CN111312767A - 显示基板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示基板，包括多个子像素。所述显示基板还包括：衬底基板，设置在所述衬底基板的第一侧的多个温度传感器；以及，设置在所述温度传感器的周侧、靠近所述衬底基板的一侧以及远离所述衬底基板的一侧的遮光层。所述温度传感器被配置为检测所述多个子像素中的至少一个子像素的温度。所述遮光层被配置为遮挡射向所述温度传感器的光线。

Description

显示基板及显示装置
技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及其制备方法、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称为OLED)因具有高亮度、全视角、响应速度快以及可柔性显示等优点，已在显示领域得到广泛应用。
发明内容
一方面，提供一种显示基板，包括多个子像素。所述显示基板还包括：衬底基板，设置在所述衬底基板的第一侧的多个温度传感器；以及，设置在所述温度传感器的周侧、靠近所述衬底基板的一侧以及远离所述衬底基板的一侧的遮光层。所述温度传感器被配置为检测所述多个子像素中的至少一个子像素的温度。所述遮光层被配置为遮挡射向所述温度传感器的光线。
在一些实施例中，所述遮光层包括：覆盖在所述温度传感器的周侧的第一周侧遮光层。所述第一周侧遮光层在所述衬底基板上的正投影为围绕所述温度传感器的封闭图形。
在一些实施例中，所述第一周侧遮光层的内边缘延伸至所述温度传感器的远离所述衬底基板的一侧，所述第一周侧遮光层的外边缘延伸至所述温度传感器的周围区域。
在一些实施例中，所述第一周侧遮光层的材料包括遮光油墨或遮光有机材料。
在一些实施例中，所述显示基板，还包括：设置在所述温度传感器的远离所述衬底基板的一侧的绝缘层；所述绝缘层中设置有环绕所述温度传感器的周侧的凹槽。所述遮光层包括：设置在所述凹槽内的第二周侧遮光层。所述第二周侧遮光层至少覆盖所述凹槽的靠近所述温度传感器的内侧壁。
在一些实施例中，所述第二周侧遮光层为至少覆盖所述凹槽的靠近所述温度传感器的内侧壁的遮光薄膜，或者为填充于所述凹槽内的环形挡墙。
在一些实施例中，所述第二周侧遮光层的材料包括遮光油墨、遮光有机材料或遮光金属材料。
在一些实施例中，所述遮光层包括：设置在所述温度传感器的靠近所述衬底基板的一侧的第一遮光电极。所述温度传感器在所述衬底基板上的正投影，在所述第一遮光电极在所述衬底基板上的正投影范围内。
在一些实施例中，所述显示基板，还包括：设置在所述温度传感器的靠近所述衬底基板的一侧的温度控制晶体管。所述温度控制晶体管包括源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述第一遮光电极同层设置，且所述源极或所述漏极与所述第一遮光电极电连接。
在一些实施例中，所述遮光层包括：设置在所述温度传感器的远离所述衬底基板的一侧的第二遮光电极。所述温度传感器在所述衬底基板上的正投影，在所述第二遮光电极在所述衬底基板上的正投影范围内。
在一些实施例中，所述显示基板，还包括：与所述多个温度传感器中的至少一个温度传感器电连接的偏置电压信号线。所述第二遮光电极与所述偏置电压信号线同层设置且电连接。
在一些实施例中，在所述遮光层包括第二周侧遮光层，且所述第二周侧遮光层的材料包括遮光金属材料的情况下，所述第二周侧遮光层和所述第二遮光电极同层设置。
在一些实施例中，所述显示基板具有多个像素区域，所述像素区域内设置有所述多个子像素中的至少一个子像素。所述显示基板还包括：设置在所述衬底基板的第一侧的多个光敏传感器。所述像素区域内设置有所述多个光敏传感器中的至少一个光敏传感器。所述至少一个光敏传感器被配置为检测其所在的像素区域内的子像素的发光强度。
在一些实施例中，所述显示基板，还包括：与所述光敏传感器电连接的第一信号线，以及与所述温度传感器电连接的第二信号线。或，所述显示基板还包括：与所述光敏传感器电连接的第一信号线；所述温度传感器与位于同一像素区域内的任一个光敏传感器所电连接的第一信号线电连接。
另一方面，提供一种显示基板的制备方法。所述显示基板的制备方法包括：提供衬底基板；在所述衬底基板的第一侧制作多个温度传感器；在所述温度传感器的周侧、靠近所述衬底基板的一侧以及远离所述衬底基板的一侧形成遮光层；所述遮光层被配置为遮挡射向所述温度传感器的光线。
在一些实施例中，所述遮光层包括第一周侧遮光层；在所述温度传感器的周侧形成所述第一周侧遮光层，包括：在形成有所述多个温度传感器的衬底基板上形成第一遮光薄膜；图案化所述第一遮光薄膜，形成所述第一周侧遮光层；所述第一周侧遮光层覆盖所述温度传感器的周侧，所述第一周侧遮光层在所述衬底基板上的正投影为围绕所述温度传感器的封闭图形。
在一些实施例中，所述遮光层包括第二周侧遮光层；在所述温度传感器的周侧形成所述第二周侧遮光层，包括：在所述温度传感器的远离所述衬底基板的一侧形成绝缘薄膜；图案化所述绝缘薄膜，在所述绝缘薄膜中形成凹槽；所述凹槽环绕所述温度传感器的周侧；在所述凹槽内形成第二周侧遮光层；所述第二周侧遮光层至少覆盖所述凹槽的靠近所述温度传感器的内侧壁。
在一些实施例中，在所述凹槽内形成第二周侧遮光层，包括：在具有所述凹槽的绝缘薄膜远离所述衬底基板的一侧形成第二遮光薄膜；图案化所述第二遮光薄膜，形成第二周侧遮光层。
在一些实施例中，在所述凹槽内形成第二周侧遮光层，包括：采用打印工艺在所述凹槽内填充第二周侧遮光层的材料，形成位于所述凹槽内的环形挡墙。
又一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括：如上述一些实施例中所述的显示基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程等的限制。
图1为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的结构图；
图2为根据本公开一些实施例中的一种像素区域内的结构图；
图3为根据本公开一些实施例中的另一种像素区域内的结构图；
图4为图2沿M-M＇向和沿N-N＇向的一种剖视图；
图5为图2沿M-M＇向和沿N-N＇向的另一种剖视图；
图6为图2沿M-M＇向和沿N-N＇向的又一种剖视图；
图7为图2沿M-M＇向和沿N-N＇向的又一种剖视图；
图8为根据本公开一些实施例中的一种温度传感器在暗态的条件下，其信号量随温度变化的数据图；
图9为根据本公开一些实施例中的一种温度传感器在常温(26℃)的条件下，其信号量随光强变化的数据图；
图10为根据本公开一些实施例中的一种温度传感器在设置遮光层后，其信号量随温度和光强变化的数据图；
图11为根据本公开一些实施例中的一种温度传感器在暗态和亮态下的感光对比图；
图12为根据本公开一些实施例中的一种温度传感器在设置遮光层后，在暗态和亮态下的感光对比图；
图13为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的制备方法的流程图；
图14为根据本公开一些实施例中的一种在温度传感器的周侧形成第一周侧遮光层的流程图；
图15为根据本公开一些实施例中的一种在温度传感器的周侧形成第二周侧遮光层的流程图；
图16为根据本公开一些实施例中的一种在凹槽内形成第二周侧遮光层的流程图；
图17为根据本公开一些实施例中的一种显示基板的制作流程图；
图18为根据本公开一些实施例中的另一种显示基板的制作流程图；
图19为根据本公开一些实施例中的又一种显示基板的制作流程图；
图20为根据本公开一些实施例中的一种显示装置的结构图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部件彼此间有直接物理接触或电接触。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
相关技术中，OLED显示装置在制备完成后，通常会对各子像素的发光亮度进行校正，使得各子像素能够发出理想的发光亮度。但是，在OLED显示装置工作一段时间之后，OLED显示装置中各子像素会出现发光亮度衰退的情况，这样会导致OLED显示装置出现发光不均、显示存在残影的现象，影响OLED的显示效果。
由此，提出了一种光学补偿技术，在OLED显示装置内设置光敏传感器，以利用该光敏传感器检测OLED显示装置内子像素的发光亮度，这样便可以根据光敏传感器所检测到的发光亮度与理想的发光亮度之间的差异，调整子像素的驱动电路的电信号，对子像素的发光亮度进行补偿。
然而，光敏传感器会受到上述至少一个子像素的温度的影响，使检测得到的结果产生差异，进而影响对上述至少一个子像素的发光亮度的补偿的准确度，影响OLED显示装置的显示效果。
由此，提出了在OLED显示装置内设置多个温度传感器的技术，利用该温度传感器检测OLED显示装置内子像素的温度，并根据温度传感器检测得到的结果对光敏传感器检测得到的结果进行修正，提高对子像素的发光亮度补偿的精度。
然而，温度传感器的特性容易在受到光照的情况下产生变化，这样会影响温度传感器所检测的子像素温度的准确性，进而影响对光敏传感器检测得到的结果的修正的准确性，降低对子像素的发光亮度补偿的精度。
基于此，本公开的一些实施例提供了一种显示基板100。如图1所示，该显示基板100具有多个像素区域P。显示基板100包括多个子像素Q。每个子像素Q可以发出一种颜色的光，例如白色、红色、绿色和蓝色中的一种。当然，每个子像素Q还可以发出其他颜色的光，此处可以根据实际需要选择设置。
每个像素区域P内设置有所述多个子像素Q中的至少一个子像素Q。也即，每个像素区域P内可以设置有一个子像素Q，或者，每个像素区域P内可以设置有多个子像素Q。
每个子像素区域P内设置的子像素Q的数量，可以根据实际需要选择设置。例如，每个像素区域P内设置有一个子像素Q，该子像素Q可以发出白色光、红色光、绿色光或蓝色光。又如，如图1所示，每个像素区域P内设置有三个子像素Q，该三个子像素Q分别可以发出红色光、绿色光以及蓝色光。又如，每个像素区域P内设置有四个子像素Q，该四个子像素Q分别可以发出白色光、红色光、绿色光以及蓝色光，或者，该四个子像素Q中的两个子像素可以发出绿色光，其余两个子像素Q分别可以发出红色光和蓝色光。
在一些示例中，如图4～图7所示，每个子像素Q包括发光器件F，以及被配置为驱动发光器件F发光的驱动晶体管D。此处，发光器件F的结构包括多种。示例性的，发光器件F可以包括依次层叠设置的阴极F1、发光层F2、滤色层F3和阳极F4，其中，滤色层F3为红色滤色层、绿色滤色层或蓝色滤色层。示例性的，发光器件F可以包括依次层叠设置的阴极F1、发光层F2、和阳极F4，其中，发光层F2自身可以发出有颜色的光。
此外，如图2～图7所示，显示基板100还包括：衬底基板1，设置在衬底基板1的第一侧A的多个光敏传感器2和多个温度传感器3。
上述衬底基板1的类型包括多种，可以根据实际需要选择设置。示例性的，衬底基板1包括刚性衬底基板，例如玻璃衬底基板。示例性的，衬底基板1包括柔性衬底基板，例如PET(Polyethylene terephthalate，聚对苯二甲酸乙二醇酯)衬底基板、PEN(Polyethylenenaphthalate two formic acid glycol ester，聚萘二甲酸乙二醇酯)衬底基板或PI(Polyimide，聚酰亚胺)衬底基板。
衬底基板1具有相对的两个表面，这两个表面为该衬底基板1的两侧，设置有多个光敏传感器2和多个温度传感器3的第一侧A指的是该两侧中的一侧。
在一些示例中，上述多个光敏传感器2与像素区域P之间的关系为：每个像素区域P内设置有上述多个光敏传感器2中的至少一个光敏传感器2。也即，每个像素区域P内可以设置有一个光敏传感器2，或者，每个像素区域P内可以设置有多个光敏传感器2。
上述至少一个光敏传感器2被配置为检测其所在的像素区域P内的子像素Q的发光强度，也即将光信号转化为电信号，通过该电信号的大小表示发光强度的大小。此处，该至少一个光敏传感器2检测其所在的像素区域P内的子像素Q的发光强度，包括多种示例。下面对其中几个示例进行示意性说明。
例如，每个像素区域P内设置有一个光敏传感器2，且每个像素区域P内设置有一个子像素Q；或者，如图2和图3所示，每个像素区域P内设置有多个光敏传感器2，且每个像素区域P内设置有与该多个光敏传感器2数量相同的子像素Q。此时，每个光敏传感器2则检测一个子像素Q的发光强度，这样有利于提高每个光敏传感器2的检测结果的准确性。
例如，每个像素区域P内设置有一个光敏传感器2，且每个像素区域P内设置有多个子像素Q；或者，每个像素区域P内设置有多个光敏传感器2，且每个像素区域P内设置有比该多个光敏传感器2数量更多的子像素Q。此时，每个光敏传感器2则检测多个子像素Q的发光强度，这样可以减少在显示基板100中设置光敏传感器2的数量，减少光敏传感器2在显示基板100中的占用率。
通过设置光敏传感器2，可以在光敏传感器2对子像素Q的发光强度进行检测之后，将检测结果与子像素Q所校正的结果进行对比，在两者存在差异的情况下，对子像素Q进行补偿，以使得子像素Q发出的光的亮度能够与理想的发光亮度相对应。
在一些示例中，上述光敏传感器2的结构包括多种。示例性的，如图4～图7所示，光敏传感器2包括设置在衬底基板1的第一侧A的第一半导体层21，以及覆盖在该第一半导体层21的远离衬底基板1的一侧表面上的第一保护电极22。
上述第一半导体层21能够对子像素Q的发光强度进行检测。上述第一保护电极22能够对第一半导体层21的远离衬底基板1的一侧表面进行保护，避免第一半导体层21的远离衬底基板1的一侧表面被损伤，进而避免第一半导体层21的检测性能受到影响，影响所检测的发光强度的准确性。
在一些示例中，第一保护电极22为透明的导电材料。示例性的，保护电极22的材料为氧化铟锡(Indium Tin Oxides；简称ITO)或掺铟氧化锌(Indium-doped Zinc Oxide；简称IZO)。这样可以避免第一保护电极22对光线形成遮挡，影响第一半导体层21的对子像素Q的发光强度的检测。
在一些实施例中，上述温度传感器3被配置为检测上述多个子像素Q中的至少一个子像素Q的温度，也即将温度信号转化为电信号，通过该电信号的大小表示温度的大小。也即，每个温度传感器3能够检测一个子像素Q的温度，或者，每个温度传感器3能够检测多个子像素Q的温度。此处，该多个子像素Q可以是属于同一像素区域P内的部分或全部的子像素Q；该多个子像素Q还可以是属于不同像素区域P内的全部子像素Q，或者，属于不同像素区域P中的一个像素区域P内全部子像素Q，另外像素区域P内部分子像素Q，或者，各像素区域P内部分的子像素Q。
在每个温度传感器3能够检测多个子像素Q的温度的情况下，该多个子像素Q例如为相邻的两个子像素Q，或者例如为呈“一”字形排列的三个子像素Q，或者例如为呈“品”字形或呈“L”形排列的三个子像素Q，或者例如为呈“田”字形排列的四个子像素Q。由于子像素Q的温度变化较慢，相邻多个子像素Q之间的温度差异可以忽略不计，这样温度传感器3所检测到的温度可以认为是该多个子像素Q中的各子像素Q的温度。
通过设置每个温度传感器3检测一个子像素Q的温度，可以提高所检测得到的结果的准确性。通过设置每个温度传感器3检测多个子像素Q的温度，可以减少在显示基板100中设置温度传感器3的数量，减少温度传感器3在显示基板100中的占用率。
由温度传感器3与子像素Q之间的关系，以及光敏传感器2与子像素Q、像素区域P之间的关系，可以得知：在每个像素区域P内，如图2和图3所示，一个温度传感器3可以检测一个光敏传感器2所对应的一个子像素Q的温度，或一个温度传感器3可以检测一个光敏传感器2所对应的多个子像素Q的温度；或者，一个温度传感器3可以检测多个像素区域P内的子像素Q的温度。这样在对子像素Q进行光学补偿时，可以根据温度传感器3检测的结果对其所对应的至少一个子像素Q同时进行光学补偿。
在一些示例中，上述温度传感器3的结构包括多种。示例性的，如图4～图7所示，温度传感器3采用与光敏传感器2相同的结构。也即，温度传感器3包括设置在衬底基板1的第一侧A的第二半导体层31，以及覆盖在该第二半导体层31的远离衬底基板1的一侧表面上的第二保护电极32。
上述第二半导体层31能够对子像素Q的温度进行检测。上述第二保护电极32能够对第二半导体层31的远离衬底基板1的一侧表面进行保护，避免第二半导体层31的远离衬底基板1的一侧表面被损伤，进而避免第二半导体层31的检测性能受到影响。
在一些示例中，第二保护电极32为透明的导电材料。示例性的，第二保护电极32的材料为ITO或IZO。
在一些实施例中，如图4～图7所示，显示基板100还包括设置在温度传感器3的周侧B、靠近衬底基板1的一侧以及远离衬底基板的一侧的遮光层4，该遮光层4被配置为遮挡射向温度传感器3的光线。
遮光层4设置在温度传感器3的周侧B、靠近衬底基板1的一侧以及远离衬底基板的一侧，可以对温度传感器3的至少一部分形成包裹。这样在子像素Q发出的光线或者环境光线等光线射向温度传感器3所在的位置时，遮光层4能够对光线进行阻挡，防止光线射到温度传感器3上。
在一些示例中，图8为温度传感器3在暗态的条件下，其信号量随温度变化的数据图，图9为温度传感器3在常温(26℃)的条件下，其信号量随光强变化的数据图。根据图8和图9所表达的含义可知，温度传感器3对光有较大的响应，而且相比于温度，温度传感器3受光强的影响更大。
图10为温度传感器3在设置遮光层4后，其信号量随温度和光强变化的数据图。根据图10所表达的含义可知，在不同的光强条件下，温度传感器3的信号量随温度变化的曲线基本一致，也即，在设置遮光层4后，温度传感器3的信号量基本上不受光强的影响，而仅随温度的变化而变化。由此可知，温度传感器3的使用性能可以得到较大的提升。
此外，图11为温度传感器3在暗态和亮态下的感光对比图，图12为温度传感器3在设置遮光层4后，在暗态和亮态下的感光对比图。根据图11和图12所表达的含义可知，在设置遮光层4后，相同灰阶对比情况下，暗态下，未遮光区域和有遮光区两边的信号相接近，并且在亮态下，遮光区域信号的灰度在亮态和暗态下没有发生太大变化，即遮光区温度传感器对光的响应变小了。这样也就意味着遮光层4具有较好的遮光效果。
由此，本公开的一些实施例提供的显示基板100，通过设置温度传感器3，并在温度传感器3的周侧B、靠近衬底基板1的一侧以及远离衬底基板的一侧设置遮光层4，可以利用遮光层4对温度传感器3形成较为全面地包裹，对射向至温度传感器3的光线形成较为全面的遮挡，避免光线射到温度传感器3上影响温度传感器3的特性。这样可以提高温度传感器3所检测得到的结果的准确性，进而在对光敏传感器2所检测得到的结果进行修正的过程中，可以提高修正结果的准确性，提高对子像素Q的发光亮度补偿的精度。
上述遮光层4包括多种结构，本公开实施例对此不做限定，以能够对射向温度传感器3的光线进行遮挡为准。下面对遮光层4的结构进行示意性说明。
在一些实施例中，如图4所示，遮光层4包括：覆盖在温度传感器3的周侧B的第一周侧遮光层41。该第一周侧遮光层41在衬底基板1上的正投影为围绕温度传感器3的封闭图形。
第一周侧遮光层41覆盖在温度传感器3的周侧B指的是，第一周侧遮光层41附着在温度传感器3的周侧B上，并对温度传感器3的周侧B的至少一部分形成遮挡。此处，第一周侧遮光层41附着在温度传感器3的周侧B包括：第一周侧遮光层41附着在温度传感器3的周侧B的表面上，或者，如图4所示，第一周侧遮光层41和温度传感器3的周侧B的表面之间设置有其他功能薄膜。例如被配置为对温度传感器3进行保护的保护层51。
由于温度传感器3的周侧B的表面为一封闭表面，也就使得覆盖在温度传感器3的周侧B的第一周侧遮光层41在衬底基板1上的正投影为围绕温度传感器3的封闭图形。
上述封闭图形的形状与温度传感器3的形状相关。例如，温度传感器3为长方体状，则该封闭图形呈方环状。此时，第一周侧遮光层41的形状可以为方管状。又如，温度传感器3为圆柱状，则该封闭图形呈圆环状。此时，第一周侧遮光层41的形状可以为圆管状。
在一些示例中，如图4所示，第一周侧遮光层41的内边缘411延伸至温度传感器3的远离衬底基板1的一侧，第一周侧遮光层41的外边缘412延伸至温度传感器3的周围区域。
此处，第一周侧遮光层41的内边缘411指的是，第一周侧遮光层41中与第一周侧遮光层41在衬底基板1上的正投影的内边界相对应的边缘。第一周侧遮光层41的外边缘412指的是，第一周侧遮光层41中与第一周侧遮光层41在衬底基板1上的正投影的外边界相对应的边缘。温度传感器3的周围区域指的是，衬底基板1被温度传感器3覆盖的区域的周围的区域。
图4为图2的沿M-M＇向和沿N-N＇向的剖视图，从图中可以看出，第一周侧遮光层41的剖视形状呈“Z”字形，这样可以有效增大第一周侧遮光层41对温度传感器3的周侧B的遮挡面积，使得第一周侧遮光层41能够对温度传感器3的周侧B形成较为全面的遮挡，避免温度传感器3受到来自其周侧的光线的照射，进而避免温度传感器3的特性受到影响。而且，这样还有利于提高第一周侧遮光层41和温度传感器3的周侧B之间的附着力，避免出现第一周侧遮光层41从温度传感器3的周侧B脱落的情况。
在一些示例中，第一周侧遮光层41的材料包括多种。示例性的，本公开实施例提供的第一周侧遮光层41的材料包括但不限于包括能够吸收光线的遮光油墨或遮光有机材料(例如遮光树脂)。这样可以利用第一周侧遮光层41对射向温度传感器3的周侧B的光线进行吸收，防止温度传感器3受到来自其周侧的光线的照射。
在另一些实施例中，如图5～图7所示，显示基板100还包括：设置在温度传感器3的远离衬底基板1的一侧的绝缘层5。该绝缘层5中设置有环绕温度传感器3的周侧B的凹槽C。上述遮光层4包括：设置在凹槽C内的第二周侧遮光层41＇。第二周侧遮光层41＇至少覆盖凹槽C的靠近温度传感器3的内侧壁C1。
上述绝缘层5的结构包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些示例中，绝缘层5由一层薄膜构成。该薄膜例如为树脂材料层或钝化层。
在另一些示例中，如图5～图7所示，绝缘层5由依次层叠的多层薄膜构成。例如，该多层薄膜包括依次层叠设置的保护层51、树脂材料层52和钝化层53。如图5～图7所示，保护层51设置在光敏传感器2的远离衬底基板1的一侧以及温度传感器3的远离衬底基板1的一侧，这样可以利用保护层51对光敏传感器2和温度传感器3进行保护，避免在后续的制作工艺(例如形成树脂材料层52的工艺)中损伤光敏传感器2和温度传感器3。通过设置树脂材料层52，可以利用树脂材料层52进行平坦化，避免光敏传感器2在检测子像素Q的发光强度或温度传感器3在检测子像素Q的温度的过程中产生干扰，确保检测结果的准确性。通过设置钝化层53，可以增强后续形成在钝化层53的远离衬底基板1的一侧表面上的第二遮光电极43的附着力，避免出现第二遮光电极43脱落的情况。此处的第二遮光电极43的结构或功能等可以参照下面对第二遮光电极43的说明。
在一些示例中，图5和图6为图2的沿M-M＇向和沿N-N＇方向的剖视图，凹槽C的剖视形状可以根据实际需要或形成凹槽C的工艺选择设置。示例性的，凹槽C的剖视形状可以为“V”字形，或者，可以为如图5所示的“1”字形，或者，可以为如图6所示的“U”字形。
在一些示例中，凹槽C环绕温度传感器3的周侧B，且与温度传感器3之间具有一定的间距。这样可以避免在形成凹槽C的过程中对温度传感器3造成损伤。凹槽C与温度传感器3之间的间距的大小可以根据凹槽C的形成工艺或温度传感器3的排列结构选择设置。
上述第二周侧遮光层41＇至少覆盖凹槽C的靠近温度传感器3的内侧壁C1，包括多种示例。示例性的，以凹槽C的剖视形状为“U”字形为例，如图6所示，第二周侧遮光层41＇覆盖凹槽C的靠近温度传感器3的内侧壁C1；或者，如图6所示，第二周侧遮光层41＇覆盖凹槽C的靠近温度传感器3的内侧壁C1，还覆盖凹槽C的底壁C2。
通过将第二周侧遮光层41＇设置为至少覆盖凹槽C的靠近温度传感器3的内侧壁C1，相比至少覆盖凹槽C的远离温度传感器3的内侧壁，可以减小第二周侧遮光层41＇与温度传感器3之间的间距，增大第二周侧遮光层41＇的有效遮光面积。此处，有效遮光面积指的是，第二周侧遮光层41＇中能够有效遮挡射向温度传感器3的周测B的光线的面积。
在一些示例中，第二周侧遮光层41＇的结构包括多种。示例性的，如图6和图7所示，第二周侧遮光层41＇可以为至少覆盖凹槽C的靠近温度传感器3的内侧壁C1的遮光薄膜。示例性的，如图5所示，第二周侧遮光层41＇可以为填充于凹槽C内的环形挡墙。
在一些示例中，第二周侧遮光层41＇的材料包括多种。示例性的，第二周侧遮光层41＇的材料可以为能够吸收光线的遮光油墨或遮光有机材料(例如遮光树脂)。示例性的，第二周侧遮光层41＇的材料可以为能够反射光线的遮光金属材料(例如ITO)。
在又一些实施例中，如图4～图7所示，遮光层4包括：设置在温度传感器3的靠近衬底基板1的一侧的第一遮光电极42。温度传感器3在衬底基板1上的正投影，在第一遮光电极42在衬底基板1上的正投影范围内。
在又一些实施例中，如图4～图7所示，遮光层4还包括：设置在温度传感器3的远离衬底基板1的一侧的第二遮光电极43。温度传感器3在衬底基板1上的正投影，在第二遮光电极43在衬底基板1上的正投影范围内。
在一些示例中，第一遮光电极42被配置为将第一电信号输入至温度传感器3，第二遮光电极43被配置为将第二电信号输入至温度传感器3。这样温度传感器3能够在第一电信号和第二电信号之间的配合下工作，对子像素Q的温度进行检测。示例性的，第一电信号和第二电信号中的一者为正偏置电压信号，另一种为负偏置电压信号。
本公开的一些实施例将被配置为为温度传感器3输入电信号的第一遮光电极42和第二遮光电极43，作为遮光层4的一部分，对温度传感器3进行遮光，可以避免再额外设置用于遮光的薄膜，减少薄膜的设置数量，有利于减小显示基板100的厚度。
在一些示例中，如图4～图7所示，显示基板100还包括：设置在温度传感器3的靠近衬底基板1的一侧的温度控制晶体管6。该温度控制晶体管6包括源极61和漏极62，源极61和漏极62与第一遮光电极42同层设置，且源极61或漏极62与第一遮光电极42电连接。
上述温度控制晶体管6被配置为控制温度传感器3所转化的电信号的导出。也即，在温度控制晶体管6导通时，温度控制晶体管6将控制信号通过与源极61或漏极62电连接的第一遮光电极42输入至温度传感器3，控制温度传感器3所转化的电信号通过温度控制晶体管6导出。
此处，本文中提及的“同层”指的是采用同一成膜工艺形成用于形成特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的，这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。这样一来，可以同时制作源极61、漏极62与第一遮光电极42，从而简化了显示基板100的制作工艺。
在一些示例中，如图4～图7所示，显示基板100还包括：设置在光敏传感器2的靠近衬底基板1的一侧、且与光敏传感器2电连接的光敏控制晶体管E。
上述光敏控制晶体管E被配置为控制光敏传感器2所转化的电信号的导出。也即，在光敏控制晶体管E导通时，光敏控制晶体管E将控制信号通过输入至光敏传感器2，控制光敏传感器2所转化的电信号通过光敏控制晶体管E导出。
需要说明的是，温度控制晶体管6和光敏控制晶体管E的结构包括多种。示例性的，温度控制晶体管6和光敏控制晶体管E中的至少一者的结构可以为顶栅型晶体管或底栅型晶体管。例如，图2和图3为温度控制晶体管6和光敏控制晶体管E均采用底栅型晶体管的示例，图4和图7为温度控制晶体管6和光敏控制晶体管E均采用顶栅型晶体管的示例。
在一些示例中，如图2和图3所示，显示基板100还包括：与多个温度传感器3中的至少一个温度传感器3电连接的偏置电压信号线7。第二遮光电极43与偏置电压信号线7同层设置且电连接。
上述偏置电压信号线7与多个温度传感器3中的至少一个温度传感器3电连接。也即，偏置电压信号线7与一个温度传感器3电连接；或者，偏置电压信号线7与多个温度传感器3电连接，例如与两个或三个温度传感器3电连接。
由于显示基板100所包括的温度传感器3为多个，这也就意味着偏置电压信号线7的条数可以包括多条，该多条偏置电压信号线7的排列方式可以根据多个温度传感器3的排列位置而定。例如，多个温度传感器3呈阵列状排布，每一行的多个温度传感器3共同连接一条偏置电压信号线7，则该多条偏置电压信号线7平行或趋近于平行排列。
上述第二遮光电极43与偏置电压信号线7电连接，这样偏置电压信号线7中的偏置电压信号(也即第二电信号)便可以通过第二遮光电极43输入至温度传感器3，使得温度传感器3能够在偏置电压信号和经由温度控制晶体管6输入的第一电信号的配合下工作。
通过将第二遮光电极43与偏置电压信号线7同层设置，这样可以采用一次构图工艺同时制作形成第二遮光电极43与偏置电压信号线7，有利于简化显示基板100的制作工艺。
在一些示例中，如图6和图7所示，在遮光层4包括第二周侧遮光层41＇，且第二周侧遮光层41＇的材料包括遮光金属材料的情况下，第二周侧遮光层41＇和第二遮光电极43同层设置。这样可以采用一次构图工艺同时制作形成第二周侧遮光层41＇和第二遮光电极43，有利于简化显示基板100的制作工艺。
本公开实施例提供的光敏传感器2和温度传感器3在分别进行检测之后，还需要将检测结果进行输出。光敏传感器2和温度传感器3的检测结果的输出方式包括多种，可以根据实际需要选择设置。
在一些实施例中，如图3所示，显示基板100还包括：与光敏传感器2电连接的第一信号线8，以及与温度传感器3电连接的第二信号线9。
在一些示例中，每个光敏传感器2电连接一条第一信号线8，该第一信号线被配置为对对应的光敏传感器2的检测结果进行输出。每个温度传感器3电连接一条第二信号线9，该第二信号线9被配置为对对应的温度传感器3的检测结果进行输出。
通过将光敏传感器2和温度传感器3分别与一条信号线电连接，这样光敏传感器2的检测结果的输出和温度传感器3的检测结果的输出可以同时进行。而且，可以避免在进行结果输出时，出现检测结果串扰的现象。这样有利于提高输出的结果的准确性，还有利于缩短对各子像素Q进行光学补偿的时间。
在另一些实施例中，如图2所示，显示基板100还包括：与光敏传感器2电连接的第一信号线8。温度传感器3与位于同一像素区域P内的任一个光敏传感器2所电连接的第一信号线8电连接。也即，温度传感器3与位于同一像素区域P内的任一个光敏传感器2共用一条第一信号线8。
此时，温度传感器3和位于同一像素区域P内的任一个光敏传感器2所共用的第一信号线8，可以在不同的时段，分别对光敏传感器2的检测结果和温度传感器3的检测结果进行输出。这样有利于减少用于输出检测结果的信号线的数量，有利于减少信号线的占用率。
本公开的一些实施例提供了一种显示基板的制备方法。如图13所示，该显示基板的制备方法包括S100～S300。
S100，如图17中(a)所示，提供衬底基板1。
上述衬底基板1的类型包括多种，可以根据实际需要选择设置。衬底基板1的类型可以参照上述一些实施例中提及的类型。
S200，如图17中(c)、图18中(a)和图19中(a)所示，在衬底基板1的第一侧制作多个温度传感器3。
在一些示例中，上述温度传感器3的结构包括多种。示例性的，如图4～图7所示，温度传感器3包括第二半导体层31，以及覆盖在第二半导体层31的一侧表面上的第二保护电极32。
此时，在衬底基板1的一侧制作多个温度传感器3，例如包括：在衬底基板1的第一侧A形成半导体薄膜，对半导体薄膜进行图案化(例如刻蚀)，形成第二半导体层31；在第二半导体层31的远离衬底基板1的一侧沉积形成第一金属薄膜，采用光刻工艺对该第一金属薄膜进行刻蚀，形成第二保护电极32。
在一些示例中，上述S200中，在制作多个温度传感器3的过程中，还会同时制作多个光敏传感器2。
上述光敏传感器2可以采用多种结构。示例性的，光敏传感器2采用与温度传感器3相同的结构。也即，光敏传感器2包括第一半导体层21以及覆盖在第一半导体层21的一侧表面上的第一保护电极22。此时，在上述对半导体薄膜进行图案化形成第二半导体层31的同时，可以形成第一半导体层21；在对第一金属薄膜进行刻蚀形成第二保护电极32的同时，可以形成第一保护电极22。
在一些示例中，如图17中(b)所示，在上述S200之前，还会在衬底基板1的一侧形成驱动晶体管D、光敏控制晶体管E和温度控制晶体管6。
S300，在温度传感器3的周侧B、靠近衬底基板1的一侧以及远离衬底基板1的一侧形成遮光层4。遮光层4被配置为遮挡射向温度传感器3的光线。
本公开实施例提供的显示基板的制备方法所能实现的有益效果，与上述一些实施例提供的显示基板100所能实现的有益效果相同。此处不再赘述。
需要说明的是，本公开实施例中制备显示基板的步骤的标号(例如S100、S200和S300)，仅仅是为了较为清晰的表示出各步骤的内容，而不是对步骤顺序进行限定。
在一些实施例中，上述S300中，形成遮光层4的方法与遮光层4的结构相关。
在一些示例中，遮光层4包括：设置在温度传感器3的靠近衬底基板1的一侧的第一遮光电极42，设置在温度传感器3的远离衬底基板1的一侧的第二遮光电极43，以及设置在温度传感器3的周侧B的周侧遮光层(也即第一周侧遮光层41或第二周侧遮光层41＇)。
由此，如图17中(b)所示，上述S300中，形成第一遮光电极42，例如包括：在上述S200之前，在衬底基板1的第一侧A沉积工艺或溅射工艺形成第二金属薄膜，采用光刻工艺对第二金属薄膜进行刻蚀，形成第一遮光电极42。如图17中(f)、图18中(e)和图19中(e)所示，上述S300中，形成第二遮光电极43，例如包括：在上述S200之后，在温度传感器3的远离衬底基板1的一侧沉积工艺或溅射工艺形成第三金属薄膜，采用光刻工艺对第三金属薄膜进行刻蚀，形成第二遮光电极43。
由于遮光层4所包括的周侧遮光层包括多种结构，每种结构所对应的制备方法之间具有差异。下面分别以遮光层4包括第一周侧遮光层41和遮光层4包括第二周侧遮光层41＇为例，对形成周侧遮光层的制备方法进行示意性说明。
在一些实施例中，上述S300中，如图14所示，在遮光层4包括第一周侧遮光层41的情况下，在温度传感器3的周侧B形成第一周侧遮光层41，包括S310a～S320a。
S310a，如图17中(d)所示，在形成有上述多个温度传感器3的衬底基板1上形成第一遮光薄膜4101。
此处，例如可以采用涂覆工艺(例如旋涂工艺或喷涂工艺)形成第一遮光薄膜4101。
在一些示例中，第一遮光薄膜4101的材料包括多种。示例性的，第一遮光薄膜4101的材料遮光油墨或遮光有机材料。此处，遮光有机材料包括遮光树脂。
S320a，如图17中(e)所示，图案化第一遮光薄膜4101，形成第一周侧遮光层41。第一周侧遮光层41覆盖温度传感器3的周侧B，第一周侧遮光层3在衬底基板1上的正投影为围绕温度传感器3的封闭图形。
此处，对第一遮光薄膜4101进行图案化的工艺，例如可以为光刻工艺。
在另一些实施例中，上述S300中，如图15所示，在遮光层4包括第二周侧遮光层41＇的情况下，在温度传感器3的周侧B形成第二周侧遮光层41＇，包括S310b～S330b。
S310b，如图18中(b)和图19中(b)所示，在温度传感器3的远离衬底基板1的一侧形成绝缘薄膜501。
在一些示例中，绝缘薄膜501为由至少一层薄膜构成的结构。示例性的，绝缘薄膜501包括依次层叠设置的保护薄膜5101、树脂材料薄膜5201和钝化薄膜5301。
此处，可以采用涂覆工艺(例如旋涂工艺或喷涂工艺)依次形成保护薄膜5101、树脂材料薄膜5201和钝化薄膜5301。
S320b，如图18中(c)和图19中(c)所示，图案化绝缘薄膜501，在绝缘薄膜501中形成凹槽C。凹槽C环绕温度传感器3的周侧B。
此处，在绝缘薄膜501中形成凹槽C之后，也即得到绝缘层5。在绝缘薄膜501包括保护薄膜5101、树脂材料薄膜5201和钝化薄膜5301的情况下，绝缘层5包括保护层51、树脂材料层52和钝化层53。
形成凹槽C的工艺包括多种。示例性的，采用光刻工艺形成凹槽C。
在一些示例中，凹槽C的深度(也即沿垂直于衬底基板1的方向上的尺寸)可以根据实际需要选择设置。示例性的，凹槽C可仅贯穿钝化层53，也即凹槽C的深度与钝化层53的厚度(也即沿垂直于衬底基板1的方向上的尺寸)相同。示例性的，如图18中(c)和图19中(c)所示，凹槽C贯穿钝化层53和树脂材料层52，也即凹槽C的深度为钝化层53的厚度与树脂材料层52的厚度(也即沿垂直于衬底基板1的方向上的尺寸)之和。
S330b，如图18中(d)和图19中(e)所示，在凹槽C内形成第二周侧遮光层41＇。第二周侧遮光层41＇至少覆盖凹槽C的靠近温度传感器3的内侧壁C1。
此处，第二周侧遮光层41＇的材料包括多种。示例性的，第二周侧遮光层41＇的材料包括遮光油墨、遮光有机材料或遮光金属材料。在凹槽C内形成第二周侧遮光层41＇的工艺与其材料的种类相关。
在一些示例性，如图16所示，在第二周侧遮光层41＇的材料包括遮光金属材料的情况下，上述S330b中，在凹槽C内形成第二周侧遮光层41＇，包括S330b1～S330b2。
S330b1，如图19中(d)所示，在具有凹槽C的绝缘薄膜501远离衬底基板1的一侧形成第二遮光薄膜4101＇。
在形成第二遮光薄膜4101＇时，可以采用沉积工艺或溅射工艺。
在第二周侧遮光层41＇所采用的材料与第二遮光电极43所采用的材料相同的情况下，此处所形成的第二遮光薄膜4101＇也即为上述第三金属薄膜。
S330b2，如图19中(e)所示，图案化第二遮光薄膜4101＇，形成第二周侧遮光层41＇。
此处，可以采用光刻工艺对第二遮光薄膜4101＇进行图案化。
在第二周侧遮光层41＇所采用的材料与第二遮光电极43所采用的材料相同的情况下，经过上述图案化之后，可以同时形成第二周侧遮光层41＇和第二遮光电极层43。
在一些示例性，如图17中(d)所示，在第二周侧遮光层41＇的材料包括遮光油墨或遮光有机材料的情况下，上述S330b中，在凹槽C内形成第二周侧遮光层41＇，包括：采用打印工艺在凹槽内填充第二周侧遮光层41＇的材料，形成位于凹槽C内的环形挡墙。
当然，在凹槽C内形成第二周侧遮光层41＇的工艺并不限于打印工艺。示例性的，在凹槽C内形成第二周侧遮光层41＇还可以包括：在具有凹槽C的绝缘薄膜501远离衬底基板1的一侧涂覆第二周侧遮光层41＇的材料，并采用光刻工艺进行刻蚀，形成第二周侧遮光层41＇。
在一些示例中，如图17中(g)、图18中(e)和图19中(f)所示，在形成遮光层4之后，显示基板的制备方法还包括：在遮光层4的远离衬底基板1的一侧形成发光器件F。
此外，在一些示例中，如图17中(g)、图18中(e)和图19中(f)所示，在遮光层4的远离衬底基板1的一侧形成发光器件F之前，还会在遮光层4的远离衬底基板1的一侧形成粘胶剂(例如OCV光学胶)。这样可以利用该粘胶剂增强发光器件F与遮光层4之间的附着力。
需要说明的是，在遮光层4中的第二周侧遮光层41＇的材料包括遮光金属材料的情况下，凹槽C有可能未被第二周侧遮光层41＇的材料填满。此时，如图19中(f)所示，可以直接将粘胶剂形成在遮光层4的远离衬底基板1的一侧，利用粘胶剂对凹槽C进行填充；或者，如图7所示，可以先利用形成树脂材料层52的材料对凹槽C进行填充，然后再在遮光层4的远离衬底基板1的一侧形成粘胶剂。本公开实施例对此不做限定。
本公开的一些实施例提供了一种显示装置200。如图20所示，显示装置200包括上述一些实施例提供的显示基板100。所述显示装置200中的显示基板100，具有与前述一些实施例中的显示基板100相同的技术效果，在此不再赘述。
在一些实施例中，上述显示基板100中的发光器件F为OLED，显示装置200为OLED显示装置。此时，上述显示装置200还可以包括用于实现其他功能的结构。例如，用于对显示基板100进行封装的封装盖板。
在一些实施例中，显示装置200为手机、平板电脑、笔记本电脑、显示器、电视机、数码相框或导航仪等具有显示功能的产品或部件。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种显示基板，包括多个子像素；所述显示基板还包括：
衬底基板；
设置在所述衬底基板的第一侧的多个温度传感器；所述温度传感器被配置为检测所述多个子像素中的至少一个子像素的温度；以及，
设置在所述温度传感器的周侧、靠近所述衬底基板的一侧以及远离所述衬底基板的一侧的遮光层；所述遮光层被配置为遮挡射向所述温度传感器的光线。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述遮光层包括：覆盖在所述温度传感器的周侧的第一周侧遮光层；
所述第一周侧遮光层在所述衬底基板上的正投影为围绕所述温度传感器的封闭图形。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一周侧遮光层的内边缘延伸至所述温度传感器的远离所述衬底基板的一侧，所述第一周侧遮光层的外边缘延伸至所述温度传感器的周围区域。
4.根据权利要求2或3所述的显示基板，其中，所述第一周侧遮光层的材料包括遮光油墨或遮光有机材料。
5.根据权利要求1所述的显示基板，还包括：设置在所述温度传感器的远离所述衬底基板的一侧的绝缘层；所述绝缘层中设置有环绕所述温度传感器的周侧的凹槽；
所述遮光层包括：设置在所述凹槽内的第二周侧遮光层；
所述第二周侧遮光层至少覆盖所述凹槽的靠近所述温度传感器的内侧壁。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述第二周侧遮光层为至少覆盖所述凹槽的靠近所述温度传感器的内侧壁的遮光薄膜，或者为填充于所述凹槽内的环形挡墙。
7.根据权利要求5或6所述的显示基板，其中，所述第二周侧遮光层的材料包括遮光油墨、遮光有机材料或遮光金属材料。
8.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述遮光层包括：设置在所述温度传感器的靠近所述衬底基板的一侧的第一遮光电极；
所述温度传感器在所述衬底基板上的正投影，在所述第一遮光电极在所述衬底基板上的正投影范围内。
9.根据权利要求8所述的显示基板，还包括：设置在所述温度传感器的靠近所述衬底基板的一侧的温度控制晶体管；
所述温度控制晶体管包括源极和漏极，所述源极和所述漏极与所述第一遮光电极同层设置，且所述源极或所述漏极与所述第一遮光电极电连接。
10.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述遮光层包括：设置在所述温度传感器的远离所述衬底基板的一侧的第二遮光电极；
所述温度传感器在所述衬底基板上的正投影，在所述第二遮光电极在所述衬底基板上的正投影范围内。
11.根据权利要求10所述的显示基板，还包括：与所述多个温度传感器中的至少一个温度传感器电连接的偏置电压信号线；
所述第二遮光电极与所述偏置电压信号线同层设置且电连接。
12.根据权利要求10或11所述的显示基板，其中，在所述遮光层包括第二周侧遮光层，且所述第二周侧遮光层的材料包括遮光金属材料的情况下，所述第二周侧遮光层和所述第二遮光电极同层设置。
13.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述显示基板具有多个像素区域，所述像素区域内设置有所述多个子像素中的至少一个子像素；
所述显示基板还包括：设置在所述衬底基板的第一侧的多个光敏传感器；
所述像素区域内设置有所述多个光敏传感器中的至少一个光敏传感器；
所述至少一个光敏传感器被配置为检测其所在的像素区域内的子像素的发光强度。
14.根据权利要求13所述的显示基板，还包括：与所述光敏传感器电连接的第一信号线，以及与所述温度传感器电连接的第二信号线；或，
所述显示基板还包括：与所述光敏传感器电连接的第一信号线；所述温度传感器与位于同一像素区域内的任一个光敏传感器所电连接的第一信号线电连接。
15.一种显示装置，包括：如权利要求1～14中任一项所述的显示基板。
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