JP2004157467A - アクティブ型発光表示パネルの駆動方法および駆動装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】ＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるアクティブ駆動型発光表示パネルの駆動装置において、逆バイアス電圧の印加に伴う前記ＥＬ素子の発光効率の低下等を補償できるようにすること。
【解決手段】１つの画素１０は、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、コンデンサＣ１ 、およびＥＬ素子Ｅ１ により構成されている。そして、スイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ を相互に切り換えることで、ＥＬ素子Ｅ１ に対する順方向電流の供給状態、および逆バイアス電圧の印加状態を選択することができる。この発明にかかるの１つの制御形態においては、逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行する時に、一方のスイッチを先に切り換えることで、ＥＬ素子Ｅ１ のアノードおよびカソード間を同電位にして電荷を放電させる。これにより、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に対する順方向電流の充電を迅速に行うことができ、ＥＬ素子の発光動作の立ち上げを早めることができる。
【選択図】 図２
【解決手段】１つの画素１０は、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、コンデンサＣ１ 、およびＥＬ素子Ｅ１ により構成されている。そして、スイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ を相互に切り換えることで、ＥＬ素子Ｅ１ に対する順方向電流の供給状態、および逆バイアス電圧の印加状態を選択することができる。この発明にかかるの１つの制御形態においては、逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行する時に、一方のスイッチを先に切り換えることで、ＥＬ素子Ｅ１ のアノードおよびカソード間を同電位にして電荷を放電させる。これにより、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に対する順方向電流の充電を迅速に行うことができ、ＥＬ素子の発光動作の立ち上げを早めることができる。
【選択図】 図２
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、画素を構成する発光素子をＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）によってアクティブ駆動させると共に、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる発光表示パネルの駆動装置に関し、特に逆バイアス電圧の印加に伴う前記発光素子の発光効率の低下等を補償できるようにしたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法および駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して構成される表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子を単にマトリクス状に配列した単純マトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列したＥＬ素子の各々に、ＴＦＴからなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。後者のアクティブマトリクス型表示パネルは、前者の単純マトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力を実現することができ、また画素間のクロストークが少ない等の特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。
【０００４】
図１は、従来のアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素１０に対応する最も基本的な回路構成の一例を示しており、これはコンダクタンスコントロール方式と呼ばれている。図１においてＮチャンネルで構成された制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートは、走査ドライバー１からの走査ラインに接続され、そのソースはデータドライバー２からのデータラインに接続されている。また制御用ＴＦＴのドレインは、Ｐチャンネルで構成された駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに接続されると共に、電荷保持用のコンデンサＣ１ の一方の端子に接続されている。
【０００５】
そして、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースは、前記コンデンサＣ１ の他方の端子に接続されると共に、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ に駆動電流を供給するアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続されている。また駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレインは前記ＥＬ素子Ｅ１ のアノードに接続され、当該ＥＬ素子のカソードはスイッチＳＷ１ を介してカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）が接続されている。なお、この図１に示した例においては、後で説明するようにＥＬ素子のカソードにはスイッチＳＷ１ を介して逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）が印加できるようにも構成されている。
【０００６】
図１に示す構成において、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートに走査ラインを介してオン制御電圧（Ｓｅｌｅｃｔ）が供給されると、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）はソースに供給されるデータラインからの電圧（Ｖｄａｔａ）に対応した電流を、ソースからドレインに流す。したがって、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートがオン電圧の期間に、前記コンデンサＣ１ が充電され、その電圧が駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートにゲート電圧として供給される。それ故、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、そのゲートとソース間電圧（Ｖｇｓ）に基づいた電流をＥＬ素子Ｅ１ に流し、ＥＬ素子を発光駆動させる。
【０００７】
ところで、前記した有機ＥＬ素子は、電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、これに並列に接続された静電容量（寄生容量）を有していることは周知のとおりであり、また、有機ＥＬ素子は前記ダイオード特性の順方向電流にほぼ比例した強度で発光することが知られている。さらに、前記ＥＬ素子には、発光に関与しない逆方向の電圧（逆バイアス電圧）を逐次印加することで、ＥＬ素子の寿命を延ばすことができることが経験的に知られている。
【０００８】
そこで、図１に示した構成においては、スイッチＳＷ１ を利用してＥＬ素子Ｅ１ に対して順方向または逆バイアス電圧を印加することができるように構成されている。すなわち、前記したアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）、カソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）、および逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）の電位関係は、ＶＨｂｂ＞ＶＨａｎｏｄ＞ＶＬｃａｔｈになされている。したがって、図１に示すスイッチＳＷ１ の状態においては、（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。また、図１に示すスイッチＳＷ１ が逆の方向に切り換えられた場合には、（ＶＨｂｂ−ＶＨａｎｏｄ）の値の逆バイアス電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。
【０００９】
図２にも同様にＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるように構成した従来例が示されており、この例もコンダクタンスコントロール方式を適用した場合を示している。なお、図２においては図１に基づいて説明した各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図２に示す例においては、第１および第２の切り換えスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ が備えられ、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ を切り換えることにより、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）とカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との接続関係を切り換えるように構成されている。
【００１０】
すなわち、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ が図に示す状態である場合には、（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。これによりＥＬ素子Ｅ１ に対して順方向電流を供給することができ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のオン動作によりＥＬ素子Ｅ１ を点灯状態にすることができる。また、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ が図とは逆の方向に切り換えられた場合には、同じく（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の逆バイアス電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。なお、前記ＶＬｃａｔｈを基準電位（グランド電圧）として用いた場合の構成が特許文献１に開示されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１６９５１０号公報（段落番号０００１，００１２および図２等）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機ＥＬ素子は電流発光型素子であるために、駆動用ＴＦＴは一般的に定電流駆動がなされる。そして、前記したとおりＥＬ素子は所定の寄生容量を有しており、さらにＥＬ素子は所定の発光閾値電圧以上になった時に、発光状態になされる。このために、ＥＬ素子に対して順方向に駆動電圧が印加されても、前記寄生容量に電荷が充電されて、発光閾値電圧に達するためには所定の時間が必要となる。また、前記したように定電流駆動がなされる関係で、そのインピーダンスが実質的に高く、前記したＥＬ素子の発光閾値電圧にまで立ち上がるには、なおさら時間を要することになる。
【００１３】
これに加えて、前記したようにＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を加える手段を採用した場合には、ＥＬ素子の前記寄生容量に対して、逆バイアス状態に電荷が蓄積されているために、順方向電圧を加えてからＥＬ素子が発光状態に至るまでの時間がさらにまた必要となる。このために、ＥＬ素子の点灯時間率が低下し、実質的に発光効率を落とすことになる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受けて、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も抱えることになる。
【００１４】
この発明は前記した技術的な問題点に着目してなされたものであり、前記したようにＴＦＴを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置、もしくはＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を加える手段を採用したアクティブ型発光表示パネルの駆動装置において、前記したような発光効率の低下、或いは階調のリニアリティーの悪化等が発生する問題を解消することができる発光表示パネルの駆動方法および駆動装置を提供することを課題とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる第１形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項１に記載のとおり、発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００１６】
また、この発明にかかる第１形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項２に記載のとおり、発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電手段を具備した構成とされる。
【００１７】
また、この発明にかかる第２形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項３に記載のとおり、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え動作を実行し、前記選択スイッチを介して発光素子の寄生容量に対して、充電動作を行う点に特徴を有する。
【００１８】
また、この発明にかかる第２形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項４に記載のとおり、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え作用に基づいて、前記発光素子の寄生容量に対して充電を行う充電手段を具備した構成とされる。
【００１９】
また、この発明にかかる第３形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項５に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流す充電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００２０】
また、この発明にかかる第３形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項６に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行する充電用電源を具備した構成とされる。
【００２１】
また、この発明にかかる第４形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項７に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００２２】
また、この発明にかかる第４形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項８に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電制御手段を具備した構成とされる。
【００２３】
また、この発明にかかる第５形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項９に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００２４】
さらに、この発明にかかる第５形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項１０に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパスすることで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行うバイパス制御手段を具備した構成とされる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、第１ないし第５の形態に別けて、それぞれの特徴点について説明する。まず、この発明にかかる駆動装置の第１形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００２６】
そして、この発明にかかる駆動装置の第１形態における第１実施例においては、図２に示したように、第１および第２の切り換えスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ を備え、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ を切り換えることにより、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）とカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との接続関係を切り換えるように構成した例に適用される。なお、以下に示す各図においては、すでに説明した各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって個々の機能および動作については適宜説明を省略する。
【００２７】
なお、この発明にかかる駆動装置の第１形態については、図２に示したようにコンダクタンスコントロール方式による駆動手段を利用したものに適用されるだけでなく、例えば図３に示したデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素１０を備えた発光表示パネルも好適に利用することができる。さらに、この発明にかかる駆動装置の第１形態における第１実施例は、後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００２８】
なお、図３に示した３ＴＦＴ方式の画素１０を備えた構成においては、図２に示した構成に対して消去用ＴＦＴ（Ｔｒ３）が備えられており、ＥＬ素子Ｅ１ の点灯期間の途中において、この消去用ＴＦＴ（Ｔｒ３）をオン動作させることで、コンデンサＣ１ の電荷を放電させることができる。これにより、ＥＬ素子Ｅ１ の点灯期間を制御することができ、デジタル的に階調表現を行うことを可能にしている。
【００２９】
図２および図３における第１および第２スイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ の切り換え動作タイミングが図４に示されている。図４に示すｔ１ に至る前の点灯状態においては、第２スイッチＳＷ２ はアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続されている。これを図４においては、記号“Ｈ”で示している。また、同じくｔ１ に至る前の点灯状態においては、第１スイッチＳＷ１ はカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続されている。これを図４においては、記号“Ｌ”で示している。
【００３０】
したがって、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ とを含む直列回路の電位差を画素部電圧と称呼した場合、この時の画素部電圧は、図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が印加されることになり、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴに依存して点灯可能な状態になされている。なお、図４においては、この状態を単に「点灯」と標記している。
【００３１】
一方、図４に示すｔ１ に達した場合には、前記第２スイッチＳＷ２ はカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続され、第１スイッチＳＷ１ はアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続される。これにより、画素部電圧は図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の逆方向電圧が印加されることになり、前記ＥＬ素子Ｅ１ には駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して、逆バイアス電圧が印加されることになる。なお、図４においては、この状態を単に「逆バイ」と標記している。この逆バイアス電圧の印加により前記ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。
【００３２】
続いて図４に示すｔ２ に達した場合には、第２スイッチＳＷ２ のみが切り換えられて、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続される。これにより、第１および第２スイッチは、共にアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続され、画素部電圧は図４に示したようにゼロ電圧、すなわち同電位の状態となる。したがって、前記ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して放電される。なお、図４においては、この状態を単に「放電」と標記している。換言すれば、前記第１および第２スイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ と、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）およびカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との組み合わせにより、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段を構成している。
【００３３】
前記した放電動作の後のｔ３ において、第１スイッチＳＷ１ のみが切り換えられて、カソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続される。これにより、画素部電圧は図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧になされ、再びＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００３４】
前記した動作によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、ＥＬ素子のアノードとカソードとを駆動用ＴＦＴを介して同電位に設定することで、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させることができる。したがって、ＥＬ素子に順方向バイアスを加えた場合には、寄生容量に対して即座に順方向バイアスに基づく電荷の蓄積を開始させることができる。
【００３５】
すなわち、前記ＥＬ素子の寄生容量に逆バイアス状態の電荷が蓄積されているままで、順方向バイアスを加える場合に比較すると、ＥＬ素子の発光の立ち上げを遥かに早めることができる。それ故、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００３６】
次に図５は、この発明にかかる駆動装置の第１形態の第２実施例について説明するものである。この図５においては駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、ＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略されている。この図５に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００３７】
図５に示す第１形態の第２実施例においては、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に配置されたスイッチＳＷ１ が、３入力セレクト（選択）スイッチを構成している。そして、ＥＬ素子Ｅ１ のアノードとカソード間にはスイッチＳＷ３ が接続されている。すなわち、スイッチＳＷ３ をオンさせることによりＥＬ素子Ｅ１ のアノードとカソードとを同電位の状態とすることができる。なお、図５に示すスイッチＳＷ３ は、好ましくはＴＦＴにより構成される。
【００３８】
図５に示す状態においては、スイッチＳＷ１ はＶＬｃａｔｈを選択しており、したがって、画素部には順方向電圧が供給される。この時、前記スイッチＳＷ３ はオフ状態に制御される。続いてスイッチＳＷ１ がＶＨｂｂを選択することにより、画素部には逆バイアス電圧が供給される。この時も、前記スイッチＳＷ３ はオフ状態に制御される。この逆バイアス電圧の印加により、前記したとおりＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積される。
【００３９】
これに続いて、前記スイッチＳＷ１ は空端子、すなわちハイインピーダンスを選択し、この時スイッチＳＷ３ をオン状態に制御する。したがって、この時ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧に基づく電荷がスイッチＳＷ３ を介して放電される。そして、前記放電動作の終了後にスイッチＳＷ３ はオフ状態になされ、スイッチＳＷ１ は図５に示すＶＬｃａｔｈを選択する状態になされる。したがって、画素部には再び順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００４０】
この図５に示したセレクトスイッチＳＷ１ の切り換え動作に連動する前記スイッチＳＷ３ は、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段を構成している。したがって、図５に示す構成においても、図２ないし図４に基づいて説明した第１形態の第１実施例と同様の効果を得ることができる。なお、図５に示した構成においては、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に３入力セレクトスイッチＳＷ１ を備えているが、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側を固定電源とし、ＥＬ素子Ｅ１ のアノード側、すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介した駆動用ＴＦＴのソースに３入力セレクトスイッチを配置しても、同様の作用効果をもたらすことができる。
【００４１】
次に図６は、この発明にかかる駆動装置の第２形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第２形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え動作を実行し、前記選択スイッチを介して発光素子の寄生容量に対して、充電動作を行なわせる点に特徴を有する。
【００４２】
この図６に示す第２形態においても、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略されている。そして、この図６に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００４３】
図６に示す第２形態においても、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に配置されたスイッチＳＷ１ が、３入力セレクト（選択）スイッチを構成しており、これにより３つの異なった電位レベルを選択できるように構成されている。すなわち、スイッチＳＷ１ は図６に示すようにＶ４ ，Ｖ１ ，Ｖ３ の各電位レベルを択一的に選択できるように構成されている。一方、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース側にはＶ２ として示す電位レベルが印加されている。そして、図６に示す各電位レベルは、Ｖ１ ＞Ｖ２ ≧Ｖ３ ＞Ｖ４ の関係になされている。
【００４４】
すなわち、ここではＶ２ として示す電位レベルは、図１に示すアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に相当するものである。またＶ４ として示す電位レベルはカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に相当するものであり、さらに、Ｖ１ として示す電位レベルは逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）に相当する。そして、図６に示す状態においてはスイッチＳＷ１ はＶ４ として示す電位レベルを選択しており、この状態によると画素部には順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされている。
【００４５】
図６に示す状態からスイッチＳＷ１ は、Ｖ１ として示す電位レベルを選択する。これにより、画素部には逆バイアス電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。続いてスイッチＳＷ１ は、Ｖ３ として示す電位レベルを選択する。ここで、Ｖ２ ＝Ｖ３ である場合には画素部電圧はゼロ電圧、すなわち同電位の状態となる。したがって、前記ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して放電される。
【００４６】
またＶ２ ＞Ｖ３ である場合には、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は放電されると同時に、若干順方向にプリチャージされる作用を受ける。続いて、スイッチＳＷ１ は図６に示す状態に切り換えられる。これにより、画素部電圧は順方向電圧になされ、再びＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００４７】
図６に示す構成によると、特にＶ２ ≧Ｖ３ の関係になされた電源とスイッチＳＷ１ の選択順序により、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段、またはＥＬ素子の寄生容量に対して若干順方向電圧を充電させるプリチャージ手段を構成している。したがって、図６に示す構成においても、前記した第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
なお、図６に示す実施例においては、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に３入力セレクトスイッチＳＷ１ を備えているが、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側を固定電源とし、ＥＬ素子Ｅ１ のアノード側、すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介した駆動用ＴＦＴのソースに３入力セレクトスイッチを配置しても、同様の作用効果をもたらすことができる。
【００４９】
次に図７は、この発明にかかる駆動装置の第３形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第３形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流す充電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００５０】
この図７においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、ＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略している。そして、この図７に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００５１】
図７に示す第３形態の駆動装置においては、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ と駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）との接続点より、前記ＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行することができる充電用電源Ｖ５ が用意されている。この場合、充電用電源Ｖ５ は定電圧電源として構成されており、スイッチＳＷ４ を介してＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するように作用する。
【００５２】
すなわち、図７に示す状態においては、スイッチＳＷ１ はＶＬｃａｔｈを選択しており、したがって、画素部には順方向電圧が供給される。この時、前記スイッチＳＷ４ はオフ状態に制御される。続いてスイッチＳＷ１ がＶＨｂｂを選択することにより、画素部には逆バイアス電圧が供給される。この時も、前記スイッチＳＷ４ はオフ状態に制御される。この逆バイアス電圧の印加により、前記したとおりＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積される。
【００５３】
これに続いて、前記スイッチＳＷ１ は図７に示す元の状態、すなわち順方向バイアスの状態に復帰する。これと同時にスイッチＳＷ４ はオン状態に制御される。したがって、この時ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積されているものの、スイッチＳＷ４ を介して供給される充電用電源Ｖ５ の電圧が前記寄生容量に対して順方向に供給されるため、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、即座に充電用電源Ｖ５ による順方向電圧がチャージされる。前記したとおり、充電用電源Ｖ５ は定電圧電源として構成されているので、前記した順方向へのチャージ動作は瞬時にして行われる。
【００５４】
そして、所定の時間（前記チャージ動作が完了されるまでの時間）が経過後に、スイッチＳＷ４ はオフ状態になされる。したがって、画素部には再び順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００５５】
この図７に示したこの発明にかかる第３形態の駆動装置によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、ＥＬ素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、ＥＬ素子の寄生容量に対して充電用電源から電流を順方向に流す充電動作を実行するようになされるので、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を即座に放電させと共に、ＥＬ素子の寄生容量に対して瞬時に順方向バイアスに基づく電荷を蓄積させることができる。
【００５６】
これにより、ＥＬ素子の発光の立ち上げを早めることができ、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００５７】
なお、図７に示した実施例においては、スイッチＳＷ４ に代えて例えばダイオードを図に示す方向に接続することも効果的である。すなわち、図７に示すように画素に順方向電圧を印加し、ＥＬ素子の寄生容量に順方向電圧が充電された時のアノード電圧レベルと、前記充電用電源Ｖ５ の電圧レベルとがほぼ等しい程度に設定することで、前記ダイオードをその閾値電圧により自動的にオフ状態に制御することができる。このような構成にした場合、前記スイッチＳＷ４ をオン・オフ制御する制御ロジックおよび制御ラインを格別に備える必要がなくなる。
【００５８】
次に図８〜図１６は、この発明にかかる駆動装置における第４形態を説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第４形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００５９】
まず、図８はこの発明にかかる駆動装置における第４形態の基本構成を示すものであり、図９はその基本動作を説明するタイミングチャートである。なお、この図８においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略されている。図９に示すようにｔ１ に達する以前の点灯状態においては、図８に示すスイッチＳＷ１ は図の状態になされ、画素部電圧は順方向の状態になされている。そしてｔ１ に至った場合にはスイッチＳＷ１ はＶＨｂｂ側に切り換えられ、これにより、画素部電圧は逆方向電圧、すなわち逆バイアス状態になされる。
【００６０】
この時、図８に示す実施の形態においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに対して、ＶＨａｎｏｄと同しレベルの電圧を印加するように構成されている。すなわち、コンデンサＣ１ の両端電圧をＶＣｇａｔ とした時、ＶＣｇａｔ は電圧ゼロの状態（同電位）とする操作がなされる。一方、この状態でＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。
【００６１】
そして、ｔ２ に達した場合にはスイッチＳＷ１ は図８に示す状態に復帰し、画素部電圧は順方向電圧の状態になされる。この時、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートには、駆動用ＴＦＴをオン状態にするに十分なバイアス電圧が供給される。すなわち、図９に示すようにＶＣｇａｔ は「ゼロ充電電圧」の値に設定される。これにより、瞬時の期間（図９に示す充電期間）において、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介してＥＬ素子Ｅ１ に、その点灯状態よりも大きな順方向電流が流れ、これによりＥＬ素子の寄生容量には、瞬時にして順方向電流による電荷が蓄積される。そして、ｔ３ に至った場合において、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに加える電圧は、ＥＬ素子Ｅ１ に所定の定電流を流すための予め設定された点灯電圧になされる。
【００６２】
図８の構成および図９に示した制御態様によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、ＥＬ素子の点灯動作時よりも大きな電流でＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようになされる。したがって、ＥＬ素子の発光の立ち上げを早めることができ、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００６３】
図１０は図８および図９に基づいて基本形態を説明したこの発明にかかる駆動装置における第４形態の第１実施例を示すものであり、図１１はこの場合のより詳細な動作を説明するタイミングチャートである。なお、図１０において、スイッチＳＷ５ は図１に示した構成における制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）を等価的に示したものであり、この場合においては、図１０はコンダクタンスコントロール方式による画素構成になされていると言うことができる。
【００６４】
そして、図１０に示す構成においては、データドライバーからもたらされるＶｄａｔａは、図１１に示すように逆バイアス電圧の印加期間、順方向電流の充電期間、およびこれに続く点灯期間の各頭初のタイミングにおいて、それぞれ逆バイアスデータ電圧、充電データ電圧、点灯データ電圧をもたらすように成される。そして、これらの各データ電圧の到来時においてスイッチＳＷ５ はオン状態になされ、各データ電圧に基づいて書き込み動作がなされる。なお、図１１に示すＶＣｇａｔ および画素部電圧の設定動作パターンについては、すでに説明した図９に示すパターンと同様である。
【００６５】
なお、前記した図１０に示すコンダクタンスコントロール方式による画素構成に代えて、図３に示したデジタル階調駆動を実現する３ＴＦＴ方式を採用することができる。この場合においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００６６】
また、図１２はこの発明にかかる第４形態の第２実施例を示すものであり、この図１２に示す画素構成は電圧プログラミング方式と呼ばれている。この電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレインと、ＥＬ素子Ｅ１ のアノードとの間にスイッチＳＷ７ が直列接続されている。また、電荷保持用のコンデンサＣ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとソース間に接続され、スイッチＳＷ６ が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとドレイン間に接続されている。加えてこの電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに対して、データラインよりスイッチＳＷ８ およびコンデンサＣ２ を介してデータ信号が供給されるように構成されている。
【００６７】
前記した電圧プログラミング方式においては、スイッチＳＷ６ およびスイッチＳＷ７ がオンされ、これに伴い駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のオン状態が確保される。次の瞬間にスイッチＳＷ７ がオフされることにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレイン電流はスイッチＳＷ６ を介して駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに回り込む。これにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲート・ソース間電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のスレッショルド電圧に等しくなるまで、ゲート・ソース間電圧が押し上げられ、この時点でスイッチＳＷ６ はオフされる。
【００６８】
そして、この時のゲート・ソース間電圧がコンデンサＣ１ に保持され、このコンデンサ電圧によってＥＬ素子Ｅ１ の駆動電流が制御される。すなわち、この電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）におけるスレッショルド電圧のばらつきを補償するように作用する。この図１２に示した電圧プログラミング方式による駆動手段を利用した構成においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００６９】
さらに、図１３はこの発明にかかる第４形態の第３実施例を示すものであり、この図１３に示す構成は、ここではスレッショルド電圧補正方式と呼ぶことにする。この図１３に示したスレッショルド電圧補正方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に対してＥＬ素子Ｅ１ が直列接続され、また駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲート・ソース間に電荷保持用のコンデンサＣ１ が接続されている。すなわち、この基本構成においては、図１に示した構成と同等である。
【００７０】
一方、図１３に示す構成においては、データラインに接続されるスイッチＳＷ９ （これは制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）と等価）と駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとの間にはＴＦＴ（Ｔｒ４）とダイオードＤ１ との並列接続体が挿入されている。なお、前記ＴＦＴ（Ｔｒ４）はそのゲート・ドレイン間は短絡状態に構成されており、したがって、これはスイッチＳＷ９ から駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに向かってスレッショルド特性を与える素子として機能する。
【００７１】
この構成によると、１つの画素内に形成された互いのＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ４）におけるスレッショルド特性は非常に近似した特性になされるので、そのスレッショルド特性を効果的にキャンセルさせることができる。この図１３に示したスレッショルド電圧補正方式を利用した構成においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００７２】
また、図１４はこの発明にかかる第４形態の第４実施例を示すものであり、この図１４に示す構成は、いわゆるカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段の例を示したものであり、これはカレントミラー動作により電荷保持用コンデンサＣ１ へのデータ書き込み処理、並びにＥＬ素子Ｅ１ の点灯駆動動作がなされるように構成されている。
【００７３】
すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）にゲートが共通接続されたＴＦＴ（Ｔｒ５）が対称的に備えられており、両ＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ５）のゲートとソース間に電荷保持用のコンデンサＣ１ が接続されている。
【００７４】
また、前記ＴＦＴ（Ｔｒ５）のゲートとドレイン間にはスイッチＳＷ１０が接続されており、このスイッチＳＷ１０のオン動作により、両ＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ５）はカレントミラーとして機能する。すなわち、スイッチＳＷ１０のオン動作と共にスイッチＳＷ１１もオン動作されるように構成されており、これにより、スイッチＳＷ１１を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ が接続されるように構成されている。
【００７５】
これにより、例えばアドレス期間においてはＶＨａｎｏｄの電源から、ＴＦＴ（ＴＲ５）、スイッチＳＷ１１を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ に流れる電流経路が形成される。またカレントミラーの作用により、電流源Ｉｃｏｎ に流れる電流に対応した電流が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介してＥＬ素子Ｅ１ に対して供給される。前記した動作によりコンデンサＣ１ には書き込み用電流源Ｉｃｏｎ に流れる電流値に対応したＴＦＴ（Ｔｒ５）のゲート電圧が書き込まれる。そして、コンデンサＣ１ に所定の電圧値が書き込まれた後には、スイッチＳＷ１０はオフ状態になされ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、コンデンサＣ１ に蓄積された電荷に基づいて所定の電流をＥＬ素子Ｅ１ に供給するように作用し、これにより、ＥＬ素子Ｅ１ は発光駆動される。
【００７６】
図１５は、前記したカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段においてなされる動作タイミングを示したものである。この図１５に示す動作タイミングは、すでに説明した図１１とほぼ同様になされる。ただし、前記したカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段は電流書き込み型として動作する。したがって、電流源Ｉｃｏｎ によってもたらされるデータ電流Ｉｄａｔａによって書き込み動作がなされる。
【００７７】
そして、電流源Ｉｃｏｎ にからもたらされるＩｄａｔａは、図１５に示すように逆バイアス電圧の印加期間、順方向電流の充電期間、およびこれに続く点灯期間の各頭初のタイミングにおいて、それぞれ逆バイアスデータ電流、充電データ電流、点灯データ電流をもたらすように成される。そして、これらの各データ電流の到来時ごとにスイッチＳＷ１０はオン状態になされ、各データ電流に基づいて書き込み動作がなされる。このような図１５に示した駆動動作を採用することにより、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができ、また階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００７８】
また、図１６はこの発明にかかる第４形態の第５実施例を示すものであり、この図１６は、電流プログラミング方式によるＥＬ素子の駆動手段の例を示したものである。この電流プログラミング方式においては、陽極側電源（ＶＨａｎｏｄ）と陰極側電源（ＶＬｃａｔｈ）との間にスイッチＳＷ１３、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）およびＥＬ素子Ｅ１ の直列回路が挿入された構成とされている。また、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースとゲート間に電荷保持用のコンデンサＣ１ が接続され、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとドレインとの間にはスイッチＳＷ１２が接続されている。さらに駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースにはスイッチＳＷ１４を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ が接続されている。
【００７９】
図１６に示した構成においては、各スイッチＳＷ１２，ＳＷ１４がオン状態になされることにより駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）もオンされ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ からの電流が流れる。この時、書き込み用電流源Ｉｃｏｎ からの電流に対応した電圧がコンデンサＣ１ に保持される。
【００８０】
一方、ＥＬ素子の発光動作時にはスイッチＳＷ１２，ＳＷ１４は、共にオフ状態になされ、スイッチＳＷ１３がオンされる。これにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース側に、陽極側電源（ＶＨａｎｏｄ）が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ の陰極には陰極側電源（ＶＬｃａｔｈ）が印加される。駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレイン電流は、前記コンデンサＣ１ に保持された電荷によって決定され、ＥＬ素子の階調制御がなされる。
【００８１】
この図１６に示した電流プログラミング方式による駆動手段を利用した構成においても図１５に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００８２】
以上説明した図８〜図１６に示すこの発明の第４形態にかかる駆動装置によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、ＥＬ素子の点灯動作時よりも大きな電流でＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段が具備される。したがって、前記したようにＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができると共に、階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることに寄与できる。
【００８３】
次に図１７は、この発明にかかる駆動装置の第５形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第５形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子に直列接続された駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００８４】
この図１７においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略して示している。そして、この図１７に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を好適に採用することができ、さらにはすでに説明した電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００８５】
図１７に示す第５形態の駆動装置においては、Ｐチャンネルで構成された駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース・ドレインの各々に対して、Ｎチャンネルで構成されたＴＦＴ（Ｔｒ６）のソース・ドレインの各々が並列状態に接続されている。そして、特に図示はしていないが、Ｎチャンネルで構成されたＴＦＴ（Ｔｒ６）のゲートには、所定のバイアス電圧（定電圧）が供給されるように構成されている。すなわち、ＴＦＴ（Ｔｒ６）は定電流動作する駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）をバイパスして定電圧駆動するバイパス制御手段を構成している。
【００８６】
図１７に示す構成において、図に示すスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ の状態でＥＬ素子Ｅ１ に対して順方向電流が供給され、またスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ が図とは逆の状態に切り換えられた時、ＥＬ素子Ｅ１ に対して逆バイアス電圧が供給されることは、すでに説明したとおりである。この図１７に示す実施の形態によると、逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行し、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に対する順方向電圧の電荷の充電量が少ない状態においては、前記ＴＦＴ（Ｔｒ６）をバイパスして、前記寄生容量に対して急速に電荷を蓄積させる充電動作が実行される。したがって、ＥＬ素子を急速に発光状態に立ち上げることができる。
【００８７】
一方、ＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に所定の充電動作がなされた場合には、ＴＦＴ（Ｔｒ６）のソース電位が上昇するため、Ｎチャンネルにより構成された前記ＴＦＴ（Ｔｒ６）は自動的にカットオフ状態に移行し、前記したバイパス動作は停止される。
【００８８】
この図１７に示した第５形態の駆動装置においても、同様にＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができると共に、階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることに寄与できる。
【００８９】
なお、以上説明した各実施例は、共にＥＬ素子に対して逆バスアス電圧を印加することができる電源構成にされているが、この発明はこれに限らず、アクティブ駆動される画素構成を備えた表示パネルに適用することで、ＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができるものであり、同様に階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素構成例を示した結線図である。
【図２】同じく発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる他の構成例を示した結線図である。
【図３】デジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成例を示した結線図である。
【図４】この発明にかかる駆動装置における第１形態の第１実施例を説明するタイミングチャートである。
【図５】同じく第１形態の第２実施例を示す結線図である。
【図６】同じく第２形態の実施例を示す結線図である。
【図７】同じく第３形態の実施例を示す結線図である。
【図８】同じく第４形態の基本構成例を示す結線図である。
【図９】図８に示す基本構成例における動作を説明するタイミングチャートである。
【図１０】この発明にかかる駆動装置における第４形態の第１実施例を示す結線図である。
【図１１】図１０に示す構成例における動作を説明するタイミングチャートである。
【図１２】この発明にかかる駆動装置における第４形態の第２実施例を示す結線図である。
【図１３】同じく第４形態の第３実施例を示す結線図である。
【図１４】同じく第４形態の第４実施例を示す結線図である。
【図１５】図１４に示す構成例における動作を説明するタイミングチャートである。
【図１６】この発明にかかる駆動装置における第４形態の第５実施例を示す結線図である。
【図１７】同じく第５形態の実施例を示す結線図である。
【符号の説明】
１ 走査ドライバー
２ データドライバー
１０ 画素
Ｃ１ コンデンサ
Ｄ１ ダイオード
Ｅ１ 発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｉｃｏｎ 書き込み用電流源
ＳＷ１ 〜ＳＷ１４ スイッチ
Ｔｒ１ 制御用ＴＦＴ
Ｔｒ２ 駆動用ＴＦＴ
Ｔｒ３〜Ｔｒ６ ＴＦＴ
【発明の属する技術分野】
この発明は、画素を構成する発光素子をＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）によってアクティブ駆動させると共に、前記発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる発光表示パネルの駆動装置に関し、特に逆バイアス電圧の印加に伴う前記発光素子の発光効率の低下等を補償できるようにしたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法および駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子をマトリクス状に配列して構成される表示パネルを用いたディスプレイの開発が広く進められている。このような表示パネルに用いられる発光素子として、有機材料を発光層に用いた有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されている。これはＥＬ素子の発光層に、良好な発光特性を期待することができる有機化合物を使用することによって、実用に耐えうる高効率化および長寿命化が進んだことも背景にある。
【０００３】
かかる有機ＥＬ素子を用いた表示パネルとして、ＥＬ素子を単にマトリクス状に配列した単純マトリクス型表示パネルと、マトリクス状に配列したＥＬ素子の各々に、ＴＦＴからなる能動素子を加えたアクティブマトリクス型表示パネルが提案されている。後者のアクティブマトリクス型表示パネルは、前者の単純マトリクス型表示パネルに比べて、低消費電力を実現することができ、また画素間のクロストークが少ない等の特質を備えており、特に大画面を構成する高精細度のディスプレイに適している。
【０００４】
図１は、従来のアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素１０に対応する最も基本的な回路構成の一例を示しており、これはコンダクタンスコントロール方式と呼ばれている。図１においてＮチャンネルで構成された制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートは、走査ドライバー１からの走査ラインに接続され、そのソースはデータドライバー２からのデータラインに接続されている。また制御用ＴＦＴのドレインは、Ｐチャンネルで構成された駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに接続されると共に、電荷保持用のコンデンサＣ１ の一方の端子に接続されている。
【０００５】
そして、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースは、前記コンデンサＣ１ の他方の端子に接続されると共に、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ に駆動電流を供給するアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続されている。また駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレインは前記ＥＬ素子Ｅ１ のアノードに接続され、当該ＥＬ素子のカソードはスイッチＳＷ１ を介してカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）が接続されている。なお、この図１に示した例においては、後で説明するようにＥＬ素子のカソードにはスイッチＳＷ１ を介して逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）が印加できるようにも構成されている。
【０００６】
図１に示す構成において、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートに走査ラインを介してオン制御電圧（Ｓｅｌｅｃｔ）が供給されると、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）はソースに供給されるデータラインからの電圧（Ｖｄａｔａ）に対応した電流を、ソースからドレインに流す。したがって、制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）のゲートがオン電圧の期間に、前記コンデンサＣ１ が充電され、その電圧が駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートにゲート電圧として供給される。それ故、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、そのゲートとソース間電圧（Ｖｇｓ）に基づいた電流をＥＬ素子Ｅ１ に流し、ＥＬ素子を発光駆動させる。
【０００７】
ところで、前記した有機ＥＬ素子は、電気的にはダイオード特性を有する発光エレメントと、これに並列に接続された静電容量（寄生容量）を有していることは周知のとおりであり、また、有機ＥＬ素子は前記ダイオード特性の順方向電流にほぼ比例した強度で発光することが知られている。さらに、前記ＥＬ素子には、発光に関与しない逆方向の電圧（逆バイアス電圧）を逐次印加することで、ＥＬ素子の寿命を延ばすことができることが経験的に知られている。
【０００８】
そこで、図１に示した構成においては、スイッチＳＷ１ を利用してＥＬ素子Ｅ１ に対して順方向または逆バイアス電圧を印加することができるように構成されている。すなわち、前記したアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）、カソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）、および逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）の電位関係は、ＶＨｂｂ＞ＶＨａｎｏｄ＞ＶＬｃａｔｈになされている。したがって、図１に示すスイッチＳＷ１ の状態においては、（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。また、図１に示すスイッチＳＷ１ が逆の方向に切り換えられた場合には、（ＶＨｂｂ−ＶＨａｎｏｄ）の値の逆バイアス電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。
【０００９】
図２にも同様にＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるように構成した従来例が示されており、この例もコンダクタンスコントロール方式を適用した場合を示している。なお、図２においては図１に基づいて説明した各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって、個々の説明は省略する。この図２に示す例においては、第１および第２の切り換えスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ が備えられ、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ を切り換えることにより、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）とカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との接続関係を切り換えるように構成されている。
【００１０】
すなわち、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ が図に示す状態である場合には、（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。これによりＥＬ素子Ｅ１ に対して順方向電流を供給することができ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のオン動作によりＥＬ素子Ｅ１ を点灯状態にすることができる。また、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ が図とは逆の方向に切り換えられた場合には、同じく（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の逆バイアス電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ の直列回路に供給される。なお、前記ＶＬｃａｔｈを基準電位（グランド電圧）として用いた場合の構成が特許文献１に開示されている。
【００１１】
【特許文献１】
特開２００２−１６９５１０号公報（段落番号０００１，００１２および図２等）
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、有機ＥＬ素子は電流発光型素子であるために、駆動用ＴＦＴは一般的に定電流駆動がなされる。そして、前記したとおりＥＬ素子は所定の寄生容量を有しており、さらにＥＬ素子は所定の発光閾値電圧以上になった時に、発光状態になされる。このために、ＥＬ素子に対して順方向に駆動電圧が印加されても、前記寄生容量に電荷が充電されて、発光閾値電圧に達するためには所定の時間が必要となる。また、前記したように定電流駆動がなされる関係で、そのインピーダンスが実質的に高く、前記したＥＬ素子の発光閾値電圧にまで立ち上がるには、なおさら時間を要することになる。
【００１３】
これに加えて、前記したようにＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を加える手段を採用した場合には、ＥＬ素子の前記寄生容量に対して、逆バイアス状態に電荷が蓄積されているために、順方向電圧を加えてからＥＬ素子が発光状態に至るまでの時間がさらにまた必要となる。このために、ＥＬ素子の点灯時間率が低下し、実質的に発光効率を落とすことになる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受けて、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も抱えることになる。
【００１４】
この発明は前記した技術的な問題点に着目してなされたものであり、前記したようにＴＦＴを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置、もしくはＥＬ素子に対して逆バイアス電圧を加える手段を採用したアクティブ型発光表示パネルの駆動装置において、前記したような発光効率の低下、或いは階調のリニアリティーの悪化等が発生する問題を解消することができる発光表示パネルの駆動方法および駆動装置を提供することを課題とするものである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる第１形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項１に記載のとおり、発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００１６】
また、この発明にかかる第１形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項２に記載のとおり、発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電手段を具備した構成とされる。
【００１７】
また、この発明にかかる第２形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項３に記載のとおり、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え動作を実行し、前記選択スイッチを介して発光素子の寄生容量に対して、充電動作を行う点に特徴を有する。
【００１８】
また、この発明にかかる第２形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項４に記載のとおり、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え作用に基づいて、前記発光素子の寄生容量に対して充電を行う充電手段を具備した構成とされる。
【００１９】
また、この発明にかかる第３形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項５に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流す充電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００２０】
また、この発明にかかる第３形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項６に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行する充電用電源を具備した構成とされる。
【００２１】
また、この発明にかかる第４形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項７に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００２２】
また、この発明にかかる第４形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項８に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電制御手段を具備した構成とされる。
【００２３】
また、この発明にかかる第５形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動方法は、請求項９に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようにした点に特徴を有する。
【００２４】
さらに、この発明にかかる第５形態のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置は、請求項１０に記載のとおり、前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパスすることで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行うバイパス制御手段を具備した構成とされる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下、この発明にかかる発光表示パネルの駆動装置について、第１ないし第５の形態に別けて、それぞれの特徴点について説明する。まず、この発明にかかる駆動装置の第１形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００２６】
そして、この発明にかかる駆動装置の第１形態における第１実施例においては、図２に示したように、第１および第２の切り換えスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ を備え、スイッチＳＷ１ およびＳＷ２ を切り換えることにより、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）とカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との接続関係を切り換えるように構成した例に適用される。なお、以下に示す各図においては、すでに説明した各部に相当する部分を同一符号で示しており、したがって個々の機能および動作については適宜説明を省略する。
【００２７】
なお、この発明にかかる駆動装置の第１形態については、図２に示したようにコンダクタンスコントロール方式による駆動手段を利用したものに適用されるだけでなく、例えば図３に示したデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素１０を備えた発光表示パネルも好適に利用することができる。さらに、この発明にかかる駆動装置の第１形態における第１実施例は、後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００２８】
なお、図３に示した３ＴＦＴ方式の画素１０を備えた構成においては、図２に示した構成に対して消去用ＴＦＴ（Ｔｒ３）が備えられており、ＥＬ素子Ｅ１ の点灯期間の途中において、この消去用ＴＦＴ（Ｔｒ３）をオン動作させることで、コンデンサＣ１ の電荷を放電させることができる。これにより、ＥＬ素子Ｅ１ の点灯期間を制御することができ、デジタル的に階調表現を行うことを可能にしている。
【００２９】
図２および図３における第１および第２スイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ の切り換え動作タイミングが図４に示されている。図４に示すｔ１ に至る前の点灯状態においては、第２スイッチＳＷ２ はアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続されている。これを図４においては、記号“Ｈ”で示している。また、同じくｔ１ に至る前の点灯状態においては、第１スイッチＳＷ１ はカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続されている。これを図４においては、記号“Ｌ”で示している。
【００３０】
したがって、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）とＥＬ素子Ｅ１ とを含む直列回路の電位差を画素部電圧と称呼した場合、この時の画素部電圧は、図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧が印加されることになり、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴに依存して点灯可能な状態になされている。なお、図４においては、この状態を単に「点灯」と標記している。
【００３１】
一方、図４に示すｔ１ に達した場合には、前記第２スイッチＳＷ２ はカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続され、第１スイッチＳＷ１ はアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続される。これにより、画素部電圧は図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の逆方向電圧が印加されることになり、前記ＥＬ素子Ｅ１ には駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して、逆バイアス電圧が印加されることになる。なお、図４においては、この状態を単に「逆バイ」と標記している。この逆バイアス電圧の印加により前記ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。
【００３２】
続いて図４に示すｔ２ に達した場合には、第２スイッチＳＷ２ のみが切り換えられて、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続される。これにより、第１および第２スイッチは、共にアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に接続され、画素部電圧は図４に示したようにゼロ電圧、すなわち同電位の状態となる。したがって、前記ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して放電される。なお、図４においては、この状態を単に「放電」と標記している。換言すれば、前記第１および第２スイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ と、アノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）およびカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）との組み合わせにより、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段を構成している。
【００３３】
前記した放電動作の後のｔ３ において、第１スイッチＳＷ１ のみが切り換えられて、カソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に接続される。これにより、画素部電圧は図４に示したように（ＶＨａｎｏｄ−ＶＬｃａｔｈ）の値の順方向電圧になされ、再びＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００３４】
前記した動作によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、ＥＬ素子のアノードとカソードとを駆動用ＴＦＴを介して同電位に設定することで、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させることができる。したがって、ＥＬ素子に順方向バイアスを加えた場合には、寄生容量に対して即座に順方向バイアスに基づく電荷の蓄積を開始させることができる。
【００３５】
すなわち、前記ＥＬ素子の寄生容量に逆バイアス状態の電荷が蓄積されているままで、順方向バイアスを加える場合に比較すると、ＥＬ素子の発光の立ち上げを遥かに早めることができる。それ故、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００３６】
次に図５は、この発明にかかる駆動装置の第１形態の第２実施例について説明するものである。この図５においては駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、ＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略されている。この図５に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００３７】
図５に示す第１形態の第２実施例においては、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に配置されたスイッチＳＷ１ が、３入力セレクト（選択）スイッチを構成している。そして、ＥＬ素子Ｅ１ のアノードとカソード間にはスイッチＳＷ３ が接続されている。すなわち、スイッチＳＷ３ をオンさせることによりＥＬ素子Ｅ１ のアノードとカソードとを同電位の状態とすることができる。なお、図５に示すスイッチＳＷ３ は、好ましくはＴＦＴにより構成される。
【００３８】
図５に示す状態においては、スイッチＳＷ１ はＶＬｃａｔｈを選択しており、したがって、画素部には順方向電圧が供給される。この時、前記スイッチＳＷ３ はオフ状態に制御される。続いてスイッチＳＷ１ がＶＨｂｂを選択することにより、画素部には逆バイアス電圧が供給される。この時も、前記スイッチＳＷ３ はオフ状態に制御される。この逆バイアス電圧の印加により、前記したとおりＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積される。
【００３９】
これに続いて、前記スイッチＳＷ１ は空端子、すなわちハイインピーダンスを選択し、この時スイッチＳＷ３ をオン状態に制御する。したがって、この時ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧に基づく電荷がスイッチＳＷ３ を介して放電される。そして、前記放電動作の終了後にスイッチＳＷ３ はオフ状態になされ、スイッチＳＷ１ は図５に示すＶＬｃａｔｈを選択する状態になされる。したがって、画素部には再び順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００４０】
この図５に示したセレクトスイッチＳＷ１ の切り換え動作に連動する前記スイッチＳＷ３ は、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段を構成している。したがって、図５に示す構成においても、図２ないし図４に基づいて説明した第１形態の第１実施例と同様の効果を得ることができる。なお、図５に示した構成においては、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に３入力セレクトスイッチＳＷ１ を備えているが、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側を固定電源とし、ＥＬ素子Ｅ１ のアノード側、すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介した駆動用ＴＦＴのソースに３入力セレクトスイッチを配置しても、同様の作用効果をもたらすことができる。
【００４１】
次に図６は、この発明にかかる駆動装置の第２形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第２形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え動作を実行し、前記選択スイッチを介して発光素子の寄生容量に対して、充電動作を行なわせる点に特徴を有する。
【００４２】
この図６に示す第２形態においても、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略されている。そして、この図６に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００４３】
図６に示す第２形態においても、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に配置されたスイッチＳＷ１ が、３入力セレクト（選択）スイッチを構成しており、これにより３つの異なった電位レベルを選択できるように構成されている。すなわち、スイッチＳＷ１ は図６に示すようにＶ４ ，Ｖ１ ，Ｖ３ の各電位レベルを択一的に選択できるように構成されている。一方、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース側にはＶ２ として示す電位レベルが印加されている。そして、図６に示す各電位レベルは、Ｖ１ ＞Ｖ２ ≧Ｖ３ ＞Ｖ４ の関係になされている。
【００４４】
すなわち、ここではＶ２ として示す電位レベルは、図１に示すアノード側電源（ＶＨａｎｏｄ）に相当するものである。またＶ４ として示す電位レベルはカソード側電源（ＶＬｃａｔｈ）に相当するものであり、さらに、Ｖ１ として示す電位レベルは逆バイアス電圧電源（ＶＨｂｂ）に相当する。そして、図６に示す状態においてはスイッチＳＷ１ はＶ４ として示す電位レベルを選択しており、この状態によると画素部には順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされている。
【００４５】
図６に示す状態からスイッチＳＷ１ は、Ｖ１ として示す電位レベルを選択する。これにより、画素部には逆バイアス電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。続いてスイッチＳＷ１ は、Ｖ３ として示す電位レベルを選択する。ここで、Ｖ２ ＝Ｖ３ である場合には画素部電圧はゼロ電圧、すなわち同電位の状態となる。したがって、前記ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して放電される。
【００４６】
またＶ２ ＞Ｖ３ である場合には、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に蓄積されていた逆バイアス電圧による電荷は放電されると同時に、若干順方向にプリチャージされる作用を受ける。続いて、スイッチＳＷ１ は図６に示す状態に切り換えられる。これにより、画素部電圧は順方向電圧になされ、再びＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００４７】
図６に示す構成によると、特にＶ２ ≧Ｖ３ の関係になされた電源とスイッチＳＷ１ の選択順序により、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を放電させる放電手段、またはＥＬ素子の寄生容量に対して若干順方向電圧を充電させるプリチャージ手段を構成している。したがって、図６に示す構成においても、前記した第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００４８】
なお、図６に示す実施例においては、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側に３入力セレクトスイッチＳＷ１ を備えているが、ＥＬ素子Ｅ１ のカソード側を固定電源とし、ＥＬ素子Ｅ１ のアノード側、すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介した駆動用ＴＦＴのソースに３入力セレクトスイッチを配置しても、同様の作用効果をもたらすことができる。
【００４９】
次に図７は、この発明にかかる駆動装置の第３形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第３形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流す充電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００５０】
この図７においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、ＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略している。そして、この図７に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を採用することができ、さらには後で説明する電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００５１】
図７に示す第３形態の駆動装置においては、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ と駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）との接続点より、前記ＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行することができる充電用電源Ｖ５ が用意されている。この場合、充電用電源Ｖ５ は定電圧電源として構成されており、スイッチＳＷ４ を介してＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するように作用する。
【００５２】
すなわち、図７に示す状態においては、スイッチＳＷ１ はＶＬｃａｔｈを選択しており、したがって、画素部には順方向電圧が供給される。この時、前記スイッチＳＷ４ はオフ状態に制御される。続いてスイッチＳＷ１ がＶＨｂｂを選択することにより、画素部には逆バイアス電圧が供給される。この時も、前記スイッチＳＷ４ はオフ状態に制御される。この逆バイアス電圧の印加により、前記したとおりＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積される。
【００５３】
これに続いて、前記スイッチＳＷ１ は図７に示す元の状態、すなわち順方向バイアスの状態に復帰する。これと同時にスイッチＳＷ４ はオン状態に制御される。したがって、この時ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、逆バイアス電圧に基づく電荷が蓄積されているものの、スイッチＳＷ４ を介して供給される充電用電源Ｖ５ の電圧が前記寄生容量に対して順方向に供給されるため、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、即座に充電用電源Ｖ５ による順方向電圧がチャージされる。前記したとおり、充電用電源Ｖ５ は定電圧電源として構成されているので、前記した順方向へのチャージ動作は瞬時にして行われる。
【００５４】
そして、所定の時間（前記チャージ動作が完了されるまでの時間）が経過後に、スイッチＳＷ４ はオフ状態になされる。したがって、画素部には再び順方向電圧が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に依存して点灯可能な状態になされる。
【００５５】
この図７に示したこの発明にかかる第３形態の駆動装置によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、ＥＬ素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、ＥＬ素子の寄生容量に対して充電用電源から電流を順方向に流す充電動作を実行するようになされるので、ＥＬ素子の寄生容量に蓄積された逆バイアス電圧による電荷を即座に放電させと共に、ＥＬ素子の寄生容量に対して瞬時に順方向バイアスに基づく電荷を蓄積させることができる。
【００５６】
これにより、ＥＬ素子の発光の立ち上げを早めることができ、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００５７】
なお、図７に示した実施例においては、スイッチＳＷ４ に代えて例えばダイオードを図に示す方向に接続することも効果的である。すなわち、図７に示すように画素に順方向電圧を印加し、ＥＬ素子の寄生容量に順方向電圧が充電された時のアノード電圧レベルと、前記充電用電源Ｖ５ の電圧レベルとがほぼ等しい程度に設定することで、前記ダイオードをその閾値電圧により自動的にオフ状態に制御することができる。このような構成にした場合、前記スイッチＳＷ４ をオン・オフ制御する制御ロジックおよび制御ラインを格別に備える必要がなくなる。
【００５８】
次に図８〜図１６は、この発明にかかる駆動装置における第４形態を説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第４形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００５９】
まず、図８はこの発明にかかる駆動装置における第４形態の基本構成を示すものであり、図９はその基本動作を説明するタイミングチャートである。なお、この図８においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略されている。図９に示すようにｔ１ に達する以前の点灯状態においては、図８に示すスイッチＳＷ１ は図の状態になされ、画素部電圧は順方向の状態になされている。そしてｔ１ に至った場合にはスイッチＳＷ１ はＶＨｂｂ側に切り換えられ、これにより、画素部電圧は逆方向電圧、すなわち逆バイアス状態になされる。
【００６０】
この時、図８に示す実施の形態においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに対して、ＶＨａｎｏｄと同しレベルの電圧を印加するように構成されている。すなわち、コンデンサＣ１ の両端電圧をＶＣｇａｔ とした時、ＶＣｇａｔ は電圧ゼロの状態（同電位）とする操作がなされる。一方、この状態でＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量には、逆バイアス電圧による電荷が蓄積される。
【００６１】
そして、ｔ２ に達した場合にはスイッチＳＷ１ は図８に示す状態に復帰し、画素部電圧は順方向電圧の状態になされる。この時、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートには、駆動用ＴＦＴをオン状態にするに十分なバイアス電圧が供給される。すなわち、図９に示すようにＶＣｇａｔ は「ゼロ充電電圧」の値に設定される。これにより、瞬時の期間（図９に示す充電期間）において、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介してＥＬ素子Ｅ１ に、その点灯状態よりも大きな順方向電流が流れ、これによりＥＬ素子の寄生容量には、瞬時にして順方向電流による電荷が蓄積される。そして、ｔ３ に至った場合において、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに加える電圧は、ＥＬ素子Ｅ１ に所定の定電流を流すための予め設定された点灯電圧になされる。
【００６２】
図８の構成および図９に示した制御態様によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、ＥＬ素子の点灯動作時よりも大きな電流でＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようになされる。したがって、ＥＬ素子の発光の立ち上げを早めることができ、ＥＬ素子の点灯時間率の低下に伴い、発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、各ＥＬ素子は発光状態に至るまでの時間のばらつき等の影響を受ける度合いを少なくできるので、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００６３】
図１０は図８および図９に基づいて基本形態を説明したこの発明にかかる駆動装置における第４形態の第１実施例を示すものであり、図１１はこの場合のより詳細な動作を説明するタイミングチャートである。なお、図１０において、スイッチＳＷ５ は図１に示した構成における制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）を等価的に示したものであり、この場合においては、図１０はコンダクタンスコントロール方式による画素構成になされていると言うことができる。
【００６４】
そして、図１０に示す構成においては、データドライバーからもたらされるＶｄａｔａは、図１１に示すように逆バイアス電圧の印加期間、順方向電流の充電期間、およびこれに続く点灯期間の各頭初のタイミングにおいて、それぞれ逆バイアスデータ電圧、充電データ電圧、点灯データ電圧をもたらすように成される。そして、これらの各データ電圧の到来時においてスイッチＳＷ５ はオン状態になされ、各データ電圧に基づいて書き込み動作がなされる。なお、図１１に示すＶＣｇａｔ および画素部電圧の設定動作パターンについては、すでに説明した図９に示すパターンと同様である。
【００６５】
なお、前記した図１０に示すコンダクタンスコントロール方式による画素構成に代えて、図３に示したデジタル階調駆動を実現する３ＴＦＴ方式を採用することができる。この場合においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００６６】
また、図１２はこの発明にかかる第４形態の第２実施例を示すものであり、この図１２に示す画素構成は電圧プログラミング方式と呼ばれている。この電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレインと、ＥＬ素子Ｅ１ のアノードとの間にスイッチＳＷ７ が直列接続されている。また、電荷保持用のコンデンサＣ１ は駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとソース間に接続され、スイッチＳＷ６ が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとドレイン間に接続されている。加えてこの電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに対して、データラインよりスイッチＳＷ８ およびコンデンサＣ２ を介してデータ信号が供給されるように構成されている。
【００６７】
前記した電圧プログラミング方式においては、スイッチＳＷ６ およびスイッチＳＷ７ がオンされ、これに伴い駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のオン状態が確保される。次の瞬間にスイッチＳＷ７ がオフされることにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレイン電流はスイッチＳＷ６ を介して駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに回り込む。これにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲート・ソース間電圧が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のスレッショルド電圧に等しくなるまで、ゲート・ソース間電圧が押し上げられ、この時点でスイッチＳＷ６ はオフされる。
【００６８】
そして、この時のゲート・ソース間電圧がコンデンサＣ１ に保持され、このコンデンサ電圧によってＥＬ素子Ｅ１ の駆動電流が制御される。すなわち、この電圧プログラミング方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）におけるスレッショルド電圧のばらつきを補償するように作用する。この図１２に示した電圧プログラミング方式による駆動手段を利用した構成においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００６９】
さらに、図１３はこの発明にかかる第４形態の第３実施例を示すものであり、この図１３に示す構成は、ここではスレッショルド電圧補正方式と呼ぶことにする。この図１３に示したスレッショルド電圧補正方式においては、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）に対してＥＬ素子Ｅ１ が直列接続され、また駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲート・ソース間に電荷保持用のコンデンサＣ１ が接続されている。すなわち、この基本構成においては、図１に示した構成と同等である。
【００７０】
一方、図１３に示す構成においては、データラインに接続されるスイッチＳＷ９ （これは制御用ＴＦＴ（Ｔｒ１）と等価）と駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとの間にはＴＦＴ（Ｔｒ４）とダイオードＤ１ との並列接続体が挿入されている。なお、前記ＴＦＴ（Ｔｒ４）はそのゲート・ドレイン間は短絡状態に構成されており、したがって、これはスイッチＳＷ９ から駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートに向かってスレッショルド特性を与える素子として機能する。
【００７１】
この構成によると、１つの画素内に形成された互いのＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ４）におけるスレッショルド特性は非常に近似した特性になされるので、そのスレッショルド特性を効果的にキャンセルさせることができる。この図１３に示したスレッショルド電圧補正方式を利用した構成においても、図１１に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００７２】
また、図１４はこの発明にかかる第４形態の第４実施例を示すものであり、この図１４に示す構成は、いわゆるカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段の例を示したものであり、これはカレントミラー動作により電荷保持用コンデンサＣ１ へのデータ書き込み処理、並びにＥＬ素子Ｅ１ の点灯駆動動作がなされるように構成されている。
【００７３】
すなわち、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）にゲートが共通接続されたＴＦＴ（Ｔｒ５）が対称的に備えられており、両ＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ５）のゲートとソース間に電荷保持用のコンデンサＣ１ が接続されている。
【００７４】
また、前記ＴＦＴ（Ｔｒ５）のゲートとドレイン間にはスイッチＳＷ１０が接続されており、このスイッチＳＷ１０のオン動作により、両ＴＦＴ（Ｔｒ２，Ｔｒ５）はカレントミラーとして機能する。すなわち、スイッチＳＷ１０のオン動作と共にスイッチＳＷ１１もオン動作されるように構成されており、これにより、スイッチＳＷ１１を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ が接続されるように構成されている。
【００７５】
これにより、例えばアドレス期間においてはＶＨａｎｏｄの電源から、ＴＦＴ（ＴＲ５）、スイッチＳＷ１１を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ に流れる電流経路が形成される。またカレントミラーの作用により、電流源Ｉｃｏｎ に流れる電流に対応した電流が、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介してＥＬ素子Ｅ１ に対して供給される。前記した動作によりコンデンサＣ１ には書き込み用電流源Ｉｃｏｎ に流れる電流値に対応したＴＦＴ（Ｔｒ５）のゲート電圧が書き込まれる。そして、コンデンサＣ１ に所定の電圧値が書き込まれた後には、スイッチＳＷ１０はオフ状態になされ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）は、コンデンサＣ１ に蓄積された電荷に基づいて所定の電流をＥＬ素子Ｅ１ に供給するように作用し、これにより、ＥＬ素子Ｅ１ は発光駆動される。
【００７６】
図１５は、前記したカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段においてなされる動作タイミングを示したものである。この図１５に示す動作タイミングは、すでに説明した図１１とほぼ同様になされる。ただし、前記したカレントミラー方式によるＥＬ素子の駆動手段は電流書き込み型として動作する。したがって、電流源Ｉｃｏｎ によってもたらされるデータ電流Ｉｄａｔａによって書き込み動作がなされる。
【００７７】
そして、電流源Ｉｃｏｎ にからもたらされるＩｄａｔａは、図１５に示すように逆バイアス電圧の印加期間、順方向電流の充電期間、およびこれに続く点灯期間の各頭初のタイミングにおいて、それぞれ逆バイアスデータ電流、充電データ電流、点灯データ電流をもたらすように成される。そして、これらの各データ電流の到来時ごとにスイッチＳＷ１０はオン状態になされ、各データ電流に基づいて書き込み動作がなされる。このような図１５に示した駆動動作を採用することにより、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができ、また階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００７８】
また、図１６はこの発明にかかる第４形態の第５実施例を示すものであり、この図１６は、電流プログラミング方式によるＥＬ素子の駆動手段の例を示したものである。この電流プログラミング方式においては、陽極側電源（ＶＨａｎｏｄ）と陰極側電源（ＶＬｃａｔｈ）との間にスイッチＳＷ１３、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）およびＥＬ素子Ｅ１ の直列回路が挿入された構成とされている。また、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースとゲート間に電荷保持用のコンデンサＣ１ が接続され、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のゲートとドレインとの間にはスイッチＳＷ１２が接続されている。さらに駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソースにはスイッチＳＷ１４を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ が接続されている。
【００７９】
図１６に示した構成においては、各スイッチＳＷ１２，ＳＷ１４がオン状態になされることにより駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）もオンされ、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）を介して書き込み用電流源Ｉｃｏｎ からの電流が流れる。この時、書き込み用電流源Ｉｃｏｎ からの電流に対応した電圧がコンデンサＣ１ に保持される。
【００８０】
一方、ＥＬ素子の発光動作時にはスイッチＳＷ１２，ＳＷ１４は、共にオフ状態になされ、スイッチＳＷ１３がオンされる。これにより、駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース側に、陽極側電源（ＶＨａｎｏｄ）が印加され、ＥＬ素子Ｅ１ の陰極には陰極側電源（ＶＬｃａｔｈ）が印加される。駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のドレイン電流は、前記コンデンサＣ１ に保持された電荷によって決定され、ＥＬ素子の階調制御がなされる。
【００８１】
この図１６に示した電流プログラミング方式による駆動手段を利用した構成においても図１５に示した駆動動作を好適に採用することができ、ＥＬ素子の発光効率を落とすなどの問題を回避することができる。また、階調制御のリニアリティーを悪化させるなどの問題も改善させることができる。
【００８２】
以上説明した図８〜図１６に示すこの発明の第４形態にかかる駆動装置によると、ＥＬ素子に対する逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行するタイミングにおいて、駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、ＥＬ素子の点灯動作時よりも大きな電流でＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電手段が具備される。したがって、前記したようにＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができると共に、階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることに寄与できる。
【００８３】
次に図１７は、この発明にかかる駆動装置の第５形態について説明するものである。この発明にかかる駆動装置の第５形態は、発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子に直列接続された駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行させる点に特徴を有する。
【００８４】
この図１７においても駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）、発光素子としてのＥＬ素子Ｅ１ 、およびコンデンサＣ１ からなる基本構成が示されており、他は省略して示している。そして、この図１７に示す構成においても、前記したコンダクタンスコントロール方式、或いはデジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成を好適に採用することができ、さらにはすでに説明した電圧プログラミング方式、スレッショルド電圧補正方式、カレントミラー方式による画素を備えた発光表示パネルにも同様に適用することができる。
【００８５】
図１７に示す第５形態の駆動装置においては、Ｐチャンネルで構成された駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）のソース・ドレインの各々に対して、Ｎチャンネルで構成されたＴＦＴ（Ｔｒ６）のソース・ドレインの各々が並列状態に接続されている。そして、特に図示はしていないが、Ｎチャンネルで構成されたＴＦＴ（Ｔｒ６）のゲートには、所定のバイアス電圧（定電圧）が供給されるように構成されている。すなわち、ＴＦＴ（Ｔｒ６）は定電流動作する駆動用ＴＦＴ（Ｔｒ２）をバイパスして定電圧駆動するバイパス制御手段を構成している。
【００８６】
図１７に示す構成において、図に示すスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ の状態でＥＬ素子Ｅ１ に対して順方向電流が供給され、またスイッチＳＷ１ ，ＳＷ２ が図とは逆の状態に切り換えられた時、ＥＬ素子Ｅ１ に対して逆バイアス電圧が供給されることは、すでに説明したとおりである。この図１７に示す実施の形態によると、逆バイアス電圧の印加状態から順方向電流の供給状態に移行し、ＥＬ素子Ｅ１ の寄生容量に対する順方向電圧の電荷の充電量が少ない状態においては、前記ＴＦＴ（Ｔｒ６）をバイパスして、前記寄生容量に対して急速に電荷を蓄積させる充電動作が実行される。したがって、ＥＬ素子を急速に発光状態に立ち上げることができる。
【００８７】
一方、ＥＬ素子の寄生容量に対して順方向に所定の充電動作がなされた場合には、ＴＦＴ（Ｔｒ６）のソース電位が上昇するため、Ｎチャンネルにより構成された前記ＴＦＴ（Ｔｒ６）は自動的にカットオフ状態に移行し、前記したバイパス動作は停止される。
【００８８】
この図１７に示した第５形態の駆動装置においても、同様にＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができると共に、階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることに寄与できる。
【００８９】
なお、以上説明した各実施例は、共にＥＬ素子に対して逆バスアス電圧を印加することができる電源構成にされているが、この発明はこれに限らず、アクティブ駆動される画素構成を備えた表示パネルに適用することで、ＥＬ素子の発光効率を効果的に補償することができるものであり、同様に階調制御のリニアリティーの悪化を防止させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができるアクティブマトリクス型表示パネルにおける１つの画素構成例を示した結線図である。
【図２】同じく発光素子に対して逆バイアス電圧を印加することができる他の構成例を示した結線図である。
【図３】デジタル階調を実現させる３ＴＦＴ方式の画素構成例を示した結線図である。
【図４】この発明にかかる駆動装置における第１形態の第１実施例を説明するタイミングチャートである。
【図５】同じく第１形態の第２実施例を示す結線図である。
【図６】同じく第２形態の実施例を示す結線図である。
【図７】同じく第３形態の実施例を示す結線図である。
【図８】同じく第４形態の基本構成例を示す結線図である。
【図９】図８に示す基本構成例における動作を説明するタイミングチャートである。
【図１０】この発明にかかる駆動装置における第４形態の第１実施例を示す結線図である。
【図１１】図１０に示す構成例における動作を説明するタイミングチャートである。
【図１２】この発明にかかる駆動装置における第４形態の第２実施例を示す結線図である。
【図１３】同じく第４形態の第３実施例を示す結線図である。
【図１４】同じく第４形態の第４実施例を示す結線図である。
【図１５】図１４に示す構成例における動作を説明するタイミングチャートである。
【図１６】この発明にかかる駆動装置における第４形態の第５実施例を示す結線図である。
【図１７】同じく第５形態の実施例を示す結線図である。
【符号の説明】
１ 走査ドライバー
２ データドライバー
１０ 画素
Ｃ１ コンデンサ
Ｄ１ ダイオード
Ｅ１ 発光素子（有機ＥＬ素子）
Ｉｃｏｎ 書き込み用電流源
ＳＷ１ 〜ＳＷ１４ スイッチ
Ｔｒ１ 制御用ＴＦＴ
Ｔｒ２ 駆動用ＴＦＴ
Ｔｒ３〜Ｔｒ６ ＴＦＴ
Claims (12)
- 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電動作を実行するようにしたことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子のアノードとカソードとを同電位に設定することで、前記発光素子の寄生容量に蓄積された電荷を放電させる放電手段を具備したことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え動作を実行し、前記選択スイッチを介して発光素子の寄生容量に対して、充電動作を行うようにしたことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子に点灯可能な電位差を与える選択スイッチの切り換え作用に基づいて、前記発光素子の寄生容量に対して充電を行う充電手段を具備したことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して充電用電源からの電流を順方向に流す充電動作を実行するようにしたことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記発光素子と駆動用ＴＦＴとの接続点より、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行する充電用電源を具備したことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、前記駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようにしたことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、前記駆動用ＴＦＴのゲート電圧を制御することで、前記発光素子の点灯動作時よりも大きな電流で発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行う充電制御手段を具備したことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動方法であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパス制御することで、発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を実行するようにしたことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動方法。 - 発光素子と、前記発光素子を点灯駆動する駆動用ＴＦＴと、前記発光素子の点灯動作時に該発光素子に対して順方向の電流を供給する電源回路とを備えたアクティブ型発光表示パネルの駆動装置であって、
前記発光素子が点灯動作に移行するタイミングにおいて動作し、発光素子に直列接続された前記駆動用ＴＦＴをバイパスすることで、前記発光素子の寄生容量に対して順方向に充電動作を行うバイパス制御手段を具備したことを特徴とするアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。 - 前記電源回路が、前記発光素子に対して前記順方向とは逆のバイアス電圧を印加することができるように構成したことを特徴とする請求項２、請求項４、請求項６、請求項８、請求項１０のいずれかに記載のアクティブ型発光表示パネルの駆動装置。
- 前記発光素子は、有機化合物を発光層に用いた有機ＥＬ素子により構成したことを特徴とする請求項２、請求項４、請求項６、請求項８、請求項１０、請求項１１のいずれかに記載の発光表示パネルの駆動装置。
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Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005099773A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電子回路の駆動方法、電子回路、電子装置、電気光学装置、電子機器および電子装置の駆動方法 |
| JP2005140827A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動装置 |
| JP2005195777A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Tohoku Pioneer Corp | アクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置 |
| JP2006065308A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、及びその駆動方法 |
| JP2006139270A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Boe Hydis Technology Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2006259573A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器 |
| JP2006309119A (ja) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光装置 |
| KR100688806B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 듀얼 모드 유기 발광소자를 이용한 화소 회로 |
| JP2008009141A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Kyocera Corp | 画像表示装置の駆動方法 |
| JP2009520226A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-05-21 | トムソン ライセンシング | 容量結合により表示パネルを制御する方法 |
| JP2009187040A (ja) * | 2003-08-29 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| US7847796B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and driving method with a scanning driver utilizing plural turn-off voltages |
| JP2011022434A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
| JP2011091825A (ja) * | 2003-02-28 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
| JP2011520138A (ja) * | 2008-04-16 | 2011-07-14 | イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド | 画素回路、表示システム、およびそれらの駆動方法 |
| JP2012128172A (ja) * | 2010-12-15 | 2012-07-05 | Seiko Epson Corp | 画素回路、その駆動方法、電気光学装置及び電子機器 |
| US8624807B2 (en) | 2004-07-30 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and driving method thereof |
| KR101557290B1 (ko) * | 2008-05-08 | 2015-10-06 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시장치, 표시장치의 구동방법 및 전자기기 |
| CN114005409A (zh) * | 2021-10-29 | 2022-02-01 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 像素驱动电路、方法及显示面板 |
Families Citing this family (142)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7569849B2 (en) | 2001-02-16 | 2009-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit |
| CA2419704A1 (en) | 2003-02-24 | 2004-08-24 | Ignis Innovation Inc. | Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode |
| US8937580B2 (en) * | 2003-08-08 | 2015-01-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Driving method of light emitting device and light emitting device |
| CA2443206A1 (en) | 2003-09-23 | 2005-03-23 | Ignis Innovation Inc. | Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation |
| JP5051565B2 (ja) * | 2003-12-10 | 2012-10-17 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
| JP4669226B2 (ja) * | 2004-01-14 | 2011-04-13 | 日立プラズマディスプレイ株式会社 | プラズマディスプレイ装置の駆動方法 |
| JP4687943B2 (ja) * | 2004-03-18 | 2011-05-25 | 奇美電子股▲ふん▼有限公司 | 画像表示装置 |
| JP4565873B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2010-10-20 | 東北パイオニア株式会社 | 発光表示パネル |
| US8144146B2 (en) * | 2004-05-21 | 2012-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic device |
| US8760374B2 (en) * | 2004-05-21 | 2014-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having a light emitting element |
| US20050258867A1 (en) * | 2004-05-21 | 2005-11-24 | Seiko Epson Corporation | Electronic circuit, electro-optical device, electronic device and electronic apparatus |
| CA2472671A1 (en) | 2004-06-29 | 2005-12-29 | Ignis Innovation Inc. | Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays |
| JP2006039456A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-02-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | パネル表示装置の駆動回路およびパネル表示装置の駆動方法 |
| CA2490858A1 (en) | 2004-12-07 | 2006-06-07 | Ignis Innovation Inc. | Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays |
| US9799246B2 (en) | 2011-05-20 | 2017-10-24 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US10012678B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US10013907B2 (en) | 2004-12-15 | 2018-07-03 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display |
| US9171500B2 (en) | 2011-05-20 | 2015-10-27 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays |
| US9275579B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-01 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| US9280933B2 (en) | 2004-12-15 | 2016-03-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| EP2383720B1 (en) | 2004-12-15 | 2018-02-14 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display |
| US20140111567A1 (en) | 2005-04-12 | 2014-04-24 | Ignis Innovation Inc. | System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays |
| US8576217B2 (en) | 2011-05-20 | 2013-11-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays |
| CA2495726A1 (en) | 2005-01-28 | 2006-07-28 | Ignis Innovation Inc. | Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays |
| CA2496642A1 (en) | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Ignis Innovation Inc. | Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming |
| TWI327720B (en) * | 2005-03-11 | 2010-07-21 | Sanyo Electric Co | Active matrix type display device and driving method thereof |
| TW200641781A (en) * | 2005-05-26 | 2006-12-01 | Delta Optoelectronics Inc | Driving method and circuit for active matrix organic display |
| WO2006130981A1 (en) | 2005-06-08 | 2006-12-14 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving a light emitting device display |
| CA2518276A1 (en) | 2005-09-13 | 2007-03-13 | Ignis Innovation Inc. | Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices |
| KR101322195B1 (ko) * | 2005-09-15 | 2013-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 이의 구동 방법 |
| KR101433680B1 (ko) * | 2005-12-02 | 2014-08-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치, 디스플레이 장치, 및 전자 장치 |
| TWI328213B (en) * | 2005-12-16 | 2010-08-01 | Chi Mei El Corp | Plate display and pixel circuitry |
| KR100752380B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-08-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 화소 회로 |
| US9489891B2 (en) | 2006-01-09 | 2016-11-08 | Ignis Innovation Inc. | Method and system for driving an active matrix display circuit |
| KR101143009B1 (ko) * | 2006-01-16 | 2012-05-08 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치 및 그 구동 방법 |
| WO2007118332A1 (en) | 2006-04-19 | 2007-10-25 | Ignis Innovation Inc. | Stable driving scheme for active matrix displays |
| US20070273618A1 (en) * | 2006-05-26 | 2007-11-29 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Pixels and display panels |
| CA2556961A1 (en) | 2006-08-15 | 2008-02-15 | Ignis Innovation Inc. | Oled compensation technique based on oled capacitance |
| JP5006655B2 (ja) * | 2007-01-15 | 2012-08-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 表示装置用電源回路および表示装置 |
| EP2037439A1 (de) * | 2007-09-06 | 2009-03-18 | F.Hoffmann-La Roche Ag | Elektronische Schutzmaßnahmen für organische Displays in medizinischen Kleingeräten |
| KR101368006B1 (ko) * | 2007-11-05 | 2014-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 이의 구동방법 |
| JP5249325B2 (ja) | 2008-05-29 | 2013-07-31 | パナソニック株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
| FR2931008A1 (fr) * | 2008-07-11 | 2009-11-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de controle d'une diode organique electroluminescente a alimentation pulsee |
| FR2931007A1 (fr) * | 2008-07-11 | 2009-11-13 | Commissariat Energie Atomique | Procede de controle d'une diode organique electroluminescente avec application d'une tension negative de depolarisation |
| US8217861B2 (en) * | 2008-10-30 | 2012-07-10 | National Cheng Kung University | Driving circuit, and a pixel circuit incorporating the same |
| JP2010113230A (ja) * | 2008-11-07 | 2010-05-20 | Sony Corp | 画素回路及び表示装置と電子機器 |
| US9370075B2 (en) | 2008-12-09 | 2016-06-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for fast compensation programming of pixels in a display |
| CA2688870A1 (en) | 2009-11-30 | 2011-05-30 | Ignis Innovation Inc. | Methode and techniques for improving display uniformity |
| CA2669367A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-16 | Ignis Innovation Inc | Compensation technique for color shift in displays |
| US9311859B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-04-12 | Ignis Innovation Inc. | Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays |
| US9384698B2 (en) | 2009-11-30 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for aging compensation in AMOLED displays |
| US10319307B2 (en) | 2009-06-16 | 2019-06-11 | Ignis Innovation Inc. | Display system with compensation techniques and/or shared level resources |
| JP5545804B2 (ja) * | 2009-07-07 | 2014-07-09 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 表示装置 |
| KR20110013693A (ko) * | 2009-08-03 | 2011-02-10 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
| KR101056281B1 (ko) | 2009-08-03 | 2011-08-11 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
| US8633873B2 (en) | 2009-11-12 | 2014-01-21 | Ignis Innovation Inc. | Stable fast programming scheme for displays |
| US10996258B2 (en) | 2009-11-30 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays |
| US8803417B2 (en) | 2009-12-01 | 2014-08-12 | Ignis Innovation Inc. | High resolution pixel architecture |
| JP5491835B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2014-05-14 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 画素回路および表示装置 |
| CA2687631A1 (en) | 2009-12-06 | 2011-06-06 | Ignis Innovation Inc | Low power driving scheme for display applications |
| US10089921B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10176736B2 (en) | 2010-02-04 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US10163401B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-12-25 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| CA2692097A1 (en) | 2010-02-04 | 2011-08-04 | Ignis Innovation Inc. | Extracting correlation curves for light emitting device |
| US9881532B2 (en) | 2010-02-04 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| US20140313111A1 (en) | 2010-02-04 | 2014-10-23 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device |
| CA2696778A1 (en) | 2010-03-17 | 2011-09-17 | Ignis Innovation Inc. | Lifetime, uniformity, parameter extraction methods |
| KR101645404B1 (ko) | 2010-07-06 | 2016-08-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
| US8907991B2 (en) | 2010-12-02 | 2014-12-09 | Ignis Innovation Inc. | System and methods for thermal compensation in AMOLED displays |
| US20140368491A1 (en) | 2013-03-08 | 2014-12-18 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for amoled displays |
| CN103688302B (zh) | 2011-05-17 | 2016-06-29 | 伊格尼斯创新公司 | 用于显示系统的使用动态功率控制的系统和方法 |
| US9886899B2 (en) | 2011-05-17 | 2018-02-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel Circuits for AMOLED displays |
| US9606607B2 (en) | 2011-05-17 | 2017-03-28 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for display systems with dynamic power control |
| US9351368B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-05-24 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9530349B2 (en) | 2011-05-20 | 2016-12-27 | Ignis Innovations Inc. | Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays |
| US9466240B2 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-11 | Ignis Innovation Inc. | Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed |
| CN106910464B (zh) | 2011-05-27 | 2020-04-24 | 伊格尼斯创新公司 | 补偿显示器阵列中像素的系统和驱动发光器件的像素电路 |
| US9881587B2 (en) | 2011-05-28 | 2018-01-30 | Ignis Innovation Inc. | Systems and methods for operating pixels in a display to mitigate image flicker |
| US8901579B2 (en) | 2011-08-03 | 2014-12-02 | Ignis Innovation Inc. | Organic light emitting diode and method of manufacturing |
| US9070775B2 (en) | 2011-08-03 | 2015-06-30 | Ignis Innovations Inc. | Thin film transistor |
| US10089924B2 (en) | 2011-11-29 | 2018-10-02 | Ignis Innovation Inc. | Structural and low-frequency non-uniformity compensation |
| US9324268B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-04-26 | Ignis Innovation Inc. | Amoled displays with multiple readout circuits |
| US9385169B2 (en) | 2011-11-29 | 2016-07-05 | Ignis Innovation Inc. | Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display |
| US8937632B2 (en) | 2012-02-03 | 2015-01-20 | Ignis Innovation Inc. | Driving system for active-matrix displays |
| US9747834B2 (en) | 2012-05-11 | 2017-08-29 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore |
| US8922544B2 (en) | 2012-05-23 | 2014-12-30 | Ignis Innovation Inc. | Display systems with compensation for line propagation delay |
| US9336717B2 (en) | 2012-12-11 | 2016-05-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| US9786223B2 (en) | 2012-12-11 | 2017-10-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| CN108665836B (zh) | 2013-01-14 | 2021-09-03 | 伊格尼斯创新公司 | 补偿测量的器件电流相对于参考电流的偏差的方法和系统 |
| US9830857B2 (en) | 2013-01-14 | 2017-11-28 | Ignis Innovation Inc. | Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays |
| US9721505B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-08-01 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for AMOLED displays |
| CA2894717A1 (en) | 2015-06-19 | 2016-12-19 | Ignis Innovation Inc. | Optoelectronic device characterization in array with shared sense line |
| EP3043338A1 (en) | 2013-03-14 | 2016-07-13 | Ignis Innovation Inc. | Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for amoled displays |
| WO2014140992A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Ignis Innovation Inc. | Dynamic adjustment of touch resolutions on an amoled display |
| KR20140120167A (ko) * | 2013-04-02 | 2014-10-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 수리된 화소를 갖는 유기전계발광 표시장치 및 그의 화소 수리방법 |
| DE112014002086T5 (de) | 2013-04-22 | 2016-01-14 | Ignis Innovation Inc. | Prüfsystem für OLED-Anzeigebildschirme |
| US9437137B2 (en) | 2013-08-12 | 2016-09-06 | Ignis Innovation Inc. | Compensation accuracy |
| KR20150052997A (ko) * | 2013-11-07 | 2015-05-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 그의 구동방법 |
| US9741282B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-08-22 | Ignis Innovation Inc. | OLED display system and method |
| US9761170B2 (en) | 2013-12-06 | 2017-09-12 | Ignis Innovation Inc. | Correction for localized phenomena in an image array |
| US9502653B2 (en) | 2013-12-25 | 2016-11-22 | Ignis Innovation Inc. | Electrode contacts |
| US10997901B2 (en) | 2014-02-28 | 2021-05-04 | Ignis Innovation Inc. | Display system |
| US10176752B2 (en) | 2014-03-24 | 2019-01-08 | Ignis Innovation Inc. | Integrated gate driver |
| US10192479B2 (en) | 2014-04-08 | 2019-01-29 | Ignis Innovation Inc. | Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device |
| KR20150142943A (ko) * | 2014-06-12 | 2015-12-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CA2872563A1 (en) | 2014-11-28 | 2016-05-28 | Ignis Innovation Inc. | High pixel density array architecture |
| CA2873476A1 (en) | 2014-12-08 | 2016-06-08 | Ignis Innovation Inc. | Smart-pixel display architecture |
| CA2879462A1 (en) | 2015-01-23 | 2016-07-23 | Ignis Innovation Inc. | Compensation for color variation in emissive devices |
| JP6518471B2 (ja) * | 2015-03-19 | 2019-05-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 発光素子表示装置 |
| CA2886862A1 (en) | 2015-04-01 | 2016-10-01 | Ignis Innovation Inc. | Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging |
| CA2889870A1 (en) | 2015-05-04 | 2016-11-04 | Ignis Innovation Inc. | Optical feedback system |
| CA2892714A1 (en) | 2015-05-27 | 2016-11-27 | Ignis Innovation Inc | Memory bandwidth reduction in compensation system |
| US10657895B2 (en) | 2015-07-24 | 2020-05-19 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| CA2898282A1 (en) | 2015-07-24 | 2017-01-24 | Ignis Innovation Inc. | Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays |
| US10373554B2 (en) | 2015-07-24 | 2019-08-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixels and reference circuits and timing techniques |
| CA2900170A1 (en) | 2015-08-07 | 2017-02-07 | Gholamreza Chaji | Calibration of pixel based on improved reference values |
| CA2908285A1 (en) | 2015-10-14 | 2017-04-14 | Ignis Innovation Inc. | Driver with multiple color pixel structure |
| CA2909813A1 (en) | 2015-10-26 | 2017-04-26 | Ignis Innovation Inc | High ppi pattern orientation |
| KR102641557B1 (ko) * | 2016-06-20 | 2024-02-28 | 소니그룹주식회사 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| US10586491B2 (en) | 2016-12-06 | 2020-03-10 | Ignis Innovation Inc. | Pixel circuits for mitigation of hysteresis |
| KR102517742B1 (ko) * | 2016-12-28 | 2023-04-03 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치와 유기발광표시장치의 구동 방법 |
| US10714018B2 (en) | 2017-05-17 | 2020-07-14 | Ignis Innovation Inc. | System and method for loading image correction data for displays |
| CN106940979B (zh) * | 2017-05-23 | 2019-01-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素补偿电路及其驱动方法、显示装置 |
| KR102334014B1 (ko) * | 2017-06-30 | 2021-12-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| US11025899B2 (en) | 2017-08-11 | 2021-06-01 | Ignis Innovation Inc. | Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices |
| US10366654B2 (en) * | 2017-08-24 | 2019-07-30 | Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED pixel circuit and method for retarding aging of OLED device |
| KR102426394B1 (ko) * | 2017-09-01 | 2022-07-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| CN107481659B (zh) * | 2017-10-16 | 2020-02-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 栅极驱动电路、移位寄存器及其驱动控制方法 |
| KR102508157B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2023-03-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
| WO2019140235A1 (en) * | 2018-01-11 | 2019-07-18 | Advanced Energy Industries, Inc. | Low power pin diode driver |
| US10971078B2 (en) | 2018-02-12 | 2021-04-06 | Ignis Innovation Inc. | Pixel measurement through data line |
| CN109272932A (zh) * | 2018-11-28 | 2019-01-25 | 昆山国显光电有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示面板、显示装置 |
| KR102531674B1 (ko) * | 2018-12-31 | 2023-05-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
| JP7320970B2 (ja) * | 2019-03-28 | 2023-08-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN109903727B (zh) * | 2019-04-22 | 2021-03-12 | 成都辰显光电有限公司 | 一种数字驱动像素电路、显示面板和显示装置 |
| CN110910835B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-03-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 像素驱动电路及像素驱动方法 |
| US11145255B1 (en) * | 2020-03-30 | 2021-10-12 | Shanghai Yunyinggu Technology Co., Ltd. | Pixel circuits for light emitting elements to mitigate degradation |
| CN111354315B (zh) * | 2020-04-15 | 2021-08-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及显示装置、像素驱动方法 |
| CN112530368B (zh) * | 2020-12-08 | 2022-09-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路、显示面板及显示装置 |
| CN114613330B (zh) * | 2022-04-12 | 2023-10-17 | 昆山国显光电有限公司 | 一种显示面板、显示面板的驱动方法及显示装置 |
| CN115206227B (zh) * | 2022-05-18 | 2023-04-07 | 惠科股份有限公司 | 像素单元的驱动电路及显示面板 |
| CN115482786B (zh) * | 2022-10-26 | 2023-07-07 | 惠科股份有限公司 | 像素驱动电路和显示面板 |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714968A (en) * | 1994-08-09 | 1998-02-03 | Nec Corporation | Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device |
| JP3507239B2 (ja) | 1996-02-26 | 2004-03-15 | パイオニア株式会社 | 発光素子の駆動方法及び装置 |
| JP3737889B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2006-01-25 | パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイ装置および駆動方法 |
| US6348906B1 (en) * | 1998-09-03 | 2002-02-19 | Sarnoff Corporation | Line scanning circuit for a dual-mode display |
| JP3259774B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2002-02-25 | 日本電気株式会社 | 画像表示方法および装置 |
| GB0008019D0 (en) * | 2000-03-31 | 2000-05-17 | Koninkl Philips Electronics Nv | Display device having current-addressed pixels |
| TW531901B (en) * | 2000-04-27 | 2003-05-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device |
| US6822629B2 (en) * | 2000-08-18 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
| JP3736399B2 (ja) | 2000-09-20 | 2006-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置の駆動回路及び電子機器及び電気光学装置の駆動方法及び電気光学装置 |
| JP3937789B2 (ja) * | 2000-10-12 | 2007-06-27 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子を含む駆動回路及び電子機器及び電気光学装置 |
| KR100370286B1 (ko) * | 2000-12-29 | 2003-01-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로 |
| US6580657B2 (en) * | 2001-01-04 | 2003-06-17 | International Business Machines Corporation | Low-power organic light emitting diode pixel circuit |
| JPWO2002075710A1 (ja) * | 2001-03-21 | 2004-07-08 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリクス型発光素子の駆動回路 |
| JP4873677B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2012-02-08 | 東北パイオニア株式会社 | 発光表示パネルの駆動装置 |
| AU2002340265A1 (en) * | 2001-10-19 | 2003-04-28 | Clare Micronix Integrated Systems Inc. | Matrix element precharge voltage adjusting apparatus and method |
| JP2003195806A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-07-09 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子の発光回路及び表示装置 |
-
2002
- 2002-11-08 JP JP2002325335A patent/JP2004157467A/ja active Pending
-
2003
- 2003-11-04 US US10/699,704 patent/US7193589B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-11-05 EP EP03025419A patent/EP1418566A3/en not_active Withdrawn
- 2003-11-07 KR KR1020030078562A patent/KR100963327B1/ko active IP Right Grant
- 2003-11-07 CN CNA2003101148313A patent/CN1499471A/zh active Pending
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091825A (ja) * | 2003-02-28 | 2011-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその駆動方法 |
| US8836616B2 (en) | 2003-02-28 | 2014-09-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| US9640106B2 (en) | 2003-02-28 | 2017-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
| JP4608999B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路の駆動方法、電子回路、電子装置、電気光学装置、電子機器および電子装置の駆動方法 |
| JP4636195B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-02-23 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2005099773A (ja) * | 2003-08-29 | 2005-04-14 | Seiko Epson Corp | 電子回路の駆動方法、電子回路、電子装置、電気光学装置、電子機器および電子装置の駆動方法 |
| JP2009187040A (ja) * | 2003-08-29 | 2009-08-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
| JP2011002845A (ja) * | 2003-08-29 | 2011-01-06 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の駆動方法 |
| JP2005140827A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動装置 |
| JP2005195777A (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Tohoku Pioneer Corp | アクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置 |
| JP4565844B2 (ja) * | 2004-01-06 | 2010-10-20 | 東北パイオニア株式会社 | アクティブマトリクス型発光表示パネルの駆動装置 |
| JP2006065308A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置、及びその駆動方法 |
| US8624807B2 (en) | 2004-07-30 | 2014-01-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and driving method thereof |
| JP2006139270A (ja) * | 2004-11-12 | 2006-06-01 | Boe Hydis Technology Co Ltd | 有機電界発光表示装置 |
| JP2006259573A (ja) * | 2005-03-18 | 2006-09-28 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置及びその駆動方法並びに電子機器 |
| JP4589848B2 (ja) * | 2005-04-29 | 2010-12-01 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機電界発光装置 |
| JP2006309119A (ja) * | 2005-04-29 | 2006-11-09 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機電界発光装置 |
| KR100688806B1 (ko) * | 2005-05-26 | 2007-03-02 | 삼성에스디아이 주식회사 | 듀얼 모드 유기 발광소자를 이용한 화소 회로 |
| US7847796B2 (en) | 2005-11-22 | 2010-12-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and driving method with a scanning driver utilizing plural turn-off voltages |
| US8362984B2 (en) | 2005-12-20 | 2013-01-29 | Thomson Licensing | Method for controlling a display panel by capacitive coupling |
| JP2009520226A (ja) * | 2005-12-20 | 2009-05-21 | トムソン ライセンシング | 容量結合により表示パネルを制御する方法 |
| US8605014B2 (en) | 2006-06-29 | 2013-12-10 | Lg Display Co., Ltd. | Method of driving image display apparatus |
| JP2008009141A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Kyocera Corp | 画像表示装置の駆動方法 |
| JP2011520138A (ja) * | 2008-04-16 | 2011-07-14 | イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド | 画素回路、表示システム、およびそれらの駆動方法 |
| KR101557290B1 (ko) * | 2008-05-08 | 2015-10-06 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 표시장치, 표시장치의 구동방법 및 전자기기 |
| JP2011022434A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-03 | Hitachi Displays Ltd | 画像表示装置 |
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