CN111462676B - 电压的确定方法及其确定装置、显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种电压的确定方法及其确定装置、显示装置,涉及显示技术领域,可以解决因驱动晶体管的电特性不一致造成的亮度不一致的问题,电压确定方法包括根据亚像素中的驱动晶体管的侦测源极电压以及所述驱动晶体管的n个参考源极电压,确定所述驱动晶体管的侦测源极电压是否异常;在所述驱动晶体管的侦测源极电压异常的情况下,将所述驱动晶体管的n个参考源极电压中的一个,或所述驱动晶体管的n个参考源极电压的加权平均值确定为所述驱动晶体管的校正源极电压;在所述驱动晶体管的侦测源极电压正常的情况下,将所述驱动晶体管的侦测源极电压确定为所述驱动晶体管的校正源极电压;其中,n≥1。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种电压的确定方法及其确定装置、显示装置。
背景技术
目前,电致发光显示装置由于具有自发光、响应速度快、功耗低等优点,因而得到了越来越广泛的应用。
电致发光显示装置包括多个亚像素,每个亚像素包括像素电路,像素电路包括驱动晶体管(Driving Thin Film Transistor),而驱动晶体管因工艺条件等原因其电学特性不一致,从而影响到显示装置的亮度均一性。
发明内容
本申请的实施例采用如下技术方案,可以解决驱动晶体管的电学特性不一致的问题。
第一方面、提供一种电压的确定方法,包括:根据亚像素中的驱动晶体管的侦测源极电压以及所述驱动晶体管的n个参考源极电压,确定所述驱动晶体管的侦测源极电压是否异常,所述驱动晶体管的侦测源极电压为在驱动晶体管的栅源电压等于阈值电压的情况下,侦测到的所述驱动晶体管的源极电压;在所述驱动晶体管的侦测源极电压异常的情况下,将所述驱动晶体管的n个参考源极电压中的一个,或所述驱动晶体管的n个参考源极电压的加权平均值确定为所述驱动晶体管的校正源极电压;在所述驱动晶体管的侦测源极电压正常的情况下,将所述驱动晶体管的侦测源极电压确定为所述驱动晶体管的校正源极电压;其中,n≥1。
在一些实施例中,电压确定方法还包括:根据所述驱动晶体管的校正源极电压以及侦测所述驱动晶体管的源极电压时所述驱动晶体管的栅极电压,确定所述驱动晶体管的实际阈值电压。
在一些实施例中,根据亚像素中的驱动晶体管的侦测源极电压以及所述驱动晶体管的n个参考源极电压,确定所述驱动晶体管的侦测源极电压是否异常包括:计算所述驱动晶体管的n个参考源极电压的加权平均值Ave,并将K×Ave设置为阈值,其中,0<K<1;在所述驱动晶体管的侦测源极电压和所述驱动晶体管的n个参考源极电压中的一个的差值大于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测源极电压异常;在所述差值小于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测源极电压正常。
在一些实施例中,所述驱动晶体管的侦测源极电压为第i次侦测到的所述驱动晶体管的源极电压;在i>m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考源极电压为第i-n次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压;和/或,在i≤m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考源极电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压,以及n-(i-1)个设定的所述驱动晶体管的源极电压;和/或,在i≤m的情况下,所述驱动晶体管的n个参考源极电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压;其中,m为定值;根据所述驱动晶体管的侦测源极电压以及所述驱动晶体管的n个参考源极电压,确定所述驱动晶体管的侦测源极电压是否异常包括:在当前次侦测到的所述驱动晶体管的侦测源极电压和当前次的前一次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压的差值大于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测源极电压异常;在所述差值小于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测源极电压正常。
在一些实施例中,所述驱动晶体管的n个参考源极电压的加权平均值Ave满足以下条件:
Ave=(a1×Ld1+a2×Ld2+......+an×Ldn)/b;
0<a1<a2<......<an≤1;
b=(a1+a2+a3+......+an);
其中,Ld1、Ld2...Ldn为所述驱动晶体管的n个参考源极电压。
第二方面、提供另一种电压的确定方法,包括:根据亚像素中的驱动晶体管的侦测源极电压以及侦测所述驱动晶体管的源极电压时所述驱动晶体管的栅极电压,确定所述驱动晶体管的侦测阈值电压,所述驱动晶体管的侦测源极电压为在驱动晶体管的栅源电压差等于阈值电压时,侦测到的所述驱动晶体管的源极电压;根据亚像素的驱动晶体管的侦测阈值电压以及所述驱动晶体管的n个参考阈值电压,确定所述驱动晶体管的侦测阈值电压是否异常;在所述驱动晶体管的侦测阈值电压异常的情况下,将所述驱动晶体管的n个参考阈值电压中的一个,或所述驱动晶体管的n个参考阈值电压的加权平均值确定为所述驱动晶体管的实际阈值电压;在所述驱动晶体管的侦测阈值电压正常的情况下,将所述驱动晶体管的侦测源极电压确定为所述驱动晶体管的实际阈值电压;其中,n≥1。
在一些实施例中,根据亚像素的驱动晶体管的侦测阈值电压以及所述驱动晶体管的n个参考阈值电压,确定所述驱动晶体管的侦测阈值电压是否异常包括:计算所述驱动晶体管的n个参考阈值电压的加权平均值Ave,并将K×Ave设置为阈值,其中,0<K<1;在所述驱动晶体管的侦测阈值电压和所述驱动晶体管的n个参考阈值电压中的一个的差值大于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测阈值电压异常;在所述差值小于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测阈值电压正常。
在一些实施例中,所述驱动晶体管的侦测阈值电压为第i次侦测到的所述驱动晶体管的阈值电压;在i>m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压为第i-n次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压;和/或,在i≤m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压,以及n-(i-1)个设定的所述驱动晶体管的阈值电压;和/或,在i≤m的情况下,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压;其中,m为定值;根据所述驱动晶体管的侦测阈值电压以及所述驱动晶体管的n个参考阈值电压,确定所述驱动晶体管的侦测阈值电压是否异常包括:在当前次侦测到的所述驱动晶体管的侦测阈值电压和当前次的前一次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压的差值大于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测阈值电压异常;在所述差值小于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测阈值电压正常。
在一些实施例中,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压的加权平均值Ave满足以下条件:
Ave=(a1×Ld1+a2×Ld2+......+an×Ldn)/b;
0<a1<a2<......<an≤1;
b=(a1+a2+a3+......+an);
其中,Ld1、Ld2...Ldn为所述驱动晶体管的n个参考阈值电压。
第三方面、提供一种电压确定装置,所述电压确定装置用于执行如上述的方法。
第四方面、提供一种显示装置,包括:像素电路、侦测电路以及第三方面所述的电压确定装置。
第五方面,提供一种计算机可读存储介质,存储有计算机程序,在显示装置运行所述计算机程序时,使得所述显示装置执行上述的电压的确定方法。
本发明实施例提供一种电压确定方法及其确定装置、显示装置,可以利用n个参考源极电压对驱动晶体管的侦测源极电压进行异常判断和处理,并滤除异常的驱动晶体管的侦测源极电压,从而得到准确的校正源极电压。此外,还可以利用n个参考阈值电压对侦测阈值电压进行异常判断和处理,并滤除异常的驱动晶体管的侦测阈值电压,得到准确的实际阈值电压。进一步的,可以将驱动晶体管的校正源极电压或实际阈值电压补偿到驱动晶体管的数据电压中,从而可以解决因驱动晶体管的电特性不一致造成的亮度不一致的问题。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种电致发光显示装置的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种显示面板的区域划分示意图;
图3为本发明实施例提供的另一种电致发光显示装置的结构示意图;
图4为本发明实施例提供的一种像素电路的结构示意图;
图5为本发明实施例提供的一种像素电路和侦测电路的结构示意图;
图6为本发明实施例提供的四个亚像素连接一个侦测电路的结构示意图;
图7为本发明实施例提供的一种电压确定方法的流程示意图;
图8为本发明实施例提供的另一种电压的确定方法的流程示意图;
图9为本发明实施例提供的又一种电压的确定方法的流程示意图;
图10为本发明实施例提供的一种电压确定装置的结构示意图;
图11为本发明实施例提供的另一种电压确定装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本发明实施例中的“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同时存在A和B,单独存在B这三种情况。又例如,A和/或B和/或C,可以表示:单独存在A,单独存在B,单独存在C,同时存在A和B,同时存在A和C,同时存在B和C,同时存在A和B和C这七种情况,其中A,B可以是单数或者复数。
本发明实施例提供一种显示装置,如图1所示,显示装置的主要结构包括框架1、盖板2、显示面板3以及电路板4等其它电子配件。此处,显示面板3可以为柔性显示面板,也可以为刚性显示面板。在显示面板3为柔性显示面板的情况下,显示装置为柔性显示装置。
其中,框架1的纵截面呈U型,显示面板3、电路板4以及其它电子配件设置于框架1内,电路板4设置于显示面板3的下方(即背面,背离显示面板3的显示面的一面),盖板2设置于显示面板3远离电路板4的一侧。
本发明实施例提供的显示装置可以为有机电致发光显示装置(Organic Light-Emitting Diode Display,简称OLED),也可以为量子点电致发光显示装置(Quantum DotLight Emitting Diodes,简称QLED)。
此外,本发明实施例提供的显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件,本发明实施例对此不作限制。
如图2所示,显示面板3划分为显示区(Active Area,简称为AA区)A1和位于显示区A1至少一侧的周边区A2,附图2以周边区A2包围显示区A1为例进行示意。显示区A1包括多个亚像素P。周边区A2用于布线,此外,也可以将栅极驱动电路设置于周边区A2。如图3所示,每个亚像素P均包括设置在衬底上的像素电路10,此外至少一个亚像素P还可以包含与像素电路10电连接的侦测电路11,侦测电路11可用于在驱动晶体管的栅源电压等于阈值电压(也可称为实际阈值电压)的情况下,侦测像素电路10中驱动晶体管的源极电压(即驱动晶体管的侦测源极电压)。在一些实施例中,每个亚像素P都可以包含一侦测电路11。在另一些实施例,多个亚像素P可以对应一侦测电路11;示例的,每个包含多个亚像素P的像素对应一侦测电路11,例如一像素包含红色亚像素(R)、绿色亚像素(G)、蓝色亚像素(B)和白色亚像素(W),这4个亚像素可以连接一侦测电路11。
如图3所示,显示装置还包括电压确定装置12,电压确定装置12与侦测电路11电连接。在一些实施例中,电压确定装置12用于根据侦测电路11得到的驱动晶体管的侦测源极电压,确定实际的源极电压(即校正源极电压);显示装置可以根据校正源极电压对亚像素P的数据电压(该亚像素P的像素电路中数据线上的电压)进行补偿。在另一些实施例中,电压确定装置12还可以根据校正源极电压确定出驱动晶体管的实际阈值电压;显示装置可以根据实际阈值电压对亚像素P的数据电压进行补偿。在又一些实施例中,电压确定装置12可以根据驱动晶体管的侦测源极电压确定侦测阈值电压,再对侦测阈值电压进行异常判断,以确定出驱动晶体管的实际阈值电压;显示装置可以根据实际阈值电压对亚像素P的数据电压进行补偿。
在一些实施例中,一侦测电路11连接一电压确定装置12。在另一些实施例中,多个侦测电路11连接一电压确定装置12,示例的,所有侦测电路11连接一电压确定装置12。
在一些实施例中,如图4所示,像素电路10包括写入子电路100、驱动子电路101以及发光器件L。
对于驱动子电路101不进行限定,以能驱动发光器件L发光为准。可选的,如图4所示,驱动子电路101包括驱动晶体管Td和存储电容Cst,驱动晶体管Td的栅极与存储电容Cst的第一端电连接,漏极与第一电压端ELVDD电连接,源极与发光器件L的阳极电连接,存储电容Cst的第二端与驱动晶体管Td的源极电连接。
应当理解到,驱动子电路101还可以包括至少一个与驱动晶体管Td并联的晶体管。上述仅仅是对驱动子电路101的举例说明,其它与驱动子电路101功能相同的结构在此不再一一赘述,但都应当属于本发明的保护范围。
对于写入子电路100不进行限定,以能在扫描信号线Scan的控制下,将数据线DataLine上的电压写入到驱动子电路101为准。可选的,如图4所示,写入子电路100包括第一晶体管T1,第一晶体管T1的栅极与扫描信号线Scan电连接,第一极与数据线Data Line电连接,第二极与驱动子电路101电连接。
在驱动子电路101包括存储电容Cst和驱动晶体管Td的情况下,第一晶体管T1的第二极与存储电容Cst的第一端电连接。
应当理解到,写入子电路100还可以包括至少一个与第一晶体管T1并联的晶体管。上述仅仅是对写入子电路100的举例说明,其它与写入子电路100功能相同的结构在此不再一一赘述,但都应当属于本发明的保护范围。
对于侦测电路11不进行限定,以能侦测到驱动晶体管Td的源极(S)电压为准。可选的,如图5所示,侦测电路11包括第二晶体管T2、侦测电容Csense、侦测线Sense Line、开关SW以及模数转换器(ADC),第二晶体管T2的栅极与侦测信号端Sense电连接,第二晶体管T2的第一极与驱动晶体管Td的源极电连接,第二极与侦测线Sense Line电连接,用于在侦测信号端Sense的控制下,将侦测线Sense Line上的侦测电压写入到驱动晶体管Td的源极;侦测电容Csense的一端与侦测线Sense Line电连接,另一端接地。开关SW的一端与侦测线Sense Line电连接,另一端与模数转换器(ADC)的一端电连接,模数转换器(ADC)的另一端与电压确定装置12电连接。
应当理解到,侦测电路11还可以包括至少一个与第二晶体管T2并联的晶体管。上述仅仅是对侦测电路11的举例说明,其它与侦测电路11功能相同的结构在此不再一一赘述,但都应当属于本发明的保护范围。
参考图5,侦测电路11侦测驱动晶体管Td的源极电压的过程为:打开第一晶体管T1和第二晶体管T2,数据线Data Line加载在驱动晶体管Td的栅极的电压为Vg,侦测线SenseLine加载在驱动晶体管Td的源极电压为V0(例如可以将侦测线Sense Line接地或者与第二电压端ELVSS电连接),当驱动晶体管Td的栅源电压差Vgs大于阈值电压Vth时,驱动晶体管Td被打开;此时侦测线Sense Line不再加载电压V0(例如,侦测线Sense Line与第二电压端ELVSS断开连接)。由于驱动晶体管Td被打开,有电流经过驱动晶体管Td给侦测电容Csense充电(此时,驱动晶体管Td上的电流很小,不足以让发光器件L发光),S点的电压随之被抬高;随着充电时间的增加,当S点的电压不再升高,则驱动晶体管Td处于截止状态。此时,驱动晶体管Td的源极(S)电压作为侦测电压Vs,则驱动晶体管Td的阈值电压Vth=Vg-Vs。
基于上述可知,在侦测到某一个亚像素的驱动晶体管Td的源极电压后,就可以得到驱动晶体管Td的阈值电压Vth。需要说明的是,在侦测到驱动晶体管Td的源极电压后,将第一晶体管T1和第二晶体管T2关断。
在每个包含多个亚像素P的像素对应一侦测电路11的情况下,可选的,如图6所示,图6为一个像素包含的红色亚像素(R)、绿色亚像素(G)、蓝色亚像素(B)和白色亚像素(W)连接一个侦测电路11,即四个不同颜色的亚像素P共用一条侦测线Sense Line以及侦测电容Csense。参考图6可以看出,红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素和白色亚像素均包括一个单独的第二晶体管T2,即具有单独的开关Sense,每个亚像素P均连接相同的侦测电压端Sense,因此可以通过一个侦测电路11同时侦测到一个像素中包含的红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素和白色亚像素的驱动晶体管Td的源极电压Vs。
本发明实施例中,对于第一晶体管T1和第二晶体管T2的第一极和第二极不进行限定。第一极可以为源极也可以为漏极,在第一极为源极的情况下,第二极为漏极;在第一极为漏极的情况下,第二极为源极。
本领域技术人员应该明白,由于驱动晶体管Td因工艺条件等原因其电学特性不一致,从而会影响到显示装置的亮度均一性。而电致发光显示装置的外部补偿技术通过检测每个亚像素P的驱动晶体管Td的特性参数,产生校正后的数据电压,从而可以解决因驱动晶体管Td电特性不一致造成的亮度不一致的问题。驱动晶体管Td的阈值电压Vth是电致发光显示装置外部补偿技术中一个非常重要的电学参数。如图5所示,图5以一个亚像素P的像素电路10和侦测电路11为例进行示意。参考图5,若在一帧图像内,一个亚像素P(例如R亚像素)的S点短路到ELVSS(地),此时,S点的电压Vs=0,则计算出驱动晶体管Td的阈值电压为Vth=Vg-0,大于实际的驱动晶体管Td的阈值电压。而在下一帧图像内,当R亚像素的S点没有短路到ELVSS时,上一帧图像内的阈值电压Vth1补偿到下一帧图像内的R亚像素的数据电压上,则根据驱动晶体管Td的电流公式:I=k(Vgs-Vth2)2,其中,Vgs表示驱动晶体管Td的栅源电压差,Vth2表示下一帧图像内的驱动晶体管Td的阈值电压。
此处,由于I=k(Vdata-ELVDD-Vth2)2=k(Vdata+Vth1-ELVDD-Vth2)2,Vth1为上一帧图像内的R亚像素的驱动晶体管Td的阈值电压,而Vth1大于Vth2,因此,下一帧图像内的发光阶段,流过驱动晶体管Td的电流大于此时其它R亚像素的驱动晶体管Td的电流,从而使得上述的同一个R亚像素在外部补偿结束后显示该点的R亚像素的亮度高于其它R亚像素的亮度,显示为一颗亮点。
为了解决目前的电致发光显示装置电学补偿后出现新增亮点的问题(即补偿前显示是没有亮点的问题,补偿后出现新增亮点)。如图7所示,本申请实施例提供了一种电压的确定方法,该方法的执行主体可以是上述的电压确定装置,当然也可以是包含电压确定装置的产品,例如显示装置等。该方法包括以下步骤:
S100、根据亚像素P中的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs以及驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考,确定驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs是否异常,n≥1。
其中,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs为在驱动晶体管Td的栅源电压Vgs等于(可以理解为相等或无限接近的)阈值电压Vth的情况下,侦测到的驱动晶体管Td的源极电压;这句话应理解为:只要目的是为了侦测Td的栅源电压Vgs等于阈值电压Vth的情况下,驱动晶体管Td的源极电压,无论侦测到的准确与否,都应作为这里的侦测源极电压Vs。为避免歧义,这里的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs可以定义为:驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs在对包含该驱动晶体管Td的亚像素P的数据电压进行补偿的过程中,侦测到的源极电压。根据补偿原理,这里在侦测源极电压所涉及到的电路无异常(即电路正常工作,例如侦测电路和像素电路都正常工作)的前提下,会出现“驱动晶体管Td的栅源电压Vgs等于阈值电压Vth的情况”,从而能够侦测到正确的源极电压。然而,当电路异常,例如驱动晶体管Td源极短接到地,此时则可能无法侦测到正确的源极电压。本领域技术人员应该理解,这里根据电路正常工作的情况对驱动晶体管Td的侦测源极电压做出定义,以清楚表达其含义;但是并不排除电路异常的情况发生。具体的,在电路正常情况下,用于侦测到驱动晶体管Td的栅源电压Vgs等于阈值电压Vth时的源极电压的方案都应属于本申请范畴;而本申请中并不限定侦测源极电压正确与否。
这里的n≥1,例如,n可以等于1,也可以是大于等于2数值。并且,在一些实施例中,显示装置执行该电压的确定方法的次数可以有多次(至少两次),对于不同次执行该电压的确定方法时所采用的n可以相同,也可以不同;即n可以是一个定值(例如n=60),也可以是一个变量。
可选的,显示装置在第i次执行该电压的确定方法时,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs为第i次侦测到的驱动晶体管Td的源极电压,i≥1。
当i=1时,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考可以均为预先设定的驱动晶体管Td的源极电压,示例的,预先设定的驱动晶体管Td的源极电压可以预先存储在显示装置的存储器中;当然,也可以是在第1次执行本实施例中电压的确定方法之前所得到的n个侦测源极电压,只要是认为有参考价值的就可作为这里的参考源极电压。这里的第1次执行本实施例中电压的确定方法可以理解为是显示装置制造完成后的第1次执行,也可以理解为某个时间段中第1次执行该方法,例如在开机后第1次执行该方法,或者,清理完某缓存数据后第1次执行该方法。
当i>1时,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考均为预先设定的驱动晶体管Td的源极电压;或者,可以包括前i-1次(即第1次到第i-1次)确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正;或者,可以包括前n次(第i-n次到第i-1次,i-n≥1,此时n≥2且为定值)确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正;或者,一部分数据是之前确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正,另一部数据是预先设定的驱动晶体管Td的源极电压,例如,n是定值,前i-1次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正不足n个,即i-1<n,此时可以用预先设定的驱动晶体管Td的源极电压来补足n个,此时,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考包括前i-1次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正和n-(i-1)个预先设定的驱动晶体管Td的源极电压。
在一些实施例中,根据亚像素P中的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs以及驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考,确定驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs是否异常包括:
计算驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考的加权平均值Ave,并将K×Ave设置为阈值,其中,0<K<1;在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs和驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考中的一个的差值大于阈值的情况下,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs异常;在差值小于阈值的情况下,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs正常。
可选的,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs和驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考中任意一个的差值与阈值进行比较;或者,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs和驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考中固定的一个参考源极电压Vs参考的差值与阈值进行比较(例如固定的一个参考源极电压Vs参考为预先设定的驱动晶体管Td的源极电压)。
例如,Vs-Vs参考>K×Ave时,Vs异常;Vs-Vs参考<K×Ave时,Vs正常。
在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs和驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考中的一个的差值等于阈值的情况下,可以判定驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs为异常;也可以判定驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs为正常。
需要说明的是,对于K值的选取可以依据当前TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)器件制程的工艺水平,根据当前的TFT的特性,驱动晶体管Td的阈值电压Vth的波动范围在10%左右,因此将K设置为0.1,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs和驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考中的一个的差值在此范围内均判定为正常。
在一些实施例中,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考的加权平均值Ave满足以下条件:
Ave=(a1×Ld1+a2×Ld2+......+an×Ldn)/b;
0<a1<a2<......<an≤1;
b=(a1+a2+a3+......+an);
其中,a1、a2......an为权重,b为总单位数,Ld1、Ld2...Ldn为驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考。
本领域技术人员应当明白,越靠近当前时间所侦测到的驱动晶体管Td的源极电压越接近于实际的驱动晶体管Td的源极电压,因此本发明实施例将权重a1、a2......an设置为a1<a2<......<an。
此处,对于权重a1、a2......an的设置满足以下条件:
ai=aAi+(1-a)Bi,0≤a≤1;ai表示Ldi的权重,i≥1;
其中,u为Ld1、Ld2...Ldn的平均值;
可选的,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs为第i次侦测到的驱动晶体管Td的源极电压,i≥1;在i>m的情况下,n=m,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考为第i-n次至第i-1次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正;和/或,在i≤m的情况下,n=m,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考为第1次至第i-1次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正,以及n-(i-1)个设定的驱动晶体管Td的源极电压;和/或,在i≤m的情况下,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考为第1次至第i-1次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正;其中,m为定值。
此处,n-(i-1)个设定的驱动晶体管Td的源极电压可以为预先设定的驱动晶体管Td的源极电压。
对于m的取值不进行限定。m为正整数,m可以取30、60、90等。
例如m=60时,作为一种实施例:
在i>60的情况下,例如i=70,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考为第10次至第69次确定的驱动晶体管的校正源极电压Vs校正。
在i≤60的情况下,例如i=50,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考为第1次至第49次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正,以及11个预先设定的驱动晶体管Td的源极电压。
在i≤60的情况下,例如i=50,驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考为第1次至第49次确定的所述驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正。
在此基础上,根据驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs以及驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考,确定驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs是否异常包括:在当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs和当前次的前一次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正的差值大于阈值K×Ave的情况下,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs异常;在差值小于阈值K×Ave的情况下,驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs正常。
可选的,将当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs记为Ldn+1,当前次的前一次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正记为Ldn。
结合图8所示,在Ldn+1-Ldn>K×Ave的情况下,Ldn+1为异常数据,则输出Ave并进行补偿;在Ldn+1-Ldn<K×Ave的情况下,Ldn+1为正常数据,则输出Ldn+1并进行补偿。
此外,在Ldn+1-Ldn=K×Ave的情况下,可以判断Ldn+1为异常数据,也可以判断Ldn+1为正常数据。
S101、在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs异常的情况下,将驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考中的一个,或驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考的加权平均值确定为驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正,在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs正常的情况下,将驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs确定为驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正。
在具体实现中,作为一种实施例,可以将确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正补偿到驱动晶体管Td的数据电压中,从而产生校正后的数据电压。
例如,根据公式:Vth=Vg-Vs校正确定校正后的阈值电压(实际的阈值电压Vth实际);由于I=k(Vdata-ELVDD-Vth)2=k(Vdata+Vth实际-ELVDD-Vth)2,而Vth实际等于Vth,因此可以使流过驱动晶体管Td的电流不受阈值电压的影响,从而可以解决因驱动晶体管的电特性不一致造成的亮度不一致的问题。
在具体实现中,结合上一种实施例,电压的确定方法还包括:
S102、根据驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正以及侦测驱动晶体管Td的源极电压时驱动晶体管Td的栅极电压Vg,确定驱动晶体管Td的实际阈值电压Vth实际。
示例的,Vth实际=Vg-Vs校正;将实际阈值电压Vth实际补偿到驱动晶体管Td的数据电压中,从而产生校正后的数据电压。
例如,根据公式I=k(Vdata-ELVDD-Vth)2=k(Vdata+Vth实际-ELVDD-Vth)2,而Vth实际等于Vth,因此可以使流过驱动晶体管Td的电流不受阈值电压的影响,从而可以解决因驱动晶体管的电特性不一致造成的亮度不一致的问题。
需要说明的是,在将实际阈值电压Vth实际补偿到驱动晶体管Td的数据电压时,在每一帧图像内,都需要将实际阈值电压Vth实际补偿到驱动晶体管Td的数据电压中,从而在每一帧图像内都产生校正后的数据电压。
参考上一种实施例,侦测电路11获取到的驱动晶体管Td的阈值电压为Vth=Vg-Vs。基于此本发明实施例还提供一种电压确定方法,如图9所示,电压确定方法包括:
S200、根据亚像素P中的驱动晶体管Td侦测源极电压Vs以及侦测驱动晶体管Td的源极电压时驱动晶体管Td的栅极电压Vg,确定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth,驱动晶体管Td侦测源极电压Vs为在驱动晶体管Td的栅源Vgs等于阈值电压时,侦测到的驱动晶体管Td的源极电压。
例如,根据公式Vth=Vg-Vs就可以确定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth。
此处,对于“驱动晶体管Td侦测源极电压Vs为在驱动晶体管Td的栅源Vgs等于阈值电压时,侦测到的驱动晶体管Td的源极电压”的解释说明可以参考上述实施例,这里不再赘述。
S201、根据亚像素P中的驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth以及驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考,确定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth是否异常。
这里的n≥1,例如,n可以等于1,也可以是大于等于2数值。并且,在一些实施例中,显示装置执行该电压的确定方法的次数可以有多次(至少两次),对于不同次执行该电压的确定方法时所采用的n可以相同,也可以不同;即n可以是一个定值(例如n=60),也可以是一个变量。
可选的,显示装置在第i次执行该电压的确定方法时,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth为第i次侦测到的驱动晶体管Td的阈值电压,i≥1。
当i=1时,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考均为预先设定的驱动晶体管Td的阈值电压,示例的,预先设定的驱动晶体管Td的阈值电压可以预先存储在显示装置的存储器中;当然,也可以是在第1次执行本实施例中电压的确定方法之前所得到的n个侦测阈值电压,只要是认为有参考价值的就可作为这里的参考阈值电压。这里的第1次执行本实施例中电压的确定方法可以理解为是显示装置制造完成后的第1次执行,也可以理解为某个时间段中第1次执行该方法,例如在开机后第1次执行该方法,或者,清理完某缓存数据后第1次执行该方法。
当i>1时,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考均为预先设定的驱动晶体管Td的阈值电压;或者,可以包括前i-1次(即第1次到第i-1次)确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正;或者,可以包括前n次(第i-n次到第i-1次,i-n≥1,此时n≥2且为定值)确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正;或者,一部分数据是之前确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正,另一部数据是预先设定的驱动晶体管Td的阈值电压,例如,n是定值,前i-1次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正不足n个,即i-1<n,此时可以用预先设定的阈值电压来补足n个;此时,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考包括前i-1次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正和n-(i-1)个驱动晶体管Td预先设定的驱动晶体管Td的阈值电压。
在一些实施例中,根据亚像素P中的驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth以及驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考,确定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth是否异常包括:
计算驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考的加权平均值Ave,并将K×Ave设置为阈值,其中,0<K<1;在驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth和驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考中的一个的差值大于阈值的情况下,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth异常;在差值小于阈值的情况下,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth正常。
可选的,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth和驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考中任意一个的差值与阈值进行比较;或者,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth和驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考中固定的一个参考阈值电压Vth参考的差值与阈值进行比较(例如固定的一个参考阈值电压Vth参考为预先设定的驱动晶体管Td的阈值电压)。
例如,Vth-Vth参考>K×Ave时,Vth-异常;Vth-Vth参考<K×Ave时,Vth正常。
在驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth和驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考中的一个的差值等于阈值的情况下,可以判定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth为异常;也可以判定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth为正常。
需要说明的是,对于K值的选取可以依据当前TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)器件制程的工艺水平,根据当前的TFT的特性,驱动晶体管Td的阈值电压Vth的波动范围在10%左右,因此将K设置为0.1,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth和驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考中的一个的差值在此范围内均判定为正常。
在一些实施例中,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考的加权平均值Ave满足以下条件:
Ave=(a1×Ld1+a2×Ld2+......+an×Ldn)/b;
0<a1<a2<......<an≤1;
b=(a1+a2+a3+......+an);
其中,a1、a2......an为权重,b为总单位数,Ld1、Ld2...Ldn为驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考。
本领域技术人员应当明白,越靠近当前时间所侦测到的驱动晶体管Td的阈值电压Vth越接近于实际的驱动晶体管Td的阈值电压Vth实际,因此本发明实施例将权重a1、a2......an设置为a1<a2<......<an。
此处,对于权重a1、a2......an的设置满足以下条件:
ai=aAi+(1-a)Bi,0≤a≤1;ai表示Ldi的权重,i≥1;
其中,u为Ld1、Ld2...Ldn的平均值;
可选的,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth为第i次侦测到的驱动晶体管Td的阈值电压,i≥1;在i>m的情况下,n=m,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考为第i-1次至第i-n次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正;和/或,在i≤m的情况下,n=m,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考为第i-1次至第1次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正,以及n-(i-1)个设定的驱动晶体管Td的阈值电压;和/或,在i≤m的情况下,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考为第i-1次至第1次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正;其中,m为定值。
可选的,n-(i-1)个设定的驱动晶体管Td的阈值电压可以为预先设定的驱动晶体管Td的阈值电压。
对于m的取值不进行限定。应当理解到m为正整数,m可以取30、60、90等。
例如m=60时,作为一种实施例:
在i>60的情况下,例如i=70,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考为第10次至第69次确定的驱动晶体管的校正阈值电压Vth校正。
在i≤60的情况下,例如i=50,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考为第1次至第49次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正,以及11个设定的驱动晶体管Td的源极电压。
在i≤60的情况下,例如i=50,驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考为第1次至第49次确定的所述驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正。
在此基础上,根据驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth以及驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考,确定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth是否异常包括:在当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth和当前次的前一次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正的差值大于阈值K×Ave的情况下,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth异常;在差值小于阈值K×Ave的情况下,驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth正常。
可选的,将当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth记为Ldn+1,当前次的前一次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正记为Ldn。
结合图8所示,在Ldn+1-Ldn>K×Ave的情况下,Ldn+1为异常数据,则输出Ave并进行补偿;在Ldn+1-Ldn<K×Ave的情况下,Ldn+1为正常数据,则输出Ldn+1并进行补偿。
此外,在Ldn+1-Ldn=K×Ave的情况下,可以判断Ldn+1为异常数据,也可以判断Ldn+1为正常数据。
S202、在驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth异常的情况下,将驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考中的一个,或驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考的加权平均值确定为驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正,在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs正常的情况下,将驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth确定为驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正。
在此基础上,可以将驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正补偿到驱动晶体管Td的数据电压中。需要说明的是,在将校正阈值电压Vth校正补偿到驱动晶体管Td的数据电压时,在每一帧图像内,都需要将校正阈值电压Vth校正补偿到驱动晶体管Td的数据电压中,从而在每一帧图像内,均产生校正后的数据电压。
例如,根据公式:I=k(Vdata-ELVDD-Vth)2=k(Vdata+Vth校正-ELVDD-Vth)2,而Vth校正等于Vth,因此可以使流过驱动晶体管Td的电流不受阈值电压的影响,从而可以解决因驱动晶体管的电特性不一致造成的亮度不一致的问题。
本发明实施例中,通过上述的电压确定方法可以对侦测到的驱动晶体管Td的源极电压或者阈值电压进行异常判断和处理,将异常的源极电压或者阈值电压滤除,将正常的源极电压或者阈值电压补偿到驱动晶体管Td的数据电压中,从而产生校正后的数据电压,解决了因驱动晶体管Td的电特性不一致造成的亮度不一致的问题。
本发明实施例提供一种电压确定装置12,用于执行上述任一实施例中的电压的确定方法。
如图10所示,电压确定装置12可以包括第一处理模块121和第二处理模块122。第一处理模块121用于根据亚像素P中的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs以及n个驱动晶体管Td的参考源极电压Vs参考,确定驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs是否异常;第二处理模块122用于在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs异常的情况下,将驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考中的一个,或驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考的加权平均值确定为驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正;在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs正常的情况下,将驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs确定为驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正,n≥1。
在一些实施例中,如图10所示,电压确定装置12还包括第三处理模块123,第三处理模块用于根据驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正以及侦测驱动晶体管Td的源极电压时驱动晶体管Td的栅极电压Vg,确定驱动晶体管Td的实际阈值电压Vth实际。
对于第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123的具体功能的描述,可以参考上述方法实施例中各步骤的描述,在此不再赘述。
第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123可以用硬件电路来实现也可以结合软件来实现。示例的,第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123均用硬件电路来实现;或者,第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123均结合软件来实现。本发明实施例不作具体限定。
可选的,在第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123结合软件实现的情况下,第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123的功能可以由同一个处理器来实现,也可以是至少两个处理器来实现。处理器可以是一个通用中央处理器(central processing unit,CPU),微处理器等。示例的,CPU可以为单核处理器(single-CPU),也可以为多核(multi-CPU)处理器。此处的处理器可以指用于执行计算机程序的处理核。在此基础上,电压确定装置12还包括存储器,存储器用于存储执行计算机程序。处理器用于执行存储器中存储的计算机程序,从而使得显示装置实现本发明实施例中的电压的确定方法。
可选的,本发明实施例中的计算机程序也可以称之为应用程序代码,本发明实施例对此不作具体限定。
在第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123为硬件电路的情况下,示例的,第一处理模块121包括乘法器、第一减法器以及比较器等;第二处理模块122包括选择器。
在具体的实现中,作为一种实施例,例如,乘法器用于计算驱动晶体管Td的n个参考源极电压Vs参考的加权平均值,并设置阈值为K×Ave;第一减法器用于得到当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs和当前次的前一次确定的驱动晶体管Td的校正源极电压Vs校正的差值,即Vs-Vs校正;比较器用于将Vs-Vs校正的差值与K×Ave进行比较;选择器确定当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs是否为异常数据,并滤除异常数据,输出正常的数据。
在具体实现中,结合上一种实施例,第三处理模块123包括第二减法器,第二减法器用于根据公式Vth实际=Vg-Vs校正,以得到驱动晶体管Td的实际阈值电压Vth实际。
作为另一种实施例,如图11所示,电压确定装置12可以包括第一处理模块124、第二处理模块125以及第三处理模块126。
第一处理模块124用于根据亚像素P中的驱动晶体管Td侦测源极电压Vs以及侦测驱动晶体管Td的源极电压时驱动晶体管Td的栅极电压Vg,确定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth;第二处理模块125用于根据亚像素P中的驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth以及驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考,确定驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth是否异常;第三处理模块126用于在驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth异常的情况下,将驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考中的一个,或驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考的加权平均值确定为驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正,在驱动晶体管Td的侦测源极电压Vs正常的情况下,将驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth确定为驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正,n≥1。
对于第一处理模块124、第二处理模块125以及第三处理模块126的具体功能的描述,可以参考上述方法实施例中各步骤的描述,此处不再赘述。
第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123可以用硬件电路来实现也可以结合软件来实现。示例的,第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123均用硬件电路来实现;或者,第一处理模块121、第二处理模块122以及第三处理模块123均结合软件来实现。本发明实施例不作具体限定。
可选的,在第一处理模块124、第二处理模块125以及第三处理模块126结合软件实现的情况下,第一处理模块124、第二处理模块125以及第三处理模块126的功能可以由同一个处理器来实现,也可以是至少两个处理器来实现。处理器可以参考上述实施例这里不再赘述。
在此基础上,电压确定装置12还包括存储器,存储器用于存储执行计算机程序。处理器用于执行存储器中存储的计算机程序,从而使得显示装置实现本发明实施例中的电压的确定方法。
可选的,本发明实施例中的计算机程序也可以称之为应用程序代码,本发明实施例对此不作具体限定。
在第一处理模块124、第二处理模块125以及第三处理模块126为硬件电路的情况下,可选的,第一处理模块124包括第一减法器;第二处理模块125包括乘法器、第二减法器以及比较器等;第三处理模块126包括选择器。
在具体的实现中,作为一种实施例,例如,第一减法器用于根据公式Vth=Vg-Vs,以得到驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth;乘法器用于计算驱动晶体管Td的n个参考阈值电压Vth参考的加权平均值,并设置阈值为K×Ave;第二减法器用于得到当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth和当前次的前一次确定的驱动晶体管Td的校正阈值电压Vth校正的差值,即Vth-Vth校正;比较器用于将Vth-Vth校正的差值与K×Ave进行比较;选择器确定当前次侦测到的驱动晶体管Td的侦测阈值电压Vth是否为异常数据,并滤除异常数据,输出正常的数据。
以上所述,仅为本申请的具体实施方式,但本申请的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此,本申请的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (9)
1.一种电压的确定方法,其特征在于,包括:
根据亚像素中的驱动晶体管的侦测源极电压以及所述驱动晶体管的n个参考源极电压,确定所述驱动晶体管的侦测源极电压是否异常;所述驱动晶体管的侦测源极电压为在驱动晶体管的栅源电压等于阈值电压的情况下,侦测到的所述驱动晶体管的源极电压;以及,所述驱动晶体管的侦测源极电压为第i次侦测到的所述驱动晶体管的源极电压;在i>m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考源极电压为第i-n次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压;和/或,在i≤m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考源极电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压,以及n-(i-1)个设定的所述驱动晶体管的源极电压;和/或,在i≤m的情况下,所述驱动晶体管的n个参考源极电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压;其中,n≥1,m为定值;
计算所述驱动晶体管的n个参考源极电压的加权平均值Ave,并将K×Ave设置为阈值,其中,0<K<1;
在所述驱动晶体管的侦测源极电压异常的情况下,将所述驱动晶体管的n个参考源极电压中的一个,或所述驱动晶体管的n个参考源极电压的加权平均值确定为所述驱动晶体管的校正源极电压;且所述侦测源极电压与所述校正源极电压的差值大于所述阈值;
在所述驱动晶体管的侦测源极电压正常的情况下,将所述驱动晶体管的侦测源极电压确定为所述驱动晶体管的校正源极电压;且所述侦测源极电压与所述校正源极电压的差值小于所述阈值。
2.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,还包括:
根据所述驱动晶体管的校正源极电压以及侦测所述驱动晶体管的源极电压时所述驱动晶体管的栅极电压,确定所述驱动晶体管的实际阈值电压。
3.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,根据所述驱动晶体管的侦测源极电压以及所述驱动晶体管的n个参考源极电压,确定所述驱动晶体管的侦测源极电压是否异常包括:
在当前次侦测到的所述驱动晶体管的侦测源极电压和当前次的前一次确定的所述驱动晶体管的校正源极电压的差值大于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测源极电压异常;在所述差值小于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测源极电压正常。
4.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述驱动晶体管的n个参考源极电压的加权平均值Ave满足以下条件:
Ave=(a1×Ld1+a2×Ld2+......+an×Ldn)/b;
0<a1<a2<......<an≤1;
b=(a1+a2+a3+......+an);
其中,Ld1、Ld2…Ldn为所述驱动晶体管的n个参考源极电压。
5.一种电压的确定方法,其特征在于,包括:
根据亚像素中的驱动晶体管的侦测源极电压以及侦测所述驱动晶体管的源极电压时所述驱动晶体管的栅极电压,确定所述驱动晶体管的侦测阈值电压,所述驱动晶体管的侦测源极电压为在驱动晶体管的栅源电压差等于阈值电压时,侦测到的所述驱动晶体管的源极电压;
根据亚像素的驱动晶体管的侦测阈值电压以及所述驱动晶体管的n个参考阈值电压,确定所述驱动晶体管的侦测阈值电压是否异常;所述驱动晶体管的侦测阈值电压为第i次侦测到的所述驱动晶体管的阈值电压;在i>m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压为第i-n次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压;和/或,在i≤m的情况下,n=m,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压,以及n-(i-1)个设定的所述驱动晶体管的阈值电压;和/或,在i≤m的情况下,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压为第1次至第i-1次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压;其中,n≥1,m为定值;
计算所述驱动晶体管的n个参考阈值电压的加权平均值Ave,并将K×Ave设置为阈值,其中,0<K<1;
在所述驱动晶体管的侦测阈值电压异常的情况下,将所述驱动晶体管的n个参考阈值电压中的一个,或所述驱动晶体管的n个参考阈值电压的加权平均值确定为所述驱动晶体管的实际阈值电压;且所述侦测源极电压与所述实际阈值电压的差值大于所述阈值;
在所述驱动晶体管的侦测阈值电压正常的情况下,将所述驱动晶体管的侦测阈值电压确定为所述驱动晶体管的实际阈值电压;且所述侦测源极电压与所述实际阈值电压的差值小于所述阈值。
6.根据权利要求5所述的确定方法,其特征在于,根据所述驱动晶体管的侦测阈值电压以及所述驱动晶体管的n个参考阈值电压,确定所述驱动晶体管的侦测阈值电压是否异常包括:
在当前次侦测到的所述驱动晶体管的侦测阈值电压和当前次的前一次确定的所述驱动晶体管的实际阈值电压的差值大于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测阈值电压异常;在所述差值小于所述阈值的情况下,所述驱动晶体管的侦测阈值电压正常。
7.根据权利要求6所述的确定方法,其特征在于,所述驱动晶体管的n个参考阈值电压的加权平均值Ave满足以下条件:
Ave=(a1×Ld1+a2×Ld2+......+an×Ldn)/b;
0<a1<a2<......<an≤1;
b=(a1+a2+a3+......+an);
其中,Ld1、Ld2…Ldn为所述驱动晶体管的n个参考阈值电压。
8.一种电压确定装置,其特征在于,
所述电压确定装置用于执行如权利要求1-4任一项所述的方法或用于执行如权利要求5-7任一项所述的方法。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:像素电路、侦测电路以及如权利要求8所述的电压确定装置。
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