WO2020240815A1

WO2020240815A1 - 表示装置およびその駆動方法

Info

Publication number: WO2020240815A1
Application number: PCT/JP2019/021699
Authority: WO
Inventors: 守屋　政明; 上野　雅史; 直樹塩原
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2019-05-31
Filing date: 2019-05-31
Publication date: 2020-12-03
Also published as: CN113853645A; US20220215802A1; US11854478B2

Abstract

本願は、構成の複雑化を抑えつつ表示パネルにおける温度分布を考慮した正確な外部補償を行える電流駆動型の表示装置を開示する。有機ＥＬ表示装置の表示部（５００）に、マトリクス状に配置された画素回路（１０）に加えて複数の温度検出回路（１２）が設けられている。温度検出回路（１２）は、有機ＥＬ素子を除き画素回路（１０）と同様の構成を有する。データ側駆動回路（２００）は、各温度検出回路（１２）内のトランジスタに流れる電流を測定する。表示制御回路（１００）は、その測定値から当該トランジスタの温度特性に基づき温度を求め、当該温度から各画素回路（１０）の温度を推定し、各画素回路（１０）の駆動トランジスタにつき特性検出時に測定される電流値を当該画素回路の推定温度を考慮して補正し、補正後の電流値に基づき、駆動トランジスタの閾値電圧やゲインのバラツキ等を補償するための補正データを更新する。

Description

表示装置およびその駆動方法

　本発明は表示装置に関し、より詳しくは、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示装置等の電流で駆動される表示素子を備えた電流駆動型の表示装置およびその駆動方法に関する。

　薄型、高画質、低消費電力の表示装置として、有機ＥＬ表示装置が知られている。アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置は、２次元状に配置された複数の画素回路を備え、各画素回路は有機ＥＬ素子、駆動トランジスタ、および保持キャパシタを含む。有機ＥＬ素子は、駆動電流に応じて輝度が変化する自発光型の表示素子である。駆動トランジスタは、保持キャパシタに書き込まれるデータ電圧に応じて、有機ＥＬ素子に流れる駆動電流を制御する。

　一般に、画素回路内の駆動トランジスタには、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」と略称する）が使用される。具体的には、駆動トランジスタには、アモルファスシリコンＴＦＴ、低温ポリシリコンＴＦＴ、酸化物ＴＦＴ（「酸化物半導体ＴＦＴ」とも呼ばれる）等が使用される。酸化物ＴＦＴは、半導体層を酸化物半導体で形成したＴＦＴである。酸化物ＴＦＴには、例えば、酸化インジウムガリウム亜鉛（Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ）が用いられる。

　ＴＦＴ等のＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタのゲインは、移動度、チャネル幅、チャネル長、ゲート絶縁膜容量等によって決定され、ＭＯＳトランジスタを流れる電流の量は、ゲート－ソース間電圧、ゲイン、閾値電圧等に応じて変化する。駆動トランジスタにＴＦＴを使用した場合、閾値電圧や移動度等にバラツキが生じ、これにより、有機ＥＬ素子に流れる駆動電流の量にバラツキが生じる。その結果、表示画像に輝度むらが生じ、表示品位が低下する。

　これに対し、駆動トランジスタの特性のバラツキによる表示画像の輝度むらを抑制するために、駆動トランジスタから有機ＥＬ素子に供給すべき駆動電流を画素回路の外部に取り出して測定し、その測定結果に基づいて当該特性バラツキが補償されるように、各画素回路に書き込むべきデータ電圧を補正するように構成されたものがある。このような構成により駆動トランジスタの特性のバラツキを補償する方式を、以下では「外部補償方式」と呼ぶものとする。

　特許文献１（国際公開第２０１４／０２１２０１号）には、このような外部補償方式が採用された有機ＥＬ表示装置が開示されている。この有機ＥＬ表示装置では、データドライバが、第１，第２測定用データ電圧にそれぞれ応じた第１，第２測定データをコントローラ１０に送信し、コントローラは、第１，第２測定データに基づき、閾値電圧補正データおよびゲイン補正データを更新するとともに、閾値電圧補正データおよびゲイン補正データに基づいて映像データを補正する。これにより、表示を行いつつ、駆動トランジスタの閾値電圧補償およびゲイン補償の双方を画素回路毎に行う。

国際公開第２０１４／０２１２０１号パンフレット日本国特開２０１０－２２４２６２号公報日本国特開２０１２－７８７９８号公報

　外部補償方式が採用された有機ＥＬ表示装置では、各画素回路における駆動トランジスタに流れる電流を測定し、その測定結果（以下「電流モニタ結果」という）に基づいて当該画素回路に書き込むべきデータ電圧を補正することにより当該駆動トランジスタの特性のバラツキが補償される。しかし、電流モニタ結果は温度によって増減する。そのため、このような外部補償を正確に行うには、複数の画素回路が２次元状に配置された表示パネルの温度分布に応じて電流モニタ結果を補正する必要がある。

　これに対し、特許文献２および特許文献３には、温度を検出するための回路を画素回路毎に備える表示装置が開示されている。しかし、このように温度検出のための回路を画素回路毎に設けると、表示装置の構成が複雑化し、表示画像の高精細化に不利となる。

　そこで、構成の複雑化を抑えつつ表示パネルにおける温度分布を考慮した正確な外部補償を行える電流駆動型の表示装置を提供することが望まれる。

　本発明の幾つかの実施形態に係る表示装置は、
　複数のデータ信号線、前記複数のデータ信号線に交差する複数の走査信号線、ならびに、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線に沿って配置された複数の画素回路を含む表示部と、
　前記複数のデータ信号線を駆動するデータ信号線駆動回路と、
　前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路と、
　各画素回路に流れる電流を測定するとともに、各画素回路の特性の変動を補償する外部補償回路と、
　前記複数のデータ信号線と前記複数の走査信号線との交差点のうち２つ以上の交差点にそれぞれ対応するように配置された２つ以上の温度検出回路と、
　各温度検出回路の温度を測定する温度測定回路と
を備え、
　各画素回路は、
　　電流によって駆動される表示素子と、保持キャパシタと、前記保持キャパシタに保持される電圧に応じて前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタとを含み、
　　対応する走査信号線が選択されたときに、対応するデータ信号線の電圧が前記保持キャパシタに書き込まれるように構成されており、
　各温度検出回路は、温度検出用トランジスタを含み、
　前記温度測定回路は、各温度検出回路における前記温度検出用トランジスタに流れる電流を測定することにより、当該温度検出回路の温度を求め、
　前記外部補償回路は、前記温度測定回路により求められた各温度検出回路の温度に基づき前記表示部における温度分布を推定し、当該推定された温度分布に基づき各画素回路における電流の測定結果を補正し、補正後の前記測定結果に基づき各画素回路の特性の変動を補償する。

　本発明の他の幾つかの実施形態に係る駆動方法は、複数のデータ信号線、前記複数のデータ信号線に交差する複数の走査信号線、ならびに、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線に沿って配置された複数の画素回路を含む表示部を備える表示装置の駆動方法であって、
　前記表示部は、前記複数のデータ信号線と前記複数の走査信号線との交差点のうち２つ以上の交差点にそれぞれ対応するように配置された２つ以上の温度検出回路を含み、
　各画素回路は、
　　電流によって駆動される表示素子と、保持キャパシタと、前記保持キャパシタに保持される電圧に応じて前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタとを含み、
　　対応する走査信号線が選択されたときに、対応するデータ信号線の電圧が前記保持キャパシタに書き込まれるように構成されており、
　各温度検出回路は、温度検出用トランジスタを含み、
　前記駆動方法は、
　　前記複数のデータ信号線を駆動するデータ信号線駆動ステップと、
　　前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動ステップと、
　　各画素回路に流れる電流を測定するとともに、各画素回路の特性の変動を補償する外部補償ステップと、
　　各温度検出回路における前記温度検出用トランジスタに流れる電流を測定することにより、当該温度検出回路の温度を求める温度測定ステップと
を備え、
　前記外部補償ステップでは、前記温度測定ステップにより求められた各温度検出回路の温度に基づき前記表示部における温度分布が推定され、当該推定された温度分布に基づき各画素回路における電流の測定結果が補正され、補正後の前記測定結果に基づき各画素回路の特性の変動が補償される。

　本発明の上記幾つかの実施形態では、表示部において上記複数のデータ信号線と上記複数の走査信号線との交差点のうち２つ以上の交差点にそれぞれ対応するように２つ以上の温度検出回路が配置されており、各温度検出回路における温度検出用トランジスタに流れる電流を測定することにより当該温度検出回路の温度が求められる。このようにして求められた各温度検出回路の温度に基づき表示部における温度分布が推定され、当該温度分布に基づき、各画素回路の特性の変動の補償のために測定される画素回路の電流値（電流モニタ結果）が補正される。このようにして補正された電流値すなわち温度補償後の電流モニタ結果に基づき、各画素回路の特性の変動が補償される。したがって、本発明の上記幾つかの実施形態によれば、通常表示モードでの表示内容に応じて各画素回路の温度が変化しても、その表示の直後に測定する各画素回路の電流値に基づき各画素回路における特性の変動を正確に補償することができる。また、本発明の上記幾つかの実施形態によれば、画素回路毎に温度を検出するための回路を設けるのではなく、従来よりも少ない個数の温度検出回路により表示部における温度分布を考慮して画素回路の特性（具体的には駆動トランジスタの特性）を補償することができる。このようにして、構成の複雑化を抑えつつ表示部における温度分布を考慮した正確な外部補償を行うことができる。

本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記第１の実施形態における表示制御回路の構成を示すブロック図である。上記第１の実施形態における画素回路の電気的構成を示す回路図である。上記第１の実施形態における温度検出回路の電気的構成を示す回路図である。上記第１の実施形態における温度検出回路の実装例を説明するための断面図である。上記第１の実施形態におけるデータ側駆動回路の詳細構成を説明するための回路図である。上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の動作例を示すタイミングチャート（Ａ，Ｂ，Ｃ）である。上記第１の実施形態における通常表示モードでの信号の変化を示すタイミングチャートである。上記第１の実施形態における画素回路に関するプログラム期間での電流の流れを示す回路図である。上記第１の実施形態における温度検出回路に関するプログラム期間での電流の流れを示す回路図である。上記第１の実施形態における発光期間での電流の流れを示す回路図である。上記第１の実施形態における特性検出モードでの信号変化を示すタイミングチャートである。上記第１の実施形態における画素回路に関する電流測定期間での電流の流れを示す回路図である。上記第１の実施形態における温度検出回路に関する電流測定期間での電流の流れを示す回路図である。上記第１の実施形態における補正処理を示すブロック図である。上記第１の実施形態における温度検出回路に含まれるトランジスタの電圧－電流特性の温度依存性を示す特性図である。上記第１の実施形態における電流測定値に対する温度補償を説明するためのブロック図である。上記第１の実施形態におけるトランジスタ特性補償処理を示すフローチャートである。上記第１の実施形態におけるトランジスタ特性補償処理の別例を示すフローチャートである。本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。本発明の第４の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記第４の実施形態における画素回路および温度検出回路の電気的構成を示す回路図である。上記第４の実施形態におけるデータ側駆動回路のうちデータ信号線が接続される部分の詳細構成を説明するための回路図である。上記第４の実施形態におけるデータ側駆動回路のうちモニタ信号線が接続される部分の詳細構成を説明するための回路図である。

　以下、添付図面を参照しながら各実施形態について説明する。なお、以下で言及する各トランジスタにおいて、ゲート端子は制御端子に相当し、ドレイン端子およびソース端子の一方は第１導通端子に相当し、他方は第２導通端子に相当する。また、各実施形態におけるトランジスタはすべてＮチャネル型であるものとして説明するが、本発明はこれに限定されない。さらに、各実施形態におけるトランジスタは例えば薄膜トランジスタであるが、本発明はこれに限定されない。さらにまた、本明細書における「接続」とは、特に断らない限り「電気的接続」を意味し、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、直接的な接続を意味する場合のみならず、他の素子を介した間接的な接続を意味する場合も含むものとする。

＜１．第１の実施形態＞
＜１．１　全体構成および動作概要＞
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置は、表示制御回路１００、データ側駆動回路２００、走査側駆動回路４００、および、表示部としての表示パネル５００（以下「表示部５００」と記す）を備えている。データ側駆動回路２００は、直並列変換部２０２とＤＡ変換部２０４とＡＤ変換部２０６と入出力バッファ部２０８とを備えている。走査側駆動回路４００およびデータ側駆動回路２００の一方または双方は表示部５００と一体的に形成されていてもよい。また、この有機ＥＬ表示装置には、表示部５００に供給すべき後述のハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤおよびローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳと、表示制御回路１００、データ側駆動回路２００、および走査側駆動回路４００に供給すべき電源電圧（不図示）とを生成する電源回路（不図示）が含まれている。

　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、外部補償方式により画素回路における駆動トランジスタの特性のバラツキや劣化を補償する機能（より一般的には表示部５００における画素回路間での特性の相違や各画素回路の特性の変動を補償する機能）を有し、動作モードとして、外部からの入力信号Ｓｉｎに基づき表示部５００に画像を表示する通常表示モードと、外部補償のために各画素回路における駆動トランジスタに流れる電流を測定する特性検出モードとを備えている（詳細は後述）。これら通常表示モードと特性検出モードとの間での動作モードの切替は、動作モードを指定するモード制御信号Ｃｍを入力信号Ｓｉｎに含めることにより実現してもよいし、動作モードを手動により切り換えるためのスイッチを有機ＥＬ表示装置に設け、当該スイッチの操作に応じてモード制御信号Ｃｍを生成することにより実現してもよい。

　図１に示すように本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置では、表示部５００に、Ｍ本（Ｍは２以上の整数）のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）と、これらに交差するＮ本（Ｎは２以上の整数）の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）およびＮ本のモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）とが配設されている。また表示部５００には、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）およびＮ本の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）に沿って多数の画素回路１０がマトリクス状に配置されている。各画素回路１０は、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）のいずれかに接続されるとともに、Ｎ本の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）のいずれかに接続され、かつ、Ｎ本のモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）のいずれかにも接続されている。ただし、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）には、いずれの画素回路１０も接続されないデータ信号線がｍ本のデータ信号線に１本の割合で（表示部５００全体でｑ本）含まれており、これらｑ本のデータ信号線ＤＬ（ｍ），ＤＬ（２ｍ），…，ＤＬ（ｑ・ｍ）のそれぞれには、温度検出回路１２がｎ本の走査信号線毎に１個ずつ接続されている（以下、温度検出回路１２が接続されたデータ信号線を「温度検出用データ信号線」という）。ここで、Ｎ＝ｐ・ｎ＋ｎ、Ｍ＝ｑ・ｍ＋ｍ－１とおくと、各温度検出回路１２は、ｑ本の温度検出用データ信号線ＤＬ（ｋ・ｍ）（ｋ＝１～ｑ）のいずれかに接続されるとともに、ｐ＋１本の走査信号線ＧＬ１（（ｋ－１）ｎ＋１）（ｋ＝１～ｐ＋１）のいずれかに接続され、ｐ＋１本のモニタ制御線ＧＬ２（（ｋ－１）ｎ＋１）（ｋ＝１～ｐ＋１）のいずれかにも接続されている。なお以下では、ｉ番目の走査信号線ＧＬ１（ｉ）およびｊ番目のデータ信号線ＤＬ（ｊ）に接続された画素回路１０を他の画素回路１０と区別する場合には符号“Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）”を使用し、ｉ番目の走査信号線ＧＬ１（ｉ）およびｊ番目のデータ信号線ＤＬ（ｊ）に接続された温度検出回路１２を他の温度検出回路１２と区別する場合には符号“Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）”を使用するものとする。

　また表示部５００には、各画素回路１０および各温度検出回路１２に共通の図示しない電源線が配設されている。すなわち、後述の有機ＥＬ素子（「ＯＬＥＤ」とも呼ばれる）を駆動するためのハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するための第１電源線（以下「ハイレベル電源線」といい、ハイレベル電源電圧と同じく符号“ＥＬＶＤＤ”で示す）、および、有機ＥＬ素子を駆動するためのローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給するための第２電源線（以下「ローレベル電源線」といい、ローレベル電源電圧と同じく符号“ＥＬＶＳＳ”で示す）が配設されている。

　表示制御回路１００は、表示すべき画像を表す画像データおよび画像表示のためのタイミング制御情報を含む入力信号Ｓｉｎを表示装置の外部から受け取り、この入力信号Ｓｉｎに基づきデータ側制御信号Ｓｃｄおよび走査側制御信号Ｓｃｓを生成し、データ側制御信号Ｓｃｄをデータ側駆動回路２００に、走査側制御信号Ｓｃｓを走査側駆動回路４００にそれぞれ出力する。また表示制御回路１００は、特性検出モードにおいて、データ側駆動回路２００から測定データＭＤを受け取る（詳細は後述）。

　図２は、表示制御回路１００の構成を示すブロック図である。この表示制御回路１００は、データ側信号生成回路１１０、走査側信号生成回路１２０、ＲＡＭ（Radom Access Memory）１４０、不揮発性メモリとしてのフラッシュメモリ１５０、および、制御部１６０を含んでいる。制御部１６０は、外部からの入力信号Ｓｉｎに基づき、データ側信号生成回路１１０、走査側信号生成回路１２０、ＲＡＭ１４０、および、フラッシュメモリ１５０を制御する。データ側信号生成回路１１０は、制御部１６０による制御の下、データ側駆動回路２００に与えるべき既述のデータ側制御信号Ｓｃｄを生成し、走査側信号生成回路１２０は、制御部１６０による制御の下、走査側駆動回路４００に与えるべき既述の走査側制御信号Ｓｃｓを生成する。ＲＡＭ１４０は、ゲイン補正メモリ１４１としての領域と、閾値電圧補正メモリ１４２としての領域と、作業用メモリ１４３としての領域を含む。ＲＡＭ１４０に記憶すべきデータの書込および読出ならびにフラッシュメモリ１５０に記憶すべきデータの書込および読出は、制御部１６０により行われる。

　データ側制御信号Ｓｃｄは、表示部５００において表示すべき画像を表す画像データＶ１を含み、この画像データＶ１は、入力信号Ｓｉｎに含まれる画像データＶ０に対して補正処理を行うことにより生成される。ＲＡＭ１４０は、画像データＶ０の補正に用いる２種類の補正データ（後述のゲイン補正データと閾値電圧補正データ）を画素回路１０毎に記憶する。表示制御回路１００は、ＲＡＭ１４０に記憶された補正データを用いて画像データＶ０を補正することにより画像データＶ１を生成する。また、表示制御回路１００は、データ側駆動回路２００から受け取る測定データＭＤに基づき、ＲＡＭ１４０に記憶された補正データを更新する。表示制御回路１００は、電源オフ時に、ＲＡＭ１４０に記憶された補正データを読み出してフラッシュメモリ１５０に書き込む。表示制御回路１００は、電源オン時に、フラッシュメモリ１５０に記憶された補正データを読み出してＲＡＭ１４０に書き込む。

　データ側駆動回路２００は、通常表示モードでは、データ信号線駆動回路として機能し、表示制御回路１００からのデータ側制御信号Ｓｃｄに基づきデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）を駆動する（Ｍ＝ｑ・ｍ＋ｍ－１）。すなわちデータ側駆動回路２００は、データ側制御信号Ｓｃｄに基づき、表示すべき画像を表すＭ個のデータ信号Ｄ（１）～Ｄ（Ｍ）を並列に出力してデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）にそれぞれ印加する。一方、特性検出モードでは、データ側駆動回路２００は、データ信号線駆動回路として機能するとともに電流測定回路としても機能し、各画素回路１０内の電流をそれに接続されたデータ信号線ＤＬ（ｊ）を介して測定する。なお図１に示すように、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）のうちｑ本の温度検出用データ信号線ＤＬ（ｋ・ｍ）（ｋ＝１～ｑ）には画素回路が接続されていない。このため、これらｑ本のデータ信号線ＤＬ（ｋ・ｍ）（ｋ＝１～ｑ）に印加されるｑ個のデータ信号Ｄ（ｋ・ｍ）（ｋ＝１～ｑ）は、通常表示モードにおける画像表示には使用されないが、特性検出モードにおいて各温度検出回路１２へのデータ電圧の書込に使用される。

　走査側駆動回路４００は、表示制御回路１００からの走査側制御信号Ｓｃｓに基づき、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）を駆動する走査信号線駆動回路、および、モニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）を駆動するモニタ制御線駆動回路として機能する（Ｎ＝ｐ・ｎ＋ｎ）。

　より詳細には、走査側駆動回路４００は、通常表示モードにおいて、走査信号線駆動回路として、走査側制御信号Ｓｃｓに基づき、各フレーム期間において走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）を１水平期間に対応する所定期間ずつ順次に選択し、選択した走査信号線ＧＬ１（ｉｓ）に対してアクティブな信号（ハイレベル電圧）を走査信号Ｇ１（ｉｓ）として印加し（１≦ｉｓ≦Ｎ）、かつ、非選択の走査信号線ＧＬ１（ｉｎ）には非アクティブな信号（ローレベル電圧）を走査信号Ｇ１（ｉｎ）として印加する（１≦ｉｎ≦Ｎかつｉｎ≠ｉｓ）。これにより、選択された走査信号線ＧＬ１（ｉｓ）に接続された画素回路Ｐｉｘ（ｉｓ，１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，ｍ－１），Ｐｉｘ（ｉｓ，ｍ＋１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，２・ｍ－１），…，Ｐｉｘ（ｉｓ，ｑ・ｍ＋１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，ｑ・ｍ＋ｍ－１）が一括して選択される。その結果、当該走査信号線ＧＬ１（ｉｓ）の選択期間（以下「第ｉｓ走査選択期間」という）において、データ側駆動回路２００からデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）にそれぞれ印加されたデータ信号Ｄ（１）～Ｄ（Ｍ）の電圧（以下では、これらの電圧を区別せずに単に「データ電圧」と呼ぶことがある）のそれぞれは、当該電圧が印加されたデータ信号線ＤＬ（ｊ）および選択された走査信号線ＧＬ１（ｉｓ）に接続された画素回路Ｐｉｘ（ｉｓ，ｊ）に画素データとして書き込まれる。ここで、温度検出用データ信号線ＤＬ（ｋ・ｍ）（ｋ＝１～ｑ）には画素回路１０が接続されていないので、ｊは１～ｍ－１，ｍ＋１～２・ｍ－１，…，ｑ・ｍ＋１～ｑ・ｍ＋ｍ－１のいずれかである。なお、（ｋ－１）ｎ＋１番目の走査信号線ＧＬ１（（ｋ－１）ｎ＋１）が選択されると（ｋ＝１～ｐ＋１）、温度検出回路Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｍ），Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，２・ｍ），…，Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｑ・ｍ）も選択される。その結果、温度検出用データ信号線ＤＬ（ｍ），ＤＬ（２・ｍ），…，ＤＬ（ｑ・ｍ）にそれぞれ印加されたｑ個のデータ信号Ｄ（ｍ），Ｄ（２・ｍ），…，Ｄ（ｑ・ｍ）の電圧は、ｑ個の温度検出回路Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｍ），Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，２・ｍ），…，Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｑ・ｍ）にそれぞれデータ電圧として書き込まれる。

　また走査側駆動回路４００は、特性検出モードでは、走査信号線駆動回路として走査側制御信号Ｓｃｓに基づき走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）を選択的に駆動するとともに、モニタ制御線駆動回路として、走査側制御信号Ｓｃｓに基づきモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）を選択的に駆動する。すなわち、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）を順次に選択するとともに、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）の順次的な選択にモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）がそれぞれ後続するようにモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）を順次に選択する（後述の図１２参照）。選択されたモニタ制御線ＧＬ２（ｉｓ）に対してアクティブな信号（ハイレベル電圧）がモニタ制御信号Ｇ２（ｉｓ）として印加され（１≦ｉｓ≦Ｎ）、かつ、非選択のモニタ制御線ＧＬ２（ｉｎ）には非アクティブな信号（ローレベル電圧）がモニタ制御信号Ｇ２（ｉｎ）として印加される（１≦ｉｎ≦Ｎかつｉｎ≠ｉｓ）。これにより、選択されたモニタ制御線ＧＬ２（ｉｓ）に接続された画素回路Ｐｉｘ（ｉｓ，１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，ｍ－１），Ｐｉｘ（ｉｓ，ｍ＋１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，２・ｍ－１），…，Ｐｉｘ（ｉｓ，ｑ・ｍ＋１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，ｑ・ｍ＋ｍ－１）が一括して選択される。その結果、当該モニタ制御線ＧＬ２（ｉｓ）の選択期間（これは電流測定期間に相当する）において、選択された画素回路Ｐｉｘ（ｉｓ，１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，ｍ－１），Ｐｉｘ（ｉｓ，ｍ＋１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，２・ｍ－１），…，Ｐｉｘ（ｉｓ，ｑ・ｍ＋１）～Ｐｉｘ（ｉｓ，ｑ・ｍ＋ｍ－１）にそれぞれ流れる電流が、データ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（ｍ－１），ＤＬ（ｍ＋１）～ＤＬ（２・ｍ－１），…，ＤＬ（ｑ・ｍ＋１）～ＤＬ（ｑ・ｍ＋ｍ－１）をそれぞれ介してデータ側駆動回路２００に取り出されて測定される。なお、（ｋ－１）ｎ＋１番目のモニタ制御線ＧＬ２（（ｋ－１）ｎ＋１）が選択されると（ｋ＝１～ｐ＋１）、温度検出回路Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｍ），Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，２・ｍ），…，Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｑ・ｍ）も選択される。その結果、それら温度検出回路Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｍ），Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，２・ｍ），…，Ｔｍｐ（（ｋ－１）ｎ＋１，ｑ・ｍ）にそれぞれ流れる電流も、当該温度検出用データ信号線ＤＬ（ｍ），ＤＬ（２・ｍ），…，ＤＬ（ｑ・ｍ）をそれぞれ介してデータ側駆動回路２００に取り出されて測定される（詳細は後述）。

＜１．２　画素回路および温度検出回路の構成＞
　図３は、本実施形態における画素回路１０すなわちｉ番目の走査信号線ＧＬ１（ｉ）およびｊ番目のデータ信号線ＤＬ（ｊ）に接続された画素回路（以下「第ｉ行第ｊ列の画素回路」ともいう）Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の電気的構成を示す回路図である。この画素回路１０は、１個の発光型表示素子としての有機ＥＬ素子ＯＬ、３個のＮチャネル型トランジスタ、および、１個のキャパシタＣｓｔを備えている。トランジスタＴ１は、そのゲート端子が走査信号線ＧＬ１（ｉ）に接続されて画素を選択する入力トランジスタとして機能し、トランジスタＴ２は、キャパシタＣｓｔに保持される電圧に応じて有機ＥＬ素子ＯＬへの電流の供給を制御する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴ３は、そのゲート端子がモニタ制御線ＧＬ２（ｉ）に接続されて駆動トランジスタの特性を検出するための電流測定を行うか否かを制御するモニタ制御トランジスタとして機能する。なお、入力トランジスタＴ１およびモニタ制御トランジスタＴ３はスイッチング素子として動作する。

　図３に示すように、駆動トランジスタＴ２は、そのドレイン端子をハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに接続され、そのソース端子を有機ＥＬ素子ＯＬを介してローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続され、そのゲート端子を入力トランジスタＴ１を介してデータ信号線ＤＬ（ｊ）に接続されている。また、駆動トランジスタＴ２のソース端子は、モニタ制御トランジスタＴ３を介してデータ信号線ＤＬ（ｊ）に接続されている。

　図４は、本実施形態における温度検出回路１２すなわちｉ番目の走査信号線ＧＬ１（ｉ）およびｊ番目のデータ信号線ＤＬ（ｊ）に接続された温度検出回路（以下「第ｉ行第ｊ列の温度検出回路」ともいう）Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）の電気的構成を示す回路図である。この温度検出回路１２は、有機ＥＬ素子ＯＬを含まない点を除き、図３に示す画素回路１０と同様の構成であって、入力トランジスタＴ１、駆動トランジスタＴ２、モニタ制御トランジスタＴ３、および、キャパシタＣｓｔを含んでいる。温度検出回路１２におけるトランジスタＴ２は、温度検出用トランジスタとして機能する。

　図５は、本実施形態における温度検出回路１２の実装例を説明するための断面図である。この例では、温度検出回路１２の構成要素としての薄膜トランジスタ（以下「温度検出用ＴＦＴ」という）は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の画素回路における薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と同様、無機質膜（防湿膜）５１２上に積層され、画素回路１０における有機ＥＬ素子の陽極５２０の下方に位置する。すなわち、ガラス基板またはポリイミド等の樹脂材料で形成された絶縁体基板５１０の上に形成された防湿層としての無機絶縁膜５１２の上に温度検出用ＴＦＴのための半導体層が形成されている。この半導体層は、チャネル領域としての真性半導体５２２と、そのチャネル領域を介して対向するように形成されたソース領域としての導体５２１ａおよびドレイン領域としての導体５２１ｂとからなる。このような構成の半導体層の上にさらにゲート絶縁膜ＧＩが形成され、その上にゲート電極Ｇが形成されている。このゲート電極Ｇを覆うように第１無機絶縁膜５１４および第２無機絶縁膜５１６が順に形成されている。第２無機絶縁膜５１６の上には他の素子との電気的接続のための金属層が形成され、これらの金属層は、コンタクトホールによってソース領域としての導体５２１ａやドレイン領域としての導体５２１ｂと電気的に接続されている。ただし、ここでは便宜上、金属層やコンタクトホールの図示は省略している。第２無機絶縁膜５１６の上には金属層（不図示）を覆うように平坦化膜としての絶縁層５１８が形成されている。このように温度検出用ＴＦＴを画素回路１０における有機ＥＬ素子の陽極５２０の下方に配置することで、温度検出回路１２の形成による画像表示への悪影響が回避される。

＜１．３　データ側駆動回路の構成＞
　図１に示すように、本実施形態におけるデータ側駆動回路２００は、直並列変換部２０２とＤＡ変換部２０４とＡＤ変換部２０６と入出力バッファ部２０８とを含んでいる。本実施形態に係る表示装置が外部からの入力信号Ｓｉｎに基づいて画像を表示する通常表示モードでは、その入力信号Ｓｉｎに基づき生成されるデータ側制御信号Ｓｃｄがデータ側駆動回路２００に与えられる。このデータ側制御信号Ｓｃｄには、上記画像データＶ１に相当するシリアル形式のデジタル画像信号が含まれており、このシリアル形式のデジタル画像信号は、直並列変換部２０２において１表示行ずつパラレル形式のデジタル画像信号に変換されてラッチされる。ラッチされた１行分のデジタル画像信号は、ＤＡ変換部２０４により１行分のアナログ電圧信号に変換される。この１行分のアナログ電圧信号は、入出力バッファ部２０８でインピーダンス変換された後にＭ個のデータ信号Ｄ（１）～Ｄ（Ｍ）としてデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）にそれぞれ印加される（Ｍ＝ｑ・ｍ＋ｍ－１）。

　図６は、本実施形態におけるデータ側駆動回路２００の詳細構成を説明するための回路図であり、データ側駆動回路２００における入出力バッファ部２０８、ＡＤ変換部２０６、およびＤＡ変換部２０４のうち１つのデータ信号線ＤＬ（ｊ）に対応する部分の詳細構成を直並列変換部２０２とともに示している。図６に示すように、データ側駆動回路２００は、１つのデータ信号線ＤＬ（ｊ）に対応する回路部分として、入出力バッファ２８とＤＡ変換器（ＤＡＣ）２０とＡＤ変換器（ＡＤＣ）２４とを含んでいる。ＤＡ変換器２０には、直並列変換部２０２からの１行分のデジタル画像信号のうちｊ番目の端子Ｔｄｊから出力される１画素に対応するデジタル画像信号Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が順次入力される（ｉ＝１～Ｎ）。ここで、デジタル画像信号Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）において階調値Ｐで画素を表示するために当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に与えるべきデータ電圧を示すデジタル信号である。既述のデータ側制御信号Ｓｃｄには、シリアル形式のデジタル画像信号の他に入出力制御信号ＤＷＴが含まれており、この入出力制御信号ＤＷＴは入出力バッファ２８に入力される。

　入出力バッファ２８は、オペアンプ２１、キャパシタ２２、第１スイッチ２３ａ、および第２スイッチ２３ｂを含んでいる。オペアンプ２１の反転入力端子はデータ信号線ＤＬ（ｊ）に接続され、オペアンプ２１の非反転入力端子は選択スイッチとしての第２スイッチ２３ｂに接続されている。この第２スイッチ２３ｂにより、オペアンプ２１の非反転入力端子は、入出力制御信号ＤＷＴがハイレベル（Ｈレベル）のときにはＤＡ変換器２０の出力端に接続され、入力出力制御信号ＤＷＴがローレベル（Ｌレベル）のときにはローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続される。キャパシタ２２は、オペアンプ２１の反転入力端子と出力端子との間に設けられ、オペアンプ２１の出力端子はキャパシタ２２を介してオペアンプ２１の反転入力端子に接続されている。第１スイッチ２３ａは、オペアンプ２１の反転入力端子と出力端子との間に設けられ、キャパシタ２２と並列に接続されている。キャパシタ２２は電流電圧変換素子として機能する。第１スイッチ２３ａは、入出力制御信号ＤＷＴがＨレベルのときにはオン状態であり、Ｌレベルのときにはオフ状態である。オペアンプ２１の出力端子はＡＤ変換器２４の入力端に接続されており、入出力制御信号ＤＷＴがＬレベルのときに、データ信号線ＤＬ（ｊ）に流れる電流を示すデジタル信号（「電流モニタ信号」ともいう）Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）がＡＤ変換器２４から出力される。

　このような構成の入出力バッファ２８では、入出力制御信号ＤＷＴがＨレベルのときには、第１スイッチ２３ａはオン状態であり、オペアンプ２１の出力端子と反転入力端子は直接的に接続される（短絡される）。また、オペアンプ２１の非反転入力端子は、第２スイッチ２３ｂによりＤＡ変換器２０の出力端に接続される。このとき、入出力バッファ２８は電圧ホロワとして機能し、ＤＡ変換器２０に入力されるデジタル信号Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、アナログ電圧信号に変換され、低出力インピーダンスでデータ信号線ＤＬ（ｊ）に与えられる。

　一方、入出力制御信号ＤＷＴがＬレベルのときには、第１スイッチ２３ａはオフ状態であり、オペアンプ２１の出力端子はキャパシタ２２を介して反転入力端子に接続される。また、オペアンプ２１の非反転入力端子は、第２スイッチ２３ｂによりローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続される。このとき、オペアンプ２１とキャパシタ２２は積分器として機能する。すなわち、オペアンプ２１は、その反転入力端子に接続されたデータ信号線ＤＬ（ｊ）に流れる電流の積分値に相当する電圧を出力し、この電圧はＡＤ変換器２４によりデジタル信号に変換され、電流モニタ信号Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）として直並列変換部２０２の端子Ｔｄｊに与えられる。なおこのとき、オペアンプ２１の非反転入力端子がローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳに接続されているので、仮想短絡によってデータ信号線ＤＬ（ｊ）の電圧はローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳに等しい。

＜１．４　動作＞
　既述のように本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、動作モードとして、入力信号Ｓｉｎに基づき表示部５００に画像を表示する通常表示モードと、各画素回路１０における駆動トランジスタＴ２に流れる電流を測定してトランジスタ特性を検出する特性検出モードとを有している。以下では、まず、これらの動作モードを有する本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の幾つかの動作例を概略的に説明し、その後、各動作モードでの詳細動作を説明する。

　なお以下では、第ｉ行第ｊ列の画素回路１０すなわち画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）において階調値Ｐで画素を表示するために当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に書き込まれるデータ電圧を、当該データ電圧を示すデジタル画像信号Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）と同様、符号“Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）”で示すものとする。このデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、階調値Ｐに対応したデータ電圧に対して、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）内の駆動トランジスタＴ２の閾値電圧補償とゲイン補償を行うことにより得られた電圧である（詳細は図１５参照して後述する）。また、このデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）を画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）または温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）に書き込んだときにその内部のトランジスタＴ２に流れる電流を符号“Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）”で示すが、既述のように、当該電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）の値を示す測定データＭＤも同じ符号“Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）”で示すことがある（図６、および、後述の図９、図１０参照）。また、測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が示す値を「測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）」ともいう。

　また以下では、温度検出回路１２の行番号を画素回路１０の行番号と区別して示す場合には“ｉ”に代えて“ｉｔ”を使用し、温度検出回路１２の列番号を画素回路１０の列番号と区別して示す場合には“ｊ”に代えて“ｊｔ”を使用するものとする。また、画素回路１０の行番号を画温度検出回路１２の行番号と区別して示す場合には“ｉ”に代えて“ｉｐ”を使用し、画素回路１０の列番号を温度検出回路１２の列番号と区別して示す場合には“ｊ”に代えて“ｊｐ”を使用するものとする。

＜１．４．１　第１の動作例＞
　図７の（Ａ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第１の動作例を示すタイミングチャートである。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、電源スイッチがオンされると、通常表示モードで動作し、電源スイッチがオフされると、動作モードが特性検出モードに切り替わる。図７の（Ａ）に示すように、特性検出モードでは、まず、第１検出期間ＴＭ１において、第１階調値Ｐ１に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）および各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）に書き込み、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）および各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）においてトランジスタＴ２に流れる電流を測定することにより第１測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を得る。次に、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）につき得られる電流測定値である第１測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）に基づき温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）を検出し、全ての温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）に基づく補間処理により各画素回路（ｉｐ，ｊｐ）における推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を求める。その後、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を用いて第１測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）に対し温度補償を施すことにより、第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）を求める。ここで、図１からわかるように、ｉｔは１，ｎ＋１，２ｎ＋１，…，ｐ・ｎ＋１のいずれかであってｊｔはｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍのいずれかであり、ｉｐは１～Ｎのいずれかであってｊｐは１～Ｍのうちｊｔ以外の整数である（Ｎ＝ｐ・ｎ＋ｎ、Ｍ＝ｑ・ｍ＋ｍ－１）。

　このような動作が行われる第１検出期間ＴＭ１が終了すると、第２検出期間ＴＭ２が開始し、この第２検出期間ＴＭ２では下記のような動作が行われる。まず、第２階調値Ｐ２に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に書き込み、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）および各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）においてトランジスタＴ２に流れる電流を測定することにより第２測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を得る。次に、上記第１検出期間ＴＭ１において得られた各画素回路（ｉｐ，ｊｐ）における推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を用いて第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）に対し温度補償を施すことにより、第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を求める。その後、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、上記第１検出期間ＴＭ１で得られた第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）および当該第２検出期間ＴＭ２で得られた第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）に基づき表示制御回路１００に記憶されている補正データを更新する（図２参照）。なお、第１階調値Ｐ１と第２階調値Ｐ２は、当該補正データの更新を適切に行えるような値が選定される（詳細は後述）。このようにして全ての画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）つき補正データが更新されると、第２検出期間ＴＭ２が終了し、有機ＥＬ表示装置が動作を停止する。なお、本動作例における第２検出期間ＴＭ２では、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）で温度検出は行われないが、第２検出期間ＴＭ２においても、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）にデータ電圧を書き込んで当該温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）内のトランジスタＴ２に流れる電流を測定することにより各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）での温度を検出するようにしてもよい。このようにすれば、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）につき第１および第２検出期間ＴＭ１，ＴＭ２それぞれで検出された温度の平均値を温度検出値とすることで、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）による温度検出の精度を向上させることができる。

＜１．４．２　第２の動作例＞
　図７の（Ｂ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第２の動作例を示すタイミングチャートである。本動作例においても、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、電源スイッチがオンされると、通常表示モードで動作し、電源スイッチがオフされると、動作モードが特性検出モードに切り替わる。図７の（Ｂ）に示すように、特性検出モードでは、まず、温度検出期間ＴＭＴにおいて、第１階調値Ｐ１に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）を各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）に書き込み、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）においてトランジスタＴ２に流れる電流を測定することにより第１測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）を得る。次に、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）につきその第１測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）に基づき温度Ｔｍ（ｉ，ｊ）を検出し、全ての温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の温度Ｔｍ（ｉ，ｊ）に基づく補間処理により各画素回路（ｉｐ，ｊｐ）における推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を求める。

　このような動作が行われる温度検出期間ＴＭＴが終了すると、第１検出期間ＴＭ１が開始し、この第１検出期間ＴＭ１では下記のような動作が行われる。まず、第１階調値Ｐ１に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）を各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）に書き込み、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）においてトランジスタＴ２に流れる電流を測定することにより第１測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）を得る。次に、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を用いて第１測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）に対し温度補償を施すことにより、第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）を求める。その後、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）を用いて閾値電圧補正データＶｔ（ｉｐ，ｊｐ）を更新する。

　このような動作が行われる第１検出期間ＴＭ１が終了すると、第２検出期間ＴＭ２が開始し、この第２検出期間ＴＭ２では下記のような動作が行われる。まず、第２階調値Ｐ２に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）に書き込み、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）においてトランジスタＴ２に流れる電流を測定することにより第２測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を得る。次に、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を用いて第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）に対し温度補償を施すことにより、第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を求める。その後、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を用いてゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉｐ，ｊｐ）を更新する。

　上記のように本動作例では、補正データのうち、閾値電圧補正データＶｔ（ｉｐ，ｊｐ）は第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）に基づき第１検出期間ＴＭ１で更新され、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉｐ，ｊｐ）は第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）に基づき第２検出期間ＴＭ２で更新される。このようにして全ての画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）つき補正データが更新されると、有機ＥＬ表示装置が動作を停止する。なお、上記第１の動作例では、全画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ．ｊｐ）についての第１測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）等を一時的に記憶する必要があったが、本動作例では、このような第１測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）等の記憶は不要となる。ただし本動作例では、上記第１動作例に比べ特性検出モードでの処理量が多くなる。

＜１．４．３　第３の動作例＞
　図７の（Ｃ）は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の第３の動作例を示すタイミングチャートである。本動作例においても、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、電源スイッチがオンされると、通常表示モードで動作し、電源スイッチがオフされると、動作モードが特性検出モードに切り替わる。図７の（Ｃ）に示すように特性検出モードでは、まず、温度検出期間ＴＭＴにおいて、上記第２動作例と同様の動作（図７の（Ｂ））により、各画素回路（ｉｐ，ｊｐ）における推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を求める。

　この温度検出期間ＴＭＴが終了すると、第１検出期間ＴＭ１が開始する。第１検出期間ＴＭ１では、上記第２の動作例における第１検出期間ＴＭ１と同様の動作により、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を用いて第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）を求める。ただし、本動作例における第１検出期間ＴＭ１では、上記第２の動作例とは異なり、閾値電圧補正データＶｔ（ｉｐ，ｊｐ）等の補正データの更新は行われない。

　この第１検出期間ＴＭ１が終了すると、第２検出期間ＴＭ２が開始する。第２検出期間ＴＭ２では、上記第２の動作例における第２検出期間ＴＭ２と同様の動作により、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を用いて第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を求める。ただし、本動作例における第２検出期間ＴＭ２では、上記第２の動作例とは異なり、閾値電圧補正データＶｔ（ｉｐ，ｊｐ）等の補正データの更新は行われない。

　このような第１および第２検出期間ＴＭ１，ＴＭ２が終了すると、補正更新期間ＴＭＵが開始する。この補正更新期間ＴＭＵでは、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、その第１および第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１），Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を用いて、閾値電圧補正データＶｔ（ｉｐ，ｊｐ）を更新するとともにゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉｐ，ｊｐ）を更新する（詳細は後述する）。このようにして全ての画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）つき補正データが更新されると、有機ＥＬ表示装置が動作を停止する。

　また、第２の動作例および第３の動作例に関する別の動作例では、通常表示モードから特性検出モードに切り替わり、時間と共に表示パネル温度が徐々に下がっていくことを考慮し、下記のような動作が行われてもよい。

　第２検出期間ＴＭ２において、第１階調値Ｐ１に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）を各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）に書き込み、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）においてトランジスタＴ２に流れる電流を測定することにより第２測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）を得てもよい。次に、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）につきその第２測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）に基づき第２温度Ｔｍ’（ｉｔ，ｊｔ）を検出し、全ての温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の第２温度Ｔｍ’（ｉｔ，ｊｔ）に基づく補間処理により各画素回路（ｉｐ，ｊｐ）における第２推定温度Ｔｍｐ’（ｉｐ，ｊｐ）を求めてもよい。さらに、第２の検出期間ＴＭ２では、各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）につき、第２推定温度Ｔｍｐ’（ｉｐ，ｊｐ）を用いて第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）に対し温度補償を施すことにより、第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を求めてもよい。このようにして、第２検出期間ＴＭ２に求められた第２温度推定温度Ｔｍｐ’（ｉｐ，ｊｐ）を用いることで、パネルの温度低下を考慮されたより精度の高い第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を求めることが可能である。

　なお、上記の第１の動作例～第３の動作例において、それぞれの温度検出の期間に各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）に書き込まれるデータ電圧は、第１階調値Ｐ１に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）と同じ値でなくてもよい。温度検出の期間に各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）に書き込まれるデータ電圧は、温度検出回路１２における温度検出用トランジスタＴ２の温度特性を考慮して、適宜決定されてよい。

＜１．４．４　通常表示モードにおける詳細動作＞
　既述のように通常表示モードでは、各フレーム期間において走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）は１水平期間に対応する所定期間ずつ順次に選択される。以下では、図８～図１１を参照しつつ、ｉ番目の走査信号線ＧＬ１（ｉ）が選択される期間に着目して本実施形態における通常表示モードでの動作を説明する。図８は、本実施形態における通常表示モードでの信号の変化を示すタイミングチャートである。図９は、本実施形態における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に関する後述のプログラム期間での電流の流れを示す図である。図１０は、本実施形態における温度検出回路に関する後述のプログラム期間での電流の流れを示す図である。図１１は、本実施形態における発光期間での電流の流れを示す図である。

　図８に示すように通常表示モードでは、入出力制御信号ＤＷＴは常にＨレベルであり、モニタ制御信号Ｇ２（ｉ）は常にＬレベルである。時刻ｔ１１～ｔ１２（以下「プログラム期間Ａ１」という）では、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）にデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）を書き込む処理が行われる。

　時刻ｔ１１より前では、走査信号Ｇ１（ｉ）はＬレベルである。このとき画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）において、トランジスタＴ１、Ｔ３はオフ状態であり、トランジスタＴ２と有機ＥＬ素子ＯＬにはキャパシタＣｓｔに保持された電圧に応じた駆動電流ＩＬが流れる（図１１参照）。有機ＥＬ素子ＯＬは、このときの駆動電流ＩＬに応じた輝度で発光する。

　時刻ｔ１１において、走査信号Ｇ１（ｉ）はＨレベルに変化する。これに伴い、トランジスタＴ１はオンする。プログラム期間Ａ１では、オペアンプ２１の作用によって、データ信号線ＤＬ（ｊ）にデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）がデータ信号Ｄ（ｊ）として印加される。このため、図９に示すように、キャパシタＣｓｔの一端（下側の端子）にはデータ信号線ＤＬ（ｊ）とトランジスタＴ１を介してデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が与えられ、キャパシタＣｓｔの他端（上側の端子）にはハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤが与えられる。したがって、プログラム期間Ａ１において、キャパシタＣｓｔは次式（１）に示す電圧Ｖｃに充電される。ただしｊは、１≦ｊ≦Ｍを満たすｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍ以外の整数である。
　　Ｖｃ＝ＥＬＶＤＤ－Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）　…（１）
また、データ信号線ＤＬ（ｊ）が温度検出用データ信号線であって走査信号線ＧＬ１（ｉ）に温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）が接続されている場合（ｊがｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍのいずれかであって、ｉが１，ｎ＋１，２ｎ＋１，…，ｐ・ｎ＋１のいずれかである場合）には、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）におけるキャパシタＣｓｔも上記式（１）に示す電圧Ｖｃに充電される（図１、図１０参照）。

　時刻ｔ１２において、走査信号Ｇ１（ｉ）はＬレベルに変化する。これに伴い、トランジスタＴ１はオフし、キャパシタＣｓｔには式（１）に示す電圧Ｖｃが保持される。時刻ｔ１２以降、トランジスタＴ２のソース端子はデータ信号線ＤＬ（ｊ）から電気的に切り離される。したがって画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）では、時刻ｔ１２以降、図１１に示すように、有機ＥＬ素子ＯＬにはトランジスタＴ２を流れる駆動電流ＩＬが流れ、有機ＥＬ素子ＯＬは駆動電流ＩＬに応じた輝度で発光する。トランジスタＴ２は飽和領域で動作するので、駆動電流ＩＬは次式（３）で与えられる。式（３）に含まれるトランジスタＴ１のゲインβは、次式（４）で与えられる。
　　ＩＬ＝（β／２）×（Ｖｇｓ－Ｖｔ）²
　　　　＝（β／２）×｛Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）－Ｖｔ｝² …（３）
　　β＝μ×（Ｗ／Ｌ）×Ｃｏｘ　…（４）
　ただし、式（３）および式（４）において、Ｖｔ、μ、Ｗ、Ｌ、Ｃｏｘは、それぞれ、トランジスタＴ２の閾値電圧、移動度、ゲート幅、ゲート長、および、単位面積あたりのゲート絶縁膜容量を表す。また、Ｖｇｓは、トランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧であり、有機ＥＬ素子ＯＬのアノードの電圧（以下「アノード電圧」という）をＶａとすると、
　　Ｖｇｓ＝ＥＬＶＤＤ－Ｖｃ－Ｖａ
　　　　　＝Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）－Ｖａ
である。上記より式（３）を次のように書き直すことができる。
　　ＩＬ＝（β／２）×｛Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）－（Ｖｔ＋Ｖａ）｝² …（３ｂ）
なお、このときのアノード電圧Ｖａは有機ＥＬ素子ＯＬの順方向電圧Ｖｆに相当する。

＜１．４．５　特性検出モードにおける詳細動作＞
　次に、本実施形態における特性検出モードにおける上記第１の動作例（図７の（Ａ））の詳細について説明する。本動作例では、第１検出期間ＴＭ１において、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）が所定期間ずつ順次に選択されるとともに、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）の順次的な選択にモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）がそれぞれ後続するようにモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）が所定期間ずつ順次に選択される。また、第１検出期間ＴＭ１に続く第２検出期間ＴＭ２においても、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）が所定期間ずつ順次に選択されるとともに、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）の順次的な選択にモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）がそれぞれ後続するようにモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）が所定期間ずつ順次に選択される。以下では、既述の図９、図１０とともに図１２～図１４を参照しつつ、ｉ番目の走査信号線ＧＬ１（ｉ）が選択される期間およびｉ番目のモニタ制御線ＧＬ２（ｉ）が選択される期間に着目して本実施形態における特性検出モードでの動作を説明する。図１２は、本実施形態における特性検出モードでの信号の変化を示すタイミングチャートである。図１３は、本実施形態における画素回路１０に関する電流測定期間での電流の流れを示す回路図である。図１４は、本実施形態における温度検出回路１２に関する電流測定期間での電流の流れを示す回路図である。

　以下、第ｉ行第ｊ列の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に着目して、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の特性検出モードにおける動作を説明する。図１２に示すように第１検出期間ＴＭ１では、時刻ｔ２１～ｔ２２（以下「第１プログラム期間Ｂ１」という）において、走査信号Ｇ１（ｉ）はＨレベルであってトランジスタＴ１はオン状態、モニタ制御信号Ｇ２（ｉ）はＬレベルであってトランジスタＴ３はオフ状態であり、第１階調値Ｐ１に対応したデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を書き込む処理が行われる。時刻ｔ２２～ｔ２３（以下「第１測定期間Ｂ２」という）において、走査信号Ｇ１（ｉ）はＬレベルであってトランジスタＴ１はオフ状態、モニタ制御信号Ｇ２（ｉ）はＨレベルであってトランジスタＴ３はオン状態であり、このとき、入出力バッファ２８は電流測定回路として動作する。また図１２に示すように第２検出期間ＴＭ２では、時刻ｔ２４～ｔ２５（以下「第２プログラム期間Ｂ３」という）において、走査信号Ｇ１（ｉ）はＨレベルであってトランジスタＴ１はオン状態、モニタ制御信号Ｇ２（ｉ）はＬレベルであってトランジスタＴ３はオフ状態であり、第２階調値Ｐ２に対応したデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を書き込む処理が行われる。時刻ｔ２５～ｔ２６（以下「第２測定期間Ｂ４」という）において、走査信号Ｇ１（ｉ）はＬレベルであってトランジスタＴ１はオフ状態、モニタ制御信号Ｇ２（ｉ）はＨレベルであってトランジスタＴ３はオン状態であり、このとき、入出力バッファ２８は電流測定回路として動作する。

　第１階調値Ｐ１と第２階調値Ｐ２は、画像データＶ０が取り得る階調値の範囲内で、Ｐ１＜Ｐ２を満たすように決定される。例えば、画像データＶ０が取り得る階調値の範囲が０～２５５である場合、第１階調値Ｐ１は８０に決定され、第２階調値Ｐ２は１６０に決定される。

　以下、第１階調値Ｐ１に対応したデータ電圧を第１測定用電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）、第１測定用電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を書き込んだときの駆動電流を第１駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）、第２階調値Ｐ２に対応したデータ電圧を第２測定用電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）、第２測定用電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を書き込んだときの駆動電流を第２駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）という。また、第１駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に対応した測定データを第１測定データといい、同じ記号を用いてＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）と表す。第２駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に対応した測定データを第２測定データといい、同じ記号を用いてＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）と表す。

　図１２に示すように、第１検出期間ＴＭ１における第１プログラム期間Ｂ１および第２検出期間ＴＭ２における第２プログラム期間Ｂ３では、走査信号Ｇ１（ｉ）および入出力制御信号ＤＷＴはＨレベルであり、第１検出期間ＴＭ１における第１測定期間Ｂ２および第２検出期間ＴＭ２における第２測定期間Ｂ４では、走査信号Ｇ１（ｉ）および入出力制御信号ＤＷＴはＬレベルである。このため、第１および第２プログラム期間Ｂ１、Ｂ３では、図９に示すように、第１スイッチ２３ａがオンし、オペアンプ２１の非反転入力端子が第２スイッチ２３ｂによりＤＡ変換器２０の出力端に接続されることで、オペアンプ２１はバッファアンプ（電圧ホロワ）として機能する。第１および第２測定期間Ｂ２、Ｂ４では、図１３に示すように、第１スイッチ２３ａはオフし、オペアンプ２１とキャパシタ２２は積分アンプとして機能する。このとき、オペアンプ２１の非反転入力端子が第２スイッチ２３ｂによりローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳに接続されているので、仮想短絡によってデータ信号線ＤＬ（ｊ）の電圧はローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳに等しい。

　図１２に示すように時刻ｔ２１において、走査信号Ｇ１（ｉ）はＨレベルに変化し、これに伴い、トランジスタＴ２はオンする。第１プログラム期間Ｂ１では、オペアンプ２１の非反転入力端子には第１測定用電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が入力される。また、第１プログラム期間Ｂ１では、既述のようにオペアンプ２１はバッファアンプとして機能する（図９参照）。このため、第１プログラム期間Ｂ１では、データ信号線ＤＬ（ｊ）には第１測定用電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が印加される。したがって、第１プログラム期間Ｂ１において、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）におけるキャパシタＣｓｔは次式（５）に示す電圧Ｖｃに充電される。ただし、ｊは、１≦ｊ≦Ｍを満たすｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍ以外の整数である。
　　Ｖｃ＝ＥＬＶＤＤ－Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）　…（５）
また、データ信号線ＤＬ（ｊ）が温度検出用データ信号線であって走査信号線ＧＬ１（ｉ）に温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）が接続されている場合（ｊがｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍのいずれかであって、ｉが１，ｎ＋１，２ｎ＋１，…，ｐ・ｎ＋１のいずれかである場合）、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）におけるキャパシタＣｓｔも上記式（５）に示す電圧Ｖｃに充電される（図１、図１０参照）。

　時刻ｔ２２において、走査信号Ｇ１（ｉ）および入出力制御信号ＤＷＴはＬレベルに変化する。これに伴い図１３に示すように、第１スイッチ２３ａがオフし、オペアンプ２１とキャパシタ２２は積分アンプとして機能する。また第１測定期間Ｂ２では、図１３に示すようにオペアンプ２１の非反転入力端子が第２スイッチ２３ｂによりローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されることで、オペアンプ２１の反転入力端子の電圧すなわちデータ信号線ＤＬ（ｊ）の電圧は、仮想短絡によってローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳに等しくなる。このため、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における有機ＥＬ素子ＯＬのアノードは、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳに等しい電圧となり、当該有機ＥＬ素子ＯＬに電流は流れない。

　第１測定期間Ｂ２では、モニタ制御信号Ｇ２（ｉ）はＨレベルであるので、オン状態のトランジスタＴ３を経由する電流経路が形成される。第１測定期間Ｂ２では、上記のように有機ＥＬ素子ＯＬに電流が流れず、トランジスタＴ２を流れる第１駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）は、図１３に示すようにデータ信号線ＤＬ（ｊ）に流れる。データ側駆動回路２００における入出力バッファ２８は、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）からデータ信号線ＤＬ（ｊ）に流れた第１駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を測定し、その値を示す第１測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を出力する。すなわち、入出力バッファ２８は、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）（の駆動トランジスタＴ２）に流れる電流を測定する電流測定回路として機能する。ただしｊは、１≦ｊ≦Ｍを満たすｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍ以外の整数である。また、データ信号線ＤＬ（ｊ）が温度検出用データ信号線であって走査信号線ＧＬ１（ｉ）に温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）が接続されている場合（ｊがｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍのいずれかであって、ｉが１，ｎ＋１，２ｎ＋１，…，ｐ・ｎ＋１のいずれかである場合）においても、図１４に示すように、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）のトランジスタＴ２に流れる第１駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）はデータ信号線ＤＬ（ｊ）に流れる。このため、データ側駆動回路２００における入出力バッファ２８は、同様にして当該第１駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を測定し、その値を示す第１測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を出力する。このとき、入出力バッファ２８は、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）のトランジスタＴ２に流れる電流を検出する電流測定回路として機能する。

　第２プログラム期間Ｂ３における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）とデータ側駆動回路２００の動作は、第１プログラム期間Ｂ１における動作と同様である。データ信号線ＤＬ（ｊ）が温度検出用データ信号線であって走査信号線ＧＬ１（ｉ）に温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）が接続されている場合における第２プログラム期間Ｂ３での温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）とデータ側駆動回路２００の動作も、第１プログラム期間Ｂ１における動作と同様である。また、第２測定期間Ｂ４における画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）とデータ側駆動回路２００の動作は、第１測定期間Ｂ２における動作と同様である。データ信号線ＤＬ（ｊ）が温度検出用データ信号線であって走査信号線ＧＬ１（ｉ）に温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）が接続されている場合における第２測定期間Ｂ４での温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）とデータ側駆動回路２００の動作も、第１測定期間Ｂ２における動作と同様である。ただし、第２プログラム期間Ｂ３では画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）および温度検出Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）に第２測定用電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が書き込まれ、第２測定期間Ｂ４では第２駆動電流Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が測定され、その値を示す第２測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が出力される。

　上記のように本実施形態における特性検出モードでは、図１２に示すようなタイミングで、第１検出期間ＴＭ１において、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）が順次に選択され、それに応じて、モニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）も順次に選択され、また、第２検出期間ＴＭ２においても、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）が順次に選択され、それに応じて、モニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）も順次に選択される。しかし、これに代えて、第１検出期間ＴＭ１と第２検出期間ＴＭ２とを１つの検出期間に統合し、当該１つの検出期間において、各走査信号線ＧＬ１（ｉ）を２回ずつ選択し、それに応じて、各モニタ制御線ＧＬ２（ｉ）も２回ずつ選択することで、第１および第２測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を取得するようにしてもよい。

＜１．５　補正処理＞
　次に、本実施形態における外部補償を行うための補正処理（以下、単に「補正処理」という）について説明する。図１５は、本実施形態における補正処理を説明するためのブロック図であり、表示制御回路１００のうち各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における駆動トランジスタＴ２の特性（ここではゲインおよび閾値電圧）のバラツキや劣化を補償するための補正処理を行う部分の構成を示している。なお、表示制御回路１００のうち当該補正を行う部分は、特性検出モードにおいて各画素回路１０（の駆動トランジスタ）に流れる電流を測定する機能を有するデータ側駆動回路２００とともに外部補償回路を構成する。

　表示制御回路１００は、ＲＡＭ１４０の記憶領域の一部をゲイン補正メモリ１４１として使用し、ＲＡＭ１４０の記憶領域の他の一部を閾値電圧補正メモリ１４２として使用する（図２参照）。ゲイン補正メモリ１４１は、画素回路１０内の駆動トランジスタＴ２についてゲイン補償を行うためのデータ（以下「ゲイン補正データ」という）を記憶する。閾値電圧補正メモリ１４２は、画素回路１０内の駆動トランジスタＴ２の閾値電圧の値を示すデータ（以下「閾値電圧補正データ」という）を記憶する。また表示制御回路１００は、ＲＡＭ１４０の記憶領域の更に他の一部を作業用メモリ１４３として使用する。

　図１に示すように本実施形態では、表示部５００にはＮ×（Ｍ－ｑ）個の画素回路１０がマトリクス状の配置されている（Ｎ＝（ｐ＋１）ｎ、Ｍ＝ｑ・ｍ＋ｍ－１）。これらのＮ×（Ｍ－ｑ）個の画素回路１０に対応して、ゲイン補正メモリ１４１はＮ×（Ｍ－ｑ）個のゲイン補正データを記憶し、閾値電圧補正メモリ１４２はＮ×（Ｍ－ｑ）個の閾値電圧補正データを記憶する。以下、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対応したゲイン補正データをＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）と表し、画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対応した閾値電圧補正データをＶｔ（ｉ，ｊ）と表す。初期状態では、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）はすべて“１”に設定され、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）はすべて同じ値に設定される。その後、これらの補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ），Ｖｔ（ｉ，ｊ）は、特性検出モードでの後述の特性補償処理により更新される（図１８、図１９参照）。

　図１５に示すように表示制御回路１００は、第１ＬＵＴ（Look up Table ）１０１、乗算器１０２、加算器１０３、減算器１０４、第２ＬＵＴ１０５、および、ＣＰＵ１０６を含んでいる。なお、ＣＰＵ１０６に代えて、後述の図１８に示す特性補償処理に相当するロジック回路を用いてもよい。

＜１．５．１　通常表示モードにおける補正処理＞
　第１ＬＵＴ１０１は、入力信号Ｓｉｎに含まれる画像データＶ０の取り得る階調値と電圧値を対応づけて記憶している。通常表示モードにおいて、外部からの入力信号Ｓｉｎにおける画像データＶ０の階調値がＰのとき、第１ＬＵＴ１０１は階調値Ｐに対応した電圧値Ｖｄ（Ｐ）を出力する。乗算器１０２は、第１ＬＵＴ１０１から出力された電圧値Ｖｄ（Ｐ）と、ゲイン補正メモリ１４１から読み出されたゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）とを乗算する。加算器１０３は、乗算器１０２の出力と、閾値電圧補正メモリ１４２から読み出された閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）とを加算し、得られた値を画像データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）として出力する。画像データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、次式（６）で与えられる。
　　Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）
　＝Ｖｄ（Ｐ）×Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）＋Ｖｔ（ｉ，ｊ）　…（６）

　式（６）を式（３ｂ）に代入すると、次式（７）が導かれる。
　　ＩＬ＝（β／２）×｛Ｖｄ（Ｐ）×Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）
　　　　　　　　　　＋Ｖｔ（ｉ，ｊ）－（Ｖｔ＋Ｖａ）｝²…（７）
　したがって、駆動トランジスタＴ２の状態に応じてゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）と閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を変化させることにより、閾値電圧補償とゲイン補償の両方を画素回路１０ごとに行うことができる。なお、ここでの閾値電圧補償とは、駆動トランジスタＴ２の閾値電圧Ｖｔのみならず有機ＥＬ素子ＯＬの順方向電圧Ｖｆに相当するアノード電圧Ｖａをも含めた電圧Ｖｔ＋Ｖａに対する補償を意味するものとする。

　画像データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、例えばバッファメモリ（図示せず）に一時的に保持された後、ＣＰＵ１０６の制御に基づき表示制御回路１００からデータ側駆動回路２００に送られる。その後、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に対するこのような画像データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）を用いて、通常表示モードでのデータ側駆動回路２００および走査側駆動回路４００の既述の動作により（図８、図９、図１１参照）、入力信号Ｓｉｎの示す画像が表示部５００に表示される。

＜１．５．２　特性検出モードにおける補正処理＞
　本実施形態における補正処理では、特性検出モードにおいて、温度補償の施された電流モニタ結果に基づき補正データ（閾値電圧補正データおよびゲイン補正データ）が更新される。以下、このような特性検出モードにおける補正処理について説明する。

　第１ＬＵＴ１０１は、階調値Ｐに対して以下の変換を行う。有機ＥＬ素子ＯＬが最大輝度で発光するときに有機ＥＬ素子ＯＬを流れる電流をＩｗとし、そのときの駆動トランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが次式（８）で与えられるとする。なお以下では、階調値Ｐは、０～１の範囲の値に正規化されているものとする。
　　Ｖｇｓ＝Ｖｗ＋Ｖｔ　…（８）
　この場合、第１ＬＵＴ１０１は、例えば次式（９）に示す変換を行う。
　　Ｖｄ（Ｐ）＝Ｖｗ×Ｐ^1.1 …（９）

　式（９）に示す電圧Ｖｄ（Ｐ）を用いた場合、階調値Ｐに対応した駆動電流ＩＬ（Ｐ）は次式（１０）で与えられる。なお、Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）＝１、Ｖｔ（ｉ，ｊ）＝Ｖｔと仮定する。
　　ＩＬ（Ｐ）＝（β／２）×Ｖｗ²×Ｐ^2.2　…（１０）
　したがって、駆動電流ＩＬは、階調値Ｐに対してγ＝２．２の特性を有する。有機ＥＬ素子ＯＬの発光輝度は駆動電流ＩＬに比例するので、有機ＥＬ素子ＯＬの発光輝度も階調値Ｐｎに対してγ＝２．２の特性を有する。

　特性検出モードにおいて、第２ＬＵＴ１０５は、第１階調値Ｐ１を次式（１２）に示す第１理想特性値ＩＯ（Ｐ１）に変換し、第２階調値Ｐ２を次式（１３）に示す第２理想特性値ＩＯ（Ｐ２）に変換する。なお以下では、第１階調値Ｐ１および第２階調値Ｐ２も、０～１の範囲の値に正規化されているものとする。
　　ＩＯ（Ｐ１）＝Ｉｗ×Ｐ１^2.2 …（１２）
　　ＩＯ（Ｐ２）＝Ｉｗ×Ｐ２^2.2 …（１３）

　特性検出モードにおいて、第１階調値Ｐ１に基づく画像データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）および第２階調値に基づく画像データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が上記と同様にしてデータ側駆動回路２００に送られる。ＣＰＵ１０６は、これに対応する電流測定データとして、データ側駆動回路２００から第１測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）および第２測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を受け取る。図１からわかるように、これら第１および第２測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）のうち、ｉが１，ｎ＋１，２ｎ＋１，…，ｐ・ｎ＋１のいずれかであってｊがｍ，２ｍ，…，ｑ・ｍのいずれかである第１および第２測定データは、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）におけるトランジスタＴ２を流れる電流の測定値を示している。本実施形態では、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）におけるトランジスタＴ２を流れる電流の第１測定値を用いて当該温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）における温度Ｔｍ（ｉ，ｊ）を求める。以下においても、温度検出回路１２の行番号を画素回路１０の行番号と区別して示す場合には“ｉ”に代えて“ｉｔ”を使用し、温度検出回路１２の列番号を画素回路１０の列番号と区別して示す場合には“ｊ”に代えて“ｊｔ”を使用するものとする。また、画素回路１０の行番号を画温度検出回路１２の行番号と区別して示す場合には“ｉ”に代えて“ｉｐ”を使用し、画素回路１０の列番号を温度検出回路１２の列番号と区別して示す場合には“ｊ”に代えて“ｊｐ”を使用するものとする。

　図１６は、本実施形態における温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）に含まれるトランジスタＴ２の電圧－電流特性の温度依存性（以下「トランジスタ温度特性」という）を示す特性図である（トランジスタＴ２の閾値電圧およびゲインのバラツキによる当該温度特性の変化は小さく無視できるものとする）。例えば、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）にデータ電圧Ｖｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）を書き込んだときに当該温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）のトランジスタＴ２を流れる電流の第１測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）から、図１６の特性図に基づき当該温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）を求めることができる。本実施形態では、このようにして求めた各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）を用いて各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）に対する電流モニタ結果、すなわち第１測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）および第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）からなる２つの電流測定値に対して温度補償が行われ、温度補償の施された電流モニタ結果を用いて外部補償方式により各画素回路１０における駆動トランジスタＴ２の特性（閾値電圧およびゲイン）のバラツキや劣化が補償される。以下、このような電流モニタ結果に対する温度補償を含む画素回路１０の特性補償処理、すなわち画素回路１０内の駆動トランジスタの特性補償処理（以下「トランジスタ特性補償処理」または単に「特性補償処理」という）について説明する。

　本実施形態における各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）の温度Ｔｍ（ｉ，ｊ）は下記のようにして求められる。

　ＲＡＭ１４０またはフラッシュメモリ１５０を用いて、図１６が示すトランジスタ温度特性に基づき温度検出回路１２におけるトランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓとドレイン電流Ｉｄとの組み合わせに対し温度Ｔｍを対応付けるルックアップテーブル（以下「ＬＵＴ」と略記する）、および、画素回路１０におけるトランジスタのゲート－ソース間電圧Ｖｇｓと当該画素回路１０の推定温度Ｔｍｐとの組み合わせに対し電流測定値に対する温度補償係数（以下、単に「温度補償係数」という）ｒｃを対応付けるＬＵＴを作成することが可能である。一方、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）または各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）に書き込むべきデータ電圧をＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）で示すものとすると、特性検出モードの電流測定期間では、当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）または当該温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）におけるトランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓは、Ｖｇｓ＝Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）－Ｖａである（図１３、図１４参照）。また、トランジスタＴ２のドレイン電流Ｉｄは、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が書き込まれた当該画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）または当該温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）の電流の測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）に相当する。

　そこで本実施形態では、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の第１測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）とそれに対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）との組み合わせに対し温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）を対応付ける第３ＬＵＴ１０８、および、各温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）から決定される画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）の推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）とその画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）に書き込むべきデータ電圧Ｖｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）との組み合わせに対し温度補償係数ｒｃを対応付ける第４ＬＵＴ１０９が、ＲＡＭ１４０またはフラッシュメモリ１５０を用いて実現されている。すなわち、図１６が示すトランジスタ温度特性に基づき、ＲＡＭ１４０またはフラッシュメモリ１５０を用いて第３ＬＵＴ１０８および第４ＬＵＴ１０９が予め作成されている。なお、既述のように温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の第１測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）は、データ側駆動回路２００において電流測定回路として機能する入出力バッファ２８により測定されることから、当該入出力バッファ２８と上記第３ＬＵＴ１０８とにより、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）の温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）を測定する温度測定回路が実現されることになる（図１４、図１６、図１７参照）。また、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）に書き込むべきデータ電圧が一定であれば、温度検出回路Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）に流れる電流を測定する機能を有する入出力バッファ２８を温度測定回路とみなすこともできる。

　ここで、温度補償係数ｒｃは、各画素回路（ｉｐ，ｊｐ）につき、予め決められた標準温度（例えば２５℃）での電流値を求めるために当該第１および第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１），Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）に乗算すべき係数である。本実施形態では、画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）と温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）とでトランジスタＴ２の温度特性が実質的に同一と見なせるものとして、第４ＬＵＴ１０９も図１６の温度特性に基づき作成されるが、これに代えて、画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）のトランジスタＴ２についての同様の温度特性を予め調べ、当該温度特性に基づき第４ＬＵＴ１０９を作成してもよい。

　図１７は、上記の第３および第４ＬＵＴ１０８，１０９を示しており、ＣＰＵ１０６が、これらの第３および第４ＬＵＴ１０８，１０９を用いた温度補償処理により、各画素回路１０についての第１および第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１），Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）の温度依存性すなわち電流モニタ結果の温度依存性が補償される。本実施形態におけるトランジスタ特性補償処理はこのような電流モニタ結果に対する温度補償処理を含む。図１８は、本実施形態における第１の動作例（図７の（Ａ））に基づく１画面分のトランジスタ特性補償処理を示すフローチャートである。このトランジスタ特性補償処理において、ＣＰＵ１０６は、フラッシュメモリ１５０に格納された所定プログラムをＲＡＭ１４０にロードして実行することにより下記のように動作する。

　まず、図１２に示す動作に基づきデータ側駆動回路２００から画素回路１０および温度検出回路１２に対する電流測定値である第１測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を順次に受け取り、受け取った電流測定値（以下「入力測定値」ともいう）をＲＡＭ１４０内の作業用メモリ１４３に一時的に記憶する（ステップＳ１０）。ここでは、ステップＳ１０の１回の実行で１つの入力測定値を受け取って作業用メモリ１４３に一時的に記憶するものとする。

　次に、直前のステップＳ１０で入力された電流測定値（入力測定値）が温度検出回路１２に対する第１測定値か否かを判定する（ステップＳ１２）。この判定の結果、入力測定値が温度検出回路１２に対する第１測定値である場合にはステップＳ１６へ進み、入力測定値が温度検出回路１２に対する第１測定値でない場合、すなわち画素回路１０に対する第１測定値である場合にはステップＳ２２へ進む。

　ステップＳ１６では、入力測定値である第１測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）とそれに対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐ１）との組合せから第３ＬＵＴ１０８により温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）を求める。次に、このステップＳ１６により全ての温度検出回路１２の温度が求められたか否か判定する（ステップＳ１８）。この判定の結果、いずれかの温度検出回路１２の温度が求められていない場合には、ステップＳ１０へ戻り、全ての温度検出回路１２の温度が求められた場合には、ステップＳ２０へ進む。

　ステップＳ２０では、全ての温度検出回路１２につき求められた温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）から、図１に示す画素回路１０および温度検出回路１２の配置に基づく補間処理により各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）の推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を求める。この補間処理は、全ての温度検出回路１２につき求められた温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）に基づき表示部５００における温度分布を推定することに相当する。

　その後、ステップＳ２２において、全ての画素回路１０および全ての温度検出回路１２に対する第１測定値を受け取ったか否かを判定する。この判定の結果、全ての画素回路１０および全ての温度検出回路１２に対する第１測定値を受け取ってはいない場合、すなわち、いずれかの画素回路１０またはいずれかの温度検出回路１２に対する第１測定値を受け取っていない場合には、ステップＳ１０へ戻る。以降、全ての画素回路１０および全ての温度検出回路１２に対する第１測定値を全て受け取るまでステップＳ１０～Ｓ２２を繰り返し実行し、ステップＳ２２において、全ての画素回路１０および全ての温度検出回路１２に対する第１測定値を全て受け取ったと判定されると、ステップＳ２４へ進む。

　ステップＳ２４へ進んだ時点では、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の推定温度Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）が求められているので（ステップＳ２０参照）、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、当該画素回路の推定温度Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）と当該画素回路に書き込まれた第１データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）との組合せから第４ＬＵＴ１０９により温度補償係数ｒｃを求める。そして、この温度補償係数ｒｃを当該画素回路の第１測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に乗じることにより、第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を求める。すなわち、
　　Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）＝ｒｃ・Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）…（１４）
である。既述のように、この第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）は、当該画素回路における駆動トランジスタＴ２の第１階調値Ｐ１に対するドレイン電流を標準温度（２５℃）で測定したときの電流測定値を示している。

　ＣＰＵ１０６は、全ての画素回路１０および全ての温度検出回路１２に対する第１測定値を受け取った後、全ての画素回路１０に対する第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を順次に受け取る。ＣＰＵ１０６は、ステップＳ２６において、画素回路１０に対する１つの第２測定値を受け取ると、それを作業用メモリ１４３に一時的に記憶し、ステップＳ２８へ進む。

　ステップＳ２８では、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、当該画素回路の推定温度Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）と当該画素回路に書き込まれた第２データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）との組合せから第４ＬＵＴ１０９により温度補償係数ｒｃを求める。そして、この温度補償係数ｒｃを当該画素回路の第２測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に乗じることにより、第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を求める。すなわち、
　　Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）＝ｒｃ・Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）…（１５）
である。この第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）は、当該画素回路における駆動トランジスタＴ２の第２階調値Ｐ２に対するドレイン電流を標準温度（２５℃）で測定したときの電流測定値を示している。

　その後、全ての画素回路１０の第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が求められたか否かを判定する（ステップＳ３０）。この判定の結果、いずれかの画素回路１０の第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が求められていない場合にはステップＳ２６へ戻り、全画素回路１０の第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が求められた場合には、ステップＳ３２へ進む。

　ステップＳ３２では、既述の第２ＬＵＴ１０５から第１理想特性値ＩＯ（Ｐ１）および第２理想特性値ＩＯ（Ｐ２）を受け取る（図１５参照）。

　その後、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、第１理想特性値ＩＯ（Ｐ１）と第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）との比較結果に応じて閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を更新する（ステップＳ３４）。すなわち、次式（１６）が成立する場合には閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）にΔＶを加算し、次式（１７）が成立する場合には閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）からΔＶを減算し、次式（１８）が成立する場合には閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を更新しない。なお、ΔＶは予め定めた固定値である。
　　ＩＯ（Ｐ１）－Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）＞０　…（１６）
　　ＩＯ（Ｐ１）－Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）＜０　…（１７）
　　ＩＯ（Ｐ１）－Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）＝０　…（１８）

　またステップＳ３４では、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、第２理想特性値ＩＯ（Ｐ２）と第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）との比較結果に応じてゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を更新する。すなわち、次式（１９）が成立する場合にはゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）にΔＢを加算し、次式（２０）が成立する場合にはゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）からΔＢを減算し、次式（２１）が成立する場合にはゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を更新しない。なお、ΔＢは予め定めた固定値である。
　　ＩＯ（Ｐ２）－Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）＞０　…（１９）
　　ＩＯ（Ｐ２）－Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）＜０　…（２０）
　　ＩＯ（Ｐ２）－Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）＝０　…（２１）

　このようにして全ての画素回路につき閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）が更新されると、特性補償処理を終了する。

＜１．６　効果＞
　本実施形態のような外部補償方式の有機ＥＬ表示装置では、入力信号Ｓｉｎに含まれる画像データＶ０の各階調値Ｐに対応するデータ電圧Ｖｄ（Ｐ）が、画素回路毎に記憶された補正データ（閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ））に基づき補正されることで（図１５参照）、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における駆動トランジスタＴ２の特性（閾値電圧、ゲイン）のバラツキや劣化が補償される。このような外部補償のために、予め決められた階調値（Ｐ１，Ｐ２）に対応するデータ電圧（Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２））が書き込まれた各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）の駆動トランジスタに流れる電流が測定され（図１３参照）、当該測定によって得られる電流測定値（Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２））に基づき補正データが更新される（図１５、図１８参照）。本実施形態では、表示部５００に設けられた温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）にもデータ電圧が書き込まれて当該温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）のトランジスタＴ２に流れる電流が測定され（図１４参照）、当該測定結果に基づき温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）が求められる。このようにして得られる各温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）から各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）の推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）が求められる。求められた各推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）に基づき電流測定値（Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２））に温度補償が施され、これにより第１および第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が得られる。上記補正データの更新には、このような第１および第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が用いられる（図１７、図１８）。

　したがって本実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置が通常表示モードから特性検出モードに遷移する直前の表示内容に応じて各画素回路の温度が変化しても、駆動トランジスタＴ２の特性（閾値電圧やゲイン）のバラツキや劣化の補償を正確に行うことができる。すなわち、表示部５００の温度が均一化するための長い時間の経過後に外部補償のための電流測定を行っていた従来例とは異なり、表示部５００での画像表示の直後であっても、その時点での表示部における温度分布を考慮した正確なトランジスタ特性補償を行うことができる。また本実施形態では、画素回路毎に温度を検出するための回路を設けるのではなく、従来よりも少ない個数の温度検出回路１２により表示部５００における温度分布を考慮してトランジスタ特性が補償される（図１参照）。このようにして本実施形態によれば、有機ＥＬ表示装置において、構成の複雑化を抑えつつ表示部における温度分布を考慮した正確な外部補償を行うことができる。

　また本実施形態において、第１階調値Ｐ１よりも第２階調値Ｐ２の方が高い場合、第２検出期間ＴＭ２において画素回路が発熱し、第１検出期間ＴＭ１と第２検出期間ＴＭ２との間で温度差が生じることがある。本実施形態によれば、このような場合であっても、第１および第２検出期間ＴＭ１，ＴＭ２のそれぞれにおいて温度を求めて画素回路における駆動電流の測定値を補正（温度補償）することにより（図１２参照）、より高精度の外部補償を行うことができる。

＜１．７　第１の実施形態における特性補償処理の別例＞
　図１８は、第１の動作例（図７の（Ａ））に基づく特性補償処理を示しているが、図１８の特性補償処理に代えて、第２の動作例（図７の（Ｂ））または第３の動作例（図７の（Ｃ））に基づく特性補償処理を行ってもよい。例えば第２の動作例（図７の（Ｂ））に基づく特性補償処理は、具体的には図１９に示すような処理となる。図１９は、本実施形態の第２の動作例における１画面分のトランジスタ特性補償処理を示すフローチャートである。このトランジスタ特性補償処理において、ＣＰＵ１０６は、フラッシュメモリ１５０に格納された所定プログラムをＲＡＭ１４０にロードして実行することにより下記のように動作する。

　図７の（Ｂ）からわかるように第２の動作例では、ＣＰＵ１０６は、データ側駆動回路２００から、まず、全ての温度検出回路１２における電流の測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐｔ）を順次に受け取り、次に、全ての画素回路１０における第１測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ１）を順次に受け取り、その後に、全ての画素回路１０における第２測定値Ｉｍ（ｉｐ，ｊｐ，Ｐ２）を順次に受け取る。

　ＣＰＵ１０６は、まずステップＳ５０において、１つの測定値Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐｔ）を受け取ると、受け取った測定値（以下「入力測定値」という）Ｉｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐｔ）とそれに対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉｔ，ｊｔ，Ｐｔ）との組合せから第３ＬＵＴ１０８により温度検出回路Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）の温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）を求める。次に、直前のステップＳ５０により全ての温度検出回路１２の温度が求められたか否か判定する（ステップＳ５２）。この判定の結果、いずれかの温度検出回路１２の温度が求められていない場合には、ステップＳ５０へ戻り、全ての温度検出回路１２の温度が求められた場合には、ステップＳ５６へ進む。

　ステップＳ５６では、全ての温度検出回路１２につき求められた温度Ｔｍ（ｉｔ，ｊｔ）から、図１に示す画素回路１０および温度検出回路１２の配置に基づく補間処理により各画素回路Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）の推定温度Ｔｍｐ（ｉｐ，ｊｐ）を求める。

　次に、既述の第２ＬＵＴ１０５から第１理想特性値ＩＯ（Ｐ１）および第２理想特性値ＩＯ（Ｐ２）を受け取る（ステップＳ５８）（図１５参照）。

　その後、ステップ６０において、データ側駆動回路２００からいずれかの画素回路１０の第１測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を受け取ると、その画素回路１０の推定温度Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）とその第１測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）との組合せから第４ＬＵＴ１０９により温度補償係数ｒｃを求める。そして、この温度補償係数ｒｃを当該画素回路１０の第１測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に乗じることにより、第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を求める。すなわち、
　　Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）＝ｒｃ・Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）…（１４）
である。

　次に、図１８のステップＳ３４と同様、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、第１理想特性値ＩＯ（Ｐ１）と第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）との比較結果に応じて閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を更新する（ステップＳ６４）。

　その後、全画素回路１０の第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が求められたか否かを判定する（ステップＳ６６）。この判定の結果、いずれかの画素回路１０の第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が求められていない場合にはステップＳ６０へ戻り、全画素回路１０の第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が求められた場合にはステップＳ６８へ進む。

　ステップＳ６８において、データ側駆動回路２００からいずれかの画素回路１０の第２測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を受け取ると、その画素回路１０の推定温度Ｔｍｐ（ｉ，ｊ）とその第２測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に対応するデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）との組合せから第４ＬＵＴ１０９により温度補償係数ｒｃを求める。そして、この温度補償係数ｒｃを当該画素回路１０の第２測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に乗じることにより、第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を求める。すなわち、
　　Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）＝ｒｃ・Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）…（１５）
である。

　次に、図１８のステップＳ３４と同様、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、第２理想特性値ＩＯ（Ｐ２）と第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）との比較結果に応じてゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を更新する（ステップＳ７２）。

　その後、全画素回路１０の第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が求められたか否かを判定する（ステップＳ７４）。この判定の結果、いずれかの画素回路１０の第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が求められていない場合にはステップＳ６８へ戻り、全画素回路１０の第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が求められた場合には、特性補償処理を終了する。

　上記第１および第２の動作例（図７の（Ａ）および（Ｂ））に基づく特性補償処理では、補正データの更新は、第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）のみに基づく閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）の更新と、第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）のみに基づくゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）の更新とから構成される（図１８のステップＳ３４、図１９のステップＳ６４，Ｓ７２）。これに対し、第３の動作例（図７の（Ｃ））に基づく特性補償処理では、補正データの更新は、第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）および第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）の双方に基づき下記のように行われる。

　図７の（Ｃ）に示す第３の動作例では、各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、第１検出期間ＴＭ１において、第１測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を得た後に当該測定値に温度補償を施すことにより第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を得て、第２検出期間ＴＭ２において、第２測定値Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を得た後に当該測定値に温度補償を施すことにより第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を得る。より詳しくは、第１検出期間ＴＭ１には、次式（２１）で算出される第１測定用階調電圧Ｖｍp1を画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に画素データとして書き込むことによって得られる駆動電流（駆動トランジスタＴ２に流れる電流）の測定が行われ、第２検出期間ＴＭ２には、次式（２２）で算出される第２測定用階調電圧Ｖｍp2を画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）に画素データとして書き込むことによって得られる駆動電流の測定が行われる。
　　Ｖｍp1＝Ｖcw×Ｖｎ(Ｐ１)×Ｂ(ｉ，ｊ)＋Ｖth(ｉ，ｊ) …（２１）
　　Ｖｍp2＝Ｖcw×Ｖｎ(Ｐ２)×Ｂ(ｉ，ｊ)＋Ｖth(ｉ，ｊ) …（２２）
ここで、Ｖｃｗは、最小階調に対応する階調電圧と最大階調に対応する階調電圧との差（すなわち階調電圧の範囲）である。Ｖｎ（Ｐ１）は、第１階調値Ｐ１を０～１の範囲の値に正規化した値であり、Ｖｎ（Ｐ２）は、第２階調値Ｐ２を０～１の範囲の値に正規化した値である。Ｂ（ｉ，ｊ）は、次式（２３）で算出される第ｉ行第ｊ列の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）についての正規化係数である。Ｖｔｈ（ｉ，ｊ）は、第ｉ行第ｊ列の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）についてのオフセット値である。
　　Ｂ＝√（β０／β）　…（２３）
ここで、β０は全画素回路１０についてのゲイン値の平均値であり、βは第ｉ行第ｊ列の画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）についてのゲイン値である。

　上記のようにして第１および第２階調値Ｐ１，Ｐ２に基づく駆動電流の測定が行われた後、その測定値に温度補償が施され、温度補償後の測定値に基づいて、オフセット値Ｖｔｈおよびゲイン値βの算出が行われる。これらの算出の際、駆動トランジスタＴ２のドレイン電流（駆動電流）Ｉｄとゲート－ソース間電圧Ｖｇｓとの関係を示す次式（２４）が用いられる。
　　Ｉd＝(β/2)×（Ｖgs－Ｖth）²　…（２４）
具体的には、第１階調値Ｐ１に基づく測定結果（温度補償後の値）を上記式（２４）に代入した式と第２階調値Ｐ２に基づく測定結果（温度補償後の値）を上記式（２４）に代入した式との連立方程式から、次式（２５）に示すオフセット値Ｖｔｈと、次式（２６）に示すゲイン値βとが得られる。
　　Ｖth＝｛Ｖgsp2√(IOp1)－Ｖgsp1√(IOp2)｝／｛√(IOp1)－√(IOp2)｝…（２５）
　　β＝2｛√(IOp1)－√(IOp2)｝²／(Ｖgsp1－Ｖgsp2)²　…（２６）
ここで、ＩＯp1は、第１階調値Ｐ１に基づく測定結果としての駆動電流（温度補償後の値）であって上記第１温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に相当し、ＩＯp2は、第２階調値Ｐ２に基づく測定結果としての駆動電流（温度補償後の値）であって上記第２温度補償測定値Ｉｍｃ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に相当する。また、Ｖgsp1は第１階調値Ｐ１に基づくゲート－ソース間電圧であり、Ｖgsp2は第２階調値Ｐ２に基づくゲート－ソース間電圧である。既述のように本実施形態では、駆動電流が測定されている画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における駆動トランジスタＴ２のソース端子は、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳに維持される（図１３参照）。以下では、このローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを“０”として説明する。この場合、Ｖgsp1は次式（２７）により与えられ、Ｖgsp2は次式（２８）により与えられる。
　　Ｖgsp1＝Ｖｍp1　…（２７）
　　Ｖgsp2＝Ｖｍp2　…（２８）

　各画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）につき、以上のようにして算出されたオフセット値Ｖｔｈおよびゲイン値βを用いて、閾値電圧補正メモリ１４２における閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正メモリ１４１におけるゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）が更新される（図２参照）。なお、上記のオフセット値Ｖｔｈは、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）に相当し、上記式（２３）で与えられる正規化係数Ｂ＝√（β０／β）は、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）に相当する。

＜２．第２の実施形態＞
　図２０は、本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置は、表示部５００以外については上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と実質的に同様の構成を有しているので、同一または対応する部分に同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。

　図２０には示されていないが、本実施形態においても、図１等に示す上記第１の実施形態と同様、表示部５００に、Ｍ本（Ｍは２以上の整数）のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）と、これらに交差するＮ本（Ｎは２以上の整数）の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）およびＮ本のモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）とが配設されている。また表示部５００には、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）およびＮ本の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）に沿って多数の画素回路１０がマトリクス状に配置されている。各画素回路１０は、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）のいずれかに接続されるとともに、Ｎ本の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）のいずれかに接続され、かつ、Ｎ本のモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）のいずれかにも接続されている。ただし、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）には、いずれの画素回路１０も接続されない温度検出用データ信号線がｍ本のデータ信号線に１本の割合で（表示部５００全体でｑ本）含まれており、これらｑ本の温度検出用データ信号線ＤＬ（ｍ），ＤＬ（２ｍ），…，ＤＬ（ｑ・ｍ）のそれぞれには温度検出回路１２が接続されている。図２０において、温度検出回路１２は斜線の付された矩形として描かれている。

　図１に示すように上記第１の実施形態における表示部５００では、各温度検出用データ信号線ＤＬ（ｋ・ｍ）（ｋ＝１～ｑ）においてｎ本の走査信号線毎に１個ずつ温度検出回路１２が等間隔で接続されているのに対し、図２０に示すように本実施形態における表示部５００では、温度検出回路１２は、データ側駆動回路２００からの距離が所定値以下の領域Ｒａ（以下「表示領域Ｒａ」という）において、表示領域Ｒａ以外の領域Ｒｂ（以下「表示領域Ｒｂ」という）におけるデータ信号線延在方向の配置間隔よりも短い間隔で配置されている。すなわち図２０に示す例では、表示部５００において、データ側駆動回路２００が接続される側の辺（表示部端）からの距離（以下「データ側駆動回路からの距離」という）が３０ｍｍ以下である領域が表示領域Ｒａであって、データ側駆動回路からの距離が３０ｍｍを超える領域が表示領域Ｒｂであり、温度検出回路１２のデータ信号線延在方向の配置間隔は、表示領域Ｒｂでは例えば２０ｍｍ～４０ｍｍ程度であるが、表示領域Ｒａでは例えば５ｍｍ～１０ｍｍ程度である。

　一般にデータ側駆動回路２００の動作には発熱を伴うことから、表示部５００において、データ側駆動回路２００からの距離が近い領域では遠い領域に比べて（データ信号線延在方向の）温度勾配が急なものとなる。これに対し本実施形態では、上記のように、データ側駆動回路２００からの距離が３０ｍｍ以下である表示領域Ｒａにおける温度検出回路１２のデータ信号線延在方向の配置間隔を、データ側駆動回路からの距離が３０ｍｍを超える表示領域Ｒｂにおける温度検出回路１２のデータ信号線延在方向の配置間隔よりも短くしている。ここで、温度検出回路１２のデータ信号線延在方向の配置間隔を短くすべき表示領域Ｒａを特定するための数値として３０ｍｍというデータ側駆動回路からの距離を選定したのは、本願発明者の経験上、その数値に基づき配置された温度検出回路１２により得られる温度分布に基づき電流モニタ結果を補正することが外部補償を正確に行う上で好適だからである。

　上記のような本実施形態によれば、図２０に示すように、表示部５００のうちデータ側駆動回路２００の発熱により温度勾配が急となる表示領域Ｒａでは、それ以外の表示領域Ｒｂに比べ温度検出回路１２がデータ信号線延在方向に短い間隔で配置される。このため、各温度検出回路１２により検出される温度に基づきより正確な温度分布（各画素回路１０での推定温度）が得られ、この温度分布に基づき電流モニタ結果が補正され、補正後の電流モニタ結果を用いた外部補償（各画素回路１０における駆動トランジスタの特性のバラツキや劣化の補償）が行われる。したがって、上記第１の実施形態に比べ、より正確に外部補償を行うことができる。

＜３．第３の実施形態＞
　図２１は、本発明の第３の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置は、データ側駆動回路２００および表示部５００以外については上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と実質的に同様の構成を有しているので、同一または対応する部分に同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。

　一般に表示部において走査信号線の延在方向すなわち水平方向の画素数が多い場合、複数のデータドライバを用いて表示部５００（のデータ信号線）が駆動され、通常、１個のデータドライバは１個のＩＣ（Integrated Circuit）チップで実現される。本実施形態においても複数のデータドライバにより表示部５００（のデータ信号線）が駆動される。すなわち、表示部５００におけるデータ信号線が複数の副駆動回路により駆動される。より詳しくは、表示部５００におけるデータ信号線は互いに隣接する２以上の所定数本のデータ信号線を１組として複数組のデータ信号線群にグループ化され、データ側駆動回路２００は、当該複数組のデータ信号線群に１対１に対応する複数の副駆動回路として複数のデータドライバを含み、各データドライバは、それに対応するデータ信号線群に接続され、当該対応するデータ信号線群を駆動する。

　図２１に示す構成ではデータ側駆動回路２００が３個のデータドライバ２００ａ，２００ｂ，２００ｃから構成され、これら３個のデータドライバ２００ａ，２００ｂ，２００ｃによって表示部５００におけるデータ信号線が駆動される。各データドライバ２００ｘ（ｘ＝ａ，ｂ，ｃ）は、上記第１の実施形態におけるデータ側駆動回路２００と同様（図１参照）、直並列変換部２０２とＤＡ変換部２０４とＡＤ変換部２０６と入出力バッファ部２０８とを備えている。また図２１に示すように、これら３個のデータドライバ２００ａ，２００ｂ，２００ｃにそれぞれ含まれる３つの直並列変換部２０２，２０２，２０２は互いに縦続接続されており、これにより、これら３個のデータドライバ２００ａ，２００ｂ，２００ｃからなるデータ側駆動回路２００は、上記第１の実施形態におけるデータ側駆動回路２００と実質的に同様に動作し同様の機能を有する。なお、各データドライバ２００ｘ（ｘ＝ａ，ｂ，ｃ）は、表示部５００におけるデータ信号線の本数の１／３の本数のデータ信号線を駆動する。

　図２１には示されていないが、本実施形態においても、図１等に示す上記第１の実施形態と同様、表示部５００に、Ｍ本（Ｍは２以上の整数）のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）と、これらに交差するＮ本（Ｎは２以上の整数）の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）およびＮ本のモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）とが配設されている。また表示部５００には、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）およびＮ本の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）に沿って多数の画素回路１０がマトリクス状に配置されている。各画素回路１０は、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）のいずれかに接続されるとともに、Ｎ本の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）のいずれかに接続され、かつ、Ｎ本のモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）のいずれかにも接続されている。ただし、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）には、いずれの画素回路１０も接続されない温度検出用データ信号線がｍ＝Ｍ／３本のデータ信号線に１本の割合で（表示部５００全体で３本）含まれており、これら３本の温度検出用データ信号線のそれぞれには温度検出回路１２が接続されている。図２１において、温度検出回路１２は斜線の付された矩形として描かれている。

　本実施形態におけるデータ側駆動回路２００において、第１データドライバ２００ａはデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（ｍ）を駆動し、第２データドライバ２００ｂはデータ信号線ＤＬ（ｍ＋１）～ＤＬ（２ｍ）を駆動し、第３データドライバ２００ａはデータ信号線ＤＬ（２ｍ＋１）～ＤＬ（３ｍ）を駆動する（ｍ＝Ｍ／３なる整数）。各データドライバ２００ｘ（ｘ＝ａ，ｂ，ｃ）が駆動するデータ信号線ＤＬ（（ｋ－１）ｍ＋１）～ＤＬ（ｋ・ｍ）（ｋ＝１，２，３）のうち中央付近の１本のデータ信号線は、画素回路１０が接続されず温度検出回路１２のみが接続されている温度検出用データ信号線である。各データドライバ２００ｘにおける温度検出用データ信号線は、当該データドライバ２００ｘに接続されるｍ本のデータ信号線のうちｍ／３番目から２ｍ／３番目のまでのデータ信号線のいずれかであることが好ましい。

　上記のような本実施形態によれば、各データドライバ２００ｘ（ｘ＝ａ，ｂ，ｃ）は、表示部５００のうち当該データドライバ２００ｘが駆動するｍ本のデータ信号線が配設される領域を担当し、その担当領域における温度検出回路１２により検出される温度に基づきその担当領域における温度分布を求める（具体的にはその担当領域における各画素回路１０の推定温度を求める）。したがって、データドライバ２００ｘ毎に、その担当領域における各画素回路１０の推定温度に基づき電流モニタ結果が補正され、補正後の電流モニタ結果を用いた外部補償（各画素回路１０における駆動トランジスタの特性のバラツキや劣化の補償）が行われる。このようにして、データドライバ２００ｘ毎に担当領域の温度分布を求めて適切に外部補償を行うことができる。

　また本実施形態によれば、１つのデータドライバ２００ｘに対し１列の温度検出回路１２（１本の温度検出用データ信号線に接続された所定数の温度検出回路１２）が設けられているのみである。このため、１つのデータドライバ２００ｘに対し複数列の温度検出回路１２が設けられている場合に比べ、温度検出回路１２により得られる温度を含む温度情報を処理する回路を簡略化または削減することができる。ただし、１つのデータドライバ２００ｘに２列以上の温度検出回路１２が設けられていてもよい。すなわち、１つのデータドライバ２００ｘに２本以上の温度検出用データ信号線が接続されていてもよく、このような場合であってもデータドライバ２００ｘ毎に担当領域の温度分布を求めて適切に外部補償を行うことができる。

＜４．第４の実施形態＞
　図２２は、本発明の第４の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置は、データ側駆動回路２００および表示部５００以外については上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置と実質的に同様の構成を有しているので、同一または対応する部分に同一の参照符号を付して詳しい説明を省略する。

　図２２には示されていないが、本実施形態では、表示部５００に、白データ信号線ＤＬｗ（ｊ）、赤データ信号線ＤＬｒ（ｉ）、緑データ信号線ＤＬｇ（ｉ）、青データ信号線ＤＬｂ（ｉ）からなる４本のデータ信号線を１組とするＭ組（Ｍは２以上の整数）のデータ信号線ＤＬｗ（１），ＤＬｒ（１），ＤＬｇ（１），ＤＬｂ（１）～ＤＬｗ（Ｍ），ＤＬｒ（Ｍ），ＤＬｇ（Ｍ），ＤＬｂ（Ｍ）と、これらに交差するＮ本（Ｎは２以上の整数）の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）およびＮ本のモニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）とが配設されている。また、白データ信号線ＤＬｗ（ｊ）、赤データ信号線ＤＬｒ（ｉ）、緑データ信号線ＤＬｇ（ｉ）、青データ信号線ＤＬｂ（ｉ）からなる１組のデータ信号線毎に１本のモニタ信号線ＭｏＬがデータ信号線に沿って配設されている。そして表示部５００には、４Ｍ本のデータ信号線ＤＬｗ（ｉ），ＤＬｒ（ｉ），ＤＬｇ（ｉ），ＤＬｂ（ｉ）（ｉ＝１～Ｍ）およびＮ本の走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）に沿って多数の画素回路１０がマトリクス状に配置されている。

　図２３は、本実施形態における画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢおよび温度検出回路１２の電気的構成を示す回路図である。表示部５００はカラー画像を表示するように構成されており、表示すべきカラー画像における各画素を形成するための画素形成部１５が表示部５００に設けられている。各画素形成部１５は、走査信号線の延在方向に隣接する白画素回路ＰｘＷ、赤画素回路ＰｘＲ、緑画素回路ＰｘＧ、青画素回路ＰｘＢからなる４個の画素回路から構成されている。白画素回路ＰｘＷ、赤画素回路ＰｘＲ、緑画素回路ＰｘＧ、青画素回路ＰｘＢは、点灯時において白色光、赤色光、緑色光、青色光をそれぞれ発する。各白画素回路ＰｘＷは、Ｍ本の白データ信号線ＤＬｗ（１）～ＤＬｗ（Ｍ）のいずれかに接続され、各赤画素回路ＰｘＲは、Ｍ本の赤データ信号線ＤＬｒ（１）～ＤＬｒ（Ｍ）のいずれかに接続され、各緑画素回路ＰｘＧは、Ｍ本の緑データ信号線ＤＬｇ（１）～ＤＬｇ（Ｍ）のいずれかに接続され、各青画素回路ＰｘＢは、Ｍ本の青データ信号線ＤＬｂ（１）～ＤＬｂ（Ｍ）のいずれかに接続されている。また、カラー画像表示のための各画素に対応し互いに隣接する４個の画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢは、表示部５００におけるＭ本のモニタ信号線ＭｏＬのいずれかに接続されている。さらに各画素回路ＰｘＸ（Ｘ＝Ｗ，Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、走査信号線ＧＬ１（１）～ＧＬ１（Ｎ）のいずれか、および、モニタ制御線ＧＬ２（１）～ＧＬ２（Ｎ）のいずれかにも接続されている。

　また図２２および図２３に示すように、表示部５００において、走査信号線の延在方向には、１つの画素形成部１５を構成する４個の画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢに対し１個の温度検出回路１２が設けられている。また表示部５００において、１本以上の所定数本の走査信号線に１本の割合で温度検出用走査信号線ＧＬ１ｔ＝ＧＬ１（ｉｔ）が設けられており、各温度検出用走査信号線ＧＬ１ｔには、画素回路は接続されず温度検出回路１２のみが接続されている。そして、各画素形成部１５を構成する４個の画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢは、Ｍ本のモニタ信号線ＭｏＬのいずれかに接続され、当該４個の画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢに１個の温度検出回路１２が対応して設けられている場合には、当該温度検出回路１２も当該モニタ信号線ＭｏＬに接続されている。これら４個の画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢにそれぞれ接続される４本のデータ信号線ＤＬｗ（ｊ），ＤＬｒ（ｊ），ＤＬｇ（ｊ），ＤＬｂ（ｊ）のうち白データ信号線ＤＬｗは当該対応する温度検出回路１２にも接続されている。

　なお図２３に示すように、本実施形態における各画素回路ＰｘＸ（Ｘ＝Ｗ，Ｒ，Ｇ，Ｂ）は、上記第１の実施形態における画素回路１０と同様の電気的構成を有しており（図３参照）、トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３とキャパシタＣｓｔと有機ＥＬ素子ＯＬとを含んでいる。また図２３に示すように、本実施形態における温度検出回路１２も、上記第１の実施形態における温度検出回路１２と同様の電気的構成を有しており（図４参照）、トランジスタＴ１，Ｔ２，Ｔ３とキャパシタＣｓｔとを含んでいる。

　本実施形態におけるデータ側駆動回路２００は、図２２に示すように、上記第１の実施形態と同様（図１参照）、直並列変換部２０２とＤＡ変換部２０４とＡＤ変換部２０６と入出力バッファ部２０８とを備えている。しかし、本実施形態におけるデータ側駆動回路２００には、白データ信号線ＤＬｗ（ｊ）、赤データ信号線ＤＬｒ（ｉ）、緑データ信号線ＤＬｇ（ｉ）、青データ信号線ＤＬｂ（ｉ）からなる４本のデータ信号線を１組とするＭ組のデータ信号線ＤＬｗ（１），ＤＬｒ（１），ＤＬｇ（１），ＤＬｂ（１）～ＤＬｗ（Ｍ），ＤＬｒ（Ｍ），ＤＬｇ（Ｍ），ＤＬｂ（Ｍ）が接続されるとともに、図２２に示すように、１組のデータ信号線ＤＬｗ（ｊ），ＤＬｒ（ｊ），ＤＬｇ（ｊ），ＤＬｂ（ｊ）につき１本ずつ設けられたＭ本のモニタ信号線ＭｏＬも接続されている。このため、当該データ側駆動回路２００の具体的な構成は上記第１の実施形態とは相違する。以下、この点につき図２４および図２５を参照して説明する。図２４は、本実施形態におけるデータ側駆動回路２００のうち１本のデータ信号線ＤＬｘ（ｊ）（ｘはｗ，ｒ，ｇ，ｂのいずれか）が接続される部分の詳細構成を説明するための回路図である。図２５は、本実施形態におけるデータ側駆動回路２００のうち１本のモニタ信号線ＭｏＬが接続される部分の詳細構成を説明するための回路図である。

　上記第１の実施形態におけるデータ側駆動回路２００には、Ｍ本のデータ信号線ＤＬ（１）～ＤＬ（Ｍ）が接続されており、各データ信号線ＤＬ（ｊ）は、特性検出モードにおいて画素回路Ｐｉｘ（ｉ，ｊ）における電流の測定のためのモニタ信号線としても機能する。このため、このデータ側駆動回路２００のうち１本のデータ信号線ＤＬ（ｊ）が接続される部分は、図６に示すように構成されている。

　これに対し本実施形態では、データ側駆動回路２００のうち１本のデータ信号線ＤＬｘ（ｊ）（ｘはｗ，ｒ，ｇ，ｂのいずれか）が接続される部分は、図２４に示すように構成されている。すなわちデータ側駆動回路２００は、１つのデータ信号線ＤＬｘ（ｊ）に対応する回路部分として、出力バッファ２８ａとＤＡ変換器（ＤＡＣ）２０とを含んでいる。ＤＡ変換器２０には、直並列変換部２０２からの１行分のデジタル画像信号のうちｊ番目のＸ色信号用出力端子Ｔｘｊ（ＸはＷ，Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれかであり、ｘはそれに対応するｗ，ｒ，ｇ，ｂのいずれか）から出力される１副画素に対応するデジタル画像信号Ｖｍｘ（ｉ，ｊ，Ｐ）が順次入力される（ｉ＝１～Ｎ）。ここで、デジタル画像信号Ｖｍｘ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、第ｉ行第ｊ組のＸ色画素回路ＰｘＸにおいて階調値Ｐで画素を表示するために当該画素回路ＰｘＸに与えるべきデータ電圧を示すデジタル信号である。出力バッファ２８ａは、オペアンプ２１を用いて構成された電圧ホロアであり、オペアンプ２１の出力端子は反転入力端子およびデータ信号線ＤＬｘ（ｊ）に接続され、非反転入力端子はＤＡ変換器２０の出力端に接続されている。ＤＡ変換器２０の入力端は、直並列変換部２０２における対応する端子すなわちｊ番目のＸ色信号用出力端子Ｔｘｊに接続されている。このような構成により、ＤＡ変換器２０に入力されるデジタル信号Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、アナログ電圧信号に変換され、低出力インピーダンスでデータ信号線ＤＬｘ（ｊ）に与えられる。

　また本実施形態では、データ側駆動回路２００のうち１本のモニタ信号線ＭｏＬが接続される部分は、図２５に示すように構成されている。すなわちデータ側駆動回路２００は、１本のモニタ信号線ＭｏＬに対応する回路部分として、入力バッファ２８ｂとＡＤ変換器２４とを含んでいる。入力バッファ２８ｂは、オペアンプ２１およびキャパシタ２２を含んでいる。オペアンプ２１の反転入力端子はモニタ信号線ＭｏＬに接続され、非反転入力端子はローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続され、出力端子はキャパシタ２２を介して反転入力端子に接続されている。このような構成により、特性検出モードにおいて、選択状態のモニタ制御線ＧＬ２（ｉ）に接続された第ｊ列の画素形成部１５におけるＸ色画素回路ＰｘＸ、または、当該モニタ制御線ＧＬ２（ｉ）に接続され第ｊ列の画素形成部１５に対応する温度検出回路１２から出力される電流（当該画素回路ＰｘＸまたは当該温度検出回路１２のトランジスタＴ２に流れる電流）が、モニタ信号線ＭｏＬを介して入力バッファ２８ｂに与えられる。入力バッファ２８ｂはこの電流を示す電圧信号を生成し、その電圧信号はＡＤ変換器２４によりデジタル信号Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）に変換されて、直並列変換部２０２における対応する入力端子Ｔｍｏに与えられる。

　なお本実施形態では、図２２、図２３に示すように、１つの画素形成部１５を構成する４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢで１本のモニタ信号線ＭｏＬが共用されており、当該４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢには同一のモニタ制御線ＧＬ２（ｉ）が接続されている。このような構成において、画素回路ＰｘＸ毎に外部補償を行うべく画素回路ＰｘＸ毎に電流を測定するには（ＸはＷ，Ｒ，Ｇ，Ｂのいずれか）、例えば、モニタ制御線ＧＬ２（ｉ）（ｉ＝１～Ｎ）の駆動と連動させてデータ信号線ＤＬｘ（ｊ）（ｘ＝ｗ，ｒ，ｇ，ｂ；ｊ＝１～Ｍ）および走査信号線ＧＬ１（ｉ）（ｉ＝１～Ｎ）を次のように駆動すればよい。すなわち特性検出モードにおいて、各画素形成部１５を構成する４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢのいずれか１つにのみ第１階調値Ｐ１または第２階調値Ｐ２に対応するデータ電圧を書き込むとともに、他の画素回路には黒電圧に相当するデータ電圧（駆動電流が流れないような電圧）を書き込み、かつ、第１階調値Ｐ１または第２階調値Ｐ２に対応するデータ電圧を書き込む画素回路が当該４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢの間で順次に入れ替わるように、データ信号線ＤＬｘ（ｊ）（ｘ＝ｗ，ｒ，ｇ，ｂ；ｊ＝１～Ｍ）および走査信号線ＧＬ１（ｉ）（ｉ＝１～Ｎ）を駆動すればよい。また、１つの画素形成部１５を構成する４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢは互いに近接していることから、特性検出モードにおける駆動方法につき次のような別例も考えられる。すなわち、当該４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢにおける駆動トランジスタＴ２の特性（閾値電圧およびゲイン）は同一であるとみなし、当該４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢに第１階調値Ｐ１または第２階調値Ｐ２に対応するデータ電圧を同時に書き込むようにデータ信号線ＤＬｘ（ｊ）（ｘ＝ｗ，ｒ，ｇ，ｂ；ｊ＝１～Ｍ）および走査信号線ＧＬ１（ｉ）（ｉ＝１～Ｎ）を駆動し、当該４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ（の駆動トランジスタＴ２）に流れる電流の和に相当する電流をモニタ信号線ＭｏＬを介して測定するようにしてもよい。この場合、当該４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢに対して同一の補正データ（閾値電圧補正データおよびゲイン補正データ）が使用され、当該４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ毎（画素形成部１５毎）に外部補償が行われることになる。

　上記のような本実施形態によれば、複数の画素回路（図２２の構成では４個の画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ）によりカラー画像における１画素を形成する有機ＥＬ表示装置においても、温度検出回路１２により検出された温度に基づき表示部５００の温度分布（具体的には各画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢにおける推定温度）が求められ、各画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢについての電流モニタ結果が当該画素回路の推定温度に基づき補正される。この補正後の電流モニタ結果すなわち温度補償後の電流モニタ結果を用いて外部補償（各画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢにおける駆動トランジスタの特性のバラツキや劣化の補償）が行われる。このため本実施形態によれば、複数の画素回路によりカラー画像における１画素を形成する有機ＥＬ表示装置においても、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。

　また本実施形態によれば、カラー画像における１画素に対応する複数の画素回路（図２２の構成では４個の画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢ）に対し１個の温度検出回路１２を設けることにより、温度検出およびそれに基づく電流モニタ結果の補正のために必要な回路の構成を単純化し回路量を削減することができる。さらに本実施形態では、データ信号線とは別にモニタ信号線ＭｏＬが設けられていること、および、当該複数の画素回路および上記１個の温度検出回路１２で１本のモニタ信号線ＭｏＬが共用されていることから、データ側駆動回路２００において構成が単純化され必要な回路量も削減される（図２３～図２５参照）。

　なお、本実施形態では、白、赤、緑、青の４原色に基づきカラー画像を表示すべく、当該４原色に対応する４つの画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢによりカラー画像における１画素が形成されるが、４原色以外の原色、例えば赤、緑、青からなる３原色に基づきカラー画像を表示すべく、当該３原色に対応する３つの画素回路ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢによりカラー画像における１画素が形成されるように構成されていてもよい。また、カラー画像表示のための原色数とは関係なく、走査信号線の延在方向（水平方向）に隣接する２つ以上の画素回路１０毎に１つの温度検出回路１２を設け、これに応じて上記と同様にモニタ信号線を配設するように構成されていてもよい。

＜５．変形例＞
　本発明は上記各実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲を逸脱しない限りにおいてさらに種々の変形を施すことができる。

　例えば、上記各実施形態では、画素回路１０は図３に示すように構成され、画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢは図２３に示すように構成されているが、画素回路１０および画素回路ＰｘＷ，ＰｘＲ，ＰｘＧ，ＰｘＢの構成はこれらの図に示す構成に限定されない。電流によって駆動される表示素子と、その表示素子の駆動電流を制御するためのデータ電圧を保持する保持キャパシタと、その保持キャパシタに保持されたデータ電圧に応じてその表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタとを含む画素回路であって、駆動トランジスタに流れる電流を表示部５００から取り出させるように構成されていればよい。また、温度検出回路１２の構成も、図４または図２３に示す構成に限定されず、電流によって駆動される有機ＥＬ素子等の表示素子が含まれない点を除き画素回路と同様の構成であればよい。

　また上記各実施形態では、バラツキや劣化を補償すべきトランジスタ特性として閾値電圧とゲインが取り上げられているが、これらのいずれか一方またはこれらに加えて他の特性パラメータを含むトランジスタ特性のバラツキ等を補償する構成であってよい。

　また上記各実施形態における動作は、図７、図８、図１２、図１８、図１９に示す動作例に限定されるものではなく、図１、図２０、図２１、または図２２に示す構成を前提として各画素回路の推定温度を求め、当該推定温度に基づき各画素回路の電流モニタ結果に対して温度補償を施し、温度補償後の電流モニタ結果に基づき各画素回路における駆動トランジスタの特性のバラツキや劣化を補償する処理が行われるような動作であればよい。なお、図７の（Ａ）～（Ｃ）に示す動作例では、表示装置の電源スイッチがオフされると動作モードが通常表示モードから特性検出モードに切り替わるが、既述のように、動作モードの切替は他の手段により行われてもよい。

　また以上においては、有機ＥＬ表示装置を例に挙げて実施形態およびその変形例が説明されたが、本発明は、有機ＥＬ表示装置に限定されるものではなく、電流で駆動される表示素子を用いた表示装置であれば適用可能である。ここで使用可能な表示素子は、電流によって輝度または透過率等が制御される表示素子であり、例えば、有機ＥＬ素子すなわち有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode（ＯＬＥＤ））の他、無機発光ダイオードや量子ドット発光ダイオード（Quantum dot Light Emitting Diode（ＱＬＥＤ））等が使用可能である。

１０　　…画素回路
１２　　…温度検出回路
２０　　…ＤＡ変換器
２４　　…ＡＤ変換器
２８　　…入出力バッファ
１００　…表示制御回路
１０１　…第１ＬＵＴ
１０５　…第２ＬＵＴ
１０６　…ＣＰＵ
１０８　…第３ＬＵＴ
１０９　…第４ＬＵＴ
１１０　…データ側制御信号生成回路
１２０　…走査側制御信号生成回路
１４０　…ＲＡＭ
１４１　…ゲイン補正メモリ
１４２　…閾値電圧補正メモリ
１５０　…フラッシュメモリ
２００　…データ側駆動回路（データ信号線駆動回路）
２０２　…直並列変換部
２０４　…ＤＡ変換部
２０６　…ＡＤ変換部
２０８　…入出力バッファ部
４００　…走査側駆動回路（走査信号線駆動回路およびモニタ制御線駆動回路）
５００　…表示部
Ｔ１　　…入力トランジスタ（入力スイッチング素子）
Ｔ２　　…駆動トランジスタ、温度検出用トランジスタ
Ｔ３　　…モニタ制御トランジスタ（モニタ制御スイッチング素子）
Ｃｓｔ　…キャパシタ（保持キャパシタ）
ＯＬ　　…有機ＥＬ素子（表示素子）
ＧＬ１（ｉ）…走査信号線（ｊ＝１～Ｎ）
ＧＬ２（ｉ）…モニタ制御線（ｊ＝１～Ｎ）
ＤＬ（ｊ）　…データ信号線（ｊ＝１～Ｍ）
ＭｏＬ　　　…モニタ信号線
Ｐｉｘ（ｉｐ，ｊｐ）　…画素回路
Ｔｍｐ（ｉｔ，ｊｔ）　…温度検出回路
ＥＬＶＤＤ　…ハイレベル電源線（第１電源線）
ＥＬＶＳＳ　…ローレベル電源線（第２電源線）

Claims

　複数のデータ信号線、前記複数のデータ信号線に交差する複数の走査信号線、ならびに、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線に沿って配置された複数の画素回路を含む表示部と、
　前記複数のデータ信号線を駆動するデータ信号線駆動回路と、
　前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動回路と、
　各画素回路に流れる電流を測定するとともに、各画素回路の特性の変動を補償する外部補償回路と、
　前記複数のデータ信号線と前記複数の走査信号線との交差点のうち２つ以上の交差点にそれぞれ対応するように配置された２つ以上の温度検出回路と、
　各温度検出回路の温度を測定する温度測定回路と
を備え、
　各画素回路は、
　　電流によって駆動される表示素子と、保持キャパシタと、前記保持キャパシタに保持される電圧に応じて前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタとを含み、
　　対応する走査信号線が選択されたときに、対応するデータ信号線の電圧が前記保持キャパシタに書き込まれるように構成されており、
　各温度検出回路は、温度検出用トランジスタを含み、
　前記温度測定回路は、各温度検出回路における前記温度検出用トランジスタに流れる電流を測定することにより、当該温度検出回路の温度を求め、
　前記外部補償回路は、前記温度測定回路により求められた各温度検出回路の温度に基づき前記表示部における温度分布を推定し、当該推定された温度分布に基づき各画素回路における電流の測定結果を補正し、補正後の前記測定結果に基づき各画素回路の特性の変動を補償する、表示装置。
　前記外部補償回路は、前記温度測定回路により求められた前記温度に基づき前記表示部における温度分布を推定し、当該推定された温度分布に基づき各画素回路における電流の測定結果を補正し、補正後の前記測定結果に基づき各画素回路の特性の変動を補償するための補正を前記画像データに施す、請求項１に記載の表示装置。
　前記複数のデータ信号線の延在方向に前記２つ以上の温度検出回路が配置される間隔は、前記データ信号線駆動回路が配置されている側の表示部端から遠い領域よりも当該表示部端から近い領域の方が狭い、請求項１または２に記載の表示装置。
　前記複数のデータ信号線の延在方向に前記２つ以上の温度検出回路が配置される間隔は、前記表示端から３０ｍｍを越えて離れた領域よりも前記表示端から３０ｍｍ以下の領域の方が狭い、請求項３に記載の表示装置。
　前記データ信号線駆動回路は、前記複数のデータ信号線を互いに隣接する２本以上のデータ信号線を１組としてグループ化することにより得られる複数組のデータ信号線群に１対１に対応する複数の副駆動回路を含み、
　各副駆動回路は、対応する組のデータ信号線群を駆動し、
　各副駆動回路に対応する組のデータ信号線群における少なくとも１本のデータ信号線に、前記２つ以上の温度検出回路のうち複数の温度検出回路が接続されている、請求項１または２に記載の表示装置。
　各副駆動回路に対応する組のデータ信号線群において略中央に位置する少なくとも１本のデータ信号線に前記複数の温度検出回路が接続されている、請求項５に記載の表示装置。
　各副駆動回路に対応する組のデータ信号線群において一方の端に位置するデータ信号線から当該組のデータ信号線数の１／３の本数に相当する位置と当該組のデータ信号線数の２／３の本数に相当する位置との間における少なくとも１本のデータ信号線に前記複数の温度検出回路が接続されている、請求項６に記載の表示装置。
　前記複数の走査信号線にそれぞれ対応するように前記複数の走査信号線に沿って配設されたモニタ制御線と、
　前記複数のモニタ制御線を駆動するモニタ制御線駆動回路と、
　第１および第２電源線とを更に備え、
　各画素回路は、モニタ用スイッチング素子を更に含み、
　各画素回路において、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子は、前記第１電源線に接続され、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記表示素子を介して前記第２電源線に接続されるとともに、前記モニタ用スイッチング素子を介して当該画素回路に対応するデータ信号線に接続されており、
　　前記モニタ用スイッチング素子の制御端子は、当該画素回路に対応するモニタ制御線に接続されており、
　各温度検出回路は、モニタ用スイッチング素子を更に含み、
　各温度検出回路において、
　　前記温度検出用トランジスタの第１導通端子は、前記第１電源線に接続されており、
　　前記温度検出用トランジスタの第２導通端子は、前記モニタ用スイッチング素子を介して前記対応するデータ信号線に接続されており、
　　前記モニタ用スイッチング素子の制御端子は、当該温度検出回路に対応する交差点を通過する走査信号線に対応するモニタ制御線に接続されており、
　前記温度測定回路は、各温度検出回路における前記温度検出用トランジスタに流れる電流を前記モニタ用スイッチング素子および前記対応するデータ信号線を介して測定することにより、当該温度検出回路の温度を求める、請求項１から７のいずれか１項に記載の表示装置。
　各温度検出回路は、
　　キャパシタを含み、
　　対応する走査信号線が選択されたときに対応するデータ信号線の電圧が前記キャパシタに書き込まれ、かつ、前記キャパシタに保持される電圧に応じて前記温度検出用トランジスタに電流が流れるように構成されている、請求項８に記載の表示装置。
　隣接する２本以上のデータ信号線毎に１本ずつ前記複数のデータ信号線に沿って配設された複数のモニタ信号線を更に備え、
　前記隣接する２本以上のデータ信号線にそれぞれ接続され前記複数の走査信号線の延在方向に隣接する２つ以上の画素回路は、前記隣接する２本以上のデータ信号線に対応する１本のモニタ信号線に接続され、
　各モニタ信号線には、前記２つ以上の温度検出回路のうち複数の温度検出回路が接続され、前記２つ以上の温度検出回路のそれぞれは、前記モニタ信号線のいずれか１つに接続され、
　前記温度測定回路は、各温度検出回路における前記温度検出用トランジスタに流れる電流を前記いずれか１つのモニタ信号線を介して測定することにより、当該温度検出回路の温度を求める、請求項１または２に記載の表示装置。
　前記表示部は、カラー画像を表示するように構成されており、
　前記２つ以上の画素回路は、前記カラー画像の表示のための所定数の原色に１対１に対応し、
　前記２つ以上の画素回路のそれぞれは、対応する原色の光を発するように構成されている、請求項１０に記載の表示装置。
　前記複数の走査信号線にそれぞれ対応するように前記複数の走査信号線に沿って配設されたモニタ制御線と、
　前記複数のモニタ制御線を駆動するモニタ制御線駆動回路と、
　第１および第２電源線とを更に備え、
　各画素回路は、モニタ用スイッチング素子を更に含み、
　前記隣接する２つ以上の画素回路のそれぞれにおいて、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子は、前記第１電源線に接続され、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記表示素子を介して前記第２電源線に接続されるとともに、前記モニタ用スイッチング素子を介して前記対応する１本のモニタ信号線に接続されており、
　　前記モニタ用スイッチング素子の制御端子は、当該画素回路に対応するモニタ制御線に接続されており、
　前記２つ以上の温度検出回路のそれぞれは、モニタ用スイッチング素子を更に含み、
　前記２つ以上の温度検出回路のそれぞれにおいて、
　　前記温度検出用トランジスタの第１導通端子は、前記第１電源線に接続されており、
　　前記温度検出用トランジスタの第２導通端子は、前記モニタ用スイッチング素子を介して前記いずれか１つのモニタ信号線に接続されており、
　　前記モニタ用スイッチング素子の制御端子は、当該温度検出回路に対応する交差点を通過する走査信号線に対応するモニタ制御線に接続されており、
　前記温度測定回路は、各温度検出回路における前記温度検出用トランジスタに流れる電流を前記モニタ用スイッチング素子および前記いずれか１本のモニタ信号線を介して測定することにより、当該温度検出回路の温度を求める、請求項１０または１１に記載の表示装置。
　前記外部補償回路によって補償される各画素回路の特性の変動は、前記駆動トランジスタの閾値電圧の変動を含む、請求項１から１２のいずれか１項に記載の表示装置。
　複数のデータ信号線、前記複数のデータ信号線に交差する複数の走査信号線、ならびに、前記複数のデータ信号線および前記複数の走査信号線に沿って配置された複数の画素回路を含む表示部を備える表示装置の駆動方法であって、
　前記表示部は、前記複数のデータ信号線と前記複数の走査信号線との交差点のうち２つ以上の交差点にそれぞれ対応するように配置された２つ以上の温度検出回路を含み、
　各画素回路は、
　　電流によって駆動される表示素子と、保持キャパシタと、前記保持キャパシタに保持される電圧に応じて前記表示素子の駆動電流を制御する駆動トランジスタとを含み、
　　対応する走査信号線が選択されたときに、対応するデータ信号線の電圧が前記保持キャパシタに書き込まれるように構成されており、
　各温度検出回路は、温度検出用トランジスタを含み、
　前記駆動方法は、
　　前記複数のデータ信号線を駆動するデータ信号線駆動ステップと、
　　前記複数の走査信号線を選択的に駆動する走査信号線駆動ステップと、
　　各画素回路に流れる電流を測定するとともに、各画素回路の特性の変動を補償する外部補償ステップと、
　　各温度検出回路における前記温度検出用トランジスタに流れる電流を測定することにより、当該温度検出回路の温度を求める温度測定ステップと
を備え、
　前記外部補償ステップでは、前記温度測定ステップにより求められた各温度検出回路の温度に基づき前記表示部における温度分布が推定され、当該推定された温度分布に基づき各画素回路における電流の測定結果が補正され、補正後の前記測定結果に基づき各画素回路の特性の変動が補償される、駆動方法。
　前記外部補償ステップでは、各温度検出回路における温度検出用トランジスタに流れる電流の測定が、前記複数の画素回路のいずれかに流れる電流の測定と同時に行われる、請求項１４に記載の駆動方法。