JP2015106096A - 表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法 - Google Patents
表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015106096A JP2015106096A JP2013248715A JP2013248715A JP2015106096A JP 2015106096 A JP2015106096 A JP 2015106096A JP 2013248715 A JP2013248715 A JP 2013248715A JP 2013248715 A JP2013248715 A JP 2013248715A JP 2015106096 A JP2015106096 A JP 2015106096A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- compensation
- voltage
- display device
- voltage value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、表示装置において、各画素間における発光素子の劣化ばらつきによって発生するイメージ・スティッキング現象を低減し、表示画質および寿命の改善を目的とする。
【解決手段】本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示装置において、画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定するセンシングドライバと、画素の過去に測定された第2電圧値を格納するメモリと、第1電圧値を測定時の発光素子の温度を計算し、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償部と、温度補償値によって補償された第1電圧値および第2電圧値から得られる電圧変化量に基づいて、画素を表示する入力データを補償する補償部と、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】本発明の表示装置は、複数の画素を有する表示装置において、画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定するセンシングドライバと、画素の過去に測定された第2電圧値を格納するメモリと、第1電圧値を測定時の発光素子の温度を計算し、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償部と、温度補償値によって補償された第1電圧値および第2電圧値から得られる電圧変化量に基づいて、画素を表示する入力データを補償する補償部と、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明は表示画質および信頼性を向上させることができる表示装置、表示装置の補償データ算出方法および表示装置の駆動方法に関する発明である。
近年、CRTディスプレイ(Cathode Ray Tube display)に替わる表示装置として、液晶ディスプレイ(Liquid Crystal Display Device:LCD)や有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の表示装置が多く採用されている。特に有機ELディスプレイは低消費電力、薄型ディスプレイとして非常に注目を集めている。
有機EL素子などの発光素子は、蓄積されたストレスの量によって、発光素子の劣化度合い(劣化量)が異なる。したがって、アクティブマトリクスパネルのように、複数の発光素子が配置された表示装置においては、画素毎に蓄積されるストレス量の違いによって、発光素子の劣化量が異なる。一般的に、上記のストレス量は画素の発光輝度(発光素子に流れる電流量)と時間との積に比例して蓄積されるため、表示されるパターンが異なると、画素毎に蓄積されるストレス量も異なり、画素毎の劣化量に差が生じる。このため、ある一定の時間が経過した後に、各画素に同じデータ電圧を印加しても、画素によって発光輝度が異なってしまう、いわゆるイメージ・スティッキング(焼きつき)現象が起き、画質や信頼性低下の原因となる。
そこで、上記のイメージ・スティッキング現象を低減するために、データ積算、ダミー画素、受光センサを用いた補償方法が開発されている。
例えば特許文献1では、データ積算を用いた補償方法が開示されている。特許文献1は、入力サブピクセルデータの累積加算値に応じて、補償率を掛け合わせることで、補償用の出力サブピクセルデータを得る。つまり、特許文献1は、累積加算値が大きい、すなわち画素の劣化が大きいと予想される画素については、通常の階調データより大きな階調データを画素に印加することにより、劣化による画素間の輝度ばらつきの影響を低減する方法を開示している。
また、例えば特許文献2では、データ積算とダミー画素を用いた補償方法が開示されている。特許文献2は、表示領域外にダミー画素を配置し、ダミー画素の輝度測定結果を用いて、特許文献1のようなデータ積算を用いた補償方法によって得られた結果に対して劣化量の補償を行うことにより、補償精度を向上させる技術を開示している。
しかし、特許文献1のデータ積算を用いた補償方法では、例えば、データ積算値に基づいて計算された補償値が実際の画素の劣化量と異なっていると、補償不足や過補償といった現象を引き起こし、逆に画質を低下させる。また、累積加算値を計算させる場合、入力される階調データビットに応じて、単純に積算するのではなく、ストレス量を考慮して階調毎に重みづけをして加算する必要があるため、計算が複雑になる。
また、特許文献2のダミー画素を用いた方法においても、ダミー画素に印加される階調データに応じて、ストレス量が変化するため、ダミー画素の劣化特性量と実際の画素の劣化量を完全に一致させることは難しい。さらに、同じストレス量が与えられたとしても、画素毎に劣化量にばらつきがある場合、ダミー画素の劣化量だけでは、画素の劣化量のばらつきを完全に補償できないといった問題が残る。
また、特許文献2に開示された方法のように、画素の輝度などの測定結果を用いて補償する場合、例えば駆動トランジスタで発生する熱によって、測定時の発光素子の特性が変化する場合がある。そのような場合、上記の測定結果に基づいてデータを補償すると、発光素子の温度変化による補償精度が低下する問題があった。
本発明は、各画素間における発光素子の劣化の差によって発生するイメージ・スティッキング現象を低減し、表示画質および信頼性を向上させることができる表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法を提供することを目的とする。
本発明の一実施形態に係る表示装置の補償データ算出方法は、複数の画素を有する表示装置において、画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定するセンシングドライバと、画素の過去に測定された第2電圧値を格納するメモリと、第1電圧値を測定時の発光素子の温度を計算し、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償部と、温度補償値によって補償された第1電圧値および第2電圧値から得られる電圧変化量に基づいて、画素を表示する入力データを補償する補償部と、を有する。
また、別の好ましい態様において、温度補償部は、C1、b1をある定数とし、温度(Temp)を第1電圧値(Voled)の関数として、Temp=(Voled/C1)1/b1または、Temp=exp((Voled−b1)/C1)で表される数式に基づいて計算し、C2、b2をある定数とし、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を温度(Temp)の関数として、ΔVT=C2・ln(Temp)+b2で表される数式に基づいて補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、温度補償部は、C3をある定数とし、温度(Temp)を所定の期間(t)に画素に入力されたデータ(data)の関数として、Temp=C3・Σdata(t)で表される数式に基づいて計算し、C4、b4をある定数とし、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を温度(Temp)の関数として、ΔVT=C4・ln(Temp)+b4で表される数式に基づいて補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、第2電圧値は第2電圧値を測定時の発光素子の温度に基づいて補償された値であってもよい。
また、別の好ましい態様において、電圧変化量から第1関数に基づいて輝度劣化量を計算し、輝度劣化量から第2関数に基づいて補償電流を計算し、補償電流に合わせて補償電圧データを調整し、補償電圧データに基づいて、画素を表示するための入力データを補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、第1電圧値および第2電圧値から電圧変化量を計算し、電圧変化量から第1関数に基づいて輝度劣化量を計算し、輝度劣化量から第2関数に基づいて補償電流および補償電圧データを計算する演算部を含み、補償電圧データに基づいて入力データを補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、第1関数は、C5、b5、A5をある定数とし、輝度劣化量(ΔL)を電圧変化量(ΔV)の関数として、ΔL=C5・ΔVb5+A5で表してもよい。
また、別の好ましい態様において、第2関数は、Iaを電圧を測定するための検査電流とし、補償電流(ΔI)を電圧変化量(ΔV)と輝度劣化量(ΔL)との関数として、ΔI=(Ia/ΔL)−Iaで表してもよい。
この画素回路の表示装置によれば、イメージ・スティッキング現象を低減し、表示画質および信頼性を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係る表示装置の補償データ算出方法は、複数の画素を有する表示装置において、画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定し、第1電圧値を測定時の発光素子の温度を計算し、温度に基づいて第1電圧値を補償し、補償された第1電圧値と、メモリに格納された画素の過去に測定された第2電圧値と、に基づいて電圧変化量を計算し、電圧変化量に基づいて画素を表示するための入力データを補償する。
また、別の好ましい態様において、温度の計算は、C1、b1をある定数とし、温度(Temp)を第1電圧値(Voled)の関数として、Temp=(Voled/C1)1/b1または、Temp=exp((Voled−b1)/C1)で表される数式に基づいて計算され、第1電圧値の補償は、C2、b2をある定数とし、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を温度(Temp)の関数として、ΔVT=C2・ln(Temp)+b2で表される数式に基づいて補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、温度の計算は、C3をある定数とし、温度(Temp)を所定の期間(t)に画素に入力されたデータ(data)の関数として、Temp=C3・Σdata(t)で表される数式に基づいて計算され、第1電圧値の補償は、C4、b4をある定数とし、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を温度(Temp)の関数として、ΔVT=C4・ln(Temp)+b4で表される数式に基づいて補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、第2電圧値は第2電圧値を測定時の発光素子の温度に基づいて補償された値であってもよい。
また、別の好ましい態様において、電圧変化量から第1関数に基づいて輝度劣化量を計算し、輝度劣化量から第2関数に基づいて補償電流を計算し、補償電流に合わせて補償電圧データを調整し、補償電圧データに基づいて、画素を表示するための入力データを補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、第1関数は、C5、b5、A5をある定数とし、輝度劣化量(ΔL)を電圧変化量(ΔV)の関数として、ΔL=C5・ΔVb5+A5で表してもよい。
また、別の好ましい態様において、第2関数は、Iaを電圧を測定するための検査電流とし、補償電流(ΔI)を電圧変化量(ΔV)と輝度劣化量(ΔL)との関数として、ΔI=(Ia/ΔL)−Iaで表してもよい。
この画素回路の表示装置の補償データ算出方法によれば、イメージ・スティッキング現象を低減し、表示画質および信頼性を向上させることができる。
本発明の一実施形態に係る表示装置の駆動方法は、複数の画素を有する表示装置において、画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定し、第1電圧値を測定時の発光素子の温度を計算し、温度に基づいて第1電圧値を補償し、補償された第1電圧値と、メモリに格納された画素の過去に測定された第2電圧値と、に基づいて電圧変化量を計算し、電圧変化量に基づいて画素を表示するための入力データを補償する。
また、別の好ましい態様において、温度の計算は、C1、b1をある定数とし、温度(Temp)を第1電圧値(Voled)の関数として、Temp=(Voled/C1)1/b1または、Temp=exp((Voled−b1)/C1)で表される数式に基づいて計算され、第1電圧値の補償は、C2、b2をある定数とし、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を温度(Temp)の関数として、ΔVT=C2・ln(Temp)+b2で表される数式に基づいて補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、温度の計算は、C3をある定数とし、温度(Temp)を所定の期間(t)に画素に入力されたデータ(data)の関数として、Temp=C3・Σdata(t)で表される数式に基づいて計算され、第1電圧値の補償は、C4、b4をある定数とし、温度に基づいて第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を温度(Temp)の関数として、ΔVT=C4・ln(Temp)+b4で表される数式に基づいて補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、第2電圧値は第2電圧値を測定時の発光素子の温度に基づいて補償された値であってもよい。
また、別の好ましい態様において、電圧変化量から第1関数に基づいて輝度劣化量を計算し、輝度劣化量から第2関数に基づいて補償電流を計算し、補償電流に合わせて補償電圧データを調整し、補償電圧データに基づいて、画素を表示するための入力データを補償してもよい。
また、別の好ましい態様において、第1関数は、C5、b5、A5をある定数とし、輝度劣化量(ΔL)を電圧変化量(ΔV)の関数として、ΔL=C5・ΔVb5+A5で表してもよい。
また、別の好ましい態様において、第2関数は、Iaを電圧を測定するための検査電流とし、補償電流(ΔI)を電圧変化量(ΔV)と輝度劣化量(ΔL)との関数として、ΔI=(Ia/ΔL)−Iaで表してもよい。
この画素回路の表示装置の駆動方法によれば、イメージ・スティッキング現象を低減し、表示画質および信頼性を向上させることができる。
本発明によれば、各画素間における発光素子の劣化ばらつきによって発生するイメージ・スティッキング現象を低減し、表示画質および寿命の改善することができる。
<実施形態1>
以下、図面を参照して本発明に係る表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法について説明する。但し、本発明の表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
以下、図面を参照して本発明に係る表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法について説明する。但し、本発明の表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法は多くの異なる態様で実施することが可能であり、以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、本実施の形態で参照する図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
[表示装置の構成]
図1を参照して、本発明の実施形態1における表示装置の回路構成について説明する。図1は、本発明の実施形態1における表示装置の回路構成を示す図である。図1に示す表示装置は、発光素子を有する画素100がN行M列(NおよびMは整数)のマトリクス状に配置された表示部10と、各画素100を制御するためのスキャンドライバ20、スキャンドライバ30と、画素の階調を決定するデータを出力するデータドライバ40と、各画素100に配置された発光素子に印加される電圧(アノード電圧)を測定し、測定データDva[1:M]を出力するセンシングドライバ50と、測定データを格納するメモリ60と、メモリ60に格納された過去に測定された測定データおよび現在の測定データに基づいて、過去および現在のアノード電圧測定時の発光素子の温度を計算し、それらの温度に基づいて過去および現在のアノード電圧Voledを温度補償する温度補償部90と、温度補償部90によって温度補償された過去および現在の基準アノード電圧VRTから得られる電圧変化量に基づいて補償電圧データΔdataを出力する演算部70と、補償電圧データΔdataに基づいて外部から入力される画素を表示するための入力データIdataを補償して、補償画像データCdataとして出力する補償部80から構成される。ここで、メモリ60には温度補償される前のアノード電圧Voledが格納される例を示したが、温度補償された基準アノード電圧VRTが格納されてもよい。
図1を参照して、本発明の実施形態1における表示装置の回路構成について説明する。図1は、本発明の実施形態1における表示装置の回路構成を示す図である。図1に示す表示装置は、発光素子を有する画素100がN行M列(NおよびMは整数)のマトリクス状に配置された表示部10と、各画素100を制御するためのスキャンドライバ20、スキャンドライバ30と、画素の階調を決定するデータを出力するデータドライバ40と、各画素100に配置された発光素子に印加される電圧(アノード電圧)を測定し、測定データDva[1:M]を出力するセンシングドライバ50と、測定データを格納するメモリ60と、メモリ60に格納された過去に測定された測定データおよび現在の測定データに基づいて、過去および現在のアノード電圧測定時の発光素子の温度を計算し、それらの温度に基づいて過去および現在のアノード電圧Voledを温度補償する温度補償部90と、温度補償部90によって温度補償された過去および現在の基準アノード電圧VRTから得られる電圧変化量に基づいて補償電圧データΔdataを出力する演算部70と、補償電圧データΔdataに基づいて外部から入力される画素を表示するための入力データIdataを補償して、補償画像データCdataとして出力する補償部80から構成される。ここで、メモリ60には温度補償される前のアノード電圧Voledが格納される例を示したが、温度補償された基準アノード電圧VRTが格納されてもよい。
スキャンドライバ20は、各行の画素100に対応して設けられたゲート制御信号線21〜23にゲート制御信号ScanNを供給する。スキャンドライバ30は、エミッション制御線31〜33にエミッション制御信号EnNを供給し、センシング制御線51〜53にセンシング制御信号SenseNを供給する。ゲート制御信号ScanNおよびエミッション制御信号EnNが供給された画素100に対して、データドライバ40から出力されたデータ電圧DataMがデータ線41〜44を介して各画素100に供給される。また、センシング制御信号SenseNが供給された画素100に対して、センシングドライバ50によって発光素子のアノード電圧がデータ線41〜44を介して測定される。測定されたアノード電圧は測定データDva[1:M]として出力され、メモリ60に格納される。
ここで、各画素100における発光素子は、発光ダイオードを有する(図2参照)。実施形態1では、発光ダイオードは、OLED(Organic Light Emitting Diode)を用いた発光素子であるものとするが、発光素子(発光ダイオード)であれば、OLEDに限られない。
[基本画素の構成]
図2を参照して、本発明の実施形態1における表示装置の基本画素の構成について、より具体的に説明する。図2は、本発明の実施形態1における表示装置の基本画素回路構成を示す図である。図2の画素回路は、図1の画素100をより詳細に示したもので、発光素子D1と、発光素子D1を駆動するための駆動トランジスタM2と、ゲート制御信号Scanによって制御され、駆動トランジスタM2のゲート電極gに画素の階調を決定するデータ電圧Dataを供給するスイッチトランジスタM1と、エミッション制御信号Enによって制御され、発光素子の発光/非発光を制御するスイッチトランジスタM4と、センシング制御信号Senseによって制御され、発光素子のアノード電圧を測定するための検査電流Iaを供給するスイッチトランジスタM3と、入力されたデータ電圧Dataを1フレーム期間保持しておく保持容量Cstから構成される。
図2を参照して、本発明の実施形態1における表示装置の基本画素の構成について、より具体的に説明する。図2は、本発明の実施形態1における表示装置の基本画素回路構成を示す図である。図2の画素回路は、図1の画素100をより詳細に示したもので、発光素子D1と、発光素子D1を駆動するための駆動トランジスタM2と、ゲート制御信号Scanによって制御され、駆動トランジスタM2のゲート電極gに画素の階調を決定するデータ電圧Dataを供給するスイッチトランジスタM1と、エミッション制御信号Enによって制御され、発光素子の発光/非発光を制御するスイッチトランジスタM4と、センシング制御信号Senseによって制御され、発光素子のアノード電圧を測定するための検査電流Iaを供給するスイッチトランジスタM3と、入力されたデータ電圧Dataを1フレーム期間保持しておく保持容量Cstから構成される。
また図2のデータドライバ40は入力されたデジタルの画像データをアナログ電圧信号に変換して、制御スイッチSW1を介して画素100のデータ線45へデータ電圧Dataを出力する。また、図2のセンシングドライバ50は制御スイッチSW2およびスイッチトランジスタM3を介して、内蔵された電流源Iから画素の発光素子D1へ検査電流Iaを供給し、発光素子D1のアノード電圧Vaを測定し、センシングドライバ50に内蔵されたアナログデジタル変換回路ADCを介して、Sense out端子からデジタル化されたアノード電圧の測定データDva[1:M]を出力する。
[表示装置の駆動方法]
図3を参照して、本発明の実施形態1における表示装置の駆動方法について、より具体的に説明する。図3は、本発明の実施形態1における表示装置の駆動方法を示すタイミングチャート図である。図3では、各フレームは表示期間と検出期間に分かれており、これらの期間が時分割的に駆動される。各フレームの表示期間において、表示データが更新される。また、画素回路はPチャネルトランジスタで構成されており、ゲート信号がLowのときにオンになるものとされる。一方、制御スイッチSW1とSW2はNチャネルトランジスタで構成されており、ゲート信号がHighのときにオン状態になる。ただし、SW1、SW2がPチャネルトランジスタで構成され、Lowでオン状態となってもよい。
図3を参照して、本発明の実施形態1における表示装置の駆動方法について、より具体的に説明する。図3は、本発明の実施形態1における表示装置の駆動方法を示すタイミングチャート図である。図3では、各フレームは表示期間と検出期間に分かれており、これらの期間が時分割的に駆動される。各フレームの表示期間において、表示データが更新される。また、画素回路はPチャネルトランジスタで構成されており、ゲート信号がLowのときにオンになるものとされる。一方、制御スイッチSW1とSW2はNチャネルトランジスタで構成されており、ゲート信号がHighのときにオン状態になる。ただし、SW1、SW2がPチャネルトランジスタで構成され、Lowでオン状態となってもよい。
まず表示期間においては、データドライバの制御スイッチSW1がオンされ、センシングドライバの制御スイッチSW2がオフされる。Scan信号として、Scan1〜ScanNが順次走査され、各行の画素に配置されたスイッチトランジスタM1に順次Lowが供給される。各行のスイッチトランジスタM1が順次オンされ、各画素の駆動トランジスタM2には画素の階調を決定するデータ電圧Dataが供給される。また、En信号はLowのためスイッチトランジスタM4はオン状態となっている。したがって、データ電圧Dataに応じた駆動電流IoledがM2、M4を介して発光素子D1に流れ、発光素子D1が発光する。
次に検出期間においては、データドライバの制御スイッチSW1がオフされ、センシングドライバの制御スイッチSW2がオンされる。また、Sense信号として、Sense1〜SenseNが順次走査され、各行の画素に配置されたスイッチトランジスタM3に順次Lowが供給される。各行のスイッチトランジスタM3が順次オンされ、電流源Iから所定の電流値となる検査電流Iaが制御スイッチSW2、スイッチトランジスタM3を介して発光素子D1に流れる。この検査電流Iaによってアノード電圧Vaを測定することができる。
図3では、検出期間におけるSense信号走査が2行分(Sense1,2)、または1行分(SenseN)供給される例を示した。画素の劣化はフレーム単位で進行するものではないため、数十フレームから数万フレームに相当する期間内にアノード電圧の測定が完了すれば十分である。したがって、1フレームですべての画素の測定を完了する必要はなく、数十フレームから数万フレームの単位に相当する期間内に、全ての画素のアノード電圧を測定すればよい。画素のアノード電圧の測定は、測定時間を長く設定した方がより精度が高くなるため、1フレーム期間内に測定する画素数を少なく設定し、1画素当たりの測定時間を長く設定することが好ましい。また、画素のアノード電圧の測定は定期的に行う必要はなく、例えば、表示装置がONまたはOFFされたタイミングのように、不定期に行ってもよい。
測定されたアノード電圧Vaはセンシングドライバ50に取り込まれ、その後、アナログデジタル変換回路ADCを介してデジタルデータに変換されて、Sense out端子より測定データDva[1:M]として出力される。センシングドライバ50には、図2に示すセンシングドライバの基本回路はデータ線数に相当する数だけ具備されている。例えば、実施形態1における表示装置では、M個のデータ線に対応して、M個のセンシングドライバの基本回路が具備されている。よって、Sense信号1行分の走査により、M個分の画素に相当するアノード電圧の測定値が出力される。なお、このときEn信号はHighのためスイッチトランジスタM4はオフされており、画素回路内の保持容量Cstで保持された画像データがアノード電圧測定に影響を及ぼすことはない。
センシングドライバ50から出力された測定データDva[1:M]はメモリ60に格納される。次に、所定の期間が経過した後にアノード電圧が測定され、測定データDvb[1:M]がメモリ60に格納される。温度補償部90は、メモリ60に格納された過去の測定データDva[1:M]の各画素のアノード電圧Vaおよび所定期間後(現在)の測定データDvb[1:M]の各画素のアノード電圧Vbに基づいて、過去および現在のアノード電圧の測定時の発光素子の温度を計算し、それらの温度に基づいて測定データを補償する温度補償値ΔVTを計算し、ΔVTによって温度補償された基準アノード電圧VRTを出力する。演算部70は、現在の基準アノード電圧VRT1および過去の基準アノード電圧VRT0を比較し、VRT1およびVRT0から得られる電圧変化量ΔVに基づいて輝度劣化量ΔLを計算し、輝度劣化量ΔLに基づいて補償電流ΔIおよび補償電圧データΔdataを計算する。補償部80は、計算された補償電圧データΔdataに基づいて、画素を発光するための入力データIdataを補償し、補償画像データCdataを計算して出力する。アノード電圧の測定時の発光素子の温度の計算方法、その温度に基づいた温度補償値ΔVTの計算方法および電圧変化量ΔVに基づく補償の詳細な方法は後述する。
上記のように、表示装置に配置された各画素に対して、温度補償された基準アノード電圧VRTの変化量を計算し、その電圧変化量ΔVに基づいて入力データIdataを補償することで、各画素に配置された発光素子の劣化量に応じた補償をすることが可能となる。その結果、イメージ・スティッキング現象を抑制することができ、画質や信頼性を向上させることができる。
[補償方法]
図4〜図19を参照して、実施形態1に係る表示装置の補償方法を、より具体的に説明する。図4は、本発明の実施形態1における表示装置の基本画素回路構成を示す図である。図4は、画素回路を構成するトランジスタがpチャネル型である場合を示している。一つの基本画素回路は、駆動トランジスタM2、発光素子D1で構成される。駆動トランジスタM2は、ゲート電極gに画素の階調を決定するデータ電圧Dataが印加され、ソース電極sに発光素子D1の電源電圧ELVDDが印加される。駆動トランジスタM2のドレイン電極dは発光素子D1のアノード側の電極に接続されている。発光素子D1のカソード側の電極には発光素子D1の電源電圧ELVSSが印加される。
図4〜図19を参照して、実施形態1に係る表示装置の補償方法を、より具体的に説明する。図4は、本発明の実施形態1における表示装置の基本画素回路構成を示す図である。図4は、画素回路を構成するトランジスタがpチャネル型である場合を示している。一つの基本画素回路は、駆動トランジスタM2、発光素子D1で構成される。駆動トランジスタM2は、ゲート電極gに画素の階調を決定するデータ電圧Dataが印加され、ソース電極sに発光素子D1の電源電圧ELVDDが印加される。駆動トランジスタM2のドレイン電極dは発光素子D1のアノード側の電極に接続されている。発光素子D1のカソード側の電極には発光素子D1の電源電圧ELVSSが印加される。
発光素子D1は電流駆動素子であるため、D1に流れる電流Ioledに比例して発光輝度が変化する。具体的には、発光輝度を制御するには、駆動トランジスタM2のゲート電極gに印加するデータ電圧Dataを制御し、駆動トランジスタM2のゲート−ソース間電圧(Vgs)に相当する電源電圧ELVDDとデータ電圧Data間のバイアス電圧を変化させることにより実現する。このとき、データ電圧Dataによって発光素子D1に印加されるアノード電圧Voledが決定される。ここで駆動トランジスタM2はPチャンネル型である例を示したが、Nチャンネル型であってもよい。
図5は、本発明の実施形態1における表示装置の画素回路の動作点を示した図である。ここで、Voled1、Voled2は、それぞれ駆動トランジスタM2のゲート−ソース間電圧Vgs1、Vgs2で駆動した場合の発光素子D1に印加される電圧(アノード電圧)を示す。また、Ioled1、Ioled2は、それぞれ駆動トランジスタM2をVgs1、Vgs2で駆動した場合の発光素子D1に流れる電流を示す。このように、駆動トランジスタM2は発光素子D1を電流駆動するための電圧−電流変換素子の役割を果たしている。
発光素子D1を一定時間駆動すると、発光素子D1自体の劣化により特性が変化してしまう。これら特性変化の様子を図6〜図9を参照して説明する。
図6は、本発明の実施形態1における表示装置の経過時間と輝度劣化との関係を示す図である。図6に示すグラフは、時刻t0における所定の電流値を発光素子に流した場合の初期輝度を100%と定義し、時間の経過に伴う輝度劣化の様子をグラフ化したものである。L=100%は初期輝度時の電流値を保持して発光し続けた場合の時間の経過に伴う輝度劣化を示し、L=50%は初期輝度時の電流値の50%の電流値を保持して発光し続けた場合の時間の経過に伴う輝度劣化を示す。時刻t0で100%であった輝度値は、時刻t1ではそれぞれΔL2、ΔL1だけ低下する。L=100%のように発光素子D1を発光させる電流値が大きい程、輝度劣化量も大きくなる。
図7は、本発明の実施形態1における表示装置の経過時間とアノード電圧との関係を示す図である。図7に示すグラフは、時間の経過に伴うアノード電圧上昇の様子をグラフ化したものである。図7におけるL=100%、50%は図6で説明したものと同様である。時刻t0におけるアノード電圧をVaとすると、時間経過とともにVa値は上昇していき、時刻t1ではそれぞれΔV2、ΔV1だけ上昇する。L=100%のように発光素子D1を発光させる電流値が大きい程、アノード電圧の上昇も大きくなる傾向にある。
図8は、本発明の実施形態1における表示装置の発光素子の電圧−電流特性の時間変化を示す図である。また、図9は、本発明の実施形態1における表示装置の発光素子の電流−輝度特性の時間変化を示す図である。図8、図9はそれぞれ初期状態(時刻t0)とt1時間経過後(時刻t1)における発光素子D1の電圧−電流特性(V−I特性)及び電流−輝度特性(I−L特性)の変化をグラフ化したものである。いずれのグラフにおいても、発光素子D1の劣化に伴い特性が変化することが分かる。例えば、図8のV−I特性では、特性カーブは全体的に高電圧側にシフトし、所定の電流値Iaで比較した場合、特性はΔVだけ高電圧側にシフトしている。同様に図9のI−L特性では、例えば、所定の電流値Iaで比較した場合、ΔLだけ輝度低下が発生している。
上記のように、例えば、所定の定電流で発光素子を駆動し続けると、時間の経過とともに輝度は低下する。また、同じ時間だけ駆動しても、電流が大きい程輝度劣化量は大きくなる。
このように、発光素子を用いた、表示装置においては、画素毎に蓄積されるストレス量の違いによって、素子の劣化量が異なる。ストレス量は、発光素子に流れる電流量によって決まる画素の発光輝度と時間との積に比例して蓄積される。このため、表示されるパターンに応じて、各画素に蓄積されるストレス量が異なり、各画素の劣化量に差異が生じる。したがって、ある一定の時間が経過した後に、各画素に同じデータ電圧を印加しても、蓄積されたストレス量に応じて画素によって発光輝度が異なってしまう、いわゆるイメージ・スティッキング現象が起き、画質や信頼性低下の原因となる。なお、上記の特性変化は、使用する発光材料や素子構造によって変化する。
[温度補償方法]
ここで、本発明におけるイメージ・スティッキング補償において、アノード電圧の測定時に影響を与える発光素子の温度と特性の関係について説明し、その影響を補償するための方法について説明する。
ここで、本発明におけるイメージ・スティッキング補償において、アノード電圧の測定時に影響を与える発光素子の温度と特性の関係について説明し、その影響を補償するための方法について説明する。
まず、発光素子の温度として、二つの要素が挙げられる。一つ目は、表示装置が置かれた環境温度である。二つ目は、駆動時における表示装置内で発生する局所的な発熱である。一つ目の環境温度の変化については、表示装置全体の温度が変化することによる影響であり、二つ目は、特に駆動時に画素回路のトランジスタで発生する局所的な熱の影響によるものである。本明細書では、本明細書では、主に後者の局所的な発熱による温度変化によって引き起こされるアノード電圧の変化に対する補償について説明する。
次に、図10〜図14を用いて、具体的な温度補償方法について説明する。図10は、本発明の実施形態1における表示装置の画素回路構成と温度変化によるアノード電圧の変化の概念図を示す図である。図10の回路構成は、図1と基本的に同じである。前述したように、発光素子D1は電流駆動素子であるため、駆動トランジスタM2に流れるドレイン電流が発光素子D1に流れる電流Ioledとなる。しかし、駆動トランジスタM2に電流が流れることで、電流量に応じた熱α(temp)が駆動トランジスタM2で発生し、そのαの影響でM2に隣接する発光素子D1の温度も上昇する。
図11は、本発明の実施形態1における表示装置の発光素子の電圧−電流特性の温度変化を示す図である。室温RTでのV−I特性に対して、αだけ温度が上昇すると、V−I特性は低電圧方向にシフトする。例えば、駆動トランジスタM2から流れる電流をIaとすると、駆動電圧はVRTからVRT+αにΔVTだけシフトする。
図12は図7同様に、本発明の実施形態1における表示装置の発光素子のアノード電圧の時間および温度による変化を示す図である。駆動電流Iaが発光素子D1に供給される場合、各時刻t1、t2、t3で測定されるアノード電圧は、発光素子D1の温度変化の影響を受けて、それぞれVoled(t1)、Voled(t2)、Voled(t3)となる。これらのアノード電圧は、室温RTにおける基準アノード電圧VRTと比較して、それぞれΔVT(t1)、ΔVT(t2)、ΔVT(t3)ずつシフトした値となる。したがって、アノード電圧の電圧変化量から輝度劣化量をより精度良く評価する場合、測定されたアノード電圧を室温RTに温度補償された基準アノード電圧に補償しておくことが必要となる。なお、図示はしないが、発光素子D1のI−Lの温度依存性については、V−I特性の変化と比較して非常に小さい。よって、温度変化による輝度の変化は小さく、表示装置駆動における局所的な発熱による温度変化が各画素の輝度に与える影響は実質的に無視できる。
図13は、本発明の実施形態1における表示装置の発光素子のアノード電圧の温度依存性を示す図である。図13から、アノード電圧は温度の上昇に伴い低下する。ここで、基準となる温度である室温RTを25℃とする。図13に示す特性は、次に示す数式1または数式2で表現することができる。
Voled=C1・Tempb1 (数式1)
Voled=C2・ln(Temp)+b2 (数式2)
ここでC1、C2、b1、b2は定数であり、駆動電流、発光素子材料、表示装置の構成等によって変化する。C1とC2、または、b1とb2は同じ値であってもよい。アノード電圧Voledを測定するための検査電流IをIaとした場合、駆動電流、発光素子材料、表示装置の構成が固定されていれば、定数C1、C2、b1、b2は一義的に決定される。なお、数式1、数式2はどちらの式を使用しても、温度依存性の関数として用いることができるため、発光素子材料や、表示装置の構成等に応じてより有用な関数を使用することができる。例えば、図13のI=Iaの実測値に対して数式1および数式2の関数を用いてフィッティングをした結果、数式1の各定数は、C1=12.049、b1=−0.241であり、数式2の各定数は、C2=−1.185、b2=−0.178であった。
また、数式1、数式2を変形して、温度Tempはアノード電圧Voledの関数として次に示す数式3または数式4で表現することができる。
Temp=(Voled/C3)1/b3 (数式3)
Temp=exp((Voled−b4)/C4) (数式4)
ここでC3、C4、b3、b4は定数である。C3とC4、または、b3とb4は同じ値であってもよい。数式3、数式4から、測定されたアノード電圧Voledと、対象の表示装置において予め分かっている室温RT(例えば25℃)における基準アノード電圧VRTとの差から発光素子の温度を計算することができる。予め分かっている基準アノード電圧VRTの値は、理論値でもよく、例えば工場出荷前に25℃に制御された環境で測定された測定値であってもよい。
図14は、本発明の実施形態1における表示装置の発光素子のアノード電圧変化量の温度依存性を示す図である。具体的には、発光素子D1に各々の一定電流Iを供給したときのアノード電圧の温度依存性を示したもので、各温度における測定されたアノード電圧Voledと基準アノード電圧VRTとの差分(ΔVT)をプロットしたものである。このΔVTは、測定されたアノード電圧Voledを温度補償するための温度補償値に相当する。温度補償値の特性は次に示す数式5で表現することができる。
ΔVT=C5・ln(Temp)+ b5 (数式5)
ここでC5、b5は定数である。数式3または数式4によって計算された発光素子の温度Tempを数式5に代入することで、温度補償値ΔVTを求めることができる。なお、ΔVTは図11、図12で示したΔVT(t1、t2、t3・・・)に相当する。
数式5で計算された温度補償値ΔVTから、室温RT(例えば25℃)を基準とした基準アノード電圧VRTは次に示す数式6で表現することができる。
VRT=Voled(t)+ΔVT (数式6)
以上のように、数式1〜6に基づいて、発光素子D1の温度変化の影響を補償することができる。以下に説明する具体的なイメージ・スティッキング補償において、電圧変化量ΔVを計算する基となるアノード電圧値は、基準アノード電圧VRTを用いて実施される。
[イメージ・スティッキング補償方法]
次に、図15〜図16を参照しながら本発明における具体的なイメージ・スティッキング補償の方法を説明する。
次に、図15〜図16を参照しながら本発明における具体的なイメージ・スティッキング補償の方法を説明する。
図15は、本発明の実施形態1における表示装置の発光素子の電圧−電流−輝度特性の時間変化を示す図である。所定の駆動電流Iaを基準とすると、初期状態に対して、t1時間経過後のV−I特性は高電圧側にシフトし、駆動電流Iaを得るための電圧はVaからVbへΔVだけ上昇する。また、初期状態に対して、t1時間経過後のI−L特性は低輝度側にシフトし、駆動電流Iaに対する輝度はLaからLbへΔLだけ低下する。このように、時間の経過とともに電圧変化量ΔV及び輝度劣化量ΔLは大きくなる。
図15の各特性の変化から、t1時間経過後に初期輝度Laと同じ輝度値を得るためには、電流値Icが必要であり、そのために必要な電圧値はVcである。すなわち、初期の駆動電流Iaとt1時間経過後の電流値Icとの差ΔIがイメージ・スティッキング補償に必要な電流である。
図16は、本発明の実施形態1における表示装置の電圧変化と輝度変化との関係(ΔV−ΔL特性)を示す図である。図16において、ΔLは初期輝度Laを100%とした場合の輝度劣化率を示す。図16でΔLが大きくなることは輝度劣化の割合が大きくなることを意味する。図16の関係から、電圧変化量ΔVに比例して、輝度劣化量ΔLも大きくなる。つまり、この関係は数式7の関数として表現することができる。ここで、ΔV−ΔL特性は材料によって直線200になる場合と2次曲線300になる場合があるが、いずれの場合においても次に示す数式7の関数として表現することができる。
ΔL=f(ΔV) (数式7)
数式7は、RGBの各発光素子材料や、素子構造によって関数は変化するが、基本的な関係は変わらない。以下、数式7をより具体的に説明する。
図17は、本発明の実施形態1における表示装置のRGBの画素における電圧変化と輝度変化との実測データとフィッティングデータとを示す図である。図17において、プロットは実際の測定値で、実線は測定値を次に示す数式8の関数を用いてフィッティングしたものである。
ΔL=C8・ΔVb8+A8 (数式8)
ここで、C8、b8、A8は定数である。また、ΔLを初期輝度100%としたときの輝度低下率で表現した場合、定数A8は100である。図17では、RGBの素子毎にそれぞれ特性が異なっているが、実測値と数式8の関数を用いてフィッティングした値はよく一致する。例えば、定数A8を100として、図17の実測値に対して数式8の関数を用いてフィッティングした結果、各定数は、C=−352、b=2.288であった。
図18は、本発明の実施形態1における表示装置の電圧変化と輝度変化との関係の階調依存を示す図である。図18では、発光素子の発光輝度をそれぞれL=100%、L=50%、L=20%と設定した場合のΔV−ΔL特性を示したものである。図18に示すように、発光輝度を変化させても、ΔV−ΔL特性は数式8でフィッティングされた関数上にプロットされることが本願発明者によって確認された。以上のように、発光素子材料や発光輝度を変化させても数式8の関係は成り立つことになる。
以上より、図18のように、発光輝度が変化しても同じ関数上でプロットできることから、表示装置において、画素毎に異なるストレス量が蓄積された場合であっても、数式8の関係が維持できることを意味する。つまり、蓄積されたストレス量が異なる複数の発光素子に対して、数式8のΔVとΔLの関係から、各画素のアノード電圧の変化量に基づく輝度劣化を計算することができる。データ電圧を変化させても図18に示すΔV−ΔLの関係が維持されるため、所定の駆動電流(検査電流)Iaを用いて発光素子のアノード電圧の変化量ΔVを測定することによって、その発光素子の輝度劣化量を把握することができる。したがって、表示装置に配置された各画素の発光素子に対して、発光素子のアノード電圧の変化量を測定することで、その発光素子の輝度劣化量を計算することができ、各々の発光画素の輝度劣化量に対応する補償をすることができる。
ここで、図15を用いて、より具体的な補償電流ΔIの計算方法を説明する。まず、検査電流Iaを用いて、初期のアノード電圧Vaを測定する。測定されたアノード電圧Vaは、過去のアノード電圧Vaとしてメモリに格納される。例えば、実際の製品を考慮した場合、初期状態は工場の出荷前検査に相当するので、この時点で各画素の輝度値を測定しておいてもよい。初期状態の輝度値は、例えば25℃の室温RTに制御された環境下で測定されることが好ましい。また、初期のアノード電圧Vaの測定は全ての画素に対して行うことが好ましい。また、表示装置がテレビの場合は、購入後の設置の際の設定時に初期のアノード電圧Vaを測定してもよい。また、上記の初期状態における検査によって、数式1〜6の各定数を決定してもよい。その場合、数式1〜6の各定数をメモリに格納しておいてもよい。
次に、t1時間経過後のアノード電圧Vbを測定する。測定されたアノード電圧Vbは、現在のアノード電圧Vbとしてメモリに格納される。次に、過去のアノード電圧Vaおよび現在のアノード電圧Vbの測定時の発光素子の温度を数式3または数式4に基づいて計算する。そして、数式5に基づいて、計算された温度から各々の温度補償値ΔVTを計算し、数式6に基づいて、ΔVTから過去の基準アノード電圧VRT0および現在の基準アノード電圧VRT1を得る。次に、現在の基準アノード電圧VRT1と過去の基準アノード電圧VRT0に基づいて電圧変化量ΔVを計算する。次に、計算されたΔVから数式8に基づいて輝度劣化量ΔLを計算する。数式8の定数C8、b8、A8は予測される劣化特性に基づいた定数データであり、予めメモリに格納されていてもよい。表示装置のすべての画素に対して、上記のように、過去および現在のアノード電圧を温度補償し、温度補償されたこれらの電圧の変化量に基づいて輝度劣化量を計算することができる。
次に、数式8で計算されたΔLから補償電流ΔIを計算する。図15から、t1時間経過後のI−L特性において、初期輝度Laと同様の輝度を得るためには、電流値Icが必要である。ここで、駆動電流Iaと電流値Icとの差を補償電流ΔIと定義することができる。図15から、I−L特性は線形関数であるので、ΔIは次に示す数式9で表すことができる。
ΔI=(Ia/ΔL)−Ia (数式9)
ここで、Iaは初期駆動電流(検査電流)である。また、数式9で計算された補償電流ΔIから補償に必要な電流値Icは次に示す数式10で表すことができる。
Ic=Ia+ΔI (数式10)
以上のように、補償に必要な電流値Icを得ることができる。
図19は、本発明の実施形態1における表示装置の補償電流と補償電圧との関係を示す図である。輝度を補償するためには、駆動トランジスタM2に流れる電流Ioledが電流値Icになるように、図19に示すガンマ特性から補償電圧データΔdataを計算することができる。
上記のように、本発明の補償方法は、測定された発光素子のアノード電圧に対して温度補償を実施し、温度補償された基準アノード電圧の変化量と輝度劣化量の関係を所定の関数で表現することで、各画素の劣化量に応じた補償をすることが可能となる。その結果、イメージ・スティッキング現象を抑制することができ、画質や信頼性を向上させることができる。
[補償方法のフローチャート]
図20を参照して、実施形態1に係る表示装置の補償方法のフローチャートを、より具体的に説明する。図20は、本発明の実施形態1における表示装置の補償方法を示すフローチャートを示す図である。
図20を参照して、実施形態1に係る表示装置の補償方法のフローチャートを、より具体的に説明する。図20は、本発明の実施形態1における表示装置の補償方法を示すフローチャートを示す図である。
まず、初期状態のアノード電圧Va(t0)とIaを測定し、メモリに格納する(S201)。初期状態の測定は、例えば25℃の室温RTに制御された環境下で測定されることが好ましい。次に、t1時間経過後のアノード電圧Vb(t1)を測定し、メモリに格納する(S202)。次に、Va(t0)およびVb(t1)のそれぞれに対して、測定時の発光素子の温度Tempを数式3または数式4に基づいて計算し、その温度Tempから、数式5に基づいて温度補償値ΔVT(Temp)を計算して、過去の基準アノード電圧VRT0および現在の基準アノード電圧VRT1を数式6に基づいて計算する(S203)。次に、計算されたVRT1とVRT0との差からアノードの電圧変化量ΔVを計算する(S204)。次に、計算されたΔVから、数式8に基づいて輝度劣化量ΔLを計算する(S205)。次に、計算されたΔLから、数式9に基づいて補償電流ΔIが計算される(S206)。次に、計算されたΔIから、図19に示すガンマ特性に基づいて補償電圧データΔdataが計算される(S207)。この結果が図1における演算部70から補償部80へ出力される。そして、補償部80で、補償電圧データΔdataによって外部から入力される画素を表示するための入力データIdataを補償して、補償画像データCdataとして出力する(S208)。
上記のように、本発明の実施形態1における表示装置において、各画素のアノード電圧を測定し、図20のフローチャートに示された所定の関数を用いて、測定された発光素子のアノード電圧に対して温度補償を実施し、温度補償された基準アノード電圧の変化量に基づいて輝度劣化量を計算し、計算された輝度劣化量から補償画像データを計算することにより、各画素における発光素子の劣化に起因するイメージ・スティッキングを補償することができる。また、本発明の実施形態1における補償アルゴリズムは、各画素に蓄積されたストレス量に依存せず、アノード電圧測定に用いる検査電流も一定の電流値であればよいため、簡単に補償回路を構成することが可能となる。
<実施形態2>
図21〜23を参照して、本発明の実施形態2における表示装置の構成について説明する。実施形態2は、実施形態1とは異なる温度補償を行う例について説明するものである。したがって、温度補償以外の部分は、実施形態1に記載された補償アルゴリズムおよび表示装置への適用例となんら変わりはないので、詳細については省略する。
図21〜23を参照して、本発明の実施形態2における表示装置の構成について説明する。実施形態2は、実施形態1とは異なる温度補償を行う例について説明するものである。したがって、温度補償以外の部分は、実施形態1に記載された補償アルゴリズムおよび表示装置への適用例となんら変わりはないので、詳細については省略する。
[温度補償方法]
図21は、本発明の実施形態2における表示装置のデータ積算値400と画素温度500の関係を示す図である。図21に示す発光素子D1の温度を特定するための別の手段は、画素に入力された画像のデータ積算値400を利用する。図21において、横軸は経過時間であり、左縦軸はある所定の期間(t1〜t2、t2〜t3、・・・)における画素のデータ積算値400を示している。また右縦軸は画素温度500である。
図21は、本発明の実施形態2における表示装置のデータ積算値400と画素温度500の関係を示す図である。図21に示す発光素子D1の温度を特定するための別の手段は、画素に入力された画像のデータ積算値400を利用する。図21において、横軸は経過時間であり、左縦軸はある所定の期間(t1〜t2、t2〜t3、・・・)における画素のデータ積算値400を示している。また右縦軸は画素温度500である。
ここで、データ積算値とは、表示装置の各画素に表示される各階調データに基づくデジタルデータを足し合わせた値である。例えば、まず、8ビットの階調を有する表示装置のデータ値は0〜255のいずれかの値を有し、0が黒、255が白に対応するデータと仮定する。継続的に白表示が続く場合、データ積算値は255+255+255+・・・となり、逆に継続的に黒表示が続く場合、データ積算値は0+0+0+・・・となる。白データが入力されると、発光素子D1に流れる電流値が最大となり、駆動トランジスタの発熱が大きくなる。一方、黒データが入力されると、発光素子D1にはほとんど電流が流れず、駆動トランジスタの発熱は極めて小さい。
上記を考慮すると、ある所定の期間におけるデータ積算値が大きい程、画素の温度上昇は大きく、データ積算値Σdata(t)と画素の温度Tempの関係は次に示す式11で表現することができる。
Temp=C11・Σdata(t) (数式11)
ここで、C11は定数であり、画素構成、表示装置の構成によって変化する。あらかじめ表示装置におけるアノード電圧の温度依存性データを測定しておくことにより、定数C11は決定される。またΣdata(t)は所定の期間、例えば図21のt1〜t2、t2〜t3、・・・における、画素に入力されたデータ値を積算したものである。
実施形態1の数式3、数式4の代わりに、実施形態2の数式11を適用することによっても、画素の発光素子D1の温度Tempを予測することができる。そして、実施形態1の数式5、数式6を用いて、温度補償をすることが可能となる。
[表示装置の構成]
図22は、本発明の実施形態2における表示装置の回路構成を示す図である。入力データIdataは補償部80とデータ積算部99に入力され、データ積算部99で所定の区間におけるデータ積算を実施する。データ積算値Σdata(t)は、温度補償部90に入力される。
図22は、本発明の実施形態2における表示装置の回路構成を示す図である。入力データIdataは補償部80とデータ積算部99に入力され、データ積算部99で所定の区間におけるデータ積算を実施する。データ積算値Σdata(t)は、温度補償部90に入力される。
[補償方法のフローチャート]
図23を参照して、実施形態2に係る表示装置の補償方法のフローチャートを、より具体的に説明する。図23は、本発明の実施形態2における表示装置の補償方法を示すフローチャートを示す図である。
図23を参照して、実施形態2に係る表示装置の補償方法のフローチャートを、より具体的に説明する。図23は、本発明の実施形態2における表示装置の補償方法を示すフローチャートを示す図である。
まず、初期状態のアノード電圧Va(t0)とIaを測定し、メモリに格納する(S231)。初期状態の測定は、例えば25℃の室温RTに制御された環境下で測定されることが好ましい。次に、t1時間経過後のアノード電圧Vb(t1)を測定し、メモリに格納する(S232)。次に、Va(t0)およびVb(t1)のそれぞれに対して、測定時の発光素子の温度Tempを数式11に基づいて計算し、その温度Tempから、数式5に基づいて温度補償値ΔVT(Temp)を計算して、過去の基準アノード電圧VRT0および現在の基準アノード電圧VRT1を数式6に基づいて計算する(S233)。次に、計算されたVRT1とVRT0との差からアノードの電圧変化量ΔVを計算する(S234)。次に、計算されたΔVから、数式8に基づいて輝度劣化量ΔLを計算する(S235)。次に、計算されたΔLから、数式9に基づいて補償電流ΔIが計算される(S236)。次に、計算されたΔIから、図19に示すガンマ特性に基づいて補償電圧データΔdataが計算される(S237)。この結果が図1における演算部70から補償部80へ出力される。そして、補償部80で、補償電圧データΔdataによって外部から入力される画素を表示するための入力データIdataを補償して、補償画像データCdataとして出力する(S238)。
上記のように、本発明の実施形態2における表示装置において、各画素のアノード電圧を測定し、図23のフローチャートに示された所定の関数を用いて、測定されたアノード電圧に対して温度補償を実施し、温度補償されたアノード電圧の変化量に基づいて輝度劣化量を計算し、計算された輝度劣化量から補償画像データを計算することにより、各画素における発光素子の劣化に起因するイメージ・スティッキングを補償することができる。また、本発明の実施形態1における補償アルゴリズムは、各画素に蓄積されたストレス量に依存せず、アノード電圧測定に用いる検査電流も一定の電流値であればよいため、簡単に補償回路を構成することが可能となる。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、要旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
10:表示部
20:スキャンドライバ
21、22、23:ゲート制御信号線
30:スキャンドライバ
31、32、33:エミッション制御線
40:データドライバ
41、42、43、44:データ線
50:センシングドライバ
51、52、53:センシング制御線
60メモリ
70:演算部
80:補償部
90:温度補償部
99:データ積算部
100:画素
20:スキャンドライバ
21、22、23:ゲート制御信号線
30:スキャンドライバ
31、32、33:エミッション制御線
40:データドライバ
41、42、43、44:データ線
50:センシングドライバ
51、52、53:センシング制御線
60メモリ
70:演算部
80:補償部
90:温度補償部
99:データ積算部
100:画素
Claims (21)
- 複数の画素を有する表示装置において、
前記画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定するセンシングドライバと、
前記画素の過去に測定された第2電圧値を格納するメモリと、
前記第1電圧値を測定時の前記発光素子の温度を計算し、前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償する温度補償部と、
前記温度補償値によって補償された前記第1電圧値および前記第2電圧値から得られる電圧変化量に基づいて、前記画素を表示する入力データを補償する補償部と、を有することを特徴とする表示装置。 - 前記温度補償部は、C1、b1をある定数とし、前記温度(Temp)を前記第1電圧値(Voled)の関数として、
Temp=(Voled/C1)1/b1
または、
Temp=exp((Voled−b1)/C1)
で表される数式に基づいて計算し、
C2、b2をある定数とし、前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を前記温度(Temp)の関数として、
ΔVT=C2・ln(Temp)+b2
で表される数式に基づいて補償することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記温度補償部は、C3をある定数とし、前記温度(Temp)を所定の期間(t)に前記画素に入力されたデータ(data)の関数として、
Temp=C3・Σdata(t)
で表される数式に基づいて計算し、
C4、b4をある定数とし、前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を前記温度(Temp)の関数として、
ΔVT=C4・ln(Temp)+b4
で表される数式に基づいて補償することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。 - 前記第2電圧値は前記温度補償部によって温度補償された値であることを特徴とする請求項2又は3に記載の表示装置。
- 前記第1電圧値および前記第2電圧値から前記電圧変化量を計算し、前記電圧変化量から第1関数に基づいて輝度劣化量を計算し、前記輝度劣化量から第2関数に基づいて補償電流および補償電圧データを計算する演算部を含み、
前記補償電圧データに基づいて前記入力データを補償することを特徴とする請求項4に記載の表示装置。 - 前記第1関数は、C5、b5、A5をある定数とし、輝度劣化量(ΔL)を電圧変化量(ΔV)の関数として、
ΔL=C5・ΔVb5+A5
で表すことを特徴とする請求項5に記載の表示装置。 - 前記第2関数は、Iaを前記電圧を測定するための検査電流とし、補償電流(ΔI)を電圧変化量(ΔV)と輝度劣化量(ΔL)との関数として、
ΔI=(Ia/ΔL)−Ia
で表すことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 - 複数の画素を有する表示装置において、
前記画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定し、
前記第1電圧値を測定時の前記発光素子の温度を計算し、
前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償し、
前記補償された前記第1電圧値と、メモリに格納された前記画素の過去に測定された第2電圧値と、に基づいて電圧変化量を計算し、
前記電圧変化量に基づいて前記画素を表示するための入力データを補償することを特徴とする表示装置の補償データ算出方法。 - 前記温度の計算は、C1、b1をある定数とし、前記温度(Temp)を前記第1電圧値(Voled)の関数として、
Temp=(Voled/C1)1/b1
または、
Temp=exp((Voled−b1)/C1)
で表される数式に基づいて計算され、
前記第1電圧値の補償は、C2、b2をある定数とし、前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を前記温度(Temp)の関数として、
ΔVT=C2・ln(Temp)+b2
で表される数式に基づいて補償されることを特徴とする請求項8に記載の表示装置の補償データ算出方法。 - 前記温度の計算は、C3をある定数とし、前記温度(Temp)を所定の期間(t)に前記画素に入力されたデータ(data)の関数として、
Temp=C3・Σdata(t)
で表される数式に基づいて計算され、
前記第1電圧値の補償は、C4、b4をある定数とし、前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を前記温度(Temp)の関数として、
ΔVT=C4・ln(Temp)+b4
で表される数式に基づいて補償されることを特徴とする請求項8に記載の表示装置の補償データ算出方法。 - 前記第2電圧値は前記第2電圧値を測定時の前記発光素子の温度に基づいて補償された値であることを特徴とする請求項9又は10に記載の表示装置の補償データ算出方法。
- 前記電圧変化量から第1関数に基づいて輝度劣化量を計算し、
前記輝度劣化量から第2関数に基づいて補償電流を計算し、
前記補償電流に合わせて補償電圧データを調整し、
前記補償電圧データに基づいて、前記画素を表示するための入力データを補償することを特徴とする請求項11に記載の表示装置の補償データ算出方法。 - 前記第1関数は、C5、b5、A5をある定数とし、輝度劣化量(ΔL)を電圧変化量(ΔV)の関数として、
ΔL=C5・ΔVb5+A5
で表されることを特徴とする請求項12に記載の表示装置の補償データ算出方法。 - 前記第2関数は、Iaを前記電圧を測定するための検査電流とし、補償電流(ΔI)を電圧変化量(ΔV)と輝度劣化量(ΔL)との関数として、
ΔI=(Ia/ΔL)−Ia
で表されることを特徴とする請求項13に記載の表示装置の補償データ算出方法。 - 複数の画素を有する表示装置において、
前記画素に配置された発光素子に印加される第1電圧値を測定し、
前記第1電圧値を測定時の前記発光素子の温度を計算し、
前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償し、
前記補償された前記第1電圧値と、メモリに格納された前記画素の過去に測定された第2電圧値と、に基づいて電圧変化量を計算し、
前記電圧変化量に基づいて前記画素を表示するための入力データを補償することを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 前記温度の計算は、C1、b1をある定数とし、前記温度(Temp)を前記第1電圧値(Voled)の関数として、
Temp=(Voled/C1)1/b1
または、
Temp=exp((Voled−b1)/C1)
で表される数式に基づいて計算され、
前記第1電圧値の補償は、C2、b2をある定数とし、前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を前記温度(Temp)の関数として、
ΔVT=C2・ln(Temp)+b2
で表される数式に基づいて補償されることを特徴とする請求項15に記載の表示装置の駆動方法。 - 前記温度の計算は、C3をある定数とし、前記温度(Temp)を所定の期間(t)に前記画素に入力されたデータ(data)の関数として、
Temp=C3・Σdata(t)
で表される数式に基づいて計算され、
前記第1電圧値の補償は、C4、b4をある定数とし、前記温度に基づいて前記第1電圧値を補償する温度補償値(ΔVT)を前記温度(Temp)の関数として、
ΔVT=C4・ln(Temp)+b4
で表される数式に基づいて補償されることを特徴とする請求項15に記載の表示装置の駆動方法。 - 前記第2電圧値は前記第2電圧値を測定時の前記発光素子の温度に基づいて補償された値であることを特徴とする請求項16又は17に記載の表示装置の駆動方法。
- 前記電圧変化量から第1関数に基づいて輝度劣化量を計算し、
前記輝度劣化量から第2関数に基づいて補償電流を計算し、
前記補償電流に合わせて補償電圧データを調整し、
前記補償電圧データに基づいて、前記画素を表示するための入力データを補償することを特徴とする請求項18に記載の表示装置の駆動方法。 - 前記第1関数は、C5、b5、A5をある定数とし、輝度劣化量(ΔL)を電圧変化量(ΔV)の関数として、
ΔL=C5・ΔVb5+A5
で表されることを特徴とする請求項19に記載の表示装置の駆動方法。 - 前記第2関数は、Iaを前記電圧を測定するための検査電流とし、補償電流(ΔI)を電圧変化量(ΔV)と輝度劣化量(ΔL)との関数として、
ΔI=(Ia/ΔL)−Ia
で表されることを特徴とする請求項20に記載の表示装置の駆動方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013248715A JP2015106096A (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法 |
KR1020140164586A KR102215204B1 (ko) | 2013-11-29 | 2014-11-24 | 표시 장치, 그 보상 데이터 산출 방법 및 그 구동 방법 |
US14/553,106 US9384696B2 (en) | 2013-11-29 | 2014-11-25 | Display device, method of calculating compensation data thereof, and driving method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013248715A JP2015106096A (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015106096A true JP2015106096A (ja) | 2015-06-08 |
Family
ID=53436232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013248715A Pending JP2015106096A (ja) | 2013-11-29 | 2013-11-29 | 表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015106096A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020079845A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | 株式会社デンソー | 表示装置 |
CN111986619A (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-24 | 三星显示有限公司 | 显示设备中的应力补偿的方法和系统 |
WO2020240815A1 (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
WO2022145023A1 (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
-
2013
- 2013-11-29 JP JP2013248715A patent/JP2015106096A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020079845A (ja) * | 2018-11-12 | 2020-05-28 | 株式会社デンソー | 表示装置 |
CN111986619A (zh) * | 2019-05-23 | 2020-11-24 | 三星显示有限公司 | 显示设备中的应力补偿的方法和系统 |
JP2020191634A (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 三星ディスプレイ株式會社Samsung Display Co.,Ltd. | 表示装置のストレス補償の方法およびシステム |
JP7393295B2 (ja) | 2019-05-23 | 2023-12-06 | 三星ディスプレイ株式會社 | 表示装置のストレス補償方法およびシステム |
WO2020240815A1 (ja) * | 2019-05-31 | 2020-12-03 | シャープ株式会社 | 表示装置およびその駆動方法 |
WO2022145023A1 (ja) * | 2020-12-29 | 2022-07-07 | シャープ株式会社 | 表示装置及び表示装置の駆動方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102215204B1 (ko) | 표시 장치, 그 보상 데이터 산출 방법 및 그 구동 방법 | |
US8830148B2 (en) | Organic electroluminescence display device and organic electroluminescence display device manufacturing method | |
JP5416228B2 (ja) | エレクトロルミネッセント(el)サブピクセル内の駆動トランジスタのゲート電極に駆動トランジスタ制御信号を与えるための装置 | |
US8791884B2 (en) | Organic light emitting display and method of driving the same | |
JP5552117B2 (ja) | 有機el表示装置の表示方法および有機el表示装置 | |
EP2351012B1 (en) | Compensated drive signal for electroluminescent display | |
JP5416229B2 (ja) | エレクトロルミネッセントディスプレイ補償済み駆動信号 | |
JP5347033B2 (ja) | Elサブピクセルにおけるelエミッターの特徴の変動を補償する方法 | |
US8791882B2 (en) | Display device of active matrix type | |
KR102106300B1 (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치와 이의 구동 방법 | |
KR101920169B1 (ko) | 표시 장치 및 그 구동 방법 | |
WO2014208458A1 (ja) | 表示装置およびその駆動方法 | |
KR20200134584A (ko) | 디스플레이 구동 회로 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 | |
JPWO2017104631A1 (ja) | 表示装置およびその駆動方法 | |
CN113853645B (zh) | 显示装置及其驱动方法 | |
JP2013519113A (ja) | 有機発光デバイスに関する相関曲線を抽出するシステムおよび方法 | |
JPWO2014141958A1 (ja) | 表示装置およびその駆動方法 | |
JP2011508260A (ja) | アナログトランジスタ駆動信号により補償されるエレクトロルミネセント・ディスプレイ | |
JPWO2009144936A1 (ja) | 表示装置、表示装置の製造方法および制御方法 | |
KR20100094819A (ko) | 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법 | |
JP2015106096A (ja) | 表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法 | |
KR102535821B1 (ko) | 표시 장치 및 그 것의 구동 방법 | |
JP2016090940A (ja) | 表示装置、表示方法、及びプログラム | |
KR102245999B1 (ko) | 유기 발광 다이오드 표시 장치 및 그의 센싱 방법 | |
JP2015106082A (ja) | 表示装置及びその補償データ算出方法及びその駆動方法 |