JP5347033B2 - Elサブピクセルにおけるelエミッターの特徴の変動を補償する方法 - Google Patents
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Description
(a)駆動トランジスタ、前記ELエミッター及び読出しトランジスタを有するELサブピクセルを提供することであって、前記駆動トランジスタは、第1の電極、第2の電極及びゲート電極を有すること、
(b)第1の電圧源と、該第1の電圧源を前記駆動トランジスタの前記第1の電極に選択的に接続する第1のスイッチとを提供すること、
(c)前記ELエミッターを前記駆動トランジスタの前記第2の電極に接続すること、
(d)前記ELエミッターに接続された第2の電圧源を提供すること、
(e)前記読出しトランジスタの前記第1の電極を前記駆動トランジスタの前記第2の電極に接続すること、
(f)電流源と、該電流源を前記読出しトランジスタの前記第2の電極に選択的に接続する第3のスイッチとを提供することであって、前記電流源は選択された試験電流を前記ELエミッターに提供すること、
(g)前記読出しトランジスタの前記第2の電極に接続された電圧測定回路を提供すること、
(h)前記第1のスイッチを開放し、前記第3のスイッチを閉鎖し、選択された行に対して選択線をアクティブにすることにより前記読出しトランジスタをオンにして電流が前記ELエミッターを通って流れるようにし、異なる電流値を用いて、前記電圧測定回路に応じて、前記読出しトランジスタの前記第2の電極における前記電圧を測定することであって、第1のエミッター電圧信号を提供すること、
(i)前記第1のエミッター電圧信号を用いることであって、前記ELエミッターの特徴を表す経年変化信号を提供すること、
(j)入力信号を受け取ること、
(k)前記経年変化信号及び前記入力信号を用いることであって、補償された駆動信号を生成すること、及び
(l)前記補償された駆動信号に対応する選択されたオン時間、選択された駆動電圧を前記駆動トランジスタの前記ゲート電極に提供することであって、前記選択された駆動電圧により、前記駆動トランジスタが前記選択されたオン時間の間に線形領域で動作し、前記ELエミッターの特徴の変動が補償されること、
(m)前記ELエミッターを前記第2の電圧源に選択的に接続する第2のスイッチを提供すること、
(n)電流シンクと、該電流シンクを前記読出しトランジスタの前記第2の電極に接続する第4のスイッチとを提供すること、
(o)前記第1のスイッチを閉鎖し、前記第2のスイッチを開放し、前記第3のスイッチを開放し、前記第4のスイッチを閉鎖し、選択された試験電圧を前記駆動トランジスタの前記ゲート電極に提供することと、
(p)前記電流シンクを用いることであって、選択された第1の電流が前記駆動トランジスタの前記第1の電極及び前記第2の電極を通過するようにすること、及び前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、第1のトランジスタ電圧信号を提供すること、及び
(q)前記電流シンクを用いることであって、選択された第2の電流が前記駆動トランジスタの前記第1の電極及び前記第2の電極を通過するようにすること、及び前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、第2のトランジスタ電圧信号を提供し、前記第2の電流は前記第1の電流と等しくないこと、
を含み、
前記ステップ(h)は、
(i)第1の時点に前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、前記第1のエミッター電圧信号を提供すること、
(ii)前記第1のエミッター電圧信号を格納すること、
(iii)第2の時点に前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、第2のエミッター電圧信号を提供し、前記第2の時点は前記第1の時点とは異なること、
(iv)前記第2のエミッター電圧信号を格納すること、及び
(v)前記第2のスイッチを閉鎖し、前記第4のスイッチを開放すること
をさらに含み、
前記ステップ(i)は、前記第2のエミッター電圧信号、前記第1のトランジスタ電圧信号及び前記第2のトランジスタ電圧信号をさらに用いることであって、前記経年変化信号を提供する、方法によって達成される。
持続時間440:持続時間450:持続時間460:持続時間470=1:2:4:8
であるように制御される。(図5は比例尺で描かれていないことに留意されたい。)コード値ビットが「1」である場合、選択された駆動電圧は駆動トランジスタ70のゲートに提供され、それにより、ELサブピクセル60は、本明細書ではアクティブ化サブフレームと呼ぶ、対応するサブフレームに対してアクティブにされすなわち照明される。輝度ビットが「0」である場合、選択された黒電圧が駆動トランジスタ70のゲートに提供され、それにより、ELサブピクセル60が、本明細書では非アクティブ化サブフレームと呼ぶ、対応するサブフレームに対して非アクティブにされすなわち消灯される。オン時間は、所定のELサブピクセル回路60及びそのELエミッター50に対するアクティブ化サブフレームの持続時間の合計として定義され、こうした回路の表示素子の所望の明度に対応する。したがって、このように制御を行うことにより、4ビット(16コード値)表示が可能である。サブフレームを追加することにより、これを、6ビット又は8ビットを用いてより輝度分解能の高い場合に適用することも可能である。好ましい実施形態では、選択された駆動電圧により駆動トランジスタは、オン時間中に線形領域で動作し、選択された黒電圧により、駆動トランジスタは、ELエミッターから可視光を生成しない(たとえば<0.1ニトの放出)電流(たとえば<10nA)をもたらす。
V2=CV+VOLED+Vread (式1)
これら電圧の値により、読出しトランジスタ80の第2の電極における電圧(Vout)が式1を満たすように調整される。上述した条件下で、CVは設定値であり、読出しトランジスタを流れる電流が低くかつ経時的に大幅には変化しないため、Vreadを一定であると想定することができる。VOLEDは、電流源160によって設定された電流の値とELエミッター50の電流−電圧特性とによって制御される。
ΔV2=V2b−V2a=ΔVOLED (式2)
そして、ELサブピクセル60に対する経年変化信号を用いて、そのELサブピクセルの特性の変化を補償することができる。
ΔVoled_temp=VbyT(T2)−VbyT(T1) (式3)
ここで、ΔVoled_tempは周囲温度の変動によってもたらされるOLED電圧変化であり、Voled(T1)及びVoled(T2)は、工場環境及び消費者環境それぞれにおけるELエミッター電圧である。そして、以下のように、温度に従って、第1のエミッター電圧測定値及び第2のエミッター電圧測定値を調整することができる。
V2a'=V2a−ΔVoled_temp (式4a)
V2b'=V2b−ΔVoled_temp (式4b)
そして、必要な場合はいつでも、V2a及びV2bの代りにV2a'及びV2b'を用いることができる。好ましい実施形態では、第1のエミッター電圧信号V2aは、工場において温度T1で測定され、温度T2で測定される第2のエミッター電圧信号V2bのみが温度に対して調整される。
ΔV2’=ΔV2−ΔVoled_temp (式4c)
必要な場合はいつでも、ΔV2の代りにΔV2’を用いることができる。
O_Aged(V)=ガンマ*O_New(V) (式5)
となる。ガンマの値を、点622及び623を用いて計算することができる。点622は(V2b,Itestsu)である。したがって、点623は(V2b,O_New(V2b))である。したがって、ガンマは、
ガンマ=Itestsu/O_New(V2b) (式6)
である。ガンマを用いることにより、経年変化した負荷線603の任意の点を、式5を用いて計算することができる。
Inorm=Ids,aged/Ids,new (式7a)
Inormを、ELサブピクセルに対する経年変化信号とすることができ、それは、抵抗(順方向電圧)を含むELエミッターの特徴を表すことができる。この例では、Ids,newを試験電流692に等しいものとして示し、Ids,agedを電流693として示す。しかしながら、試験電流Itestsu692及びIds,newが等しい必要はないことを留意されたい。本発明では、Itestsuの何らかの特定の値が必要である。上記式2で計算されたΔV2を、ELサブピクセルに対する経年変化信号とすることができ、それは、後述するように、効率を含むELエミッターの特徴を表すことができる。
tI_comp=(1/Inorm)・tdata (式8)
ここで、tI_compは、ELエミッター50を流れる電流の変化を補正するためのELエミッター50のオン時間を表し、tdataは、ELエミッターが新しかった場合に所望の発光の量に対応するオン時間である。たとえば、経年変化した電流がその元の値の0.5(すなわち50%)であることが分かった場合、Inormは0.5であり、そのため、tI_compは、元のオン時間tdataの2倍であることが分かる。
Enorm=EbyV(ΔV2) (式7b)
ここで、ΔV2は式2において計算されるものである。
tE_Comp=(1/Enorm)・tdata (式9)
この式では、tE_Compは、EL効率の変化を補正するために必要なELエミッター50のオン時間を表し、Enormは、式7bで計算された経年変化したELエミッターの効率であり、tdataは、ELエミッターが新しかったときの所望の発光の量に対応するオン時間である。
tfull_comp=(1/Enorm)・tI_comp (式10)
式10において、tfull_compは、ELエミッターの電流及び効率損失を完全に補償するために必要な時間の長さを表し、Enormは、ELエミッターの正規化された効率を表し、tI_compはELエミッター電流における損失を補償するために必要なオン時間を表す。Enormを、ELサブピクセルに対する経年変化信号とすることができ、それは、ELエミッターの効率を含むELエミッターの特徴を表す。上記説明で用いた値の例に戻ると、完全に補償するために必要な時間信号に対する調整を計算することができる。まず、50%であると想定される、電流の損失により、補償するために、駆動時間の長さの2倍の調整が必要であることが分かった。したがって、tI_comp=2・tdataである。正規化された効率は0.77であることが分かり、それは、完全な駆動能力を想定して、駆動時間の1.3倍というおよその倍率を必要とすることが確定された。そして、式10を用いるこれらの2つの倍率の組合せにより、tfull_comp=2.6・tdataとなる。完全に補償するために、ELエミッターに対する経年変化信号は、ELエミッターの抵抗及び効率を表すためにInorm及びEnormの両方を含むことができる。したがって、経年変化信号を、2.6、1/2.6又は組(0.5,0.77)若しくは(2,1.3)、又は何らかの組合せとすることができる。
10 ELディスプレイ
20 選択線
30 読出し線
35 データ線
40 マルチプレクサ
45 マルチプレクサ出力線
50 ELエミッター
60 ELサブピクセル
65 温度センサー
70 駆動トランジスタ
75 キャパシタ
80 読出しトランジスタ
85 入力信号
90 選択トランジスタ
95 制御線
110 第1のスイッチ
120 第2のスイッチ
130 第3のスイッチ
131 第4のスイッチ
140 第1の電圧供給原
150 第2の電圧供給原
155 ドライバー回路
160 電流源
165 電流シンク
170 電圧測定回路
180 ローパスフィルター
185 アナログ/デジタルコンバーター
190 プロセッサ
195 メモリ
310 ステップ
315 ステップ
320 ステップ
322 ステップ
325 ステップ
330 判断ステップ
332 判断ステップ
335 判断ステップ
340 ステップ
345 ステップ
350 ステップ
355 判断ステップ
360 判断ステップ
370 ステップ
375 ステップ
380 ステップ
385 ステップ
410 軸
420 フレーム期間
430 軸
440 サブフレーム
450 サブフレーム
460 サブフレーム
470 サブフレーム
601 駆動トランジスタの負荷線
602 経年変化していないOLEDの負荷線
603 経年変化したOLEDの負荷線
610 点
611 点
621 点
622 点
623 点
624 点
625 点
631 電圧
632 電圧
640 線形適合
641 線形適合
642 線形適合
680a 電圧間隔
680b 電圧間隔
681a 電流間隔
681b 電流間隔
690 第1の電流
691 第2の電流
692 試験電流
693 経年変化した電流
Claims (16)
- エレクトロルミネッセント(EL)サブピクセルにおけるELエミッターの特徴の変動を補償する方法であって、
(a)駆動トランジスタ、前記ELエミッター及び読出しトランジスタを有するELサブピクセルを提供することであって、前記駆動トランジスタと前記読出しトランジスタの各々は、第1の電極、第2の電極及びゲート電極を有すること、
(b)第1の電圧源と、該第1の電圧源を前記駆動トランジスタの前記第1の電極に選択的に接続する第1のスイッチとを提供すること、
(c)前記ELエミッターを前記駆動トランジスタの前記第2の電極に接続すること、
(d)前記ELエミッターに接続された第2の電圧源を提供すること、
(e)前記読出しトランジスタの前記第1の電極を前記駆動トランジスタの前記第2の電極に接続すること、
(f)電流源と、該電流源を前記読出しトランジスタの前記第2の電極に選択的に接続する第3のスイッチとを提供することであって、前記電流源は、選択された試験電流を前記ELエミッターに提供すること、
(g)前記読出しトランジスタの前記第2の電極に接続された電圧測定回路を提供すること、
(h)前記第1のスイッチを開放し、前記第3のスイッチを閉鎖し、選択された行に対して選択線をアクティブにすることにより前記読出しトランジスタをオンにして電流が前記ELエミッターを通って流れるようにし、異なる電流値を用いて、少なくとも2回前記電圧測定回路により前記読出しトランジスタの前記第2の電極における前記電圧を測定し、少なくとも2つの測定値に応じて第1のエミッター電圧信号を提供すること、
(i)前記第1のエミッター電圧信号を用いることであって、前記ELエミッターの特徴を表す経年変化信号を提供すること、
(j)入力信号を受け取ること、
(k)前記経年変化信号及び前記入力信号を用いることであって、補償された駆動信号を生成すること、
(l)前記補償された駆動信号に対応する選択されたオン時間、選択された駆動電圧を前記駆動トランジスタの前記ゲート電極に提供することであって、前記選択された駆動電圧により、前記駆動トランジスタが前記選択されたオン時間の間に線形領域で動作し、前記ELエミッターの特徴の変動が補償されること、
(m)前記ELエミッターを前記第2の電圧源に選択的に接続する第2のスイッチを提供すること、
(n)電流シンクと、該電流シンクを前記読出しトランジスタの前記第2の電極に接続する第4のスイッチとを提供すること、
(o)前記第1のスイッチを閉鎖し、前記第2のスイッチを開放し、前記第3のスイッチを開放し、前記第4のスイッチを閉鎖し、選択された試験電圧を前記駆動トランジスタの前記ゲート電極に提供することと、
(p)前記電流シンクを用いることであって、選択された第1の電流が前記駆動トランジスタの前記第1の電極及び前記第2の電極を通過するようにすること、及び前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、第1のトランジスタ電圧信号を提供すること、並びに
(q)前記電流シンクを用いることであって、選択された第2の電流が前記駆動トランジスタの前記第1の電極及び前記第2の電極を通過するようにすること、及び前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、第2のトランジスタ電圧信号を提供し、前記第2の電流は前記第1の電流と等しくないこと、
を含み、
前記ステップ(h)は、
(i)第1の時点に前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、前記第1のエミッター電圧信号を提供すること、
(ii)前記第1のエミッター電圧信号を格納すること、
(iii)第2の時点に前記読出しトランジスタの前記第2の電極における電圧を測定することであって、第2のエミッター電圧信号を提供し、前記第2の時点は前記第1の時点とは異なること、
(iv)前記第2のエミッター電圧信号を格納すること、及び
(v)前記第2のスイッチを閉鎖し、前記第4のスイッチを開放すること
をさらに含み、
前記ステップ(i)は、前記第2のエミッター電圧信号、前記第1のトランジスタ電圧信号及び前記第2のトランジスタ電圧信号をさらに用いることであって、前記経年変化信号を提供する、方法。 - 前記ELエミッターの特徴の前記変動は、前記ELエミッターの経年変化によってもたらされる、請求項1に記載の方法。
- 前記ELエミッターの特徴の前記変動は、前記ELエミッターの温度の変動によってもたらされる、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧測定回路はアナログ/デジタルコンバーターを含む、請求項1に記載の方法。
- 複数のELサブピクセルを提供することをさらに含み、前記ステップ(h)及び(i)は、各前記ELサブピクセルに対して、複数の対応する経年変化信号を生成するように実行され、前記ステップ(j)〜(l)は、前記対応する経年変化信号を用いて前記複数のサブピクセルの各々に対して実行される、請求項1に記載の方法。
- ステップ(h)は、複数のこうしたELサブピクセルに対して実行され、その間、前記電流源は、前記複数のELサブピクセルの各々の前記それぞれのELエミッターに前記選択された試験電流を同時に提供する、請求項5に記載の方法。
- 前記ELサブピクセルは行及び列で配列され、各ELサブピクセルは、対応する選択トランジスタを有し、前記方法は、前記対応する選択トランジスタの前記ゲート電極に接続された複数の行選択線と、対応する読出しトランジスタの前記第2の電極に接続された複数の読出し線とを提供することをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記対応する選択トランジスタのそれぞれの第1の電極に接続された複数のデータ線を提供することをさらに含み、前記ステップ(l)は、前記駆動トランジスタの前記ゲート電極に前記選択された駆動電圧を提供するように、前記行選択線に接続されたゲートドライバーを有するドライバー回路と、前記データ線に接続されたソースドライバーとを提供することを含む、請求項5に記載の方法。
- 前記複数のELサブピクセルの各々を逐次測定するように前記複数の読出し線に接続されたマルチプレクサを用いることをさらに含むことであって、対応する第1のエミッター電圧信号を提供する、請求項5に記載の方法。
- 前記駆動トランジスタの前記ゲート電極に接続された選択トランジスタを提供することをさらに含み、前記選択トランジスタは、前記読出しトランジスタの前記ゲート電極に接続されたゲート電極を含む、請求項1に記載の方法。
- 各ELエミッターはOLEDエミッターであり、各ELサブピクセルはOLEDサブピクセルである、請求項1に記載の方法。
- 前記選択されたオン時間は、それぞれのサブフレーム持続時間を有する複数のアクティブ化サブフレームに分割され、前記それぞれのサブフレーム持続時間の合計は前記選択されたオン時間に等しい、請求項1に記載の方法。
- 各駆動トランジスタはpチャネルの低温ポリシリコン駆動トランジスタである、請求項1に記載の方法。
- トランジスタの特徴付けによって駆動トランジスタの負荷線を決めることをさらに含み、前記ステップ(i)は、前記駆動トランジスタの負荷線をさらに用いることであって、前記経年変化信号を提供する、請求項1に記載の方法。
- 前記選択された試験電圧は前記選択された駆動電圧に等しい、請求項1に記載の方法。
- 前記第1のトランジスタ電圧信号及び前記第2のトランジスタ電圧信号と前記第1の電流及び前記第2の電流とを用いることであって、駆動トランジスタの負荷線を提供する、用いることをさらに含み、前記ステップ(i)は、前記駆動トランジスタの負荷線をさらに用いることをさらに含むことであって、前記経年変化信号を提供する、請求項1に記載の方法。
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