WO2014069324A1

WO2014069324A1 - 表示装置用のデータ処理装置、それを備える表示装置、および表示装置用のデータ処理方法

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Publication number: WO2014069324A1
Application number: PCT/JP2013/078806
Authority: WO
Inventors: 純史太田; 高濱　健吾
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2012-10-31
Filing date: 2013-10-24
Publication date: 2014-05-08
Also published as: US20150279324A1; TWI598866B; TW201423702A; US9818373B2

Abstract

単位等価値取得部（１２３）は、温度センサ（１０１）、第１～第３ＬＵＴ（１０２～１０４）、および第１乗算部（１０５）を用いて常温単位等価使用時間Δｔｎを取得する。積算部（１０６）は、常温単位等価使用時間Δｔｎを積算して等価累積使用時間ｔｎを取得する。最大値検出部（１０８）は、最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘを検出する。除算部（１１１）は、第４ＬＵＴ（１０９）が取得したトータル劣化Ｅ（ｔｎｍａｘ，Ｔｎ）を第５ＬＵＴ（１１０）が取得したトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）で除して補正係数Ｋｃｍｐを取得する。これにより、電気光学素子の経時劣化および配線数の増大を抑制しつつ、焼き付きを防止することができる、表示装置用のデータ処理装置を提供する。

Description

表示装置用のデータ処理装置、それを備える表示装置、および表示装置用のデータ処理方法

　本発明は表示装置用のデータ処理装置に関し、より詳細には、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：ＯＬＥＤ）などの電気光学素子を表示素子とする表示装置用のデータ処理装置、そのデータ処理装置を備える表示装置、および表示装置用のデータ処理方法に関する。

　従来、表示装置が備える表示素子としては、印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子と流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子とがある。印加される電圧によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としては液晶表示素子が挙げられる。一方、流れる電流によって輝度が制御される電気光学素子の代表例としてはＯＬＥＤが挙げられる。ＯＬＥＤは、有機エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence：ＥＬ）素子とも呼ばれる。自発光型の電気光学素子であるＯＬＥＤを使用した有機ＥＬ表示装置は、一般的にバックライトおよびカラーフィルタなどを要する液晶表示装置に比べて、薄型化、低消費電力化、および高輝度化などを図ることができるので、近年積極的に開発が進められている。

　有機ＥＬ表示装置の駆動方式としては、パッシブマトリクス方式（単純マトリクス方式とも呼ばれる。）およびアクティブマトリクス方式の２種類がある。パッシブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置（以下「パッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置」という。）は、構造は単純であるものの、大型化および高精細化が困難である。これに対して、アクティブマトリクス方式を採用した有機ＥＬ表示装置（以下「アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置」という。）は、パッシブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置に比べて大型化および高精細化を容易に実現できる。

　有機ＥＬ表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素回路を含んでいる。また、アクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の画素回路は、典型的には、画素を選択する入力トランジスタと、ＯＬＥＤへの電流の供給を制御する駆動トランジスタとを含んでいる。以下では、駆動トランジスタからＯＬＥＤに流れる電流のことを「駆動電流」という場合がある。

　ところで、ＯＬＥＤは、その発光時間が長くなるにつれて劣化が進行し、結果として発光輝度が当初よりも低下することが知られている。すなわち、ＯＬＥＤの劣化が進行すると、当初と同じ駆動電流を流しても所望の発光輝度まで到達しない。以下では、ＯＬＥＤの発光時間が長くなるにつれて進行する劣化のことを「経時劣化」という。図１６は、ＯＬＥＤの経時劣化が表示に与える影響を説明するための図である。図１６に示すように、長時間白表示を継続させたエリアにおいて、ＯＬＥＤを発光させようとすると、所望の発光輝度よりも低い発光輝度でしか発光させることができない。これは、長時間白表示を継続させたエリアではＯＬＥＤの経時劣化が進行しているためである。一方、長時間黒表示を継続させたエリアでは、ＯＬＥＤの経時劣化が進行していないので、所望の発光輝度でＯＬＥＤを発光させることができる。このように、ある画素において、ＯＬＥＤの経時劣化が周囲の画素よりも進行すると、それらの画素の輝度差が視認される「焼き付き」という現象が生じる。

　そこで、特許文献１には、画素回路からＯＬＥＤの容量減少を検出し、ＯＬＥＤの経時劣化の程度とＯＬＥＤの容量減少との相関に基づいて、経時劣化が進行したＯＬＥＤに本来よりも大きい駆動電流を流すことにより輝度低下を補償する有機ＥＬ表示装置が開示されている。なお、特許文献１に開示された有機ＥＬ表示装置では、画素回路からＯＬＥＤの容量減少を検出するために電圧などを読み出すための読み出しブロックがデータドライバ内に設けられている。読み出しブロックは、読み出した電圧をコントローラに送信する。

　また、特許文献２には、コントローラに供給される映像信号を常時または定期的にサンプリングすることによって、経時劣化が最も進行しているＯＬＥＤを推定し、そのＯＬＥＤに本来よりも大きい駆動電流を流すことにより輝度低下を補償する有機ＥＬ表示装置が開示されている。

　また、特許文献３には、ＯＬＥＤの経時劣化が進行するにつれて増大するＯＬＥＤの端子間電圧を画素回路内のコンデンサに蓄積し、蓄積された当該端子間電圧を利用して輝度低下を補償する有機ＥＬ表示装置が開示されている。

米国特許出願公開第２００８／００８８６４８号明細書日本国特開２００３－１７７７１３号公報米国特許出願公開第２０１１／０１４１１６０号明細書日本国特開平６－３０３５９６号公報国際公開第１９９９／０７１５５号日本国特開２０１１－４０８３４号公報

K.FURUKAWA, et al.,"Development of the All-Phosphorescent OLED Product for Lighting Applications", KONICA MINOLTA TECHNOLOGY REPORT VOL.9, 2012

　ＯＬＥＤの経時劣化は、駆動電流が大きいと進行がより早まる。より詳細には、ＯＬＥＤを同じ時間だけ発光させた場合、ＯＬＥＤの経時劣化の程度は電流の２乗（すなわち電流のエネルギー）に比例する。上記特許文献１～３に開示された有機ＥＬ表示装置では、ＯＬＥＤの経時劣化の程度に応じてＯＬＥＤに流す駆動電流を大きくすることによって輝度低下を補償するので、焼き付きを防止できたとしても、結果としてＯＬＥＤの経時劣化を早めてしまう。また、上記特許文献１に開示された有機ＥＬ表示装置では、読み出しブロックを画素回路に接続するための配線と、読み出しブロックが読み出した電圧をコントローラに送信するための配線とが多数必要となる。

　そこで、本発明は、例えばＯＬＥＤである電気光学素子の経時劣化および配線数の増大を抑制しつつ、焼き付きを防止することができる、表示装置用のデータ処理装置、そのデータ処理装置を備える表示装置、および表示装置用のデータ処理方法を提供することを目的とする。

　本発明の第１の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子をそれぞれが有する複数の画素回路を含む表示装置用のデータ処理装置であって、
　各画素回路につき、少なくとも前記電気光学素子に流れた電流のエネルギーの累積値を反映した等価累積値を、当該電気光学素子の輝度に対応する階調データに基づいて取得する等価累積値取得部と、
　各画素回路につき、当該画素回路の等価累積値に基づいて、前記複数の画素回路の等価累積値の中で最大の等価累積値を基準として略１以下となる補正係数を取得する補正係数取得部と、
　前記階調データに前記補正係数を乗じた値を補正後階調データとして出力する補正部とを備えることを特徴とする。

　本発明の第２の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記等価累積値は、前記表示装置の周囲の温度に応じた前記電気光学素子の経時劣化を示す劣化係数をさらに反映し、
　前記等価累積値取得部は、
　　前記表示装置の周囲の温度を取得する温度取得部と、
　　前記表示装置の周囲の温度に基づいて前記劣化係数を取得する劣化係数取得部とを含み、
　　前記階調データおよび前記劣化係数に基づいて前記等価累積値を取得することを特徴とする。

　本発明の第３の局面は、本発明の第２の局面において、
　前記劣化係数は、所定の基準温度を基準とする前記表示装置の周囲の温度に応じた前記電気光学素子の経時劣化を示すことを特徴とする。

　本発明の第４の局面は、本発明の第３の局面において、
　前記等価累積値取得部は、
　　前記階調データと所定のタイミングで取得された前記劣化係数とに基づいて、所定の期間に前記電気光学素子に流れた電流および前記所定の期間における前記劣化係数を反映した単位等価値を取得する単位等価値取得部と、
　　前記単位等価値を積算して前記等価累積値を求める積算部とをさらに含むことを特徴とする。

　本発明の第５の局面は、本発明の第４の局面において、
　前記補正係数取得部は、
　　前記最大の等価累積値および各画素回路の等価累積値のそれぞれを前記基準温度における前記電気光学素子の輝度に変換する変換部と、
　　輝度に変換された前記最大の等価累積値を輝度に変換された各画素回路の等価累積値で除して前記補正係数を求める除算部とを含むことを特徴とする。

　本発明の第６の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記補正係数取得部は、各画素回路につき、前記最大の等価累積値と当該画素回路の等価累積値とに基づいて、当該画素回路の等価累積値が前記最大の等価累積値であるときには１となり、当該画素回路の等価累積値が前記最大の等価累積値以外であるときには１未満となる値を前記補正係数として取得することを特徴とする。

　本発明の第７の局面は、本発明の第１の局面において、
　前記等価累積値取得部、前記補正係数取得部、および前記補正部は、１つのチップセットとして実現されていることを特徴とする。

　本発明の第８の局面は、アクティブマトリクス型の表示装置であって、
　本発明の第１の局面から第７の局面までのいずれかに係るデータ処理装置と、
　複数のデータ線と、
　複数の走査線と、
　前記複数のデータ線および前記複数の走査線に対応して配置され、電流によって輝度が制御される前記電気光学素子をそれぞれが有する前記複数の画素回路と、
　前記複数のデータ線を駆動するデータ駆動部と、
　前記複数の走査線を駆動する走査駆動部と、
　前記データ駆動部および前記走査駆動部を制御すると共に、前記データ処理装置から前記補正後階調データを受け取り且つ当該補正後階調データに基づいて得られる駆動用階調データを前記データ駆動部に送信する表示制御部とを備えることを特徴とする。

　本発明の第９の局面は、本発明の第８の局面において、
　前記画素回路は、
　　前記走査線に制御端子が接続され、当該走査線が選択されているときにオン状態になる入力トランジスタと、
　　前記駆動用階調データに基づくデータ電圧が前記データ線および前記入力トランジスタを介して与えられる駆動容量素子と、
　　前記駆動容量素子が保持する電圧に応じて、前記電気光学素子に供給すべき電流を制御する駆動トランジスタとをさらに含むことを特徴とする。

　本発明の第１０の局面は、本発明の第９の局面において、
　前記入力トランジスタは、オン状態のときに、前記駆動トランジスタに流れる電流を前記データ線に出力可能であることを特徴とする。

　本発明の第１１の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記走査駆動部は、前記複数の走査線を順次選択することにより、前記画素回路に前記データ電圧の書き込みを行うための第１期間と、前記複数の走査線のうちの所定数の走査線を順次選択することにより、前記駆動トランジスタに流れる電流を、前記入力トランジスタを介して前記画素回路から前記データ線に出力するための第２期間とを交互に繰り返すと共に、選択すべき前記所定数の走査線を前記第２期間毎にシフトさせ、
　前記データ駆動部は、
　　前記第２期間で、前記データ線毎に、複数の階調のうちの比較的低い第１階調に対応する駆動用階調データに基づくデータ電圧に応じて前記電気光学素子に流れる電流を測定して第１測定データを取得し、前記複数の階調のうちの比較的低い高い第２階調に対応する駆動用階調データに基づくデータ電圧に応じて前記電気光学素子に流れる電流を測定して第２測定データを取得する電流測定部と、
　　前記第１期間および前記第２期間で、前記データ電圧を前記データ線に供給するデータ電圧供給部とを含み、
　前記表示制御部は、前記電流測定部が取得した前記第１測定データおよび前記第２測定データに基づいて前記補正後階調データを補正することにより、前記駆動用階調データを取得することを特徴とする。

　本発明の第１２の局面は、本発明の第１１の局面において、
　前記補正後階調データの補正に使用される補正データを記憶する記憶部をさらに備え、
　前記電流測定部は、前記第２期間で、前記第１測定データおよび前記第２測定データを前記表示制御部に送信し、
　前記表示制御部は、
　　前記第２期間では、前記第１階調および前記第２階調のそれぞれを示す駆動用階調データを前記データ駆動部に送信し、前記電流測定部から前記第１測定データおよび前記第２測定データを受信して、前記第１階調および前記第２階調に対応する理想的な前記駆動トランジスタの特性を示す理想特性データと受信した前記第１測定データおよび前記第２測定データとをそれぞれ比較した結果に基づいて前記補正データを更新し、
　　前記第１期間および前記第２期間では、前記記憶部から前記補正データを読み出し、当該補正データに基づいて前記補正後階調データを補正することを特徴とする。

　本発明の第１３の局面は、本発明の第１２の局面において、
　前記補正データは、前記駆動トランジスタの閾値電圧補償のための第１補正データと、前記駆動トランジスタのゲイン補償のための第２補正データとを含み、
　前記表示制御部は、前記第１測定データと前記理想特性データとを比較した結果に基づいて前記第１補正データを更新し、前記第２測定データと前記理想特性データとを比較した結果に基づいて前記第２補正データを更新することを特徴とする。

　本発明の第１４の局面は、本発明の第１１の局面において、
　前記表示制御部と前記データ駆動部とは、双方向通信バスを利用して前記駆動用階調データと前記第１測定データおよび前記第２測定データとの送受信を行うことを特徴とする。

　本発明の第１５の局面は、本発明の第１０の局面において、
　前記表示制御部は、
　　前記補正後階調データに基づいて、前記電気光学素子に流れると予測される電流に応じた前記駆動トランジスタの閾値電圧補償および前記駆動トランジスタのゲイン補償の少なくともいずれかのための補正データを取得し、
　　前記補正データに基づいて前記補正後階調データを補正することにより、前記駆動用階調データを取得することを特徴とする。

　本発明の第１６の局面は、電流によって輝度が制御される電気光学素子をそれぞれが有する複数の画素回路を含む表示装置用のデータ処理方法であって、
　各画素回路につき、少なくとも前記電気光学素子に流れた電流のエネルギーの累積値を反映した等価累積値を、当該電気光学素子の輝度に対応する階調データに基づいて取得する等価累積値取得ステップと、
　各画素回路につき、当該画素回路の等価累積値に基づいて、前記複数の画素回路の等価累積値の中で最大の等価累積値を基準として略１以下となる補正係数を取得する補正係数を取得する補正係数取得ステップと、
　前記階調データに前記補正係数を乗じた値を補正後階調データとして出力する補正ステップとを備えることを特徴とする。

　本発明の第１の局面によれば、各画素回路につき、当該画素回路の等価累積値に基づいて、複数の画素回路の等価累積値の中で最大の等価累積値を基準として略１以下となる補正係数が得られる。各画素回路の等価累積値は、少なくとも当該画素回路が有する電気光学素子に流れた電流（駆動電流）のエネルギーの累積値を反映するので、当該電気光学素子の経時劣化を表す。このため、上述のようにして得られた補正係数と階調データとの積を補正後階調データとすることにより、経時劣化が最も進行している電気光学素子を有する画素回路（以下「経時劣化が最も進行している画素回路」という場合がある。）を基準として、他の画素回路における階調が低下するように階調データが補正される。このため、駆動電流は、経時劣化が最も進行している画素回路を基準として他の画素回路で本来よりも小さくなる。これにより、電気光学素子の経時劣化を抑制しつつ、輝度補償を行って焼き付きを防止することができる。また、データ処理装置における階調データの補正のために画素回路からの各種パラメータの読み出し（電気光学素子の両端に印加される電圧または駆動電流など）は必要とされないので、配線数の増大を抑制することができる。

　本発明の第２の局面によれば、表示装置の周囲の温度に応じた電気光学素子の経時劣化を示す劣化係数が等価累積値にさらに反映される。電気光学素子の経時劣化は温度によっても変化するので、劣化係数をさらに反映した等価累積値を使用することによって正確な輝度補償を行うことができる。

　本発明の第３の局面によれば、所定の基準温度を基準とする劣化係数が取得される。このため、表示装置の周囲の温度を取得すれば、劣化係数は、例えば所定の式に基づいて決定することができる。これにより、電流のエネルギーの累積値と温度との相関データなどを予め保持しておく必要がない。したがって、データ処理装置に必要とされるメモリ容量を比較的小さくすることができる。

　本発明の第４の局面によれば、所定のタイミングで取得される単位等価値を積算して等価累積値を求めることにより、本発明の第３の局面と同様の効果を奏することができる。

　本発明の第５の局面によれば、輝度に変換された最大の等価累積値を輝度に変換された各画素回路の等価累積値で除して取得される補正係数を使用することで、より正確な輝度補償を行うことができる。

　本発明の第６の局面によれば、各画素回路の等価累積値が最大の等価累積値であるときには１となり、当該画素回路の等価累積値が最大の等価累積値以外であるときには１未満となる補正係数を使用することで、より正確な輝度補償を行うことができる。

　本発明の第７の局面によれば、等価累積値取得部、補正係数取得部、および補正部（すなわちデータ処理装置）が１つのチップセットとして実現されるので、省スペース化を図ることができる。

　本発明の第８の局面によれば、本発明の第１の局面から第７の局面のいずれかに係るデータ処理装置から受け取った補正後階調データに基づいて得られる駆動用階調データをデータ駆動部に送信することで、表示装置において、本発明の第１の局面から第７の局面のいずれかと同様の効果を奏することができる。また、データ処理装置と表示制御回部とを別部品とすることで、例えば従来の表示制御回部の前段に上記データ処理装置を設けることで、表示制御回部を特別な仕様に変更することなく上記効果を奏することができる。

　本発明の第９の局面によれば、入力トランジスタ、駆動容量素子、および駆動トランジスタを含む画素回路を使用して、本発明の第８の局面と同様の効果を確実に奏することができる。

　本発明の第１０の局面によれば、駆動電流をデータ線に出力可能となるので、例えばこの駆動電流を測定して、測定結果に基づく様々な補正を行うことができる。このため、各画素回路で所望の値に近い駆動電流を流すことができるので、データ処理装置における階調データの補正における誤差を低減することができる。また、駆動電流の画素回路からの読み出しにデータ線を使用するので、配線数の増大を抑制することができる。

　本発明の第１１の局面によれば、第２期間において、所定数の走査線が順次選択され、データ線毎に駆動電流が測定されることにより、画素回路毎に第１測定データおよび第２測定データが取得される。そして、取得された第１測定データおよび第２測定データ（以下、発明の効果の説明においてこれらを区別しない場合に単に「測定データ」という。）に基づいて補正後階調データが補正される。比較的低い第１階調に対応する補正後階調データに基づくデータ電圧に応じて駆動トランジスタが制御されるとき、当該駆動トランジスタの制御電圧（ゲート－ソース間電圧）が比較的小さいので、当該制御電圧に対する閾値電圧のずれは駆動電流に大きく反映される。これに対して、比較的高い第２階調に対応する補正後階調データに基づくデータ電圧に応じて駆動トランジスタが制御されるとき、当該駆動トランジスタの制御電圧が比較的大きいので、当該制御電圧に対する閾値電圧のずれは駆動電流に反映されにくい一方で、ゲインのずれは駆動電流に相対的に大きく反映される。このため、第１測定データは、閾値電圧のずれが大きく反映されたデータであり、第２測定データは、ゲインのずれが大きく反映されたデータである。以上のようにして、閾値電圧のずれが大きく反映された第１測定データおよびゲインのずれが大きく反映された第２測定データの双方に基づいて補正後階調データが補正されることにより、駆動トランジスタの閾値電圧補償およびゲイン補償の双方を画素回路毎に行うことができる。また、第２期間において、駆動電流の測定対象となる画素回路以外では、電気光学素子の発光を停止させる必要がないので、表示を行いつつ、補償を行うことができる。また、第２期間において取得した第１測定データおよび第２測定データに基づいて補正後階調データが補正されるので、駆動トランジスタの特性の経時変化に追従した補償を行うことができる。また、以上のように駆動トランジスタの閾値電圧補償およびゲイン補償が行われた駆動電流（所望の値に近い駆動電流）が各画素回路で流れるので、データ処理装置における階調データの補正の誤差を確実に低減することができる。

　本発明の第１２の局面によれば、補正データを記憶した記憶部を設け、理想特性データと測定データとの比較結果に基づいて補正データが更新される。このような補正データの更新を行うことにより、駆動トランジスタの特性の経時変化に追従した補償を確実に行うことができる。また、記憶部がデータ駆動部の外部に設けられるので、データ駆動部の構成を簡素化することができる。また、理想特性データを使用することにより補正データの更新を簡易な処理で行うことができる。

　本発明の第１３の局面によれば、第１補正データおよび第２補正データを用意し、第１測定データおよび第２測定データと理想特性データとを比較してそれぞれ第１補正データおよび第２補正データを更新することにより、本発明の第１２の局面と同様の効果を奏することができる。

　本発明の第１４の局面によれば、双方向通信バスが利用されるので、データ駆動部から表示制御部にデータを送信するための配線を別途設ける必要がない。このため、配線数の増大を抑制することができる。

　本発明の第１５の局面によれば、駆動電流を測定することなく、表示制御部で、駆動トランジスタの閾値電圧補償およびゲイン補償の少なくともいずれかのための補正後階調データの補正が行われる。このため、簡易な構成で、本発明の第１０の局面と同様の効果を奏することができる。

　本発明の第１６の局面によれば、表示装置用のデータ処理方法において、本発明の第１の局面と同様の効果を奏することができる。

本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。図１に示す表示部の構成を説明するためのブロック図である。図２に示す画素回路の一例を示す回路図である。ＯＬＥＤが時間経過と共に劣化する様子を説明するための図である。式（６）をグラフ化した図である。ＯＬＥＤの使用時間の換算を説明するための図である。常温での等価使用時間と一般温度での等価使用時間との関係を示す図である。式（１４）をグラフ化した図である。図１に示すデータ処理装置の機能的構成を示すブロック図である。本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。上記第２の実施形態における画素回路およびそれに対応するデータドライバ側の一部の構成要素を示す回路図である。図１１に示す画素回路およびそれに対応するデータドライバ側の一部の構成要素の映像信号期間での動作について説明するためのタイミングチャートである。図１１に示す画素回路およびそれに対応するデータドライバ側の一部の構成要素の垂直同期期間での動作について説明するためのタイミングチャートである。上記第２の実施形態における、コントローラとデータドライバとの間でのデータ通信を説明するためのブロック図である。本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を示すブロック図である。ＯＬＥＤの経時劣化が表示に与える影響を説明するための図である。

　以下、添付図面を参照しながら、本発明の第１～第３の実施形態について説明する。各実施形態における画素回路に含まれるトランジスタは電界効果トランジスタであり、典型的には薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）である。画素回路に含まれるトランジスタとしては、酸化物半導体によりチャネル層が形成された酸化物ＴＦＴ、低温ポリシリコンによりチャネル層が形成された低温ポリシリコンＴＦＴ、アモルファスシリコンによりチャネル層が形成されたアモルファスシリコンＴＦＴなどが挙げられる。酸化物ＴＦＴとしては、特に、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、および酸素（Ｏ）を主成分とする酸化物半導体であるＩｎＧａＺｎＯｘによりチャネル層が形成されたＴＦＴ（以下「ＩｎＧａＺｎＯｘ－ＴＦＴ」という。）が挙げられる。ＩｎＧａＺｎＯｘ－ＴＦＴなどの酸化物ＴＦＴは特に、画素回路に含まれるｎチャネル型のトランジスタとして採用する場合に有効である。ただし、本発明は、ｐチャネル型の酸化物ＴＦＴの使用を排除するものではない。また、ＩｎＧａＺｎＯｘ以外の酸化物半導体として、例えばインジウム、ガリウム、亜鉛、銅（Ｃｕ）、シリコン（Ｓｉ）、錫（Ｓｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、カルシウム（Ｃａ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、および鉛（Ｐｂ）のうち少なくとも１つを含む酸化物半導体によりチャネル層を形成した場合でも同様の効果が得られる。

　また、以下では、ｍ，ｎは２以上の整数であるとする。また、以下では、「構成要素Ａが構成要素Ｂに接続された状態」は、構成要素Ａが構成要素Ｂに物理的に直接接続される場合の他、構成要素Ａが他の構成要素を介して構成要素Ｂに接続される場合も含む。ただし、他の構成要素は、本発明の概念に反しないものに限られる。また、以下では、階調データ、補正後階調データ、および駆動用階調データを区別する必要がない場合にはそれらを単に「階調データ」と表現する場合がある。

　＜１．第１の実施形態＞
　＜１．１　全体構成＞
　図１は、本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１の構成を示すブロック図である。有機ＥＬ表示装置１は、データ処理装置１０、表示制御部としてのコントローラ２１、第２ダイナミックランダムアクセスメモリ（Dynamic Random Access Memory：ＤＲＡＭ）２８、第２エレクトリカリーイレイザブルプログラマブルリードオンリーメモリ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ：ＥＥＰＲＯＭ）２９、表示パネル４０、データ駆動部６０、および走査駆動部７０を含んでいる。表示パネル４０上にはデータ駆動部６０および走査駆動部７０が配置されている。なお、データ駆動部６０および走査駆動部７０のいずれか一方または双方が、表示部５０と一体的に形成されていても良い。また、第２ＤＲＡＭ２８および第２ＥＥＰＲＯＭ２９はコントローラ２１の内部に設けられていても良い。データ処理装置１０は、ＯＬＥＤ用補償部１１、第１ＤＲＡＭ１２、および第１ＥＥＰＲＯＭ１３を含んでおり、１つのチップセットして実現されている。

　図２は、図１に示す表示部５０の構成を説明するためのブロック図である。表示部５０には、ｍ本のデータ線ＤＡ１～ＤＡｍおよびこれらに直交するｎ本の走査線ＤＭ１～ＤＭｎが配設されている。ｍ本のデータ線ＤＡ１～ＤＡｍを区別する必要がない場合はこれらを単に符号ＤＡで表し、ｎ本の走査線ＤＭ１～ＤＭｎを区別する必要がない場合はこれらを単に符号ＤＭで表す。以下では、データ線ＤＡの延伸方向を列方向とし、走査線ＤＭの延伸方向を行方向とする。表示部５０にはさらに、ｍ本のデータ線ＤＡ１～ＤＡｍとｎ本の走査線ＤＭ１～ＤＭｎとの交差点に対応してｍ×ｎ個の画素回路５１が設けられている。各画素回路５１は、赤色のサブ画素（以下「Ｒサブ画素」という。）、緑色のサブ画素（以下「Ｇサブ画素」という。）、および青色のサブ画素（以下「Ｂサブ画素」とう。）のいずれかを形成し、行方向に並んだ画素回路５１は、例えば図２における最左端から順にＲサブ画素、Ｇサブ画素、およびＢサブ画素を形成する。なお、サブ画素の種類は、赤色、緑色、および青色に限定されるものではなく、シアン、マゼンタ、および黄色などでも良い。

　また、表示部５０には、ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤを供給する電源線（以下「ハイレベル電源線」といい、ハイレベル電源電圧と同じく符号ＥＬＶＤＤで表す。）、および図示しないローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳを供給する電源線（以下「ローレベル電源線」といい、ローレベル電源電圧と同じく符号ＥＬＶＳＳで表す。）が配設されている。ハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤおよびローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳは固定値であり、ローレベル電源電圧ＥＬＶＳＳは例えば接地電圧である。

　図１に示すＯＬＥＤ用補償部１１は、外部から映像信号ＶＳを受け取り、当該映像信号ＶＳを補正して得られた補正後映像信号ＶＳｃｍｐをコントローラ２１に送信する。映像信号ＶＳは各画素の階調データＰ（階調のことを同じく符号Ｐで表すことがある。）を含み、補正後映像信号ＶＳｃｍｐは各画素の補正後階調データＰｃｍｐ（補正後階調のことを同じく符号Ｐｃｍｐで表すことがある。）を含んでいる。ＯＬＥＤ用補償部１１は、第１ＤＲＡＭ１２を利用して各種動作を行う。なお、第１ＥＥＰＲＯＭ１３は、ＯＬＥＤ用補償部１１および第１ＤＲＡＭ１２で使用すべき各種データを電源オフ時に保持し、電源オン時に読み出すために使用される。データ処理装置１０の詳細な説明は後述する。

　コントローラ２１は、ＯＬＥＤ用補償部１１から受け取った補正後映像信号ＶＳｃｍｐ（補正後階調データＰｃｍｐ）と図示しない同期信号に基づき、データ駆動部６０および走査駆動部７０を制御する。より詳細には、コントローラ２１は、データ駆動部６０には各種制御信号と補正後階調データＰｃｍｐに基づいて得られる駆動用階調データとを送信し、走査駆動部７０には各種制御信号を送信することにより、データ駆動部６０および走査駆動部７０を制御する。コントローラ２１は、第２ＤＲＡＭを利用して各種動作を行う。なお、第２ＥＥＰＲＯＭ２９は、コントローラ２１および第２ＤＲＡＭ２８で使用すべき各種データを電源オフ時に保持し、電源オン時に読み出すために使用される。

　データ駆動部６０は、複数個のデータドライバ６００を含んでいる。ただし、データ駆動部６０は、１個のデータドライバ６００により構成されていても良い。図１では、データドライバ６００が６個設けられているものとしている。６個のデータドライバ６００のうち、３個は表示パネル４０の上端側に配置され、残りの３個は表示パネル４０の下端側に配置されている。なお、このような各データドライバ６００の配置は単なる一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。各データドライバ６００には、ｋ本（図１の例では、ｋ＝ｍ／６）のデータ線が接続されている。各データドライバ６００は、コントローラ２１から受け取る制御信号に従って、駆動用階調データに基づくデータ電圧をデータ線ＤＡに供給する。以下では、便宜上、データ駆動部６０全体の動作を、１個のデータドライバ６００を代表させて説明する場合がある。

　走査駆動部７０は、複数個のゲートドライバ７００を含んでいる。ただし、走査駆動部７０は、１個のゲートドライバ７００により構成されていても良い。図１では、ゲートドライバ７００が２個設けられているものとしている。２個のゲートドライバ７００のうち、１個は表示パネル４０の左端側に配置され、残りの１個は表示パネル４０の右端側に配置されている。なお、このようなゲートドライバ７００の配置は単なる一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。走査駆動部７０は、コントローラ２１から受け取る制御信号に従って、ｎ本の走査線ＤＭ１～ＤＭｎを順次選択する。

　＜１．２　画素回路＞
　図２に示す画素回路５１は、ＯＬＥＤと、走査線ＤＭにゲート端子（制御端子）が接続され、当該走査線ＤＭが選択されているときにオン状態になる入力トランジスタと、駆動用階調データに基づくデータ電圧がデータ線ＤＡおよび入力トランジスタを介して与えられる駆動容量素子と、駆動容量素子が保持する電圧に応じて、ＯＬＥＤに供給すべき電流（駆動電流）を制御する駆動トランジスタとを含んでいれば、いかなる構成でも良い。図３は、図２に示す画素回路５１の一例を示す回路図である。図３に示す画素回路５１はｊ行ｉ列目の画素回路５１である。図３に示すように、画素回路５１は、１個のＯＬＥＤ５２、２個のトランジスタＴ１，Ｔ２、および１個のコンデンサ（駆動容量素子）Ｃ１を含んでいる。トランジスタＴ１は駆動トランジスタであり、トランジスタＴ２は入力トランジスタである。トランジスタＴ１，Ｔ２はすべてｎチャネル型であり、例えばＩｎＧａＺｎＯｘ－ＴＦＴである。

　トランジスタＴ１は、ＯＬＥＤ５２と直列に設けられ、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに第１導通端子としてのドレイン端子が接続され、ＯＬＥＤ５２のアノード端子に第２導通端子としてのソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、走査線ＤＭｊにゲート端子が接続され、データ線ＤＡｉとトランジスタＴ１のゲート端子との間に設けられている。コンデンサＣ１は、トランジスタＴ１のゲート端子とソース端子との間に設けられている。ＯＬＥＤ５２のカソード端子は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。

　以下では、走査線ＤＭｊの電位が“１”レベルであるとき当該走査線ＤＭｊは選択状態であり、走査線ＤＭｊの電位が“０”レベルであるとき当該走査線ＤＭｊは非選択状態であるとする。走査線ＤＭｊの電位が“１”レベルになると、トランジスタＴ２がターンオンしてデータ電圧がコンデンサＣ１に書き込まれる。以下では、ｊ行ｉ列目の画素回路５１に書き込まれる階調Ｐのデータ電圧を符号Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）で表す。なお、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）の元となる階調データのことも便宜上符号Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）で表す場合がある。その後、走査線ＤＭｊの電位が“１”レベルになると、トランジスタＴ２がターンオフして、コンデンサＣ１が保持するトランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが確定する。なおここでは、Ｖｇｓ＝Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）であるとする。トランジスタＴ１は飽和領域で動作するので、駆動電流Ｉｏｌｅｄは次式（１）で与えられる。
　Ioled=(β/2)*(Vgs-Vt)²
　　　 =(β/2)*(Vm(i,j,P)-Vt)²　…（１）
ここで、β，ＶｔはそれぞれトランジスタＴ１のゲインおよび閾値電圧を表す。ゲインβは、次式（２）で与えられる。
　β=μ*(W/L)*Cox　…（２）
ここで、μ，Ｗ，Ｌ，ＣｏｘはそれぞれトランジスタＴ１の移動度、ゲート幅、ゲート長、および単位面積あたりのゲート絶縁膜容量を表す。

　以上のようにして、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）に応じた駆動電流ＩｏｌｅｄがＯＬＥＤ５２に流れることにより、駆動電流Ｉｏｌｅｄに応じた輝度（言い換えると階調Ｐに応じた輝度）でＯＬＥＤ５２が発光する。

　＜１．３　ＯＬＥＤの経時劣化＞
　時刻ｔにおけるｊ行ｉ列目の画素の階調データをＩｍ（ｉ，ｊ，ｔ）で表すと、時刻ｔにおいてｊ行ｉ列目の画素のＯＬＥＤに流れる駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，ｔ）は次式（３）で与えられる。
　I(i,j,t)=I₂₅₅*[Im(i,j,t)/255]^2.2　…（３）
ここで、Ｉ₂₅₅ は、Ｉｍ（ｉ，ｊ，ｔ）＝２５５であるときの駆動電流を表す。また、駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，ｔ）はγ＝２．２の理想特性に従った値であるとする。また、ここでは最大階調を２５５としているが、本発明はこれに限定されるものではない。

　一般に、ＯＬＥＤの経時劣化の程度は駆動電流の２乗（すなわち駆動電流のエネルギー）に比例にすることが知られている（言い換えると、駆動電流の２乗に反比例してＯＬＥＤの寿命時間が短くなる。）。上記式（３）に基づき、ＯＬＥＤの経時劣化を表す等価電流を次式（４）で表す。
　[I(i,j,t)/I₂₅₅]²=[[Im(i,j,t)/255]^2.2]²　…（４）

　式（４）から、時刻ｔ０からｔｎまでのＯＬＥＤの経時劣化を表す等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）は次式（５）で与えられる。

　このような等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）から補正係数Ｋｃｍｐを求め、階調データＰを補正することにより、ＯＬＥＤの経時劣化を補償することが考えられる（図４を参照）。ところで、ＯＬＥＤの経時劣化は、周囲の温度に依存することが知られている。このため、ＯＬＥＤの経時劣化を補償する際には、有機ＥＬ表示装置の周囲の温度（以下単に「周囲温度」という。）を考慮することが望ましい。ここで、ＯＬＥＤの経時劣化と周囲温度との関係について説明する。

　非特許文献１によれば、ＯＬＥＤの経時劣化は、急速に進行する初期劣化と安定的に進行する通常劣化とに分けられる。以下では、初期劣化および通常劣化からなるＯＬＥＤの経時劣化のことを便宜上「トータル劣化」という場合がある（図５を参照）。なお、ここでいうトータル劣化、初期劣化、および通常劣化は下記のとおり実際には輝度を表すが、このような輝度は経時劣化の指標となるので、この輝度自体を「劣化」と表現している。ＯＬＥＤのトータル劣化は、次式（６）で与えられる。

ここで、Ｌはトータル劣化を表し、α₁ ，α₂ は定数を表し、ｔは時間を表し、Ｌ₁ は初期劣化成分（トータル劣化に占める初期劣化の割合）で規格化された初期劣化の相対輝度を表し、Ｌ₂ は通常劣化成分（トータル劣化に占める通常劣化の割合）で規格化された通常劣化の相対輝度を表し、ｋはボルツマン定数を表し、Ｔは絶対温度を表し、Ｅ_ainitialは初期劣化成分のエネルギーを表し、Ｅ_anormal は通常劣化成分のエネルギーを表し、Ａ₁ は初期劣化成分が初期の１／ｅに達する時間を表し、Ａ₂ は通常劣化成分が初期の１／ｅに達する時間を表す。ここで、ｅ≒２．７１８である。式（６）の右辺における第１項は初期劣化を表し、第２項は通常劣化を表す。

　式（６）から、初期劣化の時定数Ｔａは、次式（７）で与えられる。
　Ta=A₁ …（７）
また、式（６）から、通常劣化の時定数Ｔｂは、次式（８）で与えられる。

式（７）に示すとおり、温度Ｔが変化しても初期劣化の時定数Ｔａは変化しない。一方、式（８）に示すとおり、温度Ｔが変化すると通常劣化の時定数Ｔｂは変化する。具体的には、温度Ｔが高くなると時定数Ｔｂが短くなり、温度Ｔが低くなると時定数Ｔｂが長くなる。このようにして、温度Ｔが変化すると通常劣化の進行が変化し、結果としてトータル劣化Ｌも変化することになる。本実施形態では、以上に示したような、温度変化を考慮したＯＬＥＤの経時劣化モデルを採用する。以下では、式（６）に示すトータル劣化Ｌを、時間ｔおよび温度Ｔの関数Ｅ（ｔ，Ｔ）として表現する。

　ところで、有機ＥＬ表示装置を使用する際に周囲温度が刻々と変化し得るので、計算処理の便宜上、各温度における経時劣化を、ある基準温度における経時劣化に換算することが望ましい。ここでは、各温度におけるＯＬＥＤの使用時間を、ある基準温度におけるＯＬＥＤの使用時間に換算することを考える。以下では基準温度を「常温」と表現し、常温よりも高い温度を「高温」と表現し、常温よりも低い温度を「低温」と表現する。なお、常温を何度に設定するかは特に限定されない。

　図６は、ＯＬＥＤの使用時間の換算を説明するための図である。図６に示す劣化カーブでは、高温での５００ｈ（ｈｏｕｒｓ）の使用は、常温での１１００ｈの使用に相当する。したがって、ＯＬＥＤを高温で５００ｈ使用した後に常温で９００ｈ使用すると、その使用時間全体を常温を基準とした使用時間に換算すると、２０００ｈに相当する。なお、低温から常温への換算も同様に行うことができる。このような常温への換算を行うことにより、常温での等価使用時間が得られる。

　次に、常温での等価使用時間の算出について説明する。以下では、常温をＴｎで表し、常温Ｔｎでの等価使用時間（以下「常温等価使用時間」という。）をｔｎで表す。また、高温、低温、および常温Ｔｎを一般化した温度（以下「一般温度」という。）をＴｓで表し、一般温度Ｔｓでの使用時間（以下「一般温度使用時間」という。）をｔｓで表す。

　一般温度Ｔｓでのトータル劣化はＥ（ｔｓ，Ｔｓ）で表され、常温Ｔｎでのトータル劣化はＥ（ｔｎ，Ｔｎ）で表される。一般温度使用時間ｔｓは常温等価使用時間ｔｎに換算されるので（図７を参照）、一般温度Ｔｓでのトータル劣化Ｅ（ｔｓ，Ｔｓ）と常温Ｔｎでのトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）は次式（９）で示される関係にある。
　E(ts,Ts)=E(tn,Tn) …（９）

　次に、一般温度Ｔｓに関する単位使用時間（以下「一般温度単位使用時間」という。）Δｔｓあたりのトータル劣化ΔＥは、次式（１０）で与えられる。

また、常温Ｔｎに関する単位等価使用時間（以下「常温単位等価使用時間」という。）Δｔｎあたりのトータル劣化ΔＥは、次式（１１）で与えられる。

　上記式（１０）および式（１１）から、常温単位等価使用時間Δｔｎは次式（１２）で表すことができる。

ここで、式（１２）における一般温度使用時間ｔｓは常温等価使用時間ｔｎを用いてｔｓ（ｔｎ，Ｔｓ）で表すことができる。すなわち、式（１２）は次式（１３）のように表すことができる。

　ｔｓ（ｔｎ，Ｔｓ）は、上記式（９）により求めることができる。具体的には、上記式（９）でＴｎ＝３００（常温の一例）とし、一般温度Ｔｓを固定して各常温等価使用時間ｔｎに対する一般温度使用時間ｔｓを求める。一般温度Ｔｓを種々変化させて上述の一般温度使用時間ｔｓを求める操作を繰り返すと、ｔｓ（ｔｎ，Ｔｓ）を求めることができる。なお、式（１３）における右辺の係数（次式（１４）に示すように、便宜上Ｙとする。）をグラフ化すると図８のように示される。

式（１４）に示す係数Ｙは、常温Ｔｎを基準とする周囲温度に応じた劣化係数に相当する。

　上述のように、ＯＬＥＤの経時劣化の程度は駆動電流の２乗に比例するので、常温での標準のトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）が電流ｉ０のときのものとし、実際にＯＬＥＤに流れる駆動電流をｉｘ、実際にＯＬＥＤに駆動電流ｉｘが流れた時間をΔｔとすると、駆動電流ｉｘを反映させた一般温度使用時間ｔｓの微小変化時間である一般温度単位使用時間Δｔｓは次式（１５）で与えられる。
　Δts=(ix/i0)²Δt …（１５）

　式（１５）に示される一般温度単位使用時間Δｔｓと上記式（１３）に基づいて、上述の等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）に温度変化を反映させた等価累積値（すなわち、ＯＬＥＤに流れた駆動電流のエネルギーの累積値と劣化係数Ｙとが反映されている。）としての等価累積使用時間が次式（１６）によって得られる。

なお、式（１６）に示す等価累積使用時間は常温使用時間ｔｎと等しいので、等価累積使用時間のことも符号ｔｎで表す。

　本実施形態では、以上のようにして得られる等価累積使用時間ｔｎから補正係数Ｋｃｍｐを求め、階調データＰを補正することにより、ＯＬＥＤ５２の経時劣化を補償する。以下では、このような補償を行うためのデータ処理装置１０の具体的な構成を説明する。

　＜１．４　データ処理装置＞
　図９は、図１に示すデータ処理装置１０の機能的構成を示すブロック図である。データ処理装置１０は、温度センサ１０１、第１ルックアップテーブル（Look up Table ：ＬＵＴ）１０２、第２ＬＵＴ１０３、第３ＬＵＴ１０４、第１乗算部１０５、積算部１０６、最大値検出部１０８、第４ＬＵＴ１０９、第５ＬＵＴ１１０、除算部１１１、および第２乗算部１１２を含んでいる。本実施形態では、温度センサ１０１、第１ＬＵＴ１０２、第２ＬＵＴ１０３、第３ＬＵＴ１０４、第１乗算部１０５、および積算部１０６によって等価累積値取得部１２１が実現されている。また、最大値検出部１０８、第４ＬＵＴ１０９、第５ＬＵＴ１１０、および除算部１１１によって補正係数取得部１２２が実現されている。また、第２乗算部１１２によって補正部が実現されている。また、温度センサ１０１、第１ＬＵＴ１０２、第２ＬＵＴ１０３、第３ＬＵＴ１０４、および第１乗算部１０５によって単位等価値取得部１２３が実現されている。また、第１ＬＵＴ１０２および第２ＬＵＴ１０３によって劣化係数取得部１２４が実現されている。また、第４ＬＵＴ１０９および第５ＬＵＴ１１０によって変換部１２５が実現されている。また、温度センサ１０１によって温度取得部が実現されている。

　温度センサ１０１は、所定のタイミングで周囲温度（一般温度Ｔｓ）を取得し、第１ＬＵＴ１０２および第２ＬＵＴ１０３に与える。第１ＬＵＴ１０２は、一般温度Ｔｓおよび等価累積使用時間ｔｎに基づいて、上述の一般温度使用時間ｔｓ（ｔｎ，Ｔｓ）を取得し、第２ＬＵＴ１０３に与える。第２ＬＵＴ１０３は、一般温度Ｔｓおよび一般温度使用時間ｔｓ（ｔｎ，Ｔｓ）に基づいて劣化係数Ｙを取得し、第１乗算部１０５に与える。第３ＬＵＴ１０４は、補正後階調データＰｃｍｐに基づいてＸ^4.4 を取得し、第１乗算部１０５に与える。ここで、Ｘ＝Ｉｍ（ｉ，ｊ，ｔ）／２５５である。なお、補正後階調データＰｃｍｐに代えて階調データＰを第３ＬＵＴ１０４に与えるようにしても良いが、補正後階調データＰｃｍｐを第３ＬＵＴ１０４を与える方が精度を高めることができる。なお、補正後階調データＰｃｍｐは階調データＰに基づいて取得されるものであるので、補正後階調データＰｃｍｐに基づいてＸ^4.4 を取得することは、階調データＰに基づいてＸ^4.4 を取得するともいえる。第１乗算部１０５は、劣化係数ＹとＸ^4.4 との積（上記式（１３）に示すΔｔｎに相当する。）を積算部１０６に与える。このようにして取得される劣化係数ＹとＸ^4.4 との積は、補正後階調データＰｃｍｐと所定のタイミングで取得された劣化係数Ｙとに基づいて、所定の期間にＯＬＥＤ５２に流れた駆動電流および所定の期間における劣化係数Ｙを反映した単位等価値に相当する。なお、ここでいう「所定の期間」はΔｔに相当し、各所定の期間内での駆動電流の変化が小さくなるように劣化係数Ｙを取得するタイミング（周囲温度を取得するタイミングともいえる。）を決定することが望ましい。これにより、劣化係数Ｙの計算精度を高めることができる。

　積算部１０６は、第１加算部１０７ａおよびメモリ１０７ｂを含んでいる。メモリ１０７ｂは、第１ＤＲＡＭ１２の所定の記憶領域によって実現される。第１加算部１０７ａおよびメモリ１０７ｂによって、第１乗算部１０５から与えられる劣化係数ＹとＸ^4.4 との積を積算することにより、上記式（１６）に示す等価累積使用時間ｔｎが画素回路５１毎に取得される。なお、上記式（１６）におけるΔｔは積算の時間刻みを表す。等価累積使用時間ｔｎは等価累積値に相当する。積算部１０６は、取得した等価累積使用時間ｔｎを最大値検出部１０８および第５ＬＵＴ１１０に与える。

　最大値検出部１０８は、全画素の等価累積使用時間ｔｎの中で最大の等価累積使用時間ｔｎ（以下「最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘ」という。）を検出する。最大値検出部１０８は、最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘを第４ＬＵＴ１０９に与える。第４ＬＵＴ１０９は、最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘに基づいて、常温Ｔｎでのトータル劣化Ｅ（ｔｎｍａｘ，Ｔｎ）を取得し、除算部１１１に与える。第５ＬＵＴ１１０は、等価累積使用時間ｔｎ（画素毎）に基づいて、常温Ｔｎでのトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）を取得し、除算部１１１に与える。除算部１１１は、トータル劣化Ｅ（ｔｎｍａｘ，Ｔｎ）およびトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）に基づいて次式（１７）で与えられる補正係数Ｋｃｍｐを取得し、第２乗算部１１２に与える。
　Kcmp=E(tnmax,Tn)/E(tn,Tn) …（１７）
ここで、Ｅ（ｔｎｍａｘ，Ｔｎ）≦Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）であるので、補正係数Ｋｃｍｐは１以下となる。

　第２乗算部１１２は、階調データＰおよび補正係数Ｋｃｍｐに基づき、次式（１８）で与えられる補正後階調データＰｃｍｐを取得する。
　Pcmp=P*Kcmp …（１８）
全画素についての補正後階調データＰｃｍｐは、補正後映像信号としてコントローラ２１に送信される。

　＜１．５　効果＞
　本実施形態によれば、各画素回路５１につき、最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘに基づいて得られるトータル劣化Ｅ（ｔｎｍａｘ，Ｔｎ）を当該画素回路５１のトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）で除することにより、最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘを基準とした補正係数Ｋｃｍｐ（≦１）が得られる。各画素回路５１のトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）は、駆動電流のエネルギーの累積値を反映するので、ＯＬＥＤ５２の経時劣化を表す（等価累積使用時間ｔｎについても同様）。このため、上述のようにして得られた補正係数Ｋｃｍｐと階調データＰとの積を補正後階調データＰｃｍｐとすることにより、経時劣化が最も進行している画素回路５１を基準として、他の画素回路５１における階調が低下するように階調データＰが補正される。このため、駆動電流は、経時劣化が最も進行している画素回路５１を基準として他の画素回路５１で本来よりも小さくなる。これにより、ＯＬＥＤ５２の経時劣化を抑制しつつ、輝度補償を行って焼き付きを防止することができる。また、データ処理装置１０における階調データＰの補正のために画素回路５１からの各種パラメータの読み出し（ＯＬＥＤ５２の両端に印加される電圧または駆動電流など）は必要とされないので、配線数の増大を抑制することができる。

　また、本実施形態によれば、劣化係数Ｙが等価累積使用時間ｔｎにさらに反映される。ＯＬＥＤ５２の経時劣化は温度によっても変化するので、劣化係数Ｙをさらに反映した等価累積使用時間ｔｎを使用することによって正確な輝度補償を行うことができる。

　また、本実施形態によれば、常温Ｔｎを基準とする劣化係数Ｙが取得される。このため、周囲温度を取得すれば、劣化係数Ｙは、上記式（１４）に基づいて決定することができる。これにより、駆動電流のエネルギーの累積値と周囲温度との相関データなどを予め保持しておく必要がない。したがって、データ処理装置１０に必要とされるメモリ容量を比較的小さくすることができる。

　また、本実施形態によれば、最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘおよび等価累積使用時間ｔｎがそれぞれトータル劣化Ｅ（ｔｎｍａｘ，Ｔｎ）およびトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）に変換され、上記式（１７）によって補正係数Ｋｃｍｐ（≦１）が取得される。このように、トータル劣化Ｅ（ｔｎｍａｘ，Ｔｎ）およびトータル劣化Ｅ（ｔｎ，Ｔｎ）に基づいて補正係数Ｋｃｍｐを決定することで、より正確な輝度補償を行うことができる。

　また、本実施形態によれば、データ処理装置１０とコントローラ２１とを別部品とすることで、例えば従来のコントローラ２１の前段にデータ処理装置１０を設けることで、コントローラ２１を特別な仕様に変更する必要がなくなる。特に、データ処理装置１０がチップセットとして実現されることにより、データ処理装置１０に必要されるメモリの物理的なサイズを、コントローラ２１内にデータ処理装置１０の機能を組み込んだ場合に比べて小さくすることができる。

　ところで、本実施形態では、上記式（１７）におけるｔｎｍａｘを最大等価累積使用時間としているが、全画素の等価累積使用時間ｔｎから統計的に求められる略最大値をｔｎｍａｘとして使用しても良い。例えば、全画素の等価累積使用時間ｔｎを大きさ順に並べ、最大値側から少なくとも１以上の等価累積使用時間ｔｎの集団を選択し、当該集団中の最大値をｔｎｍａｘとすることが考えられる。これにより、イレギュラーな最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘが取得されることを防止して、平均的な輝度を確保しつつ上記各効果を奏することができる。なお、この場合に得られる補正係数Ｋｃｍｐも、上記最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘを基準にしているといえる。

　＜２．第２の実施形態＞
　＜２．１　全体構成＞
　図１０は、本発明の第２の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１の構成を示すブロック図である。本実施形態の構成要素のうち上記第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態におけるコントローラ２１は、ＴＦＴ用補償部２００を含んでいる。また、各データドライバ６００は、データ電圧供給部６１０および電流測定部６２０を含んでいる。なお、データ電圧供給部６１０は、上記第１の実施形態におけるデータドライバ６００と同様の機能を有する。電流測定部６２０は、駆動用階調データに基づくデータ電圧に応じて画素回路５１から得られる駆動電流を測定し、当該駆動電流の電流値を示す測定データを取得する。また、電流測定部６２０は、取得した測定データをコントローラ２１に送信する。コントローラ２１とデータ駆動部６０との間の各種データの送受信は、通信バス８０を介して行われる。

　本実施形態では、１フレーム期間が映像信号期間および垂直同期期間からなっている。本実施形態における映像信号期間は「走査期間」などとも呼ばれる。本実施形態における垂直同期期間は「垂直帰線期間」または「垂直ブランキング期間」などとも呼ばれる。本実施形態では、映像信号期間が第１期間に相当し、垂直同期期間が第２期間に相当する。走査駆動部７０（ゲートドライバ７００）は、ｎ本の走査線ＤＭを順次選択することにより、画素回路５１にデータ電圧の書き込みを行うための上記映像信号期間と、ｎ本の走査線ＤＭのうちの所定数（ｐ）本の走査線ＤＭを順次選択することにより、画素回路５１から駆動電流をデータ線ＤＡに出力するための上記垂直同期期間とを交互に繰り返す。ここで、１≦ｐ＜ｎであり、ｎはｐの自然数倍であることが望ましい。本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１は、通常は各種同期動作を行うのみである垂直同期期間において、駆動電流をデータ線ＤＡに出力し、上記測定データを取得する。また、走査駆動部７０は、選択すべきｐ本の走査線ＤＭを垂直同期期間毎に（すなわち１フレーム期間毎に）シフトさせる。

　＜２．２　画素回路および電流測定＞
　図１１は、本実施形態における画素回路５１およびそれに対応するデータドライバ６００側の一部の構成要素を示す回路図である。図１１に示す画素回路５１はｊ行ｉ列目の画素回路５１である。画素回路５１は、１個のＯＬＥＤ５２、３個のトランジスタＴ１～Ｔ３、および１個のコンデンサ（駆動容量素子）Ｃ１を備えている。トランジスタＴ１は駆動トランジスタであり、トランジスタＴ２は参照電圧供給トランジスタであり、トランジスタＴ３は入力トランジスタである。トランジスタＴ１～Ｔ３はすべてｎチャネル型であり、例えばＩｎＧａＺｎＯｘ－ＴＦＴである。

　トランジスタＴ１は、ＯＬＥＤ５２と直列に設けられ、ハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに第１導通端子としてのドレイン端子が接続され、ＯＬＥＤ５２のアノード端子に第２導通端子としてのソース端子が接続されている。トランジスタＴ２は、走査線ＤＭｊにゲート端子が接続され、参照電圧線ＶｒｅｆとトランジスタＴ１のゲート端子との間に設けられている。トランジスタＴ３は、走査線ＤＭｊにゲート端子が接続され、データ線ＤＡｉとトランジスタＴ１のソース端子との間に設けられている。コンデンサＣ１は、トランジスタＴ１のゲート端子とソース端子との間に設けられている。ＯＬＥＤ５２のカソード端子は、ローレベル電源線ＥＬＶＳＳに接続されている。

　データドライバ６００は、ＤＡＣ６３０、オペアンプ６４０、抵抗素子Ｒ１、制御スイッチＳＷ、および測定データ取得部６５０を含んでいる。なお、ＤＡＣ６３０はデータ電圧供給部６１０の構成要素であり、オペアンプ６４０および制御スイッチＳＷはデータ電圧供給部６１０および電流測定部６２０で共有された構成要素であり、抵抗素子Ｒ１および測定データ取得部６５０は電流測定部６２０の構成要素である。抵抗素子Ｒ１は、電流電圧変換素子として機能する。

　オペアンプ６４０の非反転入力端子はＤＡＣ６３０の出力端子に接続され、反転入力端子は対応するデータ線ＤＡｉに接続されている。オペアンプ６４０の出力端子と反転入力端子との間には、抵抗素子Ｒ１および制御スイッチＳＷが並列に接続されている。制御スイッチＳＷは、例えばコントローラ２１から送信される入出力制御信号ＤＷＴによって制御され、ＤＷＴ＝“１”のときに閉じ、ＤＷＴ＝“０”のときに開く。測定データ取得部６５０は、オペアンプ６４０の出力から測定データを取得する。

　入出力制御信号ＤＷＴが“１”レベルであるときには、制御スイッチＳＷが閉じているのでオペアンプ６４０の出力端子と反転入力端子とが短絡されている。このため、入出力制御信号ＤＷＴが“１”レベルであるときには、オペアンプ６４０はバッファアンプとして機能する。これにより、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は低出力インピーダンスでデータ線ＤＡｉに供給される。このとき、測定データ取得部６５０を入出力制御信号ＤＷＴで制御するなどして、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が測定データ取得部６５０に入力されないようにすることが望ましい。なお、ここでいう階調Ｐは、実際には上記第１の実施形態における補正後階調Ｐｃｍｐをコントローラ２１で補正したものであるが、便宜上階調Ｐであるものとして説明する（本実施形態に関する図についても同様である。）。

　入出力制御信号ＤＷＴが“０”レベルであるときには、制御スイッチＳＷが開いているので、オペアンプ６４０の出力端子と反転入力端子とが抵抗素子Ｒ１を介して互いに接続されている。このため、オペアンプ６４０は、抵抗素子Ｒ１を帰還抵抗とした電流増幅アンプとして機能する。このとき、オペアンプ６４０の非反転入力端子にデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が入力されると、仮想短絡により反転入力端子の電位もＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）となる。また、このとき、ｊ行ｉ列目の画素回路５１からデータ線ＤＡｉに、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）に基づくゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに応じて流れる駆動電流（以下、符号Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）で表す。）が出力される（詳細は後述）。これにより、オペアンプ６４０の出力電圧は「Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）－Ｒ１＊Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）」となる。測定データ取得部６５０は、「Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）－Ｒ１＊Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）」に基づいて、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）に対応する測定データ（駆動電流と同じく符号Ｉｓ（ｉ，ｊ，Ｐ）で表す場合がある。）を取得する。

　＜２．３　映像信号期間での動作＞
　図１２は、図１１に示す画素回路５１およびそれに対応するデータドライバ６００側の一部の構成要素の映像信号期間での動作について説明するためのタイミングチャートである。図１２および図１３における「Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）」は、測定データを表す。時刻ｔ１～ｔ２の期間Ａ３は、所望の階調Ｐに対応するデータ電圧Ｖｍを画素回路５１に書き込むための期間（以下「所望階調プログラム期間」という。）である。

　映像信号期間では、上述のように、ｎ本の走査線ＤＭが順次選択される。また、映像信号期間では、入出力制御信号は“１”レベルになっている。このため、オペアンプ６４０は上述のようにバッファアンプとして機能する。

　時刻ｔ１以前では、走査線ＤＭｊの電位が“０”レベルになっている。このとき、トランジスタＴ２，Ｔ３がオフ状態になっており、トランジスタＴ１には、コンデンサＣ１に保持されたゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）が流れている。そして、ＯＬＥＤ５２は、この駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）に応じた輝度で発光している。以下では、トランジスタＴ１に流れる駆動電流とＯＬＥＤ５２に流れる駆動電流とを区別する場合に、ＯＬＥＤ５２に流れる駆動電流のことを発光駆動電流Ｉｏｌｅｄという。なお、所望階調プログラム期間Ａ３直前の１水平（１Ｈ）期間では、データ線ＤＡｉはデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ－１，Ｐ）を供給している。

　時刻ｔ１になると、データ線ＤＡｉにはオペアンプ６４０を介してデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が供給される。また、走査線ＤＭｊの電位が“１”レベルに変化して、トランジスタＴ２，Ｔ３がターンオンする。このため、コンデンサＣ１の一端（トランジスタＴ１のソース端子側）にはデータ線ＤＡｉおよびトランジスタＴ３を介してデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が与えられ、コンデンサＣ１の他端（トランジスタＴ１のゲート端子側）にはトランジスタＴ２を介して参照電圧Ｖｒｅｆが与えられる。これにより、時刻ｔ１～ｔ２の所望階調プログラム期間Ａ３において、コンデンサＣ１は次式（１９）で与えられるゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに充電される。
　Vgs=Vref - Vm(i,j,P)　…（１９）

　なお、ＯＬＥＤ５２の閾値電圧をＶｔｈｏｌｅｄとすると、データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は次式（２０）で与えられる値に設定することが望ましい。
　Vm(i,j,P) < ELVSS + Vtholed …（２０）
式（２０）のように設定されたデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）がＯＬＥＤ５２のアノード端子（トランジスタＴ１のソース端子）に与えられることにより、所望階調プログラム期間Ａ３（後述の期間Ａ１，Ｐ２でも同様）において発光駆動電流Ｉｏｌｅｄが０になる。このため、ＯＬＥＤ５２の発光を停止することができる。

　時刻ｔ２になると、走査線ＤＭｊの電位が“０”レベルに変化して、トランジスタＴ２，Ｔ３がターンオフする。このため、コンデンサＣ１の保持電圧は上記式（１９）で示すゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに確定する。このとき、トランジスタＴ１のソース端子はデータ線ＤＡｉから電気的に切り離されているので、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに応じた発光駆動電流Ｉｏｌｅｄが流れ、当該発光駆動電流Ｉｏｌｅｄに応じた輝度でＯＬＥＤ５２が発光する。なお、このように発光駆動電流Ｉｏｌｅｄに応じた輝度でＯＬＥＤ５２が発光しているとき、Ｉｏｌｅｄ＝Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）である。トランジスタＴ１は飽和領域で動作するので、発光駆動電流Ｉｏｌｅｄは次式（２１）で与えられる。
　Ioled=(β/2)*(Vgs-Vt)²
　　　 =(β/2)*(Vref-Vm(i,j,P)-Vt)²　…（２１）

　なお、式（２１）におけるデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、トランジスタＴ１の閾値電圧補償およびゲイン補償を行うように設定されるが、その詳細は後述する。以上の所望階調プログラム期間Ａ３の動作を各走査線ＤＭについて順に行うことにより、映像信号期間において全画素回路５１へのデータ電圧Ｖｍの書き込みが行われる。なお、映像信号期間では、駆動電流Ｉの測定は行われない。

　ところで、本実施形態では、コンデンサＣ１にハイレベル電源線ＥＬＶＤＤが接続されていないので、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓがハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤに依存しない値になる。このため、式（２１）に示されるとおり、発光駆動電流Ｉｏｌｅｄもハイレベル電源電圧ＥＬＶＤＤに依存しない値になる。このような画素回路構成によれば、ＯＬＥＤ５２を駆動するためにハイレベル電源線ＥＬＶＤＤに大きな電流が流れてハイレベル電源線ＥＬＶＤＤの配線抵抗によりドロップ電圧が生じたとしても、発光駆動電流Ｉｏｌｅｄは変動しない。

　＜２．４　垂直同期期間での動作＞
　図１３は、図１１に示す画素回路５１およびそれに対応するデータドライバ６００側の一部の構成要素の垂直同期期間での動作について説明するためのタイミングチャートである。時刻ｔ１～ｔ２の期間Ａ１および時刻ｔ３～ｔ４の期間Ａ１のそれぞれは、駆動電流Ｉの測定に使用する階調（以下「測定用階調」という。）に対応するデータ電圧Ｖｍ（以下、単に「測定用データ電圧」という場合がある。）を画素回路５１に書き込むための期間（以下「測定用階調プログラム期間」という。）である。測定用階調には２種類あり、１つは、映像信号ＶＳｃｍｐに基づいてコントローラ２１で設定し得る階調のうちの比較的低い第１階調Ｐ１であり、もう１つは、映像信号ＶＳｃｍｐに基づいてコントローラ２１で設定し得る階調のうちの比較的高い第２階調Ｐ２である。なお、第１，第２階調Ｐ１，Ｐ２の具体的な設定については後述する。時刻ｔ２～ｔ３の期間Ａ２および時刻ｔ４～ｔ５の期間Ａ２のそれぞれは、測定用データ電圧Ｖｍに応じた駆動電流Ｉを測定するための期間（以下「電流測定期間」という。）である。以下では、第１階調Ｐ１に対応する測定用データ電圧のことを「第１測定用データ電圧」といい、第２階調Ｐ２に対応する測定用データ電圧のことを「第２測定用データ電圧」という。また、第１階調Ｐ１を示す階調データ（実際には補正後階調データであるが、便宜上階調データとして説明する。）のことを「第１測定用階調データ」といい、第２階調Ｐ２を示す階調データのことを「第２測定用階調データ」という。

　垂直同期期間では、上述のように、ｐ本の走査線ＤＭが順次選択される。ここで、本実施形態における表示パネル４０がＦＨＤ（Full High Definition）方式であるとすると、総走査線数は１１２５本であり、有効走査線数は１０８０本である。上記走査線ＤＭの本数ｎは、有効走査線の本数に相当する。ＦＨＤ方式では、１フレーム期間が１１２５Ｈ期間であり、映像信号期間が１０８０Ｈ期間であるので、垂直同期期間は４５Ｈ期間となる。本実施形態では、ｐ＝９とし、垂直同期期間において９本の走査線ＤＭを５Ｈ期間ずつ順次選択する。なお、ここで示すｐの値および走査線ＤＭを選択する期間の長さなどは単なる一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。

　図１３に示すように、走査線ＤＭｊの電位が“１”レベルになっている時刻ｔ１～ｔ６の５Ｈ期間で、入出力制御信号ＤＷＴのレベルは、“１”レベル、“０”レベル、“１”レベル、“０”レベル、および“１”レベルの順に１Ｈ期間毎に切り替わる。オペアンプ６４０は、入出力制御信号ＤＷＴが“１”レベルであるときには上述のようにバッファアンプとして機能し、入出力制御信号ＤＷＴが“０”レベルであるときには上述のように電流増幅アンプとして機能する。

　時刻ｔ１以前では、走査線ＤＭｊの電位が“０”レベルとなっている。このとき、トランジスタＴ２，Ｔ３がオフ状態になっており、トランジスタＴ１は、コンデンサＣ１に保持されたゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに応じた駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）を流している。トランジスタＴ１に流れる駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、発光駆動電流ＩｏｌｅｄとしてＯＬＥＤ５２に流れる。そして、ＯＬＥＤ５２は、この発光駆動電流Ｉｏｌｅｄに応じた輝度で発光している。

　時刻ｔ１になると、走査線ＤＭｊの電位が“１”レベルに変化して、トランジスタＴ２，Ｔ３がターンオンする。また、入出力制御信号ＤＷＴが“１”レベルになり、制御スイッチＳＷが閉じる。また、オペアンプ６４０の非反転入力端子には、第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が入力される。このため、第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）がデータ線ＤＡｉに供給される。これにより、上記所望階調プログラム期間Ａ３と同様に、時刻ｔ１～ｔ２の測定用階調プログラム期間Ａ１において、コンデンサＣ１には、次式（２２）で与えられるゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが充電される。
　Vgs=Vref - Vm(i,j,P1) …（２２）
以下では、第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を書き込む測定用階調プログラム期間Ａ１のことを「第１測定用階調プログラム期間」という。

　時刻ｔ２になると、入出力制御信号ＤＷＴが“０”レベルに変化して、制御スイッチＳＷが開く。また、時刻ｔ１に引き続きオペアンプ６４０の非反転入力端子には第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が入力されているので、仮想短絡により反転入力端子の電位も第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）となる。なお、時刻ｔ１～ｔ２の期間Ａ１ですでにデータ線ＤＡｉは第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に充電されているので、このように反転入力端子の電位が第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）になるために要する時間は僅かである。時刻ｔ２～ｔ３の電流測定期間Ａ２では、オン状態であるトランジスタＴ３を介した駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）の電流パスが形成され、画素回路５１からデータ線ＤＡｉに当該駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が出力される。なお、上記式（２０）より、発光駆動電流Ｉｏｌｅｄは流れない。このように、トランジスタＴ３はオン状態のときに駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）（後述の駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）についても同様）をデータ線ＤＡｉに出力可能になっている。データ線ＤＡｉに出力された駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）の測定手順は上述のとおりなので、ここではその説明を省略する。以下では、第１階調Ｐ１に対応する駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）のことを「第１駆動電流」といい、第１駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）の測定を行う電流測定期間Ａ２のことを「第１電流測定期間」という。また、第１駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）の値を示す測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）のことを「第１測定データ」という。

　時刻ｔ３～ｔ４の測定用階調プログラム期間Ａ１における動作は、時刻ｔ１～ｔ２の第１測定用階調プログラム期間Ａ１における動作の第１階調Ｐ１を第２階調Ｐ２に変更したのみであるので、その詳細な説明は省略する。以下では、第２測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を書き込む測定用階調プログラム期間Ａ１のことを「第２測定用階調プログラム期間」という。

　時刻ｔ４～ｔ５の電流測定期間Ａ２における動作は、時刻ｔ２～ｔ３の第１電流測定期間Ａ２における動作の第１階調Ｐ１を第２階調Ｐ２に変更したのみであるので、その詳細な説明は省略する。以下では、第２階調Ｐ２に対応する駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）のことを「第２駆動電流」といい、第２駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）の測定を行う電流測定期間Ａ２のことを「第２電流測定期間」という。また、第２駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）の値を示す測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）のことを「第２測定データ」という。

　時刻ｔ５～ｔ６の所望階調プログラム期間Ａ３における動作は、映像信号期間におけるものと同様であるので、その詳細な説明は省略する。ただし、本実施形態における垂直同期期間中の所望階調プログラム期間Ａ３で画素回路５１に書き込まれるデータ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、当該垂直同期期間中に取得された第１，第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に基づいて更新された補正データが反映された値になっている（詳細は後述）。

　時刻ｔ６になると、走査線ＤＭｊの電位が“０”レベルに変化して、トランジスタＴ２，Ｔ３がターンオフする。このため、コンデンサＣ１の保持電圧は上記式（１９）で示すゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに確定する。このとき、トランジスタＴ１のソース端子はデータ線ＤＡｉから電気的に切り離されているので、上記式（２１）で示す発光駆動電流Ｉｏｌｅｄが流れ、当該発光駆動電流Ｉｏｌｅｄに応じた輝度でＯＬＥＤ５２が発光する。

　なお、ここでは、第１測定用階調プログラム期間Ａ１および第１電流測定期間Ａ２の後に第２測定用階調プログラム期間Ａ１および第２電流測定期間Ａ２を設けるものとしたが、第２測定用階調プログラム期間Ａ１および第２電流測定期間Ａ２の後に第１測定用階調プログラム期間Ａ１および第１電流測定期間Ａ２を設けるようにしても良い。

　以上のような第１測定用階調プログラム期間Ａ１、第１電流測定期間Ａ２、第２測定用階調プログラム期間Ａ１、第２電流測定期間Ａ２、および所望階調プログラム期間Ａ３の動作をｐ本の走査線ＤＭのそれぞれについて行うことにより、ｐ本の走査線ＤＭに対応する画素回路５１（ｍ×ｐ個）のそれぞれについての駆動電流Ｉの測定が行われる。

　なお、あるフレーム期間の垂直同期期間で１行目～ｐ行目の走査線ＤＭ１～ＤＭｐに対応する画素回路５１のそれぞれについて駆動電流Ｉの測定が行われるとすると、その次のフレーム期間の垂直同期期間ではｐ＋１行目～２ｐ行目の走査線ＤＭｐ＋１～ＤＭ２ｐに対応する画素回路５１のそれぞれについて駆動電流Ｉの測定が行われる。また、あるフレーム期間の垂直同期期間でｎ－ｐ＋１行目～ｎ行目の走査線ＤＭｎ－ｐ＋１～ＤＭｎに対応する画素回路５１のそれぞれについて駆動電流Ｉの測定が行われるとすると、その次のフレーム期間の垂直同期期間では１行目～ｐ行目の走査線ＤＭ１～ＤＭｐに対応する画素回路５１のそれぞれについて駆動電流Ｉの測定が行われる。このようにして、測定対象とするｍ×ｐ個の画素回路５１を重複なく１フレーム期間毎に順次シフトさせることにより、ｍ×ｎ個の画素回路５１のそれぞれについて駆動電流Ｉの測定を行うことができる。上述のようにＦＨＤ方式でｐ＝９とした場合、１２０フレーム期間（１０８０行／９行）、すなわち２秒で全画素回路５１について駆動電流Ｉの測定を行うことができる。

　＜２．５　コントローラとデータドライバとの間のデータ通信＞
　図１４は、本実施形態における、コントローラ２１とデータドライバ６００との間でのデータ通信を説明するためのブロック図である。本実施形態における通信バス８０は、コントローラ２１とデータドライバ６００との間に双方向データ通信が可能な双方向通信バスにより構成されている。なお、双方向通信バスの種類は特に限定されるものではないが、例えば、ローボルテージ・ディファレンシャル・シグナリング（Low Voltage Differential Signaling：ＬＶＤＳ）、モバイル・インダストリ・プロセッサ・インタフェース（Mobile Industry Processor Interface ：ＭＩＰＩ）、またはエンベデッド・ディスプレイ・ポート（Embedded Display Port：ｅ－ＤＰ）などである。

　図１４に示すゲイン補正メモリ３１および閾値電圧補正メモリ３２は、第２ＤＲＡＭ２８の所定の記憶領域によって実現される。ゲイン補正メモリ３１は、トランジスタＴ１（駆動トランジスタ）のゲイン補償が行われるように電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）を補正するためのゲイン補正データを記憶している。閾値電圧補正メモリ３２は、トランジスタＴ１の閾値電圧補償が行われるように電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）を補正するための閾値電圧補正データを記憶している。これらのゲイン補正データおよび閾値電圧補正データのそれぞれは画素回路５１毎に用意されている。以下では、ｊ行ｉ列目の画素回路５１に対応するゲイン補正データを符号Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）で表す。また、ｊ行ｉ列目の画素回路５１に対応する閾値電圧補正データを符号Ｖｔ（ｉ，ｊ）で表す。本実施形態では、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）は第２補正データに相当し、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）は第１補正データに相当する。なお、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）の初期値は１に設定され、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）の初期値は各画素回路５１で共通の所定値に設定されているものとする。本実施形態では、第２ＤＲＡＭ２８によって記憶部が実現されている。

　コントローラ２１のＴＦＴ用補償部２００は、第６ＬＵＴ２２、第３乗算部２３、第２加算部２４、減算部２５、第７ＬＵＴ２６、および中央処理装置（Central Processing Unit ：ＣＰＵ）２７を含んでいる。なお、ＣＰＵ２７に代えてロジック回路などを使用しても良い。ＣＰＵ２７は、コントローラ２１の各種動作を制御する。

　第６ＬＵＴ２２は、データ処理装置１０から補正後映像信号ＶＳｃｍｐ（補正後階調データＰｃｍｐ）を受け取り、画素回路５１毎に、階調Ｐ（上述のように、実際には補正後階調Ｐｃｍｐである。）を制御電圧Ｖｃ（Ｐ）に変換して出力する。第６ＬＵＴ２２における変換の詳細については後述する。

　第３乗算部２３は、第６ＬＵＴ２２から制御電圧Ｖｃ（Ｐ）を受け取り、ゲイン補正メモリ３１から読み出されたゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を受け取る。なお、ゲイン補正メモリ３１からのゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）の読み出しタイミングはＣＰＵ２７などによって制御される。第３乗算部２３は、制御電圧Ｖｃ（Ｐ）にゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を乗じて得られる「Ｖｃ（Ｐ）＊Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）」を出力する。

　第２加算部２４は、第３乗算部２３の出力を受け取り、閾値電圧補正メモリ３２から読み出された閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を受け取る。なお、閾値電圧補正メモリ３２からの閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）の読み出しタイミングはＣＰＵ２７などによって制御される。第２加算部２４は、第３乗算部２３の出力に閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を加えて得られる「Ｖｃ（Ｐ）＊Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）＋Ｖｔ（ｉ，ｊ）」を出力する。

　減算部２５は、第２加算部２４の出力および参照電圧Ｖｒｅｆを受け取り、参照電圧Ｖｒｅｆから第２加算部２４の出力を減じた値を電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）として出力する。減算部２５から出力された電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は、例えば図示しないバッファメモリなどに保持されて、ＣＰＵ２７による制御に基づいた所定のタイミングで双方向通信バス８０を介して対応するデータドライバ６００に送信される。減算部２５が出力する電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）は次式（２３）で与えられる。
　Vm(i,j,P)=Vref-Vc(P)*B2R(i,j)-Vt(i,j) …（２３）
本実施形態では、式（２３）で与えられる電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が駆動用階調データに相当する。

　ここで、式（２３）を上記式（２１）に代入すると、次式（２４）が得られる。
　Ioled=(β/2)*(Vc(P)*B2R(i,j)+Vt(i,j)-Vt)²　…（２４）
式（２４）から、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）および閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）をトランジスタＴ１の状態に応じた値に設定することにより、ゲイン補償および閾値電圧補償が可能であることがわかる。また、ここで示す階調Ｐは上述のように補正後階調Ｐｃｍｐであるので、上記第１の実施形態と同様の補償も行われる。

　上述の第６ＬＵＴ２２における変換についてさらに説明する。ここで、ＯＬＥＤ５２を最大輝度Ｙｗに点灯させるための電流をＩｗとし、そのときのトランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが次式（２５）で与えられるとする。
　Vgs=Vw+Vth　…（２５）
この場合、第６ＬＵＴ２２における変換は、例えば次式（２６）に従って行えば良い。
　Vc(P)=Vw*P^1.1　…（２６）

　このようにして制御電圧Ｖｃ（Ｐ）を選択することにより、階調Ｐに対応する発光駆動電流Ｉｏｌｅｄ（Ｐ）は次式（２７）で与えられる。なお、Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）＝１，Ｖｔ（ｉ，ｊ）＝Ｖｔであるとする。
　Ioled(P)=(β/2)*Vw²*P^2.2　…（２７）
したがって、発光駆動電流Ｉｏｌｅｄは階調Ｐに対してγ＝２．２となり、発光駆動電流Ｉｏｌｅｄに比例する発光輝度もγ＝２．２に設定することができる。

　ところで、式（２７）は、トランジスタＴ１の出力電流（駆動電流）が入力制御電圧に対して２乗特性となる理想的な場合を示しているが、出力電流が小さい領域では、その出力電流が実際には２乗特性から外れる。そのため、第６ＬＵＴ２２における変換は、式（２６）に代えて、次式（２８）により正規化したＶｃ（Ｐ）を出力とすることが望ましい。これにより、第６ＬＵＴ２２における変換精度を向上させることができる。
　Vc(P)=Vw*Vn(P)　…（２８）
ここで、Ｖｎ（Ｐ）は階調Ｐに対して非線形な値である。

　第７ＬＵＴ２６は、第１，第２階調Ｐ１，Ｐ２を受け取り、それらを、第１，第２階調Ｐ１，Ｐ２のそれぞれに対応する理想的な表示特性（より詳細には理想的な階調対駆動電流の値）を示す理想特性データＩＯ（Ｐ）に変換して出力する。ここで、理想特性データＩＯ（Ｐ）は次式（２９）で与えられる。
　IO(P)=Iw*P^2.2　…（２９）

　ＣＰＵ２７は、双方向通信バス８０を介して、データドライバ６００から所定のタイミングで、第１，第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を受け取る。ＣＰＵ２７は、第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）を受け取った場合、第１階調Ｐ１に対応する理想特性データＩＯ（Ｐ１）を第７ＬＵＴ２６から受け取る。そして、ＣＰＵ２７は、理想特性データＩＯ（Ｐ１）と第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）とを比較して、その比較結果に基づいて閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を更新する。

　具体的には、ＣＰＵ２７は、第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が次式（３０）を満たす場合、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を「Ｖｔ（ｉ，ｊ）＋ΔＶ」にし、第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が次式（３１）を満たす場合、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を「Ｖｔ（ｉ，ｊ）－ΔＶ」にし、第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が次式（３２）を満たす場合、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）をそのまま「Ｖｔ（ｉ，ｊ）」にすることにより、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）を更新する。ここで、ΔＶは、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）の値を変更するための予め定められた固定値を表し、より詳細には、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）の値を変更可能な最小の値を表す。すなわち、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）は最小幅で更新される。
　I0(P1)-I(i,j,P1)>0　…（３０）
　I0(P1)-I(i,j,P1)<0　…（３１）
　I0(P1)-I(i,j,P1)=0　…（３２）

　ＣＰＵ２７は、第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を受け取った場合、第２階調Ｐ２に対応する理想特性データＩＯ（Ｐ２）を第７ＬＵＴ２６から受け取る。そして、ＣＰＵ２７は、理想特性データＩＯ（Ｐ２）と第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）とを比較して、その比較結果に基づいてゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を更新する。

　具体的には、ＣＰＵ２７は、第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が次式（３３）を満たす場合、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を「Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）＋ΔＢ」にし、第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が次式（３４）を満たす場合、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を「Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）－ΔＢ」にし、第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が次式（３５）を満たす場合、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）をそのまま「Ｂ２Ｒ（ｉ，ｊ）」にすることにより、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を更新する。ここで、ΔＢは、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）の値を変更するための予め定められた固定値を表し、より詳細には、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）の値を変更可能な最小の値を表す。すなわち、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）は最小幅で更新される。
　I0(P2)-I(i,j,P2)>0　…（３３）
　I0(P2)-I(i,j,P2)<0　…（３４）
　I0(P2)-I(i,j,P2)=0　…（３５）

　以上のようにして、各画素回路５１について、第１，第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）を受信する毎にそれぞれ閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）の更新が行われ、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）に基づいた電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が生成される。言い換えると、第１，第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に基づいて、あるいは、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）に基づいて電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が補正される。

　ここで、第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）が閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）の更新の判断基準に使用されている理由は次のとおりである。第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に応じてトランジスタＴ１が駆動されるとき、トランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓは比較的小さい。このため、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに対する閾値電圧Ｖｔのずれが第１駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に大きく反映される。このため、第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）は、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）更新の判断基準に好適である。

　一方、第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）がゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）更新の判断基準に使用されている理由は次のとおりである。第２測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に応じてトランジスタＴ１が駆動されるとき、トランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓは比較的大きい。このため、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに対する閾値電圧Ｖｔのずれが第２駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に反映されにくい一方で、ゲインβのずれが第２駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に相対的に大きく反映される。このため、第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）は、ゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）更新の判断基準に好適である。

　＜２．６　効果＞
　本実施形態によれば、垂直同期期間において、ｐ本の走査線が順次選択され、データ線ＤＡ毎に駆動電流Ｉが測定されることにより、画素回路５１毎に第１，第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）が取得され、それらに基づいて電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が補正される。第１測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に応じてトランジスタＴ１が駆動されるとき、トランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが比較的小さいので、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに対する閾値電圧Ｖｔのずれは第１駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ１）に大きく反映される。これに対して、第２測定用データ電圧Ｖｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に応じてトランジスタＴ１が駆動されるとき、トランジスタＴ１のゲート－ソース間電圧Ｖｇｓが比較的大きいので、ゲート－ソース間電圧Ｖｇｓに対する閾値電圧Ｖｔのずれは第２駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に反映されにくい一方で、ゲインβのずれは第２駆動電流Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に相対的に大きく反映される。このため、第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）は閾値電圧Ｖｔのずれが大きく反映されたデータであり、第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）はゲインβのずれが大きく反映されたデータである。以上のようにして、閾値電圧Ｖｔのずれが大きく反映された第１測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１）およびゲインβのずれが大きく反映された第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ２）の双方に基づいて電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が補正されることにより、トランジスタＴ１の閾値電圧補償およびゲイン補償の双方を画素回路５１毎に行うことができる。また、垂直同期期間において、駆動電流Ｉの測定対象となる画素回路５１以外では、ＯＬＥＤ５２の発光を停止させる必要がないので、表示を行いつつ、補償を行うことができる。また、垂直同期期間において取得した第１，第２測定データＩ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉ（ｉ，ｊ，Ｐ２）に基づいて電圧データＶｍ（ｉ，ｊ，Ｐ）が補正されるので、トランジスタＴ１の特性の経時変化に追従した補償を行うことができる。また、以上のようにトランジスタＴ１の閾値電圧補償およびゲイン補償が行われた駆動電流（γ＝２．２に従った所望の値に近い駆動電流）が各画素回路５１に流れるので、データ処理装置１０における階調データＰの補正の誤差を確実に低減することができる。また、駆動電流Ｉの画素回路５１からの読み出しにデータ線ＤＡを使用するので、配線数の増大を抑制することができる。

　また、本実施形態によれば、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）を記憶した第２ＤＲＡＭ２８を設け、理想特性データＩＯ（Ｐ）と第１，第２測定データＩｍ（ｉ，ｊ，Ｐ１），Ｉｍ（ｉ，ｊ，Ｐ２）との比較結果に基づいて、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）がそれぞれ更新される。このような更新を行うことにより、トランジスタＴ１の特性の経時変化に追従した補償を確実に行うことができる。また、第２ＤＲＡＭ２８がデータ駆動部６０の外部に設けられるので、データ駆動部６０の構成を簡素化することができる。また、理想特性データＩＯ（Ｐ）を使用することにより、閾値電圧補正データＶｔ（ｉ，ｊ）およびゲイン補正データＢ２Ｒ（ｉ，ｊ）の更新を簡易な処理で行うことができる。

　本実施形態によれば、双方向通信バスが利用されるので、データドライバ６００からコントローラ２１にデータを送信するための配線を別途設ける必要がない。このため、配線数の増大を抑制することができる。

　＜３．第３の実施形態＞
　＜３．１　全体構成＞
　図１５は、本発明の第３の実施形態に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置１の構成を示すブロック図である。本実施形態の構成要素のうち上記第１の実施形態と同一の要素については、同一の参照符号を付して適宜説明を省略する。本実施形態は、上記第１の実施形態においてコントローラ２１内にＴＦＴ用補償部２００を設けたものである。なお、画素回路５１の構成は、上記第１の実施形態と同様でも良く、上記第２の実施形態と同様でも良い。

　本実施形態におけるＴＦＴ用補償部２００は、上記第２の実施形態と異なり、測定データＩを使用することなく各種補償を行う。ＴＦＴ用補償部２００による補償の内容および手法としては、あらゆる公知のものを採用することができるが、例えば次のようなものである。ＴＦＴ用補償部２００は、補正後映像信号ＶＳｃｍｐ（補正後階調データＰｃｍｐ）に基づいて、ＯＬＥＤ５２に流れると予測される電流に応じたトランジスタＴ１の閾値電圧補償およびゲイン補償の少なくともいずれかのための補正データを取得し、その補正データに基づいて補正後階調データＰｃｍｐを補正することにより、駆動用階調データを取得する。なお、補正データの取得には、必要に応じて第２ＤＲＡＭ２８を利用することができる。

　＜３．２　効果＞
　本実施形態によれば、駆動電流Ｉを測定することなく、コントローラ２１（ＴＦＴ用補償部２００）で、トランジスタＴ１の閾値電圧補償およびゲイン補償の少なくともいずれかのための補正後階調データＰｃｍｐの補正が行われる。このため、簡易な構成で、上記第２の実施形態と同様の効果を奏することができる。ただし、駆動電流Ｉを実際に測定する上記第２の実施形態の方が、トランジスタＴ１の閾値電圧補償およびゲイン補償の精度が高く、結果としてデータ処理装置１０における階調データＰの補正の精度も高くなる。

　＜４．その他＞
　本発明は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記第１の実施形態では、劣化係数Ｙは必ずしも使用しなくて良い。この場合、温度センサ１０１、第１ＬＵＴ１０２、第２ＬＵＴ１０３、第１乗算部１０５、第４ＬＵＴ１０９、および第５ＬＵＴ１１０は使用されず、また、積算部１０６では等価累積値として等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）が取得される。なお、積算部１０６には第３ＬＵＴ１０４からＸ^4.4 が直接与えられる。そして、除算部１１１では、各画素の等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）を、全画素の等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）の中で最大の等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）で除した値が補正係数Ｋｃｍｐとして取得される。このようにして、周囲温度を考慮しないことによって輝度補償の精度が下がることを除き、上記第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。この場合、上記式（５）に示す等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）が等価累積値に相当し、上記式（４）に示す等価電流が単位等価値に相当する。

　また、本発明において使用される補正係数Ｋｃｍｐは、上記第１の実施形態のようにして得られるものに限定されるものではない。各画素回路５１につき得られる補正係数Ｋｃｍｐは、当該画素回路５１に基づいて、最大等価累積使用時間ｔｎｍａｘ（上記最大の等価累積電流Ｉｅｑｕ（ｉ，ｊ）でも良い。）を基準として略１以下となっていれば良い。

　また、上記第１の実施形態では、メモリ１０７ｂに保持される等価累積使用時間ｔｎのデータを公知のデータ圧縮手法によって圧縮しても良い。公知のデータ圧縮手法としては、例えば離散コサイン変換を使用した圧縮、ウェーブレット変換を使用した圧縮、およびランレングス圧縮などが挙げられる（特許文献４～６を参照）。

　また、上記第１，第３の実施形態では、画素回路５１内に閾値電圧補償用のトランジスタを設けるなどして、閾値電圧補償を行うようにしても良い。

　また、第２の実施形態では、画素回路５１は、データ線ＤＡに駆動電流Ｉを出力可能になっていれば良く、上述の構成例に限定されるものではない。このような場合でも、駆動電流Ｉを測定して、測定結果に基づく様々な補正を行うことができる。このため、各画素回路５１で所望の値に近い駆動電流Ｉを流すことができるので、データ処理装置１０における階調データＰの補正の誤差を低減することができる。

　また、第２の実施形態では、双方向通信バスに代えて単方向通信バスを使用しても良い。この場合、第１の実施形態よりもコントローラ２１とデータドライバ６００との間の配線数が増えることになるが、駆動電流Ｉの画素回路５１からの読み出しについては上述のようにデータ線ＤＡを使用するので、駆動電流Ｉの画素回路５１からの読み出しに必要な配線数の増大については抑制することができる。

　本発明の表示装置用のデータ処理装置およびデータ処理方法は、電気光学素子の経時劣化および配線数の増大を抑制しつつ、焼き付きを防止できるという特徴を有するので、有機ＥＬ表示装置など、電気光学素子を表示素子とする各種の表示装置に利用することができる。

１…有機ＥＬ表示装置
１０…データ処理装置
１２…第１ＤＲＡＭ
２１…コントローラ（表示制御部）
２８…第２ＤＲＡＭ（記憶部）
４０…表示パネル
５０…表示部
５１…画素回路
５２…ＯＬＥＤ（電気光学素子）
６０…データ駆動部
７０…走査駆動部
８０…通信バス
１０１…温度センサ（温度取得部）
１０２…第１ＬＵＴ
１０３…第２ＬＵＴ
１０４…第３ＬＵＴ
１０５…第１乗算部
１０６…積算部
１０７ａ…第１加算部
１０７ｂ…メモリ
１０８…最大値検出部
１０９…第４ＬＵＴ
１１０…第５ＬＵＴ
１１２…第２乗算部（補正部）
１２１…等価累積値取得部
１２２…補正係数取得部
１２３…単位等価値取得部
１２４…劣化係数取得部
１２５…変換部
６００…データドライバ
６１０…データ電圧供給部
６２０…電流測定部
Ｔ１～Ｔ３…トランジスタ
Ｃ１…コンデンサ（駆動容量素子）
Ｐ…階調データ
Ｐｃｍｐ…補正後階調データ
ＶＳ…映像信号
ＶＳｃｍｐ…補正後映像信号
ＤＡ…データ線
ＤＭ…走査線

Claims

　電流によって輝度が制御される電気光学素子をそれぞれが有する複数の画素回路を含む表示装置用のデータ処理装置であって、
　各画素回路につき、少なくとも前記電気光学素子に流れた電流のエネルギーの累積値を反映した等価累積値を、当該電気光学素子の輝度に対応する階調データに基づいて取得する等価累積値取得部と、
　各画素回路につき、当該画素回路の等価累積値に基づいて、前記複数の画素回路の等価累積値の中で最大の等価累積値を基準として略１以下となる補正係数を取得する補正係数取得部と、
　前記階調データに前記補正係数を乗じた値を補正後階調データとして出力する補正部とを備えることを特徴とする、データ処理装置。
　前記等価累積値は、前記表示装置の周囲の温度に応じた前記電気光学素子の経時劣化を示す劣化係数をさらに反映し、
　前記等価累積値取得部は、
　　前記表示装置の周囲の温度を取得する温度取得部と、
　　前記表示装置の周囲の温度に基づいて前記劣化係数を取得する劣化係数取得部とを含み、
　　前記階調データおよび前記劣化係数に基づいて前記等価累積値を取得することを特徴とする、請求項１に記載のデータ処理装置。
　前記劣化係数は、所定の基準温度を基準とする前記表示装置の周囲の温度に応じた前記電気光学素子の経時劣化を示すことを特徴とする、請求項２に記載のデータ処理装置。
　前記等価累積値取得部は、
　　前記階調データと所定のタイミングで取得された前記劣化係数とに基づいて、所定の期間に前記電気光学素子に流れた電流および前記所定の期間における前記劣化係数を反映した単位等価値を取得する単位等価値取得部と、
　　前記単位等価値を積算して前記等価累積値を求める積算部とをさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載のデータ処理装置。
　前記補正係数取得部は、
　　前記最大の等価累積値および各画素回路の等価累積値のそれぞれを前記基準温度における前記電気光学素子の輝度に変換する変換部と、
　　輝度に変換された前記最大の等価累積値を輝度に変換された各画素回路の等価累積値で除して前記補正係数を求める除算部とを含むことを特徴とする、請求項４に記載のデータ処理装置。
　前記補正係数取得部は、各画素回路につき、前記最大の等価累積値と当該画素回路の等価累積値とに基づいて、当該画素回路の等価累積値が前記最大の等価累積値であるときには１となり、当該画素回路の等価累積値が前記最大の等価累積値以外であるときには１未満となる値を前記補正係数として取得することを特徴とする、請求項１に記載のデータ処理装置。
　前記等価累積値取得部、前記補正係数取得部、および前記補正部は、１つのチップセットとして実現されていることを特徴とする、請求項１に記載のデータ処理装置。
　アクティブマトリクス型の表示装置であって、
　請求項１から７までのいずれか１項に記載のデータ処理装置と、
　複数のデータ線と、
　複数の走査線と、
　前記複数のデータ線および前記複数の走査線に対応して配置され、電流によって輝度が制御される前記電気光学素子をそれぞれが有する前記複数の画素回路と、
　前記複数のデータ線を駆動するデータ駆動部と、
　前記複数の走査線を駆動する走査駆動部と、
　前記データ駆動部および前記走査駆動部を制御すると共に、前記データ処理装置から前記補正後階調データを受け取り且つ当該補正後階調データに基づいて得られる駆動用階調データを前記データ駆動部に送信する表示制御部とを備えることを特徴とする、表示装置。
　前記画素回路は、
　　前記走査線に制御端子が接続され、当該走査線が選択されているときにオン状態になる入力トランジスタと、
　　前記駆動用階調データに基づくデータ電圧が前記データ線および前記入力トランジスタを介して与えられる駆動容量素子と、
　　前記駆動容量素子が保持する電圧に応じて、前記電気光学素子に供給すべき電流を制御する駆動トランジスタとをさらに含むことを特徴とする、請求項８に記載の表示装置。
　前記入力トランジスタは、オン状態のときに、前記駆動トランジスタに流れる電流を前記データ線に出力可能であることを特徴とする、請求項９に記載の表示装置。
　前記走査駆動部は、前記複数の走査線を順次選択することにより、前記画素回路に前記データ電圧の書き込みを行うための第１期間と、前記複数の走査線のうちの所定数の走査線を順次選択することにより、前記駆動トランジスタに流れる電流を、前記入力トランジスタを介して前記画素回路から前記データ線に出力するための第２期間とを交互に繰り返すと共に、選択すべき前記所定数の走査線を前記第２期間毎にシフトさせ、
　前記データ駆動部は、
　　前記第２期間で、前記データ線毎に、複数の階調のうちの比較的低い第１階調に対応する駆動用階調データに基づくデータ電圧に応じて前記電気光学素子に流れる電流を測定して第１測定データを取得し、前記複数の階調のうちの比較的低い高い第２階調に対応する駆動用階調データに基づくデータ電圧に応じて前記電気光学素子に流れる電流を測定して第２測定データを取得する電流測定部と、
　　前記第１期間および前記第２期間で、前記データ電圧を前記データ線に供給するデータ電圧供給部とを含み、
　前記表示制御部は、前記電流測定部が取得した前記第１測定データおよび前記第２測定データに基づいて前記補正後階調データを補正することにより、前記駆動用階調データを取得することを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
　前記補正後階調データの補正に使用される補正データを記憶する記憶部をさらに備え、
　前記電流測定部は、前記第２期間で、前記第１測定データおよび前記第２測定データを前記表示制御部に送信し、
　前記表示制御部は、
　　前記第２期間では、前記第１階調および前記第２階調のそれぞれを示す駆動用階調データを前記データ駆動部に送信し、前記電流測定部から前記第１測定データおよび前記第２測定データを受信して、前記第１階調および前記第２階調に対応する理想的な前記駆動トランジスタの特性を示す理想特性データと受信した前記第１測定データおよび前記第２測定データとをそれぞれ比較した結果に基づいて前記補正データを更新し、
　　前記第１期間および前記第２期間では、前記記憶部から前記補正データを読み出し、当該補正データに基づいて前記補正後階調データを補正することを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
　前記補正データは、前記駆動トランジスタの閾値電圧補償のための第１補正データと、前記駆動トランジスタのゲイン補償のための第２補正データとを含み、
　前記表示制御部は、前記第１測定データと前記理想特性データとを比較した結果に基づいて前記第１補正データを更新し、前記第２測定データと前記理想特性データとを比較した結果に基づいて前記第２補正データを更新することを特徴とする、請求項１２に記載の表示装置。
　前記表示制御部と前記データ駆動部とは、双方向通信バスを利用して前記駆動用階調データと前記第１測定データおよび前記第２測定データとの送受信を行うことを特徴とする、請求項１１に記載の表示装置。
　前記表示制御部は、
　　前記補正後階調データに基づいて、前記電気光学素子に流れると予測される電流に応じた前記駆動トランジスタの閾値電圧補償および前記駆動トランジスタのゲイン補償の少なくともいずれかのための補正データを取得し、
　　前記補正データに基づいて前記補正後階調データを補正することにより、前記駆動用階調データを取得することを特徴とする、請求項１０に記載の表示装置。
　電流によって輝度が制御される電気光学素子をそれぞれが有する複数の画素回路を含む表示装置用のデータ処理方法であって、
　各画素回路につき、少なくとも前記電気光学素子に流れた電流のエネルギーの累積値を反映した等価累積値を、当該電気光学素子の輝度に対応する階調データに基づいて取得する等価累積値取得ステップと、
　各画素回路につき、当該画素回路の等価累積値に基づいて、前記複数の画素回路の等価累積値の中で最大の等価累積値を基準として略１以下となる補正係数を取得する補正係数を取得する補正係数取得ステップと、
　前記階調データに前記補正係数を乗じた値を補正後階調データとして出力する補正ステップとを備えることを特徴とする、データ処理方法。