JP4752803B2 - 電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器に係り、特に、画素
の階調を規定する表示データの補正処理に関する。

従来、外乱要素に起因した表示品質の低下を抑制すべく、補正機能を備えた電気光学装
置が知られている。例えば、特許文献１には、表示パネル内に設けられた複数の温度セン
サによって、有機ＥＬ素子の発熱に伴う温度変動を検出し、これに応じて、表示パネルの
駆動補正を行う技術が開示されている。

特開２００２−１７５０４６号公報。

ところで、表示品質に影響を及ぼす外乱要素としては、上述した温度要素以外にも様々
なものがある。例えば、電気光学装置の使用時における周囲照度、画素中に含まれる電気
光学素子の経時劣化、或いは、表示パネルの製造ばらつき等に起因した表示ムラといった
如くである。

そこで、本発明の目的は、複数の外乱要素に対応した補正処理を行うことによって、表
示品質の安定化を図ることである。

また、本発明の別の目的は、かかる補正処理の高速化を図ることである。

上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、データ線を備える電気光学装置
であって、入力される表示データに対応する変換データを生成する際に、第1の補正要素に基づいて変換データの階調特性を設定し、当該設定された階調特性を有する変換データの中から、入力された前記表示データに対応する前記変換データを出力する階調特性生成部と、前記第１の補正要素とは異なる少なくとも一つの第２の補正要素に基づいて、前記変換データを電流データにＤ／Ａ変換し、前記データ線に供給するデータ線駆動回路と、を有することを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記データ線駆動回路
は、Ｄ／Ａ変換部を有しており、前記Ｄ／Ａ変換部には、前記変換データを構成する各ビ
ットに対応して制御されるスイッチングトランジスタと、当該スイッチングトランジスタ
と直列に接続され、前記各ビットの重みに応じて利得係数が設定された駆動トランジスタ
とのペアがビット数に応じて設けられており、前記第２の補正要素に応じて、前記Ｄ／Ａ
変換部に供給される駆動電圧が設定されることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記第２の補正要素に
応じて、前記駆動トランジスタのゲートに供給される電圧が設定されることを特徴とする
。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記Ｄ／Ａ変換部は、
前記スイッチングトランジスタと前記駆動トランジスタのペアに対して、並列に設けられ
たトランジスタを有しており、前記第２の補正要素に応じて、前記トランジスタのゲート
に供給される電圧が設定されることを特徴とする。
上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、走査線と、データ線と、前記走
査線と前記データ線の交差に応じて配置された画素と、を備える電気光学装置であって、
前記画素は、電流駆動型素子と、前記データ線より供給されるデータに応じた電荷が保持
されるキャパシタと、前記キャパシタにそのゲートが接続された第１トランジスタと、駆
動信号がそのゲートに供給される第２トランジスタと、前記走査線がそのゲートに接続さ
れ、前記データ線と前記キャパシタとの間に設けられた第３トランジスタとを有しており
、電源電圧と基準電圧の間において、前記電流駆動型素子と前記第１及び第２トランジス
タとを介して駆動電流の経路が形成されており、入力される表示データに対応する変換データを生成する際に、第1の補正要素に基づいて変換データの階調特性を設定し、当該設定された階調特性を有する変換データの中から、入力された前記表示データに対応する前記変換データを出力する階調特性生成部と、前記第１の補正要素とは異なる第２の補正要素に基づいて、前記画素の駆動期間を前記駆動信号により制御する駆動期間制御部と、を備えることを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記駆動期間制御部は
、前記第２の補正要素に基づいて、前記駆動信号に応じて前記電流駆動型素子がオンする
オン期間を設定することを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記駆動期間制御部は
、前記第２の補正要素に基づいて、前記走査線に供給される走査信号の立ち下りのタイミ
ングと前記駆動トランジスタの立ち上がりのタイミングとの間に遅延時間を設定すること
を特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、前記電流駆動型素子を
オンさせるオン期間とオフさせるオフ期間とを有しており、前記駆動期間制御部は、前記
第２の補正要素に基づいて、前記オン期間及び前記オフ期間のデューティ比を設定するこ
とを特徴とする。
また、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置であって、１フレームを分割する
ことにより規定される複数のサブフィールドを有しており、前記駆動期間制御部は、前記
第２の補正要素に基づいて、前記サブフィールド毎、前記オン期間を設定することを特徴
とする。
上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、データ線を備える電気光学装置
であって、少なくとも一つの第１の補正要素に基づき、入力される表示データから変換デ
ータに変換する際の階調特性を設定し、当該階調特性に基づき前記変換データを生成する
際に、前記表示データを非線形な値に加工するとともに、前記表示データのビット数より
も多いビット数の変換データを生成する階調特性生成部と、前記第１の補正要素とは異な
る少なくとも一つの第２の補正要素に基づくとともに、入力される前記変換データを論理
演算し、前記変換データのビット数よりも多いビット数の補正データを生成する階調補正
部と、前記補正データを電流データにＤ／Ａ変換し、前記電流データを前記データ線に供
給するデータ信号生成部と、を有することを特徴とする。
上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置の駆動方法は、データ線を備える電
気光学装置の駆動方法であって、少なくとも一つの第１の補正要素に基づき、入力される
表示データから変換データに変換する際の階調特性を設定し、当該階調特性に基づき前記
変換データを生成し、前記第１の補正要素とは異なる少なくとも一つの第２の補正要素に
基づいて、前記変換データを電流データにＤ／Ａ変換し、前記データ線に供給することを
特徴とする。
上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置の駆動方法は、走査線と、データ線
と、前記走査線と前記データ線の交差に応じて配置された画素と、を備える電気光学装置
の駆動方法であって、前記画素は、電流駆動型素子と、前記データ線より供給されるデー
タに応じた電荷が保持されるキャパシタと、前記キャパシタにそのゲートが接続された第
１トランジスタと、駆動信号がそのゲートに供給される第２トランジスタと、前記走査線
がそのゲートに接続され、前記データ線と前記キャパシタとの間に設けられた第３トラン
ジスタとを有しており、電源電圧と基準電圧の間において、前記電流駆動型素子と前記第
１及び第２トランジスタとを介して駆動電流の経路が形成されており、入力される表示データに対応する変換データを生成する際に、第1の補正要素に基づいて変換データの階調特性を設定し、当該設定された階調特性を有する変換データの中から、入力された前記表示データに対応する前記変換データを出力し、前記第１の補正要素とは異なる少なくとも一つの第２の補正要素に基づいて、前記画素の駆動期間を前記駆動信号により制御することを特徴とする。
上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置の駆動方法は、データ線を備える電
気光学装置の駆動方法であって、少なくとも一つの第１の補正要素に基づき、入力される
表示データから変換データに変換する際の階調特性を設定し、当該階調特性に基づき前記
変換データを生成する際に、前記表示データを非線形な値に加工するとともに、前記表示
データのビット数よりも多いビット数の変換データを生成し、前記第１の補正要素とは異
なる少なくとも一つの第２の補正要素に基づくとともに、入力される前記変換データを論
理演算し、前記変換データのビット数よりも多いビット数の補正データを生成し、前記補
正データを電流データにＤ／Ａ変換し、前記電流データを前記データ線に供給することを
特徴とする。
かかる課題を解決するために、第１の発明は、入力される表示データと出力される変換
データとの対応関係が記述され、少なくとも一つの第１の補正要素が記述内容に反映され
た変換テーブルを参照することによって、画素の階調を規定する表示データから、表示デ
ータの階調特性を変形させた階調特性を有する変換データを生成する階調特性生成部と、
階調特性生成部とは異なる種類の処理を用いて、第１の補正要素とは異なる少なくとも一
つの第２の補正要素によって、変換データの階調特性を補正した上で、画素を駆動する画
素駆動部とを有する電気光学装置を提供する。

ここで、第１の発明において、画素駆動部は、階調特性生成部における表示データの階
調特性の変形よりも微細なレベルで、変換データの階調特性を補正することが好ましい。

第２の発明は、入力される表示データと出力される変換データとの対応関係が記述され
、少なくとも一つの第１の補正要素が記述内容に反映された変換テーブルを参照すること
によって、画素の階調を規定する表示データの階調特性を疎調整した変換データを生成す
る階調特性生成部と、第１の補正要素とは異なる少なくとも一つの第２の補正要素に基づ
いて、疎調整よりも微細なレベルで変換データの階調特性を微調整した上で、画素を駆動
する画素駆動部とを有する電気光学装置を提供する。

ここで、第１または第２の発明において、階調特性生成部は、記述内容が互いに異なる
複数の変換テーブルを有し、第１の補正要素に応じて、複数の変換テーブルのいずれかを
参照対象として選択することが好ましい。

第１または第２の発明において、画素駆動部は、第２の補正要素に基づいて、変換デー
タを補正することによって、補正データを生成する階調補正部と、補正データに基づいて
、画素に供給するデータ信号を生成するデータ信号生成部とを含んでいてもよい。この場
合、階調補正部は、変換データと第２の補正要素との論理演算によって、補正データを生
成することが好ましい。また、別の構成として、画素駆動部は、変換データに基づいて、
画素に供給するデータ信号を生成するデータ信号生成部を含み、データ信号生成部は、第
２の補正要素に基づいて、データ信号をアナログ補正してもよい。さらに、別の構成とし
て、画素駆動部は、変換データに基づいて、画素に供給するデータ信号を生成するデータ
信号生成部と、第２の補正要素に基づいて、画素中に含まれる電気光学素子の輝度の設定
が行われる駆動期間を可変に制御する駆動期間制御部とを含んでいてもよい。これらの構
成において、画素が自己を流れる電流によって輝度が設定される電気光学素子を含む場合
、データ信号生成部は、データ信号を電流ベースで生成することが好ましい。

第１または第２の発明において、第１の補正要素は、電気光学装置の周囲照度変動、お
よび、画素中に含まれる電気光学素子の自己発熱温度変動のうちの少なくとも一つを含む
ことが好ましい。この場合、電気光学装置の周囲照度を検出する照度検出部をさらに設け
て、照度検出部によって検出された周囲照度に基づいて、周囲照度変動を算出してもよい
。

第１または第２の発明において、第２の補正要素は、電気光学装置の周囲温度変動、画
素中に含まれる電気光学素子の劣化変動、および、画素がマトリクス状に並んだ表示部の
表示ムラのうちの少なくとも一つを含むことが好ましい。この場合、電気光学装置の周囲
温度を検出する温度検出部をさらに設けて、温度検出部によって検出された周囲温度に基
づいて、周囲温度変動を算出してもよい。また、画素中に含まれる電気光学素子の劣化度
合を検出する劣化度合検出部をさらに設けて、劣化度合検出部によって検出された劣化度
合に基づいて、劣化変動を算出してもよい。また、第２の補正要素が複数存在する場合に
おいて、画素駆動部は、複数の第２の補正要素に基づいて補正値を算出する補正値生成部
を含むとともに、補正値生成部によって算出された補正値に基づいて、画素の駆動を行う
ことが好ましい。この補正値生成部は、複数の第２の補正要素の論理演算によって、補正
値を算出することが望ましい。

第３の発明は、入力される表示データと出力される変換データとの対応関係が記述され
、画素中に含まれる電気光学素子の自己発熱温度変動が記述内容に反映された変換テーブ
ルを参照することによって、画素の階調を規定する表示データから、表示データの階調特
性を変形させた階調特性を有する変換データを生成する階調特性生成部と、変換データに
基づいて、画素を駆動する画素駆動部とを有する電気光学装置を提供する。

第４の発明は、上述した第１から第３の発明のいずれかにかかる電気光学装置を実装し
た電子機器を提供する。

第５の発明は、入力される表示データと出力される変換データとの対応関係が記述され
、少なくとも一つの第１の補正要素が記述内容に反映された変換テーブルを参照すること
によって、画素の階調を規定する表示データから、この表示データの階調特性を変形させ
た階調特性を有する変換データを生成する第１のステップと、第１のステップとは異なる
種類の処理を用いて、第１の補正要素とは異なる少なくとも一つの第２の補正要素によっ
て、変換データの階調特性を補正した上で、画素を駆動する第２のステップとを有する電
気光学装置の駆動方法を提供する。

ここで、第５の発明において、第２のステップは、第１のステップにおける表示データ
の階調特性の変形よりも微細なレベルで、変換データの階調特性を補正するステップを含
むことが好ましい。

第６の発明は、入力される表示データと出力される変換データとの対応関係が記述され
、少なくとも一つの第１の補正要素が記述内容に反映された変換テーブルを参照すること
によって、画素の階調を規定する表示データの階調特性を疎調整した変換データを生成す
る第１のステップと、第１の補正要素とは異なる少なくとも一つの第２の補正要素に基づ
いて、疎調整よりも微細なレベルで変換データの階調特性を微調整した上で、画素を駆動
する第２のステップとを有する電気光学装置の駆動方法を提供する。

ここで、第５または第６の発明において、第１のステップは、記述内容が互いに異なる
複数の変換テーブルのうち、第１の補正要素に応じて、いずれかを参照対象として選択す
るステップを含むことが好ましい。

第５または第６の発明において、第２のステップは、第２の補正要素に基づいて、変換
データを補正することによって、補正データを生成するステップと、補正データに基づい
て、画素に供給するデータ信号を生成するステップとを含むことが好ましい。ここで、補
正データを生成するステップは、変換データと第２の補正要素との論理演算によって、補
正データを生成するステップであってもよい。また、これに代えて、変換データに基づい
て、画素に供給するデータ信号を生成するとともに、第２の補正要素に基づいて、データ
信号をアナログ補正するステップであってもよい。さらに、これらに代えて、変換データ
に基づいて、画素に供給するデータ信号を生成するステップと、第２の補正要素に基づい
て、画素中に含まれる電気光学素子の輝度の設定が行われる駆動期間を可変に制御するス
テップとを含むステップであってもよい。また、画素が自己を流れる電流によって輝度が
設定される電気光学素子を含む場合、データ信号を生成するステップは、データ信号を電
流ベースで生成するステップであることが好ましい。

第５または第６の発明において、第１の補正要素は、電気光学装置の周囲照度変動、お
よび、画素中に含まれる電気光学素子の自己発熱温度変動のうちの少なくとも一つを含む
ことが好ましい。この場合、周囲照度変動は、照度検出部によって検出された電気光学装
置の周囲照度に基づいて算出されることが好ましい。

第５または第６の発明において、第２の補正要素は、電気光学装置の周囲温度変動、画
素中に含まれる電気光学素子の劣化変動、および、画素がマトリクス状に並んだ表示部の
表示ムラのうちの少なくとも一つを含むことが好ましい。この場合、周囲温度変動は、温
度検出部によって検出された電気光学装置の周囲温度に基づいて算出してもよい。また、
劣化変動は、劣化度合検出部によって検出された画素中に含まれる電気光学素子の劣化度
合に基づいて算出してもよい。さらに、第２の補正要素が複数存在する場合において、第
２のステップは、複数の第２の補正要素に基づいて補正値を算出するステップと、補正値
に基づいて、画素の駆動を行うステップとを含むことが好ましい。この場合、補正値を算
出するステップは、複数の第２の補正要素の論理演算によって、補正値を算出するステッ
プであってもよい。

第７の発明は、入力される表示データと出力される変換データとの対応関係が記述され
、画素中に含まれる電気光学素子の自己発熱温度変動が記述内容に反映された変換テーブ
ルを参照することによって、画素の階調を規定する表示データから、表示データの階調特
性を変形させた階調特性を有する変換データを生成する第１のステップと、変換データに
基づいて、画素を駆動する第２のステップとを有する電気光学装置の駆動方法を提供する
。

（第１の実施形態）
図１は、本実施形態にかかる電気光学装置のブロック構成図である。表示部１は、例え
ば、ＴＦＴ等の駆動素子によって電気光学素子を駆動するアクティブマトリクス型の表示
パネルである。この表示部１には、ｍドット×ｎライン分の画素２がマトリクス状（二次
元平面的）に並んでいる。また、表示部１には、それぞれが水平方向に延在している走査
線群Ｙ1〜Ｙnと、それぞれが垂直方向に延在しているデータ線群Ｘ1〜Ｘmとが設けられて
おり、これらの交差に対応して画素２が配置されている。本実施形態では、１つの画素２
を画像の最小表示単位としているが、カラーパネルのように、１つの画素２をＲＧＢの３
つのサブ画素で構成してもよい。なお、図１には、それぞれの画素２に対して所定の電圧
Ｖdd，Ｖssを供給する電源線等が省略されている。

図２は、一例としての画素２の回路図である。１つの画素２は、有機ＥＬ素子OLED、４
つのトランジスタＴ1〜Ｔ4、および、データを保持するキャパシタＣで構成されている。
ダイオードとして表記された有機ＥＬ素子OLEDは、自己を流れる駆動電流Ｉoledによって
輝度が設定される典型的な電流駆動型素子である。この画素回路では、ｎチャネル型のト
ランジスタＴ1，Ｔ2，Ｔ4とｐチャネル型のトランジスタＴ3とが用いられているが、これ
は一例にすぎず、これとは異なる組み合わせでチャネル型を設定してもよい。

トランジスタＴ1のゲートは、走査信号ＳＥＬが供給される１本の走査線Ｙに接続され
、そのソースは、データ電流Ｉdataが供給される１本のデータ線Ｘに接続されている。こ
のトランジスタＴ1のドレインは、トランジスタＴ2のソース、トランジスタＴ3のドレイ
ンおよびトランジスタＴ4のドレインに共通接続されている。トランジスタＴ2のゲートは
、トランジスタＴ1と同様に、走査信号ＳＥＬが供給される走査線Ｙに接続されている。
トランジスタＴ2のドレインは、キャパシタＣの一方の電極と、トランジスタＴ3のゲート
とに共通接続されている。キャパシタＣの他方の電極とトランジスタＴ3のソースとには
、電源電圧Ｖddが印加されている。この電源電圧Ｖddは、カラーパネルの場合には、ＲＧ
Ｂ毎に異なる値に設定されることが多い。その理由は、有機ＥＬ素子OLEDの材料がＲＧＢ
によって異なるため、これに起因した電気的特性の相違に対応するためである。駆動信号
ＧＰがゲートに供給されたトランジスタＴ4は、トランジスタＴ3のドレインと有機ＥＬ素
子OLEDのアノード（陽極）との間に設けられている。この有機ＥＬ素子OLEDのカソード（
陰極）には、電源電圧Ｖddよりも低い基準電圧Ｖssが印加されている。なお、データを保
持する回路要素としては、キャパシタＣ以外にも、多ビットのデータを記憶可能なメモリ
（ＳＲＡＭ等）を用いることもできる。

図３は、図２に示した画素２の駆動タイミングチャートである。走査線Ｙ1〜Ｙnの線順
次走査によって、ある画素２の選択が開始されるタイミングをｔ0とし、この画素２の選
択が次に開始されるタイミングをｔ2とする。この期間ｔ0〜ｔ2は、前半のプログラミン
グ期間ｔ0〜ｔ1と、後半の駆動期間ｔ1〜ｔ2とに分けられる。

プログラミング期間ｔ0〜ｔ1では、キャパシタＣに対するデータの書き込みが行われる
。まず、タイミングｔ0において、走査信号ＳＥＬが高レベル（以下「Ｈレベル」という
）に立ち上がり、スイッチング素子として機能するトランジスタＴ1，Ｔ2が共にオン（導
通）する。これにより、データ線ＸとトランジスタＴ3のドレインとが電気的に接続され
るとともに、トランジスタＴ3は、自己のゲートと自己のドレインとが電気的に接続され
たダイオード接続となる。トランジスタＴ3は、データ線Ｘより供給されたデータ電流Ｉd
ataを自己のチャネルに流し、このデータ電流Ｉdataに応じた電圧がゲート電圧Ｖgとして
発生する。トランジスタＴ3のゲートに接続されたキャパシタＣには、発生したゲート電
圧Ｖgに応じた電荷が蓄積され、蓄積された電荷量に相当するデータが書き込まれる。

プログラミング期間ｔ0〜ｔ1において、トランジスタＴ3は、自己のチャネルを流れる
データ信号に基づいて、キャパシタＣに対するデータの書き込みを行うプログラミングト
ランジスタとして機能する。また、駆動信号ＧＰが低レベル（以下「Ｌレベル」という）
に維持されているため、トランジスタＴ4はオフ（非導通）のままである。したがって、
有機ＥＬ素子OLEDに対する駆動電流Ｉoledの経路はトランジスタＴ4によって遮断され、
有機ＥＬ素子OLEDは発光しない。

続く駆動期間ｔ1〜ｔ2では、駆動電流Ｉoledが有機ＥＬ素子OLEDを流れて、有機ＥＬ素
子OLEDの輝度の設定が行われる。まず、タイミングｔ1において、走査信号ＳＥＬがＬレ
ベルに立ち下がり、トランジスタＴ1，Ｔ2が共にオフする。これにより、データ電流Ｉda
taが供給されるデータ線ＸとトランジスタＴ3のドレインとが電気的に分離され、トラン
ジスタＴ3のゲートとドレインとの間も電気的に分離される。トランジスタＴ3のゲートに
は、キャパシタＣの蓄積電荷に応じたゲート電圧Ｖgが印加され続ける。タイミングｔ1に
おける走査信号ＳＥＬの立ち下がりと同期（同一タイミングであるとは限らない）して、
それ以前はＬレベルだった駆動信号ＧＰがＨレベルに立ち上がる。これにより、電源電圧
Ｖddから基準電圧Ｖssに向かって、トランジスタＴ3，Ｔ4と有機ＥＬ素子OLEDとを介した
駆動電流Ｉoledの経路が形成される。有機ＥＬ素子OLEDを流れる駆動電流Ｉoledは、トラ
ンジスタＴ3のチャネル電流に相当し、その電流レベルは、キャパシタＣの蓄積電荷に起
因したゲート電圧Ｖgによって制御される。

駆動期間ｔ1〜ｔ2において、トランジスタＴ3は、有機ＥＬ素子OLEDに駆動電流Ｉoled
を供給する駆動トランジスタとして機能し、有機ＥＬ素子OLEDは、この駆動電流Ｉoledに
応じた輝度で発光する。

走査線駆動回路３およびデータ線駆動回路４は、図示しない制御回路による制御下にお
いて、互いに協働して表示部１の表示制御を行う。走査線駆動回路３は、シフトレジスタ
、出力回路等を主体に構成されており、走査線Ｙ1〜Ｙnに走査信号ＳＥＬを出力すること
によって、走査線Ｙ1〜Ｙnを所定の選択順序で順番に選択する線順次走査を行う。走査信
号ＳＥＬは、ＨレベルまたはＬレベルの２値的な信号レベルをとり、データの書込対象と
なる画素行（１水平ライン分の画素群）に対応する走査線ＹはＨレベル、これ以外の走査
線ＹはＬレベルにそれぞれ設定される。そして、１垂直走査期間（１Ｆ）において、所定
の選択順序で、それぞれの画素行が順番に選択されていく。なお、走査線駆動回路３は、
走査信号ＳＥＬ以外に、図２に示したトランジスタＴ4を導通制御する駆動信号ＧＰ（ま
たはそのベース信号）も出力する。この駆動信号ＧＰによって、駆動期間、すなわち、画
素２中に含まれる有機ＥＬ素子OLEDの輝度の設定が行われる期間が設定される。

データ線駆動回路４は、走査線駆動回路３による線順次走査と同期して、それぞれのデ
ータ線Ｘ1〜Ｘmに対する信号の供給を電流ベースで行う。図４は、データ線駆動回路４の
構成図である。このデータ線駆動回路４は、ｍビットのＸシフトレジスタ４０およびデー
タ線単位で設けられたｍ個の回路ユニット４１で構成されている。Ｘシフトレジスタ４０
は、１水平走査期間（１Ｈ）の最初に供給されるスタートパルスＳＴをクロック信号ＣＬ
Ｘにしたがって転送し、ラッチ信号Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，・・・，Ｓmのレベルを順次排他的に
Ｈレベルに設定する。

ｍ個の回路ユニット４１は、ある１Ｈでデータを書き込む画素行に対する電流ベースの
信号の一斉出力と、次の１Ｈで書き込みを行う画素行に関するデータの点順次的なラッチ
とを同時に行う。単一の回路ユニット４１は、データＤcvt（Ｄ0〜Ｄ5）のビット単位で
設けられた６つのスイッチの集合であるスイッチ群４２，４４、第１のラッチ回路４３、
第２のラッチ回路４５および電流ＤＡＣ４６で構成されている。データ線Ｘ1〜Ｘmに対応
する個々の回路ユニット４１の動作は、ラッチ信号Ｓ1，Ｓ2，Ｓ3，・・・，Ｓmによるデ
ータＤ0〜Ｄ5の取り込みタイミングが異なる点を除けば同様である。すなわち、最前段の
スイッチ群４２は、対応するラッチ信号ＳがＨレベルになることによってオンする。これ
により、ラッチ信号Ｓが規定する取り込みタイミングで、６ビットデータＤ0〜Ｄ5が第１
のラッチ回路４３に取り込まれる。第１のラッチ回路４３にラッチされたデータＤ0〜Ｄ5
は、ラッチパルスＬＰがＨレベルになってスイッチ群４４がオンした時点で、第２のラッ
チ回路４５に転送される。それとともに、第１のラッチ回路４３には、スイッチ群４２を
介して、次の１ＨにおけるデータＤ0〜Ｄ5が新たにラッチされる。

電流ＤＡＣ４６は、第２のラッチ回路４５にラッチされた６ビットのデジタルデータＤ
0〜Ｄ5をＤ／Ａ変換し、アナログ信号であるデータ電流Ｉdataを生成し、これを対応する
データ線Ｘに供給する。電流ＤＡＣ４６は、次に述べる補正系回路の一部である画素駆動
部として機能し、これを実現する上で必要な回路が付加されているが、その具体的な回路
構成については後述する。

なお、データ線駆動回路４に対してフレームメモリ等（図示せず）から直接データを線
順次的に入力する構成でも本発明を適用できるが、その場合においても本発明の主眼とす
る部分の動作は同様である。このような構成にした場合には、データ線駆動回路４にシフ
トレジスタを設ける必要がなくなる。

本実施形態では、回路要素５〜１０と、電流ＤＡＣ４６の付加回路とで構成される補正
系回路が設けられており、この回路によって、複数の外乱要素に対応した補正が統合的に
行われる。補正項目となる外乱要素は５つあり、それぞれの外乱要素を補正する補正要素
がΔＤta，ΔＤtl，ΔＤlx，ΔＤd，ΔＤmuraとなる。

周囲温度変動ΔＤtaは、電気光学装置の使用環境の温度、すなわち、周囲温度Ｔaの変
動を補正する補正要素である。一般に、周囲温度Ｔaが変動すると、有機ＥＬ素子OLEDの
駆動電圧や発光効率等も変動する。したがって、この温度領域全体で表示品質の安定化を
図るためには、外乱要素である周囲温度Ｔaの影響を考慮した補正を行うことが好ましい
。図５は、一例としての周囲温度Ｔaと周囲温度変動ΔＤtaとの関係を示す特性図である
。有機ＥＬ素子OLEDの温度−輝度特性がＲＧＢ毎に異なる点に鑑み、周囲温度変動ΔＤta
は、ＲＧＢ毎に個別に設定されている。Ｂ（青）については、周囲温度Ｔaの増加にとも
ない周囲温度変動ΔＤtaが線形的に増加しており、Ｒ（赤）およびＧ（緑）については、
周囲温度Ｔaの増加にともない周囲温度変動ΔＤtaが線形的に減少している。

周囲温度変動ΔＤtaに応じた補正は、電気光学装置の内蔵センサとして設けられた温度
検出部６で表示部１近傍の周囲温度Ｔaを検出することにより、リアルタイムで行われる
。演算部８は、温度検出部６によって検出された周囲温度Ｔaを入力とした演算処理を行
って、画素２の階調設定の際に加味すべき補正値を算出し、これを周囲温度変動ΔＤtaと
してデータ線駆動回路４に出力する。この演算処理は、例えば、図５のような特性が記述
された変換テーブルを参照して、入力値Ｔaから出力値ΔＤtaを求めるテーブル参照処理
（Look Up Table処理）が想定されるが、これ以外の処理方法であってもよい。なお、こ
の補正単位は、周囲温度Ｔaの影響が表示部１全体に作用する点に鑑み、表示部１全体で
ある。

温度検出部６としては、特開２００２−９８５９４号公報に開示されているように、温
度センサが搭載された半導体チップを用いてもよく、特開２００２−１２２８３８号公報
に開示されているように、表示部１の基板上に形成された温度検出素子（ＰＮ接合の温度
に対する電圧変化を検出する素子）を用いることも可能である。

なお、周囲温度Ｔaの検出精度を確保するという観点でいえば、表示部１の周囲温度が
偏在していない方がよい。そこで、冷却ファン、或いは、特開平１１−９５８７２号公報
や特開平１１−２５１７７７号公報に開示されているような高熱伝導材等を用いて、電気
光学装置より発生する熱を有効に放熱し、周囲の温度を均一化させることが好ましい。

自己発熱温度変動ΔＤtlは、有機ＥＬ素子OLEDの発光に伴う発熱温度Ｔlの変動を補正
する補正要素である。一般に、有機ＥＬ素子OLEDの発光輝度が高くなるほど、有機ＥＬ素
子OLEDの発熱温度も高くなる。したがって、この発熱温度領域全体で表示品質の安定化を
図るためには、外乱要素である発熱温度Ｔlの影響を考慮した補正を行うことが好ましい
。図６は、一例としての発熱温度Ｔlと自己発熱温度変動ΔＤtlとの関係を示す特性図で
ある。自己発熱温度変動ΔＤtlは、ＲＧＢ毎に個別に設定されているが、いずれも発熱温
度Ｔlの増加にともない非線形的に増加している。

画素２の階調と発熱温度Ｔlとの関係は、実験やシミュレーション等を通じて予め知得
されている。この知得を前提として、自己発熱温度変動ΔＤtlは、階調特性生成部９が備
える変換テーブルの設定値として折り込み済みである。つまり、変換テーブルの記述内容
自体が、例えば、図６のような特性を反映したものになっている。この場合、自己発熱温
度変動ΔＤtlに応じた補正を行うために、センサ類を用いる必要はない。なお、この補正
単位は、基本的には画素毎であるが、ある画素２の発熱量が周辺画素へも拡散するケース
を想定する場合には、周辺画素を含めたブロック単位にしてもよい。

周囲照度変動ΔＤlxは、電気光学装置の使用環境における明るさ、すなわち、周囲照度
Ｌxの変動を補正する補正要素である。一般に、外光の程度に応じて、見映えのよい表示
を行う上で最適な有機ＥＬ素子OLEDの発光輝度が変わってくる。例えば、明るい外光下で
の使用時には、通常の表示状態よりも発光輝度を明るくし、高コントラスト化した方が視
認性が向上する。これに対して、暗い屋内での使用時には、通常の表示状態では明るすぎ
るため、発光輝度を多少暗くした方が視認性が向上する。したがって、この照度領域全体
において安定した視認性を得るためには、外乱要素である周囲照度Ｌxの影響を考慮した
補正を行うことが好ましい。図７は、一例としての周囲照度Ｌxと周囲照度変動ΔＤlxと
の関係を示す特性図である。周囲照度変動ΔＤlxについては、他の補正要素とは異なりＲ
ＧＢ共通に設定され、周囲照度Ｌxの増加にともない非線形的に増加している。

周囲照度変動ΔＤlxに応じた補正は、電気光学装置の内蔵センサとして設けられた照度
検出部５で表示部１近傍の周囲照度Ｌxを検出することにより、リアルタイムで行われる
。演算部８は、照度検出部５によって検出された周囲照度Ｌxを入力とした演算処理を行
って、画素２の階調設定の際に加味すべき補正値を算出し、これを周囲照度変動ΔＤlxと
して階調特性生成部９に出力する。この演算処理は、例えば、図７のような特性が記述さ
れた変換テーブルを参照して、入力値Ｌxから出力値ΔＤlxを求めるＬＵＴ処理が想定さ
れるが、これ以外の処理方法であってもよい。なお、この補正単位は、周囲照度Ｌxの影
響が表示部１全体に作用する点に鑑み、表示部１全体である。

照度検出部５としては、例えば、特開２０００−６６６２４号公報に開示されているよ
うに、外光の強度を検出する照度センサを用いることができる。なお、周囲照度Ｌxの検
出精度を確保するという観点でいえば、表示部１の自己発光の影響を受けないように、自
己発光を遮蔽する構造的な工夫を表示部１に設けることが好ましい。

劣化変動ΔＤdは、有機ＥＬ素子OLEDの劣化度合ｄによる変動を補正する補正要素であ
る。一般に、有機ＥＬ素子OLEDの劣化が進むにしたがい、有機ＥＬ素子OLEDの駆動電圧や
発光効率等が低下していく。したがって、時間軸領域全体で表示品質の安定化を図るため
には、外乱要素である劣化度合ｄの影響を考慮した補正を行うことが好ましい。図８は、
一例としての劣化度合ｄと劣化変動ΔＤdとの関係を示す特性図である。劣化度合ｄがＲ
ＧＢ毎に異なる点に鑑み、劣化変動ΔＤdもＲＧＢ毎に個別に設定されているが、いずれ
も劣化度合ｄの増加にともない線形的に増加している。

劣化変動ΔＤdに応じた補正は、電気光学装置の内蔵センサとして設けられた劣化度合
検出部７で劣化度合ｄを検出することにより、リアルタイムで行われる。演算部８は、劣
化度合検出部７によって検出された劣化度合ｄを入力とした演算処理を行って、画素２の
階調設定の際に加味すべき補正値を算出し、これを劣化変動ΔＤdとしてデータ線駆動回
路４に出力する。この演算処理は、例えば、図８のような特性が記述された変換テーブル
を参照して、入力値ｄから出力値ΔＤdを求めるＬＵＴ処理が想定されるが、これ以外の
処理方法を用いてもよい。

劣化度合検出部７としては、例えば、電気光学装置が今まで動作した累積時間を計測す
るタイマ、或いは、フレームメモリに今まで蓄積された表示データの累積数を計測するカ
ウンタ等を用いることができる。この場合、補正単位は表示部１全体となる。また、この
ような時間軸ベースで劣化度合ｄを推定する手法に代えて、有機ＥＬ素子OLEDの発光状態
ベースで劣化度合ｄを推定してもよい。例えば、ＣＣＤセンサやＣＭＯＳセンサ等の輝度
センサを用いて、有機ＥＬ素子OLEDの発光輝度を画素単位で検出し、本来の輝度に対する
実際の輝度の低下分から劣化度合ｄを推定するといった如くである。この場合の補正単位
は、画素毎となる。

このような輝度センサの具体的な構成については、特開平９−２３７８８７号公報や特
開平１１−３４５９５７号公報に開示されている他、電気光学装置に開閉可能なフタを設
け、表示部１と対向するフタの内面（対向面）にＣＣＤセンサ等を設けてもよい。

表示ムラΔＤmuraは、有機ＥＬ素子OLEDの駆動電圧、発光効率、色度等の相違に起因し
た表示部１のムラ度合muraを補正する補正要素である。図９は、一例としてのムラ度合mu
raと表示ムラΔＤmuraとの関係を示す特性図である。ＲＧＢ毎の特性の違いを考慮して、
表示ムラΔＤmuraもＲＧＢ毎に個別に設定されているが、いずれもムラ度合muraの進行に
ともない線形的に増加している。

表示ムラΔＤmuraに応じた補正は、電気光学装置に外付けされる検査装置（図示せず）
によってムラ度合muraを検出することで、製品出荷前に行われる。演算部８は、検査装置
によって検出されたムラ度合muraを入力とした演算処理を行って、画素２の階調設定の際
に加味すべき補正値を算出し、これを表示ムラΔＤmuraとしてデータ線駆動回路４に出力
する。この演算処理は、例えば、図９のような特性が記述された変換テーブルを参照して
、入力値muraから出力値ΔＤmuraを求めるＬＵＴ処理が想定されるが、これ以外の処理方
法であってもよい。ムラ度合muraの検出を画素単位に行う場合、補正単位も画素毎になる
。

なお、表示ムラΔＤmuraに応じた補正は、製品出荷前に行えば足り、その後の補正は必
ずしも必要ではない。しかしながら、上述した輝度センサを用いてムラ度合muraをリアル
タイムで検出し、表示ムラΔＤmuraに応じた補正をリアルタイムで行うことも可能である
。

図１０は、階調特性生成部９の構成図である。階調特性生成部９は、入力された表示デ
ータＤの階調特性を疎調整することによって、変換データＤcvtを生成・出力する。ここ
では、表示データＤの階調特性の形そのものを別の形に変形させるようなデータ変換が行
われ、論理演算等での対応が容易ではない比較的大きな変形を伴うデータ変換（疎調整）
を想定している。そのため、このような疎調整への対応が容易なＬＵＴ処理を採用してい
る。表示データＤは、画素２の階調を規定するデジタル信号であり、一般的には、図示し
ない上位のフレームメモリからのデータである。この表示データＤは、階調に対して線形
な値であることが多いが、階調特性生成部９は、表示データＤを非線形な値に加工する機
能を有する。そのため、表示データＤが有するビット領域よりも大きなビット領域を準備
しておく必要があり、本実施形態では、４ビットの表示データＤ（Ｄ0〜Ｄ3）に対して、
６ビットの変換データＤcvt（Ｄ0〜Ｄ5）が生成される。

階調特性生成部９は、記述内容が互いに異なる複数の変換テーブルＬＵＴ1〜ＬＵＴ4を
有する。図１１は、変換テーブルＬＵＴ1〜ＬＵＴ4の説明図である。また、図１２は、表
示データＤのデータ変換によって生成される変換データＤcvtの階調特性図であり、横軸
が表示データＤ、縦軸が変換データＤcvtをそれぞれ表している。それぞれの変換テーブ
ルＬＵＴ1〜ＬＵＴ4は、４ビットの表示データＤ（入力値）と６ビットの変換データＤcv
t（出力値）との対応関係が記述されている。変換データＤcvtは、表示データＤの階調特
性とは異なり、表示データＤの線形性を非線形に変形させた階調特性になっており、表示
データＤが高階調側に向かうに従い、変換データＤcvtが非線形に増加するように設定さ
れている。

周囲照度変動ΔＤlxに応じた補正は、変換テーブルＬＵＴ1〜ＬＵＴ4の中から、いずれ
かを選択することによって実現される。ここで、変換テーブルＬＵＴ1〜ＬＵＴ4の特性を
比較すると、ＬＵＴ1，ＬＵＴ2，ＬＵＴ3，ＬＵＴ4の順に、変換データＤcvtの増加率が
大きくなっている。また、同一の表示データＤに対する変換データＤcvtは、この順序で
高階調側にシフトする傾向があり、この傾向は、表示データＤが高階調になるほど顕著に
なる。これらの変換テーブルＬＵＴ1〜ＬＵＴ4の記述内容には、周囲照度変動ΔＤlxの影
響が反映されている。

一例として、暗い屋内といった第１の使用状況には、演算部８よりΔＤlx＝０が指示さ
れて、変換テーブルＬＵＴ1が選択される。そして、この変換テーブルＬＵＴ1の記述内容
に応じて、表示データＤに対応する変換データＤcvtが出力される。例えば、表示データ
Ｄが”１０００”（階調８）の場合には、”００００１０”（階調２）の変換データＤcv
tが出力される。このデータ変換は、表示データＤに対して、本来の階調を大きく低下さ
せる暗補正を施すことと等価である。また、第１の使用状況よりも若干明るい第２の使用
状況（例えば、明るめの屋内使用時）には、ΔＤlx＝１が指示されて、変換テーブルＬＵ
Ｔ2が選択される。そして、この変換テーブルＬＵＴ2の記述内容に応じた変換データＤcv
tが出力される。例えば、”１０００”（階調８）の表示データＤに対して、”０００１
１０”（階調６）の変換データＤcvtが出力される。このデータ変換は、表示データＤに
対して、階調を若干低下させる暗補正を施すことと等価である。また、第２の使用状況よ
りも明るい第３の使用状況（例えば、曇天での屋外使用時）には、ΔＤlx＝２となり、変
換テーブルＬＵＴ3が参照対象として選択される。例えば、”１０００”（階調８）の表
示データＤに対して、”００１１１０”（階調１４）の変換データＤcvtが出力される。
このデータ変換は、表示データＤに対して、階調を若干高める明補正を施すことと等価で
ある。さらに、第３の使用状況よりも明るい第４の使用状況（例えば、明るい外光下での
屋外使用時）には、ΔＤlx＝３となり、変換テーブルＬＵＴ4が参照対象として選択され
る。例えば、”１０００”（階調８）の表示データＤに対して、”０１１０００”（階調
２４）の変換データＤcvtが出力される。このデータ変換は、表示データＤに対して、階
調を大きく高める明補正を施すことと等価である。

一方、それぞれの変換テーブルＬＵＴ1〜ＬＵＴ4の記述内容には、周囲照度変動ΔＤlx
のみならず、自己発熱温度変動ΔＤtlも反映されている。一般に、発光に伴い有機ＥＬ素
子OLED自体が発熱し、発光効率が低下することが知られている。そのため、図１３に示す
ように、実線で示した実際の階調（見かけ上の階調特性）は、点線で示した本来の階調よ
りも低下する。そこで、このような階調ズレを予め見越した上で、変換テーブルＬＵＴ1
〜ＬＵＴ4の記述内容を設定しておく。これにより、有機ＥＬ素子OLEDの発熱に伴う階調
ズレが補正されたデータが、変換データＤcvtとして出力される。

図１４は、本実施形態にかかる電流ＤＡＣ４６の構成図である。この電流ＤＡＣ４６は
、画素２に供給するデータ信号を電流ベースで生成するデータ信号生成部４６ａを主体と
し、これに補正値生成部４６ｂと階調補正部４６ｃとを追加した構成を有する。補正値生
成部４６ｂは、比較的単純な加減乗除の演算を行う演算回路で構成されており、演算部８
からの３つの補正要素ΔＤta，ΔＤd，ΔＤmuraに基づいて、これらを統合した代表値と
して補正値Ｋ（補正係数ａ，ｂのセット）を生成する。同図の構成では、周囲温度変動Δ
Ｄtaの値がそのまま補正係数ａとなり、劣化変動ΔＤdと表示ムラΔＤmuraとを加算した
値が補正係数ｂとなる。なお、補正値Ｋ（ａ，ｂ）の算出は、加減乗除の組み合わせ程度
の比較的単純な論理演算を想定しているが、より複雑な論理演算によって行うことも可能
である。

階調補正部４６ｃは、補正値Ｋ（ａ，ｂ）に基づいて、階調特性生成部９より出力され
た変換データＤcvtに所定の演算を施して、補正データＤamdを出力する。ここでは、変換
データＤcvtの階調特性を大きく変形させるのではなく、全階調に対して一括に所定の補
正処理を施す。この補正処理は、加減乗除の組み合わせ程度の比較的単純な論理演算を想
定しているが、より複雑な論理演算であってもよい。これにより、変換データＤcvtの基
本的な階調特性を維持しながら、階調特性生成部９における階調特性の変形よりも微細な
レベルで、階調特性の補正を行う微調整が行われる。本実施形態では、Ｄamd＝ａ・Ｄcvt
＋ｂの線形的な演算によって、６ビットの変換データＤcvtを拡張して、８ビットの補正
データＤamdを算出している。図１５は、一例として、ａ＝010，ｂ＝110の場合における
変換データＤcvt（入力値）と補正データＤamd（出力値）との関係を示す図である。また
、図１６は、階調補正部４６ｃにおけるデータ補正の特性図である。

データ信号生成部４６ａは、データ線Ｘと基準電圧Ｖssとの間に設けられており、互い
に直列接続されたスイッチングトランジスタＳＷと駆動トランジスタＤＲとのペアを補正
データＤamdのビット数分（すなわち８つ）有する。それぞれの駆動トランジスタＤＲは
、自己の利得係数βに応じた電流をチャネルに流す定電流源として機能し、そのゲートに
は所定の駆動電圧Ｖbaseが共通に印加されている。これらの駆動トランジスタＤＲの利得
係数βの比は、補正データＤamdを構成する８ビットの重みに対応して、１：２：４：８
：１６：３２：６４：１２８に設定されている。また、８つのスイッチングトランジスタ
ＳＷの導通状態は、８ビットの補正データＤamd（Ｄ0〜Ｄ7）の内容に応じて設定され、
導通したものに対応する駆動トランジスタＤＲにおいて、利得係数βに応じたチャネル電
流が生じる。データ線Ｘに供給されるデータ電流Ｉdataは、それぞれの駆動トランジスタ
ＤＲを流れるチャネル電流の合計値となる。

このように、本実施形態によれば、複数の外乱要素に対応した補正を統合的に行うこと
ができる。図１７に示すように、本実施形態では、表示データＤからデータ電流Ｉdataを
生成する過程において、種類の異なる２つの補正処理が行われる。まず、階調特性生成部
９では、ＬＵＴ処理によって、２つの補正要素ΔＤlx，ΔＤtlを加味した補正が行われ、
表示データＤより変換データＤcvtが生成される。このＬＵＴ処理ベースでの補正によっ
て、周囲照度Ｌxおよび発熱温度Ｔlという２つの外乱要素の影響が有効に低減され、表示
データＤの階調特性を変形させた階調特性を有する変換データＤcvtが出力される。また
、画素駆動部の一部を構成する階調補正部４６ｃでは、論理演算によって、３つの補正要
素ΔＤd，ΔＤmura，ΔＤtaを加味した補正が行われ、変換データＤcvtより補正データＤ
amdが生成される。この論理演算ベースでの補正によって、劣化度合ｄ、ムラ度合muraお
よび周囲温度Ｔaという３つの外乱要素の影響が有効に低減され、変換データの階調特性
を補正した補正データＤamdが出力される。そして、画素駆動部の一部を構成するデータ
信号生成部４６ａにおいて、補正データＤamdよりデータ電流Ｉdataが生成され、これに
基づいて画素２の駆動が行われる。このように、５つの補正要素ΔＤlx，ΔＤtl，ΔＤd
，ΔＤmura，ΔＤtaを統合的に加味した上で、データ電流Ｉdataを生成することにり、複
数の外乱要素の影響を有効に低減できるので、表示品質の安定化を図ることが可能になる
。

また、本実施形態によれば、ＬＵＴ処理による疎調整と論理演算による微調整とを併用
することで、表示データＤに関する一連の補正処理を高速に行うことができる。一般に、
ＬＵＴ処理は、階調特性を大きく変形させるような疎調整に適している反面、入力数の増
大にともない変換テーブルＬＵＴの記述内容が膨大になり、処理速度の低下を招き易いと
いう不都合がある。これとは逆に、論理演算は、このような疎調整には向かない反面、入
力数に関わりなく、高速処理が可能であるという利点がある。そこで、本実施形態では、
対応すべき補正要素を、階調特性自体を変形させる疎調整にて対応する疎調整要素ΔＤlx
，ΔＤtlと、疎調整よりも微細なレベルの変形にて対応する微調整要素ΔＤd，ΔＤmura
，ΔＤtaとに分類している。そして、前者については、ＬＵＴ処理を用いた疎調整にて対
応し、後者については、論理演算を用いて、疎調整よりも微細なレベルの微調整にて対応
する。これにより、すべての補正要素をＬＵＴ処理にて対応する場合と比較して、変換テ
ーブルＬＵＴの記述内容を著しく低減できる。その結果、表示データＤの一連の補正処理
の高速化を図ることができ、リアルタイムでの対応が可能になる。

さらに、本実施形態では、自己発熱温度変動ΔＤtlの特性を実験やシミュレーション等
を通じて予め取得しておき、記述内容にこれを反映した変換テーブルＬＵＴを作成する。
そして、この変換テーブルＬＵＴを参照することによって、表示データＤから変換データ
Ｄcvtを生成している。これにより、有機ＥＬ素子OLEDの発光時における発熱温度を温度
センサ等で直接検出する必要がなくなる。その結果、表示部１の回路規模の増大を抑制で
き、かつ、センサの検出精度の問題等も解消できるという効果がある。

なお、本実施形態では、周囲照度変動ΔＤlxおよび自己発熱温度変動ΔＤtlの双方を微
調整要素とした例について説明したが、これらの少なくとも一つを微調整要素にしてもよ
い。同様に、周囲温度変動ΔＤta、劣化変動ΔＤdおよび表示ムラΔＤmuraのすべてを疎
調整要素として例について説明したが、これらの少なくとも一つを疎調整要素にしてもよ
い。また、本発明は、例示した５つの補正要素以外のものを考慮した補正処理に対しても
広く適用可能である。

また、本実施形態では、複数の微調整要素ΔＤd，ΔＤmura，ΔＤtaを統合すべく、こ
れらの代表値としての補正値Ｋを算出する補正値生成部４６ｂを設けている。したがって
、微調整要素が１つの場合には、補正値生成部４６ｂを設けなくてもよい。

さらに、本発明が適用可能な画素回路の構成は、上述した実施形態に限定されるもので
はなく、例えば、特表２００２−５１４３０号公報に開示されている画素回路も含めて広
く適用可能である。また、本発明の適用範囲は、電流プログラム方式の画素回路に限定さ
れるものではなく、データ線Ｘに対するデータの出力を電圧ベースで行う「電圧プログラ
ム方式」を用いた画素回路に対して同様に適用可能である。

以上の３つの変形例は、以下に述べる第２の実施形態および第３の実施形態についても
同様に該当する。

（第２の実施形態）
図１８は、第２の実施形態にかかる電流ＤＡＣ４６の構成図である。この電流ＤＡＣ４
６は、画素２に供給するデータ信号を電流ベースで生成するデータ信号生成部４６ａを主
体とし、これに補正値生成部４６ｂと駆動電圧補正部４６ｄとを追加した構成を有する。
図１４の構成例との相違点は、データ信号生成部４６ａの構成が若干異なる点、および、
階調補正部４６ｃの代わりに駆動電圧補正部４６ｄを設けた点である。それ以外に関して
は、図１４の回路要素と同一であるから、同一の符号を付してここでの説明を省略する。

データ信号生成部４６ａは、データ線Ｘと基準電圧Ｖssとの間に設けられており、互い
に直列接続されたスイッチングトランジスタＳＷと駆動トランジスタＤＲとのペアを変換
データＤcvtのビット数分（すなわち６つ）有する。６つの駆動トランジスタＤＲは、変
換データＤcvtを構成する６ビットの重みに対応して、１：２：４：８：１６：３２に利
得係数βの比が設定されており、これらのゲートには第１の駆動電圧Ｖbase1が共通に印
加されている。また、６つのスイッチングトランジスタＳＷの導通状態は、階調特性生成
部９からの変換データＤcvt（Ｄ0〜Ｄ5）の内容に応じて設定され、導通したものに対応
する駆動トランジスタＤＲにおいて、利得係数βに応じたチャネル電流が生じる。さらに
、データ線Ｘと基準電圧Ｖssとの間には、ｋ・β（ｋは自然数）の利得係数を有する駆動
トランジスタＤＲ2が追加されており、このゲートには第２の駆動電圧Ｖbase2が印加され
ている。

駆動電圧補正部４６ｄは、補正値生成部４６ｂからの補正値Ｋ（ａ，ｂ）に基づいて、
第１の駆動電圧Ｖbase1と第２の駆動電圧Ｖbase2とを可変に設定する。第１の駆動電圧Ｖ
base1は、補正係数ａに応じて設定され、その電圧は補正係数ａの増大にともない大きく
なる。第２の駆動電圧Ｖbase2は、補正係数ｂに応じて設定され、その電圧値は補正係数
ｂの増大にともない大きくなる。駆動トランジスタＤＲ，ＤＲ2のチャネル電流は、駆動
電圧Ｖbase1，Ｖbase2によって微調整され、これによって、データ電流Ｉdataがアナログ
的に補正される。

図１９は、本実施形態の概略的な特徴の説明図である。本実施形態では、表示データＤ
からデータ電流Ｉdataを生成する過程において、種類の異なる２つの補正処理が行われる
。まず、階調特性生成部９では、ＬＵＴ処理によって、２つの補正要素ΔＤlx，ΔＤtlを
加味した補正が行われ、表示データＤより変換データＤcvtが生成される。また、画素駆
動部に相当するデータ信号生成部４６ａでは、変換データＤcvtよりデータ電流Ｉdataが
生成される。駆動トランジスタＤＲ，ＤＲ2のチャネル電流は、３つの補正要素ΔＤd，Δ
Ｄmura，ΔＤtaに応じて変化するため、データ電流Ｉdataがアナログ的に微調整される。
画素２は、このようにしてアナログ補正されたデータ電流Ｉdataによって駆動する。

このように、５つの補正要素ΔＤlx，ΔＤtl，ΔＤd，ΔＤmura，ΔＤtaを統合的に加
味した上で、データ電流Ｉdataを生成することによって、複数の外乱要素の影響を低減で
き、表示品質の安定化を図ることが可能になる。それとともに、ＬＵＴ処理による疎調整
とアナログ処理による微調整とを併用することで、表示データＤに関する一連の補正処理
を高速に行うことができる。

（第３の実施形態）
図２０は、第３の実施形態の概略的な特徴の説明図である。本実施形態では、階調特性
生成部９のＬＵＴ処理によって、２つの補正要素ΔＤlx，ΔＤtlを加味した補正が行われ
、表示データＤより変換データＤcvtが生成される。画素駆動部の一部を構成するデータ
信号生成部４６ａは、３つの補正要素ΔＤd，ΔＤmura，ΔＤtaを考慮することなく、変
換データＤcvtからデータ電流Ｉdataを直接生成し、これをデータ線Ｘを介して画素２に
供給する。

一方、画素駆動部の一部を構成する駆動期間制御部１０は、３つの補正要素ΔＤd，Δ
Ｄmura，ΔＤtaを考慮した上で、図２に示した画素２の駆動期間を制御する。図２１は、
一例としての画素２の駆動タイミングチャートである。走査信号ＳＥＬの立ち下がりタイ
ミングｔ1と駆動信号ＧＰの立ち上がりタイミングとの間に、遅延時間Δｔを設定し、こ
の遅延時間Δｔを補正値Ｋ（ａ，ｂ）によって可変に制御する。これにより、有機ＥＬ素
子OLEDが発光するオン時間ｔonが特定され、有機ＥＬ素子OLEDの輝度が決定される。図２
２は、別の一例としての画素２の駆動タイミングチャートである。期間ｔ1〜ｔ2において
、駆動信号ＧＰをインパルス状に設定し、画素２中に含まれる有機ＥＬ素子OLEDを発光さ
せるオン期間ｔonと発光させないオフ期間ｔoffとを交互に設定する。有機ＥＬ素子OLED
の発光輝度は、期間ｔ2〜ｔ3に占めるオン期間ｔonのデューティ比によって決定される。
また、時間軸変調方式の一種であるサブフィールド駆動によって、駆動期間を制御しても
よい。周知のように、サブフィールド駆動では、所定の期間（例えば１フレーム）を分割
することにより規定される複数のサブフィールドを用いて、画素の階調表示が行われる。

このように、本実施形態では、２つの補正要素ΔＤlx，ΔＤtlを加味した上でデータ電
流Ｉdataを生成するとともに、３つの補正要素ΔＤd，ΔＤmura，ΔＤtaを加味した上で
画素２の駆動時間を可変に制御する。これにより、上述した各実施形態と同様に、複数の
外乱要素の影響を低減でき、表示品質の安定化を図ることが可能になる。それとともに、
ＬＵＴ処理による疎調整と駆動時間ベースでの微調整とを併用することで、表示データＤ
に関する一連の補正処理を高速に行うことができる。

なお、上述した各実施形態では、電気光学素子として有機ＥＬ素子OLEDを用いた構成に
ついて説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではなく、液晶（ＬＣ）
、無機ＬＥＤ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、或いは、プラズマ発光や電
子放出による蛍光等を用いた様々な電気光学素子に対しても広く適用可能である。

さらに、上述した各実施形態に係る電気光学装置は、例えば、テレビ受像機、プロジェ
クタ、ビューワ、携帯電話、携帯端末、携帯ゲーム機、電子書籍、ビデオカメラ、デジタ
ルスチルカメラ、カーナビゲーション、カーステレオ、モバイルコンピュータ、パーソナ
ルコンピュータ、プリンタ、スキャナ、ＰＯＳ、ビデオプレーヤ表示機能付ファックス装
置、電子案内板、工作機械や輸送車両等の運転操作パネル等を含む様々な電子機器に広く
実装可能である。これらの電子機器に上述した電気光学装置を実装すれば、電子機器の商
品価値を一層高めることができ、市場における電子機器の商品訴求力の向上を図ることが
できる。

本発明によれば、複数の外乱要素に対応した補正を統合的に行うことにより、電気光学
装置の表示品質を安定化できる。それとともに、ＬＵＴ処理による疎調整と、ＬＵＴ処理
とは異なる種類の処理による微調整とを併用することによって、補正処理の高速化を図る
ことが可能になる。

電気光学装置のブロック構成図。 画素の回路図。 画素の駆動タイミングチャート。 データ線駆動回路の構成図。 周囲温度Ｔaと周囲温度変動ΔＤtaとの関係を示す特性図。 発熱温度Ｔlと自己発熱温度変動ΔＤtlとの関係を示す特性図。 周囲照度Ｌxと周囲照度変動ΔＤlxとの関係を示す特性図。 劣化度合ｄと劣化変動ΔＤdとの関係を示す特性図。 ムラ度合muraと表示ムラΔＤmuraとの関係を示す特性図。 階調特性生成部の構成図。 変換テーブルの説明図。 変換データの階調特性図。 有機ＥＬ素子の発熱に伴う階調低下の説明図。 第１の実施形態にかかる電流ＤＡＣの構成図。 変換データと補正データとの関係を示す図。 階調補正部におけるデータ補正の特性図。 第１の実施形態の概略的な特徴の説明図。 第２の実施形態にかかる電流ＤＡＣの構成図。 第２の実施形態の概略的な特徴の説明図。 第３の実施形態の概略的な特徴の説明図。 第３の実施形態にかかる画素の駆動タイミングチャート。 第３の実施形態にかかる画素の駆動タイミングチャート。

符号の説明

１…表示部、２…画素、３…走査線駆動回路、４…データ線駆動回路、５…照度検出部
、６…温度検出部、７…劣化度合検出部、８…演算部、９…階調特性生成部、１０…駆動
期間制御部、４０…Ｘシフトレジスタ、４１…回路ユニット、４２，４４…スイッチ群、
４３…第１のラッチ回路、４５…第２のラッチ回路、４６…電流ＤＡＣ、４６ａ…データ
信号生成部、４６ｂ…補正値生成部、４６ｃ…階調補正部、４６ｄ…駆動電圧補正部、Ｏ
ＬＥＤ…有機ＥＬ素子、Ｔ１〜Ｔ４…トランジスタ、ＳＷ…スイッチングトランジスタ、
ＤＲ，ＤＲ２…駆動トランジスタ、Ｃ…キャパシタ。

Claims (2)

1. 画素と、前記画素にデータを供給するデータ線と、を備える電気光学装置であって、
   前記画素の階調を指定する表示データが入力され、当該表示データに対応する変換データを生成する際に、第1の補正要素に基づいて変換データの階調特性を設定し、当該設定された階調特性を有する変換データの中から、入力された前記表示データに対応する前記変換データを出力する階調特性生成部と、
   前記第１の補正要素とは異なる第２の補正要素に基づいて、前記階調特性生成部から出力された前記変換データに対して論理演算を行って当該変換データを補正することで補正データを生成し、当該補正データをＤ／Ａ変換して前記データ線に供給するデータ線駆動回路と、
   を有し、
   前記階調特性生成部は、それぞれが異なる階調特性のデータを有する複数の変換テーブ
   ルを有し、前記第１の補正要素に基づいて、前記複数の変換テーブルの中から一の変換テ
   ーブルを選択して、当該選択された変換テーブルが有するデータを前記変換データとし、
   前記第１の補正要素は周囲照度変動を含み、前記第２の補正要素は周囲温度変動を含むことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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