JP6690614B2 - 表示装置 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器に関し、特に、発光部を含む画素が行列状(マトリクス状)に配置されて成る平面型(フラットパネル型)の表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器に関する。

平面型の表示装置の一つとして、発光部（発光素子）に流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を画素の発光部として用いる表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、例えば、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子が知られている。

この有機ＥＬ表示装置に代表される平面型の表示装置には、発光部を駆動する駆動トランジスタとして、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるとともに、当該駆動トランジスタの閾値電圧や移動度のばらつきを補正する機能を有するものがある。この画素回路は、駆動トランジスタの他に、サンプリングトランジスタ、スイッチングトランジスタ、保持容量、及び、補助容量を有する構成となっている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００８−２８７１４１号公報

上記の従来例に係る表示装置では、閾値電圧の補正準備期間（閾値補正準備期間）中に発光部に僅かな貫通電流が流れることになるため、非発光期間であるにも拘わらず、信号電圧の階調に依らず毎フレーム、一定輝度で発光部が発光してしまう。結果的に、表示パネルのコントラストの低下という問題を引き起こす。

本開示は、非発光期間で発光部に流れる貫通電流を抑制し、コントラストの低下という問題を解消することが可能な表示装置、当該表示装置の駆動方法、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、信号電圧を書き込むサンプリングトランジスタ、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続された保持容量、及び、駆動トランジスタのソース電極に接続された補助容量を含む画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
閾値補正の際に、駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、しかる後、駆動トランジスタのソース電極をフローティングにした状態でゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を書き込む駆動を行う駆動部と、
を備える。

上記の目的を達成するための本開示の表示装置の駆動方法は、
発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、信号電圧を書き込むサンプリングトランジスタ、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続された保持容量、及び、駆動トランジスタのソース電極に接続された補助容量を含む画素回路が配置されて成る表示装置の駆動に当たって、
閾値補正の際に、
駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、
次いで、駆動トランジスタのソース電極をフローティングにし、
しかる後、駆動トランジスタのゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を書き込む。

上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、
発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、信号電圧を書き込むサンプリングトランジスタ、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続された保持容量、及び、駆動トランジスタのソース電極に接続された補助容量を含む画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
閾値補正の際に、駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、しかる後、駆動トランジスタのソース電極をフローティングにした状態でゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を書き込む駆動を行う駆動部と、
を備える表示装置を有する。

上記の構成の表示装置、その駆動方法、あるいは、電子機器において、駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第２の電圧にそれぞれ書き込むことで、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧は、駆動トランジスタの閾値電圧よりも小さくなる。これにより、駆動トランジスタが非導通状態となるため、発光部の電流の供給が行われず、発光部は消光状態となる。その後、ソース電極がフローティングの状態にある駆動トランジスタのゲート電極に対して閾値補正のための基準電圧を書き込む。このとき、保持容量及び補助容量による容量カップリングによって、駆動トランジスタのソース電位がゲート電位に追従して下降するため、駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上に拡大する。これにより、駆動トランジスタのゲート電位を初期化するための基準電圧の書込みと同時に、保持容量及び補助容量による容量カップリングによって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧が閾値電圧以上に設定される。従って、貫通電流が流れる閾値補正準備期間を設けなくて済むため、非発光期間での発光部への貫通電流を抑制できる。

本開示によれば、非発光期間での発光部への貫通電流を抑制できるため、コントラストの低下という問題を解消することができる。
尚、ここに記載された効果に必ずしも限定されるものではなく、本明細書中に記載されたいずれかの効果であってもよい。また、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、これに限定されるものではなく、また付加的な効果があってもよい。

図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。 図２は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置における画素（画素回路）の回路例を示す回路図である。 図３は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。 図４は、本開示の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 図５は、本開示の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。 図６Ａは、回路動作を説明する動作説明図（その１）であり、図６Ｂは、回路動作を説明する動作説明図（その２）である。 図７Ａは、回路動作を説明する動作説明図（その３）であり、図７Ｂは、回路動作を説明する動作説明図（その４）である。 図８Ａは、回路動作を説明する動作説明図（その５）であり、図８Ｂは、回路動作を説明する動作説明図（その６）である。 図９は、映像信号の信号電圧Ｖ_sigから直接参照電圧Ｖ_refを切り替える場合の不具合についての説明図である。 図１０は、本開示の実施形態の変形例に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。 図１１は、本開示の実施形態の変形例に係るアクティブマトリクス型表示装置の回路動作を説明するためのタイミング波形図である。

以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示は実施形態に限定されるものではなく、実施形態における種々の数値などは例示である。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明
２．本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置
２−１．システム構成
２−２．画素回路
２−３．基本的な回路動作
２−４．閾値補正準備期間での不具合について
３．実施形態の説明
４．変形例
５．電子機器

＜本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器、全般に関する説明＞
本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、発光部を駆動する駆動トランジスタとして、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのは次の理由による。

トランジスタをガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成する場合を想定すると、トランジスタは、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲート（ベース）の４端子となる。そして、駆動トランジスタとしてＮチャネル型のトランジスタを用いた場合、バックゲート（基板）電位が０Ｖとなり、駆動トランジスタの閾値電圧の画素毎のばらつきを補正する動作などに悪影響を及ぼすことになる。

また、トランジスタの特性ばらつきは、ＬＤＤ(Lightly Doped Drain)領域を持つＮチャネル型のトランジスタに比べて、ＬＤＤ領域を持たないＰチャネル型のトランジスタの方が小さく、画素の微細化、ひいては、表示装置の高精細化を図る上で有利である。このような理由などから、シリコンのような半導体上への形成を想定した場合、駆動トランジスタとして、Ｎチャネル型のトランジスタではなく、Ｐチャネル型のトランジスタを用いるのが好ましい。

本開示の表示装置は、Ｐチャネル型の駆動トランジスタの他に、サンプリングトランジスタ、発光制御トランジスタ、保持容量、及び、補助容量を有する画素回路が配置されて成る平面型（フラットパネル型）の表示装置である。平面型表示装置としては、有機ＥＬ表示装置、液晶表示装置、プラズマ表示装置などを例示することができる。これらの表示装置のうち、有機ＥＬ表示装置は、有機材料のエレクトロルミネッセンスを利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と記述する）を画素の発光素子（電気光学素子）として用いている。

画素の発光部として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置は次のような特長を持っている。すなわち、有機ＥＬ素子が１０Ｖ以下の印加電圧で駆動できるために、有機ＥＬ表示装置は低消費電力である。有機ＥＬ素子が自発光型の素子であるために、有機ＥＬ表示装置は、同じ平面型の表示装置である液晶表示装置に比べて、画像の視認性が高く、しかも、バックライト等の照明部材を必要としないために軽量化及び薄型化が容易である。更に、有機ＥＬ素子の応答速度が数マイクロ秒程度と非常に高速であるために、有機ＥＬ表示装置は動画表示時の残像が発生しない。

発光部を構成する有機ＥＬ素子は、自発光型の素子であるとともに、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子である。電流駆動型の電気光学素子としては、有機ＥＬ素子の他に、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ素子、半導体レーザー素子などを例示することができる。

有機ＥＬ表示装置等の平面型の表示装置は、表示部を備える各種の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることができる。各種の電子機器としては、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機、ノート型パーソナルコンピュータ、電子書籍等の携帯情報機器、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）や携帯電話機等の携帯通信機器などを例示することができる。

本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、第１の電圧について、画素の電源電圧である構成とすることができる。このとき、発光制御トランジスタについて、電源電圧のノードと駆動トランジスタのソース電極との間に接続する構成とすることができる。そして、発光制御トランジスタを導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極に電源電圧を書き込むことができ、また、発光制御トランジスタを非導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極をフローティングの状態にすることができる。

上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、第２の電圧について、画素の電源電圧と同じ電圧である構成とすることができる。あるいは又、第２の電圧について、画素の電源電圧と異なる電圧である構成とすることができる。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、サンプリングトランジスタについて、信号線と駆動トランジスタのゲート電極との間に接続された構成とすることができる。このとき、第２の電圧について、サンプリングトランジスタのサンプリングによって書き込む構成とすることができる。あるいは又、基準電圧について、サンプリングトランジスタのサンプリングによって書き込む構成とすることができる。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、基準電圧を書き込んだときの保持容量及び補助容量による容量カップリングによって駆動トランジスタのソース電位を上げる構成とすることができる。あるいは又、基準電圧を書き込んだときの保持容量及び補助容量による容量カップリングによって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を拡大する構成とすることができる。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、保持容量の容量値については任意に設定可能であるが、好ましくは、補助容量の容量値以上に設定するのがよい。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、画素回路の動作点として、最大かかる電圧が（電源電圧−信号電圧）である構成とすることができる。このとき、保持容量及び補助容量に対して、高誘電率材料を適用する構成とすることができる。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、第２の電圧について、信号線に書き込む構成とし、サンプリングトランジスタによってサンプリングされる構成とすることができる。このとき、信号線に対して第２の電圧を書き込むのに先立って、第２の電圧と信号電圧との間の中間電圧を書き込む構成とすることができる。

また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器にあっては、サンプリングトランジスタ及び発光制御トランジスタについて、駆動トランジスタと同じＰチャネル型のトランジスタから成る構成とすることができる。

＜本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置＞
［システム構成］
図１は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置の基本的な構成の概略を示すシステム構成図である。本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置は、特許文献１に記載の従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置でもある。

アクティブマトリクス型表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御する表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。

ここでは、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合もある。

図１に示すように、本開示の前提となる有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状に２次元配置されて成る画素アレイ部３０と、当該画素アレイ部３０の周辺に配置される駆動部とを有する構成となっている。駆動部は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。

ここで、有機ＥＬ表示装置１００がカラー表示対応の表示装置の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。

但し、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。

画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、行方向（画素行の画素の配列方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１₁〜３１_m）と駆動線３２（３２₁〜３２_m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、列方向（画素列の画素の配列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３₁〜３３_n）が画素列毎に配線されている。

走査線３１₁〜３１_mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２₁〜３２_mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３₁〜３３_nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。

書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際し、走査線３１（３１₁〜３１_m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ₁〜ＷＳ_m）を順次供給する。これにより、画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査が行われる。

駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２₁〜３２_m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ₁〜ＤＳ_m）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。

信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖ_sigと基準電圧Ｖ_ofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖ_ofsは、映像信号の信号電圧Ｖ_sigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）であり、後述する閾値補正に用いられる。

信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖ_sig／基準電圧Ｖ_ofsは、信号線３３（３３₁〜３３_n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖ_sigを行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。

［画素回路］
図２は、本開示の前提となるアクティブマトリクス型表示装置、即ち、従来例に係るアクティブマトリクス型表示装置における画素（画素回路）の回路例を示す回路図である。画素２０の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。

図２に示すように、画素２０は、有機ＥＬ素子２１と、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路とによって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。

有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。尚、ガラス基板のような絶縁体上ではなく、シリコンのような半導体上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。

また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖ_ddが印加される。

但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。

上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される信号電圧Ｖ_sigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖ_ddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。

保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた信号電圧Ｖ_sigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。

補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖ_ddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、信号電圧Ｖ_sigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thにする作用を為す。

［基本的な回路動作］
続いて、上記構成の本開示の前提となるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００の基本的な回路動作について、図３のタイミング波形図を用いて説明する。

図３のタイミング波形図には、信号線３３の電位Ｖ_ofs／Ｖ_sig、発光制御信号ＤＳ、書込み走査信号ＷＳ、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_s、ゲート電位Ｖ_g、及び、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoのそれぞれの変化の様子を示している。図３のタイミング波形図では、ゲート電位Ｖ_gの波形については一点鎖線で図示している。

尚、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４がＰチャネル型であるため、書込み走査信号ＷＳ及び発光制御信号ＤＳの低電位の状態がアクティブ状態となり、高電位の状態が非アクティブ状態となる。そして、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、書込み走査信号ＷＳ及び発光制御信号ＤＳのアクティブ状態で導通状態となり、非アクティブ状態で非導通状態となる。

時刻ｔ₈で、発光制御信号ＤＳが非アクティブ状態となり、発光制御トランジスタ２４が非導通状態となることで、保持容量２５に保持されていた電荷が駆動トランジスタ２２を通して放電される。そして、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_th以下になると、駆動トランジスタ２２がカットオフする。

駆動トランジスタ２２がカットオフすると、有機ＥＬ素子２１への電流供給の経路が遮断されるため、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが徐々に低下する。やがて、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが、有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thel以下になると、有機ＥＬ素子２１が完全に消光状態となる。その後、時刻ｔ₁で、発光制御信号ＤＳがアクティブ状態となり、発光制御トランジスタ２４が導通状態となることで、次の１Ｈ期間（Ｈは１水平期間）に入る。これにより、ｔ₈−ｔ₁の期間が消光期間となる。

発光制御トランジスタ２４が導通状態となることで、駆動トランジスタ２２のソース電極には電源電圧Ｖ_ddが書き込まれる。そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの上昇に連動して、ゲート電位Ｖ_gも上昇する。その後時刻ｔ₂で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となることで、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になり、信号線３３の電位をサンプリングする。このとき、信号線３３には、基準電圧Ｖ_ofsが供給された状態にある。従って、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって、駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖ_ofsが書き込まれる。これにより、保持容量２５には、（Ｖ_dd−Ｖ_ofs）の電圧が保持される。

ここで、後述する閾値補正動作（閾値補正処理）を行うには、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thを超える電圧に設定しておく必要がある。そのため、｜Ｖ_gs｜＝｜Ｖ_dd−Ｖ_ofs｜＞｜Ｖ_th｜となる関係に各電圧値が設定されることになる。

このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gを基準電圧Ｖ_ofsに設定する初期化動作が、次の閾値補正動作を行う前の準備（閾値補正準備）の動作である。従って、基準電圧Ｖ_ofsが、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gの初期化電圧ということになる。

次に、時刻ｔ₃で、発光制御信号ＤＳが非アクティブ状態になり、発光制御トランジスタ２４が非導通状態になると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sがフローティングとなる。そして、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが基準電圧Ｖ_ofsに保たれた状態で閾値補正動作が開始される。すなわち、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gから閾値電圧Ｖ_thを減じた電位（Ｖ_ofs−Ｖ_th）に向けて、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが下降（低下）を開始する。

このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gの初期化電圧Ｖ_ofsを基準とし、当該初期化電圧Ｖ_ofsから閾値電圧Ｖ_thを減じた電位（Ｖ_ofs−Ｖ_th）に向けて駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sを変化させる動作が閾値補正動作となる。この閾値補正動作が進むと、やがて、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thに収束する。この閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧は保持容量２５に保持される。このとき、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは、Ｖ_s＝Ｖ_ofs−Ｖ_thとなる。

そして、時刻ｔ₄で、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態になり、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態になると、閾値補正期間が終了する。その後、信号出力部６０から信号線３３に映像信号の信号電圧Ｖ_sigが出力され、信号線３３の電位が基準電圧Ｖ_ofsから信号電圧Ｖ_sigに切り替わる。

次に、時刻ｔ₅で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になることで、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になり、信号電圧Ｖ_sigをサンプリングして画素２０内に書き込む。このサンプリングトランジスタ２３による信号電圧Ｖ_sigの書込み動作により、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gが信号電圧Ｖ_sigになる。

この映像信号の信号電圧Ｖ_sigの書込みの際に、駆動トランジスタ２２のソース電極と電源電圧Ｖ_ddのノードとの間に接続されている補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが変動するのを抑える作用を為す。そして、映像信号の信号電圧Ｖ_sigによる駆動トランジスタ２２の駆動の際に、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thが保持容量２５に保持された閾値電圧Ｖ_thに相当する電圧と相殺される。

このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが、信号電圧Ｖ_sigに応じて拡大するが、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは依然としてフローティングの状態にある。そのため、保持容量２５の充電電荷は、駆動トランジスタ２２の特性に応じて放電される。そして、このとき駆動トランジスタ２２に流れる電流によって有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elの充電が開始される。

有機ＥＬ素子２１の等価容量Ｃ_elが充電されることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが時間が経過するにつれて徐々に下降していく。このとき既に、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thの画素毎のばらつきがキャンセルされており、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉ_dsは当該駆動トランジスタ２２の移動度μに依存したものとなる。尚、駆動トランジスタ２２の移動度μは、当該駆動トランジスタ２２のチャネルを構成する半導体薄膜の移動度である。

ここで、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの下降分は、保持容量２５の充電電荷を放電するように作用する。換言すれば、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの下降分（変化量）は、保持容量２５に対して負帰還がかけられたことになる。従って、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの下降分は負帰還の帰還量となる。

このように、駆動トランジスタ２２に流れるドレイン−ソース間電流Ｉ_dsに応じた帰還量で保持容量２５に対して負帰還をかけることにより、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉ_dsの移動度μに対する依存性を打ち消すことができる。この打ち消す動作（打ち消す処理）が、駆動トランジスタ２２の移動度μの画素毎のばらつきを補正する移動度補正動作（移動度補正処理）である。

より具体的には、駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる映像信号の信号振幅Ｖ_in（＝Ｖ_sig−Ｖ_ofs）が大きい程ドレイン−ソース間電流Ｉ_dsが大きくなるため、負帰還の帰還量の絶対値も大きくなる。従って、映像信号の信号振幅Ｖ_in、即ち、発光輝度レベルに応じた移動度補正処理が行われる。また、映像信号の信号振幅Ｖ_inを一定とした場合、駆動トランジスタ２２の移動度μが大きいほど負帰還の帰還量の絶対値も大きくなるため、画素毎の移動度μのばらつきを取り除くことができる。

時刻ｔ₆で、書込み走査信号ＷＳが非アクティブ状態になり、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態になることで、信号書込み＆移動度補正期間が終了する。移動度補正を行った後、時刻ｔ₇で、発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になることで、発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。これにより、電源電圧Ｖ_ddのノードから発光制御トランジスタ２４を通して駆動トランジスタ２２に電流が供給される。

このとき、サンプリングトランジスタ２３が非導通状態にあることで、駆動トランジスタ２２のゲート電極は信号線３３から電気的に切り離されてフローティング状態にある。ここで、駆動トランジスタ２２のゲート電極がフローティング状態にあるときは、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間に保持容量２５が接続されていることにより、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sの変動に連動してゲート電位Ｖ_gも変動する。

すなわち、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_s及びゲート電位Ｖ_gは、保持容量２５に保持されているゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを保持したまま上昇する。そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは、トランジスタの飽和電流に応じた有機ＥＬ素子２１の発光電圧Ｖ_oledまで上昇する。

このように、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_gがソース電位Ｖ_sの変動に連動して変動する動作がブートストラップ動作である。換言すれば、ブートストラップ動作は、保持容量２５に保持されたゲート−ソース間電圧Ｖ_gs、即ち、保持容量２５の両端間電圧を保持したまま、駆動トランジスタ２２のゲート電位Ｖ_g及びソース電位Ｖ_sが変動する動作である。

そして、駆動トランジスタ２２のドレイン−ソース間電流Ｉ_dsが有機ＥＬ素子２１に流れ始めることにより、当該電流Ｉ_dsに応じて有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが上昇する。やがて、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thelを超えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため、有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。

［閾値補正準備期間での不具合について］
ここで、閾値補正準備期間から閾値補正期間（時刻ｔ₂−時刻ｔ₄）にかけての動作点に着目する。先述した動作説明から明らかなように、閾値補正動作を行うには、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを、当該駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thを超える電圧に設定しておく必要がある。

そのために、駆動トランジスタ２２に電流が流れ、図３のタイミング波形図に示すように、閾値補正準備期間から閾値補正期間の一部にかけて、一時的に、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが当該有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thelを超えてしまう。これにより、駆動トランジスタ２２から有機ＥＬ素子２１に数ｍＡ程度の貫通電流が流れることとなる。

そのため、閾値補正準備期間（閾値補正期間の開始の一部を含む）では、非発光期間であるにも拘わらず、信号電圧Ｖ_sigの階調に依らず毎フレーム、一定輝度で発光部（有機ＥＬ素子２１）が発光してしまう。その結果、表示パネル７０のコントラストの低下を招くことになる。

＜実施形態の説明＞
上記の不具合を解消するために、本開示の実施形態では次の構成を採る。すなわち、閾値補正の際に（閾値補正を行うに当たって）、駆動トランジスタ２２のソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第１の電圧との差が閾値電圧Ｖ_thよりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込む。しかる後、駆動トランジスタ２２のソース電極をフローティングにした状態でゲート電極に基準電圧Ｖ_ofsを書き込む。この動作は、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成る駆動部による駆動の下に実行される。

本実施形態にあっては、第１の電圧として電源電圧Ｖ_ddが用いられる。但し、電源電圧Ｖ_ddに限られるものではない。第２の電圧については、以下、参照電圧Ｖ_refと呼ぶこととする。本実施形態にあっては、参照電圧Ｖ_refとして、Ｖ_ref＞Ｖ_dd−│Ｖ_th│の関係を満たす電圧が用いられる。

図４は、本開示の実施形態に係るアクティブマトリクス型表示装置の構成の概略を示すシステム構成図である。本実施形態においても、画素回路２０の発光部（発光素子）として有機ＥＬ素子２１を用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の場合を例に挙げて説明するものとする。

尚、本実施形態にあっては、画素回路（画素）２０の駆動（駆動方法）を特徴としている。従って、画素回路２０については、図２の画素回路と同じ構成となっている。すなわち、有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、Ｐチャネル型の駆動トランジスタ２２を用いた３Ｔｒ（トランジスタ）の回路構成となっている。

本実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０にあっては、上記の駆動（駆動方法）を実現するために、信号出力部６０は、信号線３３に対して、閾値補正に用いる基準電圧Ｖ_ofs、映像信号の信号電圧Ｖ_sig、及び、参照電圧Ｖ_refを選択的に供給する構成となっている。すなわち、信号線３３の電位は、Ｖ_ofs／Ｖ_sig／Ｖ_refの３値を選択的にとる。

以下に、本実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０の回路動作について、図５のタイミング波形図を用いて、図６−図８の動作説明図を参照しつつ説明する。尚、図６−図８の動作説明図では、図面の簡略化のために、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４について、スイッチのシンボルを用いて図示している。

消光期間（ｔ₈−ｔ₁）が終了し、時刻ｔ₂で、発光制御信号ＤＳが非アクティブ状態となることで、図６Ａに示すように、発光制御トランジスタ２４が非導通状態となる。これにより、電源電圧Ｖ_ddと駆動トランジスタ２２のソース電極との間の電気的な接続が解除されるため、駆動トランジスタ２２のソース電極はフローティングの状態になる。このとき、サンプリングトランジスタ２３も非導通状態にある。

次に、時刻ｔ₃で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態となることで、図６Ｂに示すように、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になり、信号線３３の電位をサンプリングする。このとき、信号線３３には、基準電圧Ｖ_ofsが供給された状態にある。従って、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって、駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖ_ofsが書き込まれる。

ここで、駆動トランジスタ２２のソース電極がフローティングの状態にあるため、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは、保持容量２５及び補助容量２６の容量比に応じた容量カップリングによってゲート電位Ｖ_gに追従して下降する。このとき、保持容量２５の容量値をＣ_sとし、補助容量２６の容量値をＣ_subとすると、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sは、次式（１）で与えられる。
Ｖ_s＝Ｖ_dd−{１−Ｃ_sub/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}×（Ｖ_ofs−Ｖ_dd) ・・・（１）

従って、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsは、
Ｖ_gs＝{Ｃ_sub/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}×（Ｖ_ofs−Ｖ_dd) ・・・（２）
となる。すなわち、保持容量２５及び補助容量２６の容量比に応じた容量カップリングによって、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが拡大する。基準電圧Ｖ_ofsの電圧値、並びに、保持容量２５及び補助容量２６の容量値Ｃ_s，Ｃ_subについては、Ｖ_gs＞│Ｖ_th│の条件を満たすような値に設定する。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsは、閾値電圧Ｖ_thを超える電圧となる。

閾値補正期間（ｔ₃−ｔ₄）では、図７Ａに示すように、保持容量２５に保持された電荷は、駆動トランジスタ２２を通して放電される。そして、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sがＶ_ofs＋│Ｖ_th│になると、駆動トランジスタ２２が非導通状態となり、閾値補正動作が終了する。これにより、保持容量２５には、駆動トランジスタ２２の│Ｖ_th│に相当する電圧が保持される。

閾値補正期間（ｔ₃−ｔ₄）が終了した後、信号線３３の電位が基準電圧Ｖ_ofsから映像信号の信号電圧Ｖ_sigに切り替わる。その後、時刻ｔ₅で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になることで、図７Ｂに示すように、サンプリングトランジスタ２３が再度導通状態になる。そして、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって、駆動トランジスタ２２のゲート電極に信号電圧Ｖ_sigが書き込まれる。

このとき、駆動トランジスタ２２のソース電極がフローティングの状態にあるため、保持容量２５及び補助容量２６の容量比に応じた容量カップリングによって、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sがゲート電位Ｖ_gに追従する。このとき、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsは、
Ｖ_gs＝{Ｃ_sub/(Ｃ_s＋Ｃ_sub)}×（Ｖ_ofs-Ｖ_sig)＋│Ｖ_th│ ・・・（３）
になる。

この信号書込み期間では、駆動トランジスタ２２を介して電流が流れるため、先述したアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１００の動作の場合と同様に、信号電圧Ｖ_sigの書込みを行いながら移動度補正が行われる。移動度補正の際の動作については、先述した通りである。この信号書込み＆移動度補正期間（ｔ₅−ｔ₆）は、数１００ナノ秒〜数マイクロ秒と非常に短い時間となる。

信号書込み＆移動度補正期間（ｔ₅−ｔ₆）が終了した後、時刻ｔ₇で、発光制御信号ＤＳがアクティブ状態になることで、図８Ａに示すように、発光制御トランジスタ２４が導通状態になる。これにより、電源電圧Ｖ_ddのノードから発光制御トランジスタ２４を通して駆動トランジスタ２２に電流Ｉ_dsが流れる。このとき、先述したブートストラップ動作が行われる。そして、有機ＥＬ素子２１のアノード電位Ｖ_anoが有機ＥＬ素子２１の閾値電圧Ｖ_thelを超えると、有機ＥＬ素子２１に駆動電流が流れ始めるため、有機ＥＬ素子２１が発光を開始する。

このとき、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖ_thと移動度μの画素毎のばらつきの補正が行われた状態にあるため、トランジスタ特性のばらつきの無い、ユニフォーミティの高い画質を得ることができる。また、発光期間では、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sが電源電圧Ｖ_ddまで上昇し、そのゲート電位Ｖ_gも保持容量２５を介して追従し、同様に上昇する。

発光期間において、信号線３３の電位が映像信号の信号電圧Ｖ_sigから参照電圧Ｖ_refに切り替わる。そして、消光期間に入る時刻ｔ₈で、書込み走査信号ＷＳがアクティブ状態になることで、図８Ｂに示すように、サンプリングトランジスタ２３が導通状態になる。そして、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって参照電圧Ｖ_refが駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれる。このとき、発光制御トランジスタ２４が導通状態にあることで、駆動トランジスタ２２のソース電極には電源電圧Ｖ_ddが書き込まれている。従って、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsは、Ｖ_gs＝Ｖ_dd−Ｖ_refとなる。

ここで、参照電圧Ｖ_refをＶ_dd−Ｖ_ref＜│Ｖ_th│の関係を満たす値に設定することで、駆動トランジスタ２２を非導通状態にすることが可能となる。そして、駆動トランジスタ２２が非導通状態になることで、有機ＥＬ素子２１への電流の供給が停止するため、有機ＥＬ素子２１が消光する。

上述した一連の回路動作において、閾値補正、信号書込み＆移動度補正、発光、及び、消光の各動作は、例えば１水平期間（１Ｈ）において実行される。

尚、ここでは、閾値補正処理を１回だけ実行する駆動法を採る場合を例に挙げて説明したが、この駆動法は一例に過ぎず、この駆動法に限られるものではない。例えば、閾値補正を移動度補正及び信号書込みと共に行う１Ｈ期間に加えて、当該１Ｈ期間に先行する複数の水平期間に亘って分割して閾値補正を複数回実行する、所謂、分割閾値補正を行う駆動法を採ることも可能である。

この分割閾値補正の駆動法によれば、高精細化に伴う多画素化によって１水平期間として割り当てられる時間が短くなったとしても、閾値補正期間として複数の水平期間に亘って十分な時間を確保することができる。従って、１水平期間として割り当てられる時間が短くなっても、閾値補正期間として十分な時間を確保できるため、閾値補正処理を確実に実行できることになる。

以上説明した、Ｐチャネル型の駆動トランジスタ２２を用いた３Ｔｒの画素回路では、駆動トランジスタ２２としてＮチャネル型のトランジスタを用いる場合に比べて、トランジスタのばらつきを抑制できる。そして、当該３Ｔｒの画素回路において、消光動作及び容量カップリングを用いた閾値補正動作を行うことで、非発光期間での有機ＥＬ素子２１への貫通電流を抑制できるため、コントラストを維持したままユニフォーミティの高い画質を得ることができる。

より具体的には、駆動トランジスタ２２のソース電極に電源電圧Ｖ_ddを、ゲート電極にＶ_dd−Ｖ_ref＜│Ｖ_th│の関係を満たす参照電圧Ｖ_refをそれぞれ書き込むことで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが閾値電圧Ｖ_thよりも小さくなる。このとき、駆動トランジスタ２２が非導通状態となり、有機ＥＬ素子２１への電流の供給が行われないため、有機ＥＬ素子２１は消光状態となる（消光動作）。

その後、ソース電極がフローティングの状態にある駆動トランジスタ２２のゲート電極に基準電圧Ｖ_ofsを書き込むことで、保持容量２５及び補助容量２６の容量比に応じた容量カップリングによって、駆動トランジスタ２２のソース電位Ｖ_sがゲート電位Ｖ_gに追従して下降する。これにより、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsが閾値電圧Ｖ_th以上に拡大する。従って、貫通電流が流れる閾値補正準備期間を設けなくて済むため、非発光期間での有機ＥＬ素子２１への貫通電流を抑制できる。その結果、コントラストを維持したままユニフォーミティの高い画質を得ることができる。

保持容量２５及び補助容量２６の各容量値Ｃ_s，Ｃ_subについては、先述したＶ_gs＞│Ｖ_th│の条件を満たす限りにおいて任意に設定可能である。但し、Ｃ_s≧Ｃ_subの関係に設定することで、駆動トランジスタ２２のゲート−ソース間電圧Ｖ_gsを小さくできるため、駆動トランジスタ２２に流れる電流を小さくすることができる。

また、本実施形態に係る画素回路では、回路動作点として、最大かかる電圧が（Ｖ_dd−Ｖ_sig）であり、これは例えば４［Ｖ］程度の電圧であり、画素回路として非常に小さい（低い）。これにより、画素回路を構成するトランジスタの耐圧、また、容量素子に要求される耐圧に対してマージンを得ることができるため、絶縁膜の薄膜化及び保持容量２５や補助容量２６への高誘電率材料の適用などを容易に行うことができる。保持容量２５や補助容量２６を構成する高誘電率材料としては、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）、酸化チタン（ＴａＯ）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ）などを例示することができる。

＜変形例＞
本開示の技術は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変形、改変が可能である。例えば、上記の実施形態では、画素２０を構成するＰチャネル型のトランジスタをシリコンのような半導体上に形成して成る表示装置に適用した場合を例に挙げて説明したが、画素２０を構成するＰチャネル型のトランジスタをガラス基板のような絶縁体上に形成して成る表示装置に対しても、本開示の技術を適用することができる。

また、上記の実施形態では、基準電圧Ｖ_ofs及び参照電圧Ｖ_refを信号線３３からサンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって画素回路２０内に選択的に書き込むとしたが、これに限られるものではない。すなわち、基準電圧Ｖ_ofs及び参照電圧Ｖ_refをそれぞれ独立に書き込む専用のトランジスタを画素回路２０内に設ける構成を採ることも可能である。

［変形例１］
上記の実施形態では、参照電圧Ｖ_refについて、Ｖ_ref＞Ｖ_dd−Ｖ_thの関係を満たす電圧を用いるとしたが、当該条件を満たす限りにおいて、参照電圧Ｖ_refが画素回路２０の電源電圧Ｖ_ddと異なる電圧であってもよいが、同じ電圧である方が好ましい。参照電圧Ｖ_refを電源電圧Ｖ_ddと同じ電圧とすることで、参照電圧Ｖ_refを生成するために専用の電源を設ける必要がなくなるため、システム構成の簡略化を図ることができる、というメリットがある。

［変形例２］
上記の実施形態では、信号線３３に対して参照電圧Ｖ_refを書き込む際に、映像信号の信号電圧Ｖ_sigから直接参照電圧Ｖ_refに切り替える構成としたが、参照電圧Ｖ_refを書き込むのに先立って、信号電圧Ｖ_sigと参照電圧Ｖ_refとの間の中間電圧Ｖ_midを書き込む構成を採ることも可能である。

信号電圧Ｖ_sigから直接参照電圧Ｖ_refに切り替える場合、信号線３３の電位がＶ_sigからＶ_refへと大きく遷移するため、図９に示すように、信号線３３の電位にオーバーシュートが発生する場合がある。遷移時にオーバーシュートが発生すると、有機ＥＬ素子２１の発光中に非導通状態にあるサンプリングトランジスタ２３のゲート電位Ｖ_g、ドレイン電位Ｖ_d、ソース電位Ｖ_s（信号線３３の電位でもある）の電位関係が崩れてしまう。

具体的には、発光中の駆動トランジスタ２２のゲート電位をＶ_A、オーバーシュート電位をＶ_overとすると、サンプリングトランジスタ２３の電位関係が、Ｖ_g＝Ｖ_dd、Ｖ_d＝Ｖ_A、Ｖ_s＝Ｖ_dd＋Ｖ_overとなる。そして、Ｖ_gs＝Ｖ_over＞│Ｖ_th│となった際に、サンプリングトランジスタ２３が一瞬導通状態になってしまう。すると、発光中にも関わらず参照電圧Ｖ_refが駆動トランジスタ２２のゲート電極に書き込まれることになるため、輝度が低下し、有機ＥＬ素子２１が消光してしまう懸念がある。

このような不具合を解消するために為されたのが変形例２である。具体的には、図１０のシステム構成図に示すように、信号出力部６０は、信号線３３に対して、閾値補正に用いる基準電圧Ｖ_ofs、映像信号の信号電圧Ｖ_sig、参照電圧Ｖ_ref、及び、信号電圧Ｖ_sigと参照電圧Ｖ_refとの間の中間電圧Ｖ_midを選択的に供給する構成となっている。すなわち、信号線３３の電位は、Ｖ_ofs／Ｖ_sig／Ｖ_ref／Ｖ_midの４値をとる。

そして、図１１のタイミング波形図に示すように、映像信号の信号電圧Ｖ_sigから直接参照電圧Ｖ_refに切り替える際に、Ｖ_sig⇒Ｖ_mid⇒Ｖ_refという具合に中間電圧Ｖ_midを経由した切替えを行うことで、オーバーシュートの発生を抑制することができる。これにより、サンプリングトランジスタ２３を使用した消光動作の不具合である輝度劣化を無くすことが可能となる。

また、変形例２を採用するに当たって、中間電圧Ｖ_midとして基準電圧Ｖ_ofsを利用することで、中間電圧Ｖ_midを生成するために専用の電源を設ける必要がなくなるため、システム構成の簡略化を図ることができる。

＜電子機器＞
以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器において、その表示部（表示装置）として用いることが可能である。

上述した実施形態の説明から明らかなように、本開示の表示装置は、非発光期間では発光部を確実に非発光の状態に制御することができるため、表示パネルの高コントラスト化を図ることができる。従って、あらゆる分野の電子機器において、その表示部として本開示の表示装置を用いることで、表示部の高コントラスト化を実現できることになる。

本開示の表示装置を表示部に用いる電子機器としては、テレビジョンシステムの他、例えば、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルカメラ、ビデオカメラ、ゲーム機器、ノート型パーソナルコンピュータなどを例示することができる。また、本開示の表示装置は、電子書籍機器や電子腕時計等の携帯情報機器や、携帯電話機やＰＤＡ等の携帯通信機器などの電子機器において、その表示部として用いることもできる。

尚、本開示は以下のような構成をとることもできる。
［１］発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、信号電圧を書き込むサンプリングトランジスタ、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続された保持容量、及び、駆動トランジスタのソース電極に接続された補助容量を含む画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
閾値補正の際に、駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、しかる後、駆動トランジスタのソース電極をフローティングにした状態でゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を書き込む駆動を行う駆動部と、
を備える表示装置。
［２］第１の電圧は、画素の電源電圧である上記［１］に記載の表示装置。
［３］発光制御トランジスタは、電源電圧のノードと駆動トランジスタのソース電極との間に接続されており、
駆動部は、発光制御トランジスタを導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極に電源電圧を書き込み、発光制御トランジスタを非導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極をフローティングの状態にする上記［２］に記載の表示装置。
［４］第２の電圧は、画素の電源電圧と同じである上記［１］から上記［３］のいずれかに記載の表示装置。
［５］第２の電圧は、画素の電源電圧と異なる電圧である上記［１］から上記［３］のいずれかに記載の表示装置。
［６］サンプリングトランジスタは、信号線と駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されており、
駆動部は、信号線を通して与えられる第２の電圧を、サンプリングトランジスタのサンプリングによって書き込む上記［１］から上記［５］のいずれかに記載の表示装置。
［７］サンプリングトランジスタは、信号線と駆動トランジスタのゲート電極との間に接続されており、
駆動部は、信号線を通して与えられる基準電圧を、サンプリングトランジスタのサンプリングによって書き込む上記［１］から上記［５］のいずれかに記載の表示装置。
［８］駆動部は、基準電圧を書き込んだときの保持容量及び補助容量による容量カップリングによって駆動トランジスタのソース電位を上げる上記［１］から上記［７］のいずれかに記載の表示装置。
［９］駆動部は、基準電圧を書き込んだときの保持容量及び補助容量による容量カップリングによって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を拡大する上記［１］から上記［７］のいずれかに記載の表示装置。
［１０］保持容量の容量値は、補助容量の容量値以上である上記［１］から上記［９］のいずれかに記載の表示装置。
［１１］画素回路の動作点として、最大かかる電圧が（電源電圧−信号電圧）である上記［１］から上記［１０］のいずれかにに記載の表示装置。
［１２］保持容量は、高誘電率材料から成る上記［１１］に記載の表示装置。
［１３］補助容量は、高誘電率材料から成る上記［１１］に記載の表示装置。
［１４］ 第２の電圧は、信号線に書き込まれ、サンプリングトランジスタによってサンプリングされる電圧であり、
信号線に対して第２の電圧を書き込むのに先立って、第２の電圧と信号電圧との間の中間電圧を書き込む上記［１］から上記［１３］のいずれかに記載の表示装置。
［１５］中間電圧は、基準電圧である上記［１４］に記載の表示装置。
［１６］発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている上記［１］から上記［１５］のいずれかに記載の表示装置。
［１７］電流駆動型の電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である上記［１６］に記載の表示装置。
［１８］サンプリングトランジスタ及び発光制御トランジスタは、Ｐチャネル型のトランジスタから成る上記［１］から上記［１７］のいずれかに記載の表示装置。
［１９］発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、信号電圧を書き込むサンプリングトランジスタ、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続された保持容量、及び、駆動トランジスタのソース電極に接続された補助容量を含む画素回路が配置されて成る表示装置の駆動に当たって、
閾値補正の際に、
駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、
次いで、駆動トランジスタのソース電極をフローティングにし、
しかる後、駆動トランジスタのゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を書き込む表示装置の駆動方法。
［２０］発光部を駆動するＰチャネル型の駆動トランジスタ、信号電圧を書き込むサンプリングトランジスタ、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続された保持容量、及び、駆動トランジスタのソース電極に接続された補助容量を含む画素回路が配置されて成る画素アレイ部と、
閾値補正の際に、駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧を、ゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、しかる後、駆動トランジスタのソース電極をフローティングにした状態でゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を書き込む駆動を行う駆動部と、
を備える表示装置を有する電子機器。

１０，１００・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素（画素回路）、２１・・・有機ＥＬ素子、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１（３１₁〜３１_m）・・・走査線、３２（３２₁〜３２_m）・・・駆動線、３３（３３₁〜３３_n）・・・信号線、３４・・・共通電源線、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル

Claims (13)

1. 複数の画素が配置された画素アレイ部、及び、
   複数の画素を制御する走査部、
   を備え、
   画素は、
   発光部、
   発光部を駆動する駆動トランジスタ、
   信号線と駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、信号出力部から信号線を通して供給される電圧を駆動トランジスタに書き込むサンプリングトランジスタ、
   電源電圧のノードと駆動トランジスタのソース電極との間に接続され、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
   駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、駆動トランジスタの閾値電圧に相当する電圧を保持する保持容量、及び、
   駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量、
   を含み、
   走査部は、
   閾値補正を行うに当たって、発光制御トランジスタを導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧である電源電圧を、サンプリングトランジスタを導通状態にすることによってゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、閾値補正では、発光制御トランジスタを非導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極をフローティングにした状態で、ゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を、サンプリングトランジスタを導通状態にすることによって書き込み、
   基準電圧の書き込み完了後、駆動トランジスタへ信号電圧を、サンプリングトランジスタを導通状態にすることによって書き込み、
   発光期間において、走査部は、発光制御トランジスタを導通状態にし、且つ、サンプリングトランジスタを非導通状態にし、信号出力部は、信号線の電位を信号電圧から第２の電圧へ切り替える表示装置。
2. 複数の画素が配置された画素アレイ部、及び、
   複数の画素を制御する走査部、
   を備え、
   画素は、
   発光部、
   発光部を駆動する駆動トランジスタ、
   信号線と駆動トランジスタのゲート電極との間に接続され、信号出力部から信号線を通して供給される電圧を駆動トランジスタに書き込むサンプリングトランジスタ、
   電源電圧のノードと駆動トランジスタのソース電極との間に接続され、発光部の発光／非発光を制御する発光制御トランジスタ、
   駆動トランジスタのゲート電極とソース電極との間に接続され、駆動トランジスタの閾値電圧に相当する電圧を保持する保持容量、及び、
   駆動トランジスタのソース電極と固定電位のノードとの間に接続された補助容量、
   を含み、
   走査部は、
   閾値補正を行うに当たって、発光制御トランジスタを導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極に第１の電圧である電源電圧を、サンプリングトランジスタを導通状態にすることによってゲート電極に第１の電圧との差が駆動トランジスタの閾値電圧の絶対値よりも小さい第２の電圧をそれぞれ書き込み、閾値補正では、発光制御トランジスタを非導通状態にすることによって駆動トランジスタのソース電極をフローティングにした状態で、ゲート電極に対して閾値補正に用いる基準電圧を、サンプリングトランジスタを導通状態にすることによって書き込み、
   基準電圧の書き込み完了後、駆動トランジスタへ信号電圧を、サンプリングトランジスタを導通状態にすることによって書き込み、
   発光期間において、走査部は、発光制御トランジスタを導通状態にし、且つ、サンプリングトランジスタを非導通状態にし、信号出力部は、信号線の電位を、信号電圧から、第２の電圧と信号電圧との間の電圧である中間電圧へ切り替える表示装置。
3. 中間電圧は、基準電圧である請求項２に記載の表示装置。
4. 第２の電圧は、画素の電源電圧と同じである請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 第２の電圧は、画素の電源電圧と異なる電圧である請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 走査部は、基準電圧を書き込んだときの保持容量及び補助容量による容量カップリングによって駆動トランジスタのソース電位を上げる請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 走査部は、基準電圧を書き込んだときの保持容量及び補助容量による容量カップリングによって駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧を拡大させる請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 保持容量の容量値は、補助容量の容量値以上である請求項６又は請求項７に記載の表示装置。
9. 画素の回路の動作点として、最大かかる電圧が（電源電圧−信号電圧）である請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 保持容量は、高誘電率材料から成る請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 補助容量は、高誘電率材料から成る請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 発光部は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子から構成されている請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の表示装置。
13. 電流駆動型の電気光学素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子である請求項１２に記載の表示装置。

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