CN114755858A - 一种led背光面板及led面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种LED背光面板及LED面板，涉及液晶显示技术领域，包括LED发光电路和外部电路，LED发光电路包含多个像素电路。本发明通过像素电路的温度侦测单元I，及时侦测到LED的温度变化并反馈给外部电路的温度侦测单元II，温度侦测单元II将侦测值提供给温度补偿单元，温度补偿单元将补偿值提供给综合补偿单元，综合补偿单元将综合补偿值提供给驱动单元II，改变驱动电压，维持LED的亮度变化在15％以内。本发明控制精度高，避免LED局部温度过高，解决了同一块显示屏中心散热问题，提高了LED的寿命和发光效率。

Description

一种LED背光面板及LED面板
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别是涉及一种LED背光面板及LED面板，涉及液晶显示技术领域。
背景技术
Micro LED(微发光二极管)被视为下一代的显示产品，相对于目前的LCD和OLED具有很大的优势，但Micro LED在巨量转移环节及关键设备上有很大的瓶颈。Mini LED作为过渡性技术，受到了很大的关注。Mini LED(毫米发光二极管)是指晶体尺寸在50-100μm的LED。相较于Micro LED，miniLED在制程上更具有可行性，更容易实现量产。
由于mini LED点间距越来越小，使用的LED芯片数量也越来越多，芯片尺寸变的更小，这导致驱动所需的驱动电流变小，需要驱动IC(Integrated Circuit集成电路)对电流能进行精准控制。因为使用大量的驱动IC和LED芯片，系统快速散热出现困难，LED背光工作一段时间后产生的热量会使周围的TFT(Thin Film Transistor薄膜场效应晶体管)环境温度上升。
TFT的驱动特性会随着温度及时间发生变化，IV曲线发生偏移。在同一驱动电压Vdata下，Id不同，进而LED的亮度也不相同。
同一块显示屏内，四周的散热优于中心。所以屏幕中心较四周更亮。Mini LED采用拼接的方式，那么整块背光会有n个亮点。背光的亮度不均匀，从而影响LCD整体的亮度不均匀。另外，不同温度下，LED的发光曲线也会往左偏移，温度升高影响LED的寿命和发光效率。
由上可知，如何在mini LED设计阶段避免局部温度过高是亟需解决的问题。
发明内容
为了克服上述现有技术存在的不足，本发明提供了一种显示面板正负电压对称的方法。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种LED背光面板，包括LED发光电路和外部电路，所述LED发光电路包含多个像素电路；
每个所述像素电路均包括：
驱动单元I，用于驱动LED发光；
热敏电阻R1，围绕在LED四周；
温度侦测单元I，用于侦测所述热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；
驱动侦测单元I，用于侦测驱动单元I中TFT的导通情况；
所述外部电路包括：
温度侦测单元II，用于接收所述温度侦测单元I反馈的热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；
驱动侦测单元II，用于接收所述驱动侦测单元I反馈的驱动单元I中TFT的导通情况；
温度补偿单元，用于根据热敏电阻R1两端的电压或电流变化值计算LED温度补偿值；
驱动补偿单元，用于根据驱动单元I中TFT的导通情况计算LED驱动电压或电流补偿值；
综合补偿单元，将LED温度补偿值和LED驱动电压或电流补偿值与对照值进行比较，根据比较结果计算综合电压补偿值；
驱动单元II，接收综合电压补偿值，改变驱动单元I的驱动电压。
优选地，当所述系统为电压侦测时，所述温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4、薄膜晶体管T5、热敏电阻R1和固定电阻R2，所述薄膜晶体管T5用于侦测K点的电压值；
所述薄膜晶体管T4的源极和栅极均连接Vdc讯号，漏极串接热敏电阻R1和固定电阻R2后连接横向的参考电压Vref；
所述薄膜晶体管T5的栅极与Vscan讯号连接，源极与热敏电阻R1和固定电阻R2的公共端K点连接，漏极将K点的电压V-se2回传至温度侦测单元II。
优选地，参考电压Vref的高电位等于Vdc电位，当Vscan讯号打开时，Vref+dVR1+dVR2低于Vdc-Vth，薄膜晶体管T4打开进行热敏电阻R1的温度侦测行为；
其中，dVR1为热敏电阻R1上的分压，dVR2为固定电阻R2上的分压，Vth为薄膜晶体管T4的阈值电压Vth。
优选地，当所述系统为电压侦测时，所述温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4、薄膜晶体管T5、热敏电阻R1和固定电阻R2，所述薄膜晶体管T5用于侦测K点的电压值；
所述薄膜晶体管T4的栅极与T4控制讯号连接，源极与Vdc讯号连接，漏极串接热敏电阻R1和固定电阻R2后连接横向的参考电压Vref；
所述薄膜晶体管T5的栅极与Vscan讯号连接，源极与热敏电阻R1和固定电阻R2的公共端K点连接，漏极将K点的电压V-se2回传至温度侦测单元II。
优选地，参考电压Vref为定电压，当薄膜晶体管T4打开时，Vref+dVR1+dVR2低于Vgh-Vdc-Vth；
其中，dVR1为热敏电阻R1上的分压，dVR2为固定电阻R2上的分压，Vth为薄膜晶体管T4的阈值电压Vth。
优选地，当所述系统为电流侦测时，所述温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4和热敏电阻R1；
所述薄膜晶体管T4的栅极连接T4控制讯号，源极连接Vdc讯号，漏极通过热敏电阻R1与温度侦测单元II连接，将侦测的电流L-se2回传至温度侦测单元II。
优选地，所述驱动单元I包括薄膜晶体管T1和薄膜晶体管T2，所述薄膜晶体管T1的栅极与Vscan讯号连接，源极连接驱动电压Vdata，漏极与薄膜晶体管T2的栅极连接；薄膜晶体管T2的源极与VDD连接，漏极与LED连接；
所述驱动侦测单元I包括薄膜晶体管T3，其栅极连接T3控制讯号，源极连接在LED与所述薄膜晶体管T2的漏极之间，用于侦测薄膜晶体管T2的导通情况；其漏极将侦测值反馈给驱动侦测单元II。
优选地，所述温度侦测单元II于每M帧接收一次温度侦测值，M>＝1；所述温度侦测值为热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；所述综合补偿单元根据温度侦测值及LED驱动电压或电流补偿值计算后面M帧的驱动电压Vdata的补偿值。
优选地，所述综合补偿单元结合了所述驱动补偿单元的补偿值和温度补偿单元的补偿值，得到综合电压补偿值，提供给驱动单元II，改变原Vdata的值，使LED的亮度变化维持在±15％以内，其中温度补偿单元包含出厂时建立的“侦测值-温度对照表”。
优选地，所述LED背光面板在layout图中设置有散热区，即LED的焊盘尺寸比LED正负极大的部分称为散热区，正负极焊盘的间距保持不变。
优选地，在layout图中，热敏电阻走线与LED焊盘的位置形成交叠的区域，，且热敏电阻的金属层与焊盘pad所在的金属层之间的绝缘层厚度应尽量薄。
优选地，将面板分成N个区域(其中N≥1)，不同区域的制程和走线阻值有差异，建立每个区域出厂时的“侦测值-温度对照表”，用于校正背光面板不同区域制程和走线的差异。
本发明的另一目的在于提高一种LED面板，包括液晶面板和LED背光面板的组合搭配显示，所述LED面板采用上述LED背光面板进行温度侦测及
本发明提供的LED背光面板及LED面板具有以下益效果：
(1)该系统在发光电路中设置温度侦测单元I，温度侦测单元中包含热敏电阻，热敏电阻围绕在LED的四周，可快速检测LED的温度变化。
(2)驱动单元驱动LED发光，LED发光一段时间后温度上升，热敏电阻的阻值随之变化并引起温度侦测单元I的反馈值变化，外部电路侦测到反馈值的变化，由补偿单元计算补偿值并提供给驱动单元II，对驱动单元的Vdata值进行补偿，使LED的亮度变化维持在±15％以内，控制精度高，避免LED局部温度过高，解决了同一块显示屏中心散热问题，提高了LED的寿命和发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明提供的LED背光面板的逻辑框图；
图2为本发明实施例1的LED发光电路中像素电路的示意图；
图3为本发明实施例1的温度侦测单元I中TFT的时序设计图；
图4为实施例1的LED发光电路的局部示意图；
图5为本发明实施例2的LED发光电路中像素电路的示意图；
图6为本发明实施例3的LED发光电路中像素电路的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种LED背光面板，如图1所示，包括LED发光电路和外部电路，LED发光电路包含多个像素电路；多个像素电路均向外部电路反馈侦测值。每个像素电路均包括驱动单元I、温度侦测单元I和驱动侦测单元I。外部电路包括温度侦测单元II、驱动侦测单元II、温度补偿单元、驱动补偿单元和综合补偿单元。
如图2所示，温度侦测单元I可以是电压侦测，此时温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4、薄膜晶体管T5、热敏电阻R1和固定电阻R2，薄膜晶体管T5用于侦测K点的电压值。
其中，驱动单元I用于驱动LED发光；热敏电阻R1，围绕在LED四周，用于检测LED的温度；LED发光一段时间后温度上升，热敏电阻R1的阻值随之变化并引起温度侦测单元I和驱动侦测单元I的侦测值变化。温度侦测单元I用于侦测热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；驱动侦测单元I用于侦测驱动单元I中TFT的导通情况；LED发光后温度上升引起温度侦测单元I和驱动侦测单元I的侦测值变化。本实施例中，热敏电阻R1可以是ITO、铜、镍或合金等材料。
温度侦测单元II用于接收温度侦测单元I反馈的热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；驱动侦测单元II用于接收驱动侦测单元I反馈的驱动单元I中TFT的导通情况；温度补偿单元用于根据热敏电阻R1两端的电压或电流变化值计算LED温度补偿值；驱动补偿单元用于根据驱动单元I中TFT的导通情况计算LED驱动电压或电流补偿值；综合补偿单元将LED温度补偿值和LED驱动电压或电流补偿值与对照值进行比较，根据比较结果计算综合电压补偿值；驱动单元II接收综合电压补偿值，改变驱动单元I的驱动电压，使LED的亮度变化维持在±15％以内，其中温度补偿单元包含出厂时建立的“侦测值-温度对照表”。
具体地，薄膜晶体管T4采用栅极与源极相连(self-gate)结构，其源极和栅极均连接漏极电源Vdc，漏极串接热敏电阻R1和固定电阻R2后连接横向的参考电压Vref；
薄膜晶体管T5的栅极与Vscan讯号连接，源极与热敏电阻R1和固定电阻R2的公共端K点连接，薄膜晶体管T5用于侦测K点的电压，薄膜晶体管T5的漏极将K点的电压V-se2回传至温度侦测单元II。
如图3所示，为了使薄膜晶体管T4的开关特性保持良好，本实施例中，参考电压Vref的高电位等于漏极电源Vdc电位，当Vscan讯号打开时，Vref+dVR1+dVR2需低于(Vdc-Vth)，可使薄膜晶体管T4打开进行对应像素热敏电阻R1的温度侦测行为。
其中，dVR1为热敏电阻R1上的分压，dVR2为固定电阻R2上的分压，Vth为薄膜晶体管T4的阈值电压Vth。
本实施例中，驱动单元I包括薄膜晶体管T1和薄膜晶体管T2，薄膜晶体管T1的栅极与Vscan讯号连接，源极连接驱动电压Vdata，漏极与薄膜晶体管T2的栅极连接；薄膜晶体管T2的源极与VDD连接，漏极与LED连接；
驱动侦测单元I包括薄膜晶体管T3，其栅极连接T3控制讯号，源极连接在LED与薄膜晶体管T2的漏极之间，用于侦测薄膜晶体管T2的导通情况；其漏极将侦测值反馈给驱动侦测单元II。侦测值传给外部驱动侦测单元II，并由驱动补偿单元计算出补偿值。
综合补偿单元结合了驱动补偿单元的补偿值和温度补偿单元的补偿值，得到综合电压补偿值，提供给驱动单元II，改变原驱动电压Vdata的值，使LED的亮度变化维持在±15％以内。
进一步地，本实施例中，温度侦测单元II于每M帧接收一次温度侦测值，M>＝1；温度侦测值为热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；综合补偿单元根据温度侦测值及LED驱动电压或电流补偿值计算后面M帧的驱动电压Vdata的补偿值。
本实施例中，在背板的layout图中，LED的焊盘尺寸比LED正负极达的部分称为散热区，散热娶的面积为LED正负极尺寸面积的10％-20％，正负极焊盘的间距保持不变。
进一步地，为了使温度侦测单元的反馈值更准确，在背板的layout图中，热敏电阻走线与LED焊盘的位置形成交叠的区域，且热敏电阻的金属层与焊盘pad所在的金属层之间的绝缘层厚度应尽量薄。
由于面板不同区域在制作过程中金属膜厚存在差异，将面板分成N个区域(其中N≥1)，不同区域的制程和走线阻值有差异，建立每个区域出厂时的“侦测值-温度对照表”，用于校正背光面板不同区域制程和走线的差异。
进一步地，本实施例中，薄膜晶体管T3、薄膜晶体管T4及和薄膜晶体管T5的源极和漏极均能够角色互换。
如图4所示为采用图2的温度侦测单元I构成的LED背光面板的架构图的局部视图，图中显示了4个LED像素电路。
实施例2
一种LED背光面板，如图1所示，包括LED发光电路和外部电路，LED发光电路包含多个像素电路；多个像素电路均向外部电路反馈侦测值。每个像素电路均包括驱动单元I、温度侦测单元I和驱动侦测单元I。外部电路包括温度侦测单元II、驱动侦测单元II、温度补偿单元、驱动补偿单元和综合补偿单元。
如图5所示，温度侦测单元I可以是电流侦测，此时温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4和热敏电阻R1。
其中，驱动单元I用于驱动LED发光；热敏电阻R1，围绕在LED四周，用于检测LED的温度；LED发光一段时间后温度上升，热敏电阻R1的阻值随之变化并引起温度侦测单元I和驱动侦测单元I的侦测值变化。温度侦测单元I用于侦测热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；驱动侦测单元I用于侦测驱动单元I中TFT的导通情况；LED发光后温度上升引起温度侦测单元I和驱动侦测单元I的侦测值变化。本实施例中，热敏电阻R1可以是ITO、铜、镍或合金等材料。
温度侦测单元II用于接收温度侦测单元I反馈的热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；驱动侦测单元II用于接收驱动侦测单元I反馈的驱动单元I中TFT的导通情况；温度补偿单元用于根据热敏电阻R1两端的电压或电流变化值计算LED温度补偿值；驱动补偿单元用于根据驱动单元I中TFT的导通情况计算LED驱动电压或电流补偿值；综合补偿单元将LED温度补偿值和LED驱动电压或电流补偿值与对照值进行比较，根据比较结果计算综合电压补偿值；驱动单元II接收综合电压补偿值，改变驱动单元I的驱动电压，使LED的亮度变化维持在±15％以内，其中温度补偿单元包含出厂时建立的“侦测值-温度对照表”。
进一步地，薄膜晶体管T4的栅极连接T4控制讯号(侦测时序讯号)，源极连接漏极电源Vdc，漏极通过热敏电阻R1与温度侦测单元II连接，将侦测的电流L-se2回传至温度侦测单元II。
本实施例中，驱动单元I包括薄膜晶体管T1和薄膜晶体管T2，薄膜晶体管T1的栅极与Vscan讯号连接，源极连接驱动电压Vdata，漏极与薄膜晶体管T2的栅极连接；薄膜晶体管T2的源极与漏极电源VDD连接，漏极与LED连接；
驱动侦测单元I包括薄膜晶体管T3，其栅极连接T3控制讯号，源极连接在LED与薄膜晶体管T2的漏极之间，用于侦测薄膜晶体管T2的导通情况；其漏极将侦测值反馈给驱动侦测单元II。侦测值传给外部驱动侦测单元II，并由驱动补偿单元计算出补偿值。
综合补偿单元结合了驱动补偿单元的补偿值和温度补偿单元的补偿值，得到综合电压补偿值，提供给驱动单元II，改变原驱动电压Vdata的值，使LED的亮度变化维持在±15％以内。
进一步地，本实施例中，温度侦测单元II于每M帧接收一次温度侦测值，M>＝1；温度侦测值为热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；综合补偿单元根据温度侦测值及LED驱动电压或电流补偿值计算后面M帧的驱动电压Vdata的补偿值。
本实施例中，在背板的layout图中，LED的焊盘尺寸比LED正负极达的部分称为散热区，散热娶的面积为LED正负极尺寸面积的10％-20％，正负极焊盘的间距保持不变。
进一步地，为了使温度侦测单元的反馈值更准确，在背板的layout图中，热敏电阻走线与LED焊盘的位置形成交叠的区域，且热敏电阻的金属层与焊盘pad所在的金属层之间的绝缘层厚度应尽量薄。
由于面板不同区域在制作过程中金属膜厚存在差异，将面板分成N个区域(其中N≥1)，不同区域的制程和走线阻值有差异，建立每个区域出厂时的“侦测值-温度对照表”，用于校正背光面板不同区域制程和走线的差异。
进一步地，本实施例中，薄膜晶体管T3和薄膜晶体管T4的源极和漏极均能够角色互换。
实施例3
一种LED背光面板，如图1所示，包括LED发光电路和外部电路，LED发光电路包含多个像素电路；多个像素电路均向外部电路反馈侦测值。每个像素电路均包括驱动单元I、温度侦测单元I和驱动侦测单元I。
外部电路包括温度侦测单元II、驱动侦测单元II、温度补偿单元、驱动补偿单元和综合补偿单元。如图6所示，当系统为电压侦测时，温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4、薄膜晶体管T5、热敏电阻R1和固定电阻R2，薄膜晶体管T5用于侦测K点的电压值。
其中，驱动单元I用于驱动LED发光；热敏电阻R1，围绕在LED四周，用于检测LED的温度；LED发光一段时间后温度上升，热敏电阻R1的阻值随之变化并引起温度侦测单元I和驱动侦测单元I的侦测值变化。温度侦测单元I用于侦测热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；驱动侦测单元I用于侦测驱动单元I中TFT的导通情况；LED发光后温度上升引起温度侦测单元I和驱动侦测单元I的侦测值变化。本实施例中，热敏电阻R1可以是ITO、铜、镍或合金等材料。
其中，温度侦测单元II用于接收温度侦测单元I反馈的热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；驱动侦测单元II用于接收驱动侦测单元I反馈的驱动单元I中TFT的导通情况；温度补偿单元用于根据热敏电阻R1两端的电压或电流变化值计算LED温度补偿值；驱动补偿单元用于根据驱动单元I中TFT的导通情况计算LED驱动电压或电流补偿值；综合补偿单元将LED温度补偿值和LED驱动电压或电流补偿值与对照值进行比较，根据比较结果计算综合电压补偿值；驱动单元II接收综合电压补偿值，改变驱动单元I的驱动电压，使LED的亮度变化维持在±15％以内，其中温度补偿单元包含出厂时建立的“侦测值-温度对照表”。
进一步地，薄膜晶体管T4的栅极与T4控制讯号连接，源极与漏极电源Vdc连接，漏极串接热敏电阻R1和固定电阻R2后连接横向的参考电压Vref。
薄膜晶体管T5的栅极与Vscan讯号连接，源极与热敏电阻R1和固定电阻R2的公共端K点连接，漏极将K点的电压V-se2回传至温度侦测单元II。
为了使薄膜晶体管T4的开关特性保持良好，参考电压Vref设置为定电压，当薄膜晶体管T4打开时，Vref+dVR1+dVR2低于Vgh-Vdc-Vth。
其中，dVR1为热敏电阻R1上的分压，dVR2为固定电阻R2上的分压，Vth为薄膜晶体管T4的阈值电压Vth。
本实施例中，驱动单元I包括薄膜晶体管T1和薄膜晶体管T2，薄膜晶体管T1的栅极与Vscan讯号连接，源极连接驱动电压Vdata，漏极与薄膜晶体管T2的栅极连接；薄膜晶体管T2的漏极与源极电源VDD连接，漏极与LED连接；
驱动侦测单元I包括薄膜晶体管T3，其栅极连接T3控制讯号，源极连接在LED与薄膜晶体管T2的漏极之间，用于侦测薄膜晶体管T2的导通情况；其漏极将侦测值反馈给驱动侦测单元II。侦测值传给外部驱动侦测单元II，并由驱动补偿单元计算出补偿值。
综合补偿单元结合了驱动补偿单元的补偿值和温度补偿单元的补偿值，得到综合电压补偿值，提供给驱动单元II，改变原驱动电压Vdata的值，使LED的亮度变化维持在±15％以内。
进一步地，本实施例中，温度侦测单元II于每M帧接收一次温度侦测值，M>＝1；温度侦测值为热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；综合补偿单元根据温度侦测值及LED驱动电压或电流补偿值计算后面M帧的驱动电压Vdata的补偿值。
本实施例中，在背板的layout图中，LED的焊盘尺寸比LED正负极达的部分称为散热区，散热娶的面积为LED正负极尺寸面积的10％-20％，正负极焊盘的间距保持不变。
进一步地，为了使温度侦测单元的反馈值更准确，在背板的layout图中，热敏电阻走线与LED焊盘的位置形成交叠的区域，且热敏电阻的金属层与焊盘pad所在的金属层之间的绝缘层厚度应尽量薄。
由于面板不同区域在制作过程中金属膜厚存在差异，将面板分成N个区域(其中N≥1)，不同区域的制程和走线阻值有差异，建立每个区域出厂时的“侦测值-温度对照表”，用于校正背光面板不同区域制程和走线的差异。
进一步地，本实施例中，薄膜晶体管T3、薄膜晶体管T4及和薄膜晶体管T5的源极和漏极均能够角色互换。
实施例4
本实施例供了一种LED面板，包括液晶面板和LED背光面板的组合搭配显示，LED面板采用实施例1至3中的任一个的LED背光面板进行温度侦测及补偿。本实施例不仅限于LED背光面板，OLED背光面板、mini LED背光面板、micro LED背光面板等含有驱动电路和发光单元的背光面板同样适用。
尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (13)

1.一种LED背光面板，其特征在于，包括LED发光电路和外部电路，所述LED发光电路包含多个像素电路；
每个所述像素电路均包括：
驱动单元I，用于驱动LED发光；
热敏电阻R1，围绕在LED四周；
温度侦测单元I，用于侦测所述热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；
驱动侦测单元I，用于侦测驱动单元I中TFT的导通情况；
所述外部电路包括：
温度侦测单元II，用于接收所述温度侦测单元I反馈的热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；
驱动侦测单元II，用于接收所述驱动侦测单元I反馈的驱动单元I中TFT的导通情况；
温度补偿单元，用于根据热敏电阻R1两端的电压或电流变化值计算LED温度补偿值；
驱动补偿单元，用于根据驱动单元I中TFT的导通情况计算LED驱动电压或电流补偿值；
综合补偿单元，将LED温度补偿值和LED驱动电压或电流补偿值与对照值进行比较，根据比较结果计算综合电压补偿值；
驱动单元II，接收综合电压补偿值，改变驱动单元I的驱动电压。
2.根据权利要求1所述的LED背光面板，其特征在于，当所述系统为电压侦测时，所述温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4、薄膜晶体管T5、热敏电阻R1和固定电阻R2，所述薄膜晶体管T5用于侦测K点的电压值；
所述薄膜晶体管T4的源极和栅极均连接Vdc讯号，漏极串接热敏电阻R1和固定电阻R2后连接横向的参考电压Vref；
所述薄膜晶体管T5的栅极与Vscan讯号连接，源极与热敏电阻R1和固定电阻R2的公共端K点连接，漏极将K点的电压V-se2回传至温度侦测单元II。
3.根据权利要求2所述的LED背光面板，其特征在于，参考电压Vref的高电位等于Vdc电位，当Vscan讯号打开时，Vref+dVR1+dVR2低于Vdc-Vth，薄膜晶体管T4打开进行热敏电阻R1的温度侦测行为；
其中，dVR1为热敏电阻R1上的分压，dVR2为固定电阻R2上的分压，Vth为薄膜晶体管T4的阈值电压Vth。
4.根据权利要求1所述的LED背光面板，其特征在于，当所述系统为电压侦测时，所述温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4、薄膜晶体管T5、热敏电阻R1和固定电阻R2，所述薄膜晶体管T5用于侦测K点的电压值；
所述薄膜晶体管T4的栅极与T4控制讯号连接，源极与Vdc讯号连接，漏极串接热敏电阻R1和固定电阻R2后连接横向的参考电压Vref；
所述薄膜晶体管T5的栅极与Vscan讯号连接，源极与热敏电阻R1和固定电阻R2的公共端K点连接，漏极将K点的电压V-se2回传至温度侦测单元II。
5.根据权利要求4所述的LED背光面板，其特征在于，参考电压Vref为定电压，当薄膜晶体管T4打开时，Vref+dVR1+dVR2低于Vgh-Vdc-Vth；
其中，dVR1为热敏电阻R1上的分压，dVR2为固定电阻R2上的分压，Vth为薄膜晶体管T4的阈值电压Vth。
6.根据权利要求1所述的LED背光面板，其特征在于，当所述系统为电流侦测时，所述温度侦测单元I包括薄膜晶体管T4和热敏电阻R1；
所述薄膜晶体管T4的栅极连接T4控制讯号，源极连接Vdc讯号，漏极通过热敏电阻R1与温度侦测单元II连接，将侦测的电流L-se2回传至温度侦测单元II。
7.根据权利要求2或4或6所述的LED背光面板，其特征在于，所述驱动单元I包括薄膜晶体管T1和薄膜晶体管T2，所述薄膜晶体管T1的栅极与Vscan讯号连接，源极连接驱动电压Vdata，漏极与薄膜晶体管T2的栅极连接；薄膜晶体管T2的源极与VDD连接，漏极与LED连接；
所述驱动侦测单元I包括薄膜晶体管T3，其栅极连接T3控制讯号，源极连接在LED与所述薄膜晶体管T2的漏极之间，用于侦测薄膜晶体管T2的导通情况；其漏极将侦测值反馈给驱动侦测单元II。
8.根据权利要求7所述的LED背光面板，其特征在于，所述温度侦测单元II于每M帧接收一次温度侦测值，M>＝1；所述温度侦测值为热敏电阻R1两端的电压或电流变化值；所述综合补偿单元根据温度侦测值及LED驱动电压或电流补偿值计算后面M帧的驱动电压Vdata的补偿值。
9.根据权利要求8所述的LED背光面板，其特征在于，所述综合补偿单元结合了所述驱动补偿单元的补偿值和温度补偿单元的补偿值，得到综合电压补偿值，提供给驱动单元II，改变原Vdata的值，使LED的亮度变化维持在±15％以内，其中温度补偿单元包含出厂时建立的“侦测值-温度对照表”。
10.根据权利要求8所述的LED背光面板，其特征在于，所述LED背光面板在layout图中设置有散热区，即LED的焊盘尺寸比LED正负极大的部分称为散热区，正负极焊盘的间距保持不变。
11.根据权利要求10所述的LED背光面板，其特征在于，在layout图中，热敏电阻走线与LED焊盘的位置形成交叠的区域。
12.根据权利要求9所述的LED背光面板，其特征在于，将面板分成N个区域，N≥1；不同区域的制程和走线阻值有差异，建立每个区域出厂时的“侦测值-温度对照表”，用于校正背光面板不同区域制程和走线的差异。
13.一种LED面板，其特征在于，包括液晶面板和LED背光面板的组合搭配显示，所述LED面板采用权利要求1至12中的任一项所述的LED背光面板进行温度侦测及补偿。
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