WO2014208458A1

WO2014208458A1 - 表示装置およびその駆動方法

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Publication number: WO2014208458A1
Application number: PCT/JP2014/066402
Authority: WO
Inventors: 宣孝岸
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2013-06-27
Filing date: 2014-06-20
Publication date: 2014-12-31
Also published as: US20160155377A1; US9837016B2

Abstract

　本発明は、表示装置において、回路素子の特性検出の時間を充分に確保して回路素子の劣化に対する充分な補償を可能にすることを目的とする。　駆動トランジスタのソースおよび電気光学素子の陽極に電気的に接続可能なモニタ線が設けられる。駆動トランジスタの特性を検出するステップ（Ｓ１０）と、電気光学素子の特性を検出するステップ（Ｓ３０）と、特性の検出結果に基づいて得られる特性データを映像信号を補正するための補正データとして記憶するステップ（Ｓ２０，Ｓ４０）と、補正データに基づいて映像信号を補正するステップ（Ｓ５０）とが駆動方法に含められる。ここで、モニタ行と非モニタ行とで選択期間の長さが等しくされる。また、駆動トランジスタの特性を検出する時と電気光学素子の特性を検出する時とでモニタ線に異なる電位が与えられる。

Description

表示装置およびその駆動方法

　本発明は表示装置およびその駆動方法に関し、より詳しくは、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子などの電気光学素子を含む画素回路を備える表示装置およびその駆動方法に関する。

　従来より、表示装置が備える表示素子としては、印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子と流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子とがある。印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としては液晶表示素子が挙げられる。一方、流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としては有機ＥＬ素子が挙げられる。有機ＥＬ素子は、ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれている。自発光型の電気光学素子である有機ＥＬ素子を使用した有機ＥＬ表示装置は、バックライトおよびカラーフィルタなどを要する液晶表示装置に比べて、容易に薄型化・低消費電力化・高輝度化などを図ることができる。従って、近年、積極的に有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。

　有機ＥＬ表示装置の駆動方式として、パッシブマトリクス方式（単純マトリクス方式とも呼ばれる。）とアクティブマトリクス方式とが知られている。パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置は、構造は単純であるものの、大型化および高精細化が困難である。これに対して、アクティブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置（以下「アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置」という。）は、パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置に比べて大型化および高精細化を容易に実現できる。

　アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置には、複数の画素回路がマトリクス状に形成されている。アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の画素回路は、典型的には、画素を選択する入力トランジスタと、有機ＥＬ素子への電流の供給を制御する駆動トランジスタとを含んでいる。なお、以下においては、駆動トランジスタから有機ＥＬ素子に流れる電流のことを「駆動電流」という場合がある。

　図３８は、従来の一般的な画素回路９１の構成を示す回路図である。この画素回路９１は、表示部に配設されている複数のデータ線Ｓと複数の走査線Ｇとの各交差点に対応して設けられている。図３８に示すように、この画素回路９１は、２個のトランジスタＴ１，Ｔ２と、１個のコンデンサＣｓｔと、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを備えている。トランジスタＴ１は入力トランジスタであり、トランジスタＴ２は駆動トランジスタである。

　トランジスタＴ１は、データ線ＳとトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇにゲート端子が接続され、データ線Ｓにソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線にドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にソース端子が接続されている。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線のことを以下「ハイレベル電源線」といい、ハイレベル電源線にはハイレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＤＤを付す。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のソース端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子は、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線に接続されている。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線のことを以下「ローレベル電源線」といい、ローレベル電源線にはローレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＳＳを付す。また、ここでは、トランジスタＴ２のゲート端子と、コンデンサＣｓｔの一端と、トランジスタＴ１のドレイン端子との接続点のことを便宜上「ゲートノードＶＧ」という。なお、一般的には、ドレインとソースのうち電位の高い方がドレインと呼ばれているが、本明細書の説明では、一方をドレイン，他方をソースと定義するので、ドレイン電位よりもソース電位の方が高くなることもある。

　図３９は、図３８に示す画素回路９１の動作を説明するためのタイミングチャートである。時刻ｔ１以前には、走査線Ｇは非選択状態となっている。従って、時刻ｔ１以前には、トランジスタＴ１がオフ状態になっており、ゲートノードＶＧの電位は初期レベル（例えば、１つ前のフレームでの書き込みに応じたレベル）を維持している。時刻ｔ１になると、走査線Ｇが選択状態となり、トランジスタＴ１がターンオンする。これにより、データ線ＳおよびトランジスタＴ１を介して、この画素回路９１が形成する画素（サブ画素）の輝度に対応するデータ電圧ＶｄａｔａがゲートノードＶＧに供給される。その後、時刻ｔ２までの期間に、ゲートノードＶＧの電位がデータ電圧Ｖｄａｔａに応じて変化する。このとき、コンデンサＣｓｔは、ゲートノードＶＧの電位とトランジスタＴ２のソース電位との差であるゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに充電される。時刻ｔ２になると、走査線Ｇが非選択状態となる。これにより、トランジスタＴ１がターンオフし、コンデンサＣｓｔが保持するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが確定する。トランジスタＴ２は、コンデンサＣｓｔが保持するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。その結果、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　ところで、有機ＥＬ表示装置においては、駆動トランジスタとして、典型的には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が採用される。しかしながら、薄膜トランジスタについては、閾値電圧にばらつきが生じやすい。表示部内に設けられている駆動トランジスタに閾値電圧のばらつきが生じると、輝度のばらつきが生じるので表示品位が低下する。そこで、有機ＥＬ表示装置における表示品位の低下を抑制する技術が従来より提案されている。例えば、日本の特開２００５－３１６３０号公報には、駆動トランジスタの閾値電圧のばらつきを補償する技術が開示されている。また、日本の特開２００３－１９５８１０号公報および日本の特開２００７－１２８１０３号公報には、画素回路から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに流れる電流を一定にする技術が開示されている。さらに、日本の特開２００７－２３３３２６号公報には、駆動トランジスタの閾値電圧や電子移動度に関わらず均一な輝度の画像を表示する技術が開示されている。

　上述の先行技術によれば、表示部内に設けられている駆動トランジスタに閾値電圧のばらつきが生じても、所望の輝度（目標輝度）に応じて有機ＥＬ素子（発光素子）に一定電流を供給することが可能となる。しかしながら、有機ＥＬ素子に関しては、時間の経過とともに電流効率が低下する。すなわち、たとえ一定電流が有機ＥＬ素子に供給されたとしても、時間の経過とともに輝度が徐々に低下する。その結果、焼き付きが生じる。

　以上より、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化に対して何ら補償が行われなければ、図４０に示すように、駆動トランジスタの劣化に起因する電流低下が生じるとともに有機ＥＬ素子の劣化に起因する輝度低下が生じる。また、駆動トランジスタの劣化に対して補償が行われても、図４１に示すように、時間が経過するにつれて、有機ＥＬ素子の劣化に起因する輝度低下が生じる。そこで、日本の特表２００８－５２３４４８号公報には、駆動トランジスタの特性に基づいてデータを補正する技術に加えて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性に基づいてデータを補正する技術が開示されている。

日本の特開２００５－３１６３０号公報日本の特開２００３－１９５８１０号公報日本の特開２００７－１２８１０３号公報日本の特開２００７－２３３３２６号公報日本の特表２００８－５２３４４８号公報

　ところが、日本の特表２００８－５２３４４８号公報に開示された技術によれば、選択期間中には駆動トランジスタまたは有機ＥＬ素子のいずれか一方の特性しか検出することができない。このため、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化の双方を同時に補償することはできない。また、駆動トランジスタおよび有機ＥＬ素子の双方の特性を検出するためには選択期間を長くする必要がある。これに関し、日本の特表２００８－５２３４４８号公報に開示された技術においては、特性の検出を行う行の選択期間を長くした場合、特性の検出を行う行とそれ以外の行とで発光時間の長さが異なってしまい、所望の輝度表示が行われない。換言すれば、所望の輝度表示が行われるよう選択期間を短くすると、特性を検出するための時間が充分に確保されない。その結果、特性検出の精度が低下し、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化の補償が充分に行われない。

　そこで、本発明は、表示装置において回路素子の特性検出の時間を充分に確保して回路素子の劣化を充分に補償することを可能にする駆動方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、表示装置において駆動トランジスタの劣化および発光素子の劣化の双方を同時に補償することを可能にする駆動方法を提供することを目的とする。

　本発明の第１の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置の駆動方法であって、
　前記駆動トランジスタの特性を検出する駆動トランジスタ特性検出ステップと、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでの検出結果に基づいて得られる特性データを、映像信号を補正するための補正データとして、予め用意された補正データ記憶部に記憶させる補正データ記憶ステップと、
　前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて前記映像信号を補正して、前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給すべきデータ信号を生成する映像信号補正ステップと
を含み、
　前記表示装置には、前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続可能なモニタ線が、前記画素マトリクスの列毎に設けられ、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が、１フレーム期間につき前記画素マトリクスの１つの行のみで行われ、
　各フレーム期間において前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われる行をモニタ行と定義し、前記モニタ行以外の行を非モニタ行と定義したとき、前記モニタ行についての１フレーム期間は、前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われる駆動トランジスタ特性検出期間と、前記電気光学素子を発光させることが可能な発光期間とを含み、
　前記モニタ行では、前記駆動トランジスタ特性検出期間および前記発光期間を通じて、前記モニタ線が前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続され、
　前記駆動トランジスタ特性検出期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記駆動トランジスタのみに電流が流れるよう、かつ、前記発光期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記電気光学素子のみに電流が流れるよう、前記駆動トランジスタ特性検出期間と前記発光期間とで前記モニタ線に異なる電位が与えられることを特徴とする。

　本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記電気光学素子の特性を検出する電気光学素子特性検出ステップを更に含み、
　前記電気光学素子特性検出ステップの処理は、前記発光期間に行われ、
　前記補正データ記憶ステップでは、更に、前記電気光学素子特性検出ステップでの検出結果に基づいて得られる特性データが前記補正データとして前記補正データ記憶部に記憶されることを特徴とする。

　本発明の第３の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電圧が与えられた状態で前記電気光学素子に流れる電流を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第４の局面は、本発明の第３の局面において、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、目標輝度に応じて、前記一定の電圧を前記電気光学素子に与える時間の長さが調整されることを特徴とする。

　本発明の第５の局面は、本発明の第４の局面において、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、１フレーム期間での発光電流の積分値が目標階調に相当する値となる範囲内で複数レベルの前記一定の電圧が前記電気光学素子に与えられることによって、前記電気光学素子の特性として複数の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第６の局面は、本発明の第３の局面において、
　前記表示装置は、前記モニタ線の電流を測定するための電流測定部を有し、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出され、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第７の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電流が与えられた状態で前記電気光学素子の陽極の電圧を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第８の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、目標輝度に応じて、前記一定の電流を前記電気光学素子に与える時間の長さが調整されることを特徴とする。

　本発明の第９の局面は、本発明の第８の局面において、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、１フレーム期間での発光電流の積分値が目標階調に相当する値となる範囲内で複数レベルの前記一定の電流が前記電気光学素子に与えられることによって、前記電気光学素子の特性として複数の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第１０の局面は、本発明の第７の局面において、
　前記表示装置は、
　　前記モニタ線の電流を測定するための電流測定部と、
　　前記モニタ線の電圧を測定するための電圧測定部と
を有し、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出され、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電圧測定部が前記モニタ線の電圧を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第１１の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記ｎ行×ｍ列の画素マトリクスのうち黒色またはほぼ黒色の表示が行われる画素については、前記電気光学素子特性検出ステップの処理が行われないことを特徴とする。

　本発明の第１２の局面は、本発明の第２の局面において、
　温度を検出する温度検出ステップと、
　前記特性データに対して前記温度検出ステップで検出された温度に基づく補正を施す温度変化補償ステップと
を更に含み、
　前記補正データ記憶ステップでは、前記温度変化補償ステップの処理で得られたデータが前記補正データとして前記補正データ記憶部に記憶されることを特徴とする。

　本発明の第１３の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記駆動トランジスタのゲート－ソース間の電圧を所定の大きさにした状態で前記駆動トランジスタのドレイン－ソース間を流れる電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第１４の局面は、本発明の第１３の局面において、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記駆動トランジスタのゲートに複数レベルの電位が与えられることによって、前記駆動トランジスタの特性として複数の特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第１５の局面は、本発明の第１３の局面において、
　前記表示装置は、前記モニタ線の電流を測定するための電流測定部を有し、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出されることを特徴とする。

　本発明の第１６の局面は、本発明の第１５の局面において、
　前記電流測定部は、Ｋ本のモニタ線（Ｋは２以上ｍ以下の整数）につき１つだけ設けられ、
　各フレーム期間において、
　　前記Ｋ本のモニタ線のうちの１つが前記電流測定部と電気的に接続され、
　　前記電流測定部と電気的に接続されていないモニタ線は、ハイインピーダンスの状態にされていることを特徴とする。

　本発明の第１７の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記駆動トランジスタ特性検出期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ＴＦＴとし、前記発光期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ｏｌｅｄとしたとき、Ｖｍｇの値は以下の式を満たすように定められていることを特徴とする。
Ｖｍｇ＞Ｖｍ＿ＴＦＴ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍｇ＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前駆駆動トランジスタの閾値電圧である。

　本発明の第１８の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記駆動トランジスタ特性検出期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ＴＦＴとしたとき、Ｖｍ＿ＴＦＴの値は以下の式を満たすように定められていることを特徴とする。
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前記駆動トランジスタの閾値電圧であって、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）は前記電気光学素子の発光閾値電圧であって、ＥＬＶＳＳは前記電気光学素子の陰極の電位である。

　本発明の第１９の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記発光期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ｏｌｅｄとしたとき、Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値は以下の式を満たすように定められていることを特徴とする。
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前記駆動トランジスタの閾値電圧であって、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）は前記電気光学素子の発光閾値電圧であって、ＥＬＶＳＳは前記電気光学素子の陰極の電位である。

　本発明の第２０の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記駆動トランジスタ特性検出期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ＴＦＴとし、前記発光期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ｏｌｅｄとしたとき、以下の関係を満たすようにＶｍｇ，Ｖｍ＿ＴＦＴ，およびＶｍ＿ｏｌｅｄの値が定められていることを特徴とする。
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前記駆動トランジスタの閾値電圧であって、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）は前記電気光学素子の発光閾値電圧であって、ＥＬＶＳＳは前記電気光学素子の陰極の電位である。

　本発明の第２１の局面は、本発明の第１の局面において、
　目標輝度に応じて、前記駆動トランジスタ特性検出期間の長さと前記発光期間の長さとが調整されることを特徴とする。

　本発明の第２２の局面は、本発明の第１の局面において、
　各フレーム期間において、前記発光期間よりも前記駆動トランジスタ特性検出期間の方が先行していることを特徴とする。

　本発明の第２３の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　前記選択期間の長さが前記モニタ行と前記非モニタ行とで等しいことを特徴とする。

　本発明の第２４の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記表示装置の電源オフの際に、最後に前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われた領域を特定する情報を予め用意されたモニタ領域記憶部に記憶するモニタ領域記憶ステップを更に含み、
　前記表示装置の電源オン後には、前記モニタ領域記憶部に記憶されている情報に基づいて得られる領域近傍の領域から、前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われることを特徴とする。

　本発明の第２５の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置であって、
　前記駆動トランジスタの特性を検出する駆動トランジスタ特性検出処理を行いつつ前記ｎ×ｍ個の画素回路を駆動する画素回路駆動部と、
　前記駆動トランジスタ特性検出処理での検出結果に基づいて得られる特性データを、映像信号を補正するための補正データとして記憶する補正データ記憶部と、
　前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて前記映像信号を補正して、前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給すべきデータ信号を生成する映像信号補正部と、
　前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続可能に構成され、前記画素マトリクスの列毎に設けられたモニタ線と
を備え、
　各フレーム期間において前記駆動トランジスタ特性検出処理が行われる行をモニタ行と定義し、前記モニタ行以外の行を非モニタ行と定義したとき、前記モニタ行についての１フレーム期間は、前記駆動トランジスタ特性検出処理が行われる駆動トランジスタ特性検出期間と、前記電気光学素子を発光させることが可能な発光期間とを含み、
　前記画素回路駆動部は、
　　前記駆動トランジスタ特性検出処理を、１フレーム期間につき前記画素マトリクスの１つの行についてのみ行い、
　　前記モニタ行については、前記駆動トランジスタ特性検出期間および前記発光期間を通じて、前記モニタ線が前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続された状態を維持し、
　　前記駆動トランジスタ特性検出期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記駆動トランジスタのみに電流が流れるよう、かつ、前記発光期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記電気光学素子のみに電流が流れるよう、前記駆動トランジスタ特性検出期間と前記発光期間とで前記モニタ線に異なる電位を与えることを特徴とする。

　本発明の第１の局面によれば、電流によって輝度が制御される電気光学素子（例えば有機ＥＬ素子）と当該電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む画素回路を有する表示装置において、１フレーム期間につき１つの行について、駆動トランジスタの特性の検出が行われる。そして、その検出結果を考慮して得られる補正データを用いて映像信号が補正される。このようにして補正された映像信号に基づくデータ信号が画素回路に供給されるので、駆動トランジスタの劣化が補償されるような大きさの駆動電流が電気光学素子に供給される。また、モニタ線の電位を変化させることによって、駆動トランジスタのオン／オフ状態の切り替えが行われる。このため、駆動トランジスタのオン／オフ状態を切り替えるために当該駆動トランジスタのゲート電位を変化させるための期間を、駆動トランジスタ特性検出期間と発光期間との間に設ける必要がない。従って、モニタ期間の長さを充分に確保することが可能となる。以上より、駆動トランジスタの特性検出の時間を充分に確保して駆動トランジスタの劣化を充分に補償することが可能となる。

　本発明の第２の局面によれば、電気光学素子の特性の検出が行われ、その検出結果を考慮して映像信号が補正される。このため、電気光学素子の劣化が補償されるような大きさの駆動電流が電気光学素子に供給される。以上より、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性検出の時間を充分に確保して駆動トランジスタの劣化および電気光学素子の劣化の双方を充分に補償することが可能となる。

　本発明の第３の局面によれば、電気光学素子の特性を検出するための測定時間の短縮が可能となる。

　本発明の第４の局面によれば、電気光学素子の特性の検出を行いつつ当該電気光学素子を所望の輝度で発光させることが可能となる。

　本発明の第５の局面によれば、電気光学素子の特性として複数の特性が検出されるので、より効果的に電気光学素子の劣化を補償することが可能となる。

　本発明の第６の局面によれば、各列に含まれる駆動トランジスタおよび電気光学素子の双方の特性を１本のモニタ線によって検出することが可能となる。

　本発明の第７の局面によれば、特性を検出する電気光学素子には一定電流が供給される。このため、一定電流を電気光学素子に供給する時間を調整することによって、当該電気光学素子を所望の輝度で発光させることが可能となる。

　本発明の第８の局面によれば、電気光学素子の特性の検出を行いつつ当該電気光学素子を所望の輝度で発光させることが可能となる。

　本発明の第９の局面によれば、電気光学素子の特性として複数の特性が検出されるので、より効果的に電気光学素子の劣化を補償することが可能となる。

　本発明の第１０の局面によれば、各列に含まれる駆動トランジスタおよび電気光学素子の双方の特性を１本のモニタ線によって検出することが可能となる。

　本発明の第１１の局面によれば、電気光学素子の不必要な発光が防止される。

　本発明の第１２の局面によれば、温度変化を考慮した補正データを用いて映像信号が補正される。このため、温度の変化に関わらず、駆動トランジスタの劣化および電気光学素子の劣化の双方を充分に補償することが可能となる。

　本発明の第１３の局面によれば、比較的容易に駆動トランジスタの特性を検出することが可能となる。

　本発明の第１４の局面によれば、駆動トランジスタの特性として複数の特性が検出されるので、より効果的に駆動トランジスタの劣化を補償することが可能となる。

　本発明の第１５の局面によれば、各列に含まれる駆動トランジスタの特性を１本のモニタ線によって検出することが可能となる。

　本発明の第１６の局面によれば、１つの電流測定部が複数のモニタ線で共有化される。このため、回路面積の増大を抑制しつつ駆動トランジスタの劣化を補償することが可能となる。

　本発明の第１７の局面によれば、駆動トランジスタ特性検出期間には駆動トランジスタが確実にオン状態になり、発光期間には電気光学素子が確実にオン状態となる。

　本発明の第１８の局面によれば、駆動トランジスタ特性検出期間には、駆動トランジスタが確実にオン状態になるとともに電気光学素子が確実にオフ状態となる。

　本発明の第１９の局面によれば、発光期間には、駆動トランジスタが確実にオフ状態になるとともに電気光学素子が確実にオン状態となる。

　本発明の第２０の局面によれば、駆動トランジスタ特性検出期間には、駆動トランジスタが確実にオン状態になるとともに電気光学素子が確実にオフ状態となる。また、発光期間には、駆動トランジスタが確実にオフ状態になるとともに電気光学素子が確実にオン状態となる。

　本発明の第２１の局面によれば、目標輝度に応じて、駆動トランジスタ特性検出期間を長くすることが可能となる。このため、駆動トランジスタの特性を検出するために、より多くの回数、電流を測定することが可能となる。これにより、検出電流のＳ／Ｎ比が高められ、駆動トランジスタの特性の検出の精度が向上する。

　本発明の第２２の局面によれば、駆動トランジスタ特性検出期間に駆動トランジスタがオフ状態となることが防止される。

　本発明の第２３の局面によれば、表示装置の駆動回路の構成を複雑化させることなく、モニタ期間の長さを充分に確保することが可能となる。

　本発明の第２４の局面によれば、例えば上方の行と下方の行との間で駆動トランジスタの特性の検出回数に差が生じることが防止される。このため、駆動トランジスタの劣化に対する補償を画面全体で一様に行うことが可能となり、輝度のばらつきの発生が効果的に防止される。

　本発明の第２５の局面によれば、本発明の第１の局面と同様の効果を表示装置の発明において奏することができる。

本発明の第１の実施形態において、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出に関連する動作の概略を説明するためのフローチャートである。上記第１の実施形態において、有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記第１の実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。上記第１の実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。上記第１の実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。上記第１の実施形態において、出力部内の出力回路の概略構成を示すブロック図である。上記第１の実施形態において、画素回路および電流測定部の構成を示す回路図である。上記第１の実施形態において、各行の動作の推移について説明するための図である。上記第１の実施形態において、通常動作が行われる際の電流の流れについて説明するための図である。上記第１の実施形態において、モニタ行に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路）の動作を説明するためのタイミングチャートである。上記第１の実施形態において、ＴＦＴ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。上記第１の実施形態において、ＴＦＴ特性検出期間にモニタ線に与えられる電位について説明するための図である。上記第１の実施形態において、発光期間の電流の流れについて説明するための図である。上記第１の実施形態において、電流測定部内のスイッチのオン／オフ状態の変化について説明するための図である。上記第１の実施形態において、有機ＥＬ素子の発光時間の調整について説明するための図である。上記第１の実施形態において、補正データ記憶部内の補正データの更新の手順を説明するためのフローチャートである。上記第１の実施形態において、映像信号の補正について説明するための図である。上記第１の実施形態における効果について説明するための図である。上記第１の実施形態における効果について説明するための図である。中間調表示が行われるべき画素での有機ＥＬ素子の状態（点灯状態／消灯状態）の切り替えについて説明するための図である。上記第１の実施形態の第１の変形例における１フレーム期間について説明するための図である。上記第１の実施形態の第２の変形例におけるモニタ線の一端部近傍の構成を示す図である。上記第１の実施形態の第３の変形例におけるモニタ線の一端部近傍の構成を示す図である。上記第１の実施形態の第４の変形例における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。有機ＥＬ素子の電流－電圧特性の温度依存性について説明するための図である。上記第１の実施形態の第５の変形例における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記第１の実施形態の第５の変形例において、補正データ記憶部内の補正データの更新の手順を説明するためのフローチャートである。上記第１の実施形態の第６の変形例における１フレーム期間について説明するための図である。上記第１の実施形態の第６の変形例において、モニタ行に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路）の動作を説明するためのタイミングチャートである。上記第１の実施形態の第６の変形例において、補正データ記憶部内の補正データの更新の手順を説明するためのフローチャートである。上記第１の実施形態の第７の変形例における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記第１の実施形態の第７の変形例において、補正データ記憶部内の補正データの更新の手順を説明するためのフローチャートである。本発明の第２の実施形態において、モニタデータを取得するための構成について説明するための図である。上記第２の実施形態において、電圧測定部の一構成例を示す図である。上記第２の実施形態において、モニタ行に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路）の動作を説明するためのタイミングチャートである。上記第２の実施形態の変形例におけるモニタ線の一端部近傍の構成を示す図である。上記第２の実施形態の変形例におけるモニタ線の一端部近傍の構成を示す図である。従来の一般的な画素回路の構成を示す回路図である。図３８に示す画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子の劣化に対して何ら補償が行われない場合について説明するための図である。駆動トランジスタの劣化に対してのみ補償が行われた場合について説明するための図である。

　以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、以下においては、ｍおよびｎは２以上の整数、ｉは１以上ｎ以下の整数、ｊは１以上ｍ以下の整数であると仮定する。また、以下においては、画素回路内に設けられている駆動トランジスタの特性のことを「ＴＦＴ特性」といい、画素回路内に設けられている有機ＥＬ素子の特性のことを「ＯＬＥＤ特性」という。

　＜１．第１の実施形態＞
　＜１．１　全体構成＞
　図２は、本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置１は、表示部１０，コントロール回路２０，ソースドライバ（データ線駆動回路）３０，ゲートドライバ（走査線駆動回路）４０，および補正データ記憶部５０を備えている。本実施形態においては、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０によって画素回路駆動部が実現されている。なお、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０の一方または双方が表示部１０と一体的に形成された構成であっても良い。

　表示部１０には、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）およびこれらに直交するｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）が配設されている。以下では、データ線の延伸方向をＹ方向とし、走査線の延伸方向をＸ方向とする。Ｙ方向に沿った構成要素を「列」という場合があり、Ｘ方向に沿った構成要素を「行」という場合がある。また、表示部１０には、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）と１対１で対応するように、ｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）が配設されている。データ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）とモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）とは互いに平行になっている。さらに、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）と１対１で対応するように、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が配設されている。走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）とは互いに平行になっている。さらにまた、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）との交差点に対応するように、ｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられている。このようにｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられることによって、ｎ行×ｍ列の画素マトリクスが表示部１０に形成されている。また、表示部１０には、ハイレベル電源電圧を供給するハイレベル電源線と、ローレベル電源電圧を供給するローレベル電源線とが配設されている。

　なお、以下においては、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはデータ線を単に符号Ｓで表す。同様に、ｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはモニタ線を単に符号Ｍで表し、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）を互いに区別する必要がない場合には走査線を単に符号Ｇ１で表し、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）を互いに区別する必要がない場合にはモニタ制御線を単に符号Ｇ２で表す。

　コントロール回路２０は、ソースドライバ３０にデータ信号ＤＡおよびソース制御信号ＳＣＴＬを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ４０にゲート制御信号ＧＣＴＬを送信することによりゲートドライバ４０の動作を制御する。ソース制御信号ＳＣＴＬには、例えば、ソーススタートパルス，ソースクロック，ラッチストローブ信号が含まれている。ゲート制御信号ＧＣＴＬには、例えば、ゲートスタートパルスおよびゲートクロックが含まれている。また、コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯを受け取り、補正データ記憶部５０に格納されている補正データの更新を行う。なお、モニタデータＭＯとは、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を求めるために測定されたデータである。

　ゲートドライバ４０は、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）に接続されている。ゲートドライバ４０は、シフトレジスタおよび論理回路などによって構成されている。ところで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性に基づいて、外部から送られる映像信号（上記データ信号ＤＡの元となるデータ）に補正が施される。これに関し、各フレームにおいて、１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。すなわち、或るフレームに１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われると、次のフレームには２行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われ、さらに次のフレームには３行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。このようにして、ｎフレーム期間をかけて、ｎ行分のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。ここで、１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるフレームを（ｋ＋１）フレーム目と定義すると、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）は、（ｋ＋１）フレーム目には図３に示すように駆動され、（ｋ＋２）フレーム目には図４に示すように駆動され、（ｋ＋ｎ）フレーム目には図５に示すように駆動される。なお、図３～図５に関し、ハイレベルの状態がアクティブな状態である。また、走査線Ｇ１がアクティブな状態になっている期間のことを「選択期間」という。この選択期間は、画素回路１１内に設けられている有機ＥＬ素子を発光させる準備を行うための期間である。以下、任意のフレームに着目したときにＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われている行のことを「モニタ行」といい、モニタ行以外の行のことを「非モニタ行」という。図３～図５より把握されるように、モニタ行と非モニタ行とで選択期間の長さは同じになっている。また、各フレームにおいて、非モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態で維持される。モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２については、選択期間開始時点にアクティブな状態にされ、選択期間開始時点のほぼ１フレーム期間後までアクティブな状態で維持される。本実施形態においては、以上のようにｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が駆動されるよう、ゲートドライバ４０が構成されている。

　ソースドライバ３０は、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）およびｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）に接続されている。ソースドライバ３０は、駆動信号発生回路３１と、信号変換回路３２と、ｍ個の出力回路３３０からなる出力部３３とによって構成されている。出力部３３内のｍ個の出力回路３３０はそれぞれｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）のうちの対応するデータ線Ｓおよびｍ本のモニタ線Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）のうちの対応するモニタ線Ｍに接続されている。このように各出力回路３３０がデータ線Ｓとモニタ線Ｍとに接続されていることから、機能的にはこのソースドライバ３０をデータ線駆動部３０ａとモニタ線駆動部３０ｂとに分けることもできる（図１７参照）。

　駆動信号発生回路３１には、シフトレジスタ，サンプリング回路，およびラッチ回路が含まれている。駆動信号発生回路３１において、シフトレジスタは、ソースクロックに同期して、ソーススタートパルスを入力端から出力端へと順次に転送する。ソーススタートパルスのこの転送に応じて、シフトレジスタから各データ線Ｓに対応するサンプリングパルスが出力される。サンプリング回路は、サンプリングパルスのタイミングに従って１行分のデータ信号ＤＡを順次に記憶する。ラッチ回路は、サンプリング回路に記憶された１行分のデータ信号ＤＡをラッチストローブ信号に応じて取り込んで保持する。

　信号変換回路３２には、Ｄ／ＡコンバータおよびＡ／Ｄコンバータが含まれている。上述のようにして駆動信号発生回路３１内のラッチ回路に保持された１行分のデータ信号ＤＡは、信号変換回路３２内のＤ／Ａコンバータによってアナログ電圧に変換される。その変換されたアナログ電圧は、出力部３３内の出力回路３３０に与えられる。また、信号変換回路３２には、出力回路３３０からモニタデータＭＯが与えられる。そのモニタデータＭＯは、信号変換回路３２内のＡ／Ｄコンバータで、アナログ電圧からデジタル信号に変換される。そして、デジタル信号に変換されたモニタデータＭＯは、駆動信号発生回路３１を介してコントロール回路２０に与えられる。さらに、信号変換回路３２内のＤ／Ａコンバータでは、ソース制御信号ＳＣＴＬの１つであってモニタ線Ｍの電位を制御するための信号がアナログ電圧に変換され、当該アナログ電圧はモニタ線制御電圧Ｖｍとして出力部３３内の出力回路３３０に与えられる。

　図６は、出力部３３内の出力回路３３０の概略構成を示すブロック図である。図６に示すように、出力回路３３０には、映像信号出力部３３１と電流測定部３３２とが含まれている。映像信号出力部３３１にはボルテージフォロワ等のバッファが含まれており、信号変換回路３２から与えられるアナログ電圧Ｖｓはそのバッファを介してデータ電圧としてデータ線Ｓに印加される。電流測定部３３２は、信号変換回路３２から与えられるモニタ線制御電圧Ｖｍをモニタ線Ｍに供給する機能を有するとともに、モニタ線Ｍを流れる電流を測定する機能を有している。この電流測定部３３２で測定されたデータは、モニタデータＭＯとして信号変換回路３２に与えられる。なお、電流測定部３３２の詳しい構成については後述する（図７参照）。

　補正データ記憶部５０には、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂが含まれている。なお、これら４つのメモリは、物理的には１つのメモリであっても良いし、物理的に異なるメモリであっても良い。補正データ記憶部５０は、外部から送られる映像信号の補正に使用される補正データを記憶している。詳しくは、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａは、ＴＦＴ特性の検出結果に基づくオフセット値を補正データとして記憶する。ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂは、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づくオフセット値を補正データとして記憶する。ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａは、ＴＦＴ特性の検出結果に基づくゲイン値を補正データとして記憶する。ＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂは、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づく劣化補正係数を補正データとして記憶する。なお、典型的には、表示部１０内の画素の数に等しい数のオフセット値およびゲイン値が、ＴＦＴ特性の検出結果に基づく補正データとして、それぞれＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａおよびＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに記憶される。また、典型的には、表示部１０内の画素の数に等しい数のオフセット値および劣化補正係数が、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づく補正データとして、それぞれＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂおよびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに記憶される。但し、複数の画素毎に１つの値が各メモリに記憶されるようにしても良い。

　コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯに基づいて、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内の劣化補正係数を更新する。また、コントロール回路２０は、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内の劣化補正係数を読み出して、映像信号の補正を行う。その補正によって得られたデータが、データ信号ＤＡとしてソースドライバ３０に送られる。

　＜１．２　画素回路および電流測定部の構成＞
　＜１．２．１　画素回路＞
　図７は、画素回路１１および電流測定部３３２の構成を示す回路図である。なお、図７に示す画素回路１１は、ｉ行ｊ列の画素回路１１である。この画素回路１１は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ，３個のトランジスタＴ１～Ｔ３，および１個のコンデンサＣｓｔを備えている。トランジスタＴ１は画素を選択する入力トランジスタとして機能し、トランジスタＴ２は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電流の供給を制御する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴ３はＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するか否かを制御するモニタ制御トランジスタとして機能する。

　トランジスタＴ１は、データ線Ｓ（ｊ）とトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇ１（ｉ）にゲート端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、トランジスタＴ１のドレイン端子にゲート端子が接続され、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤにドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にソース端子が接続されている。トランジスタＴ３については、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にドレイン端子が接続され、モニタ線Ｍ（ｊ）にソース端子が接続されている。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のドレイン端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。

　ところで、図３８に示した構成においては、コンデンサＣｓｔは、トランジスタＴ２のゲート－ソース間に設けられていた。これに対して、本実施形態においては、コンデンサＣｓｔは、トランジスタＴ２のゲート－ドレイン間に設けられている。この理由は次のとおりである。本実施形態においては、１フレーム期間中に、トランジスタＴ３をオン状態にしたままモニタ線Ｍ（ｊ）の電位を変動させる制御が行われる。仮にトランジスタＴ２のゲート－ソース間にコンデンサＣｓｔが設けられていると、モニタ線Ｍ（ｊ）の電位の変動に応じてトランジスタＴ２のゲート電位も変動する。そうすると、トランジスタＴ２のオン／オフ状態が所望の状態とはならないことが生じ得る。そこで、本実施形態においては、モニタ線Ｍ（ｊ）の電位の変動に応じてトランジスタＴ２のゲート電位が変動することのないよう、図７に示すようにトランジスタＴ２のゲート－ドレイン間にコンデンサＣｓｔが設けられている。

　＜１．２．２　画素回路内のトランジスタについて＞
　本実施形態においては、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３はすべてｎチャネル型である。また、本実施形態においては、トランジスタＴ１～Ｔ３には、酸化物ＴＦＴ（酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ）が採用されている。

　以下、酸化物ＴＦＴに含まれる酸化物半導体層について説明する。酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体層である。酸化物半導体層は、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含む。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は、特に限定されない。例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２などでもよい。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて２０倍を超える移動度）と低いリーク電流（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて１００分の１未満のリーク電流）を有するので、画素回路内の駆動ＴＦＴ（上記トランジスタＴ２）およびスイッチングＴＦＴ（上記トランジスタＴ１）として好適に用いられる。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴを用いれば、表示装置の消費電力を大幅に削減することができる。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、アモルファスでもよく、結晶質部分を含み、結晶性を有していてもよい。結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体が好ましい。このようなＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の結晶構造は、例えば日本の特開２０１２－１３４４７５号公報に開示されている。

　酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体に代えて、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＺｎ－Ｏ系半導体（ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（ＩＺＯ（登録商標））、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体（ＺＴＯ）、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドニウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ―Ｓｎ―Ｚｎ―Ｏ系半導体（例えばＩｎ₂Ｏ₃－ＳｎＯ₂－ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

　＜１．２．３　電流測定部＞
　図７を参照しつつ、電流測定部３３２の詳細な構成について説明する。この電流測定部３３２には、オペアンプ３３２１とコンデンサ３３２２とスイッチ３３２３とが含まれている。オペアンプ３３２１については、反転入力端子はモニタ線Ｍ（ｊ）に接続され、非反転入力端子にはモニタ線制御電圧Ｖｍが与えられる。コンデンサ３３２２およびスイッチ３３２３は、オペアンプ３３２１の出力端子とモニタ線Ｍ（ｊ）との間に設けられている。以上のように、この電流測定部３３２は積分回路で構成されている。このような構成において、まず、制御クロック信号Ｓｃｌｋによってスイッチ３３２３がオン状態にされる。これにより、オペアンプ３３２１の出力端子－反転入力端子間が短絡状態となり、オペアンプ３３２１の出力端子およびモニタ線Ｍ（ｊ）の電位がモニタ線制御電圧Ｖｍの電位と等しくなる。電流の検出が行われる際には、制御クロック信号Ｓｃｌｋによってスイッチ３３２３がオフ状態にされる。これにより、コンデンサ３３２２の存在に起因して、モニタ線Ｍ（ｊ）に流れる電流の大きさに応じてオペアンプ３３２１の出力端子の電位が変化する。そのオペアンプ３３２１からの出力はモニタデータＭＯとして信号変換回路３２内のＡ／Ｄコンバータに送られる。

　＜１．３　駆動方法＞
　次に、本実施形態における駆動方法について説明する。上述したように、本実施形態においては、各フレームに１つの行のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。各フレームにおいて、モニタ行についてはＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出を行うための動作（以下、「特性検出動作」という。）が行われ、非モニタ行については通常動作が行われる。すなわち、１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるフレームを（ｋ＋１）フレーム目と定義すると、図８に示すように、各行の動作は推移する。また、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われると、その検出結果を用いて、補正データ記憶部５０内の補正データの更新が行われる。そして、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データを用いて映像信号の補正が行われる。

　＜１．３．１　画素回路の動作＞
　＜１．３．１．１　通常動作＞
　各フレームにおいて、非モニタ行では、通常動作が行われる。非モニタ行に含まれる画素回路１１では、目標輝度に対応するデータ電圧に基づく書き込みが選択期間に行われた後、トランジスタＴ１はオフ状態で維持される。データ電圧に基づく書き込みによってトランジスタＴ２はオン状態となる。トランジスタＴ３についてはオフ状態で維持される。以上より、図９で符号７１で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　＜１．３．１．２　特性検出動作＞
　各フレームにおいて、モニタ行では、特性検出動作が行われる。図１０は、モニタ行に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、図１０では、ｉ行目がモニタ行とされるフレームにおけるｉ行目の選択期間開始時点を基準にして「１フレーム期間」を表している。モニタ行については、図１０に示すように、１フレーム期間には、ＴＦＴ特性の検出を行うための期間（以下、「ＴＦＴ特性検出期間」という。）Ｔａと、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させるための期間（以下、「発光期間」という。）Ｔｃとが含まれている。ＴＦＴ特性検出期間Ｔａのうちの前半は選択期間Ｔｂとなっている。なお、選択期間Ｔｂの長さは、非モニタ行とモニタ行とで等しくなっている。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔａの前半（選択期間Ｔｂ）には、走査線Ｇ１（ｉ）およびモニタ制御線Ｇ２（ｉ）がアクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１およびトランジスタＴ３がオン状態となる。また、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には電位Ｖｍｇが与えられ、モニタ線Ｍ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。なお、後述する発光期間Ｔｃには、モニタ線Ｍ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。

　ここで、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されているオフセット値に基づいて求められるトランジスタＴ２の閾値電圧をＶｔｈ（Ｔ２）とすると、次式（１），（２）が成立するように、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ＴＦＴ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）＜Ｖｍｇ　　　・・・（１）
　Ｖｍｇ＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）　　・・・（２）
また、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されているオフセット値に基づいて求められる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光閾値電圧をＶｔｈ（ｏｌｅｄ）とすると、次式（３）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ＴＦＴ＜ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）　　　・・・（３）
さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの降伏電圧をＶｂｒ（ｏｌｅｄ）とすると、次式（４）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ＴＦＴ＞ＥＬＶＳＳ－Ｖｂｒ（ｏｌｅｄ）　　　・・・（４）

　以上のように、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａの前半（選択期間Ｔｂ）には、上式（１），（２）を満たす電位Ｖｍｇがデータ線Ｓ（ｊ）に与えられ、上式（１），（３），および（４）を満たす電位Ｖｍ＿ＴＦＴがモニタ線Ｍ（ｊ）に与えられる。上式（１）より、この期間には、トランジスタＴ２はオン状態となる。また、上式（３），（４）より、この期間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流は流れない。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔａの後半には、走査線Ｇ１（ｉ）が非アクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となるが、選択期間Ｔｂ中にコンデンサＣｓｔが充電されていることからトランジスタＴ２はオン状態で維持される。また、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態で維持されるので、トランジスタＴ３もオン状態で維持される。モニタ線Ｍ（ｊ）には、上式（１），（３），および（４）を満たす電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。

　以上より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、図１１で符号７２で示す矢印のように、トランジスタＴ２を流れる電流が、トランジスタＴ３を介してモニタ線Ｍ（ｊ）に出力される。これにより、モニタ線Ｍ（ｊ）に出力された電流（シンク電流）が、電流測定部３３２によって測定される。以上のようにして、トランジスタＴ２のゲート－ソース間の電圧を所定の大きさ（Ｖｍｇ－Ｖｍ＿ＴＦＴ）にした状態で当該トランジスタＴ２のドレイン－ソース間を流れる電流の大きさが測定され、ＴＦＴ特性が検出される。

　ところで、本実施形態においては、図１２に示すように、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには２種類の電位（第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１および第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２）がモニタ線Ｍ（ｊ）に印加される。これにより、第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１に基づくＴＦＴ特性と第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２に基づくＴＦＴ特性とが検出される。

　発光期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態で維持され、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態で維持される。このため、この期間には、トランジスタＴ１はオフ状態で維持され、トランジスタＴ３はオン状態で維持される。また、上述したように、この期間には、モニタ線Ｍ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。

　ここで、上式（２）および次式（５）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。
　ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ　　　・・・（５）
また、トランジスタＴ２の降伏電圧をＶｂｒ（Ｔ２）とすると、次式（６）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＜Ｖｍｇ＋Ｖｂｒ（Ｔ２）　　　・・・（６）

　以上のように、発光期間Ｔｃには、上式（２），（５），および（６）を満たす電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄがモニタ線Ｍ（ｊ）に与えられる。上式（２），（６）より、この期間には、トランジスタＴ２はオフ状態となる。また、上式（５）より、この期間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れる。

　以上より、発光期間Ｔｃには、図１３で符号７３で示す矢印のように、モニタ線Ｍ（ｊ）から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。この状態において、モニタ線Ｍ（ｊ）を流れる電流が電流測定部３３２によって測定される。以上のようにして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（陽極）－カソード（陰極）間の電圧を所定の大きさ（Ｖｍ＿ｏｌｅｄ－ＥＬＶＳＳ）にした状態で当該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流の大きさが測定され、ＯＬＥＤ特性が検出される。

　なお、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値については、上式（１）～（６）の他、採用されている電流測定部３３２の測定可能範囲なども考慮して決定される。

　ここで、図１４を参照しつつ、電流測定部３３２内のスイッチ３３２３のオン／オフ状態の変化について説明する。スイッチ３３２３がオフ状態からオン状態に切り替えられると、コンデンサ３３２２に蓄積された電荷が放電される。すなわち、図１４で符号Ｔｄ１で示す期間にコンデンサ３３２２の電荷がゼロになる。スイッチ３３２３がオン状態からオフ状態に切り替えられると、コンデンサ３３２２への充電が開始される。そして、電流測定部３３２内の回路が積分回路として動作する。スイッチ３３２３は、モニタ線Ｍに流れる電流を測定しようとする期間、オン状態で維持される。図１４に示す例では、符号Ｔｄ２で示す期間における電流の積算値を求めることができる。

　ところで、モニタ行に関し、発光期間Ｔｃには、一定電圧に基づいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が供給される。このため、本実施形態においては、所望の階調表示を行うために、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する時間の長さが調整される。具体的には、階調が高いほど発光時間を長くし、階調が低いほど発光時間を短くする。すなわち、図１５に示すように、階調が高いほど実際に点灯状態となっている期間Ｔｃ１を長くし、階調が低いほど消灯状態となっている期間Ｔｃ２を長くする。その際、ＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納されている劣化補正係数に基づいて、上記期間Ｔｃ１，Ｔｃ２の長さが調整される。以上のように、モニタ行でＯＬＥＤ特性の検出が行われる際には、時間制御によって有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの状態（点灯状態／消灯状態）の切り替えが行われる。なお、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを消灯状態にするためには、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに印加される電圧が発光閾値電圧Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）よりも小さくなるよう、モニタ線Ｍ（ｊ）の電位（モニタ線制御電圧Ｖｍ）を設定すれば良い。例えば、モニタ線Ｍ（ｊ）の電位をローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの電位と等しくすれば良い。以上のように、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値となるよう、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する時間の長さが調整される。換言すれば、目標輝度に応じて、一定電圧を有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに与える時間の長さが調整される。なお、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値になるのであれば、発光期間Ｔｃ中に電圧値を変化させて、複数の動作点での特性（電流－電圧特性）を測定するようにしても良い。

　なお、目標とする階調が黒色表示に相当する階調あるいはそれに近い階調のときにはＯＬＥＤ特性の検出を行わないようにすることが好ましい。すなわち、ｎ行×ｍ列の画素マトリクスのうち黒色またはほぼ黒色の表示が行われる画素についてはＯＬＥＤ特性の検出が行われないようにすることが好ましい。これにより、不必要な発光を防止することができる。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは非発光であれば劣化しないので、特性を検出する必要がない。

　また、複数フレームにわたって同じ行をモニタ行としても良い。このようにして１つの行で繰り返して特性検出の処理を行うことによって、Ｓ／Ｎ比が向上するという効果が得られる。

　＜１．３．２　補正データ記憶部内の補正データの更新＞
　次に、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データ（ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに記憶されているオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに記憶されているオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに記憶されているゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに記憶されている劣化補正係数）がどのように更新されるかについて説明する。図１６は、補正データ記憶部５０内の補正データの更新の手順を説明するためのフローチャートである。なお、ここでは１つの画素に対応する補正データに着目する。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔａになると、モニタ線Ｍに第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１が与えられた状態で、ＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ１１０）。このステップＳ１１０によって、映像信号を補正するためのオフセット値が求められる。そして、ステップＳ１１０で求められたオフセット値が、新たなオフセット値としてＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納される（ステップＳ１２０）。その後、モニタ線Ｍに第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２が与えられた状態で、ＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ１３０）。このステップＳ１３０によって、映像信号を補正するためのゲイン値が求められる。そして、ステップＳ１３０で求められたゲイン値が、新たなゲイン値としてＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに格納される（ステップＳ１４０）。その後、発光期間Ｔｃに、ＯＬＥＤ特性の検出が行われる（ステップＳ１５０）。このステップＳ１５０によって、映像信号を補正するためのオフセット値および劣化補正係数が求められる。そして、ステップＳ１５０で求められたオフセット値が、新たなオフセット値としてＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納される（ステップＳ１６０）。また、ステップＳ１５０で求められた劣化補正係数が、新たな劣化補正係数としてＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納される（ステップＳ１７０）。以上のようにして、１つの画素に対応する補正データの更新が行われる。本実施形態においては、各フレームに１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるので、１フレーム期間につき、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のｍ個のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のｍ個のゲイン値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のｍ個のオフセット値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内のｍ個の劣化補正係数の更新が行われる。

　なお、本実施形態においては、ステップＳ１１０，ステップＳ１３０，およびステップＳ１５０での検出結果に基づいて得られるデータ（オフセット値，ゲイン値，劣化補正係数）によって特性データが実現されている。

　ところで、上述したように、発光期間Ｔｃには、一定電圧に基づいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流の大きさの測定が行われる。その測定結果としての検出電流が小さいほど、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の程度は大きい。従って、検出電流が小さいほど、オフセット値が大きくかつ劣化補正係数が大きくなるようにＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂおよびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内のデータの更新が行われる。

　＜１．３．３　映像信号の補正＞
　本実施形態においては、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化を補償するために、補正データ記憶部５０に格納されている補正データを用いて、外部から送られる映像信号の補正が行われる。以下、映像信号のこの補正について図１７を参照しつつ説明する。

　図１７に示すように、コントロール回路２０には、映像信号を補正するための構成要素として、ＬＵＴ２１１，乗算部２１２，乗算部２１３，加算部２１４，加算部２１５，および乗算部２１６が設けられている。また、コントロール回路２０には、発光期間Ｔｃにモニタ線Ｍに与える電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄを補正するための構成要素として、乗算部２２１および加算部２２２が設けられている。コントロール回路２０内のＣＰＵ２３０は、上記各構成要素の動作の制御，補正データ記憶部５０内の各メモリ（ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ）に対するデータの更新／読み出し，不揮発性メモリ７０に対するデータの更新／読み出し，データ線駆動回路３０ａやモニタ線駆動回路３０ｂとの間のデータ授受などを行う。なお、本実施形態においては、ＬＵＴ２１１，乗算部２１２，乗算部２１３，加算部２１４，加算部２１５，および乗算部２１６によって映像信号補正部が実現されている。

　以上のような構成において、外部から送られる映像信号は、以下のように補正される。まず、ＬＵＴ２１１を用いて、外部から送られる映像信号にガンマ補正が施される。すなわち、映像信号が示す階調Ｐがガンマ補正によって制御電圧Ｖｃに変換される。乗算部２１２は、制御電圧ＶｃとＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａから読み出されたゲイン値Ｂ１とを受け取り、それらを乗じて得られる値“Ｖｃ・Ｂ１”を出力する。乗算部２１３は、乗算部２１２から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１”とＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂから読み出された劣化補正係数Ｂ２とを受け取り、それらを乗じて得られる値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２”を出力する。加算部２１４は、乗算部２１３から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２”とＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａから読み出されたオフセット値Ｖｔ１とを受け取り、それらを加算することによって得られる値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１”を出力する。加算部２１５は、加算部２１４から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１”とＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂから読み出されたオフセット値Ｖｔ２とを受け取り、それらを加算することによって得られる値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２”を出力する。乗算部２１６は、加算部２１５から出力された値“Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２”と画素回路１１内の寄生容量に起因するデータ電圧の減衰を補償するための係数Ｚとを受け取り、それらを乗じて得られる値“Ｚ（Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２）”を出力する。以上のようにして得られた値“Ｚ（Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２）”がデータ信号ＤＡとしてコントロール回路２０からソースドライバ３０内のデータ線駆動部３０ａに送られる。なお、加算部２１５から出力された値にデータ電圧の減衰を補償するための係数Ｚを乗ずる処理を行う乗算部２１６については、必ずしも設けられる必要はない。

　また、発光期間Ｔｃにモニタ線Ｍに与える電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが以下のように補正される。乗算部２２１は、ｐｒｅ＿Ｖｍ＿ｏｌｅｄ（補正前のＶｍ＿ｏｌｅｄ）とＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂから読み出された劣化補正係数Ｂ２とを受け取り、それらを乗じて得られる値“ｐｒｅ＿Ｖｍ＿ｏｌｅｄ・Ｂ２”を出力する。加算部２２２は、乗算部２２１から出力された値“ｐｒｅ＿Ｖｍ＿ｏｌｅｄ・Ｂ２”とＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂから読み出されたオフセット値Ｖｔ２とを受け取り、それらを加算することによって得られる値“ｐｒｅ＿Ｖｍ＿ｏｌｅｄ・Ｂ２＋Ｖｔ２”を出力する。以上のようにして得られた値“ｐｒｅ＿Ｖｍ＿ｏｌｅｄ・Ｂ２＋Ｖｔ２”が、発光期間Ｔｃ中のモニタ線Ｍの電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄを指示するデータとしてコントロール回路２０からソースドライバ３０内のモニタ線駆動部３０ｂに送られる。

　＜１．３．４　駆動方法のまとめ＞
　図１は、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出に関連する動作の概略を説明するためのフローチャートである。まず、モニタ行において、ＴＦＴ特性検出期間ＴａにＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ１０）。そして、ステップＳ１０での検出結果を用いて、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａおよびＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａの更新が行われる（ステップＳ２０）。次に、モニタ行において、発光期間ＴｃにＯＬＥＤ特性の検出が行われる（ステップＳ３０）。そして、ステップＳ３０での検出結果を用いて、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂおよびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂの更新が行われる（ステップＳ４０）。その後、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納されている補正データを用いて、外部から送られる映像信号の補正が行われる（ステップＳ５０）。

　なお、本実施形態においては、ステップＳ１０によって駆動トランジスタ特性検出ステップが実現され、ステップＳ３０によって電気光学素子特性検出ステップが実現され、ステップＳ２０およびステップＳ４０によって補正データ記憶ステップが実現され、ステップＳ５０によって映像信号補正ステップが実現されている。また、ステップＳ１０の処理によって駆動トランジスタ特性検出処理が実現され、ステップＳ３０の処理によって電気光学素子特性検出処理が実現されている。

　＜１．４　効果＞
　本実施形態によれば、各フレームにおいて１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。モニタ行に着目すると、１フレーム期間において、選択期間Ｔｂを含むＴＦＴ特性検出期間ＴａにＴＦＴ特性の検出が行われ、発光期間Ｔｃ中にＯＬＥＤ特性の検出が行われる。そして、ＴＦＴ特性の検出結果およびＯＬＥＤ特性の検出結果の双方を考慮して求められた補正データを用いて、外部から送られる映像信号が補正される。このようにして補正された映像信号（上記データ信号ＤＡ）に基づくデータ電圧がデータ線Ｓに印加されるので、各画素回路１１内の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる際に、駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）の劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が補償されるような大きさの駆動電流が有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに供給される（図１８参照）。また、図１９に示すように劣化の最も少ない画素の劣化レベルに合わせて電流を増加させることによって、焼き付きに対する補償を行うことが可能となる。ここで、ＯＬＥＤ特性の検出については、上述のように発光期間Ｔｃ中に行われる。従って、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するために発光期間の長さが従来よりも短くなることはない。

　また、本実施形態によれば、モニタ線Ｍの電位を変化させることによってトランジスタＴ２のオン／オフ状態の切り替えが行われている。このため、トランジスタＴ２のオン／オフ状態を切り替えるために当該トランジスタＴ２のゲート電位を変化させるための期間を、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａと発光期間Ｔｃとの間に設ける必要がない。また、選択期間Ｔｂの長さが、モニタ行と非モニタ行とで等しくなっている。以上より、ゲートドライバ４０の構成が複雑化することなく、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出を行うための期間の長さを充分に確保することが可能となる。これにより、特性検出の精度を高めることが可能となる。以上のように、有機ＥＬ表示装置において、駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性検出の時間を充分に確保して駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）の劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の双方を同時に充分に補償することが可能となる。

　さらに、本実施形態においては、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３に酸化物ＴＦＴ（具体的にはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴ）が採用されているので、充分なＳ／Ｎ比を確保できるという効果が得られる。これについて以下に説明する。なお、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴのことをここでは「Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴ」という。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴとＬＴＰＳ（Low Temperature Poly silicon）－ＴＦＴとを比較すると、ＬＴＰＳ－ＴＦＴよりもＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴの方がオフ電流が極めて小さい。例えば、画素回路１１内のトランジスタＴ３にＬＴＰＳ－ＴＦＴが採用されている場合には、オフ電流は最大１ｐＡ程度となる。これに対して、画素回路１１内のトランジスタＴ３にＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴが採用されている場合には、オフ電流は最大１０ｆＡ程度となる。従って、例えば１０００行分のオフ電流は、ＬＴＰＳ－ＴＦＴが採用されている場合には最大１ｎＡ程度となり、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴが採用されている場合には最大１０ｐＡ程度となる。検出電流については、いずれが採用されている場合にも１０～１００ｎＡ程度となる。ところで、モニタ線Ｍは、モニタ行の画素回路１１だけでなく非モニタ行の画素回路１１とも接続されている。従って、モニタ線ＭのＳ／Ｎ比は、非モニタ行のトランジスタＴ３の漏れ電流の合計に依存する。具体的には、モニタ線ＭのＳ／Ｎ比は「検出電流／（漏れ電流×非モニタ行の行数）」で表される。以上のことから、例えば、“Ｌａｎｄｓｃａｐｅ　ＦＨＤ”の表示部１０を有する有機ＥＬ表示装置においては、ＬＴＰＳ－ＴＦＴが採用されている場合にはＳ／Ｎ比は１０程度となるのに対し、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ－ＴＦＴが採用されている場合にはＳ／Ｎ比は１０００程度となる。このように、本実施形態においては、電流の検出を行う際に充分なＳ／Ｎ比を確保することができる。

　＜１．５　変形例＞
　以下、上記第１の実施形態の変形例について説明する。なお、以下においては、第１の実施形態と異なる点についてのみ詳しく説明し、第１の実施形態と同様の点については説明を省略する。

　＜１．５．１　第１の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、モニタ行でＯＬＥＤ特性の検出が行われる際、時間制御によって有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの状態（点灯状態／消灯状態）の切り替えが行われる。このため、中間調表示が行われるべき画素では、例えば図２０で符号８１で示す期間のように、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが消灯状態となる期間が生じる。そのように有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが消灯状態となる期間と同じ長さの期間だけＴＦＴ特性を検出する期間を長くしたのが本変形例である。なお、図２０では、本来のＴＦＴ特性検出期間Ｔａの長さを符号ＬＴ１で表し、発光期間Ｔｃ中に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが点灯状態となる期間の長さを符号ＬＴ２で表し、発光期間Ｔｃ中に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが消灯状態となる期間の長さを符号ＬＴ３で表している。

　図２１は、本変形例における１フレーム期間について説明するための図である。本変形例においては、モニタ行については、画素の階調に応じて発光期間の長さが決定され、１フレーム期間のうちの発光期間を除く期間がＴＦＴ特性検出期間とされる。本変形例におけるＴＦＴ特性検出期間の長さは、図２０におけるＴＦＴ特性検出期間の長さＬＴ１と図２０において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが消灯状態となっている期間の長さＬＴ３との和に等しい。

　以上のように、本変形例によれば、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが消灯状態となる期間をＴＦＴ特性を検出するための期間として用いることが可能となる。このため、ＴＦＴ特性検出期間に、より多くの回数、電流を測定することが可能となる。これにより、検出電流のＳ／Ｎ比が高められ、ＴＦＴ特性の検出の精度が向上する。

　＜１．５．２　第２の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、図７に示すように、モニタ線Ｍは常に電流測定部３３２に電気的に接続されていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、モニタ線Ｍをハイインピーダンスの状態にすることが可能な構成（本変形例の構成）を採用することもできる。

　図２２は、本変形例におけるモニタ線Ｍの一端部近傍の構成を示す図である。本変形例においては、図２２に示すように、モニタ線Ｍを電流測定部３３２に接続された状態とハイインピーダンスの状態との間で切り替えるための切り替え部３３３が設けられている。モニタ線Ｍは、切り替え部３３３に与えられる切替制御信号ＳＷによって、電流測定部３３２に接続された状態またはハイインピーダンスの状態のいずれかとされる。

　ところで、上記第１の実施形態においては、図１５に示したように、時間制御によって有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの状態（点灯状態／消灯状態）の切り替えが行われていた。その際、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを消灯状態にするためには、モニタ線Ｍの電位を例えばローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの電位と等しくする処理が行われていた。これに対して、本変形例によれば、モニタ線Ｍをハイインピーダンスの状態にして有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを消灯状態にすることが可能となる。

　＜１．５．３　第３の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、１つの列につき１つの電流測定部３３２が設けられていることを前提に説明していた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、１つの電流測定部３３２を複数の列で共有化する構成（本変形例の構成）を採用することもできる。

　本変形例においては、上記第２の変形例（図２２参照）と同様、モニタ線Ｍは、電流測定部３３２に接続された状態またはハイインピーダンスの状態のいずれかとされる。また、本変形例においては、モニタ線Ｍの一端部近傍は図２３に示す構成となっている。すなわち、Ｋ本のモニタ線Ｍ毎に１つの電流測定部３３２が設けられている。

　以上のような構成において、各フレームにおいて、上記Ｋ本のモニタ線Ｍに対応するＫ個の列のうちの１つの列のみがＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出を行う列（以下、「特性検出対象列」という。）とされる。モニタ行での特性検出動作の際、特性検出対象列以外の列のモニタ線Ｍは、ハイインピーダンスの状態で維持される。また、モニタ行での特性検出動作の際、特性検出対象列以外の列では、データ線Ｄには上述した電位Ｖｍｇではなく通常のデータ電圧（目標輝度に対応する電圧）が印加される。発光期間Ｔｃ中、モニタ行ではトランジスタＴ３はオン状態になっているが、特性検出対象列以外の列では、モニタ線Ｍはハイインピーダンスの状態となっている。このため、特性検出対象列以外の列では、モニタ線Ｍには電流が流れず、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れ、通常動作と同様に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。モニタ行のうちの特性検出対象列では、上述した特性検出動作が行われる。

　例えば、“Ｌａｎｄｓｃａｐｅ　ＦＨＤ”の表示部１０を有し駆動周波数が６０Ｈｚである有機ＥＬ表示装置では、１列分のモニタ（ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出）に要する時間は１８秒（＝１０８０／６０）となる。ここで、各画素に対応するオフセット値およびゲイン値が仮に３０分（１８００秒）毎に更新されるようにするには、１００本のモニタ線Ｍ毎に１つの電流測定部３３２を設ける構成にすれば良い。

　以上より、本変形例によれば、有機ＥＬ表示装置において、回路面積の増大を抑制しつつ、駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性検出の時間を充分に確保して駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）の劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の双方を同時に充分に補償することが可能となる。

　＜１．５．４　第４の変形例＞
　上記第１の実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置１の短時間運転が繰り返されると、表示部１０の上方の行と表示部１０の下方の行との間で、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出の回数に大きな差が生じる。そこで、本変形例に係る有機ＥＬ表示装置２においては、図２４に示すように、コントロール回路２０内にモニタ行を記憶するためのモニタ行記憶部２０１が設けられている。このような構成において、電源オフの際に、最後にＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われた行を特定する情報がモニタ行記憶部２０１に格納される。この処理によってモニタ領域記憶ステップが実現されている。電源オン後には、モニタ行記憶部２０１に格納されている情報に基づいて特定される行の次の行から、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。なお、本実施形態においては、モニタ行記憶部２０１によってモニタ領域記憶部が実現されている。

　以上より、本変形例によれば、表示部１０の上方の行と表示部１０の下方の行との間でＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出の回数に差が生じることが防止される。このため、駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化に対する補償を画面全体で一様に行うことが可能となり、輝度のばらつきの発生が効果的に防止される。

　なお、電源オン後に最初にＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる行は、モニタ行記憶部２０１に格納されている情報に基づいて特定される行の次の行には限定されず、モニタ行記憶部２０１に格納されている情報に基づいて特定される行の近傍の行であっても良い。例えば、電源オフ直前と電源オン直後とで特性検出動作が重複して行われる行が存在しても良い。

　また、最後にＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われた列を特定する情報を記憶するようにしても良いし、最後にＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われた行および列の双方を特定する情報を記憶するようにしても良い。

　＜１．５．５　第５の変形例＞
　図２５は、有機ＥＬ素子の電流－電圧特性の温度依存性について説明するための図である。図２５には、温度ＴＥ１における有機ＥＬ素子の電流－電圧特性，温度ＴＥ２における有機ＥＬ素子の電流－電圧特性，および温度ＴＥ３における有機ＥＬ素子の電流－電圧特性を示している。なお、“ＴＥ１＞ＴＥ２＞ＴＥ３”である。図２５から把握されるように、有機ＥＬ素子に所定の電流を供給するためには、温度が低くなるほど電圧を高くする必要がある。このように、有機ＥＬ素子の電流－電圧特性は、温度に大きく依存している。そこで、温度変化を補償することのできる構成（本変形例の構成）を採用することが好ましい。

　図２６は、本変形例における有機ＥＬ表示装置３の全体構成を示すブロック図である。本変形例においては、上記第１の実施形態における構成要素に加えて、温度センサ６０が設けられている。また、コントロール回路２０には、温度変化補償部２０２が設けられている。温度センサ６０は、随時、温度を測定した結果である温度情報ＴＥをコントロール回路２０に与える。温度変化補償部２０２は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯに対して、温度情報ＴＥに基づく補正を施す。詳しくは、温度変化補償部２０２は、検出時の温度に対応するモニタデータＭＯの値を或る標準温度に対応する値に変換し、その変換で得られた値に基づいてＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のオフセット値およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内の劣化補正係数を更新する。

　なお、温度センサ６０の処理によって温度検出ステップが実現され、温度変化補償部２０２の処理によって温度変化補償ステップが実現されている。

　図２７は、本変形例における補正データ記憶部５０内の補正データ（ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに記憶されているオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに記憶されているオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに記憶されているゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに記憶されている劣化補正係数）の更新の手順を説明するためのフローチャートである。なお、本変形例（図２７）におけるステップＳ２１０～ステップＳ２５０の処理は上記第１の実施形態（図１６）におけるステップＳ１１０～ステップＳ１５０の処理と同じであり、本変形例（図２７）におけるステップＳ２６０～ステップＳ２７０の処理は上記第１の実施形態（図１６）におけるステップＳ１６０～ステップＳ１７０の処理と同じである。本変形例においては、ＯＬＥＤ特性の検出が行われた後、オフセット値および劣化補正係数の更新が行われる前に、温度センサ６０によって与えられた温度情報ＴＥに基づいて、オフセット値および劣化補正係数に補正が施される（ステップＳ２５５）。

　以上より、本変形例によれば、外部から送られる映像信号は、温度変化を考慮した補正データによって補正される。このため、有機ＥＬ表示装置において、温度の変化に関わらず駆動トランジスタの劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の双方を同時に補償することが可能となる。

　＜１．５．６　第６の変形例＞
　＜１．５．６．１　概要＞
　上記第１の実施形態においては、各フレームにおいて、ＴＦＴ特性の検出が行われた後にＯＬＥＤ特性の検出が行われていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、ＯＬＥＤ特性の検出が行われた後にＴＦＴ特性の検出が行われる構成（本変形例の構成）を採用することもできる。

　図２８は、本変形例における１フレーム期間について説明するための図である。モニタ行に着目すると、１フレーム期間は発光期間ＴｃとＴＦＴ特性検出期間Ｔａとからなり、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａよりも発光期間Ｔｃの方が先行している。発光期間Ｔｃの最初に選択期間Ｔｂがある。図２８から把握されるように、選択期間Ｔｂの長さは、非モニタ行とモニタ行とで等しくなっている。発光期間Ｔｃは、実際に有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが点灯状態となる期間Ｔｃ１と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが消灯状態となる期間Ｔｃ２とからなる。このように、本変形例においても、所望の階調表示を行うために、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する時間の長さが調整される。

　＜１．５．６．２　モニタ行における特性検出動作＞
　次に、図２９を参照しつつ、本変形例における特性検出動作について説明する。図２９は、本変形例において、モニタ行に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、図２９では、ｉ行目がモニタ行とされるフレームにおけるｉ行目の選択期間開始時点を基準にして「１フレーム期間」を表している。

　発光期間Ｔｃのうちの最初の１水平走査期間（選択期間Ｔｂ）には、走査線Ｇ１（ｉ）およびモニタ制御線Ｇ２（ｉ）がアクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１およびトランジスタＴ３がオン状態となる。また、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には電位Ｖｍｇが与えられ、モニタ線Ｍ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。なお、後述するＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、モニタ線Ｍ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。

　ここで、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されているオフセット値に基づいて求められるトランジスタＴ２の閾値電圧をＶｔｈ（Ｔ２）とすると、上式（１），（２）が成立するように、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。また、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されているオフセット値に基づいて求められる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光閾値電圧をＶｔｈ（ｏｌｅｄ）とすると、上式（５）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。さらに、トランジスタＴ２の降伏電圧をＶｂｒ（Ｔ２）とすると、上式（６）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。

　以上のように、発光期間Ｔｃのうちの最初の１水平走査期間（選択期間Ｔｂ）には、上式（１），（２）を満たす電位Ｖｍｇがデータ線Ｓ（ｊ）に与えられ、上式（２），（５），および（６）を満たす電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄがモニタ線Ｍ（ｊ）に与えられる。上式（２），（６）より、この期間には、トランジスタＴ２はオフ状態となる。また、上式（５）より、この期間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れる。

　発光期間Ｔｃのうちの選択期間Ｔｂ以外の期間には、走査線Ｇ１（ｉ）が非アクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となるが、選択期間Ｔｂ中にコンデンサＣｓｔが充電されていることからトランジスタＴ２はオン状態で維持される。また、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態で維持されるので、トランジスタＴ３もオン状態で維持される。モニタ線Ｍ（ｊ）には、上式（２），（５），および（６）を満たす電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態で維持され、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態で維持される。このため、この期間には、トランジスタＴ１はオフ状態で維持され、トランジスタＴ３はオン状態で維持される。また、上述したように、この期間には、モニタ線Ｍ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。

　ここで、上式（１），（３）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの降伏電圧をＶｂｒ（ｏｌｅｄ）とすると、上式（４）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。

　以上のように、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、上式（１），（３），および（４）を満たす電位Ｖｍ＿ＴＦＴがモニタ線Ｍ（ｊ）に与えられる。上式（１）より、この期間には、トランジスタＴ２はオン状態となる。また、上式（３），（４）より、この期間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流は流れない。

　以上より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、図１１で符号７２で示す矢印のように、トランジスタＴ２を流れる電流が、トランジスタＴ３を介してモニタ線Ｍ（ｊ）に出力される。これにより、モニタ線Ｍ（ｊ）に出力された電流（シンク電流）が、電流測定部３３２によって測定される。以上のようにして、ＴＦＴ特性が検出される。

　なお、上記第１の実施形態と同様、本変形例においても、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには２種類の電位（第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１および第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２）がモニタ線Ｍ（ｊ）に印加される。これにより、第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１に基づくＴＦＴ特性と第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２に基づくＴＦＴ特性とが検出される。

　ところで、本変形例においては、発光期間ＴｃからＴＦＴ特性検出期間Ｔａに移る時に、モニタ線Ｍの電位がＶｍ＿ｏｌｅｄからＶｍ＿ＴＦＴに変化する。また、上記第１の実施形態においては、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａから発光期間Ｔｃに移るときに、モニタ線Ｍの電位がＶｍ＿ｏｌｅｄからＶｍ＿ＴＦＴに変化する。この点に関し、トランジスタＴ２のゲート－ソース間の寄生容量の存在等を考慮すると、モニタ線Ｍの電位が変化した時にはトランジスタＴ２のゲート電位も変化する。トランジスタＴ２のゲート電位のこのような変化による影響は、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａが先行している場合（上記第１の実施形態）よりも発光期間Ｔｃが先行している場合（本変形例）の方が大きい。この理由は次のとおりである。選択期間Ｔｂ中には、トランジスタＴ２のゲート電位は上式（１）を満たす電位Ｖｍｇとなる。しかしながら、発光期間Ｔｃが先行している場合には、発光期間ＴｃからＴＦＴ特性検出期間Ｔａに移る時、モニタ線Ｍの電位低下に伴ってトランジスタＴ２のゲート電位が低下する。このため、トランジスタＴ２のゲート電位の低下の程度によっては、ＴＦＴ特性検出期間ＴａにトランジスタＴ２がオフ状態となってしまう。以上より、本変形例のように発光期間Ｔｃが先行しているよりも上記第１の実施形態のようにＴＦＴ特性検出期間Ｔａが先行している方が好ましい。

　＜１．５．６．３　補正データ記憶部内の補正データの更新＞
　次に、本変形例における補正データの更新について説明する。図３０は、本変形例における補正データ記憶部５０内の補正データ（ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに記憶されているオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに記憶されているオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに記憶されているゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに記憶されている劣化補正係数）の更新の手順を説明するためのフローチャートである。

　発光期間Ｔｃになると、ＯＬＥＤ特性の検出が行われる（ステップＳ３１０）。このステップＳ３１０によって、映像信号を補正するためのオフセット値および劣化補正係数が求められる。そして、ステップＳ３１０で求められたオフセット値が、新たなオフセット値としてＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納される（ステップＳ３２０）。また、ステップＳ３１０で求められた劣化補正係数が、新たな劣化補正係数としてＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納される（ステップＳ３３０）。その後、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａになると、モニタ線Ｍに第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１が与えられた状態で、ＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ３４０）。このステップＳ３４０によって、映像信号を補正するためのオフセット値が求められる。そして、ステップＳ３４０で求められたオフセット値が、新たなオフセット値としてＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納される（ステップＳ３５０）。その後、モニタ線Ｍに第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２が与えられた状態で、ＴＦＴ特性の検出が行われる（ステップＳ３６０）。このステップＳ３６０によって、映像信号を補正するためのゲイン値が求められる。そして、ステップＳ３６０で求められたゲイン値が、新たなゲイン値としてＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに格納される（ステップＳ３７０）。以上のようにして、１つの画素に対応する補正データの更新が行われる。

　なお、本変形例においては、ステップＳ３１０，ステップＳ３４０，およびステップＳ３６０での検出結果に基づいて得られるデータ（オフセット値，ゲイン値，劣化補正係数）によって特性データが実現されている。

　＜１．５．７　第７の変形例＞
　上記第１の実施形態においては、各フレームにＴＦＴ特性の検出とＯＬＥＤ特性の検出とが行われているが、本発明はこれに限定されない。各フレームにＴＦＴ特性の検出のみが行われる構成（本変形例の構成）を採用することもできる。

　図３１は、本変形例における有機ＥＬ表示装置４の全体構成を示すブロック図である。本変形例においては、補正データ記憶部５０には、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａとＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａとが含まれている。すなわち、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂおよびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂは補正データ記憶部５０には含まれていない。

　本変形例においては、画素回路１１は上記第１の実施形態と同様に駆動される。従って、モニタ行に関し、発光期間Ｔｃには、一定電圧に基づいて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が供給される。そして、所望の階調表示が行われるよう、時間制御によって有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの状態（点灯状態／消灯状態）の切り替えが行われる。但し、本変形例においては、発光期間Ｔｃ中に電流測定部３３２によってモニタ線Ｍ（ｊ）を流れる電流の測定が行われることはない。

　次に、本変形例における補正データの更新について説明する。図３２は、本変形例における補正データ記憶部５０内の補正データ（ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに記憶されているオフセット値およびＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに記憶されているゲイン値）の更新の手順を説明するためのフローチャートである。本変形例（図３２）におけるステップＳ４１０～ステップＳ４４０の処理は上記第１の実施形態（図１６）におけるステップＳ１１０～ステップＳ１４０の処理と同じである。図３２から把握されるように、本変形例においては、ＯＬＥＤ特性の検出は行われないので、ステップＳ４４０が終了することによって、補正データを更新する処理は終了する。

　本変形例によれば、有機ＥＬ表示装置４において、駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）の特性検出の時間を充分に確保して駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）の劣化を充分に補償することが可能となる。

　＜２．第２の実施形態＞
　＜２．１　構成など＞
　本発明の第２の実施形態について説明する。上記第１の実施形態においては、モニタ線Ｍに或る一定電圧を供給した状態で当該モニタ線Ｍに流れる電流を測定することによって、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出されていた。これに対して、本実施形態においては、ＴＦＴ特性の検出については、モニタ線Ｍに或る一定電圧を供給した状態で当該モニタ線Ｍに流れる電流を測定することによって行われるが、ＯＬＥＤ特性の検出については、モニタ線Ｍに或る一定電流を供給した状態で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極の電圧を測定することによって行われる。

　全体構成については上記第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する（図２を参照）。本実施形態においては、モニタデータＭＯを取得するための構成要素として、電流測定部３３２に加えて、電圧測定部３３４が設けられている。なお、電流測定部３３２の構成については、上記第１の実施形態における構成（図７を参照）と同様である。また、本実施形態においては、図３３に示すように、モニタ線Ｍ（ｊ）を電流測定部３３２に接続された状態と電圧測定部３３４に接続された状態との間で切り替えるための切り替え部３３５が設けられている。そして、コントロール回路２０から切り替え部３３５に与えられる切替制御信号ＳＷに基づいて電流測定部３３２または電圧測定部３３４のいずれかにモニタ線Ｍ（ｊ）が接続されるように構成されている。

　図３４は、電圧測定部３３４の一構成例を示す図である。図３４に示すように、この電圧測定部３３４には、増幅器３３４１と定電流源３３４２とが含まれている。このような構成において、定電流源３３４２によって一定電流がモニタ線Ｍに供給されている状態で、節点３３４３とローレベル電源線ＥＬＶＳＳとの間の電圧が増幅器３３４１によって増幅される。そして、増幅後の電圧がモニタデータＭＯとして信号変換回路３２内のＡ／Ｄコンバータに送られる。

　＜２．２　モニタ行における特性検出動作＞
　次に、図３５を参照しつつ、本実施形態における特性検出動作について説明する。図３５は、モニタ行に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、図３５では、ｉ行目がモニタ行とされるフレームにおけるｉ行目の選択期間開始時点を基準にして「１フレーム期間」を表している。各フレーム期間において、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａにはモニタ線Ｍ（ｊ）は電流測定部３３２に接続され、発光期間ＴＣにはモニタ線Ｍ（ｊ）は電圧測定部３３４に接続される。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔａの前半（選択期間Ｔｂ）には、走査線Ｇ１（ｉ）およびモニタ制御線Ｇ２（ｉ）がアクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１およびトランジスタＴ３がオン状態となる。また、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には電位Ｖｍｇが与えられ、モニタ線Ｍ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。なお、後述する発光期間Ｔｃには、モニタ線Ｍ（ｊ）には一定電流Ｉｏｌｅｄが与えられる。

　ここで、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されているオフセット値に基づいて求められるトランジスタＴ２の閾値電圧をＶｔｈ（Ｔ２）とし、モニタ線Ｍ（ｊ）に一定電流Ｉｏｌｅｄが与えられたときのモニタ線Ｍ（ｊ）の電位をＶｍ＿ｏｌｅｄ（Ｉｏｌｅｄ）とすると、上式（１）および次式（７）が成立するように、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電流Ｉｏｌｅｄの値が設定されている。
　Ｖｍｇ＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ（Ｉｏｌｅｄ）＋Ｖｔｈ（Ｔ２）　　・・・（７）
また、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されているオフセット値に基づいて求められる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光閾値電圧をＶｔｈ（ｏｌｅｄ）とすると、上式（３）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの降伏電圧をＶｂｒ（ｏｌｅｄ）とすると、上式（４）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。

　以上のように、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａの前半（選択期間Ｔｂ）には、上式（１），（７）を満たす電位Ｖｍｇがデータ線Ｓ（ｊ）に与えられ、上式（１），（３），および（４）を満たす電位Ｖｍ＿ＴＦＴがモニタ線Ｍ（ｊ）に与えられる。上式（１）より、この期間には、トランジスタＴ２はオン状態となる。また、上式（３），（４）より、この期間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流は流れない。

　以上より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、トランジスタＴ２を流れる電流が、トランジスタＴ３を介してモニタ線Ｍ（ｊ）に出力される。ここで、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには、モニタ線Ｍ（ｊ）は電流測定部３３２に接続されている。これにより、モニタ線Ｍ（ｊ）に出力された電流（シンク電流）が、電流測定部３３２によって測定される。以上のようにして、ＴＦＴ特性が検出される。

　なお、上記第１の実施形態と同様、本実施形態においても、ＴＦＴ特性検出期間Ｔａには２種類の電位（第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１および第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２）がモニタ線Ｍ（ｊ）に印加される。これにより、第１参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１に基づくＴＦＴ特性と第２参照電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２に基づくＴＦＴ特性とが検出される。

　発光期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態で維持され、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態で維持される。このため、この期間には、トランジスタＴ１はオフ状態で維持され、トランジスタＴ３はオン状態で維持される。また、上述したように、この期間には、モニタ線Ｍ（ｊ）には一定電流Ｉｏｌｅｄが与えられる。

　ここで、上式（７）および次式（８）が成立するように一定電流Ｉｏｌｅｄの値が設定されている。
　ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ（Ｉｏｌｅｄ）　　　・・・（８）
また、トランジスタＴ２の降伏電圧をＶｂｒ（Ｔ２）とすると、次式（９）が成立するように一定電流Ｉｏｌｅｄの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ｏｌｅｄ（Ｉｏｌｅｄ）＜Ｖｍｇ＋Ｖｂｒ（Ｔ２）　　　・・・（９）

　以上のように、発光期間Ｔｃには、上式（７），（８），および（９）を満たすような一定電流Ｉｏｌｅｄがモニタ線Ｍ（ｊ）に与えられる。上式（７），（９）より、この期間には、トランジスタＴ２はオフ状態となる。また、上式（８）より、この期間には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れる。

　以上より、発光期間Ｔｃには、モニタ線Ｍ（ｊ）から有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに一定電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。ここで、発光期間Ｔｃには、モニタ線Ｍ（ｊ）は電圧測定部３３４に接続されている。この状態において、電圧測定部３３４によって、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの陽極の電圧が測定される。以上のようにして、ＯＬＥＤ特性が検出される。

　ところで、本実施形態においても、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値となるよう、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する時間の長さが調整される。換言すれば、目標輝度に応じて、一定電流Ｉｏｌｅｄを有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに与える時間の長さが調整される。なお、１フレーム期間での発光電流の積分値が所望の階調に相当する値になるのであれば、発光期間Ｔｃ中に電流値を変化させて、複数の動作点での特性（電流－電圧特性）を測定するようにしても良い。

　なお、補正データ記憶部５０内の補正データの更新および映像信号の補正については、上記第１の実施形態と同様であるので、説明を省略する。

　＜２．３　効果＞
　上記第１の実施形態と同様、本実施形態においても、有機ＥＬ表示装置において、駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性検出の時間を充分に確保して駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）の劣化および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化の双方を同時に充分に補償することが可能となる。

　＜２．４　変形例＞
　上記第１の実施形態の第２の変形例と同様、モニタ線Ｍをハイインピーダンスの状態にすることが可能な構成を採用することもできる。すなわち、図３６に示すように、モニタ線Ｍを電流測定部３３２に接続された状態と電圧測定部３３４に接続された状態とハイインピーダンスの状態との間で切り替えるための切り替え部３３６が設けられた構成を採用しても良い。

　また、モニタ線Ｍの一端部近傍を図３７に示すような構成にして、１つの電流測定部３３２および１つの電圧測定部３３４を複数の列で共有化するようにしても良い（上記第１の実施形態の第３の変形例を参照）。

　＜３．その他＞
　本発明を適用可能な有機ＥＬ表示装置は、各実施形態および各変形例で例示した画素回路１１を備えるものに限定されるものではない。画素回路は、少なくとも、電流によって制御される電気光学素子（有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ），トランジスタＴ１～Ｔ３，およびコンデンサＣｓｔを備えていれば、各実施形態および各変形例で例示した構成以外の構成であっても良い。

１～４…有機ＥＬ表示装置
１０…表示部
１１…画素回路
２０…コントロール回路
３０…ソースドライバ
３１…駆動信号発生回路
３２…信号変換回路
３３…出力部
４０…ゲートドライバ
５０…補正データ記憶部
５１ａ…ＴＦＴ用オフセットメモリ
５１ｂ…ＯＬＥＤ用オフセットメモリ
５２ａ…ＴＦＴ用ゲインメモリ
５２ｂ…ＯＬＥＤ用ゲインメモリ
６０…温度センサ
２０１…モニタ行記憶部
２０２…温度変化補償部
３３０…出力回路
３３１…映像信号出力部
３３２…電流測定部
３３４…電圧測定部
Ｔ１～Ｔ３…トランジスタ
Ｃｓｔ…コンデンサ
Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）…走査線
Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）…モニタ制御線
Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）…データ線
Ｍ（１）～Ｍ（ｍ）…モニタ線
ＥＬＶＤＤ…ハイレベル電源電圧，ハイレベル電源線
ＥＬＶＳＳ…ローレベル電源電圧，ローレベル電源線
Ｔａ…ＴＦＴ特性検出期間
Ｔｂ…選択期間
Ｔｃ…発光期間

Claims

　電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置の駆動方法であって、
　前記駆動トランジスタの特性を検出する駆動トランジスタ特性検出ステップと、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでの検出結果に基づいて得られる特性データを、映像信号を補正するための補正データとして、予め用意された補正データ記憶部に記憶させる補正データ記憶ステップと、
　前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて前記映像信号を補正して、前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給すべきデータ信号を生成する映像信号補正ステップと
を含み、
　前記表示装置には、前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続可能なモニタ線が、前記画素マトリクスの列毎に設けられ、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が、１フレーム期間につき前記画素マトリクスの１つの行のみで行われ、
　各フレーム期間において前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われる行をモニタ行と定義し、前記モニタ行以外の行を非モニタ行と定義したとき、前記モニタ行についての１フレーム期間は、前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われる駆動トランジスタ特性検出期間と、前記電気光学素子を発光させることが可能な発光期間とを含み、
　前記モニタ行では、前記駆動トランジスタ特性検出期間および前記発光期間を通じて、前記モニタ線が前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続され、
　前記駆動トランジスタ特性検出期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記駆動トランジスタのみに電流が流れるよう、かつ、前記発光期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記電気光学素子のみに電流が流れるよう、前記駆動トランジスタ特性検出期間と前記発光期間とで前記モニタ線に異なる電位が与えられることを特徴とする、駆動方法。
　前記電気光学素子の特性を検出する電気光学素子特性検出ステップを更に含み、
　前記電気光学素子特性検出ステップの処理は、前記発光期間に行われ、
　前記補正データ記憶ステップでは、更に、前記電気光学素子特性検出ステップでの検出結果に基づいて得られる特性データが前記補正データとして前記補正データ記憶部に記憶されることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電圧が与えられた状態で前記電気光学素子に流れる電流を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする、請求項２に記載の駆動方法。
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、目標輝度に応じて、前記一定の電圧を前記電気光学素子に与える時間の長さが調整されることを特徴とする、請求項３に記載の駆動方法。
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、１フレーム期間での発光電流の積分値が目標階調に相当する値となる範囲内で複数レベルの前記一定の電圧が前記電気光学素子に与えられることによって、前記電気光学素子の特性として複数の特性が検出されることを特徴とする、請求項４に記載の駆動方法。
　前記表示装置は、前記モニタ線の電流を測定するための電流測定部を有し、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出され、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする、請求項３に記載の駆動方法。
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電気光学素子に一定の電流が与えられた状態で前記電気光学素子の陽極の電圧を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする、請求項２に記載の駆動方法。
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、目標輝度に応じて、前記一定の電流を前記電気光学素子に与える時間の長さが調整されることを特徴とする、請求項７に記載の駆動方法。
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、１フレーム期間での発光電流の積分値が目標階調に相当する値となる範囲内で複数レベルの前記一定の電流が前記電気光学素子に与えられることによって、前記電気光学素子の特性として複数の特性が検出されることを特徴とする、請求項８に記載の駆動方法。
　前記表示装置は、
　　前記モニタ線の電流を測定するための電流測定部と、
　　前記モニタ線の電圧を測定するための電圧測定部と
を有し、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出され、
　前記電気光学素子特性検出ステップでは、前記電圧測定部が前記モニタ線の電圧を測定することによって、前記電気光学素子の特性が検出されることを特徴とする、請求項７に記載の駆動方法。
　前記ｎ行×ｍ列の画素マトリクスのうち黒色またはほぼ黒色の表示が行われる画素については、前記電気光学素子特性検出ステップの処理が行われないことを特徴とする、請求項２に記載の駆動方法。
　温度を検出する温度検出ステップと、
　前記特性データに対して前記温度検出ステップで検出された温度に基づく補正を施す温度変化補償ステップと
を更に含み、
　前記補正データ記憶ステップでは、前記温度変化補償ステップの処理で得られたデータが前記補正データとして前記補正データ記憶部に記憶されることを特徴とする、請求項２に記載の駆動方法。
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記駆動トランジスタのゲート－ソース間の電圧を所定の大きさにした状態で前記駆動トランジスタのドレイン－ソース間を流れる電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出されることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記駆動トランジスタのゲートに複数レベルの電位が与えられることによって、前記駆動トランジスタの特性として複数の特性が検出されることを特徴とする、請求項１３に記載の駆動方法。
　前記表示装置は、前記モニタ線の電流を測定するための電流測定部を有し、
　前記駆動トランジスタ特性検出ステップでは、前記電流測定部が前記モニタ線の電流を測定することによって、前記駆動トランジスタの特性が検出されることを特徴とする、請求項１３に記載の駆動方法。
　前記電流測定部は、Ｋ本のモニタ線（Ｋは２以上ｍ以下の整数）につき１つだけ設けられ、
　各フレーム期間において、
　　前記Ｋ本のモニタ線のうちの１つが前記電流測定部と電気的に接続され、
　　前記電流測定部と電気的に接続されていないモニタ線は、ハイインピーダンスの状態にされていることを特徴とする、請求項１５に記載の駆動方法。
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記駆動トランジスタ特性検出期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ＴＦＴとし、前記発光期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ｏｌｅｄとしたとき、Ｖｍｇの値は以下の式を満たすように定められていることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法：
Ｖｍｇ＞Ｖｍ＿ＴＦＴ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍｇ＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前駆駆動トランジスタの閾値電圧である。
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記駆動トランジスタ特性検出期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ＴＦＴとしたとき、Ｖｍ＿ＴＦＴの値は以下の式を満たすように定められていることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法：
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前記駆動トランジスタの閾値電圧であって、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）は前記電気光学素子の発光閾値電圧であって、ＥＬＶＳＳは前記電気光学素子の陰極の電位である。
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記発光期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ｏｌｅｄとしたとき、Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値は以下の式を満たすように定められていることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法：
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前記駆動トランジスタの閾値電圧であって、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）は前記電気光学素子の発光閾値電圧であって、ＥＬＶＳＳは前記電気光学素子の陰極の電位である。
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　　前記モニタ行において前記選択期間に前記駆動トランジスタのゲートに与える電位をＶｍｇとし、前記駆動トランジスタ特性検出期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ＴＦＴとし、前記発光期間に前記モニタ線に与える電位をＶｍ＿ｏｌｅｄとしたとき、以下の関係を満たすようにＶｍｇ，Ｖｍ＿ＴＦＴ，およびＶｍ＿ｏｌｅｄの値が定められていることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法：
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ＴＦＴ＜ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞Ｖｍｇ－Ｖｔｈ（Ｔ２）
Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＞ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）
ここで、Ｖｔｈ（Ｔ２）は前記駆動トランジスタの閾値電圧であって、Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）は前記電気光学素子の発光閾値電圧であって、ＥＬＶＳＳは前記電気光学素子の陰極の電位である。
　目標輝度に応じて、前記駆動トランジスタ特性検出期間の長さと前記発光期間の長さとが調整されることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
　各フレーム期間において、前記発光期間よりも前記駆動トランジスタ特性検出期間の方が先行していることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
　前記モニタ行において１フレーム期間の最初に所定電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間であって、かつ、前記非モニタ行において１フレーム期間の最初に目標輝度に応じた電位を前記駆動トランジスタのゲートに与えるための期間である選択期間が、各フレーム期間に設けられ、
　前記選択期間の長さが前記モニタ行と前記非モニタ行とで等しいことを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
　前記表示装置の電源オフの際に、最後に前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われた領域を特定する情報を予め用意されたモニタ領域記憶部に記憶するモニタ領域記憶ステップを更に含み、
　前記表示装置の電源オン後には、前記モニタ領域記憶部に記憶されている情報に基づいて得られる領域近傍の領域から、前記駆動トランジスタ特性検出ステップの処理が行われることを特徴とする、請求項１に記載の駆動方法。
　電流によって輝度が制御される電気光学素子および前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路からなるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置であって、
　前記駆動トランジスタの特性を検出する駆動トランジスタ特性検出処理を行いつつ前記ｎ×ｍ個の画素回路を駆動する画素回路駆動部と、
　前記駆動トランジスタ特性検出処理での検出結果に基づいて得られる特性データを、映像信号を補正するための補正データとして記憶する補正データ記憶部と、
　前記補正データ記憶部に記憶されている補正データに基づいて前記映像信号を補正して、前記ｎ×ｍ個の画素回路に供給すべきデータ信号を生成する映像信号補正部と、
　前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続可能に構成され、前記画素マトリクスの列毎に設けられたモニタ線と
を備え、
　各フレーム期間において前記駆動トランジスタ特性検出処理が行われる行をモニタ行と定義し、前記モニタ行以外の行を非モニタ行と定義したとき、前記モニタ行についての１フレーム期間は、前記駆動トランジスタ特性検出処理が行われる駆動トランジスタ特性検出期間と、前記電気光学素子を発光させることが可能な発光期間とを含み、
　前記画素回路駆動部は、
　　前記駆動トランジスタ特性検出処理を、１フレーム期間につき前記画素マトリクスの１つの行についてのみ行い、
　　前記モニタ行については、前記駆動トランジスタ特性検出期間および前記発光期間を通じて、前記モニタ線が前記駆動トランジスタのソースと前記電気光学素子の陽極とに電気的に接続された状態を維持し、
　　前記駆動トランジスタ特性検出期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記駆動トランジスタのみに電流が流れるよう、かつ、前記発光期間には前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子のうち前記電気光学素子のみに電流が流れるよう、前記駆動トランジスタ特性検出期間と前記発光期間とで前記モニタ線に異なる電位を与えることを特徴とする、表示装置。