CN117711321A - 像素电路和包括该像素电路的显示设备 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的一方面，一种像素电路包括：第一电容器，该第一电容器连接在第一节点与第二节点之间；第一晶体管，该第一晶体管连接到第一节点并被供应一个像素行的第一扫描信号；驱动晶体管，该驱动晶体管包括连接到第二节点的栅极、连接到第一电压供应线的第一电极和连接到第三节点的第二电极；第二晶体管，该第二晶体管连接在第二节点与第三节点之间并被供应第二扫描信号；第三晶体管，该第三晶体管连接在第三节点与第四节点之间；第四晶体管，该第四晶体管连接到第四节点并被供应该一个像素行的前一像素行的第二扫描信号；以及发光二极管，该发光二极管在第四节点处连接到第四晶体管和第三晶体管。

Description

像素电路和包括该像素电路的显示设备
相关申请的交叉引用
本申请要求于2022年9月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2022-0114844号的优先权，其公开内容通过引用并入本文。
技术领域
本公开涉及一种像素电路和包括该像素电路的显示设备。
背景技术
作为自发光器件的有机发光二极管(OLED)包括阳极、阴极和形成在阳极与阴极之间的有机化合物层。有机化合物层由空穴传输层(HTL)、发光层(EML)和电子传输层(ETL)形成。当驱动电压输入到阳极和阴极时，穿过空穴传输层(HTL)的空穴和穿过电子传输层(ETL)的电子移动到发光层(EML)以形成激子，使得发光层(EML)产生可见光线。有源矩阵型有机发光显示设备包括有机发光二极管(OLED)，该OLED作为自发光器件并以各种方式使用，具有快速响应速度、大的发光效率、大的亮度和大的视角的优点。
有机发光显示设备以矩阵形式设置像素(每一个像素包括有机发光二极管)，并根据视频数据的灰度级调整像素的亮度。
每一个像素包括有机发光二极管、根据栅极与源极之间的电压控制流经有机发光二极管的驱动电流的驱动晶体管以及对驱动晶体管的栅极与源极之间的电压进行编程的至少一个开关晶体管。
在一些情况下，在一些像素电路中，输入高电位电压的线和输入基准电压的线可能在初始化时段中断开连接。在这种情况下，在显示设备中可能导致诸如水平条纹的显示缺陷。因此，需要一种提高显示设备的显示质量的方法。
发明内容
本公开的示例性实施例要实现的目的是提供一种改变初始化时段中的电流流动路径以使有缺陷的显示最小化的显示设备。
本公开的目的不限于上面提及的目的，通过下面的描述，本领域技术人员可以清楚地理解上面未提及的其他目的。
根据本公开的一个方面，一种像素电路包括：第一电容器，该第一电容器连接在第一节点与第二节点之间；第一晶体管，该第一晶体管连接到第一节点并被供应一个像素行的第一扫描信号；驱动晶体管，该驱动晶体管包括连接到第二节点的栅极、连接到第一电压供应线的第一电极和连接到第三节点的第二电极；第二晶体管，该第二晶体管连接在第二节点与第三节点之间并被供应第二扫描信号；第三晶体管，该第三晶体管连接在第三节点与第四节点之间；第四晶体管，该第四晶体管连接到第四节点并被供应该一个像素行的前一像素行的第二扫描信号；以及发光二极管，该发光二极管在第四节点处连接到第四晶体管和第三晶体管。
根据本公开的另一方面，一种显示设备包括：像素电路，该像素电路包括设置有多个子像素的多个像素行并以预充电时段、初始时段、采样时段和发光时段工作；数据驱动电路，该数据驱动电路连接到像素电路；栅极驱动电路，该栅极驱动电路向多个像素行中的每一个供应第一扫描信号、第二扫描信号和发光信号，其中，在预充电时段中，从多个像素行中的第n(n是自然数)像素行供应的第n个第一扫描信号和第n个第二扫描信号是第一电平，并且第n-1个第二扫描信号和第n个发光信号是比第一电平低的第二电平。
示例性实施例的其他详细事项包括在具体实施方式和附图中。
根据本公开，在像素电路和显示设备中，开关晶体管设置在驱动晶体管的栅极节点与基准电压输入节点之间，从而改变初始化时段的电流路径，以减少像素电路的驱动故障并提高显示质量。
此外，根据本公开，像素电路和显示设备分散栅极信号的负载，以提高像素电路的工作效率。
根据本公开的效果不限于上面举例说明的内容，并且在本说明书中包括更多不同的效果。
附图说明
通过结合附图的以下详细描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和其他优点，在附图中：
图1是根据本公开的示例性实施例的显示设备的框图；
图2是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路的图；
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的至少一部分的截面的图；
图4是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路的示例的图；
图5是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的与像素电路相关的信号的时序的图；
图6是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路在预充电时段中的驱动的图；
图7是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路在初始时段中的驱动的图；
图8是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路在采样时段中的驱动的图；
图9是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路在发光时段中的驱动的图；
图10A和图10B是用于说明根据本公开的示例性实施例的基于显示设备的像素电路的驱动的模拟结果的示例的图；以及
图11A和图11B是用于说明根据本公开的示例性实施例的基于显示设备的像素电路的驱动的模拟结果的另一示例的图。
具体实施方式
在本说明书的实施例中使用的术语选自当前尽可能广泛使用的通用术语同时考虑本公开中的功能，但是它们可以根据本领域技术人员的意图或先例、新技术的出现等而变化。在特定情况下，存在申请人任意选择的术语，并且在这种情况下，将在相应的描述中详细描述含义。因此，本说明书中使用的术语应当基于术语的含义和本公开的总体内容来定义，而不仅仅基于术语的名称来定义。
当在整个说明书中阐述某个组件“包括”某个部件时，它表示其可以进一步包括其他部件，除非另有说明，否则不排除其他部件。
贯穿整个说明书描述的“a、b和c中的至少一个”的表述包括“单独a”、“单独b”、“单独c”、“a和b”、“a和c”、“b和c”或“所有a、b和c”。参照下面结合附图详细描述的实施例，本发明的优点和特征以及实现它们的方法将变得清楚。
用于描述本公开的示例性实施例的附图中所示的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅仅是示例，并且本公开不限于此。此外，在本公开的以下描述中，可以省略已知的相关技术的详细解释，以避免不必要地模糊本公开的主题。
本文使用的诸如“包括”、“具有”和“由…组成”的术语通常旨在允许添加其他部件，除非这些术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明，否则对单数的任何提及都可以包括复数。
当使用诸如“上”、“上方”、“下”和“邻近”的术语描述两个组件之间的位置关系时，一个或多个组件可以位于该两个组件之间，除非这些术语与术语“紧接”或“直接”一起使用。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种部件，但是这些部件不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开。因此，在本公开的技术构思中，下面要提及的第一部件可以是第二部件。
本公开的各种实施例的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以在技术上以各种方式关联和工作，并且实施例可以独立地或彼此关联地执行。
此外，将在后面描述的术语是在考虑本说明书的实现中的功能的情况下定义的，其可以根据用户、操作者或客户的意图而改变。因此，应该基于整个说明书的内容进行定义。
本公开的像素电路的晶体管包括氧化物薄膜晶体管(氧化物TFT)、非晶硅TFT(a-Si TFT)和低温多晶硅(LTPS)TFT中的至少一种。
将针对有机发光显示器描述下面的示例性实施例。然而，本公开的示例性实施例不限于有机发光显示器，而是还可以应用于包含无机发光材料的无机发光显示器。例如，本公开的示例性实施例可以应用于量子点显示设备。
在下文中，将参照附图详细描述本公开的示例性实施例。
图1是根据本公开的示例性实施例的显示设备的框图。
作为根据本公开的示例性实施例的显示设备，可以应用电致发光显示设备。电致发光显示设备可以使用有机发光二极管(OLED)显示设备、量子点发光二极管显示设备或无机发光二极管显示设备。
根据示例性实施例的显示设备可以包括设置有用于内部补偿的子像素PXL的显示面板10、驱动数据线14的数据驱动器(或数据驱动电路)12、驱动栅极线15的栅极驱动器(或栅极驱动电路)13、时序控制器T-con 11。时序控制器11控制数据驱动电路12和栅极驱动电路13的驱动时序。例如，栅极驱动电路13可以是第一驱动电路，但不受该术语限制。例如，数据驱动电路12可以是第二驱动电路，但不受该术语限制。
在显示面板10中，多条数据线14和多条栅极线15交叉，并且用于内部补偿的多个子像素PXL设置在数据线14和/或栅极线15的交叉区域中。子像素PXL可以如附图所示以矩阵形式设置，但不限于此。设置在同一像素行中的子像素PXL连接到多条栅极线15，并且多条栅极线15可以包括至少一条扫描线和至少一条发光控制线。
例如，每个子像素PXL可以连接到一条数据线14以及扫描线和发光控制线中的至少一条。子像素PXL可以被共同供应有来自电力产生单元的高电位电压Vdd和低电位电压Vss以及基准电压Vref。为了抑制在初始化时段和采样时段期间有机发光二极管(OLED)的不必要的发光，基准电压Vref可以在充分低于OLED的工作电压的电压范围内，并且可以被设定为等于或低于低电位电压Vss。例如，低电位电压Vss可以包括接地电压(或0V)。例如，高电位电压Vdd可以是第一电压，但不受该术语限制。例如，低电位电压Vss可以是第二电压，但不受该术语限制。子像素PXL还可以被共同供应有来自电力产生单元的初始化电压Vini和复位电压VAR。
可以通过包括氧化物半导体层的氧化物晶体管(或氧化物TFT)来实现子像素PXL的薄膜晶体管(TFT)。考虑到电子迁移率和工艺偏差，氧化物TFT可以在增加显示面板10的尺寸上具有优势。然而，本公开的示例性实施例不限于此，也可以用非晶硅或多晶硅形成TFT的半导体层。
每个子像素PXL可以包括多个TFT和存储电容器，以补偿驱动TFT的阈值电压Vth的偏差。下面将详细描述每个子像素PXL的具体配置。
在图1中，基本像素可以包括白色(W)子像素、红色(R)子像素、绿色(G)子像素和蓝色(B)子像素中的至少三个子像素。例如，基本像素可以包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的组合的子像素，白色(W)、红色(R)和绿色(G)的组合的子像素，蓝色(B)、白色(W)和红色(R)的组合的子像素或绿色(G)、蓝色(B)和白色(W)的组合的子像素。此外，基本像素可以包括白色(W)、红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的组合的子像素，但是本公开的示例性实施例不限于此。
时序控制器11根据显示面板10的分辨率重新布置从外部输入的数字视频数据RGB，以将数字视频数据供应给数据驱动器12。此外，时序控制器11可以基于诸如垂直同步信号Vsync、水平同步信号Hsync、点时钟信号DCLK和数据使能信号DE的时序信号来产生用于控制数据驱动电路12的工作时序的数据控制信号DDC和用于控制栅极驱动电路13的工作时序的栅极控制信号GDC。
数据驱动电路12基于数据控制信号DDC将从时序控制器11输入的数字视频数据RGB转换成模拟数据电压，以将转换的模拟数据电压供应给多条数据线14。
栅极驱动电路13可以基于栅极控制信号GDC产生扫描信号Scan1、扫描信号Scan2和发光信号(或发光控制信号)EM。栅极驱动电路13可以包括扫描驱动器和发光信号驱动器。扫描驱动器以行顺序的方式产生扫描信号，来驱动连接到每个像素行的至少一条扫描线，以向扫描线供应生成的扫描信号。发光信号驱动器以行顺序的方式产生发光信号EM，来驱动连接到每个像素行的至少一条发光信号线，以向发光信号线供应生成的发光信号。
根据示例性实施例，栅极驱动器13通过面板内栅极驱动器(GIP)方式嵌入在显示面板10的非有源区域中，但不限于此。在一些情况下，可以包括多个栅极驱动电路13，并且多个栅极驱动电路13可以设置在显示面板10的至少两个侧表面上，但是本公开的示例性实施例不限于此。
图2是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路的图。图2示出图1的子像素PXL的像素电路的示例。
参照图2，在显示面板10的有源区域AA中设置在基板SUB上的每个子像素PXL可以包括发光二极管ED、用于驱动发光二极管ED的驱动晶体管DRT、用于将数据电压Vdata传输到驱动晶体管DRT的第一节点N1的扫描晶体管SCT以及用于将恒定电压维持一帧的存储电容器Cst。
驱动晶体管DRT可以包括输入有数据电压Vdata的第一节点N1、电连接到发光二极管ED的第二节点N2以及第三节点N3，高电位公共电压Vdd从驱动电压线DVL输入到第三节点N3。在驱动晶体管DRT中，第一节点N1是栅极节点，第二节点N2可以是源极节点或漏极节点，第三节点N3可以是漏极节点或源极节点。
发光二极管ED可以包括阳极AE、发光层EL和阴极CE。阳极AE可以是设置在每个子像素PXL中的像素电极，并且可以电连接到每个子像素PXL的驱动晶体管DRT的第二节点N2。阴极CE可以是共同设置在多个子像素PXL中的公共电极并且可以施加有低电位公共电压Vss。
例如，阳极AE可以是像素电极，阴极CE可以是公共电极。相反，阳极AE可以是公共电极，阴极CE可以是像素电极。在下文中，为了便于描述，假设阳极AE是像素电极，阴极CE是公共电极。
例如，发光二极管ED可以是有机发光二极管、无机发光二极管或量子点发光二极管。当发光二极管ED是有机发光二极管时，在发光二极管ED中，发光层EL可以包括包含有机材料的有机发光层。
扫描晶体管SCT被控制为通过经由栅极线GL输入的作为栅极信号的扫描信号SCAN而导通/截止。扫描晶体管SCT可以被配置为切换驱动晶体管DRT的第一节点N1与数据线DL之间的电连接。
存储电容器Cst可以电连接在驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间。
如图2所示，每个子像素PXL可以具有包括两个晶体管DRT和SCT以及一个电容器Cst的2T(晶体管)1C(电容器)结构。根据示例性实施例，至少一个子像素还可以包括一个或多个晶体管或者一个或多个电容器。
存储电容器Cst可以是有意设计在驱动晶体管DRT外部的外部电容器，而不是作为可以存在于驱动晶体管DRT的第一节点N1与第二节点N2之间的内部电容器的寄生电容器。
驱动晶体管DRT和扫描晶体管SCT中的每一个可以是n型晶体管或p型晶体管。
每个子像素PXL中的电路元件(具体地，发光二极管ED)易受外部水分或氧气的影响。因此，用于抑制外部水分或氧气渗透到电路元件(具体地，发光二极管ED)中的封装层ENCAP可以设置在显示面板(例如，图1的显示面板10)上。封装层ENCAP可以设置成覆盖发光二极管ED。例如，封装层ENCAP可以设置成完全覆盖发光二极管ED。
图3是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的至少一部分的截面的图。
参照图3，包括部件102、104、106和108的薄膜晶体管以及包括部件112、114和116的有机发光二极管位于基板101上。
在示例性实施例中，基板101可以是玻璃或塑料基板。当基板是塑料基板时，使用聚酰亚胺基或聚碳酸酯基材料，使得基板可以具有柔性。
在示例性实施例中，可以通过依次设置半导体层102、栅极绝缘膜103、栅极104、层间绝缘膜105、源极106和漏极108来形成薄膜晶体管，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，半导体层102可以由多晶硅(p-Si)制成。在这种情况下，预定区域可以掺杂有杂质。半导体层102也可以由非晶硅(a-Si)或诸如并五苯的各种有机半导体材料制成。作为另一示例，半导体层102也可以由氧化物制成。当半导体层102由多晶硅形成时，非晶硅形成并结晶以变为多晶硅。作为结晶方法，可以应用诸如快速热退火(RTA)、金属诱导横向结晶(MILC)或连续横向固化(SLS)的各种方法，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，栅极绝缘膜103可以由诸如氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜的绝缘材料形成，或者也可以由绝缘有机材料形成。栅极104可以由诸如镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、金(Au)或其合金的各种导电材料形成，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，层间绝缘膜105可以由诸如氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SiNx)膜的绝缘材料形成或者也可以由绝缘有机材料形成。层间绝缘膜105和栅极绝缘膜103被选择性地去除以形成接触孔，源极区域和漏极区域通过该接触孔暴露。
在示例性实施例中，利用用于栅极104的材料在层间绝缘层105上形成单层或多层的源极106和漏极108，以掩埋接触孔。
在示例性实施例中，钝化膜107可以位于薄膜晶体管上。钝化膜107保护并平坦化薄膜晶体管。钝化膜107可以配置为具有各种形状。可以以各种方式对钝化膜进行修改，例如，钝化膜可以由诸如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸的有机绝缘膜形成，或者由诸如氮化硅(SiNx)膜或氧化硅(SiOx)膜的无机绝缘层形成，或者也可以由单层或双层或多层形成。然而，本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，通过依次设置第一电极112、有机发光层114和第二电极116来形成有机发光二极管。例如，有机发光二极管包括形成在钝化膜107上的第一电极112、位于第一电极112上的有机发光层114和位于有机发光层114上的第二电极116。
在示例性实施例中，第一电极112通过接触孔电连接到驱动晶体管的漏极108。第一电极112可以由具有高反射率的不透明导电材料形成。例如，第一电极112可以由银(Ag)、铝(Al)、氮化铝(AlN)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)或其至少一部分的合金形成，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，堤110形成在除了发光区域之外的剩余区域中。因此，堤110具有暴露与发光区域对应的第一电极112的堤孔。堤110可以由诸如氮化硅(SiNx)膜或氧化硅(SiOx)膜的无机绝缘材料或者诸如BCB、丙烯酸树脂或酰亚胺树脂的有机绝缘材料形成，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，有机发光层114位于通过堤110暴露的第一电极112上。有机发光层114可以包括发光层、电子注入层、电子传输层、空穴传输层和/或空穴注入层，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，第二电极116位于有机发光层114上。第二电极116由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的透明导电材料形成，以将有机发光层114中产生的光朝向第二电极116上方发射。
在示例性实施例中，上封装层120位于第二电极116上。此时，上封装层120可以包括由玻璃、金属、氧化铝(AlOx)或硅(Si)基材料形成的无机膜，或者具有有机膜和无机膜交替层叠的结构，但是本公开的示例性实施例不限于此。上封装层120抑制氧气和水分从外部渗透，以抑制发光材料和电极材料的氧化。当有机发光二极管暴露于水分或氧气时，会导致发光面积减小的像素收缩现象，或者可能在发光区域中产生暗点。
在示例性实施例中，阻挡膜150位于上封装层120上以封装包括有机发光二极管的整个基板101。阻挡膜150可以是延迟膜或光学各向同性膜。当阻挡膜具有光学各向同性时，入射到阻挡膜上的光可以照原样透射而不延迟相位。有机膜或无机膜可以进一步位于阻挡膜的上表面或下表面上。无机层可以包括氧化硅(SiOx)膜或氮化硅(SINx)膜。有机层可以包含诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺或聚乙烯的聚合物材料，但是本公开的示例性实施例不限于此。形成在阻挡膜的上表面或下表面上的有机膜或无机膜用于抑制水分或氧气的渗透。
在示例性实施例中，粘合剂层140可以位于阻挡膜150与上封装层120之间。粘合剂层140将上封装层120与阻挡膜150彼此接合。粘合剂层140可以是热固性粘合剂或天然固化粘合剂，但是本公开的示例性实施例不限于此。例如，粘合剂层140可以包含诸如阻隔压敏粘合剂(B-PSA)的材料，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，下粘合剂层160和下封装层170可以依次形成在基板101下方。下封装层170可以由聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚邻苯二甲酸乙醚酯、聚碳酸酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚磺酸盐、聚酰亚胺或聚丙烯酸酯中的一种或多种有机材料形成。然而，本公开的示例性实施例不限于此。下封装层170用于抑制水分或氧气从外部渗透到基板中。
在示例性实施例中，下粘合剂层160由热固性粘合剂或天然固化粘合剂形成，并用于接合基板101与下封装层170。例如，下粘合剂层160可以由诸如光学透明粘合剂(OCA)的材料形成。
图4是示出根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路的示例的图。图4示出根据本公开的示例性实施例的显示设备中包括的子像素的等效电路的示例。
根据本公开的示例性实施例的显示设备可以包括包含多个子像素的像素电路，例如，其中设置有图1的多个子像素PXL中的每一个的多个像素行。像素电路可以在预充电时段、初始时段、采样时段和发光时段中工作。例如，像素电路中包括的多个子像素中的每一个可以在预充电时段、初始时段、采样时段和发光时段中工作。在下文中，将更详细地描述多个子像素中的一个子像素，并且为了便于描述，子像素电路被称为“像素电路”，但是本示例性实施例不限于该示例。
参照图4，像素电路可以包括六个薄膜晶体管(TFT或晶体管)、一个电容器Cst和发光二极管ED。例如，像素电路可以包括驱动TFT DT、第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4、第五TFT T5、电容器Cst和发光二极管ED。具有六个TFT和一个电容器的像素电路可以被称为6T1C像素电路，但不受该术语限制。
在示例性实施例中，像素电路可以包括多个电容器。例如，像素电路可以包括电容器Cst和附加电容器。电容器Cst可以包括存储电容器。附加电容器可以作为附加存储电容器工作，但不限于此，并且可以作为用于更稳定的像素驱动的部件工作。
在示例性实施例中，像素电路被供应高电位电压Vdd、低电位电压Vss、基准电压Vref和数据电压Vdata。高电位电压Vdd、低电位电压Vss和基准电压Vref是DC电压(或直流电压)，数据电压Vdata可以是AC电压(或交流电压)。
在示例性实施例中，像素电路可以连接到供应高电位电压Vdd的高电位电压供应线(或第一电压供应线)、供应低电位电压Vss的低电位电压供应线(或第二电压供应线)、供应基准电压Vref的基准电压供应线以及供应数据电压Vdata的数据电压供应线(或数据线)。高电位电压Vdd被称为第一电压，低电位电压Vss可以被称为比第一电压低的第二电压，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，高电位电压Vdd可以具有比低电位电压Vss和基准电压Vref高的电压值。低电位电压Vss可以等于或低于基准电压Vref。数据电压Vdata可以具有特定范围内的电压值。例如，数据电压Vdata可以具有0V至10V之间的值，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，第一扫描信号Scan1和第二扫描信号Scan2可以被供应(或输入)到像素电路。显示面板包括n+1个像素行(或行)和k个像素列(或列)，并且可以包括设置成与矩阵的点位置(例如，第一像素行和第一像素列的交点)对应的像素电路。矩阵布置的具体示例可以参照图1。
根据示例性实施例，设置在至少一部分像素列中的行数可以不同于设置在像素列的另一部分中的行数。例如，当以不同的形式实现显示面板时，可以根据形式设置像素电路。
在示例性实施例中，第一扫描信号Scan1和第二扫描信号Scan2可以被供应给显示面板的每个像素行。例如，第一个第一扫描信号和第一个第二扫描信号可以被供应给第一像素行。以这种方式，第n个第一扫描信号和第n个第二扫描信号可以被供应给第n像素行。因此，在每个像素行中，可以存在匹配(或映射或对应)的第一扫描信号供应线和第二扫描信号供应线。例如，供应第n个第一扫描信号Scan1(n)的第一扫描线和供应第n个第二扫描线Scan2(n)的第二扫描线可以匹配第n像素行。
在示例性实施例中，与周围像素行对应的扫描信号中的至少一个可以被供应给显示面板的每个像素行。例如，第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)可以被供应给第n像素行。向第n像素行供应第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)的扫描线可以对应于第三扫描线。第三扫描线可以从供应第n-1像素行的第二扫描信号的线分支出。然而，它不限于此并且也可以设计为单独的线。
在下文中，为了便于描述，将针对设置在第n像素行中的一个子像素来描述像素电路的配置和信号流。将在本公开中描述的像素电路及其工作可以对应于显示设备中包括的像素电路的至少一部分。
根据示例性实施例，第n-1像素行可以被称为前一像素行。例如，第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)可以被称为前一像素行的第二扫描信号，但不受该术语限制。
在示例性实施例中，像素电路可以连接到被供应第n像素行的发光信号EM(n)的线。被供应第n像素行的发光信号EM(n)的线可以是发光信号线。
在示例性实施例中，驱动TFT DT是用于驱动发光二极管ED的晶体管，其可以被称为驱动晶体管。驱动TFT DT的第一电极可以连接到高电位电压供应线(或第一电压供应线)。驱动TFT DT的第二电极可以连接到第三节点n3。驱动TFT DT的栅极连接到第二节点n2。驱动TFT DT通过第二节点n2的电压导通或截止，并且当驱动TFT DT导通时，可以向第三节点n3供应由高电位电压供应线供应的高电位电压Vdd。
驱动TFT DT的第一电极或第二电极可以对应于源极或漏极。例如，第一电极对应于源极，第二电极可以对应于漏极。作为另一示例，第二电极对应于源极，第一电极可以对应于漏极。
在示例性实施例中，电容器Cst可以连接在第一节点n1与第二节点n2之间。例如，电容器Cst的第一电极连接到驱动TFT DT，并且可以连接到第二节点n2。电容器Cst的第二电极连接到第一TFT T1，并且可以连接到第一节点n1。作为另一示例，电容器Cst的第一电极可以连接到驱动TFT DT的栅极。电容器Cst的第二电极可以连接到第一TFT T1。
在示例性实施例中，电容器Cst可以包括存储电容器。存储电容器可以是充入电能(例如，电荷或数据电压)以将恒定电压维持一帧的部件。例如，当在驱动像素电路的过程中停止通过第一TFT T1输入数据电压时，电容器Cst向驱动TFT DT供应存储的电能，以在一帧期间维持对驱动TFT DT的驱动。
在示例性实施例中，电容器Cst可以是作为内部电容器的寄生电容器。然而，不限于此，电容器Cst也可以是设置在驱动TFT DT外部的外部电容器。
在示例性实施例中，第一TFT T1的第一电极可以连接到供应数据电压Vdata的数据电压供应线(或数据线)。第一TFT T1的第二电极可以连接到电容器Cst和第五TFT T5中的至少一个。例如，第一TFT T1的第二电极连接到电容器Cst，并且可以连接到第五TFT T5的第一电极。作为另一示例，第一TFT T1可以连接到第一节点n1。在这种情况下，第一TFTT1可以连接到与第一节点n1连接的另一配置，例如电容器Cst。根据示例性实施例，第一TFTT1可以被称为第一晶体管，但不受该术语限制。
作为另一示例性实施例，第一TFT T1的第二电极可以连接到供应数据电压Vdata的数据电压供应线。第一TFT T1的第一电极可以连接到电容器Cst和第五TFT T5中的至少一个。
在示例性实施例中，第一TFT T1的第一电极和第二电极可以对应于源极或漏极。例如，第一电极对应于源极，第二电极可以对应于漏极。可选择地，第一电极对应于漏极，第二电极可以对应于源极。类似地，下面要描述的TFT(例如，第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4和/或第五TFT T5)的第一电极或第二电极可以对应于源极或漏极。
在示例性实施例中，第一TFT T1的栅极可以连接到供应第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)的第一扫描线。第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)可以通过第一扫描线供应给第一TFT T1的栅极。因此，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)可以被供应给第一TFTT1。通过第一扫描线供应的第n像素行的第一扫描信号Scanl(n)可以被称为“第一扫描信号”或“第n个第一扫描信号”，但不受该术语限制。
在示例性实施例中，第一TFT T1可以根据第一扫描信号Scan1(n)而导通或截止。当第一TFT T1导通时，第一节点n1与数据电压供应线可以电连接。在这种情况下，数据电压Vdata可以通过数据电压供应线供应给第一节点n1。
在示例性实施例中，第二TFT T2可以连接到第二节点n2和/或第三节点n3。在示例性实施例中，第二TFT T2的第一电极可以连接到第二节点n2。第二TFT T2的第一电极可以连接到驱动TFT DT的栅极和电容器Cst中的至少一个。例如，第二TFT T2的第一电极可以连接到驱动TFT DT的栅极和电容器Cst。第二TFT T2的第二电极可以连接到第三节点n3。第二TFT T2的第二电极可以连接到第三TFT T3和驱动TFT DT中的至少一个。例如，第二TFT T2的第二电极可以连接到第三TFT T3的第一电极和驱动TFT DT的第二电极。
在示例性实施例中，第二TFT T2的栅极可以连接到供应第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)的第二扫描线。通过第二扫描线供应的第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)可以被称为“第二扫描信号”或“第n个第二扫描信号”，但不受该术语限制。
在示例性实施例中，第二TFT T2可以连接在第二节点n2与第三节点n3之间。第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)可以被供应给第二TFT T2。第二TFT T2可以根据第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)而导通或截止。当第二TFT T2导通时，第二TFT T2可以连接在第二节点n2与第三节点n3之间。第二TFT T2可以被称为第二晶体管，但不受该术语限制。
在示例性实施例中，第二TFT T2可以包括多个子晶体管。在这种情况下，第二TFTT2可以被称为多晶体管、双晶体管或双重晶体管。在另一示例性实施例中，第二TFT T2可以包括多个栅极。在这种情况下，第二TFT T2可以被称为多栅极晶体管、双栅极晶体管或双重栅极晶体管。
当第二TFT T2包括多个子晶体管或多个栅极时，从第二TFT T2泄漏的电流(例如，第二节点n2与基准电压供应线之间的漏电流)可以被有效地减少。
在示例性实施例中，第三TFT T3可以连接在第三节点n3与第四节点n4之间。第三TFT T3的第一电极连接到第三节点n3，第二电极可以连接到第四节点n4。第三TFT T3的第一电极可以连接到第二TFT T2和驱动TFT DT中的至少一个。例如，第三TFT T3的第一电极可以连接到第二TFT T2的第二电极和驱动TFT DT的第二电极。第三TFT T3的第二电极可以连接到第四TFT T4和发光二极管ED中的至少一个。例如，第三TFT T3的第二电极可以连接到第四TFT T4的第二电极和发光二极管ED。
在示例性实施例中，第三晶体管T3的栅极可以连接到供应第n像素行的发光信号EM(n)的发光信号线。第n像素行的发光信号可以被供应给第三TFT T3的栅极。第三TFT T3可以接收发光信号。第三TFT T3可以根据通过发光信号线供应的第n个发光信号EM(n)而导通或截止。当第三TFT T3导通时，第三TFT T3可以连接在第三节点n3与第四节点n4之间。第三TFT T3可以被称为第三晶体管，但不受该术语限制。
在示例性实施例中，第四晶体管T4可以连接到第五节点n5。第四TFT T4的第一电极可以连接到第五节点n5。第四TFT T4的第一电极可以连接到第五TFT T5和基准电压供应线中的至少一个。例如，第四TFT T4的第一电极可以连接到第五TFT T5的第二电极和基准电压供应线。这里，基准电压供应线可以包括供应基准电压Vref的线。
在示例性实施例中，第四TFT T4可以连接到第四节点n4。第四TFT T4的第二电极可以连接到第四节点n4。第四TFT T4的第二电极可以连接到第三TFT T3和发光二极管ED中的至少一个。例如，第四TFT T4的第二电极可以连接到第三TFT T3的第二电极和发光二极管ED。
在示例性实施例中，第四TFT T4的栅极可以连接到供应第n-1像素行(或前一像素行)的第二扫描信号Scan2(n-1)的第三扫描线。第四TFT T4可以根据通过第三扫描线供应的第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)而导通或截止。第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)可以被称为第n-1个第二扫描信号，但不限于此。第四TFT T4可以被称为第四晶体管，但不受该术语限制。
在示例性实施例中，当第四TFT T4导通时，第四TFT T4可以连接在第四节点n4与第五节点n5之间。例如，当第四TFT T4导通时，第四TFT T4连接在第四节点n4与第五节点n5之间，以将基准电压Vref充入第四节点n4。将基准电压Vref充入第四节点n4的时段可以对应于像素电路的预充电时段。将参照图6描述与其相关的更具体的示例。
在对第四节点n4充电之后，可以供应第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)。在这种情况下，第二TFT T2导通以执行像素电路的初始工作。第二TFT T2导通以执行像素电路的初始工作的时段可以对应于初始时段。将参照图7描述与其相关的更具体的示例。
如上所述，当将基准电压Vref充入第四节点n4时，即使第二TFT T2导通，也可以减少连接到发光二极管ED的第四节点n4的电极(例如阳极)的电压上升的影响。随着阳极的电压上升减小，可以减少在初始时段期间电压过度上升的初始峰值现象。随着初始峰值的减小，显示面板的边缘或中心处的不均衡亮度(例如黑点)改善，并且亮度均匀性可以提高。
在示例性实施例中，第五晶体管T5可以连接到第一节点n1。第五TFT T5的第一电极可以连接到第一节点n1。第一TFT T1的第一电极可以连接到电容器Cst和第一TFT T1中的至少一个。例如，第五TFT T5的第一电极连接到电容器Cst，并且可以连接到第一TFT T1的第二电极。第五TFT T5的第二电极可以连接到第五节点n5。第五TFT T5的第二电极可以连接到第四TFT T4和至少一条基准电压供应线。例如，第五TFT T5的第二电极可以连接到第四TFT T4和基准电压供应线。
在示例性实施例中，第五TFT T5的栅极可以连接到供应第n像素行的发光信号EM(n)的发光信号线。第五TFT T5可以接收发光信号。第五TFT T5可以根据通过发光信号线输入的第n像素行的发光信号EM(n)而导通或截止。当第五TFT T5导通时，第五TFT T5可以连接在第一节点n1与第五节点n5之间。当第五TFT T5导通时，可以将基准电压Vref充入第一节点n1。
在示例性实施例中，发光二极管ED可以连接在第四节点n4与低电位电压供应线之间。例如，发光二极管ED的阳极连接到第四节点n4，发光二极管ED的阴极可以连接到低电位电压供应线(或第二电压供应线)。这里，低电位电压供应线可以是供应低电位电压Vss的线。低电位电压Vss可以低于上述高电位电压Vdd。例如，通过低电位电压供应线供应的电压可以包括接地电压。可以预先设定低电位电压Vss和高电位电压Vdd。
在示例性实施例中，发光二极管ED可以在第四节点n4处连接到第四TFT T4和第三TFT T3。
根据示例性实施例，高电位电压Vdd被称为第一电压，低电位电压Vss可以被称为第二电压。高电位电压供应线被称为第一电压供应线，低电位电压供应线可以被称为第二电压供应线。在这种情况下，由第一电压供应线供应的电压可以高于由第二电压供应线供应的电压。
在示例性实施例中，发光二极管ED的第一电极(例如，阳极)可以连接到第三TFTT3和第四TFT T4。发光二极管ED的另一侧可以连接到低电位电压供应线。
在示例性实施例中，发光二极管ED可以包括有机发光二极管、无机发光二极管和量子点发光二极管中的至少一种。当发光二极管ED是有机发光二极管时，发光二极管ED的发光层可以包括包含有机材料的有机发光层。
在本公开的示例性实施例中，像素电路中包括的TFT可以是p型晶体管。例如，像素电路中包括的驱动TFT、第一TFT T1、第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4、第五TFT T5和第六TFT T6可以分别是p型晶体管。然而，它不限于此，并且根据示例性实施例，至少一个TFT可以由n型晶体管实现。
在p型TFT的情况下，每个驱动信号的低电平电压可以是使TFT导通的栅极导通电压，每个驱动信号的高电平电压可以是使TFT截止的栅极截止电压。在n型TFT的情况下，每个驱动信号的低电平电压可以是使TFT截止的栅极截止电压，并且每个驱动信号的高电平电压可以是使TFT导通的栅极导通电压。
这里，低电平电压可以对应于低于高电平的预定电压(或先前设定的电压)。高电平电压可以对应于高于低电平电压的预定电压(或先前设定的电压)。
根据本公开的示例性实施例，低电平电压可以是第一电压，高电平电压可以是第二电压，但是本公开的示例性实施例不限于此。在这种情况下，第一电压可以低于第二电压。
在示例性实施例中，显示设备的像素电路可以在预充电时段、初始时段(或初始化时段)、采样时段和发光时段中工作。将参照图5至图9更详细地描述上述时段。
根据示例性实施例，像素电路可以在保持时段中工作。保持时段可以是像素电路的驱动在将被维持的特定时间停止的时段。
图5是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的与像素电路相关的信号的时序的图。图5是用于说明输入(或供应)到图4的像素电路的信号和根据输入的信号的状态的像素电路的驱动时段的图。
参照图5，水平时间(HT)可以是一个像素行一次导通和截止的时间段。如果显示面板包括五个像素行，则显示面板一次导通和截止的时间可以对应于所有五个像素行一次导通和截止的时间段，例如5HT。根据示例性实施例，显示面板一次导通和截止的时间可以是一帧，但是本公开的示例性实施例不限于此。图5示出设置在第n像素行中的像素电路的驱动时序，并且以下描述是对设置在第n像素行中的像素电路的描述。
在示例性实施例中，像素电路的驱动时段可以包括预充电时段501、初始时段502、采样时段503和发光时段504。预充电时段501、初始时段502、采样时段503和发光时段504可以分别是顺序驱动时段。例如，初始时段502可以出现在已经过去预充电时段501之后。采样时段503可以出现在已经过去初始时段502之后。发光时段504可以出现在已经过去采样时段503之后。根据示例性实施例，于采样时段502与发光时段504之间可以存在保持时段，但是本公开的示例性实施例不限于该示例。
在示例性实施例中，预充电时段501可以包括将基准电压Vref充入像素电路的特定节点的时段。例如，可以在预充电时段501期间将基准电压Vref充入像素电路的第一节点n1和第四节点n4。
在示例性实施例中，输入到像素电路的信号可以具有高电平(或高电平电压)或低电平(或低电平电压)。高电平和低电平中的每一个可以具有预定的信号值(或特定的电压值)。
在示例性实施例中，低电平可以是低于高电平的电压值。低电平可以是属于使p型TFT导通或使n型TFT截止的值的范围的电压。例如，低电平可以包括与-8V至-12V的范围对应的电压，但是本公开的示例性实施例不限于此。高电平可以属于可以使p型TFT截止或使n型TFT导通的电压值的范围。例如，高电平可以包括与6V至16V的范围对应的电压，但是本公开的示例性实施例不限于此。
在示例性实施例中，第一扫描信号的脉冲宽度可以小于第二扫描信号的脉冲宽度。在另一示例性实施例中，第一扫描信号的脉冲宽度可以等于或宽于第二扫描信号的脉冲宽度。
在示例性实施例中，在预充电时段501期间，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)和第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)输入为高电平。此外，第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)、第n-1像素行的发光信号EM(n-1)和第n像素行的发光信号EM(n)可以输入为低电平。
在示例性实施例中，第n-1像素行的发光信号EM(n-1)输入为低电平，然后可以在预充电时段502期间被改变为高电平。例如，第n-1像素行的发光信号EM(n-1)在预充电时段502的开始时间输入为低电平，然后可以在预充电时段的中间的预定时间被改变为高电平。第n-1像素行的发光信号EM(n-1)从低电平改变到高电平时的时间可以对应于水平时间HT的结束时间。例如，第n-1像素行的发光信号EM(n-1)可以在预充电时段501期间根据一个水平时段结束的时间而改变为高电平。
在示例性实施例中，可以在供应数据电压Vdata之前执行初始时段502。在初始时段502期间，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)和第n-1像素行的发光信号EM(n-1)可以输入为高电平电压。第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)、第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)和第n像素行的发光信号EM(n)可以输入为低电平电压。
在示例性实施例中，初始时段502可以在第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)的下降时间开始。例如，初始时段502可以基于第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)从高电平改变为低电平的事实开始。下降时间可以是信号从高电平电压改变为低电平电压时的时间。
在示例性实施例中，初始时段502结束的时间或第n-1像素行的水平时间HT结束时的时间可以对应于第n像素行的发光信号EM(n)的上升时间。这里，上升时间可以对应于信号从低电平改变为高电平时的时间。
在示例性实施例中，可以在向像素电路供应数据电压Vdata的同时执行采样时段503。例如，可以在每个水平时间HT向不同的像素列供应数据电压Vdata。在这种情况下，可以根据数据电压Vdata被供应给设置有像素电路的列的水平时段HT来执行图5的采样时段503。
在示例性实施例中，在采样时段503期间，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)可以输入为高电平和/或低电平。例如，在采样时段503的开始时间，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)可以输入为高电平。第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)可以在采样时段503中的预定时间之后改变为低电平。在采样时段503中，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)在预定时间段期间以低电平输入，然后可以再次改变为高电平。
在采样时段503期间，第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)可以输入为低电平。第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)可以输入为低电平。第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)输入为低电平，然后可以在特定时间之后输入为高电平。当第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)改变为高电平时，其可以被维持直到采样时段503结束为止。第n-1像素行的发光信号EM(n-1)和第n像素行的发光信号EM(n)可以输入为高电平。
在示例性实施例中，采样时段503可以响应于第n像素行的发光信号EM(n)的上升时间而开始。例如，采样时段503可以基于第n像素行的发光信号EM(n)从低电平改变到高电平的事实开始。采样时段503可以响应于第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)的上升时间而结束。例如，采样时段503可以基于第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)从低电平改变到高电平的事实而结束。
在示例性实施例中，可以在采样时段503之后执行发光时段504。在发光时段504中，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)、第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)和第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)可以输入为高电平。第n像素行的发光信号EM(n)和第n-1像素行的发光信号EM(n-1)可以输入为低电平。
在示例性实施例中，在采样时段503与发光时段504之间可以存在保持时段。保持时段可以响应于第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)的上升时间而开始。例如，保持时段可以从第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)从低电平改变为高电平时的时间开始。保持时段可以响应于第n像素行的发光信号EM(n)的下降时间而结束。例如，保持时段可以在第n像素行的发光信号EM(n)从高电平改变为低电平时的时间结束。
根据示例性实施例，在保持时段期间，像素电路的工作可以不改变。例如，在保持时段((诸如电压没有输入到要暂停的像素电路的状态)期间，可以一直保持采样时段503的结束时间或保持时段的开始时间的状态。
在示例性实施例中，图5的实线脉冲示出信号被输入的示例，虚线脉冲示出在将信号输入到像素电路的过程期间信号被延迟的示例。例如，栅极驱动电路如图5中实线脉冲所示将诸如第一扫描信号Scan1(n)、第二扫描信号Scan2(n-1)和Scan2(n)以及发光信号EM(n-1)和发光信号EM(n)的信号供应给像素电路，但是在供应信号的过程中，可能出现延迟。因此，信号可能如虚线脉冲所示输入到像素电路。其可以被认为是与像素电路的驱动相关的误差范围，并且相关事项可以被认为包括在本公开的示例性实施例的范围内。例如，当信号从低电平电压改变为高电平电压的同时发生延迟时，使得信号如虚线所示出现时，其可以包括在示例性实施例的范围内。
下面将参照图6至图9更详细地描述预充电时段501、初始时段502、采样时段503和发光时段504。在下文中，在附图中，将省略与上述内容重复的内容。
图6是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路在预充电时段中的驱动的图。例如，图6示出像素电路在图5的预充电时段501中的工作。
参照图6，第四TFT T4可以在预充电时段期间导通。可以基于导通的第四晶体管T4将基准电压Vref充入(或预充入)第四节点n4。发光二极管ED的阳极可以连接到第四节点n4，并且在这种情况下，可以将基准电压Vref充入发光二极管ED的阳极。
根据示例性实施例，在预充电期间，第三TFT T3和/或第五TFT T5可以导通。当第三TFT T3导通时，可以将基准电压Vref充入第三节点n3。当第五TFT T5导通时，可以将基准电压Vref充入第一节点n1。
在示例性实施例中，第三TFT T3的栅极和第五TFT T5的栅极可以接收第n像素行的发光信号EM(n)。在这种情况下，在预充电时段期间，第三TFT T3和第五TFT T5可以导通。例如，第三TFT T3可以随着第五TFT T5导通而一起导通。
在示例性实施例中，第三TFT T3、第四TFT T4和第五TFT T5可以包括p型晶体管。第四TFT T4可以在第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)输入为低电平时导通。第五TFTT5可以在第n像素行的发光信号EM(n)输入为低电平时导通。第三TFT T3可以在第n像素行的发光信号EM(n)输入为低电平时导通。
在另一示例性实施例中，第四TFT T4接收第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)，并且第三TFT T3的栅极和第五TFT T5的栅极可以接收与第n像素行的发光信号EM(n)不同的信号。例如，第四TFT T4接收低电平的第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)，第三TFT T3和第五TFT T5可以接收不同的高电平信号。在这种情况下，第四TFT T4导通，并且第三TFT T3和第五TFT T5可以截止。当第四TFT T4导通时，可以将基准电压Vref充入四节点n4。通过这样做，预充电时段可以工作。
图7是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路在初始时段中的驱动的图。例如，图7示出像素电路在图5的初始时段502中的工作。
参照图7，在初始时段期间，第二TFT T2、第三TFT T3、第四TFT T4和第五TFT T5可以导通。当第二TFT T2和第五TFT T5导通时，基准电压Vref可以输入到第一节点n1、第二节点n2、第三节点n3和第四节点n4。在这种情况下，可以用基准电压Vref初始化第二节点n2和第三节点n3。可以在第四节点n4处维持基准电压Vref的充入。例如，基准电压Vref被持续地输入到第四节点n4，从而可以维持充电状态。
在示例性实施例中，在初始时段期间，第二TFT T2导通，使得基准电压Vref可以输入到驱动TFT DT的栅极。基准电压Vref可以作为将驱动TFT DT初始化的初始化电压来工作。高电位电压(或第一电压)Vdd可以输入到驱动TFT DT的第一电极(或源极)。在这种情况下，驱动TFT DT的栅极-源极电压可以对应于“基准电压Vref-高电位电压Vdd”。
在示例性实施例中，供应低电位电压Vss的低电位电压供应线可以连接到发光二极管ED，例如发光二极管ED的阴极。低电位电压供应线设置在发光二极管ED的上端，以连接到阴极的至少一部分。根据示例性实施例，低电位电压供应线可以设置为平行于数据电压供应线、基准电压供应线和/或高电位电压供应线或在同一平面上，但不限于此。
在示例性实施例中，数据电压供应线、基准电压供应线和高电位电压供应线中的至少一部分可以设置为平行。例如，数据电压供应线、基准电压供应线和高电位电压供应线可以设置在彼此平行的平面上。
在示例性实施例中，当第n像素行的像素电路在初始时段中工作时，第n-1像素行的像素电路可以在第n像素行的像素电路之前1HT的步骤中执行工作。例如，当第n像素行的像素电路在初始时段中工作时，第n-1像素行的像素电路可以执行采样时段的工作。下面将参照图8描述采样时段的工作。
图8是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备的像素电路在采样时段中的驱动的图。例如，图8示出像素电路在图5的采样时段503中的工作。
参照图8，在采样时段中，第一TFT T1和第二TFT T2可以导通。在采样时段中，第三TFT T3、第四TFT T4和第五TFT T5可以截止。当第一TFT T1导通时，数据电压Vdata可以输入到第一节点n1。数据电压Vdata可以被充入到电容器Cst中。
在示例性实施例中，在采样时段中，第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)和第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)可以输入为低电平。第n像素行的发光信号EM(n)和第n-1像素行的第二扫描信号Scan2(n-1)可以输入为高电平。
在示例性实施例中，采样时段可以在第n像素行的发光信号EM(n)输入为高电平时开始。例如，当第n像素行的发光信号EM(n)输入为高电平时，可以停止关于第一节点n1和第三节点n3的基准电压Vref的输入。此时，由于第n像素行的第一扫描信号Scan1(n)和第n像素行的第二扫描信号Scan2(n)输入为低电平，所以数据电压Vdata输入到第一节点n1，并且高电位电压Vdd可以输入到第三节点n3。因此，可以执行采样工作。
在示例性实施例中，在采样时段期间，与高电位电压Vdd和驱动TFT DT的阈值电压Vth之和对应的“Vdd+Vth”电平的电压可以由第二TFT T2充入第二节点n2中。
在示例性实施例中，在采样时段期间，与“高电位电压Vdd和阈值电压Vth之和”对应的电压(即，通过完全补偿阈值电压Vth而获得的电压Vdd+Vth)可以输入到驱动TFT DT的栅极。高电位电压Vdd可以输入到驱动TFT DT的源极。在这种情况下，驱动TFT DT的栅极-源极电压可以对应于阈值电压Vth。在像素电路中，电流可以流动，直到驱动TFT DT的栅极-源极电压对应于阈值电压Vth为止。
在采样时段期间，当数据电压Vdata输入到第一节点n1并且驱动TFT的阈值电压Vth在第二节点n2被完全补偿时，通过完全补偿阈值电压Vth而获得的数据电压Vdd+Vth-Vdata可以输入到驱动TFT DT的栅极。
在示例性实施例中，当采样时段结束时，保持时段可以开始。保持时段可以是维持像素电路的状态(例如，在采样工作之后设定的每个节点处的电压)的时段。作为另一示例，保持时段可以是维持由采样时段设定的驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs的时段。
在示例性实施例中，响应于输入到像素电路的第一扫描信号、第二扫描信号和发光信号的高电平，采样时段结束并且保持时段可以开始。在保持时段期间，像素电路可以维持预定状态。例如，所有的第一TFT T1至第五TFT T5可以维持截止状态。保持期间可以从采样期间结束时的时间维持到发光时段开始时的时间。
图9是用于说明根据本公开的示例性实施例的显示设备在发光时段中的信号流的图。例如，图9示出像素电路在图5的发光时段504中的工作。
参照图9，在发光时段中，第三TFT T3和第五TFT T5可以导通。在发光时段中，第一TFT T1、第二TFT T2和第四TFT T4可以截止。在发光时段中，驱动TFT DT可以导通。
在示例性实施例中，当第三TFT T3导通时，存储在电容器Cst中的电压可以供应给发光二极管ED。发光二极管ED可以在输入电容器Cst中存储的电压时发光。
在示例性实施例中，在发光时段期间，当基准电压Vref通过第五TFT T5输入到第一节点n1时，第一节点n1的电压可以变化到“Vdata-Vref”，并且变化的电压Vdata-Vref可以通过电容器Cst的耦合输入到第二节点n2。因此，在发光时段期间，“Vdd+Vth+(Vref-Vdata)”可以输入到驱动TFT DT的栅极。高电位电压Vdd可以输入到驱动TFT DT的源极(或第一电极)。在这种情况下，驱动TFT DT的栅极-源极电压Vgs可以被确定为“Vth+(Vref-Vdata)”。因此，驱动TFT DT产生与“Vref-Vdata”成比例的电流，而不受阈值电压Vth的影响，以通过第三TFT T3向发光二极管ED供应电流。
图10A和图10B是用于说明根据本公开的示例性实施例的基于显示设备的像素电路的驱动的模拟结果的示例的图。
图10A示出像素电路在没有预充电时段的情况下工作的模拟结果的示例。参照图10A，第n像素行的发光信号1001、第n像素行的第二信号1002、第n像素行的第一扫描信号1003可以输入到像素电路。
图10B示出根据本公开的示例性实施例的包括预充电时段的情况下工作的像素电路的模拟结果的示例。参照图10B，第n像素行的第二扫描信号1006、第n-1像素行的第二扫描信号1007、第n像素行的发光信号1005和第n像素行的第一扫描信号1008可以输入到像素电路。
参照图10A和图10B，第n-1像素行的第二扫描信号1007(在下文中，第n-1个第二扫描信号)可以输入到图10B的像素电路，该像素电路可以在预充电时段中工作。在输入第n-1个第二扫描信号1007之后，像素电路可以在初始时段1020中工作。
参照图10A，在不具有预充电时段的像素电路的情况下，可能发生发光二极管的阳极电压1004在初始时段1010中急剧上升到高于预定电压值的初始峰值现象。相反，参照图10B，在具有预充电时段的像素电路的情况下，发光二极管的阳极电压1009可以被平缓地改变到低于预定电压值。在这种情况下，初始峰值现象被改善以提高显示设备的质量。
图11A和图11B是用于说明根据本公开的示例性实施例的基于显示设备的像素电路的驱动的模拟结果的另一示例的图。
图11A示出根据本公开的示例性实施例的省略了预充电时段的像素电路的阳极电压1101和可在预充电时段中工作的像素电路的阳极电压1102。
参照图11A，当省略了预充电时段时，阳极电压1101可能急剧上升。相反，当包括预充电时段时，与阳极电压1101相比，阳极电压1102可以平缓地改变而不急剧地改变。
图11B示出省略了预充电时段的像素电路的初始峰值1103和可在预充电时段中工作的像素电路的初始峰值1104。
参照图11B，当省略预充电时段时，初始峰值1103急剧上升，使得峰值可以被示出为高于预定值。相反，当包括预充电时段时，与初始峰值1103相比，初始峰值1104可以被示出为平缓地改变。
根据本公开的一个方面的像素电路包括：第一电容器，该第一电容器连接在第一节点与第二节点之间；第一晶体管，该第一晶体管连接到第一节点并被供应一个像素行的第一扫描信号；驱动晶体管，该驱动晶体管包括连接到第二节点的栅极、连接到第一电压供应线的第一电极和连接到第三节点的第二电极；第二晶体管，该第二晶体管连接在第二节点与第三节点之间并被供应第二扫描信号；第三晶体管，该第三晶体管连接在第三节点与第四节点之间；第四晶体管，该第四晶体管连接到第四节点并被供应该像素行的前一像素行的第二扫描信号；以及发光二极管，该发光二极管在第四节点处连接到第四晶体管和第三晶体管。
发光二极管还可以连接到第二电压供应线，并且第一电压供应线供应的电压可以大于第二电压供应线供应的电压。
第一晶体管还可以连接到数据电压供应线。
第三晶体管可以被供应发光信号。
第二晶体管可以包括多个栅极。
像素电路还可以包括：第五晶体管，该第五晶体管连接到第一节点并被供应发光信号。
第四晶体管和第五晶体管还可以连接到基准电压供应线。
驱动像素电路的时段可以包括预充电时段、初始化时段、采样时段和发光时段，并且在预充电时段期间，来自基准电压供应线的基准电压可以通过第四晶体管输入到第四节点。
在初始化时段中，基准电压可以通过第四晶体管、第三晶体管和第二晶体管输入到第二节点。
根据本公开的另一方面的显示设备包括：像素电路，该像素电路包括设置有多个子像素的多个像素行并以预充电时段、初始时段、采样时段和发光时段工作；数据驱动电路，该数据驱动电路连接到像素电路；以及栅极驱动电路，该栅极驱动电路向多个像素行中的每一个供应第一扫描信号、第二扫描信号和发光信号，其中，在预充电时段中，从多个像素行中的第n(n是自然数)像素行供应的第n个第一扫描信号和第n个第二扫描信号是第一电平，并且第n-1个第二扫描信号和第n个发光信号是低于第一电平的第二电平。
显示设备还可以包括：第一电容器，该第一电容器连接在第一节点与第二节点之间；第一晶体管，该第一晶体管连接到第一节点并被供应第n个第一扫描信号；驱动晶体管，该驱动晶体管包括连接到第二节点的栅极、连接到第一电压供应线的第一电极和连接到第三节点的第二电极；第二晶体管，该第二晶体管连接在第二节点与第三节点之间并被供应第n个第二扫描信号；第三晶体管，该第三晶体管连接在第三节点与第四节点之间；第四晶体管，该第四晶体管连接到第四节点并被供应第n-1个第二扫描信号；以及发光二极管，该发光二极管在第四节点处连接到第四晶体管和第三晶体管。
发光二极管还可以连接到第二电压供应线，并且由第一电压供应线供应的电压可以高于由第二电压供应线供应的电压。
第一晶体管还可以连接到数据电压供应线，并且数据驱动电路通过数据电压供应线向第一晶体管供应数据电压。
第三晶体管可以接收第n个发光信号。
第二晶体管可以包括多个栅极。
显示设备还可以包括：第五晶体管，该第五晶体管连接到第一节点并被供应第n个发光信号。
第四晶体管和第五晶体管还可以连接到基准电压供应线。
尽管已经参照附图详细描述了本公开的示例性实施例，但是本公开不限于此，并且可以在不脱离本公开的技术构思的情况下以许多不同的形式实施。因此，提供本公开的示例性实施例仅为了说明性目的而不旨在限制本公开的技术构思。本公开的技术构思的范围不限于此。因此，应当理解，上述示例性实施例在所有方面都是说明性的，并且不限制本公开。本公开的保护范围应该基于所附权利要求来解释，并且其等效范围中的所有技术构思应该被解释为落入本公开的范围内。

Claims (17)

1.一种像素电路，包括：
第一电容器，所述第一电容器连接在第一节点与第二节点之间；
第一晶体管，所述第一晶体管连接到所述第一节点并被供应一个像素行的第一扫描信号；
驱动晶体管，所述驱动晶体管包括连接到所述第二节点的栅极、连接到第一电压供应线的第一电极和连接到第三节点的第二电极；
第二晶体管，所述第二晶体管连接在所述第二节点与所述第三节点之间并被供应第二扫描信号；
第三晶体管，所述第三晶体管连接在所述第三节点与第四节点之间；
第四晶体管，所述第四晶体管连接到所述第四节点并被供应所述一个像素行的前一像素行的第二扫描信号；以及
发光二极管，所述发光二极管在所述第四节点处连接到所述第四晶体管和所述第三晶体管。
2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述发光二极管还连接到第二电压供应线，并且所述第一电压供应线供应的电压大于所述第二电压供应线供应的电压。
3.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述第一晶体管还连接到数据电压供应线。
4.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述第三晶体管被供应发光信号。
5.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述第二晶体管包括多个栅极。
6.根据权利要求1所述的像素电路，还包括：
第五晶体管，所述第五晶体管连接到所述第一节点并被供应发光信号。
7.根据权利要求6所述的像素电路，其中，所述第四晶体管和所述第五晶体管还连接到基准电压供应线。
8.根据权利要求7所述的像素电路，其中，驱动所述像素电路的时段包括预充电时段、初始化时段、采样时段和发光时段，并且在所述预充电时段期间，来自所述基准电压供应线的基准电压通过所述第四晶体管输入到所述第四节点。
9.根据权利要求8所述的像素电路，其中，在所述初始化时段中，所述基准电压通过所述第四晶体管、所述第三晶体管和所述第二晶体管输入到所述第二节点。
10.一种显示设备，包括：
像素电路，所述像素电路包括设置有多个子像素的多个像素行并且在预充电时段、初始时段、采样时段和发光时段中工作；
数据驱动电路，所述数据驱动电路连接到所述像素电路；以及
栅极驱动电路，所述栅极驱动电路向所述多个像素行中的每一个供应第一扫描信号、第二扫描信号和发光信号，
其中，在所述预充电时段中，从所述多个像素行中的第n像素行供应的第n个第一扫描信号和第n个第二扫描信号是第一电平，并且第n-1个第二扫描信号和第n个发光信号是比所述第一电平低的第二电平，其中，n是自然数。
11.根据权利要求10所述的显示设备，其中，所述像素电路包括：
第一电容器，所述第一电容器连接在第一节点与第二节点之间；
第一晶体管，所述第一晶体管连接到所述第一节点并被供应所述第n个第一扫描信号；
驱动晶体管，所述驱动晶体管包括连接到所述第二节点的栅极、连接到第一电压供应线的第一电极和连接到第三节点的第二电极；
第二晶体管，所述第二晶体管连接在所述第二节点与所述第三节点之间，并被供应所述第n个第二扫描信号；
第三晶体管，所述第三晶体管连接在所述第三节点与第四节点之间；
第四晶体管，所述第四晶体管连接到所述第四节点并被供应所述第n-1个第二扫描信号；以及
发光二极管，所述发光二极管在所述第四节点处连接到所述第四晶体管和所述第三晶体管。
12.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述发光二极管还连接到第二电压供应线，并且由所述第一电压供应线供应的电压高于由所述第二电压供应线供应的电压。
13.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第一晶体管还连接到数据电压供应线，并且所述数据驱动电路通过所述数据电压供应线向所述第一晶体管供应数据电压。
14.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第三晶体管接收所述第n个发光信号。
15.根据权利要求11所述的显示设备，其中，所述第二晶体管包括多个栅极。
16.根据权利要求11所述的显示设备，还包括：
第五晶体管，所述第五晶体管连接到所述第一节点并被供应所述第n个发光信号。
17.根据权利要求16所述的显示设备，其中，所述第四晶体管和所述第五晶体管还连接到基准电压供应线。
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