CN114420050A - 显示装置 - Google Patents

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CN114420050A
CN114420050A CN202210111272.3A CN202210111272A CN114420050A CN 114420050 A CN114420050 A CN 114420050A CN 202210111272 A CN202210111272 A CN 202210111272A CN 114420050 A CN114420050 A CN 114420050A
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gate
display panel
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韩林倩
唐国强
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Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本申请提供了一种显示装置，显示装置包括显示面板和控制单元；所述显示面板包括显示区域；所述显示区域包括多个块区域，每个块区域均包括温度传感单元；所述控制单元与各温度传感单元电连接，用于基于各所述温度传感单元采集的温度信号和所述显示面板的发光单元的老化量，确定补偿值。采用本申请，能够提供更精确的局部温度，从而能够确定更精确的数据电压补偿值，从而能够减小显示面板的块区域的发光单元的亮度偏差。

Description

显示装置
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言，本申请涉及一种显示装置。
背景技术
OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)显示面板的发光材料随着发光时间，其发光效率逐渐变低，该现象被称为材料老化，显示面板的局部像素老化会出现烧屏现象，为解决此问题，提出了寿命补偿算法(De-burn)。
现有技术中，温度来源是IC(Integrated Circuit，集成电路)的温度传感器，或者是终端主板的温度传感器；该温度传感器并不能精确的反映各部分屏幕的温度，导致补偿值有偏差，或者不需要补偿的位置，也进行了补偿，导致亮度的偏差或功耗的浪费。示例性地，可能存在以下几种情况：
1、当IC温度高于屏幕温度时，此类情况较为常见；
2、当屏幕温度不均时，例如，屏幕局部受到阳光直射，导致局部温度较高，此类情况在车载上比较常见。
但是，这两种情况都会导致寿命补偿算法的补偿值可能出现较大的偏差。
发明内容
本申请针对现有方式的缺点，提出一种显示装置，用以解决现有技术存在的温度传感器并不能精确的反映各部分屏幕的温度，导致补偿值存在较大偏差的技术问题。
本申请实施例提供了一种显示装置，包括：显示面板和控制单元；显示面板包括显示区域；显示区域包括多个块区域，每个块区域均包括温度传感单元；
控制单元与各温度传感单元电连接，用于基于各温度传感单元采集的温度信号和显示面板的发光单元的老化量，确定数据电压补偿值。
本申请实施例提供的技术方案带来的有益技术效果包括：
本申请实施例提供了一种显示装置，通过将显示区域分成多个块区域，每个块区域包括温度传感单元，能够提供更精确的局部温度，从而能够确定更精确的数据电压补偿值，从而不仅能够减小显示面板的块区域的发光单元的亮度偏差，还能够降低功耗，有利于延长显示面板的寿命。
本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，这些将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。
附图说明
本申请上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
图1为本申请实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的另一种显示装置的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的又一种显示装置的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的n个温度传感单元的电路原理图，以及与控制单元的连接关系示意图；
图5为本申请实施例提供的一种阵列基板的结构截面图；
图6为本申请实施例提供的另一种阵列基板的结构截面图。
附图标记：
10-显示面板，11-显示区域，12-周边区域，13-块区域；
20-控制单元，21-放大电路；
30-柔性电路板；
40-第一栅极驱动电路，131-温度传感单元，1311-采集开关，1312-温度传感器；
50-基底，51-缓冲层，52-第零栅极绝缘层，53-第零层间绝缘层，54-第二栅极绝缘层，55-第三栅极绝缘层，56-第一层间绝缘层，57-平坦化层，58-像素定义层，59-阴极层，60-薄膜封装层，61-第二层间绝缘层，62-第一栅极绝缘层；
63-有源层，64-第一栅极层，65-第二栅极层，66-第三栅极层，67-源漏极层，68-阳极层，69-电致发光层，70-氧化物半导体层。
具体实施方式
下面详细描述本申请，本申请的实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的部件或具有相同或类似功能的部件。此外，如果已知技术的详细描述对于示出的本申请的特征是不必要的，则将其省略。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本申请，而不能解释为对本申请的限制。
本技术领域技术人员可以理解，除非另外定义，这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。还应该理解的是，诸如通用字典中定义的那些术语，应该被理解为具有与现有技术的上下文中的意义一致的意义，并且除非像这里一样被特定定义，否则不会用理想化或过于正式的含义来解释。
本技术领域技术人员可以理解，除非特意声明，这里使用的单数形式“一”、“一个”、“所述”和“该”也可包括复数形式。应该进一步理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指存在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。应该理解，当我们称元件被“连接”或“耦接”到另一元件时，它可以直接连接或耦接到其他元件，或者也可以存在中间元件。此外，这里使用的“连接”或“耦接”可以包括无线连接或无线耦接。这里使用的措辞“和/或”包括一个或更多个相关联的列出项的全部或任一单元和全部组合。
下面以具体地实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种显示装置，如图1所示，显示装置包括显示面板10和控制单元20；具体的，显示面板10包括显示区域11；显示区域11包括多个块区域13，每个块区域13均包括温度传感单元131。
控制单元20与各温度传感单元131电连接，用于基于各温度传感单元131采集的温度信号和显示面板10的发光单元的老化量，确定数据电压补偿值。
可选地，控制单元20包括集成电路(IC，Integrated Circuit)。
可选地，发光单元包括无机发光单元或有机发光单元，有机发光单元包括OLED(Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)。
本申请实施例提供了一种显示装置，通过将显示区域11分成多个块区域13，每个块区域13包括温度传感单元131，能够提供更精确的局部温度，从而能够确定更精确的数据电压补偿值，从而不仅能够减小显示面板的块区域的发光单元的亮度偏差，还能够降低功耗，有利于延长显示面板的寿命。
可选地，控制单元20可通过寿命补偿算法确定的data(数据)电压补偿值。
寿命补偿算法(De-burn)是指：将屏幕分为N个block(块区域)，每个block包括m乘m个像素pixel(m大于等于1)，根据每个block中发光材料的老化量和当时的温度确定补偿值，将该block的data(数据)电压做相应的补偿，即可改善烧屏现象。补偿值与发光材料的老化量和发光器件即时的温度这两个因素强相关。
在一些实施例中，如图2所示，温度传感单元131包括：电连接的采集开关1311和温度传感器1312。
显示面板10还包括位于显示区域11的周边区域12的第一栅极驱动电路40。
第一栅极驱动电路40包括多个栅极驱动单元；栅极驱动单元与显示面板10中的像素电路电连接。
每个采集开关1311的控制端与对应的栅极驱动单元的电连接，用于接收对应的栅极驱动单元输出的栅极控制信号。
本申请实施例的采集开关1311的控制端接收的栅极控制信号(gate信号)，可以复用输出至显示面板10中的gate信号，即采集开关1311由显示面板10本身的第一栅极驱动电路40来控制。
具体的，如图2所示，第一栅极驱动电路40包括n个栅极驱动单元(如图2中GOA 1、GOA 2、GOA 3……GOA n-2、GOA n-1、GOA n)，n为不小于1的整数。第一个采集开关1311可以复用GOA 1输出的第一行的gate1来控制，第二个采集开关1311可以复用GOA 2输出的第二行的gate2来控制，第三个采集开关1311可以复用GOA3输出的第三行的gate3来控制，……，第n-2个采集开关1311可以复用GOA n-2输出的第n-2行的gate n-2来控制，第n-1个采集开关1311可以复用GOA n-1输出的第n-1行的gate n-1来控制，第n个采集开关1311可以复用GOA n输出的第n行的gate n来控制。
在一些实施例中，温度传感单元131包括：电连接的采集开关1311和温度传感器1312；
显示面板10还包括位于显示区域11的周边区域12的第一栅极驱动电路40和第二栅极驱动电路；
第一栅极驱动电路40与显示面板10中的多个像素电路电连接；
第二栅极驱动电路包括多个栅极驱动模块；每个采集开关1311的控制端与对应的栅极驱动模块的电连接，用于接收对应的栅极驱动模块输出的栅极控制信号。
本申请实施例的采集开关1311可以通过增加单独的GOA电路来控制(图未示)。
考虑到实时采集会浪费功耗，并且寿命补偿算法(De-burn)的采样频率并不是像显示面板10刷新频率一样高。在一些实施例中，如图3所示，温度传感单元131包括：电连接的采集开关1311和温度传感器1312；每个采集开关1311的控制端分别与控制单元20电连接，用于接收控制单元20输出的栅极控制信号。
可选地，控制单元20包括多个控制端口，控制端口的数量与采集开关1311的数量相同，每个控制端口与一个采集开关1311的控制端电连接。
本申请实施例的采集开关1311通过控制单元20来控制，由控制单元20直接输出栅极控制信号(gate信号)至各采集开关1311，能够避免走线过多。
可选地，显示区域11包括6个块区域13或9个块区域13，每个块区域13均包括温度传感单元131。当然，具体包括多少数量的块区域13，可以根据实际情况设置，本申请不做特别的限定。
在一些实施例中，温度传感器1312包括MOSFET温度传感器、BJT基温度传感器、环振荡器基温度传感器，或者传播线基温度传感器等。
在一些实施例中，如图4所示，温度传感器1312包括第一晶体管，采集开关1311包括第二晶体管。
第一晶体管的第一极与第一电压端vdd电连接。
第一晶体管的控制极和第二极电连接，并与第二晶体管的第一极电连接。
第二晶体管的第二极与控制单元20电连接，第二晶体管的控制极接收栅极控制信号。
可选地，各晶体管均为MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor，金氧半场效晶体管)。任一晶体管的控制极为MOSFET的栅极；控制极所属的晶体管的第一极为MOSFET的源极或漏极，第二极为与第一极相对应的MOSFET的漏极或源极。即当同一晶体管的第一极为源极时其第二极为漏极，当同一晶体管的第一极为漏极时其第二极为源极。
MOSFET温度传感器的工作原理为：MOSFET温度传感器一般采用二极连接，即漏极、栅极互连，将栅、源电压作为输出信号。此时的MOSFET工作在饱和区，其源极电流IDS与栅源电压VGS特性表示为：
Figure BDA0003495111610000061
在恒流条件下，随着温度的上升阈值电压下降，器件的压降随温度上升而下降。
Figure BDA0003495111610000071
其中，μn、COX、W和L为MOSFET温度传感器的工艺参数和几何参数相关的固定常数。具体的，μn、COX、W和L分别为MOSFET温度传感器的场效应迁移率、栅绝缘层单位面积电容、沟道宽度和沟道长度。Vgs为MOSFET温度传感器的栅源电压差。Vth为MOSFET温度传感器的阈值电压。MOSFET的阈值电压Vth与金属和半导体的功函数差、氧化层界面电荷、费米势、及衬底掺杂浓度有关。
可选地，上述各晶体管均可以是N型MOSFET或P型MOSFET。当第一晶体管为N型MOSFET，第二晶体管为P型MOSFET时，所形成的多个温度传感单元131的电路原理图如图4所示。
本领域技术人员可以理解，图4所示的电路连接方式仅作为本申请实施例提供的多个温度传感单元131的电路的一种示例，第一晶体管为P型MOSFET、第二晶体管为N型MOSFET或各晶体管的第一极和第二极分别为MOSFET的不同的极时，可适应地调整本申请实施例提供的电路中各元件的电连接方式，适应地调整后的电连接方式仍然属于本申请实施例的保护范围。
具体的，如图4所示，显示面板10的显示区域11包括n个温度传感单元131，每个温度传感单元131包括一个采集开关1311和一个温度传感器1312。
各第一晶体管的源极都与第一电压端vdd电连接，即第i个第一晶体管Ti的源极都与第一电压端vdd电连接，1≤i≤n，i为整数。
各第一晶体管的栅极和漏极都电连接，即第i个第一晶体管Ti的栅极和漏极电连接，1≤i≤n，i为整数。
各第一晶体管的漏极都分别与对应的第二晶体管的漏极电连接，即各第一晶体管Ti的漏极与各第二晶体管Si的漏极(或源极)电连接，1≤i≤n，i为整数。
各第二晶体管Si(1≤i≤n，i为整数)分别接收栅极控制信号。各第二晶体管Si(1≤i≤n，i为整数)的源极(或漏极)都电连接，且与控制单元20电连接。
可选地，控制单元20包括放大电路21，与各采集开关1311都电连接，用于将温度传感器1312采集的温度信号进行放大后输出。
可选地，放大电路21包括第一电阻R1、第二电阻R2、第一电容C1、运算放大器F1。各第二晶体管Si(1≤i≤n，i为整数)的源极(或漏极)都与第一电阻R1电连接。
可选地，控制单元20还包括存储器，用于存储放大电路21输出的温度信号。
如图4所示，将第二晶体管S1打开，放大电路21的输出端Vout将输出第一个温度传感器1312(第一晶体管T1)的放大信号；将第二晶体管S2打开，放大电路21的输出端Vout将输出第二个温度传感器1312(第二晶体管T2)的放大信号，以此类推，放大电路21的输出端Vout将输出不同的电压信号，对应的不同的温度信号；该温度信号被存储在控制单元20的RAM(随机存取存储器)中，控制单元20可随时调取被存储在控制单元20的RAM的温度信息，并根据此时的显示面板10的发光单元的老化量确认data的补偿值，此时的补偿值更为精确。
在一些实施例中，如图5所示，图5为第一阵列基板采用低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)背板工艺的结构截面图。显示面板10包括第一阵列基板。
第一阵列基板包括基底(SUBSTRATE)50和第零层间绝缘层(ILD0)53；第一晶体管位于第零层间绝缘层(ILD0)53远离基底(SUBSTRATE)50的一侧。可选地，第一晶体管位于第零层间绝缘层(ILD0)53上。
第二晶体管和块区域13的像素电路的开关晶体管都是基于低温多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，LTPS)背板工艺制备得到的。
可选地，如图5所示，第一阵列基板还包括氧化物半导体层70、第二栅极层(gate2)65和源漏极层(SD)67；
第一晶体管的有源结构位于氧化物半导体层70中；第一晶体管的栅极结构位于第二栅极层(gate2)65中；
第一晶体管的源极结构和漏极结构都位于源漏极层(SD)67中，且都与有源结构电连接，漏极结构与栅极结构电连接。
可选地，如图5所示，第一阵列基板还包括缓冲层(BUFFER)51，第零栅极绝缘层(GI0)52，第二栅极绝缘层(GI2)54，第三栅极绝缘层(GI3)55，第一层间绝缘层(ILD1)56，平坦化层(PLN)57，像素定义层(PDL)58，阴极层(CATHODE)59，薄膜封装层(TFE)60，有源层(P-si)63，第一栅极层(gate1)64，阳极层(AND)68和电致发光层(R/G/B)69。
缓冲层51设置于基底50的一侧。
有源层63设置于缓冲层51远离基底50的一侧。
第零栅极绝缘层52设置于有源层63和缓冲层51都远离基底50的一侧。
第一栅极层64设置于第零栅极绝缘层52远离有源层63的一侧。
第零层间绝缘层53设置于第一栅极层64和第零栅极绝缘层52都远离基底50的一侧。
氧化物半导体层70，设置于第零层间绝缘层53远离第零栅极绝缘层52中除了第一栅极层64之外的部分的一侧。或者，氧化物半导体层70，设置于第零层间绝缘层53远离基底50的一侧，且氧化物半导体层70在基底50中的正投影，与第一栅极层64在基底50中的正投影相分离。
第二栅极绝缘层54设置于氧化物半导体层70和第零层间绝缘层53都远离基底50的一侧。
第二栅极层65，设置于第二栅极绝缘层54远离氧化物半导体层70和第一栅极层64的一侧。
第三栅极绝缘层55，设置于第二栅极层65和第二栅极绝缘层54都远离基底50的一侧。
源漏极层67，设置于第三栅极绝缘层55远离有源层63和氧化物半导体层70的一侧。
第一层间绝缘层56，设置于源漏极层67和第三栅极绝缘层55都远离基底50的一侧。
平坦化层57，设置于第一层间绝缘层56远离基底50的一侧。
阳极层68，设置于平坦化层57远离第一层间绝缘层56的一侧，且阳极层68在基底50的正投影，与第一栅极层64和第二栅极层65在基底50的正投影相分离。
电致发光层69，设置于阳极层68远离平坦化层57的一侧。
像素定义层58，设置于未被电致发光层69覆盖的阳极层68、以及未被阳极层68覆盖的平坦化层57的一侧。
阴极层59，设置于电致发光层69和像素定义层58都远离平坦化层57的一侧。
薄膜封装层60，设置于阴极层59远离平坦化层57的一侧。
在一些实施例中，如图6所示，第一晶体管和第二晶体管都是基于相同的工艺制备过程得到的。可选地，第一晶体管和第二晶体管都是基于低温多晶氧化物(LowTemperature Polycrystalline Oxide，LTPO)背板工艺制备得到的。
在一些实施例中，如图6所示，显示面板10包括第二阵列基板；图6为第二阵列基板采用低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)背板工艺的结构截面图。
第二阵列基板包括氧化物半导体层70、第三栅极层(gate3)66和源漏极层(SD)67；
第一晶体管的有源结构和所述第二晶体管的有源结构都位于氧化物半导体层70中；
第一晶体管的栅极结构和第二晶体管的栅极结构都位于第三栅极层(gate3)66中；
第一晶体管的源极结构和漏极结构都位于源漏极层(SD)67中，且都与第一晶体管的有源结构电连接；第一晶体管的漏极结构与栅极结构电连接；
第二晶体管的源极结构和漏极结构都位于源漏极层(SD)67中，且都与第二晶体管的有源结构电连接。
可选地，如图6所示，第二阵列基板还包括基底(SUBSTRATE)50，缓冲层(BUFFER)51，第零栅极绝缘层(GI0)52，第零层间绝缘层(ILD0)53，第二栅极绝缘层(GI2)54，第一层间绝缘层(ILD1)56，平坦化层(PLN)57，像素定义层(PDL)58，阴极层(CATHODE)59，薄膜封装层(TFE)60，第二层间绝缘层(ILD2)61，第一栅极绝缘层(GI1)62，有源层(P-si)63，第一栅极层(gate1)64，第二栅极层(gate2)65，阳极层(AND)68和电致发光层(R/G/B)69。
可选地，第一栅极层(gate1)64、第二栅极层(gate2)65和第三栅极层(gate3)66是由导电材料所制成，例如金属材料。
缓冲层51设置于基底50的一侧。
有源层63设置于缓冲层51远离基底50的一侧。
第零栅极绝缘层52设置于有源层63和缓冲层51都远离基底50的一侧。
第一栅极层64设置于第零栅极绝缘层52远离有源层63的一侧。第零层间绝缘层53设置于第一栅极层64和第零栅极绝缘层52都远离基底50的一侧。
第一栅极绝缘层62设置于第一栅极层64和第零层间绝缘层53都远离基底50的一侧。
第二栅极层65设置于第零层间绝缘层53远离基底50的一侧。
第一层间绝缘层56设置于第一栅极绝缘层62远离第二栅极层65的一侧。
氧化物半导体层70，设置于第一层间绝缘层56远离第二栅极层65的一侧。
第二栅极绝缘层54设置于氧化物半导体层70远离于第一层间绝缘层56的一侧。
第三栅极层66设置于第二栅极绝缘层54远离于氧化物半导体层70的一侧。
第二层间绝缘层61设置于氧化物半导体层70、第二栅极绝缘层54、第三栅极层66和第一层间绝缘层56都远离第二栅极层65的一侧。
源漏极层67，设置于第二层间绝缘层61远离有氧化物半导体层70、第二栅极绝缘层54和第三栅极层66的一侧。
平坦化层57，设置于第一层间绝缘层56远离基底50的一侧。
阳极层68，设置于平坦化层57远离第一层间绝缘层56的一侧，且阳极层68在基底50的正投影，与第一栅极层64和第二栅极层65在基底50的正投影相分离。
电致发光层69，设置于阳极层68远离平坦化层57的一侧。
像素定义层58，设置于未被电致发光层69覆盖的阳极层68、以及未被阳极层68覆盖的平坦化层57的一侧。
阴极层59，设置于电致发光层69和像素定义层58都远离平坦化层57的一侧。
薄膜封装层60，设置于阴极层59远离平坦化层57的一侧。
在一些实施例中，氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物(indium galliumzinc oxide，IGZO)。或者，氧化物半导体层的材料包括其它有相似特性的氧化物半导体材料。
应用本申请实施例，至少能够实现如下有益效果：
本申请实施例提供了一种显示装置，通过将显示区域11分成多个块区域13，每个块区域13包括温度传感单元131，能够提供更精确的局部温度，从而能够确定更精确的数据电压补偿值，从而不仅能够减小显示面板的块区域的发光单元的亮度偏差，还能够降低功耗，有利于延长显示面板的寿命。
本技术领域技术人员可以理解，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。
术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
应该理解的是，虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上所述仅是本申请的部分实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本申请的保护范围。

Claims (10)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：显示面板和控制单元；所述显示面板包括显示区域；所述显示区域包括多个块区域，每个块区域均包括温度传感单元；
所述控制单元与各温度传感单元电连接，用于基于各所述温度传感单元采集的温度信号和所述显示面板的发光单元的老化量，确定数据电压补偿值。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述温度传感单元包括：电连接的采集开关和温度传感器；
所述显示面板还包括位于所述显示区域的周边区域的第一栅极驱动电路；
所述第一栅极驱动电路包括多个栅极驱动单元；所述栅极驱动单元与所述显示面板中的像素电路电连接；
每个所述采集开关的控制端与对应的所述栅极驱动单元的电连接，用于接收对应的所述栅极驱动单元输出的栅极控制信号。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述温度传感单元包括：电连接的采集开关和温度传感器；
所述显示面板还包括位于所述显示区域的周边区域的第一栅极驱动电路和第二栅极驱动电路；
所述第一栅极驱动电路与所述显示面板中的多个像素电路电连接；
所述第二栅极驱动电路包括多个栅极驱动模块；每个所述采集开关的控制端与对应的所述栅极驱动模块的电连接，用于接收对应的所述栅极驱动模块输出的栅极控制信号。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述温度传感单元包括：电连接的采集开关和温度传感器；
每个所述采集开关的控制端分别与所述控制单元电连接，用于接收所述控制单元输出的栅极控制信号。
5.根据权利要求2-4中任一所述的显示装置，其特征在于，所述温度传感器包括第一晶体管，所述采集开关包括第二晶体管；
所述第一晶体管的第一极与第一电压端电连接；
所述第一晶体管的控制极和第二极电连接，并与所述第二晶体管的第一极电连接；
所述第二晶体管的第二极与所述控制单元电连接，所述第二晶体管的控制极接收所述栅极控制信号。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板包括第一阵列基板；
所述第一阵列基板包括基底和第零层间绝缘层；所述第一晶体管位于所述第零层间绝缘层远离基底的一侧；
所述第二晶体管和所述块区域的像素电路的开关晶体管都是基于低温多晶硅背板工艺制备得到的。
7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
所述第一阵列基板还包括氧化物半导体层、第二栅极层和源漏极层；
所述第一晶体管的有源结构位于所述氧化物半导体层中；所述第一晶体管的栅极结构位于所述第二栅极层中；
所述第一晶体管的源极结构和漏极结构都位于所述源漏极层中，且都与所述有源结构电连接，所述漏极结构与所述栅极结构电连接。
8.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
所述第一晶体管和所述第二晶体管都是基于相同的工艺过程制备得到的。
9.根据权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述显示面板包括第二阵列基板；
所述第二阵列基板包括氧化物半导体层、第三栅极层和源漏极层；
所述第一晶体管的有源结构和所述第二晶体管的有源结构都位于所述氧化物半导体层中；
所述第一晶体管的栅极结构和所述第二晶体管的栅极结构都位于所述第三栅极层中；
所述第一晶体管的源极结构和漏极结构都位于所述源漏极层中，且都与所述第一晶体管的有源结构电连接；所述第一晶体管的漏极结构与栅极结构电连接；
所述第二晶体管的源极结构和漏极结构都位于所述源漏极层中，且都与所述第二晶体管的有源结构电连接。
10.根据权利要求7或9所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体层的材料包括铟镓锌氧化物。
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