CN111919247B - 驱动方法以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明所涉及的驱动方法包括：对象行决定步骤(S102)，决定对象像素所属的对象行，所述对象像素是检测上述驱动晶体管以及上述电光学元件的至少一方的特性的对象像素；亮度计算步骤(S104)，计算上述对象行的像素的代表亮度；以及检测判断步骤(S106、S108)，在上述代表亮度为阈值以上的情况下，执行特性检测步骤，在所述特性检测步骤中，对表示属于上述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测，在上述代表亮度不足阈值的情况下，跳过上述特性检测步骤。

Description

驱动方法以及显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置的驱动方法以及显示装置。
背景技术
以往，进行使用了有机EL(Electro Luminescence)元件(也被称为OLED(OrganicLight-Emitting Diode))的显示装置的开发。
在这样的显示装置中，作为驱动晶体管，通常采用薄膜晶体管(TFT)。然而，针对薄膜晶体管，其特性容易产生不一致。具体而言，阈值电压、迁移率容易产生不一致。若在设置于显示部内的驱动晶体管产生阈值电压、迁移率的不一致，则产生亮度的不一致，因此显示品质降低。另外，关于有机EL元件，随着时间的经过，电流效率(发光效率)降低。因此，即便恒定电流向有机EL元件供给，亮度也随着时间的经过而慢慢降低。
作为针对上述那样的问题的对应，专利文献1公开以下方法，以一秒钟一个的比例显示检查图案的帧而进行电流测定，进行OLED的驱动修正。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“日本特开2005-107059号(2005年04月21日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，在上述那样的技术中，存在因检查产生的OLED的发光容易被视听者视认这样的问题。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供因检查产生的OLED的发光不易被视认的技术。
解决问题的方案
为了解决上述课题，一实施方式所涉及的显示装置的驱动方法为具有n行×m列的像素矩阵的显示装置的驱动方法，上述n行×m列的像素矩阵具备n×m个(n以及m是2以上的整数)像素电路，上述n×m个像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制要供给于上述电光学元件的电流，上述显示装置具备：扫描线，其按每个上述行设置；监视线，其按每个上述行设置；以及数据线，其按每个上述列设置，该驱动方法包括：对象行决定步骤，决定对象像素所属的对象行，所述对象像素是检测上述驱动晶体管以及上述电光学元件的至少一方的特性的对象像素；亮度计算步骤，计算上述对象行的像素的代表亮度；以及检测判断步骤，在上述代表亮度为阈值以上的情况下，执行特性检测步骤，在所述特性检测步骤中对表示属于上述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测，在上述代表亮度不足阈值的情况下，跳过上述特性检测步骤。
另外，一实施方式所涉及的显示装置为具有n行×m列的像素矩阵的显示装置，上述n行×m列的像素矩阵具备n×m个(n以及m是2以上的整数)像素电路，上述n×m个(n以及m是2以上的整数)像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制要供给于上述电光学元件的电流，上述显示装置具备：扫描线，其按每个上述行设置；监视线，其按每个上述行设置；数据线，其按每个上述列设置；控制部，所述控制部决定对象像素所属的对象行，所述对象像素是检测上述驱动晶体管以及上述电光学元件的至少一方的特性的对象像素，所述控制部计算上述对象行的像素的代表亮度，在上述代表亮度为阈值以上的情况下，所述控制部执行特性检测步骤，在所述特性检测步骤中对表示属于上述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测，在上述代表亮度不足阈值的情况下，所述控制部跳过上述特性检测步骤。
发明效果
根据上述的驱动方法以及显示装置，起到因检查产生的OLED的发光不易被视认这样的效果。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的有源矩阵型的显示装置的整体结构的框图。
图2是表示第一实施方式所涉及的像素电路以及输出/电流监视电路的结构的电路图。
图3是表示第一实施方式所涉及的特性检测动作的执行顺序的图。
图4是表示包括第一实施方式所涉及的特性检测判断处理的驱动处理的流程的流程图。
图5是用于对进行第一实施方式所涉及的特性检测处理的情况下的各信号的时机进行说明的时序图。
图6是与电流流动的路径一起示出第一实施方式所涉及的像素电路以及输出/电流监视电路的结构的图。
图7是用于对监视行所含的像素电路的动作进行说明的时序图。
图8是与电流流动的路径一起示出第一实施方式所涉及的像素电路以及输出/电流监视电路的结构的图。
图9是与电流流动的路径一起示出第一实施方式所涉及的像素电路以及输出/电流监视电路的结构的图。
图10是与电流流动的路径一起示出第一实施方式所涉及的像素电路以及输出/电流监视电路的结构的图。
图11是表示第一实施方式的控制时钟信号Sclk和给予数据线S(j)的电位的时序图。
图12是与电流流动的路径一起示出第一实施方式所涉及的像素电路以及输出/电流监视电路的结构的图。
图13是与电流流动的路径一起示出第一实施方式所涉及的像素电路以及输出/电流监视电路的结构的图。
图14是用于对进行第二实施方式所涉及的特性检测处理的情况下的各信号的时机进行说明的时序图。
图15是用于对进行第二实施方式所涉及的特性检测处理的情况下的各信号的时机进行说明的时序图。
图16是表示基于第二实施方式所涉及的控制电路的对象行的设定处理例的示意图。
图17是表示基于第二实施方式所涉及的控制电路的对象行的设定处理例的示意图。
图18是表示基于第二实施方式所涉及的控制电路的对象行的设定处理例的流程图。
图19是表示基于第二实施方式所涉及的控制电路的对象行的设定处理例的流程图。
图20是表示第二实施方式所涉及的驱动方法所含的显示数据写入步骤的结构的流程图。
图21是表示第二实施方式所涉及的LUT的一个例子的图。
具体实施方式
〔第一实施方式〕
以下，参照附图对本发明的一实施方式进行说明。以下的说明中，作为电光学元件的一个例子，将有机EL(Electro Luminescence)(也被称为OLED(Organic Light-EmittingDiode))列举为例子，但这不限定本实施方式，作为电光学元件，也可以使用QLED(Quantumdot Light-Emitting Diode)。
另外，以下，假定m以及n是2以上的整数，i是1以上且n以下的整数，j是1以上且m以下的整数。另外，以下，将在像素电路内设置的驱动晶体管的特性称为“TFT特性”，将在像素电路内设置的有机EL元件的特性称为“OLED特性”。
＜1.整体结构＞
图1是表示本发明的一实施方式所涉及的有源矩阵型的显示装置1的整体结构的框图。该显示装置1具备显示部10、控制电路(控制部)20、源极驱动器(数据线驱动电路)30、栅极驱动器(扫描线驱动电路)40、修正数据存储部50、有机EL用高电平电源61以及有机EL用低电平电源62。此外，也可以构成为源极驱动器30以及栅极驱动器40的一方或者双方与显示部10一体形成。
在显示部10配设有n根数据线S(1)～S(m)以及与它们正交的n根扫描线G1(1)～G1(n)。以下，将数据线的延伸方向作为Y方向，将扫描线的延伸方向作为X方向。有时将沿着Y方向的构成要素称为“列”，有时将沿着X方向的构成要素称为“行”。另外，在显示部10，以与n根扫描线G1(1)～G1(n)一对一对应的方式配设有n根监视控制线(也仅称为监视线)G2(1)～G2(n)。作为一个例子，扫描线G1(1)～G1(n)和监视控制线G2(1)～G2(n)彼此平行。并且，在显示部10以与n根扫描线G1(1)～G1(n)和n根数据线S(1)～S(m)交叉的交叉点对应的方式设置有n×m个像素电路11。通过这样设置有n×m个像素电路11，从而n行×m列的像素矩阵形成于显示部10。另外，在显示部10配设有供给高电平电源电压ELVDD的高电平电源线和供给低电平电源电压ELVSS的低电平电源线。
此外，以下，在不需要区别n根数据线S(1)～S(m)彼此的情况下仅用附图标记S表示数据线。同样，在不需要区别n根扫描线G1(1)～G1(n)彼此的情况下仅用附图标记G1表示扫描线，在不需要区别n根监视控制线G2(1)～G2(n)彼此的情况下仅用附图标记G2表示监视控制线。
本实施方式的数据线S不仅作为传递用于使像素电路11内的有机EL元件以所希望的亮度发光的亮度信号的信号线使用，还作为用于将TFT特性、OLED特性的检测用的控制电位给予像素电路11的信号线以及成为表示TFT特性、OLED特性的电流且后述的输出/电流监视电路330中能够测定的电流的路径的信号线使用。
控制电路20通过对源极驱动器30给予数据信号DA以及源极控制信号SCTL，控制源极驱动器30的动作，通过对栅极驱动器40给予栅极控制信号GCTL，控制栅极驱动器40的动作。源极控制信号SCTL例如包括源极启动脉冲、源极时钟、锁存选通信号。栅极控制信号GCTL例如包括栅极启动脉冲、栅极时钟以及输出使能信号。另外，控制电路20接受从源极驱动器30给予的监视数据MO，进行储存于修正数据存储部50的修正数据的更新。此外，监视数据MO是为了求出TFT特性、OLED特性而测定的数据。
控制电路20包括电源电压控制部201。电源电压控制部201通过对有机EL用高电平电源61给予电压控制信号CTL1，控制从有机EL用高电平电源61输出的高电平电源电压ELVDD的值，通过对有机EL用低电平电源62给予电压控制信号CTL2，控制从有机EL用低电平电源62输出的低电平电源电压ELVSS的值。
栅极驱动器40与n根扫描线G1(1)～G1(n)以及n根监视控制线G2(1)～G2(n)连接。栅极驱动器40由移位寄存器以及逻辑电路等构成。然而，在本实施方式所涉及的显示装置1中，基于TFT特性以及OLED特性，对从外部输送的影像信号(成为上述数据信号DA的源头的数据)实施修正。关于此，在本实施方式中，作为一个例子，在各帧中，进行针对一个行的特性检测判断处理。此处，详细情况将后述，但特性检测判断处理包括以下处理：
·针对上述一个行，决定是否进行特性检测处理，
·在决定为进行特性检测处理的情况下，执行针对该一个行的特性检测处理，在决定不进行特性检测处理的情况下，跳过针对该一个行的特性检测处理。
另外，特性检测处理进行TFT特性以及OLED特性的至少任一个检测。
这样，在本实施方式中，作为一个例子，若在某个帧进行针对第1行的特性检测判断处理，则在下一帧进行针对第2行的特性检测判断处理，在再下一帧进行针对第3行的特性检测判断处理。这样，遍及n帧期间，依次选择n行的量的特性检测判断处理的对象行。但是，上述那样的对象行的依次选择处理不排除遍及多帧连续地多次选择相同行。例如，也可以如本说明书中后述的那样构成为，在针对某个帧的某个行，没有进行特性检测处理的情况下，在下一帧中，对该某个行再次执行特性检测判断处理。另外，特性检测判断处理的对象行的选择方法不局限于上述那样的依次选择，也可以如本说明书中后述那样构成为，随机选择。
另外，特性检测判断处理也可以构成为在显示对象的所有帧中进行，也可以构成为在一部分帧中进行。另外，也可以构成为，按每个规定期间进行特性检测判断处理。例如，也可以构成为，相对于各行，以一个小时一次左右的频次应用特性检测判断处理，也可以构成为，在显示装置1的电源接入的紧后的时机以及显示装置1的电源切断的紧前的时机，相对于所有行应用特性检测判断处理。
此外，在本说明书中，也将着眼于任意帧时成为特性检测判断处理的对象的行称为“监视行”或者“对象行”，也将除监视行以外的行称为“非监视行”。
源极驱动器30与n根数据线S(1)～S(m)连接。源极驱动器30通过驱动信号产生电路31、信号转换电路32、由m个输出/电流监视电路330构成的输出部33构成。输出部33内的m个输出/电流监视电路330分别与n根数据线S(1)～S(m)中的对应的数据线S连接。
驱动信号产生电路31包括移位寄存器、采样电路以及锁存电路。在驱动信号产生电路31中，移位寄存器与源极时钟同步地将源极启动脉冲从输入端依次向输出端转送。与源极启动脉冲的该转送对应地，从移位寄存器输出与各数据线S对应的采样脉冲。采样电路根据采样脉冲的时机依次存储一行的量的数据信号DA。锁存电路根据锁存选通信号获取并保持存储于采样电路的一行的量的数据信号DA。
此外，在本实施方式中，数据信号DA包括用于使各像素的有机EL元件以所希望的亮度发光的亮度信号；和用于在检测TFT特性、OLED特性时控制像素电路11的动作的监视控制信号。
信号转换电路32包括D/A转换器以及A/D转换器。如上述那样被驱动信号产生电路31内的锁存电路保持的一行的量的数据信号DA由信号转换电路32内的D/A转换器转换为模拟电压。将该转换了的模拟电压给予输出部33内的输出/电流监视电路330。另外，从输出部33内的输出/电流监视电路330对信号转换电路32给予监视数据MO。该监视数据MO通过信号转换电路32内的A/D转换器从模拟电压转换为数字信号。而且，转换为数字信号后的监视数据MO经由驱动信号产生电路31而给予控制电路20。
从信号转换电路32对输出/电流监视电路330给予作为数据信号DA的模拟电压Vs。该模拟电压Vs经由输出/电流监视电路330内的缓存器而施加于数据线S。另外，输出/电流监视电路330具有对在数据线S流动的电流进行测定的功能。由输出/电流监视电路330测定出的数据作为监视数据MO给予信号转换电路32。此外，输出/电流监视电路330的详细结构将后述。
修正数据存储部50包括TFT用偏移存储器51a、OLED用偏移存储器51b、TFT用增益存储器52a以及OLED用增益存储器52b。此外，上述四个存储器也可以在物理上是一个存储器，也可以在物理上是不同的存储器。修正数据存储部50对从外部输送的影像信号的修正所使用的修正数据进行存储。详细而言，TFT用偏移存储器51a将基于TFT特性的检测结果的偏移值(该偏移值是与驱动晶体管的阈值电压相对应的值。)存储为修正数据。OLED用偏移存储器51b将基于OLED特性的检测结果的偏移值(该偏移值是与有机EL元件的发光阈值电压相对应的值。)存储为修正数据。TFT用增益存储器52a将基于TFT特性的检测结果的增益值(该增益值是与驱动晶体管的迁移率相对应的值。)存储为修正数据。OLED用增益存储器52b将基于OLED特性的检测结果的劣化修正系数存储为修正数据。此外，典型而言，与显示部10内的像素数量相等数量的偏移值以及增益值作为基于TFT特性的检测结果的修正数据，分别存储于TFT用偏移存储器51a以及TFT用增益存储器52a。另外，典型而言，与显示部10内的像素数量相等数量的偏移值以及劣化修正系数作为基于OLED特性的检测结果的修正数据，分别存储于OLED用偏移存储器51b以及OLED用增益存储器52b。其中，也可以按每多个像素将一个值存储于各存储器。
如上述那样，控制电路20基于监视数据MO进行修正数据的更新。详细而言，控制电路20基于从源极驱动器30给予的监视数据MO，对TFT用偏移存储器51a内的偏移值、OLED用偏移存储器51b内的偏移值、TFT用增益存储器52a内的增益值以及OLED用增益存储器52b内的劣化修正系数进行更新。另外，控制电路20读出TFT用偏移存储器51a内的偏移值、OLED用偏移存储器51b内的偏移值、TFT用增益存储器52a内的增益值以及OLED用增益存储器52b内的劣化修正系数，并以补偿电路元件的劣化的方式进行影像信号的修正。通过该修正得到的数据作为数据信号DA而向源极驱动器30输送。
有机EL用高电平电源61对显示部10供给高电平电源电压ELVDD。此外，高电平电源电压ELVDD的值基于从电源电压控制部201输出的电压控制信号CTL1来控制。有机EL用低电平电源62对显示部10供给低电平电源电压ELVSS。此外，低电平电源电压ELVSS的值基于从电源电压控制部201输出的电压控制信号CTL2来控制。
＜2.像素电路以及输出/电流监视电路的结构＞
＜2.1像素电路＞
图2是表示像素电路11以及输出/电流监视电路330的结构的电路图。此外，图2所示的像素电路11是i行j列的像素电路11。该像素电路11具备一个有机EL元件OLED、三个晶体管T1～T3以及一个电容器Cst。晶体管T1作为选择像素的输入晶体管发挥功能，晶体管T2作为控制电流向有机EL元件OLED的供给的驱动晶体管发挥功能，晶体管T3作为控制是否检测TFT特性、OLED特性的监视控制晶体管发挥功能。
晶体管T1设置于数据线S(j)与晶体管T2的栅极端子之间。关于该晶体管T1，在扫描线G1(i)连接有栅极端子，在数据线S(j)连接有源极端子。晶体管T2与有机EL元件OLED串联设置。关于该晶体管T2，在晶体管T1的漏极端子连接有栅极端子，在高电平电源线ELVDD连接有漏极端子，在有机EL元件OLED的阳极端子(阳极)连接有源极端子。针对晶体管T3，在监视控制线G2(i)连接有栅极端子，在有机EL元件OLED的阳极端子连接有漏极端子，在数据线S(j)连接有源极端子。针对电容器Cst，在晶体管T2的栅极端子连接有一端，在晶体管T2的漏极端子连接有另一端。有机EL元件OLED的阴极端子(阴极)与低电平电源线ELVSS连接。
此外，在本实施方式中，电容器Cst设置于晶体管T2的栅极-漏极间。该理由如以下那样。在本实施方式中，在一帧期间中，进行在使晶体管T3成为接通的状态下使数据线S(j)的电位变动的控制。若假设在晶体管T2的栅极-源极间设置有电容器Cst，则晶体管T2的栅极电位也根据数据线S(j)的电位的变动而变动。这样，可产生晶体管T2的开/关状态无法成为所希望的状态。因此，在本实施方式中，为了防止晶体管T2的栅极电位根据数据线S(j)的电位的变动而变动，在图2所示晶体管T2的栅极-漏极间设置有电容器Cst。其中，也可以是，在数据线S(j)的电位的变动对晶体管T2的栅极电位带来的影响小的情况下，在晶体管T2的栅极-源极间设置有电容器Cst。
＜2.2针对像素电路内的晶体管＞
在本实施方式中，像素电路11内的晶体管T1～T3全部为n沟道型。另外，在本实施方式中，晶体管T1～T3采用氧化物TFT(将氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管)。
以下，对氧化物TFT所含的氧化物半导体层进行说明。氧化物半导体层例如是In-Ga-Zn-O系的半导体层。氧化物半导体层包括例如In-Ga-Zn-O系的半导体。In-Ga-Zn-O系半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物。In、Ga以及Zn之比例(组成比)没有特别限定。例如也可以是In：Ga：Zn＝2：2：1，In：Ga：Zn＝1：1：1，In：Ga：Zn＝1：1：2等。
具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT具有较高的迁移率(与非晶体硅TFT相比超过20倍的迁移率)和较低的漏电电流(与非晶体硅TFT相比不足一百分之一的漏电电流)，因此适当地用作像素电路内的驱动TFT(上述晶体管T2)以及开关TFT(上述晶体管T1)。若使用具有In-Ga-Zn-O系半导体层的TFT，则能够大幅减少显示装置的耗电量。
In-Ga-Zn-O系半导体也可以是非晶体，也可以包含结晶质部分，具有结晶性。作为结晶质In-Ga-Zn-O系半导体，优选c轴与层面大体垂直地取向的结晶质In-Ga-Zn-O系半导体。这样的In-Ga-Zn-O系半导体的结晶构造例如公开于日本的日本特开2012-134475号公报。
氧化物半导体层也可以取代In-Ga-Zn-O系半导体而包含其他的氧化物半导体。例如也可以包括Zn-O系半导体(ZnO)、In-Zn-O系半导体(IZO(注册商标))、Zn-Ti-O系半导体(ZTO)、Cd-Ge-O系半导体、Cd-Pb-O系半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O系半导体、In-Sn-Zn-O系半导体(例如In 2O 3-SnO 2-ZnO)、In-Ga-Sn-O系半导体等。
＜2.3输出/电流监视电路＞
参照图2，对本实施方式的输出/电流监视电路330的详细结构进行说明。该输出/电流监视电路330包括运算放大器331、电容器332和开关333。针对运算放大器331，反相输入端子与数据线S(j)连接，对非反相输入端子给予作为数据信号DA的模拟电压Vs。电容器332以及开关333设置于运算放大器331的输出端子与数据线S(j)之间。如以上那样，该输出/电流监视电路330由积分电路构成。在这样的结构中，若通过控制时钟信号Sclk使开关333成为接通状态，则运算放大器331的输出端子-反相输入端子间成为短路状态。由此，运算放大器331的输出端子以及数据线S(j)的电位与模拟电压Vs的电位相等。当进行在数据线S(j)流动的电流的测定时，通过控制时钟信号Sclk使开关333成为断开状态。由此，以电容器332的存在为起因，使运算放大器331的输出端子的电位根据在数据线S(j)流动的电流的大小而变化。从该运算放大器331的输出作为监视数据MO而向信号转换电路32内的A/D转换器输送。
＜3.驱动方法＞
＜3.1概要＞
接下来，对本实施方式的驱动方法进行说明。如上述那样，在本实施方式中，作为一个例子，在各帧中针对一个行，进行特性检测判断处理。在各帧中，针对监视行进行用于特性检测判断处理的动作(以下，也称为“特性检测判断动作”。)，针对非监视行进行通常动作。即，若将进行针对第1行的特性检测判断处理的帧定义为第(k+1)帧，则如图3所示，各行的动作推移。另外，作为特性检测判断处理的结果，若进行TFT特性以及OLED特性的检测，则使用该检测结果，进行修正数据存储部50内的修正数据的更新。而且，以使用存储于修正数据存储部50的修正数据而补偿电路元件(晶体管T2、有机EL元件OLED)的劣化的方式进行影像信号的修正。并且，在本实施方式中，使用TFT特性以及OLED特性的检测结果，控制低电平电源电压ELVSS的值以及高电平电源电压ELVDD的值。此外，对低电平电源电压ELVSS的值以及高电平电源电压ELVDD的值进行控制的时间的间隔没有特别限定。
＜3.2处理的流程＞
接下来，对本实施方式所涉及的驱动处理的流程进行说明。图4是表示包括本实施方式所涉及的特性检测判断处理的驱动处理的流程的流程图。
(步骤S102)
在步骤S102中，控制电路20选择成为特性检测判断处理的对象的对象行。作为一个例子，控制电路20如上述那样，针对每一帧，将一行作为对象行而依次选择。
(步骤S104)
接着，在步骤S104中，控制电路20基于从外部输送来的影像信号(数据信号DA的源头的数据)、或者供给于对象行的各像素之前的数据信号(换言之，应该从影像信号相对于对象帧的对象行的各像素输入的数据信号、或者与对象帧中显示的影像信号对应的数据信号)DA，计算属于对象行的各像素的亮度的代表值亦即代表亮度。
此处，代表亮度的具体的计算方法不限定本实施方式，但例如，将以下的任一个设定为代表亮度即可。
(1)对象行所含的全像素的亮度的平均值
(2)对象行所含的全像素的亮度的最大值
(3)对象行所含的特定的颜色(例如，RGB的任一个)的像素的亮度的平均值
(4)对象行所含的特定的颜色(例如，RGB的任一个)的像素的亮度的最大值
如上述(1)所例示的那样，在本实施方式所涉及的驱动方法的特性检测判断处理中，通过将属于对象行的各色的像素的每种颜色的平均亮度彼此组合来计算代表亮度，并将计算出的代表亮度与上述阈值进行比较。
另外，如上述(3)所例示的那样，在本实施方式所涉及的驱动方法的特性检测判断处理中，将代表亮度计算为属于上述对象行的绿色的像素的平均亮度，并将计算出的代表亮度与上述阈值进行比较。
另外，在上述(3)以及(4)中，也可以构成为将应该与代表亮度进行比较的阈值按每种颜色设定为不同值。在这种情况下，在本实施方式所涉及的驱动方法的检测判断处理中，成为按属于上述对象行的像素的每种颜色计算代表亮度，并将计算出的代表亮度与和该颜色对应的阈值进行比较的结构即可。
另外，上述(1)～(4)也可以构成为，不是只参照应该相对于对象帧的对象行的各像素输入的数据信号，还进一步参照相对于比对象帧靠前的多个帧输入的数据信号。在这种情况下，作为与上述(1)对应的计算例，可举出构成为，
(5)将应该向对象帧的对象行所含的全像素输入的数据信号所表示的亮度和相对于比对象帧靠前的一个或者多个帧(例如1～5帧)的对象行所含的全像素输入的数据信号所表示的亮度的平均值设定为代表亮度，作为与上述(2)对应的计算例，可举出构成为，
(6)将应该向对象帧的对象行所含的全像素输入的数据信号所表示的亮度和相对于比对象帧靠前的一个或者多个帧(例如1～5帧)的对象行所含的全像素输入的数据信号所表示的亮度中的最大值设定为代表亮度。即便为数帧前的帧的像素，也由于在视听者的眼睛中作为残像而残留，因此在上述(5)、(6)的结构中，也能够适当地设定代表亮度。
另外，作为与上述(3)(4)对应的计算例，可举出构成为，通过将上述(5)(6)着眼于特定的颜色来计算代表亮度。
(步骤S106)
接着，在步骤S106中，控制电路20判定步骤S104中计算出的代表亮度是否为阈值Lth以上。在代表亮度为阈值Lth以上的情况下，控制电路20判断为应该相对于对象行执行特性检测处理，进入步骤S108。在不是这样的情况下，控制电路20判断为不应该相对于对象行执行特性检测处理，进入S114。
(步骤S108)
在步骤S106中，在代表亮度为阈值Lth以上的情况下，控制电路20在步骤S108中，相对于对象行执行特性检测处理(也称为特性检测动作)，获取监视数据MO。此外，步骤S108与步骤S106一起构成特性检测判断处理(检测判断步骤)。
图5是用于对相对于对象行(i)进行特性检测处理的情况下的各信号的时机进行说明的时序图。如图5所示，针对监视行(对象行(i))的一个水平扫描期间THm由监视行中进行检测TFT特性以及OLED特性的准备的期间(以下，称为“检测准备期间”。)Ta、进行用于检测TFT特性的电流测定的期间(以下，称为“TFT特性检测期间”。)Tb、进行用于检测OLED特性的电流测定的期间(以下，称为“OLED特性检测期间”。)Tc、监视行中进行使有机EL元件OLED发光的准备的期间(以下，称为“发光准备期间”。)Td构成。
在检测准备期间Ta中，扫描线G1成为有源的状态，监视控制线G2成为非有源的状态，对数据线S给予电位Vmg。在TFT特性检测期间Tb，扫描线G1成为非有源的状态，监视控制线G2成为有源的状态，对数据线S给予电位Vm＿TFT。在OLED特性检测期间Tc，扫描线G1成为非有源的状态，监视控制线G2成为有源的状态，对数据线S给予电位Vm＿oled。此外，针对电位Vmg、电位Vm＿TFT以及电位Vm＿oled的详细说明将后述。
(步骤S110)
接着，在步骤S110中，源极驱动器30相对于对象行所含的各像素，写入作为显示数据的数据电位D。本步骤与图5中的发光准备期间Td对应。在发光准备期间Td，扫描线G1成为有源的状态，监视控制线G2成为非有源的状态，对数据线S给予与监视行所含的有机EL元件OLED的目标亮度对应的数据电位D。数据电位D更详细而言，应该记载为D(i，j)，但在本说明书中只要没有产生混乱，则也仅记载为D使用。此外，针对数据电位D的详细说明将后述。
(步骤S112)
接着，在步骤S112中，控制电路20基于步骤S108中获取到的监视数据计算修正数据，并将计算出的修正数据供给于修正数据存储部50。修正数据存储部50使用获取到的修正数据，对自身所存储的修正数据进行更新。针对修正数据，详情将后述，因此此处不详述。
此外，本步骤中更新了的修正数据存储部50的修正数据为了显示下次以后的帧而使用。更具体而言，基于对于第n帧中执行的对象行(i)而言的特性检测的结果的修正数据为了对供给于显示第n+1帧以后的帧时的该对象行(i)的显示数据进行修正而使用。
(步骤S114)
另一方面，在S106中，在代表亮度不是阈值Lth以上的情况下，跳过了特性检测处理后，在步骤S114中，通过源极驱动器30，相对于对象行所含的各像素，写入作为显示数据的数据信号DA。
＜3.2像素电路的动作＞
＜3.2.1通常动作＞
在各帧中，在非监视行，进行通常动作。在非监视行所含的像素电路11中，当在选择期间进行了基于与目标亮度对应的数据电位Vdata的写入后，晶体管T1维持断开状态。通过基于数据电位Vdata的写入使晶体管T2成为接通状态。针对晶体管T3，维持断开状态。根据以上内容，如图6中附图标记71所示的箭头那样，经由晶体管T2对有机EL元件OLED供给驱动电流。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流对应的亮度发光。
＜3.2.2特性检测动作＞
在各帧中，在监视行(对象行)中，执行特性检测判断处理，在判断为应该执行特性检测处理的情况下，进行特性检测动作。图7是用于对判断为应该相对于监视行执行特性检测处理的情况下的监视行所含的像素电路11(成为i行j列的像素电路11)的动作进行说明的时序图。此外，图10中，以第i行成为监视行的帧中的第i行的第一次的选择期间开始时刻作为基准表示“一帧期间”。另外，此处，将监视行的一帧期间中的上述的一个水平扫描期间THm以外的期间称为“发光期间”。对发光期间标注附图标记TL。由附图标记THm表示针对监视行的一个水平扫描期间，由附图标记THn表示针对非监视行的一个水平扫描期间。
首先，如根据图7掌握的那样，在监视行和非监视行中一个水平扫描期间的长度不同。详细而言，针对监视行的一个水平扫描期间的长度成为针对非监视行的一个水平扫描期间的长度的4倍。其中，本发明不限定于此。例如，针对监视行的一个水平扫描期间的长度也可以成为针对非监视行的一个水平扫描期间的长度的20倍左右。
针对非监视行，与通常的显示装置相同，在一帧期间中存在一次选择期间。针对监视行，与通常的显示装置不同，在一帧期间中存在两次选择期间。第一次选择期间是一个水平扫描期间THm中的最初的四分之一的期间，第二次选择期间是一个水平扫描期间THm中的最后的四分之一的期间。
另外，如图7所示，在各帧中，与非监视行对应的监视控制线G2维持为非有源的状态。针对与监视行对应的监视控制线G2，在一个水平扫描期间THm中的除选择期间以外的期间(扫描线G1成为非有源的状态的期间)，维持有源的状态。在本实施方式中，以如以上那样驱动n根扫描线G1(1)～G1(n)以及n根监视控制线G2(1)～G2(n)的方式构成栅极驱动器40。此外，为了在监视行中在一帧期间中使扫描线G1产生两次脉冲，使用公知的方法控制从控制电路20输送至栅极驱动器40的输出使能信号的波形即可。
这样，在本实施方式所涉及的驱动方法中，特性检测步骤S108遍及A个(A是2以上的整数)水平扫描期间执行，在特性检测步骤S108的期间中，保持扫描信号向对象行的扫描线的供给，包括：在特性检测步骤S108执行后在对象行写入数据信号的写入步骤S110。
在检测准备期间Ta，扫描线G1(i)成为有源的状态，监视控制线G2(i)维持为非有源的状态。由此，晶体管T1成为接通状态，晶体管T3维持断开状态。另外，在该期间，对数据线S(j)给予电位Vmg。通过基于该电位Vmg的写入对电容器Cst充电，晶体管T2成为接通状态。根据以上内容，在检测准备期间Ta，如图8中附图标记72所示的箭头那样，经由晶体管T2对有机EL元件OLED供给驱动电流。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流对应的亮度发光。其中，有机EL元件OLED发光为极短的时间。
在TFT特性检测期间Tb，扫描线G1(i)成为非有源的状态，监视控制线G2(i)成为有源的状态。由此，晶体管T1成为断开状态，晶体管T3成为接通状态。另外，在该期间，对数据线S(j)给予电位Vm＿TFT。此外，在后述的OLED特性检测期间Tc，对数据线S(j)给予电位Vm＿oled。另外，如上述那样，在检测准备期间Ta，进行基于电位Vmg的写入。
此处，若将基于存储于TFT用偏移存储器51a的偏移值求解的晶体管T2的阈值电压设为Vth(T2)，则以使下式(1)、(2)成立的方式设定电位Vmg的值、电位Vm＿TFT的值以及电位Vm_oled的值。
Vm＿TFT+Vth(T2)＜Vmg…(1)
Vmg＜Vm＿oled+Vth(T2)…(2)
另外，若将基于储存于OLED用偏移存储器51b的偏移值求解的有机EL元件OLED的发光阈值电压设为Vth(oled)，则以使下式(3)成立的方式设定电位Vm＿TFT的值。
Vm＿TFT＜ELVSS+Vth(oled)…(3)
并且，若将有机EL元件OLED的击穿电压设为Vbr(oled)，则以使下式(4)成立的方式设定电位Vm＿TFT的值。
Vm＿TFT＞ELVSS-Vbr(oled)…(4)
如以上那样，在检测准备期间Ta进行了基于满足上式(1)、(2)的电位Vmg的写入后，在TFT特性检测期间Tb将满足上式(1)、(3)以及(4)的电位Vm＿TFT给予数据线S(j)。根据上式(1)，在TFT特性检测期间Tb，晶体管T2成为接通状态。另外，根据上式(3)、(4)，在TFT特性检测期间Tb，在有机EL元件OLED没有流动有电流。
根据以上内容，在TFT特性检测期间Tb，如图9中附图标记73所示的箭头那样，在晶体管T2流动的电流经由晶体管T3向数据线S(j)输出。由此，输出至数据线S(j)的电流(灌电流)由输出/电流监视电路330测定。如以上那样，对在使晶体管T2的栅极-源极间的电压成为规定大小(Vmg-Vm＿TFT)的状态下在该晶体管T2的漏极-源极间流动的电流的大小进行测定，检测TFT特性。
在OLED特性检测期间Tc，扫描线G1(i)维持为非有源的状态，监视控制线G2(i)维持为有源的状态。因此，在该期间，晶体管T1维持为断开状态，晶体管T3维持为接通状态。另外，如上述那样，在该期间，对数据线S(j)给予电位Vm＿oled。
此处，以使上式(2)以及下式(5)成立的方式设定电位Vm_oled的值。
ELVSS+Vth(oled)＜Vm＿oled…(5)
另外，若将晶体管T2的击穿电压设为Vbr(T2)，则以使下式(6)成立的方式设定电位Vm＿oled的值。
Vm＿oled＜Vmg+Vbr(T2)…(6)
如以上那样，在OLED特性检测期间Tc，将满足上式(2)、(5)以及(6)的电位Vm＿oled给予数据线S(j)。根据上式(2)、(6)，在OLED特性检测期间Tc，晶体管T2成为断开状态。另外，根据上式(5)，在OLED特性检测期间Tc，在有机EL元件OLED流动有电流。
根据以上内容，在OLED特性检测期间Tc，如图10中附图标记74所示的箭头那样，从数据线S(j)经由晶体管T3而在有机EL元件OLED流动有电流，有机EL元件OLED发光。在该状态下，在数据线S(j)流动的电流由输出/电流监视电路330测定。如以上那样，对在使有机EL元件OLED的阳极(阳极)-阴极(阴极)间的电压成为规定大小(Vm＿oled-ELVSS)的状态下在该有机EL元件OLED流动的电流的大小进行测定，检测OLED特性。
此外，针对电位Vmg的值、电位Vm＿TFT的值以及电位Vm＿oled的值，除了上式(1)～(6)之外，还考虑所采用的输出/电流监视电路330中的电流的可测定范围等来决定。
此处，对输出/电流监视电路330内的开关333的开/关状态的变化进行说明。若开关333从断开状态切换为接通状态，则积蓄于电容器332的电荷放电。其后，若开关333从接通状态切换为断开状态，则开始向电容器332的充电。而且，输出/电流监视电路330作为积分电路进行动作。此外，在欲测定在数据线S流动的电流期间，开关333维持为断开状态。具体而言，首先，在TFT特性检测期间Tb，使开关333成为接通状态而对数据线S给予了电位Vm＿TFT后，使开关333成为断开状态对在数据线S流动的电流进行测定。接下来，在OLED特性检测期间Tc，在使开关333成为接通状态而对数据线S给予了电位Vm＿oled后，使开关333成为断开状态对在数据线S流动的电流进行测定。
然而，在本实施方式中，在TFT特性检测期间Tb基于两种电位(Vm＿TFT＿1以及Vm＿TFT＿2)进行TFT特性的检测。具体而言，通过在TFT特性检测期间Tb中如图11所示控制给予用于切换开关333的开/关状态的控制时钟信号Sclk以及数据线S(j)的电位(Vm＿TFT＿1以及Vm＿TFT＿2)，在期间Tb1基于电位Vm＿TFT＿1检测TFT特性，在期间Tb2基于电位Vm＿TFT＿2检测TFT特性。同样，在OLED特性检测期间Tc中，也基于两种电位检测OLED特性。
若将晶体管T2的阈值电压设为Vth，将晶体管T2的增益设为β，将晶体管T2的栅极-源极间电压设为Vgs，则晶体管T2在饱和区域进行动作时在晶体管T2的漏极-源极间流动的电流I(T2)由下式(7)表示。
I(T2)＝(β/2)×(Vgs-Vth)2…(7)
此处，晶体管T2的增益β由下式(8)表示。
β＝μ×(W/L)×Cox…(8)
在上式(8)中，μ、W、L以及Cox分别表示晶体管T2的迁移率、栅极宽度、栅极长度以及每单位面积的栅极绝缘膜电容。
关于上式(8)，μ(迁移率)根据晶体管T2的劣化的程度而变化。因此，β(增益)根据晶体管T2的劣化的程度而变化。另外，关于上式(7)，除了β之外，Vth(阈值电压)也根据晶体管T2的劣化的程度而变化。如上述那样在本实施方式中在TFT特性检测期间Tb基于两种电位进行电流测定，因此通过求解基于通过将上述结果代入上式(7)而得到的两个式的连立方程式，能够求解进行了TFT特性的检测的时刻的晶体管T2的阈值电压和增益。此外，如从上式(8)掌握的那样β(增益)与μ(迁移率)成比例关系，因此求解增益相当于求解迁移率。
在发光准备期间Td，扫描线G1(i)成为有源的状态，监视控制线G2(i)成为非有源的状态。由此，晶体管T1成为接通状态，晶体管T3成为断开状态。另外，在该期间，对数据线S(j)给予与目标亮度对应的数据电位D(i，j)。通过基于该数据电位D(i，j)的写入对电容器Cst充电，晶体管T2成为接通状态。根据以上内容，在发光准备期间Td，如图12中附图标记75所示的箭头那样，经由晶体管T2对有机EL元件OLED供给驱动电流。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流对应的亮度发光。
在发光期间TL，扫描线G1(i)成为非有源的状态，监视控制线G2(i)维持为非有源的状态。由此，晶体管T1成为断开状态，晶体管T3维持为断开状态。晶体管T1成为断开状态，但通过在发光准备期间Td中基于与目标亮度对应的数据电位D(i，j)的写入对电容器Cst充电，因此晶体管T2维持为接通状态。因此，在发光期间TL，如图13中附图标记76所示的箭头那样，经由晶体管T2对有机EL元件OLED供给驱动电流。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流对应的亮度发光。即，在发光期间TL，有机EL元件OLED根据目标亮度发光。
在本实施方式中，如以上那样，在各帧的每一个中进行针对一个行的特性检测判断处理，在判断为应该执行特性检测处理的对象行中，进行TFT特性以及OLED特性的检测。由此，遍及n帧期间，进行n行的量的特性检测判断处理。
此外，针对检测TFT特性以及OLED特性的方法，不限定于上述的方法。例如，也能够采用与上述的电路结构不同的电路结构，也可以以与上述顺序不同的顺序检测各电路元件的特性。
＜3.3修正数据的更新以及影像信号的修正＞
若检测TFT特性以及OLED特性，则基于检测结果，更新存储于修正数据存储部50的修正数据。详细而言，在TFT特性检测期间Tb如上述那样求解与晶体管T2的阈值电压以及晶体管T2的迁移率相当的增益值，因此相当于该求出的阈值电压的偏移值作为新的偏移值而储存于TFT用偏移存储器51a，并且该求出的增益值作为新的增益值而储存于TFT用增益存储器52a。另外，在OLED特性检测期间Tc求解有机EL元件OLED的阈值电压以及有机EL元件OLED的劣化修正系数，因此相当于该求出的阈值电压的偏移值作为新的偏移值储存于OLED用偏移存储器51b，并且该求出的劣化修正系数作为新的劣化修正系数储存于OLED用增益存储器52b。此外，在本实施方式中，在各帧中进行针对一个行的TFT特性以及OLED特性的检测，因此针对每一帧期间，进行TFT用偏移存储器51a内的m个偏移值、TFT用增益存储器52a内的m个增益值、OLED用偏移存储器51b内的m个偏移值以及OLED用增益存储器52b内的m个劣化修正系数的更新。
控制电路20以补偿电路元件的劣化的方式使用存储于修正数据存储部50的修正数据进行影像信号的修正。此外，在本实施方式中，也可以构成为，根据晶体管T2(驱动晶体管)以及有机EL元件OLED的阈值变化(阈值电压从初始时刻起的变化)的大小，将低电平电源电压ELVSS的值设定为比初始时刻的值低的值。此处，用ΔV表示初始时刻的低电平电源电压ELVSS的值和进行影像信号的修正的时刻的低电平电源电压ELVSS的值之差。
若将影像信号的伽玛修正后的电压设为Vc，将储存于TFT用增益存储器52a的增益值设为B1，将储存于OLED用增益存储器52b的劣化修正系数设为B2，将储存于TFT用偏移存储器51a的偏移值设为Vt1，将储存于OLED用偏移存储器51b的偏移值设为Vt2，则修正后的电压Vdata由下式(9)求解。
Vdata＝Vc·B1·B2+Vt1+Vt2-ΔV…(9)
表示上式(9)中求出的电压Vdata的数字信号作为数据信号DA从控制电路20向源极驱动器30输送。此外，也可以是，以补偿由于像素电路11内的寄生电容引起的数据电位的衰减的方式通过下式(10)求解修正后的电压Vdata。
Vdata＝Z(Vc·B1·B2+Vt1+Vt2-ΔV)…(10)
此处，Z是用于补偿数据电位的衰减的系数。
〔第二实施方式〕
以下，对本发明的第二实施方式进行说明。
本实施方式所涉及的驱动方法以及显示装置的概要与第一实施方式中说明的内容相同，因此省略重复的说明，以下，以与第一实施方式的不同点为中心进行说明。另外，针对各构件以及各步骤，对与已经说明的构件以及步骤相同的构件以及步骤标注相同的附图标记，并适当地省略其说明。
(特性检测步骤)
在第一实施方式中，如使用图5以及图11说明的那样，对以下例子进行了说明，即，控制电路20在选择了一次对象行后，判定为应该执行特性检测处理的情况下，在对象行的一个水平扫描期间，通过对相同的数据线S供给特性检测用的两个不同电位，从而相对于各自的电位检测TFT特性，通过对相同的数据线S供给特性检测用的进一步的两个不同电位，从而相对于各自的电位检测OLED特性。然而，这不限定本说明书所述的实施方式。
在本实施方式中，对以下结构进行说明，即，控制电路20在选择了一次对象行后，在特性检测判断处理中判定为应该执行特性检测处理的情况下，在对象行的一个水平扫描期间，通过对数据线S供给特性检测用的一个电位，从而检测TFT特性以及OLED特性的任一方。
图14以及图15是用于对相对于对象行(i)实施本实施方式所涉及的特性检测处理的情况下的各信号的时机进行说明的时序图。
在图14所示的例子中，作为特性检测处理，仅将基于一个电位的TFT特性检测作为对象。如图14所示，针对监视行(对象行(i))的一个水平扫描期间THm由检测准备期间Ta、TFT特性检测期间Tb、发光准备期间Td构成。
在图15所示的例子中，作为特性检测处理，仅将基于一个电位的OLED特性检测作为对象。如图15所示，针对监视行(对象行(i))的一个水平扫描期间THm由检测准备期间Ta、OLED特性检测期间Tc、发光准备期间Td构成。
(特性检测判断处理)
本实施方式所涉及的特性检测判断处理也可以与第一实施方式相同地进行，也可以如以下那样进行。即，也可以构成为，在本实施方式所涉及的特性检测判断处理中，将检测表示OLED的特性的监视数据的OLED特性检测步骤作为跳过的对象，不将检测表示TFT的特性的监视数据的TFT特性检测步骤作为跳过的对象。
在TFT的特性检测中，在第一实施方式中如参照图9说明的那样，OLED不发光。因此，TFT特性检测不会给予用户不协调感。另一方面，在OLED的特性检测中，OLED发光，因此存在给予用户不协调感的可能性。
根据上述结构，由于将OLED特性检测作为跳过的对象，不将TFT特性检测作为跳过的对象，所以能够减少与因检查产生的发光相伴的对用户的不协调感。
(对象行设定处理例1)
图16是表示基于本实施方式所涉及的控制电路20的对象行的设定处理例的示意图。本实施方式所涉及的控制电路20作为一个例子，如图16的(a)所示，在n帧中，进行数据电位向第8行像素的写入，将第9行作为对象行进行了本实施方式所涉及的特性检测判断处理(图中“监视”)后，再次开始第9行的写入。然后，在n+1帧中，进行数据电位向第9行像素的写入，将第10行作为对象行进行了监视后，再次开始第10行的写入。
这样，本实施方式所涉及的控制电路20能够成为依次选择对象行的结构。这与和图4的步骤S102相关而说明的内容相同。
另外，作为其他例子，本实施方式所涉及的控制电路20如图16的(b)所示，在n帧中，进行数据电位向第8行像素的写入，将第9行作为对象行进行了本实施方式所涉及的特性检测判断处理后，再次开始第9行的写入。然后，在n+1帧中，进行数据电位向第15行的像素的写入，将第16行作为对象行进行了监视后，再次开始第16行的写入。
这样，本实施方式所涉及的控制电路20也可以构成为，在图4的步骤S102中，随机地选择对象行。
图17是表示基于本实施方式所涉及的控制电路20的对象行的设定处理的其他例的示意图。
在本实施方式中，也可以是，使供给于数据线S的电位变化，并且遍及规定数量的多帧，相对于与对象行相同的行，执行检测判断处理步骤。例如，如图17所示，本实施方式所涉及的控制电路20也可以构成为，通过从n+1帧至n+4帧，将相同行(图17的例子中第9行)设定为对象行，并且执行检测判断处理步骤，对供给于数据线S的电位进行变更，由此进行第一次TFT特性检测(图中的“TFT测定HIGH(1)”)、第二次TFT特性检测(图中的“TFT测定LOW(2)”)、第一次OLED特性检测(图中的“OLED测定HIGH(3)”)、第二次OLED特性检测(图中的“OLED测定LOW(4)”)。
另外，本实施方式所涉及的控制电路20也可以构成为，进行随机的对象行设定，接续于上述四次特性检测，在n+5帧中，例如图17所示将第16行设定为对象行，进行第一次TFT特性检测以后的检测。
另外，本实施方式所涉及的控制电路20也可以构成为，依次进行对象行的设定，接续于上述四次特性检测，在n+5帧中，虽未图示但将第10行设定为对象行，进行第一次的TFT特性检测以后的检测。
(对象行设定处理例2)
本实施方式所涉及的控制电路20也可以如以下那样进行对象行决定步骤以及特性检测判断处理。
即，控制电路20也可以构成为，通过依次进行以下那样的第一～第四处理，从而按连续的一系列的帧组的每一组，将不同电位供给于数据线S而进行特性检测处理或者特性检测判断处理。
(第一处理)
控制电路20相对于显示装置1具备的行数的量的连续的帧，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于上述对象行，通过对数据线S供给第一电位而执行特性检测判断处理。
(第二处理)
在第一处理后，控制电路20相对于上述行数的量的连续的帧，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于上述对象行，通过对数据线S供给第二电位而执行特性检测判断处理。
(第三处理)
在第二处理后，控制电路20相对于上述行数的量的连续的帧，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于上述对象行，通过对数据线S供给第三电位而执行特性检测判断处理。
(第四处理)
在第三处理后，控制电路20相对于上述行数的量的连续的帧，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于上述对象行，通过对数据线S供给第四电位而执行特性检测判断处理。
此处，可举出以下结构，即，作为第一以及第二处理，更具体而言，分别进行基于第一以及第二电位的OLED特性检测，作为第三以及第四处理，更具体而言，分别进行基于第三以及第四电位的TFT特性检测。
此外，也可以构成为，如本例那样在第一～第四处理中，在存在跳过了特性检测步骤的行的情况下，在第一～第四处理结束后，再次执行相对于该跳过了的行的特性检测判断处理。若成为这样的结构，则能够相对于跳过了特性检测步骤的行集中执行特性检测处理。
(对象行设定处理例3)
图18是表示基于本实施方式所涉及的控制电路20的对象行的设定处理的其他例的流程图。第一实施方式中图4所示的对象行决定步骤S102在本例中，包括图18所示的各步骤。
(步骤S102-11)
在本步骤中，控制电路20针对前次设定的对象行(i)，判断是否跳过了特性检测步骤。针对前次设定的对象行(i)，在跳过了特性检测步骤的情况下，进入步骤S102-12，在不是这样的情况下，进入步骤S102-13。
(步骤S102-12)
针对前次设定的对象行(i)，在步骤S102-11中判断为跳过了特性检测步骤的情况下，在本步骤中，将与前次相同的对象行(i)决定为这次的对象行。
这样，在本例中，在检测判断处理中，在跳过了对象行的特性检测步骤的情况下，在下次的对象行决定步骤中，再次将上述对象行设定为对象行。
(步骤S102-13)
另一方面，针对前次设定的对象行(i)，在步骤S102-11中判断为没有跳过特性检测步骤的情况下，在本步骤中，将与前次不同的对象行(例如对象行(i+1))决定为这次的对象行。此外，也可以构成为，本步骤的对象行的设定通过将除去前次的对象行之外的各行的任一个作为对象行而随机地设定来进行。
(对象行设定处理例4)
图19是表示基于本实施方式所涉及的控制电路20的对象行的设定处理的其他例的示意图。第一实施方式中图4所示的对象行决定步骤S102在本例中，包括图19所示的各步骤。
(步骤S102-21)
在本步骤中，控制电路20针对前次以前设定的对象行(i)，判断是否以规定次数以上跳过了特性检测步骤。在以规定次数以上跳过的情况下，进入步骤S102-22，在不是这样的情况下进入步骤S102-23。
此外，规定次数的具体例不限定本实施方式，但例如能够为五次～十次左右。
(步骤S102-22)
针对前次以前设定的对象行(i)，在步骤S102-21中判断为以规定次数以上跳过了特性检测步骤的情况下，控制电路20将对象行(i+1)决定为这次的对象行。
这样，在本例中，在检测判断步骤中，在以规定次数跳过了对象行的特性检测步骤的情况下，在下次的对象行决定步骤中，将上述对象行的下一行设定为对象行。
根据上述结构，针对某个对象行，以规定次数跳过了特性检测步骤的情况下，以下一行作为对象行，因此能够避免特性检测步骤在特定的行止步而不进行其他行的特性检测这样的状况的产生。
此外，在本例中，也可以构成为，在检测判断步骤中，在以规定次数跳过了对象行的特性检测步骤的情况下，在下次的对象行决定步骤中，将与上述对象行不同的行作为对象行而随机地设定。
(影像信号的修正以及转换处理)
在本实施方式中，源极驱动器30将式(9)或者(10)所示的修正后的电压Vdata参照检查表(LUT)进行了转换后，向源极线S供给。
图20是表示本实施方式所涉及的驱动方法所含的显示数据写入步骤S110的结构的流程图。图20所示的步骤S110在本实施方式中，替代图4所示的步骤S110而使用。
如图20所示，本实施方式所涉及的显示数据写入步骤S110包括以下的步骤。
(步骤S110-1)
本实施方式所涉及的控制电路20参照LUT而转换标准的显示数据。此处，标准的显示数据是指在存在修正数据且相对于对象像素进行修正的情况下，该修正后的显示数据，也是指在不存在修正数据的情况下，从外部输送的影像信号所表示的显示数据。
(步骤S110-2)
本实施方式所涉及的源极驱动器30将步骤S110-1的转换后的显示数据写入对象像素。
图21是表示本实施方式所涉及的LUT的一个例子的表。本实施方式所涉及的LUT包括：图21所示的“标准的显示数据”的各行和与该各行对应的“转换后的显示数据”的各行。
为了对图21所示的LUT的意义进行说明，作为一个例子，考虑以下情况，即，将OLED在特性检测中发光的亮度电平作为白电平(8比特且255灰度)，针对非监视行的一个水平扫描期间THn为针对监视行的一个水平扫描期间THm的4倍。
此处，在将白电平设为100％的情况下，在监视行中，将(4H/980H)×100＝0.408％的量的亮度追加于标准亮度。
在图21所示的LUT中，通过从标准的显示数据减去该追加量，从而生成转换后的显示数据。
更具体而言，例如，与图21的27灰度对应的显示数据若由标准化亮度来表示，则与0.715对应，但从该0.715这样的值减去作为上述的追加量的0.408而得到的0.307与转换后的亮度对应。而且，将与该转换后的亮度0.307对应的转换后的显示数据决定为与最接近0.307的值亦即0.293对应的18灰度所对应的显示数据。
这样，本实施方式所涉及的LUT是以标准的显示数据作为输入值，并将从该标准的显示数据减去特性检测步骤中发光的量的亮度而得到的数据作为输出值的对应信息。
而且，在本实施方式所涉及的显示数据写入步骤S110中，源极驱动器30参照上述LUT，将减去了特性检测步骤中发光的量的亮度而得到的数据信号写入对象像素。
由此，在进行了特性检测的情况下，也能够通过输入显示装置1的影像信号而显示忠实的图像。
另一方面，在图21的例子中，在20以下的灰度中，若在除监视期间以外为0灰度的情况下也进行特性检测处理，则导致以0.408％的亮度进行发光，对于用户而言呈现不自然的发光。为了避免这样的情况，在本实施方式所涉及的特性检测判断处理中，在标准的显示数据的值(即，应该从影像信号相对于对象像素输入的数据信号的值)不足规定阈值(图21的例子中21灰度)的情况下，跳过特性检测处理。由此，能够抑制对于用户而言不自然的发光。
此处，上述的规定阈值依赖于通过特性检测处理使对象像素以怎样的程度发光而决定。换言之，上述的规定阈值根据在特性检测处理中对数据线S供给的电位来决定。例如，若OLED在特性检测中发光的亮度电平更小，则本实施方式所涉及的控制电路20与其对应地设定得比上述规定的阈值小。
由此，能够抑制对于用户而言不自然的发光，并且适当地执行特性检测处理。
此外，上述阈值与图4所示的步骤S106中的“阈值Lth”对应。第一实施方式中仅作为规定阈值而进行了说明，但在本实施方式中，如上述那样，阈值Lth根据特性检测处理中对数据线S供给的电位而适当地决定。因此，如本实施方式那样适当地设定第一实施方式的“阈值Lth”的结构当然也包含于本说明书所记载的发明。
另外，相对于第一实施方式应用本实施方式所述的显示数据转换的结构也包含于本说明书记载的发明。
(修正数据更新处理例1)
本实施方式所涉及的控制电路20例如如以下那样进行图4中的修正数据更新步骤S112。
首先，本实施方式所涉及的控制电路20在为相对于相同的对象像素执行一系列的多个特性检测处理的结构的情况下，存储各监视数据，至通过这一系列的特性检测处理得到的各监视数据全部收集为止。例如，在相对于对象像素，使数据线S的电位变化并且进行两次TFT特性检测处理、并进行两次OLED特性检测处理的情况下，本实施方式所涉及的控制电路20保持获取结束的监视数据，至基于上述合计四次特性检测的监视数据的获取结束为止，在获取到与对象像素相关的全部监视数据后，计算与该对象像素相关的修正数据。而且，通过将计算出的修正数据供给于存储部50，从而更新与该对象像素相关的修正数据。
通过成为上述结构，能够适当地计算修正数据。
(修正数据更新处理例2)
本实施方式所涉及的控制电路20也可以如以下那样进行图4的修正数据更新步骤S112以及显示数据写入步骤S110。
即，本实施方式所涉及的控制电路20在关于TFT以及OLED的任一方的元件而两个监视数据的获取结束的状况下，关于另一方的元件而第一个监视数据获取结束，但在跳过了第二个监视数据的获取的情况下，相对于上述一方的元件，应用基于上述两个监视数据的补偿处理，相对于上述另一方的元件，应用基于在上述第一个监视数据之前获取到的监视数据的修正处理。
换言之，本实施方式所涉及的控制电路20按各对象像素的每一个，针对TFT以及OLED的任一方的元件，在两个监视数据的获取结束的状况下，针对TFT以及OLED的另一方的元件，第一个监视数据获取结束，但在跳过了第二个监视数据的获取的情况下，在下次的显示数据写入步骤S110中，相对于上述一方的元件，写入使用了基于上述两个监视数据的修正数据的修正后的数据电位，相对于上述另一方的元件，切入使用了基于在上述第一个监视数据之前获取到的监视数据的修正数据的修正后的数据电位。
例如，若相对于对象像素而两个OLED特性检测的监视数据获取结束，则控制电路20相对于对象像素，计算基于该两个监视数据的修正数据，在下次的显示数据写入步骤中，写入使用了该修正数据的修正后的数据电位。另一方面，在相对于对象像素而仅一个OLED特性检测的监视数据获取结束并且跳过了用于获取第二个监视数据的特性检测步骤S108的情况下，控制电路20相对于对象像素，不进行新的修正数据的计算以及修正数据的更新处理，在下次的显示数据写入步骤中，也写入使用了基于前次以前获取到的监视数据的修正数据的修正后的数据电位。
通过成为上述结构，从而在特性检测判断处理中，在跳过了特性检测步骤的情况下，能够使用在该特性检测跳过之前获取到的监视数据，适当地修正数据电位。
〔基于软件的实现例〕
显示装置1的控制块(特别是控制电路20)也可以通过形成于集成电路(IC芯片)等的逻辑电路(硬件)来实现，也可以通过软件来实现。
在后者的情况下，显示装置1具备：执行实现各功能的软件亦即程序的命令的计算机。该计算机具备例如至少一个处理器(控制装置)，并且具备存储上述程序的计算机可读取的至少一个记录介质。而且，在上述计算机中，通过上述处理器从上述记录介质读取并执行上述程序，从而实现本发明的目的。作为上述处理器，例如能够使用CPU(CentralProcessing Unit)。作为上述记录介质，除了“非暂时的有形的介质”例如ROM(Read OnlyMemory)等之外，还能够使用磁带、磁盘、卡、半导体存储器、可编程逻辑电路等。另外，也可以还具备展开上述程序的RAM(Random Access Memory)等。另外，上述程序也可以经由能够传输该程序的任意的传输介质(通信网络、广播波等)而向上述计算机供给。此外，本发明的一方式也可通过将上述程序利用电子传输而具体化的嵌入载波的数据信号的形式来实现。
〔总结〕
本发明的方式一所涉及的驱动方法是具有n行×m列的像素矩阵的显示装置的驱动方法，上述n行×m列的像素矩阵具备n×m个(n以及m是2以上的整数)像素电路，上述n×m个像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制应该供给于上述电光学元件的电流，上述显示装置具备：扫描线，其按每个上述行设置；监视线，其按每个上述行设置；以及数据线，其按每个上述列设置，该驱动方法包括：对象行决定步骤，决定检测上述驱动晶体管以及上述电光学元件的至少一方的特性的对象像素所属的对象行；亮度计算步骤，计算上述对象行的像素的代表亮度；以及检测判断步骤，在上述代表亮度为阈值以上的情况下，执行对表示属于上述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测的特性检测步骤，在上述代表亮度不足阈值的情况下，跳过上述特性检测步骤。
根据上述结构，起到因检查产生的OLED的发光不易被视认这样的效果。
本发明的方式二所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一中，在上述特性检测步骤中，对上述数据线供给规定电位，具备：在上述特性检测步骤执行后对上述对象像素写入数据信号的写入步骤，在上述写入步骤中，对上述对象像素，供给减去上述特性检测步骤中发光的量的亮度而得到的数据信号。
根据上述结构，即便在进行了特性检测的情况下，也能够通过输入至显示装置1的影像信号显示忠实的图像。
本发明的方式三所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一或二中，在上述亮度计算步骤中，参照应该从影像信号相对于上述对象行的像素输入的数据信号，决定上述代表亮度，在上述检测判断步骤中，在上述代表亮度不足阈值的情况下，跳过上述特性检测步骤。
根据上述结构，能够抑制对于用户而言不自然的发光，并且适当地执行特性检测处理。
本发明的方式四所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～三中任一项中，在上述特性检测步骤中，根据供给于上述数据线的电位决定上述阈值。
根据上述结构，能够抑制对于用户而言不自然的发光，并且适当地执行特性检测处理。
本发明的方式五所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～四中任一项中，上述特性检测步骤遍及A个(A是2以上的整数)水平扫描期间执行，在上述特性检测步骤的期间内，保持扫描信号向对象行的扫描线的供给，包括：在上述特性检测步骤执行后在上述对象行写入数据信号的写入步骤。
本发明的方式六所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～五中任一项中，在上述检测判断步骤中，将对表示上述电光学元件的特性的监视数据进行检测的特性检测步骤作为跳过的对象，不将对表示上述驱动晶体管的特性的监视数据进行检测的特性检测步骤作为跳过的对象。
根据上述结构，由于将OLED特性检测作为跳过的对象，不将TFT特性检测作为跳过的对象，因此能够减少与因检查产生的发光相伴的针对用户的不协调感。
本发明的方式七所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～六中任一项中，在上述对象行决定步骤中，依次选择上述对象行。
本发明的方式八所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式七中，在上述检测判断步骤中，在跳过了上述对象行的特性检测步骤的情况下，在下次的决定步骤中，再次将上述对象行设定为对象行。
本发明的方式九所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式八中，在上述检测判断步骤中，在以规定次数跳过了上述对象行的特性检测步骤的情况下，在下次的决定步骤中，将上述对象行下一行设定为对象行。
根据上述结构，能够避免特性检测步骤在特定的行止步而不进行其他行的特性检测这样的状况的产生。
本发明的方式十所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～九中任一项中，使供给于上述数据线的电位变化，并且遍及规定数量的多帧，相对于与上述对象行相同的行，执行上述检测判断步骤。
本发明的方式十一所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～九中任一项中，相对于上述显示装置具备的行数的量的连续的帧，进行第一处理，在上述第一处理中，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于上述对象行，通过对上述数据线供给第一电位而执行上述检测判断步骤，在上述第一处理结束后，相对于上述行数的量的连续的帧，进行第二处理，在上述第二处理中，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于上述对象行，通过对上述数据线供给第二电位而执行上述检测判断步骤。
本发明的方式十二所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～十一中任一项中，针对各对象像素的每一个，保持获取结束的监视数据，至与上述驱动晶体管相关的两个监视数据的获取以及与上述电光学元件相关的两个监视数据的获取结束为止。
根据上述结构，能够适当地计算修正数据。
本发明的方式十三所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～十一中任一项中，针对各对象像素的每一个，在关于上述驱动晶体管以及上述电光学元件的任一方的元件而两个监视数据的获取结束的状况下且关于另一方的元件虽第一个监视数据获取结束但跳过了第二个监视数据的获取的情况下，相对于上述一方的元件，应用基于上述两个监视数据的补偿处理，相对于上述另一方的元件，应用基于在上述第一个监视数据之前获取到的监视数据的修正处理。
根据上述结构，即便在跳过了监视数据的获取的情况下，也能够使用以前获取到的监视数据适当地修正数据电位。
本发明的方式十四所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～十三中任一项中，在上述检测判断步骤中，通过将属于上述对象行的各色像素的每种颜色的平均亮度彼此组合来计算上述代表亮度，并将计算出的代表亮度与上述阈值进行比较。
本发明的方式十五所涉及的驱动方法也可以是，在上述的方式一～十三中任一项中，作为上述阈值，按像素的每种颜色设定不同值，在上述检测判断步骤中，按属于上述对象行的像素的每种颜色计算上述代表亮度，并将计算出的代表亮度与和该颜色对应的阈值进行比较。
本发明的方式十六所涉及的驱动方法也可以是，上述的方式一～十三中任一项中，在上述检测判断步骤中，将上述代表亮度计算为属于上述对象行的绿色的像素的平均亮度，并将计算出的代表亮度与上述阈值进行比较。
本发明的方式十七所涉及的显示装置是具有n行×m列的像素矩阵的显示装置，上述n行×m列的像素矩阵具备n×m个(n以及m是2以上的整数)像素电路，上述n×m个像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制应该供给于上述电光学元件的电流，上述显示装置具备：扫描线，其按每个上述行设置；监视线，其按每个上述行设置；数据线，其按每个上述列设置；以及控制部，对于上述控制部而言，决定检测上述驱动晶体管以及上述电光学元件的至少一方的特性的对象像素所属的对象行，计算上述对象行的像素的代表亮度，在上述代表亮度为阈值以上的情况下，执行对表示属于上述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测的特性检测步骤，在上述代表亮度不足阈值的情况下，跳过上述特性检测步骤。
本发明不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，针对不同实施方式所分别公开的技术方案适当地组合而得到的实施方式，也包含于本发明的技术范围。并且，通过组合各实施方式所分别公开的技术方案，能够形成新的技术特征。
附图标记说明
1 显示装置
10 显示部
11 像素电路
20 控制电路
30 源极驱动器
40 栅极驱动器
50 修正数据存储部
G1 扫描线
G2 监视控制线

Claims (15)

1.一种驱动方法，为具有n行×m列的像素矩阵的显示装置的驱动方法，所述n行×m列的像素矩阵具备n×m个像素电路，其中，n以及m是2以上的整数，所述n×m个像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制要供给于所述电光学元件的电流，
所述驱动方法的特征在于：
所述显示装置具备：
扫描线，其按每个所述行设置；
监视线，其按每个所述行设置；以及
数据线，其按每个所述列设置，
该驱动方法包括：
对象行决定步骤，决定对象像素所属的对象行，所述对象像素是检测所述驱动晶体管以及所述电光学元件的至少一方的特性的对象像素；
亮度计算步骤，计算所述对象行的像素的代表亮度；以及
检测判断步骤，在所述代表亮度为阈值以上的情况下，执行特性检测步骤，在所述特性检测步骤中对表示属于所述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测，在所述代表亮度不足阈值的情况下，跳过所述特性检测步骤，
在所述特性检测步骤中，对所述数据线供给规定电位，
所述驱动方法具备：在所述特性检测步骤执行后对所述对象像素写入数据信号的写入步骤，
在所述写入步骤中，对所述对象像素，供给数据信号，所述数据信号是减去所述特性检测步骤中发光的量的亮度而得到的数据信号。
2.根据权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，
在所述亮度计算步骤中，参照从影像信号要输入至所述对象行的像素的数据信号，决定所述代表亮度，
在所述检测判断步骤中，在所述代表亮度不足阈值的情况下，跳过所述特性检测步骤。
3.根据权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，
在所述特性检测步骤中，根据供给于所述数据线的电位决定所述阈值。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的驱动方法，其特征在于，
所述特性检测步骤在A个水平扫描期间内执行，其中，A是2以上的整数，
在所述特性检测步骤的期间内，保持扫描信号向对象行的扫描线的供给，
所述驱动方法包括：在所述特性检测步骤执行后在所述对象行写入数据信号的写入步骤。
5.根据权利要求1所述的驱动方法，其特征在于，
在所述检测判断步骤中，
将对表示所述电光学元件的特性的监视数据进行检测的特性检测步骤作为跳过的对象，
将对表示所述驱动晶体管的特性的监视数据进行检测的特性检测步骤不作为跳过的对象。
6.根据权利要求1～3、5中任一项所述的驱动方法，其特征在于，
在所述对象行决定步骤中，依次选择所述对象行。
7.根据权利要求6所述的驱动方法，其特征在于，
在所述检测判断步骤中，在跳过了所述对象行的特性检测步骤的情况下，在下次的决定步骤中，再次将所述对象行设定为对象行。
8.根据权利要求7所述的驱动方法，其特征在于，
在所述检测判断步骤中，在以规定次数跳过了所述对象行的特性检测步骤的情况下，在下次的决定步骤中，将所述对象行下一行设定为对象行。
9.根据权利要求1～3、5中任一项所述的驱动方法，其特征在于，
使供给于所述数据线的电位变化，并且在规定数量的多帧内，对与所述对象行相同的行执行所述检测判断步骤。
10.一种驱动方法，为具有n行×m列的像素矩阵的显示装置的驱动方法，所述n行×m列的像素矩阵具备n×m个像素电路，其中，n以及m是2以上的整数，所述n×m个像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制要供给于所述电光学元件的电流，
所述驱动方法的特征在于：
所述显示装置具备：
扫描线，其按每个所述行设置；
监视线，其按每个所述行设置；以及
数据线，其按每个所述列设置，
该驱动方法包括：
对象行决定步骤，决定对象像素所属的对象行，所述对象像素是检测所述驱动晶体管以及所述电光学元件的至少一方的特性的对象像素；
亮度计算步骤，计算所述对象行的像素的代表亮度；以及
检测判断步骤，在所述代表亮度为阈值以上的情况下，执行特性检测步骤，在所述特性检测步骤中对表示属于所述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测，在所述代表亮度不足阈值的情况下，跳过所述特性检测步骤，
相对于所述显示装置具备的行数的量的连续的帧，进行第一处理，
在所述第一处理中，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于所述对象行，通过对所述数据线供给第一电位而执行所述检测判断步骤，
在所述第一处理结束后，相对于所述行数的量的连续的帧，进行第二处理，
在所述第二处理中，每错开一行且每一帧设定一个对象行，相对于所述对象行，通过对所述数据线供给第二电位而执行所述检测判断步骤。
11.根据权利要求1～3、5、10中任一项所述的驱动方法，其特征在于，
针对各对象像素的每一个，保持着已获取的监视数据，直到与所述驱动晶体管相关的两个监视数据的获取以及与所述电光学元件相关的两个监视数据的获取结束为止。
12.一种驱动方法，为具有n行×m列的像素矩阵的显示装置的驱动方法，所述n行×m列的像素矩阵具备n×m个像素电路，其中，n以及m是2以上的整数，所述n×m个像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制要供给于所述电光学元件的电流，
所述驱动方法的特征在于：
所述显示装置具备：
扫描线，其按每个所述行设置；
监视线，其按每个所述行设置；以及
数据线，其按每个所述列设置，
该驱动方法包括：
对象行决定步骤，决定对象像素所属的对象行，所述对象像素是检测所述驱动晶体管以及所述电光学元件的至少一方的特性的对象像素；
亮度计算步骤，计算所述对象行的像素的代表亮度；以及
检测判断步骤，在所述代表亮度为阈值以上的情况下，执行特性检测步骤，在所述特性检测步骤中对表示属于所述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测，在所述代表亮度不足阈值的情况下，跳过所述特性检测步骤，
针对各对象像素的每一个，
在关于所述驱动晶体管以及所述电光学元件的任一方的元件结束了两个监视数据的获取的状况下，且关于另一方的元件虽结束了第一个监视数据的获取，但跳过了第二个监视数据的获取的情况下，
相对于所述一方的元件，应用基于所述两个监视数据的补偿处理，
相对于所述另一方的元件，应用基于比所述第一个监视数据之前获取到的监视数据的修正处理。
13.根据权利要求1～3、5、10、12中任一项所述的驱动方法，其特征在于，
在所述检测判断步骤中，
通过将属于所述对象行的各色像素的每种颜色的平均亮度彼此组合来计算所述代表亮度，并将计算出的代表亮度与所述阈值进行比较。
14.根据权利要求1～3、5、10、12中任一项所述的驱动方法，其特征在于，
在所述检测判断步骤中，
将所述代表亮度计算为属于所述对象行的绿色的像素的平均亮度，并将计算出的代表亮度与所述阈值进行比较。
15.一种驱动方法，为具有n行×m列的像素矩阵的显示装置的驱动方法，所述n行×m列的像素矩阵具备n×m个像素电路，其中，n以及m是2以上的整数，所述n×m个像素电路分别包括：电光学元件，其通过电流控制亮度；以及驱动晶体管，其用于控制要供给于所述电光学元件的电流，
所述驱动方法的特征在于：
所述显示装置具备：
扫描线，其按每个所述行设置；
监视线，其按每个所述行设置；以及
数据线，其按每个所述列设置，
该驱动方法包括：
对象行决定步骤，决定对象像素所属的对象行，所述对象像素是检测所述驱动晶体管以及所述电光学元件的至少一方的特性的对象像素；
亮度计算步骤，计算所述对象行的像素的代表亮度；以及
检测判断步骤，在所述代表亮度为阈值以上的情况下，执行特性检测步骤，在所述特性检测步骤中对表示属于所述对象行的像素的驱动晶体管以及电光学元件的至少一方的特性的监视数据进行检测，在所述代表亮度不足阈值的情况下，跳过所述特性检测步骤，
作为所述阈值，按像素的每种颜色设定不同值，
在所述检测判断步骤中，
按属于所述对象行的像素的每种颜色计算所述代表亮度，并将计算出的代表亮度与和该颜色对应的阈值进行比较。
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