CN107424569A - 像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置 - Google Patents

像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置。所述像素单元电路包括发光元件、驱动晶体管、数据写入单元和存储电容单元；所述数据写入单元分别与数据线、栅线和驱动晶体管的栅极连接，用于在所述栅线的控制下，控制导通或断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接；所述存储电容单元的第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，所述存储电容单元的第二端与参考电压输入端连接；所述发光元件的第二端与低电平输入端连接。本发明通过改变驱动晶体管的栅极的电位，来改变驱动晶体管的源极的电压，通过调节发光元件的第一端和发光元件的第二端之间的电压差来调节发光元件的发光亮度。

Description

像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置。
背景技术
硅基OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)的发光亮度通常通过驱动MOS管(金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管)的亚阈值区的电流来控制，由于MOS管的电流与它的宽长比成正比，为了实现微显示像素的小电流，必须把W/L(宽长比)的比值设计很小，即得把驱动MOS管的长度L设计很大；这样以来很难应用到高分辨率的产品，存储电容无法做大，数据电压无法稳定保持，导致OLED亮度不稳定。且MOS管的亚阈值电流对栅源电压和阈值电压很敏感，外围电路也很复杂；总得来说传统的硅基像素电路(采用工作在亚阈值的控制MOS管)很难减少驱动MOS管的面积至很难应用到超高分辨率的产品上，电流对控制MOS管的栅源电压和阈值电压敏感，外围电路相对复杂。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置，解决现有技术中驱动硅基OLED(有机发光二极管)发光的驱动晶体管工作于亚阈值区，从而导致需要将驱动晶体管的尺寸设置的很大，从而无法应用于高分辨率的显示产品，并存储电容的尺寸无法做大，从而导致的无法稳定保持数据电压而导致的发光元件发光亮度不稳定的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种像素单元电路，包括发光元件、驱动晶体管、数据写入单元和存储电容单元，其中，
所述驱动晶体管的漏极与高电平输入端连接，所述驱动晶体管的源极与所述发光元件的第一端连接；所述驱动晶体管为n型晶体管；
所述数据写入单元分别与数据线、栅线和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述栅线的控制下，控制导通或断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接；
所述存储电容单元的第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，所述存储电容单元的第二端与参考电压输入端连接；
所述发光元件的第二端与低电平输入端连接。
实施时，本发明所述的像素单元电路还包括复位单元；
所述复位单元分别与复位端、参考电压输入端和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述复位端的控制下，控制导通或断开所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接。
实施时，所述复位单元包括：复位晶体管，栅极与所述复位端连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述参考电压输入端连接；所述复位晶体管为n型晶体管或p型晶体管。
实施时，所述栅线包括第一栅线和第二栅线；
所述数据写入单元包括：
第一数据写入晶体管，栅极与所述第一栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；以及，
第二数据写入晶体管，栅极与所述第二栅线连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述数据线连接；
所述第一数据写入晶体管为n型晶体管，所述第二数据写入晶体管为p型晶体管。
实施时，所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等。
实施时，所述存储电容单元包括：存储电容，第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，第二端与所述参考电压输入端连接。
实施时，所述发光元件包括有机发光二极管；所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第一端，所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第二端。
本发明还提供了一种像素单元电路的驱动方法，应用于上述的像素单元电路，所述像素单元电路的驱动方法包括：在每一显示周期，
在发光阶段，在栅线的控制下，数据写入单元控制导通数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，以使得驱动晶体管工作于恒流区，驱动晶体管驱动发光元件发光，所述驱动晶体管的源极电压随着所述驱动晶体管的栅极电位变化而变化。
实施时，每一显示周期在所述发光阶段之间还包括复位阶段，所述像素单元电路的驱动方法还包括：在每一显示周期，
在所述复位阶段，数据写入单元在所述栅线的控制下控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，复位单元在复位端的控制下控制导通所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接；
在所述发光阶段，复位单元在复位端的控制下控制断开所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接。
实施时，所述参考电压输入端用于输入参考电压；
所述参考电压与所述驱动晶体管的阈值电压的差值小于低电平输入端输入的低电平与发光元件的起亮电压的和值。
实施时，当所述栅线包括第一栅线和第二栅线，所述数据写入单元包括栅极与所述第一栅线连接的第一数据写入晶体管和栅极与所述第二栅线连接的第二数据写入晶体管，所述第一数据写入晶体管为n型晶体管，所述第二数据写入晶体管为p型晶体管，并所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等时，
所述在所述复位阶段，数据写入单元在所述栅线的控制下控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接步骤具体包括：
在所述复位阶段，第一栅线输出第一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极驱动信号的电位为低电压，所述第二栅极驱动信号的电位为高电压，以使得所述第一数据写入晶体管和所述第二数据写入晶体管关闭，控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接；
所述在发光阶段，在栅线的控制下，数据写入单元控制导通数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接步骤包括：
在所述发光阶段，第一栅线输出第一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极扫描信号的电位为所述高电压，以控制所述第一数据写入晶体管导通，所述第二栅极扫描信号的电位为低电压，以控制所述第二数据写入晶体管导通；
所述像素单元电路的驱动方法还包括：在每一显示周期，在所述发光元件结束后，所述第一栅线输出一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极扫描信号的电位为所述低电压，所述第二栅极扫描信号的电位为所述高电压，以使得所述第一数据写入晶体管和所述第二数据写入晶体管关闭，控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接。
本发明还提供了一种像素电路，包括多行栅线、多列数据线，以及多个阵列排布的上述的像素单元电路；
位于同一行的所述像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的所述像素单元电路与同一列数据线连接。
实施时，当所述栅线包括第一栅线和第二栅线时，位于同一行的像素单元电路分别与同一行第一栅线和同一行第二栅线连接。
本发明还提供了一种显示装置，包括多行栅线、多列数据线，以及多个阵列排布的上述的像素单元电路；
位于同一行的所述像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的所述像素单元电路与同一列数据线连接。
实施时，本发明所述的显示装置还包括硅基板，所述多行栅线、多列数据线以及多个所述像素单元电路都设置于所述硅基板上。
与现有技术相比，本发明所述的像素单元电路、驱动方法、像素电路和显示装置，利用NMOS管(也即驱动晶体管，驱动晶体管n型晶体管)的源极跟随特性在恒定的电流下(也即当驱动晶体管工作于恒流区)，通过改变驱动晶体管的栅极的电位(也即数据线输出的数据电压的电位)，来改变驱动晶体管的源极的电压，通过调节发光元件的第一端和发光元件的第二端之间的电压差来调节发光元件的发光亮度。
附图说明
图1是本发明实施例所述的像素单元电路的结构图；
图2是本发明所述的像素单元电路的一具体实施例的电路图；
图3是本发明如图2所示的像素单元电路的具体实施例的工作时序图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为第一极，另一极称为第二极。在实际操作时，所述第一极可以为漏极，所述第二极可以为源极；或者，所述第一极可以为源极，所述第二极可以为漏极。
如图1所示，本发明实施例所述的像素单元电路包括发光元件EL、驱动晶体管DTFT、数据写入单元11和存储电容单元12，其中，
所述驱动晶体管DTFT的漏极与输入高电平VDD的高电平输入端连接，所述驱动晶体管DTFT的源极与所述发光元件EL的第一端连接；所述驱动晶体管DTFT为n型晶体管；
所述数据写入单元11分别与数据线Data、栅线Gate和所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，用于在所述栅线Gate的控制下，控制导通或断开所述数据线Data与所述驱动晶体管DTFT的栅极之间的连接；
所述存储电容单元12的第一端与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，所述存储电容单元12的第二端与输入参考电压Vref的参考电压输入端连接；
所述发光元件EL的第二端与输入低电平VSS的低电平输入端连接。
具体的，所述驱动晶体管可以为NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor，N型金属-氧化物-半导体)管。
本发明实施例所述的像素单元电路利用NMOS管(也即驱动晶体管，驱动晶体管n型晶体管)的源极跟随特性在恒定的电流下(也即当驱动晶体管工作于恒流区)，通过改变驱动晶体管的栅极的电位(也即数据线输出的数据电压的电位)，来改变驱动晶体管的源极的电压，通过调节发光元件的第一端和发光元件的第二端之间的电压差来调节发光元件的发光亮度，解决现有技术中驱动硅基OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)发光的驱动晶体管工作于亚阈值区，从而导致需要将驱动晶体管的尺寸设置的很大，从而无法应用于高分辨率的显示产品，并存储电容的尺寸无法做大，从而导致的无法稳定保持数据电压而导致的发光元件发光亮度不稳定的问题。
优选的，如图2所示，本发明实施例所述的像素单元电路还包括复位单元13；
所述复位单元13分别与复位端Reset、输入参考电压Vref的参考电压输入端和所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，用于在所述复位端Reset的控制下，控制导通或断开所述驱动晶体管DTFT的栅极与所述输入参考电压Vref的参考电压输入端之间的连接。
在优选情况下，本发明实施例所述的像素单元电路还可以包括复位单元13，以在复位阶段控制存储电容单元12两端的电位相等，从而对存储电容单元12快速放电，保证上一帧的画面不影响下一帧画面；并可以通过调整Vref的电压值，使得在重置阶段发光元件的第一端的电位Vref-Vth与发光元件的第二端的电位VSS之间的差值小于发光元件的起亮电压，以使得在复位阶段发光元件不发光，保证在动态画面中不会出现动态残影现象。
具体的，所述复位单元可以包括：复位晶体管，栅极与所述复位端连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述参考电压输入端连接；所述复位晶体管为n型晶体管或p型晶体管。
优选的，所述栅线包括第一栅线和第二栅线；
所述数据写入单元包括：
第一数据写入晶体管，栅极与所述第一栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；以及，
第二数据写入晶体管，栅极与所述第二栅线连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述数据线连接；
所述第一数据写入晶体管为n型晶体管，所述第二数据写入晶体管为p型晶体管。
在优选情况下，数据写入单元包括类型相反的两个数据写入晶体管，在保证数据电压能写入的幅值范围变大的同时，改善了采用单管而对传递的数据电压产生损失的问题。
优选的，所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等。
在优选情况下，第一数据写入晶体管和第二数据写入晶体管采用TFT特性曲线对称式晶体管，也即所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等，能够解决两栅线上的栅极驱动信号突然跳变引起的毛刺问题。
具体的，所述存储电容单元可以包括：存储电容，第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，第二端与所述参考电压输入端连接。
具体的，所述发光元件可以包括有机发光二极管；所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第一端，所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第二端。
下面通过一具体实施例来说明本发明所述的像素单元电路。
如图2所示，本发明所述的像素单元电路的一具体实施例包括：有机发光二极管OLED、驱动晶体管DTFT、数据写入单元、存储电容Cst和复位单元，其中，
所述驱动晶体管DTFT的漏极与输入高电平VDD的高电平输入端连接，所述驱动晶体管DTFT的源极与所述有机发光二极管OLED的阳极连接；所述驱动晶体管DTFT为n型晶体管；
所述存储电容Cst的第一端与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，所述存储电容Cst的第二端与输入参考电压Vref的参考电压输入端连接；
所述有机发光二极管OLED的阴极与输入低电平VSS的低电平输入端连接；
所述复位单元包括：复位晶体管N3，栅极与所述复位端Reset连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，漏极与所述输入参考电压Vref的参考电压输入端连接；
所述数据写入单元包括：
第一数据写入晶体管N1，栅极与所述第一栅线Gate(N)连接，漏极与数据线Data连接，源极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接；以及，
第二数据写入晶体管P1，栅极与所述第二栅线连接Gate(P)，漏极与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接，漏极与所述数据线Data连接；
所述第一数据写入晶体管N1为NMOS管，所述第二数据写入晶体管P1为PMOS管。
在图2所示的实施例中，以N3为n型晶体管为例举例说明，在实际操作时，N3也可以被替换为p型晶体管，在此对复位晶体管的类型不作限定。
在图2所示的具体实施例中，Node1为与所述驱动晶体管DTFT的栅极连接的第一节点，Node2为与有机发光二极管OLED的阳极连接的第二节点。
如图3所示，本发明如图2所示的像素单元电路的具体实施例在工作时，在一帧显示时间TF，
在复位阶段T1，Reset输出高电平，N3打开，Node1写入Vref，对Cst放电清零(Cst两端的电位都为Vref，可快速对Cst放电清零)，同时Node2的电位变为Vref-Vth；Vth为DTFT的阈值电压；此时Vref采用硅基CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体)工艺中接近VSS的较低的电位，以使得OLED的阳极的电位Vref-Vth与OLED的阴极的电位VSS的差值小于OLED的起亮电压，以使得在复位阶段显示屏幕为黑态，不发光；目前不管是白光OLED还是各亚像素单独发光的OLED器件，起亮电压几乎都是2V以上，故可以根据硅基CMOS的工艺以及产品的规格选择Vref的电压值；在复位阶段T1，Gate(P)输出低电压(例如可以为0V)，Gate(N)输出高电压(例如可以为5V)，以使得N1和P1都关闭；
在发光阶段T2，Gate(P)输出高电压(例如可以为5V)，Gate(N)输出低电压(例如可以为0V)，N1和P1同时打开，Data上的数据电压Vdata充入至Node1，并存储至Cst，此时DTFT工作于恒流区，利用NMOS管(也即DTFT)在恒流状态下的源跟随特性，Node2的电压为Vdata-Vth；通过改变Vdata的电压值来改变Node2的电压，以致改变OLED的阳极与OLED的阴极之前的压差以改变OLED的发光亮度；
在所述发光阶段T2结束之后，Gate(P)输出低电压(例如可以为0V),Gate(N)输出高电压(例如可以为5V)，以使得N1和P1都关闭。
如图3所示，在实际操作时，可以将Gate(N)的上升沿的压差的绝对值设置为此时Gate(P)的下降沿的压差的绝对值相等，将Gate(N)的下降沿的压差的绝对值设置为此时Gate(P)的上升沿的压差的绝对值相等，以便抵消数据写入单元采用单管时OLED的阳极的电压出现的毛刺。
也即，在具体实施时，在优选情况下，为了抵消数据写入时，Gate(N)和Gate(P)对写入数据的上拉及下拉的毛刺，需要将Gate(N)的上升沿的压差的绝对值设置为此时Gate(P)的下降沿的压差的绝对值相等，将Gate(N)的下降沿的压差的绝对值设置为此时Gate(P)的上升沿的压差的绝对值相等。
具体的，当数据电压的电压值范围变化时，所述高电压的电压值和所述低电压的电压值也可以相应改变。
数据写入单元采用双管(P1和N1)的目的在与增加Node1的电压范围，等同于增加Node2的电压范围，最终增加OLED器件发光的可调的电压范围；通过P1(P1为PMOS管)至Node1的电压为相对高电位，当Vgsp<Vthp时P1处于导通状态(Vgsp为P1的栅源电压，Vthp为P1的阈值电压)，Vgsp＝Vgate(P)-Vdata)，Vgate(P)为Gate(P)输出的电压；当Vgsp>Vthp时，P1处于不导通状态，也即当Vdata<Vgate(P)-Vthp时，Vdata不能通过导通的P1传输至Note1；通过N1(N1为NMOS管)传输至Node1的电压为相对低电位，当Vgsn>Vthn时，N1处于导通状态(Vgsn为N1的栅源电压，Vthn为N1的阈值电压)，Vgsn＝Vgate(N)-Vdata；Vgate(N)为Gate(N)输出的电压；当Vgsn<Vthn时，N1处于不导通状态，也即，当Vdata>Vgate(N)-Vthn时，Vdata不能通过导通的N1传输至Node1；
P1和N1为TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)特性曲线对称的晶体管，也即，Vthp＝-Vthn；且采用双管作为数据电压Vdata导入至Node1的开关管有减少噪音的作用；在发光阶段T2开始时，在Gate(N)输出的电压的上升沿，会拉高Node1的电位，从而拉高Node2的电位，也即如果数据写入单元仅包括N1，则会在发光阶段T2开始时(也即Vdata刚开始输入时)，OLED的阳极的电位会出现与Gate(N)输出的电压的上升沿对应的拉高的毛刺；而在发光阶段T2结束时，Gate(N)输出的电压处于下降沿，会拉低Node1的电位，从而拉低Noed1的电位，也即如果数据写入单元仅包括N1，则会在发光阶段T2结束时，OLED的阳极的电位会出现与Gate(N)输出的电压的下降沿对应的拉低的毛刺；而Gate(P)输出的电压的波形与Gate(N)输出的电压的波形相反，在发光阶段T2开始时，Gate(P)输出的电压处于下降沿，OLED的阳极的电压出现拉低的毛刺，在发光阶段T2结束时，Gate(P)输出的电压处于上升沿，OLED的阳极的电压出现拉高的毛刺；采用双管(N1和P1)可以抵消采用单管时的毛刺。
本发明实施例所述的像素单元电路的驱动方法，应用于上述的像素单元电路，本发明实施例所述的像素单元电路的驱动方法包括：在每一显示周期，
在发光阶段，在栅线的控制下，数据写入单元控制导通数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，以使得驱动晶体管工作于恒流区，驱动晶体管驱动发光元件发光，所述驱动晶体管的源极电压随着所述驱动晶体管的栅极电位变化而变化。
本发明实施例所述的像素单元电路的驱动方法通过改变驱动晶体管的栅极的电位(也即数据线输出的数据电压的电位)，来改变驱动晶体管的源极的电压，通过调节发光元件的第一端和发光元件的第二端之间的电压差来调节发光元件的发光亮度，解决现有技术中驱动硅基OLED(有机发光二极管)发光的驱动晶体管工作于亚阈值区，从而导致需要将驱动晶体管的尺寸设置的很大，从而无法应用于高分辨率的显示产品，并存储电容的尺寸无法做大，从而导致的无法稳定保持数据电压而导致的发光元件发光亮度不稳定的问题。
优选的，每一显示周期在所述发光阶段之间还包括复位阶段，所述像素单元电路的驱动方法还包括：在每一显示周期，
在所述复位阶段，数据写入单元在所述栅线的控制下控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，复位单元在复位端的控制下控制导通所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接；
在所述发光阶段，复位单元在复位端的控制下控制断开所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接。
在优选情况下，每一显示周期在发光阶段之前还包括复位阶段，本发明实施例所述的像素单元电路的驱动方法还可以包括复位步骤，以在复位阶段控制存储电容单元两端的电位相等，从而对存储电容单元快速放电，保证上一帧的画面不影响下一帧画面；并可以通过调整参考电压输入端输入的参考电压的电压值，使得在重置阶段发光元件的第一端的电位与发光元件的第二端的电位之间的差值小于发光元件的起亮电压，以使得在复位阶段发光元件不发光，保证在动态画面中不会出现动态残影现象。
具体的，所述参考电压输入端用于输入参考电压；
在优选情况下，所述参考电压与所述驱动晶体管的阈值电压的差值小于低电平输入端输入的低电平与发光元件的起亮电压的和值，以使得在复位阶段减少发光元件的第一端与发光元件的第二端之间的电压差，使得发光元件不会点亮，保证在动态画面中不会出现动态残影现象。
具体的，当所述栅线包括第一栅线和第二栅线，所述数据写入单元包括栅极与所述第一栅线连接的第一数据写入晶体管和栅极与所述第二栅线连接的第二数据写入晶体管，所述第一数据写入晶体管为n型晶体管，所述第二数据写入晶体管为p型晶体管，并所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等时，所述在所述复位阶段，数据写入单元在所述栅线的控制下控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接步骤具体包括：
在所述复位阶段，第一栅线输出第一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极驱动信号的电位为低电压，所述第二栅极驱动信号的电位为高电压，以使得所述第一数据写入晶体管和所述第二数据写入晶体管关闭，控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接；
所述在发光阶段，在栅线的控制下，数据写入单元控制导通数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接步骤包括：
在所述发光阶段，第一栅线输出第一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极扫描信号的电位为所述高电压，以控制所述第一数据写入晶体管导通，所述第二栅极扫描信号的电位为低电压，以控制所述第二数据写入晶体管导通；
所述像素单元电路的驱动方法还包括：在每一显示周期，在所述发光元件结束后，所述第一栅线输出一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极扫描信号的电位为所述低电压，所述第二栅极扫描信号的电位为所述高电压，以使得所述第一数据写入晶体管和所述第二数据写入晶体管关闭，控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接。
本发明实施例所述的像素电路，包括多行栅线、多列数据线，以及多个阵列排布的上述的像素单元电路；
位于同一行的所述像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的所述像素单元电路与同一列数据线连接。
具体的，当所述栅线包括第一栅线和第二栅线时，位于同一行的像素单元电路分别与同一行第一栅线和同一行第二栅线连接。
本发明实施例所述的显示装置多行栅线、多列数据线，以及多个阵列排布的上述的像素单元电路；
位于同一行的所述像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的所述像素单元电路与同一列数据线连接。
具体的，本发明实施例所述的显示装置还可以包括硅基板，所述多行栅线、多列数据线以及多个所述像素单元电路都设置于所述硅基板上。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (15)

1.一种像素单元电路，其特征在于，包括发光元件、驱动晶体管、数据写入单元和存储电容单元，其中，
所述驱动晶体管的漏极与高电平输入端连接，所述驱动晶体管的源极与所述发光元件的第一端连接；所述驱动晶体管为n型晶体管；
所述数据写入单元分别与数据线、栅线和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述栅线的控制下，控制导通或断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接；
所述存储电容单元的第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，所述存储电容单元的第二端与参考电压输入端连接；
所述发光元件的第二端与低电平输入端连接。
2.如权利要求1所述的像素单元电路，其特征在于，还包括复位单元；
所述复位单元分别与复位端、参考电压输入端和所述驱动晶体管的栅极连接，用于在所述复位端的控制下，控制导通或断开所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接。
3.如权利要求2所述的像素单元电路，其特征在于，所述复位单元包括：复位晶体管，栅极与所述复位端连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述参考电压输入端连接；所述复位晶体管为n型晶体管或p型晶体管。
4.如权利要求1至3中任一权利要求所述的像素单元电路，其特征在于，所述栅线包括第一栅线和第二栅线；
所述数据写入单元包括：
第一数据写入晶体管，栅极与所述第一栅线连接，第一极与所述数据线连接，第二极与所述驱动晶体管的栅极连接；以及，
第二数据写入晶体管，栅极与所述第二栅线连接，第一极与所述驱动晶体管的栅极连接，第二极与所述数据线连接；
所述第一数据写入晶体管为n型晶体管，所述第二数据写入晶体管为p型晶体管。
5.如权利要求4所述的像素单元电路，其特征在于，所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等。
6.如权利要求4所述的像素单元电路，其特征在于，所述存储电容单元包括：存储电容，第一端与所述驱动晶体管的栅极连接，第二端与所述参考电压输入端连接。
7.如权利要求4所述的像素单元电路，其特征在于，所述发光元件包括有机发光二极管；所述有机发光二极管的阳极为所述发光元件的第一端，所述有机发光二极管的阴极为所述发光元件的第二端。
8.一种像素单元电路的驱动方法，应用于如权利要求1至7中任一权利要求所述的像素单元电路，其特征在于，所述像素单元电路的驱动方法包括：在每一显示周期，
在发光阶段，在栅线的控制下，数据写入单元控制导通数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，以使得驱动晶体管工作于恒流区，驱动晶体管驱动发光元件发光，所述驱动晶体管的源极电压随着所述驱动晶体管的栅极电位变化而变化。
9.如权利要求8所述的像素单元电路的驱动方法，其特征在于，每一显示周期在所述发光阶段之间还包括复位阶段，所述像素单元电路的驱动方法还包括：在每一显示周期，
在所述复位阶段，数据写入单元在所述栅线的控制下控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接，复位单元在复位端的控制下控制导通所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接；
在所述发光阶段，复位单元在复位端的控制下控制断开所述驱动晶体管的栅极与所述参考电压输入端之间的连接。
10.如权利要求9所述的像素单元电路的驱动方法，其特征在于，所述参考电压输入端用于输入参考电压；
所述参考电压与所述驱动晶体管的阈值电压的差值小于低电平输入端输入的低电平与发光元件的起亮电压的和值。
11.如权利要求9所述的像素单元电路的驱动方法，其特征在于，当所述栅线包括第一栅线和第二栅线，所述数据写入单元包括栅极与所述第一栅线连接的第一数据写入晶体管和栅极与所述第二栅线连接的第二数据写入晶体管，所述第一数据写入晶体管为n型晶体管，所述第二数据写入晶体管为p型晶体管，并所述第一数据写入晶体管的阈值电压与所述第二数据写入晶体管的阈值电压的绝对值相等时，
所述在所述复位阶段，数据写入单元在所述栅线的控制下控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接步骤具体包括：
在所述复位阶段，第一栅线输出第一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极驱动信号的电位为低电压，所述第二栅极驱动信号的电位为高电压，以使得所述第一数据写入晶体管和所述第二数据写入晶体管关闭，控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接；
所述在发光阶段，在栅线的控制下，数据写入单元控制导通数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接步骤包括：
在所述发光阶段，第一栅线输出第一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极扫描信号的电位为所述高电压，以控制所述第一数据写入晶体管导通，所述第二栅极扫描信号的电位为低电压，以控制所述第二数据写入晶体管导通；
所述像素单元电路的驱动方法还包括：在每一显示周期，在所述发光元件结束后，所述第一栅线输出一栅极驱动信号，所述第二栅线输出第二栅极驱动信号，所述第一栅极扫描信号的电位为所述低电压，所述第二栅极扫描信号的电位为所述高电压，以使得所述第一数据写入晶体管和所述第二数据写入晶体管关闭，控制断开所述数据线与所述驱动晶体管的栅极之间的连接。
12.一种像素电路，其特征在于，包括多行栅线、多列数据线，以及多个阵列排布的如权利要求1至7中任一权利要求所述的像素单元电路；
位于同一行的所述像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的所述像素单元电路与同一列数据线连接。
13.如权利要求12所述的像素电路，其特征在于，当所述栅线包括第一栅线和第二栅线时，位于同一行的像素单元电路分别与同一行第一栅线和同一行第二栅线连接。
14.一种显示装置，其特征在于，包括多行栅线、多列数据线，以及多个阵列排布的如权利要求1至7中任一权利要求所述的像素单元电路；
位于同一行的所述像素单元电路与同一行栅线连接；
位于同一列的所述像素单元电路与同一列数据线连接。
15.如权利要求14所述的显示装置，其特征在于，还包括硅基板，所述多行栅线、多列数据线以及多个所述像素单元电路都设置于所述硅基板上。
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