CN105339998B - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

在为了补偿电路元件的劣化而采用外部补偿技术的显示装置中，能够防止由噪声引起的补偿精度的下降。该显示装置包括具有利用电流控制亮度的电元学元件和用于控制要供给该电光学元件的电流的驱动晶体管的像素电路，该显示装置的驱动方法包括：测定噪声的噪声测定步骤(S110)；检测驱动晶体管和电光学元件的特性的特性检测步骤(S130、S140)；基于特性检测步骤中的检测结果，更新用于修正视频信号的修正数据的修正数据更新步骤(S150)；和基于修正数据修正视频信号的视频信号修正步骤(S160)。当在噪声测定步骤(S110)中检测出基准值以上的噪声时，不进行修正数据更新步骤(S150)的处理。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其驱动方法，更详细地说，涉及具有像素电路的显示装置及其驱动方法，该像素电路包含有机EL(Electro Luminescence，电致发光)元件等的电光学元件。
背景技术
现有技术中，作为显示装置所具有的显示元件，有根据施加的电压控制亮度的电光学元件和利用流动的电流控制亮度的电光学元件。作为根据施加的电压控制亮度的电光学元件的代表例，能够举出液晶显示元件。另一方面，作为根据流动的电流控制亮度的电光学元件的代表例，能够举出有机EL元件。有机EL元件被称为OLED(Organic Light－Emitting Diode，有机发光二极管)。使用作为自发光型的电光学元件的有机EL元件的有机EL显示装置，与需要背光源和滤色片等的液晶显示装置相比，能够容易地达到薄型化、低耗电化、高亮度化等。由此，近年来积极地进行有机EL显示装置的开发。
作为有机EL显示装置的驱动方式，已知无源矩阵方式(也称为单纯矩阵方式。)和有源矩阵方式。采用无源矩阵方式的有机EL显示装置，构造简单，但难以进行大型化和高精细化。与此不同，采用有源矩阵方式的有机EL显示装置(以下称为“有源矩阵型的有机EL显示装置”。)，与采用无源矩阵方式的有机EL显示装置相比，能够容易地实现大型化和高精细化。
在有源矩阵型的有机EL显示装置中，矩阵状地形成有多个像素电路。有源矩阵型的有机EL显示装置的像素电路典型地包括选择像素的输入晶体管和控制对有机EL元件的电流提供的驱动晶体管。另外，以下有时将从驱动晶体管向有机EL元件流动的电流称为“驱动电流”。
图51是表示现有的一般的像素电路91的结构的电路图。该像素电路91与配置在显示部的多个数据线S和多个扫描线G的各交叉点对应地设置。如图51所示，该像素电路91包括2个晶体管T1、T2、1个电容器Cst、1个有机EL元件OLED。晶体管T1是输入晶体管，晶体管T2是驱动晶体管。
晶体管T1设置在数据线S与晶体管T2的栅极端子之间。关于该晶体管T1，栅极端子与扫描线G连接，源极端子与数据线S连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。关于该晶体管T2，漏极端子与提供高电平电源电压ELVDD的电源线连接，源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子。另外，以下将提供高电平电源电压ELVDD的电源线称为“高电平电源线”，对高电平电源线标注与高电平电源电压相同的附图标记ELVDD。关于电容器Cst，一端与晶体管T2的栅极端子连接，另一端与晶体管T2的源极端子连接。有机EL元件OLED的阴极端子与提供低电平电源电压ELVSS的电源线连接。另外，以下将提供低电平电源电压ELVSS的电源线称为“低电平电源线”，对低电平电源线标注与低电平电源电压相同的附图标记ELVSS。此外，此处，为了方便，将晶体管T2的栅极端子、电容器Cst的一端和晶体管T1的漏极端子的连接点称为“栅极节点VG”。另外，一般来说，将漏极和源极中电位较高的一方称为漏极，但本说明书的说明中，由于将一方定义为漏极，将另一方定义为源极，因此也存在源极电位比漏极电位高的情况。
图52是用于说明图51所示的像素电路91的动作的时序图。在时刻t1以前，扫描线G为非选择状态。由此，在时刻t1以前，晶体管T1在为截止状态，栅极节点VG的电位维持为初始电平(例如，与前1帧的写入相应的电平)。当成为时刻t1时，扫描线G成为选择状态，晶体管T1导通。由此，经由数据线S和晶体管T1，与该像素电路91所形成的像素(子像素)的亮度相应的数据电压Vdata被提供至栅极节点VG。之后，在时刻t2之前的期间，栅极节点VG的电位与数据电压Vdata相应地变化。此时，电容器Cst对作为栅极节点VG的电位与晶体管T2的源极电位的差的栅极－源极间电压Vgs充电。当成为时刻t2时，扫描线G成为非选择状态。由此，晶体管T1截止，电容Cst所保持的栅极－源极间电压Vgs确定。晶体管T2根据电容器Cst所保持的栅极－源极间电压Vgs向有机EL元件OLED提供驱动电流。结果，有机EL元件OLED以与驱动电流相应的亮度发光。
而在有机EL显示装置中，作为驱动晶体管，典型的是采用薄膜晶体管(TFT)。但是，薄膜晶体管的特性容易产生偏差。具体地说，是阈值电压容易产生偏差。当在设置于显示部内的驱动晶体管中产生阈值电压的偏差时，会产生亮度的偏差，因此显示品质下降。此外，有机EL元件随着时间的经过而电流效率下降。由此，即使一定电流被供给至有机EL元件，随着时间的经过亮度也逐渐下降。结果产生残影。
如果不对驱动晶体管的劣化和有机EL元件的劣化进行补偿，则如图53所示，由于驱动晶体管的劣化导致发生电流下降，而且由于有机EL元件的劣化导致发生亮度下降。此外，即使对驱动晶体管的劣化进行补偿，如果不对有机EL元件的劣化进行补偿，则如图54所示，随着时间的经过，会由于有机EL元件的劣化导致发生亮度下降。于是，现有技术中，提出了对于有机EL显示装置补偿电路元件的劣化的技术方案。
作为关于补偿处理的技术，已知下述技术：在像素电路的内部例如设置在驱动晶体管的栅极－源极间的电容器保持该驱动晶体管的阈值电压，由此进行补偿处理的内部补偿技术；和由设置在像素电路的外部的电路对例如规定条件下在驱动晶体管流动的电流的大小进行测定，基于其测定结果修正视频信号，由此进行补偿处理的外部补偿技术。
另外，已知与本发明相关的以下的现有技术文献。在日本特表2008－523448号公报中，公开了基于驱动晶体管的特性、有机EL元件的特性修正数据的外部补偿技术。在日本特开2007－233326号公报中，公开了无论驱动晶体管的阈值电压、电子迁移率如何，都能够进行均匀亮度的图像显示的外部补偿技术。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2008－523448号公报
专利文献2：日本特开2007－233326号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在有机EL显示装置中采用外部补偿技术的情况下，通过检测几十纳安程度的极小的电流进行补偿处理。因此，当例如由于带电物质的接近而导致噪声混入检测电流中时，在本来的电流值与测定值之间产生不能够忽略的程度的误差。此外，近年来，开始出售搭载有触控面板的有机EL显示装置。触控面板比较容易产生噪声。于是，由于从触控面板产生的噪声的影响，会在本来的电流值与测定值之间产生误差。如上所述，在有机EL显示装置中采用外部补偿技术的情况下，担心由于带电物质的接近、触控面板的存在导致在检测电流中混入噪声、检测电流的S/N比劣化(参照图55)。当检测电流的S/N比劣化时，补偿的精度下降。
上述日本特表2008－523448号公报和日本特开2007－233326号公报中，对于噪声没有任何记载。由此，在混入噪声的情况下，检测电流的S/N比劣化，补偿的精度下降。
于是，本发明的目的是，在为了补偿电路元件的劣化而采用外部补偿技术的显示装置中，防止由噪声引起的补偿精度的下降。
用于解决问题的技术方案
本发明的第1方面提供一种显示装置的驱动方法，该显示装置具有由n×m个(n和m是2以上的整数)像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，上述像素电路分别包含利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到上述电光学元件的电流的驱动晶体管，该显示装置的驱动方法的特征在于，包括：
测定噪声的噪声测定步骤；
检测上述驱动晶体管和上述电光学元件中的至少一方的特性的特性检测步骤；
基于上述特性检测步骤中的检测结果，更新在设置于上述显示装置的修正数据存储部中存储的修正数据的修正数据更新步骤；和
基于在上述修正数据存储部中存储的修正数据，修正用于供给到上述n×m个像素电路的视频信号的视频信号修正步骤，
在上述噪声测定步骤中检测出基准值以上的噪声时，不进行紧接在检测出该噪声的时刻之后的上述特性检测步骤的处理，或者，不进行基于在检测出该噪声的时刻的邻近时刻进行的上述特性检测步骤中的检测结果的上述修正数据更新步骤的处理。
本发明的第2方面的特征在于，在本发明的第1方面中，
在上述噪声测定步骤中检测出上述基准值以上的噪声时，不进行以下处理中的至少一方：基于紧接在检测出该噪声的时刻之前进行的上述特性检测步骤中的检测结果的上述修正数据更新步骤的处理；和基于紧接在检测出该噪声的时刻之后进行的上述特性检测步骤中的检测结果的上述修正数据更新步骤的处理。
本发明的第3方面的特征在于，在本发明的第1方面中，
在帧期间，在上述特性检测步骤中仅对上述像素矩阵的1行检测上述驱动晶体管和上述电光学元件中的至少一方的特性，
在将对第Z行(Z为1以上n以下的整数)进行上述特性检测步骤的处理的帧期间定义为对象帧期间时，
在上述对象帧期间，在上述噪声测定步骤中检测出上述基准值以上的噪声时，不进行基于在上述对象帧期间进行的上述特性检测步骤中的检测结果的上述修正数据更新步骤的处理，在上述对象帧期间的下一帧期间对第Z行进行上述特性检测步骤的处理，
在上述对象帧期间，在上述噪声测定步骤中没有检测出上述基准值以上的噪声，并且在上述对象帧期间的下一帧期间，在上述噪声测定步骤中检测出上述基准值以上的噪声时，不进行基于在上述对象帧期间进行的上述特性检测步骤中的检测结果的上述修正数据更新步骤的处理，和基于在上述对象帧期间的下一帧期间进行的上述特性检测步骤中的检测结果的上述修正数据更新步骤的处理，在上述对象帧期间的2帧后的帧期间也对第Z行进行上述特性检测步骤的处理。
本发明的第4方面的特征在于，在本发明的第1方面中，
在帧期间，在上述特性检测步骤中仅对上述像素矩阵的1行检测上述驱动晶体管和上述电光学元件中的至少一方的特性，
基于对第Z行(Z为1以上n以下的整数)的上述特性检测步骤中的检测结果的上述修正数据更新步骤的处理，仅在紧接对第Z行的上述特性检测步骤之前进行的上述噪声测定步骤和紧接对第Z行的上述特性检测步骤之后进行的上述噪声测定步骤两者中均没有检测到上述基准值以上的噪声时进行。
本发明的第5方面的特征在于，在本发明的第4方面中，
在帧期间，在上述特性检测步骤的前后进行上述噪声测定步骤的处理。
本发明的第6方面的特征在于，在本发明的第1方面中，
按每多个帧期间进行上述噪声测定步骤的处理。
本发明的第7方面的特征在于，在本发明的第1方面中，
上述特性检测步骤包括：
检测上述驱动晶体管的特性的第一特性检测步骤；和
检测上述电光学元件的特性的第二特性检测步骤，
1帧期间包括：进行上述噪声测定步骤的处理的噪声测定期间；进行使上述电光学元件发光的准备的选择期间；和进行上述电光学元件的发光的发光期间，
上述第一特性检测步骤的处理在上述选择期间进行，
上述第二特性检测步骤的处理在上述发光期间进行。
本发明的第8方面的特征在于，在本发明的第7方面中，
在上述第二特性检测步骤中，在对上述电光学元件提供一定的电流的状态下测定上述电光学元件的阳极的电压，由此检测上述电光学元件的特性。
本发明的第9方面的特征在于，在本发明的第7方面中，
在上述第二特性检测步骤中，在对上述电光学元件提供一定的电压的状态下测定在上述电光学元件中流动的电流，由此检测上述电光学元件的特性。
本发明的第10方面的特征在于，在本发明的第7方面中，
在上述第一特性检测步骤中，在使上述驱动晶体管的栅极－源极间的电压为规定的大小的状态下测定在上述驱动晶体管的漏极－源极间流动的电流，由此检测上述驱动晶体管的特性。
本发明的第11方面的特征在于，在本发明的第1方面中，
上述显示装置还具有触控面板，
在进行上述触控面板的时钟动作的期间不进行上述特性检测步骤的处理。
本发明的第12方面的特征在于，在本发明的第11方面中，
上述触控面板在垂直回扫期间中进行时钟动作，
在垂直回扫期间不进行上述特性检测步骤的处理。
本发明的第13方面提供一种显示装置，其具有由n×m个(n和m是2以上的整数)像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，上述像素电路分别包含利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到上述电光学元件的电流的驱动晶体管，该显示装置的特征在于，包括：
进行检测上述驱动晶体管和上述电光学元件中的至少一方的特性的特性检测处理，并且驱动上述n×m个像素电路的像素电路驱动部；
存储用于修正视频信号的修正数据的修正数据存储部；
控制部，其进行基于上述特性检测处理中的检测结果更新在上述修正数据存储部中存储的修正数据的修正数据更新处理，和基于在上述修正数据存储部中存储的修正数据修正用于供给到上述n×m个像素电路的视频信号的视频信号修正处理，并且控制上述像素电路驱动部的动作；和
测定噪声的噪声测定部，
上述控制部在上述噪声测定部检测出基准值以上的噪声时，控制上述像素电路驱动部的动作，使得不进行紧接在检测出该噪声的时刻之后的上述特性检测处理，或者，不进行基于在检测出该噪声的时刻的邻近时刻进行的上述特性检测处理中的检测结果的上述修正数据更新处理。
本发明的第14方面的特征在于，在本发明的第13方面中，
上述控制部在上述噪声测定部检测出上述基准值以上的噪声时，不进行以下处理中的至少一方：基于紧接在检测出该噪声的时刻之前进行的上述特性检测处理中的检测结果的上述修正数据更新处理；和基于紧接在检测出该噪声的时刻之后进行的上述特性检测处理中的检测结果的上述修正数据更新处理。
本发明的第15方面的特征在于，在本发明的第13方面中，
还包括以与上述像素矩阵的各列对应的方式设置的监视线，
上述像素电路驱动部包括通过测定在上述监视线流动的电流或上述监视线上的规定位置的电压来进行上述特性检测处理的特性检测部
本发明的第16方面的特征在于，在本发明的第15方面中，
上述噪声测定部与上述特性检测部共用相同的电路，
在上述噪声测定部进行噪声测定时，上述监视线为与上述电光学元件和上述驱动晶体管电分离的状态。
本发明的第17方面的特征在于，在本发明的第15方面中，
上述噪声测定部与上述特性检测部分开地设置在包括上述像素矩阵的有机EL面板的外部。
本发明的第18方面的特征在于，在本发明的第15方面中，
对每K根(K为2以上m以下的整数)监视线仅设置有1个上述特性检测部，
在帧期间中，
上述K根监视线中的1根监视线与上述特性检测部电连接，
不与上述特性检测部电连接的监视线成为高阻抗的状态。
本发明的第19方面的特征在于，在本发明的第13方面中，
还包括触控面板，
上述控制部控制上述像素电路驱动部的动作，使得上述特性检测处理在进行上述触控面板的时钟动作的期间停止。
本发明的第20方面的特征在于，在本发明的第19方面中，
上述触控面板在垂直回扫期间中进行时钟动作，
上述控制部控制上述像素电路驱动部的动作，使得上述特性检测处理在垂直回扫期间停止。
发明效果
根据本发明的第1方面，在包括具有利用电流控制亮度的电光学元件(例如有机EL元件)和用于控制要供给该电光学元件的电流的驱动晶体管的像素电路的显示装置的驱动方法中，包含测定噪声的噪声测定步骤。如果在噪声测定步骤检测出的噪声的大小低于基准值，则使用考虑了驱动晶体管、电光学元件的特性的检测结果而得的修正数据修正视频信号。这样修正后的视频信号被供给至像素电路，补偿驱动晶体管、电光学元件的劣化的大小的驱动电流被供给至电光学元件。此处，如果在噪声测定步骤检测出的噪声的大小为基准值以上，则不进行修正数据的更新。即，关于用于对于电路元件的劣化进行外部补偿的检测电流，在本来的电流值与测定值之间产生不能够忽略的程度的误差时，不更新修正数据。由此，能够防止修正数据的值成为不适当的值而导致补偿精度下降。如上所述，在为了补偿电路元件的劣化而采用外部补偿技术的表示装置中，能够防止由噪声引起的补偿精度的下降。
根据本发明的第2方面，能够得到与本发明的第1方面同样的效果。
根据本发明的第3方面，在产生噪声的期间中，作为特性检测的对象的行被维持。因此，能够防止由于行的不同导致特性检测的次数不同。由此，能够在画面整体均匀地进行对驱动晶体管、电光学元件的劣化的补偿，有效地防止亮度的偏差的发生。
根据本发明的第4方面，仅在紧接特性检测步骤之前的噪声测定步骤和紧接特性检测步骤之后的噪声测定步骤这两者中噪声的大小均低于基准值的情况下，进行修正数据的更新。像这样考虑进行特性检测的期间的前后期间中的噪声的状态而进行修正数据的更新，因此能够更有效地防止修正数据的值成为不适当的值而导致补偿精度下降。
根据本发明的第5方面，能够得到与本发明的第4方面同样的效果。
根据本发明的第6方面，能够减小测定噪声的频率，并且得到与本发明的第1方面同样的效果。
根据本发明的第7方面，驱动晶体管的特性的检测在选择期间进行，电光学元件的特性的检测在电光学元件的发光期间中进行。由此，能够抑制用于进行驱动晶体管、电光学元件的特性检测的发光期间的长度与现有技术相比变短。
根据本发明的第8方面，对检测特性的电光学元件供给一定的电流。因此，通过调整对电光学元件供给一定电流的时间，能够使该电光学元件以所需的亮度发光。
根据本发明的第9方面，能够缩短用于检测电光学元件的特性的测定时间。
根据本发明的第10方面，能够比较容易地检测驱动晶体管的特性。
根据本发明的第11方面，在为了补偿电路元件的劣化而采用外部补偿技术的显示装置中，即使搭载有触控面板，也能够防止由噪声引起的补偿精度的下降。
根据本发明的第12方面，能够得到与本发明的第11方面同样的效果。
根据本发明的第13方面，能够在显示装置的发明中得到与本发明的第1方面同样的效果。
根据本发明的第14方面，能够在显示装置的发明中得到与本发明的第2方面同样的效果。
根据本发明的第15方面，在通过测定在以与像素矩阵的各列对应的方式设置的监视线中流动的电流或该监视线上的规定位置的电压来进行驱动晶体管、电光学元件的特性检测的结构的显示装置中，能够防止由噪声引起的补偿精度的下降。
根据本发明的第16方面，不需要在特性检测部之外还设置噪声测定用的电路。因此，能够抑制电路面积的增大并且防止由噪声引起的补偿精度的下降。
根据本发明的第17方面，能够在帧期间中的任意时刻进行噪声的测定。
根据本发明的第18方面，1个特性检测部在多个监视线中共用。因此，能够抑制电路面积的增大并且防止由噪声引起的补偿精度的下降。
根据本发明的第19方面，能够在显示装置的发明中得到与本发明的第11方面同样的效果。
根据本发明的第20方面，能够在显示装置的发明中得到与本发明的第12方面同样的效果。
附图说明
图1是用于说明在本发明的第一实施方式中，关注监视行中的监视列时的驱动方法的概要的流程图。
图2是表示上述第一实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图3是用于说明在上述第一实施方式中，栅极驱动器的动作的时序图。
图4是用于说明在上述第一实施方式中，栅极驱动器的动作的时序图。
图5是用于说明在上述第一实施方式中，栅极驱动器的动作的时序图。
图6是表示在上述第一实施方式中，信号转换电路的概要结构的框图。
图7是表示上述第一实施方式的像素电路和监视电路的结构的图。
图8是表示上述第一实施方式的电流测定部的一结构例的图。
图9是表示上述第一实施方式的电压测定部的一结构例的图。
图10是用于说明在上述第一实施方式中，各行的动作的推移的图。
图11是用于说明在上述第一实施方式中，噪声测定期间与特性检测期间的关系的图。
图12是用于说明在上述第一实施方式中，基于某帧的特性检测的结果进行修正数据更新处理的条件的图。
图13是用于说明在上述第一实施方式中，检测出基准值以上的噪声时的动作的图。
图14是用于说明在上述第一实施方式中，进行通常动作时的电流的流动的图。
图15是用于说明在上述第一实施方式中，包含于监视行中的监视列的像素电路(i行j列的像素电路)的动作的时序图(在噪声测定期间中检测到的噪声的大小低于基准值的情况)。
图16是用于说明在上述第一实施方式中，包含于监视行中的监视列的像素电路(i行j列的像素电路)的动作的时序图(在噪声测定期间中检测到的噪声的大小为基准值以上的情况)。
图17是用于说明在上述第一实施方式中，噪声测定期间的电流的流动的图。
图18是用于说明在上述第一实施方式中，TFT特性检测期间的电流的流动的图。
图19是用于说明在上述第一实施方式中，TFT特性检测期间的参照电压向数据线的施加的图。
图20是用于说明在上述第一实施方式中，发光期间的电流的流动的图。
图21是用于说明在上述第一实施方式中，有机EL元件的发光时间的调整的图。
图22是用于说明在上述第一实施方式中，监视行和非监视行中的发光期间的长度的不同的图。
图23是用于说明上述第一实施方式的控制原理的流程图。
图24是用于说明上述第一实施方式的各控制的说明的图。
图25是用于说明在上述第一实施方式中，偏移存储器和增益存储器的更新的顺序的流程图。
图26是表示上述第一实施方式的视频信号修正部的结构的图。
图27是用于说明上述第一实施方式的效果的图。
图28是用于说明在上述第一实施方式的第一变形例中，关注监视行中的监视列时的驱动方法的概要的流程图。
图29是用于说明在上述第一实施方式的第一变形例中，在某帧的噪声测定期间中检测到基准值以上的噪声时的动作的图。
图30是用于说明上述第一实施方式的第二变形例的监视行的推移的图。
图31是用于说明上述第一实施方式的第二变形例的监视行的推移的图。
图32是用于说明上述第一实施方式的第二变形例的监视行的推移的图。
图33是用于说明在上述第一实施方式的第三变形例中，基于某帧的特性检测的结果进行修正数据更新处理的条件的图。
图34是用于说明在上述第一实施方式的第三变形例中，检测到基准值以上的噪声时的动作的图。
图35是用于说明上述第一实施方式的第三变形例的动作的概要的流程图。
图36是用于说明在上述第一实施方式的第四变形例中，噪声测定期间与特性检测期间的关系的图。
图37是用于说明在上述第一实施方式的第五变形例中，噪声测定期间与特性检测期间的关系的图。
图38是在上述第一实施方式的第五变形例中，检测到基准值以上的噪声时的动作的图。
图39是用于说明在上述第一实施方式的第五变形例中，基于某帧的特性检测的结果进行修正数据更新处理的条件的图。
图40是用于说明在上述第一实施方式的第六变形例中，对多个帧中的每一帧进行噪声的测定的图。
图41是表示上述第一实施方式的第七变形例的监视线的一端部附近的结构的图。
图42是表示上述第一实施方式的第八变形例的像素电路和监视电路的结构的图。
图43是表示上述第一实施方式的第八变形例的电流测定部的详细结构的图。
图44是用于说明在上述第一实施方式的第八变形例中，包含于监视行中的监视列的像素电路(i行j列的像素电路)的动作的时序图。
图45是表示本发明的第二实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图46是用于说明上述第二实施方式中，包含于监视行中的监视列的像素电路(i行j列的像素电路)的动作的时序图。
图47是表示本发明的第三实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体结构的框图。
图48是用于说明上述第三实施方式的控制原理的流程图。
图49是用于说明上述第三实施方式的各控制的图。
图50是用于说明上述第三实施方式的效果的图。
图51是表示现有的一般的像素电路的结构的电路图。
图52是用于说明图51所示的像素电路的动作的时序图。
图53是用于说明不对驱动晶体管的劣化和有机EL元件的劣化进行任何补偿的情况的图。
图54是用于说明仅对驱动晶体管的劣化进行补偿的情况的图。
图55是用于说明从触控面板产生的噪声的影响的图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。另外，在以下的说明中，设m和n是2以上的整数，i是1以上n以下的整数，j是1以上m以下的整数。此外，在以下的说明中，将在像素电路内设置的驱动晶体管的特性称为“TFT特性”，将在像素电路内设置的有机EL元件的特性称为“OLED特性”。
<1.第一实施方式>
<1.1整体结构>
图2是表示本发明的第一实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置1的整体结构的框图。该有机EL显示装置1包括：显示部(有机EL面板)10、控制电路20、源极驱动器(数据线驱动电路)30、栅极驱动器(扫描线驱动电路)40、偏移存储器51和增益存储器52。其中，源极驱动器30和栅极驱动器40的一方或双方可以与显示部10一体形成。此外，偏移存储器51和增益存储器52可以物理上由1个存储器构成。
另外，在本实施方式中，由控制电路20实现控制部，由源极驱动器30和栅极驱动器40实现像素电路驱动部，由偏移存储器51和增益存储器52实现修正数据存储部。
在显示部10配置有m根数据线S(1)～S(m)和与其正交的n根扫描线G1(1)～G1(n)。以下将数据线的延伸方向称为Y方向，将扫描线的延伸方向称为X方向。有时将沿Y方向的构成要素称为“列”，将沿X方向的构成要素称为“行”。此外，在显示部10，以与m根数据线S(1)～S(m)1对1地对应的方式，配置有m根监视线M(1)～M(m)。数据线S(1)～S(m)和监视线M(1)～M(m)相互平行。进一步，在显示部10，以与n根扫描线G1(1)～G1(n)1对1地对应的方式，配置有n根监视控制线G2(1)～G2(n)。扫描线G1(1)～G1(n)和监视控制线G2(1)～G2(n)相互平行。进一步，在显示部10，以与n根扫描线G1(1)～G1(n)和m根数据线S(1)～S(m)的交叉点对应的方式，设置有n×m个像素电路11。通过像这样设置n×m个像素电路11，在显示部10形成n行×m列的像素矩阵。此外，在显示部10，配置有供给高电平电源电压的高电平电源线和供给低电平电源电压的低电平电源线。
另外，在以下说明中，在不需要相互区分m根数据线S(1)～S(m)时将数据线简单地以符号S表示。同样地，在不需要相互区分m根监视线M(1)～M(m)时，将监视线简单地以符号M表示，在不需要相互区分n根扫描线G1(1)～G1(n)时，将扫描线简单地以符号G1表示，在不需要相互区分n根监视控制线G2(1)～G2(n)时，将监视控制线简单地以符号G2表示。
控制电路20通过对源极驱动器30施加数据信号DA、源极控制信号SCTL和切换控制信号SW来控制源极驱动器30的动作，通过对栅极驱动器40发送栅极控制信号GCTL来控制栅极驱动器40的动作。在源极控制信号SCTL中例如包含源极启动脉冲、源极时钟、锁存选通信号。在栅极控制信号GCTL中例如包含栅极启动脉冲和栅极时钟。此外，控制电路20接收从源极驱动器30提供的监视数据MO，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。另外，作为监视数据MO，有为了求取TFT特性、OLED特性而测定的数据(包含后述的噪声数据)。
栅极驱动器40与n根扫描线G1(1)～G1(n)和n根监视控制线G2(1)～G2(n)连接。栅极驱动器40由移位寄存器和逻辑电路等构成。在本实施方式的有机EL显示装置1中，基于TFT特性和OLED特性，对从外部送来的视频信号(作为上述数据信号DA的源的数据)施加修正。在各帧中，进行1行的TFT特性和OLED特性的检测。即，当在某帧中对第一行进行TFT特性和OLED特性的检测时，在下一帧中对第二行进行TFT特性和OLED特性的检测，在再下一帧中对第三行进行TFT特性和OLED特性的检测。这样，用n帧期间进行n行的量的TFT特性和OLED特性的检测。但是，在各帧中，检测到基准值以上的噪声的列中不进行TFT特性和OLED特性的检测。
此处，当将对第一行进行TFT特性和OLED特性的检测的帧定义为第(k+1)帧时，n根扫描线G1(1)～G1(n)和n根监视控制线G2(1)～G2(n)在第(k+1)帧如图3所示被驱动，在第(k+2)帧如图4所示被驱动，在第(k+n)帧如图5所示被驱动。另外，图3～图5中高电平的状态是活动状态。此外，将扫描线G1处于活动(active)状态的期间称为“选择期间”。该选择期间是用于进行使设置于像素电路11内的有机EL元件发光的准备的期间。根据图3～图5可知，在各帧中，仅与进行TFT特性和OLED特性的检测的行对应的扫描线，在比其它扫描线长的期间成为活动状态。以下，将在关注任意帧时设置有比通常情况长的选择期间的行称为“监视行”，将监视行以外的行称为“非监视行”。在本实施方式中，在各帧中，在监视行进行TFT特性和OLED特性的检测。但是，检测到基准值以上的噪声的列中不进行TFT特性和OLED特性的检测。在各帧中，与非监视行对应的监视控制线G2维持为非活动状态。与此相对，关于与监视行对应的监视控制线G2，在选择期间中从最初起的规定期间中为活动状态，在选择期间的剩余期间中为非活动状态，之后，在直至选择期间开始时刻的大致1帧期间后的期间中再次成为活动状态。在本实施方式中，以如上所述n根扫描线G1(1)～G1(n)和n根监视控制线G2(1)～G2(n)被驱动的方式构成栅极驱动器40。
源极驱动器30与m根数据线S(1)～S(m)和m根监视线M(1)～M(m)连接。源极驱动器30由驱动信号产生电路31、信号转换电路32和包含m个输出电路330的输出部33构成。输出部33内的m个输出电路330分别与m根数据线S(1)～S(m)中的对应的数据线S和m根监视线M(1)～M(m)中的对应的监视线M连接。
驱动信号产生电路31包括移位寄存器、采样电路和锁存电路。在驱动信号产生电路31中，移位寄存器与源极时钟同步，将源极启动脉冲从输入端向输出端依次传送。与源极启动脉冲的该传送对应地、从移位寄存器向各数据线S输出对应的采样脉冲。采样电路根据采样脉冲的时序依次存储1行的量的数据信号DA。锁存电路根据锁存选通信号取入并保持在采样电路中存储的1行的量的数据信号DA。
图6是表示信号转换电路32的概要结构的框图。如图6所示，信号转换电路32由灰度等级信号产生电路321和监视电路322构成。灰度等级信号产生电路321中包括D/A转换器。如上所述在驱动信号产生电路31内的锁存电路中保持的1行的量的数据信号DA，由灰度等级信号产生电路321内的D/A转换器转换为模拟电压。该转换后的模拟电压被提供到输出部33内的输出电路330。在监视电路322中含有A/D转换器。监视电路322内的A/D转换器中，显现于监视线M的表示TFT特性和OLED特性的模拟电压和显现于监视线M的表示噪声的大小的模拟电压，被转换为作为数字信号的监视数据MO。该监视数据MO经由驱动信号产生电路31被提供到控制电路20。另外，监视电路322在后面详细说明。
输出部33内的输出电路330将从信号转换电路32内的灰度等级信号产生电路321提供的模拟电压，经由缓冲器作为数据电压提供到数据线S。此外，输出部33内的输出电路330基于切换控制信号SW进行监视线M的连接目标的切换。另外，对此在后面详细说明。
偏移存储器51和增益存储器52存储用于从外部送来的视频信号的修正的修正数据。详细地说，偏移存储器51存储偏移值作为修正数据，增益存储器52存储增益值作为修正数据。另外，典型的是，与显示部10内的像素的数量相等的数量的偏移值和增益值分别存储于偏移存储器51和增益存储器52。此外，用于暂时保持偏移值的缓冲存储器(以下称为“偏移值用缓冲器”。)和用于暂时保持增益值的缓冲存储器(以下称为“增益值用缓冲器”。)例如设置在控制电路20内。控制电路20基于从源极驱动器30施加的监视数据MO，更新偏移存储器51内的偏移值和增益存储器52内的增益值。此外，控制电路20将存储于偏移存储器51的偏移值和存储于增益存储器52的增益值读出后进行视频信号的修正。由该修正得到的数据作为数据信号DA被送至源极驱动器30。进而，控制电路20基于作为噪声数据的监视数据MO，控制关于TFT特性和OLED特性的检测的栅极驱动器40和源极驱动器30的动作。
<1.2像素电路和监视电路的结构>
<1.2.1像素电路>
图7是表示像素电路11和监视电路322的结构的图。另外，图7所示的像素电路11是i行j列的像素电路11。该像素电路11具有1个有机EL元件OLED、3个晶体管T1～T3和1个电容器Cst。晶体管T1作为选择像素的输入晶体管起作用，晶体管T2作为控制向有机EL元件OLED的电流供给的驱动晶体管起作用，晶体管T3作为控制是否检测TFT特性、OLED特性的监视控制晶体管起作用。
晶体管T1设置在数据线S(j)与晶体管T2的栅极端子之间。该晶体管T1的栅极端子与扫描线G1(i)连接，源极端子与数据线S(j)连接。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。该晶体管T2的栅极端子与晶体管T1的漏极端子连接，漏极端子与高电平电源线ELVDD连接，源极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接。晶体管T3的栅极端子与监视控制线G2(i)连接，漏极端子与有机EL元件OLED的阳极端子连接，源极端子与监视线M(j)连接。电容器Cst的一端与晶体管T2的栅极端子连接，另一端与晶体管T2的源极端子连接。有机EL元件OLED的阴极端子与低电平电源线ELVSS连接。
<1.2.2像素电路内的晶体管>
在本实施方式中，像素电路11内的晶体管T1～T3全部为n沟道型。此外，在本实施方式中，作为晶体管T1～T3，采用氧化物TFT(将氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管)。
以下，说明包含于氧化物TFT的氧化物半导体层。氧化物半导体层例如是In－Ga－Zn－O类的半导体层。氧化物半导体层包含例如In－Ga－Zn－O类的半导体。In－Ga－Zn－O系半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元氧化物。In、Ga和Zn的比例(组成比)没有特别限定。例如可以是In:Ga:Zn＝2:2:1、In:Ga:Zn＝1:1:1、In:Ga:Zn＝1:1:2等。
具有In－Ga－Zn－O类半导体层的TFT具有高迁移率(与非晶硅TFT相比超过20倍的迁移率)和低漏电流(与非晶硅TFT相比低于100分之1的漏电流)，因此适合用于像素电路内的驱动TFT(上述晶体管T2)和开关TFT(上述晶体管T1)。使用具有In－Ga－Zn－O类半导体层的TFT，能够大幅减少显示装置的耗电。
In－Ga－Zn－O类半导体也可以不是非晶结构，而含有结晶部分，具有结晶性。作为结晶In－Ga－Zn－O类半导体，优选c轴与层面大致垂直地排向的结晶In－Ga－Zn－O类半导体。这样的In－Ga－Zn－O类半导体的结晶构造例如在日本特开2012－134475号公报中公开。
氧化物半导体层也可以代替In－Ga－Zn－O类半导体，而具有其它氧化物半导体。例如可以含有Zn－O类半导体(ZnO)、In－Zn－O类半导体(IZO(注册商标))、Zn－Ti－O类半导体(ZTO)、Cd－Ge－O类半导体、Cd－Pb－O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg－Zn－O类半导体、In－Sn－Zn－O类半导体(例如In2O3－SnO2－ZnO)、In－Ga－Sn－O类半导体等。
<1.2.3监视电路>
如图7所示，在监视电路322中包括电流测定部37和电压测定部38。另外，在本实施方式中，利用该监视电路322实现特性检测部和噪声测定部。换言之，噪声测定部与特性检测部共用相同的电路。电流测定部37和电压测定部38与监视线M(j)的关系，基于从控制电路20提供到输出电路330的切换控制信号SW进行控制。基于该切换控制信号SW，在输出电路330内设置的开关(以下，称为“监视线开关”。)331使监视线M(j)处于与电流测定部37连接的状态、与电压测定部38连接的状态和高阻抗的状态中的任一种。另外，在图7中，对输出电路330仅表示了一部分的结构。
图8是表示电流测定部37的一结构例的图。在该电流测定部37中，包括运算放大器371、电容器372、开关373和A/D转换器374。运算放大器371的同相输入端子与低电平电源线ELVSS连接，反相输入端子与监视线M连接。电容器372和开关373设置在运算放大器371的输出端子与监视线M之间。如上所述，该电流测定部37由积分电路构成。在这样的结构中，当根据控制时钟信号Sclk，开关373成为导通状态时，运算放大器371的输出端子－反相输入端子间成为短路状态。由此，运算放大器371的输出端子和监视线M的电位与低电平电源线ELVSS的电位相等。在进行电流检测时，开关373根据控制时钟信号Sclk从导通状态切换至断开状态。由此，由于存在电容器372，与在监视线M流动的电流的大小对应地，运算放大器371的输出端子的电位发生变化。该电位的变化反映在从A/D转换器374输出的数字信号上。该数字信号作为监视数据MO从电流测定部37输出。在本实施方式中，用于求取TFT特性的电流和在后述的噪声测定期间在监视线M产生的噪声电流，由该电流测定部37测定。表示由电流测定部37测定出的噪声电流的大小的数据，作为噪声数据发送至控制电路20。
图9是表示电压测定部38的一结构例的图。该电压测定部38包括放大器381和A/D转换器382。在该结构中，在利用定电流源36使一定值的电流在监视线M中流动的状态下，节点383与低电平电源线ELVSS之间的电压由放大器381放大。然后，放大后的电压由A/D转换器382转换为数字信号。该数字信号作为监视数据MO从电压测定部38输出。在本实施方式中，用于求取OLED特性的电压由该电压测定部38测定。
<1.3驱动方法>
<1.3.1概要>
接着，说明本实施方式的驱动方法。如上所述，在本说明中，在关注任意帧时将设置有比通常期间长的选择期间的行称为“监视行”。此外，在本实施方式中，监视行中的Q列(Q是1以上m以下的整数)成为TFT特性和OLED特性的检测对象的列。在本说明中，将TFT特性和OLED特性的检测对象的列称为“监视列”，将监视列以外的列称为“非监视列”。
如上所述，在本实施方式中，在各帧对1行进行TFT特性和OLED特性的检测。在各帧中，对监视行进行用于TFT特性和OLED特性的检测的动作(以下称为“特性检测动作”。)，对非监视行进行通常动作。即，当将对第一行进行TFT特性和OLED特性的检测的帧定义为第(k+1)帧时，如图10所示那样各行的动作推移进行。但是，如上所述，在检测出基准值以上的噪声的列中，不进行特性检测动作。此外，当进行TFT特性和OLED特性的检测时，使用其检测结果，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。使用存储于偏移存储器51和增益存储器52的修正数据进行视频信号的修正。
图1是用于说明在本实施方式中关注监视行中的监视列时的驱动方法的概要的流程图。在帧期间的最初，进行在监视线M产生的噪声的测定(步骤S110)。接着，判断在步骤S110中测定出的噪声的大小是否低于基准值(步骤S120)。如果其结果是噪声的大小低于基准值，则处理进入步骤S130，如果噪声的大小为基准值以上，则处理进入步骤S160。即，如果噪声的大小低于基准值，则在进行步骤S130、步骤S140和步骤S150的处理后进行步骤S160的处理，如果噪声的大小为基准值以上，则不进行步骤S130、步骤S140和步骤S150的处理而进行步骤S160的处理。
在步骤S130中进行TFT特性的检测。在步骤S140中进行OLED特性的检测。在步骤S150中使用步骤S130的检测结果和步骤S140的检测结果，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。在步骤S160中，使用存储于偏移存储器51和增益存储器52中的修正数据，对从外部送来的视频信号进行修正。
在本实施方式中，由步骤S110实现噪声测定步骤，由步骤S130和步骤S140实现特性检测步骤，由步骤S150实现修正数据更新步骤，由步骤S160实现视频信号修正步骤。此外，由步骤S130实现第一特性检测步骤，由步骤S140实现第二特性检测步骤。
另外，为了实现以上的驱动，像素电路驱动部(源极驱动器30和栅极驱动器40)一边进行检测晶体管T2和有机EL元件OLED中的至少一方的特性的处理，一边驱动n×m个像素电路11。此外，控制部(控制电路20)一边进行基于特性检测的结果来更新在偏移存储器51和增益存储器52中存储的修正数据的处理和基于在偏移存储器51和增益存储器52中存储的修正数据来修正用于供给至n×m个像素电路11的视频信号的处理，一边控制像素电路驱动部(源极驱动器30的栅极驱动器40)的动作。
<1.3.2噪声测定、特性检测、修正数据更新处理的关系>
接着，说明噪声测定、特性检测(TFT特性和OLED特性的检测)、修正数据更新处理(使用特性检测的结果来更新偏移存储器51和增益存储器52的处理)的关系。在本实施方式中，当关注监视行时，如图11所示，在1帧期间的最初设有噪声测定期间，在噪声测定期间之后设有特性检测期间。在噪声测定期间进行在监视线M产生的噪声的测定。在特性检测期间在监视行进行上述的特性检测动作。
图12是用于说明进行基于某帧(此处称为“对象帧”。)的特性检测的结果的修正数据更新处理的条件的图。在本实施方式中，如图12所示，如果在对象帧的噪声测定期间中检测到的噪声的大小低于基准值，则进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。即，在本实施方式中，对象帧的前后帧的噪声测定的结果不会影响到基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。
图13是用于说明在本实施方式中检测到基准值以上的噪声时的动作的图。在本实施方式中，关于监视列，如图13所示，当在对象帧的噪声测定期间检测到基准值以上的噪声时，在对象帧不进行特性检测(也参照图1)。
<1.3.3像素电路和监视电路的动作>
<1.3.3.1通常动作>
在各帧中，在非监视行中进行通常动作。在包含于非监视行的像素电路11中，在选择期间进行基于与目标亮度对应的数据电压的写入后，晶体管T1维持为截止状态。由于基于数据电压的写入，晶体管T2成为导通状态。晶体管T3维持为截止状态。如上所述，如图14中以符号70表示的箭头那样，经由晶体管T2向有机EL元件OLED供给驱动电流。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流对应的亮度发光。
<1.3.3.2噪声的测定和特性检测动作>
在各帧中，即将在监视行进行特性检测动作之前，进行在监视线M产生的噪声的测定。在本实施方式中，仅在噪声的大小低于基准值的监视列进行特性检测动作。
图15和图16是用于说明包含于监视行中的监视列的像素电路11(i行j列的像素电路11)的动作的时序图。在图15和图16中，以第i行为监视行的帧中的噪声测定期间Tn的开始时刻为基准来表示“1帧期间”。图15是在噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值时的时序图，图16是在噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小为基准值以上时的时序图。
在监视行中，如图15和图16所示，在1帧期间中包括：噪声测定期间Tn；用于进行TFT特性的检测的期间(以下称为“TFT特性检测期间”。)Ta；用于写入与黑色显示相应的数据的期间(以下称为“黑写入期间”。)Tb；用于使有机EL元件OLED发光的期间(以下称为“发光期间”。)Tc。选择期间中的最初的规定期间为TFT特性检测期间Ta，选择期间中的TFT特性检测期间Ta以外的期间为黑写入期间Tb。
在噪声测定期间Tn，全部的扫描线G1(1)～G1(n)和全部的监视控制线G2(1)～G2(n)维持为非活动状态。因此，在全部行中，晶体管T1和晶体管T3维持截止状态。这样在全部行中晶体管T3成为截止状态，因此各监视线M中，有机EL元件OLED和晶体管T2成为电分离的状态，在显示部10内成为高阻抗的状态。由此，当在噪声测定期间Tn存在外部扰乱时，如图17中以符号71所示的箭头所示，在监视线M(j)中显现噪声成分。在本实施方式中，该噪声成分的大小由监视电路322测定。为了实现该测定，在噪声测定期间Tn，监视列的监视线M(j)依据切换控制信号SW与电流测定部37连接。此外，在噪声测定期间Tn，电流测定部37中，开关373成为导通状态，蓄积于电容器372的电荷被放电后，该开关373从导通状态切换为断开状态。由此，在噪声测定期间Tn，在监视线M(j)产生的噪声电流的大小由电流测定部37测定。
在TFT特性检测期间Ta，扫描线G1(i)和监视控制线G2(i)成为活动状态(参照图15和图16)。由此，晶体管T1和晶体管T3成为导通状态。此外，如果在噪声测定期间Tn检测出的噪声低于基准值，则在TFT特性检测期间Ta，用于检测TFT特性的参照电压Vref施加于数据线S(j)(参照图15)。由此，进行参照电压Vref的写入，晶体管T2也成为导通状态。结果如图18中以符号72所示的箭头那样，在晶体管T2流动的电流经由晶体管T3输出至监视线M(j)。进而，在TFT特性检测期间Ta，依据切换控制信号SW，监视线M(j)与电流测定部37连接。由此，输出至监视线M(j)的电流(沉电流)由电流测定部37测定。如上所述，在使晶体管T2的栅极－源极间的电压为规定的大小(参照电压Vref的大小)的状态下，测定在该晶体管T2的漏极－源极间流动的电流的大小，检测TFT特性。
在本实施方式中，如图19所示，在TFT特性检测期间Ta作为参照电压Vref，2种参照电压(第1参照电压Vref1和第2参照电压Vref2)施加于数据线S(j)。由此，基于第1参照电压Vref1检测TFT特性并且基于第2参照电压Vref2检测TFT特性。
如果在噪声测定期间Tn检测出的噪声为基准值以上，则在TFT特性检测期间Ta，与目标亮度对应的数据电压D(i，j)施加于数据线S(j)(参照图16)。由此，进行数据电压D(i，j)的写入，晶体管T2成为导通状态。另外，在选择期间(包括TFT特性检测期间Ta和黑写入期间Tb的期间)进行基于数据电压D(i，j)的写入后，扫描线G1(i)成为非活动状态，晶体管T1维持为截止状态。由此，在噪声测定期间Tn检测出的噪声为基准值以上的情况下，与通常动作同样，与数据电压D(i，j)对应的驱动电流供给至有机EL元件OLED，有机EL元件OLED以与该驱动电流对应的亮度发光。
在黑写入期间Tb，扫描线G1(i)维持为活动状态，监视控制线G2(i)为非活动状态(参照图15)。由此，晶体管T1维持为导通状态，晶体管T3成为截止状态。此外，如果在噪声测定期间Tn检测到的噪声低于基准值，则在黑写入期间Tb，与黑色显示相应的电压Vblack施加于数据线S(j)(参照图15)，因此晶体管T2成为截止状态。如上所述，在晶体管T2不流动电流。另外，优选的是，在黑写入期间Tb，“在偏移存储器51中存储的偏移值与在TFT特性检测期间Ta求得的偏移值的差值”与“根据在增益存储器52中存储的增益值和在TFT特性检测期间Ta求得的增益值计算的与发光电压相当的值的电压”的和的电压施加于监视线M(j)。由此，与有机EL元件OLED的劣化的程度对应的电压在发光期间Tc之前施加于监视线M(j)，缩短发光期间Tc中的充电时间的长度。
在发光期间Tc，扫描线G1(i)为非活动状态，监视控制线G2(i)为活动状态(参照图15)。此处，如果在噪声测定期间Tn检测到的噪声低于基准值，则在发光期间Tc之前的黑写入期间Tb进行基于与黑色显示相应的电压Vblack的写入，因此晶体管T2成为截止状态。此外，如果在噪声测定期间Tn检测到的噪声低于基准值，则在发光期间Tc中的用于检测OLED特性的期间，监视线M(j)与电压测定部38连接，一定电流I(i，j)供给至监视线M(j)。由此，如图20中以符号73所示的箭头那样，从监视线M(j)向有机EL元件OLED供给作为一定电流的数据电流。在该状态中，由电压测定部38测定有机EL元件OLED的发光电压。如上所述，在对有机EL元件OLED提供一定的电流的状态下测定有机EL元件OLED的阳极的电压，由此检测OLED特性。
在发光期间Tc供给至有机EL元件OLED的数据电流为一定电流(电流值一定)。因此，在本实施方式中，为了进行所需的灰度等级显示，要调整有机EL元件OLED发光的时间的长度。例如，使上述一定电流为与白色显示相应的电流，灰度等级越高则使发光时间越长，灰度等级越低则使发光时间越短。为了实现该处理，例如，如图21所示，灰度等级越高，则使监视线M与电压测定部38连接的期间Tc1越长，灰度等级越低，则使监视线M与电流测定部37连接的期间(或监视线M成为高阻抗的状态的期间)Tc2越长。此时，基于根据在增益存储器52中存储的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值的差值求得的劣化修正系数，调整上述期间Tc1、Tc2的长度。如上所述，以1帧期间中的发光电流的积分值成为与所需的灰度等级相应的值的方式，调整有机EL元件OLED发光的时间的长度。换言之，根据目标亮度，调整将一定电流施加于有机EL元件OLED的时间的长度。另外，只要1帧期间中的发光电流的积分值为与所需的灰度等级相应的值，则也可以在发光期间Tc中使电流值变化，测定多个动作点的特性(电流－电压特性)。此外，也可以使有机EL元件OLED发光的时间的长度一定，而根据灰度等级使电流值变化。此时，基于根据在增益存储器52中存储的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值的差值求得的劣化修正系数，求取供给到监视线M的电流的大小。另外，在增益存储器52中存储有考虑了TFT特性和OLED特性这两者的增益值，因此在增益存储器52存储的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值的差值是表示OLED特性的值。
此外，在本实施方式中，如图22所示，与非监视行相比，监视行的选择期间的长度较长。由此，监视行和非监视行的发光期间的长度不同。于是，以1帧期间中的发光电流的积分值成为与所需的灰度等级相应的值的方式，进行数据电流的调整。
另外，在作为目标的灰度等级是与黑色显示相应的灰度等级或与其相近的灰度等级时，优选不进行OLED特性的检测。由此，在本实施方式中，对n行×m列的像素矩阵中进行黑色或大致黑色的显示的像素(进行低灰度等级显示的像素)不进行OLED特性的检测。由此，能够防止不必要的发光。有机EL元件OLED只要不发光就不会劣化，因此没有检测特性的必要。
<1.3.4控制原理>
接着，说明本实施方式的控制原理。图23是用于说明控制原理的流程图。图24是用于说明各控制的图。控制电路20基于该控制原理控制源极驱动器30和栅极驱动器40的动作。首先，参照图23，说明对处理对象的数据(表示行、列和灰度等级的数据)(以下称为“对象数据”。)的控制方法的决定步骤。
首先，在步骤S210，判断对象数据是否是监视行的数据。如果对象数据不是监视行的数据，则对于对象数据的控制方法为“控制A1”。如果对象数据是监视行的数据，则进一步进行步骤S220的判断。在步骤S220，判断在噪声测定期间Tn检测到的噪声的大小是否低于基准值。如果噪声的大小为基准值以上，则对于对象数据的控制方法为“控制A2”。如果噪声的大小低于基准值，则进一步进行步骤S230的判断。在步骤S230，判断对象数据是否为监视列的数据。如果对象数据不是监视列的数据，则对于对象数据的控制方法为“控制B”。如果对象数据是监视列的数据，则进一步进行步骤S240的判断。在步骤S240，判断对象数据是否是低灰度等级数据(进行黑色显示的灰度等级数据或进行大致黑色显示的灰度等级数据)。如果对象数据不是低灰度等级数据，则对于对象数据的控制方法为“控制C”。如果对象数据为低灰度等级数据，则对于对象数据的控制方法为“控制D”。以下，参照图24，说明“控制A1”、“控制A2”、“控制B”、“控制C”和“控制D”。
<1.3.4.1“控制A1”>
“控制A1”是对于非监视行的数据的控制方法。因为不需要进行特性检测，所以扫描线G1(i)在通常的1水平扫描期间成为活动状态(高电平的状态)，监视控制线G2(i)维持前状态。此外，因为只要进行通常的显示即可，所以对数据线S(j)施加与通常的灰度等级数据对应的数据电压。噪声测定后的监视线开关331的状态维持前状态。因为不进行特性检测，所以不进行修正数据的更新。
<1.3.4.2“控制A2”>
“控制A2”是对于监视行的数据中在噪声测定期间Tn检测到基准值以上的噪声的监视列的数据的控制方法。因为对象数据是监视行的数据，所以扫描线G1(i)在通常的1水平扫描期间和TFT特性检测期间Ta的合计期间为活动状态。监视控制线G2(i)维持前状态。此外，因为只要进行通常的显示即可，所以对数据线S(j)施加与通常的灰度等级数据对应的数据电压。噪声测定后的监视线开关331的状态维持前状态。因为不进行特性检测，所以不进行修正数据的更新。
<1.3.4.3“控制B”>
“控制B”是对于监视行的数据中的非监视列的数据的控制方法。因为对象数据是监视行的数据，所以扫描线G1(i)在通常的1水平扫描期间和TFT特性检测期间Ta的合计期间为活动状态。此外，与监视行对应的监视控制线G2(i)在TFT特性检测期间Ta和发光期间Tc为活动状态。但是，因为对象数据是非监视列的数据且不需要进行特性检测，所以噪声测定后的监视线开关331的状态为截止状态(监视线M(j)为高阻抗的状态)。对数据线S(j)施加与在通常的灰度等级数据上乘以修正系数k(k是1附近的值)而得的数据对应的数据电压。设置修正系数k的理由是，因为晶体管T3为导通状态，所以根据监视线M(j)的配线容量，可能需要使数据电压比原来大。因为不进行特性检测，所以不进行修正数据的更新。
<1.3.4.4“控制C”>
“控制C”是对于要进行特性检测的数据中的低灰度等级数据以外的数据的控制方法。因为对象数据是要进行特性检测的数据，所以扫描线G1(i)在通常的1水平扫描期间和TFT特性检测期间Ta的合计期间为活动状态。此外，与监视行对应的监视控制线G2(i)在TFT特性检测期间Ta和发光期间Tc为活动状态。对数据线S(j)，为了使晶体管T2为截止状态而在黑写入期间Tb施加与黑色显示相应的电压。因为需要进行特性检测，所以噪声测定后的监视线开关331的状态为导通状态(监视线M(j)与电流测定部37或电压测定部38连接的状态)。为了检测TFT特性，对监视线M(j)供给低电平电源电压ELVSS后，一边使有机EL元件OLED发光一边供给用于检测OLED特性的灰度等级信号。因为进行TFT特性和OLED特性的检测，所以进行修正数据的更新。
<1.3.4.5“控制D”>
“控制D”是对于要进行特性检测的数据中的低灰度等级数据的控制方法。因为对象数据是要进行特性检测的数据，所以扫描线G1(i)在通常的1水平扫描期间和TFT特性检测期间Ta的合计的期间为活动状态。此外，与监视行对应的监视控制线G2(i)在TFT特性检测期间Ta和发光期间Tc为活动状态。对数据线S(j)，为了使晶体管T2成为截止状态在黑写入期间Tb施加与黑色显示相应的电压。因为需要进行特性检测，所以噪声测定后的监视线开关331的状态为导通状态(监视线M(j)与电流测定部37或电压测定部38连接的状态)。对监视线M(j)供给用于检测TFT特性的低电平电源电压ELVSS。另外，关于低灰度等级数据，为了防止不必要的发光，不进行用于使有机EL元件OLED发光的灰度等级信号向监视线M(j)的供给。因为进行TFT特性的检测，所以进行修正数据的更新。但是，更新的数据仅是与TFT特性相关的数据。
<1.3.5偏移存储器和增益存储器的更新>
接着，说明在偏移存储器51中存储的偏移值和在增益存储器52中存储的增益值怎样更新。仅对于在噪声测定期间Tn检测出的噪声低于基准值且进行特性检测动作的像素的数据进行偏移值和增益值的更新。图25是用于说明偏移存储器51和增益存储器52的更新步骤的流程图。另外，此处关注与1个像素对应的偏移值和增益值。
首先，在TFT特性检测期间Ta的前半部分，进行基于第1参照电压Vref1的TFT特性的检测(步骤S310)。通过该步骤S310，求取用于修正视频信号的偏移值。在步骤S310求得的偏移值存储于偏移值用缓冲器(步骤S320)。在TFT特性检测期间Ta的后半部分，进行基于第2参照电压Vref2的TFT特性的检测(步骤S330)。通过该步骤S330，求取用于修正视频信号的增益值。在步骤S330求出的增益值存储于增益值用缓冲器(步骤S340)。
之后，在发光期间Tc进行OLED特性的检测(步骤S350)。通过该步骤S350，求取用于修正视频信号的偏移值和劣化修正系数。然后，将在偏移值用缓冲器存储的偏移值和在步骤S350求得的偏移值的和，作为新的偏移值存储于偏移存储器51(步骤S360)。此外，将在增益值用缓冲器存储的增益值和在步骤S350求得的劣化修正系数的积，作为新的增益值存储于增益存储器52(步骤S370)。
如上所述，进行与1个像素对应的偏移值和增益值的更新。本实施方式中，在各帧对1行进行TFT特性和OLED特性的检测，因此只要不是基准值以上的噪声在全部的列中被检测出来，就按每1帧进行偏移存储器51内的m个偏移值和增益存储器52内的m个增益值的更新。
如上所述，在发光期间Tc进行有机EL元件OLED的发光电压的测定。作为其测定结果的检测电压越大，有机EL元件OLED的劣化的程度越大。由此，以检测电压越大，偏移值越大且增益值越大的方式，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。
<1.3.6视频信号的修正>
在本实施方式中，为了补偿驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化，使用在偏移存储器51和增益存储器52存储的修正数据，对从外部送来的视频信号进行修正。以下说明视频信号的该修正。
从外部送来的视频信号的修正，由控制电路20内的视频信号修正部进行。图26是表示视频信号修正部的结构的图。视频信号修正部包括LUT211、乘法部212和加法部213。在这样的结构中，与各像素对应的视频信号的值以下述方式修正。
首先，使用LUT211，对从外部送来的视频信号实施γ修正。即，视频信号表示的灰度等级P通过γ修正被转换为控制电压Vc。乘法部212接受控制电压Vc和从增益存储器52读出的增益值B，将使它们相乘而得的值“Vc·B”输出。加法部213接受从乘法部212输出的值“Vc·B”和从偏移存储器51读出的偏移值Vt，将使它们相加而得的值“Vc·B+Vt”输出。以上述方式得到的值“Vc·B+Vt”作为数据信号DA从控制电路20向源极驱动器30发送。
<1.4效果>
根据本实施方式，在各帧中，进行在监视线M产生的噪声的测定，对于各监视列，如果噪声的大小低于基准值，则进行TFT特性和OLED特性的检测。使用考虑了TFT特性的检测结果和OLED特性的检测结果这两者而求得的修正数据(偏移值和增益值)，修正从外部送来的视频信号。基于这样修正后的视频信号(上述数据信号DA)的数据电压被施加于数据线S，因此在使各像素电路11内的有机EL元件OLED发光时，补偿驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化的大小的驱动电流被供给到有机EL元件OLED(参照图27)。此处，如果噪声的大小为基准值以上，则不进行TFT特性和OLED特性的检测，不进行修正数据的更新。即，在检测电流的本来的电流值与测定值之间产生了不能够忽略的程度的误差时，修正数据不更新。由此，能够防止由于修正数据的值在为不当的值导致的补偿精度的下降。如上所述，根据本实施方式，在为了补偿电路元件的劣化而采用外部补偿技术的有机EL显示装置中，能够防止由噪声引起的补偿精度的下降。
此外，在本实施方式中，在像素电路11内的晶体管T1～T3采用氧化物TFT(具体地说是具有In－Ga－Zn－O类半导体层的TFT)，因此能够得到能够确保足够的S/N比的效果。以下对此进行说明。另外，在此，将具有In－Ga－Zn－O类半导体层的TFT称为“In－Ga－Zn－O－TFT”。对In－Ga－Zn－O－TFT和LTPS(Low Temperature Poly silicon，低温多晶硅)－TFT进行比较的话，与LTPS－TFT相比，In－Ga－Zn－O－TFT的截止电流极小。例如，在像素电路11内的晶体管T3采用LTPS－TFT时，截止电流最大为1pA程度。与此不同，在像素电路11内的晶体管T3采用In－Ga－Zn－O－TFT时，截止电流最大为10fA程度。由此，例如1000行的量的截止电流在采用LTPS－TFT时最大为1nA程度，在采用In－Ga－Zn－O－TFT时最大为10pA程度。关于检测电流，在使用任一种时均为10～100nA程度。监视线M不仅与监视行的像素电路11连接，也与非监视行的像素电路11连接。由此，监视线M的S/N比依赖于非监视行的晶体管T3的漏电流的合计值。具体地说，监视线M的S/N比由“检测电流/(漏电流×非监视行的行数)”表示。由此，例如在具有“Landscape FHD”的显示部10的有机EL显示装置中，在采用LTPS－TFT时的S/N比为10左右，与此不同，在采用In－Ga－Zn－O－TFT时S/N比为1000左右。这样，在本实施方式中，能够在进行电流的检测时确保足够的S/N比。
<1.5变形例>
以下，说明上述第一实施方式的变形例。另外，以下仅对与第一实施方式不同的点进行详细说明，对与第一实施方式同样的点省略说明。
<1.5.1第一变形例>
在上述第一实施方式中，关于监视列，在噪声测定期间Tn检测到基准值以上的噪声时不进行TFT特性和OLED特性的检测。但是，本发明并不限定于此，也可以无论在噪声测定期间Tn检测到的噪声的大小如何，都进行TFT特性和OLED特性的检测，在噪声测定期间Tn检测到基准值以上的噪声时不进行修正数据的更新(本变形例的结构)。
图28是用于说明本变形例中关注监视行中的监视列时的驱动方法的概要的流程图。在帧期间的最初，进行在监视线M产生的噪声的测定(步骤S410)。接着，进行TFT特性的检测(步骤S420)。接着，进行OLED特性的检测(步骤S430)。之后，判断在步骤S410测定出的噪声的大小是否低于基准值(步骤S440)。结果如果是噪声的大小低于基准值，则处理进入步骤S450，如果噪声的大小为基准值以上，则处理进入步骤S460。即，如果噪声的大小低于基准值，则在进行步骤S450的处理后进行步骤S460的处理，如果噪声的大小为基准值以上，则不进行步骤S450的处理而进行步骤S460的处理。在步骤S450，使用步骤S420的检测结果和步骤S430的检测结果，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。在步骤S460，使用存储在偏移存储器51和增益存储器52的修正数据，进行从外部送来的视频信号的修正。
另外，在本变形例中，由步骤S410实现噪声测定步骤，由步骤S420和步骤S430实现特性检测步骤，由步骤S450实现修正数据更新步骤，由步骤S460实现视频信号修正步骤。此外，由步骤S420实现第一特性检测步骤，由步骤S430实现第二特性检测步骤。
图29是用于说明本变形例中在某帧(此处称为“对象帧”。)的噪声测定期间Tn检测到基准值以上的噪声时的动作的图。在本变形例中，关于监视列，如图29所示，当在对象帧的噪声测定期间Tn检测到基准值以上的噪声时，不进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。
根据本变形例，无论在噪声测定期间Tn在各监视线M产生的噪声的大小如何，在全部监视列进行TFT特性和OLED特性的检测即可，因此像素电路11的动作的控制变得容易。此外，不需要在进行特性检测动作之前设置用于判断噪声的大小的期间，因此能够防止用于特性检测的期间变短。
另外，根据上述第一实施方式和本变形例可知，关于监视列的控制，本发明具有下述特征。在噪声测定期间Tn检测到基准值以上的噪声时，不进行紧接在检测出该噪声的时刻之后的特性检测，或者，不进行基于在检测出该噪声的时刻的邻近时刻进行的特性检测的修正数据更新处理。
<1.5.2第二变形例>
采用在每次改变帧时监视行也必然改变的结构时，根据行的不同，在TFT特性和OLED特性的检测次数产生差异。于是，在本变形例中，在某帧(此处称为“对象帧”。)的噪声测定期间Tn检测出基准值以上的噪声时，使对象帧的下一帧的监视行和对象帧的监视行为相同行。此外，在本变形例中，在对象帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值，且在对象帧的下一帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小为基准值以上的情况下，不进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理，使对象帧的2帧后的帧的监视行和对象帧的监视行为相同行。另外，因为不能够在每列进行以上控制，所以在本变形例中，设定当在至少1个监视线M中噪声的大小为基准值以上时,判断为“噪声的大小为基准值以上”。
图30～图32是用于说明本变形例的监视行的推移情况的图。另外，在图30～图32中，将显示部10的垂直扫描的时间的推移以符号75的箭头表示。此外，设定从时刻t76起的帧为第一帧且第一帧的监视行为第一行。
如果在第一帧的噪声测定期间Tn检测到的噪声的大小低于基准值，则如图30所示，在第一帧对第一行进行特性检测动作后，在第二帧中第二行为监视行。如果在第一帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小为基准值以上，则如图31所示，在第二帧中，第一行再次成为监视行。如果在第一帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值且在第二帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小为基准值以上，则如图32所示，在第三帧，第一行再次成为监视行。此时，进行基于第一帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。
以上，当将对第Z行(Z为1以上n以下的整数)进行特性检测的帧定义为对象帧时，在本变形例中进行下述动作。在对象帧在噪声测定期间Tn检测出基准值以上的噪声时，不进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理，在对象帧的下一帧也对第Z行进行特性检测。此外，在对象帧在噪声测定期间Tn没有检测出基准值以上的噪声且在对象帧的下一帧在噪声测定期间Tn检测出基准值以上的噪声时，不进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理和基于对象帧的下一帧的特性检测的结果的修正数据更新处理，在对象帧的2帧后的帧对第Z行进行特性检测。
根据本变形例，能够防止由于行的不同导致TFT特性和OLED特性的检测次数不同。因此，能够在画面整体均匀地进行对驱动晶体管的劣化和有机EL元件OLED的劣化的补偿，能够有效防止发生亮度的偏差。
<1.5.3第三变形例>
在上述第一实施方式中，如果在某帧(此处称为“对象帧”。)的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值，则无论在对象帧的下一帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小如何，都进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。但是，本发明并不限定于此，也可以仅在对象帧和对象帧的下一帧这两者中在噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值时，进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理(本变形例的结构)。
图33是用于说明本变形例中，进行基于某帧(此处称为“对象帧”。)的特性检测的结果的修正数据更新处理的条件的图。在本变形例中，关于监视列，如图33所示，如果在对象帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值，且在对象帧的下一帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值，则进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。换言之，基于对第Z行(Z是1以上n以下的整数)的特性检测的结果的修正数据更新处理，仅在紧接对第Z行的特性检测期间的前一噪声测定期间Tn和紧接对第Z行的特性检测期间的后一噪声测定期间Tn双方都没有检测出基准值以上的噪声时进行。
图34是用于说明本变形例中检测出基准值以上的噪声时的动作的图。在本变形例中，关于监视列，如图34所示，当在对象帧的噪声测定期间Tn检测出基准值以上的噪声时，不仅不进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理，也不进行基于对象帧的前一帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。
图35是用于说明本变形例的动作的概要的流程图。在进行了对象帧的特性检测(步骤S510)后，在对象帧的下一帧进行噪声测定(步骤S520)。另外，此处，假定在对象帧的噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值。接着，判断在步骤S520测定出的噪声的大小是否低于基准值(步骤S530)。如果其结果是噪声的大小低于基准值，则进行步骤S540的处理，如果噪声的大小为基准值以上，则不进行步骤S540的处理。在步骤S540，使用步骤S510的特性检测(对象帧的特性检测)的结果，进行偏移存储器51和增益存储器52的更新。
在本变形例中，如果不是连续2帧中噪声的大小低于基准值，就不进行修正数据更新处理。为了实现该处理，任意帧的特性检测的结果在下一帧中进行噪声测定而进行修正数据更新处理之前的期间，存储于缓冲器中。
根据本变形例，仅在特性检测期间的前后两者的期间中噪声的大小低于基准值时，进行修正数据更新处理。像这样考虑特性检测期间的前后的期间中噪声的状态地基于特性检测的结果进行修正数据更新处理，因此能够更有效地防止修正数据的值为不合适的值导致的补偿精度的下降。
<1.5.4第四变形例>
在上述第一实施方式中，在帧期间中在特性检测期间之前设置有噪声测定期间Tn，但本发明并不限定于此。如图36所示，也可以在帧期间中在特性检测期间的前后设置噪声测定期间Tn。该例的情况下，关于监视列，仅在帧期间的前半的噪声测定期间Tn和帧期间的后半的噪声测定期间Tn的双方中噪声低于基准值的情况下，进行基于该帧的特性检测的结果的修正数据更新处理。
<1.5.5第五变形例>
在上述第一实施方式中，在帧期间中在特性检测期间之前设置有噪声测定期间Tn，但本发明并不限定于此。也可以如图37所示，在帧期间中在特性检测期间之后设置噪声测定期间Tn。在该例的情况下，关于监视列，如图38所示，当在某帧(此处是称为“对象帧”。)的噪声测定期间Tn中检测到基准值以上的噪声时，不进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理和基于对象帧的下一帧的特性检测的结果的修正数据更新处理即可。此外，关于监视列，如图39所示，仅在对象帧的前一帧的噪声测定期间Tn和对象帧的噪声测定期间Tn的双方中噪声低于基准值时，进行基于对象帧的特性检测的结果的修正数据更新处理即可。
<1.5.6第六变形例>
在上述第一实施方式中，在全部帧中进行噪声的测定。但是，本发明并不限定于此，也可以按每多个帧进行噪声的测定(本变形例的结构)。例如，如图40所示，可以每3帧进行一次噪声的测定。
在本变形例中，在某帧(此处称为“对象帧”。)的噪声测定期间Tn检测出基准值以上的噪声时，在从对象帧之前进行噪声的测定起到在对象帧之后进行噪声的测定为止的期间中，不进行基于特性检测的结果的修正数据更新处理即可。
根据本变形例，能够在减少测定噪声的频率的同时，得到与上述第一实施方式同样的效果。
<1.5.7第七变形例>
在上述第一实施方式中，以在1列设置有一个监视电路322为前提进行了说明。但是，本发明并不限定于此，也能够采用在多个列共用1个监视电路322的结构(本变形例的结构)。
在本变形例中，与上述第一实施方式同样，监视线M为与电流测定部37连接的状态或与电压测定部38连接的状态或为高阻抗的状态中的任一种。此外，在本变形例中，监视线M的一端部附近采用图41所示的结构。即，每K根监视线M设置一个监视电路322。
在以上的结构中，在各帧中，仅与上述K根监视线M对应的K个列中的1列为上述监视列。在进行特性检测动作时，仅监视列的监视线M为与电流测定部37连接的状态或与电压测定部38连接的状态，非监视列的监视线M为高阻抗的状态。此外，进行特性检测动作时，在非监视列中，对数据线S不施加参照电压Vref而施加数据电压(与目标亮度对应的电压)。发光期间Tc中，在监视行中晶体管T3为导通状态，但非监视列的监视线M维持为高阻抗的状态。因此，在非监视列中，在监视线M不流动电流，在有机EL元件OLED流动电流，有机EL元件OLED与通常动作同样地发光。在监视行中的监视列，只要没有检测出基准值以上的噪声，就进行上述特性检测动作。
例如，在具有“Landscape FHD，横向全高清”的显示部10且驱动频率为60Hz的有机EL显示装置中，1列的监视(TFT特性和OLED特性的检测)所需的时间为18秒(＝1080/60)。此处，假设与各像素对应的偏移值和增益值每30分(1800秒)被更新一次，只要采用每100根监视线M设置1个监视电路322的结构即可。
如上所述，根据本变形例，在为了补偿电路元件的劣化而采用外部补偿技术的有机EL显示装置中，能够抑制电路面积的增大且防止由噪声引起的补偿精度的下降。
<1.5.8第八变形例>
在上述第一实施方式中，通过在对有机EL元件OLED提供一定的电流的状态下测定有机EL元件OLED的阳极的电压来进行OLED特性的检测。但是，本发明并不限定于此，也可以采用在对有机EL元件OLED提供一定的电压的状态下测定流过有机EL元件OLED的电流从而进OLED特性的检测的结构(本变形例的结构)。
在本变形例中，TFT特性的检测和OLED特性的检测均通过测定电流而进行。因此，如图42所示，在监视电路323内没有设置用于测定电压的构成要素。在本变形例中，监视线M(j)根据切换控制信号SW，为与电流测定部39连接的状态或高阻抗的状态中的任一种。
图43是表示本变形例的电流测定部39的详细结构的图。该电流测定部39包括运算放大器391、电容器392、第一开关393、第二开关394、偏移/放大率调整部395、A/D转换器396。运算放大器391的同相输入端子与第二开关394连接，反相输入端子与监视线M连接。电容器392和第一开关393设置在运算放大器391的输出端子与监视线M之间。偏移/放大率调整部395设置在运算放大器391的输出端子与A/D转换器396之间。第二开关394作为用于将运算放大器391的同相输入端子的电位在低电平电源线ELVSS的电位与OLED特性检测用的电位Vel之间切换的开关起作用。如上所述，该电流测定部39由积分电路构成。另外，OLED特性检测用的电位Vel是与“在偏移存储器51中存储的偏移值与在TFT特性检测期间Ta求得的偏移值的差值”和“根据在增益存储器52中存储的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值计算得到的、与发光电压相应的值的电压”的和相应的电位。
在以上的结构中，在进行噪声的检测或用于TFT特性的检测的电流的测定时，在根据第二控制时钟信号Sclk2，运算放大器391的同相输入端子的电位成为低电平电源线ELVSS的电位的状态下，进行与上述第一实施方式同样的动作。在为了检测OLED特性而进行电流的测定时，首先，利用第二控制时钟信号Sclk2，使运算放大器391的同相输入端子的电位为OLED特性检测用的电位Vel，并且利用第一控制时钟信号Sclk1使第一开关393为导通状态。由此，运算放大器391的输出端子－反相输入端子间为短路状态，监视线M的电位与OLED特性检测用的电位Vel相等。然后，利用第一控制时钟信号Sclk1使第一开关393为断开状态。由此，由于存在电容器392，运算放大器391的输出端子的电位根据在监视线M流动的电流(供给有机EL元件OLED的源极电流)的大小而变化。该电位的变化反映于从A/D转换器396输出的数字信号。然后，该数字信号作为监视数据MO从监视电路323输出。另外，偏移/放大率调整部395具有在TFT特性检测时和OLED特性检测时使对A/D转换器396的输入电平相同的功能。
图44是用于说明本变形例中，监视行中的监视列所包含的像素电路11(i行j列的像素电路11)的动作的时序图。假设在噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值。在本变形例中，与上述第一实施方式(参照图15)不同，在发光期间Tc中的用于检测OLED特性的期间中，一定的电压V(i，j)被提供到监视线M(j)。
在本变形例中，如上所述，在对有机EL元件OLED施加了一定的电压的状态下测定在有机EL元件OLED流动的电流，从而进行OLED特性的检测。由此能够缩短测定时间。
另外，关于施加于有机EL元件OLED的一定的电压的大小，可以基于根据在增益存储器52存储的增益值与在TFT特性检测期间Ta求得的增益值的差值求出的劣化修正系数进行求取。此外，在OLED特性的检测时，优选根据目标亮度，调整对有机EL元件OLED提供一定电压的时间的长度。此外，只要1帧期间中的发光电流的积分值为与所需的灰度等级相应的值，则也可以在发光期间Tc中使电压值变化，测定多个动作点的特性(电流－电压特性)。
<2.第二实施方式>
<2.1结构>
图45是表示本发明的第二实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置2的整体结构的框图。如图45所示，在本实施方式的有机EL显示装置2中，除了上述第一实施方式的构成要素之外，还设置有触控面板80。
触控面板比较容易产生噪声。因此，在搭载有触控面板的有机EL显示装置中，多使触控面板在垂直回扫期间进行时钟(clock)动作。于是，在本实施方式中，设定触控面板80在垂直回扫期间进行时钟动作。
<2.2驱动方法>
在搭载有触控面板的有机EL显示装置中，即使假设在特性检测期间的前后的噪声测定期间Tn中没有检测出基准值以上的噪声，在该特性检测期间中例如用于求取TFT特性的电流也可能由于触控面板的时钟动作导致无法正确检测出来。于是，在本实施方式中，控制部(控制电路20)控制像素电路驱动部(源极驱动器30和栅极驱动器40)的动作，使得在整个垂直回扫期间(进行触控面板80的时钟动作的期间)不进行特性检测动作。
图46是用于说本实施方式中，监视行中的监视列所包含的像素电路11(i行j列的像素电路11)的动作的时序图。假设在噪声测定期间Tn检测出的噪声的大小低于基准值。另外，在图46中，将垂直回扫期间以符号Tf表示。在本实施方式中，垂直回扫期间Tf中特性检测动作停止。即，垂直回扫期间Tf中停止测定在监视线M流动的电流的大小的处理。另外，通过在垂直回扫期间Tf的前后反复进行电流的测定，进行测定结果的平均化处理，求取所需的电流的大小即可。
<2.3效果>
根据本实施方式，在为了补偿电路元件的劣化而采用外部补偿技术的有机EL显示装置中，即使搭载有触控面板，也能够防止由噪声引起的补偿精度的下降。
<3.第三实施方式>
<3.1结构>
图47是表示本发明的第三实施方式的有源矩阵型的有机EL显示装置3的整体结构的框图。在本实施方式中，用于检测噪声的噪声监视电路85设置在有机EL面板的外部。在这样的结构中，用于求取TFT特性的电流的测定和用于求取OLED特性的电压的测定由监视电路322进行，噪声的测定由噪声监视电路85进行。这样的噪声的测定在有机EL面板的外部进行，因此不是在每列进行噪声的大小的判断。另外，在本实施方式中，由噪声监视电路85实现噪声测定部。即，噪声测定部与特性检测部(监视电路322)不同，设置在有机EL面板的外部。
<3.2控制原理>
接着说明本实施方式的控制原理。另外，此处，假设在进行特性检测动作之前由噪声监视电路85进行噪声的测定。图48是用于说明控制原理的流程图。图49是用于说明各控制的图。控制电路20基于该控制原理控制源极驱动器30和栅极驱动器40的动作。首先参照图48，说明决定对于处理对象的数据(表示行、列和灰度等级的数据)(以下称为“对象数据”)的控制方法的步骤。
首先，在步骤S610，判断在噪声监视电路85检测出的噪声的大小是否低于基准值。如果噪声的大小为基准值以上，则使对于对象数据的控制方法为“控制E”。如果噪声的大小低于基准值，则进一步进行步骤S620的判断。在步骤S620，判断对象数据是否为监视行的数据。如果对象数据不是监视行的数据，则使对于对象数据的控制方法为“控制A1”。如果对象数据是监视行的数据，则进一步进行步骤S630的判断。在步骤S630，判断对象数据是否为监视列的数据。如果对象数据不是监视列的数据，则对于对象数据的控制方法为“控制B”。如果对象数据为监视列的数据，则进一步进行步骤S640的判断。在步骤S640，判断对象数据是否为低灰度等级数据(进行黑色的显示的灰度等级数据或进行大致黑色的显示的灰度等级数据)。如果对象数据不是低灰度等级数据，则对于对象数据的控制方法为“控制C”。如果对象数据是低灰度等级数据，则对于对象数据的控制方法为“控制D”。
“控制A1”、“控制B”、“控制C”和“控制D”与上述第一实施方式相同，因此省略说明。
“控制E”是检测到基准值以上的噪声时对于各数据的控制方法。因为能够到基准值以上的噪声而不需要进行特性检测，所以扫描线G1(i)仅在通常的1水平扫描期间为活动状态(高电平的状态)。监视控制线G2(i)在全部行中为非活动状态(低电平的状态)。另外，为了在下一帧之后从该行起进行特性检测动作，在即将使全部行的监视控制线G2(i)为非活动之前，存储活动状态的行。此外，只要像通常那样进行显示即可，因此对数据线S(j)施加与通常的灰度等级数据对应的数据电压。因为不需要进行特性检测，所以监视线开关331的状态为截止状态。因为不进行特性检测，所以不进行修正数据的更新。
<3.3效果>
根据本实施方式，用于测定噪声的电路(噪声监视电路85)与用于进行TFT特性的检测、OLED特性的检测的监视电路322分开设置，因此能够在帧期间中的任意时刻进行噪声的测定。即，能够使帧期间中的任意的期间为噪声测定期间Tn。例如，能够使图50中以符号Tn1表示的期间、以符号Tn2表示的期间、以符号Tn3表示的期间、以符号Tn4表示的期间、以符号Tn5表示的期间等的任一个期间为噪声测定期间。
<4.其它>
能够应用本发明的有机EL显示装置并不限定于具有图7所示的像素电路11的装置。像素电路只要至少包括由电流控制的电光学元件(有机EL元件OLED)、晶体管T1～T3和电容器Cst，也可以具有图7所示的结构以外的结构。
对于第一实施方式记载了第一～第八变形例。这些第一～第八变形例也能够应用于第二实施方式和第三实施方式。此外，第一～第八变形例能够适当组合使用。例如，也可以对第一实施方式应用第一变形例和第七变形例。
在各实施方式和各变形例中，在各帧进行TFT特性和OLED特性这两者的检测，但本发明并不限定于此。只要在各帧的特性检测期间检测TFT特性和OLED特性中的至少一方，就能够应用本发明。
附图标记说明
1～3……有机EL显示装置
10……显示部
11……像素电路
20……控制电路
30……源极驱动器
31……驱动信号产生电路
32……信号转换电路
33……输出部
37、39……电流测定部
38……电压测定部
40……栅极驱动器
51……偏移存储器
52……增益存储器
80……触控面板
85……噪声监视电路
321……灰度等级信号产生电路
322、323……监视电路
330……输出电路
T1～T3……晶体管
Cst……电容器
G1(1)～G1(n)……扫描线
G2(1)～G2(n)……监视控制线
S(1)～S(m)……数据线
M(1)～M(m)……监视线
Ta……TFT特性检测期间
Tb……黑写入期间
Tc……发光期间
Tn……噪声测定期间。

Claims (20)

1.一种显示装置的驱动方法，该显示装置具有由n×m个像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，其中，n和m是2以上的整数，所述像素电路分别包含利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到所述电光学元件的电流的驱动晶体管，该显示装置的驱动方法的特征在于，包括：
测定噪声的噪声测定步骤；
检测所述驱动晶体管和所述电光学元件中的至少一方的特性的特性检测步骤；
基于所述特性检测步骤中的检测结果，更新在设置于所述显示装置的修正数据存储部中存储的修正数据的修正数据更新步骤；和
基于在所述修正数据存储部中存储的修正数据，修正用于供给到所述n×m个像素电路的视频信号的视频信号修正步骤，
在所述噪声测定步骤中检测出基准值以上的噪声时，不进行紧接在检测出该噪声的时刻之后的所述特性检测步骤的处理，或者，不进行基于在检测出该噪声的时刻的邻近时刻进行的所述特性检测步骤中的检测结果的所述修正数据更新步骤的处理。
2.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
在所述噪声测定步骤中检测出所述基准值以上的噪声时，不进行以下处理中的至少一方：基于紧接在检测出该噪声的时刻之前进行的所述特性检测步骤中的检测结果的所述修正数据更新步骤的处理；和基于紧接在检测出该噪声的时刻之后进行的所述特性检测步骤中的检测结果的所述修正数据更新步骤的处理。
3.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
在帧期间，在所述特性检测步骤中仅对所述像素矩阵的1行检测所述驱动晶体管和所述电光学元件中的至少一方的特性，
在将对第Z行进行所述特性检测步骤的处理的帧期间定义为对象帧期间时，其中Z为1以上n以下的整数，
在所述对象帧期间，在所述噪声测定步骤中检测出所述基准值以上的噪声时，不进行基于在所述对象帧期间进行的所述特性检测步骤中的检测结果的所述修正数据更新步骤的处理，在所述对象帧期间的下一帧期间对第Z行进行所述特性检测步骤的处理，
在所述对象帧期间，在所述噪声测定步骤中没有检测出所述基准值以上的噪声，并且在所述对象帧期间的下一帧期间，在所述噪声测定步骤中检测出所述基准值以上的噪声时，不进行基于在所述对象帧期间进行的所述特性检测步骤中的检测结果的所述修正数据更新步骤的处理，和基于在所述对象帧期间的下一帧期间进行的所述特性检测步骤中的检测结果的所述修正数据更新步骤的处理，在所述对象帧期间的2帧后的帧期间也对第Z行进行所述特性检测步骤的处理。
4.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
在帧期间，在所述特性检测步骤中仅对所述像素矩阵的1行检测所述驱动晶体管和所述电光学元件中的至少一方的特性，
基于对第Z行的所述特性检测步骤中的检测结果的所述修正数据更新步骤的处理，仅在紧接对第Z行的所述特性检测步骤之前进行的所述噪声测定步骤和紧接对第Z行的所述特性检测步骤之后进行的所述噪声测定步骤两者中均没有检测到所述基准值以上的噪声时进行，其中Z为1以上n以下的整数。
5.如权利要求4所述的驱动方法，其特征在于：
在帧期间，在所述特性检测步骤的前后进行所述噪声测定步骤的处理。
6.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
按每多个帧期间进行所述噪声测定步骤的处理。
7.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述特性检测步骤包括：
检测所述驱动晶体管的特性的第一特性检测步骤；和
检测所述电光学元件的特性的第二特性检测步骤，
1帧期间包括：进行所述噪声测定步骤的处理的噪声测定期间；进行使所述电光学元件发光的准备的选择期间；和进行所述电光学元件的发光的发光期间，
所述第一特性检测步骤的处理在所述选择期间进行，
所述第二特性检测步骤的处理在所述发光期间进行。
8.如权利要求7所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，在对所述电光学元件提供一定的电流的状态下测定所述电光学元件的阳极的电压，由此检测所述电光学元件的特性。
9.如权利要求7所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第二特性检测步骤中，在对所述电光学元件提供一定的电压的状态下测定在所述电光学元件中流动的电流，由此检测所述电光学元件的特性。
10.如权利要求7所述的驱动方法，其特征在于：
在所述第一特性检测步骤中，在使所述驱动晶体管的栅极－源极间的电压为规定的大小的状态下测定在所述驱动晶体管的漏极－源极间流动的电流，由此检测所述驱动晶体管的特性。
11.如权利要求1所述的驱动方法，其特征在于：
所述显示装置还具有触控面板，
在进行所述触控面板的时钟动作的期间不进行所述特性检测步骤的处理。
12.如权利要求11所述的驱动方法，其特征在于：
所述触控面板在垂直回扫期间中进行时钟动作，
在垂直回扫期间不进行所述特性检测步骤的处理。
13.一种显示装置，其具有由n×m个像素电路构成的n行×m列的像素矩阵，其中，n和m是2以上的整数，所述像素电路分别包含利用电流控制亮度的电光学元件和用于控制要供给到所述电光学元件的电流的驱动晶体管，该显示装置的特征在于，包括：
进行检测所述驱动晶体管和所述电光学元件中的至少一方的特性的特性检测处理，并且驱动所述n×m个像素电路的像素电路驱动部；
存储用于修正视频信号的修正数据的修正数据存储部；
控制部，其进行基于所述特性检测处理中的检测结果更新在所述修正数据存储部中存储的修正数据的修正数据更新处理，和基于在所述修正数据存储部中存储的修正数据修正用于供给到所述n×m个像素电路的视频信号的视频信号修正处理，并且控制所述像素电路驱动部的动作；和
测定噪声的噪声测定部，
所述控制部在所述噪声测定部检测出基准值以上的噪声时，控制所述像素电路驱动部的动作，使得不进行紧接在检测出该噪声的时刻之后的所述特性检测处理，或者，不进行基于在检测出该噪声的时刻的邻近时刻进行的所述特性检测处理中的检测结果的所述修正数据更新处理。
14.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
所述控制部在所述噪声测定部检测出所述基准值以上的噪声时，不进行以下处理中的至少一方：基于紧接在检测出该噪声的时刻之前进行的所述特性检测处理中的检测结果的所述修正数据更新处理；和基于紧接在检测出该噪声的时刻之后进行的所述特性检测处理中的检测结果的所述修正数据更新处理。
15.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
还包括以与所述像素矩阵的各列对应的方式设置的监视线，
所述像素电路驱动部包括通过测定在所述监视线流动的电流或所述监视线上的规定位置的电压来进行所述特性检测处理的特性检测部。
16.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于：
所述噪声测定部与所述特性检测部共用相同的电路，
在所述噪声测定部进行噪声测定时，所述监视线为与所述电光学元件和所述驱动晶体管电分离的状态。
17.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于：
所述噪声测定部与所述特性检测部分开地设置在包括所述像素矩阵的有机EL面板的外部。
18.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于：
对每K根监视线仅设置有1个所述特性检测部，其中K为2以上m以下的整数，
在帧期间中，
所述K根监视线中的1根监视线与所述特性检测部电连接，
不与所述特性检测部电连接的监视线成为高阻抗的状态。
19.如权利要求13所述的显示装置，其特征在于：
还包括触控面板，
所述控制部控制所述像素电路驱动部的动作，使得所述特性检测处理在进行所述触控面板的时钟动作的期间停止。
20.如权利要求19所述的显示装置，其特征在于：
所述触控面板在垂直回扫期间中进行时钟动作，
所述控制部控制所述像素电路驱动部的动作，使得所述特性检测处理在垂直回扫期间停止。
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6169191B2 (ja) * 2013-12-20 2017-07-26 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
KR102316986B1 (ko) * 2014-12-09 2021-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR102285392B1 (ko) * 2015-02-03 2021-08-04 삼성디스플레이 주식회사 센싱 장치, 표시장치, 및 전기적 신호 센싱 방법
US10671204B2 (en) * 2015-05-04 2020-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Touch panel and data processor
US10360826B2 (en) * 2015-10-09 2019-07-23 Apple Inc. Systems and methods for indirect light-emitting-diode voltage sensing in an electronic display
CN105243996B (zh) * 2015-11-09 2018-01-30 深圳市华星光电技术有限公司 采用外部补偿的amoled驱动电路架构
KR102582286B1 (ko) * 2015-12-30 2023-09-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 유기발광 표시장치의 화질 보상 방법
KR102573318B1 (ko) * 2015-12-31 2023-09-01 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 타이밍컨트롤러
KR102423861B1 (ko) * 2016-04-08 2022-07-22 엘지디스플레이 주식회사 전류 센싱형 센싱 유닛과 그를 포함한 유기발광 표시장치
CN105869554B (zh) 2016-06-17 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 检测电路、结构特征的识别方法及显示基板
CN106023899B (zh) * 2016-08-05 2019-01-22 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示装置及检测其驱动电流的电路与方法
CN106328061B (zh) * 2016-10-14 2019-03-12 深圳市华星光电技术有限公司 Oled像素混合补偿电路及混合补偿方法
WO2018119650A1 (zh) * 2016-12-27 2018-07-05 深圳市柔宇科技有限公司 像素电路驱动方法、像素电路组及有机发光显示设备
CN106997747B (zh) * 2017-05-27 2019-01-01 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光显示面板及显示装置
CN107316610B (zh) * 2017-08-25 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置的亮度补偿方法及显示装置
CN111052215B (zh) 2017-08-31 2022-11-29 株式会社半导体能源研究所 显示装置及电子设备
CN109671393B (zh) * 2017-10-13 2020-07-31 京东方科技集团股份有限公司 一种像素补偿方法及系统、显示装置
US10720106B2 (en) 2017-11-21 2020-07-21 Novatek Microelectronics Corp. Driving apparatus for driving display panel
WO2019186895A1 (ja) * 2018-03-29 2019-10-03 シャープ株式会社 駆動方法、及び、表示装置
CN108649059B (zh) * 2018-05-14 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、显示装置及其驱动方法
TWI675363B (zh) * 2018-09-04 2019-10-21 友達光電股份有限公司 顯示器、顯示器驅動裝置及其驅動方法
US10997914B1 (en) * 2018-09-07 2021-05-04 Apple Inc. Systems and methods for compensating pixel voltages
US10818208B2 (en) * 2018-09-14 2020-10-27 Novatek Microelectronics Corp. Source driver
WO2020065947A1 (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
TWI682381B (zh) * 2018-10-17 2020-01-11 友達光電股份有限公司 畫素電路、顯示裝置及畫素電路驅動方法
KR102589012B1 (ko) * 2018-11-06 2023-10-16 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 센싱 동작 수행 방법, 및 유기 발광 표시 장치
CN110337733B (zh) * 2018-11-12 2022-07-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板、显示装置和阵列基板的制造方法
CN109523950B (zh) * 2018-12-13 2020-09-11 昆山国显光电有限公司 一种oled显示面板驱动电路及驱动方法
CN111508427B (zh) 2019-01-30 2022-11-04 深圳通锐微电子技术有限公司 显示装置
JP2020144343A (ja) * 2019-03-08 2020-09-10 シャープ株式会社 表示装置、制御装置、および表示装置の制御方法
JP7345268B2 (ja) * 2019-04-18 2023-09-15 Ｔｉａｎｍａ Ｊａｐａｎ株式会社 表示装置及びその制御方法
US10957248B1 (en) * 2020-04-12 2021-03-23 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel and mobile terminal
CN111785197B (zh) * 2020-08-06 2023-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种电流检测装置及显示装置
CN111951734B (zh) * 2020-09-02 2022-09-30 京东方科技集团股份有限公司 获取像素单元的电学数据的方法和装置、阵列基板
WO2022113265A1 (ja) * 2020-11-27 2022-06-02 シャープ株式会社 タッチパネルを備えた表示装置およびその制御方法
US12101983B2 (en) 2021-03-12 2024-09-24 Sharp Kabushiki Kaisha Display device equipped with touch panel, and method for controlling display device
CN113903300B (zh) * 2021-10-12 2023-06-02 维沃移动通信有限公司 显示面板、校准方法、校准装置和电子设备
KR20230071332A (ko) * 2021-11-16 2023-05-23 엘지디스플레이 주식회사 열화 보상 회로 및 이를 포함하는 디스플레이 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW580684B (en) * 2001-04-23 2004-03-21 Wintest Corp Device and method for inspecting pixel of active matrix type display
CN102203846A (zh) * 2008-10-25 2011-09-28 全球Oled科技有限责任公司 具有初始非均匀性补偿的电致发光显示器
CN102222463A (zh) * 2010-04-14 2011-10-19 三星移动显示器株式会社 显示设备及其驱动方法
CN102414737A (zh) * 2009-03-03 2012-04-11 全球Oled科技有限责任公司 补偿驱动信号的电致发光子像素

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04290388A (ja) * 1991-03-19 1992-10-14 Hitachi Ltd 液晶表示装置
US9280933B2 (en) * 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
EP2688058A3 (en) 2004-12-15 2014-12-10 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
JP4300429B2 (ja) * 2005-12-26 2009-07-22 船井電機株式会社 プラズマテレビジョンおよび電源制御装置
KR100671669B1 (ko) 2006-02-28 2007-01-19 삼성에스디아이 주식회사 데이터 구동부 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치와 그의구동방법
JP4838090B2 (ja) * 2006-10-13 2011-12-14 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー パネル電流測定方法およびパネル電流測定装置
JP2008234511A (ja) * 2007-03-23 2008-10-02 Renesas Technology Corp 半導体集積回路装置
JP2009053382A (ja) * 2007-08-27 2009-03-12 Panasonic Corp 画像表示装置及びその駆動方法
JP2010281874A (ja) * 2009-06-02 2010-12-16 Casio Computer Co Ltd 発光装置及びその駆動制御方法、並びに電子機器
KR101457833B1 (ko) 2010-12-03 2014-11-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
US9530349B2 (en) * 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
KR101970564B1 (ko) * 2012-11-30 2019-08-13 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시 장치의 전류 제어 방법 및 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW580684B (en) * 2001-04-23 2004-03-21 Wintest Corp Device and method for inspecting pixel of active matrix type display
CN102203846A (zh) * 2008-10-25 2011-09-28 全球Oled科技有限责任公司 具有初始非均匀性补偿的电致发光显示器
CN102414737A (zh) * 2009-03-03 2012-04-11 全球Oled科技有限责任公司 补偿驱动信号的电致发光子像素
CN102222463A (zh) * 2010-04-14 2011-10-19 三星移动显示器株式会社 显示设备及其驱动方法

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