TW202324364A - 發光顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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李盛遠
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Abstract

本發明提供一種發光顯示裝置，包括：低位準電壓電源線，配置以傳輸低位準電壓；資料線，配置以傳輸資料電壓；閘極線，配置以傳輸閘極訊號；以及子像素，連接到低位準電壓電源線、資料線和閘極線。子像素包含與低位準電壓電源線重疊的電容器。

Description

發光顯示裝置及其製造方法
本發明涉及一種發光顯示裝置及一種該發光顯示裝置的製造方法。
隨著資訊技術的發展，顯示裝置作為使用者和資訊互連的媒介，其市場正在擴大。因此，諸如發光顯示（LED）裝置、量子點顯示（QDD）裝置、液晶顯示（LCD）裝置等的顯示裝置的使用正在增加。
上述顯示裝置包括：顯示面板，包含子像素；驅動器，配置以輸出用於驅動顯示面板的驅動訊號；以及電源，配置以產生要供應給顯示面板或驅動器的電力。
當驅動訊號例如掃描訊號和資料訊號供應給形成在如上所述的顯示裝置中的顯示面板上的子像素時，該些子像素中所選定的子像素透射光或直接發射光，因此，顯示裝置可以顯示影像。
然而，存在對具有增加的亮度和/或增加的影像品質的顯示裝置的需要。
因此，本發明涉及一種發光顯示裝置及一種該發光顯示裝置的製造方法，其基本上消除了由於相關技術的限制和缺點而引起的一個或多個問題。
本發明的目的旨在提供一種發光顯示裝置及一種該發光顯示裝置的製造方法，其等能夠藉由增加被有機發光二極體佔據的面積同時最小化實現電路所需的面積來實現孔徑比的增加。因此，本發明的第一態樣和第二態樣分別定義在所附的請求項1和請求項20中，由此電容器與低位準電壓電源線重疊以增加被有機發光二極體所佔據的面積，同時最小化實現電路所需的面積，從而增加孔徑比。驅動電晶體與低位準電壓電源線的重疊可以進一步幫助實現本發明的上述目的。
本發明的另一目的是提供一種發光顯示裝置及一種該發光顯示裝置的製造方法，其等能夠穩定低位準電壓的電力，從而實現顯示品質的提高。因此，本發明的第二態樣界定在所附的請求項20中，由此在每個子像素中都設置低位準電壓電源線，使得低電壓位準的電力穩定並減小線路電阻，由此實現所得到的顯示面板的顯示品質的增強。
此外，藉由提供根據第二態樣的發光顯示裝置，其中第一組和第二組具有垂直倒置的關係，可以實現更有效的空間利用，這將從實施方式中變得清楚。
本發明的另外的優點、目的和特徵將部分地在下面的說明書中闡述，並且部分地將在審查以下內容時對於所屬技術領域通常知識者在來說變得顯而易見，或者可以從本發明的實施方式中獲知。本發明的目的和其他優點可以透過在說明書描述及其申請專利範圍以及附圖中特別指出的結構來實現和獲得。
本發明揭露一種發光顯示裝置，其包括：低位準電壓電源線，配置以傳輸低位準電壓；資料線，配置以傳輸資料電壓；閘極線，配置以傳輸閘極訊號；以及子像素，連接到低位準電壓電源線、資料線和閘極線，該子像素包含與低位準電壓電源線重疊的電容器。在本發明中，低位準電壓電源線也可稱為第二電源線。
子像素還可以包含驅動電晶體，具有連接到電容器的第一電極的閘極電極，並且驅動電晶體可以與低位準電壓電源線重疊。
電容器的第一電極和第二電極可以與低位準電壓電源線重疊。驅動電晶體的閘極電極和通道區可以與低位準電壓電源線重疊。
子像素可以包含：低位準電壓電源線，設置在基板上；緩衝層，設置在低位準電壓電源線上；半導體層，設置在緩衝層上；閘極絕緣層，設置在半導體層上；閘極金屬層，設置在閘極絕緣層上；層間絕緣層，設置在閘極金屬層上；以及像素電極層，設置在層間絕緣層上。金屬層可以設置在半導體層與閘極金屬層之間，以接觸半導體層和閘極金屬層。
子像素可以包含：低位準電壓電源線，設置在基板上；緩衝層，設置在低位準電壓電源線上；半導體層，設置在緩衝層上；金屬層（例如第一金屬層），設置在半導體層上；閘極金屬層，設置在第一金屬層上；以及閘極絕緣層，設置在半導體層與閘極金屬層之間。第一金屬層可以與半導體層和閘極金屬層接觸。
半導體層可以被選為包含半導體區和金屬化區的氧化物半導體。半導體層還可以包含設置在金屬化區中的金屬層。
像素電極層可以經由設置在層間絕緣層和閘極絕緣層的接觸孔接觸金屬層的一部分，從而電性連接到金屬化區。
像素電極層可以經由設置在層間絕緣層和閘極絕緣層的接觸孔直接連接到金屬化區。
本發明進一步揭露一種發光顯示裝置，包括：顯示面板，包含子像素，每個子像素都連接到低位準電壓電源線、資料線和閘極線，每個子像素都包含與低位準電壓電源線重疊的電容器；以及驅動器，配置以驅動顯示面板，其中子像素包括第一組和第二組，第一組和第二組中的每一組都包括彼此橫向對稱的兩個子像素，並且第一組和第二組具有垂直倒置關係。
電容器的第一電極和第二電極可以與低位準電壓電源線重疊。驅動電晶體的閘極電極和通道區可以與低位準電壓電源線重疊。
本發明還揭露一種發光顯示裝置的製造方法，包括：在基板上形成連接到低位準電壓電源線、資料線和閘極線的子像素，同時包含與低位準電壓電源線重疊的電容器；以及封裝形成在基板上的子像素，其中電容器包含第一電極以及第二電極，第一電極設置在覆蓋低位準電壓電源線的緩衝層上，而第二電極設置在覆蓋第一電極的閘極絕緣層上，以及其中，電容器的第一電極包含金屬化的氧化物半導體層。
根據本發明的示例，具有藉由增加被有機發光二極體佔據的面積、同時最小化透過形成電容器和驅動電晶體用於實現電路所需的面積，來實現孔徑比的增加的效果。此外，具有透過在設置子像素的每個區域中設置低位準電壓電源線來穩定低電壓位準的電力和減小線路電阻的效果，從而實現所得到的顯示面板的顯示品質的增強。此外，具有補償驅動電晶體而沒有在資料驅動器等中實現單獨的補償電路的效果，從而實現所得到的顯示面板的顯示品質的提高和顯示面板壽命的增加。
根據本發明一示例的顯示裝置可以實現為電視、影像播放器、個人電腦（PC）、家庭劇院、汽車電子裝置、智慧型手機等，但不限於此。顯示裝置可以實現為發光顯示（LED）裝置、量子點顯示（QDD）裝置，液晶顯示（LCD）裝置等。然而，為了便於描述，將結合例如基於無機發光二極體或有機發光二極體配置以直接發光的發光顯示裝置來提出以下描述。
雖然將結合子像素包含n型薄膜電晶體的示例來描述將在下面描述的子像素，但是子像素可以實現為包含p型薄膜電晶體或具有其中存在n型和p型兩者類型的薄膜電晶體。薄膜電晶體可以是包含閘極、源極和汲極的三電極元件。源極是配置以向電晶體供應載子（carrier）的電極。薄膜電晶體中的載子首先從源極流出。汲極是將載子從薄膜電晶體放電到薄膜電晶體外部的電極。也就是說，薄膜電晶體中的載子從源極流到汲極。
在p型薄膜電晶體的情況下，源極電壓具有比汲極電壓更高的位準，使得電洞可以從源極流到汲極，因為電洞是載子。在p型薄膜電晶體中，電流從源極流到汲極，因為電洞從源極流到汲極。相反地，在n型薄膜電晶體中，源極電壓具有比汲極電壓低的位準，使得電子可以從源極流到汲極，因為電子是載子。在n型薄膜電晶體中，電流從汲極流到源極，因為電子從源極流到汲極。然而，在薄膜電晶體中，源極和汲極可以根據施加到其上的電壓來互換。考慮到這種情況，源極和汲極中的一個將稱為「第一電極」，而源極和汲極中的另一個將稱為「第二電極」。
圖1是示意性地示出發光顯示裝置的方塊圖。圖2是示意性地示出圖1所示的子像素的圖式。
如圖1和圖2所示，發光顯示裝置可以包括：影像供給器110；時序控制器120；閘極驅動器130；資料驅動器140；顯示面板150；電源供應器180等。
影像供給器110（集合系統或主機系統）可以將各種驅動訊號與從其外部供應的影像資料訊號或儲存在其內部記憶體中的影像資料訊號一起輸出。影像供給器110可以向時序控制器120供應資料訊號和各種驅動訊號。
時序控制器120可以輸出：用於控制閘極驅動器130的操作時序的閘極時序控制訊號GDC；用於控制資料驅動器140的操作時序的資料時序控制訊號DDC；各種同步訊號（垂直同步訊號（Vsync）；以及水平同步訊號（Hsync））等。時序控制器120可以將從影像供給器110供應的資料訊號DATA與資料時序控制訊號DDC一起供應給資料驅動器140。時序控制器120可以採用積體電路（IC）的形式，並同樣可以安裝在印刷電路板上，但不限於此。
閘極驅動器130可以輸出閘極訊號（或掃描訊號）以響應從時序控制器120供應的閘極時序控制訊號GDC。閘極驅動器130可以通過閘極線GL1至GLm向包含在顯示面板150中的子像素SP供應閘極訊號。閘極驅動器130可以採用IC的形式，或者可以以板內閘極（gate-in-panel）的方式直接形成在顯示面板150上，但不限於此。
資料驅動器140可以採樣和鎖存資料訊號DATA以響應從時序控制器120供應的資料時序控制訊號DDC，可以基於伽瑪參考電壓將具有數位形式的所得資料訊號轉換成具有類比形式的資料電壓，並可以輸出該資料電壓。資料驅動器140可以通過資料線DL1至DLn向包含在顯示面板150中的子像素SP供應資料電壓。資料驅動器140可以採用IC的形式，並同樣地，可以安裝在顯示面板150上或者可以安裝在印刷電路板上，但不限於此。
電源供應器180可以基於從其外部供應的外部輸入電壓產生高位準電壓的第一電力和低位準電壓的第二電力，並可以通過第一電源線（高位準電壓電源線）EVDD和第二電源線（低位準電壓電源線）EVSS輸出第一電力和第二電力。電源供應器180不僅可以產生和輸出第一電力和第二電力，還可以產生和輸出用於驅動閘極驅動器130所需的電壓（例如，包含閘極高電壓和閘極低電壓的閘極電壓）、用於驅動資料驅動器140所需的電壓（汲極電壓和包含半汲極電壓的汲極電壓）等。
顯示面板150可以顯示對應於包含閘極訊號和資料電壓、第一電力、第二電力等的驅動訊號的影像。顯示面板150的子像素SP可以直接發光。顯示面板150可以基於諸如玻璃、矽、聚醯亞胺等具有剛性或延展性的基板來製造。發光的子像素SP可以由紅色、綠色和藍色子像素SP或紅色、綠色、藍色和白色子像素SP構成。
例如，一個子像素SP可以包含連接到第一資料線DL1、第一閘極線GL1、第一電源線EVDD和第二電源線EVSS的像素電路，同時包含開關電晶體、驅動電晶體、電容器、有機發光二極體等。因為子像素SP直接發光，所以在發光顯示裝置中使用的子像素SP具有複雜的電路配置。此外，不僅補償電路配置以補償發光的有機發光二極體的劣化，而且驅動電晶體配置以向有機發光二極體供應用於驅動有機發光二極體所需的驅動電流等也是不同的。然而，為了便於說明，子像素SP簡單地以方塊狀形式示出。
同時，在以上描述中，時序控制器120、閘極驅動器130、資料驅動器140等分別描述為具有單獨的配置。然而，根據發光顯示裝置的實施類型，可以將時序控制器120、閘極驅動器130和資料驅動器140中的一個或多個集成到一個IC中。
圖3A和圖3B是示出板內閘極型閘極驅動器的配置示例的視圖。圖4和圖5是示出與板內閘極型閘極驅動器相關聯的元件的配置的視圖。
如圖3A和圖3B中所示，板內閘極型閘極驅動器130a和130b設置在顯示面板150的非顯示區NA中。如圖3A中所示，閘極驅動器130a和130b可以設置在顯示面板150的左和右非顯示區NA中；或者，如圖3B中所示，可以設置在顯示面板150的上和下非顯示區NA中。
雖然閘極驅動器130a和130b已示出和描述為設置在置於顯示區AA的左側和右側或上側和下側的非顯示區NA中，但僅一個閘極驅動器可以設置在左側、右側、上側或下側。
如圖4中所示，板內閘型閘極驅動器可以包含：移位暫存器131；以及位準移位器135。位準移位器135可以基於從時序控制器120和電源供應器180輸出的訊號和電壓產生時脈訊號CIks、啟動訊號Vst等。時脈訊號CIks可以在時脈訊號CIks具有K個不同相位（K是2或更大的整數）的條件下來產生，例如2-相位、4-相位、8-相位等。
移位暫存器131可以基於從位準移位器135輸出的訊號Clks、Vst等來操作，並可以輸出能夠導通或關閉形成在顯示面板處的電晶體的閘極訊號Gate[1]至Gate[m]。移位暫存器131可以以薄膜形式在顯示面板上以板內閘極方式形成。因此，圖3A和圖3B中所示的「130a」和「130b」可以對應於移位暫存器131。
如圖4和圖5中所示，與移位暫存器131不同，位準移位器135可以獨立地以IC的形式形成，或者可以包含在電源供應器180內部中。然而，這樣的配置僅是說明性的，並且本發明的示例不限於此。
圖6是根據本發明第一示例的子像素的電路配置的電路圖。圖7是根據本發明第一示例的子像素的示意性佈局圖。圖8是沿圖7中的X1-X2線所截取的示意性剖面圖。
如圖6中所示，根據本發明的第一示例，子像素可以包含：開關電晶體SW；驅動電晶體DT；電容器CST；以及有機發光二極體OLED。
開關電晶體SW可以在其閘極電極處連接到第一閘極線GL1，同時在其第一電極處連接到第一資料線DL1，並在其第二電極處連接到驅動電晶體DT的閘極電極和電容器CST的一端電極（第一電極）。開關電晶體SW可以作用以向電容器CST的一端電極通過第一資料線DL1傳輸施加到其上的資料電壓。
驅動電晶體DT可以在其閘極電極處連接到開關電晶體SW的第二電極和電容器CST的一端電極，同時在其第一電極處連接到有機發光二極體OLED的陰極，並在其第二電極處連接到電容器CST的另一端電極（第二電極）和第二電源線EVSS。驅動電晶體DT可以作用以產生對應於儲存在電容器CST中的資料電壓的驅動電流。
電容器CST可以在其一端電極處連接到開關電晶體SW的第二電極和驅動電晶體DT的閘極電極，同時在其另一端電極處連接到驅動電晶體DT的第二電極和第二電源線EVSS。電容器CST可以作用以儲存用於驅動驅動電晶體DT的資料電壓。
有機發光二極體OLED可以在其陽極處連接到第一電源線EVDD，同時在其陰極處連接到驅動電晶體DT的第一電極。對應於驅動電晶體DT的操作，有機發光二極體OLED可以作用以發光。
如圖7中所示，根據本發明的第一示例，電容器CST可以與第二電源線EVSS重疊。此外，驅動電晶體DT可以與第二電源線EVSS重疊。在平面圖中，即在圖7所示的視圖中觀察到重疊。平面圖在此定義為在垂直於顯示裝置的平面，即垂直於其上設置子像素的基板的平面的方向上所截取的視圖。電容器CST中的每個電極都可以與第二電源線EVSS重疊。即，電容器CST可以在其一端電極和另一端電極處與第二電源線EVSS重疊。驅動電晶體DT可以在其閘極電極處和通道區中與第二電源線EVSS重疊。為此，電容器CST和驅動電晶體DT可以沿第二電源線EVSS設置。亦即，電容器CST和驅動電晶體DT可以沿第一方向（圖7中的上下方向）設置，該第一方向平行於第二電源線EVSS在平面圖中延伸的方向。該第一方向平行於顯示裝置的平面。如所屬技術領域之通常知識者將理解的，電晶體的通道區是指在電晶體的汲極與源極之間延伸的電晶體的區域。
有機發光二極體OLED可以設置在第二電源線EVSS與第一資料線DL1之間，第二電源線EVSS設置在OLED的第一側（圖7中的左側），第一資料線DL1設置在LED的第二側（圖7中的右側）。OLED在平面圖中可以是細長的，並可以在第一方向上延伸。有機發光二極體OLED的陰極可以經由接觸孔CH電性連接到驅動電晶體DT的第一電極。
開關電晶體SW可以設置在驅動電晶體DT的下端。第一閘極線GL1可以設置以在設置開關電晶體SW的區域中沿第二方向（圖7中的左右方向）延伸。該第二方向垂直於該第一方向，並平行於顯示裝置的平面。
第二電源線EVSS可以具有比第一資料線DL1或第一閘極線GL1更大的線寬，以便實現其線路電阻的減小及其與電容器CST和驅動電晶體DT的重疊佈置。第二電源線EVSS和第一資料線DL1可以設置在同一層，並且第一閘極線GL1可以設置在覆蓋第二電源線EVSS和第一資料線DL1的絕緣層上。這可以透過參照以下參考圖8所提出的描述來看出。
此外，接觸孔CH可以設置在有機發光二極體OLED的發光區EMA與第一閘極線GL1之間，而電容器CST可以設置相鄰於有機發光二極體OLED的發光區EMA，並且驅動電晶體DT可以設置相鄰於接觸孔CH。
如圖7和圖8中所示，第二電源線EVSS可以設置在基板SUB上。第二電源線EVSS還可以作用為遮光層LSD，其配置以遮蔽入射到驅動電晶體DT的通道區CHA上的外部光。為此，作為第二電源線EVSS的材料，可以選擇展現出優異的光阻擋比的材料。緩衝層BUF可以形成在第二電源線EVSS上，並可以暴露第二電源線EVSS的一部分。
半導體層ACT可以形成在緩衝層BUF上。作為半導體層ACT的材料，可以選擇氧化物半導體，例如銦鎵鋅氧化物（IGZO）。在半導體層ACT中，構成電容器CST的半導體層ACT的一部分也可以被金屬化以作用為電極。可以透過電漿製程（plasma process）、乾式蝕刻製程（dry etching process）、物質（例如，氫）摻雜製程（substance doping process）等將半導體層ACT部分地金屬化，並可以根據製造方法將這些製程的其中之一選擇為容易的製程。
閘極絕緣層GI可以形成在緩衝層BUF和半導體層ACT上，並可以暴露半導體層ACT的一部分。閘極金屬層GAT1和GAT2可以形成在閘極絕緣層GI上。第一閘極金屬層GAT1可以電性連接到半導體層ACT通過閘極絕緣層GI暴露的部分。第二閘極金屬層GAT2可以電性連接到第二電源線EVSS通過閘極絕緣層GI和緩衝層BUF暴露的部分。
圖8中所示的半導體層ACT可以被金屬化以構成電容器CST的一端電極。金屬化以構成電容器CST的一端電極的半導體層ACT可以透過第一閘極金屬層GAT1電性連接到開關電晶體SW的第二電極。電性連接到第二電源線EVSS的第二閘極金屬層GAT2可以構成電容器CST的另一端電極。
圖9是根據本發明第二示例的子像素的電路配置的電路圖。圖10是根據本發明第二示例的子像素的示意性佈局圖。圖11至圖13是說明根據本發明第二示例的子像素的優點的示意圖。
如圖9中所示，根據本發明的第二示例，子像素可以包含：開關電晶體SW；驅動電晶體DT；補償電晶體ST；電容器CST；以及有機發光二極體OLED。
開關電晶體SW可以在其閘極電極處連接到第一閘極線GL1，同時在其第一電極處連接到第一資料線DL1，並在其第二電極處連接到驅動電晶體DT的閘極電極和電容器CST的一端電極。開關電晶體SW可以作用以向電容器CST的一端電極通過第一資料線DL1傳輸施加到其上的資料電壓。
驅動電晶體DT可以在其閘極電極處連接到開關電晶體SW的第二電極和電容器CST的一端電極，同時在其第一電極處連接到有機發光二極體OLED的陰極，並在其第二電極處連接到電容器CST的另一端電極和第二電源線EVSS。驅動電晶體DT可以作用以產生對應於儲存在電容器CST中的資料電壓的驅動電流。
電容器CST可以在其一端電極處連接到開關電晶體SW的第二電極和驅動電晶體DT的閘極電極，同時在其另一端電極處連接到驅動電晶體DT的第二電極和第二電源線EVSS。電容器CST可以作用以儲存用於驅動驅動電晶體DT的資料電壓。
補償電晶體ST可以在其閘極電極處連接到第一閘極線GL1，同時在其第一電極處連接到有機發光二極體OLED的陰極和驅動電晶體DT的第一電極，並在其第二電極處連接到補償線INI。補償電晶體ST可以作用以施加用於補償驅動電晶體DT的閾值電壓的電壓或用於初始化的電壓。
有機發光二極體OLED可以在其陽極處連接到第一電源線EVDD，同時在其陰極處連接到驅動電晶體DT的第一電極和補償電晶體ST的第一電極。對應於驅動電晶體DT的操作，有機發光二極體OLED可以作用以發光。
如圖10中所示，根據本發明的第二示例，與第一示例相同，電容器CST和驅動電晶體DT可以設置以沿第二電源線EVSS的第一方向（垂直方向）延伸。
進一步包含在第二示例中的補償電晶體ST可以設置在開關電晶體SW與第一資料線DL1之間。此外，連接到補償電晶體ST的補償線INI可以設置相鄰於第一資料線DL1。電容器CST的剖面結構與第一示例的剖面結構相同，因此，對於其描述，請參考圖8所提出的描述。
在下文中，將根據本發明的第二示例描述子像素的無感測補償方法。
如圖11中所示，在初始化週期期間，補償線INI可以與驅動電晶體DT的汲極節點一起被初始化。對於該初始化，可以向第一資料線DL1施加能夠導通驅動電晶體DT的第一資料電壓，並可以向補償線INI施加初始化電壓。
在初始化週期期間，可以將低位準電壓施加到第一電源線EVDD，並可以將高位準電壓施加到第二電源線EVSS。結果，有機發光二極體OLED可以保持在關斷狀態。可以根據設置在補償線INI與參考電壓源VRF之間的開關VSW的導通操作來施加初始化電壓，但不限於此。
如圖12中所示，在閾值電壓感測週期期間，設置在補償線INI與參考電壓源VRF之間的開關VSW可以關斷。結果，驅動電晶體DT的閾值電壓可以根據初始化電壓的放電和驅動電晶體DT中源極跟隨（source following）的操作來感測。
如圖13中所示，參考施加到驅動電晶體DT的閘極節點的電壓Vgn和施加到驅動電晶體DT的汲極節點的電壓Vdn的變化，可以看出根據驅動電晶體DT的源極跟隨操作能夠感測閾值電壓。亦即，在根據本發明第二示例的子像素中，可以通過初始化電壓的充電和放電來實現驅動電晶體DT的閾值電壓感測操作。因此，在本發明的第二示例中，不僅可以實現孔徑比的增加，而且還可以實現驅動電晶體DT的無感測補償校準和補償。
圖14是根據本發明第三示例的子像素的示意性佈局圖。圖15是沿圖14中的A1-A2線所截取的示意性剖面圖。圖16是沿圖14中的B1-B2線所截取的示意性剖面圖。圖17和18是沿圖14中的B1-B2線所截取的示意性剖面圖，示出了本發明第三示例的變化型。
如圖14中所示，根據本發明的第三示例，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以各自包括：開關電晶體SW；驅動電晶體DT；補償電晶體ST；電容器CST；以及有機發光二極體OLED。此外，電容器CST和驅動電晶體DT可以設置以沿第二電源線EVSS的第一方向（垂直方向）延伸，以便與第二電源線EVSS重疊。
第一子像素SP1和第二子像素SP2可以共享補償線INI。第一子像素SP1可以設置在一側（左）第二電源線EVSS與第一資料線DL1之間，第二子像素SP2可以設置在第二資料線DL2與另一側（右）第二電源線EVSS之間。
第一子像素SP1和第二子像素SP2可以根據第一資料線DL1、第二資料線DL2和設置在它們之間的補償線INI設置成彼此橫向對稱。當然，設置在第一閘極線GL1下方的接觸結構可以根據第一資料線DL1、第二資料線DL2和補償線INI的佈置關係彼此橫向對稱，或者可以彼此橫向不對稱。亦即，第一資料線DL1、第二資料線DL2和補償線INI的設置順序可以改變為第一資料線DL1、補償線INI和第二資料線DL2的設置順序。在這種情況下，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以彼此完全橫向對稱。
第二電源線EVSS、第一資料線DL1、第二資料線DL2和補償線INI可以設置在同一層，而第一閘極線GL1可以設置在覆蓋第二電源線EVSS、第一資料線DL1、第二資料線DL2和補償線INI的絕緣層上。這可以透過參照以下參考圖15等所提出的描述來看出。
如圖14至圖16中所示，每條第二電源線EVSS都可以設置在基板SUB上。第二電源線EVSS還可以作用為遮光層LSD，其配置以遮蔽入射到驅動電晶體DT的通道區CHA上的外部光。為此，作為第二電源線EVSS的材料，可以選擇展現出優異的光阻擋比的材料。緩衝層BUF可以形成在第二電源線EVSS上，並可以暴露第二電源線EVSS的一部分。
半導體層ACT可以形成在緩衝層BUF上。作為半導體層ACT的材料，可以選擇氧化物半導體，例如銦鎵鋅氧化物（IGZO）。在半導體層ACT中，還可以對其除了對應於驅動電晶體DT的通道區CHA的一部分以外的部分進行金屬化（金屬化區）。金屬層MM1、MM2和MM3可以形成在金屬化的半導體層ACT上，以便增強電特性（線路電阻的減小、接觸電阻的減小等）。
閘極絕緣層GI可以形成在緩衝層BUF上，並可以暴露形成在金屬化的半導體層ACT上的金屬層MM1、MM2和MM3的部分。閘極金屬層GAT1、GAT2和GAT3可以形成在閘極絕緣層GI上。
第一閘極金屬層GAT1可以電性連接到第一金屬層MM1和第二金屬層MM2通過閘極絕緣層GI暴露的部分。第二閘極金屬層GAT2可以電性連接到第二電源線EVSS通過閘極絕緣層GI和緩衝層BUF暴露的部分。第三閘極金屬層GAT3可以連接到第三金屬層MM3通過閘極絕緣層GI暴露的部分。第一金屬層MM1可以構成驅動電晶體DT的第二電極，而第三金屬層MM3可以構成驅動電晶體DT的第一電極。
層間絕緣層INS可以形成在閘極絕緣層GI上，並可以暴露第三閘極金屬層GAT3的一部分。層間絕緣層INS可以形成以具有單層結構或多層結構。例如，層間絕緣層INS可以形成以具有基於保護層或覆蓋層的單層結構或包含保護層和覆蓋層的多層結構。
像素電極層PXL可以形成在層間絕緣層INS上。像素電極層PXL可以被選為有機發光二極體OLED的陰極，並可以經由設置在層間絕緣層INS處的接觸孔CH連接到第三閘極金屬層GAT3。像素電極層PXL可以形成以具有單層結構或多層結構。例如，像素電極層PXL可以具有基於透明氧化物的單層結構或包含透明氧化物和金屬的多層結構。
如圖17中所示，根據第三示例的第一變化型，可以省略第三閘極金屬層GAT3。在這種情況下，像素電極層PXL可以經由設置在層間絕緣層INS處的接觸孔CH連接到設置在驅動電晶體DT的第一電極上的第三金屬層MM3。該結構對應於像素電極層PXL和驅動電晶體DT的第一電極彼此間接接觸的結構。
如圖18中所示，根據第三示例的第二變化型，可以省略第三金屬層MM3及第三閘極金屬層GAT3。在這種情況下，像素電極層PXL可以經由設置在層間絕緣層INS處的接觸孔CH直接連接到構成驅動電晶體DT的第一電極的金屬化的半導體層ACT。該結構對應於像素電極層PXL和驅動電晶體DT的第一電極彼此直接接觸的結構。
同時，需要注意的是，為了提出主要結合本發明的特徵部分的描述，圖15中省略了設置在閘極金屬層上的層間絕緣層INS等，並且圖16至圖18中省略了設置在像素電極層PXL上的堤層（bank layer）、有機材料層、公共電極層（陽極）、封裝層等。
圖19是根據本發明第四示例的子像素的示意性佈局圖。圖20是沿圖19中的C1-C2線所截取的示意性剖面圖。圖21是沿圖19中的D1-D2線所截取的示意性剖面圖。圖22是沿圖19中的D1-D2線所截取的示意性剖面圖，示出了本發明第四示例的變化型。
如圖19中所示，根據本發明的第四示例，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以各自包含：開關電晶體SW；驅動電晶體DT；補償電晶體ST；電容器CST；以及有機發光二極體OLED。此外，電容器CST和驅動電晶體DT可以設置以沿第二電源線EVSS的第一方向（垂直方向）延伸，以便與第二電源線EVSS重疊。
與第三示例相同，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以設置成參考第一資料線DL1、第二資料線DL2和補償線INI彼此橫向對稱。此外，設置在第一閘極線GL1下方的接觸結構根據第一資料線DL1、第二資料線DL2和補償線INI的佈置關係，可以彼此橫向對稱，或者可以彼此橫向不對稱。
如圖19至圖21中所示，每條第二電源線EVSS都可以設置在基板SUB上。第二電源線EVSS還可以作用為遮光層LSD，其配置以遮蔽入射到驅動電晶體DT的通道區CHA上的外部光。為此，作為第二電源線EVSS的材料，可以選擇展現出優異的光阻擋比的材料。緩衝層BUF可以形成在第二電源線EVSS上，並可以暴露第二電源線EVSS的一部分。
半導體層ACT可以形成在緩衝層BUF上。作為半導體層ACT的材料，可以選擇氧化物半導體，例如銦鎵鋅氧化物（IGZO）。在半導體層ACT中，還可以對其除了對應於驅動電晶體DT的通道區CHA的部分以外的部分進行金屬化。
閘極絕緣層GI可以形成在緩衝層BUF上，並可以暴露半導體層ACT的金屬化部分。閘極金屬層GAT1、GAT2和GAT3可以形成在閘極絕緣層GI上。第一閘極金屬層GAT1可以電性連接到半導體層ACT通過閘極絕緣層GI暴露的第一部分和第二部分。第二閘極金屬層GAT2可以連接到第二電源線EVSS通過閘極絕緣層GI和緩衝層BUF暴露的部分。第三閘極金屬層GAT3可以連接到半導體層ACT通過閘極絕緣層GI暴露的第三部分。半導體層ACT的第一部分可以構成驅動電晶體DT的第二電極，而半導體層ACT的第三部分可以構成驅動電晶體DT的第一電極。
層間絕緣層INS可以形成在閘極絕緣層GI上，並可以暴露第三閘極金屬層GAT3的一部分。層間絕緣層INS可以形成以具有單層結構或多層結構。例如，層間絕緣層INS可以形成以具有基於保護層或覆蓋層的單層結構或包含保護層和覆蓋層的多層結構。
像素電極層PXL可以形成在層間絕緣層INS上。像素電極層PXL可以被選為有機發光二極體OLED的陰極，並可以經由設置在層間絕緣層INS處的接觸孔CH連接到第三閘極金屬層GAT3。像素電極層PXL可以形成以具有單層結構或多層結構。例如，像素電極層PXL可以具有基於透明氧化物的單層結構或包含透明氧化物和金屬的多層結構。儘管可以在像素電極層PXL上形成堤層、有機材料層、公共電極層（陽極）、封裝層等，但沒有提出它們的圖式和描述。
如圖22中所示，根據第四示例的變化型，可以省略第三閘極金屬層GAT3。在這種情況下，像素電極層PXL可以經由設置在層間絕緣層INS處的接觸孔CH直接連接到構成驅動電晶體DT的第一電極的半導體層ACT的金屬化的第三部分。
同時，需要注意的是，為了提出主要結合本發明的特徵部分的描述，圖20中省略了設置在閘極金屬層上的層間絕緣層INS等，並且圖21和圖22中省略了設置在像素電極層PXL上的堤層、有機材料層、公共電極層（陽極）、封裝層等。
圖23是根據本發明第五示例的子像素的電路配置的電路圖。
如圖23所示，根據本發明的第五示例，第一子像素SP1至第四子像素SP4可以各自包含：開關電晶體SW；驅動電晶體DT；補償電晶體ST；電容器CST；以及有機發光二極體OLED。此外，電容器CST和驅動電晶體DT可以設置以沿第二電源線EVSS的第一方向（垂直方向）延伸，以便與第二電源線EVSS重疊。
第一子像素SP1和第二子像素SP2可以設置以根據第一資料線DL1、第二資料線DL2和與它們對應的補償線INI彼此橫向對稱。此外，第三子像素SP3和第四子像素SP4可以設置以根據第三資料線DL3、第四資料線DL4和與它們對應的另一補償線INI彼此橫向對稱。
設置在連接到第一子像素SP1和第二子像素SP2的第一閘極線GL1上方的接觸結構根據第一資料線DL1、第二資料線DL2和相應的補償線INI的佈置關係，可以彼此橫向對稱，或者可以彼此橫向不對稱。此外，設置在連接到第三子像素SP3和第四子像素SP4的第二閘極線GL2下方的接觸結構根據第三資料線DL3、第四資料線DL4和相應的補償線INI的佈置關係，可以彼此橫向對稱，或者可以彼此橫向不對稱。
根據本發明的第五示例，第一子像素SP1和第二子像素SP2可以包含在其中子像素彼此橫向對稱的第一組中，而第三子像素SP3和第四子像素SP4可以包含在其中子像素彼此橫向對稱的第二組中。為了有效的空間利用，第一組和第二組可以設置以分別具有垂直倒置關係（vertically inverted relations）。
例如，包含在第一組中的第一子像素SP1和第二子像素SP2的電路及第一閘極線GL1可以設置在比與它們對應的有機發光二極體OLED的發光區EMA高的位置。此外，包含在第二組中的第三子像素SP3和第四子像素SP4的電路及第二閘極線GL2可以設置在比與它們對應的有機發光二極體OLED的發光區EMA低的位置。或者，這些元件的反向佈置是可能的。
當各自包含彼此橫向對稱的兩個子像素的第一組和第二組設置成彼此垂直倒置時，包含在第一子像素SP1至第四子像素SP4中的有機發光二極體OLED的所有發光區EMA可以設置在相同線上。
另外，如上所述，當第一組和第二組設置成彼此垂直地倒置時，第N-1個電容器CST[n-1]（例如，第一電容器）和第N個電容器CST[n]（例如，第二電容器）可以與對應於它們的第二電源線EVSS重疊，同時彼此相鄰。在本發明中，第N個電容器CST[n]可以是包含在第四子像素SP4中的電容器，而第N-1個電容器CST[n-1]可以是包含在與第四子像素SP4相鄰設置的第五子像素中的電容器。這種設置關係可以藉由參考彼此相鄰設置的第二子像素SP2和第三子像素SP3來看到，但在垂直設置方面是彼此不同的。
同時，儘管本發明已結合其中有機發光二極體連接在高位準電壓電源線與驅動電晶體之間的示例進行描述，但是本發明也可以應用於其中有機發光二極體連接在驅動電晶體與低位準電壓電源線之間的結構。此外，本發明不僅適用於由兩個電晶體和一個電容器或三個電晶體和一個電容器構成的子像素，而且適用於進一步包含用於補償的電晶體和電容器的結構。此外，儘管在本發明中基於n型電晶體說明並描述了子像素，但本發明也可應用於包含p型電晶體的結構或包含n型電晶體和p型電晶體兩者的結構。
如從以上描述顯而易見的，根據本發明的示例，具有藉由增加被有機發光二極體佔據的面積、同時最小化透過形成電容器和驅動電晶體使得電容器和驅動電晶體與低位準電壓電源線重疊用於實現電路所需的面積，來實現孔徑比的增加的效果。此外，根據本發明的示例，具有在設置子像素的每個區域中透過設置低位準電壓電源線來穩定低電壓位準的電力並減小線電阻的效果，從而實現所得到的顯示面板的顯示品質的增強。此外，根據本發明的示例，具有補償驅動電晶體而沒有在資料驅動器等中實現單獨的補償電路的效果，由此實現所得到的顯示面板的顯示質量的增強和顯示面板壽命的增加。
前文的描述和附圖是為了說明性地解釋本發明的技術思想。本發明所屬技術領域之通常知識者可以理解，在不改變本發明的基本特徵的情況下，可以透過組合、分割、替換或改變組成元件而能夠獲得的各種修改和變化，且其仍保持在所附申請專利範圍的範圍內。因此，本發明所揭露的前述示例應解釋為僅是說明性的，而不是對本發明的原理和範圍的限制，本發明的原則和範圍由所附申請專利範圍限定。應當理解，本發明的範圍將由所附申請專利範圍限定。
本發明進一步揭露根據以下編號條款（numbered clauses）的多個示例。
條款1. 一種發光顯示裝置，包括：低位準電壓電源線，配置以傳輸低位準電壓；資料線，配置以傳輸資料電壓；閘極線，配置以傳輸閘極訊號；以及子像素，連接到低位準電壓電源線、資料線和閘極線，該子像素包括與低位準電壓電源線重疊的電容器。
條款2. 根據條款1的發光顯示裝置，其中：該子像素進一步包括驅動電晶體，具有連接到電容器的第一電極的閘極電極；以及驅動電晶體與低位準電壓電源線重疊。
條款3. 根據條款2的發光顯示裝置，其中：電容器的第一電極和第二電極與低位準電壓電源線重疊；以及驅動電晶體的閘極電極和通道區與低位準電壓電源線重疊。
條款4. 根據前述條款中任一條款的發光顯示裝置，其中：子像素包括：低位準電壓電源線，設置在基板上；緩衝層，設置在低位準電壓電源線上；半導體層，設置在緩衝層上；閘極絕緣層，設置在半導體層上；閘極金屬層，設置在閘極絕緣層上；層間絕緣層，設置在閘極金屬層上的；以及像素電極層，設置在層間絕緣層上。
條款5. 根據條款4的發光顯示裝置，其中：該半導體層被選為包括半導體區和金屬化區的氧化物半導體；以及半導體層還包括設置在金屬化區中的金屬層。
條款6. 根據條款5的發光顯示裝置，其中，該像素電極層經由設置在層間絕緣層和閘極絕緣層處的接觸孔接觸金屬層的一部分，從而電性連接到金屬化區。
條款7. 根據條款5的發光顯示裝置，其中，像素電極層經由設置在層間絕緣層和閘極絕緣層處的接觸孔直接連接到金屬化區。
條款8. 一種發光顯示裝置，包括：顯示面板，包括複數個子像素，每個子像素都連接到低位準電壓電源線、資料線和閘極線，子像素中的每一個都包括與該低位準電壓電源線重疊的電容器；以及驅動器，配置以驅動該顯示面板，其中，子像素包括第一組和第二組，第一組和第二組中的每一組都包括彼此橫向對稱的兩個子像素，並且第一組和第二組具有垂直倒置關係。
條款9. 根據條款8的發光顯示裝置，其中：電容器的第一電極和第二電極與低位準電壓電源線重疊；以及驅動電晶體的閘電極和通道區與低位準電壓電源線重疊。
條款10. 一種發光顯示裝置的製造方法，包括：在基板上形成連接到低位準電壓電源線、資料線和閘極線的子像素，同時包括與低位準電壓電源線重疊的電容器；以及封裝形成在基板上的子像素，其中，電容器包括：第一電極，設置在覆蓋低位準電壓電源線的緩衝層上；以及第二電極，設置在覆蓋第一電極的閘極絕緣層上，以及其中，電容器的第一電極包括金屬化氧化物半導體層。
本申請主張於2021年12月7日提交的韓國專利申請第10-2021-0173752號的權益，其通過引用結合於此，如同在本發明中完整陳述。
110:影像供給器 120:時序控制器 130,130a,130b:閘極驅動器 131:移位暫存器 135:位準移位器 140:資料驅動器 150:顯示面板 180:電源供應器 AA:顯示區 ACT:半導體層 BUF:緩衝層 Clks:時脈訊號 CH:接觸孔 CHA:通道區 CST:電容器 CST[n]:第N電容器 CST[n-1]:第N-1電容器 DT:驅動電晶體 DL1:資料線、第一資料線 DL2:第二資料線 DL3:第三資料線 DL4:第四資料線 DLn:資料線 DATA:資料訊號 DDC:資料時序控制訊號 EMA:發光區 EVSS:第二電源線 EVDD:第一電源線 INI:補償線 INS:層間絕緣層 LSD:遮光層 GL1:第一閘極線 GL2:第二閘極線 GLm:閘極線 Gate[1],Gate[m]:閘極訊號 GAT1:閘極金屬層、第一閘極金屬層 GAT2:閘極金屬層、第二閘極金屬層 GAT3:閘極金屬層、第三閘極金屬層 GDC:閘極時序控制訊號 GI:閘極絕緣層 NA:非顯示區 MM1:金屬層、第一金屬層 MM2:金屬層、第二金屬層 MM3:金屬層、第三金屬層 OLED:有機發光二極體 PXL:像素電極層 SP:子像素 SP1:第一子像素 SP2:第二子像素 SP3:第三子像素 SP4:第四子像素 ST:補償電晶體 SUB:基板 SW:開關電晶體 Vdn,Vgn:電壓 VRF:參考電壓源 Vst:啟動訊號 VSW:開關
圖式被包括進來以提供對本發明的進一步理解，並併入本發明中且構成本發明的一部分，圖式顯示本發明的（多個）示例並與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中： 圖1是示意性地顯示發光顯示裝置的方塊圖； 圖2是示意性地顯示圖1中所示的子像素的圖式； 圖3A和圖3B是示出板內閘極型閘極驅動器的配置示例的視圖； 圖4和圖5是示出與板內閘極型閘極驅動器相關聯的元件的配置的視圖； 圖6是根據第一態樣的第一示例的子像素的電路配置的電路圖； 圖7是根據第一態樣的第一示例的子像素的示意性佈局圖； 圖8是沿圖7中的X1-X2線所截取的示意性剖面圖； 圖9是根據第一態樣的第二示例的子像素的電路配置的電路圖； 圖10是根據第一態樣的第二示例的子像素的示意性佈局圖； 圖11至圖13是說明根據第一態樣的第二示例的子像素的優點的圖式； 圖14是根據第一態樣的第三示例的子像素的示意性佈局圖； 圖15是沿圖14中的A1-A2線所截取的示意性剖面圖； 圖16是沿圖14中的B1-B2線所截取的示意性剖面圖； 圖17和18是沿圖14中的B1-B2線所截取的示意性剖面圖，示出了第一態樣的第三示例的變化型； 圖19是根據第一態樣的第四示例的子像素的示意性佈局圖； 圖20是沿圖19中的C1-C2線所截取的示意性剖面圖； 圖21是沿圖19中的D1-D2線所截取的示意性剖面圖； 圖22是沿圖19中的D1-D2線所截取的示意性剖面圖，示出了第一態樣的第四示例的變化型；以及 圖23是根據第一態樣或第二態樣的第五示例的子像素的電路配置的電路圖。
CH:接觸孔
CST:電容器
DL1:資料線、第一資料線
DT:驅動電晶體
EVSS:第二電源線
GL1:第一閘極線
OLED:有機發光二極體
SW:開關電晶體

Claims (24)

  1. 一種發光顯示裝置，包括： 一低位準電壓電源線，配置以傳輸一低位準電壓； 一資料線，配置以傳輸一資料電壓； 一閘極線，配置以傳輸一閘極訊號；以及 一子像素，連接到該低位準電壓電源線、該資料線和該閘極線，該子像素包括與該低位準電壓電源線重疊的一電容器。
  2. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中： 該子像素進一步包括一驅動電晶體，具有連接到該電容器的一第一電極的一閘極電極；以及 該驅動電晶體與該低位準電壓電源線重疊。
  3. 如請求項2所述之發光顯示裝置，其中： 該電容器的該第一電極和一第二電極與該低位準電壓電源線重疊；以及 該驅動電晶體的該閘極電極和一通道區與該低位準電壓電源線重疊。
  4. 如請求項2所述之發光顯示裝置，其中： 該子像素還包括一開關電晶體，配置以將該資料電壓傳輸到該驅動電晶體的該閘極電極和該電容器的該第一電極；以及 該開關電晶體與該閘極線重疊。
  5. 如請求項4所述之發光顯示裝置，其中，該開關電晶體具有：一閘極電極，連接到該閘極線；一第一電極，連接到該資料線；以及一第二電極，連接到該驅動電晶體的該閘極電極和該電容器的該第一電極。
  6. 如請求項4所述之發光顯示裝置，其中： 該低位準電壓電源線在該發光顯示裝置的平面中沿一第一方向延伸；以及 該閘極線沿垂直於該第一方向且平行於該發光顯示裝置的該平面的一第二方向延伸。
  7. 如請求項6所述之發光顯示裝置，其中，該電容器和該驅動電晶體沿該第一方向佈置以與該低位準電壓電源線重疊。
  8. 如請求項6所述之發光顯示裝置，其中： 該子像素還包括一有機發光二極體；以及 該有機發光二極體在平面圖中位於該低位準電壓電源線與該資料線之間。
  9. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該子像素包括： 一緩衝層，設置在該低位準電壓電源線上； 一半導體層，設置在該緩衝層上； 一閘極絕緣層，設置在該半導體層上； 一閘極金屬層，設置在該閘極絕緣層上； 一層間絕緣層，設置在該閘極金屬層上；以及 一像素電極層，設置在該層間絕緣層上。
  10. 如請求項9所述之發光顯示裝置，其中： 該半導體層被選為包括一半導體區和一金屬化區的一氧化物半導體；以及 該半導體層進一步包括設置在該金屬化區中的一金屬層。
  11. 如請求項10所述之發光顯示裝置，其中，該像素電極層經由設置在該層間絕緣層和該閘極絕緣層處的一接觸孔接觸該金屬層的一部分，從而電性連接到該金屬化區。
  12. 如請求項10所述之發光顯示裝置，其中，該像素電極層經由設置在該層間絕緣層和該閘極絕緣層處的一接觸孔直接連接到該金屬化區。
  13. 如請求項8所述之發光顯示裝置，其中： 該子像素還包括一補償電晶體，配置以向該有機發光二極體施加一補償電壓；以及 該補償電晶體與該閘極線重疊。
  14. 如請求項13所述之發光顯示裝置，其中，該補償電晶體具有：一閘極，連接到該閘極線；一第一電極，連接到該有機發光二極體的一陰極和該驅動電晶體的一第一電極；以及一第二電極，連接到一補償線。
  15. 如請求項14所述之發光顯示裝置，其中，該補償線相鄰於該資料線並沿該第一方向延伸。
  16. 如請求項1所述之發光顯示裝置，其中，該電容器包括：一第一電極，設置在覆蓋該低位準電壓電源線的一緩衝層上；以及一第二電極，設置在覆蓋該第一電極的一閘極絕緣層上，以及 其中，該電容器的該第一電極包括一金屬化氧化物半導體層。
  17. 如請求項1所述之發光顯示裝置，進一步包括： 複數個子像素，其中，每個子像素都連接到該低位準電壓電源線、該資料線和該閘極線，以及其中，每個子像素都包括與該低位準電壓電源線重疊的一電容器；以及 一驅動器，配置以驅動一顯示面板； 其中，該些子像素包括一第一組和一第二組，其中，每組都包括彼此橫向對稱的兩個子像素，以及其中，該第一組的該些子像素相對於該第二組的該些子像素倒置。
  18. 如請求項17所述之發光顯示裝置，其中： 每個子像素都包括一驅動電晶體，具有連接到該電容器的一第一電極的一閘極電極； 每個電容器的該第一電極和一第二電極都與該低位準電壓電源線重疊；以及 每個驅動電晶體的該閘極電極和一通道區都與該低位準電壓電源線重疊。
  19. 如請求項17或18所述之發光顯示裝置，其中： 包括一第一電容器和一第二電容器，該第一電容器和該第二電容器中的每一個都與對應於其的該低位準電壓電源線重疊，同時彼此相鄰，其中，該第一電容器和該第二電容器中的每一個都包含在各自相鄰的子像素中。
  20. 一種發光顯示裝置，包括： 一顯示面板，包括複數個子像素，該些子像素中的每一個都連接到一低位準電壓電源線、一資料線和一閘極線，該些子像素中的每一個都包括與該低位準電壓電源線重疊的一電容器；以及 一驅動器，配置以驅動該顯示面板， 其中，該些子像素包括一第一組和一第二組，其中，每組都包括彼此橫向對稱的兩個子像素，以及其中，該第一組的該些子像素相對於該第二組的該些子像素倒置。
  21. 如請求項20所述之發光顯示裝置，其中： 每個子像素包括一驅動電晶體，具有連接到該電容器的一第一電極的一閘極電極； 每個電容器的該第一電極和一第二電極都與該低位準電壓電源線重疊；以及 每個驅動電晶體的該閘極電極和一通道區都與該低位準電壓電源線重疊。
  22. 如請求項20或21所述之發光顯示裝置，其中： 包括一第一電容器和一第二電容器，該第一電容器和該第二電容器中的每一個都與對應於其的該低位準電壓電源線重疊，同時彼此相鄰，其中，該第一電容器和該第二電容器中的每一個都包含在各自相鄰的子像素中。
  23. 一種發光顯示裝置的製造方法，包括： 在一基板上形成連接到一低位準電壓電源線、一資料線和一閘極線的一子像素，同時包括與該低位準電壓電源線重疊的一電容器；以及 封裝形成在該基板上的該子像素。
  24. 如請求項23所述之發光顯示裝置的製造方法，其中，該發光顯示裝置是如請求項1或20所述之發光顯示裝置。
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