TWI674568B - 有機發光顯示器 - Google Patents
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Abstract
一種有機發光顯示器包含複數個像素及補償單元。每個像素包含驅動電晶體,以控制供應到對應的有機發光二極體的電流量。補償單元藉由資料線耦接到像素,並包含至少一個感測單元。感測單元從對應於各個驅動電晶體的像素中提取臨界電壓資訊。感測單元從複數個資料線中接收雜訊電流,抵消雜訊電流,並於抵消雜訊電流後提取臨界電壓資訊。
Description
於2013年11月14日所提出之韓國專利申請號10-2013-0138177,名為「有機發光顯示器及其驅動方法」,其全部內容併入於此做為參考。
本文所描述的一個或多個實施例係涉及一種有機發光顯示器。
顯示器的性能必須隨著資訊技術發展而增強。為了追求此目標,已經開發出平板顯示器。一種平板顯示器的類型具有於對應的主動層中基於電子及電洞的重組而輸出光的像素。此種類型的顯示器已經展現了相對地快速的響應速度及低的功率消耗。
根據一個實施例,一種有機發光顯示器包含複數個像素,每個包含驅動電晶體,以控制供應到對應的有機發光二極體的電流量;而補償單元藉由資料線耦接到像素,補償單元包含至少一個感測單元,以從對應於各個驅動電晶體的像素中提取臨界電壓資訊,其中至少一個感測單元從複數個資料線中接收雜訊電流,抵消雜訊電流,並於抵消雜訊電流之後提取臨界電壓資訊。
至少一個感測單元可以耦接到第一資料線及第二資料線,第一資料線是耦接到驅動電晶體的臨界電壓資訊於其中待提取的第一像素,而第二資
料線耦接到與第一像素處於相同水平線的第二像素。第一像素儲存對應於預定電流的資料訊號,而第二像素可以儲存黑色資料訊號。
至少一個感測單元可以包含具有彼此互相電耦接的第二終端的第一電容器及第二電容器;產生參考電壓的參考電壓產生單元;耦接到第一電容器的第一終端或第二電容器的第一終端的電流控制單元;耦接到第一電容器及第二電容器的第一終端的比較單元,比較單元比較第一電容器及第二電容器的電壓值;以及容許參考電壓產生單元、第一電容器及第二電容器選擇性地耦接到第一資料線及第二資料線的開關單元。第一電容器及第二電容器的第二終端可以接收參考電壓。
第一電容器及第二電容器的第二終端可以耦接到參考電壓產生單元。電流控制單元可以耦接到第二電容器的第一終端,並降低參考電流。參考電流可以設定為對應於第一像素中所儲存的資料訊號而於第一像素中流動的電流。
電流控制單元可以耦接到第一電容器的第一終端並供應參考電流。參考電流可以設定為對應於第一像素中所儲存的資料訊號而於第一像素中流動的電流。
開關單元可以包含分別地耦接於第一電容器的第一終端與第二資料線之間及於第二電容器的第一終端與第一資料線之間的第一開關;分別地耦接於第一電容器的第一終端與第一資料線之間及於第二電容器的第一終端與第二資料線之間的第二開關;分別地耦接於參考電壓產生單元與第一資料線之間及於參考電壓產生單元與第二資料線之間的第三開關;以及耦接於電流控制單元與第一電容器或第二電容器的第一終端之間的第四開關。
於第零週期期間,可開啟第二開關及第三開關;於第零週期之後的第一週期期間,可開啟第二開關;而於第一週期之後的第二週期期間,可開啟第一及第四開關。第一週期及第二週期可以設定為相同的持續時間。第二週期期間,第一像素於可供應像素電流到第一資料線,像素電流對應於第一像素所儲存的資料訊號。
比較單元可以輸出對應於藉由比較第一電容器及第二電容器之電壓值所獲得之結果的高或低電壓。比較單元可以輸出對應於第一電容器中所儲存之電壓與第二電容器中所儲存之電壓之間的差異電壓的電壓。
有機發光顯示器可以進一步包含時序控制器,以藉由改變從外部電源所供應的第一資料的位元而產生第二資料,使得驅動電晶體的臨界電壓基於比較單元的結果而補償;以及資料驅動器以接收從時序控制器所供應的第二資料,以基於所接收的第二資料來產生資料訊號,並將所產生的資料訊號供應到資料線。每個雜訊電流可以包含漏電流及資料線的耦接雜訊電流。
根據另一實施例,有機發光顯示器的驅動方法包括將第一資料線的雜訊電流供應到第一電容器;將第二資料線的雜訊電流供應到第二電容器;將第二資料線的雜訊電流供應到第一電容器;供給包含驅動電晶體之臨界電壓資訊的像素電流及第一資料線的雜訊電流到第二電容器,第一像素中所包含驅動電晶體耦接到第一資料線;並且基於第一電容器及第二電容器的電壓比較而提取第一像素中的驅動電晶體的臨界電壓資訊。
資料訊號可以儲存於第一像素中,以對應於像素電流的流動。於雜訊電流供應到第二資料線期間,參考電流可以從第二電容器中降低。參考電流可以設定為對應於資料訊號之於第一像素中流動的電流。
此方法可以進一步包括於雜訊電流供應到第一資料線期間,將參考電流供應到第一電容器。參考電流可以設定為對應於資料訊號之於第一像素中流動的電流。此方法可以進一步包括將黑色資料訊號儲存於耦接到第二資料線並與第一像素定位於相同水平線上的第二像素中,於供應提取臨界電壓資訊之雜訊電流期間,儲存黑色資料訊號。
110‧‧‧掃描驅動器
120‧‧‧資料驅動器
130‧‧‧顯示單元
140‧‧‧像素
142‧‧‧像素電路
150‧‧‧時序控制器
160‧‧‧控制線驅動器
170‧‧‧補償單元
172、172'、172"‧‧‧感測單元
174‧‧‧記憶體
1401‧‧‧第一像素
1402‧‧‧第二像素
1721‧‧‧參考電壓產生單元
1722、1725‧‧‧電流控制單元
1723‧‧‧比較單元
1724‧‧‧開關單元
C1、C1'‧‧‧第一電容器
C2、C2'‧‧‧第二電容器
CL1-CLn‧‧‧控制線
Cst‧‧‧儲存電容器
Di、Dj、D1-Dm‧‧‧資料線
ELVDD‧‧‧第一電源
ELVSS‧‧‧第二電源
E1-En‧‧‧發射控制線
GND‧‧‧接地電源
Ip‧‧‧像素電流
Iref‧‧‧參考電流
M1-M4‧‧‧第一至第四電晶體
N1‧‧‧第一節點
OLED‧‧‧有機發光二極體
S1-Sn‧‧‧掃描線
SW1、SW1'‧‧‧第一開關
SW2、SW2'‧‧‧第二開關
SW3、SW3'‧‧‧第三開關
SW4、SW4'‧‧‧第四開關
T0-T2‧‧‧第零至第二週期
Vref‧‧‧參考電壓
藉由參照於附圖以詳細的例示性實施例描述以使得技術特徵對於那些所屬技術領域中具有通常知識者來說將會變得顯而易見,其中:第1圖示出有機發光顯示器的實施例;第2圖示出有機發光顯示器中的像素的實施例;第3圖示出補償單元的實施例;第4圖示出感測單元的實施例;第5圖示出感測單元的操作過程;第6圖示出感測單元的另一實施例;以及第7圖示出感測單元的另一實施例。
下文中參照附圖更加充分地描述例示性實施例;然而,其可以不同的形式所體現,且不應被解釋為受限於本文中所闡述的實施例。而是,這些實施例的提供使得本揭露將為全面及完整,且將充分地傳達例示性實施方式給那些所術技術領域中具有通常知識者。
另外,當第一元件被描述為耦接到第二元件時,第一元件不僅可直接地耦接到第二元件,亦可以經由第三元件間接地耦接到第二元件。此外,
為了清晰起見,一些對本發明的完整理解不為必要的元件會被省略。而且,於全文中類似的參考標號表示類似的元件。
第1圖示出包含顯示單元130、掃描驅動器110及控制線驅動器160的有機發光顯示器的實施例。顯示單元130包含分別地位於掃描線S1至Sn與資料線D1至Dm的交叉點的複數個像素140。掃描驅動器110驅動掃描線S1至Sn及發射控制線E1至En。控制線驅動器160驅動控制線CL1至CLn。
有機發光顯示器進一步包含資料驅動器120、補償單元170及時序控制器150。資料驅動器120供應資料訊號到資料線D1至Dm。補償單元170從像素140中提取對應的驅動電晶體的劣化資訊及/或臨界電壓資訊。時序控制器150控制掃描驅動器110、資料驅動器120及控制線驅動器160以及補償單元170。
顯示單元130包含分別地位於由掃描線S1至Sn、資料線D1至Dm及控制線CL1至CLn所定義的區域中的像素140。像素140接收從一個或多個外部電源所供應的第一電源ELVDD及第二電源ELVSS。每個像素140基於對應的資料訊號控制經由有機發光二極體從第一電源ELVDD供應到第二電源ELVSS的電流量。
掃描驅動器110於時序控制器150的控制下供應掃描訊號到掃描線S1至Sn及發射控制訊號到發射控制線E1至En。例如,掃描驅動器110於時序控制器150的控制下依序地供應掃描訊號到掃描線S1至Sn,並依序地供應發射控制訊號到發射控制線E1至En。掃描訊號可以設定為用以開啟像素140中的電晶體的電壓。發射控制訊號可以設定為用以關閉像素140中的電晶體的電壓。
控制線驅動器160於時序控制器150的控制下供應控制訊號到控制線CL1至CLn。例如,在從像素140中提取臨界電壓資訊的週期期間,控制線驅動器160可以依序地供應控制訊號到控制線CL1至CLn。
資料驅動器120利用從時序控制器150所供應的第二資料Data2產生資料訊號。資料驅動器120供應所產生的資料訊號到資料線D1至Dm。
補償單元170從每個像素140中提取劣化資訊及/或臨界電壓資訊。於本實施例中,提取更精確的臨界電壓資訊可以為可能的。於補償單元170中所提取的臨界電壓資訊將於下文中更詳細地描述。
當提取臨界電壓資訊時,補償單元170耦接到第k條(k為2、4、6、8、...)資料線,並從k/2個像素140中提取臨界電壓資訊。另外,在沒有提取臨界電壓資訊的週期期間,補償單元170容許資料線耦接到資料驅動器120。
時序控制器150控制掃描驅動器110、資料驅動器120、控制線驅動器160及補償單元170。時序控制器150藉由改變第一資料Data1(從外部電源輸入)的位元值而產生第二資料Data2,使得像素驅動電晶體的臨界電壓可以基於從補償單元170所供應的臨界電壓資訊而補償。
第2圖示出可以包含於第1圖的有機發光顯示器中的像素140的實施例。為了便於說明,於第2圖中示出耦接到第n條掃描線Sn及第m條資料線Dm的像素。
參照第2圖,像素140包含像素電路142,以控制對有機發光二極體(OLED)的電流供應。有機發光二極體的陽極電極耦接到像素電路142,而有機發光二極體的陰極電極耦接到第二電源ELVSS。有機發光二極體基於從像素電路142所供應的電流量以預定的亮度產生光。
像素電路142基於資料訊號來預定的電流供應到有機發光二極體。於一實施例中,對應於灰度值的預定電壓可作為資料訊號而被供應。當提取第二電晶體M2的臨界電壓資訊時,像素電路142供應第二電晶體M2的臨界電壓資訊到補償單元170。當提取臨界電壓資訊時,特定的資料訊號供應到像素電路142。像素電路142對應於特定的資料訊號經由資料線Dm將作為臨界電壓資訊的預定像素電流Ip供應到補償單元170。像素電流Ip可以基於每個像素電路142中的第二(驅動)電晶體M2的臨界電壓及遷移率而不同。
於本實施例中,像素電路142包含四個電晶體M1至M4以及儲存電容器Cst。第一電晶體M1的閘極電極耦接到掃描線Sn,而第一電晶體M1的第一電極耦接到資料線Dm。第一電晶體M1的第二電極耦接到第二電晶體M2的閘極電極。當掃描訊號供應到掃描線Sn時,第一電晶體M1開啟。
第二(驅動)電晶體M2的閘極電極耦接到第一電晶體M1的第二電極,而第二電晶體M2的第一電極耦接到第一電源ELVDD。第二電晶體M2的第二電極耦接到第一節點N1。第二電晶體M2控制從第一電源ELVDD流入第一節點N1的電流量。流入第一節點N1的電流量係基於施加到其閘極電極的電壓,例如,儲存於儲存電容器Cst中的電壓。
第三電晶體M3的第一電極耦接到第一節點N1,而第三電晶體M3的第二電極耦接到有機發光二極體的陽極電極。第三電晶體M3的閘極電極耦接到發射控制線En。當發射控制訊號供應到發射控制線En時,第三電晶體M3關閉,而當沒有供應發射控制訊號時,第三電晶體M3開啟。
第四電晶體M4的閘極電極耦接到控制線CLn,而第四電晶體M4的第一電極耦接到第一節點N1。第四電晶體M4的第二電極耦接到資料線Dm。當控制訊號供應到控制線CLn時,第四電晶體M4開啟,不然就是關閉。
像素140的結構可以從第2圖中的佈置變化,特別是涉及用於提取驅動電晶體的臨界電壓資訊的目的的第四電晶體M4。
第3圖示出補償單元170的實施例。為了便於說明,於第3圖中表示了耦接到第i條(i為自然數)資料線Di及第j條(j為除了i的自然數)資料線Dj的通道。此外,於第3圖中表示了耦接到第i條資料線Di的像素140中的第一像素1401及耦接到與第一像素1401位在相同的水平線上的第j條資料線Dj的像素140中的第二像素1402。
參照第3圖,補償單元170包含至少一個感測單元172及記憶體174。感測單元172於所示的例子中耦接到資料線Di及Dj,並且進行操作以提取分別地耦接到資料線Di及Dj的像素1401及1402中的驅動電晶體的臨界電壓資訊。
例如,感測單元172從耦接到第i條資料線Di的第一像素1401中提取驅動電晶體的臨界電壓資訊。當提取臨界電壓資訊時,感測單元172利用漏電流及第j條資料線Dj的耦接雜訊消除漏電流及第i條資料線Di的耦接雜訊。根據至少一個實施例,耦接雜訊可以理解為包含電流流過使得電力線的雜訊(例如,電力線供應第一電源)藉由像素140中所形成的寄生電容供應到資料線。
感測單元172抵消漏電流及從耦接到其之每個資料線Di及Dj所供應的耦接雜訊。因此,本實施例能夠提取更精確的臨界電壓資訊,例如,於沒
有受雜訊不利地影響或改變。於此種情況下,特定的資料訊號供應到第一像素1401,而對應於黑色的資料訊號(「0」的灰度)供應到第二像素1402。
此外,至少一個感測單元172可以如第3圖中所說明的安裝於補償單元170中。例如,於一個感測單元172位於補償單元170中的情況下,感測單元172可以提取像素140的臨界電壓資訊的同時依序地耦接到兩條資料線。
記憶體174儲存由感測單元172所供應的臨界電壓。於一個實施例中,類比-數位轉換器可以包含於記憶體174與感測單元172之間。類比-數位轉換器將感測單元172的臨界電壓資訊轉換成數位資訊,並將經轉換的數位資訊供應到記憶體174。
第4圖示出包含參考電壓產生單元1721、電流控制單元1722、比較單元1723、開關單元1724、第一電容器C1及第二電容器C2的感測單元172的一個實施例。參考電壓產生單元1721產生預定的參考電壓Vref。參考電壓Vref用於將第一電容器C1、第二電容器C2及資料線Di及Dj初始化。
電流控制單元1722降低參考電流Iref。參考電流Iref可以預先設定為像素140中要流動的電流,其電流對應於特定的資料訊號。
比較單元1723比較第一電容器C1及第二電容器C2的電壓值,並且輸出比較的結果。例如,比較單元1723可以基於第一電容器C1及第二電容器C2的比較結果來輸出高或低電壓。比較單元1723可以輸出第一電容器C1與第二電容器C2之間的差異電壓。
開關單元1724包含複數個開關SW1、SW1'、SW2、SW2'、SW3、SW3'及SW4。第二開關SW2及SW2'分別地耦接於電容器C1及C2的第一終端與資料線Di及Dj之間。例如,第二開關SW2及SW2'分別地形成於第一電容器C1的第
一終端與第i條資料線Di之間以及於第二電容器C2的第一終端與第j條資料線Dj之間。
第一開關SW1及SW1'分別地形成於電容器C1及C2的第一終端與資料線Di及Dj之間。例如,第一開關SW1及SW1'形成於第一電容器C1的第一終端與第j條資料線Dj之間及於第二電容器C2的第一終端與第i條資料線Di之間。也就是說,定位第一開關SW1及SW1',使得電容器C1及C2分別通過第二開關SW2及SW2'耦接到不同的資料線。
第三開關SW3及SW3'耦接於相對的資料線Di及Dj與參考電壓產生單元1721之間。
第四開關SW4耦接於第二電容器C2的第一終端與電流控制單元1722之間。
第一電容器C1的第一終端耦接到第一開關SW1及第二開關SW2。第一電容器C1的第二終端耦接到參考電壓產生單元1721。於此種情況下,參考電壓Vref供應到第一電容器C1的第二終端。
第二電容器C2的第一終端耦接到第一開關SW1'及第二開關SW2'。第二電容器C2的第二終端耦接到參考電壓產生單元1721。於此種情況下,參考電壓Vref供應到第二電容器C2的第二終端。
第5圖示出感測單元172的操作過程的波形圖。於第5圖中,將假設特定的資料訊號儲存於第一像素1401中以及黑色資料訊號儲存於第二像素1402中。
參照第5圖,於第零週期T0期間,開啟第二開關SW2及SW2'以及第三開關SW3及SW3'。如果開啟第二開關SW2及SW2'的話,第一電容器C1耦接
到第i條資料線Di而第二電容器C2耦接到第j條資料線Dj。如果第三開關SW3及SW3'開啟的話,來自參考電壓產生單元1721的參考電壓Vref會供應到第i條資料線Di及第j條資料線Dj。
於此種情況下,參考電壓Vref供應到第一電容器C1及第二電容器C2中的相對一個的第二終端。因此,初始化第一電容器C1及第二電容器C2。第i條資料線Di及第j條資料線Dj由參考電壓Vref所初始化。
於第一週期T1期間,關閉第三開關SW3及SW3',而第二開關SW2及SW2'保持開啟狀態。如果第二開關SW2及SW2'係開啟的話,第一電容器C1耦接到第i條資料線Di,而第二電容器C2耦接到第j條資料線Dj。
於此種情況下,漏電流及流入第i條資料線Di的耦接雜訊電流供應到第一電容器C1。而且,漏電流及流入第j條資料線Dj的耦接雜訊電流供應到第二電容器C2。電容器C1或C2的電壓可以按提供至其之數量的比例所改變。也就是說,電容器C1或C2的電壓可按電流的總和比例所改變。因此,於第一週期T1期間,對應於漏電流及從第i條資料線Di所供應的耦接雜訊電流的電壓充入第一電容器C1中。而且,對應於漏電流及從第j條資料線Dj所供應的耦接雜訊電流的電壓充入第二電容器C2中。
於第二週期T2期間,開啟第一開關SW1及SW1'以及第四開關SW4。於每個第一像素1401及第二像素1402中的第四電晶體M4對應於供應到控制線CLn的控制訊號而開啟。
如果第一開關SW1及SW1'開啟的話,第一電容器C1耦接到第j條資料線Dj,而第二電容器C2耦接到第i條資料線Di。如果第二電容器C2耦接到第i條資料線Di,來自第一像素1401的像素電流Ip供應到第二電容器C2的第一終
端。於此種情況下,漏電流及第i條資料線Di的耦接雜訊電流額外地供應到第二電容器C2的第一終端。
如果第一電容器C1耦接到第j條資料線Dj的話,供應漏電流及第j條資料線Dj的耦接雜訊電流。因為黑色資料訊號供應到第二像素1402,所以像素電流並不會流動。
如果第四開關SW4開啟的話,參考電流Iref從第二電容器C2的第一終端匯入電流控制單元1722。然後,第二電容器C2充入對應於漏電流及第i條資料線Di的耦接雜訊電流及從像素電流Ip減去參考電流Iref所獲得的電流的電壓。
於第一週期T1及第二週期T2期間,供應到第一電容器C1的電流可以由方程式1所表示。於第一週期T1及第二週期T2期間,供應到第二電容器C2的電流可以由方程式2所表示。
C1=Il1+Il2+In1+In2 (1)
C2=Il1+Il2+In1+In2+Ip-Iref (2)
於方程式1及方程式2中,「Il1」表示為第一週期T1期間的漏電流,「Il2」表示為第二週期T2期間的漏電流,「In1」表示為於第一週期T1期間的耦接雜訊,以及「In2」表示為於第二週期T2期間的耦接雜訊。於方程式2中,「Ip」表示為從第一像素1401所供應的像素電流Ip,而「Iref」表示為降低至電流控制單元1722中的參考電流Iref。
第一電容器C1及第二電容器C2分別地接收漏電流及第i條資料線Di的耦接雜訊電流以及漏電流及第j條資料線Dj的耦接雜訊電流。對應於其中
供應到第一電容器C1的電流是從供應到第二電容器C2的電流所補償的情況的關係由方程式3所表示。
C2-C1=Ip-Iref (3)
也就是說,相較於第一電容器C1,第二電容器C2設定為高於或低於從像素電流Ip減去參考電流Iref所獲得的值的電壓。此處,參考電流Iref可以設定為對應於特定的資料訊號之流入像素中的電流。於理想的情況下,像素電流Ip及參考電流Iref可能為相等的,也就是說,不考慮臨界電壓中的變化及驅動電晶體的遷移率。
比較單元1723比較第一電容器C1及第二電容器C2的電壓值,並輸出對應於比較的值。比較單元1723可以輸出作為比較值的高或低電壓。例如,當第一電容器C1的電壓高於第二電容器C2的電壓時,比較單元1723可以輸出高電壓,否則可以輸出低電壓。記憶體174儲存對應於由比較單元1723所輸出之高或低電壓的「1」或「0」的值。
隨後,時序控制器150藉由基於記憶體174中所儲存的高或低電壓所改變之第一資料Data1的位元值來產生第二資料Data2。例如,時序控制器150可以產生第二資料Data2,使得可以對應儲存在記憶體174中的高電壓來輸出低電壓。於第一像素1401中連續地輸出高電壓之後,如果於特定的時間輸出低電壓的話,時序控制器150可以確定第一像素1401的臨界電壓於此時獲得補償。
比較單元1723可以輸出作為比較值之對應於第一電容器C1與第二電容器C2之間的電壓差的電壓。當對應於電壓差的電壓作為比較值而輸出時,對應的電壓由類比-數位轉換器轉換成數位值,並且經轉換的數位值儲存於記憶體174中。
隨後,時序控制器150可以藉由改變第一資料Data1的位元值來產生第二資料Data2,使得像素的臨界電壓可以基於數位值而補償。驅動電晶體的臨界電壓資訊可以藉由重複以上所描述的過程而從每個像素140中提取。
於一實施例中,第一週期T1及第二週期T2可以設定為相同的時間。因此,於第一週期T1及第二週期T2期間,可相同地設定漏電流及流入資料線Di及Dj的耦接雜訊電流。
由於提取第一像素1401的臨界電壓資訊,像素140可以設定為黑色狀態或顯示預定的影像。如果預定的影像由像素140所顯示的話,第i條資料線Di及第j條資料線Dj的漏電流可以局部地不同地設定(例如,相鄰的資料線可以接收幾乎相同的灰度資料)。然而,當對同一像素多次提取臨界電壓資訊時,第i條資料線Di及第j條資料線Dj的漏電流可以對應於此資訊的平均值。因此,臨界電壓資訊可以穩定的方式進行提取。
第i條資料線Di及第j條資料線Dj可以不同的方式佈置。例如,第i條資料線Di及第j條資料線Dj可位在彼此相鄰的位置,或者可位在具有複數個資料線D介於其之間的位置。
第6圖示出感測單元172'的另一實施例。於感測單元172'中,電流控制單元1725耦接到第一電容器C1的第一終端。第四開關SW4'位於電流控制單元1725與第一電容器C1之間。第四開關SW4'於第5圖的第二週期T2中開啟。
於第四開關SW4'開啟的週期期間,電流控制單元1725供應參考電流Iref到第一電容器C的第一終端。參考電流Iref設定為對應於特定的資料訊號於像素140中流動的電流。
當電流從電流控制單元1725供應到第一電容器C1時,於第一週期T1及第二週期T2期間供應到第一電容器C1的電流可由方程式4所表示。於第一週期T1及第二週期T2期間供應到第二電容器C2的電流可由方程式5所表示。
C1=Il1+Il2+In1+In2+Iref (4)
C2=Il1+Il2+In1+In2+Ip (5)
於方程式4及方程式5中,當供應到第一電容器C1的電流由供應到第二電容器C2的電流所消除時,設定方程式3中的關係。隨後,比較單元1723比較第一電容器C1與第二電容器C2的電壓值,並輸出對應於比較結果的比較值。其它操作過程與前述實施例的操作過程相同,因此其之詳細描述將被省略。
第7圖示出感測單元172"的另一實施例。於此實施例中,第一電容器C1'及第二電容器C2'的第二終端耦接到接地電源GND。第一電容器C1'及第二電容器C2'中的每個充入對應於供應到其第一終端的電流的預定電壓。因此,如果第一電容器C1'及第二電容器C2'的第二終端耦接到無關電壓的相同固定電壓源,就可以穩定地驅動第一電容器C1'及第二電容器C2'。也就是說,第一電容器C1'及第二電容器C2'的第二終端可以耦接到包含參考電壓Vref及接地電源GND的各種固定電壓源。
雖然前述的實施例中的電晶體表示為P型金屬氧化物半導體(PMOS)電晶體,但這些電晶體於其他實施例中可實施為N型金屬氧化物半導體(NMOS)電晶體。
而且,根據前述的實施例,有機發光二極體可以對應於從驅動電晶體所供應的電流量來產生紅色光、綠色光或藍色光。於實施方式中,有機發
光二極體可以對應於從驅動電晶體所供應的電流量來產生白色光。其中有機發光二極體產生白色光,彩色影像可以使用獨立的濾色器來實現。
由總結及回顧的方式,有機發光顯示器包含以矩陣形式佈置的複數個像素。像素位於相對的資料線、掃描線及電源線的交叉點上。每個像素包含有機發光二極體,兩個或多個包括驅動電晶體的電晶體,以及一個或多個電容器。
一般來說,有機發光顯示器具有低功率消耗。然而,流過每個像素的有機發光二極體的電流量基於驅動電晶體的臨界電壓中的變化。因此,可能會導致顯示不均等。也就是說,驅動電晶體的特性可基於每個像素中的驅動電晶體的製造過程變化而改變。實際上,於目前的處理條件下,可以證明有機發光顯示器的製造使得所有電晶體具有相同的特性係困難的。
各種的方法已經提出,以補償驅動電晶體的臨界電壓中的變化。於一種方法中,像素的臨界電壓資訊經由資料線所提取,並且對應於經提取的臨界電壓資訊來控制資料。然而,當利用資料線提取臨界電壓資訊時,由於流入資料線的雜訊電流(例如,漏電流及/或耦接雜訊電流)而可能導致無法提取精確的資訊。所以於此種情況下,穩定的補償可為困難的。
根據一個或多個實施例,漏電流及耦接雜訊電流從多條(例如,兩條中的每條)資料線中提取。抵消經提取的漏電流及耦接雜訊電流。因此,於像素中提取驅動電晶體的精確臨界電壓資訊為可能的,例如,不受漏電流及耦接雜訊電流所影響的臨界電壓資訊。因此,穩定地補償驅動電晶體的臨界電壓為可能的。
於本文中已經揭露例示性實施例,雖然採用了特定的用語,但其之使用僅以一般性的及描述性的意思來闡釋,而非用於限制性的目的。於一些例子中,本申請的提出對於所屬技術領域中任何一個通常知識者而言將為顯而易見的,除非具體指出,針對特定的實施例所描述的特點、特徵及/或元件可單獨地使用或結合針對其它的實施例所描述的特點、特徵及/或元件來使用。因此,那些所屬技術領域中具有通常知識者將理解到,在不背離以下專利申請範圍所闡述的本發明的精神及範疇下,可以於形式及細節上作出各種的變化。
Claims (10)
- 一種有機發光顯示器,其包含:複數個像素包含一第一像素及一第二像素,各包含一驅動電晶體,以控制供應到對應的一有機發光二極體的一電流量;以及一補償單元,藉由複數個資料線耦接到該複數個像素,該複數個資料線包含一第一資料線及一第二資料線,分別耦接到該第一像素及該第二像素,該補償單元包含至少一感測單元,其包含一第一電容器及一第二電容器,該至少一感測單元從對應於各個該驅動電晶體的該複數個像素中提取一臨界電壓資訊,其中該至少一感測單元從該第一資料線及該第二資料線中接收一雜訊電流,抵消該雜訊電流,並於該第一資料線及該第二資料線之該雜訊電流分別提供到該第一電容器及該第二電容器之後,且該第一資料線及該第二資料線之該雜訊電流分別提供到該第二電容器及該第一電容器之後,提取該第一像素之該驅動電晶體之該臨界電壓資訊。
- 如申請專利範圍第1項所述之有機發光顯示器,其中該第一像素與該第二像素係處於相同水平線上。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示器,其中:該第一像素儲存對應於一預定電流的一資料訊號,以及該第二像素儲存一黑色資料訊號。
- 如申請專利範圍第2項所述之有機發光顯示器,其中該至少一感測單元包含:該第一電容器及該第二電容器,具有彼此互相電耦接的第二終端;一參考電壓產生單元,以產生一參考電壓;一電流控制單元,耦接到該第一電容器的第一終端或該第二電容器的第一終端;一比較單元,耦接到該第一電容器的第一終端及該第二電容器的第一終端,該比較單元比較該第一電容器及該第二電容器的電壓值;以及一開關單元,以容許該參考電壓產生單元、該第一電容器及該第二電容器選擇性地耦接到該第一資料線及該第二資料線。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示器,其中該開關單元包含:複數個第一開關,分別地耦接於該第一電容器的第一終端與該第二資料線之間及於該第二電容器的第一終端與該第一資料線之間;複數個第二開關,分別地耦接於該第一電容器的第一終端與該第一資料線之間及於該第二電容器的第一終端與該第二資料線之間;複數個第三開關,分別地耦接於該參考電壓產生單元與該第一資料線之間及於該參考電壓產生單元與該第二資料線之間;以及一第四開關,耦接於該電流控制單元與該第一電容器或該第二電容器的第一終端之間。
- 如申請專利範圍第5項所述之有機發光顯示器,其中,於一第零週期期間,開啟該複數個第二開關及該複數個第三開關,於該第零週期之後的一第一週期期間,開啟該複數個第二開關,以及於該第一週期之後的一第二週期期間,開啟該複數個第一開關及該第四開關。
- 如申請專利範圍第6項所述之有機發光顯示器,其中於該第二週期期間,該第一像素供應對應儲存於其中的該資料訊號之一像素電流到該第一資料線。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示器,其中該比較單元輸出對應於藉由比較該第一電容器及該第二電容器的該電壓值所獲得的結果的一高電壓或一低電壓。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示器,其中該比較單元輸出對應於該第一電容器中所儲存的電壓與該第二電容器中所儲存的電壓之間之一差異電壓的一電壓。
- 如申請專利範圍第4項所述之有機發光顯示器,其進一步包含:一時序控制器,藉由改變從一外部電源所供應的一第一資料的位元而產生一第二資料,使得該驅動電晶體的一臨界電壓基於該比較單元的結果而補償;以及一資料驅動器,以接收從該時序控制器所供應的該第二資料,以基於所接收的該第二資料而產生一資料訊號,並將所產生的該資料訊號供應到該複數個資料線。
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