KR100952826B1 - 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 비정상적인 발광을 방지할 수 있도록 한 화소에 관한 것이다.
본 발명의 화소는, 제1 전원과 제2 전원 사이에 접속된 유기 발광 다이오드와, 상기 제1 전원 및 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되어 발광기간 동안 상기 유기 발광 다이오드로 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터가 포함된 화소회로부와, 상기 화소회로부와 바이어스 전원 사이에 접속되며 상기 구동 트랜지스터가 턴-오프되는 비발광기간 동안 턴-온되는 바이패스 트랜지스터가 포함된 바이패스부를 구비한다.

Description

화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치{Pixel and Organic Light Emitting Display Device Using the Same}
본 발명은 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 관한 것으로, 특히 화소의 비정상적인 발광을 방지할 수 있도록 한 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치에 관한 것이다.
유기전계발광 표시장치는 전자와 정공의 재결합에 의하여 빛을 발생하는 유기 발광 다이오드를 이용하여 영상을 표시하는 평판표시장치의 일종으로, 빠른 응답속도를 가짐과 동시에 낮은 소비전력으로 구동되는 장점을 가진다.
이러한 유기전계발광 표시장치는 유기 발광 다이오드를 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스(Passive Matrix)형 유기전계발광 표시장치와, 액티브 매트릭스(Active Matrix)형 유기전계발광 표시장치로 나뉜다. 이 중 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치는 소비전력이 작은 이점을 가져, 휴대용 표시장치 등에 유용하게 이용된다.
일반적인 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치의 화소들 각각은 자신에게 공급되는 전류량에 대응하는 빛을 생성하는 유기 발광 다이오드와, 주사신호가 공급될 때 화소 내부로 데이터 신호를 공급하는 스위칭 트랜지스터와, 상기 스위칭 트랜지스터로부터 공급되는 데이터 신호를 저장하는 스토리지 커패시터와, 상기 스토리지 커패시터에 저장된 데이터 신호에 대응하는 구동전류를 유기 발광 다이오드로 공급하는 구동 트랜지스터를 포함한다.
단, 이상적인 화소는 블랙 계조를 표시하는 데이터 신호가 공급되었을 때 화소 내에 전류의 흐름이 차단되면서 비발광되지만, 실제의 화소는 구동 트랜지스터 등에서 발생한 누설전류에 의해 블랙 계조에서도 희미하게 발광하게 된다. 이와 같이 누설전류에 의해 화소가 발광하게 되면, 컨트라스트 비(contrast ratio)가 악화되는 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 목적은 누설전류로 인한 화소의 비정상적인 발광을 방지할 수 있도록 한 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치를 제공하는 것이다.
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1 측면은 제1 전원과 제2 전원 사이에 접속된 유기 발광 다이오드와, 상기 제1 전원 및 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되어 발광기간 동안 상기 유기 발광 다이오드로 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터가 포함된 화소회로부와, 상기 화소회로부와 바이어스 전원 사이에 접속되며 상기 구동 트랜지스터가 턴-오프되는 비발광기간 동안 턴-온되는 바이패스 트랜지스터가 포함된 바이패스부가 구비되는 화소를 제공한다.
또한, 본 발명의 제2 측면은, 주사선들 및 데이터선들의 교차부에 위치된 다수의 화소들을 포함하며 외부로부터 제1 전원, 제2 전원 및 바이어스 전원을 공급받는 화소부와, 상기 주사선들로 주사신호를 공급하는 주사 구동부와, 상기 데이터선들로 데이터신호를 공급하는 데이터 구동부를 포함하며, 상기 화소들 각각은, 상기 제1 전원과 상기 제2 전원 사이에 접속된 유기 발광 다이오드와, 상기 제1 전원 및 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되어 발광기간 동안 상기 유기 발광 다이오드로 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터가 포함된 화소회로부와, 상기 화소회로부와 상기 바이어스 전원 사이에 접속되며 상기 구동 트랜지스터가 턴-오프되는 비발광기간 동안 턴-온되는 바이패스 트랜지스터가 포함된 바이패스부를 구비하는 유기전계발광 표시장치를 제공한다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 화소 내의 누설전류를 바이패스시키는 바이패스 트랜지스터를 구비함에 의해, 화소의 비정상적인 발광을 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 블럭도이다. 그리고, 도 2는 본 발명의 실시예에 의한 한 프레임을 나타내는 도면이다.
우선, 도 1을 참조하면, 유기전계발광 표시장치는 화소부(100), 주사 구동부(200), 데이터 구동부(300) 및 전원 공급부(400)를 포함한다.
화소부(100)는 주사선들(S1 내지 Sn) 및 데이터선들(D1 내지 Dm)의 교차부에 위치된 다수의 화소들(110)을 포함하며, 전원공급부(400)로부터 제1 전원(ELVDD), 제2 전원(ELVSS) 및 바이어스 전원(Vbias)을 공급받아 구동된다.
주사 구동부(200)는 외부로부터 공급되는 주사제어신호에 대응하여 주사선 들(S1 내지 Sn)로 주사신호를 공급한다.
여기서, 본 발명의 유기전계발광 표시장치가 도 2에 도시된 디지털 구동방식으로 구동되는 경우, 주사 구동부(200)는 각 서브 프레임(SF)의 주사기간마다 주사선들(S1 내지 Sn)로 주사신호를 공급한다. 유기전계발광 표시장치의 디지털 구동방식은 한 프레임(1F)이 다수의 서브 프레임(SF)으로 나뉘어 구동되며 각 서브 프레임(SF)마다 표시기간이 상이하게 설정되어 휘도를 표현하는 구동방식을 의미한다.
주사선들(S1 내지 Sn)로 주사신호가 공급되면 화소들(110)이 라인별로 선택되고, 선택된 화소들(110)은 데이터선들(D1 내지 Dm)로부터 데이터신호를 공급받는다.
데이터 구동부(300)는 외부로부터 공급되는 데이터 및 데이터제어신호에 대응하여 데이터선들(D1 내지 Dm)로 데이터신호를 공급한다. 그러면, 주사신호에 의해 선택된 화소들(110)로 데이터신호가 공급된다.
한편, 본 발명의 유기전계발광 표시장치가 디지털 구동방식으로 구동되는 경우, 데이터 구동부(300)는 데이터신호로써 화소들(110)이 발광하는 제1 데이터신호와 화소들(110)이 비발광하는 제2 데이터신호를 공급한다. 여기서, 제1 데이터신호와 제2 데이터신호는 상반된 전압레벨을 갖는 것으로, 예를 들어 제1 데이터신호가 로우레벨로 설정되면 제2 데이터신호는 하이레벨로 설정된다. 즉, 데이터 구동부(300)는 각 서브 프레임(SF) 기간마다 데이터선들(D1 내지 Dm)로 하이레벨 또는 로우레벨의 두 가지 형태의 데이터신호를 공급한다. 그러면, 제1 데이터신호를 공급받은 화소들(110)은 소정기간(서브 프레임(SF)의 기간) 동안 발광하고, 제2 데이 터신호를 공급받은 화소들(110)은 비발광하면서 소정 휘도의 영상이 표시된다.
전원 공급부(400)는 화소부(100)로 제1 및 제2 전원(ELVDD, ELVSS)과 바이어스 전원(Vbias)을 공급한다. 여기서, 제1 전원(ELVDD)은 고전위 화소전원이며, 제2 전원(ELVSS)은 제1 전원(ELVDD)의 전위보다 낮은 전위를 갖는 저전위 화소전원이다. 그리고, 바이어스 전원(Vbias)은 제2 전원(ELVSS)과 동일한 전원, 혹은, 동일 전위 전원으로 설정되거나, 혹은 제2 전원(ELVSS)보다 낮은 전위를 갖는 별도의 전원으로 설정될 수 있다.
이와 같은 본 발명의 유기전계발광 표시장치에서, 각각의 화소(110)는 바이패스 트랜지스터(미도시)를 구비하여 비발광시 발생하는 내부의 누설전류를 바이패스시킨다. 이에 의해, 화소(110)의 비정상적인 발광이 방지되며, 이에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 도시한 회로도이다. 편의상, 도 3에서는 제n 행 및 제m 열에 위치된 화소를 도시하기로 하며, 도 3의 화소는 도 1에 도시된 유기전계발광 표시장치 등에 적용될 수 있다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 의한 화소(110)는, 제1 전원(ELVDD)과 제2 전원(ELVSS) 사이에 접속된 유기 발광 다이오드(OLED)와, 제1 전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속되어 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류를 공급하기 위한 화소회로부(112)와, 화소회로부(112)와 바이어스 전원(Vbias) 사이에 접속되어 화소(110)에서 발생하는 누설전류를 바이패스하기 위한 바이패스부(114)를 포함한다.
보다 구체적으로, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극은 화소회로부(112)에 접속되고, 캐소드 전극은 제2 전원(ELVSS)에 접속된다. 이와 같은 유기 발광 다이오드(OLED)는 화소회로부(112)로부터 공급되는 전류에 대응하여 발광한다.
화소회로부(112)는 구동 트랜지스터(DT), 제1 스위칭 트랜지스터(ST1) 및 스토리지 커패시터(Cst)를 포함한다.
구동 트랜지스터(DT)는 제1 전원(ELVDD)과 유기 발광 다이오드(OLED) 사이에 접속되며, 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극은 제1 노드(N1)에 접속된다. 이와 같은 구동 트랜지스터(DT)는 제1 노드(N1)의 전압에 대응하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류를 공급한다.
한편, 디지털 구동되는 화소(110)에서, 구동 트랜지스터(DT)는 서브 프레임(SF) 기간마다 공급되는 로우레벨 또는 하이레벨의 데이터 신호(Vdata)에 대응하여 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류를 공급 또는 비공급한다. 여기서, 로우레벨의 데이터신호(Vdata)(제1 데이터신호)는 구동 트랜지스터(DT)를 턴-온시킴과 아울러 바이패스 트랜지스터(BT)를 턴-오프시킬 수 있는 전압레벨로 설정된다. 그리고, 하이레벨의 데이터신호(Vdata)(제2 데이터신호)는 구동 트랜지스터(DT)를 턴-오프시킴과 아울러 바이패스 트랜지스터(BT)를 턴-온시킬 수 있는 전압레벨로 설정된다.
예를 들어, 구동 트랜지스터(DT)는 데이터선(Dm)을 통해 제1 노드(N1)로 로 우레벨의 데이터신호(Vdata)가 공급되면 턴-온되어 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류를 공급하고, 제1 노드(N1)로 하이레벨의 데이터신호(Vdata)가 공급되면 턴-오프되어 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류를 공급하지 않는다. 이하, 구동 트랜지스터(DT)가 턴-온되는 표시기간을 발광기간이라 하고, 구동 트랜지스터(DT)가 턴-오프되는 기간을 비발광기간이라 하기로 한다.
즉, 해당 서브 프레임(SF)에 제1 데이터신호(로우레벨의 데이터신호)가 공급되면, 구동 트랜지스터(DT)의 턴-온에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류가 공급되어 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하고, 제2 데이터신호(하이레벨의 데이터신호)가 공급되면 구동 트랜지스터(DT)의 턴-오프에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)가 비발광한다.
제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 제1 노드(N1)와 데이터선(Dm) 사이에 접속되며, 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)의 게이트 전극은 주사선(Sn)에 접속된다. 이와 같은 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)는 주사선(Sn)으로부터 주사신호(SS)가 공급될 때 턴-온되어 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터신호(Vdata)를 제1 노드(N1)로 전달한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 제1 노드(N1)와 제1 전원(ELVDD) 사이에 접속된다. 여기서, 제1 노드(N1)로 데이터신호(Vdata)가 공급되면 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호(Vdata)에 대응되는 전압이 충전된다. 즉, 스토리지 커패시터(Cst)는 디지털 구동시 각 서브 프레임(SF) 마다 공급되는 데이터신호(Vdata)를 충전하고 해당 서브 프레임(SF) 기간 동안 제1 노드(N1)의 전압을 유지한다.
바이패스부(114)는 화소회로부(112)와 바이어스 전원(Vbias) 사이에 접속되며, 유기 발광 다이오드(OLED)와 병렬로 접속되는 바이패스 트랜지스터(BT)를 포함한다.
보다 구체적으로, 바이패스 트랜지스터(BT)는 구동 트랜지스터(DT)와 바이어스 전원(Vbias) 사이에 접속되며, 구동 트랜지스터(DT)가 턴-오프되는 비발광기간 동안 턴-온되어 화소(110) 내에서 발생할 수 있는 누설전류를 바이어스 전원(Vbias)으로 바이패스시킨다.
이를 위해, 본 실시예에서 바이패스 트랜지스터(BT)의 게이트 전극은 구동 트랜지스터(DT)의 게이트 전극이 접속되는 제1 노드(N1)에 접속되되, 바이패스 트랜지스터(BT)와 구동 트랜지스터(DT)는 상반된 타입의 트랜지스터로 설정된다. 예를 들어, 구동 트랜지스터(DT)가 P 타입의 트랜지스터로 설정되면, 바이패스 트랜지스터(BT)는 N 타입의 트랜지스터로 설정된다.
따라서, 디지털 구동시 제1 데이터신호가 공급되는 발광기간 동안 바이패스 트랜지스터(BT)는 턴-오프되고, 제2 데이터신호가 공급되는 비발광기간 동안 바이패스 트랜지스터(BT)는 턴-온된다. 이와 같이, 비발광기간 동안 바이패스 트랜지스터(BT)가 턴-온되면, 구동 트랜지스터(DT)의 특성, 크로스 토크, 또는 스토리지 커패시터(Cst)의 전하 방전 등과 관련하여 발생할 수 있는 누설전류가 바이패스 트랜지스터(BT)를 통해 바이패스됨으로써 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르지 않는다. 이에 의해, 비발광기간 동안 유기 발광 다이오드(OLED)가 비정상적으로 발광하는 것을 방지할 수 있다.
전술한 화소(110)의 동작을 설명하면, 우선 주사선(Sn)으로 주사신호(SS)가 공급되면 제1 스위칭 트랜지스터(ST1)가 턴-온된다. 그러면, 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터신호(Vdata)가 제1 노드(N1)로 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호(Vdata)에 대응되는 전압이 충전된다.
여기서, 데이터신호(Vdata)가 로우레벨의 제1 데이터신호이면 구동 트랜지스터(DT)가 턴-온됨과 아울러 바이패스 트랜지스터(BT)가 턴-오프된다. 이에 따라, 제1 전원(ELVDD)으로부터 구동 트랜지스터(DT) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 구동전류가 흐르면서 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광한다.
그리고, 데이터신호(Vdata)가 하이레벨의 제2 데이터신호이면 구동 트랜지스터(DT)가 턴-오프됨과 아울러, 바이패스 트랜지스터(BT)가 턴-온된다. 그러면, 구동 트랜지스터(DT)로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류가 공급되지 않음은 물론, 구동 트랜지스터(DT) 등에서 누설전류가 발생하더라도 이는 바이패스 트랜지스터(BT)를 통해 바이어스 전원(Vbias)으로 바이패스된다.
이때, 구동 트랜지스터(DT)에서 누설전류가 발생하는 경우, 유기 발광 다이오드(OLED)에 인가되는 전압(Voled)은 구동 트랜지스터(DT)의 오프저항과 바이패스 트랜지스터(BT)의 온저항의 비율에 의해 결정되는데, 이와 같은 저항비가 100:1 정도로 구동 트랜지스터(DT)의 특성이 좋지 않은 경우라 해도 유기 발광 다이오드(OLED)에는 수십 mV이하의 낮은 전압이 인가된다.
여기서, 유기 발광 다이오드(OLED)는 도 4의 A 영역과 같이 낮은 전 압(Voled)이 인가되는 영역에서는 0에 가까운 매운 낮은 전류(Ioled)가 흐르는 특성을 가지므로, 낮은 전압(Voled)에서 유기 발광 다이오드(OLED)에는 실질적으로 거의 전류가 흐르지 않는다. 따라서, 비발광기간 동안 바이패스 트랜지스터(BT)의 턴-온에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)는 비발광 상태를 유지한다.
한편, 누설전류를 바이어스 전원(Vbias)으로 바이패스하기 위하여 바이어스 전원(Vbias)의 전위는 제2 전원(ELVSS)의 전위 이하로 설정될 수 있다.
여기서, 바이어스 전원(Vbias)의 전위가 제2 전원(ELVSS)의 전위와 같은 경우 별도의 전원을 공급하지 않고 제2 전원(ELVSS)을 바이어스 전원(Vbias)으로 이용할 수 있다. 이 때, 비발광기간 동안 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드 전극과 캐소드 전극 간의 전압차는 0이 되므로, 유기 발광 다이오드(OLED)는 오프 상태를 유지한다.
또한, 바이어스 전원(Vbias)의 전위가 제2 전원(ELVSS)의 전위보다 낮은 경우, 비발광기간 동안 유기 발광 다이오드(OLED)에 역전압이 인가되어, 유기 발광 다이오드(OLED)의 수명이 향상된다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 도시한 회로도이다. 도 5에서, 도 3과 동일한 부분에 대해서는 동일 부호를 부여하고, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소(110')는 데이터신호(Vdata)가 반전된 반전 데이터신호(/Vdata)가 공급되는 반전 데이터선(INDm)에 더 접속된다. 이 경우, 도 1의 유기전계발광 표시장치에는 데이터선들(Dm)과 대응되도록 데이터 구동부(300)의 각 채널마다 반전 데이터선(INDm)이 더 설치되거나, 데이터신호를 반전하여 화소들(110)로 공급하는 별도의 회로가 데이터 구동부(300)와 화소부(100) 사이 또는 화소부(100) 내에 더 구비될 수 있다.
바이패스 트랜지스터(BT')는 도 3과 동일하게 구동 트랜지스터(DT)와 바이어스 전원(Vbias) 사이에 유기 발광 다이오드(OLED)와 병렬로 접속되되, 바이패스 트랜지스터(BT')의 게이트 전극은 제2 노드(N2)에 접속된다.
그리고, 바이패스부(114')는, 반전 데이터선(INDm)과 제2 노드(N2) 사이에 접속되며 게이트 전극이 주사선(Sn)에 접속된 제2 스위칭 트랜지스터(ST2)와, 제2 노드(N2)와 제1 전원(ELVDD) 사이에 접속된 제어 커패시터(Cc)를 더 포함한다.
제2 스위칭 트랜지스터(ST2)는 주사선(Sn)으로 주사신호(SS)가 공급될 때 턴-온되어, 반전 데이터선(INDm)으로부터 공급되는 반전 데이터신호(/Vdata)를 제2 노드(N2)로 공급한다. 이때, 제어 커패시터(Cc)에는 반전 데이터신호(/Vdata)에 대응되는 전압이 충전된다.
전술한 화소(110')의 동작을 설명하면, 우선 주사선(Sn)으로 주사신호(SS)가 공급되면, 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST1, ST2)가 턴-온된다. 그러면, 데이터선(Dm)으로부터 공급되는 데이터신호(Vdata)가 제1 노드(N1)로 공급되고, 반전 데이터선(INDm)으로부터 공급되는 반전 데이터신호(/Vdata)가 제2 노드(N2)로 공급된다. 이때, 스토리지 커패시터(Cst)에는 데이터신호(Vdata)에 대응되는 전압이 충전되고, 제어 커패시터(Cc)에는 반전 데이터신호(/Vdata)에 대응되는 전압이 충전된 다.
여기서, 데이터신호(Vdata)가 로우레벨의 제1 데이터신호이고 반전 데이터신호(/Vdata)가 하이레벨의 제2 데이터신호이면, 구동 트랜지스터(DT)가 턴-온됨과 아울러 바이패스 트랜지스터(BT')가 턴-오프된다. 이에 따라, 제1 전원(ELVDD)으로부터 구동 트랜지스터(DT) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 경유하여 제2 전원(ELVSS)으로 구동전류가 흐르면서 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광한다.
그리고, 데이터신호(Vdata)가 하이레벨의 제2 데이터신호이고, 반전 데이터신호(/Vdata)가 로우레벨의 제1 데이터신호이면, 구동 트랜지스터(DT)가 턴-오프됨과 아울러, 바이패스 트랜지스터(BT')가 턴-온된다. 그러면, 구동 트랜지스터(DT)로부터 유기 발광 다이오드(OLED)로 구동전류가 공급되지 않음은 물론, 구동 트랜지스터(DT) 등에서 누설전류가 발생하더라도 이는 바이패스 트랜지스터(BT')를 통해 바이어스 전원(Vbias)으로 바이패스된다. 따라서, 이와 같은 비발광기간 동안 바이패스 트랜지스터(BT')의 턴-온에 의해 유기 발광 다이오드(OLED)는 비발광 상태를 유지한다.
한편, 본 실시예에서 구동 트랜지스터(DT), 바이패스 트랜지스터(BT'), 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST1, ST2)는 모두 동일한 타입의 트랜지스터로 설정된다. 예컨대, 구동 트랜지스터(DT), 바이패스 트랜지스터(BT'), 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터(ST1, ST2)는 모두 P 타입의 트랜지스터로 설정될 수 있다. 이에 따라, CMOS 공정을 이용하지 않고 비교적 적은 수의 마스크를 이용하여 화소(110')의 형성공정을 단순화할 수 있다.
또한, 도 5에서는 화소(110') 내의 트랜지스터들을 모두 P 타입의 트랜지스터로 설정하였지만, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 화소(110') 내의 트랜지스터들을 모두 N 타입의 트랜지스터로 설정하고, N 타입의 트랜지스터들에 적합하도록 회로구성을 변형하여 본 발명을 실시할 수 있음은 물론이다.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 변형예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계발광 표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 블럭도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 한 프레임을 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 의한 화소를 도시한 회로도이다.
도 4는 유기 발광 다이오드의 전압-전류 특성을 나타내는 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 의한 화소를 도시한 회로도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100: 화소부 110, 110': 화소
112: 화소회로부 114, 114': 바이패스부
200: 주사 구동부 300: 데이터 구동부
400: 전원 공급부

Claims (18)

  1. 주사신호가 공급되는 주사선, 데이터신호가 공급되는 데이터선, 상기 데이터신호가 반전된 반전 데이터신호가 공급되는 반전 데이터선, 제1 전원, 제2 전원 및 바이어스 전원에 접속되며,
    상기 제1 전원과 상기 제2 전원 사이에 접속된 유기 발광 다이오드와,
    상기 제1 전원과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되며 게이트 전극이 제1 노드에 접속되어 발광기간 동안 상기 유기 발광 다이오드로 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터와,
    상기 제1 노드와 상기 데이터선 사이에 접속되며 게이트 전극이 상기 주사선에 접속되는 제1 스위칭 트랜지스터와,
    상기 제1 노드와 상기 제1 전원 사이에 접속되는 스토리지 커패시터와,
    상기 구동 트랜지스터와 상기 바이어스 전원의 사이에 상기 유기 발광 다이오드와 병렬로 접속되며 게이트 전극이 제2 노드에 접속되어 상기 구동 트랜지스터가 턴-오프되는 비발광기간 동안 턴-온되는 바이패스 트랜지스터와,
    상기 제2 노드와 상기 반전 데이터선 사이에 접속되며 게이트 전극이 상기 주사선에 접속되는 제2 스위칭 트랜지스터와,
    상기 제2 노드와 상기 제1 전원 사이에 접속되는 제어 커패시터를 포함하는 화소.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 바이패스 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터는 동일한 타입의 트랜지스터로 설정된 화소.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 데이터신호와 상기 반전 데이터신호가 로우레벨 또는 하이레벨의 형태로 공급되는 디지털 구동되는 화소.
  7. 제1항에 있어서,
    한 프레임을 구성하는 다수의 서브 프레임 기간마다 로우레벨 또는 하이레벨 의 제1 또는 제2 데이터신호를 공급받아 디지털 구동되는 화소.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 제1 전원은 고전위 화소전원으로 설정되고 상기 제2 전원은 저전위 화소전원으로 설정되며, 상기 바이어스 전원의 전위는 상기 제2 전원의 전위 이하로 설정되는 화소.
  9. 주사신호가 공급되는 주사선들, 데이터신호가 공급되는 데이터선들 및 상기 데이터신호가 반전된 반전 데이터신호가 공급되는 반전 데이터선들의 교차부에 위치되되, 외부로부터 제1 전원, 제2 전원 및 바이어스 전원을 공급받아 구동되는 다수의 화소들을 포함하며,
    상기 화소들 각각은,
    상기 제1 전원과 상기 제2 전원 사이에 접속된 유기 발광 다이오드와,
    상기 제1 전원과 상기 유기 발광 다이오드 사이에 접속되며 게이트 전극이 제1 노드에 접속되어 발광기간 동안 상기 유기 발광 다이오드로 구동전류를 공급하는 구동 트랜지스터와,
    상기 제1 노드와 데이터선 사이에 접속되며 게이트 전극이 주사선에 접속되는 제1 스위칭 트랜지스터와,
    상기 제1 노드와 상기 제1 전원 사이에 접속되는 스토리지 커패시터와,
    상기 구동 트랜지스터와 상기 바이어스 전원의 사이에 상기 유기 발광 다이오드와 병렬로 접속되며 게이트 전극이 제2 노드에 접속되어 상기 구동 트랜지스터가 턴-오프되는 비발광기간 동안 턴-온되는 바이패스 트랜지스터와,
    상기 제2 노드와 반전 데이터선 사이에 접속되며 게이트 전극이 상기 주사선에 접속되는 제2 스위칭 트랜지스터와,
    상기 제2 노드와 상기 제1 전원 사이에 접속되는 제어 커패시터를 포함하는 유기전계발광 표시장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제9항에 있어서,
    상기 바이패스 트랜지스터, 상기 구동 트랜지스터, 상기 제1 및 제2 스위칭 트랜지스터는 동일한 타입의 트랜지스터로 설정된 유기전계발광 표시장치.
  15. 제9항에 있어서,
    한 프레임은 다수의 서브 프레임으로 나뉘어 구동되며, 상기 서브 프레임 기간마다 상기 주사선들로 상기 주사신호가 공급되고 상기 데이터선들로는 제1 데이터신호 또는 제2 데이터신호가 공급되는 유기전계발광 표시장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 데이터신호는 상기 구동 트랜지스터를 턴-온시키는 전압레벨로 설정되고, 상기 제2 데이터신호는 상기 바이패스 트랜지스터를 턴-온시키는 전압레벨로 설정된 유기전계발광 표시장치.
  17. 제9항에 있어서,
    상기 제1 전원은 고전위 화소전원으로 설정되고 상기 제2 전원은 저전위 화소전원으로 설정되며, 상기 바이어스 전원의 전위는 상기 제2 전원의 전위 이하로 설정되는 유기전계발광 표시장치.
  18. 제9항에 있어서,
    상기 바이어스 전원은 상기 제2 전원과 동일한 전원인 유기전계발광 표시장치.
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