WO2015016196A1 - 表示装置およびその駆動方法 - Google Patents

Abstract

　回路素子の劣化を補償するために外部補償技術が採用されている表示装置において、ノイズに起因する補償精度の低下を防止する。　電流によって輝度が制御される電気光学素子と当該電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む画素回路を有する表示装置において、ノイズを測定するノイズ測定ステップ（Ｓ１１０）と、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性を検出する特性検出ステップ（Ｓ１３０，Ｓ１４０）と、映像信号を補正するための補正データを特性検出ステップでの検出結果に基づいて更新する補正データ更新ステップ（Ｓ１５０）と、補正データに基づいて映像信号を補正する映像信号補正ステップ（Ｓ１６０）とが駆動方法に含められる。ノイズ測定ステップ（Ｓ１１０）で基準値以上のノイズが検出されると、補正データ更新ステップ（Ｓ１５０）の処理が行われない。

Description

表示装置およびその駆動方法

　本発明は表示装置およびその駆動方法に関し、より詳しくは、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子などの電気光学素子を含む画素回路を備える表示装置およびその駆動方法に関する。

　従来より、表示装置が備える表示素子としては、印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子と流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子とがある。印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としては液晶表示素子が挙げられる。一方、流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としては有機ＥＬ素子が挙げられる。有機ＥＬ素子は、ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれている。自発光型の電気光学素子である有機ＥＬ素子を使用した有機ＥＬ表示装置は、バックライトおよびカラーフィルタなどを要する液晶表示装置に比べて、容易に薄型化・低消費電力化・高輝度化などを図ることができる。従って、近年、積極的に有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。

　有機ＥＬ表示装置の駆動方式として、パッシブマトリクス方式（単純マトリクス方式とも呼ばれる。）とアクティブマトリクス方式とが知られている。パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置は、構造は単純であるものの、大型化および高精細化が困難である。これに対して、アクティブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置（以下「アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置」という。）は、パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置に比べて大型化および高精細化を容易に実現できる。

　アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置には、複数の画素回路がマトリクス状に形成されている。アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の画素回路は、典型的には、画素を選択する入力トランジスタと、有機ＥＬ素子への電流の供給を制御する駆動トランジスタとを含んでいる。なお、以下においては、駆動トランジスタから有機ＥＬ素子に流れる電流のことを「駆動電流」という場合がある。

　図５１は、従来の一般的な画素回路９１の構成を示す回路図である。この画素回路９１は、表示部に配設されている複数のデータ線Ｓと複数の走査線Ｇとの各交差点に対応して設けられている。図５１に示すように、この画素回路９１は、２個のトランジスタＴ１，Ｔ２と、１個のコンデンサＣｓｔと、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを備えている。トランジスタＴ１は入力トランジスタであり、トランジスタＴ２は駆動トランジスタである。

　トランジスタＴ１は、データ線ＳとトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇにゲート端子が接続され、データ線Ｓにソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線にドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にソース端子が接続されている。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線のことを以下「ハイレベル電源線」といい、ハイレベル電源線にはハイレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＤＤを付す。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のソース端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子は、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線に接続されている。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線のことを以下「ローレベル電源線」といい、ローレベル電源線にはローレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＳＳを付す。また、ここでは、トランジスタＴ２のゲート端子と、コンデンサＣｓｔの一端と、トランジスタＴ１のドレイン端子との接続点のことを便宜上「ゲートノードＶＧ」という。なお、一般的には、ドレインとソースのうち電位の高い方がドレインと呼ばれているが、本明細書の説明では、一方をドレイン，他方をソースと定義するので、ドレイン電位よりもソース電位の方が高くなることもある。

　図５２は、図５１に示す画素回路９１の動作を説明するためのタイミングチャートである。時刻ｔ１以前には、走査線Ｇは非選択状態となっている。従って、時刻ｔ１以前には、トランジスタＴ１がオフ状態になっており、ゲートノードＶＧの電位は初期レベル（例えば、１つ前のフレームでの書き込みに応じたレベル）を維持している。時刻ｔ１になると、走査線Ｇが選択状態となり、トランジスタＴ１がターンオンする。これにより、データ線ＳおよびトランジスタＴ１を介して、この画素回路９１が形成する画素（サブ画素）の輝度に対応するデータ電圧ＶｄａｔａがゲートノードＶＧに供給される。その後、時刻ｔ２までの期間に、ゲートノードＶＧの電位がデータ電圧Ｖｄａｔａに応じて変化する。このとき、コンデンサＣｓｔは、ゲートノードＶＧの電位とトランジスタＴ２のソース電位との差であるゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに充電される。時刻ｔ２になると、走査線Ｇが非選択状態となる。これにより、トランジスタＴ１がターンオフし、コンデンサＣｓｔが保持するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが確定する。トランジスタＴ２は、コンデンサＣｓｔが保持するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。その結果、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　ところで、有機ＥＬ表示装置においては、駆動トランジスタとして、典型的には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が採用される。しかしながら、薄膜トランジスタについては、その特性にばらつきが生じやすい。具体的には、閾値電圧にばらつきが生じやすい。表示部内に設けられている駆動トランジスタに閾値電圧のばらつきが生じると、輝度のばらつきが生じるので表示品位が低下する。また、有機ＥＬ素子に関しては、時間の経過とともに電流効率が低下する。従って、たとえ一定電流が有機ＥＬ素子に供給されたとしても、時間の経過とともに輝度が徐々に低下する。その結果、焼き付きが生じる。

　駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化に対して何ら補償が行われなければ、図５３に示すように、駆動トランジスタの劣化に起因する電流低下が生じるとともに有機ＥＬ素子の劣化に起因する輝度低下が生じる。また、駆動トランジスタの劣化に対して補償が行われても、有機ＥＬ素子の劣化に対して補償が行われなければ、図５４に示すように、時間が経過するにつれて、有機ＥＬ素子の劣化に起因する輝度低下が生じる。そこで、従来より、有機ＥＬ表示装置に関し、回路素子の劣化を補償する技術が提案されている。

　補償処理に関する技術としては、画素回路の内部で例えば駆動トランジスタのゲート－ソース間に設けられたコンデンサに当該駆動トランジスタの閾値電圧を保持することによって補償処理を行う内部補償技術と、例えば所定条件下で駆動トランジスタを流れる電流の大きさを画素回路の外部に設けられた回路で測定してその測定結果に基づいて映像信号を補正することによって補償処理を行う外部補償技術とが知られている。

　なお、本件発明に関連して、以下の先行技術文献が知られている。日本の特表２００８－５２３４４８号公報には、駆動トランジスタの特性や有機ＥＬ素子の特性に基づいてデータを補正する外部補償技術が開示されている。日本の特開２００７－２３３３２６号公報には、駆動トランジスタの閾値電圧や電子移動度に関わらず均一な輝度の画像表示を可能にする外部補償技術が開示されている。

日本の特表２００８－５２３４４８号公報 日本の特開２００７－２３３３２６号公報

　ところが、有機ＥＬ表示装置において外部補償技術が採用された場合、数十ナノアンペア程度のわずかな電流を検出することによって補償処理が行われる。このため、例えば帯電物質の接近に起因して検出電流にノイズが混入すると、本来の電流値と測定値との間に無視することのできない程度の誤差が生じる。また、近年、タッチパネルを搭載した有機ＥＬ表示装置の市販が開始されている。これに関し、タッチパネルは比較的ノイズを生じやすい。従って、タッチパネルから発せられるノイズの影響によって、本来の電流値と測定値との間に誤差が生じることが考えられる。以上のように、有機ＥＬ表示装置において外部補償技術が採用された場合には、帯電物質の接近やタッチパネルの存在に起因して検出電流にノイズが混入し、検出電流のＳ／Ｎ比が悪化することが懸念される（図５５参照）。検出電流のＳ／Ｎ比が悪化すると、補償の精度が低下する。

　上述した日本の特表２００８－５２３４４８号公報および日本の特開２００７－２３３３２６号公報には、ノイズに関することは何ら記載されていない。従って、ノイズが混入した場合には、検出電流のＳ／Ｎ比が悪化し、補償の精度が低下する。

　そこで、本発明は、回路素子の劣化を補償するために外部補償技術が採用されている表示装置において、ノイズに起因する補償精度の低下を防止することを目的とする。

　本発明の第１の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置の駆動方法であって、
　ノイズを測定するノイズ測定ステップと、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する特性検出ステップと、
　前記表示装置に設けられた補正データ記憶部に記憶されている補正データを前記特性検出ステップでの検出結果に基づいて更新する補正データ更新ステップと、
　前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給するための映像信号を前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて補正する映像信号補正ステップと
を含み、
　前記ノイズ測定ステップで基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直後における前記特性検出ステップの処理が行われない、または、当該ノイズが検出された時点の近傍の時点に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理が行われないことを特徴とする。

　本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直前に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理および当該ノイズが検出された時点の直後に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理の少なくとも一方が行われないことを特徴とする。

　本発明の第３の局面は、本発明の第１の局面において、
　フレーム期間において、前記特性検出ステップでは、前記画素マトリクスの１つの行のみについて前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性が検出され、
　Ｚ行目（Ｚは１以上ｎ以下の整数）についての前記特性検出ステップの処理が行われたフレーム期間のことを対象フレーム期間と定義したとき、
　　前記対象フレーム期間において前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出された場合には、前記対象フレーム期間に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理は行われず、前記対象フレーム期間の次のフレーム期間においてもＺ行目についての前記特性検出ステップの処理が行われ、
　　前記対象フレーム期間において前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出されず、かつ、前記対象フレーム期間の次のフレーム期間において前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出された場合には、前記対象フレーム期間に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理および前記対象フレーム期間の次のフレーム期間に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理は行われず、前記対象フレーム期間の２フレーム後のフレーム期間においてもＺ行目についての前記特性検出ステップの処理が行われることを特徴とする。

　本発明の第４の局面は、本発明の第１の局面において、
　フレーム期間において、前記特性検出ステップでは、前記画素マトリクスの１つの行のみについて前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性が検出され、
　Ｚ行目（Ｚは１以上ｎ以下の整数）についての前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理は、Ｚ行目についての前記特性検出ステップの直前に行われた前記ノイズ測定ステップおよびＺ行目についての前記特性検出ステップの直後に行われた前記ノイズ測定ステップの双方で前記基準値以上のノイズが検出されなかったときのみ行われることを特徴とする。

　本発明の第５の局面は、本発明の第４の局面において、
　フレーム期間において、前記特性検出ステップの前後に前記ノイズ測定ステップの処理が行われることを特徴とする。

　本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
　複数のフレーム期間毎に前記ノイズ測定ステップの処理が行われることを特徴とする。

　本発明の第７の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記特性検出ステップは、
　　前記駆動トランジスタの特性を検出する第１の特性検出ステップと、
　　前記電気光学素子の特性を検出する第２の特性検出ステップと
を含み、
　１フレーム期間は、前記ノイズ測定ステップの処理が行われるノイズ測定期間と、前記電気光学素子を発光させる準備が行われる選択期間と、前記電気光学素子の発光が行われる発光期間とを含み、
　前記第１の特性検出ステップの処理は、前記選択期間に行われ、
　前記第２の特性検出ステップの処理は、前記発光期間に行われることを特徴とする。

　本発明の第８の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第２の特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電流が与えられた状態で前記電気光学素子の陽極の電圧を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第９の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第２の特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電圧が与えられた状態で前記電気光学素子に流れる電流を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第１０の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記第１の特性検出ステップでは、前記駆動トランジスタのゲート－ソース間の電圧を所定の大きさにした状態で前記駆動トランジスタのドレイン－ソース間を流れる電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第１１の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記表示装置は、タッチパネルを更に有し、
　前記タッチパネルによるクロック動作が行われる期間を通じて前記特性検出ステップの処理が行われないことを特徴とする。

　本発明の第１２の局面は、本発明の第１１の局面において、
　前記タッチパネルは、垂直帰線期間中にクロック動作を行い、
　垂直帰線期間を通じて前記特性検出ステップの処理が行われないことを特徴とする。

　本発明の第１３の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置であって、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する特性検出処理を行いつつ前記ｎ×ｍ個の画素回路を駆動する画素回路駆動部と、
　映像信号を補正するための補正データが記憶される補正データ記憶部と、
　前記補正データ記憶部に記憶されている補正データを前記特性検出処理での検出結果に基づいて更新する補正データ更新処理および前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給するための映像信号を前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて補正する映像信号補正処理を行いつつ前記画素回路駆動部の動作を制御する制御部と、
　ノイズを測定するノイズ測定部と
を備え、
　前記制御部は、前記ノイズ測定部によって基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直後における前記特性検出処理が行われないよう前記画素回路駆動部の動作を制御する、または、当該ノイズが検出された時点の近傍の時点に行われた前記特性検出処理での検出結果に基づく前記補正データ更新処理を行わないことを特徴とする。

　本発明の第１４の局面は、本発明の第１３の局面において、
　前記制御部は、前記ノイズ測定部によって前記基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直前に行われた前記特性検出処理での検出結果に基づく前記補正データ更新処理および当該ノイズが検出された時点の直後に行われた前記特性検出処理での検出結果に基づく前記補正データ更新処理の少なくとも一方を行わないことを特徴とする。

　本発明の第１５の局面は、本発明の第１３の局面において、
　前記画素マトリクスの各列に対応するように設けられたモニタ線を更に備え、
　前記画素回路駆動部は、前記モニタ線を流れる電流または前記モニタ線上の所定の位置の電圧を測定することによって前記特性検出処理を行う特性検出部を含むことを特徴とする。

　本発明の第１６の局面は、本発明の第１５の局面において、
　前記ノイズ測定部は、前記特性検出部と同じ回路を共有し、
　前記ノイズ測定部によるノイズの測定が行われるときには、前記モニタ線は前記電気光学素子および前記駆動トランジスタとは電気的に切り離された状態にされることを特徴とする。

　本発明の第１７の局面は、本発明の第１５の局面において、
　前記ノイズ測定部は、前記特性検出部とは別に、前記画素マトリクスを含む有機ＥＬパネルの外部に設けられていることを特徴とする。

　本発明の第１８の局面は、本発明の第１５の局面において、
　前記特性検出部は、Ｋ本のモニタ線（Ｋは２以上ｍ以下の整数）につき１つだけ設けられ、
　フレーム期間において、
　　前記Ｋ本のモニタ線のうちの１つが前記特性検出部と電気的に接続され、
　　前記特性検出部と電気的に接続されていないモニタ線は、ハイインピーダンスの状態にされていることを特徴とする。

　本発明の第１９の局面は、本発明の第１３の局面において、
　タッチパネルを更に備え、
　前記制御部は、前記タッチパネルによるクロック動作が行われる期間を通じて前記特性検出処理が停止するよう、前記画素回路駆動部の動作を制御することを特徴とする。

　本発明の第２０の局面は、本発明の第１９の局面において、
　前記タッチパネルは、垂直帰線期間中にクロック動作を行い、
　前記制御部は、垂直帰線期間を通じて前記特性検出処理が停止するよう、前記画素回路駆動部の動作を制御することを特徴とする。

　本発明の第１の局面によれば、電流によって輝度が制御される電気光学素子（例えば有機ＥＬ素子）と当該電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む画素回路を有する表示装置の駆動方法に、ノイズを測定するノイズ測定ステップが含められる。ノイズ測定ステップで検出されたノイズの大きさが基準値未満であれば、駆動トランジスタや電気光学素子の特性の検出結果を考慮して得られた補正データを用いて映像信号が補正される。このようにして補正された映像信号が画素回路に供給されるので、駆動トランジスタや電気光学素子の劣化が補償されるような大きさの駆動電流が電気光学素子に供給される。ここで、ノイズ測定ステップで検出されたノイズの大きさが基準値以上であれば、補正データの更新は行われない。すなわち、回路素子の劣化に対する外部補償のための検出電流に関して本来の電流値と測定値との間に無視することのできない程度の誤差が生じているような時には、補正データは更新されない。従って、補正データの値が不適切な値となることによる補償精度の低下が防止される。以上より、回路素子の劣化を補償するために外部補償技術が採用されている表示装置において、ノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　本発明の第２の局面によれば、本発明の第１の局面と同様の効果が得られる。

　本発明の第３の局面によれば、ノイズが生じている期間中、特性検出の対象となる行は維持される。このため、行によって特性検出の回数が異なることが防止される。これにより、駆動トランジスタや電気光学素子の劣化に対する補償を画面全体で一様に行うことが可能となり、輝度のばらつきの発生が効果的に防止される。

　本発明の第４の局面によれば、特性検出ステップの直前のノイズ測定ステップおよび特性検出ステップの直後のノイズ測定ステップの双方においてノイズの大きさが基準値未満であった場合にのみ、補正データの更新が行われる。このように特性検出が行われた期間の前後の期間におけるノイズの状態を考慮して補正データの更新が行われるので、補正データの値が不適切な値となることによる補償精度の低下がより効果的に防止される。

　本発明の第５の局面によれば、本発明の第４の局面と同様の効果が得られる。

　本発明の第６の局面によれば、ノイズを測定する頻度を低減しつつ、本発明の第１の局面と同様の効果が得られる。

　本発明の第７の局面によれば、駆動トランジスタの特性の検出は選択期間に行われ、電気光学素子の特性の検出は、電気光学素子の発光期間中に行われる。これにより、駆動トランジスタや電気光学素子の特性の検出するために発光期間の長さが従来よりも短くなることが抑制される。

　本発明の第８の局面によれば、特性を検出する電気光学素子には一定電流が供給される。このため、一定電流を電気光学素子に供給する時間を調整することによって、当該電気光学素子を所望の輝度で発光させることが可能となる。

　本発明の第９の局面によれば、電気光学素子の特性を検出するための測定時間の短縮が可能となる。

　本発明の第１０の局面によれば、比較的容易に駆動トランジスタの特性を検出することが可能となる。

　本発明の第１１の局面によれば、回路素子の劣化を補償するために外部補償技術が採用されている表示装置において、タッチパネルが搭載されていても、ノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　本発明の第１２の局面によれば、本発明の第１１の局面と同様の効果が得られる。

　本発明の第１３の局面によれば、本発明の第１の局面と同様の効果を表示装置の発明において奏することができる。

　本発明の第１４の局面によれば、本発明の第２の局面と同様の効果を表示装置の発明において奏することができる。

　本発明の第１５の局面によれば、画素マトリクスの各列に対応するように設けられたモニタ線を流れる電流または当該モニタ線上の所定の位置の電圧を測定することによって駆動トランジスタや電気光学素子の特性の検出を行う構成の表示装置において、ノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　本発明の第１６の局面によれば、特性検出部とは別にノイズ測定用の回路を設ける必要がない。このため、回路面積の増大を抑制しつつノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　本発明の第１７の局面によれば、フレーム期間中の任意のタイミングでノイズの測定を行うことが可能となる。

　本発明の第１８の局面によれば、１つの特性検出部が複数のモニタ線で共有化される。このため、回路面積の増大を抑制しつつノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　本発明の第１９の局面によれば、本発明の第１１の局面と同様の効果を表示装置の発明において奏することができる。

　本発明の第２０の局面によれば、本発明の第１２の局面と同様の効果を表示装置の発明において奏することができる。

本発明の第１の実施形態において、モニタ行のうちのモニタ列に着目したときの駆動方法の概略を説明するためのフローチャートである。 上記第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。 上記第１の実施形態において、信号変換回路の概略構成を示すブロック図である。 上記第１の実施形態における画素回路およびモニタ回路の構成を示す図である。 上記第１の実施形態における電流測定部の一構成例を示す図である。 上記第１の実施形態における電圧測定部の一構成例を示す図である。 上記第１の実施形態において、各行の動作の推移について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、ノイズ測定期間と特性検出期間との関係について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、或るフレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われる条件について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、基準値以上のノイズが検出されたときの動作について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、通常動作が行われる際の電流の流れについて説明するための図である。 上記第１の実施形態において、モニタ行のうちのモニタ列に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである（ノイズ測定期間に検出されたノイズの大きさが基準値未満である場合）。 上記第１の実施形態において、モニタ行のうちのモニタ列に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである（ノイズ測定期間に検出されたノイズの大きさが基準値以上である場合）。 上記第１の実施形態において、ノイズ測定期間の電流の流れについて説明するための図である。 上記第１の実施形態において、ＴＦＴ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。 上記第１の実施形態において、ＴＦＴ特性検出期間における参照電圧のデータ線への印加について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、発光期間の電流の流れについて説明するための図である。 上記第１の実施形態において、有機ＥＬ素子の発光時間の調整について説明するための図である。 上記第１の実施形態において、モニタ行と非モニタ行とでの発光期間の長さの違いについて説明するための図である。 上記第１の実施形態における制御アルゴリズムを説明するためのフローチャートである。 上記第１の実施形態における各制御の説明をするための図である。 上記第１の実施形態において、オフセットメモリおよびゲインメモリの更新の手順を説明するためのフローチャートである。 上記第１の実施形態における映像信号補正部の構成を示す図である。 上記第１の実施形態における効果について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第１の変形例において、モニタ行のうちのモニタ列に着目したときの駆動方法の概略を説明するためのフローチャートである。 上記第１の実施形態の第１の変形例において、或るフレームのノイズ測定期間に基準値以上のノイズが検出されたときの動作について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第２の変形例におけるモニタ行の推移を説明するための図である。 上記第１の実施形態の第２の変形例におけるモニタ行の推移を説明するための図である。 上記第１の実施形態の第２の変形例におけるモニタ行の推移を説明するための図である。 上記第１の実施形態の第３の変形例において、或るフレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われる条件について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第３の変形例において、基準値以上のノイズが検出されたときの動作について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第３の変形例における動作の概略を説明するためのフローチャートである。 上記第１の実施形態の第４の変形例において、ノイズ測定期間と特性検出期間との関係について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第５の変形例において、ノイズ測定期間と特性検出期間との関係について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第５の変形例において、基準値以上のノイズが検出されたときの動作について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第５の変形例において、或るフレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われる条件について説明するための図である。 上記第１の実施形態の第６の変形例において、複数フレーム毎にノイズの測定が行われることについて説明するための図である。 上記第１の実施形態の第７の変形例におけるモニタ線の一端部近傍の構成を示す図である。 上記第１の実施形態の第８の変形例における画素回路およびモニタ回路の構成を示す図である。 上記第１の実施形態の第８の変形例における電流測定部の詳細な構成を示す図である。 上記第１の実施形態の第８の変形例において、モニタ行のうちのモニタ列に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記第２の実施形態において、モニタ行のうちのモニタ列に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。 本発明の第３の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。 上記第３の実施形態における制御アルゴリズムを説明するためのフローチャートである。 上記第３の実施形態における各制御の説明をするための図である。 上記第３の実施形態における効果について説明するための図である。 従来の一般的な画素回路の構成を示す回路図である。 図５１に示す画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。 駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化に対して何ら補償が行われない場合について説明するための図である。 駆動トランジスタの劣化に対してのみ補償が行われた場合について説明するための図である。 タッチパネルから発せられるノイズの影響について説明するための図である。

　以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、以下においては、ｍおよびｎは２以上の整数、ｉは１以上ｎ以下の整数、ｊは１以上ｍ以下の整数であると仮定する。また、以下においては、画素回路内に設けられている駆動トランジスタの特性のことを「ＴＦＴ特性」といい、画素回路内に設けられている有機ＥＬ素子の特性のことを「ＯＬＥＤ特性」という。

　＜１．第１の実施形態＞
　＜１．１　全体構成＞
　図２は、本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置１は、表示部（有機ＥＬパネル）１０，コントロール回路２０，ソースドライバ（データ線駆動回路）３０，ゲートドライバ（走査線駆動回路）４０，オフセットメモリ５１，およびゲインメモリ５２を備えている。なお、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０の一方または双方が表示部１０と一体的に形成された構成であっても良い。また、オフセットメモリ５１とゲインメモリ５２とは物理的には１つのメモリで構成されていても良い。

　なお、本実施形態においては、コントロール回路２０によって制御部が実現され、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０によって画素回路駆動部が実現され、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２によって補正データ記憶部が実現されている。

　表示部１０には、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）およびこれらに直交するｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）が配設されている。以下では、データ線の延伸方向をＹ方向とし、走査線の延伸方向をＸ方向とする。Ｙ方向に沿った構成要素を「列」という場合があり、Ｘ方向に沿った構成要素を「行」という場合がある。また、表示部１０には、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）と１対１で対応するように、ｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）が配設されている。データ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）とモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）とは互いに平行になっている。さらに、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）と１対１で対応するように、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が配設されている。走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）とは互いに平行になっている。さらにまた、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）との交差点に対応するように、ｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられている。このようにｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられることによって、ｎ行×ｍ列の画素マトリクスが表示部１０に形成されている。また、表示部１０には、ハイレベル電源電圧を供給するハイレベル電源線と、ローレベル電源電圧を供給するローレベル電源線とが配設されている。

　なお、以下においては、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはデータ線を単に符号Ｓで表す。同様に、ｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはモニタ線を単に符号Ｍで表し、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）を互いに区別する必要がない場合には走査線を単に符号Ｇ１で表し、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）を互いに区別する必要がない場合にはモニタ制御線を単に符号Ｇ２で表す。

　コントロール回路２０は、ソースドライバ３０にデータ信号ＤＡ，ソース制御信号ＳＣＴＬ，および切替制御信号ＳＷを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ４０にゲート制御信号ＧＣＴＬを送信することによりゲートドライバ４０の動作を制御する。ソース制御信号ＳＣＴＬには、例えば、ソーススタートパルス，ソースクロック，ラッチストローブ信号が含まれている。ゲート制御信号ＧＣＴＬには、例えば、ゲートスタートパルスおよびゲートクロックが含まれている。また、コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯを受け取り、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２の更新を行う。なお、モニタデータＭＯとは、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を求めるために測定されたデータ（後述するノイズデータを含む）である。

　ゲートドライバ４０は、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）に接続されている。ゲートドライバ４０は、シフトレジスタおよび論理回路などによって構成されている。ところで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性に基づいて、外部から送られる映像信号（上記データ信号ＤＡの元となるデータ）に補正が施される。これに関し、各フレームにおいて、１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。すなわち、或るフレームに１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われると、次のフレームには２行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われ、さらに次のフレームには３行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。このようにして、ｎフレーム期間をかけて、ｎ行分のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。但し、各フレームにおいて、基準値以上のノイズが検出された列では、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出は行われない。

　ここで、１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるフレームを（ｋ＋１）フレーム目と定義すると、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）は、（ｋ＋１）フレーム目には図３に示すように駆動され、（ｋ＋２）フレーム目には図４に示すように駆動され、（ｋ＋ｎ）フレーム目には図５に示すように駆動される。なお、図３～図５に関し、ハイレベルの状態がアクティブな状態である。また、走査線Ｇ１がアクティブな状態になっている期間のことを「選択期間」という。この選択期間は、画素回路１１内に設けられている有機ＥＬ素子を発光させる準備を行うための期間である。図３～図５より把握されるように、各フレームにおいて、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる行に対応する走査線のみが、他の走査線よりも長い期間アクティブな状態とされる。以下、任意のフレームに着目したときに通常よりも長い選択期間が設けられている行のことを「モニタ行」といい、モニタ行以外の行のことを「非モニタ行」という。本実施形態では、各フレームにおいて、モニタ行でＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。但し、基準値以上のノイズが検出された列では、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出は行われない。各フレームにおいて、非モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態で維持される。これに対して、モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２については、選択期間のうち最初から所定期間にはアクティブな状態にされ、選択期間の残りの期間には非アクティブな状態とされ、その後、選択期間開始時点のほぼ１フレーム期間後までの期間には再びアクティブな状態とされる。本実施形態においては、以上のようにｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が駆動されるよう、ゲートドライバ４０が構成されている。

　ソースドライバ３０は、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）およびｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）に接続されている。ソースドライバ３０は、駆動信号発生回路３１と、信号変換回路３２と、ｍ個の出力回路３３０からなる出力部３３とによって構成されている。出力部３３内のｍ個の出力回路３３０はそれぞれｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）のうちの対応するデータ線Ｓおよびｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）のうちの対応するモニタ線Ｍに接続されている。

　駆動信号発生回路３１には、シフトレジスタ，サンプリング回路，およびラッチ回路が含まれている。駆動信号発生回路３１において、シフトレジスタは、ソースクロックに同期して、ソーススタートパルスを入力端から出力端へと順次に転送する。ソーススタートパルスのこの転送に応じて、シフトレジスタから各データ線Ｓに対応するサンプリングパルスが出力される。サンプリング回路は、サンプリングパルスのタイミングに従って１行分のデータ信号ＤＡを順次に記憶する。ラッチ回路は、サンプリング回路に記憶された１行分のデータ信号ＤＡをラッチストローブ信号に応じて取り込んで保持する。

　図６は、信号変換回路３２の概略構成を示すブロック図である。図６に示すように、信号変換回路３２は、階調信号発生回路３２１およびモニタ回路３２２によって構成されている。階調信号発生回路３２１には、Ｄ／Ａコンバータが含まれている。上述のようにして駆動信号発生回路３１内のラッチ回路に保持された１行分のデータ信号ＤＡは、階調信号発生回路３２１内のＤ／Ａコンバータによってアナログ電圧に変換される。その変換されたアナログ電圧は、出力部３３内の出力回路３３０に与えられる。モニタ回路３２２には、Ａ／Ｄコンバータが含まれている。モニタ回路３２２内のＡ／Ｄコンバータでは、モニタ線Ｍに現れＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性を表すアナログ電圧，およびモニタ線Ｍに現れるノイズの大きさを表すアナログ電圧が、デジタル信号であるモニタデータＭＯに変換される。そのモニタデータＭＯは、駆動信号発生回路３１を介してコントロール回路２０に与えられる。なお、モニタ回路３２２についての詳しい説明は後述する。

　出力部３３内の出力回路３３０は、信号変換回路３２内の階調信号発生回路３２１から与えられるアナログ電圧をバッファを介してデータ電圧としてデータ線Ｓに印加する。また、出力部３３内の出力回路３３０は、切替制御信号ＳＷに基づいて、モニタ線Ｍの接続先の切り替えを行う。なお、これについての詳しい説明は後述する。

　オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２は、外部から送られる映像信号の補正に使用される補正データを記憶している。詳しくは、オフセットメモリ５１は補正データとしてオフセット値を記憶し、ゲインメモリ５２は補正データとしてゲイン値を記憶している。なお、典型的には、表示部１０内の画素の数に等しい数のオフセット値およびゲイン値がそれぞれオフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２に記憶される。また、オフセット値を一時的に保持するためのバッファメモリ（以下、「オフセット値用バッファ」という。）とゲイン値を一時的に保持するためのバッファメモリ（以下、「ゲイン値用バッファ」という。）とが例えばコントロール回路２０内に設けられている。コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯに基づいて、オフセットメモリ５１内のオフセット値およびゲインメモリ５２内のゲイン値を更新する。また、コントロール回路２０は、オフセットメモリ５１に記憶されたオフセット値およびゲインメモリ５２に記憶されたゲイン値を読み出して映像信号の補正を行う。その補正によって得られたデータが、データ信号ＤＡとしてソースドライバ３０に送られる。さらに、コントロール回路２０は、ノイズデータとしてのモニタデータＭＯに基づいて、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出に関するゲートドライバ４０およびソースドライバ３０の動作を制御する。

　＜１．２　画素回路およびモニタ回路の構成＞
　＜１．２．１　画素回路＞
　図７は、画素回路１１およびモニタ回路３２２の構成を示す図である。なお、図７に示す画素回路１１は、ｉ行ｊ列の画素回路１１である。この画素回路１１は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ，３個のトランジスタＴ１～Ｔ３，および１個のコンデンサＣｓｔを備えている。トランジスタＴ１は画素を選択する入力トランジスタとして機能し、トランジスタＴ２は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電流の供給を制御する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴ３はＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するか否かを制御するモニタ制御トランジスタとして機能する。

　トランジスタＴ１は、データ線Ｓ（ｊ）とトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇ１（ｉ）にゲート端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、トランジスタＴ１のドレイン端子にゲート端子が接続され、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤにドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にソース端子が接続されている。トランジスタＴ３については、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にドレイン端子が接続され、モニタ線Ｍ（ｊ）にソース端子が接続されている。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のソース端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。

　＜１．２．２　画素回路内のトランジスタについて＞
　本実施形態においては、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３はすべてｎチャネル型である。また、本実施形態においては、トランジスタＴ１～Ｔ３には、酸化物ＴＦＴ（酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ）が採用されている。

　以下、酸化物ＴＦＴに含まれる酸化物半導体層について説明する。酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体層である。酸化物半導体層は、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含む。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は、特に限定されない。例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２などでもよい。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて２０倍を超える移動度）と低いリーク電流（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて１００分の１未満のリーク電流）を有するので、画素回路内の駆動ＴＦＴ（上記トランジスタＴ２）およびスイッチングＴＦＴ（上記トランジスタＴ１）として好適に用いられる。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴを用いれば、表示装置の消費電力を大幅に削減することができる。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、アモルファスでもよく、結晶質部分を含み、結晶性を有していてもよい。結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体が好ましい。このようなＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の結晶構造は、例えば日本の特開２０１２－１３４４７５号公報に開示されている。

　酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体に代えて、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＺｎ－Ｏ系半導体（ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（ＩＺＯ（登録商標））、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体（ＺＴＯ）、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドニウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ―Ｓｎ―Ｚｎ―Ｏ系半導体（例えばＩｎ₂Ｏ₃－ＳｎＯ₂－ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

　＜１．２．３　モニタ回路＞
　図７に示すように、モニタ回路３２２には、電流測定部３７と電圧測定部３８とが含まれている。なお、本実施形態においては、このモニタ回路３２２によって、特性検出部とノイズ測定部とが実現されている。換言すれば、ノイズ測定部は、特性検出部と同じ回路を共有している。電流測定部３７および電圧測定部３８とモニタ線Ｍ（ｊ）との関係は、コントロール回路２０から出力回路３３０に与えられる切替制御信号ＳＷに基づいて制御される。その切替制御信号ＳＷに基づいて、出力回路３３０内に設けられているスイッチ（以下、「モニタラインスイッチ」という。）３３１は、モニタ線Ｍ（ｊ）を、電流測定部３７に接続された状態または電圧測定部３８に接続された状態またはハイインピーダンスの状態のいずれかとする。なお、図７では、出力回路３３０については一部の構成のみを示している。

　図８は、電流測定部３７の一構成例を示す図である。この電流測定部３７には、オペアンプ３７１とコンデンサ３７２とスイッチ３７３とＡ／Ｄコンバータ３７４とが含まれている。オペアンプ３７１については、非反転入力端子はローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続され、反転入力端子はモニタ線Ｍに接続されている。コンデンサ３７２およびスイッチ３７３は、オペアンプ３７１の出力端子とモニタ線Ｍとの間に設けられている。以上のように、この電流測定部３７は積分回路で構成されている。このような構成において、制御クロック信号Ｓｃｌｋによってスイッチ３７３がオン状態にされると、オペアンプ３７１の出力端子－反転入力端子間が短絡状態となる。これにより、オペアンプ３７１の出力端子およびモニタ線Ｍの電位がローレベル電源線ＥＬＶＳＳの電位と等しくなる。電流の検出が行われる際には、スイッチ３７３が制御クロック信号Ｓｃｌｋによってオン状態からオフ状態に切り替えられる。これにより、コンデンサ３７２の存在に起因して、モニタ線Ｍに流れる電流の大きさに応じてオペアンプ３７１の出力端子の電位が変化する。その電位の変化が、Ａ／Ｄコンバータ３７４から出力されるデジタル信号に反映される。そして、そのデジタル信号がモニタデータＭＯとして電流測定部３７から出力される。本実施形態においては、ＴＦＴ特性を求めるための電流および後述するノイズ測定期間にモニタ線Ｍに生じたノイズ電流が、この電流測定部３７によって測定される。電流測定部３７によって測定されたノイズ電流の大きさを示すデータは、ノイズデータとしてコントロール回路２０に送られる。

　図９は、電圧測定部３８の一構成例を示す図である。この電圧測定部３８には、増幅器３８１とＡ／Ｄコンバータ３８２とが含まれている。このような構成において、定電流源３６によって一定電流がモニタ線Ｍに流されている状態で、節点３８３とローレベル電源線ＥＬＶＳＳとの間の電圧が増幅器３８１によって増幅される。そして、増幅後の電圧がＡ／Ｄコンバータ３８２によってデジタル信号に変換される。そのデジタル信号がモニタデータＭＯとして電圧測定部３８から出力される。本実施形態においては、ＯＬＥＤ特性を求めるための電圧が、この電圧測定部３８によって測定される。

　＜１．３　駆動方法＞
　＜１．３．１　概要＞
　次に、本実施形態における駆動方法について説明する。上述したように、本説明においては、任意のフレームに着目したときに通常よりも長い選択期間が設けられている行のことを「モニタ行」という。また、本実施形態においては、モニタ行のうちのＱ列（Ｑは１以上ｍ以下の整数）が、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出対象の列となる。本説明においては、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出対象の列のことを「モニタ列」といい、モニタ列以外の列のことを「非モニタ列」という。

　上述したように、本実施形態においては、各フレームに１つの行のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。各フレームにおいて、モニタ行についてはＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出を行うための動作（以下、「特性検出動作」という。）が行われ、非モニタ行については通常動作が行われる。すなわち、１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるフレームを（ｋ＋１）フレーム目と定義すると、図１０に示すように、各行の動作は推移する。但し、上述したように、基準値以上のノイズが検出された列では、特性検出動作は行われない。また、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われると、その検出結果を用いて、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２の更新が行われる。そして、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２に記憶されている補正データを用いて映像信号の補正が行われる。

　図１は、本実施形態においてモニタ行のうちのモニタ列に着目したときの駆動方法の概略を説明するためのフローチャートである。フレーム期間の最初に、モニタ線Ｍに生じたノイズの測定が行われる（ステップＳ１１０）。次に、ステップＳ１１０で測定されたノイズの大きさが基準値未満であるか否かが判断される（ステップＳ１２０）。その結果、ノイズの大きさが基準値未満であれば、処理はステップＳ１３０に進み、ノイズの大きさが基準値以上であれば、処理はステップＳ１６０に進む。すなわち、ノイズの大きさが基準値未満であれば、ステップＳ１３０，ステップＳ１４０，およびステップＳ１５０の処理が行われた後でステップＳ１６０の処理が行われ、ノイズの大きさが基準値以上であれば、ステップＳ１３０，ステップＳ１４０，およびステップＳ１５０の処理が行われることなくステップＳ１６０の処理が行われる。

　ステップＳ１３０では、ＴＦＴ特性の検出が行われる。ステップＳ１４０では、ＯＬＥＤ特性の検出が行われる。ステップＳ１５０では、ステップＳ１３０での検出結果およびステップＳ１４０での検出結果を用いて、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２の更新が行われる。ステップＳ１６０では、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２に格納されている補正データを用いて、外部から送られる映像信号の補正が行われる。

　本実施形態においては、ステップＳ１１０によってノイズ測定ステップが実現され、ステップＳ１３０およびステップＳ１４０によって特性検出ステップが実現され、ステップＳ１５０によって補正データ更新ステップが実現され、ステップＳ１６０によって映像信号補正ステップが実現されている。また、ステップＳ１３０によって第１の特性検出ステップが実現され、ステップＳ１４０によって第２の特性検出ステップが実現されている。

　なお、以上のような駆動を実現するために、画素回路駆動部（ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０）は、トランジスタＴ２および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの少なくとも一方の特性を検出する処理を行いつつ、ｎ×ｍ個の画素回路１１を駆動している。また、制御部（コントロール回路２０）は、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２に記憶されている補正データを特性検出の結果に基づいて更新する処理およびｎ×ｍ個の画素回路１１に供給するための映像信号をオフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２に記憶されている補正データに基づいて補正する処理を行いつつ、画素回路駆動部（ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０）の動作を制御している。

　＜１．３．２　ノイズ測定と特性検出と補正データ更新処理との関係＞
　次に、ノイズ測定と特性検出（ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出）と補正データ更新処理（特性検出の結果を用いてオフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２を更新する処理）との関係について説明する。本実施形態においては、モニタ行に着目すると、図１１に示すように、１フレーム期間の最初にノイズ測定期間が設けられ、ノイズ測定期間の後に特性検出期間が設けられている。ノイズ測定期間には、モニタ線Ｍに生じたノイズの測定が行われる。特性検出期間には、モニタ行において上述した特性検出動作が行われる。

　図１２は、或るフレーム（ここでは「対象フレーム」という。）における特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われる条件について説明するための図である。本実施形態においては、図１２に示すように、対象フレームのノイズ測定期間に検出されたノイズの大きさが基準値未満であれば、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われる。すなわち、本実施形態においては、対象フレームの前後のフレームにおけるノイズ測定の結果は、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理に影響を及ぼさない。

　図１３は、本実施形態において基準値以上のノイズが検出されたときの動作について説明するための図である。本実施形態においては、モニタ列に関し、図１３に示すように、対象フレームのノイズ測定期間に基準値以上のノイズが検出されると、対象フレームでは特性検出が行われない（図１も参照）。

　＜１．３．３　画素回路およびモニタ回路の動作＞
　＜１．３．３．１　通常動作＞
　各フレームにおいて、非モニタ行では、通常動作が行われる。非モニタ行に含まれる画素回路１１では、目標輝度に対応するデータ電圧に基づく書き込みが選択期間に行われた後、トランジスタＴ１はオフ状態で維持される。データ電圧に基づく書き込みによってトランジスタＴ２はオン状態となる。トランジスタＴ３についてはオフ状態で維持される。以上より、図１４で符号７０で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　＜１．３．３．２　ノイズの測定および特性検出動作＞
　各フレームにおいて、モニタ行で特性検出動作が行われる直前に、モニタ線Ｍに生じたノイズの測定が行われる。そして、本実施形態においては、ノイズの大きさが基準値未満であるモニタ列でのみ、特性検出動作が行われる。

　図１５および図１６は、モニタ行のうちのモニタ列に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。図１５および図１６では、ｉ行目がモニタ行とされるフレームにおけるノイズ測定期間Ｔｎの開始時点を基準にして「１フレーム期間」を表している。なお、図１５は、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満である場合のタイミングチャートであり、図１６は、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値以上である場合のタイミングチャートである。

　モニタ行については、図１５および図１６に示すように、１フレーム期間には、ノイズ測定期間Ｔｎと、ＴＦＴ特性の検出を行うための期間（以下、「ＴＦＴ特性検出期間」という。）Ｔａと、黒色表示に相当するデータを書き込むための期間（以下、「黒書込期間」という。）Ｔｂと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させるための期間（以下、「発光期間」という。）Ｔｃとが含まれている。選択期間のうちの最初の所定期間がＴＦＴ特性検出期間Ｔａとなっていて、選択期間のうちのＴＦＴ特性検出期間Ｔａ以外の期間が黒書込期間Ｔｂとなっている。

　ノイズ測定期間Ｔｎには、全ての走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）および全てのモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が非アクティブな状態で維持される。このため、全ての行において、トランジスタＴ１およびトランジスタＴ３はオフ状態で維持される。このようにして全ての行においてトランジスタＴ３がオフ状態となるので、各モニタ線Ｍは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤおよびトランジスタＴ２とは電気的に切り離された状態となって、表示部１０内においてハイインピーダンスの状態となる。従って、ノイズ測定期間Ｔｎに外乱があると、図１７で符号７１で示す矢印のように、モニタ線Ｍ（ｊ）にノイズ成分が現れる。本実施形態においては、このノイズ成分の大きさがモニタ回路３２２で測定される。これを実現するため、ノイズ測定期間Ｔｎには、モニタ列のモニタ線Ｍ（ｊ）は切替制御信号ＳＷによって電流測定部３７に接続される。また、ノイズ測定期間Ｔｎには、電流測定部３７では、スイッチ３７３がオン状態となってコンデンサ３７２に蓄積されている電荷が放電された後、当該スイッチ３７３がオン状態からオフ状態に切り替えられる。これにより、ノイズ測定期間Ｔｎには、モニタ線Ｍ（ｊ）に生じたノイズ電流の大きさが電流測定部３７によって測定される。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、走査線Ｇ１（ｉ）およびモニタ制御線Ｇ２（ｉ）がアクティブな状態とされる（図１５および図１６参照）。これにより、トランジスタＴ１およびトランジスタＴ３がオン状態となる。また、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズが基準値未満であれば、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、ＴＦＴ特性を検出するための参照電圧Ｖｒｅｆがデータ線Ｓ（ｊ）に印加される（図１５参照）。これにより、参照電圧Ｖｒｅｆの書き込みが行われ、トランジスタＴ２もオン状態となる。その結果、図１８で符号７２で示す矢印のように、トランジスタＴ２を流れる電流は、トランジスタＴ３を介してモニタ線Ｍ（ｊ）に出力される。さらに、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、切替制御信号ＳＷによってモニタ線Ｍ（ｊ）は電流測定部３７に接続される。これにより、モニタ線Ｍ（ｊ）に出力された電流（シンク電流）が、電流測定部３７によって測定される。以上のようにして、トランジスタＴ２のゲート－ソース間の電圧を所定の大きさ（参照電圧Ｖｒｅｆの大きさ）にした状態で当該トランジスタＴ２のドレイン－ソース間を流れる電流の大きさが測定され、ＴＦＴ特性が検出される。

　ところで、本実施形態においては、図１９に示すように、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには参照電圧Ｖｒｅｆとして２種類の参照電圧（第１参照電圧Ｖｒｅｆ１および第２参照電圧Ｖｒｅｆ２）がデータ線Ｓ（ｊ）に印加される。これにより、第１参照電圧Ｖｒｅｆ１に基づくＴＦＴ特性と第２参照電圧Ｖｒｅｆ２に基づくＴＦＴ特性とが検出される。

　ところで、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズが基準値以上であれば、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、目標輝度に対応するデータ電圧Ｄ（ｉ，ｊ）がデータ線Ｓ（ｊ）に印加される（図１６参照）。これにより、データ電圧Ｄ（ｉ，ｊ）の書き込みが行われ、トランジスタＴ２はオン状態となる。なお、データ電圧Ｄ（ｉ，ｊ）に基づく書き込みが選択期間（ＴＦＴ特性検出期間Ｔａおよび黒書込期間Ｔｂからなる期間）に行われた後、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態となってトランジスタＴ１はオフ状態で維持される。これにより、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズが基準値以上である場合には、通常動作と同様、データ電圧Ｄ（ｉ，ｊ）に応じた駆動電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給され、当該駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　黒書込期間Ｔｂには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態で維持され、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態とされる（図１５参照）。これにより、トランジスタＴ１はオン状態で維持され、トランジスタＴ３はオフ状態となる。また、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズが基準値未満であれば、黒書込期間Ｔｂには、黒色表示に相当する電圧Ｖｂｌａｃｋがデータ線Ｓ（ｊ）に印加される（図１５参照）ので、トランジスタＴ２はオフ状態となる。以上より、トランジスタＴ２には電流は流れない。なお、好ましくは、黒書込期間Ｔｂには、“オフセットメモリ５１に格納されているオフセット値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたオフセット値との差分”と“ゲインメモリ５２に格納されているゲイン値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたゲイン値とから計算される、発光電圧相当分の電圧”との和の電圧がモニタ線Ｍ（ｊ）に印加される。これにより、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の程度に応じた電圧が発光期間Ｔｃの前にモニタ線Ｍ（ｊ）に印加され、発光期間Ｔｃにおける充電時間の長さが短縮される。

　発光期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態とされる（図１５参照）。ここで、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズが基準値未満であれば、発光期間Ｔｃの前の黒書込期間Ｔｂに黒色表示に相当する電圧Ｖｂｌａｃｋに基づく書き込みが行われているので、トランジスタＴ２はオフ状態になっている。また、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズが基準値未満であれば、発光期間ＴｃのうちのＯＬＥＤ特性を検出するための期間には、モニタ線Ｍ（ｊ）は電圧測定部３８に接続され、一定電流Ｉ（ｉ，ｊ）がモニタ線Ｍ（ｊ）に供給される。これにより、図２０で符号７３で示す矢印のように、モニタ線Ｍ（ｊ）から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに一定電流であるデータ電流が供給される。この状態において、電圧測定部３８によって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光電圧が測定される。以上のように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに一定の電流が与えられた状態で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極の電圧を測定することによって、ＯＬＥＤ特性が検出される。

　ところで、発光期間Ｔｃに有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給されるデータ電流は一定電流である。このため、本実施形態においては、所望の階調表示を行うために、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する時間の長さが調整される。例えば、上記一定電流を白色表示に相当する電流とし、階調が高いほど発光時間を長くし、階調が低いほど発光時間を短くする。これを実現するために、例えば、図２１に示すように、階調が高いほどモニタ線Ｍが電圧測定部３８に接続されている期間Ｔｃ１を長くし、階調が低いほどモニタ線Ｍが電流測定部３７に接続されている期間（もしくは、モニタ線Ｍがハイインピーダンスの状態とされる期間）Ｔｃ２を長くする。その際、ゲインメモリ５２に格納されているゲイン値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたゲイン値との差分から求められる劣化補正係数に基づいて、上記期間Ｔｃ１，Ｔｃ２の長さが調整される。以上のように、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値となるよう、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する時間の長さが調整される。換言すれば、目標輝度に応じて、一定電流を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに与える時間の長さが調整される。なお、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値になるのであれば、発光期間Ｔｃ中に電流値を変化させて、複数の動作点での特性（電流－電圧特性）を測定するようにしても良い。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する時間の長さを一定にして、階調に応じて電流値を変化させるようにしても良い。この場合、ゲインメモリ５２に格納されているゲイン値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたゲイン値との差分から求められる劣化補正係数に基づいて、モニタ線Ｍに供給する電流の大きさを求めると良い。なお、ゲインメモリ５２にはＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の双方を考慮したゲイン値が格納されているので、ゲインメモリ５２に格納されているゲイン値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたゲイン値との差分はＯＬＥＤ特性を表す値となる。

　また、本実施形態においては、図２２に示すように、非モニタ行よりもモニタ行の方が選択期間の長さが長い。従って、モニタ行と非モニタ行とで発光期間の長さが異なっている。そこで、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値となるよう、データ電流の調整が行われる。

　なお、目標とする階調が黒色表示に相当する階調あるいはそれに近い階調のときにはＯＬＥＤ特性の検出を行わないようにすることが好ましい。従って、本実施形態においては、ｎ行×ｍ列の画素マトリクスのうち黒色またはほぼ黒色の表示が行われる画素（低階調表示が行われる画素）についてはＯＬＥＤ特性の検出が行われないようにする。これにより、不必要な発光を防止することができる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは非発光であれば劣化しないので、特性を検出する必要がない。

　＜１．３．４　制御アルゴリズム＞
　次に、本実施形態における制御アルゴリズムについて説明する。図２３は、制御アルゴリズムを説明するためのフローチャートである。図２４は、各制御の説明をするための図である。コントロール回路２０は、この制御アルゴリズムに基づいて、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０の動作を制御する。まず、図２３を参照しつつ、処理対象のデータ（行，列，および階調を示すデータ）（以下、「対象データ」という。）に対する制御方法の決定手順について説明する。

　まず、ステップＳ２１０で、対象データがモニタ行のデータであるか否かが判断される。対象データがモニタ行のデータでなければ、対象データに対する制御方法は“制御Ａ１”となる。対象データがモニタ行のデータであれば、更にステップＳ２２０での判断が行われる。ステップＳ２２０では、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であったか否かが判断される。ノイズの大きさが基準値以上であれば、対象データに対する制御方法は“制御Ａ２”となる。ノイズの大きさが基準値未満であれば、更にステップＳ２３０での判断が行われる。ステップＳ２３０では、対象データがモニタ列のデータであるか否かが判断される。対象データがモニタ列のデータでなければ、対象データに対する制御方法は“制御Ｂ”となる。対象データがモニタ列のデータであれば、更にステップＳ２４０での判断が行われる。ステップＳ２４０では、対象データが低階調データ（黒色の表示が行われる階調データまたはほぼ黒色の表示が行われる階調データ）であるか否かが判断される。対象データが低階調データでなければ、対象データに対する制御方法は“制御Ｃ”となる。対象データが低階調データであれば、対象データに対する制御方法は“制御Ｄ”となる。以下、図２４を参照しつつ、“制御Ａ１”，“制御Ａ２”，“制御Ｂ”，“制御Ｃ”，および“制御Ｄ”について説明する。

　＜１．３．４．１　“制御Ａ１”＞
　“制御Ａ１”は、非モニタ行のデータに対する制御方法である。特性検出を行う必要がないので、走査線Ｇ１（ｉ）については通常の１水平走査期間だけアクティブな状態（ハイレベルの状態）とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）については前状態が維持される。また、通常通りの表示が行われれば良いので、データ線Ｓ（ｊ）には通常の階調データに対応するデータ電圧が印加される。ノイズ測定後のモニタラインスイッチ３３１の状態については前状態が維持される。特性検出は行われないので、補正データの更新は行われない。

　＜１．３．４．２　“制御Ａ２”＞
　“制御Ａ２”は、モニタ行のデータのうちノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されたモニタ列のデータに対する制御方法である。対象データはモニタ行のデータであるので、走査線Ｇ１（ｉ）については、通常の１水平走査期間とＴＦＴ特性検出期間Ｔａとの合計の期間、アクティブな状態とされる。モニタ制御線Ｇ２（ｉ）については前状態が維持される。また、通常通りの表示が行われれば良いので、データ線Ｓ（ｊ）には通常の階調データに対応するデータ電圧が印加される。ノイズ測定後のモニタラインスイッチ３３１の状態については前状態が維持される。特性検出は行われないので、補正データの更新は行われない。

　＜１．３．４．３　“制御Ｂ”＞
　“制御Ｂ”は、モニタ行のデータのうちの非モニタ列のデータに対する制御方法である。対象データはモニタ行のデータであるので、走査線Ｇ１（ｉ）については、通常の１水平走査期間とＴＦＴ特性検出期間Ｔａとの合計の期間、アクティブな状態とされる。また、モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２（ｉ）が、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａおよび発光期間Ｔｃにアクティブな状態とされる。しかしながら、対象データは非モニタ列のデータであって、特性検出を行う必要がないので、ノイズ測定後のモニタラインスイッチ３３１の状態はオフ状態とされる（モニタ線Ｍ（ｊ）がハイインピーダンスにされた状態とされる）。データ線Ｓ（ｊ）には通常の階調データに補正係数ｋ（ｋは１近傍の値）を乗じたデータに対応するデータ電圧が印加される。補正係数ｋが設けられている理由は、トランジスタＴ３がオン状態となっているためモニタ線Ｍ（ｊ）の配線容量によっては本来よりもデータ電圧を大きくする必要があるからである。特性検出は行われないので、補正データの更新は行われない。

　＜１．３．４．４　“制御Ｃ”＞
　“制御Ｃ”は、特性検出が行われるべきデータのうちの低階調データ以外のデータに対する制御方法である。対象データは特性検出が行われるべきデータであるので、走査線Ｇ１（ｉ）については、通常の１水平走査期間とＴＦＴ特性検出期間Ｔａとの合計の期間、アクティブな状態とされる。また、モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２（ｉ）が、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａおよび発光期間Ｔｃにアクティブな状態とされる。データ線Ｓ（ｊ）には、トランジスタＴ２をオフ状態にするために黒書込期間Ｔｂに黒色表示に相当する電圧が印加される。特性検出を行う必要があるので、ノイズ測定後のモニタラインスイッチ３３１の状態はオン状態とされる（モニタ線Ｍ（ｊ）が電流測定部３７または電圧測定部３８に接続された状態とされる）。モニタ線Ｍ（ｊ）には、ＴＦＴ特性を検出するためにローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳが供給された後、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させつつＯＬＥＤ特性を検出するために階調信号が供給される。ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるので、補正データの更新は行われる。

　＜１．３．４．５　“制御Ｄ”＞
　“制御Ｄ”は、特性検出が行われるべきデータのうちの低階調データに対する制御方法である。対象データは特性検出が行われるべきデータであるので、走査線Ｇ１（ｉ）については、通常の１水平走査期間とＴＦＴ特性検出期間Ｔａとの合計の期間、アクティブな状態とされる。また、モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２（ｉ）が、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａおよび発光期間Ｔｃにアクティブな状態とされる。データ線Ｓ（ｊ）には、トランジスタＴ２をオフ状態にするために黒書込期間Ｔｂに黒色表示に相当する電圧が印加される。特性検出を行う必要があるので、ノイズ測定後のモニタラインスイッチ３３１の状態はオン状態とされる（モニタ線Ｍ（ｊ）が電流測定部３７または電圧測定部３８に接続された状態とされる）。モニタ線Ｍ（ｊ）には、ＴＦＴ特性を検出するためにローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳが供給される。なお、低階調データについては、不必要な発光を防止するため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させるための階調信号のモニタ線Ｍ（ｊ）への供給は行われない。ＴＦＴ特性の検出が行われるので、補正データの更新は行われる。但し、更新されるデータは、ＴＦＴ特性に関するデータのみである。

　＜１．３．５　オフセットメモリおよびゲインメモリの更新＞
　次に、オフセットメモリ５１に格納されているオフセット値およびゲインメモリ５２に格納されているゲイン値がどのように更新されるかについて説明する。なお、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズが基準値未満であって特性検出動作が行われた画素のデータについてのみ、オフセット値およびゲイン値の更新が行われる。図２５は、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２の更新の手順を説明するためのフローチャートである。なお、ここでは１つの画素に対応するオフセット値およびゲイン値に着目する。

　まず、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａの前半に、第１参照電圧Ｖｒｅｆ１に基づくＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ３１０）。このステップＳ３１０によって、映像信号を補正するためのオフセット値が求められる。ステップＳ３１０で求められたオフセット値は、オフセット値用バッファに格納される（ステップＳ３２０）。ＴＦＴ特性検出期間Ｔａの後半には、第２参照電圧Ｖｒｅｆ２に基づくＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ３３０）。このステップＳ３３０によって、映像信号を補正するためのゲイン値が求められる。ステップＳ３３０で求められたゲイン値は、ゲイン値用バッファに格納される（ステップＳ３４０）。

　その後、発光期間Ｔｃに、ＯＬＥＤ特性の検出が行われる（ステップＳ３５０）。このステップＳ３５０によって、映像信号を補正するためのオフセット値および劣化補正係数が求められる。そして、オフセット値用バッファに格納されているオフセット値とステップＳ３５０で求められたオフセット値との和が、新たなオフセット値としてオフセットメモリ５１に格納される（ステップＳ３６０）。また、ゲイン値用バッファに格納されているゲイン値とステップＳ３５０で求められた劣化補正係数との積が、新たなゲイン値としてゲインメモリ５２に格納される（ステップＳ３７０）。

　以上のようにして、１つの画素に対応するオフセット値およびゲイン値の更新が行われる。本実施形態においては、各フレームに１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるので、基準値以上のノイズが全ての列で検出されなければ、１フレームにつきオフセットメモリ５１内のｍ個のオフセット値およびゲインメモリ５２内のｍ個のゲイン値の更新が行われる。

　ところで、上述したように、発光期間Ｔｃには有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光電圧の測定が行われる。その測定結果としての検出電圧が大きいほど、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の程度は大きい。従って、検出電圧が大きいほど、オフセット値が大きくかつゲイン値が大きくなるようにオフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２の更新が行われる。

　＜１．３．６　映像信号の補正＞
　本実施形態においては、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を補償するために、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２に格納されている補正データを用いて、外部から送られる映像信号の補正が行われる。以下、映像信号のこの補正について説明する。

　外部から送られる映像信号の補正は、コントロール回路２０内の映像信号補正部で行われる。図２６は、映像信号補正部の構成を示す図である。映像信号補正部は、ＬＵＴ２１１，乗算部２１２，および加算部２１３を備えている。このような構成において、各画素に対応する映像信号の値は次のように補正される。

　まず、ＬＵＴ２１１を用いて、外部から送られる映像信号にガンマ補正が施される。すなわち、映像信号が示す階調Ｐがガンマ補正によって制御電圧Ｖｃに変換される。乗算部２１２は、制御電圧Ｖｃとゲインメモリ５２から読み出されたゲイン値Ｂとを受け取り、それらを乗じて得られる値“Ｖｃ・Ｂ”を出力する。加算部２１３は、乗算部２１２から出力された値“Ｖｃ・Ｂ”とオフセットメモリ５１から読み出されたオフセット値Ｖｔとを受け取り、それらを加算することによって得られる値“Ｖｃ・Ｂ＋Ｖｔ”を出力する。以上のようにして得られた値“Ｖｃ・Ｂ＋Ｖｔ”がデータ信号ＤＡとしてコントロール回路２０からソースドライバ３０に送られる。

　＜１．４　効果＞
　本実施形態によれば、各フレームにおいて、モニタ線Ｍに生じるノイズの測定が行われ、各モニタ列について、ノイズの大きさが基準値未満であればＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。そして、ＴＦＴ特性の検出結果およびＯＬＥＤ特性の検出結果の双方を考慮して求められた補正データ（オフセット値およびゲイン値）を用いて、外部から送られる映像信号が補正される。このようにして補正された映像信号（上記データ信号ＤＡ）に基づくデータ電圧がデータ線Ｓに印加されるので、各画素回路１１内の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際に、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が補償されるような大きさの駆動電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給される（図２７参照）。ここで、ノイズの大きさが基準値以上であれば、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出は行われず、補正データの更新は行われない。すなわち、検出電流に関して本来の電流値と測定値との間に無視することのできない程度の誤差が生じているような時には、補正データは更新されない。従って、補正データの値が不適切な値となることによる補償精度の低下が防止される。以上のように、本実施形態によれば、回路素子の劣化を補償するために外部補償技術が採用されている有機ＥＬ表示装置において、ノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　また、本実施形態においては、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３に酸化物ＴＦＴ（具体的にはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴ）が採用されているので、充分なＳ／Ｎ比を確保できるという効果が得られる。これについて以下に説明する。なお、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴのことをここでは「Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴ」という。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴとＬＴＰＳ（Low Temperature Poly silicon）－ＴＦＴとを比較すると、ＬＴＰＳ－ＴＦＴよりもＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴの方がオフ電流が極めて小さい。例えば、画素回路１１内のトランジスタＴ３にＬＴＰＳ－ＴＦＴが採用されている場合には、オフ電流は最大１ｐＡ程度となる。これに対して、画素回路１１内のトランジスタＴ３にＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴが採用されている場合には、オフ電流は最大１０ｆＡ程度となる。従って、例えば１０００行分のオフ電流は、ＬＴＰＳ－ＴＦＴが採用されている場合には最大１ｎＡ程度となり、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴが採用されている場合には最大１０ｐＡ程度となる。検出電流については、いずれが採用されている場合にも１０～１００ｎＡ程度となる。ところで、モニタ線Ｍは、モニタ行の画素回路１１だけでなく非モニタ行の画素回路１１とも接続されている。従って、モニタ線ＭのＳ／Ｎ比は、非モニタ行のトランジスタＴ３の漏れ電流の合計に依存する。具体的には、モニタ線ＭのＳ／Ｎ比は「検出電流／（漏れ電流×非モニタ行の行数）」で表される。以上のことから、例えば、“Ｌａｎｄｓｃａｐｅ　ＦＨＤ”の表示部１０を有する有機ＥＬ表示装置においては、ＬＴＰＳ－ＴＦＴが採用されている場合にはＳ／Ｎ比は１０程度となるのに対し、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴが採用されている場合にはＳ／Ｎ比は１０００程度となる。このように、本実施形態においては、電流の検出を行う際に充分なＳ／Ｎ比を確保することができる。

　＜１．５　変形例＞
　以下、上記第１の実施形態の変形例について説明する。なお、以下においては、第１の実施形態と異なる点についてのみ詳しく説明し、第１の実施形態と同様の点については説明を省略する。

　＜１．５．１　第１の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、モニタ列に関し、ノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出された場合にはＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われなかった。しかしながら、本発明はこれに限定されず、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさに関わらずＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出を行い、ノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出された場合には補正データの更新を行わないようにしても良い（本変形例の構成）。

　図２８は、本変形例においてモニタ行のうちのモニタ列に着目したときの駆動方法の概略を説明するためのフローチャートである。フレーム期間の最初に、モニタ線Ｍに生じたノイズの測定が行われる（ステップＳ４１０）。次に、ＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ４２０）。次に、ＯＬＥＤ特性の検出が行われる（ステップＳ４３０）。その後、ステップＳ４１０で測定されたノイズの大きさが基準値未満であるか否かが判断される（ステップＳ４４０）。その結果、ノイズの大きさが基準値未満であれば、処理はステップＳ４５０に進み、ノイズの大きさが基準値以上であれば、処理はステップＳ４６０に進む。すなわち、ノイズの大きさが基準値未満であれば、ステップＳ４５０の処理が行われた後でステップＳ４６０の処理が行われ、ノイズの大きさが基準値以上であれば、ステップＳ４５０の処理が行われることなくステップＳ４６０の処理が行われる。ステップＳ４５０では、ステップＳ４２０での検出結果およびステップＳ４３０での検出結果を用いて、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２の更新が行われる。ステップＳ４６０では、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２に格納されている補正データを用いて、外部から送られる映像信号の補正が行われる。

　なお、本変形例においては、ステップＳ４１０によってノイズ測定ステップが実現され、ステップＳ４２０およびステップＳ４３０によって特性検出ステップが実現され、ステップＳ４５０によって補正データ更新ステップが実現され、ステップＳ４６０によって映像信号補正ステップが実現されている。また、ステップＳ４２０によって第１の特性検出ステップが実現され、ステップＳ４３０によって第２の特性検出ステップが実現されている。

　図２９は、本変形例において或るフレーム（ここでは「対象フレーム」という。）のノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されたときの動作について説明するための図である。本変形例においては、モニタ列に関し、図２９に示すように、対象フレームのノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されると、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われない。

　本変形例によれば、ノイズ測定期間Ｔｎに各モニタ線Ｍに生じたノイズの大きさに関わらず全てのモニタ列でＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるようにすれば良いので、画素回路１１の動作の制御が容易となる。また、特性検出動作が行われる前にノイズの大きさを判断するための期間を設ける必要がないので、特性検出のための期間が短くなることが防止される。

　なお、上記第１の実施形態および本変形例より、モニタ列の制御に関し、本発明は次の特徴を有していることが把握される。ノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直後における特性検出が行われない、または、当該ノイズが検出された時点の近傍の時点に行われた特性検出に基づく補正データ更新処理が行われない。

　＜１．５．２　第２の変形例＞
　フレームが替わる毎に必ずモニタ行も替える構成にした場合、行によりＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出回数に差が生じ得る。そこで、本変形例においては、或るフレーム（ここでは「対象フレーム」という。）のノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出された場合、対象フレームの次のフレームにおけるモニタ行と対象フレームにおけるモニタ行とが同じ行とされる。また、本変形例においては、対象フレームのノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であって、対象フレームの次のフレームのノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値以上であった場合、対象フレームの特性検出の結果に基づく補正データ更新処理は行われず、対象フレームの２フレーム後のフレームにおけるモニタ行と対象フレームにおけるモニタ行とが同じ行とされる。なお、以上のような制御を列毎に行うことはできないので、本変形例においては、少なくとも１つのモニタ線Ｍでノイズの大きさが基準値以上であった場合に「ノイズの大きさは基準値以上である」と判断されるものと仮定する。

　図３０～図３２は、本変形例におけるモニタ行の推移を説明するための図である。なお、図３０～図３２では、表示部１０における垂直走査の時間的推移を符号７５の矢印で表している。また、時点ｔ７６から始まるフレームが１フレーム目であって１フレーム目のモニタ行は１行目であると仮定する。

　１フレーム目のノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であれば、図３０に示すように、１フレーム目に１行目についての特性検出動作が行われた後、２フレーム目には２行目がモニタ行とされる。１フレーム目のノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値以上あれば、図３１に示すように、２フレーム目には再度１行目がモニタ行とされる。１フレーム目のノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であって、かつ、２フレーム目のノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値以上であれば、図３２に示すように、３フレーム目には再度１行目がモニタ行とされる。このとき、１フレーム目における特性検出の結果に基づく補正データ更新処理は行われない。

　以上より、Ｚ行目（Ｚは１以上ｎ以下の整数）についての特性検出が行われたフレームのことを対象フレームと定義すると、本変形例においては次のような動作が行われる。対象フレームにおいてノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出された場合には、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理は行われず、対象フレームの次のフレームにおいてもＺ行目についての特性検出が行われる。また、対象フレームにおいてノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されず、かつ、対象フレームの次のフレームにおいてノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出された場合には、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理および対象フレームの次のフレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理は行われず、対象フレームの２フレーム後のフレームにおいてもＺ行目についての特性検出が行われる。

　本変形例によれば、行によってＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出回数が異なることが防止される。このため、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化に対する補償を画面全体で一様に行うことが可能となり、輝度のばらつきの発生が効果的に防止される。

　＜１．５．３　第３の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、或るフレーム（ここでは「対象フレーム」という。）のノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であれば、対象フレームの次のフレームのノイズ測定期間Ｔｎに検出されるノイズの大きさに関わらず、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、対象フレームおよび対象フレームの次のフレームの双方でノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であった場合にのみ対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われるようにしても良い（本変形例の構成）。

　図３３は、本変形例において、或るフレーム（ここでは「対象フレーム」という。）における特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われる条件について説明するための図である。本変形例においては、モニタ列に関し、図３３に示すように、対象フレームのノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であって、かつ、対象フレームの次のフレームのノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であれば、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われる。換言すれば、Ｚ行目（Ｚは１以上ｎ以下の整数）についての特性検出の結果に基づく補正データ更新処理は、Ｚ行目についての特性検出期間の直前のノイズ測定期間ＴｎおよびＺ行目についての特性検出期間の直後のノイズ測定期間Ｔｎの双方で基準値以上のノイズが検出されなかったときのみ行われる。

　図３４は、本変形例において基準値以上のノイズが検出されたときの動作について説明するための図である。本変形例においては、モニタ列に関し、図３４に示すように、対象フレームのノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されると、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われないだけでなく、対象フレームの前のフレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理も行われない。

　図３５は、本変形例における動作の概略を説明するためのフローチャートである。対象フレームにおける特性検出が行われた（ステップＳ５１０）後、対象フレームの次のフレームにおいてノイズ測定が行われる（ステップＳ５２０）。なお、ここでは、対象フレームのノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさは基準値未満であると仮定する。次に、ステップＳ５２０で測定されたノイズの大きさが基準値未満であるか否かが判断される（ステップＳ５３０）。その結果、ノイズの大きさが基準値未満であれば、ステップＳ５４０の処理が行われ、ノイズの大きさが基準値以上であれば、ステップＳ５４０の処理は行われない。ステップＳ５４０では、ステップＳ５１０での特性検出（対象フレームにおける特性検出）の結果を用いて、オフセットメモリ５１およびゲインメモリ５２の更新が行われる。

　ところで、本変形例においては、２フレーム続けてノイズの大きさが基準値未満でなければ、補正データ更新処理は行われない。これを実現するために、任意のフレームにおける特性検出の結果は、次のフレームでノイズ測定が行われて補正データ更新処理が行われるまでの期間、バッファに格納される。

　本変形例によれば、特性検出期間の前後の双方の期間においてノイズの大きさが基準値未満であった場合にのみ、補正データ更新処理が行われる。このように特性検出期間の前後の期間におけるノイズの状態を考慮して特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われるので、補正データの値が不適切な値となることによる補償精度の低下がより効果的に防止される。

　＜１．５．４　第４の変形例＞
　上記第１の実施形態では、フレーム期間において特性検出期間よりも前にノイズ測定期間Ｔｎが設けられていたが、本発明はこれに限定されない。図３６に示すように、フレーム期間において特性検出期間の前後にノイズ測定期間Ｔｎが設けられていても良い。この例の場合、モニタ列に関し、フレーム期間の前半のノイズ測定期間Ｔｎおよびフレーム期間の後半のノイズ測定期間Ｔｎの双方でノイズが基準値未満であった場合にのみ、該当するフレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われるようにすれば良い。

　＜１．５．５　第５の変形例＞
　上記第１の実施形態では、フレーム期間において特性検出期間よりも前にノイズ測定期間Ｔｎが設けられていたが、本発明はこれに限定されない。図３７に示すように、フレーム期間において特性検出期間よりも後にノイズ測定期間Ｔｎが設けられていても良い。この例の場合、モニタ列に関し、図３８に示すように、或るフレーム（ここでは「対象フレーム」という。）のノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されると、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理および対象フレームの次のフレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われないようにすれば良い。また、モニタ列に関し、図３９に示すように、対象フレームの前のフレームのノイズ測定期間Ｔｎおよび対象フレームのノイズ測定期間Ｔｎの双方でノイズが基準値未満であった場合にのみ、対象フレームにおける特性検出の結果に基づく補正データ更新処理が行われるようにすれば良い。

　＜１．５．６　第６の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、全てのフレームでノイズの測定が行われていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、複数フレーム毎にノイズの測定が行われるようにしても良い（本変形例の構成）。例えば、図４０に示すように、３フレームにつき１回だけノイズの測定が行われるようにしても良い。

　本変形例においては、或るフレーム（ここでは「対象フレーム」という。）のノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出された場合、対象フレームの前にノイズの測定が行われてから対象フレームの後でノイズの測定が行われるまでの期間に行われた特性検出の結果に基づく補正データ更新処理を行わないようにすれば良い。

　本変形例によれば、ノイズを測定する頻度を低減しつつ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

　＜１．５．７　第７の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、１つの列につき１つのモニタ回路３２２が設けられていることを前提に説明していた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、１つのモニタ回路３２２を複数の列で共有化する構成（本変形例の構成）を採用することもできる。

　本変形例においては、上記第１の実施形態と同様、モニタ線Ｍは、電流測定部３７に接続された状態または電圧測定部３８に接続された状態またはハイインピーダンスの状態のいずれかとされる。また、本変形例においては、モニタ線Ｍの一端部近傍は図４１に示す構成となっている。すなわち、Ｋ本のモニタ線Ｍ毎に１つのモニタ回路３２２が設けられている。

　以上のような構成において、各フレームにおいて、上記Ｋ本のモニタ線Ｍに対応するＫ個の列のうちの１つの列のみが上述したモニタ列とされる。特性検出動作が行われる際、モニタ列のモニタ線Ｍのみが電流測定部３７に接続された状態または電圧測定部３８に接続された状態とされ、非モニタ列のモニタ線Ｍはハイインピーダンスの状態とされる。また、特性検出動作が行われる際、非モニタ列では、データ線Ｓには参照電圧Ｖｒｅｆではなくデータ電圧（目標輝度に対応する電圧）が印加される。発光期間Ｔｃ中、モニタ行ではトランジスタＴ３はオン状態になっているが、非モニタ列のモニタ線Ｍはハイインピーダンスの状態で維持される。このため、非モニタ列では、モニタ線Ｍには電流が流れず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れ、通常動作と同様に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。モニタ行のうちのモニタ列では、基準値以上のノイズが検出されない限り、上述した特性検出動作が行われる。

　例えば、“Ｌａｎｄｓｃａｐｅ　ＦＨＤ”の表示部１０を有し駆動周波数が６０Ｈｚである有機ＥＬ表示装置では、１列分のモニタ（ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出）に要する時間は１８秒（＝１０８０／６０）となる。ここで、各画素に対応するオフセット値およびゲイン値が仮に３０分（１８００秒）毎に更新されるようにするには、１００本のモニタ線Ｍ毎に１つのモニタ回路３２２を設ける構成にすれば良い。

　以上より、本変形例によれば、回路素子の劣化を補償するために外部補償技術が採用されている有機ＥＬ表示装置において、回路面積の増大を抑制しつつノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　＜１．５．８　第８の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに一定の電流が与えられた状態で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極の電圧を測定することによってＯＬＥＤ特性の検出が行われていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに一定の電圧が与えられた状態で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流を測定することによってＯＬＥＤ特性の検出が行われる構成（本変形例の構成）であっても良い。

　本変形例においては、ＴＦＴ特性の検出もＯＬＥＤ特性の検出も電流を測定することによって行われる。このため、図４２に示すように、電圧を測定するための構成要素はモニタ回路３２３内に設けられていない。本変形例においては、モニタ線Ｍ（ｊ）は、切替制御信号ＳＷに基づき、電流測定部３９に接続された状態またはハイインピーダンスの状態のいずれかとされる。

　図４３は、本変形例における電流測定部３９の詳細な構成を示す図である。この電流測定部３９には、オペアンプ３９１とコンデンサ３９２と第１のスイッチ３９３と第２のスイッチ３９４とオフセット・増幅率調整部３９５とＡ／Ｄコンバータ３９６とが含まれている。オペアンプ３９１については、非反転入力端子は第２のスイッチ３９４に接続され、反転入力端子はモニタ線Ｍに接続されている。コンデンサ３９２および第１のスイッチ３９３は、オペアンプ３９１の出力端子とモニタ線Ｍとの間に設けられている。オフセット・増幅率調整部３９５は、オペアンプ３９１の出力端子とＡ／Ｄコンバータ３９６との間に設けられている。第２のスイッチ３９４は、オペアンプ３９１の非反転入力端子の電位をローレベル電源線ＥＬＶＳＳの電位とＯＬＥＤ特性検出用の電位Ｖｅｌとの間で切り替えるためのスイッチとして機能する。以上のように、この電流測定部３９は積分回路で構成されている。なお、ＯＬＥＤ特性検出用の電位Ｖｅｌは、“オフセットメモリ５１に格納されているオフセット値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたオフセット値との差分”と“ゲインメモリ５２に格納されているゲイン値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたゲイン値とから計算される、発光電圧相当分の電圧”との和に相当する電位である。

　以上のような構成において、ノイズの検出またはＴＦＴ特性の検出のために電流の測定が行われる際には、第２制御クロック信号Ｓｃｌｋ２によってオペアンプ３９１の非反転入力端子の電位がローレベル電源線ＥＬＶＳＳの電位にされた状態で、上記第１の実施形態と同様の動作が行われる。ＯＬＥＤ特性を検出するために電流の測定が行われる際には、まず、第２制御クロック信号Ｓｃｌｋ２によってオペアンプ３９１の非反転入力端子の電位がＯＬＥＤ特性検出用の電位Ｖｅｌにされるとともに、第１制御クロック信号Ｓｃｌｋ１によって第１のスイッチ３９３がオン状態にされる。これにより、オペアンプ３９１の出力端子－反転入力端子間が短絡状態となり、モニタ線Ｍの電位がＯＬＥＤ特性検出用の電位Ｖｅｌと等しくなる。そして、第１制御クロック信号Ｓｃｌｋ１によって第１のスイッチ３９３がオフ状態にされる。これにより、コンデンサ３９２の存在に起因して、モニタ線Ｍに流れる電流（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給されるソース電流）の大きさに応じてオペアンプ３９１の出力端子の電位が変化する。その電位の変化が、Ａ／Ｄコンバータ３９６から出力されるデジタル信号に反映される。そして、そのデジタル信号がモニタデータＭＯとしてモニタ回路３２３から出力される。なお、オフセット・増幅率調整部３９５は、ＴＦＴ特性検出の際とＯＬＥＤ特性検出の際とでＡ／Ｄコンバータ３９６への入力レベルを同じにする機能を有している。

　図４４は、本変形例において、モニタ行のうちのモニタ列に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。但し、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であると仮定する。本変形例においては、上記第１の実施形態（図１５参照）とは異なり、発光期間ＴｃのうちのＯＬＥＤ特性を検出するための期間には、一定電圧Ｖ（ｉ，ｊ）がモニタ線Ｍ（ｊ）に与えられる。

　本変形例においては、以上のようにして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに一定の電圧が与えられた状態で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流を測定することによってＯＬＥＤ特性の検出が行われる。これにより、測定時間の短縮が可能となる。

　なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに与える一定の電圧の大きさについては、ゲインメモリ５２に格納されているゲイン値とＴＦＴ特性検出期間Ｔａに求められたゲイン値との差分から求められる劣化補正係数に基づいて求めると良い。また、ＯＬＥＤ特性の検出の際には、目標輝度に応じて、一定電圧を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに与える時間の長さが調整されることが好ましい。また、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値になるのであれば、発光期間Ｔｃ中に電圧値を変化させて、複数の動作点での特性（電流－電圧特性）を測定するようにしても良い。

　＜２．第２の実施形態＞
　＜２．１　構成＞
　図４５は、本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置２の全体構成を示すブロック図である。図４５に示すように、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置２には、上記第１の実施形態における構成要素に加えて、タッチパネル８０が設けられている。

　ところで、タッチパネルは比較的ノイズを生じやすい。このため、タッチパネルを搭載した有機ＥＬ表示装置においては、タッチパネルを垂直帰線期間にクロック動作させることが多い。そこで、本実施形態においても、タッチパネル８０は垂直帰線期間にクロック動作するものと仮定する。

　＜２．２　駆動方法＞
　タッチパネルを搭載した有機ＥＬ表示装置においては、仮に特性検出期間の前後のノイズ測定期間Ｔｎに基準値以上のノイズが検出されなかったとしても、当該特性検出期間に例えばＴＦＴ特性を求めるための電流がタッチパネルのクロック動作に起因して正しく検出されないことがあり得る。そこで、本実施形態においては、垂直帰線期間（タッチパネル８０によるクロック動作が行われる期間）を通じて特性検出動作が行われないよう、制御部（コントロール回路２０）が画素回路駆動部（ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０）の動作を制御する。

　図４６は、本実施形態において、モニタ行のうちのモニタ列に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。但し、ノイズ測定期間Ｔｎに検出されたノイズの大きさが基準値未満であると仮定する。なお、図４６では、垂直帰線期間を符号Ｔｆで表している。本実施形態においては、垂直帰線期間Ｔｆ中、特性検出動作が停止する。すなわち、垂直帰線期間Ｔｆ中、モニタ線Ｍに流れる電流の大きさを測定する処理が停止される。なお、垂直帰線期間Ｔｆの前後に電流の測定を繰り返し行い、測定結果の平均化処理を行うことによって、所望の電流の大きさを求めるようにすれば良い。

　＜２．３　効果＞
　本実施形態によれば、回路素子の劣化を補償するために外部補償技術が採用されている有機ＥＬ表示装置において、タッチパネルが搭載されていても、ノイズに起因する補償精度の低下を防止することが可能となる。

　＜３．第３の実施形態＞
　＜３．１　構成＞
　図４７は、本発明の第３の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置３の全体構成を示すブロック図である。本実施形態においては、ノイズを検出するためのノイズモニタ回路８５が有機ＥＬパネルの外部に設けられている。このような構成において、ＴＦＴ特性を求めるための電流の測定およびＯＬＥＤ特性を求めるための電圧の測定はモニタ回路３２２で行われ、ノイズの測定はノイズモニタ回路８５で行われる。このようにノイズの測定は有機ＥＬパネルの外部で行われるため、列毎にノイズの大きさの判断が行われるのではない。なお、本実施形態においては、ノイズモニタ回路８５によってノイズ測定部が実現されている。すなわち、ノイズ測定部は、特性検出部（モニタ回路３２２）とは別に、有機ＥＬパネルの外部に設けられている。

　＜３．２　制御アルゴリズム＞
　次に、本実施形態における制御アルゴリズムについて説明する。なお、ここでは、特性検出動作が行われる前にノイズモニタ回路８５でノイズの測定が行われるものと仮定する。図４８は、制御アルゴリズムを説明するためのフローチャートである。図４９は、各制御の説明をするための図である。コントロール回路２０は、この制御アルゴリズムに基づいて、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０の動作を制御する。まず、図４８を参照しつつ、処理対象のデータ（行，列，および階調を示すデータ）（以下、「対象データ」という。）に対する制御方法の決定手順について説明する。

　まず、ステップＳ６１０で、ノイズモニタ回路８５で検出されたノイズの大きさが基準値未満であったか否かが判断される。ノイズの大きさが基準値以上であれば、対象データに対する制御方法は“制御Ｅ”となる。ノイズの大きさが基準値未満であれば、更にステップＳ６２０での判断が行われる。ステップＳ６２０では、対象データがモニタ行のデータであるか否かが判断される。対象データがモニタ行のデータでなければ、対象データに対する制御方法は“制御Ａ１”となる。対象データがモニタ行のデータであれば、更にステップＳ６３０での判断が行われる。ステップＳ６３０では、対象データがモニタ列のデータであるか否かが判断される。対象データがモニタ列のデータでなければ、対象データに対する制御方法は“制御Ｂ”となる。対象データがモニタ列のデータであれば、更にステップＳ６４０での判断が行われる。ステップＳ６４０では、対象データが低階調データ（黒色の表示が行われる階調データまたはほぼ黒色の表示が行われる階調データ）であるか否かが判断される。対象データが低階調データでなければ、対象データに対する制御方法は“制御Ｃ”となる。対象データが低階調データであれば、対象データに対する制御方法は“制御Ｄ”となる。

　“制御Ａ１”，“制御Ｂ”，“制御Ｃ”，および“制御Ｄ”については、上記第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。

　“制御Ｅ”は、基準値以上のノイズが検出されたときの各データに対する制御方法である。基準値以上のノイズが検出されていて特性検出を行う必要がないので、走査線Ｇ１（ｉ）については通常の１水平走査期間だけアクティブな状態（ハイレベルの状態）とされる。モニタ制御線Ｇ２（ｉ）については、全ての行で非アクティブな状態（ローレベルの状態）とされる。なお、次フレーム以降に該当の行から特性検出動作が行われるようにするため、全ての行のモニタ制御線Ｇ２（ｉ）を非アクティブにする直前に、アクティブな状態の行が記憶される。また、通常通りの表示が行われれば良いので、データ線Ｓ（ｊ）には通常の階調データに対応するデータ電圧が印加される。特性検出を行う必要がないので、モニタラインスイッチ３３１の状態はオフ状態とされる。特性検出は行われないので、補正データの更新は行われない。

　＜３．３　効果＞
　本実施形態によれば、ノイズを測定するための回路（ノイズモニタ回路８５）がＴＦＴ特性の検出やＯＬＥＤ特性の検出を行うためのモニタ回路３２２とは別に設けられているので、フレーム期間中の任意のタイミングでノイズの測定を行うことが可能となる。すなわち、フレーム期間中の任意の期間をノイズ測定期間Ｔｎとすることができる。例えば、図５０において符号Ｔｎ１で示す期間，符号Ｔｎ２で示す期間，符号Ｔｎ３で示す期間，符号Ｔｎ４で示す期間，符号Ｔｎ５で示す期間など、いずれの期間をノイズ測定期間としても良い。

　＜４．その他＞
　本発明を適用可能な有機ＥＬ表示装置は、図７に示した画素回路１１を備えるものに限定されるものではない。画素回路は、少なくとも、電流によって制御される電気光学素子（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ），トランジスタＴ１～Ｔ３，およびコンデンサＣｓｔを備えていれば、図７に示した構成以外の構成であっても良い。

　第１の実施形態に関して第１～第８の変形例を示している。これら第１～第８の変形例は、第２の実施形態および第３の実施形態にも適用することができる。また、第１～第８の変形例については、適宜組み合わせて採用することもできる。例えば、第１の実施形態に対して第１の変形例および第７の変形例を適用しても良い。

　各実施形態および各変形例では各フレームにおいてＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の双方の検出が行われていたが、本発明はこれに限定されない。各フレームの特性検出期間にＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の少なくとも一方が検出されるのであれば、本発明を適用することができる。

１～３…有機ＥＬ表示装置
１０…表示部
１１…画素回路
２０…コントロール回路
３０…ソースドライバ
３１…駆動信号発生回路
３２…信号変換回路
３３…出力部
３７，３９…電流測定部
３８…電圧測定部
４０…ゲートドライバ
５１…オフセットメモリ
５２…ゲインメモリ
８０…タッチパネル
８５…ノイズモニタ回路
３２１…階調信号発生回路
３２２，３２３…モニタ回路
３３０…出力回路
Ｔ１～Ｔ３…トランジスタ
Ｃｓｔ…コンデンサ
Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）…走査線
Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）…モニタ制御線
Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）…データ線
Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）…モニタ線
Ｔａ…ＴＦＴ特性検出期間
Ｔｂ…黒書込期間
Ｔｃ…発光期間
Ｔｎ…ノイズ測定期間

Claims (20)

1. 　電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置の駆動方法であって、
   　ノイズを測定するノイズ測定ステップと、
   　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する特性検出ステップと、
   　前記表示装置に設けられた補正データ記憶部に記憶されている補正データを前記特性検出ステップでの検出結果に基づいて更新する補正データ更新ステップと、
   　前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給するための映像信号を前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて補正する映像信号補正ステップと
   を含み、
   　前記ノイズ測定ステップで基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直後における前記特性検出ステップの処理が行われない、または、当該ノイズが検出された時点の近傍の時点に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理が行われないことを特徴とする、駆動方法。
2. 　前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直前に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理および当該ノイズが検出された時点の直後に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理の少なくとも一方が行われないことを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
3. 　フレーム期間において、前記特性検出ステップでは、前記画素マトリクスの１つの行のみについて前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性が検出され、
   　Ｚ行目（Ｚは１以上ｎ以下の整数）についての前記特性検出ステップの処理が行われたフレーム期間のことを対象フレーム期間と定義したとき、
   　　前記対象フレーム期間において前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出された場合には、前記対象フレーム期間に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理は行われず、前記対象フレーム期間の次のフレーム期間においてもＺ行目についての前記特性検出ステップの処理が行われ、
   　　前記対象フレーム期間において前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出されず、かつ、前記対象フレーム期間の次のフレーム期間において前記ノイズ測定ステップで前記基準値以上のノイズが検出された場合には、前記対象フレーム期間に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理および前記対象フレーム期間の次のフレーム期間に行われた前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理は行われず、前記対象フレーム期間の２フレーム後のフレーム期間においてもＺ行目についての前記特性検出ステップの処理が行われることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
4. 　フレーム期間において、前記特性検出ステップでは、前記画素マトリクスの１つの行のみについて前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性が検出され、
   　Ｚ行目（Ｚは１以上ｎ以下の整数）についての前記特性検出ステップでの検出結果に基づく前記補正データ更新ステップの処理は、Ｚ行目についての前記特性検出ステップの直前に行われた前記ノイズ測定ステップおよびＺ行目についての前記特性検出ステップの直後に行われた前記ノイズ測定ステップの双方で前記基準値以上のノイズが検出されなかったときのみ行われることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
5. 　フレーム期間において、前記特性検出ステップの前後に前記ノイズ測定ステップの処理が行われることを特徴とする、請求項４に記載の駆動方法。
6. 　複数のフレーム期間毎に前記ノイズ測定ステップの処理が行われることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
7. 　前記特性検出ステップは、
   　　前記駆動トランジスタの特性を検出する第１の特性検出ステップと、
   　　前記電気光学素子の特性を検出する第２の特性検出ステップと
   を含み、
   　１フレーム期間は、前記ノイズ測定ステップの処理が行われるノイズ測定期間と、前記電気光学素子を発光させる準備が行われる選択期間と、前記電気光学素子の発光が行われる発光期間とを含み、
   　前記第１の特性検出ステップの処理は、前記選択期間に行われ、
   　前記第２の特性検出ステップの処理は、前記発光期間に行われることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
8. 　前記第２の特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電流が与えられた状態で前記電気光学素子の陽極の電圧を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする、請求項７に記載の駆動方法。
9. 　前記第２の特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電圧が与えられた状態で前記電気光学素子に流れる電流を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする、請求項７に記載の駆動方法。
10. 　前記第１の特性検出ステップでは、前記駆動トランジスタのゲート－ソース間の電圧を所定の大きさにした状態で前記駆動トランジスタのドレイン－ソース間を流れる電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出されることを特徴とする、請求項７に記載の駆動方法。
11. 　前記表示装置は、タッチパネルを更に有し、
    　前記タッチパネルによるクロック動作が行われる期間を通じて前記特性検出ステップの処理が行われないことを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
12. 　前記タッチパネルは、垂直帰線期間中にクロック動作を行い、
    　垂直帰線期間を通じて前記特性検出ステップの処理が行われないことを特徴とする、請求項１１に記載の駆動方法。
13. 　電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置であって、
    　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する特性検出処理を行いつつ前記ｎ×ｍ個の画素回路を駆動する画素回路駆動部と、
    　映像信号を補正するための補正データが記憶される補正データ記憶部と、
    　前記補正データ記憶部に記憶されている補正データを前記特性検出処理での検出結果に基づいて更新する補正データ更新処理および前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給するための映像信号を前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて補正する映像信号補正処理を行いつつ前記画素回路駆動部の動作を制御する制御部と、
    　ノイズを測定するノイズ測定部と
    を備え、
    　前記制御部は、前記ノイズ測定部によって基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直後における前記特性検出処理が行われないよう前記画素回路駆動部の動作を制御する、または、当該ノイズが検出された時点の近傍の時点に行われた前記特性検出処理での検出結果に基づく前記補正データ更新処理を行わないことを特徴とする、表示装置。
14. 　前記制御部は、前記ノイズ測定部によって前記基準値以上のノイズが検出されたとき、当該ノイズが検出された時点の直前に行われた前記特性検出処理での検出結果に基づく前記補正データ更新処理および当該ノイズが検出された時点の直後に行われた前記特性検出処理での検出結果に基づく前記補正データ更新処理の少なくとも一方を行わないことを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置。
15. 　前記画素マトリクスの各列に対応するように設けられたモニタ線を更に備え、
    　前記画素回路駆動部は、前記モニタ線を流れる電流または前記モニタ線上の所定の位置の電圧を測定することによって前記特性検出処理を行う特性検出部を含むことを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置。
16. 　前記ノイズ測定部は、前記特性検出部と同じ回路を共有し、
    　前記ノイズ測定部によるノイズの測定が行われるときには、前記モニタ線は前記電気光学素子および前記駆動トランジスタとは電気的に切り離された状態にされることを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置。
17. 　前記ノイズ測定部は、前記特性検出部とは別に、前記画素マトリクスを含む有機ＥＬパネルの外部に設けられていることを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置。
18. 　前記特性検出部は、Ｋ本のモニタ線（Ｋは２以上ｍ以下の整数）につき１つだけ設けられ、
    　フレーム期間において、
    　　前記Ｋ本のモニタ線のうちの１つが前記特性検出部と電気的に接続され、
    　　前記特性検出部と電気的に接続されていないモニタ線は、ハイインピーダンスの状態にされていることを特徴とする、請求項１５に記載の表示装置。
19. 　タッチパネルを更に備え、
    　前記制御部は、前記タッチパネルによるクロック動作が行われる期間を通じて前記特性検出処理が停止するよう、前記画素回路駆動部の動作を制御することを特徴とする、請求項１３に記載の表示装置。
20. 　前記タッチパネルは、垂直帰線期間中にクロック動作を行い、
    　前記制御部は、垂直帰線期間を通じて前記特性検出処理が停止するよう、前記画素回路駆動部の動作を制御することを特徴とする、請求項１９に記載の表示装置。

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