CN111429834A - 电子装置及驱动电路 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种电子装置及其发光单元驱动电路。电子装置包含第一系统电压端、第二系统电压端以及发光单元驱动电路。驱动电路包含第一驱动晶体管、第二驱动晶体管以及发光单元。第一驱动晶体管具有第一通道宽度及第一通道长度，并用以提供第一电流。第二驱动晶体管具有第二通道宽度及第二通道长度，并用以提供第二电流。发光单元耦接于第一驱动晶体管及第二驱动晶体管，并用以接收第一电流及第二电流的至少一者而发光。其中，第一通道宽度相对于第一通道长度的第一比值大于第二通道宽度相对于第二通道长度的第二比值。

Description

电子装置及驱动电路
技术领域
本发明涉及一种电子装置及驱动电路，特别是涉及一种用于驱动发光单元的驱动电路。
背景技术
电子装置随着数字科技的发展，电子装置已广泛地应用在日常生活的各个层面中。然而，目前的电子装置并非各方面皆令人满意。
发明内容
本发明的一实施例提供了一种发光单元驱动电路，其包含第一驱动晶体管、第二驱动晶体管以及发光单元。第一驱动晶体管具有第一通道宽度及第一通道长度，并用以提供第一电流。第二驱动晶体管具有第二通道宽度及第二通道长度，并用以提供第二电流。发光单元电性连接第一驱动晶体管及第二驱动晶体管，并用以接收第一电流及第二电流的至少一者而发光。其中，第一通道宽度相对于第一通道长度的第一比值大于第二通道宽度相对于第二通道长度的第二比值。
本发明的另一实施例提供了一种电子装置，其包含发光单元驱动电路，而发光单元驱动电路包含第一驱动晶体管、第二驱动晶体管以及发光单元。第一驱动晶体管具有第一通道宽度及第一通道长度，并用以提供第一电流。第二驱动晶体管具有第二通道宽度及第二通道长度，并用以提供第二电流。发光单元电性连接第一驱动晶体管及第二驱动晶体管，并用以接收第一电流及第二电流的至少一者而发光。其中，第一通道宽度相对于第一通道长度的第一比值大于第二通道宽度相对于第二通道长度的第二比值。
附图说明
图1是根据本发明其中一实施例的电子装置的线路图。
图2是根据本发明其中一实施例的图1的电子装置的发光单元驱动电路的电路图。
图3是根据本发明其中一实施例的图1的电子装置的时序图。
图4是根据本发明其中一实施例的图2的发光单元驱动电路的第一驱动晶体管的上视示意图。
图5是根据本发明其中一实施例的图2的发光单元驱动电路的第一驱动晶体管的源极-栅极电压与源极-漏极电流之间的关系图。
图6是根据本发明其中一实施例的图2的发光单元驱动电路的第二驱动晶体管的源极-栅极电压与源极-漏极电流之间的关系图。
图7及图8分别是根据本发明其中一实施例的发光单元驱动电路的电路图。
图9是根据本发明其中一实施例的图8的发光单元驱动电路的时序图。
图10是根据本发明其中一实施例的图8的发光单元驱动电路的另一种时序图。
图11及图12分别是根据本发明另一实施例的发光单元驱动电路的电路图。
附图标记说明：10-电子装置；100、100B、100C、100D、100E-发光单元驱动电路；200-基板；210-栅极；230-半导体层；250-源极；260-漏极；301、302、401、402-曲线；E1[1]至E1[N]、E1[y]-第一控制线；E2[1]至E2[N]、E2[y]-第二控制线；Cgs1-第一电容；Cgs2-第二电容；D-发光单元；D1[1]至D1[M]、D1[x]-第一数据线；D2[1]至D2[M]、D2[x]-第二数据线；Ia-第一电流；Ib-第二电流；IDS1、IDS2-源极-漏极电流；If-电流；I0、I64、I64_RA、I128、I128_RA、I255-电流值；L-通道长度；MA1-第一切换晶体管；MB1-第二切换晶体管；MA2-第一驱动晶体管；MB2-第二驱动晶体管；MA3-第一发光控制晶体管；MB3-第二发光控制晶体管；PVDD-第一系统电压；PVSS-第二系统电压；S1[1]至S1[N]、S1[y]-第一扫描线；S2[1]至S2[N]、S1[y]-第二扫描线；T-周期；T1-第一子周期；T2-第二子周期；Vx1、Vx2-偏压；VGS1、VGS2-源极-栅极电压；V0、V64、V64_RA、V127、V128、V128_RA及V255-电压值；W-通道宽度。
具体实施方式
在此，「约」、或「实质上」之用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，可为10％之内、5％之内、或3％之内、或2％之内、或1％之内、或0.5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、或「实质上」的情况下，仍可隐含「约」、或「实质上」的含义。
在本发明中，「耦接」可包含「电性连接」。举例来说，A元件「耦接」B元件可包含「A元件耦接B元件」及「A元件电性连接B元件」两种情况。「A元件电性连接B元件」可指电流可由A元件流至B元件。
图1是根据本发明其中一实施例的电子装置10的线路图，而图2是根据本发明其中一实施例的图1的电子装置10的发光单元驱动电路100的电路图。在一实施例中，本发明的电子装置可包含显示设备、感测装置、天线装置、拼接装置、触控装置、其他适当的电子装置、或上述的组合，但不限于此。电子装置10可包含多个发光单元驱动电路100、多条第一数据线D1[1]至D1[M]、多条第二数据线D2[1]至D2[M]、多条第一扫描线S1[1]至S1[N]、多条第二扫描线S2[1]至S2[N]、多条第一控制线E1[1]至E1[N]以及多条第二控制线E2[1]至E2[N]。发光单元驱动电路100可排列成M行×N列的矩阵，而M和N可为大于或等于2的整数。发光单元驱动电路100可耦接一条对应的第一数据线D1[x]、一条对应的第二数据线D2[x]、一条对应的第一扫描线S1[y]、一条对应的第二扫描线S2[y]、一条对应的第一控制线E1[y]以及一条对应的第二控制线E2[y]。其中，1≦x≦M，1≦y≦N。在一实施例中，发光单元驱动电路100可用于驱动电子装置的发光单元，但不限于此。
请参考图2，发光单元驱动电路100可包含第一驱动晶体管MA2、第二驱动晶体管MB2以及发光单元D。第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2的第一端(例如源极)可耦接于第一系统电压PVDD。第一系统电压PVDD可用以供电给第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2，以使第一驱动晶体管MA2得以产生并提供第一电流Ia，并使第二驱动晶体管MB2得以产生并提供第二电流Ib。第一驱动晶体管MA2所提供的第一电流Ia的大小可由第一驱动晶体管MA2的控制端(例如栅极)的偏压Vx1而决定的。类似地，第二驱动晶体管MB2所提供的第二电流Ib的大小可由第二驱动晶体管MB2的控制端(例如栅极)的偏压Vx2而决定的。因此，藉由调整偏压Vx1及Vx2，即可调整第一电流Ia及第二电流Ib的大小。
在本发明一实施例中，发光单元驱动电路100可更包含第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1，用以分别将偏压Vx1调整至第一数据线D1[x]的电压、及将偏压Vx2调整至第二数据线D2[x]的电压。第一切换晶体管MA1可耦接相应的第一数据线D1[x]、第一驱动晶体管MA2、及相应的第一扫描线S1[y]。在一实施例中，第一切换晶体管MA1可电性连接第一数据线D1[x]、第一驱动晶体管MA2、及第一扫描线S1[y]。举例来说，第一切换晶体管MA1的第一端(例如源极和漏极当中的一极)可耦接相应的第一数据线D1[x]，第一切换晶体管MA1的第二端(例如源极和漏极当中的另一极)可耦接第一驱动晶体管MA2的控制端，而第一切换晶体管MA1的控制端(例如栅极)可耦接相应的第一扫描线S1[y]。当第一扫描线S1[y]的电压为低电位时，第一切换晶体管MA1即可开启，而使得第一数据线D1[x]可耦接第一驱动晶体管MA2的控制端，进而使偏压Vx1被调整至第一数据线D1[x]的电压。当第一扫描线S1[y]的电压为高电位时，第一切换晶体管MA1即可关闭，而使偏压Vx1维持在原本的电位水平。类似地，第二切换晶体管MB1可耦接相应的第二数据线D2[x]、第二驱动晶体管MB2、及相应的第二扫描线S2[y]。在一实施例中，第二切换晶体管MB1可电性连接相应的第二数据线D2[x]、第二驱动晶体管MB2、及相应的第二扫描线S2[y]。举例来说，第二切换晶体管MB1的第一端(例如源极和漏极当中的一极)可耦接相应的第二数据线D2[x]，第二切换晶体管MB1的第二端(例如源极和漏极当中的另一极)可耦接第二驱动晶体管MB2的控制端，而第二切换晶体管MB1的控制端(例如栅极)可耦接相应的第二扫描线S2[y]。当第二扫描线S2[y]的电压为低电位时，第二切换晶体管MB1即可开启，而使得第二数据线D2[x]耦接第二驱动晶体管MB2的控制端，进而使偏压Vx2被调整至第二数据线D2[x]的电压。当第二扫描线S2[y]的电压为高电位时，第二切换晶体管MA2即可关闭，而使偏压Vx2维持在原本的电位水平。值得了解的，在本发明的部分实施例中，发光单元驱动电路100可以不必包含第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1。换句话说，第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1是选择性设置的元件，而第一驱动晶体管MA2的控制端可直接地耦接第一扫描线S1[y]，且第二驱动晶体管MB2的控制端可直接地耦接第二扫描线S2[y]。
再者，发光单元D可例如包括无机发光二极管(inorganic light emittingdiode，LED)，例如次毫米发光二极管(mini LED)或微发光二极管(micro LED)、有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、量子点(quantum dot，QD)、量子点发光二极管(QLED、QDLED)、荧光(fluorescence)材料、磷光(phosphor)材料、其他适合的材料或上述的组合，但不以此为限。在本实施例中，发光单元D的阳极或阴极中的一者(例如阳极)可耦接第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2，而发光单元D的阳极或阴极中的另一者(例如阴极)可耦接第二系统电压PVSS。第二系统电压PVSS可低于第一系统电压PVDD。发光单元D可用以接收第一电流Ia及第二电流Ib中的至少一者而发光。更进一步地说，当第一驱动晶体管MA2和第二驱动晶体管MB2都开启时，流过发光单元D的电流If等于第一电流Ia与第二电流Ib的合(即Ia+Ib)。例如当第一驱动晶体管MA2开启，而第二驱动晶体管MB2关闭时，流过发光单元D的电流If可实质上等于第一电流Ia；当第一驱动晶体管MA2关闭，而第二驱动晶体管MB2开启时，流过发光单元D的电流If可实质上等于第二电流Ib；而当第一驱动晶体管MA2和第二驱动晶体管MB2都关闭时，流过发光单元D的电流If等于零，此时发光单元D即不发光。藉由上述控制第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2的开启/关闭，即可控制流过发光单元D的电流If的大小。第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2的开启/关闭可藉由改变偏压Vx1及Vx2的方式来达成。
在本发明的一实施例中，发光单元驱动电路100可更包含第一发光控制晶体管MA3及第二发光控制晶体管MB3。第一发光控制晶体管MA3可耦接第一驱动晶体管MA2及发光单元D，可用以依据第一发光控制信号(即第一控制线E1[y]的电压)来控制第一电流Ia是否流向发光单元D。当第一控制线E1[y]的电压为低电位时，第一发光控制晶体管MA3即可开启，而使得第一电流Ia流向发光单元D。当第一控制线E1[y]的电压为高电位时，第一发光控制晶体管MA3即可关闭，切断第一驱动晶体管MA2与发光单元D之间的电性连接，而使得第一电流Ia不流向发光单元D。类似地，第二发光控制晶体管MB3可耦接第二驱动晶体管MB2及发光单元D，可用以依据第二发光控制信号(即第二控制线E2[y]的电压)来控制第二电流Ib是否流向发光单元D。当第二控制线E2[y]的电压为低电位时，第二发光控制晶体管MB3即可开启，而使得第二电流Ib流向发光单元D。当第二控制线E2[y]的电压为高电位时，第二发光控制晶体管MB3即可关闭，切断第二驱动晶体管MB2与发光单元D之间的电性连接，而使得第二电流Ib不流向发光单元D。值得了解的，在本发明的部分实施例中，发光单元驱动电路100可以不必包含第一发光控制晶体管MA3及第二发光控制晶体管MB3。换句话说，第一发光控制晶体管MA3及第二发光控制晶体管MB3是选择性设置的元件。第一驱动晶体管MA2可直接地耦接发光单元D，且第二驱动晶体管MB2可直接地耦接发光单元D。藉由控制第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2的操作，即可控制流过发光单元D的电流If的大小。
在本发明的一实施例中，发光单元驱动电路100可更包含第一电容Cgs1及第二电容Cgs2。第一电容Cgs1可耦接第一驱动晶体管MA2的第一端(例如源极)及控制端(例如栅极)，可用以维持电压Vx1的电位水平。第二电容Cgs2可耦接第二驱动晶体管MB2的第一端(例如源极)及控制端(例如栅极)之间，可用以维持电压Vx2的电位水平。在一实施例中，第一电容Cgs1可电性连接第一驱动晶体管MA2。第二电容Cgs2可电性连接第二驱动晶体管MB2。第一电容Cgs1的电容值可以实质上等于第二电容Cgs2的电容值，但不限于此。值得了解的，在本发明的部分实施例中，发光单元驱动电路100可以不必包含第一电容Cgs1及第二电容Cgs2。换句话说，第一电容Cgs1及第二电容Cgs2是选择性设置的元件。
图3是根据本发明其中一实施例的图1的电子装置10的时序图。在本发明一实施例中，电子装置10可每隔一定的时间周期T刷新(refresh)发光单元驱动电路100的第一数据线D1[x]及第二数据线D2[x]的电压、及流过发光单元D电流If的大小。在此实施例中，同一时间只会有第一电流Ia或第二电流Ib留过发光单元D。时间周期T可包含第一子周期T1以及第二子周期T2。举例来说，在第一子周期T1期间，第一扫描线S1[1]至S1[N]可依序地在一段时间中处于低电位，而当第一扫描线S1[y]处于低电位时，其对应的第一数据线D1[x]的电位可写入至对应的第一驱动晶体管MA2而改变所对应的电压Vx1。接着，第一控制线E1[1]至E1[N]的电位可降为低电位，而开启对应的第一发光控制晶体管MA3，而使第一电流Ia流过发光单元D。相似地，在第二子周期T2期间，第二扫描线S2[1]至S2[N]可依序地在一段时间中处于低电位，而当第二扫描线S2[y]处于低电位时，其对应的第二数据线D2[x]的电位可写入至对应的第二驱动晶体管MB2而改变所对应的电压Vx2。接着，第二控制线E2[1]至E2[N]的电位会降为低电位，而开启对应的第二发光控制晶体管MB3，而使第二电流Ib流过发光单元D。在其他实施例中，可控制第一发光控制晶体管MA3及第二驱动晶体管MB2，使第一电流Ia及第二电流Ib一起流过发光单元D。
本实施例中，第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2可例如为薄膜晶体管(thin-film transistor，TFT)，但不限于此。第一驱动晶体管MA2的结构可类似于第二驱动晶体管MB2。以下以第一驱动晶体管MA2为例来说明。图4是根据本发明其中一实施例的图2的发光单元驱动电路100的第一驱动晶体管MA2的上视示意图。第一驱动晶体管MA2可具有栅极210、源极250、以及漏极260。栅极210可形成在基板200上，而栅极210上可形成栅极绝缘层(图未示)。栅极绝缘层的材料可包含绝缘材料，例如氮化硅、氧化硅、其他适合的材料、或上述材料的组合，但不限于此。栅极绝缘层上可形成半导体层230。半导体层230可包含非晶半导体(Amorphous semiconductor)、多晶半导体(poly-crystalline semiconductor)、金属氧化物(例如氧化铟镓锌((Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO))、其他适合的材料、或上述材料的组合，但不限于此。第一驱动晶体管MA2具有通道宽度W、通道长度L，而第一驱动晶体管MA2的通道的宽长比(width/length ratio)可定义为W/L。通道的宽长比可依据该领域中具有通常技艺者以习知量测方式来获得，在此不再赘述。第二驱动晶体管MB2的结构可类似于第一驱动晶体管MA2，而两者之间的差异可在于第二驱动晶体管MB2的通道的宽长比不等于第一驱动晶体管MA2的通道的宽长比。例如，第一驱动晶体管MA2的通道宽度W相对于通道长度L的比值大于第二驱动晶体管MB2的通道宽度相对于通道长度的比值。举例来说，本发明一实施例中，第一驱动晶体管MA2的通道宽度W可实质上等于12微米(μm)，第一驱动晶体管MA2的通道长度L可实质上等于6微米，而第一驱动晶体管MA2的宽长比等于2(即12μm/6μm)。第二驱动晶体管MB2的通道宽度W可实质上等于6微米，第二驱动晶体管MB2的通道长度L可实质上等于6微米，而第二驱动晶体管MB2的通道的宽长比等于1(即6μm/6μm)。值得注意的，上述的尺寸只是示范性的说明，本发明并不以此为限，而第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2的通道长度及通道宽度可以是其他不同的大小。
由于具有较大宽长比的晶体管所能承受的源极-漏极电流(source-draincurrent)可大于具有较小宽长比的晶体管所能承受的源极-漏极电流，因此可利用具有不同宽长比的第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2，来分别提供不同电流范围的电流If。图5是根据本发明其中一实施例的图2的发光单元驱动电路100的第一驱动晶体管MA2的源极-栅极电压VGS1与源极-漏极电流IDS1之间的关系图，而图6是根据本发明其中一实施例的图2的发光单元驱动电路100的第二驱动晶体管MB2的源极-栅极电压VGS2与源极-漏极电流IDS2之间的关系图。VGS1表示第一驱动晶体管MA2的源极与栅极之间的电压差，IDS1表示从第一驱动晶体管MA2的源极流向第一驱动晶体管MA2的漏极的电流，VGS2表示第二驱动晶体管MB2的源极与栅极之间的电压差，IDS2表示从第二驱动晶体管MB2的源极流向第二驱动晶体管MB2的漏极的电流。此外，源极-栅极电压VGS1可实质上等于第一系统电压PVDD与偏压Vx1之间的电压差，源极-栅极电压VGS2可实质上等于第一系统电压PVDD与偏压Vx2之间的电压差，源极-漏极电流IDS1可实质上等于第一电流Ia，而源极-漏极电流IDS2可实质上等于第二电流Ib。举例来说，流过发光单元D的电流If的大小可在电流范围I0至I255之间变化，以使发光单元D可呈现256种不同的亮度，而每一种亮度可对应到发光单元驱动电路100的256个灰阶中的其中一灰阶。需注意的是，此处电流范围仅为例示性说明，实际上可视设计需求调整电流范围及其对应的亮度。举例来说，电压值V0、V64、V127、V128及V255可分别对应到电流值I0、I64、I127、I128及I255，而电流值I255可大于或小于电流值I0。在本实施例中，第一驱动晶体管MA2的通道长宽比可大于或小于第二驱动晶体管MB2的通道长宽比。第一驱动晶体管MA2可用以提供对应第一电流范围的第一电流Ia，而第二驱动晶体管MB2可用以提供第二电流范围的第二电流Ib。第一电流范围可不与第二电流范围重叠。例如，第一电流范围可包含I0至IN，第二电流范围可包含IN+1至I255，其中N可为1至253中的一整数，例如50、100、125、126、127、128、129、130、131、135、150、或175，但不限于此。举例来说，第一驱动晶体管MA2的通道长宽比可大于第二驱动晶体管MB2的通道长宽比，且电流值I255可大于电流值I0，其中第一驱动晶体管MA2可用以提供电流范围I128至I255的第一电流Ia，而第二驱动晶体管MB2可用以提供电流范围I0至I127的第二电流Ib，但不限于此。电流范围I128至I255可不与电流范围I0至I127重叠。
可根据所要的电流If的大小，择一地开启第一发光控制晶体管MA3及第二发光控制晶体管MB3中的一者，而让第一电流Ia及第二电流Ib中的一者成为电流If。举例来说，当所要的电流If的大小介于第一电流范围时，可开启发光单元驱动电路100的第一发光控制晶体管MA3。当所要的电流If的大小介于第二电流范围时，可开启第二发光控制晶体管MB3。例如当电流If的大小介于电流范围I128至I255时，可开启发光单元驱动电路100的第一发光控制晶体管MA3；当电流If的大小介于电流范围I0至I127时，可开启第二发光控制晶体管MB3。
当发光单元驱动电路100开始运作时，第一驱动晶体管MA2的源极-栅极电压VGS1与源极-漏极电流IDS1之间关系曲线可例如为曲线301，而第二驱动晶体管MB2的源极-栅极电压VGS2与源极-漏极电流IDS2之间关系曲线可例如为曲线401。然而，当发光单元驱动电路100运作一段时间后，第一驱动晶体管MA2的源极-栅极电压VGS1与源极-漏极电流IDS1之间关系曲线以及第二驱动晶体管MB2的源极-栅极电压VGS2与源极-漏极电流IDS2之间关系曲线可能会产生飘移而分别成为曲线302及402。图5中原本的电压值V128所对应的电流值可能会从原本的I128变成I128_RA，而图6中原本的电压值V64所对应的电流值可能会从原本的I64变成I64_RA。然而，由于第一驱动晶体管MA2的源极-漏极电流IDS1是在电流范围I0至I127之间变化，而第二驱动晶体管MB2的源极-漏极电流IDS2是在电流范围I128至I255之间变化，使用第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2的飘移程度可小于仅使用单一驱动晶体管且其对应电流范围为I0至I255的飘移程度。
在上述实施例中，发光单元驱动电路100的晶体管可皆为P型的晶体管(如图2)，但本发明的发光单元驱动电路也可以采用N型的晶体管。图7是根据本发明其中一实施例的发光单元驱动电路100B的电路图。第一切换晶体管MA1、第二切换晶体管MB1、第一驱动晶体管MA2、第二驱动晶体管MB2、第一发光控制晶体管MA3及第二发光控制晶体管MB3可皆为N型的晶体管。发光单元驱动电路100B的驱动方式与发光单元驱动电路100的驱动方式类似，两者之间主要的差别在于当要驱动发光单元驱动电路100B时，原先如图3的各种讯号都要反相处理。在一实施例中，发光单元驱动电路100的晶体管可包含P型及N型的晶体管。
在本发明一实施例中，第一发光控制晶体管MA3及第二发光控制晶体管MB3这两个晶体管中可省略其中的一者。图8是根据本发明其中一实施例的发光单元驱动电路100C的电路图。发光单元驱动电路100C与发光单元驱动电路100之间的主要差别在于发光单元驱动电路100C只使用了第一发光控制晶体管MA3来控制电流If流向发光单元D。图9是根据本发明其中一实施例的图8的发光单元驱动电路100C的时序图。在第一子周期T1期间，第一扫描线S1[1]至S1[N]及第二扫描线S2[1]至S2[N]可依据预定的次序而分别有一段时间处于低电位，以通过对应的第一数据线D1[x]及第二数据线D2[x]将数据分别写入至对应的第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2，而分别改变所对应的电压Vx1及Vx2。在第二子周期T2期间，第一控制线E1[y]的电位可降为低电位，而开启对应的第一发光控制晶体管MA3，使第一电流Ia及第二电流Ib同时地流过发光单元D。
图10是根据本发明其中一实施例的图8的发光单元驱动电路100C的另一种时序图。不同于图9的驱动方式，在本实施例中，当第一扫描线S1[y]和第二扫描线S2[y]依序可有一段时间处于低电位，以分别通过第一数据线D1[x]及第二数据线D2[x]将数据分别写入至对应的第一驱动晶体管MA2及第二驱动晶体管MB2之后，其对应的第一控制线E1[y]的电位可依序降为低电位，以开启对应的第一发光控制晶体管MA3，而使第一电流Ia及第二电流Ib同时地流过发光单元D。
图11是根据本发明另一实施例的发光单元驱动电路100D的电路图。不同于图2的第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1分别耦接第一数据线D1[x]及第二数据线D2[x]，在本实施例中，发光单元驱动电路100D的第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1可皆耦接第一数据线D1[x]。藉由控制第一扫描线S1[y]及第二扫描线S2[y]，可以使第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1在不同的时间被开启。当第一切换晶体管MA1被开启，而第二切换晶体管MB1被关闭时，即可通过第一数据线D1[x]刷新偏压Vx1，但此时并不刷新偏压Vx2。当第二切换晶体管MB1被开启，而第一切换晶体管MA1被关闭时，则可通过第一数据线D1[x]刷新偏压Vx2，但此时并不刷新偏压Vx1。
图12是根据本发明另一实施例的发光单元驱动电路100E的电路图。不同于图2的第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1分别耦接第一扫描线S1[y]及第二扫描线S2[y]，在本实施例中，发光单元驱动电路100D的第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1可都耦接第一扫描线S1[y]。其中，当第一扫描线S1[y]处于低电位而同时开启第一切换晶体管MA1及第二切换晶体管MB1时，可分别通过第一数据线D1[x]及第二数据线D2[x]分别地刷新偏压Vx1及Vx2。
综合以上所述，电子装置的发光单元驱动电路可藉由第一驱动晶体管及第二驱动晶体管分别提供第一电流及第二电流至发光单元，而使发光单元可被不同的电流所驱动而发光，故可提升操作上的便利性。再者，第一电流及第二电流可分别位于不同的电流范围，电子装置可依据发光单元所需要的驱动电流的大小，选择性地开启/关闭相关的晶体管，故可提升刷新发光单元所需要的驱动电流时的刷新效率。
以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。另外，每一权利要求范围构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求范围及实施例的组合。本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (10)

1.一种发光单元驱动电路，其特征在于，包含：
第一驱动晶体管，具有第一通道宽度及第一通道长度，并用以提供第一电流；
第二驱动晶体管，具有第二通道宽度及第二通道长度，并用以提供第二电流；以及
发光单元，电性连接该第一驱动晶体管及该第二驱动晶体管，并用以接收该第一电流及该第二电流的至少一者而发光；
其中该第一通道宽度相对于该第一通道长度的第一比值不同于该第二通道宽度相对于该第二通道长度的第二比值。
2.如权利要求1所述的发光单元驱动电路，其特征在于，更包含：
第一发光控制晶体管，电性连接该第一驱动晶体管；以及
第二发光控制晶体管，电性连接该第二驱动晶体管。
3.如权利要求1所述的发光单元驱动电路，其特征在于，更包含：
发光控制晶体管，电性连接该第一驱动晶体管及该第二驱动晶体管。
4.如权利要求1所述的发光单元驱动电路，其特征在于，更包含：
第一数据线；
第二数据线；
第一扫描线；
第二扫描线；
第一切换晶体管，电性连接该第一数据线、该第一驱动晶体管、及该第一扫描线；以及
第二切换晶体管，电性连接该第二数据线、该第二驱动晶体管、及该第二扫描线。
5.如权利要求1所述的发光单元驱动电路，其特征在于，更包含：
第一数据线；
第二数据线；
扫描线；
第一切换晶体管，电性连接该第一数据线、该第一驱动晶体管、及该扫描线；以及
第二切换晶体管，电性连接该第二数据线、该第二驱动晶体管、及该扫描线。
6.如权利要求1所述的发光单元驱动电路，其特征在于，更包含：
数据线；
第一扫描线；
第二扫描线；
第一切换晶体管，电性连接该数据线、该第一驱动晶体管、及该第一扫描线；以及
第二切换晶体管，电性连接该数据线、该第二驱动晶体管、及该第二扫描线。
7.如权利要求1所述的发光单元驱动电路，其特征在于，更包含：
第一电容，电性连接该第一驱动晶体管；以及
第二电容，电性连接该第二驱动晶体管。
8.如权利要求1所述的发光单元驱动电路，其特征在于，其中该第一电流的电流值位于第一电流范围内，该第二电流的电流值位于第二电流范围内，而该第一电流范围不与该第二电流范围重叠。
9.一种电子装置，其特征在于，包含一发光单元驱动电路，而该发光单元驱动电路包含：
第一驱动晶体管，具有第一通道宽度及第一通道长度，并用以提供第一电流；
第二驱动晶体管，具有第二通道宽度及第二通道长度，并用以提供第二电流；以及
发光单元，电性连接该第一驱动晶体管及该第二驱动晶体管，并用以接收该第一电流及该第二电流的至少一者而发光；
其中该第一通道宽度相对于该第一通道长度的第一比值大于该第二通道宽度相对于该第二通道长度的第二比值。
10.如权利要求9所述的电子装置，其特征在于，其中该第一电流的电流值位于第一电流范围内，该第二电流的电流值位于第二电流范围内，而该第一电流范围不与该第二电流范围重叠。
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