CN107452771A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括具有不同宽度的第一像素区和第二像素区。第一像素位于第一像素区中，每个第一像素包括第一晶体管。第二像素位于第二像素区中，每个第二像素包括与第一晶体管执行相同功能的第二晶体管。第一像素的第一晶体管和第二像素的第二晶体管的沟道宽度和沟道长度中的至少一个彼此不同。

Description

显示装置

于2016年5月31日在韩国知识产权局提交并且名称为“显示装置”的第10-2016-0067603号韩国专利申请通过引用全部包含于此。

技术领域

实施例涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种能够减小亮度差的显示装置。

背景技术

有机发光显示装置包括两个电极和位于两个电极之间的有机发光层。从一个电极注入的电子与从另一电极注入的空穴在有机发光层结合，从而形成激子，激子在发射能量的同时发射光。

有机发光显示装置包括具有作为自发射元件的有机发光二极管(OLED)的多个像素。布线和多个薄膜晶体管(TFT)形成在每个像素中。

布线的长度可以根据布置在水平方向上的像素的数量而变化，从而布线可以具有不同的负载值。当布线具有不同的负载值时，由于布线的负载值的差，会在有机发光显示装置中产生亮度差。

发明内容

根据实施例的显示装置包括：第一像素区和第二像素区，具有不同的宽度；第一像素，位于第一像素区中并且均包括第一晶体管；第二像素，位于第二像素区中并且均包括与第一晶体管执行相同功能的第二晶体管。第一晶体管的沟道宽度W和沟道长度L中的至少一个与第二晶体管的沟道宽度W和沟道长度L中的至少一个不同。

第一像素区设置为具有比第二像素区大的宽度。

第一晶体管和第二晶体管设置为驱动晶体管，第一晶体管的W/L比第二晶体管的W/L小。

第一晶体管和第二晶体管设置为用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管，第一晶体管的安装面积比第二晶体管的安装面积大。

显示装置还包括：第三像素区，具有与第一像素区和第二像素区不同的宽度；第三像素，位于第三像素区中并且均包括与第一晶体管执行相同功能的第三晶体管。

第三像素区具有比第二像素区小的宽度。

第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管设置为驱动晶体管。第一晶体管的W/L比第二晶体管的W/L小。第三晶体管的W/L比第二晶体管的W/L大。

第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管设置为用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管。第一晶体管的安装面积比第二晶体管的安装面积大。第三晶体管的安装面积比第二晶体管的安装面积小。

显示装置还包括：第三像素区，设置为具有与第二像素区相同的宽度；第三像素，位于第三像素区中并且均包括与第一晶体管执行相同功能的第三晶体管。

第三晶体管的W/L与第二晶体管的W/L相同。

第二晶体管和第三晶体管是驱动晶体管。

第二晶体管和第三晶体管是用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管。

第二像素区的宽度从第一宽度逐渐减小到比第一宽度小的第二宽度。

第二像素区分成包括至少一条水平线的j(j是不小于2的自然数)个区域。

j个区域中的每个区域包括不少于两条水平线，位于同一区域中的第二晶体管的W/L设置为相同。

第二晶体管设置为驱动晶体管，第二晶体管的W/L设置为在j个区域中变化。

第二晶体管的W/L设置为在具有较小宽度的区域中较大。

第二晶体管设置为用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管。第二晶体管的安装面积设置为在j个区域中变化。

第二晶体管的安装面积设置为在具有较小宽度的区域中较小。

根据另一实施例的显示装置包括：第一像素区和第二像素区，具有不同宽度；第一像素，形成在第一像素区中并且均包括第一电容器；第二像素，形成在第二像素区中并且均包括与第一电容器执行相同功能的第二电容器。第一电容器和第二电容器设置为变化。

第一像素区设置为具有比第二像素区大的宽度。

第一电容器和第二电容器设置为被构造为存储数据信号的电压的存储电容器，第一电容器设置为具有比第二电容器低的容量。

第一电容器和第二电容器设置为位于扫描线与驱动晶体管之间的升压电容器，第一电容器设置为具有比第二电容器高的容量。

根据另一实施例的显示装置包括：第一像素，位于具有第一宽度的第一像素区中；第二像素，位于具有与第一宽度不同的第二宽度的第二像素区中。第一像素和第二像素中的每个包括：有机发光二极管(OLED)；第一晶体管，构造为控制从连接到第一晶体管的第一电极的第一电源经由OLED流向第二电源的电流量；第二晶体管，连接在数据线与第一晶体管的第一电极之间。包括在第一像素中的第一晶体管的沟道宽度W和沟道长度L中的至少一个设置为与包括在第二像素中的第一晶体管的沟道宽度W和沟道长度L中的至少一个不同。

第一宽度设置为具有比第二宽度大的宽度。

包括在第一像素中的第一晶体管的W/L设置为比包括在第二像素中的第一晶体管的W/L小。

第一像素和第二像素中的每个还包括连接在第一晶体管的栅电极与第一晶体管的第二电极之间的第三晶体管。

包括在第一像素中的第三晶体管的安装面积设置为比包括在第二像素中的第三晶体管的安装面积大。

第一像素和第二像素中的每个还包括连接在扫描线与第一晶体管的栅电极之间的升压电容器。

包括在第一像素中的升压电容器设置为具有比包括在第二像素中的升压电容器高的容量。

第一像素和第二像素中的每个还包括连接在第一晶体管的栅电极与第一电源之间的存储电容器。

包括在第一像素中的存储电容器设置为具有比包括在第二像素中的存储电容器低的容量。

附图说明

通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对本领域的普通技术人员将变得明显，在附图中：

图1A和图1B示出了根据实施例的基底的图；

图2示出了根据另一实施例的基底的图；

图3示出了根据另一实施例的基底的图；

图4示出了根据另一实施例的基底的图；

图5示出了与图1A的基底对应的有机发光显示装置的实施例的图；

图6示出了图5的像素区的RC负载值的图；

图7示出了与图2的基底对应的有机发光显示装置的实施例的图；

图8示出了与图3的基底对应的有机发光显示装置的实施例的图；

图9示出了与图4的基底对应的有机发光显示装置的实施例的图；

图10示出了图9的第二像素区的实施例的图；

图11A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的实施例；

图11B示出了图5和图7的第二像素的实施例；

图11C示出了图7的第三像素的实施例；

图12示出了驱动图11A的第一像素的方法的实施例的波形图；

图13A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的另一实施例；

图13B示出了图5和图7的第二像素的另一实施例；

图13C示出了图7的第三像素的另一实施例；

图14A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的另一实施例；

图14B示出了图5和图7的第二像素的另一实施例；

图14C示出了图7的第三像素的另一实施例；

图15A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的另一实施例；

图15B示出了图5和图7的第二像素的另一实施例；

图15C示出了图7的第三像素的另一实施例。

具体实施方式

在下文中，现在将参照附图更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形式实施并且不应解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将向本领域的技术人员充分地传达示例实施例的范围。

将理解的是，当元件被称作“在”两个元件“之间”时，它可以是所述两个元件之间的唯一元件，或者也可以存在一个或更多个中间元件。同样的附图标记始终表示同样的元件。

图1A和图1B示出了根据实施例的基底100的图。

参照图1A，根据实施例的基底100包括具有第一宽度WD1的第一像素区PA1和具有第二宽度WD2的第二像素区PA2，即，在第一方向D1上的范围。这里，第二宽度WD2设置为比第一宽度WD1小。第一像素区PA1可以具有比第二像素区PA2的面积大的面积，即，第二像素区PA2可以以小于或等于在第一像素区PA1的第二方向D2上的范围在第二方向D2上延伸。

根据实施例，宽度由沿相应的像素区的水平方向(即，第一方向D1)布置的像素的数量确定。因此，与第一像素区PA1的水平线上包括的像素数量相比，第二像素区PA2的水平线上可以包括更少数量的像素。

第一像素PXL1形成在具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中。第一像素PXL1在第一像素区PA1中显示预定图像。第二像素PXL2形成在具有第二宽度WD2的第二像素区PA2中。第二像素PXL2在第二像素区PA2中显示预定图像。

第二像素区PA2可以位于第一像素区PA1的一侧处。例如，第二像素区PA2可以从第一像素区PA1的部分的上部区域突出，即，可以从第一像素区PA1沿第二方向D2延伸并且可以沿第一方向D1与第一像素区PA1的边缘对齐，例如，第一像素区PA1的右边缘和第二像素区PA2的右边缘可以沿第一方向D1对齐。

可选择地，具有第二宽度WD2的第二像素区PA2可以形成在与第一像素区PA1相邻的各种位置中。例如，第二像素区PA2可以从第一像素区PA1的部分的下部区域例如沿第二方向D2突出，或者可以从第一像素区PA1的任一侧例如沿第一方向D1突出。

此外，如图1B中所示，包括第二像素区PA2的角部的至少部分侧边可以是倾斜的，即，可以倾斜以与第一方向D1和第二方向D2两者形成倾斜角。第二像素区PA2的至少部分区域可以具有比第二宽度WD2小的第三宽度WD3。例如，第二像素区PA2的宽度可以从第二宽度WD2逐渐减小至第三宽度WD3。当第二像素区PA2的宽度从第二宽度WD2逐渐减小至第三宽度WD3时，第二像素PXL2的数量可以以至少一条水平线为单位变化。例如，更多的第二像素PXL2可以在更靠近第一像素区PA1的第二像素区PA2中沿水平线布置。

可选择地，包括第二像素区PA2的角部的至少部分侧边可以是倾斜的或者可以具有另一种形状。例如，包括第二像素区PA2的角部的至少部分侧边可以以预定曲率弯曲。包括第一像素区PA1的角部的至少部分侧边可以是倾斜的或者弯曲的。

基底100可以由例如玻璃、树脂等的绝缘材料形成。可选择地，基底100可以由柔性材料形成以被弯曲或弯折，并且可以具有单层结构或多层结构。例如，基底100可以包括聚苯乙烯、聚乙烯醇(PVA)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)和乙酸丙酸纤维素(CAP)中的至少一种。基底100可以由诸如玻璃纤维增强塑料(FRP)的各种材料形成。

图2是示出根据另一实施例的基底的图。参照图2，根据实施例的基底101包括具有第一宽度WD1的第一像素区PA1、具有第二宽度WD2的第二像素区PA2和具有第四宽度WD4的第三像素区PA3。这里，第四宽度WD4比第二宽度WD2小，第二宽度WD2设置为比第一宽度WD1小。在这种情况下，第一像素区PA1可以具有比第二像素区PA2的面积大的面积，第二像素区PA2可以具有比第三像素区PA3的面积大的面积。

第一像素PXL1形成在具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中。第一像素PXL1在第一像素区PA1中显示预定图像。

第二像素PXL2形成在具有第二宽度WD2的第二像素区PA2中。第二像素PXL2在第二像素区PA2中显示预定图像。

第三像素PXL3形成在具有第四宽度WD4的第三像素区PA3中。第三像素PXL3在第三像素区PA3中显示预定图像。

第二像素区PA2可以位于第一像素区PA1的一侧处。例如，第二像素区PA2可以从第一像素区PA1的部分的上部区域突出。此外，具有第二宽度WD2的第二像素区PA2可以形成在各种位置中以与第一像素区PA1相邻。

第三像素区PA3可以位于第二像素区PA2的一侧处。例如，第三像素区PA3可以从第二像素区PA2的部分的上部区域突出。此外，具有第四宽度WD4的第三像素区PA3可以形成在各种位置中以与第二像素区PA2相邻。例如，第一像素区PA1至第三像素区PA3可以具有沿第二方向D2延伸并沿第一方向D1对齐的其右边缘。

可选择地，如结合图1B所讨论的，包括第一像素区PA1、第二像素区PA2和/或第三像素区PA3的角部的至少部分侧边可以是倾斜的或弯曲的。

图3是示出根据另一实施例的基底的图。参照图3，根据另一实施例的基底102包括具有第一宽度WD1的第一像素区PA1、具有第五宽度WD5的第二像素区PA2’和具有第六宽度WD6的第三像素区PA3’。这里，第五宽度WD5和第六宽度WD6比第一宽度WD1小，并且可以彼此相等或者不同。在这种情况下，第一像素区PA1可以具有比第二像素区PA2’和第三像素区PA3’的面积大的面积。

第一像素PXL1形成在具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中。第一像素PXL1在第一像素区PA1中显示预定图像。

第二像素PXL2’形成在具有第五宽度WD5的第二像素区PA2’中。第二像素PXL2’在第二像素区PA2’中显示预定图像。

第三像素PXL3’形成在具有第六宽度WD6的第三像素区PA3’中。第三像素PXL3’在第三像素区PA3’中显示预定图像。

第二像素区PA2’和第三像素区PA3’可以位于第一像素区PA1的相应侧处。例如，第二像素区PA2’从第一像素区PA1的右上侧突出，第三像素区PA3’可以从第一像素区PA1的左上侧突出，并且第二像素区PA2’和第三像素区PA3’均沿第二方向D2突出。例如，第二像素区PA2’可以沿第二方向D2延伸并且沿第一方向D1与第一像素区PA1的右侧对齐，而第三像素区PA3’可以沿第二方向D2延伸并且沿第一方向D1与第一像素区PA1的左侧对齐。

可选择地，第二像素区PA2’和第三像素区PA3’可以形成在与第一像素区PA1相邻的各种位置中。例如，第二像素区PA2’可以从第一像素区PA1的右下侧沿第一方向D1突出，第三像素区PA3’可以从第一像素区PA1的左下侧沿第一方向D1突出，或者两者可以从第一像素区PA1的同一侧例如沿第一方向D1突出。此外或可选择地，包括第一像素区PA1、第二像素区PA2和/或第三像素区PA3的角部的至少部分侧边可以是倾斜的或弯曲的。

图4是示出根据另一实施例的基底的图。参照图4，根据另一实施例的基底103包括具有第一宽度WD1的第一像素区PA1和至少部分区域具有第七宽度WD7的第二像素区PA2”。这里，第七宽度WD7设置为比第一宽度WD1小。在这种情况下，第一像素区PA1可以具有比第二像素区PA2”的面积大的面积。

第一像素PXL1形成在具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中。第一像素PXL1在第一像素区PA1中显示预定图像。

第二像素区PA2”的宽度可以从第一宽度WD1逐渐减小至第七宽度WD7。在这种情况下，形成在第二像素区PA2”中的第二像素PXL2”的数量可以以至少一条水平线为单位变化。例如，更多的第二像素PXL2”可以在更靠近第一像素区PA1的第二像素区PA2”中沿水平线布置。此外，在图4中，示出了减小第二像素区PA2”的宽度，从而第二像素区PA2”是倾斜的。然而，实施例不限于此。例如，可以减小第二像素区PA2”的宽度，从而第二像素区PA2”是弯曲的。

此外，在图4中，第二像素区PA2”示出为布置在第一像素区PA1的顶部上。然而，实施例不限于此。例如，第二像素区PA2”布置在第一像素区PA1下方，可以布置在第一像素区PA1下方和上方，并且/或者可以布置在第一像素区PA1的一侧或两侧处。

用于描述图1至图4的上述的第一宽度WD1至第七宽度WD7可以变化以与基底的尺寸对应。此外，第五宽度WD5、第六宽度WD6和第七宽度WD7可以与第二宽度WD2至第四宽度WD4相等或者不同。

图5是示出与图1A的基底对应的有机发光显示装置的实施例的图。参照图5，根据实施例的有机发光显示装置包括第一扫描驱动器210、第一发射驱动器220、数据驱动器230、时序控制器240以及第一像素PXL1和第二像素PXL2。

第一像素区PA1中的第一像素PXL1连接到第一扫描线S11至S1n、第一发射控制线E11至E1n以及数据线D1至Dm。当从第一扫描线S11至S1n供应扫描信号时，第一像素PXL1从数据线D1至Dm接收数据信号。接收数据信号的第一像素PXL1控制从第一电源ELVDD经由有机发光二极管(OLED)流向第二电源ELVSS的电流量。

第二像素区PA2中的第二像素PXL2连接到第二扫描线S21和S22、第二发射控制线E21和E22以及数据线Dm-2至Dm。当从第二扫描线S21和S22供应扫描信号时，第二像素PXL2从数据线Dm-2至Dm接收数据信号。接收数据信号的第二像素PXL2控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。

此外，在图5中，示出了六个第二像素PXL2通过两条第二扫描线S21和S22、两条第二发射控制线E21和E22以及三条数据线Dm-2至Dm布置在第二像素区PA2中。然而，实施例不限于此。即，多个第二像素PXL2布置为与第二像素区PA2的宽度对应，第二扫描线S2、第二发射控制线E2以及数据线D的数量可以与第二像素PXL2对应。

此外，为了与第二像素PXL2的电路结构对应，至少一条虚设扫描线和虚设发射控制线可以额外地形成在第二像素区PA2中。为了与第一像素PXL1的电路结构对应，至少一条虚设扫描线和虚设发射控制线可以额外地形成在第一像素区PA1中。

第一扫描驱动器210响应于来自时序控制器240的第一栅极控制信号GCS1将扫描信号供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1。例如，第一扫描驱动器210可以将扫描信号顺序地供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1。当将扫描信号顺序地供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1时，以水平线为单位顺序地选择第二像素PXL2和第一像素PXL1。

第一扫描驱动器210可以通过薄膜工艺安装在基底100上。此外，第一扫描驱动器210可以安装在基底100的两侧上，并且第一像素区PA1和第二像素区PA2置于扫描驱动器210之间。第一像素区PA1和第二像素区PA2可以由不同的扫描驱动器驱动。

第一发射驱动器220响应于来自时序控制器240的第二栅极控制信号GCS2从第二发射控制线E2到第一发射控制线E1供应发射控制信号。例如，第一发射驱动器220可以将发射控制信号顺序地供应给第二发射控制线E2和第一发射控制线E1。发射控制信号用于控制像素PXL1和PXL2的发射时序。为了这个目的，发射控制信号可以具有比扫描信号的宽度大的宽度。此外，扫描信号设置为具有栅极导通电压从而包括在像素PXL1和PXL2中的晶体管可以导通，发射控制信号可以具有栅极截止电压从而包括在像素PXL1和PXL2中的晶体管可以截止。

第一发射驱动器220可以通过薄膜工艺安装在基底100上。此外，第一发射驱动器220可以安装在基底100的两侧上，并且第一像素区PA1和第二像素区PA2置于第一发射驱动器220之间。第一像素区PA1和第二像素区PA2可以由不同的发射驱动器驱动。

数据驱动器230响应于来自时序控制器240的数据控制信号DCS将数据信号供应给数据线D1至Dm。将供应给数据线D1至Dm的数据信号供应到由扫描信号选择的像素PXL1和PXL2。这里，数据驱动器230示出为布置在第一像素区PA1下方。然而，实施例不限于此。例如，数据驱动器230可以布置在第一像素区PA1上方。

时序控制器240将基于从外部供应的时序信号产生的第一栅极控制信号GCS1、第二栅极控制信号GCS2和数据控制信号DCS供应到第一扫描驱动器210、第一发射驱动器220和数据驱动器230。

栅极控制信号GCS1和GCS2中的每个中包括启动脉冲和时钟信号。启动脉冲控制第一扫描信号或第一发射控制信号的时序。时钟信号用于改变启动脉冲。

数据控制信号DCS中包括源启动脉冲和时钟信号。源启动脉冲控制数据的采样起始时间点。时钟信号用于控制采样操作。

根据实施例，包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定晶体管的沟道长度L与沟道宽度W的比(在下文中，称作W/L)和/或包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定电容器的容量不同，从而可以补偿第一像素区PA1和第二像素区PA2之间的亮度差。

当第一像素PXL1位于具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中并且第二像素PXL2位于具有第二宽度WD2的第二像素区PA2中时，如图6中所示，位于第一像素区PA1中的第一扫描线S1的RC负载与位于第二像素区PA2中的第二扫描线S2的RC负载不同。即，由于区域的不同宽度，供应给第一扫描线S1的扫描信号比供应给第二扫描线S2的扫描信号具有更大的延迟。

因此，当供应具有相同电压的数据信号时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中。在这种情况下，虽然供应具有相同灰度的数据信号，但是在第一像素区PA1与第二像素区PA2之间产生亮度差。例如，当像素PXL1和PXL2由p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(PMOS)形成时，响应于具有相同灰度的数据信号，第二像素区PA2中显示的屏幕比第一像素区PA1中显示的屏幕暗。

根据实施例，包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定晶体管的W/L和/或包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定电容器的容量设置为变化，从而可以补偿亮度差。

除了沿第二像素区PA2的每条水平线形成的第二像素PXL2的数量之外，与图1B的基底对应的有机发光显示装置的构造设置为与图1A的基底对应的有机发光显示装置的构造相同。因此，将不给出与图1B的基底对应的有机发光显示装置的详细描述。

图7是示出与图2的基底对应的有机发光显示装置的实施例的图。参照图7，根据另一实施例的有机发光显示装置包括第一扫描驱动器310、第一发射驱动器320、数据驱动器330、时序控制器340、第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3。

第一像素区PA1中的第一像素PXL1连接到第一扫描线S11至S1n、第一发射控制线E11至E1n和数据线D1至Dm。当从第一扫描线S11至S1n供应扫描信号时，第一像素PXL1从数据线D1至Dm接收数据信号。接收数据信号的第一像素PXL1控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。

第二像素区PA2中的第二像素PXL2连接到第二扫描线S21和S22、第二发射控制线E21和E22和数据线Dm-2至Dm。当将扫描信号供应给第二扫描线S21和S22时，第二像素PXL2从数据线Dm-2至Dm接收数据信号。接收数据信号的第二像素PXL2控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。

此外，在图7中，示出了六个第二像素PXL2通过两条第二扫描线S21和S22、两条第二发射控制线E21和E22以及三条数据线Dm-2至Dm布置在第二像素区PA2中。然而，实施例不限于此。即，多个第二像素PXL2布置为与第二像素区PA2的宽度对应，第二扫描线S2、第二发射控制线E2和数据线D的数量可以与第二像素PXL2对应。

第三像素区PA3中的第三像素PXL3连接到第三扫描线S31和S32、第三发射控制线E31和E32以及数据线Dm-1至Dm。当将扫描信号供应给第三扫描线S31和S32时，第三像素PXL3从数据线Dm-1至Dm接收数据信号。接收数据信号的第三像素PXL3控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。

此外，在图7中，示出了四个第三像素PXL3通过两条第三扫描线S31和S32、两条第三发射控制线E31和E32以及两条数据线Dm-1和Dm布置在第三像素区PA3中。然而，实施例不限于此。即，多个第三像素PXL3布置为与第三像素区PA3的宽度对应，第三扫描线S3、第三发射控制线E3和数据线D的数量可以与第三像素PXL3对应。

此外，为了与第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3的电路结构对应，至少一条虚设扫描线和虚设发射控制线可以额外地形成在第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3中。

第一扫描驱动器310响应于来自时序控制器340的第一栅极控制信号GCS1将扫描信号供应给第三扫描线S3、第二扫描线S2和第一扫描线S1。例如，第一扫描驱动器310可以将扫描信号顺序地供应给第三扫描线S3、第二扫描线S2和第一扫描线S1。当将扫描信号顺序地供应给第三扫描线S3、第二扫描线S2和第一扫描线S1时，以水平线为单位顺序地选择第三像素PXL3、第二像素PXL2和第一像素PXL1。

第一扫描驱动器310可以通过薄膜工艺安装在基底101上。此外，第一扫描驱动器310可以安装在基底101的两侧上，并且第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3置于第一扫描驱动器310之间。第一像素区PA1、第二像素区PA2和/或第三像素区PA3可以由不同的扫描驱动器驱动。

第一发射驱动器320响应于来自时序控制器240的第二栅极控制信号GCS2从第三发射控制线E3、第二发射控制线E2和第一发射控制线E1供应发射控制信号。例如，第一发射驱动器320可以将发射控制信号顺序地供应给第三发射控制线E3、第二发射控制线E2和第一发射控制线E1。

第一发射驱动器320可以通过薄膜工艺安装在基底101上。此外，第一发射驱动器320可以安装在基底101的两侧上，并且第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3置于第一发射驱动器320之间。第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3可以由不同的发射驱动器驱动。

数据驱动器330响应于来自时序控制器340的数据控制信号DCS将数据信号供应给数据线D1至Dm。将供应给数据线D1至Dm的数据信号供应到由扫描信号选择的像素PXL1、PXL2和PXL3。

这里，数据驱动器330示出为布置在第一像素区PA1下方。然而，实施例不限于此。例如，数据驱动器330可以布置在第一像素区PA1上方。

时序控制器340将基于从外部供应的时序信号产生的第一栅极控制信号GCS1、第二栅极控制信号GCS2和数据控制信号DCS供应到第一扫描驱动器310、第一发射驱动器320和数据驱动器330。

另一方面，根据本实施例，包括在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定晶体管的W/L和/或包括在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定电容器的容量设置为变化，从而可以补偿第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3之间的亮度差。

具体地，第一像素PXL1位于具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中，第二像素PXL2位于具有第二宽度WD2的第二像素区PA2中，第三像素PXL3位于具有第四宽度WD4的第三像素区PA3中。

因此，第一像素区PA1中的第一扫描线S1的RC负载、第二像素区PA2中的第二扫描线S2的RC负载以及第三像素区PA3中的第三扫描线S3的RC负载变化。在这种情况下，当供应具有相同电压的数据信号时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中，比第二电压高的第三电压存储在第三像素PXL3中。

即，虽然供应具有相同灰度的数据信号，但是不同的电压分别存储在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中，从而在第一像素区PA1、第二像素区PA2和第三像素区PA3中产生亮度差。例如，当像素PXL1、PXL2和PXL3由PMOS形成时，响应于具有相同灰度的数据信号，第二像素区PA2中显示的屏幕比第一像素区PA1中显示的屏幕暗，第三像素区PA3中显示的屏幕比第二像素区PA2中显示的屏幕暗。

根据实施例，包括在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定晶体管的W/L和/或包括在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定电容器的容量不同，从而可以补偿亮度差。此外，上述的第一电压至第三电压表示电压的相对大小，而不限于特定电压。

图8是示出与图3的基底对应的有机发光显示装置的图。参照图8，根据另一实施例的有机发光显示装置包括第一扫描驱动器410、第一发射驱动器420、第二扫描驱动器410’、第二发射驱动器420’、数据驱动器430、时序控制器440、第一像素PXL1、第二像素PXL2’和第三像素PXL3’。

第一像素区PA1中的第一像素PXL1连接到第一扫描线S11至S1n、第一发射控制线E11至E1n和数据线D1至Dm。当从第一扫描线S11至S1n供应扫描信号时，第一像素PXL1从数据线D1至Dm接收数据信号。接收数据信号的第一像素PXL1控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。

第二像素区PA2’中的第二像素PXL2’连接到第二扫描线S21和S22、第二发射控制线E21和E22以及数据线Dm-2至Dm。当将扫描信号供应给第二扫描线S21和S22时，第二像素PXL2’从数据线Dm-2至Dm接收数据信号。接收数据信号的第二像素PXL2’控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。这里，布置为与第二像素区PA2’的宽度对应的第二像素PXL2’的数量可以变化，第二扫描线S2、第二发射控制线E2和数据线D可以变化以与第二像素PXL2’对应。

第三像素区PA3’中的第三像素PXL3’连接到第三扫描线S31和S32、第三发射控制线E31和E32以及数据线D1至D3。当将扫描信号供应给第三扫描线S31和S32时，第三像素PXL3’从数据线D1至D3接收数据信号。接收数据信号的第三像素PXL3’控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。这里，布置为与第三像素区PA3’的宽度对应的第三像素PXL3’的数量可以变化，第三扫描线S3、第三发射控制线E3和数据线D的数量可以变化以与第三像素PXL3’对应。

此外，为了与第一像素PXL1、第二像素PXL2’和第三像素PXL3’的电路结构对应，至少一条虚设扫描线和虚设发射控制线可以额外地形成在第一像素区PA1、第二像素区PA2’和第三像素区PA3’中。

第一扫描驱动器410响应于来自时序控制器440的第一栅极控制信号GCS1将扫描信号供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1。例如，第一扫描驱动器410可以将扫描信号顺序地供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1。当扫描信号顺序地供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1时，以水平线为单位顺序地选择第二像素PXL2’和第一像素PXL1。

在图8中，第二像素区PA2’和第一像素区PA1由同一第一扫描驱动器410驱动。然而，实施例不限于此。例如，第二像素区PA2’和第一像素区PA1可以由不同的扫描驱动器驱动。

第一发射驱动器420响应于来自时序控制器440的第二栅极控制信号GCS2将发射控制信号供应给第二发射控制线E2和第一发射控制线E1。例如，第一发射驱动器420可以将发射控制信号顺序地供应给第二发射控制线E2和第一发射控制线E1。

在图8中，第二像素区PA2’和第一像素区PA1由同一第一发射驱动器420驱动。然而，实施例不限于此。例如，第二像素区PA2’和第一像素区PA1可以由不同的发射驱动器驱动。

第二扫描驱动器410’响应于来自时序控制器440的第三栅极控制信号GCS3将扫描信号供应给第三扫描线S3和第一扫描线S1。例如，第二扫描驱动器410’可以将扫描信号顺序地供应给第三扫描线S3和第一扫描线S1。当将扫描信号顺序地供应给第三扫描线S3和第一扫描线S1时，以水平线为单位顺序地选择第三像素PXL3’和第一像素PXL1。

在图8中，第三像素区PA3’和第一像素区PA1由同一第二扫描驱动器410’驱动。然而，实施例不限于此。例如，第三像素区PA3’和第一像素区PA1可以由不同的扫描驱动器驱动。

第二发射驱动器420’响应于来自时序控制器440的第四栅极控制信号GCS4将发射控制信号供应给第三发射控制线E3和第一发射控制线E1。例如，第二发射驱动器420’可以将发射控制信号顺序地供应给第三发射控制线E3和第一发射控制线E1。

在图8中，第三像素区PA3’和第一像素区PA1由同一第二发射驱动器420’驱动。然而，实施例不限于此。例如，第三像素区PA3’和第一像素区PA1可以由不同的发射驱动器驱动。

数据驱动器430响应于来自时序控制器440的数据控制信号DCS将数据信号供应给数据线D1至Dm。将供应给数据线D1至Dm的数据信号供应到由扫描信号选择的像素PXL1、PXL2’和PXL3’。这里，数据驱动器430示出为布置在第一像素区PA1下方。然而，实施例不限于此。例如，数据驱动器430可以布置在第一像素区PA1上方。

时序控制器440将基于从外部供应的时序信号产生的第一栅极控制信号GCS1、第二栅极控制信号GCS2、第三栅极控制信号GCS3、第四栅极控制信号GCS4和数据控制信号DCS供应到第一扫描驱动器410、第一发射驱动器420、第二扫描驱动器410’、第二发射驱动器420’和数据驱动器430。

根据本实施例，包括在第一像素PXL1、第二像素PXL2’和/或第三像素PXL3’中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定晶体管的W/L和/或包括在第一像素PXL1、第二像素PXL2’和/或第三像素PXL3’中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定电容器的容量不同，从而可以补偿亮度差。

具体地，具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中的第一像素PXL1、具有第五宽度WD5的第二像素区PA2’中的第二像素PXL2’和具有第六宽度WD6的第三像素区PA3’中的第三像素PXL3’具有不同的RC负载。为了方便起见，假设第五宽度WD5和第六宽度WD6彼此相等。具体地，具有第一宽度WD1的第一像素区PA1中的第一扫描线S1的RC负载与位于具有第五宽度WD5(或第六宽度WD6)的第二像素区PA2’(或第三像素区PA3’)中的第二扫描线S2(或第三扫描线S3)的RC负载不同。在这种情况下，响应于具有相同电压的数据信号，存储在第一像素PXL1和第二像素PXL2’(或第三像素PXL3’)中的电压不同。

即，虽然供应具有相同灰度的数据信号，但是不同的电压存储在第一像素PXL1、第二像素PXL2’(或第三像素PXL3’)中，从而在第一像素区PA1与第二像素区PA2’(或第三像素区PA3’)中产生亮度差。例如，当像素PXL1、PXL2’和PXL3’由PMOS形成时，响应于具有相同灰度的数据信号，第二像素区PA2’(或第三像素区PA3’)中显示的屏幕比第一像素区PA1中显示的屏幕暗。

根据实施例，包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2’中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定晶体管的W/L和/或包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2’中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定电容器的容量设置为变化，从而可以补偿亮度差。这里，因为第五宽度WD5与第六宽度WD6相等，所以包括在第二像素PXL2’和第三像素PXL3’中的特定晶体管的W/L以及特定电容器的容量可以相等。

图9是示出与图4的基底对应的有机发光显示装置的图。参照图9，根据另一实施例的有机发光显示装置包括第一扫描驱动器510、第一发射驱动器520、数据驱动器530、时序控制器540以及第一像素PXL1和第二像素PXL2”。

第一像素区PA1中的第一像素PXL1连接到第一扫描线S11至S1n、第一发射控制线E11至E1n和数据线D1至Dm。当从第一扫描线S11至S1n供应扫描信号时，第一像素PXL1从数据线D1至Dm接收数据信号。接收数据信号的第一像素PXL1控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。

第二像素区PA2”中的第二像素PXL2”连接到第二扫描线S21和S22、第二发射控制线E21和E22以及数据线D2至Dm-1。当将扫描信号供应给第二扫描线S21和S22时，第二像素PXL2”从数据线D2至Dm-1接收数据信号。接收数据信号的第二像素PXL2”控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量。

这里，第二像素区PA2”的宽度设置为从第一宽度WD1逐渐减小至第七宽度WD7。因此，沿至少一条水平线中的每条水平线形成的第二像素PXL2”的数量设置为变化。在这种情况下，在第二像素区PA2”中，第二扫描线S2的RC负载设置为以至少一条水平线为单位变化，从而会以至少一条水平线为单位产生亮度差。

根据本实施例，为了防止以水平线为单位的亮度差，如图10中所示，可以将第二像素区PA2”分成包括至少一条水平线的j(j是不小于2的自然数)个区域Re1、…和Rej。

第一扫描驱动器510响应于来自时序控制器540的第一栅极控制信号GCS1将扫描信号供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1。例如，第一扫描驱动器510可以将扫描信号顺序地供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1。当将扫描信号顺序地供应给第二扫描线S2和第一扫描线S1时，以水平线为单位顺序地选择第二像素PXL2”和第一像素PXL1。

在图9中，第二像素区PA2”和第一像素区PA1由同一第一扫描驱动器510驱动。然而，实施例不限于此。例如，第二像素区PA2”和第一像素区PA1可以由不同的扫描驱动器驱动。

第一发射驱动器520响应于来自时序控制器540的第二栅极控制信号GCS2将发射控制信号供应给第二发射控制线E2和第一发射控制线E1。例如，第一发射驱动器520可以将发射控制信号顺序地供应给第二发射控制线E2和第一发射控制线E1。

在图9中，第二像素区PA2”和第一像素区PA1可以由同一第一发射驱动器520驱动。然而实施例不限于此。例如，第二像素区PA2”和第一像素区PA1可以由不同的发射驱动器驱动。

数据驱动器530响应于来自时序控制器540的数据控制信号DCS将数据信号供应给数据线D1至Dm。将供应给数据线D1至Dm的数据信号供应到由扫描信号选择的像素PXL1和PXL2”。这里，数据驱动器530示出为布置在第一像素区PA1下方。然而，实施例不限于此。例如，数据驱动器530可以布置在第一像素区PA1上方。

时序控制器540将基于从外部供应的时序信号产生的第一栅极控制信号GCS1、第二栅极控制信号GCS2和数据控制信号DCS供应到第一扫描驱动器510、第一发射驱动器520和数据驱动器530。

根据本实施例，包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2”中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定晶体管的W/L和/或包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2”中的每个中并且执行相同功能的至少一个特定电容器的容量可以不同，从而可以补偿亮度差。此外，在j个区域Re1至Rej中的每个中，包括在第二像素PXL2”中并且执行相同功能的特定晶体管的W/L和/或包括在第二像素PXL2”中并且执行相同功能的特定电容器的容量可以不同，从而可以补偿j个区域Re1至Rej之中的亮度差。

此外，可以将图1B中示出的第二像素区PA2分成如图10中所示的j个区域Re1至Rej。在区域Re1至Rej中的每个中，包括在第二像素PXL2中的特定晶体管的W/L和/或包括在第二像素PXL2中的特定电容器的容量可以不同。

上述的j个区域Re1至Rej包括至少一条水平线。即，j个区域Re1至Rej中的每个可以包括一条扫描线。此外，j个区域Re1至Rej中的每个可以包括不少于两条扫描线。当j个区域Re1至Rej中的每个包括不少于两条扫描线时，j个区域Re1至Rej中的每个可以包括沿不少于两条的水平线设置的像素PXL2和PXL2”。即，根据实施例，虽然水平线的宽度变化但是亮度差不可识别时，同一区域(Re1至Rej中的一个)中可以包括相邻的水平线。

图11A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的实施例。图11B示出了图5和图7的第二像素的实施例。图11C示出了图7的第三像素的实施例。这里，除了作为诸如驱动晶体管的特定晶体管的第一晶体管T1、T1’和T1”的W/L之外，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3具有相同的电路构造。

除了驱动晶体管的W/L之外，图8中示出的第二像素PXL2’和第三像素PXL3’以及图9中示出的第二像素PXL2”设置为具有与如图11A至图11C中示出的电路构造相同的电路构造。

在下文中描述的W/L确定为与每个像素区的宽度对应，但不限于特定数值。为了方便起见，将通过使用连接到第m条数据线Dm和第i(i是自然数)条第一扫描线S1i的第一像素PXL1来描述电路构造。

参照图11A，根据实施例的第一像素PXL1包括OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。

OLED的阳极经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1的第二电极，阴极连接到第二电源ELVSS。OLED产生具有预定亮度的光以与从第一晶体管T1供应的电流量对应。这里，第一电源ELVDD可以具有比第二电源ELVSS高的电压，从而电流可以流向OLED。

第七晶体管T7连接在初始化电源Vint与OLED的阳极之间。第七晶体管T7的栅电极连接到第i条第一扫描线S1i。在将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第七晶体管T7导通，并且将初始化电源Vint的电压供应到OLED的阳极。这里，初始化电源Vint设置为具有比数据信号低的电压。

第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极和OLED的阳极之间。第六晶体管T6的栅电极连接到第i条第一发射控制线E1i。在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i时，第六晶体管T6截止，并且在其它情况下导通。

第五晶体管T5连接在第一电源ELVDD与第一晶体管T1的第一电极之间。第五晶体管T5的栅电极连接到第i条第一发射控制线E1i。在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i时，第五晶体管T5截止，并且在其它情况下导通。

第一晶体管T1(驱动晶体管)的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD，第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到OLED的阳极。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量以与第一节点N1的电压对应。

第三晶体管T3(控制晶体管)连接在第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到第i条第一扫描线S1i。在将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第三晶体管T3导通，并且使第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管连接。

第四晶体管T4连接在第一节点N1和初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到第i-1条第一扫描线S1i-1。在将扫描信号供应给第i-1条第一扫描线S1i-1时，第四晶体管T4导通，并且将初始化电源Vint的电压供应到第一节点N1。

第二晶体管T2连接在第m条数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到第i条第一扫描线S1i。在将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第二晶体管T2导通，并且使第m条数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极电连接。

存储电容器Cst连接在第一电源ELVDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst存储数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。

另一方面，除了第一晶体管T1、T1’和T1”的W/L之外，第二像素PXL2和第三像素PXL3设置为具有与第一像素PXL1的电路构造相同的电路构造。因此，将不给出第二像素PXL2和第三像素PXL3的详细描述。

图12是示出驱动图11A的第一像素的方法的实施例的波形图。

参照图12，首先，向第i条第一发射控制线E1i供应发射控制信号。当将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i时，第五晶体管T5和第六晶体管T6截止。

当第五晶体管T5截止时，第一电源ELVDD和第一晶体管T1的第一电极电隔离。当第六晶体管T6截止时，第一晶体管T1的第二电极和OLED的阳极电隔离。因此，在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i的时间段中，第一像素PXL1设置为处于非发射状态。

在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i之后，向第i-1条第一扫描线S1i-1供应扫描信号。当将扫描信号供应给第i-1条第一扫描线S1i-1时，第四晶体管T4导通。当第四晶体管T4导通时，初始化电源Vint的电压供应到第一节点N1。

在将扫描信号供应给第i-1条第一扫描线S1i-1之后，向第i条第一扫描线S1i供应扫描信号。当将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7导通。

当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1电连接。即，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管连接。

当第二晶体管T2导通时，来自数据线Dm的数据信号供应到第一晶体管T1的第一电极。此时，因为第一节点N1设置为具有比数据信号的电压低的初始化电源Vint的电压，所以第一晶体管T1导通。当第一晶体管T1导通时，通过从数据信号的电压减去第一晶体管T1的阈值电压的绝对值获得的电压供应到第一节点N1。此时，存储电容器Cst存储与第一节点N1的电压对应的电压。

当第七晶体管T7导通时，初始化电源Vint的电压供应到OLED的阳极。然后，OLED的寄生电容器(未示出)初始化为初始化电源Vint的电压。

在将数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压充入存储电容器Cst中之后，停止向第i条第一发射控制线E1i供应发射控制信号。

当停止向第i条第一发射控制线E1i供应发射控制信号时，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通。当第五晶体管T5导通时，第一电源ELVDD和第一晶体管T1的第一电极电连接。当第六晶体管T6导通时，第一晶体管T1的第二电极和OLED的阳极电连接。此时，第一晶体管T1控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量以与第一节点N1的电压对应。然后，OLED产生具有预定亮度的光以与从第一晶体管T1供应的电流量对应。

在图12中，通过使用第一像素PXL1描述了操作工艺。这里，因为具有与第一像素PXL1相同的电路构造的第二像素PXL2和第三像素PXL3通过与第一像素PXL1相同的方法驱动，所以将不给出其详细描述。

根据实施例，包括在第一像素PXL1中的第一晶体管T1的W/L、包括在第二像素PXL2中的第一晶体管T1’的W/L以及包括在第三像素PXL3中的第一晶体管T1”的W/L不同，从而可以补偿第一像素区PA1和第二像素区PA2之间的亮度差以及第二像素区PA2和第三像素区PA3之间的亮度差。

例如，包括在第一像素PXL1中的第一晶体管T1的W/L设置为比包括在第二像素PXL2中的第一晶体管T1’的W/L小，从而可以补偿第一像素区PA1和第二像素区PA2之间的亮度差。包括在第二像素PXL2中的第一晶体管T1’的W/L设置为比包括在第三像素PXL3中的第一晶体管T1”的W/L小，从而可以补偿第二像素区PA2和第三像素区PA3之间的亮度差。

具体地，流经第一晶体管T1、T1’和T1”的电流设置为与W/L成比例，例如，ids＝(1/2)×(W/L)×μCox(Vgs-Vth)²。这里，Vgs表示施加到第一晶体管T1、T1’和T1”的栅电极和源电极的电压，Vth表示第一晶体管T1、T1’和T1”的阈值电压，μ表示迁移率，Cox表示第一晶体管T1、T1’和T1”的单位面积的栅极容量。

在图5的有机发光显示装置中，当第一像素PXL1和第二像素PXL2中的第一晶体管T1和T1’的W/L相等时，在供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1和S2的RC负载对应时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中。在这种情况下，为了与具有相同电压的数据信号对应，第一像素区PA1显示比第二像素区PA2亮的图像。

为了补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差，根据实施例，包括在第二像素PXL2中的第一晶体管T1’的W/L设置为比包括在第一像素PXL1中的第一晶体管T1的W/L大。然后，在发射时间段中，为了与具有相同电压的数据信号对应，与第一像素PXL1相比，第二像素PXL2向OLED供应更多的电流，从而第二像素区PA2的亮度增加。当第二像素区PA2的亮度增加时，可以使第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差最小化。

为了这个目的，可以实验确定第一像素PXL1中包括的第一晶体管T1的W/L和第二像素PXL2中包括的第一晶体管T1’的W/L，从而使亮度差最小化。

此外，在图7的有机发光显示装置中，当第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的第一晶体管T1、T1’和T1”的W/L相等时，在供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1、S2和S3的RC负载对应时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中，比第二电压高的第三电压存储在第三像素PXL3中。

根据实施例，当第一像素PXL1中的第一晶体管T1的W/L设置为比第二像素PXL2中的第一晶体管T1’的W/L小并且包括在第二像素PXL2中的第一晶体管T1’的W/L设置为比第三像素PXL3中的第一晶体管T1”的W/L小时，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差以及第二像素区PA2与第三像素区PA3之间的亮度差。

即，在发射时间段中，为了与具有相同电压的数据信号对应，与第一像素PXL1相比，第二像素PXL2向OLED供应更多的电流，从而第二像素区PA2的亮度增加。在发射时间段中，为了与具有相同电压的数据信号对应，与第二像素PXL2相比，第三像素PXL3向OLED供应更多的电流，从而第三像素区PA3的亮度增加。可以实验确定第一像素PXL1中的第一晶体管T1的W/L、第二像素PXL2中的第一晶体管T1’的W/L和第三像素PXL3中的第一晶体管T1”的W/L，从而使亮度差最小化。

如上所述，根据实施例，位于具有大的宽度的区域中的像素的驱动晶体管的W/L设置为比位于具有小的宽度的区域中的像素的驱动晶体管的W/L小。然后，可以补偿与像素区的宽度对应的亮度差。

分别包括在图8中示出的有机发光显示装置的第二像素PXL2’和第三像素PXL3’中的第一晶体管的W/L设置为比分别包括在第一像素PXL1中的第一晶体管的W/L大。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2’之间的亮度差以及第一像素区PA1与第三像素区PA3’之间的亮度差。

此外，分别包括在图9中示出的有机发光显示装置的第二像素PXL2”中的第一晶体管的W/L设置为比分别包括在第一像素PXL1中的第一晶体管的W/L大。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2”之间的亮度差。

此外，分别包括在图9中示出的有机发光显示装置的第二像素PXL2”中的第一晶体管的W/L可以设置为根据图10的区域变化。例如，分别包括在具有大的宽度的第一区域Re1中的第二像素PXL2”中的第一晶体管的W/L可以比分别包括在具有小的宽度的第j区域Rej中的第二像素PXL2”中的第一晶体管的W/L小。

另一方面，在上面的描述中，W/L包括沟道宽度W变化的情况和/或沟道长度L变化的情况。例如，具有大的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道宽度W与具有小的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道宽度W相等，而具有大的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道长度L与具有小的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道长度L不同。可选择地，具有大的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道长度L与具有小的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道长度L相等，而具有大的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道宽度W与具有小的宽度的像素区中的驱动晶体管的沟道宽度W不同。

图13A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的另一实施例。图13B示出了图5和图7的第二像素的另一实施例。图13C示出了图7的第三像素的另一实施例。这里，除了特定电容器即升压电容器Cb、Cb’和Cb”的容量之外，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3具有相同的电路构造。

除了升压电容器的容量之外，图8中示出的第二像素PXL2’和第三像素PXL3’以及图9中示出的第二像素PXL2”设置为具有与如图13A至图13C中示出的电路构造相同的电路构造。

在下文中描述的升压电容器的容量相对确定为与相应的像素区的宽度对应，而不限于特定数值。在描述图13A至图13C中，与图11A至图11C中示出的元件相同的元件由相同的附图标记表示。

参照图13A，根据实施例的第一像素PXL1包括OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7、存储电容器Cst以及升压电容器Cb。

升压电容器Cb连接在第i条第一扫描线S1i和第一节点N1之间。升压电容器Cb响应于供应给第i条第一扫描线S1i的扫描信号控制第一节点N1的电压。

升压电容器Cb补偿数据信号的电压损失。由于电压降，将比期望的电压低的数据信号的电压供应到第一节点N1。当停止向第i条第一扫描线S1i供应扫描信号时，升压电容器Cb使第一节点N1的电压增大，从而可以补偿数据信号的电压降。

OLED的阳极经由第六晶体管T6连接到第一晶体管T1的第二电极，OLED的阴极连接到第二电源ELVSS。OLED产生具有预定亮度的光以与从第一晶体管T1供应的电流量对应。这里，第一电源ELVDD可以具有比第二电源ELVSS高的电压，从而电流可以流向OLED。

第七晶体管T7连接在初始化电源Vint和OLED的阳极之间。第七晶体管T7的栅电极连接到第i条第一扫描线S1i。在将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第七晶体管T7导通，并且将初始化电源Vint的电压供应到OLED的阳极。这里，初始化电源Vint设置为具有比数据信号低的电压。

第六晶体管T6连接在第一晶体管T1的第二电极和OLED的阳极之间。第六晶体管T6的栅电极连接到第i条第一发射控制线E1i。在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i时，第六晶体管T6截止，并且在其它情况下导通。

第五晶体管T5连接在第一电源ELVDD和第一晶体管T1的第一电极之间。第五晶体管T5的栅电极连接到第i条第一发射控制线E1i。在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i时，第五晶体管T5截止，并且在其它情况下导通。

第一晶体管T1的第一电极经由第五晶体管T5连接到第一电源ELVDD，第一晶体管T1的第二电极经由第六晶体管T6连接到OLED的阳极。第一晶体管T1的栅电极连接到第一节点N1。第一晶体管T1控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量以与第一节点N1的电压对应。

第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到第i条第一扫描线S1i。在将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第三晶体管T3导通，并且使第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管连接。

第四晶体管T4连接在第一节点N1和初始化电源Vint之间。第四晶体管T4的栅电极连接到第i-1条第一扫描线S1i-1。在将扫描信号供应给第i-1条第一扫描线S1i-1时，第四晶体管T4导通，并且将初始化电源Vint的电压供应到第一节点N1。

第二晶体管T2连接在第m条数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极之间。第二晶体管T2的栅电极连接到第i条第一扫描线S1i。在将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第二晶体管T2导通，并且使第m条数据线Dm和第一晶体管T1的第一电极电连接。

存储电容器Cst连接在第一电源ELVDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst存储数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压。

另一方面，除了升压电容器Cb、Cb’和Cb”的容量之外，第二像素PXL2和第三像素PXL3设置为具有与第一像素PXL1的电路构造相同的电路构造。因此，将不给出第二像素PXL2和第三像素PXL3的详细描述。

如下将参照图13A和图12描述操作工艺。首先，向第i条第一发射控制线E1i供应发射控制信号。当将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i时，第五晶体管T5和第六晶体管T6截止。

当第五晶体管T5截止时，第一电源ELVDD和第一晶体管T1的第一电极电隔离。当第六晶体管T6截止时，第一晶体管T1的第二电极和OLED的阳极电隔离。因此，在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i的时间段中，第一像素PXL1设置为处于非发射状态。

在将发射控制信号供应给第i条第一发射控制线E1i之后，向第i-1条第一扫描线S1i-1供应扫描信号。当将扫描信号供应给第i-1条第一扫描线S1i-1时，第四晶体管T4导通。当第四晶体管T4导通时，初始化电源Vint的电压供应到第一节点N1。

在将扫描信号供应给第i-1条第一扫描线S1i-1之后，向第i条第一扫描线S1i供应扫描信号。当将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第二晶体管T2、第三晶体管T3和第七晶体管T7导通。

当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1电连接。即，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管连接。

当第二晶体管T2导通时，来自数据线Dm的数据信号供应到第一晶体管T1的第一电极。此时，因为第一节点N1设置为具有比数据信号的电压低的初始化电源Vint的电压，所以第一晶体管T1导通。当第一晶体管T1导通时，通过从数据信号的电压减去第一晶体管T1的阈值电压的绝对值获得的电压供应到第一节点N1。此时，存储电容器Cst存储与第一节点N1的电压对应的电压。

另一方面，当第七晶体管T7导通时，初始化电源Vint的电压供应到OLED的阳极。然后，OLED的寄生电容器(未示出)初始化为初始化电源Vint的电压。

在将数据信号和与第一晶体管T1的阈值电压对应的电压充入存储电容器Cst中之后，停止向第i条第一扫描线S1i供应扫描信号。当停止向第i条第一扫描线S1i供应扫描信号时，第i条第一扫描线S1i的电压从低电压转变为高电压。此时，通过升压电容器Cb增加第一节点N1的电压，从而可以补偿数据信号的电压降。

当停止向第i条第一发射控制线E1i供应发射控制信号时，第五晶体管T5和第六晶体管T6导通。当第五晶体管T5导通时，第一电源ELVDD和第一晶体管T1的第一电极电连接。当第六晶体管T6导通时，第一晶体管T1的第二电极和OLED的阳极电连接。此时，第一晶体管T1控制从第一电源ELVDD经由OLED流向第二电源ELVSS的电流量以与第一节点N1的电压对应。然后，OLED产生具有预定亮度的光以与从第一晶体管T1供应的电流量对应。

根据实施例，第一像素PXL1中的升压电容器Cb、第二像素PXL2中的升压电容器Cb’以及第三像素PXL3中的升压电容器Cb”设置为具有不同的容量，从而可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差以及第二像素区PA2与第三像素区PA3之间的亮度差。

例如，为了可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差，包括在第一像素PXL1中的升压电容器Cb可以具有比包括在第二像素PXL2中的升压电容器Cb’高的容量。为了可以补偿第二像素区PA2与第三像素区PA3之间的亮度差，包括在第二像素PXL2中的升压电容器Cb’可以具有比包括在第三像素PXL3中的升压电容器Cb”高的容量。

具体地，电容器的容量设置为εA/d。这里，ε表示介电常数，A表示电极的面积，d表示电极之间的距离。即，电容器的容量随着电极的面积A增大并且/或者电极之间的距离d减小而增大。当电极的面积A增大并且/或者电极之间的距离d减小时，电容器中升高的电压增大。即，当电容器的容量增大时，电容器中升高的电压增大。

因为在升压电容器Cb、Cb’和Cb”中升高的电压与电容器的容量成比例地增加，所以包括在第一像素PXL1中的升压电容器Cb使第一节点N1的电压转变为比包括在第二像素PXL2中的升压电容器Cb’高的电压。

包括在第二像素PXL2中的升压电容器Cb’使第一节点N1的电压转变为比包括在第三像素PXL3中的升压电容器Cb”高的电压。

具体地，在图5的有机发光显示装置中，在包括在第一像素PXL1和第二像素PXL2中的升压电容器Cb和Cb’的容量相同的情况下，当供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1和S2的RC负载对应时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中。

根据实施例，当包括在第一像素PXL1中的升压电容器Cb具有比包括在第二像素PXL2中的升压电容器Cb’高的容量时，第一像素PXL1中升高的电压比第二像素PXL2中升高的电压高。因此，为了与具有相同灰度的数据信号对应，第一像素PXL1和第二像素PXL2可以存储相似的电压或相同的电压。为了这个目的，可以实验确定升压电容器Cb和Cb’的容量，从而相似的电压或相同的电压可以存储在第一像素PXL1和第二像素PXL2中以与具有相同电压的数据信号对应。

此外，在图7的有机发光显示装置中，当第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的升压电容器Cb、Cb’和Cb”的容量相同时，在供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1、S2和S3的RC负载对应时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中，比第二电压高的第三电压存储在第三像素PXL3中。

为了补偿电压差，根据实施例，包括在第一像素PXL1中的升压电容器Cb可以具有比包括在第二像素PXL2中的升压电容器Cb’高的容量，包括在第二像素PXL2中的升压电容器Cb’可以具有比包括在第三像素PXL3中的升压电容器Cb”高的容量。然后，因为第一像素PXL1中升高的电压比第二像素PXL2中升高的电压高并且第二像素PXL2中升高的电压比第三像素PXL3中升高的电压高，所以第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3可以存储相似的电压或相同的电压以与具有相同电压的数据信号对应。为了这个目的，可以实验确定升压电容器Cb、Cb’和Cb”的容量，从而相似的电压或相同的电压可以存储在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中以与具有相同电压的数据信号对应。

如上所述，根据实施例，位于具有大的宽度的区域中的像素的升压电容器可以具有比位于具有小的宽度的区域中的像素的升压电容器高的容量。然后，可以补偿与像素区的宽度对应的亮度差。

分别包括在图8的有机发光显示装置的第二像素PXL2’和第三像素PXL3’中的升压电容器可以具有比分别包括在第一像素PXL1中的升压电容器低的容量。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2’之间的亮度差以及第一像素区PA1与第三像素区PA3’之间的亮度差。

此外，分别包括在图9中示出的有机发光显示装置的第二像素PXL2”中的升压电容器设置为具有比分别包括在第一像素PXL1中的升压电容器低的容量。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2”之间的亮度差。

此外，分别包括在第二像素PXL2”中的升压电容器的容量可以根据图10的区域变化。例如，分别包括在位于具有大的宽度的第一区域Re1中的第二像素PXL2”中的升压电容器可以具有比分别包括在位于具有小的宽度的第j区域Rej中的第二像素PXL2”中的升压电容器高的容量。

图14A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的另一实施例。图14B示出了图5和图7的第二像素的另一实施例。图14C示出了图7的第三像素的另一实施例。这里，除了第三晶体管T3、T3’和T3”的安装面积之外，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3具有相同的电路构造。

除了第三晶体管的安装面积之外，图8中示出的第二像素PXL2’和第三像素PXL3’以及图9中示出的第二像素PXL2”设置为具有与如图14A至图14C中描述的电路构造相同的电路构造。

这里，通过控制沟道宽度W和/或沟道长度L，第三晶体管T3、T3’和T3”的安装面积可以改变。当第三晶体管T3、T3’和T3”的安装面积改变时，分别形成在第三晶体管T3、T3’和T3”中的寄生电容器Cp、Cp’和Cp”的容量改变。寄生电容器Cp、Cp’和Cp”执行与上述升压电容器Cb、Cb’和Cb”相同的功能。

在下文中描述的第三晶体管T3、T3’和T3”的安装面积(即，寄生电容器Cp、Cp’和Cp”的容量)相对确定为与相应的像素区的宽度对应，而不限于特定数值。在描述图14A至图14C中，与图11A至图11C的元件相同的元件由相同的附图标记表示，并且将不给出这些元件的详细描述。此外，多个寄生电容器形成在每个晶体管的电极之间。然而，在图14A至图14C中，仅示出了用于描述本实施例所需要的寄生电容器Cp、Cp’和Cp”。

参照图14A，根据实施例的第一像素PXL1包括OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。

第三晶体管T3连接在第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1之间。第三晶体管T3的栅电极连接到第i条第一扫描线S1i。当将扫描信号供应给第i条第一扫描线S1i时，第三晶体管T3导通，并且使第一晶体管T1的第二电极和第一节点N1电连接。因此，当第三晶体管T3导通时，第一晶体管T1以二极管连接。

另一方面，寄生电容器Cp形成在第三晶体管T3的第二电极和第三晶体管T3的栅电极之间。寄生电容器Cp响应于供应给第i条第一扫描线S1i的扫描信号用作增大第一节点N1的电压的升压电容器。寄生电容器Cp可以具有比上述升压电容器Cb低的容量并且使比升压电容器Cb低的电压升高。此外，除了第三晶体管T3、T3’和T3”之外，第二像素PXL2和第三像素PXL3具有与第一像素PXL1相同的构造。

根据另一实施例，第一像素PXL1中的第三晶体管T3、第二像素PXL2中的第三晶体管T3’和第三像素PXL3中的第三晶体管T3”具有不同的安装面积，从而可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差以及第二像素区PA2与第三像素区PA3之间的亮度差。当第三晶体管T3、T3’和T3”的安装面积改变时，寄生电容器Cp、Cp’和Cp”的容量不同。

例如，第一像素PXL1中的第三晶体管T3的安装面积比包括在第二像素PXL2中的第三晶体管T3’的安装表面大，从而可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差。然后，包括在第一像素PXL1中的寄生电容器Cp设置为具有比包括在第二像素PXL2中的寄生电容器Cp’高的容量。

包括在第二像素PXL2中的第三晶体管T3’的安装面积设置为比包括在第三像素PXL3中的第三晶体管T3”的安装面积大，从而可以补偿第二像素区PA2和第三像素区PA3之间的亮度差。然后，包括在第二像素PXL2中的寄生电容器Cp’具有比包括在第三像素PXL3中的寄生电容器Cp”高的容量。

另一方面，因为升高的电压与寄生电容器Cp、Cp’和Cp”的容量成比例地增大，所以包括在第一像素PXL1中的寄生电容器Cp将第一节点N1的电压转变为比包括在第二像素PXL2中的寄生电容器Cp’高的电压。

包括在第二像素PXL2中的寄生电容器Cp’将第一节点N1的电压转变为比包括在第三像素PXL3中的升压电容器Cb”高的电压。

具体地，在图5的有机发光显示装置中，当第一像素PXL1和第二像素PXL2中的寄生电容器Cp和Cp’的容量相同时，在供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1和S2的RC负载对应时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中。

根据实施例，当第一像素PXL1中的寄生电容器Cp具有比第二像素PXL2中的寄生电容器Cp’高的容量时，第一像素PXL1中升高的电压比第二像素PXL2中升高的电压高。然后，可以补偿与扫描线S1和S2的RC负载对应的电压差，从而可以使第一像素区PA1和第二像素区PA2之间的亮度差最小化。

此外，在图7的有机发光显示装置中，当包括在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的寄生电容器Cp、Cp’和Cp”的容量相同时，在供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1、S2和S3的RC负载对应的情况下，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中，比第二电压高的第三电压存储在第三像素PXL3中。

为了补偿电压差，根据实施例，第一像素PXL1中的寄生电容器Cp具有比第二像素PXL2中的寄生电容器Cp’高的容量，第二像素PXL2中的寄生电容器Cp’具有比第三像素PXL3中的寄生电容器Cp”高的容量。然后，因为第一像素PXL1中升高的电压比第二像素PXL2中升高的电压高并且第二像素PXL2中升高的电压比第三像素PXL3中升高的电压高，所以可以使响应于具有相同电压的数据信号的第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中存储的电压的差最小化。

如上所述，根据另一实施例，分别控制像素中的第三晶体管的安装面积，从而位于具有大的宽度的区域中的像素的寄生电容器具有比位于具有小的宽度的区域中的像素的寄生电容器高的容量。然后，可以补偿与像素区的宽度对应的亮度差。

分别包括在图8的有机发光显示装置的第二像素PXL2’和第三像素PXL3’中的寄生电容器具有比分别包括在第一像素PXL1中的寄生电容器低的容量。为了这个目的，分别在第二像素PXL2’和第三像素PXL3’中的第三晶体管的安装面积比分别包括在第一像素PXL1中的第三晶体管的安装面积小。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2’之间的亮度差以及第一像素区PA1与第三像素区PA3’之间的亮度差。

此外，分别包括在图9中示出的有机发光显示装置的第二像素PXL2”中的寄生电容器具有比分别包括在第一像素PXL1中的寄生电容器低的容量。为了这个目的，分别在第二像素PXL2”中的第三晶体管的安装面积比分别在第一像素PXL1中的第三晶体管的安装面积小。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2”之间的亮度差。

此外，分别包括在第二像素PXL2”中的寄生电容器的容量可以根据图10的区域变化。例如，分别包括在位于具有大的宽度的第一区域Re1中的第二像素PXL2”中的寄生电容器可以具有比分别包括在位于具有小的宽度的第j区域Rej中的第二像素PXL2”中的寄生电容器高的容量。为了这个目的，分别包括在位于具有大的宽度的第一区域Re1中的第二像素PXL2”中的第三晶体管的安装面积可以比分别包括在位于具有小的宽度的第j区域Rej中的第二像素PXL2”中的第三晶体管的安装面积大。

图15A示出了图5、图7、图8和图9的第一像素的另一实施例。图15B示出了图5和图7的第二像素的另一实施例。图15C示出了图7的第三像素的另一实施例。这里，除了存储电容器Cst、Cst’和Cst”的容量之外，第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3设置为具有相同的电路构造。

除了存储电容器的容量之外，图8中示出的第二像素PXL2’和第三像素PXL3’以及图9中示出的第二像素PXL2”具有与图15A至15C中示出的电路构造相同的电路构造。

在下文中描述的存储电容器Cst、Cst’和Cst”的容量相对确定为与相应的像素区的宽度对应，而不限于特定数值。在描述图15A至图15C中，与图11A至图11C的元件相同的元件由相同的附图标记表示，将不给出这些元件的详细描述。

参照图15A，根据实施例的第一像素PXL1包括OLED、第一晶体管T1至第七晶体管T7以及存储电容器Cst。存储电容器Cst连接在第一电源ELVDD和第一节点N1之间。存储电容器Cst存储与第一节点N1的电压对应的电压。

此外，寄生电容器Cp形成在第三晶体管T3的第二电极和第三晶体管T3的栅电极之间。实际上，寄生电容器形成在每个晶体管的电极之间。然而，在图15A至图15C中，仅示出了用于描述本实施例需要的寄生电容器Cp。

连接在第三晶体管T3的第二电极和第三晶体管T3的栅电极之间的寄生电容器Cp响应于供应给第i条第一扫描线S1i的扫描信号用作增大第一节点N1的电压的升压电容器。

除了存储电容器Cst的容量之外，第二像素PXL2和第三像素PXL3具有与第一像素PXL1相同的构造。

根据另一实施例，第一像素PXL1中的存储电容器Cst、第二像素PXL2中的存储电容器Cst’和第三像素PXL3中的存储电容器Cst”具有不同的容量，从而可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差以及第二像素区PA2与第三像素区PA3之间的亮度差。

例如，第一像素PXL1中的存储电容器Cst可以具有比第二像素PXL2中的存储电容器Cst’低的容量，从而可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差。第二像素PXL2中的存储电容器Cst’可以具有比第三像素PXL3中的存储电容器Cst”低的容量，从而可以补偿第二像素区PA2与第三像素区PA3之间的亮度差。

具体地，通过寄生电容器Cp与存储电容器Cst、Cst’和Cst”的比例来确定由寄生电容器Cp升高的第一节点N1的电压。即，随着存储电容器Cst、Cst’和Cst”的容量减小，由寄生电容器Cp升高的第一节点N1的电压增大。

因此，当供应具有相同电压的数据信号时，包括具有最低容量的存储电容器Cst的第一像素PXL1的第一节点N1的电压增大速率可以设置为最高，包括具有最高容量的存储电容器Cst”的第三像素PXL3的第一节点N1的电压增大速率可以设置为最低。此外，随着存储电容器Cst、Cst’和Cst”的容量增加，充入存储电容器Cst、Cst’和Cst”中的电压的增大速度减小，从而最终施加到第一节点N1的电压减小。

具体地，在图5的有机发光显示装置中，在第一像素PXL1和第二像素PXL2中的存储电容器Cst和Cst’的容量相同的情况下，当供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1和S2的RC负载对应时，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中。

根据实施例，当第一像素PXL1中的存储电容器Cst具有比第二像素PXL2中的存储电容器Cst’低的容量时，响应于具有相同电压的数据信号，第一像素PXL1的第一节点N1的电压可以额外地增大。然后，可以补偿与扫描线S1和S2的RC负载对应的电压差，从而可以使第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差最小化。

此外，在图7的有机发光显示装置中，当第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的存储电容器Cst、Cst’和Cst”的容量相同时，在供应具有相同电压的数据信号以与扫描线S1、S2和S3的RC负载对应的情况下，第一电压存储在第一像素PXL1中，比第一电压高的第二电压存储在第二像素PXL2中，比第二电压高的第三电压存储在第三像素PXL3中。

为了补偿电压差，根据实施例，第一像素PXL1中的存储电容器Cst具有比第二像素PXL2中的存储电容器Cst’低的容量，第二像素PXL2中的存储电容器Cst’设置为具有比第三像素PXL3中的存储电容器Cst”低的容量。然后，与第二像素PXL2相比，第一像素PXL1的第一节点N1的电压可以额外地增大，与第三像素PXL3相比，第二像素PXL2的第一节点N1的电压可以额外地增大。在这种情况下，可以使存储在第一像素PXL1、第二像素PXL2和第三像素PXL3中的电压的差最小化，从而可以使第一像素区PA1与第二像素区PA2之间的亮度差以及第二像素区PA2与第三像素区PA3之间的亮度差最小化。

如上所述，根据另一实施例，位于具有大的宽度的区域中的像素的存储电容器设置为具有比位于具有小的宽度的区域中的像素的存储电容器低的容量。然后，可以补偿与像素区的宽度对应的亮度差。

分别包括在图8的有机发光显示装置的第二像素PXL2”和第三像素PXL3’中的存储电容器具有比分别包括在第一像素PXL1中的存储电容器高的容量。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2’之间的亮度差以及第一像素区PA1与第三像素区PA3’之间的亮度差。

此外，分别包括在图9中示出的有机发光显示装置的第二像素PXL2”中的存储电容器具有比分别包括在第一像素PXL1中的存储电容器高的容量。然后，可以补偿第一像素区PA1与第二像素区PA2”之间的亮度差。

此外，分别包括在第二像素PXL2”中的存储电容器的容量可以根据图10的区域变化。例如，分别包括在具有大的宽度的第一区域Re1中的第二像素PXL2”中的存储电容器可以具有比分别包括在具有小的宽度的第j区域Rej中的第二像素PXL2”中的存储电容器低的容量。

此外，根据本实施例，为了方便起见，晶体管示出为PMOS。然而，实施例不限于此。即，晶体管可以由n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)(NMOS)形成。

根据本实施例，OLED响应于从驱动晶体管供应的电流量可以产生包括红光、绿光和蓝光的各种光组成。然而，实施例不限于此。例如，OLED响应于从驱动晶体管供应的电流量可以产生白光。在这种情况下，可以通过使用额外的滤色器来实现彩色图像。

在根据实施例的显示装置中，像素形成在具有不同宽度的多个像素区中。不同的像素区中的每个像素包括具有不同W/L的特定晶体管和/或具有不同容量的特定电容器。即，通过使用分别包括在像素中的特定晶体管的W/L和/或分别包括在像素中的特定电容器的容量，可以使具有不同宽度的像素区之间的亮度差最小化。

这里已经公开了示例实施例，虽然使用了特定术语，但是它们仅以一般的和描述性的含义被使用和解释而不是为了限制的目的。在一些情况下，如自提交本申请之时对本领域的普通技术人员将是明显的，除非另外明确表明，否则结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或者与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域的技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式和细节上的各种改变。

Claims (32)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一像素区和第二像素区，具有不同的宽度；

第一像素，位于所述第一像素区中，每个第一像素包括第一晶体管；以及

第二像素，位于所述第二像素区中，每个第二像素包括与所述第一晶体管执行相同功能的第二晶体管，

其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的沟道宽度W和沟道长度L中的至少一个彼此不同。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一像素区具有比所述第二像素区大的宽度。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第一晶体管和所述第二晶体管是驱动晶体管，

所述第一晶体管的W/L比所述第二晶体管的W/L小。

4.根据权利要求2所述的显示装置，其中，

所述第一晶体管和所述第二晶体管是用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管，

所述第一晶体管的安装面积比所述第二晶体管的安装面积大。

5.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第三像素区，具有与所述第一像素区和所述第二像素区不同的宽度；以及

第三像素，位于所述第三像素区中，每个第三像素包括与所述第一晶体管执行相同功能的第三晶体管。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第三像素区具有比所述第二像素区小的宽度。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管是驱动晶体管，

所述第一晶体管的W/L比所述第二晶体管的W/L小，

所述第三晶体管的W/L比所述第二晶体管的所述W/L大。

8.根据权利要求6所述的显示装置，其中，

所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管是用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管，

所述第一晶体管的安装面积比所述第二晶体管的安装面积大，

所述第三晶体管的安装面积比所述第二晶体管的所述安装面积小。

9.根据权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：

第三像素区，具有与所述第二像素区相同的宽度；以及

第三像素，位于所述第三像素区中，每个第三像素包括与所述第一晶体管执行相同功能的第三晶体管。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述第三晶体管的W/L与所述第二晶体管的W/L相等。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是驱动晶体管。

12.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述第二晶体管和所述第三晶体管是用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管。

13.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第二像素区的宽度从第一宽度逐渐减小到比所述第一宽度小的第二宽度。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二像素区分成包括至少一条水平线的j个区域，其中，j是不小于2的自然数。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

所述j个区域中的每个区域包括不少于两条水平线，

位于所述j个区域的同一区域中的所述第二晶体管的W/L相同。

16.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

所述第二晶体管是驱动晶体管，

所述第二晶体管的W/L在所述j个区域之间不同。

17.根据权利要求16所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的W/L在具有较小宽度的区域中较大。

18.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

所述第二晶体管是用于二极管连接驱动晶体管的控制晶体管，

所述第二晶体管的安装面积在所述j个区域之间不同。

19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，所述第二晶体管的安装面积在具有较小宽度的区域中较小。

20.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一像素区和第二像素区，具有不同宽度；

第一像素，位于所述第一像素区中，每个第一像素包括第一电容器；以及

第二像素，位于所述第二像素区中，每个第二像素包括与所述第一电容器执行相同功能的第二电容器，

其中，所述第一电容器和所述第二电容器的容量不同。

21.根据权利要求20所述的显示装置，其中，所述第一像素区具有比所述第二像素区大的宽度。

22.根据权利要求21所述的显示装置，其中，

所述第一电容器和所述第二电容器是用于存储数据信号的电压的存储电容器，

所述第一电容器具有比所述第二电容器低的容量。

23.根据权利要求21所述的显示装置，其中，

所述第一电容器和所述第二电容器是位于扫描线与驱动晶体管之间的升压电容器，

所述第一电容器具有比所述第二电容器高的容量。

24.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一像素，位于具有第一宽度的第一像素区中；以及

第二像素，位于具有与所述第一宽度不同的第二宽度的第二像素区中，

其中，所述第一像素和所述第二像素中的每个包括：有机发光二极管；第一晶体管，控制从连接到所述第一晶体管的第一电极的第一电源经由所述有机发光二极管流向第二电源的电流量；第二晶体管，连接在数据线与所述第一晶体管的所述第一电极之间，其中，位于所述第一像素和所述第二像素中的所述第一晶体管和所述第二晶体管中的至少一个晶体管的沟道宽度W和沟道长度L中的至少一个彼此不同。

25.根据权利要求24所述的显示装置，其中，所述第一宽度具有比所述第二宽度大的宽度。

26.根据权利要求25所述的显示装置，其中，位于所述第一像素中的所述第一晶体管或所述第二晶体管的W/L设置为比位于所述第二像素中的所述第一晶体管或所述第二晶体管的W/L小。

27.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每个还包括连接在所述第一晶体管的栅电极与所述第一晶体管的第二电极之间的第三晶体管。

28.根据权利要求27所述的显示装置，其中，位于所述第一像素中的所述第三晶体管的安装面积比包括在所述第二像素中的所述第三晶体管的安装面积大。

29.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每个还包括连接在扫描线与所述第一晶体管的栅电极之间的升压电容器。

30.根据权利要求29所述的显示装置，其中，位于所述第一像素中的所述升压电容器具有比位于所述第二像素中的所述升压电容器高的容量。

31.根据权利要求25所述的显示装置，其中，所述第一像素和所述第二像素中的每个还包括连接在所述第一晶体管的栅电极与所述第一电源之间的存储电容器。

32.根据权利要求31所述的显示装置，其中，位于所述第一像素中的所述存储电容器具有比位于所述第二像素中的所述存储电容器低的容量。