KR102285392B1

KR102285392B1 - 센싱 장치, 표시장치, 및 전기적 신호 센싱 방법

Info

Publication number: KR102285392B1
Application number: KR1020150016738A
Authority: KR
Inventors: 신충선; 권오조
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2015-02-03
Filing date: 2015-02-03
Publication date: 2021-08-04
Also published as: US20160225302A1; TW201629933A; CN105845061B; CN105845061A; TWI727940B; US10467940B2; KR20160095686A

Abstract

본 발명의 일 실시예는 행 및 열 방향으로 형성된 복수의 화소의 전기적 신호를 센싱하는 센싱 장치에 있어서, 상기 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 라인을 통해 상기 화소 각각의 전기적 신호를 센싱하고, 적어도 하나의 화소 열에 대응하여 구비되는 복수의 센싱 회로, 제1 화소 열에 대응하여 구비된 제1 센싱 라인과, 상기 제1 화소 열에 대응하여 구비된 제1 센싱 회로를 연결하는 제1 스위치; 및 상기 제1 센싱 라인과, 상기 제1 센싱 회로와 구별되는 제2 센싱 회로를 연결하는 제2 스위치;를 포함하는 센싱 장치를 개시한다.

Description

센싱 장치, 표시장치, 및 전기적 신호 센싱 방법{Sensing apparatus, Display apparatus, and Method of sensing electrical signal}

본 발명의 실시예들은 센싱 장치, 표시장치, 및 전기적 신호 센싱 방법에 관한 것이다.

최근, 멀티미디어의 발달과 함께 평판 표시 장치의 중요성이 증대되고 있다. 이에 부응하여 액정 표시 장치, 플라즈마 표시 장치, 유기 발광 표시 장치 등의 평판 표시 장치가 상용화되고 있다.

그러나, 박막 트랜지스터의 제조 공정의 불균일 및 구동 시간에 따라 화소마다 구동 트랜지스터의 문턱 전압/이동도 특성이 다르기 때문에 동일한 데이터 전압을 인가하더라도 각 화소의 구동 트랜지스터에 흐르는 전류 량이 서로 달라지게 된다. 이러한 각 화소의 구동 트랜지스터에 흐르는 전류 량 편차는 각 화소 간의 휘도 편차를 유발시켜 화질의 균일도를 저하시키고 얼룩을 발생시킨다.

본 발명의 실시예들은 센싱 장치, 표시장치, 및 전기적 신호 센싱 방법을 제공한다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 발명의 실시예들에 관한 센싱 장치, 표시장치, 및 전기적 신호 센싱 방법은, 전기적 신호를 센싱하는 센싱 회로의 특성 편차를 획득한다. 본 발명의 실시예들에 관한 센싱 장치, 표시장치, 및 전기적 신호 센싱 방법은, 센싱 회로의 특성 편차로 인한 오차가 제거된, 정확한 센싱 데이터를 획득한다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 것이다.
도 2는 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)를 상세히 도시한 것이다.
도 3은 도 2에 도시된 제1 스위치(S1)가 열린 상태를 도시한 것이다.
도 4는 도 2에 도시된 제2 스위치(S2)가 열린 상태를 도시한 것이다.
도 5는 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)의 변형예를 도시한 것이다.
도 6은 도 5에 도시된 제1 스위치(S1)가 열린 상태를 도시한 것이다.
도 7은 도 5에 도시된 제2 스위치(S2)가 열린 상태를 도시한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)의 또 다른 변형예를 도시한 것이다.
도 9는 일 실시예에 따른 센싱 데이터 획득 방법을 도시한 흐름도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다. 이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다. 도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

도 1은 일 실시예에 따른 표시 장치를 도시한 것이다.

일 실시예에 따른 표시 장치는 표시 패널(100) 및 센싱 장치(200)를 포함한다. 일 실시예에 따른 표시 장치는,

표시 패널(100)은 화상을 표시하기 위한 복수의 화소(PX)를 포함한다. 표시 장치는 유기 발광 표시 장치일 수 있고, 화소(PX)는 화소 회로 및 발광 소자를 포함할 수 있다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시 장치의 종류는 한정되지 않는다. 도 1에는 한 개의 화소(PX)만 도시되었으나, 표시 패널(100)은 행 및 열 방향을 따라 매트릭스로 배열되도록 형성된 복수의 화소(PX)를 포함한다.

도 1에 도시되지 않았으나, 표시 패널(100)에는 복수의 스캔 라인과 데이터 라인이 형성될 수 있고, 스캔 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 화소(PX)가 형성될 수 있다. 표시 장치는 스캔 라인에 스캔 신호를 인가하는 스캔 구동부, 데이터 라인에 데이터 신호를 인가하는 데이터 구동부, 제어부, 메모리 등을 더 포함할 수 있다.

스캔 라인은 동일 행의 화소들(PX)에 연결되어 동일 행의 화소들(PX)에 스캔 신호를 전달한다. 데이터 라인은 동일 열의 화소들(PX)에 연결되어, 동일 열의 화소들(PX)에 데이터 신호를 전달한다.

표시 패널(100) 상에는 화소(PX) 열마다 센싱 라인(SL)이 구비된다. 센싱 라인(SL)은 화소(PX)의 전기적 신호를 센싱 장치(200)에 전달한다. 본 명세서에서는 센싱 라인(SL)이 모든 화소(PX) 열에 각각 대응되어 형성된 예를 들어 본 발명의 실시예들을 설명할 것이지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 센싱 라인(SL)은 복수의 화소(PX) 열에 대응되어 형성되어도 무방하다. 표시 패널(100) 상에는 도면에 도시되지 않은 배선들이 더 포함될 수 있다.

센싱 장치(200)는 표시 패널(100)에 포함된 복수의 화소(PX) 각각의 전기적 신호를 센싱하고, 각 화소(PX)에 대한 센싱 데이터를 출력한다. 센싱 장치(200)는 복수의 반도체 부품을 포함하는 집적 회로 또는 집적 회로 패키지로써 구비될 수 있다.

센싱 장치(200)는 복수의 센싱 회로(SC) 및 센싱 데이터 출력부(210)를 포함한다. 복수의 센싱 회로(SC)는 센싱 라인(SL)을 통해 화소(PX)의 전기적 신호를 획득하여, 센싱 신호를 출력한다. 전기적 신호는 아날로그 값을 가질 수 있고, 센싱 신호는 디지털 값을 가질 수 있으나, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 센싱 데이터 출력부(210)는 센싱 신호를 가공하여, 센싱 데이터를 출력한다.

센싱 회로(SC)는 적어도 하나의 화소(PX) 열에 대응하여 구비되고, 화소(PX) 열마다 구비된 센싱 라인(SL)을 통해 화소(PX) 각각의 전기적 신호를 획득하여, 센싱 신호를 출력한다. 센싱 회로(SC)는, 아날로그-디지털 컨버터(ADC), 또는 인티그레이터 등의 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 센싱 회로(SC)는 화소(PX)의 발광소자의 양단 전압을 센싱하기 위해 아날로그-디지털 컨버터를 포함할 수 있다. 또는, 센싱 회로(SC)는 화소(PX)의 발광소자의 구동 전류를 센싱하기 위해 아날로그-디지털 컨버터 및 인티그레이터를 포함할 수 있다. 센싱 회로(SC)에 포함되는 소자의 종류는 위 예시에 한정되지 않는다.

일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 하나의 센싱 회로(SC)를 이용하여 표시 패널(100)에 포함된 모든 화소(PX)의 전기적 신호를 센싱하는 것이 아니라, 복수의 센싱 회로(SC)를 이용하여 복수의 화소(PX)의 전기적 신호를 센싱한다. 따라서, 복수의 센싱 회로(SC) 간의 특성 차이에 의해, 전기적 신호를 센싱한 값에 오차가 발생한다.

센싱 회로(SC)는 아날로그-디지털 컨버터를 포함할 수 있는데, 아날로그-디지털 컨버터는 게인 오차(gain error) 및 오프셋 오차(offset error)를 가진다. 데이터 구동 집적 회로의 제조 공정 과정에서, 공정 조건의 편차가 발생할 수 있고, 이에 따라 집적 회로 내의 아날로그-디지털 컨버터 간에서도 편차가 발생되게 된다.

일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 전술한 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차로 인한 센싱 오차를 보상하기 위해, 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 획득하고, 특성 편차를 반영하여 센싱 결과를 보상한다. 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차로써 특정 상수 값을 이용하는 것이 아니라, 제1 스위치(S1) 및 제2 스위치(S2)를 이용하여 상기 특성 편차를 직접 산출한다. 이에 따라, 표시 장치가 출하된 후 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차가 변하더라도, 정확한 특성 편차를 산출하여 센싱 결과를 보상할 수 있다. 구체적인 방법에 대하여서는 이하에서 도면을 참고하여 설명하기로 한다.

일 실시예에 따른 표시 장치는, 화소(PX)의 전기적 신호를 센싱한 데이터를 획득하여, 화소(PX)의 특성 편차를 분석하고, 이를 반영하여 영상 데이터를 보정할 수 있다. 이에 따르면, 화소(PX)의 특성 편차에 의한 표시 얼룩이 저감된다.

도 2는 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)를 상세히 도시한 것이다.

도 2를 참조하면, 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 복수의 센싱 회로(SC), 복수의 제1 스위치(S1), 및 복수의 제2 스위치(S2)를 포함한다.

센싱 회로(SC)는 적어도 하나의 화소 열에 대응하여 구비될 수 있으며, 도 2에서는 화소 열 각각에 대응하여 센싱 회로(SC)가 모두 구비된 예가 도시되었다. 센싱 회로(SC)는 센싱 라인(SL)을 통해 화소(PX)의 전기적 신호를 획득하여 센싱 신호를 출력한다. 예를 들어, 전기적 신호가 아날로그 값으로 획득되면 센싱 신호(SC)는 이를 디지털 값을 갖는 센싱 신호로 변환하여 출력한다.

제1 스위치(S1) 및 제2 스위치(S2)는 센싱 라인(SL)과 센싱 회로(SC)를 연결한다. 제1 스위치(S1)는 소정의 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 라인을, 해당 화소 열에 대응하여 구비된 제1 센싱 회로에 연결한다. 제2 스위치(S2)는 소정의 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 라인을, 제2 센싱 회로에 연결한다. 즉, 상기 소정의 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 라인을 통해 전달되는 전기적 신호는, 제1 스위치(S1)가 열리면 제1 센싱 회로에 의해 센싱되고, 제2 스위치(S2)가 열리면 제2 센싱 회로에 의해 센싱된다. 이에 따라, 동일한 전기적 신호가 서로 다른 센싱 회로에 의해 2번 센싱된다. 제2 센싱 회로는 배선 및 소자 레이아웃 설계의 편의를 위해 제1 센싱 회로에 인접하여 형성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.

도 2를 참조하여 구체적인 예를 들면, 도 2에 도시된 제1 스위치(S1)는 제1 화소 열(C1)에 대응하여 구비된 제1 센싱 라인(SL1)과, 제1 화소 열(C1)에 대응하여 구비된 제1 센싱 회로(SC1)를 연결한다. 도 2에 도시된 제2 스위치(S2)는 제1 화소 열(C1)에 대응하여 구비된 제1 센싱 라인(SL1)과, 제2 센싱 회로(SC2)를 연결한다. 도 2에서는 제2 스위치가, 제1 센싱 회로(SC1)에 대응되는 화소 열의 센싱 라인과, 제1 센싱 회로(SC1)에 인접하는 제2 센싱 회로(SC2)를 연결하는 예가 도시되었으나, 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제2 스위치는, 제1 센싱 회로(SC1)에 대응되는 화소 열의 센싱 라인과, 제1 센싱 회로(SC1)에 인접하지 않는 센싱 회로를 연결할 수도 있다. 제1 센싱 라인(SL1)을 통해 전달되는 전기적 신호(a1)는, 제1 스위치(S1)가 열리면 제1 센싱 회로(SC1)에 의해 센싱되고, 제2 스위치(S2)가 열리면 제2 센싱 회로(SC2)에 의해 센싱된다.

제1 스위치(S1)는 제1 스위치 활성 신호(PS1)에 의해 동작하고, 제2 스위치(S2)는 제2 스위치 활성 신호(PS2)에 의해 동작한다. 센싱 데이터 출력부(210)는 제1 스위치 활성 신호(PS1) 및 제2 스위치 활성 신호(PS2)를 생성하여 제1 스위치(S1) 및 제2 스위치(S2)의 개폐를 제어할 수 있다. 센싱 데이터 출력부(210)는 제1 스위치(S1) 및 제2 스위치(S2)의 개폐를 제어하여 센싱 신호를 획득할 수 있다. 제1 스위치 활성 신호(PS1) 및 제2 스위치 활성 신호(PS2)는 표시 패널(100)의 스캔 라인에 입력되는 스캔 신호에 기초하여 생성될 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 제1 스위치 활성 신호(PS1) 및 제2 스위치 활성 신호(PS2)는 센싱 데이터 출력부(210)가 아닌 다른 제어부에 의해 제공될 수도 있다.

도 2에서 제1 스위치(S1) 및 제2 스위치(S2)는 하나의 트랜지스터로 도시되었으나, 이는 설명의 편의를 위한 것이며 본 발명이 이에 한정되지 않는다. 제1 스위치(S1) 및 제2 스위치(S2)는 스위치 기능을 할 수 있는 회로 구조를 다양하게 채용할 수 있다.

도 3은 도 2에 도시된 제1 스위치(S1)가 열린 상태를 도시한 것이다.

도 3을 참조하면, 제1 스위치 활성 신호(PS1)에 의해 제1 스위치(S1)가 열리고, 제2 스위치 활성 신호(PS2)에 의해 제2 스위치(S2)가 닫힌 상태의 센싱 장치(200)가 도시되었다.

일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 하나의 행에 포함된 복수의 화소(PX1, PX, …, PXn)의 전기적 신호(a1, a2, …, an)를 센싱한다. 센싱 장치(200)는 하나의 행에 포함된 복수의 화소(PX1, PX, …, PXn)의 전기적 신호(a1, a2, …, an)를 센싱하는 과정을, 복수의 행 각각에 대하여 반복할 수 있다. 이에 따라 센싱 장치(200)는 표시 패널(100) 상의 모든 화소(PX)의 전기적 신호를 센싱할 수 있다.

도 3을 참조하면, 제1 스위치(S1)가 열리고 제2 스위치(S2)가 닫히면, 복수의 센싱 회로(SC)는 센싱 신호(x1, x2, …, xn)를 출력한다. 센싱 신호{xn}는 화소{PXn}의 전기적 신호{an}를 센싱 회로{SCn}로 센싱한 값이다. 도 3의 예를 들면, 센싱 신호(x1)는 제1 화소(PX1)의 전기적 신호(a1)를 제1 센싱 회로(SC1)로 센싱한 값이고, 센싱 신호(x2)는 제2 화소(PX2)의 전기적 신호(a2)를 제2 센싱 회로(SC2)로 센싱한 값이다. 도 3을 참조하면, 전기적 신호(a1, a2, … an)가 센싱 회로(SC1, SC2, …, SCn)에 입력되는 경로가 점선으로 도시되었다.

도 4는 도 2에 도시된 제2 스위치(S2)가 열린 상태를 도시한 것이다.

도 4를 참조하면, 제1 스위치 활성 신호(PS1)에 의해 제1 스위치(S1)가 닫히고, 제2 스위치 활성 신호(PS2)에 의해 제2 스위치(S2)가 열린 상태의 센싱 장치(200)가 도시되었다.

도 4를 참조하면, 제1 스위치(S1)가 닫히고 제2 스위치(S2)가 열리면, 복수의 센싱 회로(SC)는 센싱 신호(y1, y2, yn-1)를 출력한다. 센싱 신호{yn-1}는 화소{PXn-1}의 전기적 신호{an-1}를 센싱 회로{SCn}로 센싱한 값이다. 도 4의 예를 들면, 센싱 신호(y1)는 제1 화소(PX1)의 전기적 신호(a1)를 제2 센싱 회로(SC2)로 센싱한 값이고, 센싱 신호(y2)는 제2 화소(PX2)의 전기적 신호(a2)를 제3 센싱 회로(SC3)로 센싱한 값이다. 도 4를 참조하면, 전기적 신호(a1, a2, … an-1)가 센싱 회로(SC2, SC3, …, SCn)에 입력되는 경로가 점선으로 도시되었다.

도 3 및 도 4를 함께 참조하여, 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 산출하여 센싱 신호{xn}를 보상하는 방법을 설명하기로 한다. 센싱 데이터 출력부(210)는 센싱 신호{xn}와 센싱 신호{yn}를 이용하여, 각 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 산출한다.

각 센싱 회로(SC)의 특성 편차를 산출할 때, 어느 하나의 센싱 회로(SC)의 특성이 기준으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 회로(SC1)의 특성이 기준으로 설정되고, 제1 센싱 회로(SC1)의 특성을 기준으로 나머지 센싱 회로(SC)의 특성 편차가 산출될 수 있다. 센싱 데이터 출력부(210)는 아래의 수학식 1에 따라 각 센싱 회로(SC)의 특성 편차를 산출할 수 있다.

수학식 1에서, d[i]는 센싱 회로(SC)의 특성 편차이다. 예를 들어, d[1]은 제1 센싱 회로(SC1)의 특성 편차이고, d[2]는 제2 센싱 회로(SC2)의 특성 편차이고, N은 센싱 회로(SC)의 개수이다. 제1 센싱 회로(SC1)의 특성을 기준으로 편차를 산출하는 경우, d1은 0으로 설정된다.

수학식 1을 참조하면, 센싱 데이터 출력부(210)는 동일한 전기적 신호를 두 개의 센싱 회로(SC)로 각각 측정한 결과의 차이로부터, 두 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 산출한다. 예를 들어, 동일한 전기적 신호(a1)를 두 개의 센싱 회로(SC1, SC2)로 각각 측정한 결과(x1, y1)의 차이(y1-x1)로부터, 제1 센싱 회로(SC1)와 제2 센싱 회로(SC2) 간의 특성 편차(d2)를 산출한다. 그리고, 동일한 전기적 신호(a2)를 두 개의 센싱 회로(SC2, SC3)로 각각 측정한 결과(x2, y2)의 차이(y2-x2)로부터, 제2 센싱 회로(SC2)와 제3 센싱 회로(SC3) 간의 특성 편차를 산출하고, 산출된 값을 d1에 더하여, 제1 센싱 회로(SC1)를 기준으로 하는 제3 센싱 회로(SC3)의 특성 편차(d2)를 산출한다.

수학식 1에서는 센싱 회로(SC) 간 특성 편차의 산출을 위해 뺄셈 연산을 사용하였으나, 반드시 위 방법에 한정되지 않는다. 센싱 데이터 출력부(210)는 다양한 연산 및 이들의 조합을 이용하여 센싱 회로(SC) 간 특성 편차를 획득할 수 있다.

수학식 1에 따라 특성 편차가 얻어지면, 센싱 데이터 출력부(210)는 아래의 수학식 2에 따라, 센싱 신호{xn}에서 센싱 회로(SC)간의 특성 편차로 인한 오차를 보상한다.

수학식 2에서, x’[i]는 센싱 회로(SC)의 특성 편차로 인한 오차가 보상된, 최종 센싱 데이터이다. 도 2 내지 도 4에 도시된 예에서는, x’[1]는 제1 화소(PX1)에 대한 센싱 데이터이고, x’[2]는 제2 화소(PX2)에 대한 센싱 데이터이다. 수학식 2에서 n은 화소 열의 개수이다. 수학식 1 및 2의 경우, 도 2 내지 도 4에 도시된 예에 적용되는 수학식이고, 도 2 내지 도 4에서 센싱 회로(SC)의 개수는 화소 열의 개수와 동일하므로, n=N이다.

도 5는 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)의 변형예를 도시한 것이다.

도 5를 참조하면, 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 복수의 센싱 회로(SC), 복수의 제1 스위치(S1), 및 복수의 제2 스위치(S2)를 포함한다. 도 5에 도시된 센싱 장치(200)는 도 2에 도시된 센싱 장치(200)의 변형예이므로, 이하에서 생략된 설명이 있더라도, 도 2에서 설명한 내용이 적용될 수 있다.

일 실시예에 따른 센싱 장치(200)의 변형예에 따르면, 공간 및 비용의 한계로 센싱 회로(SC)의 수가 제한되는 경우, 센싱 회로(SC)가 복수의 화소 열에 대응하여 구비될 수 있다. 예를 들어, 센싱 회로(SC) 각각은 연속되는 k개 화소 열에 대응하여 구비될 수 있다. 이러한 경우에도 전술한 본 발명의 기술적 특징이 적용될 수 있다. 도 5에서는 3개의 화소 열마다 1개의 센싱 회로(SC)가 구비된 예가 도시되었으므로, k=3인 예가 도시된 것이다. 그러나 본 발명이 이에 한정되지 않는다.

도 5를 참조하면, 제1 센싱 회로(SC1)는 1 내지 3번째 화소 열(C1, C2, C3)에 대응하여 구비되고, 제2 센싱 회로(SC2)는 4 내지 6번째 화소 열(C4, C5, C6)에 대응하여 구비된 예가 도시되었다. 각 센싱 회로(SC)는 복수의 화소 열에 포함된 화소(PX)들 각각의 전기적 신호를 획득한다. 예를 들어, 제1 센싱 회로(SC1)는 제1 화소 열(C1)에 포함된 제1 화소(PX1)의 전기적 신호(a1), 제2 화소 열(C2)에 포함된 제2 화소(PX2)의 전기적 신호(a2), 제3 화소 열(C3)에 포함된 제3 화소(PX3)의 전기적 신호(a3)를 각각 획득한다. 제2 센싱 회로(SC2)는 제4 화소 열(C4)에 포함된 제4 화소(PX4)의 전기적 신호(a4), 제5 화소 열(C5)에 포함된 제5 화소(PX5)의 전기적 신호(a5), 제6 화소 열(C6)에 포함된 제6 화소(PX6)의 전기적 신호(a6)를 각각 획득한다.

복수의 전기적 신호, 예를 들어 전기적 신호 a1, a2, 및 a3가 하나의 센싱 회로(SC), 예를 들어 제1 센싱 회로(SC1)에 의해 센싱되기 위해서, 센싱 회로(SC)는 복수의 전기적 신호를 구별하여 획득할 수 있는 회로를 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 센싱 회로(SC)는 멀티플렉서를 더 포함할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다.

제1 스위치(S1) 및 제2 스위치(S2)는 센싱 라인(SL)과 센싱 회로(SC)를 연결한다. 제1 스위치(S1)는 소정의 복수 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 라인(SL)을, 해당 복수 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 회로(SC)에 연결한다. 제2 스위치(S2)는 소정의 복수 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 라인(SL)을, 해당 복수 화소 열에 대응하여 구비된 센싱 회로(SC)에 인접한 다른 센싱 회로(SC)에 연결한다.

도 5를 참조하여 예를 들면, 제1 스위치(S1)는 1 내지 k열에 대응하여 구비된 센싱 라인(SL) 각각을, 제1 센싱 회로(SC1)에 연결한다. 또한 제1 스위치(S2)는 k+1 내지 2k 열에 대응하여 구비된 센싱 라인(SL) 각각을, 제2 센싱 회로(SC2)에 연결한다.

도 5를 참조하면, 제2 스위치(S2)는 1내지 k열에 대응하여 구비된 센싱 라인(SL) 중 적어도 하나를, 제2 센싱 회로(SC2)에 연결한다. 도 5에서는 제2 스위치(S2)가 제1 픽셀 열(C1)에 대응하여 구비된 센싱 라인(SL) 중 제1 센싱 라인(SL1)과, 제2 센싱 회로(SC2)를 연결하는 예가 도시되었다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다.

센싱 장치(200)는 도 5에 도시된 센싱 라인(SL1, SL2, SL3) 각각을 제2 센싱 회로(SC2)에 연결하는 복수의 제2 스위치(S2)를 포함할 수도 있음은 물론이다.

도 5를 참조하면, 제1 화소 열(C1)에 대응하여 구비된 센싱 라인(SL1)을 통해 전달되는 제1 화소(PX1)의 전기적 신호(a1)는, 제1 스위치(S1)가 열리면 제1 센싱 회로(SC1)에 의해 센싱되고, 제2 스위치(S2)가 열리면 제2 센싱 회로(SC2)에 의해 센싱된다. 이에 따라, 동일한 전기적 신호(a1)가 서로 다른 센싱 회로(SC1, SC2)에 의해 각각 센싱된다.

도 6은 도 5에 도시된 제1 스위치(S1)가 열린 상태를 도시한 것이다.

도 6을 참조하면, 제1 스위치 활성 신호(PS1)에 의해 제1 스위치(S1)가 열리고, 제2 스위치 활성 신호(PS2)에 의해 제2 스위치(S2)가 닫힌 상태의 센싱 장치(200)가 도시되었다.

일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 하나의 행에 포함된 복수의 화소(PX1, PX, …, PXn)의 전기적 신호(a1, a2, …, an)를 각각 센싱한다. 센싱 장치(200)는 하나의 행에 포함된 복수의 화소(PX1, PX, …, PXn)의 전기적 신호(a1, a2, …, an)를 각각 센싱하는 과정을, 복수의 행 각각에 대하여 반복할 수 있다. 이에 따라 표시 패널(100)에 구비된 모든 화소(PX)에 대한 전기적 신호가 센싱될 수 있다.

도 6을 참조하면, 제1 스위치(S1)가 열리고 제2 스위치(S2)가 닫히면, 복수의 센싱 회로(SC)는 전기적 신호(a1, a2, …, an)를 센싱하여 센싱 신호(x1, x2, …, xn)를 출력한다. 센싱 신호{xn}는 화소{PXn}의 전기적 신호{an}를 센싱 회로{SC[(n-1)/k]} ([(n-1)/k]은, (n-1)/k의 계단함수이다.)로 센싱한 값이다. 도 6의 예를 들면, 센싱 신호(x1)는 제1 화소(PX1)의 전기적 신호(a1)를 제1 센싱 회로(SC1)로 센싱한 값이고, 센싱 신호(x2)는 제2 화소(PX2)의 전기적 신호(a2)를 제1 센싱 회로(SC1)로 센싱한 값이다. 도 6을 참조하면, 전기적 신호(a1, a2, … an)가 센싱 회로(SC1, SC2, …, SC[(n-1)/k])에 입력되는 경로가 점선으로 도시되었다.

일 실시예에 따르면 각 센싱 회로(SC)는 복수의 전기적 신호를 획득하고, 복수의 센싱 신호를 출력할 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 신호(SC1)는 복수의 전기적 신호(a1, a2, a3)를 획득하고, 복수의 센싱 신호(x1, x2, x3)를 출력한다.

도 7은 도 5에 도시된 제2 스위치(S2)가 열린 상태를 도시한 것이다.

도 7을 참조하면, 제1 스위치 활성 신호(PS1)에 의해 제1 스위치(S1)가 닫히고, 제2 스위치 활성 신호(PS2)에 의해 제2 스위치(S2)가 열린 상태의 센싱 장치(200)가 도시되었다.

도 7을 참조하면, 제1 스위치(S1)가 닫히고 제2 스위치(S2)가 열리면, 복수의 센싱 회로(SC)는 센싱 신호(y1, y2, yn-1)를 출력한다. 센싱 신호{yn}는 화소{PXn}의 전기적 신호{an}를 센싱 회로{SC[(n-1)/k]+2}로 센싱한 값이다. 도 7의 예를 들면, 센싱 신호(y1)는 제1 화소(PX1)의 전기적 신호(a1)를 제2 센싱 회로(SC2)로 센싱한 값이다. 도 7을 참조하면, 제1 화소(PX)의 전기적 신호(a1)가 제2 센싱 회로(SC2)에 입력되는 경로가 점선으로 도시되었다.

도 6 및 도 7를 함께 참조하여, 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 산출하여 센싱 신호{xn}를 보상하는 방법을 설명한다. 센싱 데이터 출력부(210)는 센싱 신호{xn}와 센싱 신호{yn}를 이용하여, 각 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 산출한다.

센싱 회로(SC)의 특성 편차를 산출할 때, 소정의 센싱 회로(SC)의 특성이 기준으로 설정될 수 있다. 예를 들어, 제1 센싱 회로(SC1)의 특성을 기준으로, 나머지 센싱 회로(SC)의 특성 편차가 산출될 수 있다. 센싱 데이터 출력부(210)는 아래의 수학식 1에 따라 각 센싱 회로(SC)의 특성 편차를 산출할 수 있다.

수학식 3에서, d[i]는 센싱 회로(SC)의 특성 편차이다. 예를 들어, d[1]은 제1 센싱 회로(SC1)의 특성 편차이고, d[2]는 제2 센싱 회로(SC2)의 특성 편차이다. N은 센싱 회로(SC)의 개수이다. 제1 센싱 회로(SC1)의 특성을 기준으로 편차를 산출하는 경우, d1은 0으로 설정된다.

수학식 3을 참조하면, 센싱 데이터 출력부(210)는 동일한 전기적 신호를 두 개의 센싱 회로(SC)로 각각 측정한 결과의 차이로부터, 두 센싱 회로(SC)의 특성 편차를 산출한다. 예를 들어, 동일한 전기적 신호(a1)를 두 개의 센싱 회로(SC1, SC2)로 각각 측정한 결과(x1, y1)의 차이(y1-x1)로부터, 제1 센싱 회로(SC1)와 제2 센싱 회로(SC2) 간의 특성 편차(d2)를 산출한다.

수학식 3은 도 5 내지 도 7에 도시된 센싱 장치(200)에서 센싱 회로(SC)의 특성 편차를 산출하는 수학식의 예이므로, 센싱 장치(200)의 설계 변형에 따라 수학식 3이 변형될 수 있다.

센싱 데이터 출력부(210)는 아래의 수학식 4에 따라, 센싱 신호{xn}에서 센싱 회로(SC)간의 특성 편차로 인한 오차를 보상한다.

수학식 4에서, x'[i]는 센싱 회로(SC)의 특성 편차로 인한 오차가 보상된, 최종 센싱 데이터이다. 도 5 내지 도 7에 도시된 예에서는, x'[1]는 제1 화소(PX1)에 대한 센싱 데이터이고, x'[2]는 제2 화소(PX2)에 대한 센싱 데이터이다. 도 5 내지 도 7에서는 k가 3인 예가 도시되었으므로, 이를 수학식 4에 적용하면 아래의 수학식 5를 얻을 수 있다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)의 또 다른 변형예를 도시한 것이다.

제2 스위치(S2)는 제1 센싱 회로(SC1)에 대응되는 복수의 화소 열(C1, C2, C3) 각각의 센싱 라인(SL1, SL2, SL3) 중, 어느 하나의 센싱 라인과, 제2 센싱 회로(SC2)를 연결한다. 전술한 도 5 내지 도 7에서는 제1 센싱 회로(SC1)에 대응되는 복수의 화소 열(C1, C2, C3) 각각의 센싱 라인(SL1, SL2, SL3) 중, 제1 센싱 라인(SL1)이 제2 스위치(S2)에 의해 제2 센싱 회로(SC2)에 연결된 예가 도시되었다. 그러나 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 8에 도시된 것과 같이 제3 센싱 라인(SL3)이 제2 스위치(S2)에 의해 제2 센싱 회로(SC2)에 연결되어도 무방하다.

한편, 도 8을 참조하면, 센싱 장치(200)는 더미 스위치(DS)를 더 포함할 수 있다. 더미 스위치(DS)는 제2 스위치(S2)과 연결되지 않는 센싱 라인들(SL)에 연결된다. 센싱 라인(SL)에 걸리는 더미 스위치(DS)의 부하(load)는 제2 스위치(S2)의 부하와 동일하게 형성되는 것이 바람직하다. 일부 센싱 라인(SL)에만 제2 스위치(S2)가 연결되면, 제2 스위치(S2)가 연결된 센싱 라인(SL)과 그렇지 않은 센싱 라인(SL)의 부하가 달라지게 되고, 전기적 신호를 센싱할 때 오차가 발생하게 된다. 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 더미 스위치(DS)를 포함함으로써, 센싱 라인들(SL)의 부하를 동일하게 형성할 수 있고, 전기적 신호를 정확한 값으로 센싱할 수 있다.

도 8에 도시된 것과 같이, 더미 스위치(DS)들의 일단은 센싱 라인(SL)에 연결되고, 더미 스위치(DS)들의 타단은 플로팅(floating)될 수 있다. 그러나 본 발명이 이에 한정되지 않는다.

도 9는 일 실시예에 따른 센싱 데이터 획득 방법을 도시한 흐름도이다.

도 9를 참조하면, 단계 91에서 센싱 장치(200)는 제1 센싱 회로를 이용하여, 제1 화소 열에 포함된 제1 화소에 대한 센싱 신호 x1를 획득하고, 제1 센싱 회로에 인접하여 구비된 제2 센싱 회로를 이용하여, 제2 화소 열에 포함된 제2 화소에 대한 센싱 신호 x2를 획득한다.

단계 92에서 센싱 장치(200)는 제2 센싱 회로를 이용하여 제1 화소에 대한 센싱 신호 y1를 획득한다.

단계 93에서 센싱 장치(200)는 센싱 신호 y1과 센싱 신호 x1의 편차를 이용하여, 센싱 신호 x1 또는 x2를 보정하여, 센싱 데이터 x'1 또는 x'2를 생성한다.

도 9에 도시되지 않았으나, 센싱 장치(200)는 센싱 데이터를 이용하여, 화소(PX) 특성 편차를 보상하기 위한 파라미터를 생성할 수 있고, 파라미터를 메모리에 저장하거나 출력할 수 있다.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 장치(200)는 표시 패널(100)과 분리된 장치로써 구비될 수도 있고, 표시 패널(100)과 동일한 기판 상에 형성되어 표시패널(100)과 일체 형으로 구비될 수도 있다. 전술한 센싱 데이터 출력부(210)의 기능 중 적어도 일부는, 표시 패널(100)의 표시를 제어하는 제어부(미도시)에 의해 수행될 수도 있다. 전술한 센싱 데이터 출력부(210)는, 표시 패널(100)의 제어부로부터 제공되는 제어 신호에 따라 구동될 수 있다.

전술한 본 발명의 실시예에 따른 센싱 데이터는, 각 화소(PX) 별 특성 편차를 반영하여 영상 데이터를 보정하는 데에 사용될 수 있다. 예를 들어, 표시 패널(100)의 모든 화소(PX)에 대해 동일한 영상 신호를 인가한 상태에서, 모든 화소(PX)에 대한 센싱 데이터를 획득한 경우, 각 센싱 데이터의 차이는 각 화소(PX)의 특성 편차에 대응될 수 있다. 화소(PX)의 특성 편차는 화소(PX)에 포함된 트랜지스터의 특성 편차에서 기인할 수도 있고, 화소(PX)를 사용함에 따른 열화 정도의 차이에서 기인할 수도 있다.

일 실시예에 따른 표시 장치는, 센싱 데이터를 이용하여 각 화소(PX)의 특성 편차 보상 파라미터를 생성하고, 파라미터를 이용해 표시 패널(100)에 입력되는 영상 신호를 보정할 수 있다. 이에 따르면, 화소(PX)의 특성 편차에 따른 영상 얼룩이 저감된다.

전술한 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 데이터를 획득하는 과정은, 표시 장치에 기설정된 이벤트가 감지되었을 때에 수행되거나, 사용자의 트리거에 의해 수동으로 시작되어 수행될 수 있다. 이벤트는 예컨대 표시 장치의 전원의 온 또는 오프일 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 센싱 데이터가 획득되면, 표시 장치의 메모리에 센싱 데이터가 저장될 수 있다. 센싱 데이터를 가공하여 획득된, 각 화소(PX)의 편차 보상을 위한 파라미터가 메모리에 저장될 수도 있음은 물론이다. 파라미터는 표시 장치의 제어부가 영상 신호를 보정하는 데에 사용될 수 있으며, 센싱 장치(200)에 의해 주기적으로, 또는 비주기적으로 업데이트될 수 있다.

전술한 본 발명의 실시예들에 있어서, 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 계산할 때 동일한 전기적 신호를 서로 다른 센싱 회로(SC)로 측정한 값의 차(difference)를 이용하는 예, 즉 뺄셈 연산을 이용하는 예가 설명되었지만, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 예를 들어, 동일한 전기적 신호를 서로 다른 센싱 회로(SC)로 측정한 값의 비율을 이용하여 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 계산할 수도 있다. 그 외에도 다양한 연산 방법으로 센싱 회로(SC) 간의 특성 편차를 정의할 수 있을 것이다.

한편, 도 9에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 센싱 데이터 획득 방법은 컴퓨터에서 실행될 수 있는 프로그램으로 작성 가능하고, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 이용하여 상기 프로그램을 동작시키는 범용 디지털 컴퓨터에서 구현될 수 있다. 상기 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드 디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, 시디롬, 디브이디 등)와 같은 저장매체를 포함한다.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

100: 표시 패널
200: 센싱 장치
210: 센싱 데이터 출력부
PX: 화소
SC: 센싱 회로
SL: 센싱 라인
S1: 제1 스위치
S2: 제2 스위치

Claims

행 방향과 열 방향으로 배열된 복수의 화소의 전기적 신호를 센싱하는 센싱 장치에 있어서,
제1 화소 열에 대응하는 제1 센싱 회로, 및 제2 화소 열에 대응하는 제2 센싱 회로를 포함하는 복수의 센싱 회로;
상기 제1 화소 열에 대응하는 제1 센싱 라인과 상기 제1 센싱 회로 사이에 연결되는 제1 직렬 스위치, 및 상기 제2 화소 열에 대응하는 제2 센싱 라인과 상기 제2 센싱 회로 사이에 연결되는 제2 직렬 스위치를 포함하는 복수의 직렬 스위치; 및
상기 제1 센싱 라인과 상기 제2 센싱 회로 사이에 연결되는 제1 크로스 스위치를 포함하는 복수의 크로스 스위치를 포함하는 센싱 장치.
삭제
제1 항에 있어서,
상기 복수의 센싱 회로는 제3 센싱 회로를 더 포함하고,
상기 복수의 직렬 스위치는 제3 화소 열에 대응하는 제3 센싱 라인과 상기 제3 센싱 회로 사이에 연결되는 제3 직렬 스위치를 더 포함하고,
상기 복수의 크로스 스위치는 상기 제2 센싱 라인과 상기 제3 센싱 회로 사이에 연결되는 제2 크로스 스위치를 더 포함하는 센싱 장치.
제1 항에 있어서,
상기 복수의 센싱 회로는 제1 내지 제n 화소 열에 각각 대응하는 제1 내지 제n 센싱 회로를 포함하고,
상기 복수의 직렬 스위치는 상기 제1 내지 제n 화소 열에 각각 대응하는 제1 내지 제n 센싱 라인과 상기 제1 내지 제n 센싱 회로 사이에 각각 연결되는 제1 내지 제n 직렬 스위치를 포함하고,
상기 복수의 크로스 스위치는 상기 제1 내지 제(n-1) 센싱 라인과 상기 제2 내지 제n 센싱 회로 사이에 각각 연결되는 제1 내지 제(n-1) 크로스 스위치를 포함하는 센싱 장치.
제4 항에 있어서,
상기 제1 내지 제n 직렬 스위치는 제1 제어 신호에 의해 동시에 제어되고,
상기 제1 내지 제(n-1) 크로스 스위치는 제2 제어 신호에 의해 동시에 제어되는 센싱 장치.
제1 항에 있어서,
상기 센싱 회로는 아날로그-디지털 컨버터를 포함하고, 상기 전기적 신호는 상기 복수의 화소 각각의 발광 소자의 양단 전압인 센싱 장치.
제1 항에 있어서,
상기 센싱 회로는 인티그레이터 및 아날로그-디지털 컨버터를 포함하고, 상기 전기적 신호는 상기 복수의 화소 각각의 발광 소자의 구동 전류인 센싱 장치.
행 방향과 열 방향으로 배열된 복수의 화소의 전기적 신호를 센싱하는 센싱 장치에 있어서,
제1 센싱 회로 및 제2 센싱 회로를 포함하는 복수의 센싱 회로;
제1 내지 제k 화소 열에 대응하는 제1 내지 제k 센싱 라인을 상기 제1 센싱 회로에 연결하는 복수의 제1 직렬 스위치, 및 제(k+1) 내지 제(2k) 화소 열에 대응하는 제(k+1) 내지 제(2k) 센싱 라인을 상기 제2 센싱 회로에 연결하는 복수의 제2 직렬 스위치를 포함하는 복수의 직렬 스위치; 및
상기 제1 내지 제k 센싱 라인 중 하나의 센싱 라인과 상기 제2 센싱 회로 사이에 연결되는 제1 크로스 스위치를 포함하는 복수의 크로스 스위치를 포함하는 센싱 장치.
제8 항에 있어서,
상기 복수의 센싱 회로는 제3 센싱 회로를 더 포함하고,
상기 복수의 직렬 스위치는 제(2k+1) 내지 제(3k) 화소 열에 대응하는 제(2k+1) 내지 제(3k) 센싱 라인을 상기 제3 센싱 회로에 연결하는 복수의 제3 직렬 스위치를 더 포함하고,
상기 복수의 크로스 스위치는 상기 제(k+1) 내지 제(2k) 센싱 라인 중 하나의 센싱 라인과 상기 제3 센싱 회로 사이에 연결되는 제2 크로스 스위치를 더 포함하는 센싱 장치.
제8 항에 있어서,
상기 제1 내지 제k 센싱 라인 중 상기 제1 크로스 스위치에 연결되는 상기 하나의 센싱 라인을 제외한 나머지 센싱 라인들 각각에 연결되는 복수의 더미 스위치를 더 포함하는 센싱 장치.
제10 항에 있어서,
상기 복수의 직렬 스위치는 제1 제어 신호에 의해 동시에 제어되고,
상기 복수의 크로스 스위치는 제2 제어 신호에 의해 동시에 제어되고,
상기 제2 제어 신호는 상기 복수의 더미 스위치에 인가되는 센싱 장치.
행 방향과 열 방향으로 배열된 복수의 화소, 상기 복수의 화소 중 제1 화소 열의 화소들에 연결되는 제1 센싱 라인, 및 상기 복수의 화소 중 제2 화소 열의 화소들에 연결되는 제2 센싱 라인을 포함하는 표시 패널; 및
상기 복수의 화소의 전기적 신호를 센싱하는 센싱 장치;를 포함하고,
상기 센싱 장치는,
상기 제1 화소 열에 대응하는 제1 센싱 회로, 및 상기 제2 화소 열에 대응하는 제2 센싱 회로를 포함하는 복수의 센싱 회로;
상기 제1 센싱 라인과 상기 제1 센싱 회로 사이에 연결되는 제1 직렬 스위치, 및 상기 제2 센싱 라인과 상기 제2 센싱 회로 사이에 연결되는 제2 직렬 스위치를 포함하는 복수의 직렬 스위치; 및
상기 제1 센싱 라인과 상기 제2 센싱 회로 사이에 연결되는 제1 크로스 스위치를 포함하는 복수의 크로스 스위치를 포함하는 표시 장치.
센싱 장치를 이용하여, 행 방향과 열 방향으로 배열된 복수의 화소의 전기적 신호를 센싱하는 센싱 방법에 있어서,
상기 센싱 장치는 제1 화소 열에 대응하는 제1 센싱 회로 및 제2 화소 열에 대응하는 제2 센싱 회로를 포함하고,
상기 방법은
상기 제1 센싱 회로를 이용하여 상기 제1 화소 열에 포함된 제1 화소의 전기적 신호를 센싱하여 제1 센싱 신호 x1을 획득하고, 상기 제2 센싱 회로를 이용하여 상기 제2 화소 열에 포함된 제2 화소의 전기적 신호를 센싱하여 제2 센싱 신호 x2를 획득하는 제1 단계;
상기 제2 센싱 회로를 이용하여 상기 제1 화소의 전기적 신호를 센싱하여 제1 비교 센싱 신호 y1을 획득하는 제2 단계; 및
상기 제1 센싱 신호 x1와 상기 제1 비교 센싱 신호 y1의 편차를 이용하여, 상기 제1 센싱 회로와 상기 제2 센싱 회로의 특성 편차 d를 산출하는 제3 단계를 포함하는 센싱 방법.
제13 항에 있어서,
상기 특성 편차 d를 이용하여 상기 제2 센싱 신호 x2를 보정하여 제2 보정 센싱 신호 x'2를 생성하는 제4 단계; 및
상기 제1 센싱 신호 x1를 상기 제1 화소의 센싱 데이터로써 출력하고, 상기 제2 보정 센싱 신호 x'2를 상기 제2 화소의 센싱 데이터로써 출력하는 제5 단계를 더 포함하는 센싱 방법.
제13 항에 있어서,
상기 센싱 장치는,
상기 제1 화소 열에 대응하는 제1 센싱 라인과 상기 제1 센싱 회로 사이에 연결되는 제1 직렬 스위치, 및 상기 제2 화소 열에 대응하는 제2 센싱 라인과 상기 제2 센싱 회로 사이에 연결되는 제2 직렬 스위치를 포함하는 복수의 직렬 스위치; 및
상기 제1 센싱 라인과 상기 제2 센싱 회로 사이에 연결되는 제1 크로스 스위치를 포함하는 복수의 크로스 스위치를 더 포함하고,
상기 제1 단계에서, 상기 제1 직렬 스위치와 상기 제2 직렬 스위치를 동시에 턴 온 하고, 상기 제1 크로스 스위치가 턴 오프 하며,
상기 제2 단계에서, 상기 제1 크로스 스위치를 턴 온 하고, 상기 제1 직렬 스위치 및 상기 제2 직렬 스위치를 턴 오프하는 센싱 방법.