CN109961728B - 检测方法、驱动方法、显示装置和补偿查找表的构建方法 - Google Patents

检测方法、驱动方法、显示装置和补偿查找表的构建方法 Download PDF

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Abstract

一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法、显示装置和温度补偿查找表的构建方法。所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述第一时长和所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压。

Description

检测方法、驱动方法、显示装置和补偿查找表的构建方法
技术领域
本公开的实施例涉及一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法、显示装置和温度补偿查找表的构建方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)显示器件具有视角宽、对比度高、响应速度快、亮度高、发光效率高等特点。并且，相比于无机发光显示器件，有机发光二极管显示器件具有更高的发光亮度、更低的驱动电压等优势。由于具有上述特点和优势，有机发光二极管(OLED)显示器件逐渐受到人们的广泛关注并且可以适用于手机、显示器、笔记本电脑、数码相机、仪器仪表等具有显示功能的装置。
发明内容
本公开的至少一个实施例提供了一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述第一时长和所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压。
本公开的至少一个实施例还提供了一种显示面板的驱动方法，所述显示面板包括像素电路，所述驱动方法包括：对所述像素电路执行本公开的任一实施例提供的像素电路的检测方法，以用于至少获得所述像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压。
本公开的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括像素电路和控制装置，所述像素电路包括驱动晶体管。所述控制装置配置为执行如下的检测方法：向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，在该步骤中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，其中，所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压。
本公开的至少一个实施例还提供了一种温度补偿查找表的构建方法，所述温度补偿查找表用于像素电路补偿且包括对应于多个温度的多个数据条目，所述像素电路包括驱动晶体管，将所述多个温度中的任一温度作为设置温度，所述构建方法包括：使得所述像素电路保持在所述设置温度；获取所述像素电路的驱动晶体管在所述设置温度下的阈值电压；向所述驱动晶体管的栅极施加测试数据电压，在施加所述测试数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取所述设置温度下的感测电压，在该步骤中，所述测试数据电压等于检测数据电压与所述设置温度下的阈值电压之和，且所述设置温度的数据条目包括所述设置温度下的阈值电压和所述设置温度下的感测电压。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A是一种像素电路的示意图；
图1B是另一种像素电路的示意图；
图1C是再一种像素电路的示意图；
图1D是一种感测电压随时间变化的曲线图；
图2是本公开至少一个实施例提供的像素电路的检测方法的示例性流程图；
图3A是本公开的至少一个实施例提供的一种像素电路的示意图；
图3B是图3A所示的像素电路的等效电路；
图3C是本公开的至少一个实施例提供的另一种像素电路的示意图；
图4A是图3A-图3C的所示的像素电路的局部电路；
图4B是本公开的至少一个实施例提供的驱动晶体管的栅极的电压和驱动晶体管的第一极的电压随时间的变化曲线图；
图5是对本公开的至少一个实施例中多个温度下的感测电压和阈值电压拟合获得的直线的一种示意图；
图6是对本公开的至少一个实施例中多个温度下的感测电压和阈值电压拟合获得的直线的另一种示意图；
图7是本公开至少一个实施例提供的显示面板的驱动方法的示例性流程图；
图8是本公开至少一个实施例提供的显示面板的示例性框图；
图9是图8所示的显示面板的示例性结构图；
图10是本公开至少一个实施例提供的显示装置的示例性框图；以及
图11是本公开至少一个实施例提供的显示装置的示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
有机发光二极管(OLED)显示面板中的像素电路一般采用矩阵驱动方式。根据每个像素单元中是否引入开关元器件，OLED显示面板可分为有源矩阵(Active Matrix)驱动式和无源矩阵(Passive Matrix)驱动式。AMOLED(也即，有源矩阵驱动式OLED)显示面板在每一个像素的像素电路中都集成了薄膜晶体管和存储电容，通过控制薄膜晶体管和存储电容，可以控制流过OLED的电流，从而使OLED根据需要发光。
AMOLED显示面板中使用的基础像素电路通常为2T1C像素电路，即利用两个薄膜晶体管(Thin-film transistor，TFT)和一个存储电容Cst来驱动OLED发光的像素电路。图1A和图1B示出了两种2T1C像素电路的示意图。
如图1A所示，一种2T1C像素电路包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cst。例如，该开关晶体管T0的栅极连接扫描线(图中未示出)以接收扫描信号Scan1；例如，该开关晶体管T0的源极连接到数据线(图中未示出)以接收数据信号Vdata；该开关晶体管T0的漏极连接到驱动晶体管N0的栅极；驱动晶体管N0的源极连接到第一电压端以接收第一电压Vdd，驱动晶体管N0的漏极连接到OLED的正极端；存储电容Cst的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第一电压端；OLED的负极端连接到第二电压端以接收第二电压Vss。例如，第一电压Vdd的电压值大于第二电压Vss的电压值。该2T1C像素电路使用两个TFT和存储电容Cst来控制包括该像素电路的像素单元的灰阶。当扫描信号Scan1(经由扫描线施加)开启开关晶体管T0时，经由数据线送入的数据信号Vdata(数据驱动电路提供)将经由开关晶体管T0对存储电容Cst充电，由此数据信号Vdata可存储在存储电容Cst中，且该存储在存储电容Cst中的数据信号Vdata可以控制驱动晶体管N0的导通程度，由此可以控制流过驱动晶体管N0的电流(用于驱动OLED发光)的强度，此电流的强度决定包括该像素电路的像素单元的灰阶。在图1A所示的2T1C像素电路中，开关晶体管T0为N型晶体管而驱动晶体管N0为P型晶体管。
如图1B所示，另一种2T1C像素电路也包括开关晶体管T0、驱动晶体管N0以及存储电容Cst，但是其连接方式略有改变，且驱动晶体管N0为N型晶体管。图1B的像素电路相对于图1A的变化之处包括：OLED的正极端连接到第一电压端以接收第一电压Vdd(高电压)，而负极端连接到驱动晶体管N0的漏极，驱动晶体管N0的源极连接到第二电压端以接收第二电压Vss(低电压，例如接地电压)。存储电容Cst的一端连接到开关晶体管T0的漏极以及驱动晶体管N0的栅极，另一端连接到驱动晶体管N0的源极以及第二电压端。图1B所示的2T1C像素电路的工作方式基本上与图1A所示的像素电路基本相同，这里不再赘述。
此外，对于图1A和图1B所示的像素电路，开关晶体管T0不限于N型晶体管，也可以为P型晶体管，在此不再赘述。
OLED显示面板通常包括多个按阵列排布的像素单元，每个像素单元例如可以包括上述像素电路。本公开的发明人在研究中注意到，在OLED显示面板中，各个像素电路中的驱动晶体管的阈值电压由于制备工艺可能存在差异；本公开的发明人在研究中还注意到，由于例如温度变化的影响，驱动晶体管的阈值电压可能会产生漂移，且驱动晶体管的阈值电压的漂移量随驱动晶体管的接收的数据信号的变化而变化。例如，在OLED显示面板进行显示时，OLED消耗的部分能量产生热量，这可以使得OLED显示面板的温度上升，驱动晶体管N0的迁移率变大以及驱动晶体管N0的阈值电压降低；此种情况下，在OLED显示面板的多个像素电路接收相同的数据信号的情况下，流过多个像素电路的驱动晶体管的电流强度可能彼此不同，多个像素电路的多个像素电路发射的光线的强度可能彼此不同，多个像素单元的灰阶可能彼此不同，由此降低的OLED显示面板的亮度均匀性和/或显示质量。在OLED显示面板显示画面的情况下，不同的像素单元接收不同的数据信号(例如，数据电压)，发射不同强度的光线，并因此具有不同的温度变化以及不同的阈值电压漂移量，由此使得OLED显示面板的显示质量进一步地劣化。综上，需要对阈值电压进行补偿(例如，实施补偿)，以保证OLED显示面板的显示效果。
例如，在经由开关晶体管T0向驱动晶体管N0的栅极施加数据信号(例如，数据电压)Vdata之后并向驱动晶体管N0的源极施加设置电压(也即，复位信号)Vref，此处，Vdata＞Vref+Vth，Vth表示驱动晶体管的阈值电压，由此数据信号Vdata可以使得驱动晶体管N0导通，此种情况下，与存储电容Cst的一端电连接的驱动晶体管N0的源极或漏极的电压可能对应地改变。
例如，图1C示出了一种可以检测驱动晶体管的阈值电压的像素电路(也即，3T1C电路)，驱动晶体管N0为N型晶体管。例如，如图1C所示，为了实现补偿功能，可以在2T1C电路的基础上引入感测晶体管S0，也即，可以将感测晶体管S0的第一端连接到驱动晶体管N0的源极，感测晶体管S0的第二端经由感测线(图1C中未示出)与检测电路(图1C中未示出)连接。由此，当驱动晶体管N0导通之后，经由感测晶体管S0对于检测电路放电或者对经由感测晶体管S0对感测线上设置的电容或寄生电容充电，使得驱动晶体管N0的源极电压Vs改变。当驱动晶体管N0的源极电压Vs等于驱动晶体管N0的栅极电压Vg与驱动晶体管的阈值电压Vth的差值时，驱动晶体管N0将会截止，驱动晶体管N0的源极电压Vs不再改变。此种情况下，可以在驱动晶体管N0截止后，经由导通的感测晶体管S0从驱动晶体管N0的源极获取截止后的源极电压(也即驱动晶体管N0截止后的源极电压Vb)。在获取截止源极电压Vb之后，可以获取驱动晶体管的阈值电压(也即，Vth＝Vdata-Vb)。由此，可以基于每个像素电路中驱动晶体管的阈值电压对像素电路的待显示的数据信号(数据电压)进行补偿，并且使用补偿后的数据信号驱动像素电路，由此可以实现针对显示面板各个子像素的阈值电压的补偿功能。例如，补偿后的Vdata_C可以使用以下的表达式表示：Vdata_C＝Vdata+Vth。
本公开的发明人在研究中还注意到，上述阈值检测所需的时间较长，并且通常需要在显示面板结束正常显示之后的关机过程中执行，因此，无法在开机期间(例如，显示过程中相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管N0的阈值电压的检测，也即，无法在显示过程中实时监测和补偿阈值电压，由此降低了显示面板的补偿效果以及显示面板的亮度均匀度和/或显示效果。下面结合图1D进行示例性说明。
图1D示出了一种经由导通的感测晶体管S0从驱动晶体管N0的源极获取的源极电压随时间变化的曲线图。在检测的过程中，开关晶体管T0保持导通，因此，驱动晶体管N0的栅极电压Vg保持为数据信号(数据电压)Vdata。本公开的发明人注意到，在施加数据信号Vdata之后，经感测线对检测电路放电或者对感测线上设置的电容或寄生电容充电的过程中，随着对存储电容Cst等的充电时间的增加，充电速度将对应地降低(也即，感测电压增加的速度降低)(参见图1D)，这是因为充电电流将随着源极电压(也即，驱动晶体管N0的源极电压Vs)的增加而降低。具体地，驱动晶体管N0处于饱和状态下输出的电流Ids可如下计算公式得到：
Ids＝K(Vg-Vs-Vth)2
＝K(Vdata-Vs-Vth)2
＝K((Vdata-Vth)-Vs)2。
这里，K＝1/2×W/L×C×μ，W为驱动晶体管N0的沟道的宽度，L为驱动晶体管N0的沟道的长度，W/L为驱动晶体管N0的沟道的宽长比(即，宽度与长度的比值)，μ为电子迁移率，C为单位面积的电容。
在驱动晶体管N0的源极的电压Vs增加至Vdata-Vth的过程中，随着Vs的增加，[(Vdata-Vth)-Vs]的值将不断降低；对应地，驱动晶体管N0输出的电流Ids以及充电速度也将随之不断降低，因此，从充电起始到驱动晶体管N0截止所需的时间Ts较长。
此外，本公开的发明人在研究中又注意到，当前的驱动晶体管的迁移率的感测方法的准确度有待提高。下面结合一个示例进行示例性说明。例如，可以通过以下的方法感测驱动晶体管的迁移率。首先，可以在驱动晶体管的栅极上施加数据电压，例如，数据电压Vdata＝VGL+Vth，VGL为待显示的数据电压，假设驱动晶体管的阈值电压保持不变；然后，可以根据感测线上的充电电压(也即，在对感测线充电预定时间之间之后在驱动晶体管的源极获取的感测电压)确定(例如，计算)驱动晶体管的迁移率的大小。然而，如果在感测驱动晶体管的迁移率的过程中，驱动晶体管的阈值电压改变，但是在计算驱动晶体管的迁移率中却又假设驱动晶体管的阈值电压保持不变，因此，将导致计算获取的驱动晶体管的迁移率存在偏差(相比于驱动晶体管的真实值)。
本公开的至少一个实施例提供了一种像素电路的检测方法、显示面板的驱动方法、显示装置和温度补偿查找表的构建方法。像素电路包括驱动晶体管，像素电路的检测方法包括：向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加第一数据电压后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，第一数据电压等于检测数据电压与驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于检测数据电压、第一感测电压以及温度补偿查找表获取驱动晶体管的当前阈值电压。温度补偿查找表包括驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于第一时长和检测数据电压在多个温度下获取的多个感测电压。
在本公开的实施例的方法中，为了使得检测过程和以及所获得的数据具有一致性，所采用的“第一时长”是相同的，该第一时长的大小可以根据显示电路中驱动晶体管的设计参数(例如导通电阻)、一帧扫描驱动周期(包括显示周期和消隐时间)的长短等。
在一些示例中，可以在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，并可以基于检测数据电压、第一感测电压以及温度补偿查找表获取驱动晶体管的当前阈值电压，由此可以减小阈值电压检测所需时间。由于阈值电压检测所需的时间较短，因此可以在开机期间实现像素电路的阈值特性的检测，进而提升了像素电路的阈值电压的补偿效果以及包括该像素电路的显示面板的亮度均匀性和/或显示效果。
下面通过几个示例对根据本公开实施例提供的像素电路的检测方法进行非限制性的说明，如下面所描述的，在不相互抵触的情况下这些具体示例中不同特征可以相互组合，从而得到新的示例，这些新的示例也都属于本公开保护的范围。
图2示出了本公开的至少一个实施例的提供的一种像素电路的检测方法，该像素电路的检测方法可用于检测像素电路的驱动晶体管的阈值电压。图3A是本公开的至少一个实施例提供的一种像素电路的示意图；图3B是图3A所示的像素电路的等效电路；图3C是本公开的至少一个实施例提供的再一种像素电路的示意图。
本公开的至少一个实施例的提供的一种像素电路的检测方法可以应用于图3A所示像素电路、图3B所示像素电路、图3C所示像素电路或其它适用的像素电路。
例如，下面将结合图3A-图3C示出的像素电路对本公开的实施例提供的像素电路的检测方法做示例性的说明，但本公开的实施例不限于此。
例如，如图3A所示，像素电路包括驱动晶体管T3(包括栅极、第一极和第二极)。该驱动晶体管T3的第一极(如源极)与发光元件EL和感测线SENL电连接。通过该感测线SENL可以获取感测电压；通过该感测线SENL例如还可以将驱动晶体管T3的第一极的电压设置为设置电压Vref。该像素电路可以将数据电压施加在驱动晶体管T3的栅极。
例如，如图3A所示，像素电路还包括第一晶体管T1和存储电容Cst。第一晶体管T1作为输入写入开关，第一晶体管T1的栅极作为控制端G1与扫描线GaL1(图中未示出)连接以接收扫描信号，第一晶体管T1的第一极和第一晶体管T1的第二极分别与数据线和驱动晶体管T3的栅极连接，以分别接收数据电压(例如，第一数据电压Vdata1)以及将接收的数据电压施加至驱动晶体管T3的栅极；存储电容Cst的第一端和第二端分别与驱动晶体管T3的栅极和驱动晶体管T3的第一极连接，从而存储施加至驱动晶体管T3的栅极和存储电容Cst的第一端的数据电压。
例如，如图3A所示，像素电路还包括第二晶体管T2。第二晶体管T2作为感测开关，第二晶体管T2的第一极与驱动晶体管T3的第一极连接；第二晶体管T2的第二极与感测线SENL连接，以用于对于与感测线SENL相关的电容充电以形成感测电压，由此可以通过该感测线SENL实现对感测电压的检测；第二晶体管T2的栅极作为控制端G2与感测扫描线GaL2(图中未示出)连接以接收感测控制信号。例如，根据实际应用需求，像素电路还连接到第一电源端VDD和第二电源端VSS。例如，第一电源端VDD和第二电源端VSS为恒定的电压源。
例如，在感测线SENL上有寄生电容Cvc和寄生电阻Rvc的情况下，图3A所示的像素电路可以等效为图3B所示的像素电路。该寄生电容Cvc可以被来自驱动晶体管T3的电流充电，从而相应的感测线SENL上的电压发生改变。然而，本公开的实施例不限于此，除利用感测线SENL上的寄生电容Cvc之外，如图3C所示，也可以单独提供一端与感测线SENL连接而另一端例如与某一固定电压(例如接地)的感测电容Csc，以辅助实现本公开实施例的检测方法。例如，控制端G1和控制端G2连接至不同的感测线SENL，以使得第一晶体管T1和第二晶体管T2可以在不同的时间处于开启状态。
在上述图3A-图3C的示例中，驱动晶体管T3为N型晶体管，第一电源端VDD为高压端，第二电源端VSS为低压端，也即，且第一电源端VDD输出的电压大于第二电源端VSS输出的电压，第二电源端VSS例如接地。相应地，驱动晶体管T3第一极为源极，连接到发光元件EL；另外，第一晶体管T1和第二晶体管T2也是N型晶体管。
在操作中，例如，可以通过打开第一晶体管T1(例如，向第一晶体管T1的控制端G1施加有效电平)可以将数据线DL提供的数据电压Vdata施加到驱动晶体管T3的栅极。并且，可以通过导通的第二晶体管T2(例如，向第二晶体管T2的控制端G2施加有效电平)向驱动晶体管T3的第一极施加设置电压Vref，例如该设置电压Vref可以由设置电源端Vc(图中未示出)提供。例如，数据电压Vdata的电压值大于设置电压Vref的电压值，以使得驱动晶体管T3导通，设置电压Vref的电压值例如等于零。
例如，在驱动晶体管T3导通时，流过驱动晶体管T3的电流为恒定的电流。图4A示出了图3A-图3C的所示的像素电路的局部电路，图4B示出了在流过驱动晶体管T3的电流为恒定的电流情况下驱动晶体管T3的栅极的电压Vg和驱动晶体管T3的第一极的电压Vs随时间的变化曲线。下面结合图4B对一种使得流过驱动晶体管T3的电流为恒定的电流的方法进行示例性说明。
例如，可以通过以下的方法使得流过驱动晶体管T3的电流为恒定的电流。首先，该像素电路可以将数据电压Vdata施加在驱动晶体管T3的栅极，并将设置电压Vref施加至驱动晶体管T3的第一极(例如源极)，数据电压Vdata的电压值大于设置电压Vref的电压值，以使得驱动晶体管T3导通，设置电压Vref的电压值例如等于零；然后，可以通过关闭第一晶体管T1(例如，向第一晶体管T1施加无效电平)使得驱动晶体管T3的栅极的浮置。由于驱动晶体管T3的栅极的浮置，存储电容Cst中存储的电荷量无法通过释放或充电发生突变(也即，存储电容Cst存储的电荷量保持不变)；对应的，根据电容电荷守恒原理，存储电容Cst两端的电压差也保持不变，也即，驱动晶体管T3的栅极和驱动晶体管T3的第一极之间的电压差Vgs保持为数据电压Vdata与设置电压Vref之间的差值(也即，Vgs＝Vdata-Vref)。例如，在设置电压Vref等于零伏的情况下，Vdata-Vref＝Vdata。此种情况下，Ids＝K(Vgs-Vth)2＝K(Vdata-Vth)2。例如，在数据电压Vdata等于检测数据电压GL与驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth之和情况下(也即，Vdata＝GL+Vth),Ids＝K(GL)2，也即，流过驱动晶体管T3的电流Ids为恒定值。
例如，在对与感测线SENL相关的电容C(寄生电容Cvc或感测电容Csc的电容值)充电预定时间Δt(也即，充电时间为Δt)之后，可以经由感测线SENL获取感测电压。例如，在通过感测线SENL获取感测电压时，可以将第二晶体管T2关闭；通过关闭第二晶体管T2，可以避免感测电压在读取阶段继续上升，由此可以为读取感测电压预留充足的时间，进而可以提升读取的感测电压的准确度。例如，如图3B和图3C所示，感测线SENL可以与模数转换器ADC电连接，由此可以将经由感测线SEN获取的感测电压的模拟信号转换为数字信号，以用于后续处理。
例如，电流Ids为恒定值的情况下，充电时间Δt(也即，第一晶体管T1关闭至第二晶体管T2关闭之间的时间长度)、与感测线SENL相关的电容C、以及电流Ids满足下述的表达式：
ΔV＝Ids×Δt/C。
进一步，经由感测线SENL获取的感测电压Vs满足下述的表达式：
Vs＝Vth+ΔV＝Vth+Ids×Δt/C。
此种情况下，如图4B所示，在电容充电过程中，经由感测线SENL获取的感测电压Vs随时间线性增加(在第二晶体管T2关闭之前)，并且驱动晶体管T3的栅极的电压Vg因浮置也随时间线性增加。如图4A所示，Vg＝Vdata+Vs，因此，Vg＝Vdata+Vth+Ids×Δt/C。
需要说明的是，在本公开的至少一个实施例中，有效电平是指用于开启相应开关元件的电平，无效电平是指用于关闭相应开关元件的电平。
例如，本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法包括以下的步骤S10-步骤S20。
步骤S10：向驱动晶体管T3的栅极施加第一数据电压Vdata1，在施加第一数据电压Vdata1后的第一时长且在驱动晶体管T3截止之前，在驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压Vsen1。
步骤S20：基于检测数据电压GL、第一感测电压Vsen1以及温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
在步骤S10中，第一数据电压Vdata1等于检测数据电压GL与驱动晶体管T3的第一基准阈值电压Vthb1之和。例如，检测数据电压GL为待显示的数据电压且对应于像素电路待显示的灰度值。例如，检测数据电压GL可以在检测像素电路之前由用户预先设定；又例如，例如，检测数据电压GL还可以被预先存储(例如，存储在包括该像素电路的显示面板或显示装置的存储器中)，并在检测像素电路时提供给像素电路。例如，第一基准阈值电压Vthb1为驱动晶体管T3在第一温度t1下的阈值电压，且第一基准阈值电压Vthb1可由温度补偿查找表获取。
例如，在步骤S10中，在向驱动晶体管T3的栅极施加第一数据电压Vdata1之后且在驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压Vsen1之前(也即，在寄生电容和/或感测电容的充电过程中)，流过驱动晶体管T3的电流为恒定的电流。
例如，可以通过以下的步骤获取第一感测电压Vsen1。
步骤S101：将第一数据电压Vdata施加在驱动晶体管T3的栅极，并将设置电压Vref施加至驱动晶体管T3的第一极(例如源极)，在该步骤中，数据电压Vdata的电压值大于设置电压Vref的电压值，以使得驱动晶体管T3导通，设置电压Vref的电压值例如等于零。
步骤S102：在向驱动晶体管T3的栅极和第一极分别施加第一数据电压Vdata和设置电压Vref之后，关闭第一晶体管T1(例如，向第一晶体管T1施加无效电平)，以使得驱动晶体管T3的栅极的浮置，并使得恒定的电流Ids流过驱动晶体管T3并向与感测线SENL相关的电容C充电。
步骤S103：在对与感测线SENL相关的电容C充电第一时长之后(也即，电容C的充电时间Δt为第一时长)，经由第二晶体管T2读取驱动晶体管T3的第一极的第一感测电压Vsen1。例如，在该步骤中，可以通过关闭第二晶体管T2，避免从驱动晶体管T3的第一极读取的感测电压在读取阶段继续上升，以提升读取的第一感测电压Vsen1的准确度。
例如，温度补偿查找表用于像素电路补偿且包括对应于多个温度的多个数据条目。例如，温度补偿查找表可以如下表1所示。
表1
温度t t1 t2 t3
阈值电压Vth Vthb1 Vthb2 Vthb3
感测电压Vsen Vsenb1 Vsenb2 Vsenb3
如表1所示，多个温度包括第一温度t1、第二温度t2和第三温度t3，多个感测电压包括分别对应于第一温度t1、第二温度t2和第三温度t3的第一基准感测电压Vsenb1、第二基准感测电压Vsenb2和第三基准感测电压Vsenb3，多个阈值电压包括分别对应于第一温度t1、第二温度t2和第三温度t3的第一基准阈值电压Vthb1、第二基准阈值电压Vthb2和第三基准阈值电压Vthb3。
例如，第一基准阈值电压Vthb1、第二基准阈值电压Vthb2和第三基准阈值电压Vthb3分别为驱动晶体管T3在第一温度t1下的阈值电压、在第二温度t2下的阈值电压以及在第三温度t3下的阈值电压。
例如，多个感测电压(例如，第一基准阈值电压Vthb1、第二基准阈值电压Vthb2和第三基准阈值电压Vthb3)为在驱动晶体管T3的阈值电压被正确补偿的情况下(也即，驱动晶体管T3的栅极被施加补偿后的数据电压Vdc)，从驱动晶体管T3的第一极获取的对应温度下的感测电压。例如，在向驱动晶体管T3的栅极施加补偿后的数据电压Vdc之后且在从驱动晶体管T3的第一极获取的感测电压之前(也即，在寄生电容和/或感测电容的充电过程中)，可以通过关闭第一晶体管T1使得驱动晶体管T3的栅极的浮置，以使得恒定的电流流过驱动晶体管T3的电流，并向与感测线SENL相关的电容C充电。
例如，对于第一温度t1、第二温度t2和第三温度t3，驱动晶体管T3的栅极被施加的数据电压分别为GL+Vthb1、GL+Vthb2和GL+Vthb3，因此，第一基准阈值电压Vthb1、第二基准阈值电压Vthb2和第三基准阈值电压Vthb3均为驱动晶体管T3的阈值电压被正确补偿情况，从驱动晶体管T3的第一极获取的感测电压。例如，第一基准阈值电压Vthb1、第二基准阈值电压Vthb2和第三基准阈值电压Vthb3均在驱动晶体管T3的栅极被施加补偿后的数据电压后的第一时长获取，即在相同的驱动晶体管T3的栅极被施加补偿后的数据电压后相同的第一时长获取。
需要说明的是，多个感测电压(例如，第一基准阈值电压Vthb1、第二基准阈值电压Vthb2和第三基准阈值电压Vthb3)和多个阈值电压可以在检测像素电路之前预先获得(例如，通过测试获得)并存储在温度补偿查找表中，由此可在步骤S20中直接调用(读取)温度补偿查找表的至少部分数据条目，并将读取到的至少部分数据条目用于获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth中。
例如，由于第一感测电压Vsen1可以在驱动晶体管T3截止之前获得，检测数据电压GL可预先得知，温度补偿查找表可以预先构建，因此，基于检测数据电压GL、第一感测电压Vsen1以及温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth可以减小阈值电压检测所需时间。由于阈值电压检测所需的时间较短，因此可以在开机期间实现像素电路的阈值特性的检测，进而提升了像素电路的阈值电压的补偿效果，并提升了包括该像素电路的显示面板的亮度均匀性和/或显示效果。
需要说明的是，表1示出的温度补偿查找表以及本公开的实施例提供的其它温度补偿查找表不限于包括三个数据条目，根据实际应用需求，温度补偿查找表还可以包括两个数据条目、四个数据条目、十个数据条目、一百个数据条目或其它适用数目的数据条目。例如，在温度补偿查找表包括的数据条目较多的情况下(例如，包括至少一百个数据条目)，使用上述像素电路的检测方法获取的驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth将更为准确。
例如，温度补偿查找表可基于像素电路的测试结果构建。例如，温度补偿查找表的构建方法可参见后续实施例，在此不再赘述。例如，本申请的发明人通过对像素电路的测试结果分析发现，上述多个温度下的感测电压和阈值电压可以近似拟合为一条直线，拟合获得的直线如图5所示。图5还示出了在温度为t0时的感测电压和阈值电压。
例如，可以通过最小二乘拟合或其它适用的线性拟合方法对多个温度下的感测电压和阈值电压进行拟合。例如，最小二乘拟合或其它适用的线性拟合方法可参见相关的线性拟合理论和算法，在此不再赘述。
例如，基于线性拟合获得的直线可以获取其它温度下的数据条目，由此可以减小构建温度补偿查找表的测试工作量。例如，基于线性拟合获得的直线可以获取对应于第一温度和第二温度之间的第四温度下的数据条目以及对应于第二温度和第三温度之间的第五温度下的数据条目。
例如，可以在构建温度补偿查找表之后，执行像素电路的检测方法之间对多个温度下的感测电压和阈值电压进行拟合并获得直线。又例如，还可以在执行像素电路的检测方法的过程中对多个温度下的感测电压和阈值电压进行拟合并获得直线，在此不再赘述。
需要说明的是，尽管图5示出的基于对应于四个温度的数据条目绘出的数据点均分布在拟合得到的直线上，但本公开的实施例不限于此。例如，基于对应于多个温度的多个数据条目绘出的数据点的部分可以均匀分布在拟合得到的直线的两侧，且与拟合得到的直线较近。
例如，在步骤S20中，温度补偿查找表包括驱动晶体管T3在多个温度下的多个阈值电压以及基于第一时长Δt和检测数据电压GL获得的驱动晶体管T3在多个温度下获取的多个感测电压。
例如，在步骤S20中，基于检测数据电压GL、第一感测电压Vsen1以及温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth包括以下的步骤S210和步骤S220。
步骤S210：基于检测数据电压GL、第一感测电压Vsen1以及温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的目标感测电压Vsenx。
步骤S220：基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，在步骤S210中，基于检测数据电压GL、第一感测电压Vsen1以及温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的目标感测电压Vsenx包括：基于变化系数β、第一基准感测电压Vsenb1、检测数据电压GL以及第一感测电压Vsen1获取目标感测电压Vsenx。
例如，可以根据第一基准感测电压Vsenb1、第二基准感测电压Vsenb2、第一基准阈值电压Vthb1和第二基准阈值电压Vthb2进行拟合以获取变化系数β。例如，如图5所示，变化系数β采用以下的表达式(1)得到。
Figure GDA0002070266210000151
如前所述，变化系数β可以在构建温度补偿查找表之后，执行像素电路的检测方法之间或者在执行像素电路的检测方法的过程中获取，在此不再赘述。
例如，在执行像素电路的检测方法的过程中获取变化系数β的情况下，可以在选择第一基准感测电压Vsenb1和第二基准感测电压Vsenb2时，使得第一感测电压Vsen1位于第一基准感测电压Vsenb1和第二基准感测电压Vsenb2之间，由此可以提升拟合效果，并因此可以提升像素电路的补偿效果以及包括该像素电路的显示面板和显示装置的显示均匀性。
例如，基于变化系数β、第一基准感测电压Vsenb1、检测数据电压GL以及第一感测电压Vsen1获取目标感测电压Vsenx包括根据第一基准感测电压Vsenb1、第二基准感测电压Vsenb2、第一基准阈值电压Vthb1和第二基准阈值电压Vthb2进行线性拟合以获取变化系数β。
例如，目标感测电压Vsenx采用以下表达式(2)得到。
Figure GDA0002070266210000152
例如，下面结合以下的公式推导说明为什么可以采用上述的表达式(2)得到目标感测电压Vsenx。
例如，在驱动晶体管T3的当前温度Tx下，目标感测电压Vsenx和第一感测电压Vsen1满足以下的表达式(4)。
Figure GDA0002070266210000161
此处，Vthx为驱动晶体管T3在当前温度Tx下的当前阈值电压Vth，μ_x为驱动晶体管T3在当前温度Tx下的当前迁移率；Ids1为在向驱动晶体管T3的栅极施加第一数据电压Vdata1后的且在获取第一感测电压Vsen1之前，流过驱动晶体管T3的电流；Idsx为在向驱动晶体管T3的栅极施加第二数据电压Vdata_x后且在获取目标感测电压Vsenx之前，流过驱动晶体管T3的电流(假想中的电流，用于公式推导)，第二数据电压Vdata_x等于检测数据电压GL与驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth之和；ΔVth为阈值偏移量，且等于第一基准感测电压Vsenb1与驱动晶体管T3在当前温度Tx下的当前阈值电压Vthx的差值。
进一步地，使用上述表达式(4)可以获得下述的表达式(5)。
Figure GDA0002070266210000162
需要说明的是，由于阈值偏移量ΔVth本身的值较小，则它的平方(ΔVth)2更进一步较小，因此可忽略不计。
由于多个温度下的感测电压和阈值电压可以近似拟合为一条直线，因此，如图6所示，第一基准感测电压Vsenb1、第二基准感测电压Vsenb2、第一基准阈值电压Vthb1、第二基准阈值电压Vthb2、目标感测电压Vsenx以及驱动晶体管T3在当前温度Tx下的当前阈值电压Vthx满足以下的表达式(6)。
Figure GDA0002070266210000171
进一步地，使用上述表达式(6)可以获得下述的表达式(7)。
ΔVth＝β(Vsenb1-Vsenx)， (7)
进一步地，结合上述表达式(5)和(7)可以获得下述的表达式(8)。
Figure GDA0002070266210000172
进一步地，可顺次得到以下的表达式。
(Vsenb1-Vsenx)GL＝2×β(Vsenb1-Vsenx)Vsenx
Vsenb1×GL-Vsenx×GL＝2×β×Vsenb1×Vsenx-2×β×(Vsenx)2。
2×β×(Vsenx)2-Vsenx(GL+2×β×Vsenb1)+Vsenb1×GL＝0
基于一元二次方程的求解公式可以得到下述的表达式(9)，并且为使得Vsenx具有物理意义，将下述表达式(9)中的“±”取“﹢”，并因此可以得到上述表达式(2)。
Figure GDA0002070266210000173
因此，可以采用上述的表达式(2)得到目标感测电压Vsenx。
下面将具体说明如何基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，在步骤S220中，基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth包括以下的步骤S221和步骤S222。
步骤S221：在多个感测电压包括目标感测电压Vsenx的情况下，将温度补偿查找表中与目标感测电压Vsenx对应的阈值电压作为驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
步骤S222：在多个感测电压不包括目标感测电压Vsenx的情况下，基于变化系数β、第一基准感测电压Vsenb1、第一基准阈值电压Vthb1和目标感测电压Vsenx获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，在步骤S221中，在多个感测电压包括目标感测电压Vsenx的情况下，首先，可以找到目标感测电压Vsenx所在的数据条目，然后将目标感测电压Vsenx所在的数据条目中的基准阈值电压(也即，温度补偿查找表中与目标感测电压Vsenx对应的阈值电压)作为驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth，由此基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
下面以目标感测电压Vsenx等于第三基准感测电压Vsenb3为例做具体说明。
在目标感测电压Vsenx等于第三基准感测电压Vsenb3的情况下，首先，可以找到第三基准感测电压Vsenb3所在的数据条目；然后，将第三基准感测电压Vsenb3所在的数据条目中的第三基准阈值电压Vthb3作为驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth，由此基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth。
例如，在步骤S222中，在多个感测电压不包括目标感测电压Vsenx的情况下，驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth采用以下表达式(3)获取：
Vth＝β(Vsenx-Vsenb1)+Vthb1， (3)。
需要说明的是，温度补偿查找表不限于实现为表1所示的温度补偿查找表，根据实际应用需求，还可以实现为表2或表3所示的温度补偿查找表。
在一个示例中，如表2所示，温度补偿查找表还可以包括在多个温度下的驱动晶体管T3的多个迁移率。多个温度下的驱动晶体管T3的多个迁移率包括对应于第一温度t1的第一迁移率μ1，对应于第二温度t2的第二迁移率μ2,以及对应于第三温度t3的第三迁移率μ3。例如，驱动晶体管T3的迁移率与驱动晶体管T3的温度正相关。
表2
温度T T1 T2 T3
阈值电压Vth Vthb1 Vthb2 Vthb3
感测电压Vsen Vsenb1 Vsenb2 Vsenb3
迁移率μ μ1 μ2 μ3
例如，在温度补偿查找表还包括在多个温度下的驱动晶体管T3的多个迁移率情况下，像素电路的检测方法还包括以下的步骤S30。
步骤S30：基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前迁移率。
例如，在获取驱动晶体管T3的当前迁移率之后，可以基于所获取的迁移率对驱动晶体管T3进行补偿，以使得在驱动晶体管T3的栅极接收相同的检测数据电压GL且驱动晶体管T3的阈值电压被正确补偿的情况下，流过驱动晶体管T3的电流为恒定值(实质上为恒定值，或者变化量可以忽略不计)，由此可以进一步提升应用了该像素电路的检测方法的显示面板和显示装置的亮度均匀性和/或显示效果。
例如，在采用基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前迁移率的方法的情况下，可以快速的获取迁移率，由此不仅可以降低像素电路的检测时间，而且还可以避免在感测迁移率过程中阈值电压改变导致的迁移率存在偏差的问题，由此可以进一步提升显示面板和显示装置的显示效果。
例如，在多个感测电压包括目标感测电压Vsenx的情况下，可以将温度补偿查找表中与目标感测电压Vsenx对应的迁移率作为驱动晶体管T3的当前迁移率。
例如，在多个感测电压包括目标感测电压Vsenx的情况下，首先，可以找到目标感测电压Vsenx所在的数据条目，然后将目标感测电压Vsenx所在的数据条目中的迁移率(也即，温度补偿查找表中与目标感测电压Vsenx对应的迁移率)作为驱动晶体管T3的当前迁移率，由此可以基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前迁移率。
例如，在多个感测电压不包括目标感测电压Vsenx的情况下，可以将温度补偿查找表中与目标感测电压Vsenx最邻近的感测电压对应的迁移率作为驱动晶体管T3的当前迁移率。又例如，在多个感测电压不包括目标感测电压Vsenx的情况下，还可以将温度补偿查找表中与目标感测电压Vsenx紧邻的感测电压两个的迁移率的平均值作为驱动晶体管T3的当前迁移率。
需要说明的是，步骤S30可以在执行步骤S20之后执行。又例如，步骤S30还可以与步骤S20(例如，步骤S220)同时执行，例如，可以在基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth的同时获取驱动晶体管T3的当前迁移率，由此可以进一步降低像素电路检测所需的时间。
在另一个示例中，温度补偿查找表还可以如下表3所示，也即，温度补偿查找表还包括在多个温度下的驱动晶体的多个补偿系数。多个温度下的驱动晶体的多个补偿系数包括：对应于第一温度t1的第一补偿系数Kc1，对应于第二温度t2的第二补偿系数Kc2,以及对应于第三温度t3的第三补偿系数Kc3。
表3
温度T T1 T2 T3
阈值电压Vth Vthb1 Vthb2 Vthb3
感测电压Vsen Vsenb1 Vsenb2 Vsenb3
迁移率μ μ1 μ2 μ3
补偿系数Kc Kc1 Kc2 Kc3
例如，多个补偿系数用于在显示中对驱动晶体管T3的迁移率进行补偿。例如，迁移率μ和补偿系数Kc的乘积等于恒定值const，例如，const＝μ1×Kc1＝μ2×Kc2＝＝μ3×Kc3，由此可以直接使用补偿系数Kc对驱动晶体管T3的迁移率进行补偿，并因此可以降低补偿驱动晶体管T3涉及的运算量以及所需的时间，由此可以进一步提升应用了该像素电路的检测方法的显示面板和显示装置的亮度均匀性和/或显示效果。
在一些示例中，通过在驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压Vsen1，可基于检测数据电压GL、第一感测电压Vsen1以及温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压Vth，由此可以减小阈值电压检测所需时间。由于阈值电压检测所需的时间较短，因此可以在开机期间实现像素电路的阈值特性的检测，进而提升了像素电路的阈值电压的补偿效果，并提升了包括该像素电路的显示面板的亮度均匀性和/或显示效果。
需要说明的是，本公开的上述实施例和其它实施例中采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应晶体管或其他特性相同的开关器件。这里采用的晶体管的源极、漏极在结构上可以是对称的，所以其源极、漏极在物理结构上可以是没有区别的。在本公开的实施例中，为了区分晶体管的除作为控制端的栅极之外的其它两个极，直接描述了其中一极为第一极，另一极为第二极，所以本公开实施例中全部或部分晶体管的第一极和第二极根据需要是可以互换的。例如，本公开实施例的晶体管的第一极可以为源极，第二极可以为漏极；或者，晶体管的第一极为漏极，第二极为源极。
需要说明的是，本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法不仅可以应用于图3B所示的3T1C像素电路和图3C所示的3T2C像素电路，还可以应用于4T1C像素电路、4T1C像素电路以及具有其它适用结构的像素电路中，在此不再赘述。
在一些示例中，本公开的实施例提供的像素电路的检测方法可以降低像素电路的阈值检测所需时间，以使得可以在开机期间实现像素电路的阈值特性的检测，进而提升了阈值补偿效果和包括该像素电路的显示面板的亮度均匀性和/或显示效果。
本公开的至少一个实施例提供了一种温度补偿查找表的构建方法，该温度补偿查找表用于像素电路补偿且包括对应于多个温度的多个数据条目，像素电路包括驱动晶体管，将多个温度中的任一温度作为设置温度，构建方法包括以下的步骤S401-步骤S403。
步骤S401：使得像素电路保持在设置温度。
步骤S402：获取像素电路的驱动晶体管T3在设置温度下的阈值电压；
步骤S403：向驱动晶体管T3的栅极施加测试数据电压，在施加测试数据电压后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取设置温度下的感测电压。
例如，设置温度可以为第一温度t1、第二温度t2、第三温度t3或者温度补偿查找表中的其它温度。
在一个示例中，设置温度的数据条目包括设置温度下的阈值电压和设置温度下的感测电压，此种情况下，应用上述构建方法获取的温度补偿查找表可以为如表1所示的温度补偿查找表。
例如，在步骤S401中，首先，可以将像素电路(例如，包括该像素电路的显示面板)放置在恒温设备(例如，恒温箱)中；其次，可以调节恒温设备的工作温度，例如，可以通过调节恒温设备的工作温度使得恒温设备的工作温度等于设置温度，又例如，还可以通过调节恒温设备的工作温度使得恒温设备的工作温度首先大于设置温度然后等于设置温度，以减小调节像素电路温度所需的时间，并因此可以减小构建温度补偿查找表所需的时间；然后，在预定时间段(例如，5分钟、30分钟或者其它适用的时间)内，使得像素电路处于恒温设备中，以使得像素电路可以保持在设置温度。
例如，步骤S402可以在执行步骤S401之后执行，以提升驱动晶体管T3的温度稳定性以及温度补偿查找表中数据条目的准确性。
例如，步骤S402中，获取像素电路的驱动晶体管T3在设置温度下的阈值电压的方法可以根据实际应用需求进行选择，本公开的实施例对此不做具体限定。
例如，可以使得包括该像素电路的显示面板处于开机黑画面阶段(也即，在显示面板的上电之后且在显示面板的正常显示之前的时间段)，使用图1C和图1D所述的驱动晶体管T3的阈值检测方法获取像素电路的驱动晶体管T3在设置温度下的阈值电压(例如，第一温度t1下的第一基准阈值电压Vthb1，第二温度t2下的第二基准阈值电压Vthb2，以及第三温度t3下的第三基准阈值电压Vthb3)，在此不再赘述。
例如，在步骤S403中，测试数据电压等于检测数据电压GL与设置温度下的阈值电压之和。例如，在步骤S403中，在向驱动晶体管T3的栅极施加测试数据电压之后且在驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压Vsen1之前(也即，在寄生电容和/或感测电容的充电过程中)，流过驱动晶体管T3的电流为恒定的电流，例如，使得驱动晶体管T3的电流为恒定的电流的方法可以参见图4B所示的示例，在此不再赘述。
例如，包括该像素电路的显示面板可以包括多个显示周期，每个显示周期用于显示一帧图像，且每个显示周期时间长度等于显示该帧图像的第一个像素点至显示该帧图像的最后一个像素点所需的时间；相邻的显示周期之间可以设置有空白时间(blankingtime，或称为消隐时间)。在一个示例中，可以在空白时间执行步骤S403。在另一个示例中，还可以在开机黑画面阶段执行步骤S403。
需要说明的是，步骤S402和步骤S403的执行顺序可以根据实际应用需求进行设定，本公开的实施例对此不做具体限定。例如，可以在执行步骤S402之后执行步骤S403。
例如，可以基于在步骤1中记录下的设置温度，在步骤2中获取的设置温度下的阈值电压以及在步骤3中获取的设置温度下的感测电压获得设定温度下的温度条目。例如，在获得一个设定温度(例如，第一温度t1)下的数据条目之后，可以调整恒温设备的工作温度，以使用上述的步骤S401-步骤S403获得另一个温度(例如，第二温度t2)下的数据条目。
在另一个示例中，设置温度的数据条目包括设置温度下的阈值电压、设置温度下的感测电压以及设置温度下的迁移率；此种情况下，构建方法包括以上步骤S401-步骤S403以及以下的步骤S404和步骤S405；并且，应用上述构建方法获取的温度补偿查找表可以为如表2所示的温度补偿查找表。
步骤S404：向驱动晶体管T3的栅极施加补偿后的数据电压，并获取流过驱动晶体管T3的电流。
步骤S405：基于流过驱动晶体管T3的电流以及检测数据电压GL获取驱动晶体管T3在设置温度下的迁移率。
例如，补偿后的数据电压Vdc等于检测数据电压GL与驱动晶体管T3在设置温度下的阈值电压之和。例如，步骤S404可以在包括该像素电路的显示面板的显示周期执行。例如，可以通过获取被上述像素电路驱动的发光元件EL发射光线的亮度获取流过驱动晶体管T3的电流Ids。
例如，在步骤S405中，由于Ids＝K(GL)2，且K＝1/2×W/L×C×μ，因此，设置温度下的迁移率可以采用以下表达式(10)得到。
Figure GDA0002070266210000231
例如，步骤S404可以在执行步骤S401-步骤S403之后执行，步骤S405可以在执行步骤S404之后执行。
在再一个示例中，设置温度的数据条目包括设置温度下的阈值电压、设置温度下的感测电压、设置温度下的迁移率以及设置温度下的补偿系数；此种情况下，构建方法包括以上步骤S401-步骤S404以及以下的步骤S406；并且，应用上述构建方法获取的温度补偿查找表可以为如表3所示的温度补偿查找表。
步骤S406：基于驱动晶体管T3在设置温度下的迁移率获取驱动晶体管T3在设置温度下的迁移率补偿系数。
例如，驱动晶体管T3在设置温度下的迁移率补偿系数与驱动晶体管T3在设置温度下的迁移率成反比。例如，驱动晶体管T3在设置温度下的迁移率补偿系数与驱动晶体管T3在设置温度下的迁移率的乘积为恒定值。例如，驱动晶体管T3在第一温度t1下的迁移率补偿系数Kc1与驱动晶体管T3在第一温度t1下的迁移率μ1的乘积等于驱动晶体管T3在第二温度t2下的迁移率补偿系数Kc2与驱动晶体管T3在第二温度t2下的迁移率μ2的乘积。
需要说明的是，在实际实施中，可以将温度补偿查找表的构建方法应用于显示面板上的每个像素电路，以获得每个像素电路的温度补偿查找表，由此可以基于各个像素电路的温度补偿查找表对显示面板上的各个像素电路进行补偿(例如，逐行补偿)。
本公开的至少一个实施例还提供了一种显示面板的驱动方法，显示面板包括像素电路，驱动方法包括：对像素电路执行本公开的任一实施例提供的像素电路的检测方法，以用于至少获得像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压。
例如，显示面板包括多个像素单元，每个像素单元可以包括像素电路，显示面板所包括的像素单元例如可以排布成阵列，相应地像素电路例如可以排布成阵列。例如，显示面板所包括的像素电路可以为图3A所示的像素电路，图3B所示的像素电路、图3C所示的像素电路或其它适用的像素电路。
图7是本公开至少一个实施例提供的显示面板的驱动方法的示例性流程图。例如，如图7所示，本公开至少一个的实施例提供的显示面板的驱动方法包括以下的步骤S510。
步骤S510：对像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，以用于获得像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压。
例如，像素电路的检测方法可以参见图2示出的实施例，在此不再赘述。例如，根据实际应用需求，如图7所示，本公开至少一个的实施例提供的显示面板的驱动方法还包括步骤S520。
步骤S520：至少根据所获得的当前阈值电压对像素电路的待显示的数据信号进行补偿，并且使用补偿后的数据信号驱动像素电路。
例如，通过在驱动显示面板的过程中，对像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，可以减小阈值电压检测所需时间，并因此可以在开机期间实现像素电路的阈值特性的检测，因此提升了像素电路的阈值电压的补偿效果以及包括该像素电路的显示面板的亮度均匀性和/或显示效果。
例如，温度补偿查找表还包括在多个温度下的驱动晶体管的多个迁移率；在温度补偿查找表还包括在多个温度下的驱动晶体管的多个迁移率的情况下，在执行像素电路的检测方法中，还基于目标感测电压和温度补偿查找表获取驱动晶体管的当前迁移率，并且，至少根据所获得的当前阈值电压对像素电路的待显示的数据信号进行补偿包括：根据所获得的当前阈值电压以及当前迁移率对像素电路的待显示的数据信号进行补偿。
例如，在根据所获得的当前阈值电压以及所获得的当前迁移率对像素电路的待显示的数据信号进行补偿中，首先，可以根据所获得的当前阈值电压对像素电路的待显示的数据信号进行补偿，然后可以使用所获得的当前迁移率对像素电路的待显示的数据信号进行补偿。
例如，在采用基于目标感测电压Vsenx和温度补偿查找表获取驱动晶体管T3的当前阈值电压和当前迁移率的方法的情况下，可以快速的获取驱动晶体管T3的当前阈值电压和当前迁移率，由此不仅可以降低像素电路的检测时间，而且还可以避免在感测迁移率过程中阈值电压改变导致的迁移率存在偏差的问题，由此可以进一步提升显示面板和显示装置的显示效果。
以下结合两个示例(仅对驱动晶体管的当前阈值电压进行补偿)对显示面板的驱动方法进行示例性说明。
在一个示例中，首先，可以逐行检测像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压，然后，在获取显示面板的所有像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压之后，对像素电路的待显示的数据信号(例如，待显示的数据电压)进行补偿，并使用补偿后的数据信号(例如，补偿后的数据电压)驱动像素电路；由此可以驱动显示面板显示一帧图像。
例如，逐行检测像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压包括以下的步骤：首先，可以对位于第一行的像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，并获取位于第一行的像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压；然后，可以对位于第二行的像素电路执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，并获取位于第二行的像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压；接着，可以对显示面板的位于其它行的像素电路进行逐行检测，直至获取显示面板的所有像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压。
例如，补偿后的数据电压等于待显示的数据电压与驱动晶体管的当前阈值电压之和。例如，使用补偿后的数据信号(例如，补偿后的数据电压)驱动像素电路包括：将补偿后的数据电压施加在驱动晶体管的栅极，由此可以至少根据所获得的当前阈值电压对像素电路的待显示的数据信号进行补偿，并且使用补偿后的数据信号驱动像素电路。
在另一个示例中，根据实际应用需求，还可以在检测获取一行像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压之后，针对位于该行的每一个像素电路的待显示的数据信号进行补偿，并且使用补偿后的数据信号驱动位于该行的每一个像素电路。
需要说明的是，对于该显示面板的驱动方法的其它步骤可以参见常规的显示面板的驱动方法，这些是本领域的普通技术人员所应该理解的，在此不做赘述。
例如，本公开至少一个的实施例提供的显示面板的驱动方法可以降低像素电路检测所需时间，以使得可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间)实现显示面板的像素电路的驱动晶体管的阈值电压的检测和/或迁移率的检测，由此可以实现实时补偿，进而可以提升应用该驱动方法的显示面板的补偿效果，以及显示面板的亮度均匀度和/或显示效果。
本公开的至少一个实施例又提供了一种显示面板，该显示面板包括像素电路和控制装置，像素电路包括驱动晶体管；控制装置配置为执行如下的检测方法：向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加第一数据电压后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，在该步骤中，第一数据电压等于检测数据电压与驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于检测数据电压、第一感测电压以及温度补偿查找表获取驱动晶体管的当前阈值电压，在该步骤中，温度补偿查找表包括驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于检测数据电压在多个温度下获取的多个感测电压。
图8是本公开的至少一个实施例提供的显示面板的示例性框图。例如，如图8所示，该显示面板10包括像素电路和控制装置120。像素电路可以为图3A所示的像素电路、图3B所示的像素电路、图3C所示的像素电路或其它适用的像素电路。例如，下面以本公开的至少一个实施例的显示面板中的像素电路实现为图3C示出的像素电路为例，对本公开的至少一个实施例提供的显示面板做具体说明，但本公开的实施例不限于此。
例如，图9示出了图8所示的显示面板的示例性结构图。例如，如图9所示，该显示面板包括像素电路、模数转换器、感测线和控制装置120，显示面板具有显示区域和围绕显示区域设置的周边区域；显示面板的显示区域包括多个像素单元，每个像素单元可以包括像素电路，显示面板所包括的像素单元例如可以排布成阵列，相应地像素电路例如可以排布成阵列；显示面板的位于显示区域之外的周边区域设置控制装置120。像素电路包括驱动晶体管，该驱动晶体管包括栅极和第一极，该感测线与驱动晶体管的第一极电连接。例如，控制装置120配置为执行本公开任一实施例提供像素电路的检测方法。例如，本公开的至少一个实施例中的检测方法的具体实现方式可以参见图2示出的实施例，在此不再赘述。
例如，显示面板还可以包括也设置在周边区域的数据驱动电路130、检测电路140和扫描驱动电路(未示出)。例如，控制装置120还配置为控制数据驱动电路130和检测电路140。例如，数据驱动电路130配置为根据实际应用需求在不同的时刻提供第一数据电压和补偿后的数据电压。扫描驱动电路用于提供第一晶体管以及第二晶体管的扫描信号，从而控制第一晶体管以及第二晶体管的导通状态(例如，导通或截止)。
例如，像素电路还配置为接收第一数据电压并将第一数据电压施加至驱动晶体管的栅极。例如，检测电路140配置为从感测线SEN读取第一感测电压。例如，检测电路140可以为采样电路，采样电路可提供采样信号SAMP，并可经由感测开关晶体管T2从驱动晶体管T3的第一极获取第一感测电压。
例如，像素电路还包括第二晶体管T2，发光元件EL例如可以为有机发光二极管，但本公开的实施例不限于此。例如，驱动晶体管的第二极和第一极可以配置为分别连接至第一电源电压端VDD以及发光元件EL的第一极，发光元件EL的第二极连接到第二电源电压端VSS。例如，第二晶体管T2的第一极与驱动晶体管的第一极连接，且第二晶体管T2的第二极与检测电路140电连接。
例如，像素电路还包括第一晶体管T1与存储电容Cst，第一晶体管T1配置为从数据驱动电路130获取数据信号(例如，第一数据电压)，向驱动晶体管的栅极写入数据信号，存储电容Cst存储数据信号。例如，像素电路还可以包括数据线DL，第一晶体管T1的第一极连接到数据线DL。
例如，控制装置120还可以包括处理器(图中未示出)和存储器(图中未示出)，存储器包括可执行代码以及运行代码所需的数据或产生的数据，处理器运行可执行代码以执行本公开任一实施例提供的检测方法。
例如，该处理器例如是中央处理单元(CPU)或者具有数据处理能力和/或指令执行能力的其它形式的处理单元，例如，该处理器可以实现为通用处理器，并且也为单片机、微处理器、数字信号处理器、专用的图像处理芯片、或现场可编程逻辑阵列等。存储器例如可以包括易失性存储器和/或非易失性存储器，例如可以包括只读存储器(ROM)、硬盘、闪存等。相应地，该存储器可以实现为一个或多个计算机程序产品，所述计算机程序产品可以包括各种形式的计算机可读存储介质，在所述计算机可读存储介质上可以存储一个或多个可执行代码(例如，计算机程序指令)。处理器可以运行所述程序指令，以执行本公开任一实施例提供的像素电路的检测方法，由此可以获取显示面板所包括的像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压，进而可以实现显示面板的阈值补偿功能。例如，该存储器还可以存储其他各种应用程序和各种数据，例如每个像素电路的目标感测电压，以及应用程序使用和/或产生的各种数据等。
例如，本公开的至少一个实施例提供的显示面板可以降低驱动晶体管的阈值电压检测所需时间，以使得可以在开机期间(例如，相邻的显示周期之间)实现驱动晶体管的阈值电压的检测，由此在显示面板的开机期间可以进行实时检测以及实时补偿，进而可以提升显示面板的补偿效果以及显示面板的亮度均匀度和/或显示效果。
本公开的至少一个实施例还提供了一种显示装置，其包括像素电路和控制装置，像素电路包括驱动晶体管。控制装置配置为执行如下的检测方法：向驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加第一数据电压后的第一时长且在驱动晶体管截止之前，在驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，在该步骤中，第一数据电压等于检测数据电压与驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；基于检测数据电压、第一感测电压以及温度补偿查找表获取驱动晶体管的当前阈值电压，其中，温度补偿查找表包括驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于检测数据电压在多个温度下获取的多个感测电压。
图10是本公开的至少一个实施例提供的一种显示装置的示例性框图。例如，如图10所示，该显示装置20包括像素电路和控制装置。像素电路和控制装置的具体设置可以参见图8示出的显示面板的实施例，在此不再赘述。
图11为本公开至少一个实施例提供的另一种显示装置的示意框图。如图11所示，显示装置60包括显示屏幕区6000、栅极驱动器6010、时序控制器6020和数据驱动器6030。显示屏幕区6000包括根据多条扫描线GL和多条数据线DL交叉限定的多个像素单元P，至少一个像素单元P包括本公开任一实施例提供的像素电路。栅极驱动器6010包括级联的多个移位寄存器单元，并用于驱动多条扫描线GL；数据驱动器6030用于驱动多条数据线DL。
如图11所示，时序控制器6020用于处理从显示装置60的外部输入的图像数据RGB，并用于向数据驱动器6030提供处理后的图像数据RGB。时序控制器6020还用于向栅极驱动器6010和数据驱动器6030分别输出栅极扫描控制信号GCS(Gate Control Signal)和数据控制信号DCS(Data Control Signal)，以分别控制栅极驱动器6010和数据驱动器6030。需要说明的是数据控制信号DCS也被称为源极控制信号SCS(Source Control Signal)。
例如，时序控制器6020被配置为参考数据驱动器6030提供的辅助时钟信号ACLK接收数据驱动器6030输出的辅助数据AData，并基于辅助数据AData对待显示的数据信号进行补偿(例如，通过可进行计算、转换和补偿等的算法)，然后将补偿后的数据信号提供给数据驱动器6030。例如，数据驱动器6030可以基于通过像素电路的检测方法获取的驱动晶体管的当前阈值电压和/或当前迁移率生成辅助数据AData。例如，驱动晶体管的当前阈值电压和/或当前迁移率可以通过电学和/或光学检测方法获得，在此不再赘述。
例如，多条扫描线GL与排列为多行的像素单元P对应连接(例如，与像素单元P中像素电路的控制端G1对应连接)。栅极驱动电路6010中的各级移位寄存器单元的输出端Output依序输出信号到多条扫描线GaL，以逐行扫描显示屏幕区6000中的多行像素单元P。
例如，数据驱动器6030根据时序控制器6020提供的多个数据控制信号DCS将从时序控制器6020提供的数字图像数据RGB转换成数据信号。数据驱动器6030向多条数据线DL提供数据信号。
例如，时序控制器6020对外部输入的图像数据RGB进行处理以使得处理后的图像数据匹配显示屏幕区6000的大小和分辨率，然后时序控制器6020向数据驱动器6030提供处理后的图像数据。时序控制器6020使用从显示装置60外部输入的同步信号或者时序控制信号(例如，点时钟DCLK、数据使能信号DE、水平同步信号Hsync以及垂直同步信号Vsync，在图11中，水平同步信号Hsync以及垂直同步信号Vsync均使用SYNC进行表示)产生多条栅极扫描控制信号GCS和多条数据控制信号DCS。
例如，栅极驱动器6010和数据驱动器6030可以实现为半导体芯片。
例如，显示装置60还包括第一印刷电路板X-PCB(图中未示出)，第一印刷电路板X-PCB用于连接数据驱动器6030。例如，每个显示装置60可以包括两个第一印刷电路板X-PCB。例如，时序控制器6020可以通过柔性扁平电缆(Flexible Flat Cable，FFC)与第一印刷电路板X-PCB。例如，可以通过多根内部集成电路总线(Inter Integrated Circuit Bus，IC总线)使得第一印刷电路板X-PCB与显示屏幕区彼此连接。
在一个示例中，显示装置60还包括第二印刷电路板Y-PCB(图中未示出)，第二印刷电路板Y-PCB用于连接栅极驱动电路6010。在另一个示例中，可以使用栅集成阵列(gate onarray,GOA)替代栅极驱动电路6010，此种情况下，显示装置60无需设置第二印刷电路板Y-PCB。
需要说明的是，对于该显示装置60的其它组成部分(例如图像数据编码/解码装置、信号解码电路、电压转换电路等、时钟电路等)可以采用适用的常规部件，这些均是本领域的普通技术人员所应该理解的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
在一个示例中，显示装置还可以包括控制装置(图11中未示出)，控制装置配置为执行本公开任一实施例提供像素电路的检测方法或本公开任一实施例提供显示面板的驱动方法。例如，本公开的至少一个实施例提供的像素电路的检测方法的具体实现方式可以参见图2示出的实施例，本公开的至少一个实施例提供的显示面板的驱动方法的具体实现方式可以参见图7-图9示出的实施例，在此不再赘述。在另一个示例中，控制装置的功能可以使用时序控制器6020实现。
虽然上文中已经用一般性说明及具体实施方式，对本公开作了详尽的描述，但在本公开实施例基础上，可以对之作一些修改或改进，这对本领域技术人员而言是显而易见的。因此，在不偏离本公开精神的基础上所做的这些修改或改进，均属于本公开要求保护的范围。
以上所述仅是本公开的示范性实施方式，而非用于限制本公开的保护范围，本公开的保护范围由所附的权利要求确定。

Claims (16)

1.一种像素电路的检测方法，所述像素电路包括驱动晶体管，所述方法包括：
向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；以及
基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，
其中，所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述第一时长和所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压；以及
所述多个温度包括第一温度，所述多个感测电压包括对应于所述第一温度的第一基准感测电压，所述多个阈值电压包括对应于所述第一温度的所述第一基准阈值电压。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其中，基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压包括：
基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的目标感测电压；以及
基于所述目标感测电压和所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。
3.根据权利要求2所述的检测方法，其中，所述多个温度还包括第二温度，
所述多个感测电压还包括对应于所述第二温度的第二基准感测电压，
所述多个阈值电压还包括对应于所述第二温度的第二基准阈值电压。
4.根据权利要求3所述的检测方法，其中，基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的目标感测电压包括：
基于变化系数、所述第一基准感测电压、所述检测数据电压以及所述第一感测电压获取所述目标感测电压，
其中，所述变化系数根据所述第一基准感测电压、所述第二基准感测电压、所述第一基准阈值电压和所述第二基准阈值电压进行拟合获取。
5.根据权利要求4所述的检测方法，其中，根据所述第一基准感测电压、所述第二基准感测电压、所述第一基准阈值电压和所述第二基准阈值电压进行拟合以获取所述变化系数包括：
根据所述第一基准感测电压、所述第二基准感测电压、所述第一基准阈值电压和所述第二基准阈值电压进行线性拟合以获取所述变化系数，
其中，所述变化系数采用以下表达式(1)得到：
Figure FDA0002738834710000021
其中，β为所述变化系数，
Vsenb1为所述第一基准感测电压，
Vsenb2为所述第二基准感测电压，
Vthb1为所述第一基准阈值电压，
Vthb2为所述第二基准阈值电压。
6.根据权利要求5所述的检测方法，其中，所述目标感测电压采用以下表达式(2)得到：
Figure FDA0002738834710000022
其中，Vsenx为所述目标感测电压，
GL为所述检测数据电压，
Vsen1为所述第一感测电压。
7.根据权利要求5所述的检测方法，其中，选择所述第一基准感测电压和所述第二基准感测电压，以使得所述第一感测电压位于所述第一基准感测电压和所述第二基准感测电压之间。
8.根据权利要求4所述的检测方法，其中，基于所述目标感测电压和所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压包括：
在所述多个感测电压包括所述目标感测电压的情况下，将所述温度补偿查找表中与所述目标感测电压对应的阈值电压作为所述驱动晶体管的当前阈值电压；
在所述多个感测电压不包括所述目标感测电压的情况下，基于所述变化系数、所述第一基准感测电压、所述第一基准阈值电压和所述目标感测电压获取所述驱动晶体管的当前阈值电压。
9.根据权利要求8所述的检测方法，其中，在所述多个感测电压不包括所述目标感测电压的情况下，所述驱动晶体管的当前阈值电压Vth采用以下表达式(3)获取：
Vth＝β(Vsenx-Vsenb1)+Vthb1， (3)。
10.根据权利要求2-9任一所述的检测方法，其中，所述温度补偿查找表还包括在所述多个温度下的所述驱动晶体管的多个迁移率；以及
所述检测方法还包括：
基于所述目标感测电压和所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前迁移率。
11.根据权利要求10所述的检测方法，其中，所述温度补偿查找表还包括在所述多个温度下的所述驱动晶体管的多个补偿系数，所述多个补偿系数用于在显示中对所述驱动晶体管的迁移率进行补偿。
12.一种显示面板的驱动方法，所述显示面板包括像素电路，所述驱动方法包括：
对所述像素电路执行如权利要求1-8任一所述的像素电路的检测方法，以用于至少获得所述像素电路的驱动晶体管的当前阈值电压。
13.根据权利要求12所述的驱动方法，其中，所述温度补偿查找表还包括在所述多个温度下的所述驱动晶体管的多个迁移率；以及
在执行所述像素电路的检测方法中，还基于所述驱动晶体管的目标感测电压和所述温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前迁移率。
14.根据权利要求12或13所述的驱动方法，还包括：
至少根据所获得的所述当前阈值电压对所述像素电路的待显示的数据信号进行补偿，并且使用补偿后的数据信号驱动所述像素电路。
15.一种显示装置，包括像素电路和控制装置，其中，所述像素电路包括驱动晶体管；
所述控制装置配置为执行如下的检测方法：
向所述驱动晶体管的栅极施加第一数据电压，在施加所述第一数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取第一感测电压，其中，所述第一数据电压等于检测数据电压与所述驱动晶体管的第一基准阈值电压之和；以及
基于所述检测数据电压、所述第一感测电压以及温度补偿查找表获取所述驱动晶体管的当前阈值电压，
其中，所述温度补偿查找表包括所述驱动晶体管在多个温度下的多个阈值电压以及基于所述检测数据电压在所述多个温度下获取的多个感测电压；以及
所述多个温度包括第一温度，所述多个感测电压包括对应于所述第一温度的第一基准感测电压，所述多个阈值电压包括对应于所述第一温度的所述第一基准阈值电压。
16.一种温度补偿查找表的构建方法，所述温度补偿查找表用于像素电路补偿且包括对应于多个温度的多个数据条目，所述像素电路包括驱动晶体管，将所述多个温度中的任一温度作为设置温度，所述构建方法包括：
使得所述像素电路保持在所述设置温度；
获取所述像素电路的驱动晶体管在所述设置温度下的阈值电压；
向所述驱动晶体管的栅极施加测试数据电压，在施加所述测试数据电压后的第一时长且在所述驱动晶体管截止之前，在所述驱动晶体管的第一极获取所述设置温度下的感测电压，
其中，所述测试数据电压等于检测数据电压与所述设置温度下的阈值电压之和，且所述设置温度的数据条目包括所述设置温度下的阈值电压和所述设置温度下的感测电压；以及
所述多个温度包括第一温度，所述第一温度下的阈值电压为第一基准阈值电压，所述第一温度下的感测电压为第一基准感测电压。
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