JP4887203B2 - 画素、有機電界発光表示装置、および有機電界発光表示装置の駆動方法 - Google Patents

画素、有機電界発光表示装置、および有機電界発光表示装置の駆動方法 Download PDF

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Description

本発明は、画素、有機電界発光表示装置、および有機電界発光表示装置の駆動方法に関し、特に、有機発光ダイオードの劣化に関係なく所望の輝度の映像を表示することが可能な画素、有機電界発光表示装置、および有機電界発光表示装置の駆動方法に関する。
近年、陰極線管(Cathode Ray Tube)の短所である重さと体積を減らすことができる各種平板表示装置が開発されている。平板表示装置としては液晶表示装置(Liquid Crystal Display)、電界放出表示装置(Field Emission Display)、プラズマ表示パネル(Plasma Display Panel)、および有機電界発光表示装置(Organic Light Emitting Display)などがある。
平板表示装置の中で有機電界発光表示装置は、電子と正孔の再結合によって光を発生する有機発光ダイオードを利用して映像を表示する。このような有機電界発光表示装置は早い応答速度を持つと共に低い消費電力で駆動されるという長所がある。
図１は、従来の有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。図１を参照すると、従来の有機電界発光表示装置の画素４は、有機発光ダイオードOLEDと、データ線Dmおよび走査線Snに接続されて有機発光ダイオードOLEDを制御するための画素回路２を備える。
有機発光ダイオードOLEDのアノード電極は、画素回路２に接続されて、カソード電極は第２電源ELVSSに接続される。このような有機発光ダイオードOLEDは画素回路２から供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
画素回路２は、走査線Snに走査信号が供給されるときデータ線Dmに供給されるデータ信号に対応して有機発光ダイオードOLEDに供給される電流量を制御する。このために、画素回路２は、第１電源ELVDDと有機発光ダイオードOLEDの間に接続された第２トランジスタM2と、第２トランジスタM2、データ線Dmおよび走査線Snの間に接続された第１トランジスタM1と、第２トランジスタM2のゲート電極と第１電極の間に接続されたストレージキャパシタCstを備える。
第１トランジスタM1のゲート電極は、走査線Snに接続されて、第１電極はデータ線Dmに接続される。そして、第１トランジスタM1の第２電極はストレージキャパシタCstの一側端子に接続される。ここで、第１電極はソース電極およびドレイン電極の中でいずれか一つに設定されて、第２電極は第１電極とは別の電極に設定される。例えば、第１電極がソース電極に設定された場合には、第２電極はドレイン電極に設定される。
走査線Snおよびデータ線Dmに接続された第１トランジスタM1は、走査線Snから走査信号が供給される時ターンオンされてデータ線Dmから供給されるデータ信号をストレージキャパシタCstに供給する。このとき、ストレージキャパシタCstはデータ信号に対応する電圧を充電する。
第２トランジスタM2のゲート電極は、ストレージキャパシタCstの一側端子に接続されて、第１電極はストレージキャパシタCstの他側端子および第１電源ELVDDに接続される。そして、第２トランジスタM2の第２電極は有機発光ダイオードOLEDのアノード電極に接続される。このような第２トランジスタM2は、ストレージキャパシタCstに保存された電圧値に対応して第１電源ELVDDから有機発光ダイオードOLEDを経由して第２電源ELVSSに流れる電流量を制御する。このとき、有機発光ダイオードOLEDは第２トランジスタM2から供給される電流量に対応される光を生成する。
しかし、このような従来の有機電界発光表示装置は、有機発光ダイオードOLEDの劣化による效率変化によって所望の輝度の映像を表示することができないという問題点がある。言い換えれば、時間が経つことによって赤色画素、緑色画素および青色画素それぞれに含まれる有機発光ダイオードが劣化され、これによって所望の輝度の映像を表示することができない。実際に、有機発光ダイオードが劣化すればするほど、低い輝度の光が生成される。
大韓民国公開特許第２００６−００２０５０２号明細書 大韓民国公開特許第２００６−００７１６７９号明細書 大韓民国公開特許第２００６−００５４６０３号明細書 大韓民国公開特許第２００６−００２９０８８号明細書 大韓民国公開特許第２００６−０１２１３７９号明細書 大韓民国公開特許第２００６−００４６３５２号明細書 大韓民国公開特許第２００５−００４５８１４号明細書 大韓民国公開特許第２００６−００４８８３４号明細書
そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、有機発光ダイオードの劣化を補償することが可能な、新規かつ改良された画素、有機電界発光表示装置、および有機電界発光表示装置の駆動方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明の第１の観点によれば、第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと、走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、上記走査線に印加される走査信号によって上記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと、上記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するストレージキャパシタと、上記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を上記有機発光ダイオードに伝達する第２トランジスタと、上記有機発光ダイオードの劣化の度合いに対応して、上記第２トランジスタが上記有機発光ダイオードに伝達する電流量を調整する補償部とを備える画素が提供される。
また、上記補償部は、上記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと、電圧源と上記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタの共通ノードと、上記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタとを備えるとしてもよい。
また、上記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、上記第１制御信号が供給されるときにターンオフし、上記第１制御信号が供給されないときにターンオンして上記電圧源の電圧を伝達し、上記第３トランジスタは、第２制御信号が供給される第２制御線と接続され、上記第２制御信号が供給されるときにターンオンして上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧を伝達し、上記第２制御信号が供給されないときにターンオフするとしてもよい。
また、上記第１制御信号および第２制御信号は、上記走査線に供給される走査信号と重畳されるように供給され、互いに反対極性の電圧に設定されるとしてもよい。
また、上記共通ノードには、上記第３トランジスタがターンオンされるとき、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、上記第４トランジスタがターンオンされるとき、上記電圧源の電圧が伝達されて、上記共通ノードの電圧は上記電圧源の電圧に上昇するとしてもよい。
また、上記フィードバックキャパシタは、上記共通ノードの電圧変化量に対応して上記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御するとしてもよい。
また、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、上記第３トランジスタのゲート電極と上記第４トランジスタのゲート電極とは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続されるとしてもよい。
また、上記第１制御信号は、上記走査線に供給される走査信号と重畳されるように供給されるとしてもよい。
また、上記第３トランジスタは、ＮＭＯＳで形成されて、上記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび第４トランジスタはＰＭＯＳで形成されるとしてもよい。
また、上記第３トランジスタは、上記第１制御線から上記第１制御信号が供給されるときターンオンし、上記共通ノードには、上記第３トランジスタがターンオンされるとき、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、上記第４トランジスタがターンオンされるとき、上記電圧源の電圧が伝達されて、上記共通ノードの電圧は上記電圧源の電圧に上昇するとしてもよい。
また、上記フィードバックキャパシタは、上記共通ノードの電圧変化量に対応して上記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御するとしてもよい。
また、上記第３トランジスタは、上記走査線と接続されて上記走査信号が供給されるときターンオンし、上記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、上記第１制御信号が供給される時ターンオフし、上記第１制御信号が供給されないときにターンオンするとしてもよい。
また、上記第１制御信号は、上記走査信号と重畳されるように供給されるとしてもよい。
また、上記共通ノードには、上記第３トランジスタがターンオンされるとき、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、上記第４トランジスタがターンオンされるとき、上記電圧源の電圧が伝達されて、上記共通ノードの電圧は上記電圧源の電圧に上昇するとしてもよい。
また、上記フィードバックキャパシタは、上記共通ノードの電圧変化量に対応して上記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御するとしてもよい。
また、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、上記第３トランジスタのゲート電極と上記第４トランジスタのゲート電極とは、上記走査線と接続されるとしてもよい。
また、上記第３トランジスタは、上記走査線から走査信号が供給されるときターンオンし、上記共通ノードには、上記第３トランジスタがターンオンされるとき、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、上記第４トランジスタがターンオンされるとき、上記電圧源の電圧が伝達されて、上記共通ノードの電圧は上記電圧源の電圧に上昇するとしてもよい。
また、上記フィードバックキャパシタは、上記共通ノードの電圧変化量に対応して上記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御するとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より大きく設定されるとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記第１電源の電圧以下に設定されるとしてもよい。
また、上記電圧源は、上記第１電源であるとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記走査線から供給される走査信号、または、上記走査信号が供給される前に他の画素へ走査信号を供給するための以前走査線から印加されるターンオフ電圧であるとしてもよい。
また、上記有機発光ダイオードは、赤色有機発光ダイオード、または、緑色有機発光ダイオード、または、青色有機発光ダイオードのいずれかであり、上記フィードバックキャパシタの容量は、有機発光ダイオードの種類に応じて異なるように設定されるとしてもよい。
また、上記第２トランジスタと上記有機発光ダイオードとの間に接続され、少なくとも上記走査信号が供給される期間ターンオフされる第５トランジスタをさらに備えるとしてもよい。
また、上記第５トランジスタは、発光制御信号が供給される発光制御線と接続され、上記発光制御信号が供給されるときターンオフし、上記発光制御信号が供給されないときターンオンするとしてもよい。
また、上記発光制御信号は、上記走査信号より広い幅で上記走査信号と重畳されるように供給されるとしてもよい。
また、上記共通ノードには、上記第３トランジスタがターンオンされるとき、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、上記第４トランジスタがターンオンされるとき、上記電圧源の電圧が伝達されて、上記共通ノードの電圧は上記電圧源の電圧に上昇するとしてもよい。
また、上記フィードバックキャパシタは、上記共通ノードの電圧変化量に対応して上記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御するとしてもよい。
また、上記目的を達成するために、本発明の第２の観点によれば、第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと、走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、上記走査線に印加される走査信号によって上記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと、上記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、上記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を上記有機発光ダイオードに伝達する第２トランジスタと、上記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと、電圧源と上記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタの共通ノードと、上記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタとを備える画素が提供される。
また、上記共通ノードには、上記第３トランジスタがターンオンされるとき、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、上記第４トランジスタがターンオンされるとき、上記電圧源の電圧が伝達されて、上記共通ノードの電圧は上記電圧源の電圧に上昇するとしてもよい。
また、上記フィードバックキャパシタは、上記共通ノードの電圧変化量に対応して上記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御するとしてもよい。
また、上記第２トランジスタと有機発光ダイオードとの間に接続されて、少なくとも上記走査信号が供給される期間ターンオフされる第５トランジスタをさらに備えるとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より大きく設定されるとしてもよい。
また、上記電圧源は、上記第１電源であるとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記走査線から供給される走査信号、または、上記走査信号が供給される前に他の画素へ走査信号を供給するための以前走査線から印加される走査信号が供給されないときの電圧であるとしてもよい。
また、上記目的を達成するために、本発明の第３の観点によれば、走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、少なくとも１以上の画素を有する画素部と、上記走査線に走査信号を順次に供給する走査駆動部と、上記データ線にデータ信号を供給するデータ駆動部とを備え、上記画素部が有する画素それぞれは、第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと、上記走査線および上記データ線と接続され、上記走査線に印加される走査信号によって上記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと、上記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、上記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を上記有機発光ダイオードに伝達する第２トランジスタと、上記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと、電圧源と上記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタの共通ノードと、上記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタとを備える有機電界発光表示装置が提供される。
また、上記共通ノードには、上記第３トランジスタがターンオンされるとき、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、上記第４トランジスタがターンオンされるとき、上記電圧源の電圧が伝達されて、上記共通ノードの電圧は上記電圧源の電圧に上昇するとしてもよい。
また、上記フィードバックキャパシタは、上記共通ノードの電圧変化量に対応して上記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御するとしてもよい。
また、上記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、上記第１制御信号が供給されるときにターンオフし、上記第１制御信号が供給されないときにターンオンして上記電圧源の電圧を伝達し、上記第３トランジスタは、第２制御信号が供給される第２制御線と接続され、上記第２制御信号が供給されるときにターンオンして上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧を伝達し、上記第２制御信号が供給されないときにターンオフするとしてもよい。
また、上記第１制御信号および第２制御信号は、上記走査線に供給される走査信号と重畳されるように供給され、互いに反対極性の電圧に設定されるとしてもよい。
また、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、上記第３トランジスタのゲート電極と上記第４トランジスタのゲート電極とは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続されるとしてもよい。
また、上記第１制御信号は、上記走査線に供給される走査信号と重畳されるように供給されるとしてもよい。
また、上記第３トランジスタは、上記走査線と接続されて上記走査信号が供給されるときターンオンし、上記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、上記第１制御信号が供給される時ターンオフし、上記第１制御信号が供給されないときにターンオンするとしてもよい。
また、上記第１制御信号は、上記走査信号と重畳されるように供給されるとしてもよい。
また、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、上記第３トランジスタのゲート電極と上記第４トランジスタのゲート電極とは、上記走査線と接続されるとしてもよい。
また、上記電圧源は、上記第１電源であるとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記走査線から供給される走査信号、または、上記走査信号が供給される前に他の画素へ走査信号を供給するための以前走査線から印加されるターンオフ電圧であるとしてもよい。
また、上記画素部が有する画素は、赤色有機発光ダイオードを含む赤色画素、緑色有機発光ダイオードを含む緑色画素、および青色有機発光ダイオードを含む青色画素のいずれかであり、上記画素それぞれが備える上記フィードバックキャパシタの容量は、上記赤色画素、緑色画素および青色画素ごとに互いに異なるように設定されるとしてもよい。
また、上記第２トランジスタと上記有機発光ダイオードとの間に接続され、少なくとも上記走査信号が供給される期間ターンオフされる第５トランジスタをさらに備えるとしてもよい。
また、上記第５トランジスタは、発光制御信号が供給される発光制御線と接続され、上記発光制御信号が供給されるときターンオフし、上記発光制御信号が供給されないときターンオンするとしてもよい。
また、上記発光制御信号は、上記走査信号より広い幅で上記走査信号と重畳されるように供給されるとしてもよい。
また、上記目的を達成するために、本発明の第４の観点によれば、第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと、走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、上記走査線に印加される走査信号によって上記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと、上記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、上記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を上記有機発光ダイオードに伝達する第２トランジスタと、上記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと、電圧源と上記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタの共通ノードと、上記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタとを備える少なくとも１以上の画素を有する有機電界発光表示装置の駆動方法であって、上記走査信号が供給されるとき上記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電するステップと、上記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電する期間において、上記フィードバックキャパシタの上記共通ノード側の端子の電圧を、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧に維持するステップと、上記走査信号の供給が中断されると、上記フィードバックキャパシタの上記共通ノード側の端子の電圧を、上記電圧源の電圧に上昇させるステップとを有する有機電界発光表示装置の駆動方法が提供される。
また、上記第２トランジスタは、ゲート電極に印加される電圧に対応して上記第１電源から印加される電流の量を制御するとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より高い電圧値に設定されるとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記第１電源以下の電圧値に設定されるとしてもよい。
また、上記目的を達成するために、本発明の第５の観点によれば、第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと、走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、上記走査線に印加される走査信号によって上記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと、上記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと、上記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を上記有機発光ダイオードに伝達する第２トランジスタと、上記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと、電圧源と上記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと、上記第３トランジスタおよび上記第４トランジスタの共通ノードと、上記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタとを備える少なくとも１以上の画素を有する有機電界発光表示装置の駆動方法であって、上記走査信号が供給されるとき上記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電するステップと、上記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電する期間において、上記フィードバックキャパシタの上記共通ノード側の端子の電圧を、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧に維持するステップと、少なくとも上記走査信号が供給される期間、上記第２トランジスタと上記有機発光ダイオードを電気的に遮断するステップと、上記走査信号の供給が中断されると、上記フィードバックキャパシタの上記共通ノード側の端子の電圧を、上記電圧源の電圧に上昇させるステップとを有する有機電界発光表示装置の駆動方法が提供される。
また、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧は、上記有機発光ダイオードの閾値電圧であるとしてもよい。
また、上記第２トランジスタは、ゲート電極に印加される電圧に対応して上記第１電源から印加される電流の量を制御するとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より高い電圧値に設定されるとしてもよい。
また、上記電圧源の電圧は、上記第１電源以下の電圧値に設定されるとしてもよい。
本発明によれば、有機発光ダイオードの劣化を補償することができる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書および図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
（第１の実施形態）
図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す説明図である。図２を参照すると、本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、走査線S1〜Sn（ここで、nは、２以上の整数を指す。以下同様。）、第１制御線CL11〜CL1n、第２制御線CL21〜C2nおよびデータ線D1〜Dm（ここで、mは、２以上の整数を指す。以下同様。）と接続される画素１４０を含む画素部１３０と、走査線S1〜Sn、第１制御線CL11〜CL1nおよび第２制御線CL21〜C2nを駆動するための走査駆動部１１０と、データ線D1〜Dmを駆動するためのデータ駆動部１２０と、走査駆動部１１０およびデータ駆動部１２０を制御するためのタイミング制御部１５０を備える。
走査駆動部１１０は、タイミング制御部１５０から走査駆動制御信号SCSの供給を受ける。走査駆動制御信号SCSの供給を受けた走査駆動部１１０は走査信号を生成し、生成された走査信号を走査線S1〜Snに順次に供給する。また、走査駆動部１１０は走査駆動制御信号SCSに応答して第１制御信号および第２制御信号を生成し、生成された第１制御信号を第１制御線CL11〜CL1nに順次に供給すると共に第２制御信号を第２制御線CL21〜CL2nに順次に供給する。
ここで、第１制御信号および第２制御信号は、走査信号の幅より広い幅に設定される。実際に、i（iは自然数）番目第１制御線CL1i、および第２制御線CL2iに供給される第１制御信号および第２制御信号は、i番目走査線Siに供給される走査信号と重畳されるようにその幅が設定される。そして、第１制御信号および第２制御信号は、同一幅に設定されて、極性が互いに反対に設定される。
データ駆動部１２０は、タイミング制御部１５０からデータ駆動制御信号DCSの供給を受ける。データ駆動制御信号DCSの供給を受けたデータ駆動部１２０は、データ信号を生成し、生成したデータ信号が走査信号と同期されるようにデータ線D1〜Dmに供給する。
タイミング制御部１５０は、外部から供給される同期信号に対応してデータ駆動制御信号DCS、および走査駆動制御信号SCSを生成する。タイミング制御部１５０で生成されたデータ駆動制御信号DCSはデータ駆動部１２０に供給され、また、走査駆動制御信号SCSは走査駆動部１１０に供給される。そして、タイミング制御部１５０は外部から供給されるデータをデータ駆動部１２０に供給する。
画素部１３０は、外部から第１電源ELVDDおよび第２電源ELVSSの供給を受けてそれぞれの画素１４０に供給する。画素１４０それぞれは有機発光ダイオードを備え、第１電源ELVDDおよび第２電源ELVSSの供給を受けた画素１４０それぞれは、データ信号に対応する光を生成する。画素１４０それぞれには補償部(図示せず)が設置されて有機発光ダイオードの劣化を補償する。
図３は、本発明の第１の実施形態に係る画素を示す説明図である。図３では説明の便宜上、第n走査線Snおよび第mデータ線Dmと接続された画素を図示する。図３を参照すると、本発明の第１の実施形態に係る画素１４０は有機発光ダイオードOLEDと、走査線Snおよびデータ線Dmと接続される第１トランジスタM1と、ストレージキャパシタCstに充電された電圧に対応して有機発光ダイオードOLEDに供給される電流量を制御するための第２トランジスタM2と、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償するための補償部１４２を備える。
有機発光ダイオードOLEDのアノード電極は第２トランジスタM2に接続されて、カソード電極は第２電源ELVSSに接続される。このような有機発光ダイオードOLEDは第２トランジスタM2から供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
第１トランジスタM1のゲート電極は走査線Snに接続されて、第１電極はデータ線Dmに接続される。そして、第１トランジスタM1の第２電極は第２トランジスタM2(駆動トランジスタ)のゲート電極に接続される。このような第１トランジスタM1は、走査線Snに走査信号が供給されるときデータ線Dmに供給されるデータ信号を第２トランジスタM2のゲート電極に供給する。
第２トランジスタM2のゲート電極は、第１トランジスタM1の第２電極に接続されて、第１電極は第１電源ELVDDに接続される。そして、第２トランジスタM2の第２電極は有機発光ダイオードOLEDのアノード電極に接続される。このような第２トランジスタM2はゲート電極に印加される電圧に対応して第１電源ELVDDから有機発光ダイオードOLEDを経由して第２電源ELVSSに流れる電流量を制御する。このために、第１電源ELVDDの電圧値は、第２電源ELVSSの電圧値より高く設定される。
ストレージキャパシタCstの一側端子は、第２トランジスタM2のゲート電極に接続されて、他側端子は第１電源ELVDDに接続される。このようなストレージキャパシタCstは第１トランジスタM1がターンオンされたときデータ信号に対応する電圧を充電する。
補償部１４２は、有機発光ダイオードOLEDの劣化に対応して第２トランジスタM2のゲート電極の電圧を制御する。言い換えれば、補償部１４２は有機発光ダイオードOLEDを劣化が補償されるように第２トランジスタM2のゲート電極の電圧を調節する。このために、補償部１４２は電圧源Vsus、第１制御線CL1nおよび第２制御線CL2nと接続される。電圧源Vsusの電圧値は有機発光ダイオードOLEDの劣化が補償されるように多様に設定されうる。例えば、電圧源Vsusの電圧値は有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledより高く設定される。
ここで、有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledは有機発光ダイオードOLEDのアノード電極に示される電圧であり、有機発光ダイオードOLEDの劣化に対応して電圧値が変化する。そして、電圧源Vsusの電圧値は画素１４０に十分な輝度の光が生成されるように第１電源ELVDD以下に設定される。
[補償部１４２の第１の例]
図４は、図３に示された補償部１４２の第１の例を示す回路図である。図４を参照すると、補償部１４２は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置する第３トランジスタM3および第４トランジスタM4と、第３トランジスタM3および第４トランジスタM4の共通ノードである第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置するフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、第２制御線CL2nから供給される第２制御信号によって制御される。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、第１制御線CL1nから供給される第１制御信号によって制御される。
フィードバックキャパシタCfbは、第１ノードN1の電圧変化量を第２トランジスタM2のゲート電極に伝達する。
図５は、図４に示された画素の駆動方法を説明するための波形図である。図４および図５を参照して動作過程を詳しく説明すると、まず、走査線Snに走査信号が供給される（走査信号がロー電圧となる。）前に第１制御線CL1nで第１制御信号（ハイ電圧）が供給されて、第２制御線CL2nに第２制御信号（ロー電圧）が供給される。
第１制御信号が供給されると第４トランジスタM4がターンオフされ、また、第２制御信号が供給されると第３トランジスタM3がターンオンされる。この場合、第１ノードN1には有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。
次に、走査線Snに走査信号が供給されると、第１トランジスタM1がターンオンされる。第１トランジスタM1がターンオンされるとデータ線Dmに供給されるデータ信号に対応する電圧がストレージキャパシタCstに充電される。ストレージキャパシタCstにデータ信号に対応する電圧が充電された後、走査信号の供給が中断されて（走査信号がハイ電圧となって）第１トランジスタM1がターンオフされる。
第１トランジスタM1がターンオフされた後、第１制御信号および第２制御信号の供給が中断される。第１制御信号および第２制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタM4がターンオンされて、第３トランジスタM3がターンオフされる。第４トランジスタM4がターンオンされると第１ノードN1の電圧値が電圧源Vsusの電圧に上昇する。この場合、第１ノードN1の電圧上昇に対応して第２トランジスタM2のゲート電極の電圧も上昇する。実際に、第２トランジスタM2のゲート電極の電圧上昇幅は数式１によって決定される。
ΔVM2_gate=ΔVN1×(Cfb/(Cst+Cfb)) ・・・（数式１）
数式１において、ΔVM2_gateは第２トランジスタM2ゲート電極の電圧変化量を意味し、 ΔVN1は第１ノードN1の電圧変化量を意味する。
数式１を参照すると、第２ノードN2の電圧変化量は第１ノードN1の電圧変化量に対応して変化される。すなわち、第１制御信号および第２制御信号の供給が中断されて第１ノードN1の電圧が上昇するとき、第２トランジスタM2のゲート電極の電圧も上昇される。そして、第２トランジスタM2は、ゲート電極に印加された電圧に対応する電流を第１電源ELVDDから有機発光ダイオードOLEDを経由して第２電源ELVSSに供給する。したがって、有機発光ダイオードOLEDでは電流に対応する所定の光が生成される。
一方、有機発光ダイオードOLEDは時間が経つにつれて劣化する。ここで、有機発光ダイオードOLEDが劣化するほど有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledは上昇する。有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが上昇すると第１ノードN1の電圧上昇幅が低くなる。言い換えれば、有機発光ダイオードOLEDが劣化するほど第１ノードN1に供給される有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが上昇し、これによって第１ノードN1の電圧上昇幅は、有機発光ダイオードが劣化していない場合より低く設定される。
第１ノードN1の電圧上昇幅が低く設定されると、数式１に示すように第２トランジスタM2ゲート電極の電圧上昇幅が低くなる。すると、同一のデータ信号に対応して第２トランジスタM2から供給される電流量が増加する。すなわち、本発明に係る補償部１４２の第１の例では、有機発光ダイオードOLEDが劣化するほど第２トランジスタM2に供給される電流量が増加し、これによって有機発光ダイオードOLEDの劣化による輝度低下を補償することができる。
また、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、RGB（Red Black Blue）を表現するために、赤色有機発光ダイオードOLED(R)を備える画素（赤色画素）、緑色有機発光ダイオードOLED(G)を備える画素（緑色画素）、青色有機発光ダイオードOLED(B)を備える画素（青色画素）を備えることができる。ここで、赤色画素に含まれる赤色有機発光ダイオードOLED(R)、緑色画素に含まれる緑色有機発光ダイオードOLED(G)、および青色画素に含まれる青色有機発光ダイオードOLED(B)は互いに異なる材料で形成され、これによって互いに異なる寿命特性を持つ。実際に、赤色有機発光ダイオードOLED(R)、緑色有機発光ダイオードOLED(G)、および青色有機発光ダイオードOLED(B)は数式２のような寿命特性を持つ。
OLED(B)＜OLED(R)＜OLED(G) ・・・（数式２）
数式２を参照すると、緑色有機発光ダイオードOLED(G)の寿命特性が最もよく、青色有機発光ダイオードOLED(B)の寿命特性が最も悪いことが分かる。本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置では、数式２に示すような寿命特性の差異を補償するために赤色画素、緑色画素、および青色画素のそれぞれの補償部１４２において、フィードバックキャパシタCfbの容量を互いに異なるように設定することができる。
本発明の実施形態に係る補償部１４２では、例えば、寿命特性の低い有機発光ダイオードを備える画素ほどフィードバックキャパシタCfbの容量を大きく設定することができる。上記の場合、青色画素に含まれるフィードバックキャパシタCfbの容量が最も大きく設定され、緑色画素に含まれるフィードバックキャパシタCfbの容量が最も低く設定される。なお、赤色画素、緑色画素、および青色画素それぞれに含まれるフィードバックキャパシタCfbの容量が上記に限定されるのではないことは、言うまでもない。例えば、フィードバックキャパシタCfbの容量は、赤色画素、緑色画素、および青色画素にそれぞれ使われる有機発光ダイオードOLEDの材料特性に対応して劣化が最もよく補償されうるように実験的に決定するこができる。
[補償部１４２の第２の例]
図６は、図３に示された補償部１４２の第２の例を示す回路図である。以下、図６について説明するが、図４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図６を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第２の例は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置する第３トランジスタM3および第４トランジスタM4と、第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置するフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、第１制御線CL1nから供給される第１制御信号によって制御される。ここで、第３トランジスタM3はＮＭＯＳトランジスタに設定される。すなわち、第３トランジスタM3は画素１４０に含まれるトランジスタM1、M2、M4と違う導電型に設定される（すなわち、トランジスタM1、M2、M4は、ＰＭＯＳトランジスタである。）。したがって、第３トランジスタM3は、第１制御線CL1nから第１制御信号が供給されるときにターンオンされ、第１制御信号が供給されないとき（ロー電圧のとき）ターンオフされる。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、第１制御線CL1nから供給される第１制御信号によって制御される。ここで、第４トランジスタM4は第１制御信号が供給されるときターンオフされ、第１制御信号が供給されないときターンオンされる。
上記のような本発明の実施形態に係る補償部１４２の第２の例は、図４に示す補償部１４２の第１の例と比較すると、第３トランジスタM3がＮＭＯＳで形成され、これによって第２制御線CL2nをとり除くことができる。言い換えれば、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第２の例は、第１制御線CL1nに供給される第１制御信号によって駆動される。
本発明の実施形態に係る補償部１４２の第２の例における動作過程を図５、図６を参照して説明すると、まず、走査線Snに走査信号が供給される前に第１制御線CL1nに第１制御信号が供給される。第１制御信号が供給されると、第４トランジスタM4がターンオフされて、第３トランジスタM3がターンオンされる。第３トランジスタM3がターンオンされると第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。
次に、走査線Snに走査信号が供給されて第１トランジスタM1がターンオンされる。第１トランジスタM1がターンオンされると、データ線Dmに供給されるデータ信号に対応される電圧がストレージキャパシタCstに充電される。データ信号に対応される電圧がストレージキャパシタCstに充電された後、走査信号の供給が中断されると第１トランジスタM1がターンオフされる。
第１トランジスタM1がターンオフされた後、第１制御線CL1nで第１制御信号の供給が中断される。第１制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタM4がターンオンされ、第３トランジスタM3がターンオフされる。第４トランジスタM4がターンオンされると、第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇し、これによって第２トランジスタM2のゲート電極の電圧も上昇される。この場合、第２トランジスタM2のゲート電極電圧上昇幅は、上述した補償部１４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して決定されるので、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償することができる。
[補償部１４２の第３の例]
図７は、図３に示された補償部１４２の第３の例を示す回路図である。以下、図７について説明するが、図４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図７を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第３の例は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置される第３トランジスタM3、および第４トランジスタM4と、第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置されるフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、走査線Snから供給される走査信号によって制御される。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、第１制御線CL1nから供給される第１制御信号によって制御される。
上記のような、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第３の例は、図４に示す補償部１４２の第１の例と比較すると、第２制御線CL2nをとり除くことができる。言い換えれば、第３トランジスタM3が走査線Snと接続され、これによって第２制御線CL2nをとり除くことができる。
本発明の実施形態に係る補償部１４２の第３の例における動作過程を図５、図７を参照して説明すると、まず、走査線Snに走査信号が供給される前に第１制御線CL1nに第１制御信号(ハイ信号)が供給される。第１制御信号が供給されると、第４トランジスタM4がターンオフされる。
次に、走査線Snに走査信号が供給されて第１トランジスタM1、および第３トランジスタM3がターンオンされる。第１トランジスタM1がターンオンされると、データ線Dmに供給されるデータ信号に対応される電圧がストレージキャパシタCstに充電される。また、第３トランジスタM3がターンオンされると、第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。ストレージキャパシタCstにデータ信号に対応される電圧が充電されると同時に第１ノードN1で有機発光ダイオードOLEDの電圧が供給され、その後走査信号の供給が中断されると、第1トランジスタM1および第３トランジスタM3はターンオフされる。
第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオフされた後、第１制御線CL1nから印加される第１制御信号の供給が中断される。第１制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタM4がターンオンされて第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇する。第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇すると、数式１に示すように、第２トランジスタM2のゲート電極の電圧も上昇される。ここで、第２トランジスタM2のゲート電極電圧上昇幅は、上述した補償部１４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して決定されるので、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償することができる。
[補償部１４２の第４の例]
図８は、図３に示された補償部１４２の第４の例を示す回路図である。以下、図８について説明するが、図４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図８を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第４の例は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置する第３トランジスタM3および第４トランジスタM4と、第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置するフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、走査線Snから供給される走査信号によって制御される。ここで、第３トランジスタM4は、ＰＭＯＳで形成される。したがって、第３トランジスタM3は、走査線Snに走査信号が供給されるとき（走査信号がローのとき）ターンオンされ、走査信号が供給されないとき（走査信号がハイのとき）ターンオフされる。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、走査線Snから供給される走査信号によって制御される。ここで、第４トランジスタM4は、ＮＭＯＳで形成される。したがって、第４トランジスタM4は、走査線Snに走査信号が供給されるとき（走査信号がローのとき）ターンオフされ、走査信号が供給されないとき（走査信号がハイのとき）ターンオンされる。
上記のような本発明の実施形態に係る補償部１４２の第４の例は、図４に示す補償部１４２の第１の例と比較すると、第１制御線CL1nおよび第２制御線CL2nをとり除くことができる。言い換えれば、第３トランジスタM3および第４トランジスタM4が走査線Snと接続されて、これによって第１制御線CL1nおよび第２制御線CL2nをとり除くことができる。
本発明の実施形態に係る補償部１４２の第４の例における動作過程を図５、図８を参照して説明すると、まず、走査線Snに走査信号が供給されると、第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオンされる。そして、走査線Snに供給される走査信号によって第４トランジスタM4がターンオフされる。
第１トランジスタM1がターンオンされると、データ線Dmに供給されるデータ信号に対応される電圧がストレージキャパシタCstに充電される。また、第３トランジスタM3がターンオンされると、第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。ストレージキャパシタCstにデータ信号に対応する電圧が充電されると同時に第1ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧が供給され、その後走査信号の供給が中断されると、第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオフされる。
走査線Snに走査信号の供給が中断されると、第４トランジスタM4がターンオンされる。第４トランジスタM4がターンオンされると、第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇する。
第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇すれば、数式１に示すように、第２トランジスタM2のゲート電極電圧も上昇される。ここで、第２トランジスタM2のゲート電極電圧上昇幅は、上述した補償部１４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して決定されるので、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償することができる。
以上に説明した本発明の実施形態に係る補償部１４２の第１〜４の例では、第４トランジスタM4が電圧源Vsusに接続される構成について示したが、本発明の実施形態が上記に限定されるのではない。例えば、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第４トランジスタM4は、多様な電圧源に接続されてもよい。
[補償部１４２の第５の例]
図９は、図３に示された補償部１４２の第５の例を示す回路図である。以下、図９について説明するが、図４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図９を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第５の例において、第４トランジスタM4は、第1電源ELVDDに接続される。第４トランジスタM4が第１電源ELVDDに接続されると、第１ノードN1の電圧は有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledから第１電源ELVDDの電圧に上昇させることができる。このとき、第２トランジスタM2のゲート電極電圧は数式1に示すように上昇される。したがって、第４トランジスタM4が第１電源ELVDDに接続される場合であっても、上述した補償部１４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償することができるので、本発明の目的を達成し、安定的に效果を奏することができる。
なお、図９では、図４に示された第１の例に係る補償部１４２の構造を利用して説明したが、本発明の実施形態は上記に限定されるのではない。例えば、本発明の実施形態に係る補償部１４２は、図５〜図８の画素においても第４トランジスタM4を第１電源ELVDDに接続させることができる。
[補償部１４２の第６、７の例]
図１０は、図３に示された補償部１４２の第６の例を示す回路図である。また、図１１は、図３に示された補償部１４２の第７の例を示す回路図である。以下、図１０、図１１について説明するが、図４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図１０を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部１４２の第６の例において、第４トランジスタM4は走査線Snに接続される。ここで、図５に示すように第４トランジスタM4がターンオンされるとき、走査線Snにターンオフにあたる電圧が供給される。したがって、第１ノードN1の電圧は、有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledから走査線Snに供給されるターンオフ電圧まで上昇する。したがって、第４トランジスタM4が走査線Snに接続される場合であっても、上述した補償部１４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化を安定的に補償することができる。また、本発明の実施形態に係る補償部１４２は、第４トランジスタM4を図１１に示すように走査線Sn-1（以前走査線）と接続させることも可能である（第７の例）。図１１に示す場合であっても、上述した補償部１４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化を安定的に補償することができる。
なお、図１０および図１１では、図４に示された第１の例に係る補償部１４２の構造を利用して説明したが、本発明の実施形態は上記に限定されるのではない。例えば、本発明の実施形態に係る補償部１４２は、図５〜図８の画素においても第４トランジスタM4を走査線Snに接続させることができる。
（第２の実施形態）
図１２は、本発明の第２の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す説明図である。
図１２を参照すると、本発明の第２の実施形態に係る有機電界発光表示装置は、走査線S1〜Sn、第１制御線CL11〜CL1n、第２制御線CL21〜C2n、発光制御線E1〜Enおよびデータ線D1〜Dmと接続される画素２４０を含む画素部２３０と、走査線S1〜Sn、第１制御線CL11〜CL1n、第２制御線CL21〜C2nおよび発光制御線E1〜Enを駆動するための走査駆動部２１０と、データ線D1〜Dmを駆動するためのデータ駆動部２２０と、走査駆動部２１０およびデータ駆動部２２０を制御するためのタイミング制御部２５０を備える。
走査駆動部２１０は、タイミング制御部２５０から走査駆動制御信号SCSの供給を受ける。走査駆動制御信号SCSの供給を受けた走査駆動部２１０は走査信号を生成して、生成した走査信号を走査線S1〜Snへ順次に供給する。また、走査駆動部２１０は、走査駆動制御信号SCSに応答して第１制御信号および第２制御信号を生成して、生成した第１制御信号を順次に第１制御線CL11〜CL1nに供給すると共に、第２制御信号を順次に第２制御線CL21〜CL2nに供給する。そして、走査駆動部２１０は発光制御信号を生成し、生成した発光制御信号を発光制御線E1〜Enへ順次に供給する。
ここで、発光制御信号は走査信号の幅より広い幅に設定される。実際に、i(iは自然数)番目発光制御線Eiに供給される発光制御信号は、i番目走査線Siに供給される走査信号と重畳されるように供給される。そして、i番目第１制御線CL1iに供給される第１制御信号は発光制御信号の幅より広い幅に設定され、i番目発光制御線Eiに供給される発光制御信号と重畳されるように供給される。また、i番目第２制御線CL2iに供給される第２制御信号は、発光制御信号の幅と同一の幅で第１制御信号と同時に供給され、互いに反対極性に設定される。
データ駆動部２２０は、タイミング制御部２５０からデータ駆動制御信号DCSの供給を受ける。データ駆動制御信号DCSの供給を受けたデータ駆動部２２０は、データ信号を生成して、生成されたデータ信号を走査信号と同期するようにデータ線D1〜Dmへ供給する。
タイミング制御部２５０は、外部から供給される同期信号に対応してデータ駆動制御信号DCSおよび走査駆動制御信号SCSを生成する。タイミング制御部２５０で生成されたデータ駆動制御信号DCSはデータ駆動部２２０に供給され、走査駆動制御信号SCSは走査駆動部２１０へ供給される。そして、タイミング制御部２５０は外部から供給されるデータをデータ駆動部２２０に供給する。
画素部２３０は、外部から第１電源ELVDDおよび第２電源ELVSSの供給を受けてそれぞれの画素２４０へ供給する。第１電源ELVDDおよび第２電源ELVSSの供給を受けた画素２４０それぞれは、データ信号に対応する光を生成する。画素２４０それぞれには補償部(図示せず)が設置されて有機発光ダイオードの劣化を補償する。
図１３は、本発明の第２の実施形態に係る画素を示す説明図である。図１３では説明の便宜上、第n走査線Snおよび第mデータ線Dmと接続された画素を示している。
図１３を参照すると、本発明の第２の実施形態に係る画素２４０は、有機発光ダイオードOLEDと、走査線Snおよびデータ線Dmと接続される第１トランジスタM1と、ストレージキャパシタCstに充電された電圧に対応して有機発光ダイオードOLEDに供給される電流量を制御するための第２トランジスタM2と、有機発光ダイオードOLEDと第２トランジスタM2の間に位置する第５トランジスタM5と、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償するための補償部２４２を備える。
有機発光ダイオードOLEDのアノード電極は、第５トランジスタM5に接続されて、カソード電極は第２電源ELVSSに接続される。上記のような有機発光ダイオードOLEDは、第２トランジスタM2から第５トランジスタM5を経由して供給される電流に対応して所定輝度の光を生成する。
第１トランジスタM1のゲート電極は、走査線Snに接続されて、第１電極はデータ線Dmに接続される。そして、第１トランジスタM1の第2電極は、第２トランジスタM2（駆動トランジスタ）のゲート電極に接続される。上記のような第１トランジスタM1は、走査線Snに走査信号が供給されるときデータ線Dmに供給されるデータ信号を第２トランジスタM2のゲート電極に供給する。
第２トランジスタM2のゲート電極は、第１トランジスタM1の第２電極に接続され、第１電極は第１電源ELVDDに接続される。そして、第２トランジスタM2の第２電極は第５トランジスタM5の第１電極に接続される。上記のような第２トランジスタM2は、ゲート電極に印加される電圧に対応して第１電源ELVDDから有機発光ダイオードOLEDを経由して第２電源ELVSSに流れる電流量を制御する。このために、第１電源ELVDDの電圧値は第２電源ELVSSの電圧値より高く設定される。
第５トランジスタM5のゲート電極は、発光制御線Enに接続されて、第１電極は第２トランジスタM2の第２電極に接続される。そして、第５トランジスタM5の第２電極は有機発光ダイオードOLEDのアノード電極に接続される。上記のような第５トランジスタM5は、発光制御信号が供給されるときターンオフされ、発光制御信号が供給されない場合にターンオンされる。
ストレージキャパシタCstの一側端子は、第２トランジスタM2のゲート電極に接続され、他側端子は第１電源ELVDDに接続される。上記のようなストレージキャパシタCstは、第１トランジスタM1がターンオンされたときデータ信号に対応する電圧を充電する。
補償部２４２は、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して第２トランジスタM2のゲート電極の電圧を制御する。言い換えれば、補償部２４２は、有機発光ダイオードOLEDを劣化が補償されるように第２トランジスタM2のゲート電極の電圧を調節する。このために、補償部２４２は、電圧源Vsus、第１制御線CL1nおよび第２制御線CL2nと接続される。電圧源Vsusの電圧値は、有機発光ダイオードOLEDの劣化が補償されるように多様に設定されることができる。
例えば、電圧源Vsusの電圧値は、有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledより高く設定される。ここで、有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledは有機発光ダイオードOLEDのアノード電極に示される電圧であり、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して電圧値が変化する。そして、電圧源Vsusの電圧値は、画素２４０に十分な輝度の光が生成されるように第１電源ELVDD以下に設定することができる。
［補償部２４２の第１の例］
図１４は、図１３に示された補償部２４２の第１の例を示す回路図である。図１４を参照すると、補償部２４２は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置する第３トランジスタM3および第４トランジスタM4と、第３トランジスタM3および第４トランジスタM4の共通ノードである第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置するフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、第２制御線CL2nから供給される第２制御信号によって制御される。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、第１制御線CL1nから供給される第１制御信号によって制御される。
フィードバックキャパシタCfbは、第１ノードN1の電圧変化量を第２トランジスタM2のゲート電極に伝達する。
図１５は、図１４に示された画素の駆動方法を説明するための波形図である。図１４および図１５を参照して動作過程を詳しく説明すると、まず、第１走査線CL1nで第１制御信号（ハイ電圧）が供給されて第４トランジスタM4がターンオフされる。第４トランジスタM4がターンオフされると、第１ノードN1と電圧源Vsusが電気的に遮断される。
第４トランジスタM4がターンオフされた後、第２走査線CL2nに第２制御信号（ロー電圧）が供給されると同時に発光制御線Enに発光制御信号（ハイ電圧）が供給される。発光制御信号が供給されると、第５トランジスタM5がターンオフされる。第２制御信号が供給されると、第３トランジスタM3がターンオンされて第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。ここで、第３トランジスタM3がターンオフされるので、有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledは有機発光ダイオードOLEDの閾値電圧に設定される。
次に、走査線Snに走査信号が供給されると、第１トランジスタM1がターンオンされる。第１トランジスタM1がターンオンされると、データ線Dmに供給されるデータ信号に対応する電圧がストレージキャパシタCstに充電される。ストレージキャパシタCstにデータ信号に対応する電圧が充電された後、走査信号の供給が中断すると、第１トランジスタM1がターンオフされる。
第１トランジスタM1がターンオフされた後、第２制御信号および発光制御信号の供給が中断される。第２制御信号の供給が中断されると、第３トランジスタがターンオフされる。発光制御信号の供給が中断されると、第５トランジスタM5がターンオンされる。
次に、第１制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタM4がターンオンされる。第４トランジスタM4がターンオンされると、第１ノードN1の電圧値が電圧源Vsusの電圧に上昇する。このとき、第２トランジスタM2のゲート電極の電圧は、第１ノードN1の電圧上昇に対応して上昇する。ここで、第２トランジスタM2のゲート電極の電圧上昇幅は、数式１によって決定される。
一方、有機発光ダイオードOLEDは、時間が経つにつれて劣化する。ここで、有機発光ダイオードOLEDが劣化するほど有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledは上昇する。言い換えれば、有機発光ダイオードOLEDの閾値電圧は劣化するほど上昇する。したがって、有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが上昇すれば第1ノードN1の電圧上昇幅が低くなる。言い換えれば、有機発光ダイオードOLEDが劣化するほど第１ノードN1に供給される有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが上昇して、これによって第１ノードN1の電圧上昇幅は、有機発光ダイオードが劣化していない場合より低くなる。
第１ノードN1の電圧上昇幅が低くなると、数式１に示すように第２トランジスタM2ゲート電極の電圧上昇幅は低くなる。上記の場合、たとえ同一のデータ信号が印加されたとしても第２トランジスタM2に供給される電流量は、有機発光ダイオードが劣化していない場合より増加する。すなわち、本発明に係る補償部２４２の第１の例では、有機発光ダイオードOLEDが劣化するほど第２トランジスタM2に供給される電流量が増加し、これによって有機発光ダイオードOLEDの劣化による輝度低下を補償することができる。
上記のような、図１４に示された画素２４０と、図４に示された画素１４０とを比較すると、図１４に示された画素２４０では第５トランジスタM5が追加されている。上記のような第５トランジスタM5は、有機発光ダイオードOLEDに不要な電流が流れることを防止することができる。
なお、本発明の実施形態に係る補償部２４２の第１の例は、図１３に限られず、例えば、図６〜図１１に示された構成と同じく設定されてもよい。
［補償部２４２の第２の例］
図１６は、図１３に示された補償部２４２の第２の例を示す回路図である。以下、図１６について説明するが、図１４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図１６を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部２４２の第２の例は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置する第３トランジスタM3および第４トランジスタM4と、第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置するフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、発光制御線Enから供給される発光制御信号によって制御される。ここで、第３トランジスタM3はＮＭＯＳトランジスタに設定される。すなわち、第３トランジスタM3は、画素１４０に含まれるトランジスタM1、M2、M4、M5と異なる導電型に設定される。したがって、第３トランジスタM3は、発光制御線Enから発光制御信号が供給されるときターンオンされて、発光制御信号が供給されない場合にターンオフされる。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、発光制御線Enから供給される発光制御信号によって制御される。ここで、第４トランジスタM4は発光制御信号が供給される時ターンオフされて、発光制御信号が供給されない場合にターンオンされる。
上記のような本発明の実施形態に係る補償部２４２の第２の例は、図１４に示す補償部２４２の第１の例と比較すると、第３トランジスタM3がＮＭＯＳで形成されて、これによって第１制御線CL1nおよび第２制御線CL2nをとり除くことができる。
本発明の実施形態に係る補償部２４２の第２の例における動作過程を図１５、図１６を参照して説明すると、まず、走査線Snに走査信号が供給される前に発光制御線Enに発光制御信号が供給される。発光制御信号が供給されると、第５トランジスタM5および第４トランジスタM4がターンオフされて、第３トランジスタM3がターンオンされる。第３トランジスタM3がターンオンされると、第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。
次に、走査線Snに走査信号が供給されて第１トランジスタM1がターンオンされる。第１トランジスタM1がターンオンされると、データ線Dmに供給されるデータ信号に対応する電圧がストレージキャパシタCstに充電される。データ信号に対応する電圧がストレージキャパシタCstに充電された後、走査信号の供給が中断すると第１トランジスタM1がターンオフされる。
第１トランジスタM1がターンオフされた後、発光制御信号の供給が中断される。発光制御信号の供給が中断されると、第５トランジスタM5および第４トランジスタM4がターンオンされて、第３トランジスタM3がターンオフされる。
第４トランジスタM4がターンオンされると、第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇して、これによって第２トランジスタM2のゲート電極の電圧も上昇する。上記の場合、第２トランジスタM2のゲート電極電圧上昇幅は、上述した補償部２４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して決定されるので、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償することができる。
［補償部２４２の第３の例］
図１７は、図１３に示された補償部２４２の第３の例を示す回路図である。以下、図１７について説明するが、図１４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図１７を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部２４２の第３の例は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置する第３トランジスタM3および第４トランジスタM4と、第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置するフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、走査線Snから供給される走査信号によって制御される。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、発光制御線Enから供給される発光制御信号によって制御される。
上記のような本発明の実施形態に係る補償部２４２の第３の例は、図１４に示す補償部２４２の第１の例と比較すると、第１制御線CL1nおよび第２制御線CL2nをとり除くことができる。言い換えれば、本発明の実施形態に係る補償部２４２の第３の例は、走査線Snおよび発光制御線Enと接続されて有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償する。
本発明の実施形態に係る補償部２４２の第３の例における動作過程を図１５に示された走査信号および発光制御信号、図１７を参照して説明すると、まず、発光制御線Enから発光制御信号が供給される。発光制御信号が供給されると、第５トランジスタM5および第４トランジスタM4がターンオフされる。
次に、走査線Snに走査信号が供給されると、第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオンされる。第１トランジスタM1がターンオンされると、データ線Dmに供給されるデータ信号に対応する電圧がストレージキャパシタCstに充電される。
第３トランジスタM3がターンオンされると、第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。ストレージキャパシタCstにデータ信号に対応される電圧が充電された後、走査信号が供給が中断されると、第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオフされる。
第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオフされた後、発光制御線Enから印加される発光制御信号の供給が中断される。発光制御信号の供給が中断されると、第４トランジスタM4がターンオンされて第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇する。第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇すれば、数式１に示すように第２トランジスタM2のゲート電極の電圧も上昇する。ここで、第２トランジスタM2のゲート電極電圧上昇幅は、上述した補償部２４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して決定されるので、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償することができる。
［補償部２４２の第４の例］
図１８は、図１３に示された補償部２４２の第４の例を示す回路図である。以下、図１８について説明するが、図１４と同一の構成に対しては詳細な説明を省略する。
図１８を参照すると、本発明の実施形態に係る補償部２４２の第４の例は、電圧源Vsusと有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置する第３トランジスタM3および第４トランジスタM4と、第１ノードN1と第２トランジスタM2のゲート電極の間に位置するフィードバックキャパシタCfbを備える。
第３トランジスタM3は、第１ノードN1と有機発光ダイオードOLEDのアノード電極の間に位置し、走査線Snから供給される走査信号によって制御される。
第４トランジスタM4は、第１ノードN1と電圧源Vsusの間に位置し、走査線Snから供給される走査信号によって制御される。ここで、第４トランジスタM4はＮＭＯＳで形成される。したがって、第４トランジスタM4は走査線Snから走査信号が供給されるときターンオフされて、走査信号が供給されない場合にターンオンされる。
一方、本発明の実施形態に係る補償部２４２の第４の例は、第５トランジスタM5がＮＭＯＳで形成される。上記のような第５トランジスタM5は走査線Snから供給される走査信号によって制御される。ここで、第５トランジスタM5は、走査線Snから走査信号が供給されるときターンオフされて、走査信号が供給されない場合にターンオンされる。上記のような本発明の実施形態に係る補償部２４２の第４の例は、図１４に示す補償部２４２の第１の例と比較すると、第１制御線CL1n、第２制御線CL2n、および発光制御線Enをとり除くことができる。
本発明の実施形態に係る補償部２４２の第４３の例における動作過程を図１５、図１８を参照して説明すると、まず、走査線Snから走査信号が供給されると、第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオンされて、第５トランジスタM5および第４トランジスタM4がターンオフされる。
第１トランジスタM1がターンオンされると、データ線Dmに供給されるデータ信号に対応する電圧がストレージキャパシタCstに充電される。第３トランジスタM3がターンオンされると、第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧Voledが供給される。ストレージキャパシタCstにデータ信号に対応する電圧が充電されると同時に第１ノードN1に有機発光ダイオードOLEDの電圧が供給された後、走査信号の供給が中断される。
走査信号の供給が中断されると、第１トランジスタM1および第３トランジスタM3がターンオフされると同時に第４トランジスタM4および第５トランジスタM5がターンオンされる。第４トランジスタM4がターンオンされると、第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇する。
第１ノードN1の電圧が電圧源Vsusの電圧に上昇すれば数式１に示すように第２トランジスタM2のゲート電極電圧も上昇される。ここで、第２トランジスタM2のゲート電極電圧上昇幅は、上述した補償部２４２の第１の例と同様に、有機発光ダイオードOLEDの劣化の度合いに対応して決定されるので、有機発光ダイオードOLEDの劣化を補償することができる。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
従来の有機電界発光表示装置の画素を示す回路図である。 本発明の第１の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す説明図である。 本発明の第１の実施形態に係る画素を示す説明図である。 図３に示された補償部の第１の例を示す回路図である。 図４に示された画素の駆動方法を説明するための波形図である。 図３に示された補償部の第２の例を示す回路図である。 図３に示された補償部の第３の例を示す回路図である。 図３に示された補償部の第４の例を示す回路図である。 図３に示された補償部の第５の例を示す回路図である。 図３に示された補償部の第６の例を示す回路図である。 図３に示された補償部の第７の例を示す回路図である。 本発明の第２の実施形態に係る有機電界発光表示装置を示す説明図である。 本発明の第２の実施形態に係る画素を示す説明図である。 図１３に示された補償部の第１の例を示す回路図である。 図１４に示された画素の駆動方法を説明するための波形図である。 図１３に示された補償部の第２の例を示す回路図である。 図１３に示された補償部の第３の例を示す回路図である。 図１３に示された補償部の第４の例を示す回路図である。
符号の説明
２ 画素回路
４ 画素
２１０ 走査駆動部
２２０ データ駆動部
２３０ 画素部
２４０ 画素
２４２ 補償部
２５０ タイミング制御部

Claims (55)

  1. 第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと；
    走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、前記走査線に印加される走査信号によって前記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと；
    前記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するストレージキャパシタと；
    一の端子が前記第１電源に接続される前記ストレージキャパシタの他の端子にゲート端子が接続され、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記有機発光ダイオードに伝達する、ＰＭＯＳで形成される第２トランジスタと；
    前記有機発光ダイオードの劣化の度合いに対応して、前記第２トランジスタが前記有機発光ダイオードに伝達する電流量を調整する補償部と；
    を備え、
    前記補償部は、
    第１電極が前記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと；
    第１電極が電圧源に接続され、第２電極が前記第３トランジスタの第２電極と接続されて、前記電圧源と前記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと；
    前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタの共通ノードと、前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタと；
    を備え、
    前記共通ノードの電圧を前記電圧源の電圧に上昇させて、前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を前記有機発光ダイオードの劣化の度合いに対応して上昇させることによって、前記第２トランジスタが前記有機発光ダイオードに伝達する電流量を調整し、
    前記第３トランジスタは、少なくとも前記走査線に走査信号が供給される期間の間ターンオンして、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧を前記共通ノードに伝達し、
    前記第４トランジスタは、少なくとも前記第３トランジスタがターンオンする期間の間はターンオフし、ターンオンしたときに前記電圧源の電圧を前記共通ノードに伝達することを特徴とする、画素。
  2. 前記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、前記第１制御信号が供給されるときにターンオフし、前記第１制御信号が供給されないときにターンオンして前記電圧源の電圧を伝達し、
    前記第３トランジスタは、第２制御信号が供給される第２制御線と接続され、前記第２制御信号が供給されるときにターンオンして前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧を伝達し、前記第２制御信号が供給されないときにターンオフし、
    前記第１制御信号および第２制御信号は、前記走査線に供給される走査信号と重畳されるように前記走査信号より長い期間供給され、互いに反対極性の電圧に設定されることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  3. 前記共通ノードには、前記第３トランジスタがターンオンされるとき、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、前記第４トランジスタがターンオンされるとき、前記電圧源の電圧が伝達されて、前記共通ノードの電圧は前記電圧源の電圧に上昇することを特徴とする、請求項２に記載の画素。
  4. 前記フィードバックキャパシタは、前記共通ノードの電圧変化量に対応して前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御することを特徴とする、請求項３に記載の画素。
  5. 前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、前記第３トランジスタのゲート電極と前記第４トランジスタのゲート電極とは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続されることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  6. 前記第１制御信号は、前記走査線に供給される走査信号と重畳されるように供給されることを特徴とする、請求項５に記載の画素。
  7. 前記第３トランジスタは、ＮＭＯＳで形成されて、前記第１トランジスタ、第２トランジスタおよび第４トランジスタはＰＭＯＳで形成されることを特徴とする、請求項６に記載の画素。
  8. 前記第３トランジスタは、前記第１制御線から前記第１制御信号が供給されるときターンオンし、
    前記共通ノードには、前記第３トランジスタがターンオンされるとき、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、前記第４トランジスタがターンオンされるとき、前記電圧源の電圧が伝達されて、前記共通ノードの電圧は前記電圧源の電圧に上昇することを特徴とする、請求項５〜７に記載の画素。
  9. 前記フィードバックキャパシタは、前記共通ノードの電圧変化量に対応して前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御することを特徴とする、請求項８に記載の画素。
  10. 前記第３トランジスタは、前記走査線と接続されて前記走査信号が供給されるときターンオンし、
    前記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、前記第１制御信号が供給される時ターンオフし、前記第１制御信号が供給されないときにターンオンし、
    前記第１制御信号は、前記走査信号と重畳されるように前記走査信号より長い期間供給されることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  11. 前記共通ノードには、前記第３トランジスタがターンオンされるとき、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、前記第４トランジスタがターンオンされるとき、前記電圧源の電圧が伝達されて、前記共通ノードの電圧は前記電圧源の電圧に上昇することを特徴とする、請求項１０に記載の画素。
  12. 前記フィードバックキャパシタは、前記共通ノードの電圧変化量に対応して前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御することを特徴とする、請求項１１に記載の画素。
  13. 前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、前記第３トランジスタのゲート電極と前記第４トランジスタのゲート電極とは、前記走査線と接続されることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  14. 前記第３トランジスタは、前記走査線から走査信号が供給されるときターンオンし、
    前記共通ノードには、前記第３トランジスタがターンオンされるとき、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、前記第４トランジスタがターンオンされるとき、前記電圧源の電圧が伝達されて、前記共通ノードの電圧は前記電圧源の電圧に上昇することを特徴とする、請求項１３に記載の画素。
  15. 前記フィードバックキャパシタは、前記共通ノードの電圧変化量に対応して前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御することを特徴とする、請求項１４に記載の画素。
  16. 前記電圧源の電圧は、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より大きく設定されることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  17. 前記電圧源の電圧は、前記第１電源の電圧以下に設定されることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  18. 前記電圧源は、前記第１電源であることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  19. 前記電圧源の電圧は、前記走査線から供給される走査信号、または、前記走査信号が供給される前に他の画素へ走査信号を供給するための以前走査線から印加されるターンオフ電圧であることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  20. 前記有機発光ダイオードは、赤色有機発光ダイオード、または、緑色有機発光ダイオード、または、青色有機発光ダイオードのいずれかであり、
    前記フィードバックキャパシタの容量は、有機発光ダイオードの種類に応じて異なるように設定されることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  21. 前記第２トランジスタと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、少なくとも前記走査信号が供給される期間ターンオフされる第５トランジスタをさらに備えることを特徴とする、請求項１に記載の画素。
  22. 前記第５トランジスタは、発光制御信号が供給される発光制御線と接続され、前記発光制御信号が供給されるときターンオフし、前記発光制御信号が供給されないときターンオンすることを特徴とする、請求項２１に記載の画素。
  23. 前記発光制御信号は、前記走査信号より広い幅で前記走査信号と重畳されるように供給されることを特徴とする、請求項２２に記載の画素。
  24. 前記共通ノードには、前記第３トランジスタがターンオンされるとき、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、前記第４トランジスタがターンオンされるとき、前記電圧源の電圧が伝達されて、前記共通ノードの電圧は前記電圧源の電圧に上昇することを特徴とする、請求項２３に記載の画素。
  25. 前記フィードバックキャパシタは、前記共通ノードの電圧変化量に対応して前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御することを特徴とする、請求項２４に記載の画素。
  26. 第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと；
    走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、前記走査線に印加される走査信号によって前記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと；
    前記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと；
    一の端子が前記第１電源に接続される前記ストレージキャパシタの他の端子にゲート端子が接続され、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記有機発光ダイオードに伝達する、ＰＭＯＳで形成される第２トランジスタと；
    第１電極が前記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと；
    第１電極が電圧源に接続され、第２電極が前記第３トランジスタの第２電極と接続されて、前記電圧源と前記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと；
    前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタの共通ノードと、前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタと；
    を備え、
    前記共通ノードの電圧を前記電圧源の電圧に上昇させて、前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を前記有機発光ダイオードの劣化の度合いに対応して上昇させることによって、前記第２トランジスタが前記有機発光ダイオードに伝達する電流量が、調整され、
    前記第３トランジスタは、少なくとも前記走査線に走査信号が供給される期間の間ターンオンして、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧を前記共通ノードに伝達し、
    前記第４トランジスタは、少なくとも前記第３トランジスタがターンオンする期間の間はターンオフし、ターンオンしたときに前記電圧源の電圧を前記共通ノードに伝達することを特徴とする、画素。
  27. 前記共通ノードには、前記第３トランジスタがターンオンされるとき、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、前記第４トランジスタがターンオンされるとき、前記電圧源の電圧が伝達されて、前記共通ノードの電圧は前記電圧源の電圧に上昇することを特徴とする、請求項２６に記載の画素。
  28. 前記フィードバックキャパシタは、前記共通ノードの電圧変化量に対応して前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御することを特徴とする、請求項２７に記載の画素。
  29. 前記第２トランジスタと有機発光ダイオードとの間に接続されて、少なくとも前記走査信号が供給される期間ターンオフされる第５トランジスタをさらに備えることを特徴とする、請求項２６に記載の画素。
  30. 前記電圧源の電圧は、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より大きく設定されることを特徴とする、請求項２６に記載の画素。
  31. 前記電圧源は、前記第１電源であることを特徴とする、請求項２６に記載の画素。
  32. 前記電圧源の電圧は、前記走査線から供給される走査信号、または、前記走査信号が供給される前に他の画素へ走査信号を供給するための以前走査線から印加される走査信号が供給されないときの電圧であることを特徴とする、請求項２６に記載の画素。
  33. 走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、少なくとも１以上の画素を有する画素部と；
    前記走査線に走査信号を順次に供給する走査駆動部と；
    前記データ線にデータ信号を供給するデータ駆動部と；
    を備え、
    前記画素部が有する画素それぞれは、
    第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと；
    前記走査線および前記データ線と接続され、前記走査線に印加される走査信号によって前記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと；
    前記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと；
    一の端子が前記第１電源に接続される前記ストレージキャパシタの他の端子にゲート端子が接続され、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記有機発光ダイオードに伝達する、ＰＭＯＳで形成される第２トランジスタと；
    第１電極が前記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと；
    第１電極が電圧源に接続され、第２電極が前記第３トランジスタの第２電極と接続されて、前記電圧源と前記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと；
    前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタの共通ノードと、前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタと；
    を備え、
    前記共通ノードの電圧を前記電圧源の電圧に上昇させて、前記第２トランジスタのゲート電極の電圧を前記有機発光ダイオードの劣化の度合いに対応して上昇させることによって、前記第２トランジスタが前記有機発光ダイオードに伝達する電流量が、調整され、
    前記第３トランジスタは、少なくとも前記走査線に走査信号が供給される期間の間ターンオンして、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧を前記共通ノードに伝達し、
    前記第４トランジスタは、少なくとも前記第３トランジスタがターンオンする期間の間はターンオフし、ターンオンしたときに前記電圧源の電圧を前記共通ノードに伝達することを特徴とする、有機電界発光表示装置。
  34. 前記共通ノードには、前記第３トランジスタがターンオンされるとき、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧が伝達され、前記第４トランジスタがターンオンされるとき、前記電圧源の電圧が伝達されて、前記共通ノードの電圧は前記電圧源の電圧に上昇することを特徴とする、請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
  35. 前記フィードバックキャパシタは、前記共通ノードの電圧変化量に対応して前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧を制御することを特徴とする、請求項３４に記載の有機電界発光表示装置。
  36. 前記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、前記第１制御信号が供給されるときにターンオフし、前記第１制御信号が供給されないときにターンオンして前記電圧源の電圧を伝達し、
    前記第３トランジスタは、第２制御信号が供給される第２制御線と接続され、前記第２制御信号が供給されるときにターンオンして前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧を伝達し、前記第２制御信号が供給されないときにターンオフし、
    前記第１制御信号および第２制御信号は、前記走査線に供給される走査信号と重畳されるように前記走査信号より長い期間供給され、互いに反対極性の電圧に設定されることを特徴とする、請求項３４に記載の有機電界発光表示装置。
  37. 前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、前記第３トランジスタのゲート電極と前記第４トランジスタのゲート電極とは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続されることを特徴とする、請求項３３、または３４に記載の有機電界発光表示装置。
  38. 前記第１制御信号は、前記走査線に供給される走査信号と重畳されるように供給されることを特徴とする、請求項３７に記載の有機電界発光表示装置。
  39. 前記第３トランジスタは、前記走査線と接続されて前記走査信号が供給されるときターンオンし、
    前記第４トランジスタは、第１制御信号が供給される第１制御線と接続され、前記第１制御信号が供給される時ターンオフし、前記第１制御信号が供給されないときにターンオンし、
    前記第１制御信号は、前記走査信号と重畳されるように前記走査信号より長い期間供給されることを特徴とする、請求項３３、または３４に記載の有機電界発光表示装置。
  40. 前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタは、互いに異なる導電型で形成され、前記第３トランジスタのゲート電極と前記第４トランジスタのゲート電極とは、前記走査線と接続されることを特徴とする、請求項３３、または３４に記載の有機電界発光表示装置。
  41. 前記電圧源は、前記第１電源であることを特徴とする、請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
  42. 前記電圧源の電圧は、前記走査線から供給される走査信号、または、前記走査信号が供給される前に他の画素へ走査信号を供給するための以前走査線から印加されるターンオフ電圧であることを特徴とする、請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
  43. 前記画素部が有する画素は、赤色有機発光ダイオードを含む赤色画素、緑色有機発光ダイオードを含む緑色画素、および青色有機発光ダイオードを含む青色画素のいずれかであり、
    前記画素それぞれが備える前記フィードバックキャパシタの容量は、前記赤色画素、緑色画素および青色画素ごとに互いに異なるように設定されることを特徴とする、請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
  44. 前記第２トランジスタと前記有機発光ダイオードとの間に接続され、少なくとも前記走査信号が供給される期間ターンオフされる第５トランジスタをさらに備えることを特徴とする、請求項３３に記載の有機電界発光表示装置。
  45. 前記第５トランジスタは、発光制御信号が供給される発光制御線と接続され、前記発光制御信号が供給されるときターンオフし、前記発光制御信号が供給されないときターンオンすることを特徴とする、請求項４４に記載の有機電界発光表示装置。
  46. 前記発光制御信号は、前記走査信号より広い幅で前記走査信号と重畳されるように供給されることを特徴とする、請求項４５に記載の有機電界発光表示装置。
  47. 第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと；
    走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、前記走査線に印加される走査信号によって前記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと；
    前記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと；
    一の端子が前記第１電源に接続される前記ストレージキャパシタの他の端子にゲート端子が接続され、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記有機発光ダイオードに伝達する、ＰＭＯＳで形成される第２トランジスタと；
    第１電極が前記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと；
    第１電極が電圧源に接続され、第２電極が前記第３トランジスタの第２電極と接続されて、前記電圧源と前記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと；
    前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタの共通ノードと、前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタと；
    を備える少なくとも１以上の画素を有する有機電界発光表示装置の駆動方法であって：
    前記走査信号が供給されるとき前記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電するステップと；
    前記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電する期間において、前記フィードバックキャパシタの前記共通ノード側の端子の電圧を、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧に維持するステップと；
    前記走査信号の供給が中断されると、前記フィードバックキャパシタの前記共通ノード側の端子の電圧を、前記電圧源の電圧に上昇させるステップと；
    を有することを特徴とする、有機電界発光表示装置の駆動方法。
  48. 前記第２トランジスタは、ゲート電極に印加される電圧に対応して前記第１電源から印加される電流の量を制御することを特徴とする、請求項４７に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
  49. 前記電圧源の電圧は、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より高い電圧値に設定されることを特徴とする、請求項４８に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
  50. 前記電圧源の電圧は、前記第１電源以下の電圧値に設定されることを特徴とする、請求項４８に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
  51. 第１電源から印加される電流に対応して発光する有機発光ダイオードと；
    走査信号が供給される走査線およびデータ信号が供給されるデータ線と接続され、前記走査線に印加される走査信号によって前記データ線に印加されるデータ信号を伝達する第１トランジスタと；
    前記第１トランジスタから伝達されるデータ信号に対応する電圧を充電するためのストレージキャパシタと；
    一の端子が前記第１電源に接続される前記ストレージキャパシタの他の端子にゲート端子が接続され、前記ストレージキャパシタに充電された電圧に対応する電流を前記有機発光ダイオードに伝達する、ＰＭＯＳで形成される第２トランジスタと；
    第１電極が前記有機発光ダイオードのアノード電極と接続される第３トランジスタと；
    第１電極が電圧源に接続され、第２電極が前記第３トランジスタの第２電極と接続されて、前記電圧源と前記第３トランジスタとの間に接続される第４トランジスタと；
    前記第３トランジスタおよび前記第４トランジスタの共通ノードと、前記第２トランジスタのゲート電極との間に接続されるフィードバックキャパシタと；
    を備える少なくとも１以上の画素を有する有機電界発光表示装置の駆動方法であって：
    前記走査信号が供給されるとき前記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電するステップと；
    前記ストレージキャパシタにデータ信号に対応する電圧を充電する期間において、前記フィードバックキャパシタの前記共通ノード側の端子の電圧を、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧に維持するステップと；
    少なくとも前記走査信号が供給される期間、前記第２トランジスタと前記有機発光ダイオードを電気的に遮断するステップと；
    前記走査信号の供給が中断されると、前記フィードバックキャパシタの前記共通ノード側の端子の電圧を、前記電圧源の電圧に上昇させるステップと；
    を有することを特徴とする、有機電界発光表示装置の駆動方法。
  52. 前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧は、前記有機発光ダイオードの閾値電圧であることを特徴とする、請求項５１に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
  53. 前記第２トランジスタは、ゲート電極に印加される電圧に対応して前記第１電源から印加される電流の量を制御することを特徴とする、請求項５１に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
  54. 前記電圧源の電圧は、前記有機発光ダイオードのアノード電極に印加される電圧より高い電圧値に設定されることを特徴とする、請求項５１に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。
  55. 前記電圧源の電圧は、前記第１電源以下の電圧値に設定されることを特徴とする、請求項５１に記載の有機電界発光表示装置の駆動方法。

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