TWI512706B - 像素及包含該像素之有機發光顯示器 - Google Patents

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Description

像素及包含該像素之有機發光顯示器
本發明的觀點關於一種像素及包含該像素之有機發光顯示器；且更明確地說，本發明的觀點關於一種能夠顯示均勻圖像品質影像的像素及包含該像素之有機發光顯示器。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張於2010年3月16日在韓國智慧財產局所提申之韓國專利申請案第10-2010-0023343號的權利，本文以引用的方式將其揭示內容併入。
一有機發光顯示器會利用有機發光二極體(Organic Light Emitting Diode，OLED)作為自我發光元件來顯示影像。該有機發光顯示器可被製造成既薄且具有高亮度與顏色純度。因此，有機發光顯示器已經受到矚目會成為下一代顯示器。
有機發光顯示器中的一像素包含一OLED與一像素電路。該像素電路會供應一對應於一資料訊號的驅動電流給該OLED。該像素電路包含一切換電晶體、一儲存電容器、以及一驅動電晶體。該切換電晶體會對應於一供應自一掃描線的掃描訊號將一資料訊號從一資料線傳送至一像素的裡面。該儲存電容器會儲存該資料訊號。該驅動電晶體會供應一對應於該資料訊號的驅動電流至該OLED。
由於面板上的負載所造成的電壓降的關係，上面所述的像素可能不足以顯示所希的亮度。舉例來說，當要顯示一黑色灰階時，該驅動電晶體的閘極電壓可能不會充分地提高，因此，對比率(contrast ratio)可能會下降。所以，為防止對比率下降，必須提供額外採用升壓電容器(boosting capacitor)的像素結構。
在採用升壓電容器的像素中，會在該儲存電容器與該升壓電容器之間產生電荷共用現象。因此，像素的亮度會隨著該儲存電容器與該升壓電容器的電容比而改變。所以，為防止像素之間發生亮度偏移並且為顯示均勻圖像品質的影像，重要的係，必須讓該儲存電容器與該升壓電容器保持一致的電容比。
然而，該儲存電容器與該升壓電容器的電容比卻可能會因製造過程中產生的製程偏移而改變。因為該儲存電容器的電容與該升壓電容器的電容被設為不同，所以，變化的程度會不同。因此，該儲存電容器與該升壓電容器的電容比很容易改變。所以，圖像品質可能會變得不均勻。
據此，本發明的觀點提供一種不論像素中包含的電容器是否有製程偏移皆能夠顯示均勻圖像品質影像的像素以及一種包含該像素的有機發光顯示器。
根據本發明的一觀點，提供一種像素，其包含：一有機發光二極體(OLED)，其會被耦接在一第一電源與一第二電源之間；以及一像素電路，其會被耦接在該第一電源與該OLED之間，用以控制被供應給該OLED的驅動電流。該像素電路包含：一第一電晶體，其第一電極會被耦接至一資料線，其第二電極會被耦接至一第一節點，而且其閘極電極會被耦接至一當前掃描線；一第二電晶體，其第一電極會透過該第一節點被耦接至該第一電源，其第二電極會被耦接至該OLED，而且其閘極電極會被耦接至一第二節點；一第一電容器，其會被耦接在該第一電源與該第二節點之間；以及一第二電容器，其會被耦接在該第二節點與該當前掃描線之間。在該第一電容器的兩個電極彼此重疊的區域中，會在該第一電容器的該等兩個電極的至少其中一個電極之中形成一孔隙。
根據本發明的一觀點，該第一電容器的電容會被設為大於該第二電容器的電容。
根據本發明的一觀點，該第一電容器包含：一第一電極，其包含一第一導體層，該第一導體層會被耦接至該第一電源並且被置放在和該等第一電晶體與第二電晶體的閘極電極相同的層之中；以及一第二電極，其包含一半導體層，該半導體層會被耦接至該第二節點並且被置放在和該等第一電晶體與第二電晶體的活化層(activation layer)相同的層之中。
根據本發明的一觀點，構成該第一電容器之第二電極的該半導體層包含被形成在與該第一導體層重疊之區域中的孔隙。
根據本發明的一觀點，複數個該等孔隙會被形成在該第一電容器的該等兩個電極中的至少其中一個電極之中。
根據本發明的一觀點，該像素電路包含：一第三電晶體，其第一電極會被耦接至該第二電晶體的第二電極，其第二電極會被耦接至該第二節點，而且其閘極電極會被耦接至該當前掃描線；一第四電晶體，其第一電極會被耦接至該第一電源，其第二電極會被耦接至該第一節點，而且其閘極電極會被耦接至一發光控制線；一第五電晶體，其第一電極會被耦接至該第二電晶體的第二電極，其第二電極會被耦接至該OLED，而且其閘極電極會被耦接至該發光控制線；以及一第六電晶體，其第一電極會被耦接至該第二節點，其第二電極會被耦接至一初始化電源，而且其閘極電極會被耦接至前一條掃描線。
根據本發明的一觀點，一有機發光顯示器包含複數個像素，它們會被置放在多條掃描線與多條資料線的交點處，俾使得每一個該等像素皆包含：一OLED，其會被耦接在一第一電源與一第二電源之間；以及一像素電路，其會被耦接在該第一電源與該OLED之間，用以控制被供應給該OLED的驅動電流。該像素電路包含：一第一電晶體，其第一電極會被耦接至一資料線，其第二電極會被耦接至一第一節點，而且其閘極電極會被耦接至一當前掃描線；一第二電晶體，其第一電極會透過該第一節點被耦接至該第一電源，其第二電極會被耦接至該OLED，而且其閘極電極會被耦接至一第二節點；一第一電容器，其會被耦接在該第一電源與該第二節點之間；以及一第二電容器，其會被耦接在該第二節點與該當前掃描線之間。在該第一電容器的兩個電極彼此重疊的區域中，會在該第一電容器的該等兩個電極的至少其中一個電極之中形成一孔隙。
根據本發明的一觀點，每一個該等像素中的第一電容器與第二電容器的電容比皆會被設為一致。
根據本發明的一觀點，該第一電容器的電容會被設為大於該第二電容器的電容。
在根據本發明觀點的像素及包含該像素的有機發光顯示器中，一孔隙會被形成在電容大於一升壓電容器的儲存電容器之中，俾使得因製程偏移所導致的升壓電容器的電容改變程度與儲存電容器的電容改變程度會被控制為雷同。
本發明的觀點會讓該儲存電容器與該升壓電容器的電容比保持一致，俾使得不論像素中包含的電容器之間是否有製程偏移皆可以顯示均勻圖像品質的影像。
在後面的說明中會部分提出本發明的額外觀點及/或優點，而且其中一部分從該說明中便會非常清楚，甚至可藉由實行本發明而習得。
現在將詳細參考本發明的實施例，其範例會圖解在隨附的圖式中，其中，所有圖式中的相同元件符號表示相同的元件。下面會參考該等圖式來說明該等實施例，以便解釋本發明。
圖1概略地顯示根據本發明一實施例的有機發光顯示器的結構的方塊圖。參考圖1，該有機發光顯示器包含一掃描驅動器110、一發光控制驅動器120、一資料驅動器130、以及一像素單元140。
該掃描驅動器110會對應於供應自一外部控制電路(圖中並未顯示)(舉例來說，一時序控制器)的多個控制訊號依序供應多個掃描訊號給掃描線S1至Sn。接著 ，多個像素150便會被該等掃描訊號選擇 ，以便依序從資料線D1至Dm處接收資料訊號 。
該發光控制驅動器120會對應於供應自該外部控制單元的該等控制訊號依序供應多個發光控制訊號給發光控制線E1至En。該等像素150的發光會受控於該等發光控制訊號。也就是，該等發光控制訊號會控制該等像素150的發光時間。該發光控制驅動器120可以根據該等像素150的內部結構被省略。
該資料驅動器130會對應於供應自該外部控制電路的該等控制訊號來供應該等資料訊號給該等資料線D1至Dm。每當該等掃描訊號被供應時，被供應至該等資料線D1至Dm的該等資料訊號便會藉由該等掃描訊號被供應至該等選定的像素150。接著 ，該等像素150會帶有對應於該等資料訊號的電壓並且發出亮度成分對應於該等電壓的光。
該像素單元140包含被置放在該等發光控制線E1至En與該等資料線D1至Dm之交點處的該等複數個像素150。此處，每一個該等像素150皆包含：一有機發光二極體(圖中並未顯示)，其會發出亮度對應於驅動電流的光，其中，該驅動電流會對應於該資料訊號；以及一像素電路(圖中並未顯示)，用以控制流過該OLED的驅動電流。
該像素單元140會從外界接收一第一電源(舉例來說，一高電位像素電源，ELVDD)與一第二電源(舉例來說，一低電位像素電源，ELVSS)。該第一電源ELVDD與該第二電源ELVSS會被傳送至每一個該等像素150。接著，該等像素150會對應於該等資料訊號來發光，亮度成分會對應於透過該OLED從該第一電源ELVDD流到該第二電源ELVSS的驅動電流。
圖2所示的係圖1的像素150的一範例的電路圖。圖3所示的係圖2的像素的驅動訊號的波形圖。首先，參考圖2，該像素150包含一被耦接在該第一電源ELVDD與該第二電源ELVSS之間的OLED。一像素電路152會被耦接在該第一電源ELVDD與該OLED之間，用以控制被供應至該OLED的驅動電流。
詳細來說，該OLED的陽極電極會透過該像素電路152被耦接至該第一電源ELVDD，其係一高電位像素電源；而該OLED的陰極電極則會被耦接至該第二電源ELVSS，其係一低電位像素電源。當該驅動電流從該像素電路152處被供應時，該OLED便會發出亮度對應於該驅動電流的光。
該像素電路152包含第一至第六電晶體T1至T6以及第一與第二電容器C1與C2。當該當前掃描訊號從當前掃描線Sn處被供應時，該第一電晶體T1便會將供應自資料線Dm的資料訊號傳送至該像素150的裡面。也就是，該第一電晶體T1的功能如同該像素150的切換電晶體。該第一電晶體T1的第一電極會被耦接至該資料線Dm，而該第一電晶體T1的第二電極會被耦接至該像素150中的第一節點N1。此處，該第一電極與該第二電極係不同的電極。舉例來說，當該第一電極被設為源極電極時，該第二電極便會被設為汲極電極。該第一電晶體T1的閘極電極會被耦接至該當前掃描線Sn。
該第二電晶體T2會在該像素150的發光週期中，從該第一電源ELVDD處供應對應於該資料訊號的驅動電流給該OLED。也就是，該第二電晶體T2的功能如同該像素150的驅動電晶體。該第二電晶體T2的第一電極會透過該第一節點N1與該第四電晶體T4被耦接至該第一電源ELVDD。該第二電晶體T2的第二電極會透過該第五電晶體T5被耦接至該OLED。該第二電晶體T2的閘極電極會被耦接至一第二節點N2，用於儲存該資料訊號的第一電容器C1的其中一個節點會被耦接至該第二節點N2。
該第三電晶體T3會補償該第二電晶體T2的臨界電壓，並且會在該資料訊號被供應至該像素150裡面時以二極體的形式來耦接該第二電晶體T2。所以，該第三電晶體T3的第一電極會被耦接至該第二電晶體T2的第二電極；而該第三電晶體T3的第二電極會被耦接至該第二節點N2，該第二電晶體T2的閘極電極會被耦接至該第二節點N2。該第三電晶體T3的閘極電極會被耦接至該當前掃描線Sn。
該第四電晶體T4會在像素150的不發光週期中阻隔該第一電源ELVDD與該第二電晶體T2之間的耦接；並且在像素150的發光週期中讓該第一電源ELVDD與該第二電晶體T2彼此耦接，用以構成一條讓該驅動電流流過的電流路徑。所以，該第四電晶體T4的第一電極會被耦接至該第一電源ELVDD；而該第四電晶體T4的第二電極會被耦接至該第一節點N1，該第二電晶體T2的第一電極會被耦接至該第一節點N1。該第四電晶體T4的閘極電極會被耦接至一發光控制線En，一用於控制該像素150之發光週期的發光控制訊號會被輸入至該發光控制線En。
該第五電晶體T5會在像素150的不發光週期中阻隔該第二電晶體T2與該OLED之間的耦接；並且在像素150的發光週期中將該第二電晶體T2耦接至該OLED，用以構成一條讓該驅動電流流過的電流路徑。所以，該第五電晶體T5的第一電極會被耦接至該第二電晶體T2的第二電極，而該第五電晶體T5的第二電極會被耦接至該OLED的陽極電極。該第五電晶體T5的閘極電極會被耦接至該發光控制線En。
第六電晶體T6會在資料程式化週期之前的初始化週期中初始化該第二節點N2，俾使得該資料訊號可以在該資料程式化週期中平順地被供應至該像素150的裡面，該資料訊號會在該資料程式化週期中被輸入至該像素150。所以，該第六電晶體T6的第一電極會被耦接至該第二節點N2，而該第六電晶體T6的第二電極會被耦接至一初始化電源Vinit。該第六電晶體T6的閘極電極會被耦接至前一條掃描線Sn-1，前一個掃描訊號係被供應至該前一條掃描線Sn-1。
第一電容器C1會儲存在該資料程式化週期中被供應至該像素150裡面的資料訊號並且於其中一個訊框中保持該資料訊號。該第一電容器C1會被耦接在該第一電源ELVDD與該第二節點N2之間。也就是，該第一電容器C1的功能如同儲存電容器。該第一電容器C1的第一電極會被耦接至該第一電源ELVDD，而該第一電容器C1的第二電極會被耦接至該第二節點N2。
第二電容器C2會補償因一面板中的負載所造成的電壓降，以便改善對比率。該第二電容器C2會被耦接在該當前掃描線Sn與該第二節點N2之間。也就是，當該當前掃描訊號的電壓位準改變時，明確地說，在該當前掃描訊號供應停止的時間點處，該第二電容器C2會藉由一耦接操作來提高該第二節點N2的電壓，用以發揮升壓電容器的功能，以便補償因該面板中的負載所造成的電壓降。所以，該第二電容器C2的第一電極會被耦接至該當前掃描線Sn，而該第二電容器C2的第二電極會被耦接至該第二節點N2。
下文中將配合圖2，參考圖3中所示的驅動波形來詳細說明上述像素150的操作。參考圖3，在被設為初始化週期的第一週期t1中，一低位準的前一個掃描訊號SSn-1會經由前一條掃描線Sn-1被供應。接著，該第六電晶體T6會對應於該低位準的前一個掃描訊號SSn-1而被啟動。所以，該初始化電源Vinit的電壓會被傳送至該第二節點N2。此處，該初始化電源Vinit的電壓可能會被設為具有可以初始化該像素150的數值，舉例來說，具有不大於資料訊號Vdata之最低電壓數值的數值。
接著，在被設為資料程式化週期的第二週期t2中，一低位準的當前掃描訊號SSn會經由當前掃描線Sn被供應。接著，該等第一電晶體T1與第三電晶體T3便會對應於該低位準的當前掃描訊號SSn而被啟動。該第二電晶體T2會因該第三電晶體T3被啟動，以便以二極體的形式被耦接。明確地說，因為該第二節點N2在前一個第一週期t1中被初始化，所以，該第二電晶體T2會在正向方向中以二極體的形式被耦接。
所以，被供應至該資料線Dm的資料訊號Vdata會透過第一至第三電晶體T1至T3被供應至該第二節點N2。此時，因為該第二電晶體T2以二極體的形式被耦接，所以，一對應於該資料訊號Vdata與該第二電晶體T2之間的差值的電壓會被供應至該第二節點N2。被供應至該第二節點N2的電壓會被儲存在該第一電容器C1之中。
接著，當該當前掃描訊號SSn的供應停止且該當前掃描訊號SSn的電壓位準轉變為高位準時，該第二節點N2的電壓會因為該第二電容器C2的耦接操作的關係而對應於該當前掃描訊號SSn的電壓變化寬度來改變。此時，因為該第二節點N2的電壓會因該第一電容器C1與該第二電容器C2之間的電荷共用的關係而改變，所以，該第二節點N2的電壓變化量會以和該等第一電容器C1與第二電容器C2之間的電荷共用數值及該當前掃描訊號SSn的電壓變化寬度成正比的方式來改變。
接著，在被設為發光週期的第三週期t3中供應自該發光控制線En的發光控制訊號EMI會從高位準轉變為低位準。接著，在該第三週期t3中，該等第四電晶體T4與第五電晶體T5便會被該低位準的發光控制訊號EMI啟動。所以，該驅動電流會透過該第四電晶體T4、第二電晶體T2、該第五電晶體T5、以及該OLED從該第一電源ELVDD處流到該第二電源ELVSS。
該驅動電流會受控於該第二電晶體T2。該第二電晶體T2會產生被供應至其閘極電極的電壓，也就是，大小對應於該第二節點N2之電壓的驅動電流。
此時，因為一反映該第二電晶體T2之臨界電壓的電壓會在該第二週期t2中被儲存在該第一電容器C1之中，所以，該第二電晶體T2的臨界電壓會在該第三週期t3中被補償。
再者，因為當該當前掃描訊號SSn的供應停止時該第二節點N2的電壓會根據該等第一電容器C1與第二電容器C2之間的電荷共用數值及該當前掃描訊號SSn的電壓變化寬度來改變，所以，為防止該等像素150之間發生亮度偏移並且為顯示均勻圖像品質的影像，重要的係，必須讓該第一電容器C1與該第二電容器C2的電容比保持一致。
就此來說，根據本發明的一觀點，該第一電容器C1會被設計成具有足夠的電容，以便在該資料程式化週期中穩定地儲存該資料訊號。進一步言之，該第二電容器C2會被設為具有足夠的電容，以便提供電壓提升效應。該第二電容器C2會被設計成電容小於該第一電容器C1的電容。舉例來說，該第一電容器C1可能會被設計成電容不小於該第二電容器C2的五倍。不過，相對電容並不會特別限制於此。
所以，該第一電容器C1與該第二電容器C2的面積及位置會因為製造過程中產生的製程偏移的關係而改變，而使得所產生的電容的靈敏性及變化程度會改變。尤其是，於該第二電容器C2被設計成具有小電容的情況中，因製程偏移所造成電容變化比會大於該第一電容器C1的電容變化比。所以，該第一電容器C1與該第二電容器C2的電容比會改變。
如上面所述，當該第一電容器C1與該第二電容器C2的電容比改變時，像素150之間會產生亮度偏移，而使得圖像品質可能會不均勻。所以，本發明的觀點會被設計成用以改善上述的圖像品質不均勻性。本發明藉由下面方式提供一種能夠顯示均勻圖像品質之影像的像素150：在因製程偏移所造成的電容變化比較小的第一電容器C1中形成一孔隙，俾使得因該第一電容器C1的製程偏移所造成的電容變化程度會受到控制而與該第二電容器C2的電容變化程度雷同或是相同，以便不論製程偏移及包含該製程偏移的有機發光顯示器為何都能保持該第一電容器C1與該第二電容器C2的電容比。
所以，根據本發明一觀點的第一電容器C1包含在該第一電容器C1的兩個電極彼此重疊的區域中被形成在至少其中一個電極之中的孔隙。現在將參考圖4來說明其詳細說明。
上面參考圖2與3所述的像素150係由其中一實施例構成的像素而且本發明並不受限於上述像素150的結構。舉例來說，用於補償該第二電晶體T2之臨界電壓的第三電晶體T3、用於控制該發光週期的第四電晶體T4與第五電晶體T5、以及用於初始化的第六電晶體T6中的至少其中一者皆可以省略，或者可以改變該等第三電晶體T3至第六電晶體T6的耦接關係與驅動波形。
也就是，本發明可套用至目前已公開的各種像素結構。明確地說，在提供至少兩個電容器(也就是，第一電容器C1與第二電容器C2)影響該驅動電晶體(也就是，該第二電晶體T2)之閘極電壓的結構中當要一致性地保持該等電容器的電容比時，便可以有效地套用本發明。
圖4所示的係圖2的像素電路152的佈局的一範例的平面視圖。圖4顯示本發明的一觀點的一項特性：被形成在該第一電容器C1之中的孔隙40。用於說明本發明之特性時非必要的部分組件(舉例來說，被形成在該像素電路上的OLED)會被省略。
參考圖4，該等第一電晶體T1至第六電晶體T6包含：一半導體層10，其包含一活化層；一閘極電極20，其會被排列成用以重疊該半導體層10中的至少其中一個區域並且係由一閘極金屬所構成；以及源極與汲極電極30，它們會被耦接至該活化層並且係由源極金屬與汲極金屬所構成。
該等第一電容器C1與第二電容器C2包含：一半導體層10’，其會被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的活化層相同的層之中；一第一導體層20’，其會被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的閘極電極20相同的層之中；一第二導體層30’，其會被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的源極與汲極電極30相同的層之中。此處，CH表示一接觸孔。
上面僅係範例。該等第一電晶體T1至第六電晶體T6以及該等第一電容器C1與第二電容器C2的結構皆可以改變。舉例來說，在該等第一電晶體T1至第六電晶體T6中的部分電晶體中，該等源極及/或汲極電極係由整合該活化層的半導體層10所構成而非該等源極與汲極金屬，並且可以整合被耦接至該處的電晶體的活化層。
因為該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的活化層係被形成在重疊該閘極電極20的區域中的半導體層10之中，所以，為方便起見，在圖4中，該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的位置會以該活化層被形成的區域為基礎來標記。
另外，該等第一電容器C1與第二電容器C2係藉由重疊至少下面兩者所構成：被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的活化層相同層之中的半導體層10’；被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的閘極電極相同層之中的第一導體層20’；以及被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的源極與汲極電極30相同層之中的第二導體層30’。
明確地說，在圖4所示的範例中，該等第一電容器C1與第二電容器C2的大部分電容係由該半導體層10’與該第一導體層20’所構成。該第一電容器C1包含彼此幾乎完全重疊的半導體層10’與第一導體層20’，以及在該重疊區中部分重疊該半導體層10’與該第一導體層20’的第二導體層30’。該第二電容器C2包含幾乎完全重疊的半導體層10’與第二導體層30’。
不過，本發明並不受限於圖4中所述的範例。舉例來說，於其它觀點中，亦可以藉由完全重疊該第一導體層20’與該第二導體層30’來實現該等第一電容器C1與第二電容器C2。
雖然並非所有觀點中皆必要；不過，在形成該等第一電晶體T1至第六電晶體T6時可以同時形成該等第一電容器C1與第二電容器C2，舉例來說，用於改善製程的效率。所以，該等第一電容器C1與第二電容器C2的半導體層10’可以被形成用來在相同層中使用相同材料形成該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的活化層。在相同層中使用相同材料(也就是，該閘極金屬)形成該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的閘極電極20時可以形成該等第一電容器C1與第二電容器C2的第一導體層20’。在相同層中使用相同材料(也就是，該等源極與汲極金屬)形成該等第一電晶體T1至第六電晶體T6的源極與汲極電極30時則會形成該等第一電容器C1與第二電容器C2的第二導體層30’。
根據本發明的一觀點，該第一電容器C1包含在該等兩個電極彼此重疊的區域中被形成在該等兩個電極的至少其中一個電極之中的孔隙。舉例來說，當該第一電容器C1包含一具有被耦接至該第一電源ELVDD且被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6之閘極電極相同層之中的第一導體層20’的第一電極以及一具有被耦接至圖2之第二節點N2且被置放在和該等第一電晶體T1至第六電晶體T6之活化層相同層之中的半導體層10’的第二電極時，至少其中一個孔隙40可能會被形成在該第一電容器C1的該半導體層10’與該第一導體層20’中的至少其中一者之中。
當該孔隙40被形成在製程偏移小於該第一導體層20’的半導體層10’之中時，可以輕易地控制該孔隙40的位置或尺寸。也就是，根據本發明的一觀點，該孔隙40會被形成在構成該第一電容器C1之第二電極的半導體層10’中重疊該第一導體層20’的區域之中。
不過，本發明並不受限於上述情形。該孔隙40可以被形成在該半導體層10’、該第一導體層20’、以及該第二導體層30’中的至少其中一者之中。
該孔隙40會控制因製程偏移所造成的第一電容器C1的電容變化比，使其靈敏程度和第二電容器C2的電容變化比雷同或者相同，以便不論該製程偏移為何皆能讓該第一電容器C1與該第二電容器C2的電容比保持一致並且顯示均勻圖像品質的影像。雖然並非所有觀點中皆必要；不過，因該孔隙40所造成的第一電容器C1的電容減少數額可以藉由放大該第一電容器C1的外形而獲得補償。
所以，先前經由測試沉積或模擬所得到的該第一電容器C1與該第二電容器C2之間的製程偏移結果會被反映用來控制該孔隙40的面積與位置以及孔隙40的數量，俾使得每一個該等像素中的第一電容器C1與第二電容器C2的電容比皆會變得一致(也就是，變成落在相同的預設誤差範圍中)。
此外，雖然並非所有觀點中皆必要；不過，在圖中所示的範例中，有複數個孔隙40被形成在該第一電容器C1的該等兩個電極中的至少其中一個電極之中，俾使得可以輕易地控制該第一電容器C1的電容變化程度。圖中雖然顯示圓形；不過，要瞭解的係本發明並不受限於該孔隙40的特殊形狀。進一步言之，圖中雖然顯示在該電極的中央區域中；不過，要瞭解的係，除了完全受到該電極包圍之外，該孔隙40亦能夠延伸至該電極的邊緣俾便在該電極中形成一凹口；或者，該孔隙40亦能夠延伸至該電極的邊緣俾便在該電極中形成一凹口，取代完全受到該電極包圍。
如上面所述，根據本發明的一觀點，該孔隙40係被形成在電容大於該升壓電容器(例如，第二電容器C2)的儲存電容器(例如，第一電容器C1)之中，俾使得因製程偏移所造成的該升壓電容器與該儲存電容器的電容變化程度可被控制成彼此雷同。所以，該儲存電容器與該升壓電容器的電容比會保持一致，俾使得不論根據本發明觀點的像素中所包含的電容器之間的製程偏移為何，皆可以顯示均勻圖像品質的影像。
本文雖然已經顯示且說明本發明本發明的部分實施例；不過，熟習本技術的人士便會明白，可以對此實施例進行改變，其並不會脫離本發明的原理與精神，本發明的範疇定義在申請專利範圍及它們的等效範圍中。
10．．．半導體層
10’．．．半導體層
20．．．閘極電極
20’．．．第一導體層
30．．．源極與汲極電極
30’．．．第二導體層
40．．．孔隙
110．．．掃描驅動器
120．．．發光控制驅動器
130．．．資料驅動器
140．．．像素單元
150．．．像素
152．．．像素電路
從上面實施例的說明中，配合隨附圖式，便會明白且更容易知道本發明的前述及/或其它觀點與優點，其中：
圖1概略地顯示根據本發明一實施例的有機發光顯示器的結構的方塊圖；
圖2所示的係圖1的像素的一範例的電路圖；
圖3所示的係圖2的像素的驅動訊號的波形圖；以及
圖4所示的係圖2的像素電路的佈局的一範例的平面視圖。
10．．．半導體層
10’．．．半導體層
20．．．閘極電極
20’．．．第一導體層
30．．．源極與汲極電極
30’．．．第二導體層
40．．．孔隙
152．．．像素電路

Claims (20)

  1. 一種像素，其包括：一有機發光二極體(OLED)，其係耦接在一第一電源與一第二電源之間；以及一像素電路，其係耦接在該第一電源與該OLED之間，用以控制一供應給該OLED的驅動電流，該像素電路包括：一第一電晶體，其具有一耦接至一資料線的第一電極、一耦接至一第一節點的第二電極以及一耦接至一當前掃描線的閘極電極；一第二電晶體，其具有一透過該第一節點耦接至該第一電源的第一電極、一耦接至該OLED的第二電極以及一耦接至一第二節點的閘極電極；一第一電容器，其係使用第一及第二二電容器電極以耦接在該第一電源與該第二節點之間；以及一第二電容器，其係耦接在該第二節點與該當前掃描線之間；其中在該等第一與第二電容器電極重疊的一區域中，會在該等第一與第二電容器電極的至少其中一個電極之中形成一孔隙。
  2. 如申請專利範圍第1項的像素，其中該第一電容器的一容量係大於該第二電容器的一容量。
  3. 如申請專利範圍第1項的像素，其中：該第一電容器電極包含一第一導體層，其係耦接至該第一電源並且置放在和該等第一與第二電晶體的該等閘極電極相同的一層；以及該第二電容器電極包含一半導體層，其係耦接至該第二節點並且置放在和該等第一與第二電晶體的一活化層相同的一層。
  4. 如申請專利範圍第3項的像素，其中該第二電容器電極的該半導體層包括該孔隙。
  5. 如申請專利範圍第1項的像素，其中該孔隙係在該等第一與第二電容器電極的該至少其中一者形成的複數個孔隙中的其中一個。
  6. 如申請專利範圍第1項的像素，其中該像素電路進一步包括：一第三電晶體，其具有一耦接至該第二電晶體的該第二電極的第一電極、一耦接至該第二節點的第二電極以及一耦接至該當前掃描線的閘極電極；一第四電晶體，其具有一耦接至該第一電源的第一電極，一耦接至該第一節點的第二電極以及一耦接至一發光控制線的閘極電極；一第五電晶體，其具有一耦接至該第二電晶體的該第二電極的第一電極、一耦接至該OLED的第二電極以及一耦接至該發光控制線的閘極電極；以及一第六電晶體，其具有一耦接至該第二節點的第一電極、一耦接至一初始化電源的第二電極以及一耦接至前一條掃描線的閘極電極。
  7. 一種有機發光顯示器，其包括：延伸在一第一方向中的多條掃描線；延伸在該第一方向以外的一第二方向中的多條資料線；以及複數個像素，其係置放在該等掃描線與該等資料線的交點處，該等像素的每一個皆包括：一有機發光二極體(OLED)，其係耦接在一第一電源與一第二電源之間；以及一像素電路，其係耦接在該第一電源與該OLED之間以控制一供應給該OLED的驅動電流，其中：該像素電路包括：一第一電晶體，其具有一耦接至該等對應於該像素的資料線中其中一條資料線的第一電極、一耦接至一第一節點的第二電極以及一耦接至該等對應於該像素的掃描線中其中一條掃描線的閘極電極；一第二電晶體，其具有一透過該第一節點耦接至該第一電源的第一電極、一耦接至該OLED的第二電極以及一耦接至一第二節點的閘極電極；一第一電容器，其係使用第一與第二電容器電極以耦接在該第一電源與該第二節點之間；以及一第二電容器，其係耦接在該第二節點與該其中一條掃描線之間，以及在第一與第二電容器電極重疊的一區域中，會在該等第一與第二電容器電極的至少其中一個電極之中形成一孔隙。
  8. 如申請專利範圍第7項的有機發光顯示器，其中在該等像素中之每一個的該第一電容器與該第二電容器的容量比皆設為一致。
  9. 如申請專利範圍第7項的有機發光顯示器，其中該第一電容器的一容量係大於該第二電容器的一容量。
  10. 如申請專利範圍第7項的有機發光顯示器，其中：該第一電容器電極包含一第一導體層，其係耦接至該第一電源並且置放在和該等第一與第二電晶體的該等閘極電極相同的一層；以及該第二電容器電極包含一半導體層，其係耦接至該第二節點並且置放在和該等第一與第二電晶體的一活化層相同的一層。
  11. 如申請專利範圍第10項的有機發光顯示器，其中，該第二電容器電極的該半導體層係包括該孔隙。
  12. 如申請專利範圍第7項的有機發光顯示器，其中，在每一個像素中，該孔隙係該等第一與第二電容器電極的該至少其中一個電極之中形成的複數個孔隙中的其中一個。
  13. 一種用於控制一供應至一耦接至一電源的有機發光二極體(OLED)之驅動電流的像素電路，該像素電路包括：一第一節點，其係耦接至該電源；一第一電晶體，其具有一耦接至一資料線的第一電極、一耦接至該第一節點的第二電極以及一耦接至一掃描線的閘極電極；一第二節點；一第二電晶體，其具有一耦接至該第一節點的第一電極、一耦接至該OLED的第二電極以及一耦接至該第二節點的閘極電極；一第一電容器，其係耦接至該第二節點並且利用第一與第二電容器電極耦接至該電源，其在該第一電容器電極重疊該第二電容器電極的一區域處具有一塑形元件；以及一第二電容器，其係耦接至該第二節點並且耦接至該掃描線，其中該塑形元件係對該等第一及/或第二電容器電極進行塑形以將該等第一與第二電容器的容量比控制在一預設的數值。
  14. 如申請專利範圍第13項的像素電路，其中，該塑形元件包括一經由該等第一及第二電容器電極中的其中一者延伸的開口。
  15. 如申請專利範圍第13項的像素電路，其中，該塑形元件包括複數個經由該等第一及第二電容器電極中的其中一者延伸的開口。
  16. 如申請專利範圍第13項的像素電路，其中該第一電容器的一容量係大於該第二電容器的一容量。
  17. 如申請專利範圍第13項的像素電路，其中：該第一電容器電極包含一第一導體層，其位於和該等第一與第二電晶體的該等閘極電極相同的層；以及該第二電容器電極包含一半導體層，其係耦接至該第二節點並且置放在和該等第一與第二電晶體的一活化層相同的一層。
  18. 如申請專利範圍第17項的像素電路，其中該第二電容器電極的該半導體層係包括該塑形元件。
  19. 如申請專利範圍第13項的像素電路，其中該第二電容器電極係包括該塑形元件並且連接至該第二節點。
  20. 如申請專利範圍第13項的像素電路，其進一步包括：一第三電晶體，其具有一耦接至該第二電晶體的該第二電極的第一電極、一耦接至該第二節點的第二電極以及一耦接至該掃描線的閘極電極；一第四電晶體，其具有一耦接至該電源的第一電極、一耦接至該第一節點的第二電極以及一耦接至一發光控制線的閘極電極；一第五電晶體，其具有一耦接至該第二電晶體的該第二電極與該第三電晶體的該第一電極的第一電極，一耦接至該OLED的第二電極以及一耦接至該發光控制線的閘極電極；以及一第六電晶體，其具有一耦接至該第二節點的第一電極、一耦接至一初始化電源的第二電極以及一耦接至前一條掃描線的閘極電極。
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