CN113544761B

CN113544761B - 显示装置和电子设备

Info

Publication number: CN113544761B
Application number: CN202080018848.0A
Authority: CN
Inventors: 三浦究
Original assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Current assignee: Sony Semiconductor Solutions Corp
Priority date: 2019-03-12
Filing date: 2020-03-04
Publication date: 2023-10-10
Anticipated expiration: 2040-03-04
Also published as: WO2020184329A1; CN113544761A; DE112020001166T5; US20220130914A1; JP2020148847A

Abstract

显示装置(70)包括：像素阵列部，其中，布置了包括发光部(21)的像素；焊盘电极层(79)，设置在形成有发光部(21)的基板(71)上的像素阵列部的外侧；以及吸热层(82)，热耦合到焊盘电极层(79)。此外，电子设备包括具有上述构造的显示装置(70)。

Description

显示装置和电子设备

技术领域

本公开涉及显示装置和电子设备。

背景技术

近年来，平板(flat panel)显示装置是显示装置的主流。作为一种平板显示装置，存在一种显示装置，其包括作为像素的发光部(发光元件)的所谓的电流驱动型电光器件(其发光亮度根据流过该器件的电流的值而变化)。电流驱动型电光器件的示例可以包括使用有机材料的电致发光并且在将电场施加到有机薄膜时发光的有机电致发光(以下称为“EL”)装置(例如，参见专利文献1)。

引文清单

专利文件

专利文献1：日本特开2012-209018号公报

发明内容

本发明要解决的问题

顺便提及，有机EL器件的耐热性较弱。因此，有必要在有机EL显示装置的制造过程中充分注意热。特别地，在具有半导体基板作为形成有机EL器件的基板及其驱动电路部分的微型显示器中，面板尺寸小，因此特别是在EL处理之后需要高温的安装过程中，施加到焊盘部分的热传播到显示区域(像素区域)中的有机EL器件，并且由于热损伤而导致的有机EL器件的劣化可能使显示质量劣化。。

因此，本公开的目的在于提供一种显示装置，其能够减少对有机EL器件等的发光部的热损害并抑制由于该热损害引起的显示质量的劣化，以及包括该显示装置的电子设备。

问题解决方案

为了实现上述目的，本公开的显示装置包括：

像素阵列部，其中，布置了各自包括发光部的像素；

焊盘电极层，其设置在形成有发光部的基板上的像素阵列部的外侧；以及

吸热层，其热耦合到焊盘电极层。

此外，用于实现上述目的的本公开的电子设备包括具有上述构造的显示装置。

附图说明

图1是示出应用了本公开的技术的显示装置的基本配置的概要的系统配置图。

图2是示出单位像素(像素电路)的电路配置的电路图。

图3是示出显示面板中的像素阵列部的外围部分的基本面板结构的截面图。

图4是示出根据第一示例的显示面板中的像素阵列部的外围部分的面板结构的截面图。

图5是示出根据第一示例的面板结构中的焊盘电极层和吸热层的示意性透视图。

图6是示出根据第二示例的显示面板中的像素阵列部的外围部分的面板结构的截面图。

图7是示出根据第二示例的面板结构中的焊盘电极层和吸热层的示意性透视图。

图8A是从前侧观看的根据本公开的电子设备的第一具体示例的智能电话的外观，以及图8B是从后侧观看的智能电话的外观。

图9是示出根据本公开的电子设备的第二具体示例的头戴式显示器的外观图。

图10A是根据本公开的电子设备的第三具体示例的数码相机的前视图，以及图10B是数码相机的后视图。

具体实施方式

在下文中，将参考附图详细描述用于实施本公开的技术的实施例(在下文中，被称为“实施例”)。本公开的技术不限于实施例，并且实施例中的各种数值和材料是示例。在下面的描述中，相同的附图标记用于相同的元件或具有相同功能的元件，并且不再重复描述。注意，将按以下顺序给出描述。

1.本公开的显示装置和电子设备的总体描述

2.应用了本公开技术的有源矩阵显示装置

2-1.系统配置

2-2.像素电路

2-3.基本面板结构

3.本公开的实施例

3-1.第一示例(其中，吸热层设置为与焊盘电极层的每个焊盘的长度方向上的一部分相对应的示例)

3-2.第二示例(其中，在焊盘电极层的每个焊盘的整个长度方向上设置吸热层的示例)

4.修改示例

5.本公开的电子设备

5-1.第一个具体示例(智能电话示例)

5-2.第二个具体示例(头戴式显示器示例)

5-3.第三个具体示例(数码相机示例)

6.本公开的可能配置

<本公开的显示装置和电子设备的总体描述>

在本公开的显示装置和电子设备中，吸热层可以具有增加焊盘电极层的热容的功能。此外，吸热层可以包括形成为在焊盘电极层下方的层的布线层。

在具有上述优选构造的本公开的显示装置和电子设备中，可以在焊盘电极层的每个焊盘的长度方向上的整个区域上设置吸热层。此外，可以在吸热层的下方设置布线层。另外，可以在像素阵列部的下方设置与吸热层形成为同一层的布线层。

此外，在具有上述优选构造的本公开的显示装置和电子设备中，发光部可以包括有机电致发光器件(有机EL器件)。吸热层可以由与有机电致发光器件的阳极电极的材料相同的材料制成。

此外，在具有上述优选构造的本公开的显示装置和电子设备中，驱动发光部的电路部分可以形成在半导体基板上。

在具有上述优选构造的本公开的显示装置和电子设备中，显示装置可以具有有机EL显示装置的构造，其中多个子像素包括由有机EL器件制成的发光部(发光元件)。即，在有机EL显示装置中，由各个有机EL器件形成子像素。有机EL器件是所谓的电流驱动型电光器件，其发光亮度根据流过该器件的电流的值而变化。

有机EL显示装置可以用作包括在个人计算机，摄像机或数码相机中的监视装置，例如电视接收机，移动电话，个人数字助理(PDA)或游戏装置。可替代地，有机EL显示装置可以应用于电子取景器(EVF)和头戴式显示器(HMD)。可替代地，可以例示其他发光装置，包括背光装置和用于液晶显示装置的平面光源装置。

在有机EL器件中，作为发光功能层的有机层包括发光层(例如，由有机发光材料制成的发光层)。具体地，例如，有机层可以具有层叠结构，诸如空穴传输层，发光层和电子传输层的层叠结构，空穴传输层和发光层(也可以用作电子传输层)的层叠结构，以及空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和电子注入层的层叠结构。此外，在将这些层叠结构等作为串联单元设置的情况下，有机层可以具有层叠第一串联单元，连接层和第二串联单元的两级串联结构，并且有机层还可以具有三级串联结构，其中层叠三个或多个串联单元。在这些情况下，通过使串联单元具有诸如红色，绿色和蓝色的不同的发光颜色，可以获得整体上发射白光的有机层。

形成有机层的方法的示例包括诸如真空气相沉积法的物理气相沉积法(PVD法)；诸如丝网印刷法或喷墨印刷法的印刷方法；对激光吸收层和形成在转印基板上的有机层的层叠结构照射激光，以使激光吸收层上的有机层分离而进行有机层的转印的激光转印方法；以及各种涂布方法。例如，在基于真空气相沉积法形成有机层的情况下，通过使用所谓的金属掩模并沉积穿过形成在金属掩模中的开口的材料，可以获得有机层，并且可以在整个表面上形成有机层而不进行图案化。

<应用了本公开的技术的显示装置>

本公开的显示装置是有源矩阵显示装置，其中，通过设置在与电光器件相同的像素电路中的有源元件(例如绝缘栅场效应晶体管)来控制流过电光器件的电流。绝缘栅场效应晶体管的典型示例包括金属氧化物半导体(MOS)晶体管和薄膜晶体管(TFT)。

在此，将以有源矩阵有机EL显示装置(包括作为电流驱动电光器件的示例的有机EL器件作为像素电路的发光部(发光元件))为例来说明本发明的显示装置。在下文中，“像素电路”可以简称为“像素”。

[系统配置]

图1是示出有源矩阵有机EL显示装置(其是应用了本公开的技术的显示装置)的基本配置的概要的系统配置图。

如图1所示，应用了本公开的技术的有源矩阵有机EL显示装置10包括通过以矩阵形式二维地排列均包括有机EL器件的多个像素20而形成的像素阵列部30，以及布置在像素阵列部30的外围区域中的外围电路(外围驱动单元)。

像素区域的外围电路包括例如安装在作为相同显示面板(在其上安装有像素阵列部30)的显示面板70上的写扫描单元40，驱动扫描单元50，信号输出单元60等，并且外围电路驱动像素阵列部30的每个像素20。注意，外围电路也可以具有这样的配置，其中，写扫描单元40，驱动扫描单元50和信号输出单元60中的一些或全部被设置在显示面板70的外部。

有机EL显示装置10可以支持单色(黑白)显示或者可以支持彩色显示。在有机EL显示装置10支持彩色显示的情况下，作为用于形成彩色图像的单元的一个像素(单位像素/像素)包括多个子像素(子像素)。此时，每个子像素对应于图1中的像素20。更具体地，在支持彩色显示的显示装置中，一个像素包括三个子像素，例如，发出红(R)光的子像素，发出绿(G)光的子像素，以及发出蓝光(B)的子像素。

然而，一个像素不限于R，G和B的三种原色的子像素的组合，并且一个像素可以包括三种原色的子像素和一种或多种其他颜色的像素。更具体地说，例如，一个像素可以另外包括发出白(W)光以改善亮度的子像素，或者一个像素可以包括至少一个发出互补色光以扩大颜色再现范围的子像素。

在像素阵列部30中，对于m行和n列的像素20的阵列，扫描线31(31₁至31_m)和驱动线32(32₁至32_m)沿着各个像素行的第一方向(行方向/水平方向)布线。此外，对于m行n列的像素20的阵列，信号线33(33₁至33_n)沿着各个像素列的第二方向(列方向/垂直方向)布线。

扫描线31₁至31_m连接到写扫描单元40的相应行的输出端子。驱动线32₁至32_m连接至驱动扫描单元50的相应行的输出端子。信号线33₁至33_n连接到信号输出单元60的相应列的输出端子。

写扫描单元40包括移位寄存器电路等。当将视频信号的信号电压写入像素阵列部30的每个像素20时，写扫描单元40将写扫描信号WS(WS₁至WS_m)顺序地提供给扫描线31(31₁至31_m)以行为单位扫描像素阵列部30的每个像素20，即执行所谓的行顺序扫描。

与写扫描单元40相似，驱动扫描单元50包括移位寄存器电路等。驱动扫描单元50通过与写扫描单元40的行序扫描同步地将发光控制信号DS(DS₁至DS_m)提供给驱动线32(32₁至32_m)来控制像素20的发光和不发光(熄灭)。

信号输出单元60根据从信号提供源(未示出)提供的亮度信息，输出视频信号的信号电压(以下简称为“信号电压”)V_sig，或者选择性地输出参考电压V_ofs。这里，参考电压V_ofs是与视频信号的信号电压V_sig的参考电压相对应的电压(例如，与视频信号的黑电平相对应的电压)或接近参考电压的电压。当执行校正操作时，参考电压V_ofs用作初始化电压。

从信号输出单元60有选择地输出的信号电压V_sig/参考电压V_ofs以由写扫描单元40执行的行顺序扫描所选择的像素行为单位，经由信号线33(33₁到33_n)写入像素阵列部30的每个像素20。即，信号输出单元60采用行序写入的驱动方式，其中，以像素行(行)为单位写入信号电压V_sig。

[像素电路]

图2是示出有源矩阵有机EL显示装置10中的像素(像素电路)的电路结构的示例的电路图。像素20的发光部包括有机EL器件21。有机EL器件21是示例性的电流驱动型电光器件，其发光亮度根据流过该器件的电流的值而变化。

如图2所示，像素20包括有机EL器件21和通过使电流流过有机EL器件21来驱动有机EL器件21的驱动电路(像素驱动电路)。在有机EL器件21中，阴极电极连接到公共电源线34，其公共地连接到所有像素20。在图中，C_el是有机EL器件21的等效电容器。

用于驱动有机EL器件21的驱动电路包括驱动晶体管22，采样晶体管23，发光控制晶体管24，保持电容器25和辅助电容器26。这里假定有机EL器件21及其驱动电路未形成在诸如玻璃的绝缘体上，而是形成在诸如硅的半导体上，并且P沟道晶体管被用作驱动晶体管22。

此外，在该示例中，同样作为采样晶体管23和发光控制晶体管24中的每一个，与驱动晶体管22类似地使用P沟道晶体管。因此，驱动晶体管22，采样晶体管23和发光控制晶体管24均具有源极/栅极/漏极/背栅极的四个端子，而不是源极/栅极/漏极的三个端子。电源电压V_dd被施加到背栅极。

然而，采样晶体管23和发光控制晶体管24不限于P沟道晶体管，因为它们是用作开关元件的开关晶体管。因此，采样晶体管23和发光控制晶体管24中的每一个可以是N沟道晶体管，或P沟道晶体管和N沟道晶体管的组合。

在具有上述配置的像素20中，采样晶体管23通过对信号电压V_sig进行采样，将从信号输出单元60提供的视频信号的信号电压V_sig通过信号线33写入到保持电容器25。发光控制晶体管24连接在电源电压V_dd的节点与驱动晶体管22的源电极之间，并且在发光控制信号DS的驱动下控制有机EL器件21的发光和不发光。

保持电容器25连接在驱动晶体管22的栅极和源极之间。保持电容器25保持通过采样晶体管23的采样而写入的视频信号的信号电压V_sig。驱动晶体管22通过使对应于保持电容器25的保持电压的驱动电流流过有机EL器件21来驱动有机EL器件21。

辅助电容器26连接在驱动晶体管22的源电极与固定电位的节点(例如电源电压V_dd的节点)之间。该辅助电容器26具有抑制在写入视频信号的信号电压V_sig时驱动晶体管22的源极电位的波动，并且将驱动晶体管22的栅极-源极电压V_gs设置为驱动晶体管22的阈值电压V_th的效果。

[基本面板结构]

在具有上述结构的有机EL显示装置10中，作为在其上形成有像素阵列部30，其外围电路等的显示面板70的基板，可以使用诸如玻璃基板的绝缘透明基板，或者可以使用诸如硅基板的半导体基板。

将诸如硅基板的半导体基板用作显示面板70的基板的有机EL显示装置被称为所谓的微型显示器(小显示器)，并且优选用作数码相机的电子取景器，头戴式显示器的显示单元等。

在下文中，将以使用诸如硅基板的半导体基板作为显示面板70的基板的情况为例来描述显示面板70的结构(面板结构)。图3示出了显示面板70的像素阵列部30的外围部分的基本面板结构。

显示面板70的面板结构的示例包括所谓的顶部发射型面板结构，其中，从形成有机EL器件21的支撑基板相反的一侧取出光，以及所谓的底发射型面板结构，其中，从支撑基板侧取出光。本公开的技术可以应用于顶部发光型面板结构或底部发光型面板结构的面板结构，但是下面以顶部发光型的情况为例进行说明。

由半导体基板制成的支撑基板71上的区域包括：像素阵列部30的区域(像素区域)，以及位于像素阵列部30的外围区域(外边缘侧/外围侧)的外围区域，其中，多个像素20以矩阵形式布置。在像素阵列部30的区域中，设置了包括驱动晶体管22，采样晶体管23，发光控制晶体管24，保持电容器25和辅助电容器26，并驱动有机EL器件21的电路部分。在外围区域中，设置了包括写扫描单元40，驱动扫描单元50，信号输出单元60等的外围电路部分。然后，在支撑基板71上形成包括这些电路部分的电路层(未示出)。

显示面板70具有层叠结构，其中，例如，在电路层上层叠有布线层72，阳极电极73，有机层74和阴极电极75。尽管在此未示出，但是在阴极电极75上依次层叠有保护层，填充层(粘合剂层)和黑矩阵层。注意，在与黑矩阵层相同的层中为每个像素提供滤色器，并且在滤色器上结合相对的基板，使得相对的基板密封层叠结构。

尽管未示出，但是有机层74具有从阳极电极73侧依次层叠空穴注入层，空穴传输层，发光层，电子传输层和电子注入层的结构。在此，设置空穴注入层以提高空穴注入效率并防止泄漏。空穴传输层用于提高向发光层的空穴传输效率。在发光层中，当施加电场时，电子和空穴复合以产生光。电子传输层用于增加向发光层的电子传输效率。电子注入层用于提高电子注入效率。在这些层中，可以根据需要设置除发光层以外的层。

有机EL器件21和有机EL器件21之间的间隙由像素限定层(PDL)76限定。然后，阳极电极73由通过层叠铝，氧化铟锡(ITO)和银而获得的金属材料制成，并且被设置为用于每个像素的有机EL器件21的下部电极(像素电极)。阴极电极75由诸如铟锡氧化物，铟锌氧化物(IZO)和氧化锌(ZnO)的透光材料制成，并且公共被设置为用于每个像素的有机EL器件21的上电极(公共电极)。在阴极电极75的最外围部分75A的下方设有用于向阴极电极75赋予阴极电位的阴极环77。

在支撑基板71上，在阴极环77的区域(阴极环区域)的外侧的基板的外围部分形成有凹槽78。然后，在凹槽78中形成由各向异性导电膜(ACF)制成的焊盘电极层79。在高温高压条件下，经由各向异性导电膜(ACF)80将挠性印刷电路(FPC)81压接至凹槽78中的焊盘电极层79。在这种压接中，除了温度和压力之外，时间也是一个参数。

在具有上述构造的有机EL显示装置10中，有机EL器件21的耐热性弱。因此，在有机EL显示装置10的制造过程中需要充分注意热。特别地，在将半导体基板用作形成有机EL器件21及其驱动电路部分的支撑基板71的情况下，面板尺寸较小。因此，在EL处理之后需要高温的安装处理中，具体地，在高温高压下将柔性印刷电路81压接到支撑基板71的凹槽78中的焊盘电极层79上的过程中，施加到焊盘电极层79的热可能传播到像素区域中的有机EL器件21，并且由于热损伤而导致的有机EL器件21的劣化可能使显示质量劣化。

<本公开的实施例>

在本公开的实施例中，为了减少对有机EL器件21的热损害并抑制由于热损害引起的显示质量的劣化，有机EL显示装置10(在支撑基板71上的像素阵列部30的外侧设有焊盘电极层79，具有吸热层82(参照图4)与焊盘电极层79热耦合的结构。吸热层82具有增加焊盘电极层79的热容的功能。

通过以这种方式将吸热层82热耦合到焊盘电极层79，可以增加焊盘电极层79的热容，从而当在高温和高压下将柔性印刷电路81压接到焊盘电极层79上时，可以减少对有机EL器件21的热损伤。因此，可以抑制由于对有机EL器件21的热损伤而导致的显示质量的下降。

在下文中，将描述根据本实施例的具体示例的面板结构，其中，吸热层82热耦合至焊盘电极层79，以增加焊盘电极层79的热容。

[第一示例]

第一示例是其中与焊盘电极层79的每个焊盘的长度方向上的一部分相对应地设置吸热层82的示例。图4示出了根据第一示例的显示面板70中的像素阵列部30的外围部分的面板结构的示意性截面图，以及图5示出了根据第一示例的面板结构中的焊盘电极层79和吸热层82的示意性透视图。

在具有根据第一示例的面板结构的有机EL显示装置10中，焊盘电极层79设置在支撑基板71上的像素阵列部30的外部。在焊盘电极层79中，例如以恒定间距将多个焊盘79₁、79₂、79₃，...布置在支撑基板71的凹槽78中。

根据第一示例的面板结构包括吸热层82作为在焊盘电极层79下方的层。然后，吸热层82通过热耦合部分83热耦合到焊盘电极层79。如图5所示，吸热层82包括与多个焊盘79₁、79₂、79₃，...相对应地设置的并且彼此独立的吸热部分82₁、82₂、82₃，...。

在彼此电分离的状态下，对应于焊盘电极层79的各个焊盘79₁、79₂、79₃，...在长度方向上的部分设置多个吸热部分82₁、82₂、82₃，...。然后，多个吸热部分82₁、82₂、82₃，...分别通过热耦合部分83热耦合到焊盘79₁、79₂、79₃，...，以增加焊盘79₁、79₂、79₃，...的热容。

通常，热容取决于物质的类型和质量。因此，通过增加吸热层82的每个吸热部分82₁、82₂、82₃，...的质量，焊盘电极层79的每个焊盘79₁、79₂、79₃，...的热容可以增加。在根据第一示例的面板结构中，吸热层82由例如与有机EL器件21的阳极电极73的材料相同的材料(例如铝)制成，并在与像素区域中的多个布线层72之一相同的层中形成为布线层。换句话说，在根据第一示例的面板结构中，在像素阵列部30的下方设置有与吸热层82形成为同一层的布线层(在本例中，为三个布线层72的中央一个的布线层)。

根据上述第一示例的面板结构，在高温和高压下将柔性印刷电路81压接到焊盘电极层79的步骤中，热结合到焊盘电极层79的焊盘79₁、79₂、79₃，...中的相应一个的吸热层82的每个吸热部分82₁、82₂、82₃，...都可以吸收热。因此，可以减少对有机EL器件21的热损伤，并且因此可以抑制由于对有机EL器件21的热损伤而导致的显示质量的劣化。

此外，在根据第一示例的面板结构中，在像素阵列部30的下方设置有与吸热层82形成为同一层的布线层(在本例中，为三个布线层72的中央之一的布线层)，并且该布线层可以用作阴极环77的加强件。如稍后描述的第二示例类似地提供该效果。

[第二示例]

第二示例是其中在焊盘电极层79的每个焊盘的整个长度方向上设置吸热层82的示例。图6示出了根据第二示例的显示面板70中的像素阵列部30的外围部分的面板结构的示意性截面图，以及图7示出了根据第二示例的面板结构中的焊盘电极层79和吸热层82的示意性透视图。

在根据第二示例的面板结构中，在焊盘电极层79的各个焊盘79₁、79₂、79₃，...的整个长度方向上，设置有吸热层82的多个吸热部分82₁、82₂、82₃，...，吸热部分82₁、82₂、82₃通过用于各个焊盘的多个热耦合部分83而热耦合至焊盘79₁、79₂、79₃，...。

与根据第一示例的面板结构类似，在根据第二示例的面板结构中，吸热层82的每个吸热部分82₁、82₂、82₃，...由例如铝等与有机EL器件21的阳极电极73相同的材料形成，并且，形成为与像素区域中的多个布线层72之一在同一层中的布线层。此外，在焊盘电极层79的下方和吸热层82的下方，例如，形成有与像素区域中的三个布线层72中的最低布线层相同的层的电路布线层84。

在上述根据第二示例的面板结构中，在焊盘电极层79的相应的焊盘79₁、79₂、79₃，...的整个长度方向上设置吸热层82的每个吸热部分82₁，82₂、82₃，...。因此，根据第二示例的面板结构，与根据第一示例的面板结构的情况(其中，吸热部分82₁、82₂、82₃，...设置成与长度方向上的部分相对应)相比，在高温和高压下的压接过程中的吸热效果更大。结果，可以更加可靠地减小对有机EL器件21的热损伤，并且因此可以更加可靠地抑制由于热损伤而导致的显示质量的劣化。

此外，根据第二示例的面板结构，在焊盘电极层79的相应的焊盘79₁、79₂、79₃，...的整个长度方向上设置吸热层82的每个吸热部分82₁，82₂、82₃，...。因此，可以提高在高温高压下压接时的焊盘电极层79相对于下侧的机械强度。因此，可以在其下方布置电路布线层84和另一布线层，并且可以在焊盘电极层79的下方布置诸如晶体管的电路元件，其在没有吸热层82的情况下机械强度较低。

<修改示例>

尽管以上已经基于优选实施例描述了本公开的技术，但是本公开的技术不限于该实施例。在上述实施例中描述的显示装置的配置和结构是示例，并且可以适当地改变。例如，在上述实施例中，已经以有机EL器件(显示面板)为例描述了本公开的技术，但是本公开的技术可以应用于除有机EL器件以外的显示装置，具体地，具有面板结构的所有显示装置，其中焊盘电极层设置在像素阵列部的外部。

另外，在上述实施方式中，以使用硅基板等半导体基板作为显示面板的基板的显示装置为例进行了说明，但是，本公开的技术的应用不限于该示例，并且本公开的技术可以应用于其中使用诸如玻璃基板的绝缘透明基板的显示装置。

<本公开的电子设备>

上述本公开的显示装置可以在所有领域中用作电子设备的显示单元(显示装置)，其将输入到电子设备的视频信号或在电子设备中生成的视频信号显示为图像或视频。电子设备的示例包括电视机，笔记本个人计算机，数码相机，诸如移动电话的移动终端装置以及头戴式显示器。然而，电子设备不限于这些示例。

根据本公开的技术，在高温和高压下的压接工艺中，可以减少对发光部(发光元件)的热损伤，并且可以抑制由于热损伤引起的显示质量的劣化，因此可以提供高质量的显示图像。然后，通过在所有领域中将本公开的显示装置用作电子设备的显示单元(显示装置)，可以提供高质量的显示图像。

在下文中，将描述智能电话，头戴式显示器和数码相机作为使用本公开的显示装置的电子设备的具体示例。然而，这里描述的具体示例仅是示例，并且电子设备不限于这些示例。

[第一具体示例：智能电话的示例]

图8A示出了从正面观看的根据本公开的电子设备的第一具体示例的智能电话的外观，并且图8B示出了从背面观看的外观。根据该具体示例的智能电话100在壳体110的前侧上包括显示单元120。此外，智能电话100包括例如在壳体110的后侧的上部的成像单元130。

在具有上述配置的移动装置的示例的智能电话100中，本公开的显示装置可以用作显示单元110。即，通过使用本公开的显示装置作为其显示单元120来制造根据第一具体示例的智能电话100。

[第二具体示例：头戴式显示器的示例]

图9示出根据本公开的电子设备的第二具体示例的头戴式显示器的外观。

根据第二具体示例的头戴式显示器200具有包括主体部分201，臂部分202和镜筒203的透视头戴式显示器构造。主体部分201连接到臂部分202和眼镜210。具体而言，主体部分201的长边方向的端部安装于臂部分202。另外，主体部分201的侧面之一经由(未图示的)连结部件而连结于眼镜210。注意，主体部分201可以直接附接到人体的头部。

主体部分201包括用于控制头戴式显示器200和显示单元的操作的控制板。臂部分202通过将主体部分201和镜筒203连结而相对于主体部分201支撑镜筒203。具体地，臂部分202联接至主体部分201的端部和镜筒203的端部，以相对于主体部分201固定镜筒203。此外，臂部分202包含用于将与从主体部201提供的图像有关的数据传送到镜筒203的信号线。

镜筒203经由眼镜210的透镜211将从主体部分201经由臂部分202提供的图像光投射到佩戴头戴式显示器200的使用者的眼睛。在该头戴式显示器200中，本公开的显示装置可以用作容纳在主体部分201中的显示单元。即，通过使用本公开的显示装置作为其显示单元来制造根据第二具体示例的头戴式显示器200。

[第三具体示例：数码相机的示例]

图10A和图10B示出了根据本公开的电子设备的第三具体示例的可互换镜头的单镜头反光数码相机的外观。图10A是数码相机的前视图，图10B是数码相机的后视图。

镜头可互换单镜头反光数码相机300包括，例如，在相机主体部分(相机主体)311的右前侧的可互换成像镜头单元(可互换镜头)312，以及用于摄影者将数码相机300保持在左前侧的握持部分313。然后，在相机主体部分311的背面的中央设有监视器314。在监视器314的上方设置有取景器(目镜窗)315。通过在取景器315中注视，摄影者可以在视觉上识别由成像透镜单元312引导的被摄体的光学图像的同时确定构图。

在具有上述构造的可互换镜头的单镜头反光数码相机300中，本公开的显示装置可以用作其取景器315。即，通过使用本公开的显示装置作为其取景器315来制造根据第三具体示例的可更换镜头的单镜头反光数码相机300。

<本公开的可能配置>

注意，本公开还可以具有以下配置。

<<A.显示装置>>

[A-1]一种显示装置，包括：

像素阵列部，其中，布置了各自包括发光部的像素；

吸热层，其热耦合到焊盘电极层。

[A-2]根据上述[A-1]的显示装置，其中

吸热层具有增加焊盘电极层的热容的功能。

[A-3]根据上述[A-2]的显示装置，其中

吸热层包括形成为在焊盘电极层下方的层的布线层。

[A-4]根据上述[A-3]的显示装置，其中

吸热层设置在焊盘电极层的每个焊盘的整个长度方向上。

[A-5]根据上述[A-4]的显示装置，其中

在吸热层的下方设置有电路布线层。

[A-6]根据上述[A-3]或[A-4]的显示装置，其中

在像素阵列部的下方设置有与吸热层形成为同一层的布线层。

[A-7]根据上述[A-1]至[A-6]中任一项的显示装置，其中

发光部包括有机电致发光器件。

[A-8]根据上述[A-7]的显示装置，其中

吸热层由与有机电致发光器件的阳极电极的材料相同的材料制成。

[A-9]根据上述[A-1]至[A-8]中任一项的显示装置，其中

驱动发光部的电路部分形成在半导体基板上。

<<B.电子设备>>

[B-1]一种包括显示装置的电子设备，包括：

像素阵列部，其中，布置了各自包括发光部的像素；

吸热层，其热耦合到焊盘电极层。

[B-2]根据上述[B-1]的电子设备，其中

吸热层具有增加焊盘电极层的热容的功能。

[B-3]根据上述[B-2]的电子设备，其中

吸热层包括形成为在焊盘电极层下方的层的布线层。

[B-4]根据上述[B-3]的电子设备，其中

吸热层设置在焊盘电极层的每个焊盘的整个长度方向上。

[B-5]根据上述[B-4]的电子设备，其中

在吸热层的下方设置有电路布线层。

[B-6]根据上述[B-3]或[B-4]的电子设备，其中

[B-7]根据上述[B-1]至[B-6]中任一项的电子设备，其中

发光部包括有机电致发光器件。

[B-8]根据上述[B-7]的电子设备，其中

[B-9]根据上述[B-1]至[B-8]中任一项的电子设备，其中

驱动发光部的电路部分形成在半导体基板上。

参考符号列表

10有机EL显示装置 20像素 21有机EL器件

22驱动晶体管 23采样晶体管 24发光控制晶体管

25保持电容器 26辅助电容器 30像素阵列部

31₁至31_m扫描线 32₁至32_m驱动线

33₁至33_n信号线 40写扫描单元

50驱动扫描单元 60信号输出单元

70显示面板 71支撑基板(半导体基板)

72布线层 73阳极电极

74有机层 75阴极电极

76像素定义层(PDL) 77阴极环

78凹槽 79焊盘电极层

80各向异性导电膜(ACF) 81柔性印刷电路板(FPC)

82吸热层 83热耦合部分 84电路布线层。

Claims

1.一种显示装置，包括：

像素阵列部，均包括发光部的像素布置在所述像素阵列部中；

焊盘电极层，设置在基板上所述像素阵列部的外侧，其中，在所述基板上形成发光部；以及

吸热层，热耦合到所述焊盘电极层，

其中，所述吸热层设置在所述焊盘电极层的每个焊盘的整个长度方向上。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述吸热层具有增加所述焊盘电极层的热容的功能。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中

所述吸热层包括形成为在所述焊盘电极层下方的层的布线层。

4.根据权利要求1所述的显示装置，其中

在所述吸热层的下方设置有电路布线层。

5.根据权利要求3所述的显示装置，其中，

在所述像素阵列部的下方设置有与所述吸热层形成为同一层的布线层。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其中

所述发光部包括有机电致发光器件。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中

所述吸热层由与所述有机电致发光器件的阳极电极的材料相同的材料制成。

8.根据权利要求1所述的显示装置，其中

驱动所述发光部的电路部分形成在半导体基板上。

9.一种包括显示装置的电子设备，包括：

吸热层，热耦合到所述焊盘电极层，