JP4424346B2 - 駆動回路及び駆動装置 - Google Patents
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Description
また画素内でEL素子に複数のトランジスタを直列に接続すると、トランジスタの分圧比が高くなり、結果として高い消費電力を要した。
一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、電流路の一端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続され、制御端子と電流路の一端との間の電圧に従った電流値の電流が電流路に流れる第一スイッチング素子と、
前記第一スイッチング素子の電流路の他端に接続され、前記光学要素に電流を流すために選択期間及び非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号が出力される電源線と、
前記光学要素を選択するための走査信号が出力される走査線と、
前記選択期間中、前記電源線から前記第一スイッチング素子の電流路を介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて前記第一スイッチング素子の前記制御端子に印加される電圧を制御する第二スイッチング素子と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて、前記信号線に流れる電流を制御する第三スイッチング素子と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記第一スイッチング素子の電流路の他端と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記電源線に印加される電源信号の電圧によって、前記第一スイッチング素子の前記制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなる、ことを特徴とする。
一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、電流路の一端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続され、制御端子と電流路の一端との間の電圧に従った電流値の電流が電流路に流れる第一スイッチング素子と、
前記第一スイッチング素子の電流路の他端に接続され、前記光学要素に電流を流すための電源信号が出力される電源線と、
前記光学要素を選択するための走査信号が出力される走査線と、
選択期間中、前記電源線から前記第一スイッチング素子の電流路を介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて前記第一スイッチング素子の前記制御端子に印加される電圧を制御する第二スイッチング素子と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて、前記信号線に流れる電流を制御する第三スイッチング素子と、
を有する駆動回路と、
前記選択期間及び非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号を前記電源線に出力する電源ドライバと、
前記走査線に走査信号を出力する選択走査ドライバと、
前記信号線に所与の電流値の電流を流す電流シンクを有するデータドライバと、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記電源ドライバは、非選択期間中、前記第一スイッチング素子の電流路の他端と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧が、前記第一スイッチング素子の制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなるような電源信号を出力する、ことを特徴とする。
一対の電極を有し、非選択期間中に一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
前記光学要素に電流を流すために選択期間及び前記非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号が出力される電源線と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、電流路の一端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続され、前記電流路の他端が前記電源線に接続され、前記制御端子と電流路の一端との間の電圧に従った電流値の電流が電流路に流れる第一スイッチング素子と、
前記第一スイッチング素子の前記制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間に設けられ、前記選択期間にチャージされた電荷を前記非選択期間中まで保持するコンデンサと、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記選択期間に前記第一スイッチング素子の制御端子を所定のオン電圧に設定するとともに前記コンデンサの一端に電荷をチャージさせる第二スイッチング素子と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、当該電流路の一端が、前記光学要素の一対の電極の一方と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間に接続され、前記選択期間に、画像データに従って前記第一スイッチング素子の電流路に所与値の電流を流す第三スイッチング素子と、
を備え、
前記選択期間中、前記電源線から前記第一スイッチング素子の電流路を介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
走査信号により選択される走査線と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記第一スイッチング素子の電流路の他端と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記第一スイッチング素子の電流路の他端に印加される電圧によって、前記第一スイッチング素子の制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなる、ことを特徴とする。
一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
前記光学要素に電流を供給するために選択期間及び非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号が出力される電源線と、
制御端子、ソース、ドレイン電極、及び前記ソース、ドレイン電極間の電流路を有し、電流路の一端が前記電源線に接続されており、電流路の他端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続されている第一スイッチング素子と、
制御端子、ソース、ドレイン電極、及び前記ソース、ドレイン電極間の電流路を有し、電流路の一端が前記電源線に接続されており、電流路の他端が前記第一スイッチング素子の制御端子に接続されている第二スイッチング素子と、
制御端子、ソース、ドレイン電極、及び前記ソース、ドレイン電極間の電流路を有し、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の他端に接続されている第三スイッチング素子と、
前記第二スイッチング素子の前記制御端子及び第三スイッチング素子の前記制御端子に接続された走査線と、
前記第三スイッチング素子の電流路の他端に接続され、前記選択期間中、前記第一スイッチング素子に所与の電流値の電流を流す信号線と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子はそのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記電源線と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記電源線から印加される電圧によって、前記第一スイッチング素子の制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の他端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さである、ことを特徴とする。
一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流の電流値に従って光学的動作を示す光学要素と、
前記光学要素に電流を供給する電源線と、
ドレインが前記電源線に接続され、ソースが前記光学要素の一対の電極の一方に直列に接続された電流制御用トランジスタと、
前記電流制御用トランジスタのゲート−ソース間に設けられたコンデンサと、
選択期間中に、前記電流制御用トランジスタのソース−ドレイン間に、画像データに従った電流値の電流を流す電流値設定手段と、
非選択期間中に、前記電流値設定手段により前記コンデンサにチャージされた電荷を保持する電荷保持手段と、
前記非選択期間中に、前記光学要素及び前記電流制御用トランジスタの両端に前記選択期間とは異なる所定の電圧を印加して、前記電流制御用トランジスタを介して前記コンデンサの電荷に従った駆動電流を前記光学要素に供給する駆動電流供給手段と、
前記選択期間中、前記電源線から前記電流値設定手段のソースチャージ用トランジスタを介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
走査信号により選択される走査線と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記電流制御用トランジスタのソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記電流値設定手段は、
ドレインが前記電流制御用トランジスタのドレインに接続され、ソースが前記電流制御用トランジスタのゲートに接続されたゲートチャージ用トランジスタと、
ドレインが前記電流制御用トランジスタのソースに接続されたソースチャージ用トランジスタと、を有し、
前記ゲートチャージ用トランジスタは、そのソース、ドレイン及びそのゲートが前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記ゲートチャージ用トランジスタのゲートが前記走査線に接続され、
前記ソースチャージ用トランジスタは、そのソース、ドレイン及びそのゲートが前記信号線に沿って形成されるとともに、ドレインが前記電流制御用トランジスタのソースに接続され、ソースが前記信号線に接続され、
前記電流制御用トランジスタは、そのソース、ドレインの一部及びそのゲートの一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレインの他部及びそのゲートの他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記電流制御用トランジスタのドレインと前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記電源線から前記電流制御用トランジスタのドレインに印加される電圧によって、前記電流制御用トランジスタのゲート−ソース間の電圧に従って設定される前記電流制御用トランジスタのドレイン−ソース間を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなる、ことを特徴とする。
前記ソースチャージ用トランジスタは、前記非選択期間中にゲートに入力される走査信号に応じて、前記コンデンサにおける前記電流制御用トランジスタのソース側にチャージされた電荷を保持することを特徴とする。
図1は、本発明が適用された発光素子型ディスプレイの具体的な構成が示されたブロック図である。図1に示すように、発光素子型ディスプレイ1は、基本構成として、アクティブマトリクス型の発光パネル(駆動装置)2と、発光ディスプレイ1全体を制御するコントローラ6と、を備え、いわゆるアクティブマトリクス駆動方式の表示装置である。発光パネル2は、ホウケイ酸ガラス、石英ガラス、その他のガラスといった後述するトランジスタの製造プロセス中の温度に耐性のある透明基板30(図3に図示)と、透明基板30上に設けられ、複数の画素を備えるとともにコントローラ6からの画像データに従った画像を表示するように発光する発光部7と、透明基板30上に設けられるとともに発光部7の各画素を駆動するための選択走査ドライバ3、電源ドライバ4及びデータドライバ5と、を備える。選択走査ドライバ3、電源ドライバ4及びデータドライバ5はそれぞれ、コントローラ6とデータ入出力可能に接続されている。透明基板30上に種々の配線や素子が設けられ、発光パネル2が構成される。
なお、発光材料は、上述のものに限定されるものではない。
データドライバ5は、コントローラ6からの制御信号群を受けて、コントローラ5に向かうシンク電流を各信号線Y1〜Ynに起こす電流シンク型のドライバである。つまり、データドライバ5は、電流シンクを有しており、図5(a)の矢印に示すように、各信号線Y1〜Ynにシンク電流を起こすものである。シンク電流の大きさは画像データに従った電流値であり、データドライバ5は、電流値に従った大きさの電荷を各コンデンサ13に蓄積させるものである。
図6は、Nチャネル型のMOSFETの電流−電圧特性を表したグラフである。図6において、横軸はドレイン−ソース間の電圧値であり、縦軸はドレイン−ソース間の電流値である。FETでは、図中の線形領域では、つまりソース−ドレイン間電圧値VDSが、ゲート−ソース間電圧値VGSに従ったドレイン飽和しきい値電圧VTH未満である領域では、ゲート−ソース間電圧値VGSが一定であると、ソース−ドレイン間電圧値VDSが大きくなるにつれて、ソース−ドレイン間電流値IDSが大きくなる。更に、図中の飽和領域では、つまりソース−ドレイン間電圧値VDSが、ゲート−ソース間電圧値VGSに従ったドレイン飽和しきい値電圧VTH以上である領域では、ゲート−ソース間電圧値VGSが一定であると、ソース−ドレイン間電流値IDSがほぼ一定となる。
i行目の選択期間TSEの開始時刻t1では、選択走査ドライバ3からi行目の走査線Xiにハイレベル(オンレベル)のパルスが出力されだして、時刻t1〜時刻t2の選択期間TSEの間走査線Xiにはトランジスタ10及びトランジスタ11がオン状態となるようなレベルの走査信号電圧VXiが走査線Xiに印加される。更に、i行目の選択期間TSEの開始時刻t1では、電源ドライバ4からi行目の電源線Viにローレベルのパルス信号が出力されだして、選択期間TSEの間電源線Viには基準電位Vssと等電位或いはそれより低い電源信号電圧VViが印加される。更に、選択期間TSEに、データドライバ5は、コントローラ6が受けた画像データに従って、所定電流値のシンク電流を流す。
VVi−VE−Vss≧VTHMAX…(2)
ここで、VEは、有機EL素子Ei,jのアノード−カソード間に電圧が印加されたときの有機EL素子Ei,jの抵抗による分圧の予想最大値であり、VTHMAXは、VGSMAX時のトランジスタ12のソース−ドレイン間の飽和しきい値電圧である。有機EL素子Ei,jは経時劣化に伴い内部抵抗が増大するので、カソード−電源線Vi間での有機EL素子Ei,jの分圧が上昇するが、上記予想最大値とは、有機EL素子Ei,jが正常に発光している期間中の電源線Vi−カソード間の最大電圧印加時における有機EL素子Ei,jに分圧される最大電圧の予想値である。つまり、画素Pi,jの有機EL素子Ei,jが非発光であっても最大輝度で発光しても、有機EL素子Ei,jの発光寿命内(発光寿命内の抵抗値)であれば、常に非選
択期間TNSEでのトランジスタ12のソース−ドレイン間の電圧は飽和領域となるように設定されており、トランジスタ12には飽和電流が流れる。
非選択期間TNSEの間、トランジスタ12を流れる電流は、上記条件式(2)により低電位の基準電位Vssに向けて流れる。換言すれば、発光期間TEM(非選択期間TNSE)の間、この電流が有機EL素子Ei,jのアノード41−カソード43間の有機EL層42に流れ、画像データに従った輝度階調で発光する。
次に、第二の実施の形態について説明する。第二の実施の形態では、各画素Pi,jの構成が第一の実施の形態の場合と異なり、他の部分は第一の実施の形態の場合と同様である。つまり、図8に示すように、第二の実施の形態では、各画素Pi,j(各画素Pi,jの駆動回路Di,j)には、トランジスタ10、トランジスタ11の代わりにスイッチ51が設けられているとともに、トランジスタ12及びコンデンサ13の代わりに電流制御手段52が設けられている。なお上記第一の実施の形態と同じ符号のものについては同様であるので詳細な説明を省略する。
次に、第三の実施の形態について説明する。第三の実施の形態では、各画素Pi,jの構成が第一の実施の形態の場合と異なり、他の部分は第一の実施の形態の場合と同様である。つまり、図9に示すように、第三の実施の形態では、各画素Pi,j(各画素Pi,jの駆動回路Di,j)には、トランジスタ10の代わりにトランジスタ14が設けられている。なお、上記第一の実施の形態と同じ符号のものについては同様であるので詳細な説明を省略する。
次に、第四の実施の形態について説明する。第四の実施の形態では、各画素Pi,jの構成が第二の実施の形態の場合と異なり、他の部分は第二の実施の形態の場合と同様である。つまり、図10に示すように、第四の実施の形態では、各画素Pi,j(各画素Pi,jの駆動回路Di,j)には、スイッチ51の代わりにスイッチ53が設けられている。なお、上記第二の実施の形態と同じ符号のものについては同様であるので詳細な説明を省略する。
例えば、上記実施の形態では発光素子として有機EL素子を用いていたが、逆バイアス電圧が印加された場合には電流が流れないとともに正バイアス電圧が印加された場合には電流が流れるような発光素子であって、流れる電流の大きさに従った輝度で発光する発光素子、例えばLED(Light Emitting Diode)素子等でも良い。
3 選択走査ドライバ
4 電源ドライバ
5 データドライバ
6 コントローラ
10 トランジスタ(第二スイッチング素子、ゲートチャージ用トランジスタ)
11 トランジスタ(第三スイッチング素子、ソースチャージ用トランジスタ)
12 トランジスタ(第一スイッチング素子、電流制御用トランジスタ)
14 トランジスタ(第二スイッチング素子)
13 コンデンサ
41 アノード電極
42 有機EL層
43 カソード電極
46 隔壁
51 スイッチ
52 電流制御手段
53 スイッチ
Di,j 駆動回路
Ei,j 有機EL素子(光学要素)
Pi,j 画素
X1〜Xm 走査線
Y1〜Yn 信号線
V1〜Vm 電源線
Claims (21)
- 一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、電流路の一端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続され、制御端子と電流路の一端との間の電圧に従った電流値の電流が電流路に流れる第一スイッチング素子と、
前記第一スイッチング素子の電流路の他端に接続され、前記光学要素に電流を流すために選択期間及び非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号が出力される電源線と、
前記光学要素を選択するための走査信号が出力される走査線と、
前記選択期間中、前記電源線から前記第一スイッチング素子の電流路を介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて前記第一スイッチング素子の前記制御端子に印加される電圧を制御する第二スイッチング素子と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて、前記信号線に流れる電流を制御する第三スイッチング素子と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記第一スイッチング素子の電流路の他端と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記電源線に印加される電源信号の電圧によって、前記第一スイッチング素子の前記制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなる、
ことを特徴とする駆動回路。 - 請求項1記載の駆動回路であって、
前記選択期間中に前記走査線の走査信号の電位がオンレベルになることによって、前記第一スイッチング素子、第二スイッチング素子及び前記第三スイッチング素子がオンして、前記電源線から前記第一スイッチング素子及び前記第三スイッチング素子を介して前記信号線へ所与の電流値の電流が流れ、
前記非選択期間中に前記走査線の走査信号電位がオフレベルになることによって、前記第二スイッチング素子及び前記第三スイッチング素子がオフして前記第一スイッチング素子の前記制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電荷が、前記第一スイッチング素子の前記制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の寄生容量に保持されることを特徴とする駆動回路。 - 請求項1記載の駆動回路であって、
一方の極が前記第一スイッチング素子の制御端子に接続されており、他方の極が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続されているコンデンサを具備する駆動回路。 - 請求項3記載の駆動回路であって、
前記選択期間中に前記走査線の走査信号の電位がオンレベルになることによって、前記第一スイッチング素子、第二スイッチング素子及び前記第三スイッチング素子がオンして、前記電源線から前記第一スイッチング素子及び前記第三スイッチング素子を介して前記信号線へ所与の電流値の電流が流れ、
前記非選択期間中に前記走査線の走査信号電位がオフレベルになることによって、前記第二スイッチング素子及び前記第三スイッチング素子がオフして前記第一スイッチング素子の前記制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電荷が、前記コンデンサに保持されることを特徴とする駆動回路。 - 請求項1から4の何れかに記載の駆動回路であって、
前記選択期間中、前記電源線の電源信号は前記光学要素の一対の電極の他方に印加される電圧以下であり、前記非選択期間中、前記電源線の電源信号は前記光学要素の一対の電極の他方に印加される電圧より高いことを特徴とする駆動回路。 - 請求項1から5の何れかに記載の駆動回路であって、
前記第一スイッチング素子、前記第二スイッチング素子及び前記第三スイッチング素子は単チャネルの薄膜トランジスタであることを特徴とする駆動回路。 - 請求項1から6の何れかに記載の駆動回路であって、
前記光学要素は、有機EL素子であることを特徴とする駆動回路。 - 一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、電流路の一端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続され、制御端子と電流路の一端との間の電圧に従った電流値の電流が電流路に流れる第一スイッチング素子と、
前記第一スイッチング素子の電流路の他端に接続され、前記光学要素に電流を流すための電源信号が出力される電源線と、
前記光学要素を選択するための走査信号が出力される走査線と、
選択期間中、前記電源線から前記第一スイッチング素子の電流路を介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて前記第一スイッチング素子の前記制御端子に印加される電圧を制御する第二スイッチング素子と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記走査線の走査信号に応じて、前記信号線に流れる電流を制御する第三スイッチング素子と、
を有する駆動回路と、
前記選択期間及び非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号を前記電源線に出力する電源ドライバと、
前記走査線に走査信号を出力する選択走査ドライバと、
前記信号線に所与の電流値の電流を流す電流シンクを有するデータドライバと、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記電源ドライバは、前記非選択期間中、前記第一スイッチング素子の電流路の他端と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧が、前記第一スイッチング素子の制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなるような電源信号を出力する、
ことを特徴とする駆動装置。 - 一対の電極を有し、非選択期間中に一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
前記光学要素に電流を流すために選択期間及び前記非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号が出力される電源線と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、電流路の一端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続され、前記電流路の他端が前記電源線に接続され、前記制御端子と電流路の一端との間の電圧に従った電流値の電流が電流路に流れる第一スイッチング素子と、
前記第一スイッチング素子の前記制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間に設けられ、前記選択期間にチャージされた電荷を前記非選択期間中まで保持するコンデンサと、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、前記選択期間に前記第一スイッチング素子の制御端子を所定のオン電圧に設定するとともに前記コンデンサの一端に電荷をチャージさせる第二スイッチング素子と、
ソース、ドレイン電極、前記ソース、ドレイン電極間の電流路及び制御端子を有し、当該電流路の一端が、前記光学要素の一対の電極の一方と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間に接続され、前記選択期間に、画像データに従って前記第一スイッチング素子の電流路に所与値の電流を流す第三スイッチング素子と、
前記選択期間中、前記電源線から前記第一スイッチング素子の電流路を介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
走査信号により選択される走査線と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記第一スイッチング素子の電流路の他端と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記第一スイッチング素子の電流路の他端に印加される電圧によって、前記第一スイッチング素子の制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の一端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなる、
ことを特徴とする駆動回路。 - 請求項9記載の駆動回路であって、
前記非選択期間中、前記第二スイッチング素子及び第三スイッチング素子はオフ状態であることを特徴とする駆動回路。 - 請求項9又は10記載の駆動回路であって、
前記選択期間中に前記第一スイッチング素子の電流路の他端及び前記第二スイッチング素子の電流路の一端に印加される電圧は、前記光学要素の一対の電極の他方の電位以下であることを特徴とする駆動回路。 - 請求項9から11の何れかに記載の駆動回路であって、
前記非選択期間中に前記第一スイッチング素子の電流路の他端及び前記第二スイッチング素子の電流路の一端に印加される電圧は、前記光学要素の一対の電極の他方の電位より高いことを特徴とする駆動回路。 - 請求項9から12の何れかに記載の駆動回路であって、
前記第三スイッチング素子の電流路の一端は前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、前記選択期間中に前記第三スイッチング素子の電流路の他端に印加される電圧は、前記選択期間中に前記第一スイッチング素子の電流路の他端及び前記第二スイッチング素子の電流路の一端に印加される電圧以下であることを特徴とする駆動回路。 - 一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流に従った光学的動作を示す光学要素と、
前記光学要素に電流を供給するために選択期間及び非選択期間に互いに異なる電圧の電源信号が出力される電源線と、
制御端子、ソース、ドレイン電極、及び前記ソース、ドレイン電極間の電流路を有し、電流路の一端が前記電源線に接続されており、電流路の他端が前記光学要素の一対の電極の一方に接続されている第一スイッチング素子と、
制御端子、ソース、ドレイン電極、及び前記ソース、ドレイン電極間の電流路を有し、電流路の一端が前記電源線に接続されており、電流路の他端が前記第一スイッチング素子の制御端子に接続されている第二スイッチング素子と、
制御端子、ソース、ドレイン電極、及び前記ソース、ドレイン電極間の電流路を有し、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の他端に接続されている第三スイッチング素子と、
前記第二スイッチング素子の前記制御端子及び第三スイッチング素子の前記制御端子に接続された走査線と、
前記第三スイッチング素子の電流路の他端に接続され、前記選択期間中、前記第一スイッチング素子に所与の電流値の電流を流す信号線と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記第一〜第三スイッチング素子のソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記第二スイッチング素子はそのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記第二スイッチング素子の制御端子が前記走査線に接続され、
前記第三スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極及びその制御端子が前記信号線に沿って延在するように形成されるとともに、電流路の一端が前記第一スイッチング素子の電流路の一端に接続され、電流路の他端が前記信号線に接続され、
前記第一スイッチング素子は、そのソース、ドレイン電極の一部及びその制御端子の一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレイン電極の他部及びその制御端子の他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記電源線と前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記電源線から印加される電圧によって、前記第一スイッチング素子の制御端子と前記第一スイッチング素子の電流路の他端との間の電圧に従って設定される前記第一スイッチング素子の電流路を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さである、
ことを特徴とする駆動回路。 - 請求項14記載の駆動回路であって、
前記選択期間中に前記第一スイッチング素子の電流路の一端及び前記第二スイッチング素子の電流路の一端に印加される電圧は、前記光学要素の一対の電極の他方の電位以下であることを特徴とする駆動回路。 - 請求項14又は15記載の駆動回路であって、
前記非選択期間中に前記第一スイッチング素子の電流路の一端及び前記第二スイッチング素子の電流路の一端に印加される電圧は、前記光学要素の一対の電極の他方の電位より高いことを特徴とする駆動回路。 - 請求項14から16の何れかに記載の駆動回路であって、
前記選択期間中に前記第三スイッチング素子の電流路の他端に印加される電圧は、前記選択期間中に前記第一スイッチング素子の電流路の一端及び前記第二スイッチング素子の電流路の一端に印加される電圧以下であることを特徴とする駆動回路。 - 請求項14から17の何れかに記載の駆動回路と、
前記電源線に電源信号を出力する電源ドライバと、
前記走査線に走査信号を出力する選択走査ドライバと、
前記信号線に所与の電流値の電流を流す電流シンクを有するデータドライバと、
を備えることを特徴とする駆動装置。 - 一対の電極を有し、一対の電極間を流れる電流の電流値に従って光学的動作を示す光学要素と、
前記光学要素に電流を供給する電源線と、
ドレインが前記電源線に接続され、ソースが前記光学要素の一対の電極の一方に直列に接続された電流制御用トランジスタと、
前記電流制御用トランジスタのゲート−ソース間に設けられたコンデンサと、
選択期間中に、前記電流制御用トランジスタのソース−ドレイン間に、画像データに従った電流値の電流を流す電流値設定手段と、
非選択期間中に、前記電流値設定手段により前記コンデンサにチャージされた電荷を保持する電荷保持手段と、
前記非選択期間中に、前記光学要素及び前記電流制御用トランジスタの両端に前記選択期間とは異なる所定の電圧を印加して、前記電流制御用トランジスタを介して前記コンデンサの電荷に従った駆動電流を前記光学要素に供給する駆動電流供給手段と、
前記選択期間中、前記電源線から前記電流制御用トランジスタを介して所与の電流値の電流が流れる信号線と、
走査信号により選択される走査線と、
を備え、
前記電源線は、前記走査線と平行で且つ離間するとともに、前記走査線と同一工程で透明基板上に形成され、
前記信号線は、前記電流制御用トランジスタのソース電極並びにドレイン電極と同一工程で形成され、
前記電源線及び前記走査線は、前記信号線に対してゲート絶縁膜によって絶縁されており、
前記電流値設定手段は、
ドレインが前記電流制御用トランジスタのドレインに接続され、ソースが前記電流制御用トランジスタのゲートに接続されたゲートチャージ用トランジスタと、
ドレインが前記電流制御用トランジスタのソースに接続されたソースチャージ用トランジスタと、を有し、
前記ゲートチャージ用トランジスタは、そのソース、ドレイン及びそのゲートが前記走査線に沿って延在するように形成されるとともに、前記ゲートチャージ用トランジスタのゲートが前記走査線に接続され、
前記ソースチャージ用トランジスタは、そのソース、ドレイン及びそのゲートが前記信号線に沿って形成されるとともに、ドレインが前記電流制御用トランジスタのソースに接続され、ソースが前記信号線に接続され、
前記電流制御用トランジスタは、そのソース、ドレインの一部及びそのゲートの一部が前記電源線に沿って延在するように形成され、そのソース、ドレインの他部及びそのゲートの他部が前記信号線に沿って延在するように形成され、
前記非選択期間中、前記電流制御用トランジスタのドレインと前記光学要素の一対の電極の他方との間の電圧は、前記電源線から前記電流制御用トランジスタのドレインに印加される電圧によって、前記電流制御用トランジスタのゲート−ソース間の電圧に従って設定される前記電流制御用トランジスタのドレイン−ソース間を流れる電流が前記光学要素に設定された発光最大輝度時においても飽和電流となる程度の高さとなる、
ことを特徴とする駆動回路。 - 請求項19に記載の駆動回路であって、
前記ゲートチャージ用トランジスタ及び前記ソースチャージ用トランジスタは、前記非選択期間中はオフ動作していることを特徴とする駆動回路。 - 請求項19に記載の駆動回路であって、
前記ゲートチャージ用トランジスタは、前記非選択期間中にゲートに入力される走査信号に応じて、前記コンデンサにおける前記電流制御用トランジスタのゲート側にチャージされた電荷を保持し、
前記ソースチャージ用トランジスタは、前記非選択期間中にゲートに入力される走査信号に応じて、前記コンデンサにおける前記電流制御用トランジスタのソース側にチャージされた電荷を保持することを特徴とする駆動回路。
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