CN110088825A - 像素电路、其驱动方法、以及显示设备 - Google Patents

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Abstract

本公开涉及像素电路。像素电路可以包括存储电容器、初始化子电路和发光控制子电路。初始化子电路构造为在发光控制端的发光控制信号的控制下，将初始电压端的初始电压存储在存储电容器的第一端；并且发光控制子电路构造为向存储电容器的第一端施加第一电压端的第一电压。第一电压端和初始电压端是分开的端。

Description

像素电路、其驱动方法、以及显示设备
技术领域
本公开涉及显示技术领域，更具体地，涉及像素电路、其驱动方法以及显示设备。
背景技术
在有源矩阵有机电致发光显示装置中，向驱动晶体管提供电源电压以驱动有机发光二极管(OLED)发光。通常，用于施加电源电压的线按列布置，并且由金属制成。在帧期间，电流流过电源电压线和OLED。但是，电源电压由于传输的距离较长而下降。因此，显示设备的显示质量趋于降低。
发明内容
在一方面，本公开提供了一种像素电路。像素电路可以包括存储电容器、初始化子电路和发光控制子电路。存储电容器包括第一端和第二端。初始化子电路包括初始电压端，初始化子电路与存储电容器的第一端和发光控制端耦接。发光控制子电路包括第一电压端，发光控制子电路与存储电容器的第一端和发光控制端耦接。初始化子电路构造为在发光控制端的发光控制信号的控制下，将初始电压端的初始电压存储在存储电容器的第一端；并且发光控制子电路构造为向存储电容器的第一端施加第一电压端的第一电压。第一电压端和初始电压端是分开的端。
在一些实施例中，初始化子电路包括第一晶体管，并且第一晶体管的栅极与发光控制端耦接。第一晶体管的第一电极与初始电压端耦接；并且第一晶体管的第二电极与存储电容器的第一端耦接。
在一些实施例中，发光控制子电路包括第五晶体管和第六晶体管。第五晶体管的栅极和第六晶体管的栅极分别与发光控制端耦接。第五晶体管的第一电极和第六晶体管的第一电极分别与第一电压端耦接。并且，第五晶体管的第二电极与存储电容器的第一端耦接。
在一些实施例中，第一晶体管是P型晶体管和N型晶体管中的一种晶体管，并且第五晶体管和第六晶体管是P型晶体管和N型晶体管中的另一种晶体管。
在一些实施例中，像素电路还包括复位子电路。复位子电路包括第二晶体管、参考电压端和第一栅极信号端。第二晶体管的栅极与第一栅极信号端耦接。第二晶体管的第一电极与参考电压端耦接。第二晶体管的第二电极与存储电容器的第二端耦接。并且，复位子电路构造为复位存储电容器的第二端的电位。
在一些实施例中，像素电路还包括驱动晶体管。驱动晶体管的栅极与存储电容器的第二端耦接。驱动晶体管的第二电极与第六晶体管的第二电极耦接。并且，驱动晶体管构造为驱动发光元件。
在一些实施例中，像素电路还包括输入子电路，其包括第四晶体管、第二栅极信号端和数据电压端。第四晶体管的栅极与第二栅极信号端耦接。第四晶体管的第一电极与数据电压端耦接。第四晶体管的第二电极与驱动晶体管的第二电极耦接。并且，输入子电路构造为在第二栅极信号端的第二栅极信号的控制下，将数据电压施加至驱动晶体管的第二电极。
在一些实施例中，像素电路还包括补偿子电路，其包括第三晶体管。第三晶体管的栅极与第二栅极信号端耦接。第三晶体管的第一电极与存储电容器的第二端耦接。第三晶体管的第二电极与驱动晶体管的第一电极耦接。并且，补偿子电路构造为补偿驱动晶体管的阈值电压。
在一些实施例中，像素电路还包括开关晶体管。开关晶体管的栅极与发光控制端耦接。开关晶体管的第一电极与驱动晶体管的第一电极耦接。开关晶体管的第二电极与发光元件的第一端耦接。开关晶体管构造为控制驱动晶体管与发光元件之间的连接。
在一些实施例中，发光元件是有机发光二极管，并且发光元件的第二端与第二电压端耦接。
在一些实施例中，第一晶体管和驱动晶体管是P型晶体管。第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、和开关晶体管是N型晶体管。
在一些实施例中，第一晶体管和驱动晶体管是N型晶体管。第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、和开关晶体管是P型晶体管。
在另一方面，本公开提供了一种显示设备。显示设备包括多个子像素和发光元件。所述多个子像素中的每一个包括本文所述的像素电路。
在另一方面，本公开提供了一种本文所述的像素电路的驱动方法。驱动方法包括：将初始电压存储至存储电容器的第一端；将存储电容器的第二端的电位复位为等于参考电压；将数据电压输入至驱动晶体管的第二电极；通过对存储电容器充电直到存储电容器的第二端的电位等于数据电压与驱动晶体管的阈值电压之和，来补偿存储电容器的第二端的电位；以及，控制发光元件发光。
在一些实施例中，所述将初始电压存储至存储电容器的第一端包括：导通第一晶体管，以使得存储电容器的第一端的电位等于初始电压。
在一些实施例中，所述将存储电容器的第二端的电位复位为等于参考电压包括：导通第二晶体管，以使得存储电容器的第二端的电位等于参考电压。
在一些实施例中，所述将数据电压输入至驱动晶体管的第二电极和补偿存储电容器的第二端的电位包括：导通第一晶体管、第三晶体管、第四晶体管和驱动晶体管，以使得存储电容器的第二端的电位等于数据电压与驱动晶体管的阈值电压之和。
在一些实施例中，所述控制发光元件发光包括：导通第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和开关晶体管，以使得存储电容器的第一端的电位等于第一电压，存储电容器的第二端的电位等于数据电压、驱动晶体管的阈值电压以及第一电压减初始电压的结果之和。
附图说明
在本说明书的结尾处的权利要求书中具体地指出并清楚地要求视为本公开的主题。根据结合附图给出的以下具体实施方式，本公开的前述内容和其它目的、特征和优点是显而易见的，在附图中：
图1是根据本公开的一个实施例的像素电路的示意结构图；
图2是根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意波形图；
图3是在第一时段中根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意等效电路图；
图4是在第二时段中根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意等效电路图；以及
图5是在第三时段中根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意等效电路图。
具体实施方式
将参照附图和实施例更具体地描述本公开，以提供本领域技术人员对本公开技术方案的更好的理解。在本公开的整个描述内容中，对图1至图5进行参考。当参考附图时，以相似附图标记表示整个附图中的相似结构和元素。
本公开的一个实施例提供了一种像素电路。图1是根据本公开的一个实施例的像素电路的示意结构图。如图1所示，像素电路10可以包括存储电容器Cst、初始化子电路101和发光控制子电路105。存储电容器Cst包括第一端T1和第二端T2。初始化子电路101包括初始电压端VSUS。初始化子电路101与存储电容器Cst的第一端T1和发光控制端EM(n)耦接。发光控制子电路105包括第一电压端VDD。发光控制子电路105与存储电容器Cst的第一端T1和发光控制端EM(n)耦接。初始化子电路101构造为在发光控制端EM(n)的发光控制信号的控制下，将初始电压端VSUS的初始电压Vsus存储在存储电容器Cst的第一端T1。发光控制子电路105构造为向存储电容器Cst的第一端T1施加第一电压端VDD的第一电压Vdd。第一电压端VDD和初始电压端VSUS是分开的两个端。
在一些实施例中，如图1所示，初始化子电路101包括第一晶体管M1。第一晶体管M1的栅极与发光控制端EM(n)耦接。第一晶体管M1的第一电极与初始电压端VSUS耦接。第一晶体管M1的第二电极在第一节点A处与存储电容器Cst的第一端T1耦接。
在一些实施例中，像素电路10还包括复位子电路102。在一个实施例中，如图1所示，复位子电路102包括第二晶体管M2。第二晶体管M2的栅极与第一栅极信号端G(n-1)耦接。第二晶体管M2的第一电极与参考电压端VREF耦接。第二晶体管M2的第二电极在第二节点B处与存储电容器Cst的第二端T2耦接。复位子电路102构造为复位存储电容器Cst的第二端T2的电位VB。
在一些实施例中，像素电路10还包括补偿子电路103。在一个实施例中，如图1所示，补偿子电路103包括第三晶体管M3。第三晶体管M3的栅极与第二栅极信号端G(n)耦接。第三晶体管M3的第一电极在第二节点B处与存储电容器Cst的第二端T2耦接。第三晶体管M3的第二电极与驱动晶体管DTFT的第一电极耦接。补偿子电路103构造为补偿驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth。
在一些实施例中，像素电路10还包括输入子电路104。在一个实施例中，如图1所示，输入子电路104包括第四晶体管M4。第四晶体管M4的栅极与第二栅极信号端G(n)耦接。第四晶体管M4的第一电极与数据电压端Data(n)耦接。第四晶体管M4的第二电极在第三节点C处与驱动晶体管DTFT的第二电极耦接。输入子电路104构造为在第二栅极信号端G(n)的第二栅极信号的控制下，将数据电压Vdata施加至驱动晶体管DTFT的第二电极。
在一些实施例中，如图1所示，发光控制子电路105包括第五晶体管M5和第六晶体管M6。第五晶体管M5的栅极和第六晶体管M6的栅极分别与发光控制端EM(n)耦接。第五晶体管M5的第一电极和第六晶体管M6的第一电极分别与第一电压端VDD耦接。第五晶体管M5的第二电极在第一节点A处与存储电容器Cst的第一端T1耦接。第六晶体管M6的第二电极在第三节点C处与第四晶体管M4的第二电极和驱动晶体管DTFT的第二电极耦接。
在一些实施例中，像素电路10还包括驱动晶体管DTFT。在一个实施例中，如图1所示，驱动晶体管DTFT的栅极在第二节点B处与存储电容器Cst的第二端T2耦接。驱动晶体管DTFT的第一电极与开关晶体管STFT的第一电极和第三晶体管M3的第二电极耦接。驱动晶体管DTFT的第二电极在第三节点C处与第四晶体管M4的第二电极和第六晶体管M6的第二电极耦接。驱动晶体管DTFT构造为驱动发光元件20发光。
在一些实施例中，像素电路10还包括开关晶体管STFT。在一个实施例中，如图1所示，开关晶体管STFT的栅极与发光控制端EM(n)耦接。开关晶体管STFT的第一电极与驱动晶体管DTFT的第一电极耦接。开关晶体管STFT的第二电极与发光元件20耦接。发光元件20可以包括但不限于有机发光二极管(OLED)、量子发光二极管(QLED)、或微LED、或其组合。发光元件20的一端与开关晶体管STFT耦接，而发光元件20的另一端与第二电压端VSS耦接。开关晶体管STFT构造为控制驱动晶体管DTFT与发光元件20之间的连接。
在一些实施例中，第一晶体管是P型晶体管和N型晶体管中的一种晶体管，并且第五晶体管和第六晶体管是P型晶体管和N型晶体管中的另一种晶体管。例如，第一晶体管和驱动晶体管是P型晶体管。第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、和开关晶体管是N型晶体管。在另一示例中，第一晶体管和驱动晶体管是N型晶体管。第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、和开关晶体管是P型晶体管。
在一些实施例中，如图1所示，第一晶体管M1和驱动晶体管DTFT是相同类型的晶体管，例如，P型晶体管。第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6和开关晶体管STFT是相同类型的晶体管，但是它们与第一晶体管M1和驱动晶体管DTFT不同，例如，是N型晶体管。
这里，上述晶体管的第一电极可以是漏极并且第二电极可以是源极。替代性地，第一电极可以是源极并且第二电极可以是漏极，在本公开的实施例中对此不作限定。
此外，基于晶体管的各种导电方式，上述像素电路中的各晶体管可以分为增强型晶体管或耗尽型晶体管。本公开的实施例对此不作限定。
其次，在本公开的实施例中，以高电平电压输入至第一电压端VDD并且低电平电压输入至第二电压端VSS为例。第二电压端VSS也可以接地。高低值仅表示各输入电压之间的相对大小关系。
再次，在本公开的实施例中，第二栅极信号端G(n)与第n级扫描线(n-staged scanline)相关联，并且第一栅极信号端G(n-1)与第n级扫描线之前的第(n-1)级扫描线相关联。
图2是根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意波形图。在一些实施例中，将参照图3至图5来描述具有上述根据图1的配置的像素电路10的操作。该操作可以划分为三个时段。
在一些实施例中，本公开提供了一种本文所述的像素电路的驱动方法。驱动方法包括：将初始电压存储至存储电容器的第一端；将存储电容器的第二端的电位复位为等于参考电压；将数据电压输入至驱动晶体管的第二电极；通过对存储电容器充电直到存储电容器的第二端的电位等于数据电压与驱动晶体管的阈值电压之和，来补偿存储电容器的第二端的电位；以及，控制发光元件发光。
在一些实施例中，所述将初始电压存储至存储电容器的第一端的步骤包括：导通第一晶体管，以使得存储电容器的第一端的电位等于初始电压。
在一些实施例中，所述将存储电容器的第二端的电位复位为等于参考电压的步骤包括：导通第二晶体管，以使得存储电容器的第二端的电位等于参考电压。
在一些实施例中，所述将数据电压输入至驱动晶体管的第二电极并且补偿存储电容器的第二端的电位的步骤包括：导通第一晶体管、第三晶体管、第四晶体管和驱动晶体管，以使得存储电容器的第二端的电位等于数据电压与驱动晶体管的阈值电压之和。
在一些实施例中，所述控制发光元件发光的步骤包括：导通第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管和开关晶体管，以使得存储电容器的第一端的电位等于第一电压，存储电容器的第二端的电位等于数据电压、驱动晶体管的阈值电压以及第一电压减初始电压的结果之和。
图3是在第一时段中根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意等效电路图。第一时段可以为初始化和复位时段。
在第一时段期间，第一栅极信号端G(n-1)提供高电平电压；第二栅极信号端G(n)提供低电平电压；发光控制端EM(n)提供低电平电压；并且数据电压端Data(n)提供高电平电压。应当理解的是，在本公开的一些实施例中，处于低电平的数据电压可以为无效信号，并且处于高电平的数据电压可以为有效信号。在本公开的一些实施例中，由第一栅极信号端和第二栅极信号端提供的处于低电平的栅极信号可以为无效信号，并且处于高电平的栅极信号可以为有效信号，这取决于晶体管的类型。
因此，在第一时段期间，第一晶体管M1和第二晶体管M2导通；第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、第六晶体管M6、驱动晶体管DTFT和开关晶体管STFT关断。初始电压端VSUS将初始电压Vsus施加至第一晶体管M1，并且初始电压被存储在存储电容器Cst的第一节点A处的第一端T1。第一节点A处的电位VA等于初始电压Vsus。参考电压端VREF将参考电压Ref施加至第二晶体管T2，并且第二节点B处的电位VB等于参考电压Ref。参考电压Ref的电位相对于驱动晶体管DTFT的栅极是无效信号。
图4是在第二时段中根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意等效电路图。第二时段可以为输入和补偿时段。
在第二时段期间，第一栅极信号端G(n-1)提供低电平电压；第二栅极信号端G(n)提供高电平电压；发光控制端EM(n)提供低电平电压；并且数据电压端Data(n)提供低电平电压。
因此，在第二时段期间，第一晶体管M1、第三晶体管M3、第四晶体管M4和驱动晶体管DTFT导通；第二晶体管M2、第五晶体管M5、第六晶体管M6和开关晶体管STFT关断。数据电压端Data(n)将数据电压Vdata施加至第四晶体管M4，并且通过第三晶体管M3、第四晶体管M4和驱动晶体管DTFT对存储电容器Cst充电。该充电将持续，直到第二节点B处的电位VB等于数据电压Vdata与驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth之和。随后，驱动晶体管DTFT截止。第一节点A处的电位VA保持等于初始电压Vsus。第三节点C处的电位VC等于数据电压Vdata。
图5是在第三时段中根据图1所示实施例的像素电路在操作期间的示意等效电路图。第三时段可以为发光时段。
在第三时段期间，第一栅极信号端G(n-1)提供低电平电压；第二栅极信号端G(n)提供低电平电压；发光控制端EM(n)提供高电平电压；并且数据电压端Data(n)提供高电平电压。
因此，在第三时段期间，第五晶体管M5、第六晶体管M6、开关晶体管STFT和驱动晶体管DTFT导通；第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4关断。第一电压端VDD在第一节点A处将第一电压Vdd施加至存储电容器Cst。第一节点A的电位VA被改变为等于Vdd，并且电位VA的改变等于Vdd-Vsus。由于存储电容器Cst的耦合效应，第二节点B处的电位VB被耦合至Vdata+Vth+(Vdd-Vsus)。第三时段时第二节点B处的电位VB被配置为使驱动晶体管DTFT导通。因为与第六晶体管M6连接，第三节点C处的电位VC被改变为第一电压Vdd。在一些实施例中，驱动晶体管DTFT、开关晶体管STFT和发光元件20串联耦接。因此，可以通过下式计算发光元件20的电流IOLED：
IOLED＝K(Vgs-Vth)2
其中，K表示与发光元件相关联的常数指标，Vgs表示驱动晶体管的栅极和源极之间的电压差，并且Vth表示驱动晶体管DTFT的阈值电压。驱动晶体管DTFT的源极是驱动晶体管DTFT的第二电极。因此，可以通过下式计算Vgs：
Vgs＝VB-VC＝(Vdata+Vth+Vdd-Vsus)-Vdd
IOLED∝(Vgs-Vth)2＝(Vdata-Vsus)2
以这种方式，发光元件20的电流IOLED直接正比于数据电压Vdata与初始电压Vsus之差的平方，并且与第一电压Vdd无关。在发光时段期间，第一电压Vdd下降，而电流IOLED保持恒定。因此，Vdd下降的影响被降低或消除，并且显示设备的显示均匀性得以改善。
在本说明书中阐述了本公开的原理和实施例。本公开的实施例的描述仅用于帮助理解本公开的方法及其核心构思。同时，对于本领域普通技术人员而言，本公开涉及本公开的范围，并且技术方案不限于技术特征的特定组合，并且还应该覆盖通过在不脱离本发明构思的情况下组合技术特征或技术特征的等同特征而形成的其他技术方案。例如，可以通过将本公开中所公开的上述特征替换为类似特征而获得技术方案。
附图标记：
像素电路10；初始化子电路101；复位子电路102；补偿子电路103；输入子电路104；发光控制子电路105；存储电容器Cst；驱动晶体管DTFT；开关晶体管STFT；发光元件20；初始电压端VSUS；参考电压端VREF；第一电压端VDD；第二电压端VSS；发光控制端EM(n)；数据电压端Data(n)；第一栅极信号端G(n-1)；第二栅极信号端G(n)；第一节点A；第二节点B；第三节点C；第一晶体管M1；第二晶体管M2；第三晶体管M3；第四晶体管M4；第五晶体管M5；第六晶体管M6。

Claims (18)

1.一种像素电路，包括：
存储电容器，其包括第一端和第二端；
初始化子电路，其包括初始电压端，所述初始化子电路与所述存储电容器的第一端和发光控制端耦接；以及
发光控制子电路，其包括第一电压端，所述发光控制子电路与所述存储电容器的第一端和所述发光控制端耦接，
其中，所述初始化子电路构造为在所述发光控制端的发光控制信号的控制下，将所述初始电压端的初始电压存储在所述存储电容器的第一端；
所述发光控制子电路构造为向所述存储电容器的第一端施加所述第一电压端的第一电压；并且
所述第一电压端和所述初始电压端是分开的端。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，
所述初始化子电路包括第一晶体管，
所述第一晶体管的栅极与所述发光控制端耦接；
所述第一晶体管的第一电极与所述初始电压端耦接；并且
所述第一晶体管的第二电极与所述存储电容器的第一端耦接。
3.根据权利要求2所述的像素电路，其中，
所述发光控制子电路包括第五晶体管和第六晶体管；
所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极分别与所述发光控制端耦接；
所述第五晶体管的第一电极和所述第六晶体管的第一电极分别与所述第一电压端耦接；并且
所述第五晶体管的第二电极与所述存储电容器的第一端耦接。
4.根据权利要求3所述的像素电路，其中，
所述第一晶体管是P型晶体管和N型晶体管中的一种晶体管，并且所述第五晶体管和所述第六晶体管是P型晶体管和N型晶体管中的另一种晶体管。
5.根据权利要求3所述的像素电路，还包括：
复位子电路，其包括第二晶体管、参考电压端和第一栅极信号端，其中，
所述第二晶体管的栅极与所述第一栅极信号端耦接；
所述第二晶体管的第一电极与所述参考电压端耦接；
所述第二晶体管的第二电极与所述存储电容器的第二端耦接；并且
所述复位子电路构造为复位所述存储电容器的第二端的电位。
6.根据权利要求5所述的像素电路，还包括：驱动晶体管，其中，所述驱动晶体管的栅极与所述存储电容器的第二端耦接；
所述驱动晶体管的第二电极与所述第六晶体管的第二电极耦接；并且
所述驱动晶体管构造为驱动发光元件。
7.根据权利要求6所述的像素电路，还包括：
输入子电路，其包括第四晶体管、第二栅极信号端和数据电压端，其中，
所述第四晶体管的栅极与所述第二栅极信号端耦接；
所述第四晶体管的第一电极与所述数据电压端耦接；
所述第四晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第二电极耦接；并且
所述输入子电路构造为在所述第二栅极信号端的第二栅极信号的控制下，将数据电压施加至所述驱动晶体管的第二电极。
8.根据权利要求7所述的像素电路，还包括：
补偿子电路，其包括第三晶体管，其中，
所述第三晶体管的栅极与所述第二栅极信号端耦接；
所述第三晶体管的第一电极与所述存储电容器的第二端耦接；
所述第三晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极耦接；并且
所述补偿子电路构造为补偿所述驱动晶体管的阈值电压。
9.根据权利要求8所述的像素电路，还包括：
开关晶体管，其中，
所述开关晶体管的栅极与所述发光控制端耦接；
所述开关晶体管的第一电极与所述驱动晶体管的第一电极耦接；
所述开关晶体管的第二电极与所述发光元件的第一端耦接；并且
所述开关晶体管构造为控制所述驱动晶体管与所述发光元件之间的连接。
10.根据权利要求7所述的像素电路，其中，
所述发光元件是有机发光二极管，并且
所述发光元件的第二端与第二电压端耦接。
11.根据权利要求9所述的像素电路，其中，
所述第一晶体管和所述驱动晶体管是P型晶体管，
所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述开关晶体管是N型晶体管。
12.根据权利要求9所述的像素电路，其中，
所述第一晶体管和所述驱动晶体管是N型晶体管，
所述第二晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管、所述第五晶体管、所述第六晶体管和所述开关晶体管是P型晶体管。
13.一种显示设备，包括多个子像素，其中，所述多个子像素中的每一个包括权利要求1至12中的任一项所述的像素电路以及发光元件。
14.一种像素电路的驱动方法，所述像素电路与发光元件耦接，所述像素电路包括存储电容器、初始化子电路、发光控制子电路、复位子电路、驱动晶体管、开关晶体管、输入子电路和补偿子电路，其中，所述驱动方法包括：
将初始电压存储至所述存储电容器的第一端；
将所述存储电容器的第二端的电位复位为等于参考电压；
将数据电压输入至所述驱动晶体管的第二电极；
通过对所述存储电容器充电直到所述存储电容器的第二端的电位等于所述数据电压与所述驱动晶体管的阈值电压之和，来补偿所述存储电容器的第二端的电位；以及
控制所述发光元件发光。
15.根据权利要求14所述的驱动方法，其中，所述初始化子电路包括第一晶体管和初始电压端，所述初始化子电路与所述存储电容器的第一端和发光控制端耦接，所述第一晶体管的栅极与所述发光控制端耦接、所述第一晶体管的第一电极与所述初始电压端耦接、并且所述第一晶体管的第二电极与所述存储电容器的第一端耦接，并且
其中，所述将初始电压存储至存储电容器的第一端包括：导通所述第一晶体管，以使得所述存储电容器的第一端的电位等于所述初始电压。
16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述复位子电路包括第二晶体管、参考电压端和第一栅极信号端，所述第二晶体管的栅极与所述第一栅极信号端耦接、所述第二晶体管的第一电极与所述参考电压端耦接、并且所述第二晶体管的第二电极与所述存储电容器的第二端耦接，其中，所述将所述存储电容器的第二端的电位复位为等于参考电压包括：
导通所述第二晶体管，以使得所述存储电容器的第二端的电位等于所述参考电压。
17.根据权利要求16所述的驱动方法，其中，所述输入子电路包括第四晶体管、第二栅极信号端和数据电压端，所述第四晶体管的栅极与所述第二栅极信号端耦接，所述第四晶体管的第一电极与所述数据电压端耦接，所述第四晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第二电极耦接；所述补偿子电路包括第三晶体管，所述第三晶体管与所述第二栅极信号端、所述存储电容器的第二端、以及所述驱动晶体管的第一电极耦接，所述第三晶体管的栅极与所述第二栅极信号端耦接，所述第三晶体管的第一电极与所述存储电容器的第二端耦接，所述第三晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第一电极耦接，
其中，所述将数据电压输入至所述驱动晶体管的第二电极和补偿所述存储电容器的第二端的电位包括：
导通所述第一晶体管、所述第三晶体管、所述第四晶体管和所述驱动晶体管，以使得所述存储电容器的第二端的电位等于所述数据电压与所述驱动晶体管的阈值电压之和。
18.根据权利要求17所述的驱动方法，其中，所述发光控制子电路包括第五晶体管和第六晶体管，所述第五晶体管的栅极和所述第六晶体管的栅极均与发光控制端耦接，所述第五晶体管的第一电极和所述第六晶体管的第一电极均与第一电压端耦接，所述第五晶体管的第二电极与所述存储电容器的第一端耦接；所述第六晶体管的第二电极与所述驱动晶体管的第二电极和所述第四晶体管的第二电极耦接；
所述开关晶体管包括与所述发光控制端耦接的栅极、与所述驱动晶体管的第一电极耦接的第一电极、以及与所述发光元件耦接的第二电极，
其中，所述控制所述发光元件发光包括：
导通所述第五晶体管、所述第六晶体管、所述驱动晶体管和所述开关晶体管，以使得所述存储电容器的第一端的电位等于第一电压，所述存储电容器的第二端的电位等于所述数据电压、所述驱动晶体管的阈值电压以及所述第一电压减所述初始电压的结果之和。
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