JP5552117B2 - 有機ｅｌ表示装置の表示方法および有機ｅｌ表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機ＥＬ表示装置の表示方法および有機ＥＬ表示装置に関する。

電流駆動型の発光素子を用いた画像表示装置として、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を用いた画像表示装置（有機ＥＬディスプレイ）が知られている。この有機ＥＬディスプレイは、視野角特性が良好で、消費電力が少ないという利点を有するため、次世代のＦＰＤ（Ｆｌａｔ Ｐａｎａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）候補として注目されている。

有機ＥＬディスプレイでは、通常、画素を構成する有機ＥＬ素子がマトリクス状に配置される。複数の行電極（走査線）と複数の列電極（データ線）との交点に有機ＥＬ素子を設け、選択した行電極と複数の列電極との間にデータ信号に相当する電圧を印加するようにして有機ＥＬ素子を駆動するものをパッシブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイと呼ぶ。

一方、複数の走査線と複数のデータ線との交点に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を設け、このＴＦＴに駆動トランジスタのゲートを接続し、選択した走査線を通じてこのＴＦＴをオンさせてデータ線からデータ信号を駆動トランジスタに入力し、その駆動トランジスタによって有機ＥＬ素子を駆動するものをアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイと呼ぶ。

各行電極（走査線）を選択している期間のみ、それに接続された有機ＥＬ素子が発光するパッシブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイとは異なり、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、次の走査（選択）まで有機ＥＬ素子を発光させることが可能であるため、走査線数が上がってもディスプレイの輝度減少を招くようなことはない。従って、低電圧で駆動できるので、低消費電力化が可能となる。しかしながら、アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイでは、製造工程で生じる駆動トランジスタや有機ＥＬ素子の特性のばらつきに起因して、同じデータ信号を与えても、各画素において有機ＥＬ素子の輝度が異なり、スジやムラなどの輝度ムラが発生してしまうことがある。

それに対して、有機ＥＬディスプレイで発生するスジやムラを、映像信号（データ信号）を補正することにより、各画素に供給される映像信号に対応する有機ＥＬ素子の輝度を所定の基準輝度に補正する補正方法が提案されている（例えば、特許文献１）。

特許文献１の補正方法では、有機ＥＬディスプレイの画素毎に少なくとも３階調以上の輝度分布または電流分布の測定を行うことで、各画素に供給される映像信号に対応する有機ＥＬ素子の輝度を所定の基準輝度に補正するための補正パラメータであるゲイン及びオフセットを求めることができる。

特開２００５−２８４１７２号公報

しかしながら、従来の補正方法では、以下に説明するような問題がある。

従来、補正パラメータの算出方法として、例えば、最小二乗法を用いて、補正パラメータであるゲイン及びオフセットを求める方法がある。この最小二乗法を用いる方法では、各画素について複数階調の輝度測定を行い、各測定で得られた各画素の輝度と代表電圧−輝度特性との輝度差に基づいて、所定の演算方法にてゲイン及びオフセットを求める。例としては、図１に示すように、ある画素について、電圧Ｖ１〜Ｖ６の６点での輝度Ｌ１〜Ｌ６を測定し、補正パラメータとしてＶｘ１〜Ｖｘ６を求める。

しかしながら、例えば最小二乗法を用いる補正方法では、その性質上、少なくとも３階調、好ましくは５階調以上の階調数で各画素の輝度測定を行う必要があり、各画素の輝度測定を行ってから補正パラメータを求めるまでに時間がかかるという問題がある。特に、低階調側の輝度測定には非常に長い時間がかかる。その結果、各画素の輝度測定を行ってから補正パラメータを求めるまでの測定タクトが長くなるという問題が生じる。

また、有機ＥＬディスプレイにおいて、低階調で筋状の輝度ムラ等が発生しやすくなるという性質がある。人間の目は、高階調側での輝度差よりも低階調側での輝度差を認識しやすい。そのため、高階調側よりも低階調側の補正精度が高い方が望ましい。しかしながら、通常、代表電圧−輝度特性と各画素の電圧−輝度特性との輝度差は、高階調側になる程大きく、最小二乗法は、この高階調側での輝度差が最小となるようにゲイン及びオフセットを演算にて同時に求めることになるので、高階調側での補正誤差は小さくできるものの、低階調側での補正誤差は高階調側に比べて大きくなるという問題もある。

本発明は、上述の事情を鑑みてなされたもので、各画素の輝度測定を行ってから補正パラメータを求めるまでの測定タクトを短縮できる有機ＥＬ表示装置の表示方法および有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の表示方法は、表示パネルを備え、前記表示パネルに用いられる所定の記憶部に補正パラメータを格納する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、電圧駆動の駆動素子と、前記駆動素子のゲート電極に第１電極が接続され前記駆動素子のソース電極に第２電極が接続されたコンデンサとを含む画素部を複数備えた回路基板を準備する第１ステップと、対象となる画素部に含まれるコンデンサに前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧を保持させ、前記コンデンサに保持された前記対応電圧を前記対象となる画素部から第１の測定装置を用いて読み出す第２ステップと、前記読み出した対応電圧を前記対象となる画素部の第１の補正パラメータとして前記表示パネルに用いられる前記所定の記憶部に前記第１の測定装置を用いて格納する第３ステップと、前記回路基板を備え、前記回路基板に含まれる各画素部が前記駆動素子の駆動電流により発光する発光素子を有する前記表示パネルを準備する第４ステップと、前記表示パネルに含まれる１以上の画素部に共通する代表電圧−輝度特性を取得する第５ステップと、前記代表電圧−輝度特性の中階調域及び高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧に前記対象となる画素部の前記第１の補正パラメータを加算して所定の信号電圧を得る第６ステップと、前記所定の信号電圧を、前記対象となる画素部に含まれる駆動素子に印加して、前記対象となる画素部から発光される輝度を第２の測定装置を用いて測定する第７ステップと、前記第７ステップにおいて測定された前記対象となる画素部の輝度が、前記代表電圧−輝度特性に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを求める第８ステップと、前記求めた第２の補正パラメータを前記対象となる画素部に対応付けて前記所定の記憶部に格納する第９ステップと、を含む。

本発明によれば、各画素の輝度測定を行ってから補正パラメータを求めるまでの測定タクトを短縮できる有機ＥＬ表示装置およびその表示方法を実現することができる。具体的には、ＴＦＴ基板のＶｔ測定と、１階調の輝度測定との２回のみの測定によって外部補正パラメータを決定できる上、輝度測定は、高輝度部分の測定しか行わない。それにより、輝度測定のタクトを短くでき、測定タクトを非常に短くできる。

図１は、補正パラメータを求める従来方法を説明するための図である。 図２は、表示パネルとして組み立てられる前の回路基板とその回路基板を測定するアレイテスタの構成を示すブロック図である。 図３は、表示部の有する一画素部の回路構成を示す図である。 図４は、本発明の形態における画素部の動作を示すタイミングチャートである。 図５は、本発明の実施の形態における画素部の書き込み期間Ｔ１０における動作を説明するための図である。 図６は、本発明の実施の形態における画素部のＶｔｈ検出期間Ｔ２０における動作を説明するための図である。 図７は、Ｖｔｈ検出後に保持コンデンサに保持される電圧を説明するための図である。 図８は、本発明の実施の形態における画素部の読み出し期間Ｔ３０における動作を説明するための図である。 図９は、第１の補正パラメータ算出処理を説明するためのフローチャートである。 図１０は、表示パネルの輝度測定時の輝度測定システムの構成を示す図である。 図１１は、有機ＥＬ表示装置が備える制御回路の機能構成図である。 図１２は、本実施の形態に係る制御部の機能構成図の一例を示す図である。 図１３は、所定の画素部における電圧−輝度特性と、代表電圧−輝度特性とを示す図である。 図１４は、本実施の形態に係る代表電圧−輝度特性、高階調域及び低階調域を説明するための図である。 図１５は、本実施の形態に係る輝度測定システムにおいて第２の補正パラメータを算出する動作の一例を示すフローチャートである。 図１６は、Ｓ２４を概念的に説明するための図である。 図１７は、Ｓ２６を概念的に説明するための図である。 図１８は、本実施の形態に係る補正パラメータ算出部５２が第２の補正パラメータを算出する処理を説明するための図である。 図１９は、第１の補正パラメータ算出処理（Ｓ１）と、第２の補正パラメータ算出処理（Ｓ２）とを示すフローチャートである。 図２０は、本実施の形態の変形例に係る表示パネルの輝度測定時の輝度測定システムの構成を示す図である。 図２１は、本実施の形態の変形例に係る補正パラメータ決定装置５０が補正パラメータを決定する動作の一例を示すフローチャートである。

第１の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、表示パネルを備え、前記表示パネルに用いられる所定の記憶部に補正パラメータを格納する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、電圧駆動の駆動素子と、前記駆動素子のゲート電極に第１電極が接続され前記駆動素子のソース電極に第２電極が接続されたコンデンサとを含む画素部を複数備えた回路基板を準備する第１ステップと、対象となる画素部に含まれるコンデンサに前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧を保持させ、前記コンデンサに保持された前記対応電圧を前記対象となる画素部から第１の測定装置を用いて読み出す第２ステップと、前記読み出した対応電圧を前記対象となる画素部の第１の補正パラメータとして前記表示パネルに用いられる前記所定の記憶部に前記第１の測定装置を用いて格納する第３ステップと、前記回路基板を備え、前記回路基板に含まれる各画素部が前記駆動素子の駆動電流により発光する発光素子を有する前記表示パネルを準備する第４ステップと、前記表示パネルに含まれる１以上の画素部に共通する代表電圧−輝度特性を取得する第５ステップと、前記代表電圧−輝度特性の中階調域及び高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧に前記対象となる画素部の前記第１の補正パラメータを加算して所定の信号電圧を得る第６ステップと、前記所定の信号電圧を、前記対象となる画素部に含まれる駆動素子に印加して、前記対象となる画素部から発光される輝度を第２の測定装置を用いて測定する第７ステップと、前記第７ステップにおいて測定された前記対象となる画素部の輝度が、前記代表電圧−輝度特性に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを求める第８ステップと、前記求めた第２の補正パラメータを前記対象となる画素部に対応付けて前記所定の記憶部に格納する第９ステップと、を含む。

本態様によると、まず、対象となる画素に含まれるコンデンサに前記駆動素子の閾値電圧を保持させ、前記コンデンサに保持された閾値電圧に対応する対応電圧を第１の測定装置を用いて求める。そして、前記求めた閾値電圧に対応する対応電圧を前記対象となる画素の第１の補正パラメータとして前記表示パネルに用いられる所定の記憶部に格納する。これにより、上述の低階調側の輝度差は前記駆動素子の閾値電圧のばらつきに影響しているため、前記対応電圧を補正パラメータとして用いることで、低階調域において各画素から発光される輝度を前記代表電圧−輝度特性に一致させることができる。

次に、中階調域又は高階調域に属する１階調に対応する信号電圧に前記第１の補正パラメータを加算した所定の電圧を求め、前記所定の電圧を前記対象となる画素に含まれる駆動素子に印加して１回目の輝度測定を行う。すなわち、前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧である第１の補正パラメータを、前記中階調域又は高階調域に属する１階調に対応する信号電圧に加算することにより、低階調域の輝度を前記代表電圧−輝度特性に一致させた状態で中階調域又は高階調域における輝度測定を行うことができる。

その後、前記対象となる画素の輝度が、前記代表電圧−輝度特性を表す関数に前記所定の電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを前記対象となる画素について求める。

このように、前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧を読み出して第１の補正パラメータとして用い、低階調域の輝度を前記代表電圧−輝度特性に一致させた状態で、高階調域における各画素の輝度を前記代表電圧−輝度特性が示す輝度に一致させるので、低階調域に属する所定の１階調及び他の階調域に属する所定の１階調の２階調での発光輝度を前記代表電圧−輝度特性に一致させることができる。その結果、人間の目で認識される表示パネルの輝度ムラを抑制することができるとともに、輝度測定を行う１階調を任意に選択することができるので、低階調域以外の所望の階調域の輝度ムラも抑制することができる。

また、１回の測定で第１の補正パラメータを求めることができ、且つ、１回の輝度測定で前記第２の補正パラメータを求めることができるので、合計２回の測定で前記第１の補正パラメータ及び第２の補正パラメータを求めることができる。その結果、各画素の輝度測定を行ってから補正パラメータを求めるまでの測定タクトを短縮できる。

第２の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第８ステップにおいて、前記対象となる画素部から発光される光の輝度が前記基準輝度となる場合の電圧を演算にて求め、前記第２の補正パラメータは、前記所定の信号電圧と、前記演算にて求められた電圧との比を示すゲインである。

第３の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第２の補正パラメータは、前記対象となる画素部を前記所定の信号電圧で発光させたときの輝度と、前記基準輝度との比を示すゲインである。

第４の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記コンデンサの第２電極は前記駆動素子のソース電極に接続され、前記複数の画素部の各々は、さらに、前記駆動素子のドレイン電極の電位を決定するための第１電源線と、前記発光素子の第２電極に接続された第２電源線と、前記コンデンサの第１電極の電圧値を規定する第１の基準電圧を供給する第３電源線と、信号電圧を供給するためのデータ線と、前記コンデンサの第１電極と前記第３電源線との導通及び非導通を切り換える第１スイッチング素子と、一方の端子が前記データ線に接続され、他方の端子が前記コンデンサの第２電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第２電極との導通及び非導通を切り換える第２スイッチング素子と、一方の端子が前記駆動素子のソース電極に接続され、他方の端子が前記コンデンサの第２電極に接続され、前記駆動素子のソース電極と前記コンデンサの第２電極との導通及び非導通を切り換える第３スイッチング素子と、を備え、前記第２ステップにおいて、前記第１スイッチング素子をオン状態にして前記コンデンサの第１電極に前記第１の基準電圧を印加しつつ、前記第２スイッチング素子をオン状態にして前記データ線から前記第１の基準電圧から前記駆動素子の閾値電圧を差し引いた値より低い第２の基準電圧を印加することで、前記駆動素子の閾値電圧より大きな電位差を前記コンデンサに生じさせ、前記コンデンサの電位差が前記駆動素子の閾値電圧に到達して前記駆動素子がオフ状態となるまでの時間を経過させることで、前記閾値電圧に対応する対応電圧を前記コンデンサに保持させる。

本態様によると、前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧を保持させることができる。

第５の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第１電源線と前記第３電源線とは、共通の電源線である。

本態様によると、前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧の測定を行うときに、各画素部に前記発光素子を設けない場合、前記第１電源線と前記第２電源線とを共通の電源線としてもよい。

第６の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第１ステップにおいて、前記回路基板に代えて、前記第４ステップで用いる前記表示パネルを準備する。

本態様によると、前記複数の画素部の各々に前記発光素子を設けて前記閾値電圧に対応する電圧の測定を行ってもよい。

第７の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第２ステップにおいて、前記コンデンサの第１電極に前記第１の基準電圧を印加しているときに、前記発光素子の第１電極及び第２電極の間の電位差が、前記発光素子が発光を開始する前記発光素子の閾値電圧より低い電圧となるように前記第１の基準電圧の電圧値を設定する。

本態様によると、前記回路基板の各画素部に前記発光素子を設けた状態で前記コンデンサに前記閾値電圧に対応する対応電圧を測定する場合、前記コンデンサの第１電極に前記第１の基準電圧を印加しているときに前記発光素子が発光しないように前記第１の基準電圧の電圧値を設定する。

第８の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第２ステップにおいて、前記コンデンサに前記閾値電圧に対応する対応電圧を保持させた後、前記第２スイッチング素子をオンして、前記対応電圧に対応する電流を前記コンデンサの第２電極から前記データ線に流し、前記データ線に流した電流を前記第１の測定装置で測定することにより前記コンデンサに保持されている対応電圧を読み出す。

本態様によると、前記コンデンサに前記閾値電圧に対応する対応電圧を保持させた後、前記第２スイッチング素子をオンして、前記コンデンサに保持されている電圧に対応する電流を前記データ線に流す。そして、前記データ線に流した電流を前記第１の測定装置で測定する。これにより、前記第１の測定装置で測定した電流に基づいて前記コンデンサに保持されている電圧を読み出すことができる。

第９の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記閾値電圧に対応する対応電圧とは、その電圧値が前記閾値電圧の電圧値に比例し、且つ、前記閾値電圧の電圧値よりも小さい電圧である。

本態様によると、前記閾値電圧に対応する電圧とは、その電圧値が前記閾値電圧の電圧値に比例し、且つ、前記閾値電圧の電圧値よりも小さい電圧である。

このように、前記読み出す電圧の値を前記閾値電圧の値とするのではなく、前記閾値電圧の値よりも小さな電圧値とするのは、前記代表電圧−輝度特性の低階調域が前記閾値電圧よりも小さい電圧領域に対応しているためである。前記閾値電圧の電圧値よりも小さい値の電圧を読み出して前記第１の補正パラメータとして用いることで、前記代表電圧−輝度特性の低階調域での補正精度を高めることができる。

第１０の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記代表電圧−輝度特性の高階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、各画素部で表示可能な最大階調の２０％以上１００％以下の階調に対応する電圧である。

本態様によると、前記代表電圧−輝度特性の高階調域に属する１階調に対応する信号電圧として、最大階調の２０％以上１００％以下の階調域に属する１階調に対応する電圧を印加する。

第１１の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記代表電圧−輝度特性の高階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、各画素部で表示可能な最大階調の３０％の階調に対応する電圧である。

本態様によると、前記代表電圧−輝度特性の高階調域に属する１階調に対応する信号電圧として、最大階調の３０％の階調に対応する電圧を印加する。この場合、高階調域における補正誤差を最も抑制できる。

第１２の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記代表電圧−輝度特性の中階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、各画素部で表示可能な最大階調の１０％以上２０％以下の階調に対応する電圧である。

本態様によると、前記代表電圧−輝度特性の中階調域に属する１階調に対応する信号電圧として、最大階調の１０％以上２０％以下の階調域に属する１階調に対応する電圧を印加する。

第１３の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記代表電圧−輝度特性は、前記表示パネルに含まれる複数の画素部のうちの所定の一画素部についての電圧−輝度特性である。

本態様によると、前記代表電圧−輝度特性を、前記表示パネルに含まれる複数の画素部の任意の一画素部についての電圧−輝度特性としてもよい。

第１４の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記代表電圧−輝度特性は、前記表示パネルに含まれる複数の画素部のうちの２以上の画素部の電圧−輝度特性を平均化した特性である。

本態様によると、前記代表電圧−輝度特性は、前記複数の画素を含む表示パネル全体に共通して設定され、前記表示パネルに含まれる各画素の電圧−輝度特性を平均化して求められる。これにより、前記表示パネルに含まれる各画素の輝度が、前記表示パネル全体に共通する代表電圧−輝度特性となるように補正パラメータを求めるので、この補正パラメータを用いて映像信号を補正した場合、各画素から発光される光の輝度を均一にできる。

第１５の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第５ステップにおいて、前記表示パネルを複数の分割領域に分割し、前記分割領域毎に、前記複数の分割領域の各々に含まれる複数の画素部に共通する前記代表電圧−輝度特性を設定し、前記第８ステップにおいて、前記対象となる画素部を前記所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、前記対象となる画素部を含む分割領域の代表電圧−輝度特性に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを前記対象となる画素部について求める。

本態様によると、前記表示パネルを複数の分割領域に分割し、前記分割領域毎に、前記複数の分割領域の各々に含まれる画素に共通する前記代表電圧−輝度特性を設定する。そして、前記対象となる画素を前記所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、前記対象となる画素を含む分割領域の代表電圧−輝度特性を表す関数に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度となるように第２の補正パラメータを求める。

これにより、例えば、隣接画素間の輝度変化が激しいために輝度ムラが発生している領域のみを補正することができるので、当該隣接画素間の輝度変化が滑らかになるような補正パラメータを求めることができる。

第１６の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第１の測定装置は、アレイテスタである。

第１７の態様の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、前記第２の測定装置は、イメージセンサである。

第１８の態様の有機ＥＬ表示装置は、発光素子と、前記発光素子への電流の供給を制御する電圧駆動の駆動素子と、第１電極が前記駆動素子のゲート電極に接続され第２電極が前記駆動素子のソース電極及びドレイン電極の一方に接続されたコンデンサと、を含む画素を複数備えた表示パネルと、外部から入力される映像信号を、前記複数の画素部の各々の特性に応じて補正するための補正パラメータを前記複数の画素部の各々について記憶する記憶部と、前記複数の画素部の各々に対応する前記補正パラメータを前記記憶部から読み出し、前記読み出した補正パラメータを前記複数の画素部の各々に対応する映像信号に演算して補正信号電圧を得る制御部と、を備え、前記補正パラメータは、対象となる画素部に含まれるコンデンサに前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧を保持させ、前記コンデンサに保持された前記対応電圧を前記対象となる画素部から第１の測定装置を用いて読み出す第１ステップと、前記読み出した対応電圧を前記対象となる画素部の第１の補正パラメータとして前記記憶部に前記第１の測定装置を用いて格納する第２ステップと、前記表示パネルに含まれる１以上の画素部に共通する代表電圧−輝度特性を取得する第３ステップと、前記代表電圧−輝度特性の中階調域から高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧に前記対象となる画素部の前記第１の補正パラメータを加算して所定の信号電圧を得る第４ステップと、前記所定の信号電圧を前記対象となる画素部に含まれる駆動素子に印加して前記対象となる画素部から発光される輝度を第２の測定装置を用いて測定する第５ステップと、前記第５ステップで測定された前記対象となる画素部の輝度が、前記代表電圧−輝度特性に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度となるような第２の補正パラメータを求める第６ステップと、前記求めた第２の補正パラメータを前記対象となる画素部に対応付けて前記記憶部に格納する第７ステップと、により生成される。

（実施の形態１）
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。

図２は、表示パネルとして組み立てられる前の回路基板とその回路基板を測定するアレイテスタ２００の構成を示すブロック図である。図３は、表示部１０５の有する一画素部１０の回路構成を示す図である。

図２に示す回路基板は、有機ＥＬ素子Ｄ１が備えられて有機ＥＬ表示装置の表示パネル１００に組み立てられる。この回路基板上には、表示部１０５と、走査線駆動回路１１と、データ線駆動回路１２と、入出力端子１３とが形成されている。

表示部１０５は、ｍ×ｎ行列状に配列された複数の画素部１０を備え、外部から有機ＥＬ表示装置へ入力された輝度信号である映像信号に基づいて画像を表示する。ここで、画素部１０の回路構成について図３を参照しながら詳細に説明する。

画素部１０は、図３に示すように、電流発光素子である有機ＥＬ素子Ｄ１と、駆動トランジスタＴ１と、スイッチングトランジスタＴ２と、保持容量Ｃｓと、参照トランジスタＴ３と、分離トランジスタＴ４とを備える。また、画素部１０には、走査線２１と、信号電圧を供給するためのデータ線２０と、マージ線２３と、駆動トランジスタＴ１のドレイン電極の電位を決定するための高電圧側電源線２４と、有機ＥＬ素子Ｄ１の第２電極に接続された低電圧側電源線２５と、保持コンデンサＣｓの第１電極の電圧値を規定する第１の基準電圧を供給する基準電圧電源線２６と、リセット線２７とが接続されている。

有機ＥＬ素子Ｄ１は、発光素子として機能し、駆動トランジスタＴ１の駆動電流により発光する。有機ＥＬ素子Ｄ１は、カソードが、低電圧側電源線２５に接続され、アノードが、駆動トランジスタＴ１のソースに接続されている。ここで、低電圧側電源線２５に供給されている電圧はＶｓｓであり、例えば０（ｖ）である。なお、図３では、画素部１０に、有機ＥＬ素子Ｄ１が含まれているが、表示パネルとして組み立てられる前の回路基板の状態では、画素部１０は有機ＥＬ素子Ｄ１を必ずしも備えている必要はない。

駆動トランジスタＴ１は、有機ＥＬ素子Ｄ１に電流を流すことで有機ＥＬ素子Ｄ１を発光させる電圧駆動の駆動素子である。駆動トランジスタＴ１は、ゲートが、分離トランジスタＴ４及びスイッチングトランジスタＴ２を介してデータ線２０に接続され、ソースが有機ＥＬ素子Ｄ１のアノードに接続され、ドレインが、高電圧側電源線２４に接続されている。ここで、高電圧側電源線２４に供給されている電圧はＶｄｄであり、例えば２０（ｖ）である。これにより、駆動トランジスタＴ１は、ゲートに供給された信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）を、その信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）に対応した信号電流に変換し、変換された信号電流を有機ＥＬ素子Ｄ１に供給する。

保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１の流す電流量を決める信号電圧を保持する機能を有する。具体的には、保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１のソース（低電圧側電源線２５）と駆動トランジスタＴ１のゲートとの間に接続されている。別の言い方をすると、保持コンデンサＣｓは、駆動トランジスタＴ１のゲート電極に第１電極が接続され、駆動トランジスタＴ１のソース電極に第２電極が接続されている。保持コンデンサＣｓは、例えば、スイッチングトランジスタＴ２がオフ状態となった後も、直前の信号電圧を維持し、継続して駆動トランジスタＴ１から有機ＥＬ素子Ｄ１へ駆動電流を供給させる機能を有する。なお、保持コンデンサＣｓは、信号電圧を、その信号電圧に静電容量を積算した電荷で保持する。

スイッチングトランジスタＴ２は、一方の端子がデータ線２０に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、データ線２０と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、スイッチングトランジスタＴ２は、映像信号に応じた信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）を保持コンデンサＣｓに書き込むための機能を有する。スイッチングトランジスタＴ２は、ゲートが、走査線２１に接続されており、ドレインまたはソースがデータ線２０に接続されている。そして、スイッチングトランジスタＴ２は、データ線２０の信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）を駆動トランジスタＴ１のゲートに供給するタイミングを制御する機能を有する。

参照トランジスタＴ３は、保持コンデンサＣｓの第１電極と基準電圧電源線２６との導通及び非導通を切り換える。具体的には、参照トランジスタＴ３は、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを検出するときに駆動トランジスタＴ１のゲートに基準電圧（Ｖｒ）を与える機能を有する。参照トランジスタＴ３は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のゲートに接続され、ドレインおよびソースの他方が、参照電圧（Ｖｒ）を印加するための基準電圧電源線２６に接続されている。また、参照トランジスタＴ３は、ゲートがリセット線２７に接続されている。

分離トランジスタＴ４は、一方の端子が駆動トランジスタＴ１のソース電極に接続され、他方の端子が保持コンデンサＣｓの第２電極に接続され、駆動トランジスタＴ１のソース電極と保持コンデンサＣｓの第２電極との導通及び非導通を切り換える。具体的には、分離トランジスタＴ４は、保持コンデンサＣｓに電圧を書き込む書き込み期間において保持コンデンサＣｓと駆動トランジスタＴ１とを切り離す機能を有する。分離トランジスタＴ４は、ドレインおよびソースの一方が、駆動トランジスタＴ１のソースに接続され、ドレインおよびソースの他方が、保持コンデンサＣｓの第２電極に接続されている。また、分離トランジスタＴ４は、ゲートがマージ線２３と接続されている。

なお、駆動トランジスタＴ１、スイッチングトランジスタＴ２、参照トランジスタＴ３及び分離トランジスタＴ４はそれぞれ、例えばＮチャンネル薄膜トランジスタであり、エンハンスメント型トランジスタである。もちろん、チャネル薄膜トランジスタであってもよいし、デプレッション型トランジスタであってもよい。

以上のように画素部１０は構成される。再び、図２に戻って説明を続ける。

走査線駆動回路１１は、走査線２１に接続されており、画素部１０のスイッチングトランジスタＴ２の導通・非導通を制御する機能を有する。具体的には、走査線駆動回路１１は、図２において行方向に配列された画素部１０に共通に接続された走査線２１にそれぞれ独立に走査信号ｓｃａｎを供給する。

データ線駆動回路１２は、データ線２０に接続されており、映像信号に応じた信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）を出力して、駆動トランジスタＴ１に流れる信号電流を決定する機能を有する。具体的には、データ線駆動回路１２は、図２において列方向に配列された画素部１０に共通に接続されたデータ線２０にそれぞれ独立に信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）を供給する。

入出力端子１３は、データ線２０と接続されており、所定の場合に、複数の画素部１０に属する保持コンデンサＣｓの電荷Ｑを読み出すために用いられるものである。

また、図２に示すアレイテスタ２００は、第１の測定装置であって、対象となる画素部１０に含まれる保持コンデンサＣｓから駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する対応電圧を読み出す。また、アレイテスタ２００は、保持コンデンサＣｓから読み出した対応電圧を、対象となる画素部１０の第１の補正パラメータとして表示パネル１００に用いられる所定の記憶部４３に格納する。具体的には、アレイテスタ２００は、回路基板上の複数の画素部１０それぞれの駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを測定することにより第１の補正パラメータを算出する。アレイテスタ２００は、電流測定部２２１と、通信部２２２を備える。なお、記憶部４３は、図２に示すように、アレイテスタ２００の外部にあるが、内部に別途メモリを備えており、そのメモリからさらに記憶部４３に送信されるとしてもよい。

電流測定部２２１は、後述する所定の条件下で、回路基板上の複数の画素部１０の電流を測定することにより、回路基板上の複数の画素部１０に属する保持コンデンサＣｓの保持電荷Ｑｔｈを測定する。ここで、保持コンデンサＣｓは、後述する所定の条件下で、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧に保持コンデンサＣｓの静電容量Ｃを積算した保持電荷Ｑｔｈを保持する。

通信部２２２は、電流測定部２２１により測定した保持電荷Ｑｔｈから算出して得た、その画素部１０に属する駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を記憶部４３に送信する。

記憶部４３は、典型的には、アレイテスタ２００の外部にあって、表示パネル１００を制御する制御回路に構成されている。記憶部４３は、通信部２２２より送信された回路基板上の複数の画素部１０それぞれの駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を格納する。

以上のように構成された回路基板とアレイテスタ２００とを用いると、回路基板上の複数の画素部１０それぞれに属する駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を測定することができる。

なお、上記では、アレイテスタ２００を用いて、表示パネル１００として組み立てられる前の回路基板上複数の画素部１０それぞれに属する駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を測定するとしたが、それに限らない。アレイテスタ２００を用いて、有機ＥＬ素子Ｄ１を備えた表示パネル１００において複数の画素部１０それぞれに属する駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を測定するとしてもよい。

また、上記では、高電圧側電源線２４と基準電圧電源線２６とは別の電源線としているが、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する対応電圧の測定を行うときに、各画素部１０に有機ＥＬ発光素子Ｄ１を設けないすなわち回路基板上の画素部１０を測定する場合、共通の電源線としてもよい。

次に、アレイテスタ２００を用いて、画素部１０に属する駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を測定する場合の測定手順について説明する。図４は、本発明の形態における画素部１０の動作を示すタイミングチャートである。

複数の画素部１０のそれぞれにおいて、一定の測定期間内に、映像信号に対応した信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）を保持コンデンサＣｓに書き込む動作、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを検出する動作、及び、保持コンデンサＣｓに保持されている電荷を読み出す動作が行われる。映像信号に対応した信号電圧（データ信号Ｄａｔａ）を保持コンデンサＣｓに書き込む期間を「書き込み期間Ｔ１０」、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈを検出する期間を「Ｖｔｈ検出期間Ｔ２０」、保持コンデンサＣｓに保持されている電荷を読み出す期間を「読み出し期間Ｔ３０」として、以下、動作の詳細を説明する。なお、書き込み期間Ｔ１０、Ｖｔｈ検出期間Ｔ２０、及び読み出し期間Ｔ３０は、画素部１０のそれぞれに対して定義されるものであり、すべての画素部１０に対して上記３つの期間の位相を一致される必要はない。

（書き込み期間Ｔ１０）
図５は、本発明の実施の形態における画素部の書き込み期間Ｔ１０における動作を説明するための図である。

書き込み期間Ｔ１０の時刻ｔ１２において、まず、リセット線２７に供給されるリセット信号Ｒｅｓｅｔをハイレベルにして、参照トランジスタＴ３をオン状態とする。すると、基準電圧電源線２６に供給されている基準電圧Ｖｒがｃ点（保持コンデンサＣｓの第１電極）に印加される。すなわち、ｃ点に基準電圧Ｖｒが書きまれる。

ここで、基準電圧電源線２６は、回路基板が有機ＥＬ素子Ｄ１を有している場合、有機ＥＬ素子Ｄ１が発光しないように基準電圧Ｖｒが設定されている。具体的には、保持コンデンサＣｓの第１電極に第１の基準電圧を印加しているときに、有機ＥＬ素子Ｄ１の第１電極及び第２電極の間の電位差が、有機ＥＬ素子Ｄ１が発光を開始する有機ＥＬ素子Ｄ１の閾値電圧より低い電圧となるように第１の基準電圧の電圧値を設定する。すなわち、回路基板の各画素部１０に有機ＥＬ素子Ｄ１を設けた状態で保持コンデンサＣｓに閾値電圧に対応する対応電圧を測定する場合、保持コンデンサＣｓの第１電極に第１の基準電圧を印加しているときに有機ＥＬ素子Ｄ１が発光しないように第１の基準電圧の電圧値を設定する。

反対に、基準電圧電源線２６は、回路基板が有機ＥＬ素子Ｄ１を有していない場合には、高電圧側電源線２４と同じ電圧Ｖｄｄに設定する。これは、例えば、高電圧側電源線２４と基準電圧電源線２６とを共通の電源線とすることにより実現できる。すなわち、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する対応電圧の測定を行うときに、各画素部１０に有機ＥＬ素子Ｄ１を設けない場合には、高電圧側電源線２４と基準電圧電源線２６とを共通の電源線とすることにより実現できる。

次いで、走査線２１に供給される走査信号ｓｃａｎをハイレベルとして、スイッチングトランジスタＴ２をオン状態とする。すると、このときデータ線２０に供給されている映像信号に対応した信号電圧（データ信号ｄａｔａ）がｂ点（保持コンデンサＣｓの第２電極）に印加される。ここで、例えば、この信号電圧（データ信号ｄａｔａ）は、低電圧側電源線２５と同じ電圧Ｖｓｓに設定される。また、書き込み期間Ｔ１０において、マージ線２３に供給されるマージ信号ｍｅｒｇｅは、ローレベルであり、分離トランジスタＴ４はオフ状態である。

そのため、保持コンデンサＣｓには、ｂ点とｃ点での電位差（Ｖｒ−Ｖｓｓ）に対応する電圧が与えられ、その電圧が駆動トランジスタＴ１のゲートに印加されている。なお、保持コンデンサＣｓに印加される電圧は、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈ以上の大きさとなっている。

このようにして、保持コンデンサＣｓへの書き込み動作が行われる。つまり、保持コンデンサＣｓは、参照トランジスタＴ３をオン状態にして第１電極に第１の基準電圧Ｖｒが印加されつつ、スイッチングトランジスタＴ２をオン状態にして、データ線２０から第１の基準電圧Ｖｒから駆動トランジスタＴ１の閾値電圧を差し引いた値より低い第２の基準電圧が印加される。それにより、保持コンデンサＣｓでは、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧より大きな電位差が生じる書き込み動作が行われる。

そして、保持コンデンサＣｓへ書き込み動作が終了、すなわち画素部１０の書き込み期間Ｔ１０が終了した時刻ｔ１３において、走査信号Ｓｃａｎをローレベルに戻して、スイッチングトランジスタＴ２をオフ状態とする。

（Ｖｔｈ検出期間Ｔ２０）
図６は、本発明の実施の形態における画素部のＶｔｈ検出期間Ｔ２０における動作を説明するための図である。

Ｖｔｈ検出期間Ｔ２０の最初の時刻ｔ１４において、マージ線２３に供給されるマージ信号ｍｅｒｇｅを、ハイレベルにして、分離トランジスタＴ４をオン状態にする。ここで、Ｖｔｈ検出期間Ｔ２０において、走査線２１に供給される走査信号ｓｃａｎは、ローレベルであり、スイッチングトランジスタＴ２はオフ状態である。また、Ｖｔｈ検出期間Ｔ２０において、リセット線２７に供給されるリセット信号Ｒｅｓｅｔは、ハイレベルであり、参照トランジスタＴ３はオン状態である。

すると、駆動トランジスタＴ１のゲートには、基準電圧電源線２６に供給されている基準電圧Ｖｒ（ｃ点の電位）が印加されており、駆動トランジスタＴ１はオン状態である。このとき、有機ＥＬ素子Ｄ１は、上述したように発光しない。すなわち、保持コンデンサＣｓの第１電極に第１の基準電圧Ｖｒを印加しているときに、有機ＥＬ素子Ｄ１の第１電極及び第２電極の間の電位差が、有機ＥＬ素子Ｄ１が発光を開始する有機ＥＬ素子Ｄ１の閾値電圧より低い電圧となるように第１の基準電圧の電圧値は設定されている。

そして、ｂ点（保持コンデンサＣｓの第２電極）には、分離トランジスタＴ４を介して、駆動トランジスタＴ１のゲートに印加されている基準電圧Ｖｒに応じた高電圧側電源線２４の電圧Ｖｄｄの一部が印加され、ｂ点（保持コンデンサＣｓの第２電極）の電位が上昇する。

次いで、例えば図４に示すように時刻ｔ１８までこのまま待機するなど、処理時間を調整することで、ｂ点とｃ点との電位差、すなわち保持コンデンサＣｓが保持する電圧が、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応した電圧（具体的にはＶｔｈより小さい電圧に対応した電圧）が残る。これは、駆動トランジスタＴ１のゲート・ソース間の電圧Ｖｇｓと閾値電圧Ｖｔｈ（具体的にはＶｔｈより小さい電圧）とが等しくなった時点で駆動トランジスタＴ１がオフ状態となるためである。すなわち、保持コンデンサＣｓでは、ｂ点とｃ点との電位差すなわち第１電極及び第２電極間の電圧が駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に到達して駆動トランジスタＴ１がオフ状態となるまでの時間を経過させることで、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する対応電圧を保持する。したがって、保持コンデンサＣｓは、処理時間を調整することで、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈより小さい対応電圧に比例した電荷Ｑｔｈ（電荷Ｑ＝静電容量Ｃ×電圧）を保持する。

このようにして、保持コンデンサＣｓでは保持する電圧が閾値電圧Ｖｔｈに対応した対応電圧となるＶｔｈ補償動作が行われる。

そして、Ｖｔｈ補償動作が終了、すなわち画素部１０のＶｔｈ検出期間Ｔ２０が終了した時刻ｔ１８において、マージ信号Ｍｅｒｇｅをローレベルに戻して、分離トランジスタＴ４をオフ状態とする。

ここで、Ｖｔｈ補償動作では、保持コンデンサＣｓが保持する電圧は、Ｖｔｈより小さい電圧に対応した電圧となる理由を説明する。

図７は、Ｖｔｈ検出後に保持コンデンサに保持される電圧を説明するための図である。ここで、図７（ａ）は駆動トランジスタＴ１と保持コンデンサＣｓとを抜粋して記載した図である。図７（ａ）では、Ｖｔｈ検出期間中、分離トランジスタＴ４はオン状態であるため、分離トランジスタＴ４の記載を省略している。保持コンデンサＣｓに印加される電圧は、駆動トランジスタＴ１のゲート及びソース間電圧であるため、Ｖｇｓとして説明する。

図７（ａ）に示す保持コンデンサＣｓに、例えば駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈより大きい電圧（ＶＡ）を印加したとする。すると、保持コンデンサＣｓは、保持する電荷を、駆動トランジスタＴ１のＴＦＴチャネルを通ってＶｄｄ側に放電する。そして、保持コンデンサＣｓの電極間電位が小さくすなわち保持コンデンサＣｓに印加される電圧Ｖｇｓが小さくなってくると、駆動トランジスタＴ１のＴＦＴチャネルを流れる電流が小さくなるため、放電に時間がかかる。

ここで、図７（ｂ）に示すように、駆動トランジスタＴ１が、閾値電圧Ｖｔｈ以下では電流が流れない理想的な場合では、保持コンデンサＣｓの電極間の電位がＶｔｈとなると、それ以上電流が流れない。そのため、保持コンデンサＣｓには、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈが維持される。

しかしながら、実際には駆動トランジスタＴ１が有するＴＦＴの特性にばらつきがある。そのため、図７（ｃ）に示すように、駆動トランジスタＴ１は、閾値電圧Ｖｔｈ以下でも微小な電流が流れるため、保持コンデンサＣｓには、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈ以下の電圧が保持されることになる。つまり、駆動トランジスタＴ１は、実際には図７（ｄ）に示すように、電圧Ｖｔｈ以下で指数関数的に減少するように電流が流れる。そのため、保持コンデンサＣｓには、ある設定時間に対応して、Ｖｔｈ以下の電位が保持されることになる。

したがって、Ｖｔｈ補償動作では、保持コンデンサＣｓが保持する電圧は、Ｖｔｈより小さい電圧に対応した対応電圧となる。つまり、保持コンデンサＣｓが保持する電圧は、閾値電圧に対応する対応電圧を保持することになる。ここで、上述したように、閾値電圧に対応する対応電圧とは、電圧値が駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈの電圧値に比例し、且つ、閾値電圧Ｖｔｈの電圧値よりも小さい電圧である。これらを含めて、対応電圧と記載している。

（読み出し期間Ｔ３０）
図８は、本発明の実施の形態における画素部の読み出し期間Ｔ３０における動作を説明するための図である。

まず、Ｖｔｈ検出期間Ｔ２０後、分離トランジスタＴ４がオフ状態とされたので、保持コンデンサＣｓは、電荷Ｑｔｈすなわち、ｂ点及びｃ点の間の電位差に応じた電荷Ｑｔｈを保持している。

次に、読み出し期間Ｔ３０の最初の時刻ｔ１９において、走査線２１に供給される走査信号ｓｃａｎをハイレベルとして、スイッチングトランジスタＴ２をオン状態とする。すると、保持コンデンサＣｓの第２電極（ｂ点）とデータ線２０とが接続され、保持コンデンサＣｓが保持している電荷Ｑｔｈが、データ線２０と、データ線２０に接続されている入出力端子１３を介してアレイテスタ２００（電流測定部２２１）により読み出される。

具体的には、アレイテスタ２００（電流測定部２２１）は、入出力端子１３を介して、電流の総和を測定することで、保持コンデンサＣｓが保持している電荷量Ｑｔｈを読み出す。

これは、コンデンサにおいて、電荷量Ｑ＝電流ｉ×時間ｔの関係式があるからである。

このようにして、保持コンデンサＣｓに保持されている電荷を読み出す動作が行われる。つまり、保持コンデンサＣｓに閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を保持させた後、スイッチングトランジスタＴ２をオンして、対応電圧に対応する電流を保持コンデンサＣｓの第２電極からデータ線２０に流し、データ線２０に流した電流をアレイテスタ２００（電流測定部２２１）で測定する。それにより保持コンデンサＣｓに保持されている対応電圧を読み出す動作が行われる。

そして、この読み出し期間Ｔ３０が終了した時刻ｔ２１において、走査信号Ｓｃａｎをローレベルに戻して、スイッチングトランジスタＴ２をオフ状態とする。

なお、アレイテスタ２００（電流測定部２２１）は、複数の画素部１０それぞれに属する保持コンデンサＣｓが保持している電荷量Ｑｔｈを、各データ線２０から並行して読み出す。

以上のようにして、アレイテスタ２００は、画素部１０に属する保持コンデンサＣｓが保持している電荷量Ｑｔｈを測定する。

そして、アレイテスタ２００では、電流測定部２２１により読み出された保持電荷Ｑｔｈから画素部１０に属する駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈ（Ｖｔｈ以下の対応電圧を含む）を算出し、通信部２２２により記憶部４３に送信され、第１の補正パラメータとして格納される。

ここで、画素Ｖｔｈは、電荷量Ｑ＝静電容量Ｃ×電圧Ｖで示されるコンデンサの関係式により算出される。すなわち、保持コンデンサＣｓが保持している電荷量Ｑｔｈから、保持コンデンサＣｓの静電容量を除算することにより、保持コンデンサＣｓが保持していた駆動トランジスタＴ１のＶｔｈ（Ｖｔｈ以下の対応電圧も含む）が算出できる。

このようにして、アレイテスタ２００は、複数の画素部１０それぞれに属する駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈ（Ｖｔｈ以下の対応電圧も含む）を測定することができる。そして、アレイテスタ２００は、測定した駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈ（Ｖｔｈ以下の対応電圧も含む）を、第１の補正パラメータとして、記憶部４３に格納することができる。

上述した測定手順すなわち第１の補正パラメータ算出処理の流れについて、図を用いて説明する。図９は、第１の補正パラメータ算出処理を説明するためのフローチャートである。

まず、電圧駆動の駆動トランジスタＴ１と駆動トランジスタＴ１のゲート電極に第１電極が接続され、駆動トランジスタＴ１のソース電極に第２電極が接続された保持コンデンサＣｓとを含む画素部１０を複数備えた回路基板を準備する（Ｓ１１）。

次に、対象となる画素部１０に含まれる保持コンデンサＣｓに駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する対応電圧を保持させ、保持コンデンサＣｓに保持された対応電圧を対象となる画素部１０からアレイテスタ２００を用いて読み出す（Ｓ１２）。なお、アレイテスタ２００は、保持コンデンサＣｓに保持された電荷Ｑｔｈを読み出し、読み出した電荷Ｑｔｈから閾値電圧Ｖｔｈを算出するが、これを保持コンデンサＣｓに保持された対応電圧を対象となる画素部１０からアレイテスタ２００を用いて読み出すと表現している。

次に、アレイテスタ２００は、読み出した対応電圧を、対象となる画素部１０の第１の補正パラメータとして表示パネル１００に用いられる所定の記憶部４３に格納する（Ｓ１３）。

以上のようにして、第１の補正パラメータ算出処理（Ｓ１）は行われ、第１の補正パラメータが記憶部４３に格納される。

なお、以上の第１の補正パラメータ算出処理は、各画素部１０について行われる。そして、アレイテスタ２００は、各画素部１０に対応させて第１の補正パラメータを記憶部４３に格納する。

そして、記憶部４３に格納された第１の補正パラメータを、各画素部１０に供給される映像信号に対応する有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度を所定の基準輝度に補正するためのオフセットとして用いる。それにより、各画素部１０に供給される映像信号に対応する有機ＥＬ素子Ｄ１の輝度を所定の基準輝度に補正するための第２の補正パラメータとしてのゲインを求めるために各画素の輝度測定を測定する回数を少なくことができる。

また、上述したように、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する電圧は、その電圧値が閾値電圧の電圧値に比例し、かつ、閾値電圧の電圧値よりも小さい電圧である。このように、読み出す電圧の値を駆動トランジスタＴ１の閾値電圧の値ではなく、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧の値よりも小さな電圧値である場合には、代表電圧−輝度特性の低階調域が閾値電圧よりも小さい電圧領域に対応する。そして、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧の電圧値よりも小さい値の電圧を読み出して第１の補正パラメータ（オフセット）として用いることで、代表電圧−輝度特性の低階調域での補正精度を高めるという効果を奏する。

以下、第１の補正パラメータ（オフセット）を用いて、第２の補正パラメータであるゲインを求める方法について説明する。

図１０は、表示パネルの輝度測定時の輝度測定システムの構成を示す図である。

表示パネル１００の輝度測定は、準備された表示パネル１００（有機ＥＬ表示装置４０が有する表示パネル１００）に対して測定装置６０を用いて行われる。そして、このシステム構成では、後述するように、輝度測定時間を短縮しつつ、表示パネル１００の輝度ムラを低減することができる。

図１０に示す輝度測定システムは、有機ＥＬ表示装置４０と、補正パラメータ決定装置５０と、測定装置６０とを備え、有機ＥＬ表示装置４０の表示パネル１００の輝度測定を行い、第２の補正パラメータであるゲインを求めるためのものである。

有機ＥＬ表示装置４０は、制御回路４１と、表示パネル１００とを備える。

表示パネル１００は、上述したように表示部１０５、走査線駆動回路１１及びデータ線駆動回路１２を備えており、走査線駆動回路１１及びデータ線駆動回路１２に入力される制御回路４１からの信号に基づき、映像を表示部１０５に表示する。

制御回路４１は、制御部４２と、記憶部４３とを備え、表示パネル１００に表示するための映像信号を供給し、走査線駆動回路１１、及びデータ線駆動回路１２の制御を行って表示パネル１００に映像を表示させる機能を有する。具体的には、制御回路４１は、測定制御部５１からの指示により、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０を発光させる。また、制御回路４１は、補正パラメータ算出部５２が算出した画素部１０ごとの第２の補正パラメータ（ゲイン）を、さらに記憶部４３に書き込む。

図１１は、本実施の形態に係る記憶部が保持する補正パラメータテーブルの一例を示す図である。図１２は、本実施の形態に係る制御回路の機能構成図の一例を示す図である。

記憶部４３は、外部から入力される映像信号を、複数の画素部１０の各々の特性に応じて補正するための補正パラメータを複数の画素部１０の各々について記憶する。具体的には、記憶部４３は、画素部１０ごとの第１の補正パラメータ及び第２の補正パラメータを含む補正パラメータテーブル４３ａを記憶している。

補正パラメータテーブル４３ａは、図１１に示すように、画素部１０ごとの第１の補正パラメータ（オフセット）及び第２の補正パラメータ（ゲイン）で構成される補正パラメータを含むデータテーブルである。図１１では、第１の補正パラメータは、オフセットＯＳ１１〜オフセットＯＳｍｎで示されている。第２の補正パラメータは、ゲインＧ１１〜ゲインＧｍｎで示され、つまり、補正パラメータテーブル４３ａは、表示部１０５（ｍ行×ｎ列）のマトリクスに対応して、画素部１０ごとに（ゲイン、オフセット）で構成される補正パラメータを格納している。

ここで、すなわち表示パネル１００の輝度測定時には、上述した第１の補正パラメータ算出処理（Ｓ１）が既に行われており、第１の補正パラメータ（オフセット）が記憶部４３に格納されている。その状態で、表示パネルを輝度測定することにより第２の補正パラメータを算出する。そのため、図１２に示すように補正パラメータテーブル４３ａには、第２の補正パラメータであるゲインを便宜上「１」として、すなわち（１、ＯＳ１１）〜（１、ＯＳｍｎ）として格納されている。

制御部４２は、乗算部４２１と、加算部４２２とを備える。制御部４２は、複数の画素部１０の各々に対応する補正パラメータを記憶部４３から読み出し、読み出した補正パラメータを複数の画素部１０の各々に対応する映像信号に演算して補正信号電圧を得る。そして、制御部４２は、演算して得た補正信号電圧を表示パネル１００に出力することで、表示パネル１００に映像が表示される。

具体的には、制御部４２は、表示パネル１００の輝度測定時には、複数の画素部１０の各々に対応した補正パラメータであって第２の補正パラメータであるゲインを、便宜上「１」とされた（１、ＯＳ１１）〜（１、ＯＳｍｎ）を、記憶部４３の補正パラメータテーブル４３ａから読み出す。そして、読み出した第２の補正パラメータ（ゲイン）に従って、複数の画素部１０の各々に対応する信号電圧（Ｖｄａｔａ）に１倍（ゲイン値）を乗算する。乗算後の信号電圧１×Ｖｄａｔａに、既に格納されている複数の画素部１０の各々に対応するＯＳ（オフセット値）を加算することにより補正信号電圧を得る。

測定装置６０は、表示パネル１００が有する複数の画素部１０から発光される輝度を測定することができる測定装置である。具体的には、測定装置６０は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサなどのイメージセンサであり、１回の撮像で、表示パネル１００の表示部１０５が有する全ての画素部１０の輝度を高精度で測定することができる。なお、測定装置６０は、イメージセンサに限定されず、表示部１０５の画素部１０の輝度を測定することができるのであればどのような測定装置であってもよい。

補正パラメータ決定装置５０は、測定制御部５１及び補正パラメータ算出部５２を備える。補正パラメータ決定装置５０は、測定装置６０が測定した各画素部１０の輝度に基づき、表示パネル１００の表示部１０５が有する複数の画素部１０の輝度が基準輝度となるように補正する第２の補正パラメータ（ゲイン）を決定する装置である。また、補正パラメータ決定装置５０は、決定した第２の補正パラメータ（ゲイン）を有機ＥＬ表示装置４０の制御回路４１に出力する。ここで、基準輝度は、代表電圧−輝度特性を表す関数に所定の電圧を入力した場合に得られる輝度である。

測定制御部５１は、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０から発光される輝度を測定する処理部である。

具体的には、測定制御部５１は、まず、表示パネル１００に含まれる１以上の画素部１０に共通する代表電圧−輝度特性を表す関数を取得する。ここで、代表電圧−輝度特性は、輝度を均一化するための基準となる電圧−輝度特性である。例えば、この代表電圧−輝度特性は、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０のうちの所定の一の画素部１０についての電圧−輝度特性である。また、例えば、この代表電圧−輝度特性は、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０のうちの２以上の画素部１０についての電圧−輝度特性を平均化した電圧−輝度特性である。なお、この場合、表示パネル１００に含まれる各画素部１０の輝度が、表示パネル１００全体に共通する代表電圧−輝度特性となるように補正パラメータを求めるので、この補正パラメータを用いて映像信号を補正した場合、各画素部１０から発光される光の輝度を均一にできるという効果を奏する。また、代表電圧−輝度特性を表す関数とは、駆動トランジスタＴ１に供給される信号電圧と、有機ＥＬ素子Ｄ１により対象の画素部１０から発光される輝度との関係を表す関数である。なお、代表電圧−輝度特性を表す関数は、別途の測定等により予め定められているとしている。

また、測定制御部５１は、制御回路４１に、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０を発光させ、当該複数の画素部１０から発光される輝度を、測定装置６０に測定させることで、当該輝度を取得する。

具体的には、測定制御部５１は、当該代表電圧−輝度特性の中階調域及び高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧に対象となる画素部１０の第１の補正パラメータを加算して得た所定の信号電圧を、複数の画素部１０の各々に含まれる駆動素子である駆動トランジスタＴ１に印加し、複数の画素部１０から発光される輝度を、測定装置６０を用いて測定することで、当該輝度を取得する。

ここで、測定制御部５１が、当該代表電圧−輝度特性の中階調域及び高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧を測定する理由について説明する。図１３は、所定の画素部における電圧−輝度特性と、代表電圧−輝度特性とを示す図である。図１３（ａ）は、所定の画素部１０における電圧−輝度特性を示しており、図１３（ｂ）は、所定の画素部１０において、上述した第１の補正パラメータ算出処理（Ｓ１）により算出された駆動トランジスタＴ１の閾値電圧Ｖｔｈに対応する対応電圧を第１の補正パラメータ（オフセット）として加算された場合の電圧−輝度特性を示している。

図１３（ｂ）に示されるように、第１の補正パラメータ（オフセット）が加算された場合、代表電圧−輝度特性の低階調域では、所定の画素部１０における電圧−輝度特性と代表電圧−輝度特性とは近い特性を示している。つまり、複数の画素部１０の電圧−輝度特性は、第１の補正パラメータ（オフセット）を加算した電圧で、輝度を表示することで低階調域を代表電圧−輝度特性に合わせた状態である。一方、代表電圧−輝度特性の高輝度域では、所定の画素部１０における電圧−輝度特性と代表電圧−輝度特性とは、近い特性を示していない。つまり、代表電圧−輝度特性の高輝度域では、両者の特性にギャップがあり、合っていない状態である。

したがって、代表電圧−輝度特性の領域のうち、低階調域に属する１階調に対応する信号電圧を測定しても、近い特性を示しているので効果は薄い。しかし、測定制御部５１が、代表電圧−輝度特性の領域のうち、中階調域及び高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧を測定し、ゲインを算出する方が効果的である。つまり、代表電圧−輝度特性において、高低階調域のゲインを求めるだけで、低階調域だけでなく高低階調域でも特性を近づけることができるため効果的である。

補正パラメータ算出部５２は、測定制御部５１が取得した輝度と、代表電圧−輝度特性を表す関数とを用いて、対象となる画素について第２の補正パラメータ（ゲイン）を算出する。補正パラメータ算出部５２は、算出した第２の補正パラメータ（ゲイン）を制御回路４１に出力する。そして、制御回路４１は、その第２の補正パラメータ（ゲイン）を記憶部４３に記憶する。

具体的には、補正パラメータ算出部５２は、測定制御部５１が取得した輝度、すなわち対象となる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、代表電圧−輝度特性を表す関数に所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度となる場合の電圧を演算にて求め、当該所定の電圧と、演算にて求めた電圧との比を示す第２の補正パラメータ（ゲイン）を算出する。つまり、第２の補正パラメータ（ゲイン）は、対象となる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度を代表電圧−輝度特性を表す関数に入力した場合に得られる電圧に対する、所定の信号電圧の比である。

なお、第２の補正パラメータ（ゲイン）は、対象となる画素部１０を所定の電圧で発光させたときの輝度と、所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度（基準輝度）との比として算出されてもよい。

また、補正パラメータ算出部５２は、有機ＥＬ素子Ｄ１が発光する赤色、緑色、及び青色の各色について、第２の補正パラメータを求める。

ここで、代表電圧−輝度特性、高階調域及び低階調域について、説明する。

図１４は、本実施の形態に係る代表電圧−輝度特性、高階調域及び低階調域を説明するための図である。

図１４（ａ）に示すように、代表電圧−輝度特性は、画素部１０から発光される輝度が、駆動トランジスタＴ１に供給される電圧のγ乗（例えば、γ＝２．２）に比例する曲線で示される特性である。

そして、表示パネル１００に含まれる各画素部１０は、それぞれ異なる電圧−輝度特性を有している。このため、本実施の形態では、代表電圧−輝度特性は、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０のうちの任意の一画素についての電圧−輝度特性であることとする。これにより、容易に、代表電圧−輝度特性を表す関数を取得することができる。

なお、代表電圧−輝度特性は、複数の画素部１０を含む表示パネル１００全体に共通して設定される特性であって、表示パネル１００に含まれる各画素部１０の電圧−輝度特性を平均化した特性であることにしてもよい。この場合、表示パネル１００に含まれる各画素１０の輝度が、表示パネル１００全体に共通する代表電圧−輝度特性となるように補正パラメータを求めるので、この補正パラメータを用いて映像信号を補正した場合、各画素１０から発光される光の輝度を均一にできる。

また、図１４（ｂ）は、人間の視感度に応じた代表電圧−輝度特性を示している。つまり、人間の目はＬＯＧ関数に近い感度を有しているため、人間の視感度に応じた代表電圧−輝度特性は、輝度がＬＯＧ関数の曲線で示される特性となる。

このため、人間の目は、高階調では輝度ムラを認識し難く、低階調では輝度ムラを認識し易いことから、人間の視感度に合わせるには、高階調域の幅を大きく、低階調域の幅を小さく設定しておくことが好ましい。

したがって、代表電圧−輝度特性の高階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、好ましくは、各画素部１０で表示可能な最大階調の２０％以上１００％以下の階調に対応する電圧であり、さらに好ましくは、最大階調の３０％の階調に対応する電圧である。なぜなら、高階調域における補正誤差を最も抑制できるからである。

また、代表電圧−輝度特性の中階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、好ましくは、各画素部１０で表示可能な最大階調の１０％以上２０％以下の階調に対応する電圧である。

なお、代表電圧−輝度特性の低階調域に属する１階調とは、好ましくは、各画素部１０で表示可能な最大階調の０％以上１０％以下の階調である。また、各画素部１０で発光される最大階調の０．２％以下の階調は人間の目では視認できないため、代表電圧−輝度特性の低階調域に属する１階調は、さらに好ましくは、最大階調の０．２％以上１０％以下の階調である。

次に、第２の補正パラメータ算出処理の流れ（測定手順）について、図を用いて説明する。図１５は、本実施の形態に係る輝度測定システムにおいて第２の補正パラメータを算出する動作の一例を示すフローチャートである。図１６は、Ｓ２４を概念的に説明するための図であり、図１７は、Ｓ２６を概念的に説明するための図である。

まず、上述の回路基板を備え、当該回路基板に含まれる画素部１０がその駆動トランジスタＴ１の駆動電流により発光する有機ＥＬ素子Ｄ１を有する表示パネル１００（有機ＥＬ表示装置４０）が準備される（Ｓ２１）。

次に、測定制御部５１は、表示パネル１００に含まれる１以上の画素部１０に共通する代表電圧−輝度特性を表す関数を取得する（Ｓ２２）。

次に、測定制御部５１は、制御回路４１に、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０に、代表電圧−輝度特性の中階調域から高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧を印加させる。制御回路４１において、制御部４２は、その信号電圧に対象となる画素部１０の第１の補正パラメータ（オフセット）を記憶部４３より取得し、加算して所定の信号電圧を得る（Ｓ２４）。なお、これは、図１６に示すように、第１の補正パラメータ（オフセット）を加算した所定の信号電圧で、対象となる複数の画素部１０の輝度を表示すると、その電圧−輝度特性は、低階調域において代表電圧−輝度特性と合わせた状態で表示することができるためである。

そして、制御回路４１は、当該所定の信号電圧を対象となる画素部１０に含まれる駆動トランジスタＴ１に印加する。

次に、測定制御部５１は、表示パネル１００に含まれる対象となる画素部１０から発光される輝度を、測定装置６０を用いて測定して取得する（Ｓ２５）。つまり、測定制御部５１は、制御回路４１に、複数の画素部１０の各々に含まれる駆動トランジスタＴ１に、第１の補正パラメータ（オフセット）が加算された所定の信号電圧を印加させ、複数の画素部１０から発光される輝度を、測定装置６０に測定させることで、当該輝度を取得する。

次に、補正パラメータ算出部５２は、測定制御部５１が取得した輝度と代表電圧−輝度特性を表す関数とを用いて、第２の補正パラメータ（ゲイン）を算出する（Ｓ２６）。具体的には、補正パラメータ算出部５２は、Ｓ２５で測定され取得された対象となる画素部１０の輝度が、代表電圧−輝度特性に所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度となるような第２の補正パラメータを求める。ここで、例えば図１７に示すように、対象となる複数の画素部１０の低階調域では、代表電圧−輝度特性と合っているが、中階調域から高階調域では、合っていない。そのため、代表電圧−輝度特性の中階調域から高階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧（図中のＶ２）において、対象となる複数の画素部１０の輝度と、代表電圧−輝度特性とにおける輝度との比である輝度比から第２の補正パラメータ（ゲイン）を算出する。なお、補正パラメータ算出部５２が第２の補正パラメータを算出する処理の詳細については、後述する。

そして、補正パラメータ算出部５２は、算出した第２の補正パラメータ（ゲイン）を対象となる画素部１０に対応付けて記憶部４３に格納する（Ｓ２７）。具体的には、補正パラメータ算出部５２は、算出した第２の補正パラメータ（ゲイン）を対象となる画素部１０に対応付けて制御回路４１に送信し、制御回路４１は、受信した第２の補正パラメータを記憶部４３に格納する。

以上のようにして、輝度測定システムにおいて第２の補正パラメータを算出する第２の補正パラメータ算出処理（Ｓ２）は行われる。

なお、以上の処理は、有機ＥＬ素子Ｄ１が発光する赤色、緑色、及び青色の各色について行われる。つまり、測定制御部５１は、当該赤色、緑色、及び青色の各色について、複数の画素部１０の所定の電圧での輝度を測定し、取得する。そして、補正パラメータ算出部５２は、当該赤色、緑色、及び青色の各色について、第２の補正パラメータを求める。そして、補正パラメータ算出部５２は、当該赤色、緑色、及び青色の各色について、算出した第２の補正パラメータを制御回路４１に出力し、制御回路４１に、当該第２の補正パラメータを記憶部４３に書き込ませる。これにより、赤色、緑色、及び青色の各色について、輝度が均一になるように補正を行うことができる。

また、補正パラメータが記憶部４３に書き込まれた有機ＥＬ表示装置４０では、制御回路４１は、外部から入力された映像信号に対して記憶部４３から複数の画素部１０の各々に対応する補正パラメータを読み出して、複数の画素部１０の各々に対応する映像信号を補正する。そして、制御回路４１は、補正した映像信号に基づいて、走査線駆動回路１１とデータ線駆動回路１２とを制御し、表示パネル１００に映像を表示させる。

図１８は、本実施の形態に係る補正パラメータ算出部５２が第２の補正パラメータを算出する処理を説明するための図である。なお、図１８に示した曲線Ａは、代表電圧−輝度特性を示すグラフであり、曲線Ｂは、対象となる画素部１０の電圧−輝度特性を示すグラフである。

補正パラメータ算出部５２は、対象となる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、代表電圧−輝度特性を表す関数に所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度（基準輝度）となるような第２の補正パラメータを、対象となる画素部１０について求める。つまり、補正パラメータ算出部５２は、図１８に示すように、対象となる画素部１０についての電圧−輝度特性を示す曲線Ｂが、代表電圧−輝度特性を示す曲線Ａに近付くように補正する第２の補正パラメータであるゲインを算出する。

具体的には、まず、補正パラメータ算出部５２は、代表電圧−輝度特性を表す関数に対象となる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度を入力した場合に得られる電圧であるゲイン算出用電圧を算出する。補正パラメータ算出部５２は、図１８に示すように、対象となる画素部１０を所定の信号電圧Ｖｄａｔａ＿ｈで発光させたときの輝度Ｌｈを、曲線Ａに入力した場合に得られる電圧であるゲイン算出用電圧Ｖｄａｔａ＿ｈｋを算出する。

次に、補正パラメータ算出部５２は、所定の信号電圧とゲイン算出用電圧とを用いて、第２の補正パラメータとしてゲインを算出する。具体的には、補正パラメータ算出部５２は、所定の信号電圧Ｖｄａｔａ＿ｈとゲイン算出用電圧Ｖｄａｔａ＿ｈｋとを用いて、以下の式により、ゲインＧを算出する。

ΔＶｈ＝Ｖｄａｔａ＿ｈｋ−Ｖｄａｔａ＿ｈ （式１）
Ｇ＝｛１−ΔＶｈ／（Ｖｄａｔａ＿ｈ＋ΔＶｈ）｝ （式２）

つまり、ゲインＧは、所定の信号電圧Ｖｄａｔａ＿ｈのゲイン算出用電圧Ｖｄａｔａ＿ｈｋに対する比を示した数値である。

なお、補正パラメータ算出部５２は、上記以外の方法でゲインＧを算出してもよく、例えば、図１８に示された輝度Ｌｈと第１の基準輝度との輝度差ΔＬｈと、曲線Ａの傾きｍｈとを用いて、ΔＶｈを算出することにより、ゲインＧを算出することにしてもよい。

そして、補正パラメータ算出部５２は、第２の補正パラメータであるゲインを有機ＥＬ表示装置４０が有する記憶部４３に記憶させる。具体的には、補正パラメータ算出部５２は、第２の補正パラメータを制御回路４１に出力することで、制御回路４１に第２の補正パラメータを記憶部４３に書き込ませ、補正パラメータテーブル４３ａを更新させる。

以上により、補正パラメータ算出部５２が第１の補正パラメータを算出する処理（図１５のＳ２６）は、終了する。

以上、本発明によれば、図１９に示すように、上述した第１の補正パラメータ算出処理（Ｓ１）と、第２の補正パラメータ算出処理（Ｓ２）とを行うことにより、各画素の輝度測定を行ってから補正パラメータを求めるまでの測定タクトを短縮できる有機ＥＬ表示装置およびその表示方法を実現することができる。

このように、本発明に係る有機ＥＬ表示装置およびその表示方法によれば、まず、対象となる画素部１０に含まれる保持コンデンサＣｓに駆動トランジスタＴ１の閾値電圧を保持させ、保持コンデンサＣｓに保持された閾値電圧を、アレイテスタ２００を用いて求める。そして、求めた閾値電圧に対応する対応電圧を対象となる画素部１０の第１の補正パラメータとして表示パネル１００に用いられる所定の記憶部４３に格納する。上述の低階調側の輝度差は駆動トランジスタＴ１の閾値電圧のばらつきに影響しているものの、閾値電圧に対応する対応電圧をオフセット（第１の補正パラメータ）として用いることで、低階調域において各画素部１０から発光される輝度を代表電圧−輝度特性に一致させることができる。次に、中階調域又は高階調域に属する１階調に対応する信号電圧に第1の補正パラメータを加算した所定の電圧を求め、所定の電圧を対象となる画素部１０に含まれる駆動トランジスタＴ１に印加して１回目の輝度測定を行う。即ち、駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する対応電圧である第１の補正パラメータを、中階調域又は高階調域に属する１階調に対応する信号電圧に加算することにより、低階調域の輝度を代表電圧−輝度特性に一致させた状態で中階調域又は高階調域における輝度測定を行うことができる。そして対象となる画素部１０の輝度が、代表電圧−輝度特性を表す関数に前記所定の電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを対象となる画素部１０について求める。

したがって、上述のように駆動トランジスタＴ１の閾値電圧に対応する対応電圧を読み出して第１の補正パラメータとして用い、低階調域の輝度を代表電圧−輝度特性に一致させた状態で、高階調域における各画素部１０の輝度を代表電圧−輝度特性が示す輝度に一致させる。それにより、低階調域に属する所定の１階調及び他の階調域に属する所定の１階調の２階調での発光輝度を代表電圧−輝度特性に一致させることができる。その結果、人間の目で認識される表示パネル１００の輝度ムラを抑制することができるとともに、輝度測定を行う１階調を任意に選択することができるので、低階調域以外の所望の階調域の度ムラも抑制することができる。

また、１回の測定で第１の補正パラメータ（オフセット）を求めることができ、且つ、１回の輝度測定で第２の補正パラメータ（ゲイン）を求めることができるので、合計２回の測定で第１の補正パラメータ及び第２の補正パラメータを求めることができる。その結果、各画素部１０の輝度測定を行ってから補正パラメータ（ゲイン、オフセット）を求めるまでの測定タクトを短縮できるという効果を奏する。

（変形例）
上記実施の形態では、表示パネル１００に含まれる複数の画素部１０について、第２の補正パラメータ（ゲイン）を決定することとしたがそれに限らない。表示パネル１００を複数の分割領域に分割し、当該分割領域ごとに、第２の補正パラメータを決定するとしてもよい。

図２０は、本実施の形態の変形例に係る表示パネルの輝度測定時の輝度測定システムの構成を示す図である。なお、制御回路４１、表示パネル１００及び測定装置６０は、図１０に示された制御回路４１、表示パネル１００及び測定装置６０と同じ機能を有するため、詳細な説明は省略する。

補正パラメータ決定装置５０は、測定制御部５１及び補正パラメータ算出部５２の他に、領域分割部５３を備える。

領域分割部５３は、表示パネル１００を複数の分割領域に分割し、当該分割領域ごとに処理を行うよう、測定制御部５１及び補正パラメータ算出部５２に指示を与える。

測定制御部５１は、領域分割部の指示に従い、当該分割領域ごとに、複数の分割領域の各々に含まれる複数の画素部１０に共通する代表電圧−輝度特性を表す関数を取得する。

補正パラメータ算出部５２は、領域分割部５３の指示に従い、測定制御部５１が測定した所定の分割領域に含まれる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、当該所定の分割領域の代表電圧−輝度特性を表す関数に所定の信号電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを求める。また、補正パラメータ算出部５２は、領域分割部５３の指示に従い、測定制御部５１が測定した所定の分割領域に含まれる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、当該所定の分割領域の代表電圧−輝度特性を表す関数に所定の信号電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを求める。

図２１は、本実施の形態の変形例に係る補正パラメータ決定装置５０が補正パラメータを決定する動作の一例を示すフローチャートである。

まず、表示パネル１００（有機ＥＬ表示装置４０）が準備される（Ｓ３１）。なお、詳細は、図１５のＳ２１と同様であるので、説明を省略する。

次に、領域分割部５３は、表示パネル１００を複数の分割領域に分割する（Ｓ３２）。ここで、この領域分割部が分割する分割領域の数は特に限定されないが、例えば、領域分割部は、表示パネル１００を縦１６個×横２６個の分割領域に分割する。

次に、測定制御部５１は、分割領域毎に、複数の分割領域の各々に含まれる複数の画素部に共通する代表電圧−輝度特性を表す関数を取得する（Ｓ３３）。

次に、測定制御部５１は、所定の信号電圧を得る（Ｓ３４）。なお、詳細は、Ｓ２４と同様であるので、説明を省略する。

次に、測定制御部５１は、全ての分割領域に含まれる複数の画素部１０の所定の信号電圧での輝度を測定装置６０を用いて測定し、取得する（Ｓ３５）。ここで、測定制御部５１は、全ての分割領域に含まれる複数の画素部１０を所定の信号電圧で同時に発光させることで、当該複数の画素部１０の輝度を同時に取得する。

次に、補正パラメータ算出部５２は、全ての分割領域に含まれる複数の画素部１０について、第２の補正パラメータ（ゲイン）を算出する（Ｓ３６）。このように、対象となる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、対象となる画素部１０を含む分割領域の代表電圧−輝度特性に所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度となるような第２の補正パラメータを対象となる画素部１０について算出する。

そして、補正パラメータ算出部５２は、算出した第２の補正パラメータ（ゲイン）を対象となる画素部１０に対応付けて記憶部４３に格納する（Ｓ３７）。

このように、表示パネル１００を複数の分割領域に分割し、分割領域毎に、複数の分割領域の各々に含まれる画素部１０に共通する代表電圧−輝度特性を設定する。そして、対象となる画素部１０を所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、対象となる画素部１０を含む分割領域の代表電圧−輝度特性を表す関数に所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度となるように第２の補正パラメータを求める。これにより、例えば、隣接画素間の輝度変化が激しいために輝度ムラが発生している領域のみを補正することができるので、当該隣接画素間の輝度変化が滑らかになるような第２の補正パラメータを求めることができる。

以上、本発明の有機ＥＬ表示装置の表示方法および有機ＥＬ表示装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。

本発明は、特に有機ＥＬ表示装置を内蔵する有機ＥＬフラットパネルディスプレイの製造方法に有用であり、測定時間を短縮しつつ、表示パネルの輝度ムラを低減することができる有機ＥＬ表示装置の製造方法等として用いるのに最適である。

１０ 画素部
１１ 走査線駆動回路
１２ データ線駆動回路
１３ 入出力端子
２０ データ線
２１ 走査線
２３ マージ線
２４ 高電圧側電源線
２５ 低電圧側電源線
２６ 基準電圧電源線
２７ リセット線
４０ 有機ＥＬ表示装置
４１ 制御回路
４２ 制御部
４３ 記憶部
４３ａ 補正パラメータテーブル
５０ 補正パラメータ決定装置
５１ 測定制御部
５２ 補正パラメータ算出部
５３ 領域分割部
６０ 測定装置
１００ 表示パネル
１０５ 表示部
２００ アレイテスタ
２２１ 電流測定部
２２２ 通信部
４２１ 乗算部
４２２ 加算部

Claims (16)

1. 表示パネルを備え、前記表示パネルに用いられる所定の記憶部に補正パラメータを格納する有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
   電圧駆動の駆動素子と、前記駆動素子のゲート電極に第１電極が接続され前記駆動素子のソース電極に第２電極が接続されたコンデンサとを含む画素部を複数備えた回路基板を準備する第１ステップと、
   対象となる画素部に含まれるコンデンサに前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧を保持させ、前記コンデンサに保持された前記対応電圧を前記対象となる画素部から第１の測定装置を用いて読み出す第２ステップと、
   前記読み出した対応電圧を前記対象となる画素部の第１の補正パラメータとして前記表示パネルに用いられる前記所定の記憶部に前記第１の測定装置を用いて格納する第３ステップと、
   前記回路基板を備え、前記回路基板に含まれる各画素部が前記駆動素子の駆動電流により発光する発光素子を有する前記表示パネルを準備する第４ステップと、
   前記表示パネルに含まれる１以上の画素部に共通する代表電圧−輝度特性を取得する第５ステップと、
   前記代表電圧−輝度特性の第１階調域及び第２階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧に前記対象となる画素部の前記第１の補正パラメータを加算して所定の信号電圧を得る第６ステップと、
   前記所定の信号電圧を、前記対象となる画素部に含まれる駆動素子に印加して、前記対象となる画素部から発光される輝度を第２の測定装置を用いて測定する第７ステップと、
   前記第７ステップにおいて測定された前記対象となる画素部の輝度が、前記代表電圧−輝度特性に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを求める第８ステップと、
   前記求めた第２の補正パラメータを前記対象となる画素部に対応付けて前記所定の記憶部に格納する第９ステップと、を含み、
   前記第８ステップにおいて、前記対象となる画素部から発光される光の輝度が前記基準輝度となる場合の電圧を演算にて求め、
   前記第２の補正パラメータは、前記所定の信号電圧と、前記演算にて求められた電圧との比を示すゲインであり、
   前記第１階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、前記画素部で表示可能な最大階調の１０％以上２０％以下の階調に対応する電圧であり、
   前記第２階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、前記画素部で表示可能な最大階調の２０％以上１００％以下の階調に対応する電圧である、
   有機ＥＬ表示装置の製造方法。
2. 前記コンデンサの第２電極は前記駆動素子のソース電極に接続され、
   前記複数の画素部の各々は、さらに、
   前記駆動素子のドレイン電極の電位を決定するための第１電源線と、
   前記発光素子の第２電極に接続された第２電源線と、
   前記コンデンサの第１電極の電圧値を規定する第１の基準電圧を供給する第３電源線と、
   信号電圧を供給するためのデータ線と、
   前記コンデンサの第１電極と前記第３電源線との導通及び非導通を切り換える第１スイッチング素子と、
   一方の端子が前記データ線に接続され、他方の端子が前記コンデンサの第２電極に接続され、前記データ線と前記コンデンサの第２電極との導通及び非導通を切り換える第２スイッチング素子と、
   一方の端子が前記駆動素子のソース電極に接続され、他方の端子が前記第１コンデンサの第２電極に接続され、前記駆動素子のソース電極と前記第１コンデンサの第２電極との導通及び非導通を切り換える第３スイッチング素子と、を備え、
   前記第２ステップにおいて、
   前記第１スイッチング素子をオン状態にして前記コンデンサの第１電極に前記第１の基準電圧を印加しつつ、前記第２スイッチング素子をオン状態にして前記データ線から前記第１の基準電圧から前記駆動素子の閾値電圧を差し引いた値より低い第２の基準電圧を印加することで、前記駆動素子の閾値電圧より大きな電位差を前記コンデンサに生じさせ、
   前記コンデンサの電位差が前記駆動素子の閾値電圧に到達して前記駆動素子がオフ状態となるまでの時間を経過させることで、前記閾値電圧に対応する対応電圧を前記コンデンサに保持させる、
   請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
3. 前記第１電源線と前記第３電源線とは、共通の電源線である、
   請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
4. 前記第１ステップにおいて、
   前記回路基板に代えて、前記第４ステップで用いる前記表示パネルを準備する、
   請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
5. 前記第２ステップにおいて、
   前記コンデンサの第１電極に前記第１の基準電圧を印加しているときに、前記発光素子の第１電極及び第２電極の間の電位差が、前記発光素子が発光を開始する前記発光素子の閾値電圧より低い電圧となるように前記第１の基準電圧の電圧値を設定する、
   請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
6. 前記第２ステップにおいて、
   前記コンデンサに前記閾値電圧に対応する対応電圧を保持させた後、前記第２スイッチング素子をオンして、前記対応電圧に対応する電流を前記コンデンサの第２電極から前記データ線に流し、
   前記データ線に流した電流を前記第１の測定装置で測定することにより前記コンデンサに保持されている対応電圧を読み出す、
   請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
7. 前記閾値電圧に対応する対応電圧とは、その電圧値が前記閾値電圧の電圧値に比例し、且つ、前記閾値電圧の電圧値よりも小さい電圧である、
   請求項１〜請求項６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
8. 前記代表電圧−輝度特性の第２階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、各画素部で表示可能な最大階調の２０％以上１００％以下の階調に対応する電圧である、
   請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
9. 前記代表電圧−輝度特性の第２階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、各画素部で表示可能な最大階調の３０％の階調に対応する電圧である、
   請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
10. 前記代表電圧−輝度特性の第１階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、各画素部で表示可能な最大階調の１０％以上２０％以下の階調に対応する電圧である、
    請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
11. 前記代表電圧−輝度特性は、前記表示パネルに含まれる複数の画素部のうちの所定の一画素部についての電圧−輝度特性である、
    請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
12. 前記代表電圧−輝度特性は、前記表示パネルに含まれる複数の画素部のうちの２以上の画素部の電圧−輝度特性を平均化した特性である、
    請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
13. 前記第５ステップにおいて、前記表示パネルを複数の分割領域に分割し、前記分割領域毎に、前記複数の分割領域の各々に含まれる複数の画素部に共通する前記代表電圧−輝度特性を設定し、
    前記第８ステップにおいて、前記対象となる画素部を前記所定の信号電圧で発光させたときの輝度が、前記対象となる画素部を含む分割領域の代表電圧−輝度特性に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる基準輝度となるような第２の補正パラメータを前記対象となる画素部について求める、
    請求項１〜請求項１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
14. 前記第１の測定装置は、アレイテスタである、
    請求項１〜請求項１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
15. 前記第２の測定装置は、イメージセンサである、
    請求項１〜請求項１４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
16. 発光素子と、前記発光素子への電流の供給を制御する電圧駆動の駆動素子と、第１電極が前記駆動素子のゲート電極に接続され第２電極が前記駆動素子のソース電極及びドレイン電極の一方に接続されたコンデンサと、を含む画素を複数備えた表示パネルと、
    外部から入力される映像信号を、前記複数の画素部の各々の特性に応じて補正するための補正パラメータを前記複数の画素部の各々について記憶する記憶部と、
    前記複数の画素部の各々に対応する前記補正パラメータを前記記憶部から読み出し、前記読み出した補正パラメータを前記複数の画素部の各々に対応する映像信号に演算して補正信号電圧を得る制御部と、を備え、
    前記補正パラメータは、
    対象となる画素部に含まれるコンデンサに前記駆動素子の閾値電圧に対応する対応電圧を保持させ、前記コンデンサに保持された前記対応電圧を前記対象となる画素部から第１の測定装置を用いて読み出す第１ステップと、
    前記読み出した対応電圧を前記対象となる画素部の第１の補正パラメータとして前記記憶部に前記第１の測定装置を用いて格納する第２ステップと、
    前記表示パネルに含まれる１以上の画素部に共通する代表電圧−輝度特性を取得する第３ステップと、
    前記代表電圧−輝度特性の第１階調域から第２階調域のいずれかに属する１階調に対応する信号電圧に前記対象となる画素部の前記第１の補正パラメータを加算して所定の信号電圧を得る第４ステップと、
    前記所定の信号電圧を前記対象となる画素部に含まれる駆動素子に印加して前記対象となる画素部から発光される輝度を第２の測定装置を用いて測定する第５ステップと、
    前記第５ステップで測定された前記対象となる画素部の輝度が、前記代表電圧−輝度特性に前記所定の信号電圧を入力した場合に得られる輝度となるような第２の補正パラメータを求める第６ステップと、
    前記求めた第２の補正パラメータを前記対象となる画素部に対応付けて前記記憶部に格納する第７ステップと、により生成され、
    前記第６ステップにおいて、前記対象となる画素部から発光される光の輝度が前記基準輝度となる場合の電圧を演算にて求め、
    前記第２の補正パラメータは、前記所定の信号電圧と、前記演算にて求められた電圧との比を示すゲインであり、
    前記第１階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、前記画素部で表示可能な最大階調の１０％以上２０％以下の階調に対応する電圧であり、
    前記第２階調域に属する１階調に対応する信号電圧は、前記画素部で表示可能な最大階調の２０％以上１００％以下の階調に対応する電圧である、
    有機ＥＬ表示装置。

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