionseffekt in dem Druckbondprozess bei hoher Temperatur und hohem Druck größer als in einem Fall der Panelstruktur gemäß dem ersten Beispiel, bei der die Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... entsprechend Teilen in der Längenrichtung bereitgestellt sind. Infolgedessen kann ein Wärmeschaden an der organischen EL-Vorrichtung 21 sicherer reduziert werden und dementsprechend kann eine Verschlechterung der Anzeigequalität aufgrund des Wärmeschadens sicherer unterdrückt werden.
Des Weiteren ist gemäß der Panelstruktur gemäß dem zweiten Beispiel jeder der Wärmeabsorptionsteile 82₁, 82₂, 82₃, ... der Wärmeabsorptionsschicht 82 in der Längenrichtung über der Gesamtheit des entsprechenden einen der Pads 79₁, 79₂, 79₃, ... der Padelektrodenschicht 79 bereitgestellt. Daher ist es möglich, die mechanische Festigkeit der Padelektrodenschicht 79 mit Bezug auf die untere Seite beim Druckbonden bei hoher Temperatur und hohem Druck zu verbessern. Daher ist es möglich, die Schaltkreisverdrahtungsschicht 84 und eine andere Verdrahtungsschicht unterhalb von dieser bereitzustellen und ein Schaltkreiselement, wie etwa ein Transistor, kann unterhalb der Padelektrodenschicht 79 angeordnet werden, die ohne die Wärmeabsorptionsschicht 82 eine geringe mechanische Festigkeit aufweisen würde.
<Modifikationsbeispiele>
Obwohl die Technologie der vorliegenden Offenbarung basierend auf der bevorzugten Ausführungsform beschrieben wurde, ist die Technologie der vorliegenden Offenbarung nicht auf die Ausführungsform beschränkt. Die Konfiguration und Struktur der bei der oben beschriebenen Ausführungsformen beschriebenen Anzeigevorrichtung sind Beispiele und können angemessen geändert werden. Zum Beispiel wurde bei der oben beschriebenen Ausführungsform die Technologie der vorliegenden Offenbarung beschrieben, indem eine organische EL-Vorrichtung (Anzeigepanel) als ein Beispiel verwendet wurde, aber die Technologie der vorliegenden Offenbarung kann auf eine Anzeigevorrichtung außer organischen EL-Vorrichtungen, insbesondere alle Anzeigevorrichtungen mit einer Panelstruktur, bei der Padelektrodenschichten außerhalb des Pixelarrayteils bereitgestellt sind, angewandt werden.
Des Weiteren wurde bei der oben beschriebenen Ausführungsform eine Anzeigevorrichtung, bei der ein Halbleitersubstrat, wie etwa ein Siliciumsubstrat, als ein Substrat des Anzeigepanels verwendet wird, als ein Beispiel beschrieben, aber eine Anwendung der Technologie der vorliegenden Offenbarung ist nicht auf das Beispiel beschränkt und die Technologie der vorliegenden Offenbarung kann auf eine Anzeigevorrichtung angewandt werden, bei der ein isolierendes transparentes Substrat, wie etwa ein Glassubstrat, verwendet wird.
<Elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung>
Die Anzeigevorrichtung der oben beschriebenen vorliegenden Offenbarung kann als eine Anzeigeeinheit (Anzeigevorrichtung) einer elektronischen Vorrichtung in allen Gebieten verwendet werden, die ein Videosignal, das in die elektronische Vorrichtung eingegeben wird, oder ein Videosignal, das in der elektronischen Vorrichtung erzeugt wird, als ein Bild oder ein Video anzeigen. Beispiele für die elektronische Vorrichtung beinhalten ein Fernsehgerät, einen Notebook-PC, eine digitale Fotokamera, eine mobile Endgerätevorrichtung, wie etwa ein Mobiltelefon, und ein Head-Mounted-Display. Die elektronische Vorrichtung ist jedoch nicht auf diese Beispiele beschränkt.
Gemäß der Technologie der vorliegenden Offenbarung ist es bei dem Druckbondprozess bei hoher Temperatur und hohem Druck möglich, den Wärmeschaden an dem Lichtemissionsteil (Lichtemissionselement) zu reduzieren und die Verschlechterung der Anzeigequalität aufgrund des Wärmeschadens zu unterdrücken, und dementsprechend ist es möglich, ein Anzeigebild mit hoher Qualität bereitzustellen. Dann ist es durch Verwenden der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als eine Anzeigeeinheit (Anzeigevorrichtung) einer elektronischen Vorrichtung in allen Gebieten möglich, ein Anzeigebild mit hoher Qualität bereitzustellen.
Nachfolgend werden ein Smartphone, eine am Kopf getragene Anzeige und eine digitale Fotokamera als spezielle Beispiele für eine elektronische Vorrichtung, die die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung verwendet, beschrieben. Die hier beschriebenen speziellen Beispiele sind jedoch lediglich Beispiele und die elektronische Vorrichtung ist nicht auf diese Beispiele beschränkt.
[Erstes spezielles Beispiel: Beispiel eines Smartphones]
8A veranschaulicht eine Außenansicht eines Smartphones gemäß einem ersten speziellen Beispiel für die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung bei Betrachtung von der Vorderseite, und 8B veranschaulicht eine Außenansicht bei Betrachtung von der Rückseite. Das Smartphone 100 gemäß diesem speziellen Beispiel beinhaltet eine Anzeigeeinheit 120 auf der Vorderseite eines Gehäuses 110. Des Weiteren beinhaltet das Smartphone 100 zum Beispiel eine Bildgebungseinheit 130 in einem oberen Teil der Rückseite des Gehäuses 110.
In dem Smartphone 100, das ein Beispiel für die mobile Vorrichtung mit der oben beschriebenen Konfiguration ist, kann die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit 110 verwendet werden. Das heißt, das Smartphone 100 gemäß dem ersten speziellen Beispiel wird durch Verwenden der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit 120 davon hergestellt.
[Zweites spezielles Beispiel: Beispiel einer am Kopf getragenen Anzeige]
9 veranschaulicht eine Außenansicht einer am Kopf getragenen Anzeige gemäß einem zweiten speziellen Beispiel für die elektronische Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung.
Die am Kopf befestigte Anzeige 200 gemäß dem zweiten speziellen Beispiel weist eine Konfiguration mit einer durchsichtigen am Kopf getragenen Anzeige auf, die einen Hauptkörperteil 201, einen Armteil 202 und einen Objektivtubus 203 beinhaltet. Der Hauptkörperteil 201 ist mit dem Armteil 202 und einer Brille 210 verbunden. Insbesondere ist ein Endteil des Hauptkörperteils 201 in der Richtung der langen Seite an dem Armteil 202 angebracht. Des Weiteren ist eine der Seitenflächen des Hauptkörperteils 201 über ein (nicht veranschaulichtes) Verbindungselement mit der Brille 210 gekoppelt. Es wird angemerkt, dass der Hauptkörperteil 201 direkt am Kopf eines menschlichen Körpers angebracht werden kann.
Der Hauptkörperteil 201 enthält eine Steuerplatine zum Steuern des Betriebs der am Kopf getragenen Anzeige 200 und eine Anzeigeeinheit. Der Armteil 202 stützt den Linsentubus 203 mit Bezug auf den Hauptkörperteil 201, indem er den Hauptkörperteil 201 und den Objektivtubus 203 koppelt. Insbesondere ist der Armteil 202 mit dem Endteil des Hauptkörperteils 201 und dem Endteil des Objektivtubus 203 gekoppelt, um den Objektivtubus 203 mit Bezug auf den Hauptkörperteil 201 zu fixieren. Des Weiteren enthält der Armteil 202 eine Signalleitung zum Kommunizieren von Daten bezüglich eines Bildes, die von dem Hauptkörperteil 201 bereitgestellt werden, zu dem Objektivtubus 203.
Der Objektivtubus 203 projiziert von dem Hauptkörperteil 201 über den Armteil 202 bereitgestelltes Licht durch eine Linse 211 der Brille 210 zu den Augen eines Benutzers, der die am Kopf getragene Anzeige 200 trägt. Bei dieser am Kopf getragenen Anzeige 200 kann die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als eine Anzeigeeinheit verwendet werden, die in dem Hauptkörperteil 201 enthalten ist. Das heißt, die am Kopf getragene Anzeige 200 gemäß dem zweiten speziellen Beispiel wird durch Verwenden der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als die Anzeigeeinheit davon hergestellt.
[Drittes spezielles Beispiel: Beispiel einer digitalen Fotokamera]
10 veranschaulicht eine Außenansicht einer digitalen Spiegelreflexfotokamera mit Wechselobjektiv gemäß einem dritten speziellen Beispiel der elektronischen Vorrichtung der vorliegenden Offenbarung. 10A ist eine Vorderansicht der digitalen Fotokamera und 10B ist eine Rückansicht der digitalen Fotokamera.
Eine digitale Spiegelreflexfotokamera 300 mit Wechselobjektiv beinhaltet zum Beispiel eine Wechselbildgebungsobjektiveinheit (Wechselobjektiv) 312 auf der vorderen rechten Seite des Kamerakörperteils (Kamerakörpers) 311 und einen Griffteil 313 für einen Fotografen zum Halten der digitalen Fotokamera 300 auf der vorderen linken Seite. Dann ist ein Monitor 314 in dem Zentrum der hinteren Fläche des Kamerahauptkörperteils 311 bereitgestellt. Ein Sucher (ein Augenstückfenster) 315 ist oberhalb des Monitors 314 bereitgestellt. Indem er in den Sucher 315 blickt, kann ein Fotograf die Komposition bestimmen, während er ein optisches Bild eines Motivs, das durch die Bildgebungsobjektiveinheit 312 geführt wird, visuell erkennt.
Bei der digitalen Spiegelreflexfotokamera 300 mit Wechselobjektiv mit der oben beschriebenen Konfiguration kann die Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als der Sucher 315 davon verwendet werden. Das heißt, die digitale Spiegelreflexfotokamera 300 mit Wechselobjektiv gemäß dem dritten speziellen Beispiel wird durch Verwenden der Anzeigevorrichtung der vorliegenden Offenbarung als der Sucher 315 davon hergestellt.
<Mögliche Konfiguration der vorliegenden Offenbarung>
Es ist zu beachten, dass die vorliegende Offenbarung auch die folgenden Konfigurationen aufweisen kann.
«A. Anzeigevorrichtung»
[A-1] Eine Anzeigevorrichtung, die Folgendes beinhaltet:

[A-2] Die Anzeigevorrichtung nach [A-1], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht eine Funktion des Erhöhens einer Wärmekapazität der Padelektrodenschicht aufweist.
[A-3] Die Anzeigevorrichtung nach [A-2], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht eine Verdrahtungsschicht beinhaltet, die als eine Schicht unterhalb der Padelektrodenschicht gebildet ist.
[A-4] Die Anzeigevorrichtung nach [A-3], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht in einer Längenrichtung über der Gesamtheit jedes Pads der Padelektrodenschicht bereitgestellt ist.
[A-5] Die Anzeigevorrichtung nach [A-4], die oben beschrieben ist, wobei
eine Schaltkreisverdrahtungsschicht unterhalb der Wärmeabsorptionsschicht bereitgestellt ist.
[A-6] Die Anzeigevorrichtung nach [A-3] oder [A-4], die oben beschrieben ist, wobei
eine Verdrahtungsschicht, die als eine gleiche Schicht wie die Wärmeabsorptionsschicht gebildet ist, unterhalb des Pixelarrayteils bereitgestellt ist.
[A-7] Die Anzeigevorrichtung nach einem von [A-1] bis [A-6], die oben beschrieben ist, wobei
der Lichtemissionsteil eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung beinhaltet.
[A-8] Die Anzeigevorrichtung nach [A-7], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht aus einem gleichen Material wie ein Material einer Anodenelektrode der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gefertigt ist.
[A-9] Die Anzeigevorrichtung nach einem von [A-1] bis [A-8], die oben beschrieben ist, wobei
der Schaltkreisteil, der die Lichtemissionseinheit ansteuert, auf einem Halbleitersubstrat gebildet ist.
«B. Elektronische Vorrichtung»
[B-1] Eine elektronische Vorrichtung, die eine Anzeigevorrichtung beinhaltet, die Folgendes beinhaltet:
einen Pixelarrayteil, in dem Pixel, die jeweils einen Lichtemissionsteil beinhalten, angeordnet sind;
eine Padelektrodenschicht, die außerhalb des Pixelarrayteils auf einem Substrat angeordnet ist, auf dem ein Lichtemissionsteil gebildet ist; und
eine Wärmeabsorptionsschicht, die thermisch mit der Padelektrodenschicht gekoppelt ist.
[B-2] Die elektronische Vorrichtung nach [B-1], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht eine Funktion des Erhöhens einer Wärmekapazität der Padelektrodenschicht aufweist.
[B-3] Die elektronische Vorrichtung nach [B-2], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht eine Verdrahtungsschicht beinhaltet, die als eine Schicht unterhalb der Padelektrodenschicht gebildet ist.
[B-4] Die elektronische Vorrichtung nach [B-3], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht in einer Längenrichtung über der Gesamtheit jedes Pads der Padelektrodenschicht bereitgestellt ist.
[B-5] Die elektronische Vorrichtung nach [B-4], die oben beschrieben ist, wobei
eine Schaltkreisverdrahtungsschicht unterhalb der Wärmeabsorptionsschicht bereitgestellt ist.
[B-6] Die elektronische Vorrichtung nach [B-3] oder [B-4], die oben beschrieben ist, wobei
eine Verdrahtungsschicht, die als eine gleiche Schicht wie die Wärmeabsorptionsschicht gebildet ist, unterhalb des Pixelarrayteils bereitgestellt ist.
[B-7] Die elektronische Vorrichtung nach einem von [B-1] bis [B-6], die oben beschrieben ist, wobei
der Lichtemissionsteil eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung beinhaltet.
[B-8] Die elektronische Vorrichtung nach [B-7], die oben beschrieben ist, wobei
die Wärmeabsorptionsschicht aus einem gleichen Material wie ein Material einer Anodenelektrode der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gefertigt ist.
[B-9] Die elektronische Vorrichtung nach einem von [B-1] bis [B-8], die oben beschrieben ist, wobei
der Schaltkreisteil, der die Lichtemissionseinheit ansteuert, auf einem Halbleitersubstrat gebildet ist.
Bezugszeichenliste

10: Organische EL-Anzeigevorrichtung
20: Pixel
21: Organische EL-Vorrichtung
22: Ansteuerungstransistor
23: Abtasttransistor
24: Lichtemissionssteuertransistor
25: Haltekondensator
26: Hilfskondensator
30: Pixelarrayteil
311 bis 31m: Scanleitung
321 bis 32m: Ansteuerungsleitung
331 bis 33n: Signalleitung
40: Schreibscaneinheit
50: Ansteuerungsscaneinheit
60: Signalausgabeeinheit
70: Anzeigepanel
71: Stützsubstrat (Halbleitersubstrat)
72: Verdrahtungsschicht
73: Anodenelektrode
74: Organische Schicht
75: Kathodenelektrode
76: Pixeldefinitionsschicht (PDL)
77: Kathodenring
78: Vertiefung
79: Padelektrodenschicht
80: Anisotroper leitfähiger Film (ACF)
81: Flexible gedruckte Schaltkreise (FPC)
82: Wärmeabsorptionsschicht
83: Thermischer Kopplungsteil
84: Schaltkreisverdrahtungsschicht

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur

JP 2012209018 [0003]

Claims

Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: einen Pixelarrayteil, in dem Pixel, die jeweils einen Lichtemissionsteil beinhalten, angeordnet sind; eine Padelektrodenschicht, die außerhalb des Pixelarrayteils auf einem Substrat angeordnet ist, auf dem ein Lichtemissionsteil gebildet ist; und eine Wärmeabsorptionsschicht, die thermisch mit der Padelektrodenschicht gekoppelt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Wärmeabsorptionsschicht eine Funktion des Erhöhens einer Wärmekapazität der Padelektrodenschicht aufweist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2, wobei die Wärmeabsorptionsschicht eine Verdrahtungsschicht beinhaltet, die als eine Schicht unterhalb der Padelektrodenschicht gebildet ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, die oben beschrieben ist, wobei die Wärmeabsorptionsschicht in einer Längenrichtung über der Gesamtheit jedes Pads der Padelektrodenschicht bereitgestellt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 4, wobei eine Schaltkreisverdrahtungsschicht unterhalb der Wärmeabsorptionsschicht bereitgestellt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 3, die oben beschrieben ist, wobei eine Verdrahtungsschicht, die als eine gleiche Schicht wie die Wärmeabsorptionsschicht gebildet ist, unterhalb des Pixelarrayteils bereitgestellt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Lichtemissionsteil eine organische Elektrolumineszenzvorrichtung beinhaltet.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 7, wobei die Wärmeabsorptionsschicht aus einem gleichen Material wie ein Material einer Anodenelektrode der organischen Elektrolumineszenzvorrichtung gefertigt ist.
Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei der Schaltkreisteil, der die Lichtemissionseinheit ansteuert, auf einem Halbleitersubstrat gebildet ist.
Elektronische Vorrichtung, die eine Anzeigevorrichtung umfasst, die Folgendes beinhaltet: einen Pixelarrayteil, in dem Pixel, die jeweils einen Lichtemissionsteil beinhalten, angeordnet sind; eine Padelektrodenschicht, die außerhalb des Pixelarrayteils auf einem Substrat angeordnet ist, auf dem ein Lichtemissionsteil gebildet ist; und eine Wärmeabsorptionsschicht, die thermisch mit der Padelektrodenschicht gekoppelt ist.