DE102022129212A1

DE102022129212A1 - Lichtemittierende Anzeigevorrichtung und Herstellungsverfahren dafür

Info

Publication number: DE102022129212A1
Application number: DE102022129212.6A
Authority: DE
Inventors: Jong-Sin Park; Hee Young Chae; Sung Won Lee; Yi Yeon Hwang
Original assignee: LG Display Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2021-12-07
Filing date: 2022-11-04
Publication date: 2023-06-07
Also published as: GB202216382D0; TW202324364A; US20230180554A1; CN116249398A; GB2614418A; KR20230085519A

Abstract

Die vorliegende Erfindung schafft eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die eine Niederspannungspegel-Stromleitung, die konfiguriert ist, eine Spannung niedrigen Pegels zu übertragen, eine Datenleitung, die konfiguriert ist, eine Datenspannung zu übertragen, eine Gate-Leitung, die konfiguriert ist, ein Gate-Signal zu übertragen, und ein Unterpixel, das mit der Niederspannungspegel-Stromleitung, der Datenleitung und der Gate-Leitung verbunden ist, enthält. Das Unterpixel enthält einen Kondensator, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappt.

Description

Diese Anmeldung beansprucht die Priorität der koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2021-0173752 , eingereicht am 7. Dezember 2021, die hier durch Bezugnahme vollständig mit aufgenommen ist.
GEBIET
Die vorliegende Offenbarung bezieht sich auf eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür.
DISKUSSION DES VERWANDTEN GEBIETS
Mit der Entwicklung der Informationstechnologie wächst der Markt für Anzeigevorrichtungen als ein Medium, das Anwender und Informationen verbindet. Daher nimmt die Verwendung von Anzeigevorrichtungen wie z. B. einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung (LED-Vorrichtung), einer Quantenpunktanzeigevorrichtung (QDD-Vorrichtung), einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD-Vorrichtung) und dergleichen zu.
Die oben erwähnten Anzeigevorrichtungen enthalten eine Anzeigetafel, die Unterpixel enthält, einen Treiber, der konfiguriert ist, ein Ansteuerungssignal zum Ansteuern der Anzeigetafel auszugeben, und eine Stromversorgung, die konfiguriert ist, eine elektrische Leistung zu erzeugen, die zu der Anzeigetafel oder dem Treiber geliefert werden soll.
Wenn Ansteuerungssignale, z. B. Abtastsignale und Datensignale, zu Unterpixeln, die an einer Anzeigetafel in einer Anzeigevorrichtung wie oben erwähnt gebildet sind, geliefert werden, leiten gewählte Unterpixel Licht weiter oder strahlen Licht direkt ab, wodurch die Anzeigevorrichtung ein Bild anzeigen kann.
Allerdings besteht ein Bedarf an Anzeigevorrichtungen, die eine erhöhte Helligkeit und/oder eine erhöhte oder verbesserte Bildqualität aufweisen.
ZUSAMMENFASSUNG
Entsprechend ist die vorliegende Offenbarung auf eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung und auf ein Herstellungsverfahren dafür gerichtet, die ein oder mehrere Probleme aufgrund von Einschränkungen und Nachteilen des verwandten Gebiets im Wesentlichen vermeiden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür zu schaffen, die in der Lage sind, eine Erhöhung des Blendenverhältnisses durch Erhöhen einer Fläche, die durch eine organische Leuchtdiode belegt ist, zu erreichen, während sie eine Fläche, die zur Implementierung einer Schaltung erforderlich ist, minimieren.
Die Aufgabe wird durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen sind in den abhängigen Ansprüchen gegeben.
Entsprechend kann in einem Aspekt der vorliegenden Offenbarung ein Kondensator mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappen, um eine Fläche zu erhöhen, die durch eine organische Leuchtdiode belegt ist, während eine Fläche minimiert wird, die zur Implementierung der Schaltung erforderlich ist, wodurch das Blendenverhältnis erhöht wird.
Ein Überlappen eines Ansteuerungstransistors mit der Niederspannungspegel-Stromleitung kann ferner helfen, die oben beschriebene Aufgabe der vorliegenden Offenbarung zu erreichen.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Offenbarung ist, eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung und ein Herstellungsverfahren dafür zu schaffen, die in der Lage sind, die Leistung einer Spannung niedrigen Pegels zu stabilisieren, wodurch eine Verbesserung der Anzeigequalität erreicht wird.
Gemäß einem zweiten Aspekt kann eine Anordnung der Niederspannungspegel-Stromleitung in jedem Unterpixel die Leistung des Niederspannungspegels stabilisieren und verringert den Leitungswiderstand, wodurch eine Verbesserung der Anzeigequalität der resultierenden Anzeigetafel erreicht wird.
Ferner kann durch Schaffen einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gemäß dem zweiten Aspekt, wobei die erste Gruppe und die zweite Gruppe vertikal umgekehrte Beziehungen aufweisen, eine wirksamere Raumnutzung erreicht werden, wie aus der genauen Beschreibung deutlich wird.
Zusätzliche Vorteile, Aufgaben und Merkmale der Offenbarung werden teilweise in der folgenden Beschreibung dargelegt und werden teilweise für einschlägige Fachleute aufgrund einer Auseinandersetzung mit dem Folgenden deutlich oder können aus einem Praktizieren der Offenbarung gelernt werden. Die Aufgaben und weitere Vorteile der Offenbarung können durch die Struktur realisiert und erreicht werden , die insbesondere in der schriftlichen Beschreibung und den Ansprüche hiervon sowie den beigefügten Zeichnungen aufgezeigt wird.
Hier wird eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung offenbart, die eine Niederspannungspegel-Stromleitung, die konfiguriert ist, eine Spannung niedrigen Pegels zu übertragen, eine Datenleitung, die konfiguriert ist, eine Datenspannung zu übertragen, eine Gate-Leitung, die konfiguriert ist, ein Gate-Signal zu übertragen, und ein Unterpixel, das mit der Niederspannungspegel-Stromleitung, der Datenleitung und der Gate-Leitung verbunden ist, enthält, wobei das Unterpixel einen Kondensator enthält, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappt. Die Niederspannungspegel-Stromleitung kann hier alternativ als eine zweite Stromleitung bezeichnet werden.
Das Unterpixel kann ferner einen Ansteuerungstransistor enthalten, der eine Gate-Elektrode aufweist, die mit einer ersten Elektrode des Kondensators verbunden ist.
Der Ansteuerungstransistor kann mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappen.
Die erste Elektrode und eine zweite Elektrode des Kondensators können mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappen.
Die Gate-Elektrode und ein Kanalbereich des Ansteuerungstransistors können mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappen.
Die Niederspannungspegel-Stromleitung des Unterpixels kann mit einer Stromversorgung verbunden sein, die konfiguriert ist, die Spannung niedrigen Pegels zu erzeugen und auszugeben.
Die Datenleitung des Unterpixels kann mit einem Datentreiber verbunden sein und kann konfiguriert sein, eine Datenspannung zur Datenleitung zu übertragen.
Die Gate-Leitung des Unterpixels kann konfiguriert sein, ein Gate-Signal zum Schalttransistor des Unterpixels zu übertragen. Die Gate-Leitung kann mit einem Gate-Treiber verbunden sein, der konfiguriert ist, eine Gate-Spannung auszugeben.
Der Kondensator ist zwischen der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors und der zweiten Elektrode des Ansteuerungstransistors verbunden.
Die Niederspannungspegel-Stromleitung und die Datenleitung verlaufen in einer ersten Richtung (aufwärts/abwärts in 7).
Der Kondensator und/oder der Ansteuerungstransistor können eine Ausdehnung aufweisen, die in einer ersten Richtung größer als in einer zweiten Richtung ist.
Der Kondensator und/oder der Ansteuerungstransistor können durch die Niederspannungspegel-Stromleitung vollständig abgedeckt sein, d. h. die Breite der Niederspannungspegel-Stromleitung ist größer als die Breite des Kondensators und/oder der aktiven Schicht des Ansteuerungstransistors.
Der Schalttransistor kann mit der Gate-Leitung überlappen, die in einer zweiten Richtung verläuft.
Das Unterpixel kann die Niederspannungspegel-Stromleitung, die an einem Unterpixel angeordnet ist, eine Pufferschicht, die an der Niederspannungspegel-Stromleitung angeordnet ist, eine Halbleiterschicht, die an einer Pufferschicht angeordnet ist, eine Gate-Isolationsschicht, die an der Halbleiterschicht angeordnet ist, eine Gate-Metallschicht, die an der Gate-Isolationsschicht angeordnet ist, eine Isolationszwischenschicht, die an der Gate-Metallschicht angeordnet ist, und eine Pixelelektrodenschicht, die an der Isolationszwischenschicht angeordnet ist, enthalten.
Eine Metallschicht kann zwischen der Halbleiterschicht und der Gate-Metallschicht vorgesehen sein, derart, dass sie die Halbleiterschicht und die Gate-Metallschicht berührt.
Das Unterpixel kann die Niederspannungspegel-Stromleitung, die an einem Unterpixel angeordnet ist, eine Pufferschicht, die an der Niederspannungspegel-Stromleitung angeordnet ist, eine Halbleiterschicht, die an einer Pufferschicht angeordnet ist, eine Metallschicht (z. B. eine erste Metallschicht), die an der Halbleiterschicht angeordnet ist, eine Gate-Metallschicht, die an der ersten Metallschicht angeordnet ist, und eine Gate-Isolationsschicht, die zwischen der Halbleiterschicht und der Gate-Metallschicht angeordnet ist, enthalten.
Die erste Metallschicht kann mit der Halbleiterschicht und mit der Gate-Metallschicht in Kontakt sein.
Die Halbleiterschicht kann als ein Oxidhalbleiter gewählt werden, der einen Halbleiterbereich und einen metallisierten Bereich enthält. Die Halbleiterschicht kann ferner eine Metallschicht enthalten, die im metallisierten Bereich angeordnet ist.
Die Pixelelektrodenschicht kann einen Abschnitt der Metallschicht mittels eines Kontaktlochs berühren, das bei der Isolationszwischenschicht und der Gate-Isolationsschicht vorgesehen ist, und ist dadurch mit dem metallisierten Bereich elektrisch verbunden.
Die Pixelelektrodenschicht kann mittels eines Kontaktlochs, das bei der Isolationszwischenschicht und der Gate-Isolationsschicht vorgesehen ist, mit dem metallisierten Bereich direkt verbunden sein.
Außerdem wird hier eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung offenbart, die eine Anzeigetafel, die Unterpixel enthält, die jeweils mit einer Niederspannungspegel-Stromleitung, einer Datenleitung und einer Gate-Leitung verbunden sind, wobei jedes Unterpixel einen Kondensator enthält, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappt, und einen Treiber, der konfiguriert ist, die Anzeigetafel anzusteuern, enthält, wobei die Unterpixel eine erste Gruppe und eine zweite Gruppe enthalten, die jeweils zwei Unterpixel enthalten, die seitlich symmetrisch zueinander sind, und die erste Gruppe bzw. die zweite Gruppe vertikal umgekehrte Beziehungen aufweisen.
Eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode des Kondensators können mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappen.
Eine Gate-Elektrode und ein Kanalbereich des Ansteuerungstransistors können mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappen.
Außerdem wird hier ein Herstellungsverfahren einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung offenbart, das ein Bilden an einem Substrat eines Unterpixels, das mit einer Niederspannungspegel-Stromleitung, einer Datenleitung und einer Gate-Leitung verbunden ist, während es einen Kondensator enthält, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung überlappt, und ein Kapseln des Unterpixels, das am Substrat gebildet ist, enthält, wobei der Kondensator eine erste Elektrode, die an einer Pufferschicht, die die Niederspannungspegel-Stromleitung abdeckt, angeordnet ist, und eine zweite Elektrode, die an einer Gate-Isolationsschicht, die die Elektrode an einem Ende abdeckt, angeordnet ist, enthält.
Die erste Elektrode des Kondensators kann eine metallisierte Oxidhalbleiterschicht enthalten.
Die Halbleiterschicht kann als ein Oxidhalbleiter gewählt werden, der einen Halbleiterbereich und einen metallisierten Bereich umfasst.
Die Halbleiterschicht kann ferner eine Metallschicht umfassen, die im metallisierten Bereich angeordnet ist.
In Übereinstimmung mit den Beispielen der vorliegenden Offenbarung existiert eine Wirkung des Erreichens einer Erhöhung des Blendenverhältnisses durch Erhöhen einer Fläche, die durch eine organische Leuchtdiode belegt ist, während eine Fläche, die zur Implementierung einer Schaltung erforderlich ist, durch Bilden eines Kondensators und eines Ansteuerungstransistors minimiert wird. Zusätzlich besteht die Wirkung des Stabilisierens der Leistung eines Niederspannungspegels und des Verringerns eines Leitungswiderstands durch Anordnen einer Niederspannungspegel-Stromleitung in jeder Fläche, in der ein Unterpixel angeordnet ist, wodurch eine Verbesserung der Anzeigequalität der resultierenden Anzeigetafel erreicht wird. Darüber hinaus besteht die Wirkung des Ausgleichens eines Ansteuerungstransistors ohne Implementierung einer getrennten Ausgleichsschaltung in einem Datentreiber usw., wodurch eine Verbesserung der Anzeigequalität der resultierenden Anzeigetafel und eine Zunahme der Lebensdauer der Anzeigetafel erreicht werden.
Figurenliste
Die begleitenden Zeichnungen, die enthalten sind, um ein besseres Verständnis der Offenbarung zu schaffen, und in diese Anmeldung mit aufgenommen sind und einen Teil davon bilden, veranschaulichen ein oder mehrere Beispiele der Offenbarung und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu, das Prinzip der Offenbarung zu erläutern. Es zeigen:

1 ein Blockdiagramm, das eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung schematisch zeigt;
2 ein Diagramm, das ein Unterpixel, das in 1 gezeigt ist, schematisch zeigt;
3A und 3B Ansichten, die Anordnungsbeispiele eines Gate-Treiber des Gate-in-Tafel-Typs zeigen;
4 und 5 Ansichten, die Konfigurationen von Elementen, die dem Gate-Treiber des Gate-in-Tafel-Typs zugeordnet sind, veranschaulichen;
6 einen Schaltplan einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels gemäß einem ersten Beispiel des ersten Aspekts;
7 eine veranschaulichende Layoutansicht des Unterpixels gemäß dem ersten Beispiel des ersten Aspekts;
8 eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie X1-X2 in 7 genommen wurde;
9 einen Schaltplan einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels gemäß einem zweiten Beispiel des ersten Aspekts;
10 eine veranschaulichende Layoutansicht des Unterpixels gemäß dem zweiten Beispiel des ersten Aspekts;
11 bis 13 Diagramme, die einen Vorteil des Unterpixels gemäß dem zweiten Beispiel des ersten Aspekts erläutern;
14 eine veranschaulichende Layoutansicht von Unterpixeln gemäß einem dritten Beispiel des ersten Aspekts;
15 eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie A1-A2 in 14 genommen wurde;
16 eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie B1-B2 in 14 genommen wurde;
17 und 18 veranschaulichende Querschnittansichten, die entlang der Linie B1-B2 in 14 genommen wurden und Varianten des dritten Beispiels des ersten Aspekts zeigen;
19 eine veranschaulichende Layoutansicht von Unterpixeln gemäß einem vierten Beispiel des ersten Aspekts;
20 eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie C1-C2 in 19 genommen wurde;
21 eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie D1-D2 in 19 genommen wurde;
22 eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie D1-D2 in 19 genommen wurde und eine Variante des vierten Beispiels des ersten Aspekts zeigt; und
23 einen Schaltplan einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels gemäß einem fünften Beispiel des ersten oder des zweiten Aspekts.

GENAUE BESCHREIBUNG
Eine Anzeigevorrichtung gemäß einem Beispiel der vorliegenden Offenbarung kann als ein Fernseher, eine Bildabspielvorrichtung, ein Personal Computer (PC), ein Heimkino, ein elektrische Kraftfahrzeugvorrichtung, ein Smartphone usw. implementiert sein, ohne darauf beschränkt zu sein. Die Anzeigevorrichtung kann als eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung (LED-Vorrichtung), eine Quantenpunktanzeigevorrichtung (QDD-Vorrichtung), eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD-Vorrichtung) usw. implementiert sein. Allerdings wird die folgende Beschreibung zur Vereinfachung der Beschreibung in Verbindung z. B. mit einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung gegeben, die konfiguriert ist, Licht auf der Grundlage einer anorganischen Leuchtdiode oder einer organischen Leuchtdiode direkt abzustrahlen.
Obwohl ein Unterpixel, das im Folgenden beschrieben wird, in Verbindung mit einem Beispiel beschrieben wird, in dem das Unterpixel einen Dünnschichttransistor des n-Typs enthält, kann das Unterpixel derart implementiert sein, dass es einen Dünnschichttransistor des p-Typs oder einen Dünnschichttransistor, der einen Typ aufweist, in dem sowohl der n-Typ als auch der p-Typ vorhanden sind, enthält. Der Dünnschichttransistor kann ein Dreifachelektrodenelement sein, das ein Gate, eine Source und einen Drain enthält. Die Source ist eine Elektrode, die konfiguriert ist, einen Träger zum Transistor zu liefern. Der Träger im Dünnschichttransistor fließt zunächst von der Source. Der Drain ist eine Elektrode, von der der Träger vom Dünnschichttransistor zu einer Außenseite des Dünnschichttransistors abgegeben wird. Das heißt, der Träger im Dünnschichttransistor fließt von der Source zum Drain.
Im Falle eines Dünnschichttransistors des p-Typs besitzt eine Source-Spannung einen höheren Pegel als eine Drain-Spannung derart, dass ein Loch von einer Source zu einem Drain fließen kann, weil das Loch ein Träger ist. Im Dünnschichttransistor des p-Typs fließen Ströme von der Source zum Drain, weil das Loch von der Source zum Drain fließt. Umgekehrt besitzt in einem Dünnschichttransistor des n-Typs eine Source-Spannung einen niedrigeren Pegel als eine Drain-Spannung derart, dass ein Elektron von einer Source zu einem Drain fließen kann, weil das Elektron ein Träger ist. Im Dünnschichttransistor des n-Typs fließen Ströme vom Drain zur Source, weil die Elektronen von der Source zum Drain fließen. In einem Dünnschichttransistor können allerdings eine Source und ein Drain in Übereinstimmung mit Spannungen, die an sie angelegt werden, ausgetauscht werden. Unter Berücksichtigung derartiger Zustände wird die Source oder der Drain als eine „erste Elektrode“ bezeichnet und wird die bzw. der weitere der Source und des Drain als eine „zweite Elektrode“ bezeichnet.
1 ist ein Blockdiagramm, das eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung schematisch zeigt. 2 ist ein Diagramm, das ein Unterpixel, das in 1 gezeigt ist, schematisch zeigt.
Wie in 1 und 2 gezeigt ist, kann die lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine Bildversorgungsvorrichtung 110, eine Zeitplanungssteuereinheit 120, einen Gate-Treiber 130, einen Datentreiber 140, eine Anzeigetafel 150, eine Stromversorgung 180 usw. enthalten.
Die Bildversorgungsvorrichtung 110 (ein Gerät oder ein Trägersystem) kann verschiedene Ansteuersignale gemeinsam mit einem Bilddatensignal, das von ihrer Außenseite geliefert wird, oder einem Bilddatensignal, das in ihrem internen Speicher gespeichert ist, ausgeben. Die Bildversorgungsvorrichtung 110 kann ein Datensignal und verschiedene Ansteuersignale zur Zeitplanungssteuereinheit 120 liefern.
Die Zeitplanungssteuereinheit 120 kann ein Gate-Zeitsteuersignal GDC zur Steuerung eines Betriebszeitablaufs des Gate-Treibers 130, ein Datenzeitsteuersignal DDC zur Steuerung eines Betriebszeitablaufs des Datentreibers 140, verschiedene Synchronisationssignale (ein Vertikalsynchronisationssignal Vsync und ein Horizontalsynchronisationssignal Hsync) usw. ausgeben. Die Zeitplanungssteuereinheit 120 kann ein Datensignal DATA zum Datentreiber 140 liefern, das von der Bildversorgungsvorrichtung 110 zusammen mit dem Datenzeitablaufsignal DDC geliefert wird. Die Zeitplanungssteuereinheit 120 kann die Form einer integrierten Schaltung (IC) annehmen und kann daher an einer gedruckten Leiterplatte montiert sein, ohne darauf beschränkt zu sein.
Der Gate-Treiber 130 kann in Reaktion auf das Gate-Zeitsteuersignal GDC, das von der Zeitplanungssteuereinheit 120 geliefert wird, ein Gate-Signal (oder ein Abtastsignal) ausgeben. Der Gate-Treiber 130 kann über Gate-Leitungen GL1 bis GLm, die in der Anzeigetafel 150 enthalten sind, ein Gate-Signal zu den Unterpixeln liefern. Der Gate-Treiber 130 kann die Form einer IC annehmen oder kann an der Anzeigetafel 150 in einer Gate-in-Tafel-Weise direkt gebildet werden, ohne darauf beschränkt zu sein.
Der Datentreiber 140 kann in Reaktion auf das Datenzeitsteuersignal DDC, das von der Zeitplanungssteuereinheit 120 geliefert wird, ein Datensignal DATA abtasten und zwischenspeichern, kann das resultierende Datensignal, das eine digitale Form besitzt, auf der Grundlage einer Gamma-Bezugsspannung in eine Datenspannung, die eine analoge Form aufweist, umwandeln und kann die Datenspannung ausgeben. Der Datentreiber 140 kann die Datenspannung über Datenleitungen DL1 bis DLn zu den Unterpixeln, die in der Anzeigetafel 150 enthalten sind, liefern. Der Datentreiber 140 kann die Form einer IC annehmen und kann daher an der Anzeigetafel 150 montiert werden oder kann an einer gedruckten Leiterplatte montiert werden, ohne darauf beschränkt zu sein.
Die Stromversorgung 180 kann die Spannung, die zum Ansteuern der Anzeigevorrichtung erforderlich ist, z. B. die erste Leistung einer Spannung hohen Pegels und die zweite Leistung einer Spannung niedrigen Pegels, auf der Grundlage einer externen Eingangsspannung, die von ihrer Außenseite geliefert wird, erzeugen und kann die erste Leistung und die zweite Leistung über eine erste Stromleitung (eine Hochspannungspegel-Stromleitung) EVDD und eine zweite Stromleitung (eine Niederspannungspegel-Stromleitung) EVSS ausgeben. Die Stromversorgung 180 kann nicht nur die erste Leistung und die zweite Leistung erzeugen und ausgeben, sondern auch eine Spannung (z. B. eine Gate-Spannung, die eine hohe Gate-Spannung und eine niedrige Gate-Spannung enthält), die zum Ansteuern des Gate-Treibers 130 erforderlich ist, eine Spannung (eine Drain-Spannung und eine Drain-Spannung, die eine halbe Drain-Spannung enthält), die zum Ansteuern des Datentreibers 140 erforderlich ist, usw.
Die Anzeigetafel 150 kann ein Bild anzeigen, das dem Ansteuersignal, das das Gate-Signal und die Datenspannung, die erste Leistung, die zweite Leistung usw. enthält, entspricht. Die Unterpixel der Anzeigetafel 150 können Licht direkt abstrahlen. Die Anzeigetafel 150 kann auf der Grundlage eines Substrats, das eine Steifigkeit oder eine Verformbarkeit aufweist, wie z. B. Glas, Silizium, Polyimid oder dergleichen hergestellt werden. Die Unterpixel, die Licht abstrahlen, können durch rote, grüne und blaue Unterpixel oder rote, grüne, blaue und weiße Unterpixel realisiert oder gebildet sein, um die jeweiligen Farben abzustrahlen.
Zum Beispiel kann ein Unterpixel SP eine Pixelschaltung enthalten, die mit einer ersten Datenleitung DL1, einer ersten Gate-Leitung GL1, einer ersten Stromleitung EVDD und einer zweiten Stromleitung EVSS verbunden ist, während sie einen Schalttransistor, einen Ansteuerungstransistor, einen Kondensator, eine organische Leuchtdiode usw. enthält. Das Unterpixel SP, das in der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung verwendet wird, besitzt eine komplexe Schaltungskonfiguration, weil das Unterpixel SP Licht direkt abstrahlt. Darüber hinaus könnte eine Ausgleichsschaltung vorgesehen sein, die konfiguriert ist, eine Verschlechterung nicht nur der organischen Leuchtdiode, die Licht abstrahlt, sondern auch des Ansteuerungstransistors, der konfiguriert ist, zur organischen Leuchtdiode einen Ansteuerungsstrom zu liefern, der zum Ansteuern der organischen Leuchtdiode usw. erforderlich ist, auszugleichen, ist auch verschieden. Zur Vereinfachung der Darstellung ist allerdings das Unterpixel SP einfach in Form eines Blocks gezeigt.
Währenddessen wurden in der Beschreibung oben die Zeitplanungssteuereinheit 120, der Gate-Treiber 130, der Datentreiber 140 usw. derart beschrieben, dass sie jeweils einzelne Konfigurationen aufweisen. Allerdings können die Zeitplanungssteuereinheit 120 und/oder der Gate-Treiber 130 und/oder der Datentreiber 140 in Übereinstimmung mit einem Implementierungstyp der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung in eine IC integriert sein.
3A und 3B sind Ansichten, die Anordnungsbeispiele eines Gate-Treiber des Gate-in-Tafel-Typs zeigen. 4 und 5 sind Ansichten, die Konfigurationen von Elementen, die dem Gate-Treiber des Gate-in-Tafel-Typs zugeordnet sind, veranschaulichen.
Wie in 3A und 3B gezeigt ist, sind Gate-Treiber des Gate-in-Tafel-Typs 130a und 130b in einer Nichtanzeigefläche NA einer Anzeigetafel 150 angeordnet. Die Gate-Treiber 130a und 130b können in linken und rechten Nichtanzeigeflächen NA der Anzeigetafel 150 angeordnet sein, wie in 3A gezeigt ist, oder können in oberen und unteren Nichtanzeigeflächen NA der Anzeigetafel 150 angeordnet sein, wie in 3B gezeigt ist.
Obwohl die Gate-Treiber 130a und 130b derart gezeigt und beschrieben wurden, dass sie in den Nichtanzeigeflächen NA angeordnet sind, die auf der linken und der rechte Seite oder der Ober- und der Unterseite einer Anzeigefläche AA angeordnet sind, kann lediglich ein Gate-Treiber auf der linken, der rechten, der oberen oder der unteren Seite angeordnet sein. Die Anzeigefläche AA ist die Fläche, die mit den Pixeln zum Anzeigen von Bildern ausgestattet ist, wohingegen die Nichtanzeigefläche NA die Fläche der Anzeigetafel ist, die nicht in der Lage zum Anzeigen von Bildern ist und hauptsächlich Anschlussflächen oder Flächen für Versorgungsleitungen und Ansteuerungsschaltungsanordnungen wie den Gate- und/oder den Datentreiber enthält.
Wie in 4 gezeigt ist, kann der Gate-Treiber des Gate-in-Tafel-Typs ein Schieberegister 131 und einen Pegelschieber 135 enthalten. Der Pegelschieber 135 kann Taktsignale Clks, ein Startsignal Vst usw. auf der Grundlage von Signalen und Spannungen, die von einer Zeitplanungssteuereinheit 120 und einer Stromversorgung 180 ausgegeben werden, erzeugen. Die Taktsignale Clks können unter der Bedingung erzeugt werden, dass die Taktsignale Clks K verschiedene Phasen (wobei K eine ganze Zahl größer oder gleich 2 ist) wie z. B. 2 Phasen, 4 Phasen, 8 Phasen usw. aufweisen.
Das Schieberegister 131 kann auf der Grundlage der Signale Clks, Vst usw., die vom Pegelschieber 135 ausgegeben werden, arbeiten und kann Gate-Signale Gate[1] bis Gate[m] ausgeben, die in der Lage sind, Transistoren, die bei einer Anzeigetafel gebildet sind, ein- oder auszuschalten. Das Schieberegister 131 kann an der Anzeigetafel in einer Gate-in-Tafel-Weise in Form einer Dünnschicht gebildet sein. Entsprechend können „130a“ und „130b“, die in 3A und 3B angegeben sind, dem Schieberegister 131 entsprechen.
Wie in 4 und 5 gezeigt ist, kann der Pegelschieber 135 in Form einer IC unabhängig gebildet sein oder kann verschieden vom Schieberegister 131 in der Stromversorgung 180 intern enthalten sein. Allerdings ist diese Konfiguration lediglich veranschaulichend und sind die Beispiele der vorliegenden Offenbarung nicht darauf beschränkt.
6 ist ein Schaltplan einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels gemäß einem ersten Beispiel der vorliegenden Offenbarung. 7 ist eine veranschaulichende Layoutansicht des Unterpixels gemäß dem ersten Beispiel der vorliegenden Offenbarung. 8 ist eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie X1-X2 in 7 genommen wurde.
Wie in 6 gezeigt ist, kann in Übereinstimmung mit dem ersten Beispiel der vorliegenden Offenbarung das Unterpixel einen Schalttransistor SW, einen Ansteuerungstransistor DT, einen Kondensator CST und eine organische Leuchtdiode OLED enthalten.
Der Schalttransistor SW kann bei seiner Gate-Elektrode mit einer ersten Gate-Leitung GL1 verbunden sein, während er bei seiner ersten Elektrode mit einer ersten Datenleitung DL 1 verbunden ist und bei seiner zweiten Elektrode mit einer Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT und einer Elektrode an einem Ende (einer ersten Elektrode) des Kondensators CST verbunden ist. Der Schalttransistor SW kann derart arbeiten, dass er zur Elektrode an einem Ende des Kondensators CST eine Datenspannung überträgt, die über die erste Datenleitung DL1 an ihn angelegt wird.
Der Ansteuerungstransistor DT kann bei seiner Gate-Elektrode mit der zweiten Elektrode des Schalttransistors SW und der Elektrode an einem Ende des Kondensators CST verbunden sein, während er bei seiner ersten Elektrode mit einer Kathode der organischen Leuchtdiode OLED verbunden ist und bei seiner zweiten Elektrode mit einer Elektrode am weiteren Ende (der zweiten Elektrode) des Kondensators CST und einer zweiten Stromleitung EVSS verbunden ist. Der Ansteuerungstransistor DT kann derart arbeiten, dass er einen Ansteuerungsstrom erzeugt, der einer Datenspannung entspricht, die im Kondensator CST gespeichert ist.
Der Kondensator CST kann bei seiner Elektrode an einem Ende mit der zweiten Elektrode des Schalttransistors SW und der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden sein, während er bei seiner Elektrode am weiteren Ende mit der zweiten Elektrode des Ansteuerungstransistors DT und der zweiten Stromleitung EVSS verbunden ist. Der Kondensator CST kann derart arbeiten, dass er eine Datenspannung zum Ansteuern des Ansteuerungstransistors DT speichert.
Die organische Leuchtdiode OLED kann bei ihrer Anode mit der ersten Stromleitung EVDD verbunden sein, während sie bei ihrer Kathode mit der ersten Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden ist. Die organische Leuchtdiode OLED kann derart arbeiten, dass sie ein Licht abstrahlt, das einer Operation des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Wie in 7 gezeigt ist, kann in Übereinstimmung mit dem ersten Beispiel der vorliegenden Offenbarung der Kondensator CST mit der zweiten Stromleitung EVSS überlappen. Zusätzlich kann der Ansteuerungstransistor DT mit der zweiten Stromleitung EVSS überlappen. Das Überlappen wird in einer Draufsicht beobachtet, d. h. in der Ansicht, die in 7 gezeigt ist. Die Draufsicht ist hier als eine Ansicht definiert, die in einer Richtung senkrecht zur Ebene der Anzeigevorrichtung genommen wurde, d. h. senkrecht zur Ebene des Substrats, an dem das eine oder die mehreren Unterpixel angeordnet sind. Jede Elektrode des Kondensators CST kann mit der zweiten Stromleitung EVSS überlappen. Das heißt, der Kondensator CST kann mit der zweiten Stromleitung EVSS bei seiner Elektrode an einem Ende und seiner Elektrode am weiteren Ende überlappen. Der Ansteuerungstransistor DT kann mit der zweiten Stromleitung EVSS bei seiner Gate-Elektrode und in seinem Kanalbereich überlappen. Zu diesem Zweck können der Kondensator CST und der Ansteuerungstransistor DT entlang der zweiten Stromleitung EVSS angeordnet sein. Das heißt, der Kondensator CST und der Ansteuerungstransistor DT können in einer ersten Richtung (der Aufwärts-/Abwärts-Richtung in 7) angeordnet sein, die parallel zu der Richtung ist, in der die zweite Stromleitung EVSS in der Draufsicht verläuft. Die erste Richtung ist parallel zur Ebene der Anzeigevorrichtung. Wie der Leser verstehen wird, bezieht sich der Kanalbereich des Transistors auf den Bereich des Transistors, der zwischen dem Drain und der Source des Transistors verläuft.
Die organische Leuchtdiode OLED kann zwischen der zweiten Stromleitung EVSS, die auf einer ersten Seite der OLED (der linken Seite in 7) angeordnet ist, und der ersten Datenleitung DL1, die auf einer zweiten Seite der LED (der rechten Seite in 7) angeordnet ist, angeordnet sein. Die OLED kann in einer Draufsicht langgestreckt sein und kann in der ersten Richtung verlaufen. Die Kathode der organischen Leuchtdiode OLED kann mit der ersten Elektrode des Ansteuerungstransistors DT mittels eines Kontaktlochs CH elektrisch verbunden sein.
Der Schalttransistor SW kann bei einem unteren Ende des Ansteuerungstransistors DT angeordnet sein. Die erste Gate-Leitung GL1 kann derart angeordnet sein, dass sie in einer zweiten Richtung (der Links/Rechts-Richtung in 7) in einer Fläche verläuft, in der der Schalttransistor SW angeordnet ist. Die zweite Richtung ist senkrecht zur ersten Richtung und ist parallel zur Ebene der Anzeigevorrichtung.
Die zweite Stromleitung EVSS kann eine größere Linienbreite als die erste Datenleitung DL1 und/oder die erste Gate-Leitung GL1 aufweisen, um eine Verringerung ihres Leitungswiderstands und ihre überlappende Anordnung mit dem Kondensator CST und dem Ansteuerungstransistor DT zu erreichen. Die zweite Stromleitung EVSS und die erste Datenleitung DL1 können in derselben Schicht angeordnet sein und parallel zueinander laufen, und die erste Gate-Leitung GL1 kann an einer Isolationsschicht angeordnet sein, die die zweite Stromleitung EVSS und die erste Datenleitung DL1 abdeckt. Dies ist unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung, die unter Bezugnahme auf 8 gegeben ist, ersichtlich.
Zusätzlich kann das Kontaktloch CH zwischen einer Emissionsfläche EMA der organischen Leuchtdiode OLED und die erste Gate-Leitung GL1 angeordnet sein, wohingegen der Kondensator CST zur Emissionsfläche EMA der organischen Leuchtdiode OLED benachbart angeordnet sein kann und der Ansteuerungstransistor DT zum Kontaktloch CH benachbart angeordnet sein kann.
Wie in 7 und 8 gezeigt ist, kann die zweite Stromleitung EVSS an einem Substrat SUB angeordnet sein. Die zweite Stromleitung EVSS kann auch als eine Lichtabschirmungsschicht LSD wirken, die konfiguriert ist, externes Licht, das auf einen Kanalbereich CHA des Ansteuerungstransistors DT einfällt, abzuschirmen. Zu diesem Zweck kann als ein Material der zweiten Stromleitung EVSS ein Material gewählt werden, das einen exzellenten optischen Sperranteil aufweist. Eine Pufferschicht BUF kann an der zweiten Stromleitung EVSS gebildet sein und kann einen Abschnitt der zweiten Stromleitung EVSS freilegen.
Eine Halbleiterschicht ACT kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein. Als ein Material der Halbleiterschicht ACT kann ein Oxidhalbleiter, z. B. Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), gewählt werden. In der Halbleiterschicht ACT kann ein Abschnitt davon, der den Kondensator CST bildet, auch metallisiert sein, um als eine Elektrode zu arbeiten. Die Halbleiterschicht ACT kann durch einen Plasmaprozess, einen Trockenätzprozess, einen Substanzdotierungsprozess (z. B. einen Wasserstoffdotierungsprozess) oder dergleichen teilweise metallisiert sein und einer der Prozesse kann in Übereinstimmung mit einem Herstellungsverfahren als ein einfacher Prozess gewählt werden.
Eine Gate-Isolationsschicht GI kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein und kann einen Abschnitt der Halbleiterschicht ACT freilegen. Gate-Metallschichten GAT1 und GAT2 können an der Gate-Isolationsschicht GI gebildet sein. Die erste Gate-Metallschicht GAT1 kann mit dem Abschnitt der Halbleiterschicht ACT, der durch die Gate-Isolationsschicht GI freigelegt ist, elektrisch verbunden sein. Die zweite Gate-Metallschicht GAT2 kann mit dem Abschnitt der zweiten Stromleitung EVSS, der über die Gate-Isolationsschicht GI und die Pufferschicht BUF freigelegt ist, elektrisch verbunden sein.
Die Halbleiterschicht ACT, die in 8 gezeigt ist, kann metallisiert werden, um die Elektrode an einem Ende des Kondensators CST zu bilden. Die Halbleiterschicht ACT, die metallisiert ist, um die Elektrode an einem Ende des Kondensators CST zu bilden, kann mit der zweiten Elektrode des Schalttransistors SW durch die erste Gate-Metallschicht GAT1 elektrisch verbunden sein. Die zweite Gate-Metallschicht GAT2, die mit der zweiten Stromleitung EVSS elektrisch verbunden ist, kann die Elektrode am weiteren Ende des Kondensators CST bilden.
9 ist ein Schaltplan einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels gemäß einem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung. 10 ist eine veranschaulichende Layoutansicht des Unterpixels gemäß dem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung. 11 bis 13 sind Diagramme, die einen Vorteil des Unterpixels gemäß dem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung erläutern.
Wie in 9 gezeigt ist, kann das Unterpixel in Übereinstimmung mit dem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung einen Schalttransistor SW, einen Ansteuerungstransistor DT, einen Ausgleichstransistor ST, einen Kondensator CST und eine organische Leuchtdiode OLED enthalten.
Der Schalttransistor SW kann bei seiner Gate-Elektrode mit einer ersten Gate-Leitung GL1 verbunden sein, während er bei seiner ersten Elektrode mit einer ersten Datenleitung DL 1 verbunden ist und bei seiner zweiten Elektrode mit einer Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT und einer Elektrode an einem Ende des Kondensators CST verbunden ist. Der Schalttransistor SW kann derart arbeiten, dass er zur Elektrode an einem Ende des Kondensators CST eine Datenspannung überträgt, die über die erste Datenleitung DL1 an ihn angelegt wird.
Der Ansteuerungstransistor DT kann bei seiner Gate-Elektrode mit der zweiten Elektrode des Schalttransistors SW und der Elektrode an einem Ende des Kondensators CST verbunden sein, während er bei seiner ersten Elektrode mit einer Kathode der organischen Leuchtdiode OLED verbunden ist und bei seiner zweiten Elektrode mit einer Elektrode am weiteren Ende des Kondensators CST und einer zweiten Stromleitung EVSS verbunden ist. Der Ansteuerungstransistor DT kann derart arbeiten, dass er einen Ansteuerungsstrom erzeugt, der einer Datenspannung entspricht, die im Kondensator CST gespeichert ist.
Der Kondensator CST kann bei seiner Elektrode an einem Ende mit der zweiten Elektrode des Schalttransistors SW und der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden sein, während er bei seiner Elektrode am weiteren Ende mit der zweiten Elektrode des Ansteuerungstransistors DT und der zweiten Stromleitung EVSS verbunden ist. Der Kondensator CST kann derart arbeiten, dass er eine Datenspannung zum Ansteuern des Ansteuerungstransistors DT speichert.
Der Ausgleichstransistor ST kann bei seiner Gate-Elektrode mit der ersten Gate-Leitung GL1 verbunden sein, während er bei seiner ersten Elektrode mit der Kathode der organischen Leuchtdiode OLED und der ersten Elektrode des Ansteuerungstransistors DT verbunden ist und bei seiner zweiten Elektrode mit einer Ausgleichsleitung INI verbunden ist. Der Ausgleichstransistor ST kann derart arbeiten, dass er eine Spannung zum Ausgleich einer Schwellenwertspannung des Ansteuerungstransistors DT oder eine Spannung zur Initialisierung anlegt.
Die organische Leuchtdiode OLED kann bei ihrer Anode mit der ersten Stromleitung EVDD verbunden sein, während sie bei ihrer Kathode mit der ersten Elektrode des Ansteuerungstransistors DT und der ersten Elektrode des Ausgleichstransistors ST verbunden ist. Die organische Leuchtdiode OLED kann derart arbeiten, dass sie ein Licht abstrahlt, das einer Operation des Ansteuerungstransistors DT entspricht.
Wie in 10 gezeigt ist, können in Übereinstimmung mit dem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung der Kondensator CST und der Ansteuerungstransistor DT identisch zum ersten Beispiel derart angeordnet sein, dass sie in einer ersten Richtung (einer vertikalen Richtung) der zweiten Stromleitung EVSS verlaufen.
Der Ausgleichstransistor ST, der ferner im zweiten Beispiel enthalten ist, kann zwischen dem Schalttransistor SW und der ersten Datenleitung DL1 angeordnet sein. Zusätzlich kann die Ausgleichsleitung INI, die mit dem Ausgleichstransistor ST verbunden ist, benachbart zur ersten Datenleitung DL1 angeordnet sein. Die Querschnittstruktur des Kondensators CST ist identisch zu der des ersten Beispiels und daher wird für ihre Beschreibung auf die Beschreibung, die unter Bezugnahme auf 8 gegeben wurde, Bezug genommen.
Im Folgenden wird ein erfassungsloses Ausgleichsverfahren des Unterpixels gemäß dem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung beschrieben.
Wie in 11 gezeigt ist, kann während eines Initialisierungszeitraums die Ausgleichsleitung INI zusammen mit einem ersten Knoten Vdn des Ansteuerungstransistors DT initialisiert werden. Für diese Initialisierung kann eine erste Datenspannung, die den Ansteuerungstransistor DT einschalten kann, an die erste Datenleitung DL1 angelegt werden und kann eine Initialisierungsspannung an die Ausgleichsleitung INI angelegt werden.
Während des Initialisierungszeitraums kann eine Spannung niedrigen Pegels an die erste Stromleitung EVDD angelegt werden und kann eine Spannung hohen Pegels an die zweite Stromleitung EVSS angelegt werden. Als Ergebnis kann die organische Leuchtdiode OLED in einem Ausschaltzustand gehalten werden. Die Initialisierungsspannung kann in Übereinstimmung mit einer Einschaltoperation eines Schalters VSW, der zwischen der Ausgleichsleitung INI und einer Bezugsspannungsquelle VRF angeordnet ist, angelegt werden, ohne darauf beschränkt zu sein.
Wie in 12 gezeigt ist, kann der Schalter VSW, der zwischen der Ausgleichsleitung INI und der Bezugsspannungsquelle VRF angeordnet ist, während eines Schwellenwertspannungserfassungszeitraums ausgeschaltet sein. Als Ergebnis kann eine Schwellenwertspannung des Ansteuerungstransistors DT in Übereinstimmung mit der Entladung der Initialisierungsspannung und einer Source-Folgeoperation im Ansteuerungstransistor DT erfasst werden.
Wie in 13 gezeigt ist, ist unter Bezugnahme auf Schwankungen einer Spannung Vgn, die an den Gate-Knoten des Ansteuerungstransistors DT angelegt ist, und einer Spannung Vdn die an den Drain-Knoten des Ansteuerungstransistors DT angelegt ist, ersichtlich, dass eine Schwellenwertspannungserfassung in Übereinstimmung mit der Source-Folgeoperation des Ansteuerungstransistors DT möglich ist. Das heißt, im Unterpixel gemäß dem zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung kann eine Schwellenwertspannungserfassungsoperation des Ansteuerungstransistors DT durch Laden und Entladen der Initialisierungsspannung erreicht werden. Daher kann es im zweiten Beispiel der vorliegenden Offenbarung möglich sein, nicht nur eine Erhöhung des Blendenverhältnisses zu erreichen, sondern auch eine erfassungslose Ausgleichskalibrierung und einen Ausgleich des Ansteuerungstransistors DT zu erreichen.
14 ist eine veranschaulichende Layoutansicht von Unterpixeln gemäß einem dritten Beispiel der vorliegenden Offenbarung. 15 ist eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie A1-A2 in 14 genommen wurde. 16 ist eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie B1-B2 in 14 genommen wurde. 17 und 18 sind veranschaulichende Querschnittansichten, die entlang der Linie B1-B2 in 14 genommen wurden und Varianten des dritten Beispiels der vorliegenden Offenbarung zeigen.
Wie in 14 gezeigt ist, können in Übereinstimmung mit dem dritten Beispiel der vorliegenden Offenbarung ein erstes Unterpixel SP1 und ein zweites Unterpixel SP2 jeweils einen Schalttransistor SW, einen Ansteuerungstransistor DT, einen Ausgleichstransistor ST, einen Kondensator CST und eine organische Leuchtdiode OLED enthalten. Zusätzlich können der Kondensator CST und der Ansteuerungstransistor DT derart angeordnet sein, dass sie in einer ersten Richtung (einer vertikalen Richtung) einer zweiten Stromleitung EVSS verlaufen, um mit der zweiten Stromleitung EVSS zu überlappen.
Das erste Unterpixel SP1 und das zweite Unterpixel SP2 können eine Ausgleichsleitung INI gemeinsam verwenden. Das erste Unterpixel SP1 kann zwischen einer zweiten Stromleitung EVSS der einen Seite (links) und einer ersten Datenleitung DL1 angeordnet sein und das zweite Unterpixel SP2 kann zwischen einer zweiten Datenleitung DL2 und einer zweiten Stromleitung EVSS der zweiten Seite (rechts) angeordnet sein.
Das erste Unterpixel SP1 und das zweite Unterpixel SP2 können derart angeordnet sein, dass sie unter Bezugnahme auf die erste Datenleitung DL1, die zweite Datenleitung DL2 und die Ausgleichsleitung INI, die dazwischen angeordnet sind, seitlich symmetrisch zueinander sind. Selbstverständlich können Kontaktstrukturen, die unter einer ersten Gate-Leitung GL1 angeordnet sind, seitlich symmetrisch zueinander sein oder können in Übereinstimmung mit einer Anordnungsbeziehung der ersten Datenleitung DL1, der zweiten Datenleitung DL2 und der Ausgleichsleitung INI seitlich asymmetrisch zueinander sein. Das heißt, die Anordnungsreihenfolge der ersten Datenleitung DL1, der zweiten Datenleitung DL2 und der Ausgleichsleitung INI kann in die Anordnungsreihenfolge der ersten Datenleitung DL 1, der Ausgleichsleitung INI und der zweiten Datenleitung DL2 geändert werden. In diesem Fall können das erste Unterpixel SP1 und das zweite Unterpixel SP2 vollständig seitlich symmetrisch zueinander sein.
Die zweiten Stromleitungen EVSS, die erste Datenleitung DL1, die zweite Datenleitung DL2 und die Ausgleichsleitung INI können in derselben Schicht angeordnet sein und die erste Gate-Leitung GL1 kann an einer Isolationsschicht angeordnet sein, die die zweiten Stromleitungen EVSS, die erste Datenleitung DL1, die zweite Datenleitung DL2 und die Ausgleichsleitung INI abdeckt. Dies ist unter Bezugnahme auf die folgende Beschreibung, die unter Bezugnahme auf 15 usw. gegeben ist, ersichtlich.
Wie in 14 bis 16 gezeigt ist, kann jede zweite Stromleitung EVSS an einem Substrat SUB angeordnet sein. Die zweite Stromleitung EVSS kann auch als eine Lichtabschirmungsschicht LSD wirken, die konfiguriert ist, externes Licht, das auf einen Kanalbereich CHA des Ansteuerungstransistors DT einfällt, abzuschirmen. Zu diesem Zweck kann als ein Material der zweiten Stromleitung EVSS ein Material, das einen exzellenten optischen Sperranteil aufweist, gewählt werden. Eine Pufferschicht BUF kann an der zweiten Stromleitung EVSS gebildet SEIN und kann einen Abschnitt der zweiten Stromleitung EVSS freilegen.
Eine Halbleiterschicht ACT kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein. Als ein Material der Halbleiterschicht ACT kann ein Oxidhalbleiter, z. B. Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), werden gewählt. In der Halbleiterschicht ACT können Abschnitte davon außer einem Abschnitt davon, der dem Kanalbereich CHA des Ansteuerungstransistors DT entspricht, auch metallisiert (metallisierte Bereiche) sein. Metallschichten MM1, MM2 und MM3 können an der metallisierten Halbleiterschicht ACT gebildet sein, um elektrische Eigenschaften (eine Verringerung des Leitungswiderstands, eine Verringerung des Kontaktwiderstands usw.) zu verbessern.
Eine Gate-Isolationsschicht GI kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein und kann Abschnitte der Metallschichten MM1, MM2 und MM3, die an der metallisierten Halbleiterschicht ACT gebildet sind, freilegen. Gate-Metallschichten GAT1, GAT2 und GAT3 können an der Gate-Isolationsschicht GI gebildet sein.
Die erste Gate-Metallschicht GAT1 kann mit dem Abschnitt der ersten Metallschicht MM1 und dem Abschnitt der zweiten Metallschicht MM2, die über die Gate-Isolationsschicht GI freigelegt sind, elektrisch verbunden sein. Die zweite Gate-Metallschicht GAT2 kann mit dem Abschnitt der zweiten Stromleitung EVSS, der über die Gate-Isolationsschicht GI und die Pufferschicht BUF freigelegt ist, elektrisch verbunden sein. Die dritte Gate-Metallschicht GAT3 kann mit dem Abschnitt der dritten Metallschicht MM3, der durch die Gate-Isolationsschicht GI freigelegt ist, verbunden sein. Die erste Metallschicht MM1 kann eine zweite Elektrode des Ansteuerungstransistors DT bilden, und die dritte Metallschicht MM3 kann eine erste Elektrode des Ansteuerungstransistors DT bilden.
Eine Isolationszwischenschicht INS kann an der Gate-Isolationsschicht GI gebildet sein und kann einen Abschnitt der dritten Gate-Metallschicht GAT3 freilegen. Die Isolationszwischenschicht INS kann derart gebildet sein, dass sie eine Einschichtstruktur oder eine Mehrschichtstruktur aufweist. Zum Beispiel kann die Isolationszwischenschicht INS kann derart gebildet sein, dass sie eine Einschichtstruktur auf der Grundlage einer Schutzschicht oder einer Deckschicht oder eine Mehrschichtstruktur, die eine Schutzschicht und eine Deckschicht enthält, aufweist.
Eine Pixelelektrodenschicht PXL kann an der Isolationszwischenschicht INS gebildet sein. Die Pixelelektrodenschicht PXL kann als eine Kathode der organischen Leuchtdiode OLED gewählt werden und kann mit der dritten Gate-Metallschicht GAT3 mittels eines Kontaktlochs CH verbunden sein, das bei der Isolationszwischenschicht INS vorgesehen ist. Die Pixelelektrodenschicht PXL kann derart gebildet sein, dass sie eine Einschichtstruktur oder eine Mehrschichtstruktur aufweist. Zum Beispiel kann die Pixelelektrodenschicht PXL eine Einschichtstruktur auf der Grundlage eines durchsichtigen Oxids oder eine Mehrschichtstruktur, die ein durchsichtiges Oxid und ein Metall enthält, aufweisen.
Wie in 17 gezeigt ist, kann in Übereinstimmung mit einer ersten Variante des dritten Beispiels die dritte Gate-Metallschicht GAT3 ausgelassen sein. In diesem Fall kann die Pixelelektrodenschicht PXL mit der dritten Metallschicht MM3, die an der ersten Elektrode des Ansteuerungstransistors DT angeordnet ist, mittels eines Kontaktlochs CH, das bei der Isolationszwischenschicht INS vorgesehen ist, verbunden sein. Diese Struktur entspricht einer Struktur, in der die Pixelelektrodenschicht PXL und die erste Elektrode des Ansteuerungstransistors DT einander indirekt berühren.
Wie in 18 gezeigt ist, können in Übereinstimmung mit einer zweiten Variante des dritten Beispiels die dritte Metallschicht MM3 sowie die dritte Gate-Metallschicht GAT3 ausgelassen sein. In diesem Fall kann die Pixelelektrodenschicht PXL mit dem metallisierten Halbleiterschicht ACT, die die erste Elektrode des Ansteuerungstransistors DT bildet, mittels eines Kontaktlochs CH, das bei der Isolationszwischenschicht INS vorgesehen ist, direkt verbunden sein. Diese Struktur entspricht einer Struktur, in der die Pixelelektrodenschicht PXL und die erste Elektrode des Ansteuerungstransistors DT einander direkt berühren.
Währenddessen wird vermerkt, dass, um eine Beschreibung hauptsächlich in Verbindung mit gekennzeichneten Teilen der vorliegenden Offenbarung zu geben, die Isolationszwischenschicht INS usw., die an den Gate-Metallschichten angeordnet sind, aus 15 ausgelassen sind und eine Bankschicht, eine organische Materialschicht, eine gemeinsame Elektrodenschicht (eine Anode), eine Kapselungsschicht usw., die an der Pixelelektrodenschicht PXL angeordnet sind, aus 16 bis 18 ausgelassen sind.
19 ist eine veranschaulichende Layoutansicht von Unterpixeln gemäß einem vierten Beispiel der vorliegenden Offenbarung. 20 ist eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie C1-C2 in 19 genommen wurde. 21 ist eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie D1-D2 in 19 genommen wurde. 22 ist eine veranschaulichende Querschnittansicht, die entlang der Linie D1-D2 in 19 genommen wurde und eine Variante des vierten Beispiels der vorliegenden Offenbarung zeigt.
Wie in 19 gezeigt ist, können in Übereinstimmung mit dem vierten Beispiel der vorliegenden Offenbarung ein erstes Unterpixel SP1 und ein zweites Unterpixel SP2 jeweils einen Schalttransistor SW, einen Ansteuerungstransistor DT, einen Ausgleichstransistor ST, einen Kondensator CST und eine organische Leuchtdiode OLED enthalten. Zusätzlich können der Kondensator CST und der Ansteuerungstransistor DT derart angeordnet sein, dass sie in einer ersten Richtung (einer vertikalen Richtung) einer zweiten Stromleitung EVSS verlaufen, um mit der zweiten Stromleitung EVSS zu überlappen.
Identisch zum dritten Beispiel können das erste Unterpixel SP1 und das zweite Unterpixel SP2 derart angeordnet sein, dass sie unter Bezugnahme auf eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2 und eine Ausgleichsleitung INI seitlich symmetrisch zueinander sind. Zusätzlich können Kontaktstrukturen, die unter einer ersten Gate-Leitung GL1 angeordnet sind, seitlich symmetrisch zueinander sein oder können in Übereinstimmung mit einer Anordnungsbeziehung der ersten Datenleitung DL1, der zweiten Datenleitung DL2 und der Ausgleichsleitung INI seitlich asymmetrisch zueinander sein.
Wie in 19 bis 21 gezeigt ist, kann jede zweite Stromleitung EVSS an einem Substrat SUB angeordnet sein. Die zweite Stromleitung EVSS kann auch als eine Lichtabschirmungsschicht LSD wirken, die konfiguriert ist, externes Licht, das auf einen Kanalbereich CHA des Ansteuerungstransistors DT einfällt, abzuschirmen. Zu diesem Zweck kann als ein Material der zweiten Stromleitung EVSS ein Material gewählt werden, das einen exzellenten optischen Sperranteil aufweist. Eine Pufferschicht BUF kann an der zweiten Stromleitung EVSS gebildet sein und kann einen Abschnitt der zweiten Stromleitung EVSS freilegen.
Eine Halbleiterschicht ACT kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein. Als ein Material der Halbleiterschicht ACT kann ein Oxidhalbleiter, z. B. Indiumgalliumzinkoxid (IGZO), gewählt werden. In der Halbleiterschicht ACT können auch Abschnitte davon außer einem Abschnitt davon, der dem Kanalbereich CHA des Ansteuerungstransistors DT entspricht, metallisiert sein.
Eine Gate-Isolationsschicht GI kann an der Pufferschicht BUF gebildet sein und kann die metallisierten Abschnitte der Halbleiterschicht ACT freilegen. Gate-Metallschichten GAT1, GAT2 und GAT3 können an der Gate-Isolationsschicht GI gebildet sein. Die erste Gate-Metallschicht GAT1 kann mit einem ersten und einem zweiten Abschnitt der Halbleiterschicht ACT, der durch die Gate-Isolationsschicht GI freigelegt ist, elektrisch verbunden sein. Die zweite Gate-Metallschicht GAT2 kann mit dem Abschnitt der zweiten Stromleitung EVSS verbunden sein, der über die Gate-Isolationsschicht GI und die Pufferschicht BUF freigelegt ist. Die dritte Gate-Metallschicht GAT3 kann mit einem dritten Abschnitt der Halbleiterschicht ACT, der durch die Gate-Isolationsschicht GI freigelegt ist, verbunden sein. Der erste Abschnitt der Halbleiterschicht ACT kann eine zweite Elektrode des Ansteuerungstransistors DT bilden und der dritte Abschnitt der Halbleiterschicht ACT kann eine erste Elektrode des Ansteuerungstransistors DT bilden.
Eine Isolationszwischenschicht INS kann an der Gate-Isolationsschicht GI gebildet sein und kann einen Abschnitt der dritten Gate-Metallschicht GAT3 freilegen. Die Isolationszwischenschicht INS kann derart gebildet sein, dass sie eine Einschichtstruktur oder eine Mehrschichtstruktur aufweist. Zum Beispiel kann die Isolationszwischenschicht INS derart gebildet sein, dass sie eine Einschichtstruktur auf der Grundlage einer Schutzschicht oder einer Deckschicht oder eine Mehrschichtstruktur, die eine Schutzschicht und eine Deckschicht enthält, aufweist.
Eine Pixelelektrodenschicht PXL kann an der Isolationszwischenschicht INS gebildet sein. Die Pixelelektrodenschicht PXL kann als eine Kathode der organischen Leuchtdiode OLED gewählt werden und kann mittels eines Kontaktlochs CH, das bei der Isolationszwischenschicht INS vorgesehen ist, mit der dritten Gate-Metallschicht GAT3 verbunden sein. Die Pixelelektrodenschicht PXL kann derart gebildet sein, dass sie eine Einschichtstruktur oder eine Mehrschichtstruktur aufweist. Zum Beispiel kann die Pixelelektrodenschicht PXL eine Einschichtstruktur auf der Grundlage eines durchsichtigen Oxids oder eine Mehrschichtstruktur, die ein durchsichtiges Oxid und ein Metall enthält, aufweisen. Obwohl eine Bankschicht, eine organische Materialschicht, eine gemeinsame Elektrodenschicht (eine Anode), eine Kapselungsschicht usw. an der Pixelelektrodenschicht PXL gebildet sein können, sind keine Veranschaulichung und keine Beschreibung davon gegeben.
Wie in 22 gezeigt ist, kann in Übereinstimmung mit der Variante des vierten Beispiels die dritte Gate-Metallschicht GAT3 ausgelassen sein. In diesem Fall kann die Pixelelektrodenschicht PXL mit dem metallisierten dritten Abschnitt der Halbleiterschicht ACT, die die erste Elektrode des Ansteuerungstransistors DT bildet, mittels eines Kontaktlochs CH, das bei der Isolationszwischenschicht INS vorgesehen ist, direkt verbunden sein.
Währenddessen wird vermerkt, dass, um eine Beschreibung hauptsächlich in Verbindung mit gekennzeichneten Teilen der vorliegenden Offenbarung zu geben, die Isolationszwischenschicht INS usw., die an den Gate-Metallschichten angeordnet sind, aus 20 ausgelassen sind und die Bankschicht, die organische Materialschicht, die gemeinsame Elektrodenschicht (die Anode), die Kapselungsschicht usw., die an der Pixelelektrodenschicht PXL angeordnet sind, aus 21 und 22 ausgelassen sind.
23 ist ein Schaltplan einer Schaltungskonfiguration eines Unterpixels gemäß einem fünften Beispiel der vorliegenden Offenbarung.
Wie in 23 gezeigt ist, können in Übereinstimmung mit dem fünften Beispiel der vorliegenden Offenbarung ein erstes bis viertes Unterpixel SP1 bis SP4 jeweils einen Schalttransistor SW, einen Ansteuerungstransistor DT, einen Ausgleichstransistor ST, einen Kondensator CST und eine organische Leuchtdiode OLED enthalten. Zusätzlich können der Kondensator CST und der Ansteuerungstransistor DT derart angeordnet sein, dass sie in einer ersten Richtung (einer vertikalen Richtung) einer zweiten Stromleitung EVSS verlaufen, um mit der zweiten Stromleitung EVSS zu überlappen.
Das erste Unterpixel SP1 und das zweite Unterpixel SP2 können derart angeordnet sein, dass sie unter Bezugnahme auf eine erste Datenleitung DL1, eine zweite Datenleitung DL2 und eine Ausgleichsleitung INI, die ihnen entsprechen, seitlich symmetrisch zueinander sind. Zusätzlich können das dritte Unterpixel SP3 und das vierte Unterpixel SP4 derart angeordnet sein, dass sie unter Bezugnahme auf eine dritte Datenleitung DL3, eine vierte Datenleitung DL4 und eine weitere Ausgleichsleitung INI, die ihnen entsprechen, seitlich symmetrisch zueinander sind.
Kontaktstrukturen, die über einer ersten Gate-Leitung GL1, die mit dem ersten Unterpixel SP1 und dem zweiten Unterpixel SP2 verbunden ist, angeordnet sind, können in Übereinstimmung mit der Anordnungsbeziehung der ersten Datenleitung DL1, der zweiten Datenleitung DL2 und der entsprechenden Ausgleichsleitung INI seitlich symmetrisch zueinander sein oder seitlich asymmetrisch zueinander sein. Zusätzlich können Kontaktstrukturen, die unter einer zweiten Gate-Leitung GL2, die mit dem dritten Unterpixel SP3 und dem vierten Unterpixel SP4 verbunden ist, angeordnet sind, in Übereinstimmung mit einer Anordnungsbeziehung der dritten Datenleitung DL3, der vierten Datenleitung DL4 und der entsprechenden Ausgleichsleitung INI seitlich symmetrisch zueinander sein oder seitlich asymmetrisch zueinander sein.
In Übereinstimmung mit dem fünften Beispiel der vorliegenden Offenbarung können das erste Unterpixel SP1 und das zweite Unterpixel SP2 in einer ersten Gruppe enthalten sein, in der Unterpixel seitlich symmetrisch zueinander sind, und können das dritte Unterpixel SP3 und das vierte Unterpixel SP4 in einer zweiten Gruppe enthalten sein, in der Unterpixel seitlich symmetrisch zueinander sind. Zur effizienten Raumnutzung können die erste Gruppe und die zweite Gruppe derart angeordnet sein, dass sie jeweils vertikal umgekehrte Beziehungen aufweisen.
Zum Beispiel können Schaltungen des ersten Unterpixels SP1 und des zweiten Unterpixels SP2, die in der ersten Gruppe enthalten sind, und die erste Gate-Leitung GL1 bei einer höheren Position als Emissionsflächen EMA der organischen Leuchtdioden OLED, die ihnen entsprechen, angeordnet sein. Zusätzlich können Schaltungen des dritten Unterpixels SP3 und des vierten Unterpixels SP4, die in der zweiten Gruppe enthalten sind, und die zweiten Gate-Leitung GL2 bei einer niedrigeren Position als Emissionsflächen EMA der organischen Leuchtdioden OLED, die ihnen entsprechen, angeordnet sein. Alternativ kann eine umgekehrte Anordnung dieser Elemente möglich sein.
Wenn die erste Gruppe und die zweite Gruppe, die jeweils zwei Unterpixel, die seitlich symmetrisch zueinander sind, enthalten, derart angeordnet sind, dass sie voneinander vertikal umgekehrt sind, können alle Emissionsflächen EMA der organischen Leuchtdioden OLED, die in den ersten bis vierten Unterpixeln SP1 bis SP4 enthalten sind, in derselben Leitung angeordnet sein.
Zusätzlich können, wenn die erste Gruppe und die zweite Gruppe derart angeordnet sind, dass sie voneinander vertikal umgekehrt sind, wie oben beschrieben ist, ein N-1-ter Kondensator CST[n-1] (z. B. ein erster Kondensator) und ein N-ter Kondensator CST[n] (z. B. ein zweiter Kondensator) mit der zweiten Stromleitung EVSS, die ihnen entspricht, überlappen, während sie zueinander benachbart sind. Hier kann der N-te Kondensator CST[n] ein Kondensator sein, der im vierten Unterpixel SP4 enthalten ist, und kann der N-1-te Kondensator CST[n-1] ein Kondensator sein, der in einem fünften Unterpixel, das neben dem vierten Unterpixel SP4 angeordnet ist, enthalten ist. Diese Anordnungsbeziehung ist unter Bezugnahme auf das zweite Unterpixel SP2 und das dritte Unterpixel SP3 ersichtlich, die benachbart zueinander angeordnet sind, jedoch bezüglich der vertikalen Anordnung voneinander verschieden sind.
Währenddessen kann, obwohl die vorliegende Offenbarung in Verbindung mit einem Beispiel, in dem eine organische Leuchtdiode zwischen einer Hochspannungspegel-Stromleitung und einem Ansteuerungstransistor verbunden ist, beschrieben wurde, die vorliegende Offenbarung auch auf eine Struktur angewendet werden, in der eine organische Leuchtdiode zwischen einem Ansteuerungstransistor und einer Niederspannungspegel-Stromleitung verbunden ist. Zusätzlich ist die vorliegende Offenbarung nicht nur auf ein Unterpixel anwendbar, das durch zwei Transistoren und einen Kondensator oder drei Transistoren und einen Kondensator gebildet ist, sondern auch auf eine Struktur, die ferner einen Transistor zum Ausgleich und einen Kondensator enthält. Darüber hinaus ist, obwohl in der vorliegenden Offenbarung ein Unterpixel auf der Grundlage eines Transistors des n-Typs veranschaulicht und beschrieben wurde, die vorliegende Offenbarung auch auf eine Struktur, die einen Transistor des p-Typs enthält, oder eine Struktur, die sowohl einen Transistor des n-Typs als auch einen Transistor des p-Typs enthält, anwendbar.
Wie aus der Beschreibung oben deutlich wird, besteht in Übereinstimmung mit den Beispielen der vorliegenden Offenbarung eine Wirkung des Erreichens einer Erhöhung des Blendenverhältnisses durch Erhöhen einer Fläche, die durch eine organische Leuchtdiode belegt ist, während eine Fläche, die zur Implementierung einer Schaltungsdurchgangsbildung eines Kondensators und eines Ansteuerungstransistors erforderlich ist minimiert wird, derart, dass der Kondensator und der Ansteuerungstransistor mit einer Niederspannungspegel-Stromleitung überlappen. Zusätzlich ist in Übereinstimmung mit den Beispielen der vorliegenden Offenbarung eine Wirkung des Stabilisierens der Leistung eines Niederspannungspegels und des Verringerns eines Leitungswiderstands durch Anordnen einer Niederspannungspegel-Stromleitung in jeder Fläche, in der ein Unterpixel angeordnet ist, vorhanden, wodurch eine Verbesserung der Anzeigequalität der resultierenden Anzeigetafel erreicht wird. Darüber hinaus ist in Übereinstimmung mit den Beispielen der vorliegenden Offenbarung eine Wirkung des Ausgleichens eines Ansteuerungstransistors ohne Implementierung einer getrennten Ausgleichsschaltung in einem Datentreiber usw. vorhanden, wodurch eine Verbesserung der Anzeigequalität der resultierenden Anzeigetafel und eine Zunahme der Lebensdauer der Anzeigetafel erreicht werden.
Die vorhergehende Beschreibung und die begleitenden Zeichnungen wurden präsentiert, um technische Gedanken der vorliegenden Offenbarung veranschaulichend zu erläutern. Ein Fachmann auf dem Gebiet der vorliegenden Offenbarung kann verstehen, dass verschiedene Abwandlungen und Varianten, die durch Kombinieren, Unterteilen, Ersetzen oder Ändern von Bestandteilen erlangt werden, möglich sein können, ohne wesentliche Eigenschaften der vorliegenden Offenbarung zu ändern, sofern sie im Umfang der beigefügten Ansprüche bleiben. Deshalb sollen die vorhergehenden Beispiele, die hier offenbart sind, als lediglich veranschaulichend und nicht als das Prinzip und den Umfang der vorliegenden Offenbarung, die durch die beigefügten Ansprüche definiert ist, begrenzend interpretiert werden. Selbstverständlich soll der Umfang der vorliegenden Offenbarung durch die beigefügten Ansprüche definiert sein.
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

KR 1020210173752 [0001]

Claims

Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS), die konfiguriert ist, eine Spannung niedrigen Pegels zu übertragen; eine Datenleitung (DL1, DL2), die konfiguriert ist, eine Datenspannung zu übertragen, eine Gate-Leitung (GL1), die konfiguriert ist, ein Gate-Signal zu übertragen, und ein Unterpixel, das mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS), der Datenleitung (DL1) und der Gate-Leitung (Gl1) verbunden ist, wobei das Unterpixel einen Kondensator (CST) umfasst, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappt.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1, wobei das Unterpixel ferner einen Ansteuerungstransistor (DT) umfasst, der eine Gate-Elektrode aufweist, die mit einer ersten Elektrode des Kondensators (CST) verbunden ist; und der Ansteuerungstransistor (DT) mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappt.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, wobei eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode des Kondensators (CST) mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappen und/oder die Gate-Elektrode und ein Kanalbereich (CHA) des Ansteuerungstransistors (DT) mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappen.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, wobei das Unterpixel ferner einen Schalttransistor (SSWT) umfasst, der mit einer Datenleitung verbunden ist und konfiguriert ist, die Datenspannung zur Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) und zur ersten Elektrode des Kondensators (CST) zu übertragen, wobei der Schalttransistor (SW) mit der Gate-Leitung (GL) überlappt und/oder der Schalttransistor (SW) Folgendes aufweist: eine Gate-Elektrode, die mit der Gate-Leitung (GL) verbunden ist; eine erste Elektrode, die mit der Datenleitung (DL) verbunden ist; und eine zweite Elektrode, die mit der Gate-Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) und der ersten Elektrode des Kondensators (CST) verbunden ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei die Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) und/oder die Datenleitung (DL) in einer ersten Richtung und/oder in der Ebene der lichtemittierenden Anzeigevorrichtung parallel verlaufen, wobei bevorzugt eine Entfernung zwischen der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) und/oder der Datenleitung (DL) vorhanden ist; und die Gate-Leitung (GL) in einer zweiten Richtung, die senkrecht zur ersten Richtung ist, verläuft.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kondensator (CST) und der Ansteuerungstransistor (DT) in der ersten Richtung angeordnet sind, derart, dass sie mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappen.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Unterpixel ferner eine organische Leuchtdiode (OLED) umfasst, die sich in einer Draufsicht zwischen der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) und der Datenleitung (DL) befindet.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, wobei das Unterpixel Folgendes umfasst: eine Pufferschicht (BUF), die an der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) angeordnet ist; eine Halbleiterschicht (ACT), die an der Pufferschicht (BUF) angeordnet ist; eine Gate-Isolationsschicht (GI), die an der Halbleiterschicht (ACT) angeordnet ist; eine Gate-Metallschicht (GAT1), die an der Gate-Isolationsschicht (GI) angeordnet ist; eine Isolationszwischenschicht (INS), die an der Gate-Metallschicht (GAT1) angeordnet ist; und eine Pixelelektrodenschicht (PXL), die an der Isolationszwischenschicht (INS) angeordnet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 8, wobei die Halbleiterschicht (ACT) als ein Oxidhalbleiter gewählt ist, der einen Halbleiterbereich und einen metallisierten Bereich umfasst und ferner eine Metallschicht (MM) umfasst, die im metallisierten Bereich angeordnet ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 9, wobei die Pixelelektrodenschicht (PXL) einen Abschnitt der Metallschicht (MM3) mittels eines Kontaktlochs (CH), das bei der Isolationszwischenschicht (INS) und der Gate-Isolationsschicht (GI) vorgesehen ist, berührt und dadurch mit dem metallisierten Bereich elektrisch verbunden ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 8 bis 10, wobei die Pixelelektrodenschicht (PXL) mit dem metallisierten Bereich mittels eines Kontaktlochs (CH), das bei der Isolationszwischenschicht (INS) und der Gate-Isolationsschicht (GI) vorgesehen ist, direkt verbunden ist.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche 8-11, wobei das Unterpixel ferner einen Ausgleichstransistor (ST) umfasst, der konfiguriert ist, eine Ausgleichsspannung an die organische Leuchtdiode (OLED) anzulegen; wobei der Ausgleichstransistor (ST) mit der Gate-Leitung (GL) überlappt und/oder der Ausgleichstransistor (S) Folgendes aufweist: ein Gate, das mit der Gate-Leitung (GL) verbunden ist; eine erste Elektrode, die mit einer Kathode der organischen Leuchtdiode (OLED) und einer ersten Elektrode des Ansteuerungstransistors (DT) verbunden ist; und eine zweite Elektrode, die mit einer Ausgleichsleitung (INI) verbunden ist, wobei bevorzugt die Ausgleichsleitung (INI) zur Datenleitung (DL) benachbart ist und zu ihr parallel verläuft und in der ersten Richtung verläuft.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kondensator (CST) eine erste Elektrode, die an einer Pufferschicht (BUF), die die Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) abdeckt, angeordnet ist, und eine zweite Elektrode, die an einer Gate-Isolationsschicht (GI), die die erste Elektrode abdeckt, angeordnet ist, umfasst, wobei die erste Elektrode des Kondensators (CST) eine metallisierte Oxidhalbleiterschicht umfasst.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem vorhergehenden Anspruch, die Folgendes umfasst: mehrere Unterpixel, wobei jedes Unterpixel mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS), der Datenleitung (DL) und der Gate-Leitung (GL) verbunden ist und jedes Unterpixel einen Kondensator (CST) umfasst, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappt; und einen Treiber (120, 130, 140), der konfiguriert ist, die Anzeigetafel (150) anzusteuern; wobei die Unterpixel eine erste Gruppe und eine zweite Gruppe von Unterpixeln umfassen, wobei jede Gruppe zwei Unterpixel umfasst, die seitlich symmetrisch zueinander sind, und die Unterpixel der ersten Gruppe in Bezug auf die Unterpixel der zweiten Gruppe umgekehrt sind.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung, die Folgendes umfasst: eine Anzeigetafel (150), die Unterpixel umfasst, die jeweils mit einer Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS), einer Datenleitung (DL) und einer Gate-Leitung (GL) verbunden sind, wobei jedes Unterpixel einen Kondensator (CST) umfasst, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappt; und einen Treiber (120, 130, 140), der konfiguriert ist, die Anzeigetafel (150) anzusteuern, wobei die Unterpixel (SP) eine erste Gruppe und eine zweite Gruppe umfassen, wobei jede Gruppe zwei Unterpixel umfasst, die seitlich symmetrisch zueinander sind, und die Unterpixel der ersten Gruppe in Bezug auf die Unterpixel der zweiten Gruppe umgekehrt sind.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach Anspruch 15, wobei jedes Unterpixel einen Ansteuerungstransistor (DT) umfasst, der eine Gate-Elektrode aufweist, die mit einer ersten Elektrode des Kondensators (CST) verbunden ist; die erste Elektrode und eine zweite Elektrode jedes Kondensators (CST) mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappen und die Gate-Elektrode (Gat1) und ein Kanalbereich (CHA) jedes Ansteuerungstransistors (DT) mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappen.
Lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 15 bis 16, die einen ersten Kondensator und einen zweiten Kondensator umfasst, die jeweils mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS), die ihnen entspricht, überlappen, während sie benachbart zueinander sind, wobei jeder des ersten Kondensators und des zweiten Kondensators in jeweiligen benachbarten Unterpixeln enthalten ist.
Herstellungsverfahren einer lichtemittierenden Anzeigevorrichtung, das Folgendes umfasst: Bilden an einem Substrat (SUB) eines Unterpixels, das mit einer Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS), einer Datenleitung (DL) und einer Gate-Leitung (GL) verbunden ist, während es einen Kondensator (CST) umfasst, der mit der Niederspannungspegel-Stromleitung (EVSS) überlappt; und Kapseln des Unterpixels, das am Substrat (SUB) gebildet ist.
Herstellungsverfahren nach Anspruch 18, wobei die lichtemittierende Anzeigevorrichtung eine lichtemittierende Anzeigevorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 17 ist.