CN113113426A - 显示面板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本申请公开了一种显示面板及其制备方法，该显示面板包括薄膜晶体管阵列层、发光器件层以及热敏薄膜层，通过在驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中串接至少一个热敏电阻，来降低或者消除温度对发光亮度的衰减，可以满足业内公认的寿命评估标准。
Description
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体涉及一种显示面板及其制备方法。
背景技术
在有机发光二极管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)中，使用寿命为评估器件水平的重要参数之一，在现有中小尺寸量产显示产品上，器件寿命的长短直接关系到产品的使用寿命。有机发光(OEL，Organic Electro-Luminescence)器件衰减曲线通常会有短时间的快衰和长时间的慢衰组成，为不可逆过程。前者可以通过出厂前的寿命老化(aging)工艺消除，从而在实际使用中仅涉及到EL器件慢速寿命衰减。
然而，实际产品上的寿命衰减不仅仅涉及到EL的老化过程，当前主流的有源矩阵有机发光二级管(AMOLED，Active-matrix Organic Light-Emitting Diode)还需考虑底部的薄膜晶体管(TFT)的影响。随着手机使用环境的不同，如温度变化等，会导致多重因素共同影响。在OLED点亮初期，因温度对TFT和EL器件迁移率有影响，导致屏幕亮度快速衰减1％～5％，该现象即为Initial drop(初始衰减)。因此，如果使用业内公认的寿命评估标准，即亮度衰减至初始的95％所用时间(T95)来评估的话，Initial drop会大大偏离EL实际使用寿命，不利于器件的开发与满足客户的需求。
需要注意的是，上述关于背景技术的介绍仅仅是为了便于清楚、完整地理解本申请的技术方案。因此，不能仅仅由于其出现在本申请的背景技术中，而认为上述所涉及到的技术方案为本领域所属技术人员所公知的。
发明内容
本申请提供一种显示面板及其制备方法，缓解了显示初期过程中，因温度影响致使亮度衰减的问题。
第一方面，本申请提供一种显示面板，其包括薄膜晶体管阵列层、发光器件层以及热敏薄膜层；薄膜晶体管阵列层包括至少一个驱动晶体管；发光器件层形成有至少一个发光器件；热敏薄膜层形成有至少一个热敏电阻；其中，至少一个热敏电阻串接于驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中。
基于第一方面，在第一方面的第一种实施方式中，热敏薄膜层邻接薄膜晶体管阵列层或者发光器件层。
基于第一方面的第一种实施方式，在第一方面的第二种实施方式中，热敏薄膜层位于薄膜晶体管阵列层与发光器件层之间。
基于第一方面，在第一方面的第三种实施方式中，显示面板还包括至少一个过孔；过孔的第一端与热敏电阻的第一端连接；过孔的第二端与驱动晶体管和发光器件中的一个连接；驱动晶体管和发光器件中的另一个与热敏电阻的第二端连接。
基于第一方面的第三种实施方式，在第一方面的第四种实施方式中，发光器件层包括阳极层；阳极层包括阳极；阳极的宽度大于或者等于热敏电阻的宽度。
基于第一方面的第四种实施方式，在第一方面的第五种实施方式中，显示面板还包括平坦层；平坦层位于薄膜晶体管阵列层与发光器件层之间。
基于第一方面的第五种实施方式，在第一方面的第六种实施方式中，热敏薄膜层位于平坦层与薄膜晶体管阵列层之间。
基于第一方面的第五种实施方式，在第一方面的第七种实施方式中，热敏薄膜层位于平坦层与发光器件层之间；过孔至少位于平坦层中。
基于第一方面的第三种实施方式，在第一方面的第八种实施方式中，热敏电阻至少部分覆盖过孔的第一端或者过孔的第二端。
第二方面，本申请提供一种显示面板的制备方法，其包括：制备薄膜晶体管阵列层，薄膜晶体管阵列层包括至少一个驱动晶体管；制备至少一热敏薄膜层，热敏薄膜层包括至少一个热敏电阻；制备发光器件层，发光器件层包括至少一个发光器件；以及串接至少一个热敏电阻于驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中。
本申请提供的显示面板及其制备方法，通过在驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中串接至少一个热敏电阻，来降低或者消除温度对发光亮度的衰减，可以满足业内公认的寿命评估标准，有利于满足客户的需求。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的显示面板的一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的显示面板的另一种结构示意图。
图3为传统技术方案中像素电路的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的像素电路的一种结构示意图。
图5为采用不同像素电路时发光寿命的对比示意图。
图6为本申请实施例提供的显示面板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
请参阅图1至图2，如图1所示，本实施例提供了一种显示面板，其包括薄膜晶体管阵列层20、发光器件层70以及热敏薄膜层50；薄膜晶体管阵列层20包括至少一个驱动晶体管；发光器件层70形成有至少一个发光器件；热敏薄膜层50形成有至少一个热敏电阻；其中，至少一个热敏电阻串接于驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中。
需要进行说明的是，研究发现，Initial drop与屏体温度关系较大，因此，发光屏幕在点亮初期，其亮度会的快速衰减，会导致显示产品的寿命规格不达标。为解决该问题，本实施例提出了一种Initial drop的设计方式，在EL器件所在回路中串联一热敏电阻，利用该热敏电阻的温度敏感性对电流进行补偿效果，进而实现了对应的亮度补偿，解决了因为寿命问题带来的工艺受限与良率损失。
例如，当发光器件工作初期，温度上升导致流经发光器件中的电流迅速下降，此时，热敏电阻会随温度上升而阻抗下降，进而间接提高了驱动晶体管的源极与漏极之间的跨压，即驱动晶体管的Vds，进而提高了流经发光器件中的电流，补偿了因温度导致的亮度下降。反之，当温度下降时，同样可以进行对应亮度的补偿。
基于上述分析，本实施例通过增加外部结构的方式，并不改变发光器件层70与薄膜晶体管阵列层20的制程工艺条件，可以适用于各种发光材料体系与OLED器件结构中。
可以理解的是，本申请提供的显示面板，通过在驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中串接至少一个热敏电阻，来降低或者消除温度对发光亮度的衰减，可以满足业内公认的寿命评估标准，有利于满足客户的需求。
在其中一个实施例中，热敏薄膜层50位于薄膜晶体管阵列层20与发光器件层70之间。
在其中一个实施例中，显示面板还包括至少一个过孔31；过孔31的第一端与热敏电阻的第一端连接；过孔31的第二端与驱动晶体管和发光器件中的一个连接；驱动晶体管和发光器件中的另一个与热敏电阻的第二端连接。
其中，过孔31可以至少位于平坦层30中，该过孔31用于实现热敏电阻与驱动晶体管DTFT和/或发光器件OLED的电性连接。因此，基于该过孔31的作用，该过孔31也可能会穿越显示面板中的其它膜层。
在其中一个实施例中，发光器件层70包括阳极层60；阳极层60包括阳极；阳极的宽度大于或者等于热敏电阻的宽度。
在其中一个实施例中，热敏薄膜层50位于薄膜晶体管阵列层20与阳极层60之间。
其中，薄膜晶体管阵列层20可以包括源漏极层，该源漏极层包括驱动晶体管DTFT的源极和漏极。热敏电阻R可以与驱动晶体管DTFT的源极和漏极中的一个电性连接。或者，热敏电阻R也可以与发光器件的阳极电性连接。
在其中一个实施例中，显示面板包括平坦层30；平坦层30位于薄膜晶体管阵列层20与发光器件层70之间。
可以理解的是，源漏极层可以与该平坦层30邻接。可以减少过孔31的深度。
在其中一个实施例中，热敏薄膜层50位于平坦层30与发光器件层70之间。热敏薄膜层50邻接发光器件层70。
在其中一个实施例中，显示面板还包括基板10和封装层中的至少一个。其中，基板10位于薄膜晶体管阵列层20的一侧，且远离平坦层30。封装层位于发光器件层70的一侧，且远离基板10。
其中，基板10可以但不限于为玻璃基板，还可以为柔性PI基板。
在其中一个实施例中，在显示面板上，可以依次设置有位于平坦层30一侧的像素定义层40、阳极层60以及发光器件层70。其中，在该发光器件层70中可以形成有多个发光器件，至少一个发光器件可以包括依次设置的空穴注入层(HITL)、空穴传输层(HTL)、电子阻挡层(EBL)、蓝光发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、阴极以及光提取层(CPL)。
在其中一个实施例中，封装层可以包括依次叠层设置的第一无机层80、有机层90以及第二无机层100。其中，第一无机层80、第二无机层100的材料均可以为氮化硅、氧化硅或氮氧化硅中的任一种。
在其中一个实施例中，热敏薄膜层50可使用蒸镀、磁控溅射、激光沉积以及蚀刻等至少一种方法完成。热敏薄膜层50的材料可以但不限于包括MnCoNiO基、MnCoCuO基等无机材料。其还可以根据发光器件工作时，温度上升导致的电流上升可以选用正温度系数(PTC)材料；反之，也可以选用负温度系数(NTC)材料。
具体地，以NTC材料为例，当器件工作初期，温度上升导致电流迅速下降，热敏电阻会随温度上升而阻抗下降，进而间接提高了驱动晶体管的Vds跨压，进而提高了电流，补偿了因温度导致的亮度下降。
其中，热敏薄膜层50可以但不限于为半透明的。可以通过调节热敏薄膜层50的厚度实现其透明度的选择。可以理解的是，热敏电阻的阻值还可以根据热敏薄膜层50的厚度、热敏电阻的形状、大小等参数中的至少一个进行选择。
在其中一个实施例中，热敏薄膜层50包括第一热敏薄膜层和第二热敏薄膜层。第一热敏薄膜层可以位于平坦层与阳极层之间。第二热敏薄膜层可以位于平坦层与薄膜晶体管阵列层之间。其中，第一热敏薄膜层形成有多个第一热敏电阻；第二热敏薄膜层形成有多个第二热敏电阻。第一热敏电阻可以至少部分覆盖过孔的第一端和过孔的第二端中的一个。第二热敏电阻可以至少部分覆盖过孔的第一端和过孔的第二端中的另一个。
如图2所示，在其中一个实施例中，热敏薄膜层50位于平坦层30与薄膜晶体管阵列层20之间。热敏薄膜层50邻接薄膜晶体管阵列层20。
如图1和图2所示，在其中一个实施例中，热敏电阻至少部分覆盖过孔31的第一端或者过孔31的第二端。
其中，可以理解的是，该显示面板还包括像素电路，该像素电路包括对应的驱动晶体管，该驱动晶体管位于薄膜晶体管阵列层20中。
基于上述技术，在其中一个实施例中，如图3所示，该像素电路可以包括驱动晶体管DTFT以及发光器件OLED。驱动晶体管DTFT的源极/漏极中的一个用于接入第一电源信号VDD；驱动晶体管DTFT的源极/漏极中的另一个与发光器件OLED的阳极连接；发光器件OLED的阴极用于连接第二电源信号VSS；驱动晶体管DTFT的栅极用于接入扫描信号。其中，第一电源信号VDD的电位高于第二电源信号VSS的电位。
在其中一个实施例中，如图4所示，该像素电路可以包括驱动晶体管DTFT、发光器件OLED以及热敏电阻R。驱动晶体管DTFT的源极/漏极中的一个用于接入第一电源信号VDD；驱动晶体管DTFT的源极/漏极中的另一个与热敏电阻R的第一端连接；热敏电阻R的第二端与发光器件OLED的阳极连接；发光器件OLED的阴极用于连接第二电源信号VSS；驱动晶体管DTFT的栅极用于接入扫描信号。其中，第一电源信号VDD的电位高于第二电源信号VSS的电位。
可以理解的是，与图3所示的像素电路相比，图4所示的像素电路在驱动晶体管DTFT与发光器件OLED构成的发光回路中串联了一个热敏电阻R，该热敏电阻R可以用于感测驱动晶体管DTFT和/或发光器件OLED的温度。
基于图3与图4所示的像素电路，两者之间的发光寿命具有较大不同，以下将图3所示的像素电路驱动的发光寿命成为改善前的发光寿命，将图4所示的像素电路驱动的发光寿命成为改善后的发光寿命。具体如图5所示，针对不同颜色的子像素，其发光寿命同样存在差异。
例如，如图5中左上小图所示为白色子像素的白光寿命对比示意图，其中，下侧曲线为改善前的白光寿命曲线，上侧曲线为改善后的白光寿命曲线。在起点即时间横轴为0小时(hr)处，改善前的白光寿命曲线的初始亮度一开始即急剧下滑，改善后的白光寿命曲线的初始亮度一开始反而得到了进一步的上升，并超过了100％亮度。同时，经过对比可知，经过300小时的试验，改善前的白光寿命曲线的亮度已经衰减至初始亮度的92％至94％之间，而改善后的白光寿命曲线的亮度仅衰减至初始亮度的96％至98％之间。
如图5中右上小图所示为红色子像素的红光寿命对比示意图，其中，下侧曲线为改善前的红光寿命曲线，上侧曲线为改善后的红光寿命曲线。在起点即时间横轴为0小时(hr)处，改善前的红光寿命曲线的初始亮度一开始即急剧下滑，改善后的红光寿命曲线的初始亮度较为缓慢地下滑。经过对比可知，经过300小时的试验，改善前的红光寿命曲线的亮度已经衰减至初始亮度的92％至94％之间，而改善后的红光寿命曲线的亮度仅衰减至初始亮度的96％至98％之间。
如图5中左下小图所示为绿色子像素的绿光寿命对比示意图，其中，下侧曲线为改善前的绿光寿命曲线，上侧曲线为改善后的绿光寿命曲线。在起点即时间横轴为0小时(hr)处，改善前的绿光寿命曲线的初始亮度一开始即急剧下滑，改善后的绿光寿命曲线的初始亮度先有所上升后，才较为缓慢地下滑。经过对比可知，经过300小时的试验，改善前的绿光寿命曲线的亮度已经衰减至初始亮度的92％附近，而改善后的绿光寿命曲线的亮度仅衰减至初始亮度的97％左右。
如图5中右下小图所示为蓝色子像素的蓝光寿命对比示意图，其中，下侧曲线为改善前的蓝光寿命曲线，上侧曲线为改善后的蓝光寿命曲线。在起点即时间横轴为0小时(hr)处，改善前的蓝光寿命曲线的初始亮度一开始即急剧下滑，改善后的蓝光寿命曲线的初始亮度先有所上升后，才较为缓慢地下滑。经过对比可知，经过300小时的试验，改善前的蓝光寿命曲线的亮度已经衰减至初始亮度的95％附近，而改善后的蓝光寿命曲线的亮度仅衰减至初始亮度的96.5％左右。
综上分析可知，采用本申请中提供的像素电路可以明显改善发光初始阶段的亮度衰减问题，能够满足业内公认的寿命评估标准。
如图6所示，在其中一个实施例中，本实施例提供一种显示面板的制备方法，其包括以下步骤：
步骤S10：制备薄膜晶体管阵列层，薄膜晶体管阵列层包括至少一个驱动晶体管。
步骤S20：制备至少一热敏薄膜层，热敏薄膜层包括至少一个热敏电阻。
步骤S30：制备发光器件层，发光器件层包括至少一个发光器件。
以及步骤S40：串接至少一个热敏电阻于驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中。
可以理解的是，在本实施例的制备方法中，以上步骤并没有严格的执行顺序，可以实现本实例的发明构思的制备方法均可应用于本实施例中显示面板的制备过程。
可以理解的是，本实施例提供的显示面板的制备方法，通过在驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中串接至少一个热敏电阻，同样可以来降低或者消除温度对发光亮度的衰减，可以满足业内公认的寿命评估标准，有利于满足客户的需求。
在其中一个实施例中，本实施例提供一种显示装置，其包括上述任一实施例中的显示面板。
可以理解的是，本申请提供的显示装置通过在驱动晶体管与发光器件构成的发光回路中串接至少一个热敏电阻，来降低或者消除温度对发光亮度的衰减，可以满足业内公认的寿命评估标准，有利于满足客户的需求。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的显示面板及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种显示面板，其特征在于，包括：
薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括至少一个驱动晶体管；
发光器件层，所述发光器件层形成有至少一个发光器件；以及
热敏薄膜层，所述热敏薄膜层形成有至少一个热敏电阻；
其中，至少一个所述热敏电阻串接于所述驱动晶体管与所述发光器件构成的发光回路中。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述热敏薄膜层邻接所述薄膜晶体管阵列层或者所述发光器件层。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述热敏薄膜层位于所述薄膜晶体管阵列层与所述发光器件层之间。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括至少一个过孔；所述过孔的第一端与所述热敏电阻的第一端连接；所述过孔的第二端与所述驱动晶体管和所述发光器件中的一个连接；所述驱动晶体管和所述发光器件中的另一个与所述热敏电阻的第二端连接。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述发光器件层包括阳极层；所述阳极层包括阳极；所述阳极的宽度大于或者等于所述热敏电阻的宽度。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括平坦层；所述平坦层位于所述薄膜晶体管阵列层与所述发光器件层之间；所述过孔至少位于所述平坦层中。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述热敏薄膜层位于所述平坦层与所述薄膜晶体管阵列层之间。
8.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述热敏薄膜层位于所述平坦层与所述发光器件层之间。
9.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，所述热敏电阻至少部分覆盖所述过孔的第一端或者所述过孔的第二端。
10.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：
制备薄膜晶体管阵列层，所述薄膜晶体管阵列层包括至少一个驱动晶体管；
制备至少一热敏薄膜层，所述热敏薄膜层包括至少一个热敏电阻；
制备发光器件层，所述发光器件层包括至少一个发光器件；以及
串接至少一个所述热敏电阻于所述驱动晶体管与所述发光器件构成的发光回路中。
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