WO2019186895A1

WO2019186895A1 - 駆動方法、及び、表示装置

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Publication number: WO2019186895A1
Application number: PCT/JP2018/013251
Authority: WO
Inventors: 山本　圭一
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2018-03-29
Filing date: 2018-03-29
Publication date: 2019-10-03
Also published as: CN111919247A; US20210020102A1; CN111919247B; US11257430B2

Abstract

本発明に係る駆動方法は、前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する対象画素が属する対象行を決定する対象行決定ステップ（Ｓ１０２）と、前記対象行における画素の代表輝度を算出する輝度算出ステップ（Ｓ１０４）と、前記代表輝度が閾値以上である場合に、前記対象行に属する画素における駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップを実行し、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする検出判断ステップ（Ｓ１０６、Ｓ１０８）とを含んでいる。

Description

駆動方法、及び、表示装置

　本発明は、表示装置の駆動方法、及び表示装置に関する。

　従来、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子（ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれる）を用いた表示装置の開発が行われている。

　このような表示装置においては、駆動トランジスタとして、通常、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が採用される。しかしながら、薄膜トランジスタについては、その特性にばらつきが生じやすい。具体的には、閾値電圧や移動度にばらつきが生じやすい。表示部内に設けられている駆動トランジスタに閾値電圧や移動度のばらつきが生じると、輝度のばらつきが生じるので表示品位が低下する。また、有機ＥＬ素子に関しては、時間の経過とともに電流効率（発光効率）が低下する。従って、たとえ一定電流が有機ＥＬ素子に供給されたとしても、時間の経過とともに輝度が徐々に低下する。

　上記のような問題への対応として、特許文献１には、１秒間に１枚の割合で検査パターンのフレームを表示して電流測定を行い、ＯＬＥＤの駆動補正を行う手法が開示されている。

日本国公開特許公報「特開２００５－１０７０５９号（２００５年０４月２１日公開）」

　しかしながら、上記のような技術では、検査によるＯＬＥＤの発光が視聴者に視認されやすいという問題がある。

　本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、検査によるＯＬＥＤの発光が視認されづらい技術を提供することにある。

　上記の課題を解決するために、一実施形態に係る表示装置の駆動方法は、電流によって輝度が制御される電気光学素子、及び前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路を備えるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置の駆動方法であって、前記表示装置は、前記行毎に設けられた走査線と、前記行毎に設けられたモニタ線と、前記列毎に設けられたデータ線とを備えており、当該駆動方法は、前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する対象画素が属する対象行を決定する対象行決定ステップと、前記対象行における画素の代表輝度を算出する輝度算出ステップと、
　前記代表輝度が閾値以上である場合に、前記対象行に属する画素における駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップを実行し、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする検出判断ステップとを含んでいる。

　また、一実施形態に係る表示装置は、電流によって輝度が制御される電気光学素子、及び前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路を備えるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置であって、前記行毎に設けられた走査線と、前記行毎に設けられたモニタ線と、前記列毎に設けられたデータ線と、制御部とを備え、前記制御部は、前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する対象画素が属する対象行を決定し、前記対象行における画素の代表輝度を算出し、前記代表輝度が閾値以上である場合に、前記対象行に属する画素における駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップを実行し、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする。

　上記の駆動方法及び表示装置によれば、検査によるＯＬＥＤの発光が視認されづらいという効果を奏する。

実施形態１に係るアクティブマトリクス型の表示装置の全体構成を示すブロック図である。実施形態１に係る画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を示す回路図である。実施形態１に係る特性検出動作の実行順を示す図である。実施形態１に係る特性検出判断処理を含む駆動処理の流れを示すフローチャートである。実施形態１に係る特性検出処理を行う場合の各信号のタイミングを説明するためにタイミングチャートである。実施形態１に係る画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を、電流の流れる経路と共に示す図である。モニタ行に含まれる画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。実施形態１に係る画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を、電流の流れる経路と共に示す図である。実施形態１に係る画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を、電流の流れる経路と共に示す図である。実施形態１に係る画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を、電流の流れる経路と共に示す図である。実施形態１における、制御クロック信号Ｓｃｌｋとデータ線Ｓ（ｊ）に与える電位とを示すタイミングチャートである。実施形態１に係る画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を、電流の流れる経路と共に示す図である。実施形態１に係る画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を、電流の流れる経路と共に示す図である。実施形態２に係る特性検出処理を行う場合の各信号のタイミングを説明するためにタイミングチャートである。実施形態２に係る特性検出処理を行う場合の各信号のタイミングを説明するためにタイミングチャートである。実施形態２に係るコントロール回路による対象行の設定処理例を示す模式図である。実施形態２に係るコントロール回路による対象行の設定処理例を示す模式図である。実施形態２に係るコントロール回路による対象行の設定処理例を示すフローチャートである。実施形態２に係るコントロール回路による対象行の設定処理例を示すフローチャートである。実施形態２に係る駆動方法に含まれる表示データ書き込みステップの構成を示すフローチャートである。実施形態２に係るＬＵＴの一例を示す図である。

　〔実施形態１〕
　以下、添付図面を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。以下の説明では、電気光学素子の一例として、有機ＥＬ（Electro Luminescence）（ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれる）を例に挙げるが、これは本実施形態を限定するものではなく、電気光学素子としてＱＬＥＤ（Quantum dot Light-Emitting Diode）を用いてもよい。

　また、以下においては、ｍおよびｎは２以上の整数、ｉは１以上ｎ以下の整数、ｊは１以上ｍ以下の整数であると仮定する。また、以下においては、画素回路内に設けられている駆動トランジスタの特性のことを「ＴＦＴ特性」といい、画素回路内に設けられている有機ＥＬ素子の特性のことを「ＯＬＥＤ特性」という。

　＜１．全体構成＞
　図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型の表示装置１の全体構成を示すブロック図である。この表示装置１は、表示部１０，コントロール回路（制御部）２０，ソースドライバ（データ線駆動回路）３０，ゲートドライバ（走査線駆動回路）４０，補正データ記憶部５０，有機ＥＬ用ハイレベル電源６１，および有機ＥＬ用ローレベル電源６２を備えている。なお、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０の一方または双方が表示部１０と一体的に形成された構成であっても良い。

　表示部１０には、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）およびこれらに直交するｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）が配設されている。以下では、データ線の延伸方向をＹ方向とし、走査線の延伸方向をＸ方向とする。Ｙ方向に沿った構成要素を「列」という場合があり、Ｘ方向に沿った構成要素を「行」という場合がある。また、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）と１対１で対応するように、ｎ本のモニタ制御線（単にモニタ線とも呼ぶ）Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が配設されている。一例として、走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）とは互いに平行になっている。さらに、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）との交差点に対応するように、ｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられている。このようにｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられることによって、ｎ行×ｍ列の画素マトリクスが表示部１０に形成されている。また、表示部１０には、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するハイレベル電源線と、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給するローレベル電源線とが配設されている。

　なお、以下においては、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはデータ線を単に符号Ｓで表す。同様に、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）を互いに区別する必要がない場合には走査線を単に符号Ｇ１で表し、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）を互いに区別する必要がない場合にはモニタ制御線を単に符号Ｇ２で表す。

　本実施形態におけるデータ線Ｓは、画素回路１１内の有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光させるための輝度信号を伝達する信号線として用いられるだけでなく、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性の検出用の制御電位を画素回路１１に与えるための信号線およびＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を表す電流であって後述する出力／電流モニタ回路３３０で測定可能な電流の経路となる信号線としても用いられる。

　コントロール回路２０は、ソースドライバ３０にデータ信号ＤＡおよびソース制御信号ＳＣＴＬを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ４０にゲート制御信号ＧＣＴＬを与えることによりゲートドライバ４０の動作を制御する。ソース制御信号ＳＣＴＬには、例えば、ソーススタートパルス，ソースクロック，ラッチストローブ信号が含まれている。ゲート制御信号ＧＣＴＬには、例えば、ゲートスタートパルス，ゲートクロック，およびアウトプットイネーブル信号が含まれている。また、コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯを受け取り、補正データ記憶部５０に格納されている補正データの更新を行う。なお、モニタデータＭＯとは、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を求めるために測定されたデータである。

　コントロール回路２０には、電源電圧制御部２０１が含まれている。電源電圧制御部２０１は、有機ＥＬ用ハイレベル電源６１に電圧制御信号ＣＴＬ１を与えることによって、有機ＥＬ用ハイレベル電源６１から出力されるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を制御し、有機ＥＬ用ローレベル電源６２に電圧制御信号ＣＴＬ２を与えることによって、有機ＥＬ用ローレベル電源６２から出力されるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を制御する。

　ゲートドライバ４０は、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）に接続されている。ゲートドライバ４０は、シフトレジスタおよび論理回路などによって構成されている。ところで、本実施形態に係る表示装置１においては、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性に基づいて、外部から送られる映像信号（上記データ信号ＤＡの元となるデータ）に補正が施される。これに関し、本実施形態では、一例として、各フレームにおいて、１つの行についての特性検出判断処理が行われる。ここで、詳しくは後述するが、特性検出判断処理には、
・上記１つの行について、特性検出処理を行うか否かを決定し、
・特性検出処理を行うと決定した場合に、当該１つの行についての特性検出処理を実行し、特性検出処理を行わないと決定した場合に、当該１つの行についての特性検出処理をスキップする
という処理が含まれる。また、特性検出処理には、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の少なくとも何れかの検出が行われる。

　このように、本実施形態では一例として、或るフレームに１行目についての特性検出判断処理が行われると、次のフレームには２行目についての特性検出判断処理が行われ、さらに次のフレームには３行目についての特性検出判断処理が行われる。このようにして、ｎフレーム期間をかけて、ｎ行分の特性検出判断処理の対象行が順次選択される。ただし、上記のような対象行の順次選択処理は、複数フレームに亘って、同一行を連続して複数回選択することを排除しない。例えば、本明細書において後述するように、あるフレームにおけるある行について、特性検出処理が行われなかった場合、次のフレームにおいて、当該ある行に対して再度、特性検出判断処理を実行する構成としてもよい。また、特性検出判断処理の対象行の選択のされ方は、上記のような順次選択に限られるものではなく、本明細書において後述するように、ランダムに選択する構成としてもよい。

　また、特性検出判断処理は、表示対象の全てのフレームにおいて行われる構成としてもよいし、一部のフレームにおいて行われる構成としてもよい。また、所定の期間毎に特性検出処理を行う構成としてもよい。例えば、各行に対して、１時間に１回程度の頻度で特性検出判断処理が適用される構成としてもよいし、表示装置１の電源が投入された直後のタイミング、及び表示装置１の電源が切られる直前のタイミングで、全ての行に対して性検出判断処理が適用される構成としてもよい。

　なお、本明細書においては、任意のフレームに着目したときに特性検出判断処理の対象となっている行のことを「モニタ行」又は「対象行」と呼称し、モニタ行以外の行のことを「非モニタ行」とも呼称する。

　ソースドライバ３０は、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に接続されている。ソースドライバ３０は、駆動信号発生回路３１と、信号変換回路３２と、ｍ個の出力／電流モニタ回路３３０からなる出力部３３とによって構成されている。出力部３３内のｍ個の出力／電流モニタ回路３３０はそれぞれｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）のうちの対応するデータ線Ｓに接続されている。

　駆動信号発生回路３１には、シフトレジスタ，サンプリング回路，およびラッチ回路が含まれている。駆動信号発生回路３１において、シフトレジスタは、ソースクロックに同期して、ソーススタートパルスを入力端から出力端へと順次に転送する。ソーススタートパルスのこの転送に応じて、シフトレジスタから各データ線Ｓに対応するサンプリングパルスが出力される。サンプリング回路は、サンプリングパルスのタイミングに従って１行分のデータ信号ＤＡを順次に記憶する。ラッチ回路は、サンプリング回路に記憶された１行分のデータ信号ＤＡをラッチストローブ信号に応じて取り込んで保持する。

　なお、本実施形態においては、データ信号ＤＡには、各画素の有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光させるための輝度信号と、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出する際に画素回路１１の動作を制御するためのモニタ制御信号とが含まれている。

　信号変換回路３２には、Ｄ／ＡコンバータおよびＡ／Ｄコンバータが含まれている。上述のようにして駆動信号発生回路３１内のラッチ回路に保持された１行分のデータ信号ＤＡは、信号変換回路３２内のＤ／Ａコンバータによってアナログ電圧に変換される。その変換されたアナログ電圧は、出力部３３内の出力／電流モニタ回路３３０に与えられる。また、信号変換回路３２には、出力部３３内の出力／電流モニタ回路３３０からモニタデータＭＯが与えられる。そのモニタデータＭＯは、信号変換回路３２内のＡ／Ｄコンバータで、アナログ電圧からデジタル信号に変換される。そして、デジタル信号に変換されたモニタデータＭＯは、駆動信号発生回路３１を介してコントロール回路２０に与えられる。

　出力／電流モニタ回路３３０には、信号変換回路３２からデータ信号ＤＡとしてのアナログ電圧Ｖｓが与えられる。そのアナログ電圧Ｖｓは、出力／電流モニタ回路３３０内のバッファを介してデータ線Ｓに印加される。また、出力／電流モニタ回路３３０はデータ線Ｓに流れている電流を測定する機能を有している。出力／電流モニタ回路３３０で測定されたデータは、モニタデータＭＯとして信号変換回路３２に与えられる。なお、出力／電流モニタ回路３３０の詳しい構成については後述する。

　補正データ記憶部５０には、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂが含まれている。なお、これら４つのメモリは、物理的には１つのメモリであっても良いし、物理的に異なるメモリであっても良い。補正データ記憶部５０は、外部から送られる映像信号の補正に使用される補正データを記憶している。詳しくは、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａは、ＴＦＴ特性の検出結果に基づくオフセット値（このオフセット値は、駆動トランジスタの閾値電圧に対応付けられる値である。）を補正データとして記憶する。ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂは、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づくオフセット値（このオフセット値は、有機ＥＬ素子の発光閾値電圧に対応付けられる値である。）を補正データとして記憶する。ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａは、ＴＦＴ特性の検出結果に基づくゲイン値（このゲイン値は、駆動トランジスタの移動度に対応付けられる値である。）を補正データとして記憶する。ＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂは、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づく劣化補正係数を補正データとして記憶する。なお、典型的には、表示部１０内の画素の数に等しい数のオフセット値およびゲイン値が、ＴＦＴ特性の検出結果に基づく補正データとして、それぞれＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａおよびＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに記憶される。また、典型的には、表示部１０内の画素の数に等しい数のオフセット値および劣化補正係数が、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づく補正データとして、それぞれＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂおよびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに記憶される。但し、複数の画素毎に１つの値が各メモリに記憶されるようにしても良い。

　上述したように、コントロール回路２０は、モニタデータＭＯに基づいて補正データの更新を行う。詳しくは、コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯに基づいて、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内の劣化補正係数を更新する。また、コントロール回路２０は、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内の劣化補正係数を読み出して、回路素子の劣化が補償されるよう、映像信号の補正を行う。その補正によって得られたデータが、データ信号ＤＡとしてソースドライバ３０に送られる。

　有機ＥＬ用ハイレベル電源６１は、表示部１０にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値は、電源電圧制御部２０１から出力される電圧制御信号ＣＴＬ１に基づいて制御される。有機ＥＬ用ローレベル電源６２は、表示部１０にローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は、電源電圧制御部２０１から出力される電圧制御信号ＣＴＬ２に基づいて制御される。

　＜２．画素回路および出力／電流モニタ回路の構成＞
　＜２．１　画素回路＞
　図２は、画素回路１１および出力／電流モニタ回路３３０の構成を示す回路図である。なお、図２に示す画素回路１１は、ｉ行ｊ列の画素回路１１である。この画素回路１１は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ，３個のトランジスタＴ１～Ｔ３，および１個のコンデンサＣｓｔを備えている。トランジスタＴ１は画素を選択する入力トランジスタとして機能し、トランジスタＴ２は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電流の供給を制御する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴ３はＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するか否かを制御するモニタ制御トランジスタとして機能する。

　トランジスタＴ１は、データ線Ｓ（ｊ）とトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇ１（ｉ）にゲート端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、トランジスタＴ１のドレイン端子にゲート端子が接続され、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤにドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子（陽極）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ３については、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にドレイン端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のドレイン端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子（陰極）は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。

　なお、本実施形態においては、コンデンサＣｓｔは、トランジスタＴ２のゲート－ドレイン間に設けられている。この理由は次のとおりである。本実施形態においては、１フレーム期間中に、トランジスタＴ３をオンにした状態でデータ線Ｓ（ｊ）の電位を変動させる制御が行われる。仮にトランジスタＴ２のゲート－ソース間にコンデンサＣｓｔが設けられていると、データ線Ｓ（ｊ）の電位の変動に応じてトランジスタＴ２のゲート電位も変動する。そうすると、トランジスタＴ２のオン／オフ状態が所望の状態とはならないことが生じ得る。そこで、本実施形態においては、データ線Ｓ（ｊ）の電位の変動に応じてトランジスタＴ２のゲート電位が変動することのないよう、図２に示すようにトランジスタＴ２のゲート－ドレイン間にコンデンサＣｓｔが設けられている。但し、データ線Ｓ（ｊ）の電位の変動がトランジスタＴ２のゲート電位に及ぼす影響が小さい場合には、トランジスタＴ２のゲート－ソース間にコンデンサＣｓｔが設けられていても良い。

　＜２．２　画素回路内のトランジスタについて＞
　本実施形態においては、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３はすべてｎチャネル型である。また、本実施形態においては、トランジスタＴ１～Ｔ３には、酸化物ＴＦＴ（酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ）が採用されている。

　以下、酸化物ＴＦＴに含まれる酸化物半導体層について説明する。酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体層である。酸化物半導体層は、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含む。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は、特に限定されない。例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２などでもよい。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて２０倍を超える移動度）と低いリーク電流（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて１００分の１未満のリーク電流）を有するので、画素回路内の駆動ＴＦＴ（上記トランジスタＴ２）およびスイッチングＴＦＴ（上記トランジスタＴ１）として好適に用いられる。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴを用いれば、表示装置の消費電力を大幅に削減することができる。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、アモルファスでもよく、結晶質部分を含み、結晶性を有していてもよい。結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体が好ましい。このようなＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の結晶構造は、例えば日本の特開２０１２－１３４４７５号公報に開示されている。

　酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体に代えて、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＺｎ－Ｏ系半導体（ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（ＩＺＯ（登録商標））、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体（ＺＴＯ）、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドニウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ―Ｓｎ―Ｚｎ―Ｏ系半導体（例えばＩｎ₂Ｏ₃－ＳｎＯ₂－ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

　＜２．３　出力／電流モニタ回路＞
　図２を参照しつつ、本実施形態における出力／電流モニタ回路３３０の詳細な構成について説明する。この出力／電流モニタ回路３３０には、オペアンプ３３１とコンデンサ３３２とスイッチ３３３とが含まれている。オペアンプ３３１については、反転入力端子はデータ線Ｓ（ｊ）に接続され、非反転入力端子にはデータ信号ＤＡとしてのアナログ電圧Ｖｓが与えられる。コンデンサ３３２およびスイッチ３３３は、オペアンプ３３１の出力端子とデータ線Ｓ（ｊ）との間に設けられている。以上のように、この出力／電流モニタ回路３３０は積分回路で構成されている。このような構成において、制御クロック信号Ｓｃｌｋによってスイッチ３３３がオン状態にされると、オペアンプ３３１の出力端子－反転入力端子間が短絡状態となる。これにより、オペアンプ３３１の出力端子およびデータ線Ｓ（ｊ）の電位がアナログ電圧Ｖｓの電位と等しくなる。データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流の測定が行われる際には、制御クロック信号Ｓｃｌｋによってスイッチ３３３がオフ状態にされる。これにより、コンデンサ３３２の存在に起因して、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流の大きさに応じてオペアンプ３３１の出力端子の電位が変化する。そのオペアンプ３３１からの出力はモニタデータＭＯとして信号変換回路３２内のＡ／Ｄコンバータに送られる。

　＜３．駆動方法＞
　＜３．１　概要＞
　次に、本実施形態における駆動方法について説明する。上述したように、本実施形態においては、一例として、各フレームに１つの行について、特性検出判断処理が行われる。各フレームにおいて、モニタ行については特性検出判断処理のための動作（以下、「特性検出判断動作」ともいう。）が行われ、非モニタ行については通常動作が行われる。すなわち、１行目についての特性検出判断処理が行われるフレームを（ｋ＋１）フレーム目と定義すると、図３に示すように、各行の動作は推移する。また、特性検出判断処理の結果、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われると、その検出結果を用いて、補正データ記憶部５０内の補正データの更新が行われる。そして、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データを用いて、回路素子（トランジスタＴ２，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の劣化が補償されるよう、映像信号の補正が行われる。さらに、本実施形態においては、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出結果を用いて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値およびハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値が制御される。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値およびハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を制御する時間の間隔は特に限定されない。

　＜３．２　処理の流れ＞
　次に、本実施形態に係る駆動処理の流れについて説明する。図４は、本実施形態に係る特性検出判断処理を含む駆動処理の流れを示すフローチャートである。

　（ステップＳ１０２）
　ステップＳ１０２において、コントロール回路２０は、特性検出判断処理の対象となる対象行を選択する。一例として、コントロール回路２０は、上述したように、１フレームにつき１行を対象行として順次選択する。

　（ステップＳ１０４）
　続いて、ステップＳ１０４において、コントロール回路２０は、外部から送られてきた映像信号（データ信号ＤＡの元となるデータ）、又は対象行の各画素に供給される前のデータ信号（換言すれば、映像信号から対象フレームの対象行における各画素に対して入力すべきデータ信号、又は対象フレームで表示する映像信号に対応するデータ信号）ＤＡに基づいて、対象行に属する各画素の輝度の代表値である代表輝度を算出する。

　ここで、代表輝度の具体的な算出方法は、本実施形態を限定するものではないが、例えば、以下の何れかを代表輝度に設定すればよい。

　（１）対象行に含まれる全画素の輝度の平均値
　（２）対象行に含まれる全画素の輝度の最大値
　（３）対象行に含まれる特定の色（例えば、ＲＧＢの何れか）の画素の輝度の平均値
　（４）対象行に含まれる特定の色（例えば、ＲＧＢの何れか）の画素の輝度の最大値
　上記（１）に例示したように、本実施形態に係る駆動方法における検出判断処理では、代表輝度を、対象行に属する各色の画素の色毎の平均輝度を互いに組み合わせることによって算出し、算出した代表輝度を前記閾値と比較する。

　また、上記（３）に例示したように、本実施形態に係る駆動方法における検出判断処理では、代表輝度を、前記対象行に属する緑色の画素の平均輝度として算出し、算出した代表輝度を前記閾値と比較する。

　また、上記（３）及び（４）では、代表輝度と比較すべき閾値を、色毎に異なる値として設定する構成としてもよい。この場合、本実施形態に係る駆動方法における検出判断処理において、代表輝度を、前記対象行に属する画素の色毎に算出し、算出した代表輝度を、当該色に対応する閾値と比較する構成とすればよい。

　また、上記（１）～（４）は、対象フレームの対象行における各画素に対して入力すべきデータ信号のみを参照するのではなく、対象フレームよりも前の複数のフレームに対して入力されたデータ信号を更に参照する構成としてもよい。この場合、上記（１）に対応する算出例として、
　（５）対象フレームの対象行に含まれる全画素に入力すべきデータ信号が示す輝度と、対象フレームよりも前の１又は複数のフレーム（例えば１～５フレーム）の対象行に含まれる全画素に対して入力されたデータ信号が示す輝度との平均値
を代表輝度に設定する構成が挙げられ、上記（２）に対応する算出例として、
　（６）対象フレームの対象行に含まれる全画素に入力すべきデータ信号が示す輝度と、対象フレームよりも前の１又は複数のフレーム（例えば１～５フレーム）の対象行に含まれる全画素に対して入力されたデータ信号が示す輝度のうちの最大値
を代表輝度に設定する構成が挙げられる。数フレーム前のフレームの画素であっても、視聴者の目には残像として残るので、上記（５）や（６）の構成でも、代表輝度を好適に設定することができる。

　また、上記（３）（４）に対応する算出例として、上記（５）（６）を特定の色に着目することによって代表輝度を算出する構成が挙げられる。

　（ステップＳ１０６）
　続いて、ステップＳ１０６において、コントロール回路２０は、ステップＳ１０４にて算出した代表輝度が閾値Ｌｔｈ以上であるか否かを判定する。代表輝度が閾値Ｌｔｈ以上である場合には、コントロール回路２０は、対象行に対して特性検出処理を実行すべきと判断し、ステップＳ１０８に進む。そうでない場合には、コントロール回路２０は、対象行に対して特性検出処理を実行すべきではないと判断し、Ｓ１１４に進む。

　（ステップＳ１０８）
　ステップＳ１０６において、代表輝度が閾値Ｌｔｈ以上であった場合、コントロール回路２０は、ステップＳ１０８において、対象行に対して、特性検出処理（特性検出動作ともいう）を実行し、モニタデータＭＯを取得する。なお、ステップＳ１０８は、ステップＳ１０６と共に、特性検出判断処理（検出判断ステップ）を構成する。

　図５は、対象行（ｉ）に対して、特性検出処理を行う場合の各信号のタイミングを説明するためにタイミングチャートである。図５に示すように、モニタ行（対象行（ｉ））についての１水平走査期間ＴＨｍは、モニタ行においてＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性を検出する準備が行われる期間（以下、「検出準備期間」という。）Ｔａと、ＴＦＴ特性を検出するための電流測定が行われる期間（以下、「ＴＦＴ特性検出期間」という。）Ｔｂと、ＯＬＥＤ特性を検出するための電流測定が行われる期間（以下、「ＯＬＥＤ特性検出期間」という。）Ｔｃと、モニタ行において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる準備が行われる期間（以下、「発光準備期間」という。）Ｔｄとによって構成されている。

　検出準備期間Ｔａには、走査線Ｇ１はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態とされ、データ線Ｓには電位Ｖｍｇが与えられる。ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、走査線Ｇ１は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２はアクティブな状態とされ、データ線Ｓには電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、走査線Ｇ１は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２はアクティブな状態とされ、データ線Ｓには電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。なお、電位Ｖｍｇ，電位Ｖｍ＿ＴＦＴ，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄについての詳しい説明は後述する。

　（ステップＳ１１０）
　続いて、ステップＳ１１０において、ソースドライバ３０は、対象行に含まれる各画素に対して、表示データであるデータ電位Ｄを書き込む。本ステップは、図５における発光準備期間Ｔｄに対応する。発光準備期間Ｔｄには、走査線Ｇ１はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態とされ、データ線Ｓにはモニタ行に含まれる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの目標輝度に応じたデータ電位Ｄが与えられる。データ電位Ｄは、より詳しくは、Ｄ（ｉ，ｊ）と表記すべきものであるが、本明細書において特に混乱を生じない限り、単にＤとの表記も用いる。なお、データ電位Ｄについての詳しい説明は後述する。

　（ステップＳ１１２）
　続いて、ステップＳ１１２において、コントロール回路２０は、ステップＳ１０８において取得したモニタデータに基づいて補正データを算出し、算出した補正データを補正データ記憶部５０に供給する。補正データ記憶部５０は取得した補正データを用いて、自身が記憶している補正データを更新する。補正データについては詳細を後述するので、ここでは詳述しない。

　なお、本ステップにおいて更新された補正データ記憶部５０の補正データは、次回以降のフレームを表示するために用いられる。より具体的に言えば、ｎフレーム目において実行された対象行（ｉ）に対する特性検出の結果に基づく補正データは、ｎ＋１フレーム目以降のフレームを表示する際の当該対象行（ｉ）に供給される表示データを補正するために用いられる。

　（ステップＳ１１４）
　一方で、Ｓ１０６において、代表輝度が閾値Ｌｔｈ以上ではなかった場合、特性検出処理をスキップした後、ステップＳ１１４において、ソースドライバ３０により、対象行に含まれる各画素に対して、表示データであるデータ信号ＤＡが書き込まれる。

　＜３．２　画素回路の動作＞
　＜３．２．１　通常動作＞
　各フレームにおいて、非モニタ行では、通常動作が行われる。非モニタ行に含まれる画素回路１１では、目標輝度に対応するデータ電位Ｖｄａｔａに基づく書き込みが選択期間に行われた後、トランジスタＴ１はオフ状態で維持される。データ電位Ｖｄａｔａに基づく書き込みによってトランジスタＴ２はオン状態となる。トランジスタＴ３についてはオフ状態で維持される。以上より、図６で符号７１で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。
　＜３．２．２　特性検出動作＞
　各フレームにおいて、モニタ行（対象行）では、特性検出判断処理が実行され、特性検出処理を実行すべきと判断された場合、特性検出動作が行われる。図７は、モニタ行に対して特性検出処理を実行すべきと判断された場合の、モニタ行に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、図１０では、ｉ行目がモニタ行とされるフレームにおけるｉ行目の１回目の選択期間開始時点を基準にして「１フレーム期間」を表している。また、ここでは、モニタ行における１フレーム期間のうちの上述した１水平走査期間ＴＨｍ以外の期間のことを「発光期間」という。発光期間には符号ＴＬを付している。モニタ行についての１水平走査期間を符号ＴＨｍで表し、非モニタ行についての１水平走査期間を符号ＴＨｎで表している。
　まず、図７より把握されるように、モニタ行と非モニタ行とで１水平走査期間の長さが異なっている。詳しくは、モニタ行についての１水平走査期間の長さは、非モニタ行についての１水平走査期間の長さの４倍になっている。但し、本発明はこれには限定されない。例えば、モニタ行についての１水平走査期間の長さは、非モニタ行についての１水平走査期間の長さの２０倍程度であってもよい。

　非モニタ行については、一般的な表示装置と同様、１フレーム期間中に１回の選択期間がある。モニタ行については、一般的な表示装置とは異なり、１フレーム期間中に２回の選択期間がある。１回目の選択期間は１水平走査期間ＴＨｍ中の最初の４分の１の期間であり、２回目の選択期間は１水平走査期間ＴＨｍ中の最後の４分の１の期間である。

　また、図７に示すように、各フレームにおいて、非モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態で維持される。モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２については、１水平走査期間ＴＨｍ中の選択期間以外の期間（走査線Ｇ１が非アクティブな状態になっている期間）に、アクティブな状態で維持される。本実施形態においては、以上のようにｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が駆動されるよう、ゲートドライバ４０が構成されている。なお、モニタ行において１フレーム期間中に走査線Ｇ１に２回のパルスを発生させるためには、コントロール回路２０からゲートドライバ４０に送られるアウトプットイネーブル信号の波形を公知の手法を用いて制御すれば良い。

　このように、本実施形態に係る駆動方法において、特性検出ステップＳ１０８は、Ａ個（Ａは２以上の整数）の水平走査期間に亘って実行され、特性検出ステップＳ１０８の期間内では、対象行における走査線への走査信号の供給がホールドされ、特性検出ステップＳ１０８の実行後に、対象行にデータ信号を書き込む書き込みステップＳ１１０を含んでいる。

　検出準備期間Ｔａには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態で維持される。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態で維持される。また、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には電位Ｖｍｇが与えられる。この電位Ｖｍｇに基づく書き込みによってコンデンサＣｓｔが充電され、トランジスタＴ２がオン状態となる。以上より、検出準備期間Ｔａには、図８で符号７２で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。但し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光するのは極めて短い時間である。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となり、トランジスタＴ３はオン状態となる。また、この期間にはデータ線Ｓ（ｊ）に電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。なお、後述するＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、データ線Ｓ（ｊ）に電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。また、上述したように、検出準備期間Ｔａに、電位Ｖｍｇに基づく書き込みが行われている。
　ここで、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されているオフセット値に基づいて求められるトランジスタＴ２の閾値電圧をＶｔｈ（Ｔ２）とすると、次式（１），（２）が成立するように、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。

　Ｖｍ＿ＴＦＴ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）＜Ｖｍｇ　…（１）
　Ｖｍｇ＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）　…（２）
また、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されているオフセット値に基づいて求められる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光閾値電圧をＶｔｈ（ｏｌｅｄ）とすると、次式（３）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。

　Ｖｍ＿ＴＦＴ＜ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）　…（３）
さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの降伏電圧をＶｂｒ（ｏｌｅｄ）とすると、次式（４）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。

　Ｖｍ＿ＴＦＴ＞ＥＬＶＳＳ－Ｖｂｒ（ｏｌｅｄ）　…（４）
　以上のように、検出準備期間Ｔａに上式（１），（２）を満たす電位Ｖｍｇに基づく書き込みが行われた後、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには上式（１），（３），および（４）を満たす電位Ｖｍ＿ＴＦＴがデータ線Ｓ（ｊ）に与えられる。上式（１）より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、トランジスタＴ２はオン状態となる。また、上式（３），（４）より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流は流れない。

　以上より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、図９で符号７３で示す矢印のように、トランジスタＴ２を流れる電流が、トランジスタＴ３を介してデータ線Ｓ（ｊ）に出力される。これにより、データ線Ｓ（ｊ）に出力された電流（シンク電流）が、出力／電流モニタ回路３３０によって測定される。以上のようにして、トランジスタＴ２のゲート－ソース間の電圧を所定の大きさ（Ｖｍｇ－Ｖｍ＿ＴＦＴ）にした状態で当該トランジスタＴ２のドレイン－ソース間を流れる電流の大きさが測定され、ＴＦＴ特性が検出される。

　ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態で維持され、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態で維持される。このため、この期間には、トランジスタＴ１はオフ状態で維持され、トランジスタＴ３はオン状態で維持される。また、上述したように、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。

　ここで、上式（２）および次式（５）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。

　ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ　…（５）
また、トランジスタＴ２の降伏電圧をＶｂｒ（Ｔ２）とすると、次式（６）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。

　Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＜Ｖｍｇ＋Ｖｂｒ（Ｔ２）　…（６）
　以上のように、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、上式（２），（５），および（６）を満たす電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄがデータ線Ｓ（ｊ）に与えられる。上式（２），（６）より、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、トランジスタＴ２はオフ状態となる。また、上式（５）より、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れる。

　以上より、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、図１０で符号７４で示す矢印のように、データ線Ｓ（ｊ）からトランジスタＴ３を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。この状態において、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流が出力／電流モニタ回路３３０によって測定される。以上のようにして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（陽極）－カソード（陰極）間の電圧を所定の大きさ（Ｖｍ＿ｏｌｅｄ－ＥＬＶＳＳ）にした状態で当該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流の大きさが測定され、ＯＬＥＤ特性が検出される。

　なお、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値については、上式（１）～（６）の他、採用されている出力／電流モニタ回路３３０での電流の測定可能範囲なども考慮して決定される。
　ここで、出力／電流モニタ回路３３０内のスイッチ３３３のオン／オフ状態の変化について説明する。スイッチ３３３がオフ状態からオン状態に切り替えられると、コンデンサ３３２に蓄積された電荷が放電される。その後、スイッチ３３３がオン状態からオフ状態に切り替えられると、コンデンサ３３２への充電が開始される。そして、出力／電流モニタ回路３３０が積分回路として動作する。なお、スイッチ３３３は、データ線Ｓに流れている電流を測定しようとする期間、オフ状態で維持される。具体的には、まず、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂに、スイッチ３３３をオン状態にしてデータ線Ｓに電位Ｖｍ＿ＴＦＴを与えた後、スイッチ３３３をオフ状態にしてデータ線Ｓに流れている電流を測定する。次に、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃに、スイッチ３３３をオン状態にしてデータ線Ｓに電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄを与えた後、スイッチ３３３をオフ状態にしてデータ線Ｓに流れている電流を測定する。

　ところで、本実施形態においては、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには２種類の電位（Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１およびＶｍ＿ＴＦＴ＿２）に基づいてＴＦＴ特性の検出が行われる。具体的には、スイッチ３３３のオン／オフ状態を切り替えるための制御クロック信号Ｓｃｌｋおよびデータ線Ｓ（ｊ）に与える電位（Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１およびＶｍ＿ＴＦＴ＿２）をＴＦＴ特性検出期間Ｔｂ中に図１１に示すように制御することによって、期間Ｔｂ１には電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１に基づいてＴＦＴ特性が検出され、期間Ｔｂ２には電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２に基づいてＴＦＴ特性が検出される。同様に、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃにおいても、２種類の電位に基づいてＯＬＥＤ特性が検出される。

　トランジスタＴ２の閾値電圧をＶｔｈとし、トランジスタＴ２のゲインをβとし、トランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧をＶｇｓとすると、トランジスタＴ２が飽和領域で動作するときトランジスタＴ２のドレイン－ソース間を流れる電流Ｉ（Ｔ２）は次式（７）で表される。

　Ｉ（Ｔ２）＝（β／２）×（Ｖｇｓ－Ｖｔｈ）²　 …（７）
　ここで、トランジスタＴ２のゲインβは次式（８）で表される。

　β＝μ×（Ｗ／Ｌ）×Ｃｏｘ　…（８）
　上式（８）において、μ、Ｗ、Ｌ、およびＣｏｘは、それぞれ、トランジスタＴ２の移動度、ゲート幅、ゲート長、および単位面積あたりのゲート絶縁膜容量を表している。
　上式（８）に関し、μ（移動度）はトランジスタＴ２の劣化の程度に応じて変化する。従って、β（ゲイン）はトランジスタＴ２の劣化の程度に応じて変化する。また、上式（７）に関し、βに加えてＶｔｈ（閾値電圧）もトランジスタＴ２の劣化の程度に応じて変化する。上述したように本実施形態においてはＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには２種類の電位に基づいて電流測定が行われるので、それらの結果を上式（７）に代入することによって得られる２つの式に基づく連立方程式を解くことによって、ＴＦＴ特性の検出が行われた時点におけるトランジスタＴ２の閾値電圧とゲインを求めることができる。なお、上式（８）から把握されるようにβ（ゲイン）とμ（移動度）とは比例関係にあるので、ゲインを求めることは移動度を求めることに相当する。

　発光準備期間Ｔｄには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態となる。また、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には目標輝度に応じたデータ電位Ｄ（ｉ，ｊ）が与えられる。このデータ電位Ｄ（ｉ，ｊ）に基づく書き込みによってコンデンサＣｓｔが充電され、トランジスタＴ２がオン状態となる。以上より、発光準備期間Ｔｄには、図１２で符号７５で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　発光期間ＴＬには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態で維持される。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態で維持される。トランジスタＴ１はオフ状態となるが、発光準備期間Ｔｄ中に目標輝度に応じたデータ電位Ｄ（ｉ，ｊ）に基づく書き込みによってコンデンサＣｓｔが充電されていることから、トランジスタＴ２はオン状態で維持される。従って、発光期間ＴＬには、図１３で符号７６で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。すなわち、発光期間ＴＬには、目標輝度に応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。
　本実施形態においては、以上のようにして、各フレームにつき１つの行についての特性検出判断処理が行われ、特性検出処理を実行すべきと判断された対象行において、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。これにより、ｎフレーム期間をかけて、ｎ行分の特性検出判断処理が行われる。

　なお、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性を検出する手法については、上述の手法には限定されない。例えば、上述した回路構成とは異なる回路構成を採用することもできるし、上述したシーケンスとは異なるシーケンスで各回路素子の特性を検出するようにしても良い。

　＜３．３　補正データの更新および映像信号の補正＞
　ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出されると、検出結果に基づいて、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データが更新される。詳しくは、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂに上述のようにしてトランジスタＴ２の閾値電圧およびトランジスタＴ２の移動度に相当するゲイン値が求められるので、その求められた閾値電圧に相当するオフセット値が新たなオフセット値としてＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されるとともに、その求められたゲイン値が新たなゲイン値としてＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに格納される。また、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化補正係数が求められるので、その求められた閾値電圧に相当するオフセット値が新たなオフセット値としてＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されるとともに、その求められた劣化補正係数が新たな劣化補正係数としてＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納される。なお、本実施形態においては、各フレームに１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるので、１フレーム期間につき、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のｍ個のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のｍ個のゲイン値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のｍ個のオフセット値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内のｍ個の劣化補正係数の更新が行われる。
　コントロール回路２０は、回路素子の劣化が補償されるよう、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データを用いて映像信号の補正を行う。なお、本実施形態においては、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフト（初期時点からの閾値電圧の変化）の大きさに応じて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点における値よりも低い値に設定する構成としてもよい。ここでは、初期時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値と映像信号の補正が行われる時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値との差をΔＶで表す。

　映像信号のガンマ補正後の電圧をＶｃとし、ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに格納されているゲイン値をＢ１とし、ＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納されている劣化補正係数をＢ２とし、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されているオフセット値をＶｔ１とし、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されているオフセット値をＶｔ２とすると、補正後の電圧Ｖｄａｔａは次式（９）で求められる。

　Ｖｄａｔａ＝Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２－ΔＶ　…（９）
　上式（９）で求められた電圧Ｖｄａｔａを表すデジタル信号が、データ信号ＤＡとしてコントロール回路２０からソースドライバ３０に送られる。なお、画素回路１１内の寄生容量に起因するデータ電位の減衰が補償されるよう、次式（１０）によって補正後の電圧Ｖｄａｔａを求めるようにしても良い。

　Ｖｄａｔａ＝Ｚ（Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２－ΔＶ）　…（１０）
ここで、Ｚは、データ電位の減衰を補償するための係数である。

　〔実施形態２〕
　以下では、本発明の第２の実施形態について説明する。

　本実施形態に係る駆動方法及び表示装置の概要は、実施形態１において説明したものと同様であるため、繰り返しの説明は省略し、以下では、実施形態１とは異なる点を中心に説明する。また、各部材、及び各ステップについて、すでに説明した部材及びステップと同じ部材及びステップについては同じ符号を付し、その説明を適宜省略する。

　（特性検出ステップ）
　実施形態１では、図５及び図１１を用いて説明したように、コントロール回路２０が、対象行を１回選択した後、特性検出処理を実行すべきと判定した場合に、対象行の１水平走査期間において、同一のデータ線Ｓに特性検出用の２つの異なる電位を供給することによって、それぞれの電位に対してＴＦＴ特性を検出し、同一のデータ線Ｓに特性検出用の更なる２つの異なる電位を供給することによって、それぞれの電位に対してＯＬＥＤ特性を検出する例について説明した。しかしながら、これは本明細書に記載の実施形態を限定するものではない。

　本実施形態では、コントロール回路２０が、対象行を１回選択した後、特性検出判断処理において特性検出処理を実行すべきと判定した場合に、対象行の１水平走査期間において、データ線Ｓに特性検出用の１つの電位を供給することによって、ＴＦＴ特性及びＯＬＥＤ特性の何れか一方を検出する構成について説明する。

　図１４及び図１５は、対象行（ｉ）に対して、本実施形態に係る特性検出処理を行う場合の各信号のタイミングを説明するためにタイミングチャートである。

　図１４に示す例では、特性検出処理として、１つの電位に基づくＴＦＴ特性検出のみを対象としている。図１４に示すように、モニタ行（対象行（ｉ））についての１水平走査期間ＴＨｍは、検出準備期間Ｔａと、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂと、発光準備期間Ｔｄとによって構成されている。

　図１５に示す例では、特性検出処理として、１つの電位に基づくＯＬＥＤ特性検出のみを対象としている。図１５に示すように、モニタ行（対象行（ｉ））についての１水平走査期間ＴＨｍは、検出準備期間Ｔａと、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃと、発光準備期間Ｔｄとによって構成されている。

　（特性検出判断処理）
　本実施形態に係る特性検出判断処理は、実施形態１と同様に行ってもよいし、以下のように行ってもよい。すなわち、本実施形態に係る特性検出判断処理では、ＯＬＥＤの特性を示すモニタデータを検出するＯＬＥＤ特性検出ステップをスキップの対象とし、ＴＦＴの特性を示すモニタデータを検出するＴＦＴ特性検出ステップをスキップの対象としないという構成としてもよい。

　ＴＦＴの特性検出では、実施形態１において図９を参照して説明したように、ＯＬＥＤは発光しない。このため、ＴＦＴ特性検出は、ユーザに違和感を与えることがない。一方で、ＯＬＥＤの特性検出では、ＯＬＥＤが発光するのでユーザに違和感を与える可能性がある。

　上記の構成によれば、ＯＬＥＤ特性検出をスキップの対象とし、ＴＦＴ特性検出をスキップの対象としないので検査による発光に伴うユーザへの違和感を低減することができる。

　（対象行設定処理例１）
　図１６は、本実施形態に係るコントロール回路２０による対象行の設定処理例を示す模式図である。本実施形態に係るコントロール回路２０は、一例として、図１６の（ａ）に示すように、ｎフレームにおいて、８行目の画素へのデータ電位の書き込みを行い、９行目を対象行として本実施形態に係る特性検出判断処理（図において「モニタリング」）を行ったうえで、９行目の書き込みを再開する。そのうえで、ｎ＋１フレームにおいて、９行目の画素へのデータ電位の書き込みを行い、１０行目を対象行としてモニタリングを行ったうえで、１０行目の書き込みを再開する。

　このように、本実施形態に係るコントロール回路２０は、対象行を順次選択する構成とすることができる。これは、図４のステップＳ１０２に関連して説明した内容と同様である。

　また、他の例として、本実施形態に係るコントロール回路２０は、図１６の（ｂ）に示すように、ｎフレームにおいて、８行目の画素へのデータ電位の書き込みを行い、９行目を対象行として本実施形態に係る特性検出判断処理を行ったうえで、９行目の書き込みを再開する。そのうえで、ｎ＋１フレームにおいて、１５行目の画素へのデータ電位の書き込みを行い、１６行目を対象行としてモニタリングを行ったうえで、１６行目の書き込みを再開する。

　このように、本実施形態に係るコントロール回路２０は、図４のステップＳ１０２において、対象行をランダムに選択する構成としてもよい。

　図１７は、本実施形態に係るコントロール回路２０による対象行の設定処理の別例を示す模式図である。

　本実施形態では、データ線Ｓに供給する電位を変化させつつ、所定の数の複数フレームに亘って、対象行と同じ行に対して、検出判断処理ステップを実行してもよい。例えば、図１７に示すように、本実施形態に係るコントロール回路２０は、ｎ＋１フレームからｎ＋４フレームに亘って、同一行（図１７の例では９行目）を対象行に設定しつつ、検出判断処理ステップを実行し、データ線Ｓに供給する電位を変更することによって、
１回目のＴＦＴ特性検出（図における「ＴＦＴ測定ＨＩＧＨ（１）」）
２回目のＴＦＴ特性検出（図における「ＴＦＴ測定ＬＯＷ（２）」）
１回目のＯＬＥＤ特性検出（図における「ＯＬＥＤ測定ＨＩＧＨ（３）」）
２回目のＯＬＥＤ特性検出（図における「ＯＬＥＤ測定ＬＯＷ（４）」）
を行う構成としてもよい。

　また、本実施形態に係るコントロール回路２０は、ランダムな対象行設定を行い、上記４回の特性検出に引き続き、ｎ＋５フレームにおいて、例えば図１７に示すように１６行目を対象行に設定し、１回目のＴＦＴ特性検出以降の検出を行う構成としてもおい。

　また、本実施形態に係るコントロール回路２０は、順次に対象行の設定を行い、上記４回の特性検出に引き続き、ｎ＋５フレームにおいて、図示はしないが１０行目を対象行に設定し、１回目のＴＦＴ特性検出以降の検出を行う構成としてもよい。

　（対象行設定処理例２）
　本実施形態に係るコントロール回路２０は、対象行決定ステップ及び特性検出判断処理を、以下のように行ってもよい。

　すなわち、コントロール回路２０は、以下のような第１～第４の処理を順次行うことによって、連続した一連のフレーム群ごとに、異なる電位をデータ線Ｓに供給して特性検出処理又は特性検出判断処理を行う構成としてもよい。

　（第１の処理）
　コントロール回路２０は、表示装置１の備える行数分の連続したフレームに対して、１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、データ線Ｓに第１の電位を供給することによって特性検出判断処理を実行する。

　（第２の処理）
　第１の処理の後、コントロール回路２０は、前記行数分の連続したフレームに対して、１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、データ線Ｓに第２の電位を供給することによって特性検出判断処理を実行する。

　（第３の処理）
　第２の処理の後、コントロール回路２０は、前記行数分の連続したフレームに対して、１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、データ線Ｓに第３の電位を供給することによって特性検出判断処理を実行する。

　（第４の処理）
　第３の処理の後、コントロール回路２０は、前記行数分の連続したフレームに対して、１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、データ線Ｓに第４の電位を供給することによって特性検出判断処理を実行する。

　ここで、第１及び第２の処理としては、より具体的に、それぞれ、第１及び第２の電位に基づくＯＬＥＤ特性検出を行い、第３及び第４の処理としては、より具体的に、それぞれ、第３及び第４の電位に基づくＴＦＴ特性検出を行う構成が挙げられる。

　なお、本例のように第１～第４の処理において、特性検出ステップがスキップされた行が存在する場合、第１～第４の処理完了後に、当該スキップされた行に対する特性検出判断処理を再度実行する構成としてもよい。このような構成とすれば、特性検出ステップがスキップされた行に対して集中的に特性検出処理を実行することができる。

　（対象行設定処理例３）
　図１８は、本実施形態に係るコントロール回路２０による対象行の設定処理の他の例を示すフローチャートである。実施形態１において図４に示した対象行決定ステップＳ１０２は、本例では、図１８に示す各ステップを含む。

　（ステップＳ１０２－１１）
　本ステップでは、コントロール回路２０は、前回設定した対象行（ｉ）について、特性検出ステップをスキップしたか否かを判断する。前回設定した対象行（ｉ）について、特性検出ステップをスキップした場合には、ステップＳ１０２－１２に進み、そうでない場合には、ステップＳ１０２－１３に進む。

　（ステップＳ１０２－１２）
　前回設定した対象行（ｉ）について特性検出ステップをスキップしたとステップＳ１０２－１１において判断した場合、本ステップにおいて、前回と同じ対象行（ｉ）を、今回の対象行に決定する。

　このように、本例では、検出判断処理において、対象行の特性検出ステップをスキップした場合、次回の対象行決定ステップにおいて、前記対象行を再度対象行に設定する。

　（ステップＳ１０２－１３）
　一方で、前回設定した対象行（ｉ）について特性検出ステップをスキップしていないとステップＳ１０２－１１において判断した場合、本ステップにおいて、前回とは異なる対象行（例えば対象行（ｉ＋１））を、今回の対象行に決定する。なお、本ステップにおける対象行の設定は、前回の対象行を除く各行の何れかを対象行としてランダムに設定することによって行う構成としてもよい。

　（対象行設定処理例４）
　図１９は、本実施形態に係るコントロール回路２０による対象行の設定処理の他の例を示す模式図である。実施形態１において図４に示した対象行決定ステップＳ１０２は、本例では、図１９に示す各ステップを含む。

　（ステップＳ１０２－２１）
　本ステップでは、コントロール回路２０は、前回以前に設定した対象行（ｉ）について、特性検出ステップを所定の回数以上スキップしたか否かを判断する。所定の回数以上スキップした場合には、ステップＳ１０２－２２に進み、そうでない場合にはステップＳ１０２－２３に進む。

　なお、所定の回数の具体例は本実施形態を限定するものではないが、例えば、５回～１０回程度とすることができる。

　（ステップＳ１０２－２２）
　前回以前に設定した対象行（ｉ）について、特性検出ステップを所定の回数以上スキップしたと、ステップＳ１０２－２１にて判断した場合、コントロール回路２０は、対象行（ｉ＋１）を今回の対象行に決定する。

　このように、本例では、検出判断ステップにおいて、対象行の特性検出ステップを所定回数スキップした場合、次回の対象行決定ステップにおいて、前記対象行の次の行を対象行に設定する。

　上記の構成によれば、ある対象行について特性検出ステップが所定の回数スキップされた場合には、次の行を対象行とするので、特性検出ステップが特定の行で足止めされてしまい、他の行の特性検出が行われないという状況の発生を回避することができる。

　なお、本例では、検出判断ステップにおいて、対象行の特性検出ステップを所定回数スキップした場合、次回の対象行決定ステップにおいて、前記対象行とは異なる行を、対象行としてランダムに設定する構成としてもよい。

　（映像信号の補正及び変換処理）
　本実施形態では、ソースドライバ３０は、式（９）又は（１０）で示した補正後の電圧Ｖｄａｔａを、ルックアップテーブル（ＬＵＴ）を参照して変換したうえで、ソース線Ｓに供給する。

　図２０は、本実施形態に係る駆動方法に含まれる表示データ書き込みステップＳ１１０の構成を示すフローチャートである。図２０に示すステップＳ１１０は、本実施形態において、図４に示したステップＳ１１０の代わりに用いられる。

　図２０に示すように、本実施形態に係る表示データ書き込みステップＳ１１０は、以下のステップを含む。

　（ステップＳ１１０－１）
　本実施形態に係るコントロール回路２０は、正規の表示データをＬＵＴを参照して変換する。ここで、正規の表示データとは、補正データが存在し、対象画素に対して補正を行う場合には、当該補正後の表示データのことを指し、補正データが存在しない場合には、外部から送られてきた映像信号が示す表示データのことを指す。

　（ステップＳ１１０－２）
　本実施形態に係るソースドライバ３０は、ステップＳ１１０－１における変換後の表示データを、対象画素に書き込む。

　図２１は、本実施形態に係るＬＵＴの一例を示す表である。本実施形態に係るＬＵＴは、図２１に示した「正規の表示データ」の各行と、当該各行に対応する「変換後の表示データ」の各行とを含む。

　図２１の示したＬＵＴの意味を説明するため、一例として、ＯＬＥＤが特性検出中に発光する輝度レベルを、白レベル（８ビットで255階調）とし、非モニタ行についての１水平走査期間ＴＨｎが、モニタ行についての１水平走査期間ＴＨｍの４倍である場合を考える。

　ここで、白レベルを100％とした場合、モニタ行では
　（4H/980H） × 100 = 0.408％
分の輝度が正規の輝度に上乗せさせる。

　図２１に示すＬＵＴでは、この上乗せ分を、正規の表示データから差し引くことによって、変換後の表示データが生成されている。

　より具体的に言えば、例えば、図２１の27階調に対応する表示データは、正規化輝度で表すと、0.715に対応するが、この0.715という値から、上記の上乗せ分である0.408を差し引いた0.307が変換後の輝度に対応する。そして、この変換後の輝度0.307に対応する変換後の表示データは、0.307に最も近い値である0.293に対応する１８階調に対応する表示データと定まる。

　このように、本実施形態に係るＬＵＴは、正規の表示データを入力値とし、当該正規の表示データから、特性検出ステップにおいて発光した分の輝度を差し引いて得られるデータを出力値とする対応情報である。

　そして、本実施形態に係る表示データ書き込みステップＳ１１０では、ソースドライバ３０は、上記ＬＵＴを参照して、特性検出ステップにおいて発光した分の輝度を差し引いたデータ信号を対象画素に書き込む。

　これにより、特性検出を行った場合も、表示装置１に入力される映像信号により忠実な画像を表示することができる。

　一方で、図２１の例では、20以下の階調では、モニタ期間以外が0階調である場合でも、特性検出処理を行えば、0.408％の輝度での発光が行われてしまい、ユーザにとって不自然な発光を呈することになる。このような事態を回避するため、本実施形態に係る特性検出判断処理では、正規の表示データの値（即ち、映像信号から対象画素に対して入力されるべきデータ信号の値）が所定の閾値（図２１の例では２１階調）未満である場合には、特性検出処理をスキップする。これにより、ユーザにとって不自然な発光を抑制することができる。

　ここで、上述の所定の閾値は、特性検出処理によって、対象画素がどの程度発光するのかに依存して決定される。換言すれば、上述の所定の閾値は、特性検出処理において、データ線Ｓに対して供給される電位に応じて決定される。例えば、ＯＬＥＤが特性検出中に発光する輝度レベルがより小さければ、本実施形態に係るコントロール回路２０は、それに応じて、上記所定の閾値もより小さく設定する。

　これにより、ユーザにとって不自然な発光を抑制しつつ、好適に特性検出処理を実行することができる。

　なお、前記閾値は、図４に示したステップＳ１０６における「閾値Ｌｔｈ」に対応する。実施形態１では単に所定の閾値であるとして説明を行ったが、本実施形態では、上述のように、閾値Ｌｔｈは、特性検出処理においてデータ線Ｓに対して供給される電位に応じて適応的に決定される。したがって、実施形態１の「閾値Ｌｔｈ」を本実施形態のように適応的に設定する構成も本明細書に記載の発明に当然に含まれる。

　また、実施形態１に対して、本実施形態に記載の表示データ変換を適用する構成も本明細書に記載の発明に含まれる。

　（補正データ更新処理例１）
　本実施形態に係るコントロール回路２０は、図４における補正データ更新ステップＳ１１２を例えば以下のように行う。

　まず、本実施形態に係るコントロール回路２０は、同一の対象画素に対して一連の複数の特性検出処理が実行される構成の場合、当該一連の特性検出処理によって得られる各モニタデータが、全て集まるまで、各モニタデータを記憶しておく。例えば、対象画素に対して、データ線Ｓの電位を変化させつつＴＦＴ特性検出処理を２回、ＯＬＥＤ特性検出処理を２回行う場合、本実施形態に係るコントロール回路２０は、これら合計４回の特性検出に基づくモニタデータの取得が完了するまで、取得済のモニタデータを保持しておき、対象画素に関する全てのモニタデータを取得した後に、当該対象画素に関する補正データを算出する。そして、算出した補正データを記憶部５０に供給することによって、当該対象画素に関する補正データを更新する。

　上記の構成とすることによって、補正データを好適に算出することができる。

　（補正データ更新処理例２）
　本実施形態に係るコントロール回路２０は、図４における補正データ更新ステップＳ１１２、及び表示データ書き込みステップＳ１１０を、以下のように行ってもよい。

　すなわち、本実施形態に係るコントロール回路２０は、ＴＦＴ及びＯＬＥＤの何れか一方の素子に関して２つのモニタデータの取得が完了している状況において、他方の素子に関して１つ目のモニタデータは取得済であるが、２つ目のモニタデータの取得がスキップされた場合に、前記一方の素子に対しては、前記２つのモニタデータに基づく補償処理を適用し、前記他方の素子に対しては、前記１つ目のモニタデータよりも前に取得したモニタデータに基づく補正処理を適用する。

　換言すれば、本実施形態に係るコントロール回路２０は、各対象画素につき、ＴＦＴ及びＯＬＥＤの何れか一方の素子について、２つのモニタデータの取得が完了している状況において、ＴＦＴ及びＯＬＥＤの他方の素子について、１つ目のモニタデータが取得済であるが、２つ目のモニタデータの取得がスキップされた場合に、次回の表示データ書き込みステップＳ１１０において、前記一方の素子に対しては、前記２つのモニタデータに基づく補正データを用いた補正後のデータ電位を書き込み、前記他方の素子に対しては、前記１つ目のモニタデータよりも前に取得したモニタデータに基づく補正データを用いた補正後のデータ電位を書き込む。

　例えば、対象画素に対してＯＬＥＤ特性検出のモニタデータが２つ取得済であれば、コントロール回路２０は、対象画素に対して、当該２つのモニタデータに基づく補正データを算出し、次回の表示データ書き込みステップにおいて、当該補正データを用いた補正後のデータ電位を書き込む。一方で、対象画素に対してＯＬＥＤ特性検出のモニタデータが１つのみ取得済であって、かつ、２つ目のモニタデータを取得するための特性検出ステップＳ１０８がスキップされた場合に、コントロール回路２０は、対象画素に対して、新たな補正データの算出、及び補正データの更新処理を行わず、次回の表示データ書き込みステップにおいても、前回以前に取得されたモニタデータに基づく補正データを用いた補正後のデータ電位を書き込む。

　上記の構成とすることによって、特性検出判断処理において、特性検出ステップがスキップされた場合にも、当該特性検出スキップよりも前に取得したモニタデータを用いて、データ電位を好適に補正することができる。

　〔ソフトウェアによる実現例〕
　表示装置１の制御ブロック（特にコントロール回路２０）は、集積回路（ＩＣチップ）等に形成された論理回路（ハードウェア）によって実現してもよいし、ソフトウェアによって実現してもよい。

　後者の場合、表示装置１は、各機能を実現するソフトウェアであるプログラムの命令を実行するコンピュータを備えている。このコンピュータは、例えば少なくとも１つのプロセッサ（制御装置）を備えていると共に、上記プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な少なくとも１つの記録媒体を備えている。そして、上記コンピュータにおいて、上記プロセッサが上記プログラムを上記記録媒体から読み取って実行することにより、本発明の目的が達成される。上記プロセッサとしては、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）を用いることができる。上記記録媒体としては、「一時的でない有形の媒体」、例えば、ＲＯＭ（Read Only Memory）等の他、テープ、ディスク、カード、半導体メモリ、プログラマブルな論理回路などを用いることができる。また、上記プログラムを展開するＲＡＭ（Random Access Memory）などをさらに備えていてもよい。また、上記プログラムは、該プログラムを伝送可能な任意の伝送媒体（通信ネットワークや放送波等）を介して上記コンピュータに供給されてもよい。なお、本発明の一態様は、上記プログラムが電子的な伝送によって具現化された、搬送波に埋め込まれたデータ信号の形態でも実現され得る。

　〔まとめ〕
　本発明の態様１に係る駆動方法は、電流によって輝度が制御される電気光学素子、及び前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路を備えるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置の駆動方法であって、前記表示装置は、前記行毎に設けられた走査線と、前記行毎に設けられたモニタ線と、前記列毎に設けられたデータ線とを備えており、当該駆動方法は、前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する対象画素が属する対象行を決定する対象行決定ステップと、前記対象行における画素の代表輝度を算出する輝度算出ステップと、前記代表輝度が閾値以上である場合に、前記対象行に属する画素における駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップを実行し、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする検出判断ステップとを含んでいる方法である。

　上記の構成によれば、検査によるＯＬＥＤの発光が視認されづらいという効果を奏する。

　本発明の態様２に係る駆動方法は、上記の態様１において、前記特性検出ステップでは、前記データ線に対して所定の電位が供給され、前記特性検出ステップの実行後に、前記対象画素に対して、データ信号を書き込む書き込みステップを備え、前記書き込みステップでは、前記対象画素に対して、前記特性検出ステップにおいて発光した分の輝度を差し引いたデータ信号が供給される方法としてもよい。

　上記の構成によれば、特性検出を行った場合も、表示装置１に入力される映像信号により忠実な画像を表示することができる。

　本発明の態様３に係る駆動方法は、上記の態様１又は２において、前記輝度算出ステップでは、映像信号から前記対象行における画素に対して入力すべきデータ信号を参照して、前記代表輝度を決定し、前記検出判断ステップでは、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする構成としてもよい。

　上記の構成によれば、ユーザにとって不自然な発光を抑制しつつ、好適に特性検出処理を実行することができる。

　本発明の態様４に係る駆動方法は、上記の態様１から３の何れか１項において、前記閾値は、前記特性検出ステップにおいて、前記データ線に供給される電位に応じて定められている構成としてもよい。

　本発明の態様５に係る駆動方法は、上記の態様１から４の何れか１項において、前記特性検出ステップは、Ａ個（Ａは２以上の整数）の水平走査期間に亘って実行され、前記特性検出ステップの期間内では、対象行における走査線への走査信号の供給がホールドされ、前記特性検出ステップの実行後に、前記対象行にデータ信号を書き込む書き込みステップを含んでいる方法としてもよい。

　本発明の態様６に係る駆動方法は、上記の態様１から５の何れか１項において、前記検出判断ステップでは、前記電気光学素子の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップをスキップの対象とし、前記駆動トランジスタの特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップをスキップの対象としない構成としてもよい。

　本発明の態様７に係る駆動方法は、上記の態様１から６の何れか１項において、前記対象行決定ステップでは、前記対象行は、順次選択される方法としてもよい。

　本発明の態様８に係る駆動方法は、上記の態様７において、前記検出判断ステップにおいて、前記対象行の特性検出ステップをスキップした場合、次回の決定ステップにおいて、前記対象行を再度対象行に設定する方法としてもよい。

　本発明の態様９に係る駆動方法は、上記の態様８において、前記検出判断ステップにおいて、前記対象行の特性検出ステップを所定回数スキップした場合、次回の決定ステップにおいて、前記対象行の次の行を対象行に設定する方法としてもよい。

　上記の構成によれば、特性検出ステップが特定の行で足止めされてしまい、他の行の特性検出が行われないという状況の発生を回避することができる。

　本発明の態様１０に係る駆動方法は、上記の態様１から９の何れか１項において、前記データ線に供給する電位を変化させつつ、所定の数の複数フレームに亘って、前記対象行と同じ行に対して、前記検出判断ステップを実行する方法としてもよい。

　本発明の態様１１に係る駆動方法は、上記の態様１から９の何れか１項において、前記表示装置の備える行数分の連続したフレームに対して、１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、前記データ線に対して第１の電位を供給することによって前記検出判断ステップを実行するという第１の処理を行い、前記第１の処理の終了後、前記行数分の連続したフレームに対して、１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、前記データ線に対して第２の電位を供給することによって前記検出判断ステップを実行するという第２の処理を行う方法としてもよい。

　本発明の態様１２に係る駆動方法は、上記の態様１から１１の何れか１項において、各対象画素につき、前記駆動トランジスタに関する２つのモニタデータの取得、及び、前記電気光学素子に関する２つのモニタデータの取得が完了するまで、取得済のモニタデータを保持しておく方法としてもよい。

　上記の構成によれば、補正データを好適に算出することができる。

　本発明の態様１３に係る駆動方法は、上記の態様１から１１の何れか１項において、各対象画素につき、前記駆動トランジスタ及び前記電気光学素子の何れか一方の素子に関して２つのモニタデータの取得が完了している状況において、他方の素子に関して１つ目のモニタデータは取得済であるが、２つ目のモニタデータの取得がスキップされた場合に、前記一方の素子に対しては、前記２つのモニタデータに基づく補償処理を適用し、前記他方の素子に対しては、前記１つ目のモニタデータよりも前に取得したモニタデータに基づく補正処理を適用する方法としてもよい。

　上記の構成によれば、モニタデータの取得がスキップされた場合にも、以前に取得したモニタデータを用いて、データ電位を好適に補正することができる。

　本発明の態様１４に係る駆動方法は、上記の態様１から１３の何れか１項において、前記検出判断ステップでは、前記代表輝度を、前記対象行に属する各色の画素の色毎の平均輝度を互いに組み合わせることによって算出し、算出した代表輝度を前記閾値と比較する方法としてもよい。

　本発明の態様１５に係る駆動方法は、上記の態様１から１３の何れか１項において、前記閾値として、画素の色毎に異なる値が設定されており、前記検出判断ステップでは、前記代表輝度を、前記対象行に属する画素の色毎に算出し、算出した代表輝度を、当該色に対応する閾値と比較する方法としてもよい。

　本発明の態様１６に係る駆動方法は、上記の態様１から１３の何れか１項において、前記検出判断ステップでは、前記代表輝度を、前記対象行に属する緑色の画素の平均輝度として算出し、算出した代表輝度を前記閾値と比較する方法としてもよい。

　本発明の態様１７に係る表示装置は、電流によって輝度が制御される電気光学素子、及び前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路を備えるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置であって、前記行毎に設けられた走査線と、前記行毎に設けられたモニタ線と、前記列毎に設けられたデータ線と、制御部とを備え、前記制御部は、前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する対象画素が属する対象行を決定し、前記対象行における画素の代表輝度を算出し、前記代表輝度が閾値以上である場合に、前記対象行に属する画素における駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップを実行し、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする構成である。

　本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。

１　表示装置
１０　表示部
１１　画素回路
２０　コントロール回路
３０　ソースドライバ
４０　ゲートドライバ
５０　補正データ記憶部
Ｇ１　走査線
Ｇ２　モニタ制御線

Claims

　電流によって輝度が制御される電気光学素子、及び前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路を備えるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置の駆動方法であって、
　前記表示装置は、
　前記行毎に設けられた走査線と、
　前記行毎に設けられたモニタ線と、
　前記列毎に設けられたデータ線とを備えており、
　当該駆動方法は、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する対象画素が属する対象行を決定する対象行決定ステップと、
　前記対象行における画素の代表輝度を算出する輝度算出ステップと、
　前記代表輝度が閾値以上である場合に、前記対象行に属する画素における駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップを実行し、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする検出判断ステップと
を含んでいる
ことを特徴とする駆動方法。
　前記特性検出ステップでは、前記データ線に対して所定の電位が供給され、
　前記特性検出ステップの実行後に、前記対象画素に対して、データ信号を書き込む書き込みステップを備え、
　前記書き込みステップでは、前記対象画素に対して、前記特性検出ステップにおいて発光した分の輝度を差し引いたデータ信号が供給される
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動方法。
　前記輝度算出ステップでは、映像信号から前記対象行における画素に対して入力すべきデータ信号を参照して、前記代表輝度を決定し、
　前記検出判断ステップでは、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の駆動方法。
　前記閾値は、前記特性検出ステップにおいて、前記データ線に供給される電位に応じて定められている
ことを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記特性検出ステップは、Ａ個（Ａは２以上の整数）の水平走査期間に亘って実行され、
　前記特性検出ステップの期間内では、対象行における走査線への走査信号の供給がホールドされ、
　前記特性検出ステップの実行後に、前記対象行にデータ信号を書き込む書き込みステップを含んでいる
ことを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記検出判断ステップでは、
　前記電気光学素子の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップをスキップの対象とし、
　前記駆動トランジスタの特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップをスキップの対象としない
ことを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記対象行決定ステップでは、前記対象行は、順次選択される
ことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記検出判断ステップにおいて、前記対象行の特性検出ステップをスキップした場合、次回の決定ステップにおいて、前記対象行を再度対象行に設定する
ことを特徴とする請求項７に記載の駆動方法。
　前記検出判断ステップにおいて、前記対象行の特性検出ステップを所定回数スキップした場合、次回の決定ステップにおいて、前記対象行の次の行を対象行に設定することを特徴とする請求項８に記載の駆動方法。
　前記データ線に供給する電位を変化させつつ、所定の数の複数フレームに亘って、前記対象行と同じ行に対して、前記検出判断ステップを実行する
ことを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記表示装置の備える行数分の連続したフレームに対して、
　１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、前記データ線に対して第１の電位を供給することによって前記検出判断ステップを実行する
という第１の処理を行い、
　前記第１の処理の終了後、前記行数分の連続したフレームに対して、
　１行ずつずらしながら１フレームにつき１つの対象行を設定し、前記対象行に対して、前記データ線に対して第２の電位を供給することによって前記検出判断ステップを実行する
という第２の処理を行う
ことを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の駆動方法。
　各対象画素につき、
　前記駆動トランジスタに関する２つのモニタデータの取得、及び、前記電気光学素子に関する２つのモニタデータの取得が完了するまで、取得済のモニタデータを保持しておく
ことを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載の駆動方法。
　各対象画素につき、
　前記駆動トランジスタ及び前記電気光学素子の何れか一方の素子に関して２つのモニタデータの取得が完了している状況において、他方の素子に関して１つ目のモニタデータは取得済であるが、２つ目のモニタデータの取得がスキップされた場合に、
　前記一方の素子に対しては、前記２つのモニタデータに基づく補償処理を適用し、
　前記他方の素子に対しては、前記１つ目のモニタデータよりも前に取得したモニタデータに基づく補正処理を適用する
ことを特徴とする請求項１から１１の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記検出判断ステップでは、
　前記代表輝度を、前記対象行に属する各色の画素の色毎の平均輝度を互いに組み合わせることによって算出し、算出した代表輝度を前記閾値と比較する
ことを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記閾値として、画素の色毎に異なる値が設定されており、
　前記検出判断ステップでは、
　前記代表輝度を、前記対象行に属する画素の色毎に算出し、算出した代表輝度を、当該色に対応する閾値と比較する
ことを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の駆動方法。
　前記検出判断ステップでは、
　前記代表輝度を、前記対象行に属する緑色の画素の平均輝度として算出し、算出した代表輝度を前記閾値と比較する
ことを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の駆動方法。
　電流によって輝度が制御される電気光学素子、及び前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタをそれぞれが含むｎ×ｍ個（ｎおよびｍは２以上の整数）の画素回路を備えるｎ行×ｍ列の画素マトリクスを有する表示装置であって、
　前記行毎に設けられた走査線と、
　前記行毎に設けられたモニタ線と、
　前記列毎に設けられたデータ線と、
　制御部とを備え、前記制御部は、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方の特性を検出する対象画素が属する対象行を決定し、
　前記対象行における画素の代表輝度を算出し、
　前記代表輝度が閾値以上である場合に、前記対象行に属する画素における駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方の特性を示すモニタデータを検出する特性検出ステップを実行し、前記代表輝度が閾値未満である場合に、前記特性検出ステップをスキップする
ことを特徴とする表示装置。