CN102194404A - 像素、像素电路和包括该像素的有机发光显示器 - Google Patents

像素、像素电路和包括该像素的有机发光显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN102194404A
CN102194404A CN2010106011730A CN201010601173A CN102194404A CN 102194404 A CN102194404 A CN 102194404A CN 2010106011730 A CN2010106011730 A CN 2010106011730A CN 201010601173 A CN201010601173 A CN 201010601173A CN 102194404 A CN102194404 A CN 102194404A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
attached
transistor
capacitors
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN2010106011730A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102194404B (zh
Inventor
裴汉成
白智媛
郭源奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Mobile Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Mobile Display Co Ltd filed Critical Samsung Mobile Display Co Ltd
Publication of CN102194404A publication Critical patent/CN102194404A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102194404B publication Critical patent/CN102194404B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0814—Several active elements per pixel in active matrix panels used for selection purposes, e.g. logical AND for partial update
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0819—Several active elements per pixel in active matrix panels used for counteracting undesired variations, e.g. feedback or autozeroing
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
    • G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开一种像素、像素电路和包括该像素的有机发光显示器。像素可以包括结合在第一电源和第二电源之间的有机发光二极管(OLED)以及结合在第一电源和OLED之间以控制供应到OLED的驱动电流的像素电路。所述像素电路包括：第一晶体管，具有结合到数据线的第一电极、结合到第一节点的第二电极和结合到当前扫描线的栅极；第二晶体管，具有通过第一节点结合到第一电源的第一电极、结合到OLED的第二电极和结合到第二节点的栅极；第一电容器，结合在第一电源和第二节点之间；第二电容器，结合在第二节点和当前扫描线之间。在第一电容器的两个电极中的至少一个电极中形成开口。

Description

像素、像素电路和包括该像素的有机发光显示器
本申请要求于2010年3月16日提交到韩国知识产权局的第10-2010-0023343号韩国专利申请的权益，该申请的内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的各方面涉及一种像素和一种包括该像素的有机发光显示器，更具体地说，涉及一种能够显示具有均匀的画面质量的图像的像素和一种包括该像素的有机发光显示器。
背景技术
有机发光显示器利用作为自发射元件的有机发光二极管(OLED)来显示图像。有机发光显示器可被制得薄并且具有高的亮度和色纯度。因此，有机发光显示器作为下一代显示器而受到关注。
有机发光显示器的像素包括OLED和像素电路。像素电路将与数据信号对应的驱动电流供应到OLED。像素电路包括开关晶体管、存储电容器和驱动晶体管。开关晶体管将数据信号从数据线传输到像素内部，以与从扫描线供应的扫描信号对应。存储电容器存储数据信号。驱动晶体管将与数据信号对应的驱动电流供应到OLED。
上面描述的像素可能会由于面板上的负载导致的电压降而不能充分地显示期望的亮度。例如，当将要显示黑色的灰阶时，驱动晶体管的栅极电压不会充分地增大，使得对比度会降低。因此，为了防止对比度降低，提供了额外地采用升压电容器的像素结构。
在采用升压电容器的像素中，在存储电容器和升压电容器之间产生电荷共享。因此，像素的亮度随着存储电容器和升压电容器的电容比而改变。因此，为了防止像素之间的亮度偏差并为了显示具有均匀的画面质量的图像，保持存储电容器和升压电容器的均匀的电容比是重要的。
然而，存储电容器和升压电容器的电容比会由于制造工艺中产生的工艺偏差而变化。由于存储电容器和升压电容器的电容被设置得不同，所以变化的程度不同。因此，存储电容器和升压电容器的电容比容易变化。因此，画面质量会变得不均匀。
发明内容
因此，本发明的各方面提供一种能够显示具有均匀的画面质量的图像而与包括在像素中的电容器的工艺偏差无关的像素，以及一种包括该像素的有机发光显示器。
根据本发明的一方面，提供一种像素，所述像素包括结合在第一电源和第二电源之间的有机发光二极管(OLED)以及结合在第一电源和OLED之间以控制供应到OLED的驱动电流的像素电路。所述像素电路包括：第一晶体管，其第一电极结合到数据线，其第二电极结合到第一节点，其栅极结合到当前扫描线；第二晶体管，其第一电极通过第一节点结合到第一电源，其第二电极结合到OLED，其栅极结合到第二节点；第一电容器，结合在第一电源和第二节点之间；第二电容器，结合在第二节点和当前扫描线之间。在第一电容器的两个电极彼此叠置的区域中，在第一电容器的这两个电极的至少一个电极中形成开口。
根据本发明的一方面，第一电容器的电容被设置为大于第二电容器的电容。
根据本发明的一方面，第一电容器包括：第一电极，包括结合到第一电源并与第一晶体管和第二晶体管的栅极位于同一层中的第一导电层；第二电极，包括结合到第二节点并与第一晶体管和第二晶体管的有源层位于同一层中的第二导电层。
根据本发明的一方面，构成第一电容器的第二电极的半导体层包括形成在与第一导电层叠置的区域中的开口。
根据本发明的一方面，在第一电容器的两个电极的至少一个电极中形成多个开口。
根据本发明的一方面，像素电路包括：第三晶体管，其第一电极结合到第二晶体管的第二电极，其第二电极结合到第二节点，其栅极结合到当前扫描线；第四晶体管，其第一电极结合到第一电源，其第二电极结合到第一节点，其栅极结合到发射控制线；第五晶体管，其第一电极结合到第二晶体管的第二电极，其第二电极结合到OLED，其栅极结合到发射控制线；第六晶体管，其第一电极结合到第二节点，其第二电极结合到初始化电源，其栅极结合到前一扫描线。
根据本发明的一方面，一种有机发光显示器包括位于扫描线和数据线之间的交叉处的多个像素，使得每个像素包括结合在第一电源和第二电源之间的OLED以及结合在第一电源和OLED之间以控制供应到OLED的驱动电流的像素电路。所述像素电路包括：第一晶体管，其第一电极结合到数据线，其第二电极结合到第一节点，其栅极结合到当前扫描线；第二晶体管，其第一电极通过第一节点结合到第一电源，其第二电极结合到OLED，其栅极结合到第二节点；第一电容器，结合在第一电源和第二节点之间；第二电容器，结合在第二节点和当前扫描线之间。在第一电容器的两个电极彼此叠置的区域中，在第一电容器的两个电极的至少一个电极中形成一个开口。
根据本发明的一方面，每个像素中的第一电容器和第二电容器的电容比被设置为均匀。
根据本发明的一方面，第一电容器的电容被设置为大于第二电容器的电容。
在根据本发明的各方面的像素以及包括该像素的有机发光显示器中，在具有比升压电容器的电容大的电容的存储电容器中形成开口，使得由工艺偏差导致的升压电容器和存储电容器的电容变化程度被控制为相似。
本发明的各方面使存储电容器升压电容器的电容比保持为均匀，从而可显示具有均匀的画面质量的图像，而与包括在像素中的电容器之间的工艺偏差无关。
本发明的附加方面和/或优点将在下面的描述中进行部分地阐述，并且部分地将通过该描述而清楚，或者可通过实施本发明来了解。
附图说明
通过下面结合附图进行的对实施例的描述，本发明的这些和/或其他方面和优点将变得明显且更加容易理解，在附图中：
图1是示意性地示出根据本发明实施例的有机发光显示器的结构的框图；
图2是示出图1中的像素的示例的电路图；
图3是示出图2的像素的驱动信号的波形图；
图4是示出图2的像素电路的布局的示例的俯视图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的当前实施例，在附图中示出了本发明的示例，其中，相同的标号始终表示相同的元件。下面参照附图描述实施例来解释本发明。
图1是示意性地示出根据本发明实施例的有机发光显示器的结构的框图。参照图1，有机发光显示器包括扫描驱动器110、发射控制驱动器120、数据驱动器130和像素单元140。
扫描驱动器110将扫描信号顺序地供应到扫描线S1至Sn，以对应于从外部控制电路(未示出)(例如，时序控制器)供应的控制信号。然后，利用扫描信号选择像素150以从数据线D1至Dm顺序地接收数据信号。
发射控制驱动器120将发射控制信号顺序地供应到发射控制线E1至En，以对应于从外部控制单元供应的控制信号。即，发射控制信号控制像素150的发射时间。可根据像素150的内部结构而省略发射控制驱动器120。
数据驱动器130将数据信号供应到数据线D1至Dm，以对应于从外部控制电路供应的控制信号。供应到数据线D1至Dm的数据信号被供应到通过扫描信号选择的像素150(即，是否供应有扫描信号)。然后，像素150充入与数据信号对应的电压并发射与所述电压对应的亮度分量的光。
像素单元140包括位于发射控制线E1至En与数据线D1至Dm的交叉处的多个像素150。这里，每个像素150包括发射亮度与对应于数据信号的驱动电流对应的光的有机发光二极管(未示出)，以及用于控制通过OLED流动的驱动电流的像素电路(未示出)。
像素单元140从外部接收第一电源(例如，高电势像素电源，ELVDD)和第二电源(例如，低电势像素电源，ELVSS)。第一电源ELVDD和第二电源ELVSS被传输到每个像素150。然后，像素150发射具有与驱动电流对应的亮度分量的光，所述驱动电流从第一电源ELVDD通过OLED流至第二电源ELVSS，以对应于数据信号。
图2是示出图1中的像素150的示例的电路图。图3是示出图2的像素的驱动信号的波形图。首先，参照图2，像素150包括结合在第一电源ELVDD和第二电源ELVSS之间的OLED。像素电路152结合在第一电源ELVDD和OLED之间以控制供应到OLED的驱动电流。
具体地说，OLED的阳极通过像素电路152结合到作为高电势像素电源的第一电源ELVDD，OLED的阴极结合到作为低电势像素电源的第二电源ELVSS。当从像素电路152供应驱动电流时，OLED发射具有与驱动电流对应的亮度的光。
像素电路152包括第一晶体管T1至第六晶体管T6以及第一电容器C1和第二电容器C2。当从当前扫描线Sn供应当前扫描信号时，第一晶体管T1将从数据线Dm供应的数据信号传输到像素150的内部。也就是说，第一晶体管T1用作像素150的开关晶体管。第一晶体管T1的第一电极结合到数据线Dm，第一晶体管T1的第二电极结合到像素150中的第一节点N1。这里，第一电极和第二电极是不同的电极。例如，当第一电极被设置为源极时，第二电极被设置为漏极。第一晶体管T1的栅极结合到当前扫描线Sn。
在像素150的发射时间段内，第二晶体管T2将与数据信号对应的驱动电流从第一电源LEVDD供应到OLED。也就是说，第二晶体管T2用作像素150的驱动晶体管。第二晶体管T2的第一电极通过第一节点N1和第四晶体管T4结合到第一电源ELVDD。第二晶体管T2的第二电极通过第五晶体管T5结合到OLED。第二晶体管T2的栅极结合到第二节点N2，其中，用于储存数据信号的第一电容器C1的一个电极结合到第二节点N2。
当数据信号被供应到像素150的内部时，第三晶体管T3补偿第二晶体管T2的阈值电压，并使第二晶体管T2以二极管的形式结合。因此，第三晶体管T3的第一电极结合到第二晶体管T2的第二电极，第三晶体管T3的第二电极结合到第二晶体管T2的栅极所结合的第二节点N2。第三晶体管T3的栅极结合到当前扫描线Sn。
第四晶体管T4在像素150的非发射时间段内阻断第一电源ELVDD和第二晶体管T2之间的结合，并在像素150的发射时间段内将第一电源ELVDD和第二晶体管T2彼此连接以形成驱动电流流经的电流通路。因此，第四晶体管T4的第一电极结合到第一电源ELVDD，第四晶体管T4的第二电极结合到第二晶体管T2的第一电极所结合的第一节点N1。第四晶体管T4的栅极结合到发射控制线En，用于控制像素150的发射时间段的发射控制信号输入到发射控制线En。
第五晶体管T5在像素150的非发射时间段内阻断第二晶体管T2和OLED之间的结合，并在像素150的发射时间段内将第二晶体管T2结合到OLED以形成驱动电流流经的电流通路。因此，第五晶体管T5的第一电极结合到第二晶体管T2的第二电极，第五晶体管T5的第二电极结合到OLED的阳极。第五晶体管T5的栅极结合到发射控制线En。
第六晶体管T6在数据编程时间段之前的初始化时间段内使第二节点N2初始化，使得数据信号可以在将数据信号供应到像素150的数据编程时间段内顺利地供应到像素150的内部。因此，第六晶体管T6的第一电极结合到第二节点N2，第六晶体管T6的第二电极结合到初始化电源Vinit。第六晶体管T6的栅极结合到前一扫描信号所供应到的前一扫描线Sn-1。
第一电容器C1存储在数据编程时间段内供应到像素150内部的数据信号，并在一帧内保持该数据信号。第一电容器C1结合在第一电源ELVDD和第二节点N2之间。也就是说，第一电容器C1用作存储电容器。第一电容器C1的第一电极结合到第一电源EVLDD，第一电容器C1的第二电极结合到第二节点N2。
第二电容器C2补偿由面板中的负载导致的电压降以提高对比度。第二电容器C2结合在当前扫描线Sn和第二节点N2之间。也就是说，当当前扫描信号的电压电平改变时(具体地说，在当前扫描信号的供应停止的时间点)，第二电容器C2通过耦合操作来升高第二节点N2的电压，从而用作用于补偿由面板中的负载导致的电压降的升压电容器。因此，第二电容器C2的第一电极结合到当前扫描线Sn，第二电容器C2的第二电极结合到第二节点N2。
在下文中，将参照图3中示出的驱动波形结合图2详细描述上面描述的像素150的操作。参照图3，在被设置为初始时间段的第一时间段t1内，通过前一扫描线Sn-1供应低电平的前一扫描信号SSn-1。然后，第六晶体管T6导通以对应于低电平的前一扫描信号SSn-1。因此，初始化电源Vinit的电压被传输到第二节点N2。这里，初始化电源Vinit的电压可被设置为具有可使像素150初始化的值，例如，不超过数据信号Vdata的最低电压的值的值。
然后，在被设置为数据编程时间段的第二时间段t2内，通过当前扫描线Sn供应低电平的当前扫描信号SSn。第一晶体管T1和第三晶体管T3导通以对应于低电平的当前扫描信号SSn。第二晶体管T2导通以通过第三晶体管T3以二极管的形式结合。具体地说，由于第二节点N2在前面的第一时间段t1内初始化，所以第二晶体管T2以沿正方向的二极管的形式结合。
因此，供应到数据线Dm的数据信号Vdata通过第一晶体管T1至第三晶体管T3供应到第二节点N2。这时，由于第二晶体管T2以二极管的形式结合，所以与数据信号Vdata和第二晶体管T2的阈值电压之间的差对应的电压被供应到第二节点N2。供应到第二节点N2的电压存储在第一电容器C1中。
然后，当当前扫描信号SSn的供应停止并且当前扫描信号SSn的电压电平转为高电平时，由于第二电容器C2的耦合操作，第二节点N2的电压改变以对应于当前扫描信号SSn的电压变化宽度。这时，因为第二节点N2的电压由于第一电容器C1和第二电容器C2之间的电荷共享而改变，所以第二节点N2的电压变化量随着第一电容器C1和第二电容器C2之间的电荷共享值及当前扫描信号SSn的电压变化宽度成比例地改变。
然后，在被设置为发射时间段t3的第三时间段t3内，从发射控制线En供应的发射控制信号EMI从高电平转为低电平。然后，在第三时间段t3内，第四晶体管T4和第五晶体管T5被低电平的发射控制信号EMI导通。因此，驱动电流通过第四晶体管T4、第二晶体管T2、第五晶体管T5和OLED从第一电源ELVDD流到第二电源ELVSS。
通过第二晶体管T2来控制驱动电流，第二晶体管T2产生与供应到第二晶体管T2的栅极的电压对应的电流，也就是说，驱动电流的大小与第二节点N2的电压对应。
这时，由于在第二时间段t2内将反映了第二晶体管T2的阈值电压的电压存储在第一电容器C 1中，所以在第三时间段t3内补偿第二晶体管T2的阈值电压。
此外，由于在当前扫描信号SSn的供应停止时，第二节点N2的电压根据第一电容器C1和第二电容器C2之间的电荷共享值以及当前扫描信号SSn的电压变化宽度而改变，所以为了防止像素150之间的亮度偏差并为了显示具有均匀的画面质量的图像，重要的是保持第一电容器C1和第二电容器C2的电容比均匀。
这样，根据本发明的一方面，第一电容器C1被设计为具有足够的电容，以在数据编程时间段内稳定地存储数据信号。此外，第二电容器C2被设置为具有足够的电容，以提供电压升压效果。第二电容器C2被设计为具有小于第一电容器C1的电容的电容。例如，第一电容器C1可被设计为具有不小于第二电容器C2的电容的五倍的电容。然而，不具体地如此限定相对电容。
因此，第一电容器C1和第二电容器C2的面积和位置由于在制造工艺中产生的工艺偏差而改变，使得生成电容的变化的灵敏度和程度变化。具体地说，在第二电容器C2被设计为具有小的电容的情况下，由工艺偏差导致的电容变化率比第一电容器C1的电容变化率大。因此，第一电容器C1和第二电容器C2的电容比改变。
如上所述，当第一电容器C1和第二电容器C2的电容比改变时，在像素150之间产生亮度偏差，从而画面质量会不均匀。因此，设计本发明的各方面来改善上面描述的画面质量不均匀性。提供了像素150和包括像素150的有机发光显示器，其中，通过在由工艺偏差导致的容量变化率较小的第一电容器C1中并形成开口，使得第一电容器C1的容量变化率被控制得与第二电容器C2的容量变化率相似或相同，以保持第一电容器C1和第二电容器C2的容量比，从而像素150能够显示均匀的画面质量，而与工艺偏差无关。
因此，根据本发明的一方面的第一电容器C1包括形成在至少一个电极中的开口，所述开口形成在第一电容器C1的两个电极彼此叠置的区域中。将参照图4描述对所述开口的详细描述。
上面参照图2和图3描述的像素150是通过一个实施例形成的像素，而本发明不限于上面描述的像素150的结构。例如，可以省略用于补偿第二晶体管T2的阈值电压的第三晶体管T3、用于控制发射时间段的第四晶体管T4和第五晶体管T5以及用于初始化的第六晶体管T6中的至少一个，或者第三晶体管T3至第六晶体管T6的结合关系和驱动波形可改变。
也就是说，本发明可应用到当前公知的各种像素结构。具体地说，当在设置了影响驱动晶体管(即，第二晶体管T2)的栅极电压的至少两个电容器(即，第一电容器C1和第二电容器C2)的结构中要均匀地保持电容器的电容比时，可以有用地应用本发明。
图4是示出图2的像素电路152的布局的示例的俯视图。图4示出了本发明的一方面的特性：形成在第一晶体管C1中的开口40。将省略关于对描述本发明的特性不是必须的部分组件(例如，形成在像素电路上的OLED)的说明。
参照图4，第一晶体管T1至第六晶体管T6包括：半导体层10，包括有源层；栅极20，布置为与半导体层10的至少一个区域叠置并由栅极金属形成；源极和漏极30，结合到有源层并由源极和漏极金属形成。
第一电容器C1和第二电容器C2包括：半导体层10’，与第一晶体管T1至第六晶体管T6的有源层位于同一层中；第一导电层20’，与第一晶体管T1至第六晶体管T6的栅极20位于同一层中；第二导电层30’，与第一晶体管T1至第六晶体管T6的源极和漏极30位于同一层中。这里，CH表示接触孔。
上面的仅仅是示例。第一晶体管T1至第六晶体管T6以及第一电容器C1和第二电容器C2的结构可改变。例如，在第一晶体管T1至第六晶体管T6中的部分晶体管中，源极和/或漏极由与有源层一体的半导体层10形成，而不是由源极和漏极金属形成，并且源极和/或漏极可与结合到该源极和/或漏极的晶体管的有源层成为一体。
由于第一晶体管T1至第六晶体管T6的有源层在半导体层10与栅极20叠置的区域中形成在半导体层10中，所以为了方便起见，在图4中，根据形成有源层的区域来标注第一晶体管T1至第六晶体管T6的位置。
此外，通过使与第一晶体管T1至第六晶体管T6的有源层位于同一层中的半导体层10’、与第一晶体管T1至第六晶体管T6的栅极20位于同一层中的第一导电层20’以及与第一晶体管T1至第六晶体管T6的源极和漏极30位于同一层中的第二导电层30’中的至少两个叠置，来形成第一电容器C1和第二电容器C2。
具体地说，图4示出了第一电容器C1和第二电容器C2的大部分电容由半导体层10’和第一导电层20’形成的示例。第一电容器C1包括几乎彼此完全叠置的半导体层10’和第一导电层20’，以及与半导体层10’和第一导电层20’在叠置区中部分地叠置的第二导电层30’。第二电容器C2包括几乎完全叠置的半导体层10’和第二半导体层30’。
然而，本发明不限于图4中描述的示例。例如，在其他方面，可通过使第一导电层20’和第二导电层30’完全叠置来形成第一电容器C1和第二电容器C2。
虽然不在所有方面需要，但是作为提高制造工艺的效率的示例，第一电容器C1和第二电容器C2可在形成第一晶体管T1至第六晶体管T6时同时地形成。因此，可在形成第一晶体管T1至第六晶体管T6的有源层时利用相同的材料在同一层中形成第一电容器C1和第二电容器C2的半导体层10’。可在形成第一晶体管T1至第六晶体管T6的栅极20时利用相同的材料(即，栅极金属)在同一层中形成第一电容器C1和第二电容器C2的第一导电层20’。在形成第一晶体管T1至第六晶体管T6的源极和漏极30时利用相同的材料(即，源极金属和漏极金属)在同一层中形成第一电容器C1和第二电容器C2的第二导电层30’。然而，本发明的各方面不限于上面的形成方法。
根据本发明的一方面，第一电容器C1包括在两个电极彼此叠置的区域中形成在这两个电极中的至少一个电极中的开口40。例如，当第一电容器C1包括具有结合到第一电源ELVDD并与第一晶体管T1至第六晶体管T6的栅极位于同一层中的第一导电层20’的第一电极和具有结合到图2的第二节点N2并与第一晶体管T1至第六晶体管T6的有源层位于同一层中的半导体层10的第二电极时，可在第一电容器C1的半导体层10’和第一导电层20’中的至少一个层中形成至少一个开口40。
当开口40形成在工艺偏差比第一导电层20’的工艺偏差小的半导体层10’中时，可以容易地控制开口40的位置或尺寸。也就是说，根据本实施例的一方面，开口40形成在构成第一电容器C1的第二电极的半导体层10’与第一导电层20’叠置的区域中。
然而，本发明不限于以上。开口40可形成在半导体层10’、第一导电层20’和第二导电层30’中的至少一个层中。
开口40将第一电容器C1的由工艺偏差导致的电容变化率控制为与第二电容器C2的电容变化率相似或相同的灵敏程度，以使第一电容器C1和第二电容器C2的电容比保持为均匀而与工艺偏差无关，并显示具有均匀的画面质量的图像。虽然不在所有的方面需要，但是可通过扩大第一电容器C1的轮廓来补偿由开口40导致的第一电容器C1的电容减小量。
因此，反映通过测试沉积或模拟而预先掌握的第一电容器C1和第二电容器C2之间的工艺偏差来控制开口40的面积和位置以及开口40的数量，使得每个像素的第一电容器C1和第二电容器C2的电容比变得均匀(即，在预定的误差范围内变得相同)。
此外，虽然不在所有的方面需要，但是在示出的示例中，在第一电容器C1的两个电极的至少一个电极中形成多个开口40，从而可以容易地控制第一电容器C1的电容变化程度。虽然示出为圆形，但是应该理解的是，本发明不限于开口40的特定形状。此外，虽然示出为开口40在电极的中心区域，但是应该理解的是，开口40也可延伸到电极的边缘，从而形成除了完全被电极围绕之外还在电极中的凹口或形成不被电极完全围绕而在电极中的凹口。
如上所述，根据本发明的一方面，开口40形成在具有比升压电容器(例如，第二电容器C2)的电容大的电容的存储电容器(例如，第一电容器C1)中，使得由工艺偏差导致的升压电容器和存储电容器的电容变化程度可被控制为彼此相似。因此，存储电容器和升压电容器的电容比保持为均匀，从而可显示具有均匀的画面质量的图像，而与包括在根据本发明各方面的像素中的电容器之间的工艺偏差无关。
虽然已经示出并描述了本发明的一些实施例，但是本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可以对实施例进行改变，本发明的范围限定在权利要求及其等同物中。

Claims (20)

1.一种像素，所述像素包括有机发光二极管和像素电路，所述有机发光二极管结合在第一电源和第二电源之间，所述像素电路结合在第一电源和有机发光二极管之间，以控制供应到有机发光二极管的驱动电流，所述像素电路包括：
第一晶体管，具有结合到数据线的第一电极、结合到第一节点的第二电极和结合到当前扫描线的栅极；
第二晶体管，具有通过第一节点结合到第一电源的第一电极、结合到有机发光二极管的第二电极和结合到第二节点的栅极；
第一电容器，利用第一电容器电极和第二电容器电极结合在第一电源和第二节点之间；
第二电容器，结合在第二节点和当前扫描线之间，
其中，在第一电容器电极和第二电容器电极叠置的区域中在第一电容器电极和第二电容器电极的至少一个电极中形成开口。
2.如权利要求1所述的像素，其中，第一电容器的电容大于第二电容器的电容。
3.如权利要求1所述的像素，其中：
第一电容器电极包括结合到第一电源并与第一晶体管和第二晶体管的栅极位于同一层上的第一导电层；
第二电容器电极包括结合到第二电极并与第一晶体管和第二晶体管的有源层位于同一层上的半导体层。
4.如权利要求3所述的像素，其中，第二电容器电极的半导体层包括所述开口。
5.如权利要求1所述的像素，其中，所述开口是形成在第一电容器电极和第二电容器电极的所述至少一个电极中的多个开口中的一个开口。
6.如权利要求1所述的像素，其中，像素电路还包括：
第三晶体管，具有结合到第二晶体管的第二电极的第一电极、结合到第二节点的第二电极和结合到当前扫描线的栅极；
第四晶体管，具有结合到第一电源的第一电极、结合到第一节点的第二电极和结合到发射控制线的栅极；
第五晶体管，具有结合到第二晶体管的第二电极的第一电极、结合到有机发光二极管的第二电极和结合到发射控制线的栅极；
第六晶体管，具有结合到第二节点的第一电极、结合到初始化电源的第二电极和结合到前一扫描线的栅极。
7.一种有机发光显示器，所述有机发光显示器包括：
多条扫描线，沿第一方向延伸；
多条数据线，沿与第一方向不同的第二方向延伸；
多个像素，位于扫描线和数据线之间的交叉处，每个像素包括结合在第一电源和第二电源之间的有机发光二极管以及结合在第一电源和有机发光二极管之间以控制供应到有机发光二极管的驱动电流的像素电路，
其中，像素电路包括：第一晶体管，具有结合到数据线中的与像素对应的一条数据线的第一电极、结合到第一节点的第二电极和结合到扫描线中的与所述像素对应的一条扫描线的栅极；第二晶体管，具有通过第一节点结合到第一电源的第一电极、结合到有机发光二极管的第二电极和结合到第二节点的栅极；第一电容器，利用第一电容器电极和第二电容器电极结合在第一电源和第二节点之间；第二电容器，结合在第二节点和所述一条扫描线之间，
在第一电容器电极和第二电容器电极叠置的区域中在第一电容器电极和第二电容器电极的至少一个电极中形成开口。
8.如权利要求7所述的有机发光显示器，其中，每个像素中的第一电容器和第二电容器的电容比被设置为均匀。
9.如权利要求7所述的有机发光显示器，其中，第一电容器的电容大于第二电容器的电容。
10.如权利要求7所述的有机发光显示器，其中：
第一电容器电极包括结合到第一电源并与第一晶体管和第二晶体管的栅极位于同一层上的第一导电层；
第二电容器电极包括结合到第二电极并与第一晶体管和第二晶体管的有源层位于同一层上的半导体层。
11.如权利要求10所述的有机发光显示器，其中，第二电容器电极的半导体层包括所述开口。
12.如权利要求7所述的有机发光显示器，其中，在每个像素中，所述开口是形成在第一电容器电极和第二电容器电极的至少一个电极中的多个开口中的一个开口。
13.一种用于控制供应到与电源结合的有机发光二极管的驱动电流的像素电路，所述像素电路包括：
第一节点，将被结合到电源；
第一晶体管，具有将被结合到数据线的第一电极、结合到第一节点的第二电极和将被结合到扫描线的栅极；
第二节点；
第二晶体管，具有结合到第一节点的第一电极、将被结合到有机发光二极管的第二电极和结合到第二节点的栅极；
第一电容器，利用第一电容器电极和第二电容器电极结合到第二节点并将被结合到第一电源，第一电容器电极和第二电容器在第一电容器电极与第二电容器电极叠置的区域中具有成形元件；
第二电容器，结合到第二节点并将被结合到扫描线，
其中，成形元件使第一电容器电极和/或第二电容器电极成形来将第一电容器和第二电容器的电容比控制为预定值。
14.如权利要求13所述的像素电路，其中，成形元件包括穿过第一电容器电极和第二电容器电极中的一个电极延伸的开口。
15.如权利要求13所述的像素电路，其中，成形元件包括穿过第一电容器电极和第二电容器电极中的一个电极延伸的多个开口。
16.如权利要求13所述的像素电路，其中，第一电容器的电容大于第二电容器的电容。
17.如权利要求13所述的像素电路，其中：
第一电容器电极包括与第一晶体管和第二晶体管的栅极位于同一层上的第一导电层；
第二电容器电极包括结合到第二节点并与第一晶体管和第二晶体管的有源层位于同一层上的半导体层。
18.如权利要求17所述的像素电路，其中，第二电容器电极的半导体层包括成形元件。
19.如权利要求13所述的像素电路，其中，第二电容器电极包括成形元件并连接到第二节点。
20.如权利要求13所述的像素电路，所述像素电路还包括：
第三晶体管，具有结合到第二晶体管的第二电极的第一电极、结合到第二节点的第二电极和将要结合到扫描线的栅极；
第四晶体管，具有将要结合到电源的第一电极、结合到第一节点的第二电极和将要结合到发射控制线的栅极；
第五晶体管，具有结合到第二晶体管的第二电极和第三晶体管的第一电极的第一电极、将要结合到有机发光二极管的第二电极和将要结合到发射控制线的栅极；
第六晶体管，具有结合到第二节点的第一电极、将要结合到初始化电源的第二电极和将要结合到前一扫描线的栅极。
CN201010601173.0A 2010-03-16 2010-12-17 像素、像素电路和包括该像素的有机发光显示器 Active CN102194404B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100023343A KR101056233B1 (ko) 2010-03-16 2010-03-16 화소 및 이를 구비한 유기전계발광 표시장치
KR10-2010-0023343 2010-03-16

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102194404A true CN102194404A (zh) 2011-09-21
CN102194404B CN102194404B (zh) 2016-03-30

Family

ID=43742429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201010601173.0A Active CN102194404B (zh) 2010-03-16 2010-12-17 像素、像素电路和包括该像素的有机发光显示器

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20110227893A1 (zh)
EP (1) EP2372683A1 (zh)
JP (1) JP5048811B2 (zh)
KR (1) KR101056233B1 (zh)
CN (1) CN102194404B (zh)
TW (1) TWI512706B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013064028A1 (zh) * 2011-10-31 2013-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元驱动电路及其驱动方法、显示装置
CN103247660A (zh) * 2012-02-10 2013-08-14 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN104183621A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 三星显示有限公司 有机发光显示装置及修复有机发光显示装置的方法
CN104715714A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 像素电路及其驱动方法及一种有源矩阵有机发光显示装置
CN107452771A (zh) * 2016-05-31 2017-12-08 三星显示有限公司 显示装置
JP2018036667A (ja) * 2012-08-02 2018-03-08 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光表示装置
CN110930949A (zh) * 2019-12-17 2020-03-27 昆山国显光电有限公司 像素电路和显示面板
WO2020192208A1 (en) * 2019-03-27 2020-10-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display apparatus

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101830791B1 (ko) * 2011-09-08 2018-02-22 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101893167B1 (ko) * 2012-03-23 2018-10-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 이의 구동 방법 및 유기 발광 표시 장치
KR101924996B1 (ko) * 2012-03-29 2018-12-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101970783B1 (ko) 2012-05-07 2019-04-23 삼성디스플레이 주식회사 반도체 장치
KR101903741B1 (ko) * 2012-06-12 2018-10-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101434366B1 (ko) 2012-08-24 2014-08-26 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 장치
KR101982074B1 (ko) * 2012-10-08 2019-08-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101959506B1 (ko) * 2012-10-26 2019-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101360768B1 (ko) 2012-11-27 2014-02-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법
KR20140096862A (ko) * 2013-01-29 2014-08-06 삼성디스플레이 주식회사 화소, 이를 포함하는 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 구동 방법
KR20150116959A (ko) * 2014-04-08 2015-10-19 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 화소의 구동 방법
TWI514343B (zh) 2014-07-30 2015-12-21 E Ink Holdings Inc 背光顯示裝置
KR102285398B1 (ko) 2015-04-29 2021-08-03 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102415753B1 (ko) * 2015-05-04 2022-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI599999B (zh) * 2015-07-16 2017-09-21 友達光電股份有限公司 畫素電路
KR102063314B1 (ko) * 2018-11-28 2020-01-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102082278B1 (ko) * 2019-02-01 2020-04-24 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20210128560A (ko) 2020-04-16 2021-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517342A (en) * 1993-03-04 1996-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having additional capacitors formed from pixel electrodes and a method for manufacturing the same
US6262783B1 (en) * 1997-03-12 2001-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with reflective electrodes and method for fabricating the same
CN1744245A (zh) * 2004-09-02 2006-03-08 冲电气工业株式会社 薄膜电容器及其制造方法
US20080203931A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Yang-Wan Kim Organic light emitting display and method of manufacturing the same

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3596039A (en) * 1968-07-19 1971-07-27 Sprague Electric Co Trimming thin-film capacitors by spark erosion
US3597579A (en) * 1970-06-25 1971-08-03 Western Electric Co Method of trimming capacitors
EP0863498B1 (en) * 1993-08-30 2002-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Data signal line structure in an active matrix liquid crystal display
DE19901540A1 (de) * 1999-01-16 2000-07-20 Philips Corp Intellectual Pty Verfahren zur Feinabstimmung eines passiven, elektronischen Bauelementes
KR100669702B1 (ko) * 2003-11-29 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판표시장치
JP4549889B2 (ja) * 2004-05-24 2010-09-22 三星モバイルディスプレイ株式會社 キャパシタ及びこれを利用する発光表示装置
KR20060019099A (ko) * 2004-08-26 2006-03-03 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI263082B (en) * 2005-03-02 2006-10-01 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display, pixel array substrate and method for preventing flicker in display panel applied thereto
TWI250653B (en) * 2005-04-22 2006-03-01 Ritdisplay Corp Active matrix OLED array panel
TWI301728B (en) * 2005-04-22 2008-10-01 Ritdisplay Corp Active matrix oled
KR100761077B1 (ko) * 2005-05-12 2007-09-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
JP4587310B2 (ja) 2005-08-24 2010-11-24 イビデン株式会社 誘電体膜キャパシタおよびその製造方法
CN101341576B (zh) * 2005-11-08 2012-05-30 Nxp股份有限公司 超高电容值集成电容器结构
EP1793366A3 (en) * 2005-12-02 2009-11-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and electronic device
TWI315424B (en) * 2005-12-30 2009-10-01 Au Optronics Corp Display panel and pixel element thereof
TWI306358B (en) * 2006-02-17 2009-02-11 Himax Tech Inc Organic light emitting display and pixel circuit thereof
DE602007013761D1 (de) * 2006-07-07 2011-05-19 Sharp Kk Matrix substrat, verfahren zum reparieren desselben und flüssigkristallanzeige
JP4812839B2 (ja) * 2006-08-08 2011-11-09 シャープ株式会社 Ｔｆｔ基板およびそれを備える液晶表示パネルならびに液晶表示装置、ｔｆｔ基板の製造方法
KR100739335B1 (ko) 2006-08-08 2007-07-12 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR102484475B1 (ko) * 2009-11-06 2023-01-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5517342A (en) * 1993-03-04 1996-05-14 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display having additional capacitors formed from pixel electrodes and a method for manufacturing the same
US6262783B1 (en) * 1997-03-12 2001-07-17 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device with reflective electrodes and method for fabricating the same
CN1744245A (zh) * 2004-09-02 2006-03-08 冲电气工业株式会社 薄膜电容器及其制造方法
US20080203931A1 (en) * 2007-02-27 2008-08-28 Yang-Wan Kim Organic light emitting display and method of manufacturing the same

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013064028A1 (zh) * 2011-10-31 2013-05-10 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元驱动电路及其驱动方法、显示装置
US10021759B2 (en) 2011-10-31 2018-07-10 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel unit driving circuit and driving method, and display apparatus
CN103247660A (zh) * 2012-02-10 2013-08-14 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
CN103247660B (zh) * 2012-02-10 2017-12-08 三星显示有限公司 有机发光二极管显示器
TWI584458B (zh) * 2012-02-10 2017-05-21 三星顯示器有限公司 有機發光二極體顯示器
US9735219B2 (en) 2012-02-10 2017-08-15 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
JP2018036667A (ja) * 2012-08-02 2018-03-08 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機発光表示装置
US11574989B2 (en) 2012-08-02 2023-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with thin film transistors in portions of curved semiconductor layer
US10204976B2 (en) 2012-08-02 2019-02-12 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US10483342B2 (en) 2012-08-02 2019-11-19 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US11690266B2 (en) 2012-08-02 2023-06-27 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with plurality of thin film transistors in portions of curved semiconductor layer
US10734470B2 (en) 2012-08-02 2020-08-04 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US11574988B2 (en) 2012-08-02 2023-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with scan line between storage capacitor and voltage line
US11574991B2 (en) 2012-08-02 2023-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with semiconductor layer having bent portion
US10985234B2 (en) 2012-08-02 2021-04-20 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display
US11574990B2 (en) 2012-08-02 2023-02-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode display with curved channel region
CN104183621A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 三星显示有限公司 有机发光显示装置及修复有机发光显示装置的方法
CN104715714A (zh) * 2013-12-17 2015-06-17 昆山国显光电有限公司 像素电路及其驱动方法及一种有源矩阵有机发光显示装置
CN107452771A (zh) * 2016-05-31 2017-12-08 三星显示有限公司 显示装置
CN107452771B (zh) * 2016-05-31 2023-07-07 三星显示有限公司 显示装置
US11250786B2 (en) 2019-03-27 2022-02-15 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Array substrate, display panel and display apparatus
CN111754936A (zh) * 2019-03-27 2020-10-09 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
WO2020192208A1 (en) * 2019-03-27 2020-10-01 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, display panel and display apparatus
CN110930949A (zh) * 2019-12-17 2020-03-27 昆山国显光电有限公司 像素电路和显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN102194404B (zh) 2016-03-30
TW201207820A (en) 2012-02-16
KR101056233B1 (ko) 2011-08-11
US20110227893A1 (en) 2011-09-22
JP5048811B2 (ja) 2012-10-17
EP2372683A1 (en) 2011-10-05
JP2011191726A (ja) 2011-09-29
TWI512706B (zh) 2015-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102194404B (zh) 像素、像素电路和包括该像素的有机发光显示器
US10304380B2 (en) Organic light-emitting pixel driving circuit, driving method, and organic light-emitting display panel
CN107424563B (zh) 有机发光二极管显示装置
US9418597B2 (en) Pixel, display device and driving method thereof
KR100560479B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
US9084331B2 (en) Active matrix organic light emitting diode circuit and operating method of the same
US8913090B2 (en) Pixel circuit, organic electro-luminescent display apparatus, and method of driving the same
US8446344B2 (en) Pixel and organic light emitting display device using the same
KR102274740B1 (ko) 표시 장치
US8665249B2 (en) Organic light emitting display device
KR100497247B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
CN101630479B (zh) 显示设备
US8138997B2 (en) Pixel, organic light emitting display using the same, and associated methods
EP2806421A1 (en) Pixel and organic light emitting display using the same
US20150170576A1 (en) Organic light emitting display device
US9262962B2 (en) Pixel and organic light emitting display device using the same
US20090243977A1 (en) Pixel and organic light emitting display device including the same
CN104809989A (zh) 一种像素电路、其驱动方法及相关装置
CN104751804A (zh) 一种像素电路、其驱动方法及相关装置
KR102099311B1 (ko) 표시장치
US11749193B2 (en) Pixel circuit, method for driving a pixel circuit, display panel, and display apparatus
KR102022700B1 (ko) 박막 트랜지스터 및 그를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20110104706A (ko) 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US20140313180A1 (en) Organic light emitting display pixel and display device
KR20180078933A (ko) 유기 발광 다이오드 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD.

Effective date: 20121105

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20121105

Address after: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Applicant after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: South Korea Gyeonggi Do Yongin

Applicant before: Samsung Mobile Display Co., Ltd.

C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant