WO2015151927A1

WO2015151927A1 - 表示装置およびその駆動方法

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Publication number: WO2015151927A1
Application number: PCT/JP2015/058891
Authority: WO
Inventors: 和雄滝沢; 宣孝岸
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2014-03-31
Filing date: 2015-03-24
Publication date: 2015-10-08
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Abstract

　本発明は、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の劣化を補償することのできる表示装置を実現することを目的とする。　駆動トランジスタおよび有機ＥＬ素子の特性検出の結果に基づいて、コントロール回路（２０）は、駆動トランジスタおよび有機ＥＬ素子の閾値シフトの大きさを求める。電源電圧制御部（２０１）は、全画素についての閾値シフトの大きさの平均値に相当する電圧値だけ、ローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）の値を初期時点における値よりも低い値に設定する。さらに、電源電圧制御部（２０１）は、駆動トランジスタの特性検出によって得られる移動度の大きさに応じて、ハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）の値を調整する。

Description

表示装置およびその駆動方法

　本発明は表示装置およびその駆動方法に関し、より詳しくは、有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子などの電気光学素子を含む画素回路を備える表示装置およびその駆動方法に関する。

　従来より、表示装置が備える表示素子としては、印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子と流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子とがある。印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としては液晶表示素子が挙げられる。一方、流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としては有機ＥＬ素子が挙げられる。有機ＥＬ素子は、ＯＬＥＤ（Organic Light-Emitting Diode）とも呼ばれている。自発光型の電気光学素子である有機ＥＬ素子を使用した有機ＥＬ表示装置は、バックライトおよびカラーフィルタなどを要する液晶表示装置に比べて、容易に薄型化・低消費電力化・高輝度化などを図ることができる。従って、近年、積極的に有機ＥＬ表示装置の開発が進められている。

　有機ＥＬ表示装置の駆動方式として、パッシブマトリクス方式（単純マトリクス方式とも呼ばれる。）とアクティブマトリクス方式とが知られている。パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置は、構造は単純であるものの、大型化および高精細化が困難である。これに対して、アクティブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置（以下「アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置」という。）は、パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置に比べて大型化および高精細化を容易に実現できる。

　アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置には、複数の画素回路がマトリクス状に形成されている。アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の画素回路は、典型的には、画素を選択する入力トランジスタと、有機ＥＬ素子への電流の供給を制御する駆動トランジスタとを含んでいる。なお、以下においては、駆動トランジスタから有機ＥＬ素子に流れる電流のことを「駆動電流」という場合がある。

　図３６は、従来の一般的な画素回路９１の構成を示す回路図である。この画素回路９１は、表示部に配設されている複数のデータ線Ｓと複数の走査線Ｇとの各交差点に対応して設けられている。図３６に示すように、この画素回路９１は、２個のトランジスタＴ１，Ｔ２と、１個のコンデンサＣｓｔと、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤとを備えている。トランジスタＴ１は入力トランジスタであり、トランジスタＴ２は駆動トランジスタである。

　トランジスタＴ１は、データ線ＳとトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇにゲート端子が接続され、データ線Ｓにソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線にドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にソース端子が接続されている。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線のことを以下「ハイレベル電源線」といい、ハイレベル電源線にはハイレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＤＤを付す。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のソース端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子は、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線に接続されている。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線のことを以下「ローレベル電源線」といい、ローレベル電源線にはローレベル電源電圧と同じ符合ＥＬＶＳＳを付す。また、ここでは、トランジスタＴ２のゲート端子と、コンデンサＣｓｔの一端と、トランジスタＴ１のドレイン端子との接続点のことを便宜上「ゲートノードＶＧ」という。なお、一般的には、ドレインとソースのうち電位の高い方がドレインと呼ばれているが、本明細書の説明では、一方をドレイン，他方をソースと定義するので、ドレイン電位よりもソース電位の方が高くなることもある。

　図３７は、図３６に示す画素回路９１の動作を説明するためのタイミングチャートである。時刻ｔ１以前には、走査線Ｇは非選択状態となっている。従って、時刻ｔ１以前には、トランジスタＴ１がオフ状態になっており、ゲートノードＶＧの電位は初期レベル（例えば、１つ前のフレームでの書き込みに応じたレベル）を維持している。時刻ｔ１になると、走査線Ｇが選択状態となり、トランジスタＴ１がターンオンする。これにより、データ線ＳおよびトランジスタＴ１を介して、この画素回路９１が形成する画素（サブ画素）の輝度に対応するデータ電圧ＶｄａｔａがゲートノードＶＧに供給される。その後、時刻ｔ２までの期間に、ゲートノードＶＧの電位がデータ電圧Ｖｄａｔａに応じて変化する。このとき、コンデンサＣｓｔは、ゲートノードＶＧの電位とトランジスタＴ２のソース電位との差であるゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに充電される。時刻ｔ２になると、走査線Ｇが非選択状態となる。これにより、トランジスタＴ１がターンオフし、コンデンサＣｓｔが保持するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが確定する。トランジスタＴ２は、コンデンサＣｓｔが保持するゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流を供給する。その結果、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　ところで、有機ＥＬ表示装置においては、駆動トランジスタとして、典型的には薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が採用される。しかしながら、薄膜トランジスタについては、その特性にばらつきが生じやすい。具体的には、閾値電圧や移動度にばらつきが生じやすい。表示部内に設けられている駆動トランジスタに閾値電圧や移動度のばらつきが生じると、輝度のばらつきが生じるので表示品位が低下する。また、閾値電圧や移動度は、温度によっても変化する。さらに、有機ＥＬ素子に関しては、時間の経過とともに電流効率（発光効率）が低下する。従って、たとえ一定電流が有機ＥＬ素子に供給されたとしても、時間の経過とともに輝度が徐々に低下する。その結果、焼き付きが生じる。

　そこで、従来より、有機ＥＬ表示装置に関し、駆動トランジスタや有機ＥＬ素子などの回路素子の劣化を補償する技術が提案されている。例えば、日本の特開２００９－２９４３７１号公報には、リファレンス電圧と画像電圧との差分などに基づいて画像電圧を補正する技術が開示されている。

日本の特開２００９－２９４３７１号公報

　ところが、従来技術によれば、回路素子の劣化を補償するためにデータ電圧が補正されたとしても、補正後のデータ電圧がソースドライバによる出力可能な電圧範囲（以下、「ドライバ出力範囲」という。）を超える場合がある。このような場合、劣化に対する所望の補償は行われず、所望の階調表示が行われない。これについて以下に詳しく説明する。

　有機ＥＬ表示装置においては、上述したように、画素回路内に、電源電圧としてハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤおよびローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳが供給される。また、画素回路内には、ソースドライバからデータ電圧が供給される。例えば２５６階調の階調表示が可能な有機ＥＬ表示装置の場合、２５６段階のデータ電圧がソースドライバから出力される。なお、本明細書においては、所望の階調表示を行うために必要とされるデータ電圧の範囲のことを「階調電圧範囲」といい、階調電圧範囲の上限値－下限値間の大きさを「階調電圧幅」という。

　図３８は、２５６階調の階調表示が可能な有機ＥＬ表示装置についての初期状態における、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤとローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳとドライバ出力範囲と階調電圧範囲との関係の一例を示す図である。なお、ドライバ出力範囲の下限を符号ＶＬで表し、ドライバ出力範囲の上限を符号ＶＨで表し、階調値０に対応する電圧をＶ（０）で表し、階調値２５５に対応する電圧をＶ（２５５）で表している。また、画素内の駆動トランジスタの初期状態における閾値電圧を符号Ｖｔｈ０で表している。図３８に示すように、初期状態においては、階調電圧範囲は完全にドライバ出力範囲に含まれている。

　ここで、或る１つの画素に着目し、当該画素内の駆動トランジスタの閾値電圧が図３９に示すように徐々に大きくなると仮定する。時点ｔ０（初期時点）においては、階調電圧範囲は完全にドライバ出力範囲（ＶＬからＶＨまでの範囲）に含まれている。時点ｔ０１において、駆動トランジスタの閾値電圧が初期時点からΔＶｔｈ（ｔ０１）だけ大きくなると、各階調値に対応するデータ電圧も初期時点からΔＶｔｈ（ｔ０１）だけ大きくなる。従って、階調電圧範囲は全体的に初期時点からΔＶｔｈ（ｔ０１）だけ上昇する。なお、この時点ｔ０１においても、階調範囲は完全にドライバ出力範囲に含まれている。時点ｔ０２において、駆動トランジスタの閾値電圧が初期時点からΔＶｔｈ（ｔ０２）だけ大きくなると、各階調値に対応するデータ電圧も初期時点からΔＶｔｈ（ｔ０２）だけ大きくなる。従って、階調電圧範囲は全体的に初期時点からΔＶｔｈ（ｔ０２）だけ上昇する。この時点ｔ０２においては、階調電圧範囲のうちの高階調部分は、ドライバ出力範囲を超えてしまっている。本明細書においては、回路素子の劣化を補償するための補正後のデータ電圧がこのようにドライバ出力範囲外の電圧となることを「階調破綻」という。図３９の時点ｔ０２には、高階調部分で階調破綻が生じているので、高階調が正しく表示されない。以上のように、従来技術によれば、ドライバ出力範囲の制限によって階調破綻が生じ、所望の階調表示が行われないことがある。

　そこで、本発明は、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の劣化を補償することのできる表示装置を実現することを目的とする。

　本発明の第１の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路を有する表示装置であって、
　前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、
　前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路と、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得部と、
　前記複数の画素回路に供給される低レベル電源電圧および高レベル電源電圧のうち少なくとも前記低レベル電源電圧の値を制御する電源電圧制御部と
を備え、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記高レベル電源電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の陽極に接続され、
　　前記電気光学素子の陰極には、前記低レベル電源電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御部は、前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量に応じて、前記低レベル電源電圧の値を制御することを特徴とする。

　本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記対象回路素子の特性を検出し、検出結果に基づいて前記対象回路素子の閾値電圧を求める特性検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部によって求められた閾値電圧に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第３の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、所定の基準時における前記対象回路素子の閾値電圧と前記特性検出部による特性検出が行われた時点における前記対象回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第４の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記対象回路素子と同じ種類の回路素子であって駆動動作が行われない回路素子であるダミー回路素子を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部による特性検出の検出結果に基づいて求められた前記対象回路素子の閾値電圧と前記ダミー回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第５の局面は、本発明の第１の局面において、
　温度を検出する温度検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記温度検出部で検出された温度に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第７の局面は、本発明の第６の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記代表値と前記電気光学素子についての前記代表値との和に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第８の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第９の局面は、本発明の第８の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最大値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最大値との和に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第１０の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第１１の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最小値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最小値との和に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第１２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第１３の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする。

　本発明の第１４の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記駆動トランジスタの移動度を求める移動度取得部を更に備え、
　前記電源電圧制御部は、前記移動度取得部によって求められた移動度に応じて、前記高レベル電源電圧の値を制御することを特徴とする。

　本発明の第１５の局面は、本発明の第１４の局面において、
　前記電源電圧制御部は、以下の式を満たすように、前記高レベル電源電圧の値Ｖｈを制御することを特徴とする。
Ｖｈ＞Ｖｌ＋Ｖｍａｘ＋（２×Ｉｍａｘ／β）^1/2
ここで、Ｖｌは前記低レベル電源電圧の値であり、Ｖｍａｘは前記電気光学素子の陽極－陰極間に印加される電圧の最大値であり、Ｉｍａｘは前記電気光学素子の陽極－陰極間を流れる電流の最大値であり、βは前記移動度取得部によって求められた移動度に比例するゲイン値である。

　本発明の第１６の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記電源電圧制御部は、前記高レベル電源電圧の値を前記低レベル電源電圧の値の変化方向と同じ方向に同じ値だけ変化させることを特徴とする。

　本発明の第１７の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路を有する表示装置であって、
　前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、
　前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路と、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得部と、
　前記複数の画素回路に供給される第１レベル電圧および第２レベル電圧のうちの一方である第１電源電圧の値を少なくとも制御する電源電圧制御部と
を備え、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記第２レベル電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の一方の電極に接続され、
　　前記電気光学素子の他方の電極には、前記第１レベル電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御部は、前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量に応じて、前記第１電源電圧の値を制御することを特徴とする。

　本発明の第１８の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記対象回路素子の特性を検出し、検出結果に基づいて前記対象回路素子の閾値電圧を求める特性検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部によって求められた閾値電圧に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第１９の局面は、本発明の第１８の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、所定の基準時における前記対象回路素子の閾値電圧と前記特性検出部による特性検出が行われた時点における前記対象回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第２０の局面は、本発明の第１８の局面において、
　前記対象回路素子と同じ種類の回路素子であって駆動動作が行われない回路素子であるダミー回路素子を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部による特性検出の検出結果に基づいて求められた前記対象回路素子の閾値電圧と前記ダミー回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第２１の局面は、本発明の第１７の局面において、
　温度を検出する温度検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記温度検出部で検出された温度に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする。

　本発明の第２２の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第２３の局面は、本発明の第２２の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記代表値と前記電気光学素子についての前記代表値との和に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第２４の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第２５の局面は、本発明の第２４の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最大値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最大値との和に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第２６の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第２７の局面は、本発明の第２６の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最小値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最小値との和に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第２８の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第２９の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする。

　本発明の第３０の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記駆動トランジスタの移動度を求める移動度取得部を更に備え、
　前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記移動度取得部によって求められた移動度に応じて、前記第２電源電圧の値を制御することを特徴とする。

　本発明の第３１の局面は、本発明の第３０の局面において、
　前記電源電圧制御部は、前記第２電源電圧の値Ｖ２が前記第１電源電圧の値Ｖ１よりも大きい場合には次式Ａを満たすように前記第２電源電圧の値Ｖ２を制御し、前記第２電源電圧の値Ｖ２が前記第１電源電圧の値Ｖ１よりも小さい場合には次式Ｂを満たすように前記第２電源電圧の値Ｖ２を制御することを特徴とする。
Ｖ２＞Ｖｌ＋Ｖｍａｘ＋（２×Ｉｍａｘ／β）^1/2　　・・・（Ａ）
Ｖ２＜Ｖｌ－Ｖｍａｘ－（２×Ｉｍａｘ／β）^1/2　　・・・（Ｂ）
ここで、Ｖｍａｘは前記電気光学素子の一方の電極と他方の電極間に印加される電圧の最大値であり、Ｉｍａｘは前記電気光学素子の一方の電極と他方の電極間を流れる電流の最大値であり、βは前記移動度取得部によって求められた移動度に比例するゲイン値である。

　本発明の第３２の局面は、本発明の第１７の局面において、
　前記電源電圧制御部は、前記第２電源電圧の値を前記第１電源電圧の値の変化方向と同じ方向に同じ値だけ変化させることを特徴とする。

　本発明の第３３の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路と、前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路とを備える表示装置の駆動方法であって、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得ステップと、
　前記複数の画素回路に供給される低レベル電源電圧および高レベル電源電圧のうち少なくとも前記低レベル電源電圧の値を制御する電源電圧制御ステップと
を含み、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記高レベル電源電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の陽極に接続され、
　　前記電気光学素子の陰極には、前記低レベル電源電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御ステップでは、前記閾値電圧変化量取得ステップで求められた変化量に応じて、前記低レベル電源電圧の値が制御されることを特徴とする。

　本発明の第３４の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路と、前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路とを備える表示装置の駆動方法であって、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得ステップと、
　前記複数の画素回路に供給される第１レベル電圧および第２レベル電圧のうちの一方である第１電源電圧の値を少なくとも制御する電源電圧制御ステップと
を含み、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記第２レベル電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の一方の電極に接続され、
　　前記電気光学素子の他方の電極には、前記第１レベル電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御ステップでは、前記閾値電圧変化量取得ステップで求められた変化量に応じて、前記第１電源電圧の値が制御されることを特徴とする。

　本発明の第１の局面によれば、駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として当該対象回路素子の閾値電圧の変化量が求められ、その変化量に応じて低レベル電源電圧の値が調整される。このため、階調電圧範囲（所望の階調表示を行うために必要とされるデータ電圧の範囲）を対象回路素子の特性の変化の程度に応じてシフトさせることができる。これにより、階調破綻の発生が防止される。また、階調破綻の発生が防止されることから、表示装置の長寿命化の効果も得られる。以上より、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の特性の変化を補償することのできる表示装置が実現される。

　本発明の第２の局面によれば、画素回路内の回路素子の特性を検出するための構成要素を活用しつつ、低レベル電源電圧の値を調整することができる。

　本発明の第３の局面によれば、階調破綻を引き起こすことなく時間の経過による回路素子の劣化を補償することのできる表示装置が実現される。

　本発明の第４の局面によれば、特性検出の結果に基づく閾値電圧とダミー回路素子の閾値電圧との差に基づいて、閾値電圧の変化量が求められる。このため、画素回路内の回路素子の劣化を、環境に起因するものと点灯に起因するものとに分けて考えることが可能となる。そして、その求められた変化量を用いて低レベル電源電圧の値を調整するとともに特性検出の結果に基づいて映像信号の補正を行うことにより、パネルの外周条件や環境条件が初期時点から変化していても、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の劣化を効果的に補償することが可能となる。

　本発明の第５の局面によれば、温度に基づいて、閾値電圧の変化量が求められる。これにより、駆動トランジスタの特性の検出を行うことなく、低レベル電源電圧の値を調整することが可能となる。

　本発明の第６の局面によれば、低レベル電源電圧の値は、全画素についての閾値電圧の変化量の「平均値」または「最大値と最小値との平均値」または「中央値」に相当する電圧値だけ、基準時における値よりも低い値に設定される。このため、高階調側においても低階調側においてもできるだけ階調破綻が生じることのないよう、回路素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第７の局面によれば、高階調側においても低階調側においてもできるだけ階調破綻が生じることのないよう、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第８の局面によれば、低レベル電源電圧の値は、全画素についての閾値電圧の変化量の最大値に相当する電圧値だけ、基準時における値よりも低い値に設定される。このため、階調電圧範囲の上限値が効果的に低くなる。これにより、高階調側での階調破綻の発生が効果的に防止される。

　本発明の第９の局面によれば、高階調側での階調破綻の発生を効果的に防止しつつ、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第１０の局面によれば、低レベル電源電圧の値は、全画素についての閾値電圧の変化量の最小値に相当する電圧値だけ、基準時における値よりも低い値に設定される。このため、低レベル電源電圧の値の調整後においても、階調電圧範囲の下限値ができるだけ高い値で維持される。これにより、低階調側での階調破綻の発生が防止される。

　本発明の第１１の局面によれば、低階調側での階調破綻の発生を防止しつつ、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第１２の局面によれば、各種条件を考慮しつつ低レベル電源電圧の値が調整される。このため、階調破綻の発生を効果的に防止しつつ、回路素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第１３の局面によれば、本発明の第１２の局面と同様、階調破綻の発生を効果的に防止しつつ、回路素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第１４の局面によれば、低レベル電源電圧の値が調整されることに伴って、高レベル電源電圧の値も調整される。これにより、消費電力の低減が可能となる。

　本発明の第１５の局面によれば、高レベル電源電圧の値を調整することに起因する動作不良の発生が防止される。

　本発明の第１６の局面によれば、低レベル電源電圧の値が調整されることに伴って、高レベル電源電圧の値も調整される。これにより、消費電力の低減が可能となる。

　本発明の第１７の局面によれば、駆動トランジスタおよび電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として当該対象回路素子の閾値電圧の変化量が求められ、その変化量に応じて電源電圧（画素回路内に与えられる２つのレベルの電源電圧のうちの少なくとも一方の電圧）の値が調整される。このため、階調電圧範囲（所望の階調表示を行うために必要とされるデータ電圧の範囲）を対象回路素子の特性の変化の程度に応じてシフトさせることができる。これにより、階調破綻の発生が防止される。また、階調破綻の発生が防止されることから、表示装置の長寿命化の効果も得られる。以上より、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の特性の変化を補償することのできる表示装置が実現される。

　本発明の第１８の局面によれば、画素回路内の回路素子の特性を検出するための構成要素を活用しつつ、画素回路内に与えられる電源電圧の値を調整することができる。

　本発明の第１９の局面によれば、階調破綻を引き起こすことなく時間の経過による回路素子の劣化を補償することのできる表示装置が実現される。

　本発明の第２０の局面によれば、特性検出の結果に基づく閾値電圧とダミー回路素子の閾値電圧との差に基づいて、閾値電圧の変化量が求められる。このため、画素回路内の回路素子の劣化を、環境に起因するものと点灯に起因するものとに分けて考えることが可能となる。そして、その求められた変化量を用いて電源電圧（画素回路内に与えられる２つのレベルの電源電圧のうちの少なくとも一方の電圧）の値を調整するとともに特性検出の結果に基づいて映像信号の補正を行うことにより、パネルの外周条件や環境条件が初期時点から変化していても、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の劣化を効果的に補償することが可能となる。

　本発明の第２１の局面によれば、温度に基づいて、閾値電圧の変化量が求められる。これにより、駆動トランジスタの特性の検出を行うことなく、画素回路内に与えられる２つのレベルの電源電圧のうちの少なくとも一方の電圧の値を調整することが可能となる。

　本発明の第２２の局面によれば、第１電源電圧（第１レベル電圧および第２レベル電圧のうちの一方の電圧）の値は、全画素についての閾値電圧の変化量の「平均値」または「最大値と最小値との平均値」または「中央値」に相当する電圧値だけ、基準時における値よりも第２電源電圧（第１レベル電圧および第２レベル電圧のうちの第１電源電圧とは異なる方の電圧）との差が大きくなるような値に設定される。このため、高階調側においても低階調側においてもできるだけ階調破綻が生じることのないよう、回路素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第２３の局面によれば、高階調側においても低階調側においてもできるだけ階調破綻が生じることのないよう、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第２４の局面によれば、第１電源電圧の値は、全画素についての閾値電圧の変化量の最大値に相当する電圧値だけ、基準時における値よりも第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定される。このため、階調電圧範囲の上限値が低くなることにより高階調側での階調破綻の発生が効果的に防止される、もしくは、階調電圧範囲の下限値が高くなることにより低階調側での階調破綻の発生が効果的に防止される。

　本発明の第２５の局面によれば、高階調側もしくは低階調側での階調破綻の発生を効果的に防止しつつ、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第２６の局面によれば、第１電源電圧の値は、全画素についての閾値電圧の変化量の最小値に相当する電圧値だけ、基準時における値よりも第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定される。このため、第１電源電圧の値の調整後においても、階調電圧範囲の下限値ができるだけ高い値で維持される、もしくは、階調電圧範囲の上限値ができるだけ低い値で維持される。これにより、低階調側もしくは高階調側での階調破綻の発生が防止される。

　本発明の第２７の局面によれば、低階調側もしくは高階調側での階調破綻の発生を防止しつつ、駆動トランジスタおよび電気光学素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第２８の局面によれば、各種条件を考慮しつつ第１電源電圧の値が調整される。このため、階調破綻の発生を効果的に防止しつつ、回路素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第２９の局面によれば、本発明の第２８の局面と同様、階調破綻の発生を効果的に防止しつつ、回路素子の特性の変化を補償することが可能となる。

　本発明の第３０の局面によれば、第１電源電圧の値が調整されることに伴って、第２電源電圧の値も調整される。これにより、消費電力の低減が可能となる。

　本発明の第３１の局面によれば、第２電源電圧の値を調整することに起因する動作不良の発生が防止される。

　本発明の第３２の局面によれば、第１電源電圧の値が調整されることに伴って、第２電源電圧の値も調整される。これにより、消費電力の低減が可能となる。

　本発明の第３３の局面によれば、本発明の第１の局面と同様の効果を表示装置の駆動方法の発明において奏することができる。

　本発明の第３４の局面によれば、本発明の第１７の局面と同様の効果を表示装置の駆動方法の発明において奏することができる。

本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。上記実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。上記実施形態において、ゲートドライバの動作について説明するためのタイミングチャートである。上記実施形態において、出力部内の出力／電流モニタ回路の入出力信号について説明するための図である。上記実施形態において、画素回路および出力／電流モニタ回路の構成を示す回路図である。上記実施形態において、各行の動作の推移について説明するための図である。上記実施形態において、モニタ行についての１水平走査期間の詳細を説明するためのタイミングチャートである。上記実施形態において、通常動作が行われる際の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態において、モニタ行に含まれる画素回路（ｉ行ｊ列の画素回路）の動作を説明するためのタイミングチャートである。上記実施形態において、検出準備期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態において、ＴＦＴ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態において、ＯＬＥＤ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態において、ＴＦＴ特性検出期間の詳細について説明するためのタイミングチャートである。上記実施形態において、発光準備期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態において、発光期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態における効果について説明するための図である。上記実施形態における効果について説明するための図である。ローレベル電源電圧の調整方法について説明するための図である。ローレベル電源電圧の調整方法について説明するための図である。ローレベル電源電圧の調整方法について説明するための図である。ローレベル電源電圧の調整方法について説明するための図である。ローレベル電源電圧の調整方法について説明するための図である。ローレベル電源電圧の調整方法について説明するための図である。ローレベル電源電圧の調整方法について説明するための図である。上記実施形態の第５の変形例において、ダミー画素について説明するための図である。上記実施形態の第６の変形例における有機ＥＬ表示装置の全体構成を示すブロック図である。上記実施形態の第６の変形例において、ＴＦＴ用温度－閾値電圧対応テーブルの構成を示す模式図である。上記実施形態の第６の変形例において、ＴＦＴ用温度－移動度対応テーブルの構成を示す模式図である。上記実施形態の第７の変形例における画素回路の構成を示す回路図である。上記実施形態の第７の変形例において、ＴＦＴ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態の第７の変形例において、ＯＬＥＤ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態の第８の変形例における画素回路の構成を示す回路図である。上記実施形態の第８の変形例において、ＴＦＴ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。上記実施形態の第８の変形例において、ＯＬＥＤ特性検出期間の電流の流れについて説明するための図である。従来の一般的な画素回路の構成を示す回路図である。図３６に示す画素回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。２５６階調の階調表示が可能な有機ＥＬ表示装置についての初期状態における、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤとローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳとドライバ出力範囲と階調電圧範囲との関係の一例を示す図である。階調破綻について説明するための図である。

　以下、添付図面を参照しながら、本発明の一実施形態について説明する。なお、以下においては、ｍおよびｎは２以上の整数、ｉは１以上ｎ以下の整数、ｊは１以上ｍ以下の整数であると仮定する。また、以下においては、画素回路内に設けられている駆動トランジスタの特性のことを「ＴＦＴ特性」といい、画素回路内に設けられている有機ＥＬ素子の特性のことを「ＯＬＥＤ特性」という。

　＜１．全体構成＞
　図１は、本発明の一実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置１は、表示部１０，コントロール回路２０，ソースドライバ（データ線駆動回路）３０，ゲートドライバ（走査線駆動回路）４０，補正データ記憶部５０，有機ＥＬ用ハイレベル電源６１，および有機ＥＬ用ローレベル電源６２を備えている。なお、ソースドライバ３０およびゲートドライバ４０の一方または双方が表示部１０と一体的に形成された構成であっても良い。本実施形態においては、コントロール回路２０によって閾値電圧変化量取得部および移動度取得部が実現されている。

　表示部１０には、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）およびこれらに直交するｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）が配設されている。以下では、データ線の延伸方向をＹ方向とし、走査線の延伸方向をＸ方向とする。Ｙ方向に沿った構成要素を「列」という場合があり、Ｘ方向に沿った構成要素を「行」という場合がある。また、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）と１対１で対応するように、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が配設されている。走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）とは互いに平行になっている。さらに、表示部１０には、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）とｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）との交差点に対応するように、ｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられている。このようにｎ×ｍ個の画素回路１１が設けられることによって、ｎ行×ｍ列の画素マトリクスが表示部１０に形成されている。また、表示部１０には、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給するハイレベル電源線と、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給するローレベル電源線とが配設されている。

　なお、以下においては、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）を互いに区別する必要がない場合にはデータ線を単に符号Ｓで表す。同様に、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）を互いに区別する必要がない場合には走査線を単に符号Ｇ１で表し、ｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）を互いに区別する必要がない場合にはモニタ制御線を単に符号Ｇ２で表す。

　本実施形態におけるデータ線Ｓは、画素回路１１内の有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光させるための輝度信号を伝達する信号線として用いられるだけでなく、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性の検出用の制御電位を画素回路１１に与えるための信号線およびＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を表す電流であって後述する出力／電流モニタ回路３３０で測定可能な電流の経路となる信号線としても用いられる。

　コントロール回路２０は、ソースドライバ３０にデータ信号ＤＡおよびソース制御信号ＳＣＴＬを与えることによりソースドライバ３０の動作を制御し、ゲートドライバ４０にゲート制御信号ＧＣＴＬを与えることによりゲートドライバ４０の動作を制御する。ソース制御信号ＳＣＴＬには、例えば、ソーススタートパルス，ソースクロック，ラッチストローブ信号が含まれている。ゲート制御信号ＧＣＴＬには、例えば、ゲートスタートパルス，ゲートクロック，およびアウトプットイネーブル信号が含まれている。また、コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯを受け取り、補正データ記憶部５０に格納されている補正データの更新を行う。なお、モニタデータＭＯとは、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を求めるために測定されたデータである。

　コントロール回路２０には、電源電圧制御部２０１が含まれている。電源電圧制御部２０１は、有機ＥＬ用ハイレベル電源６１に電圧制御信号ＣＴＬ１を与えることによって、有機ＥＬ用ハイレベル電源６１から出力されるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を制御し、有機ＥＬ用ローレベル電源６２に電圧制御信号ＣＴＬ２を与えることによって、有機ＥＬ用ローレベル電源６２から出力されるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を制御する。なお、それらをどのように制御するのかについての詳しい説明は後述する。

　ゲートドライバ４０は、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）に接続されている。ゲートドライバ４０は、シフトレジスタおよび論理回路などによって構成されている。ところで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１においては、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性に基づいて、外部から送られる映像信号（上記データ信号ＤＡの元となるデータ）に補正が施される。これに関し、本実施形態では、各フレームにおいて、１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。すなわち、或るフレームに１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われると、次のフレームには２行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われ、さらに次のフレームには３行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。このようにして、ｎフレーム期間をかけて、ｎ行分のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。なお、本明細書においては、任意のフレームに着目したときにＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われている行のことを「モニタ行」といい、モニタ行以外の行のことを「非モニタ行」という。

　ここで、１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるフレームを（ｋ＋１）フレーム目と定義すると、ｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）は、（ｋ＋１）フレーム目には図２に示すように駆動され、（ｋ＋２）フレーム目には図３に示すように駆動され、（ｋ＋ｎ）フレーム目には図４に示すように駆動される。なお、図２～図４に関し、ハイレベルの状態がアクティブな状態である。また、図２～図４では、モニタ行についての１水平走査期間を符号ＴＨｍで表し、非モニタ行についての１水平走査期間を符号ＴＨｎで表している。

　図２～図４より把握されるように、モニタ行と非モニタ行とで１水平走査期間の長さが異なっている。詳しくは、モニタ行についての１水平走査期間の長さは、非モニタ行についての１水平走査期間の長さの４倍になっている。但し、本発明はこれには限定されない。非モニタ行については、一般的な表示装置と同様、１フレーム期間中に１回の選択期間がある。モニタ行については、一般的な表示装置とは異なり、１フレーム期間中に２回の選択期間がある。１回目の選択期間は１水平走査期間ＴＨｍ中の最初の４分の１の期間であり、２回目の選択期間は１水平走査期間ＴＨｍ中の最後の４分の１の期間である。なお、モニタ行についての１水平走査期間ＴＨｍに関する更に詳しい説明は後述する。

　図２～図４に示すように、各フレームにおいて、非モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態で維持される。モニタ行に対応するモニタ制御線Ｇ２については、１水平走査期間ＴＨｍ中の選択期間以外の期間（走査線Ｇ１が非アクティブな状態になっている期間）に、アクティブな状態で維持される。本実施形態においては、以上のようにｎ本の走査線Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）およびｎ本のモニタ制御線Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）が駆動されるよう、ゲートドライバ４０が構成されている。なお、モニタ行において１フレーム期間中に走査線Ｇ１に２回のパルスを発生させるためには、コントロール回路２０からゲートドライバ４０に送られるアウトプットイネーブル信号の波形を公知の手法を用いて制御すれば良い。

　ソースドライバ３０は、ｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）に接続されている。ソースドライバ３０は、駆動信号発生回路３１と、信号変換回路３２と、ｍ個の出力／電流モニタ回路３３０からなる出力部３３とによって構成されている。出力部３３内のｍ個の出力／電流モニタ回路３３０はそれぞれｍ本のデータ線Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）のうちの対応するデータ線Ｓに接続されている。

　駆動信号発生回路３１には、シフトレジスタ，サンプリング回路，およびラッチ回路が含まれている。駆動信号発生回路３１において、シフトレジスタは、ソースクロックに同期して、ソーススタートパルスを入力端から出力端へと順次に転送する。ソーススタートパルスのこの転送に応じて、シフトレジスタから各データ線Ｓに対応するサンプリングパルスが出力される。サンプリング回路は、サンプリングパルスのタイミングに従って１行分のデータ信号ＤＡを順次に記憶する。ラッチ回路は、サンプリング回路に記憶された１行分のデータ信号ＤＡをラッチストローブ信号に応じて取り込んで保持する。

　なお、本実施形態においては、データ信号ＤＡには、各画素の有機ＥＬ素子を所望の輝度で発光させるための輝度信号と、ＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出する際に画素回路１１の動作を制御するためのモニタ制御信号とが含まれている。

　信号変換回路３２には、Ｄ／ＡコンバータおよびＡ／Ｄコンバータが含まれている。上述のようにして駆動信号発生回路３１内のラッチ回路に保持された１行分のデータ信号ＤＡは、信号変換回路３２内のＤ／Ａコンバータによってアナログ電圧に変換される。その変換されたアナログ電圧は、出力部３３内の出力／電流モニタ回路３３０に与えられる。また、信号変換回路３２には、出力部３３内の出力／電流モニタ回路３３０からモニタデータＭＯが与えられる。そのモニタデータＭＯは、信号変換回路３２内のＡ／Ｄコンバータで、アナログ電圧からデジタル信号に変換される。そして、デジタル信号に変換されたモニタデータＭＯは、駆動信号発生回路３１を介してコントロール回路２０に与えられる。

　図５は、出力部３３内の出力／電流モニタ回路３３０の入出力信号について説明するための図である。出力／電流モニタ回路３３０には、信号変換回路３２からデータ信号ＤＡとしてのアナログ電圧Ｖｓが与えられる。そのアナログ電圧Ｖｓは、出力／電流モニタ回路３３０内のバッファを介してデータ線Ｓに印加される。また、出力／電流モニタ回路３３０はデータ線Ｓに流れている電流を測定する機能を有している。出力／電流モニタ回路３３０で測定されたデータは、モニタデータＭＯとして信号変換回路３２に与えられる。なお、出力／電流モニタ回路３３０の詳しい構成については後述する（図６参照）。

　補正データ記憶部５０には、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂが含まれている。なお、これら４つのメモリは、物理的には１つのメモリであっても良いし、物理的に異なるメモリであっても良い。補正データ記憶部５０は、外部から送られる映像信号の補正に使用される補正データを記憶している。詳しくは、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａは、ＴＦＴ特性の検出結果に基づくオフセット値（このオフセット値は、駆動トランジスタの閾値電圧に対応付けられる値である。）を補正データとして記憶する。ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂは、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づくオフセット値（このオフセット値は、有機ＥＬ素子の発光閾値電圧に対応付けられる値である。）を補正データとして記憶する。ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａは、ＴＦＴ特性の検出結果に基づくゲイン値（このゲイン値は、駆動トランジスタの移動度に対応付けられる値である。）を補正データとして記憶する。ＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂは、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づく劣化補正係数を補正データとして記憶する。なお、典型的には、表示部１０内の画素の数に等しい数のオフセット値およびゲイン値が、ＴＦＴ特性の検出結果に基づく補正データとして、それぞれＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａおよびＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに記憶される。また、典型的には、表示部１０内の画素の数に等しい数のオフセット値および劣化補正係数が、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づく補正データとして、それぞれＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂおよびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに記憶される。但し、複数の画素毎に１つの値が各メモリに記憶されるようにしても良い。

　上述したように、コントロール回路２０は、モニタデータＭＯに基づいて補正データの更新を行う。詳しくは、コントロール回路２０は、ソースドライバ３０から与えられるモニタデータＭＯに基づいて、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内の劣化補正係数を更新する。また、コントロール回路２０は、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のオフセット値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のゲイン値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内の劣化補正係数を読み出して、回路素子の劣化が補償されるよう、映像信号の補正を行う。その補正によって得られたデータが、データ信号ＤＡとしてソースドライバ３０に送られる。

　有機ＥＬ用ハイレベル電源６１は、表示部１０にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値は、電源電圧制御部２０１から出力される電圧制御信号ＣＴＬ１に基づいて制御される。有機ＥＬ用ローレベル電源６２は、表示部１０にローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は、電源電圧制御部２０１から出力される電圧制御信号ＣＴＬ２に基づいて制御される。

　＜２．画素回路および出力／電流モニタ回路の構成＞
　＜２．１　画素回路＞
　図６は、画素回路１１および出力／電流モニタ回路３３０の構成を示す回路図である。なお、図６に示す画素回路１１は、ｉ行ｊ列の画素回路１１である。この画素回路１１は、１個の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ，３個のトランジスタＴ１～Ｔ３，および１個のコンデンサＣｓｔを備えている。トランジスタＴ１は画素を選択する入力トランジスタとして機能し、トランジスタＴ２は有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの電流の供給を制御する駆動トランジスタとして機能し、トランジスタＴ３はＴＦＴ特性やＯＬＥＤ特性を検出するか否かを制御するモニタ制御トランジスタとして機能する。

　トランジスタＴ１は、データ線Ｓ（ｊ）とトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇ１（ｉ）にゲート端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、トランジスタＴ１のドレイン端子にゲート端子が接続され、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤにドレイン端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子（陽極）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ３については、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子にドレイン端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のドレイン端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子（陰極）は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。

　なお、トランジスタＴ２に関し、ゲート端子が制御端子に相当し、ドレイン端子が第１導通端子に相当し、ソース端子が第２導通端子に相当する。

　ところで、図３６に示した構成においては、コンデンサＣｓｔは、トランジスタＴ２のゲート－ソース間に設けられていた。これに対して、本実施形態においては、コンデンサＣｓｔは、トランジスタＴ２のゲート－ドレイン間に設けられている。この理由は次のとおりである。本実施形態においては、１フレーム期間中に、トランジスタＴ３をオンにした状態でデータ線Ｓ（ｊ）の電位を変動させる制御が行われる。仮にトランジスタＴ２のゲート－ソース間にコンデンサＣｓｔが設けられていると、データ線Ｓ（ｊ）の電位の変動に応じてトランジスタＴ２のゲート電位も変動する。そうすると、トランジスタＴ２のオン／オフ状態が所望の状態とはならないことが生じ得る。そこで、本実施形態においては、データ線Ｓ（ｊ）の電位の変動に応じてトランジスタＴ２のゲート電位が変動することのないよう、図６に示すようにトランジスタＴ２のゲート－ドレイン間にコンデンサＣｓｔが設けられている。但し、データ線Ｓ（ｊ）の電位の変動がトランジスタＴ２のゲート電位に及ぼす影響が小さい場合には、トランジスタＴ２のゲート－ソース間にコンデンサＣｓｔが設けられていても良い。

　＜２．２　画素回路内のトランジスタについて＞
　本実施形態においては、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３はすべてｎチャネル型である。また、本実施形態においては、トランジスタＴ１～Ｔ３には、酸化物ＴＦＴ（酸化物半導体をチャネル層に用いた薄膜トランジスタ）が採用されている。

　以下、酸化物ＴＦＴに含まれる酸化物半導体層について説明する。酸化物半導体層は、例えば、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体層である。酸化物半導体層は、例えばＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系の半導体を含む。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物である。Ｉｎ、ＧａおよびＺｎの割合（組成比）は、特に限定されない。例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２などでもよい。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴは、高い移動度（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて２０倍を超える移動度）と低いリーク電流（アモルファスシリコンＴＦＴに比べて１００分の１未満のリーク電流）を有するので、画素回路内の駆動ＴＦＴ（上記トランジスタＴ２）およびスイッチングＴＦＴ（上記トランジスタＴ１）として好適に用いられる。Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体層を有するＴＦＴを用いれば、表示装置の消費電力を大幅に削減することができる。

　Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体は、アモルファスでもよく、結晶質部分を含み、結晶性を有していてもよい。結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体としては、ｃ軸が層面に概ね垂直に配向した結晶質Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体が好ましい。このようなＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体の結晶構造は、例えば日本の特開２０１２－１３４４７５号公報に開示されている。

　酸化物半導体層は、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系半導体に代えて、他の酸化物半導体を含んでいてもよい。例えばＺｎ－Ｏ系半導体（ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｚｎ－Ｏ系半導体（ＩＺＯ（登録商標））、Ｚｎ－Ｔｉ－Ｏ系半導体（ＺＴＯ）、Ｃｄ－Ｇｅ－Ｏ系半導体、Ｃｄ－Ｐｂ－Ｏ系半導体、ＣｄＯ（酸化カドニウム）、Ｍｇ－Ｚｎ－Ｏ系半導体、Ｉｎ―Ｓｎ―Ｚｎ―Ｏ系半導体（例えばＩｎ₂Ｏ₃－ＳｎＯ₂－ＺｎＯ）、Ｉｎ－Ｇａ－Ｓｎ－Ｏ系半導体などを含んでいてもよい。

　＜２．３　出力／電流モニタ回路＞
　図６を参照しつつ、本実施形態における出力／電流モニタ回路３３０の詳細な構成について説明する。この出力／電流モニタ回路３３０には、オペアンプ３３１とコンデンサ３３２とスイッチ３３３とが含まれている。オペアンプ３３１については、反転入力端子はデータ線Ｓ（ｊ）に接続され、非反転入力端子にはデータ信号ＤＡとしてのアナログ電圧Ｖｓが与えられる。コンデンサ３３２およびスイッチ３３３は、オペアンプ３３１の出力端子とデータ線Ｓ（ｊ）との間に設けられている。以上のように、この出力／電流モニタ回路３３０は積分回路で構成されている。このような構成において、制御クロック信号Ｓｃｌｋによってスイッチ３３３がオン状態にされると、オペアンプ３３１の出力端子－反転入力端子間が短絡状態となる。これにより、オペアンプ３３１の出力端子およびデータ線Ｓ（ｊ）の電位がアナログ電圧Ｖｓの電位と等しくなる。データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流の測定が行われる際には、制御クロック信号Ｓｃｌｋによってスイッチ３３３がオフ状態にされる。これにより、コンデンサ３３２の存在に起因して、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流の大きさに応じてオペアンプ３３１の出力端子の電位が変化する。そのオペアンプ３３１からの出力はモニタデータＭＯとして信号変換回路３２内のＡ／Ｄコンバータに送られる。なお、本実施形態においては、この出力／電流モニタ回路３３０とコントロール回路２０とによって特性検出部が実現されている。

　＜３．駆動方法＞
　＜３．１　概要＞
　次に、本実施形態における駆動方法について説明する。上述したように、本実施形態においては、各フレームに１つの行のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。各フレームにおいて、モニタ行についてはＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出を行うための動作（以下、「特性検出動作」という。）が行われ、非モニタ行については通常動作が行われる。すなわち、１行目についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるフレームを（ｋ＋１）フレーム目と定義すると、図７に示すように、各行の動作は推移する。また、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われると、その検出結果を用いて、補正データ記憶部５０内の補正データの更新が行われる。そして、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データを用いて、回路素子（トランジスタＴ２，有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の劣化が補償されるよう、映像信号の補正が行われる。さらに、本実施形態においては、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出結果を用いて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値およびハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値が制御される。なお、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値およびハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を制御する時間の間隔は特に限定されない。

　図８は、モニタ行についての１水平走査期間ＴＨｍの詳細を説明するためのタイミングチャートである。図８に示すように、モニタ行についての１水平走査期間ＴＨｍは、モニタ行においてＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性を検出する準備が行われる期間（以下、「検出準備期間」という。）Ｔａと、ＴＦＴ特性を検出するための電流測定が行われる期間（以下、「ＴＦＴ特性検出期間」という。）Ｔｂと、ＯＬＥＤ特性を検出するための電流測定が行われる期間（以下、「ＯＬＥＤ特性検出期間」という。）Ｔｃと、モニタ行において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを発光させる準備が行われる期間（以下、「発光準備期間」という。）Ｔｄとによって構成されている。

　検出準備期間Ｔａには、走査線Ｇ１はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態とされ、データ線Ｓには電位Ｖｍｇが与えられる。ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、走査線Ｇ１は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２はアクティブな状態とされ、データ線Ｓには電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、走査線Ｇ１は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２はアクティブな状態とされ、データ線Ｓには電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。発光準備期間Ｔｄには、走査線Ｇ１はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２は非アクティブな状態とされ、データ線Ｓにはモニタ行に含まれる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの目標輝度に応じたデータ電位Ｄが与えられる。なお、電位Ｖｍｇ，電位Ｖｍ＿ＴＦＴ，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄについての詳しい説明は後述する。

　＜３．２　画素回路の動作＞
　＜３．２．１　通常動作＞
　各フレームにおいて、非モニタ行では、通常動作が行われる。非モニタ行に含まれる画素回路１１では、目標輝度に対応するデータ電位Ｖｄａｔａに基づく書き込みが選択期間に行われた後、トランジスタＴ１はオフ状態で維持される。データ電位Ｖｄａｔａに基づく書き込みによってトランジスタＴ２はオン状態となる。トランジスタＴ３についてはオフ状態で維持される。以上より、図９で符号７１で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　＜３．２．２　特性検出動作＞
　各フレームにおいて、モニタ行では、特性検出動作が行われる。図１０は、モニタ行に含まれる画素回路１１（ｉ行ｊ列の画素回路１１とする）の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、図１０では、ｉ行目がモニタ行とされるフレームにおけるｉ行目の１回目の選択期間開始時点を基準にして「１フレーム期間」を表している。また、ここでは、モニタ行における１フレーム期間のうちの上述した１水平走査期間ＴＨｍ以外の期間のことを「発光期間」という。発光期間には符号ＴＬを付している。

　検出準備期間Ｔａには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態で維持される。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態で維持される。また、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には電位Ｖｍｇが与えられる。この電位Ｖｍｇに基づく書き込みによってコンデンサＣｓｔが充電され、トランジスタＴ２がオン状態となる。以上より、検出準備期間Ｔａには、図１１で符号７２で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。但し、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光するのは極めて短い時間である。

　ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となり、トランジスタＴ３はオン状態となる。また、この期間にはデータ線Ｓ（ｊ）に電位Ｖｍ＿ＴＦＴが与えられる。なお、後述するＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、データ線Ｓ（ｊ）に電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。また、上述したように、検出準備期間Ｔａに、電位Ｖｍｇに基づく書き込みが行われている。

　ここで、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されているオフセット値に基づいて求められるトランジスタＴ２の閾値電圧をＶｔｈ（Ｔ２）とすると、次式（１），（２）が成立するように、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ＴＦＴ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）＜Ｖｍｇ　…（１）
　Ｖｍｇ＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＋Ｖｔｈ（Ｔ２）　…（２）
また、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されているオフセット値に基づいて求められる有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの発光閾値電圧をＶｔｈ（ｏｌｅｄ）とすると、次式（３）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ＴＦＴ＜ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）　…（３）
さらに、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの降伏電圧をＶｂｒ（ｏｌｅｄ）とすると、次式（４）が成立するように電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ＴＦＴ＞ＥＬＶＳＳ－Ｖｂｒ（ｏｌｅｄ）　…（４）

　以上のように、検出準備期間Ｔａに上式（１），（２）を満たす電位Ｖｍｇに基づく書き込みが行われた後、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには上式（１），（３），および（４）を満たす電位Ｖｍ＿ＴＦＴがデータ線Ｓ（ｊ）に与えられる。上式（１）より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、トランジスタＴ２はオン状態となる。また、上式（３），（４）より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流は流れない。

　以上より、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには、図１２で符号７３で示す矢印のように、トランジスタＴ２を流れる電流が、トランジスタＴ３を介してデータ線Ｓ（ｊ）に出力される。これにより、データ線Ｓ（ｊ）に出力された電流（シンク電流）が、出力／電流モニタ回路３３０によって測定される。以上のようにして、トランジスタＴ２のゲート－ソース間の電圧を所定の大きさ（Ｖｍｇ－Ｖｍ＿ＴＦＴ）にした状態で当該トランジスタＴ２のドレイン－ソース間を流れる電流の大きさが測定され、ＴＦＴ特性が検出される。

　ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態で維持され、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）はアクティブな状態で維持される。このため、この期間には、トランジスタＴ１はオフ状態で維持され、トランジスタＴ３はオン状態で維持される。また、上述したように、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄが与えられる。

　ここで、上式（２）および次式（５）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。
　ＥＬＶＳＳ＋Ｖｔｈ（ｏｌｅｄ）＜Ｖｍ＿ｏｌｅｄ　…（５）
また、トランジスタＴ２の降伏電圧をＶｂｒ（Ｔ２）とすると、次式（６）が成立するように電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値が設定されている。
　Ｖｍ＿ｏｌｅｄ＜Ｖｍｇ＋Ｖｂｒ（Ｔ２）　…（６）

　以上のように、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、上式（２），（５），および（６）を満たす電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄがデータ線Ｓ（ｊ）に与えられる。上式（２），（６）より、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、トランジスタＴ２はオフ状態となる。また、上式（５）より、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れる。

　以上より、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには、図１３で符号７４で示す矢印のように、データ線Ｓ（ｊ）からトランジスタＴ３を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。この状態において、データ線Ｓ（ｊ）に流れている電流が出力／電流モニタ回路３３０によって測定される。以上のようにして、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（陽極）－カソード（陰極）間の電圧を所定の大きさ（Ｖｍ＿ｏｌｅｄ－ＥＬＶＳＳ）にした状態で当該有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを流れる電流の大きさが測定され、ＯＬＥＤ特性が検出される。

　なお、電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値については、上式（１）～（６）の他、採用されている出力／電流モニタ回路３３０での電流の測定可能範囲なども考慮して決定される。

　ここで、出力／電流モニタ回路３３０内のスイッチ３３３のオン／オフ状態の変化について説明する。スイッチ３３３がオフ状態からオン状態に切り替えられると、コンデンサ３３２に蓄積された電荷が放電される。その後、スイッチ３３３がオン状態からオフ状態に切り替えられると、コンデンサ３３２への充電が開始される。そして、出力／電流モニタ回路３３０が積分回路として動作する。なお、スイッチ３３３は、データ線Ｓに流れている電流を測定しようとする期間、オフ状態で維持される。具体的には、まず、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂに、スイッチ３３３をオン状態にしてデータ線Ｓに電位Ｖｍ＿ＴＦＴを与えた後、スイッチ３３３をオフ状態にしてデータ線Ｓに流れている電流を測定する。次に、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃに、スイッチ３３３をオン状態にしてデータ線Ｓに電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄを与えた後、スイッチ３３３をオフ状態にしてデータ線Ｓに流れている電流を測定する。

　ところで、本実施形態においては、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには２種類の電位（Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１およびＶｍ＿ＴＦＴ＿２）に基づいてＴＦＴ特性の検出が行われる。具体的には、スイッチ３３３のオン／オフ状態を切り替えるための制御クロック信号Ｓｃｌｋおよびデータ線Ｓ（ｊ）に与える電位（Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１およびＶｍ＿ＴＦＴ＿２）をＴＦＴ特性検出期間Ｔｂ中に図１４に示すように制御することによって、期間Ｔｂ１には電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿１に基づいてＴＦＴ特性が検出され、期間Ｔｂ２には電位Ｖｍ＿ＴＦＴ＿２に基づいてＴＦＴ特性が検出される。同様に、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃにおいても、２種類の電位に基づいてＯＬＥＤ特性が検出される。

　トランジスタＴ２の閾値電圧をＶｔｈとし、トランジスタＴ２のゲインをβとし、トランジスタＴ２のゲート－ソース間電圧をＶｇｓとすると、トランジスタＴ２が飽和領域で動作するときトランジスタＴ２のドレイン－ソース間を流れる電流Ｉ（Ｔ２）は次式（７）で表される。
　Ｉ（Ｔ２）＝（β／２）×（Ｖｇｓ－Ｖｔｈ）² …（７）
　ここで、トランジスタＴ２のゲインβは次式（８）で表される。
　β＝μ×（Ｗ／Ｌ）×Ｃｏｘ　…（８）
　上式（８）において、μ、Ｗ、Ｌ、およびＣｏｘは、それぞれ、トランジスタＴ２の移動度、ゲート幅、ゲート長、および単位面積あたりのゲート絶縁膜容量を表している。

　上式（８）に関し、μ（移動度）はトランジスタＴ２の劣化の程度に応じて変化する。従って、β（ゲイン）はトランジスタＴ２の劣化の程度に応じて変化する。また、上式（７）に関し、βに加えてＶｔｈ（閾値電圧）もトランジスタＴ２の劣化の程度に応じて変化する。上述したように本実施形態においてはＴＦＴ特性検出期間Ｔｂには２種類の電位に基づいて電流測定が行われるので、それらの結果を上式（７）に代入することによって得られる２つの式に基づく連立方程式を解くことによって、ＴＦＴ特性の検出が行われた時点におけるトランジスタＴ２の閾値電圧とゲインを求めることができる。なお、上式（８）から把握されるようにβ（ゲイン）とμ（移動度）とは比例関係にあるので、ゲインを求めることは移動度を求めることに相当する。

　発光準備期間Ｔｄには、走査線Ｇ１（ｉ）はアクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態とされる。これにより、トランジスタＴ１はオン状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態となる。また、この期間には、データ線Ｓ（ｊ）には目標輝度に応じたデータ電位Ｄ（ｉ，ｊ）が与えられる。このデータ電位Ｄ（ｉ，ｊ）に基づく書き込みによってコンデンサＣｓｔが充電され、トランジスタＴ２がオン状態となる。以上より、発光準備期間Ｔｄには、図１５で符号７５で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　発光期間ＴＬには、走査線Ｇ１（ｉ）は非アクティブな状態とされ、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）は非アクティブな状態で維持される。これにより、トランジスタＴ１はオフ状態となり、トランジスタＴ３はオフ状態で維持される。トランジスタＴ１はオフ状態となるが、発光準備期間Ｔｄ中に目標輝度に応じたデータ電位Ｄ（ｉ，ｊ）に基づく書き込みによってコンデンサＣｓｔが充電されていることから、トランジスタＴ２はオン状態で維持される。従って、発光期間ＴＬには、図１６で符号７６で示す矢印のように、トランジスタＴ２を介して有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに駆動電流が供給される。これにより、駆動電流に応じた輝度で有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。すなわち、発光期間ＴＬには、目標輝度に応じて有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが発光する。

　本実施形態においては、以上のようにして、各フレームにつき１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われる。これにより、ｎフレーム期間をかけて、ｎ行分のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出される。

　なお、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性を検出する手法については、上述の手法には限定されない。例えば、上述した回路構成とは異なる回路構成を採用することもできるし、上述したシーケンスとは異なるシーケンスで各回路素子の特性を検出するようにしても良い。

　＜３．３　補正データの更新および映像信号の補正＞
　ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出されると、検出結果に基づいて、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データが更新される。詳しくは、ＴＦＴ特性検出期間Ｔｂに上述のようにしてトランジスタＴ２の閾値電圧およびトランジスタＴ２の移動度に相当するゲイン値が求められるので、その求められた閾値電圧に相当するオフセット値が新たなオフセット値としてＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されるとともに、その求められたゲイン値が新たなゲイン値としてＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに格納される。また、ＯＬＥＤ特性検出期間Ｔｃには有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化補正係数が求められるので、その求められた閾値電圧に相当するオフセット値が新たなオフセット値としてＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されるとともに、その求められた劣化補正係数が新たな劣化補正係数としてＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納される。なお、本実施形態においては、各フレームに１つの行についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出が行われるので、１フレーム期間につき、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａ内のｍ個のオフセット値，ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａ内のｍ個のゲイン値，ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ内のｍ個のオフセット値，およびＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂ内のｍ個の劣化補正係数の更新が行われる。

　コントロール回路２０は、回路素子の劣化が補償されるよう、補正データ記憶部５０に記憶されている補正データを用いて映像信号の補正を行う。なお、後述するように、本実施形態においては、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフト（初期時点からの閾値電圧の変化）の大きさに応じて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点における値よりも低い値に設定される。ここでは、初期時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値と映像信号の補正が行われる時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値との差をΔＶで表す。

　映像信号のガンマ補正後の電圧をＶｃとし、ＴＦＴ用ゲインメモリ５２ａに格納されているゲイン値をＢ１とし、ＯＬＥＤ用ゲインメモリ５２ｂに格納されている劣化補正係数をＢ２とし、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａに格納されているオフセット値をＶｔ１とし、ＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂに格納されているオフセット値をＶｔ２とすると、補正後の電圧Ｖｄａｔａは次式（９）で求められる。
　Ｖｄａｔａ＝Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２－ΔＶ　…（９）

　上式（９）で求められた電圧Ｖｄａｔａを表すデジタル信号が、データ信号ＤＡとしてコントロール回路２０からソースドライバ３０に送られる。なお、画素回路１１内の寄生容量に起因するデータ電位の減衰が補償されるよう、次式（１０）によって補正後の電圧Ｖｄａｔａを求めるようにしても良い。
　Ｖｄａｔａ＝Ｚ（Ｖｃ・Ｂ１・Ｂ２＋Ｖｔ１＋Ｖｔ２－ΔＶ）　…（１０）
ここで、Ｚは、データ電位の減衰を補償するための係数である。

　＜３．４　ローレベル電源電圧（ＥＬＶＳＳ）の制御＞
　本実施形態においては、階調破綻の発生を防止するために、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性の検出結果に基づいて、電源電圧制御部２０１によってローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が制御される。以下、本実施形態においてどのようにローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が制御されるのかについて説明する。

　上述したように、本実施形態においては、ｎフレーム期間をかけて、ｎ行分のＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出される。すなわち、ｎフレーム期間毎に、表示部１０内の全ての画素についてのＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出される。これにより全ての画素についてのトランジスタＴ２（駆動トランジスタ）および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフトが求められるが、回路素子の劣化の程度にはばらつきがある。すなわち、トランジスタＴ２および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフトの大きさは画素毎に異なる。ここで、本実施形態においては、表示部１０内の全ての画素における閾値シフトの大きさの平均値が、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を制御するための値として用いられる。

　全画素における閾値シフトの大きさの平均値をローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の制御に用いるために、コントロール回路２０は、まず、各画素について、初期時点におけるトランジスタＴ２の閾値電圧とＴＦＴ特性の検出が行われた時点におけるトランジスタＴ２の閾値電圧との差に基づいて、トランジスタＴ２の閾値シフトの大きさ（閾値電圧の変化量）を求める。また、コントロール回路２０は、各画素について、初期時点における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧とＯＬＥＤ特性の検出が行われた時点における有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧との差に基づいて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフトの大きさを求める。なお、説明の便宜上、このようにして求められた各回路素子についての閾値シフトの大きさのことを「算出変化値」という。また、本実施形態においては、トランジスタＴ２および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤによって、対象回路素子が実現されている。

　次に、コントロール回路２０は、トランジスタＴ２の閾値シフトに関し、全画素についての算出変化値の平均値を求める。コントロール回路２０は、また、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフトに関し、全画素についての算出変化値の平均値を求める。その後、コントロール回路２０は、それら平均値を用いて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を決定する。具体的には、初期時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値をＶ_(ELVSS)(0)とし、トランジスタＴ２についての算出変化値の平均値をΔＶｔｈ_(TFT)(AVE)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての算出変化値の平均値をΔＶｔｈ_(OLED)(AVE)とすると、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値Ｖ_(ELVSS)は次式（１１）によって求められる。
　Ｖ_(ELVSS)＝Ｖ_(ELVSS)(0)－ΔＶｔｈ_(TFT)(AVE)－ΔＶｔｈ_(OLED)(AVE)　…（１１）

　上式（１１）から把握されるように、本実施形態においては、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）についての閾値シフトの大きさの平均値と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての閾値シフトの大きさの平均値との和に相当する電圧値だけ、初期時点における値よりも低い値に設定される。通常、閾値シフトは時間の経過とともに大きくなるので、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は時間の経過とともに低くなる。

　本実施形態においては、以上のようにしてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が制御される。なお、次式（１２）に示すようにトランジスタＴ２のみの閾値シフトの大きさに基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を求めるようにしても良いし、次式（１３）に示すように有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのみの閾値シフトの大きさに基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を求めるようにしても良い。
　Ｖ_(ELVSS)＝Ｖ_(ELVSS)(0)－ΔＶｔｈ_(TFT)(AVE)　…（１２）
　Ｖ_(ELVSS)＝Ｖ_(ELVSS)(0)－ΔＶｔｈ_(OLED)(AVE)　…（１３）

　＜３．５　ハイレベル電源電圧（ＥＬＶＤＤ）の制御＞
　本実施形態においては、上述のようにローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が制御されるのに伴って、電源電圧制御部２０１によってハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値も制御される。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を制御するのは消費電力を低減するためである。以下、本実施形態においてどのようにハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値が制御されるのかについて説明する。

　本実施形態においては、ＴＦＴ特性が検出されることによって全ての画素についてのトランジスタＴ２（駆動トランジスタ）のゲイン（移動度に比例する値）が求められるが、トランジスタＴ２の劣化の程度にはばらつきがある。すなわち、トランジスタＴ２のゲインは画素毎に異なる。ここで、本実施形態においては、表示部１０内の全ての画素におけるゲインの平均値が、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を制御するための値として用いられる。

　具体的には、初期時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値をＶ_(ELVSS)(0)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（陽極）－カソード（陰極）間に印加される電圧の最大値をＶｏｌｅｄとし、トランジスタＴ２のオーバードライブ電圧（ゲート－ソース間電圧と閾値電圧との差）の最大値を“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”とすると、制御後のハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値Ｖ_(ELVDD)は次式（１４）を満たすように求められる。
　Ｖ_(ELVDD)＞Ｖ_(ELVSS)＋Ｖｏｌｅｄ＋Ｖｇｓ－Ｖｔｈ　…（１４）
上式（１４）は、飽和状態を満たす条件を表す式である。

　ところで、トランジスタＴ２が飽和領域で動作するとき、トランジスタＴ２のオーバードライブ電圧“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”については、次式（１５）が成立する。
　Ｖｇｓ－Ｖｔｈ＝（２×Ｉｏｌｅｄ／β）^1/2 　…（１５）
　ただし、上式（１５）において、Ｉｏｌｅｄは有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（陽極）－カソード（陰極）間を流れる電流の大きさを表し、βはトランジスタＴ２のゲインを表している。

　ここで、上式（１５）のβには、トランジスタＴ２についての全画素のゲインの最小値が代入される。それによって得られた“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”の値が、上式（１４）の“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”に代入される。すなわち、制御後のハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値Ｖ_(ELVDD)は次式（１６）を満たすように求められると考えても良い。
　Ｖ_(ELVDD)＞Ｖ_(ELVSS)＋Ｖｏｌｅｄ＋（２×Ｉｏｌｅｄ／β）^1/2 　…（１６）

　なお、移動度（ゲイン）の検出が行われない場合にハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値をローレベル電源電圧の値の変化方向と同じ方向に同じ値だけ変化させるようにしても良い。

　本実施形態においては、以上のようにしてハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値が制御される。これにより、例えばローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点よりも低い値になったときに、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を上式（１６）を満たす範囲内でできるだけ低い値に設定することによって、消費電力が低減される。

　＜４．効果＞
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１には、画素回路１１内の駆動トランジスタ（トランジスタＴ２）および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの特性を検出するモニタ機能が設けられている。そのモニタ機能によって、駆動トランジスタおよび有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧が求められる。各画素の閾値電圧が所定期間毎に求められるので、各画素の駆動トランジスタの閾値シフトおよび各画素の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフトを求めることができる。そして、図１７で符号７８の矢印で示すように、全画素の算出変化値（閾値シフトの大きさ）の平均値に相当する値だけ、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点における値よりも低い値に設定される。これにより、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整前に比べて、階調電圧範囲（所望の階調表示を行うために必要とされるデータ電圧の範囲）が全体的に低くなる。このため、補償のための補正後のデータ電圧のうち従来技術において階調破綻を引き起こしていた電圧が、ドライバ出力範囲内の電圧となる（図１８参照）。その結果、階調破綻の発生が防止される。また、階調破綻の発生が防止されることから、有機ＥＬ表示装置の長寿命化の効果も得られる。以上のように、本実施形態によれば、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の劣化を補償することのできる有機ＥＬ表示装置が実現される。

　また、本実施形態によれば、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点における値よりも低い値に設定されることに伴って、図１７で符号７９の矢印で示すように、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値についても初期時点における値よりも低い値に設定される。これにより、消費電力が低減される。なお、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値については、必ずしも調整される必要はない。

　さらに、本実施形態においては、トランジスタＴ２および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのそれぞれについて、全ての画素における閾値シフトの大きさ（算出変化値）の平均値が求められる。そこで、ＴＦＴ用オフセットメモリ５１ａやＯＬＥＤ用オフセットメモリ５１ｂ（図１参照）に、「各画素の算出変化値」と「全画素の算出変化値の平均値」との差分の値を格納するようにしても良い。このように、差分の値をメモリに格納することによって、この有機ＥＬ表示装置１に必要とされるメモリの容量を低減することができる。

　＜５．変形例＞
　以下、上記実施形態の変形例について説明する。なお、以下においては、上記実施形態と異なる点についてのみ詳しく説明し、上記実施形態と同様の点については説明を省略する。

　＜５．１　第１の変形例＞
　上記実施形態においては、全画素についての算出変化値（閾値シフトの大きさ）の平均値に基づいて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が調整されていた。しかしながら、本発明はこれに限定されない。全画素についての算出変化値のうちの最大値と最小値との真ん中の値（すなわち、全画素についての算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値）に基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を調整するようにしても良い。また、全画素についての算出変化値の中央値（メディアン）に基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を調整するようにしても良い。

　すなわち、全画素についての算出変化値の平均値，全画素についての算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および全画素についての算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、代表値に相当する電圧値だけ、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を初期時点における値よりも低い値に設定するようにしても良い。

　＜５．２　第２の変形例＞
　上記実施形態においては、全画素についての算出変化値（閾値シフトの大きさ）の平均値に基づいて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が調整されていた。しかしながら、本発明はこれに限定されない。本変形例においては、全画素の算出変化値のうちの最大値に基づいて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が調整される。

　具体的には、初期時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値をＶ_(ELVSS)(0)とし、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）についての算出変化値の最大値をΔＶｔｈ_(TFT)(MAX)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての算出変化値の最大値をΔＶｔｈ_(OLED)(MAX)とすると、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値Ｖ_(ELVSS)は次式（１７）によって求められる。
　Ｖ_(ELVSS)＝Ｖ_(ELVSS)(0)－ΔＶｔｈ_(TFT)(MAX)－ΔＶｔｈ_(OLED)(MAX)　…（１７）

　本変形例によれば、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は、トランジスタＴ２についての閾値シフトの大きさの最大値と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての閾値シフトの大きさの最大値との和に相当する電圧値だけ、初期時点における値よりも低い値に設定される。このため、階調電圧範囲の上限値が効果的に低くなる。これにより、高階調側での階調破綻の発生が効果的に防止される。

　＜５．３　第３の変形例＞
　本変形例においては、全画素の算出変化値のうちの最小値に基づいて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が調整される。具体的には、初期時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値をＶ_(ELVSS)(0)とし、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）についての算出変化値の最小値をΔＶｔｈ_(TFT)(MIN)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての算出変化値の最小値をΔＶｔｈ_(OLED)(MIN)とすると、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値Ｖ_(ELVSS)は次式（１８）によって求められる。
　Ｖ_(ELVSS)＝Ｖ_(ELVSS)(0)－ΔＶｔｈ_(TFT)(MIN)－ΔＶｔｈ_(OLED)(MIN)　…（１８）

　本変形例によれば、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は、トランジスタＴ２についての閾値シフトの大きさの最小値と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての閾値シフトの大きさの最小値との和に相当する電圧値だけ、初期時点における値よりも低い値に設定される。このため、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整後においても、階調電圧範囲の下限値ができるだけ高い値で維持される。これにより、低階調側での階調破綻の発生が防止される。

　＜５．４　第４の変形例＞
　上記実施形態，上記第１の変形例，上記第２の変形例，および上記第３の変形例から把握されるように、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整方法については様々な方法が考えられる。これに関し、次の（Ａ）～（Ｅ）の条件を満たしているケースについて検討する。
（Ａ）初期時点（ｔａ）におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は０Ｖであって、仮に閾値電圧の値（ここでは、駆動トランジスタの閾値電圧の値と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧の値との和）が０Ｖであれば、階調電圧範囲（所望の階調表示を行うために必要とされるデータ電圧の範囲）は３Ｖ～７Ｖである。
（Ｂ）全画素において初期時点（ｔａ）における閾値シフトの大きさは０Ｖである。
（Ｃ）時点ｔｂにおける全画素の算出変化値の最小値は１Ｖである。
（Ｄ）時点ｔｂにおける全画素の算出変化値の最大値は３．５Ｖである。
（Ｅ）時点ｔｂにおける全画素の算出変化値の平均値は２Ｖである。
なお、説明の便宜上、算出変化値が最小である画素のことを「最小シフト画素」といい、算出変化値が最大である画素のことを「最大シフト画素」という。また、図１９～図２５では、最小シフト画素における階調電圧範囲を符号８１の矢印で表し、最大シフト画素における階調電圧範囲を符号８２の矢印で表している。

　上記のケースにおいて、時点ｔｂに全画素の算出変化値の最大値に相当する値だけローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点における値よりも低い値に設定された場合（第１の変形例を参照）、図１９に示すように、最小シフト画素における階調電圧範囲は０．５Ｖ～４．５Ｖとなり、最大シフト画素における階調電圧範囲は３Ｖ～７Ｖとなる。また、上記のケースにおいて、時点ｔｂに全画素の算出変化値の平均値に相当する値だけローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点における値よりも低い値に設定された場合（上記実施形態を参照）、図２０に示すように、最小シフト画素における階調電圧範囲は２Ｖ～６Ｖとなり、最大シフト画素における階調電圧範囲は４．５Ｖ～８．５Ｖとなる。さらに、上記のケースにおいて、時点ｔｂに全画素の算出変化値の最小値に相当する値だけローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が初期時点における値よりも低い値に設定された場合（第２の変形例を参照）、図２１に示すように、最小シフト画素における階調電圧範囲は３Ｖ～７Ｖとなり、最大シフト画素における階調電圧範囲は５．５Ｖ～９．５Ｖとなる。

　ここで、ドライバ出力範囲が１Ｖ～１０Ｖであると仮定する。このとき、時点ｔｂに全画素の算出変化値の平均値に基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整が行われた場合には、図２２から把握されるように、最小シフト画素においても最大シフト画素においても階調破綻は生じない。これに対して、時点ｔｂに全画素の算出変化値の最大値に基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整が行われた場合には、図２３から把握されるように、最小シフト画素において低階調部分で階調破綻が生じる。

　また、ドライバ出力範囲が０Ｖ～８Ｖであると仮定する。このとき、時点ｔｂに全画素の算出変化値の平均値に基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整が行われた場合には、図２４から把握されるように、最大シフト画素において高階調部分で階調破綻が生じる。これに対して、時点ｔｂに全画素の算出変化値の最大値に基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整が行われた場合には、図２５から把握されるように、最小シフト画素においても最大シフト画素においても階調破綻は生じない。

　以上のことから把握されるように、全画素の算出変化値の平均値，全画素の算出変化値の最大値，全画素の算出変化値の最小値，ドライバ出力範囲，および階調電圧幅に応じて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を調整する際の最適な手法は異なる。

　そこで、本変形例においては、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は、全画素の算出変化値の平均値と全画素の算出変化値の最大値と全画素の算出変化値の最小値とドライバ出力範囲と階調電圧幅との関係に基づいて決定される電圧値だけ、初期時点における値よりも低い値に設定される。

　なお、全画素の算出変化値の最小値に基づいてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値の調整が行われた場合には全体的に階調電圧範囲がわずかしか低くならないことが考えられる。従って、全画素の算出変化値の平均値と全画素の算出変化値の最大値とドライバ出力範囲と階調電圧幅との関係に基づいて決定される電圧値だけ制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を初期時点における値よりも低い値に設定するようにしても良い。

　また、全画素についての算出変化値の平均値，全画素についての算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および全画素についての算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を、代表値と全画素の算出変化値の最大値と全画素の算出変化値の最小値とドライバ出力範囲と階調電圧幅との関係に基づいて決定される電圧値だけ、初期時点における値よりも低い値に設定するようにしても良い。さらに、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を、代表値と全画素の算出変化値の最大値とドライバ出力範囲と階調電圧幅との関係に基づいて決定される電圧値だけ、初期時点における値よりも低い値に設定するようにしても良い。

　さらにまた、階調破綻の発生を防止する手法としては、初期時点において階調電圧範囲の上限値および下限値をそれぞれドライバ出力範囲の上限値および下限値からある程度離れた値に設定することや、閾値シフトの大きさの最大値と最小値との差の広がりを抑制できるような時間間隔でローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を調整することが考えられる。

　＜５．５　第５の変形例＞
　上記実施形態においては、初期時点における閾値電圧（トランジスタＴ２の閾値電圧の値と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧の値との和）と特性検出時点における閾値電圧との差に基づいて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を決定するための算出変化値（閾値電圧の変化量）が求められていた。しかしながら、本発明はこれに限定されない。パネル内に非点灯状態で維持するダミー画素を設け、特性検出の結果に基づいて求められた閾値電圧とダミー画素内の回路素子（トランジスタ、有機ＥＬ素子）の閾値電圧との差に基づいて、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を決定するための算出変化値を求めるようにしても良い。

　本変形例においては、図２６に示すように、パネル内の有効表示領域外の領域にダミー画素６４が設けられる。ダミー画素内には、ダミー回路素子として、駆動動作が行われないトランジスタおよび有機ＥＬ素子が設けられる。そして、コントロール回路２０は、各画素について、ＴＦＴ特性の検出結果に基づいて求められたトランジスタＴ２の閾値電圧とダミー画素内のトランジスタの閾値電圧との差に基づいて、トランジスタＴ２の算出変化値を求める。また、コントロール回路２０は、各画素について、ＯＬＥＤ特性の検出結果に基づいて求められた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧とダミー画素内の有機ＥＬ素子の閾値電圧との差に基づいて、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの算出変化値を求める。

　ところで、ダミー回路素子の劣化については、温度などの環境に起因するものとみなすことができる。これに対して、有効表示領域（アクティブエリア）内の回路素子の劣化については、環境に起因するものに加えて、点灯に起因するものがある。以上より、有効表示領域内の回路素子の劣化を、環境に起因するものと点灯に起因するものとに分けて考えることが可能となる。そして、上述のようにして求められた算出変化値を用いてローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を調整するとともに特性検出の結果に基づいて映像信号の補正を行うことにより、パネルの外周条件や環境条件が初期時点から変化していても、階調破綻を引き起こすことなく回路素子の劣化を効果的に補償することが可能となる。

　＜５．６　第６の変形例＞
　上記実施形態においては、回路素子（トランジスタＴ２、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ）の特性検出の結果に基づいて回路素子の閾値電圧が求められ、その求められた閾値電圧に基づいて算出変化値が求められていた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、温度に基づいて算出変化値を求めるようにしても良い。

　図２７は、本変形例における有機ＥＬ表示装置２の全体構成を示すブロック図である。この有機ＥＬ表示装置２には、上記実施形態における構成要素に加えて、温度センサ（温度検出部）６５が設けられている。また、コントロール回路２０には、３つのルックアップテーブル（ＴＦＴ用温度－閾値電圧対応テーブル２５ａ，ＯＬＥＤ用温度－閾値電圧対応テーブル２５ｂ，およびＴＦＴ用温度－移動度対応テーブル２６）が設けられている。

　温度センサ６５は、温度を検出する。その温度センサ６５によって得られた検出温度ＴＥＭは、コントロール回路２０に与えられる。図２８は、ＴＦＴ用温度－閾値電圧対応テーブル２５ａの構成を示す模式図である。図２８に示すように、ＴＦＴ用温度－閾値電圧対応テーブル２５ａには、温度とトランジスタの閾値電圧との対応関係が格納されている。同様に、ＯＬＥＤ用温度－閾値電圧対応テーブル２５ｂには、温度と有機ＥＬ素子の閾値電圧との対応関係が格納されている。図２９は、ＴＦＴ用温度－移動度対応テーブル２６の構成を示す模式図である。図２９に示すように、ＴＦＴ用温度－移動度対応テーブル２６には、温度とトランジスタの移動度との対応関係が格納されている。

　以上のような構成において、コントロール回路２０は、温度センサ６５によって得られた検出温度ＴＥＭに基づいて、トランジスタＴ２の閾値電圧および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧を取得する。さらに、コントロール回路２０は、このようにして取得したトランジスタＴ２の閾値電圧および有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値電圧に基づいて、トランジスタＴ２の閾値シフトの大きさおよび有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフトの大きさを求める。そして、初期時点におけるローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値をＶ_(ELVSS)(0)とし、トランジスタＴ２の閾値シフトの大きさをΔＶｔｈ_(TFT)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの閾値シフトの大きさをΔＶｔｈ_(OLED)とすると、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値Ｖ_(ELVSS)は次式（１９）によって求められる。
　Ｖ_(ELVSS)＝Ｖ_(ELVSS)(0)－ΔＶｔｈ_(TFT)－ΔＶｔｈ_(OLED)　…（１９）
そして、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が、上式（１９）によって求められた値に設定される。

　また、コントロール回路２０は、温度センサ６５によって得られた検出温度ＴＥＭに基づいて、トランジスタＴ２の移動度を取得する。そして、この移動度を用いて、上記実施形態と同様にしてハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値が調整される。

　本変形例によれば、ＴＦＴ特性の検出やＯＬＥＤ特性の検出を行うことなく、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値およびハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を調整することが可能となる。

　＜５．７　第７の変形例＞
　上記実施形態においては、図６に示す構成の画素回路１１が採用されていたが、本発明はこれに限定されない。図３０は、本変形例における画素回路１１の構成を示す回路図である。トランジスタＴ１は、データ線Ｓ（ｊ）とトランジスタＴ２のゲート端子との間に設けられている。そのトランジスタＴ１に関し、走査線Ｇ１（ｉ）にゲート端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと直列に設けられている。そのトランジスタＴ２に関し、トランジスタＴ１のドレイン端子にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子（陰極）にドレイン端子が接続され、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳにソース端子が接続されている。トランジスタＴ３については、モニタ制御線Ｇ２（ｉ）にゲート端子が接続され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのカソード端子にドレイン端子が接続され、データ線Ｓ（ｊ）にソース端子が接続されている。コンデンサＣｓｔについては、トランジスタＴ２のゲート端子に一端が接続され、トランジスタＴ２のドレイン端子に他端が接続されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード端子（陽極）は、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに接続されている。

　以上のような構成において、ＴＦＴ特性検出期間（図８のＴｂを参照）には図３１で符号７７で示す矢印のように電流が流れるよう、かつ、ＯＬＥＤ特性検出期間（図８のＴｃを参照）には図３２で符号７８で示す矢印のように電流が流れるよう電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値を設定することにより、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出される。そして、上記実施形態と同様にして、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値およびハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値が制御される。すなわち、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値は上式（１１）によって求められ、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値は上式（１６）を満たすように求められる。なお、上記実施形態と同様、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を上式（１２）または上式（１３）によって求めるようにしても良い。

　以上のように、図３０に示す構成の画素回路１１が採用されている場合にも、上記実施形態と同様の効果が得られる。

　＜５．８　第８の変形例＞
　上記実施形態においては、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３はｎチャネル型であった。しかしながら、本発明はこれに限定されず、画素回路１１内のトランジスタＴ１～Ｔ３にｐチャネル型のトランジスタを採用することもできる。図３３は、本変形例における画素回路１１の構成を示す回路図である。トランジスタＴ１～Ｔ３がｐチャネル型であるという点を除いては、本変形例における構成は上記実施形態における構成（図６参照）と同じである。

　本変形例では、ＴＦＴ特性検出期間（図８のＴｂを参照）には図３４で符号８３で示す矢印のように電流が流れるよう、かつ、ＯＬＥＤ特性検出期間（図８のＴｃを参照）には図３５で符号８４で示す矢印のように電流が流れるよう電位Ｖｍｇの値，電位Ｖｍ＿ＴＦＴの値，および電位Ｖｍ＿ｏｌｅｄの値を設定することにより、ＴＦＴ特性およびＯＬＥＤ特性が検出される。

　本変形例においては、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）についての算出変化値（閾値シフトの大きさ）の平均値と有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての算出変化値（閾値シフトの大きさ）の平均値とを用いて、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値が求められる。具体的には、初期時点におけるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値をＶ_(ELVDD)(0)とし、トランジスタＴ２についての算出変化値の平均値をΔＶｔｈ_(TFT)(AVE)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての算出変化値の平均値をΔＶｔｈ_(OLED)(AVE)とすると、制御後のハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値Ｖ_(ELVDD)は次式（２０）によって求められる。
　Ｖ_(ELVDD)＝Ｖ_(ELVDD)(0)＋ΔＶｔｈ_(TFT)(AVE)＋ΔＶｔｈ_(OLED)(AVE)　…（２０）

　なお、次式（２１）に示すようにトランジスタＴ２のみの閾値シフトの大きさに基づいてハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を求めるようにしても良いし、次式（２２）に示すように有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのみの閾値シフトの大きさに基づいてハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を求めるようにしても良い。
　Ｖ_(ELVDD)＝Ｖ_(ELVDD)(0)＋ΔＶｔｈ_(TFT)(AVE)　…（２１）
　Ｖ_(ELVDD)＝Ｖ_(ELVDD)(0)＋ΔＶｔｈ_(OLED)(AVE)　…（２２）

　また、本変形例においては、表示部１０内の全ての画素におけるゲインの平均値が、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を制御するための値として用いられる。具体的には、初期時点におけるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値をＶ_(ELVDD)(0)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤのアノード（陽極）－カソード（陰極）間に印加される電圧の最大値をＶｏｌｅｄとし、トランジスタＴ２のオーバードライブ電圧（ゲート－ソース間電圧と閾値電圧との差）の最大値を“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”とすると、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値Ｖ_(ELVSS)は次式（２３）を満たすように求められる。なお、Ｖｇｓ，Ｖｔｈは絶対値とする。
　Ｖ_(ELVSS)＜Ｖ_(ELVDD)－Ｖｏｌｅｄ－（Ｖｇｓ－Ｖｔｈ）　…（２３）
上式（２３）は、飽和状態を満たす条件を表す式である。

　上述したように、トランジスタＴ２が飽和領域で動作するとき、トランジスタＴ２のオーバードライブ電圧“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”については、上式（１５）が成立する。ここで、上式（１５）のβには、トランジスタＴ２についての全画素のゲインの最小値が代入される。それによって得られた“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”の値が、上式（２３）の“Ｖｇｓ－Ｖｔｈ”に代入される。すなわち、制御後のローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値Ｖ_(ELVSS)は次式（２４）を満たすように求められると考えても良い。
　Ｖ_(ELVSS)＜Ｖ_(ELVDD)－Ｖｏｌｅｄ－（２×Ｉｏｌｅｄ／β）^1/2 　…（２４）

　本変形例においては、以上のようにしてハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値およびローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値が制御される。これにより、図３３に示す構成の画素回路１１が採用されている場合にも、上記実施形態と同様の効果が得られる。

　なお、図３３に示す構成の画素回路１１が採用されている場合に、全画素の算出変化値のうちの最大値に基づいて、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を調整するようにしても良い（上記第２の変形例を参照）。具体的には、初期時点におけるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値をＶ_(ELVDD)(0)とし、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）についての算出変化値の最大値をΔＶｔｈ_(TFT)(MAX)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての算出変化値の最大値をΔＶｔｈ_(OLED)(MAX)としたときに、制御後のハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値Ｖ_(ELVDD)を次式（２５）によって求めるようにしても良い。
　Ｖ_(ELVDD)＝Ｖ_(ELVDD)(0)＋ΔＶｔｈ_(TFT)(MAX)＋ΔＶｔｈ_(OLED)(MAX)　…（２５）

　また、図３３に示す構成の画素回路１１が採用されている場合に、全画素の算出変化値のうちの最小値に基づいて、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値を調整するようにしても良い（上記第３の変形例を参照）。具体的には、初期時点におけるハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値をＶ_(ELVDD)(0)とし、トランジスタＴ２（駆動トランジスタ）についての算出変化値の最小値をΔＶｔｈ_(TFT)(MIN)とし、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤについての算出変化値の最小値をΔＶｔｈ_(OLED)(MIN)としたときに、制御後のハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤの値Ｖ_(ELVDD)を次式（２６）によって求めるようにしても良い。
　Ｖ_(ELVDD)＝Ｖ_(ELVDD)(0)＋ΔＶｔｈ_(TFT)(MIN)＋ΔＶｔｈ_(OLED)(MIN)　…（２６）

　＜６．その他＞
　本発明は、上記実施形態および上記各変形例に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。また、上記第１～第８の変形例を適宜組み合わせた構成を採用することもできる。例えば、上記第７の変形例における画素回路１１を採用しつつ、上記第１の変形例に記載しているようにローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳの値を調整するようにしても良い。

１，２…有機ＥＬ表示装置
１０…表示部
１１…画素回路
２０…コントロール回路
３０…ソースドライバ
４０…ゲートドライバ
５０…補正データ記憶部
６１…有機ＥＬ用ハイレベル電源
６２…有機ＥＬ用ローレベル電源
６５…温度センサ
２０１…電源電圧制御部
３３０…出力／電流モニタ回路
Ｔ１～Ｔ３…トランジスタ
Ｃｓｔ…コンデンサ
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
Ｇ１（１）～Ｇ１（ｎ）…走査線
Ｇ２（１）～Ｇ２（ｎ）…モニタ制御線
Ｓ（１）～Ｓ（ｍ）…データ線
ＥＬＶＤＤ…ハイレベル電源電圧，ハイレベル電源線
ＥＬＶＳＳ…ローレベル電源電圧，ローレベル電源線

Claims

　電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路を有する表示装置であって、
　前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、
　前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路と、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得部と、
　前記複数の画素回路に供給される低レベル電源電圧および高レベル電源電圧のうち少なくとも前記低レベル電源電圧の値を制御する電源電圧制御部と
を備え、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記高レベル電源電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の陽極に接続され、
　　前記電気光学素子の陰極には、前記低レベル電源電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御部は、前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量に応じて、前記低レベル電源電圧の値を制御することを特徴とする、表示装置。
　前記対象回路素子の特性を検出し、検出結果に基づいて前記対象回路素子の閾値電圧を求める特性検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部によって求められた閾値電圧に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、所定の基準時における前記対象回路素子の閾値電圧と前記特性検出部による特性検出が行われた時点における前記対象回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
　前記対象回路素子と同じ種類の回路素子であって駆動動作が行われない回路素子であるダミー回路素子を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部による特性検出の検出結果に基づいて求められた前記対象回路素子の閾値電圧と前記ダミー回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項２に記載の表示装置。
　温度を検出する温度検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記温度検出部で検出された温度に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記代表値と前記電気光学素子についての前記代表値との和に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項６に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最大値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最大値との和に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最小値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最小値との和に相当する電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記低レベル電源電圧の値を基準時における値よりも低い値に設定することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記駆動トランジスタの移動度を求める移動度取得部を更に備え、
　前記電源電圧制御部は、前記移動度取得部によって求められた移動度に応じて、前記高レベル電源電圧の値を制御することを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　前記電源電圧制御部は、以下の式を満たすように、前記高レベル電源電圧の値Ｖｈを制御することを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置：
Ｖｈ＞Ｖｌ＋Ｖｍａｘ＋（２×Ｉｍａｘ／β）^1/2
ここで、Ｖｌは前記低レベル電源電圧の値であり、Ｖｍａｘは前記電気光学素子の陽極－陰極間に印加される電圧の最大値であり、Ｉｍａｘは前記電気光学素子の陽極－陰極間を流れる電流の最大値であり、βは前記移動度取得部によって求められた移動度に比例するゲイン値である。
　前記電源電圧制御部は、前記高レベル電源電圧の値を前記低レベル電源電圧の値の変化方向と同じ方向に同じ値だけ変化させることを特徴とする、請求項１に記載の表示装置。
　電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路を有する表示装置であって、
　前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、
　前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路と、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得部と、
　前記複数の画素回路に供給される第１レベル電圧および第２レベル電圧のうちの一方である第１電源電圧の値を少なくとも制御する電源電圧制御部と
を備え、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記第２レベル電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の一方の電極に接続され、
　　前記電気光学素子の他方の電極には、前記第１レベル電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御部は、前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量に応じて、前記第１電源電圧の値を制御することを特徴とする、表示装置。
　前記対象回路素子の特性を検出し、検出結果に基づいて前記対象回路素子の閾値電圧を求める特性検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部によって求められた閾値電圧に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、所定の基準時における前記対象回路素子の閾値電圧と前記特性検出部による特性検出が行われた時点における前記対象回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項１８に記載の表示装置。
　前記対象回路素子と同じ種類の回路素子であって駆動動作が行われない回路素子であるダミー回路素子を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記特性検出部による特性検出の検出結果に基づいて求められた前記対象回路素子の閾値電圧と前記ダミー回路素子の閾値電圧との差に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項１８に記載の表示装置。
　温度を検出する温度検出部を更に備え、
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記温度検出部で検出された温度に基づいて、前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求めることを特徴とする、請求項１７記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記代表値と前記電気光学素子についての前記代表値との和に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項２２に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最大値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最大値との和に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項２４に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部は、前記対象回路素子として前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の双方の閾値電圧の変化量を求め、
　前記電源電圧制御部は、前記駆動トランジスタについての前記算出変化値の最小値と前記電気光学素子についての前記算出変化値の最小値との和に相当する電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項２６に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　前記閾値電圧変化量取得部によって求められた変化量の値を算出変化値と定義し、かつ、前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義し、かつ、前記複数の画素回路についての前記算出変化値の平均値，前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と最小値との平均値，および前記複数の画素回路についての前記算出変化値の中央値のうちの１つを代表値と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記代表値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最大値と、前記複数の画素回路についての前記算出変化値のうちの最小値と、前記データ線駆動回路が前記複数の画素回路に供給することのできるデータ電圧の範囲と、階調表示に必要な電圧の範囲との関係に基づいて決定される電圧値だけ、前記第１電源電圧の値を基準時における値よりも前記第２電源電圧との差が大きくなるような値に設定することを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　前記駆動トランジスタの移動度を求める移動度取得部を更に備え、
　前記第１レベル電圧および前記第２レベル電圧のうち前記第１電源電圧とは異なる方の電圧を第２電源電圧と定義したとき、前記電源電圧制御部は、前記移動度取得部によって求められた移動度に応じて、前記第２電源電圧の値を制御することを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　前記電源電圧制御部は、前記第２電源電圧の値Ｖ２が前記第１電源電圧の値Ｖ１よりも大きい場合には次式Ａを満たすように前記第２電源電圧の値Ｖ２を制御し、前記第２電源電圧の値Ｖ２が前記第１電源電圧の値Ｖ１よりも小さい場合には次式Ｂを満たすように前記第２電源電圧の値Ｖ２を制御することを特徴とする、請求項３０に記載の表示装置：
Ｖ２＞Ｖｌ＋Ｖｍａｘ＋（２×Ｉｍａｘ／β）^1/2　　・・・（Ａ）
Ｖ２＜Ｖｌ－Ｖｍａｘ－（２×Ｉｍａｘ／β）^1/2　　・・・（Ｂ）
ここで、Ｖｍａｘは前記電気光学素子の一方の電極と他方の電極間に印加される電圧の最大値であり、Ｉｍａｘは前記電気光学素子の一方の電極と他方の電極間を流れる電流の最大値であり、βは前記移動度取得部によって求められた移動度に比例するゲイン値である。
　前記電源電圧制御部は、前記第２電源電圧の値を前記第１電源電圧の値の変化方向と同じ方向に同じ値だけ変化させることを特徴とする、請求項１７に記載の表示装置。
　電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路と、前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路とを備える表示装置の駆動方法であって、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得ステップと、
　前記複数の画素回路に供給される低レベル電源電圧および高レベル電源電圧のうち少なくとも前記低レベル電源電圧の値を制御する電源電圧制御ステップと
を含み、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記高レベル電源電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の陽極に接続され、
　　前記電気光学素子の陰極には、前記低レベル電源電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御ステップでは、前記閾値電圧変化量取得ステップで求められた変化量に応じて、前記低レベル電源電圧の値が制御されることを特徴とする、駆動方法。
　電流によって輝度が制御される電気光学素子と前記電気光学素子に供給すべき電流を制御するための駆動トランジスタとを含む複数の画素回路と、前記複数の画素回路に階調表示用のデータ電圧を供給するための複数のデータ線と、前記複数のデータ線に前記データ電圧を印加するデータ線駆動回路とを備える表示装置の駆動方法であって、
　前記駆動トランジスタおよび前記電気光学素子の少なくとも一方を対象回路素子として前記対象回路素子の閾値電圧の変化量を求める閾値電圧変化量取得ステップと、
　前記複数の画素回路に供給される第１レベル電圧および第２レベル電圧のうちの一方である第１電源電圧の値を少なくとも制御する電源電圧制御ステップと
を含み、
　前記複数の画素回路の各々において、
　　前記駆動トランジスタの制御端子には、対応するデータ線によって供給されるデータ電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第１導通端子には、前記第２レベル電圧が与えられ、
　　前記駆動トランジスタの第２導通端子は、前記電気光学素子の一方の電極に接続され、
　　前記電気光学素子の他方の電極には、前記第１レベル電圧が与えられ、
　前記電源電圧制御ステップでは、前記閾値電圧変化量取得ステップで求められた変化量に応じて、前記第１電源電圧の値が制御されることを特徴とする、駆動方法。