JP7443201B2 - 表示装置及び表示装置の駆動方法 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置及び表示装置の駆動方法に関する。

有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子などの自発光素子では、自発光素子を構成する発光層が発光量、発光時間及び温度に応じて劣化することが知られている。

発光層の劣化による輝度の低下が生じた場合、例えば残像または色あせなどの焼き付きが発生したり、ディスプレイに表示される画像に色ずれが発生したり、ディスプレイの一部の輝度が低下したりして、ディスプレイに表示ムラが発生することがある。

このような問題を解決するために、映像信号を補正することで、表示ムラを低減する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１６－１０９９３９号公報

しかしながら、上記の従来技術では、車両に搭載される場合など比較的高温となる環境下でディスプレイを動作させる場合は考慮されていない。このため、高温環境下という環境温度によるストレス下でディスプレイを動作させる場合には、上記の従来技術によって映像信号を補正しても十分な補正精度が得られず、結果として補正誤差が生じてしまい、ディスプレイに表示ムラが発生するおそれが生じる。

本開示は、上述の事情を鑑みてなされたもので、環境温度によるストレスがかかる場合でも、表示ムラを低減することができる表示装置及び表示装置の駆動方法を提供することを目的とする。

本開示に係る表示装置は、それぞれ発光素子を有する複数の画素が、行列状に配置された表示画面を有する表示装置であって、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を補正する補正回路を備え、前記補正回路は、前記入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する輝度変換部と、前記発光素子の劣化度合いを表す指標である効率残存率であって前記発光素子の発光効率の残存率を示す効率残存率を用いて、前記目標輝度値から、前記入力階調値を補正した出力階調値を算出するとともに、前記出力階調値から、前記目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する補正演算部と、前記補正後輝度値から算出される前記発光素子に対する電流ストレス量を、前記発光素子に基準電流を流したときの電流ストレス量を示す第１ストレス量に換算し、換算した前記第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する電流ストレス演算部と、環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を示す第２ストレス量に換算し、換算した前記第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する温度ストレス演算部と、演算された前記累積第１ストレス量及び前記累積第２ストレス量を用いて、前記効率残存率を更新する効率残存率算出部と、を有する。

本開示によれば、環境温度によるストレスがかかる場合でも、表示ムラを低減することができる表示装置及び表示装置の駆動方法を提供することができる。

図１は、実施の形態に係る表示装置の構成を示す概略図である。 図２は、実施の形態に係る画素の構成を示す回路図である。 図３は、実施の形態に係る補正回路の構成の一例を示すブロック図である。 図４は、実施の形態に係る入力階調値を目標輝度値に変換する方法を説明するための図である。 図５Ａは、実施の形態に係る目標輝度値から補正後階調値を算出する方法を説明するための図である。 図５Ｂは、実施の形態に係る補正後階調値から補正後輝度値を算出する方法を説明するための図である。 図６は、電流ストレスの経過時間と発光素子の劣化度合いとの関係を示す図である。 図７Ａは、実施の形態に係る補正後輝度値で発光素子に発光させる場合に流れる第１電流値を算出する方法を説明するための図である。 図７Ｂは、実施の形態に係る発光素子に第１電流を流したときの電流ストレス量を発光素子に基準電流を流したときの電流ストレス量に換算する方法を説明するための図である。 図８は、実施の形態に係る発光素子にかかる環境温度下の温度ストレス量を、発光素子にかかる基準温度下の温度ストレス量に換算する方法を説明するための図である。 図９Ａは、実施の形態に係る発光素子に基準電流を累積時間流したときの輝度の劣化度合いから、電流ストレス起因の第１効率残存率を算出する方法を説明するための図である。 図９Ｂは、実施の形態に係る発光素子に基準温度下の温度ストレスが累積時間かかったときの輝度の劣化度合いから、温度ストレス起因の第２効率残存率を算出する方法を説明するための図である。 図１０は、実施の形態に係る表示装置の駆動方法の一例を示すフローチャートである。 図１１は、アレニウスプロットによる寿命特性の予測と発光素子の実際の特性とを示す図である。

（本開示の一態様を得るに至った経緯）
図１１は、アレニウスプロットによる寿命特性の予測と発光素子の実際の特性とを示す図である。

有機ＥＬ素子などの発光素子では、自発光素子を構成する発光層が温度に応じて劣化する。このような発光素子では、温度による寿命特性は、アレニウスプロットにより予測できることが一般的に知られている。しかし、温度による寿命特性は、５０℃以上、より具体的には、７０℃～１００℃といった高温度領域では、アレニウスプロットによる予測に沿わず、アレニウスプロットにより予測できない。

一方、近年、有機ＥＬ素子などの発光素子がカーナビのディスプレイなど車両に搭載されて用いられる場合がある。このような場合、発光素子は、高温度領域で動作することもある。

しかしながら、上記の従来技術では、車両に搭載される場合など比較的高温となる環境下でディスプレイを構成する発光素子を動作させる場合は考慮されていない。このため、高温環境下という環境温度によるストレス下で発光素子を動作させる場合には、上記の従来技術によって映像信号を補正しても十分な補正精度が得られず、結果として補正誤差が生じてしまい、ディスプレイに表示ムラが発生するおそれが生じる。

本開示の一態様に係る表示装置は、それぞれ発光素子を有する複数の画素が、行列状に配置された表示画面を有する表示装置であって、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を補正する補正回路を備え、前記補正回路は、前記入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する輝度変換部と、前記発光素子の劣化度合いを表す指標である効率残存率であって前記発光素子の発光効率の残存率を示す効率残存率を用いて、前記目標輝度値から、前記入力階調値を補正した出力階調値を算出するとともに、前記出力階調値から、前記目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する補正演算部と、前記補正後輝度値から算出される前記発光素子に対する電流ストレス量を、前記発光素子に基準電流を流したときの電流ストレス量を示す第１ストレス量に換算し、換算した前記第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する電流ストレス演算部と、環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を示す第２ストレス量に換算し、換算した前記第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する温度ストレス演算部と、演算された前記累積第１ストレス量及び前記累積第２ストレス量を用いて、前記効率残存率を更新する効率残存率算出部と、を有する。

この構成によれば、環境温度によるストレスがかかる場合でも、表示ムラを低減することができる。

より具体的には、環境温度によるストレスがかかる場合、電流によるストレス量と環境温度によるストレス量を独立に算出することにより、電流及び環境温度による累積ストレス量を精度よく演算できる。このため、環境温度によるストレスがかかる場合でも環境温度によるストレス量を考慮した効率残存率を精度よく算出して更新できる。そして、更新した効率残存率を用いることで、発光素子の劣化度合いを正確に予測できるので、発光素子の劣化度合いを考慮して補正した入力階調値すなわち出力階調値を精度よく算出することができる。これにより、各発光素子の劣化度合いによらず、各発光素子を一様な発光輝度に補正することができるので、表示ムラを低減することができる。

また、前記効率残存率は、前記発光素子の初期の発光輝度に対する、前記発光素子の劣化後の発光輝度の割合で表され、前記効率残存率算出部は、前記発光素子の輝度と前記発光素子に前記基準電流が流れる累積時間との関係を用いて、前記累積第１ストレス量として算出した前記累積時間から、電流ストレス起因の新たな第１効率残存率を算出し、前記発光素子の輝度と前記基準温度下に曝される前記発光素子の累積時間との関係を用いて、前記累積第２ストレス量として算出した前記累積時間から、温度ストレス起因の新たな第２効率残存率を算出し、前記第１効率残存率と、前記第２効率残存率とから前記効率残存率を算出することで、前記効率残存率を更新してもよい。

この構成によれば、電流ストレス起因の新たな第１効率残存率と温度ストレス起因の新たな第２効率残存率とを独立に演算することで、環境温度によるストレスがかかる場合でも、環境温度によるストレスを考慮した効率残存率を正確に算出できる。

また、前記補正後輝度値から算出される電流ストレス量は、前記発光素子を前記補正後輝度値で発光させたときに前記発光素子に流れる第１電流におけるストレス量であり、前記第１電流におけるストレス量は、前記発光素子に前記第１電流が流れた時間であり、前記基準電流におけるストレス量は、前記発光素子に前記基準電流が流れた時間であり、前記電流ストレス演算部は、前記発光素子に前記第１電流が流れた時間を、前記発光素子に前記基準電流が流れた時間に換算することにより、前記補正後輝度値から算出される電流ストレス量を、前記第１ストレス量に換算してもよい。

この構成によれば、電流ストレス量を、発光素子に基準電流が流れる時間で評価することで、電流によるストレス量を適切に算出することができ、電流による累積ストレス量を正確に演算できる。

また、前記環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量は、前記環境温度下に曝される前記発光素子のストレス量であり、前記環境温度下に曝される前記発光素子のストレス量は、前記環境温度下に曝される前記発光素子の時間であり、前記基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量は、前記基準温度下に曝される前記発光素子の時間であり、前記温度ストレス演算部は、前記環境温度下に曝される前記発光素子の時間を、前記基準温度下に曝される前記発光素子の時間に換算することにより、前記環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、前記第２ストレス量に換算してもよい。

この構成によれば、温度ストレス量を、環境温度に曝される発光素子の時間で評価することで、環境温度によるストレス量を適切に算出することができ、環境温度による累積ストレス量を正確に演算できる。

また、前記画素の環境温度は、前記出力階調値が前記発光素子に印加される際の前記画素の温度であってもよい。

また、本開示の一態様に係る表示装置の駆動方法は、それぞれ発光素子を有する複数の画素が、行列状に配置された表示画面を有する表示装置の駆動方法であって、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を補正する補正ステップを含み、前記補正ステップでは、前記入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する輝度変換ステップと、前記発光素子の劣化度合いを表す指標である効率残存率であって前記発光素子の発光効率の残存率を示す効率残存率を用いて、前記目標輝度値から、前記入力階調値を補正した出力階調値を算出するとともに、前記出力階調値から、前記目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する補正演算ステップと、前記補正後輝度値から算出される前記発光素子に対する電流ストレス量を、前記発光素子に基準電流を流したときの電流ストレス量を示す第１ストレス量に換算し、換算した前記第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する電流ストレス演算ステップと、環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を示す第２ストレス量に換算し、換算した前記第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する温度ストレス演算ステップと、演算された前記累積第１ストレス量及び前記累積第２ストレス量を用いて、前記効率残存率を更新する効率残存率算出ステップとを含む。

なお、これらの包括的または具体的な態様は、装置、システム、方法、集積回路で実現されてもよく、装置、システム、方法、集積回路の任意な組み合わせで実現されてもよい。

以下、本開示の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。以下に説明する実施の形態は、いずれも本開示の好ましい一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは、一例であって本開示を限定する主旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本開示の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。

なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略または簡略化する。

（実施の形態）
［表示装置の構成］
本開示に係る表示装置１は、それぞれ発光素子を有する複数の画素が、行列状に配置された表示画面を有する表示装置である。

以下、本実施の形態に係る表示装置１の構成について説明する。

図１は、本実施の形態に係る表示装置１の構成を示す概略図である。

本実施の形態では、表示装置１は、図１に示すように、表示画面３と、ゲートドライバ回路４と、ソースドライバ回路５と、補正回路１０とを備えている。

＜表示画面３＞
表示画面３は、外部から表示装置１に入力された映像信号に基づいて映像を表示する。ここで、映像信号は、輝度信号、垂直同期信号及び水平同期信号を少なくとも含む。なお、本実施の形態では、輝度信号は、表示画面３を構成する各画素のサブピクセル毎の輝度を階調値で示している。以下、輝度信号により示される階調値を入力階調値と称する。

また、本実施の形態では、表示画面３は、図１に示すように、行列状に配置された複数の画素２を有し、行状の走査線７と、列状のデータ線８とが配線されている。

＜画素２＞
図２は、本実施の形態に係る画素２の構成を示す回路図である。

複数の画素２のそれぞれは、走査線７及びデータ線８に電気的に接続されている。より具体的には、複数の画素２のそれぞれは、図１に示すように、走査線７とデータ線８とが交差する位置に配置される。また、複数の画素２は、例えばＮ行Ｍ列に配置される。Ｎ、Ｍは、正の整数であり、表示画面３のサイズ及び解像度により異なる。

本実施の形態では、画素２には、図２に示すように、参照電源線Ｖｒｅｆと、ＥＬアノード電源線Ｖｔｆｔと、ＥＬカソード電源線Ｖｅｌと、初期化電源線Ｖｉｎｉと、参照電圧制御線ｒｅｆと、初期化制御線ｉｎｉと、イネーブル線ｅｎｂとが配線されている。ここで、ＥＬアノード電源線Ｖｔｆｔは、発光素子２０に印加するアノード電圧を供給する。ＥＬカソード電源線Ｖｅｌは、発光素子２０に印加するカソード電圧を供給する。なお、ＥＬカソード電源線Ｖｅｌは、接地されてもよい。初期化電源線Ｖｉｎｉは、容量素子２２を初期化するときの初期化電圧を供給する。

また、本実施の形態では、画素２は、図２に示すように、発光素子２０と、容量素子２２と、駆動用トランジスタ２４ａと、スイッチ用トランジスタ２４ｂ～２４ｅとを備える。

発光素子２０は、カソードがＥＬカソード電源線Ｖｅｌに接続されており、アノードが駆動用トランジスタ２４ａのソースに接続されている。発光素子２０は、駆動用トランジスタ２４ａから供給される、映像信号（輝度信号）の信号電圧に対応した電流が流れることにより、当該信号電圧に応じた輝度で発光する。本実施の形態では、映像信号の信号電圧に対応する電流は、補正回路１０により補正された映像信号の信号電圧に対応する電流である。詳細は後述するが、補正回路１０により補正された映像信号の信号電圧に対応する電流は、映像信号に含まれる輝度信号が示す輝度の階調値であって補正回路１０により補正された階調値（出力階調値）に対応する電流である。

発光素子２０は、例えばＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）などの有機ＥＬ素子である。なお、発光素子２０は、有機ＥＬ素子に限らず、無機ＥＬ素子またはＱＬＥＤなどの自発光素子でもよいし、電流駆動で制御する素子であれば自発光素子でなくてもよい。

駆動用トランジスタ２４ａは、ゲートが容量素子２２の一方の電極等に接続され、ドレインがスイッチ用トランジスタ２４ｅのソースに接続され、ソースが発光素子２０のアノードに接続されている。図２では、さらにソースが容量素子２２の他方の電極等に接続されている。駆動用トランジスタ２４ａは、ゲート－ソース間に印加された信号電圧を、当該信号電圧に対応した電流（ドレイン－ソース間の電流と称する。）に変換する。そして、駆動用トランジスタ２４ａは、オン状態となることで、ドレイン－ソース間の電流を発光素子２０に印加（供給）して発光素子２０を発光させる。駆動用トランジスタ２４ａは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。

スイッチ用トランジスタ２４ｅは、ゲートがイネーブル線ｅｎｂに接続され、ドレインがＥＬアノード電源線Ｖｔｆｔに接続され、ソースが駆動用トランジスタ２４ａのドレインに接続されている。スイッチ用トランジスタ２４ｅは、イネーブル線ｅｎｂから供給される消光信号に応じてオン状態またはオフ状態となる。スイッチ用トランジスタ２４ｅは、オン状態となることで駆動用トランジスタ２４ａをＥＬアノード電源線Ｖｔｆｔに接続し、駆動用トランジスタ２４ａのドレイン－ソース間の電流を発光素子２０に供給させる。スイッチ用トランジスタ２４ｅは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。

スイッチ用トランジスタ２４ｂは、ゲートが走査線７に接続され、ドレインがデータ線８に接続され、ソースが容量素子２２の一方の電極に接続されている。スイッチ用トランジスタ２４ｂは、走査線７から供給される制御信号に応じてオン状態またはオフ状態となる。スイッチ用トランジスタ２４ｂは、オン状態となることで、データ線８から供給される映像信号の信号電圧を容量素子２２の電極に印加し、当該信号電圧に応じた電荷を容量素子２２に蓄積させる。スイッチ用トランジスタ２４ｂは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。

スイッチ用トランジスタ２４ｄは、ゲートが参照電圧制御線ｒｅｆに接続され、ドレインが参照電源線Ｖｒｅｆに接続され、ソースが容量素子２２の一方の電極等に接続されている。スイッチ用トランジスタ２４ｄは、参照電圧制御線ｒｅｆから供給される制御信号に応じてオン状態またはオフ状態となる。スイッチ用トランジスタ２４ｄは、オン状態となることで、容量素子２２の電極を参照電源線Ｖｒｅｆが供給する電圧に設定する。スイッチ用トランジスタ２４ｄは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。

スイッチ用トランジスタ２４ｃは、ゲートが初期化制御線ｉｎｉに接続され、ソース及びドレインの一方が駆動用トランジスタ２４ａのソースに接続され、ソース及びドレインの他方が初期化電源線Ｖｉｎｉに接続されている。スイッチ用トランジスタ２４ｃは、初期化制御線ｉｎｉから供給される制御信号に応じてオン状態またはオフ状態となる。スイッチ用トランジスタ２４ｃは、駆動用トランジスタ２４ａがオン状態であり、スイッチ用トランジスタ２４ｅがオフ状態にあってＥＬアノード電源線Ｖｔｆｔとの接続が遮断されている中で、オン状態となることで、発光素子２０のアノードを初期化電源線Ｖｉｎｉが供給する初期化電圧（基準電圧）に設定する。スイッチ用トランジスタ２４ｃは、例えば、ｎ型の薄膜トランジスタ（ｎ型ＴＦＴ）で構成される。

容量素子２２は、一方の電極が、駆動用トランジスタ２４ａのゲート及びスイッチ用トランジスタ２４ｂのソース及びスイッチ用トランジスタ２４ｄのソースに接続され、他方の電極が駆動用トランジスタ２４ａのソースに接続されたコンデンサである。容量素子２２は、データ線８から供給された信号電圧に対応した電荷を蓄積する。容量素子２２は、例えば、スイッチ用トランジスタ２４ｂ及びスイッチ用トランジスタ２４ｄがオフ状態となった後に、駆動用トランジスタ２４ａのゲート－ソース間の電圧を安定的に保持する。このように、容量素子２２は、スイッチ用トランジスタ２４ｂ及びスイッチ用トランジスタ２４ｄがオフ状態のときに、蓄積された電荷による信号電位に応じて、駆動用トランジスタ２４ａのゲート・ソース間に電圧を印加する。

これら構成により、画素２は、発光素子２０に電流を安定して流すことができる。

なお、画素２の構成は、図２に示した構成に限らず、他の構成であってもよい。少なくとも画素２としての機能を果たすことができる最小の構成として、発光素子２０と、容量素子２２と、駆動用トランジスタ２４ａと、スイッチ用トランジスタ２４ｂとを備えていればよい。

走査線７は、複数の画素２の行ごとに配されている。走査線７の一端は、画素２に接続され、走査線７の他端は、ゲートドライバ回路４に接続されている。図２に示す例では、走査線７は、画素２に配置されたスイッチ用トランジスタ２４ｂのゲートに接続されている。

データ線８は、複数の画素２の列ごとに配されている。データ線８の一端は、画素２に接続され、データ線８の他端は、ソースドライバ回路５に接続されている。図２に示す例では、データ線８は、スイッチ用トランジスタ２４ｂのドレインに接続されている。

＜ゲートドライバ回路４＞
ゲートドライバ回路４には、走査線７が接続されており、走査線７に制御信号を出力することで、画素２が有する各トランジスタのオン及びオフを制御する。図２に示す例では、ゲートドライバ回路４は、走査線７を介して画素２に配置されたスイッチ用トランジスタ２４ｂのゲートに、走査信号を供給する。

＜ソースドライバ回路５＞
ソースドライバ回路５には、データ線８が接続されており、補正回路１０により補正された映像信号を、データ線８に出力することで、当該映像信号を各画素２に供給する。ソースドライバ回路５は、データ線８を通して、画素２の各々に対して映像信号により示される輝度を表現した出力階調値を電流値または電圧値の形で書き込む。図２に示す例では、ソースドライバ回路５は、データ線８を介して、画素２に配置されたスイッチ用トランジスタ２４ｂのドレインに入力された映像信号に対応した電圧を供給する。

＜補正回路１０＞
補正回路１０は、外部より入力される映像信号を補正してソースドライバ回路５に出力する。より具体的には、補正回路１０は、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を補正し、出力階調値を出力する。これにより、出力階調値が、映像信号に含まれる輝度信号により示される階調として、ソースドライバ回路５に出力される。

換言すると、補正回路１０は、発光素子２０に狙った輝度すなわち目標輝度値で発光するように、映像信号に含まれる輝度信号により示される輝度の階調値（入力階調値）の補正を行うための回路である。なお、目標輝度値は、劣化していない初期の発光素子２０において、入力階調値に対応する発光輝度値に該当する。このため、発光素子２０が劣化した場合、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値に対応する電流値を供給して発光素子２０を発光させても、目標輝度値を達成することができない。そこで、補正回路１０は、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を、目標輝度値を達成できるように補正する。これにより、補正された入力階調値（出力階調値）に対応する電流を供給された発光素子２０は、狙った輝度すなわち目標輝度値を達成することができる。

以下、補正回路１０の構成について説明する。

［補正回路１０の構成］
図３は、本実施の形態に係る補正回路１０の構成の一例を示すブロック図である。

補正回路１０は、輝度変換部１１と、輝度補正演算部１２と、累積ストレス演算部１３とを備える。補正回路１０は、プロセッサがメモリを用いて所定のプログラムを実行することで実現され得る。以下、各構成要素について説明する。

＜輝度変換部１１＞
輝度変換部１１は、入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する。本実施の形態では、輝度変換部１１は、表示装置１の外部より入力される映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する。

これを図４を用いて説明する。

図４は、本実施の形態に係る入力階調値を目標輝度値に変換する方法を説明するための図である。図４には、初期の発光素子２０における階調値と、輝度値との関係を表す階調輝度特性が示されている。

輝度変換部１１は、図４の階調輝度特性に表される関係を用いて、表示装置１の外部より入力される映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を、対応する目標輝度値に変換することができる。

＜輝度補正演算部１２＞
輝度補正演算部１２は、発光素子２０の劣化度合いを表す指標である効率残存率であって発光素子２０の発光効率の残存率を示す効率残存率を用いて、目標輝度値から、入力階調値を補正した出力階調値を算出するとともに、算出した出力階調値から、目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する。ここで、効率残存率は、発光素子２０の初期の発光輝度に対する、発光素子２０の劣化後の発光輝度の割合で表される。

本実施の形態では、輝度補正演算部１２は、累積ストレス演算部１３から得た、環境温度によるストレスを考慮した効率残存率を用いて、輝度変換部１１より出力された目標輝度値から、出力階調値を算出する。ここで、出力階調値は、表示装置１の外部より入力される映像信号に含まれる輝度信号に示される入力階調値が補正された補正後階調値である。輝度補正演算部１２は、算出した出力階調値を出力する。これにより、輝度補正演算部１２は、算出した出力階調値を、映像信号に含まれる輝度信号により示される階調として、ソースドライバ回路５に出力することができる。

また、輝度補正演算部１２は、算出した出力階調値から、目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する。輝度補正演算部１２は、算出した補正後輝度値を累積ストレス演算部１３に出力する。

以下、図５Ａ及び図５Ｂを用いて出力階調値及び補正後輝度値の算出方法について説明する。

図５Ａは、本実施の形態に係る目標輝度値から補正後階調値を算出する方法を説明するための図である。図５Ｂは、本実施の形態に係る補正後階調値から補正後輝度値を算出する方法を説明するための図である。図５Ａ及び図５Ｂには、発光素子２０の初期と劣化後とにおける階調値と輝度値との関係を表す階調輝度特性が示されている。劣化後における階調輝度特性は、初期における階調輝度特性に、効率残存率η__xを乗じることで得ることができる。

輝度補正演算部１２は、図５Ａの劣化後における階調輝度特性に表される関係を用いて、輝度変換部１１より出力された目標輝度値に対応する階調値を、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を補正した補正後階調値として算出することができる。そして、輝度補正演算部１２は、算出した補正後階調値を、出力階調値として出力する。これにより、表示装置１の外部より入力される映像信号に含まれる輝度信号に示される入力階調値が出力階調値に補正されて、ソースドライバ回路５に入力されることになる。

また、輝度補正演算部１２は、図５Ｂの初期における階調輝度特性に表される関係を用いて、算出した補正後階調値に対応する輝度値を、輝度変換部１１より出力された目標輝度値を補正した補正後輝度値として算出することができる。そして、輝度補正演算部１２は、算出した補正後輝度値を、累積ストレス演算部１３に出力する。

＜累積ストレス演算部１３＞
本実施の形態では、電流による発光素子２０の劣化と環境温度による発光素子２０の劣化とは独立事象であるとして、個別に算出する。つまり、累積ストレス演算部１３は、様々な電流による劣化を、電流による累積ストレス量として算出し、様々な環境温度による劣化を、環境温度による累積ストレス量として算出する。

より具体的には、累積ストレス演算部１３は、電流によるストレス量と環境温度によるストレス量を独立に算出することにより、電流及び環境温度による累積ストレス量を独立に演算する。そして、累積ストレス演算部１３は、電流ストレス起因の第１効率残存率と温度ストレス起因の第２効率残存率とを独立に算出することで、環境温度によるストレスを考慮した効率残存率を算出する。これにより、累積ストレス演算部１３は、環境温度によるストレスがかかる場合でも環境温度によるストレスを考慮した効率残存率を正確に算出できる。

さらに、累積ストレス演算部１３は、輝度補正演算部１２が用いた効率残存率を、新たに算出した効率残存率に更新する。

［累積ストレス演算部１３の詳細構成］
次に、本実施の形態に係る累積ストレス演算部１３の詳細構成について説明する。

本実施の形態では、累積ストレス演算部１３は、図３に示すように、電流ストレス演算部１３１と、温度ストレス演算部１３２と、効率残存率算出部１３３とを備える。以下、これらの要素について詳述する。

＜電流ストレス演算部１３１＞
電流ストレス演算部１３１は、補正後輝度値から算出される発光素子２０に対する電流ストレス量を、発光素子２０に基準電流を流したときの電流ストレス量を示す第１ストレス量に換算し、換算した第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する。

ここで、補正後輝度値から算出される電流ストレス量は、発光素子２０を補正後輝度値で発光させたときに発光素子２０に流れる第１電流におけるストレス量であり、発光素子２０に第１電流が流れた時間である。同様に、基準電流における電流ストレス量は、発光素子２０に基準電流が流れた時間である。

このため、より詳細には、電流ストレス演算部１３１は、発光素子２０に第１電流が流れた時間を発光素子２０に基準電流が流れた時間に換算することにより、補正後輝度値から算出されたストレス量を、第１ストレス量に換算することができる。そして、電流ストレス演算部１３１は、換算した第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する。

このように、電流ストレス演算部１３１は、様々な電流による劣化を、電流による累積ストレス量として算出するために、様々な電流による発光素子２０に対する電流ストレスを、基準電流による電流ストレスに変換して累積する。

図６は、電流ストレスの経過時間と発光素子の劣化度合いとの関係を示す図である。

有機ＥＬ素子などの発光素子（自発光素子）では、上述したように、発光素子を構成する発光層が発光量、発光時間及び温度に応じて劣化することが知られている。図６には、発光素子に印加される電流をストレス（電流ストレスと称する）として、発光素子に一定の電流を印加し続けた場合の経過時間における劣化度合いが示されている。電流ストレスＡと電流ストレスＢとは、発光素子に印加される電流の大きさが異なっており、電流ストレスＡ＞電流ストレスＢすなわち（電流ストレスＡとして印加される電流）＞（電流ストレスＢとして印加される電流）である。

図６に示されるように、発光素子に電流ストレスがかかると、時間の経過とともに、劣化が進行するのがわかる。また、発光素子に電流ストレスＡがかかる場合の方が、発光素子に電流ストレスＢがかかる場合よりも劣化が進行しているのがわかる。つまり、図６の点線囲いで示されるように、経過時間が同一であっても、電流ストレスにより劣化の度合いが異なり、より大きな電流ストレスの方が劣化が進行することがわかる。

なお、発光素子２０に供給される電流の大きさは、映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値によって異なるため（つまり一定でないため）、経過時間と発光素子２０の劣化度合いとの関係を簡単に表すことは難しい。

そこで、本実施の形態では、発光素子２０に対する電流ストレス量による劣化の度合いを、発光素子２０にある一定の電流（つまり基準電流）を供給したときの時間の累積時間（経過時間）による劣化の度合いで評価する。このように、発光素子２０に対する電流ストレス量を、発光素子２０に印加（供給）される様々な電流（第１電流）の時間で評価し、さらに、発光素子２０に基準電流が流れる時間に換算することで、電流ストレス量を算出できる。そして、換算した時間を累積した累積時間を算出することで、発光素子２０に累積した電流ストレス量を算出できる。

図７Ａは、本実施の形態に係る補正後輝度値で発光素子２０に発光させる場合に流れる第１電流値を算出する方法を説明するための図である。図７Ａには、初期の発光素子２０において流れる電流値と輝度値との関係を表す曲線（初期特性）が示されている。

電流ストレス演算部１３１は、図７Ａの曲線を用いて、輝度補正演算部１２より出力された補正後輝度値から、当該補正後輝度値で発光素子２０に発光させる場合に流れる第１電流を算出する。

図７Ｂは、本実施の形態に係る発光素子２０に第１電流を流したときの電流ストレス量を、発光素子２０に基準電流を流したときの電流ストレス量に換算する方法を説明するための図である。図７Ｂに示される曲線は、発光素子２０に電流ストレスとして基準電流と第１電流とを流したときにおける、経過時間と発光素子２０の輝度の劣化度合いとの関係を示している。なお、図７Ｂでは、電流ストレスが全くかかっていない初期の発光素子２０の輝度の劣化度合いが１に正規化されている。また、図７Ｂに示される２つの曲線のそれぞれは、予め用意されている。

電流ストレス演算部１３１は、第１電流が発光素子２０に印加される場合の電流ストレス量と等価なストレス量となるように、第１電流が流れた時間を、発光素子２０に基準電流が流れた時間に換算する。より詳細には、電流ストレス演算部１３１は、図７Ｂに示される曲線を用いて、第１電流が発光素子２０に時間Ｔ１だけ印加されたときの輝度の劣化度合いと等価な輝度の劣化度合いとなるように、第１電流が流れた時間Ｔ１を、基準電流が流れた時間Ｔ２に換算する。つまり、図７Ｂに示されるように、発光素子２０に第１電流を流した時間Ｔ１すなわち電流ストレスＩ１における時間Ｔ１は、発光素子２０に基準電流を流した時間Ｔ２すなわち電流ストレスＩｒｅｆにおける時間Ｔ２に換算できる。このようにして、電流ストレス演算部１３１は、補正後輝度値から算出される電流ストレス量を、第１ストレス量に換算できる。

そして、電流ストレス演算部１３１は、第１ストレス量として取得した時間Ｔ２を、以前に取得して累積していた時間ΣＴ２にさらに加えることで、時間Ｔ２の累積時間ΣＴ２を第１累積ストレス量として演算する。

＜温度ストレス演算部１３２＞
温度ストレス演算部１３２は、環境温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量を、基準温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量を示す第２ストレス量に換算し、換算した第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する。なお、環境温度は、例えば出力階調値が発光素子２０に印加される際の画素の温度である。

ここで、環境温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量は、環境温度下に曝される発光素子２０のストレス量であり、環境温度下に曝される発光素子２０の時間で評価できる。同様に、基準温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量は、基準温度下に曝される発光素子２０の時間で評価できる。

このため、より詳細には、温度ストレス演算部１３２は、環境温度下に曝される発光素子２０の時間を、基準温度下に曝される発光素子２０の時間に換算することにより、環境温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量を、第２ストレス量に換算することができる。そして、温度ストレス演算部１３２は、換算した第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する。

このように、温度ストレス演算部１３２は、様々な環境温度による劣化を、環境温度による累積ストレス量として算出するために、様々な環境温度によってかかる発光素子２０に対する温度ストレスを、基準温度による温度ストレスに変換して累積する。

なお、上述したように、有機ＥＬ素子などの発光素子（自発光素子）では、光素子を構成する発光層は温度（環境温度）に応じて劣化する。そして、環境温度下にある発光素子にかかるストレス（以下、温度ストレスと称する）は、より高い環境温度の方が大きい。つまり、図６に示される電流ストレスと同様に、経過時間が同一であっても、温度ストレスの大きさにより劣化の度合が異なり、より大きな温度ストレスが発光素子にかかる方が劣化が進行する。

そこで、本実施の形態では、環境温度下に曝される発光素子２０に対する温度ストレス量による劣化の度合いを、基準温度下に曝される発光素子２０の時間の累積時間（経過時間）による劣化の度合いで評価する。このように、環境温度下にある発光素子２０にかかるストレス量を、環境温度下に曝される発光素子２０の時間で評価し、さらに、基準温度下に曝される発光素子２０の換算することで、温度ストレス量を算出できる。そして、換算した時間を累積した累積時間を算出することで、発光素子２０に累積した温度ストレス量を算出する。

図８は、本実施の形態に係る発光素子２０にかかる環境温度下の温度ストレス量を、発光素子２０にかかる基準温度下の温度ストレス量に換算する方法を説明するための図である。図８に示される曲線は、発光素子２０にかかる温度ストレスとして、環境温度が第１温度であるとき（温度ストレス：Ｋ１）と、基準温度であるとき（温度ストレス：Ｋｒｅｆ）とにおける、経過時間と発光素子２０の輝度の劣化度合いとの関係を示している。なお、図８では、温度ストレスが全くかかっていない初期の発光素子２０の輝度の劣化度合いが１に正規化されている。また、図８に示される２つの曲線のそれぞれは、予め用意されている。

温度ストレス演算部１３２は、環境温度である第１温度下で発光素子２０にかかる温度ストレス量と等価なストレス量となるように、第１温度下に曝される発光素子２０の時間を、基準温度下に曝される発光素子２０の時間に換算する。より詳細には、温度ストレス演算部１３２は、図８に示される曲線を用いて、環境温度である第１温度下で発光素子２０にかかる温度ストレス量として評価した発光素子２０が第１温度下に曝された時間Ｓ１を、発光素子２０が基準温度下に曝された時間Ｓ２に換算する。つまり、図８に示されるように、発光素子２０が第１温度下に曝された時間Ｓ１すなわち温度ストレスＫ１における時間Ｓ１は、発光素子２０が基準温度下に曝された時間Ｓ２すなわち温度ストレスＫｒｅｆにおける時間Ｓ２に換算できる。このようにして、温度ストレス演算部１３２は、環境温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量を、第２ストレス量に換算できる。

そして、温度ストレス演算部１３２は、第２ストレス量として取得した時間Ｓ２を、以前に取得して累積していた時間ΣＳ２にさらに加えることで、時間Ｓ２の累積時間ΣＳ２を第２累積ストレス量として演算する。

＜効率残存率算出部１３３＞
効率残存率算出部１３３は、演算された累積第１ストレス量及び累積第２ストレス量を用いて、効率残存率を更新する。より具体的には、効率残存率算出部１３３は、発光素子２０の輝度と発光素子２０に基準電流が流れる累積時間との関係を用いて、累積第１ストレス量として算出した累積時間から、電流ストレス起因の新たな第１効率残存率を算出する。また、効率残存率算出部１３３は、発光素子２０の輝度と基準温度下に曝される発光素子２０の累積時間との関係を用いて、累積第２ストレス量として算出した累積時間から、温度ストレス起因の新たな第２効率残存率を算出する。そして、効率残存率算出部１３３は、算出した第１効率残存率及び第２効率残存率とから新たな効率残存率を算出することで、効率残存率を更新する。

本実施の形態では、効率残存率算出部１３３は、図９Ａに示される曲線を用いて、電流ストレス演算部１３１が演算した累積時間ΣＴ２から、電流ストレス起因の第１効率残存率η_{_Ｉｒｅｆ}を算出する。

図９Ａは、本実施の形態に係る発光素子２０に基準電流を累積時間流したときの輝度の劣化度合いから、電流ストレス起因の第１効率残存率η_{_Ｉｒｅｆ}を算出する方法を説明するための図である。図９Ａに示される曲線は、発光素子２０に電流ストレスとして基準電流を流したときにおける、経過時間（累積時間）と発光素子２０の輝度の劣化度合いとの関係を示している。

図９Ａに示される曲線では、累積時間ΣＴ２が０である場合の発光輝度は劣化していないため、初期の発光素子２０の発光輝度に相当する。このため、累積時間ΣＴ２における発光素子２０の発光輝度は、発光素子２０の初期の発光輝度に対する、発光素子２０の劣化後の発光輝度の割合で表すことができる。つまり、効率残存率算出部１３３は、図９Ａに示される曲線を用いて、累積時間ΣＴ２から、第１効率残存率η_{_Ｉｒｅｆ}を算出することができる。なお、図９Ａでは、初期の発光素子２０における劣化していない発光輝度は１に正規化されている。

また、本実施の形態では、効率残存率算出部１３３は、図９Ｂに示される曲線を用いて、温度ストレス演算部１３２が演算した累積時間ΣＳ２から、温度ストレス起因の第２効率残存率η_{_Ｋｒｅｆ}を算出する。

図９Ｂは、本実施の形態に係る発光素子２０に基準温度下の温度ストレスが累積時間かかったときの輝度の劣化度合いから、温度ストレス起因の第２効率残存率η_{_ｋｒｅｆ}を算出する方法を説明するための図である。図９Ｂに示される曲線は、発光素子２０に基準温度下の温度ストレスがかかったときにおける、経過時間（累積時間）と発光素子２０の輝度の劣化度合いとの関係を示している。

図９Ｂに示される曲線では、累積時間ΣＳ２が０である場合の発光輝度は劣化していないため、初期の発光素子２０の発光輝度に相当する。このため、累積時間ΣＳ２における発光素子２０の発光輝度は、発光素子２０の初期の発光輝度に対する、発光素子２０の劣化後の発光輝度の割合で表すことができる。つまり、効率残存率算出部１３３は、図９Ｂに示される曲線を用いて、累積時間ΣＳ２から、第２効率残存率η_{_Ｋｒｅｆ}を算出することができる。なお、図９Ｂでも、初期の発光素子２０における劣化していない発光輝度は１に正規化されている。

さらに、本実施の形態では、効率残存率算出部１３３は、個別（独立）に算出した電流ストレス起因の第１効率残存率η_{_Ｉｒｅｆ}と温度ストレス起因の第２効率残存率η_{_ｋｒｅｆ}とを用いて、電流ストレスと温度ストレスとを考慮した効率残存率η_{_ｘ}を算出する。

より具体的には、効率残存率算出部１３３は、下記の（式１）を用いて、個別（独立）に算出した第１効率残存率η_{_Ｉｒｅｆ}と第２効率残存率η_{_ｋｒｅｆ}とから、効率残存率η_{_ｘ}を算出する。そして、効率残存率算出部１３３は、１つ前の効率残存率η_{_ｘ}を、算出した効率残存率η_{_ｘ}に更新する。

（式１）に示すように、電流ストレスと温度ストレスとを考慮した効率残存率η_{_ｘ}は、電流ストレス起因の第１効率残存率η_{_Ｉｒｅｆ}に加えて、温度ストレス起因の第２効率残存率η_{_ｋｒｅｆ}が加算された形で表すことができる。つまり、電流による発光素子２０の劣化と環境温度による発光素子２０の劣化とは独立事象であるが、発光素子２０の劣化は、これらの事象を足しあわして表現できるとしている。そして、８０℃～９０℃といった高温度領域において、温度ストレス起因の第２効率残存率η_{_ｋｒｅｆ}が効いてくることになる。つまり、アレニウスプロットによる予測が成立しない環境温度下でも精度よく効率残存率η_{_ｘ}を正確に算出できる。

［表示装置１の駆動方法］
次に、以上のように構成された表示装置１の駆動方法について説明する。

図１０は、本実施の形態に係る表示装置１の駆動方法の一例を示すフローチャートである。図１０には、表示装置１を構成する補正回路１０の処理が表示装置１の駆動方法の一例として示されている。

まず、補正回路１０は、表示装置１の外部より入力される映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する（Ｓ１０）。

次に、補正回路１０は、効率残存率を用いて、ステップＳ１０で変換された目標輝度値から、入力階調値を補正した出力階調値を算出するとともに、出力階調値から、目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する（Ｓ１１）。この効率残存率は、１つ前の処理などで累積ストレス演算部１３により算出されたものである。

次に、補正回路１０は、ステップＳ１１で算出された補正後輝度値から算出される電流ストレス量を、基準電流における電流ストレス量に換算し、換算した電流ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する（Ｓ１２）。より具体的には、補正回路１０は、ステップＳ１１で算出された補正後輝度値から算出される発光素子２０に対する電流ストレス量を、発光素子２０に基準電流を流したときの電流ストレス量を示す第１ストレス量に換算する。そして、補正回路１０は、換算した第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する（Ｓ１２）。

次に、補正回路１０は、環境温度から算出される温度ストレス量を、基準温度における温度ストレス量に換算し、換算した温度ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する（Ｓ１３）。ここでステップＳ１２とステップＳ１３の順番を変更してもよい。より具体的には、補正回路１０は、環境温度を取得し、取得した環境温度から算出される、環境温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量を、基準温度下にある発光素子２０にかかる温度ストレス量を示す第２ストレス量に換算する。そして、補正回路１０は、換算した第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する。

次に、補正回路１０は、ステップＳ１２及びステップＳ１３で演算した累積第１ストレス量及び累積第２ストレス量から、電流ストレスと温度ストレスとを考慮した効率残存率を算出する（Ｓ１４）。

［効果等］
以上、本実施の形態に係る表示装置１によれば、環境温度によるストレスがかかる場合でも、表示ムラを低減することができる。

より具体的には、上述したように電流による発光素子の劣化と環境温度による発光素子の劣化とは独立事象であるとして個別に算出する。そして、様々な電流による劣化を、電流による累積ストレス量として算出し、様々な環境温度による劣化を、環境温度による累積ストレス量として算出する。

換言すると、本実施の形態に係る表示装置１は、電流によるストレス量と環境温度によるストレス量とを独立に算出することにより、電流及び環境温度による累積ストレス量を精度よく演算できる。このため、環境温度によるストレスがかかる場合でも環境温度によるストレス量を考慮した効率残存率を精度よく算出して、更新できる。そして、更新した効率残存率を用いることで、アレニウスプロットによる予測が成立しない環境温度下でも発光素子２０の劣化度合いを精度よく予測して、発光素子２０の劣化度合いを考慮して補正した入力階調値すなわち出力階調値を算出することができる。これにより、環境温度によるストレスがかかる場合であっても、各発光素子２０の劣化度合いによらず、各発光素子２０を一様な発光輝度に補正することができるので、表示ムラを低減することができる。

また、本実施の形態に係る表示装置１によれば、電流ストレス起因の第１効率残存率と温度ストレス起因の第２効率残存率とを独立に演算することで、環境温度によるストレスを考慮した効率残存率を正確に算出して更新できる。

ここで、本実施の形態に係る表示装置１は、電流による劣化挙動と、環境温度による劣化挙動とは独立事象であるとして、電流による累積ストレス量と、温度による累積ストレス量とを個別に演算する。

すなわち、様々な電流による劣化を、基準電流によるストレス量に変換し累積する。より具体的には、本実施の形態に係る表示装置１は、電流ストレス量を、発光素子に基準電流が流れる時間で評価することで、電流によるストレス量を適切に算出し、電流による累積ストレス量を正確に演算する。

また、様々な温度による劣化を、基準温度によるストレス量に変換し累積する。より具体的には、本実施の形態に係る表示装置１は、温度ストレス量を、環境温度に曝される発光素子の時間で評価することで、環境温度によるストレス量を適切に算出することができ、環境温度による累積ストレス量を正確に演算する。

以上、実施の形態及び実施例に係る表示装置１について説明したが、表示装置１は、上述した実施の形態に限定されるものではない。

例えば、上述した補正回路１０に、例えばゲイン演算部を設け、累積ストレス演算部で得られた効率残存率が小さい場合には、効率残存率をゲイン演算部で算出されたゲインにより増幅させてもよい。

また、本開示の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本開示の範囲内に含まれる。

本開示は、表示装置及び表示装置の駆動方法に利用でき、特に、自発光素子を有し大画面及び高解像度が要望される薄型テレビ及びパーソナルコンピュータのディスプレイなどの技術分野における表示装置及び表示装置の駆動方法に利用できる。

１ 表示装置
２ 画素
３ 表示画面
４ ゲートドライバ回路
５ ソースドライバ回路
７ 走査線
８ データ線
１０ 補正回路
１１ 輝度変換部
１２ 輝度補正演算部
１３ 累積ストレス演算部
２０ 発光素子
２２ 容量素子
２４ａ 駆動用トランジスタ
２４ｂ、２４ｃ、２４ｄ、２４ｅ スイッチ用トランジスタ
１３１ 電流ストレス演算部
１３２ 温度ストレス演算部
１３３ 効率残存率算出部

Claims (4)

1. それぞれ発光素子を有する複数の画素が、行列状に配置された表示画面を有する表示装置であって、
   映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を補正する補正回路を備え、
   前記補正回路は、
   前記入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する輝度変換部と、
   前記発光素子の劣化度合いを表す指標である効率残存率であって前記発光素子の発光効率の残存率を示す効率残存率を用いて、前記目標輝度値から、前記入力階調値を補正した出力階調値を算出するとともに、前記出力階調値から、前記目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する補正演算部と、
   前記補正後輝度値から算出される前記発光素子に対する電流ストレス量を、前記発光素子に基準電流を流したときの電流ストレス量を示す第１ストレス量に換算し、換算した前記第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する電流ストレス演算部と、
   環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を示す第２ストレス量に換算し、換算した前記第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する温度ストレス演算部と、
   演算された前記累積第１ストレス量及び前記累積第２ストレス量を用いて、前記効率残存率を更新する効率残存率算出部と、を有し、
   前記効率残存率は、前記発光素子の初期の発光輝度に対する、前記発光素子の劣化後の発光輝度の割合で表され、
   前記効率残存率算出部は、
   前記発光素子の輝度と前記発光素子に前記基準電流が流れる累積時間との関係を用いて、前記累積第１ストレス量として算出した前記累積時間から、電流ストレス起因の新たな第１効率残存率を算出し、
   前記発光素子の輝度と前記基準温度下に曝される前記発光素子の累積時間との関係を用いて、前記累積第２ストレス量として算出した前記累積時間から、温度ストレス起因の新たな第２効率残存率を算出し、
   前記第１効率残存率と、前記第２効率残存率とから前記効率残存率を算出することで、前記効率残存率を更新し、
   前記補正後輝度値から算出される電流ストレス量は、前記発光素子を前記補正後輝度値で発光させたときに前記発光素子に流れる第１電流におけるストレス量であり、
   前記第１電流におけるストレス量は、前記発光素子に前記第１電流が流れた時間であり、
   前記基準電流におけるストレス量は、前記発光素子に前記基準電流が流れた時間であり、
   前記電流ストレス演算部は、
   前記発光素子に前記第１電流が流れた時間を、前記発光素子に前記基準電流が流れた時間に換算することにより、前記補正後輝度値から算出される電流ストレス量を、前記第１ストレス量に換算し、
   前記環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量は、前記環境温度下に曝される前記発光素子のストレス量であり、
   前記環境温度下に曝される前記発光素子のストレス量は、前記環境温度下に曝される前記発光素子の時間であり、
   前記基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量は、前記基準温度下に曝される前記発光素子の時間であり、
   前記温度ストレス演算部は、
   前記環境温度下に曝される前記発光素子の時間を、前記基準温度下に曝される前記発光素子の時間に換算することにより、前記環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、前記第２ストレス量に換算する、
   表示装置。
2. 前記画素の環境温度は、前記出力階調値が前記発光素子に印加される際の前記画素の温度である、
   請求項１に記載の表示装置。
3. それぞれ発光素子を有する複数の画素が、行列状に配置された表示画面を有する表示装置の駆動方法であって、
   映像信号に含まれる輝度信号により示される入力階調値を補正する補正ステップを含み、
   前記補正ステップでは、
   前記入力階調値を、対応する目標輝度値に変換する輝度変換ステップと、
   前記発光素子の劣化度合いを表す指標である効率残存率であって前記発光素子の発光効率の残存率を示す効率残存率を用いて、前記目標輝度値から、前記入力階調値を補正した出力階調値を算出するとともに、前記出力階調値から、前記目標輝度値を補正した補正後輝度値を算出する補正演算ステップと、
   前記補正後輝度値から算出される前記発光素子に対する電流ストレス量を、前記発光素子に基準電流を流したときの電流ストレス量を示す第１ストレス量に換算し、換算した前記第１ストレス量を累積した累積第１ストレス量を演算する電流ストレス演算ステップと、
   環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を示す第２ストレス量に換算し、換算した前記第２ストレス量を累積した累積第２ストレス量を演算する温度ストレス演算ステップと、
   演算された前記累積第１ストレス量及び前記累積第２ストレス量を用いて、前記効率残存率を更新する効率残存率算出ステップとを含み、
   前記効率残存率は、前記発光素子の初期の発光輝度に対する、前記発光素子の劣化後の発光輝度の割合で表され、
   前記効率残存率算出ステップでは、
   前記発光素子の輝度と前記発光素子に前記基準電流が流れる累積時間との関係を用いて、前記累積第１ストレス量として算出した前記累積時間から、電流ストレス起因の新たな第１効率残存率を算出し、
   前記発光素子の輝度と前記基準温度下に曝される前記発光素子の累積時間との関係を用いて、前記累積第２ストレス量として算出した前記累積時間から、温度ストレス起因の新たな第２効率残存率を算出し、
   前記第１効率残存率と、前記第２効率残存率とから前記効率残存率を算出することで、前記効率残存率を更新し、
   前記補正後輝度値から算出される電流ストレス量は、前記発光素子を前記補正後輝度値で発光させたときに前記発光素子に流れる第１電流におけるストレス量であり、
   前記第１電流におけるストレス量は、前記発光素子に前記第１電流が流れた時間であり、
   前記基準電流におけるストレス量は、前記発光素子に前記基準電流が流れた時間であり、
   前記電流ストレス演算ステップでは、
   前記発光素子に前記第１電流が流れた時間を、前記発光素子に前記基準電流が流れた時間に換算することにより、前記補正後輝度値から算出される電流ストレス量を、前記第１ストレス量に換算し、
   前記環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量は、前記環境温度下に曝される前記発光素子のストレス量であり、
   前記環境温度下に曝される前記発光素子のストレス量は、前記環境温度下に曝される前記発光素子の時間であり、
   前記基準温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量は、前記基準温度下に曝される前記発光素子の時間であり、
   前記温度ストレス演算ステップでは、
   前記環境温度下に曝される前記発光素子の時間を、前記基準温度下に曝される前記発光素子の時間に換算することにより、前記環境温度下にある前記発光素子にかかる温度ストレス量を、前記第２ストレス量に換算する、
   駆動方法。
4. 前記画素の環境温度は、前記出力階調値が前記発光素子に印加される際の前記画素の温度である、
   請求項３に記載の駆動方法。

Images